JP7494672B2 - Photomask blanks, photomask blanks manufacturing method, learning method, and photomask blanks inspection method - Google Patents

Photomask blanks, photomask blanks manufacturing method, learning method, and photomask blanks inspection method Download PDF

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Description

本発明は、フォトマスクブランクス、フォトマスクブランクスの製造方法、学習方法およびフォトマスクブランクスの検査方法に関する。 The present invention relates to photomask blanks, a manufacturing method for photomask blanks, a learning method, and a method for inspecting photomask blanks.

従来から、フォトマスクブランクスからの反射光を利用して欠陥を検査している(例えば、特許文献1)。しかしながら、反射光を測定するのみでは、微小なハーフピンホールと呼ばれる欠陥を検査することは困難であった。 Conventionally, defects have been inspected using reflected light from photomask blanks (for example, see Patent Document 1). However, it has been difficult to inspect tiny defects called half pinholes by only measuring reflected light.

特開2018-120211号公報JP 2018-120211 A

第1の態様によれば、ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を有するフォトマスクブランクスであって、前記積層膜における1μm以上3μm以下のハーフピンホールが0.003個/cm以下である。
第2の態様によれば、フォトマスクブランクスの製造方法は、ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を成膜してフォトマスクブランクスを形成する工程と、前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、前記第2情報に基づいて、ハーフピンホールを検出するハーフピンホール検出工程と、を有する。
第3の態様によれば、学習方法は、ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を成膜してフォトマスクブランクスを形成する工程と、前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、前記異物の大きさに関する情報を取得する工程と、前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、前記第1情報と、前記異物の大きさに関する情報と、前記第2情報との関係を学習する学習工程と、を有する。
第4の態様によれば、ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を有するフォトマスクブランクスの検査方法であって、前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、前記第2情報に基づいて、ハーフピンホールを検出するハーフピンホール検出工程と、を有する。
According to a first aspect, there is provided a photomask blank having a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate, wherein the laminated film has 0.003 or less half pinholes/cm2 or less having a size of 1 μm or more and 3 μm or less.
According to a second aspect, a method for manufacturing a photomask blank includes a step of forming a photomask blank by forming a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate, a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign matter in the laminated film, a cleaning step of cleaning the photomask blank after the first inspection step, a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step, and a half pinhole detection step of detecting a half pinhole based on the second information.
According to a third aspect, a learning method includes a step of forming a photomask blank by forming a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate, a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign matter in the laminated film, a step of acquiring information regarding a size of the foreign matter, a cleaning step of cleaning the photomask blank after the first inspection step, a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step, and a learning step of learning the relationship between the first information, the information regarding the size of the foreign matter, and the second information.
According to a fourth aspect, a method for inspecting a photomask blank having a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate includes a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign matter in the laminated film, a cleaning step of cleaning the photomask blank after the first inspection step, a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step, and a half pinhole detection step of detecting a half pinhole based on the second information.

実施の形態におけるフォトマスクブランクスの断面構造を模式的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a photomask blank according to an embodiment. 実施の形態におけるフォトマスクブランクスの製造方法を説明するフローチャートである。1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a photomask blank in an embodiment. 実施の形態による検査装置の要部構成の一例を説明するブロック図である。1 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a main part of an inspection device according to an embodiment. 検査工程時における検査位置の移動経路の一例を模式的に示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a movement path of an inspection position during an inspection process. 実施例における第1検査工程にて検査位置にて検出された異物と、同じ場所において第2検査工程にて検出された欠陥との関係を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing the relationship between a foreign substance detected at an inspection position in a first inspection process and a defect detected at the same position in a second inspection process in an embodiment. 変形例1における検査装置の要部工程の一例を説明するブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating an example of a main process of an inspection device in Modification 1. 変形例1における学習方法を説明するフローチャートである。13 is a flowchart illustrating a learning method in the first modified example. 変形例1におけるフォトマスクブランクスの製造方法を説明するフローチャートである。11 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a photomask blank in Modification 1.

以下、実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明を行う。
本実施の形態のフォトマスクブランクスは、ガラス基板上に成膜された積層膜における大きさ1μm以上3μm以下のハーフピンホールが0.003個/cm以下である。
図1に、本実施の形態のフォトマスクブランクス1の断面構造を模式的に示す。なお、説明の都合上、X軸、Y軸、Z軸からなる直交座標系を図1に示すように設定する。すなわち、図1の紙面の水平方向にX軸を、紙面の垂直方向にZ軸を、X軸およびZ軸に直交する方向(紙面奥方向)にY軸を設定する。図1においては、フォトマスクブランクス1の上面をXY平面と平行となるように示す。
Hereinafter, the embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
In the photomask blank of the present embodiment, the number of half pinholes having a size of 1 μm or more and 3 μm or less in the laminate film formed on the glass substrate is 0.003 pieces/cm 2 or less.
Fig. 1 shows a schematic cross-sectional structure of a photomask blank 1 according to the present embodiment. For convenience of explanation, an orthogonal coordinate system consisting of an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis is set as shown in Fig. 1. That is, the X-axis is set in the horizontal direction of the paper surface of Fig. 1, the Z-axis is set in the vertical direction of the paper surface, and the Y-axis is set in a direction perpendicular to the X-axis and Z-axis (into the depth direction of the paper surface). In Fig. 1, the top surface of the photomask blank 1 is shown parallel to the XY plane.

図1(a)はフォトマスクブランクスの断面構造を模式的に示す。積層膜11は、ガラス基板10上の第1の層である遮光層12と第2の層である反射防止層13とを含む。ガラス基板10は、例えば合成石英ガラスである。遮光層12は、例えばクロム等の金属薄膜であり、反射防止層13は、例えば酸化クロム等の金属酸化物薄膜である。本実施の形態においては、図示の通り、遮光層12の膜厚は反射防止層13の膜厚よりも大きい。遮光層12の膜厚は、例えば80nmであり、反射防止層13の膜厚は、例えば20nmである。 Figure 1 (a) shows a schematic cross-sectional structure of a photomask blank. The laminated film 11 includes a light-shielding layer 12, which is a first layer, and an anti-reflection layer 13, which is a second layer, on a glass substrate 10. The glass substrate 10 is, for example, synthetic quartz glass. The light-shielding layer 12 is, for example, a metal thin film such as chromium, and the anti-reflection layer 13 is, for example, a metal oxide thin film such as chromium oxide. In this embodiment, as shown in the figure, the film thickness of the light-shielding layer 12 is greater than the film thickness of the anti-reflection layer 13. The film thickness of the light-shielding layer 12 is, for example, 80 nm, and the film thickness of the anti-reflection layer 13 is, for example, 20 nm.

次に、図2に示すフローチャートを参照して、上述したフォトマスクブランクス1の製造方法および検査方法について説明する。
ステップS1においては、ガラス基板10上に積層膜11である遮光層12と反射防止層13とを成膜してフォトマスクブランクス1を形成する(形成工程)。ステップS2では、後述する検査装置を用いて、フォトマスクブランクス1の積層膜11における異物の位置を特定し、この異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する(第1検査工程)。なお、異物としては、例えば、スパッタリング法により積層膜11を成膜した際のターゲットからの材料の破片や、成膜装置内のシールドから剥離した材料などが含まれる。
Next, a method for manufacturing and inspecting the above-mentioned photomask blanks 1 will be described with reference to the flow chart shown in FIG.
In step S1, a photomask blank 1 is formed by depositing a light-shielding layer 12 and an anti-reflection layer 13, which are a laminated film 11, on a glass substrate 10 (a formation step). In step S2, an inspection device described below is used to identify the position of a foreign object in the laminated film 11 of the photomask blank 1, and first information including information on the position of the foreign object is obtained (a first inspection step). Examples of foreign objects include fragments of material from a target when the laminated film 11 is deposited by a sputtering method, and material peeled off from a shield in a deposition device.

ステップS3においては、第1検査工程後のフォトマスクブランクス1の洗浄を行う(洗浄工程)。ステップS4においては、洗浄工程後のフォトマスクブランクス1に対して、第1検査工程にて特定された異物の位置における撮像情報を含む第2情報を取得する(第2検査工程)。ステップS5においては、第2情報に基づいて、所定の判定基準を満たすか否かを判定する(判定工程)。
以下、上記の各ステップにて行われる工程について詳細に説明する。なお、検査方法としては、上記のステップS2(第1検査工程)からステップS5(判定工程)までが行われれば良い。
In step S3, the photomask blank 1 after the first inspection step is cleaned (cleaning step). In step S4, second information including image information at the position of the foreign object identified in the first inspection step is obtained for the photomask blank 1 after the cleaning step (second inspection step). In step S5, it is determined whether or not a predetermined determination criterion is satisfied based on the second information (determination step).
The process performed in each of the above steps will be described in detail below. Note that the inspection method may be performed by performing the above steps S2 (first inspection step) to S5 (determination step).

<形成工程>
ガラス基板10上に積層膜11を形成する際には、例えば、公知のスパッタリング法等を適用できる。スパッタリング方法としては、2極スパッタリング法でも、あるいは、マグネトロンスパッタリング法のいずれも適用可能である。また、スパッタリング用の電源としては、直流電源でも、あるいは、高周波電源のいずれも適用可能である。スパッタリング法等により、ガラス基板10上に遮光層12を形成し、さらに、遮光層12上に反射防止層13を形成する。
<Forming process>
When forming the laminated film 11 on the glass substrate 10, for example, a known sputtering method or the like can be applied. As the sputtering method, either a bipolar sputtering method or a magnetron sputtering method can be applied. As the power source for sputtering, either a direct current power source or a high frequency power source can be applied. By the sputtering method or the like, the light-shielding layer 12 is formed on the glass substrate 10, and further, the anti-reflection layer 13 is formed on the light-shielding layer 12.

<検査装置>
ここで、第1検査工程及び第2検査工程に用いられる検査装置20の説明をする。図3は、検査装置20の要部構成を説明するブロック図である。検査装置20は、光源21と、第1検出部22と、第2検出部23と、第3検出部24と、撮像部25と、駆動部26と、制御部27と、載置台28と、光源29と、光源31とを有する。光源21と、第1検出部22と、第2検出部23と、第3検出部24と、撮像部25と、光源29と、光源31とは、同一の検査ユニット30内に収容される。なお、図3においても、図1と同様にX軸、Y軸、Z軸からなる直交座標系を設定する。
光源21は、例えばレーザー光を、載置台28に載置されたフォトマスクブランクス1に向けて、すなわち図3のZ方向-側へ出射する。光源21は、例えば波長が532nmのレーザー光を出射する。
<Inspection equipment>
Here, the inspection device 20 used in the first inspection process and the second inspection process will be described. Fig. 3 is a block diagram for explaining the main configuration of the inspection device 20. The inspection device 20 has a light source 21, a first detection unit 22, a second detection unit 23, a third detection unit 24, an imaging unit 25, a driving unit 26, a control unit 27, a mounting table 28, a light source 29, and a light source 31. The light source 21, the first detection unit 22, the second detection unit 23, the third detection unit 24, the imaging unit 25, the light source 29, and the light source 31 are accommodated in the same inspection unit 30. Note that in Fig. 3 as well, an orthogonal coordinate system consisting of an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis is set as in Fig. 1.
The light source 21 emits, for example, a laser beam toward the photomask blank 1 placed on the placement table 28, that is, toward the negative Z direction in Fig. 3. The light source 21 emits, for example, a laser beam having a wavelength of 532 nm.

第1検出器22は、フォトマスクブランクス1に対して光源21と同じ側(すなわちZ方向+側)に配置される。第1検出器22は、例えば光電子増倍管(フォトマルチプライヤ)であり、光源21からのレーザー光の光軸からずれた位置に配置される。これにより、光源21からのレーザー光のうち、フォトマスクブランクス1にて散乱してZ方向+側へ進む散乱光(後方散乱光)を受光する。第1検出器22は、受光した後方散乱光の強度に応じた検出信号(第1検出信号)を制御部27へ出力する。 The first detector 22 is disposed on the same side of the photomask blanks 1 as the light source 21 (i.e., the + side in the Z direction). The first detector 22 is, for example, a photomultiplier tube, and is disposed at a position offset from the optical axis of the laser light from the light source 21. As a result, it receives scattered light (backscattered light) of the laser light from the light source 21 that is scattered by the photomask blanks 1 and travels toward the + side in the Z direction. The first detector 22 outputs a detection signal (first detection signal) corresponding to the intensity of the received backscattered light to the control unit 27.

第2検出器23は、フォトマスクブランクス1に対して光源21と反対側(すなわちZ方向-側)に配置される。第2検出器23は、例えば光電子増倍管(フォトマルチプライヤ)であり、光源21からのレーザー光の光軸からずれた位置に配置される。これにより、光源21からのレーザー光のうち、フォトマスクブランクス1を透過してZ方向-側へ進む散乱光(前方散乱光)を受光する。第2検出器23は、受光した前方散乱光の強度に応じた検出信号(第2検出信号)を制御部27へ出力する。 The second detector 23 is disposed on the opposite side of the photomask blanks 1 to the light source 21 (i.e., the - side in the Z direction). The second detector 23 is, for example, a photomultiplier tube, and is disposed at a position offset from the optical axis of the laser light from the light source 21. As a result, it receives scattered light (forward scattered light) of the laser light from the light source 21 that passes through the photomask blanks 1 and travels toward the - side in the Z direction. The second detector 23 outputs a detection signal (second detection signal) corresponding to the intensity of the received forward scattered light to the control unit 27.

第3検出器24は、フォトマスクブランクス1に対して光源21と同じ側(Z方向+側)に配置される。第3検出器24は、例えば撮像素子(フォトダイオード)であり、光源21からのレーザー光のうち、フォトマスクブランクス1にて反射してZ方向+側へ進む反射光を受光する。なお、第3検出器24は、フォトマスクブランクス1にて散乱した散乱光(後方散乱光)も受光するが、当該散乱光は第3検出器24の感度では検出困難なほど強度が弱いため、実質的に反射光のみを検出することになる。第3検出器24は、受光した反射光の強度に応じた検出信号(第3検出信号)を制御部27へ出力する。
撮像部25は、例えば微分干渉観察により得られる像を撮像する。微分干渉観察は比較的高い倍率の対物レンズを用いて行われ、例えば対物レンズの倍率は50倍以上であることが好ましい。撮像部25は、光源29からの光のうち、フォトマスクブランクス1の表面(すなわち反射防止層13)にて反射してZ方向+側へ進む反射光を撮像する。また、フォトマスクブランクス1のZ方向-側に設けられた光源31からの光のうち、フォトマスクブランクス1をZ方向+側に透過する透過光を撮像する。なお、光源29及び光源31は、例えば白色LEDである。撮像により得られた画像信号は、制御部27へ出力される。
The third detector 24 is disposed on the same side (+ side in the Z direction) as the light source 21 with respect to the photomask blanks 1. The third detector 24 is, for example, an image sensor (photodiode), and receives reflected light from the laser light from the light source 21 that is reflected by the photomask blanks 1 and travels toward the + side in the Z direction. The third detector 24 also receives scattered light (backscattered light) scattered by the photomask blanks 1, but since the intensity of the scattered light is so low that it is difficult to detect with the sensitivity of the third detector 24, the third detector 24 essentially detects only the reflected light. The third detector 24 outputs a detection signal (third detection signal) corresponding to the intensity of the received reflected light to the control unit 27.
The imaging unit 25 captures an image obtained by, for example, differential interference observation. Differential interference observation is performed using an objective lens with a relatively high magnification, and for example, the magnification of the objective lens is preferably 50 times or more. The imaging unit 25 captures reflected light from the light source 29 that is reflected by the surface of the photomask blanks 1 (i.e., the anti-reflection layer 13) and travels toward the + side in the Z direction. In addition, the imaging unit 25 captures transmitted light from the light source 31 provided on the - side of the photomask blanks 1 in the Z direction that passes through the photomask blanks 1 toward the + side in the Z direction. The light source 29 and the light source 31 are, for example, white LEDs. An image signal obtained by imaging is output to the control unit 27.

駆動部26は、例えばモータおよびガイドレール等を有し、制御部27により制御され、検査ユニット30と載置台28(すなわちフォトマスクブランクス1)との相対的な位置関係を変更する。駆動部26は、例えば、検査ユニット30を、X方向およびY方向の少なくとも一方に移動させることにより、検査ユニット30と載置台28との相対的な位置関係を変更する。なお、駆動部26は、載置台28をX方向およびY方向の少なくとも一方に移動させて相対的な位置関係を変更してもよい。駆動部26により検査ユニット30(すなわち、光源21、第1検出器22、第2検出器23、第3検出器24、撮像部25)がフォトマスクブランクス1に対してXY平面上を二次元移動することにより、検査ユニット30はXY平面上におけるフォトマスクブランクス1の表面に対して二次元走査が可能となる。 The driving unit 26 has, for example, a motor and a guide rail, and is controlled by the control unit 27 to change the relative positional relationship between the inspection unit 30 and the mounting table 28 (i.e., the photomask blank 1). The driving unit 26 changes the relative positional relationship between the inspection unit 30 and the mounting table 28, for example, by moving the inspection unit 30 in at least one of the X direction and the Y direction. The driving unit 26 may also change the relative positional relationship by moving the mounting table 28 in at least one of the X direction and the Y direction. The driving unit 26 causes the inspection unit 30 (i.e., the light source 21, the first detector 22, the second detector 23, the third detector 24, and the imaging unit 25) to move two-dimensionally on the XY plane relative to the photomask blank 1, so that the inspection unit 30 can perform two-dimensional scanning on the surface of the photomask blank 1 on the XY plane.

制御部27は、マイクロプロセッサやその周辺回路等を有し、不図示の記憶媒体(例えばフラッシュメモリ等)に予め記憶されている制御プログラムを読み込んで実行することにより、検査装置20の各部を制御するプロセッサーである。なお、制御部27は、CPUや、ASICや、プログラマブルMPU等により構成されてよい。制御部27は、光源制御部271と、駆動制御部272と、受光制御部273と、検査部274と、画像生成部275と、判定部276とを備える。光源制御部271は、光源21の動作(例えば、レーザー光の出射強度や出射タイミング等)を制御する。駆動制御部272は、上記の二次元走査を行うために、検査ユニット30の載置台28に対する移動量と移動方向とを指示する信号を駆動部26へ出力する。受光制御部273は、第1検出器22、第2検出器23、第3検出器24および撮像部25を制御して、それぞれから第1検出信号、第2検出信号、第3検出信号および撮像信号を出力させる。検査部274は、第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号に基づいて、フォトマスクブランクス1の積層膜11における欠陥の位置や欠陥の状態を検査する。画像生成部275は、撮像部25から出力された撮像信号に基づいて、フォトマスクブランクス1の積層膜11の画像データを生成し、表示モニタ(不図示)に積層膜11の画像を表示する。 The control unit 27 is a processor that includes a microprocessor and its peripheral circuits, and controls each part of the inspection device 20 by reading and executing a control program prestored in a storage medium (e.g., a flash memory, etc.) not shown. The control unit 27 may be configured with a CPU, an ASIC, a programmable MPU, etc. The control unit 27 includes a light source control unit 271, a drive control unit 272, a light receiving control unit 273, an inspection unit 274, an image generation unit 275, and a judgment unit 276. The light source control unit 271 controls the operation of the light source 21 (e.g., the emission intensity and emission timing of the laser light, etc.). The drive control unit 272 outputs a signal to the drive unit 26 instructing the amount and direction of movement of the inspection unit 30 relative to the mounting table 28 in order to perform the above-mentioned two-dimensional scanning. The light receiving control unit 273 controls the first detector 22, the second detector 23, the third detector 24, and the imaging unit 25 to output a first detection signal, a second detection signal, a third detection signal, and an imaging signal, respectively. The inspection unit 274 inspects the position of defects and the state of defects in the laminated film 11 of the photomask blanks 1 based on the first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal. The image generation unit 275 generates image data of the laminated film 11 of the photomask blanks 1 based on the imaging signal output from the imaging unit 25, and displays an image of the laminated film 11 on a display monitor (not shown).

<第1検査工程>
形成工程により形成されたフォトマスクブランクス1の積層膜11の検査を上記の構成を有する検査装置20を用いて行う。第1検査工程においては、積層膜11における異物の位置と、その検出強度と、を含む第1情報を取得する。以下に、第1検査工程の詳細を説明する。なお、以下の例では、第1検査工程において第1検出信号、第2検出信号、第3検出信号のすべてを検出する例について説明するが、第1検出信号のみを検出するようにしてもよい。
駆動制御部272は、駆動部26を制御して、検査ユニット30をフォトマスクブランクス1に対してXY平面において所定の位置(検査位置)へ移動させる。検査ユニット30が検査位置に到達すると、光源制御部271は、光源21から所定の強度でレーザー光を出射させる。受光制御部273は、第1検出器22、第2検出器23および第3検出器24を制御して、第1検出器22から第1検出信号を出力させ、第2検出器23から第2検出信号を出力させ、第3検出器24から第3検出信号を出力させる。第1検出信号は、光源21からのレーザー光のうちフォトマスクブランクス1の積層膜11にて散乱した散乱光のうち、上述した後方散乱光の強度に応じた信号である。第2検出信号は、光源21からのレーザー光のうち積層膜11にて散乱した散乱光のうち、上述した前方散乱光の強度に応じた信号である。第3検出信号は、光源21からのレーザー光のうち積層膜11で反射した反射光の強度に応じた光電変換信号である。
検査部274は、出力された第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号と、検査位置の座標等を示す位置情報とを関連付けてメモリ(不図示)に格納する。なお、必ずしも第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号のすべてが位置情報に関連付けられなくともよく、いずれか1つ以上の検出信号と位置情報とが関連付けられてもよい。
<First inspection process>
The inspection device 20 having the above configuration is used to inspect the laminated film 11 of the photomask blank 1 formed in the formation process. In the first inspection process, first information including the position of a foreign object in the laminated film 11 and its detection intensity is obtained. Details of the first inspection process are described below. In the following example, an example in which all of the first detection signal, second detection signal, and third detection signal are detected in the first inspection process will be described, but only the first detection signal may be detected.
The drive control unit 272 controls the drive unit 26 to move the inspection unit 30 to a predetermined position (inspection position) in the XY plane relative to the photomask blanks 1. When the inspection unit 30 reaches the inspection position, the light source control unit 271 causes the light source 21 to emit laser light at a predetermined intensity. The light receiving control unit 273 controls the first detector 22, the second detector 23, and the third detector 24 to output a first detection signal from the first detector 22, a second detection signal from the second detector 23, and a third detection signal from the third detector 24. The first detection signal is a signal corresponding to the intensity of the backscattered light described above among the scattered light from the laser light from the light source 21 scattered by the laminated film 11 of the photomask blanks 1. The second detection signal is a signal corresponding to the intensity of the forward scattered light described above among the scattered light from the laser light from the light source 21 scattered by the laminated film 11. The third detection signal is a photoelectric conversion signal corresponding to the intensity of the reflected light from the laser light from the light source 21 reflected by the laminated film 11.
The inspection unit 274 stores the output first detection signal, second detection signal, and third detection signal in a memory (not shown) in association with position information indicating the coordinates of the inspection position, etc. Note that it is not necessary to associate all of the first detection signal, second detection signal, and third detection signal with position information, and any one or more of the detection signals may be associated with the position information.

次に、駆動制御部272は、駆動部26を制御して検査ユニット30を上記の検査位置とは異なる検査位置へ移動させる。このときの移動量は、予め決められている所定の移動量であってもよいし、ユーザが例えば入力装置(不図示)等を介して設定した移動量であってもよい。新たな検査位置においても、上述した動作と同様の動作が行われることにより、異なる検査位置における第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号と、位置情報とが関連付けされてメモリに格納される。 Next, the drive control unit 272 controls the drive unit 26 to move the inspection unit 30 to an inspection position different from the above inspection position. The amount of movement at this time may be a predetermined amount of movement, or may be an amount of movement set by the user via, for example, an input device (not shown). At the new inspection position, an operation similar to the above-mentioned operation is performed, and the first detection signal, second detection signal, and third detection signal at the different inspection position are associated with position information and stored in memory.

駆動制御部272による検査ユニット30の検査位置の移動は、フォトマスクブランクス1の積層膜11の全面を検査するように行われる。
図4に検査位置の移動経路の一例を模式的に示す。なお、図4は、フォトマスクブランクス1のXY平面における形状を矩形とした場合を示している。本実施の形態においては、駆動制御部272は、例えば図4の矢印Arにて示すような経路に沿って検査ユニット30がXY平面を移動するように駆動部26を制御する。この経路上における複数の検査位置における、第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号のそれぞれと位置情報とが関連付けされてメモリに格納される。
The drive control unit 272 moves the inspection unit 30 to the inspection position so as to inspect the entire surface of the laminated film 11 of the photomask blank 1 .
Fig. 4 shows a schematic example of a movement path of the inspection position. Fig. 4 shows a case where the shape of the photomask blank 1 in the XY plane is rectangular. In this embodiment, the drive control unit 272 controls the drive unit 26 so that the inspection unit 30 moves in the XY plane along a path shown by the arrow Ar in Fig. 4, for example. The first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal at a plurality of inspection positions on this path are associated with position information and stored in memory.

検査部274は、取得された第1検出信号の信号強度に基づいて、積層膜11の異物を検出する。
ここで、検査部274により検出される積層膜11の異物の例を図1(b)、(c)に模式的に示す。図1(b)、(c)は、フォトマスクブランクス1の断面を模式的に示し、異物が積層膜11に存在している状態を示す。図1(b)は、積層膜11の遮光層12と反射防止層13とに跨る異物F1が含まれる場合を示す。図1(c)は、積層膜11の反射防止層13のみに異物F2が含まれ、遮光層12には含まれない場合を示す。なお、これら図1(b)、(c)に示す異物は、後の洗浄工程により脱落するが、このとき図1(d)、(e)に示すように積層膜11の部分的な剥離が生じ得る。図1(d)は、積層膜11の遮光層12と反射防止層13とを貫通する開口(以下、ピンホールと呼ぶ)F3を示す。図1(e)は、積層膜11の反射防止層13のみを貫通し、遮光層12の上面の一部が暴露した開口(以下、ハーフピンホールを呼ぶ)F4を示す。
The inspection unit 274 detects foreign matter in the laminated film 11 based on the signal intensity of the acquired first detection signal.
Here, examples of foreign matter in the laminated film 11 detected by the inspection unit 274 are shown in Figs. 1(b) and (c). Figs. 1(b) and (c) are schematic cross-sectional views of the photomask blanks 1, showing a state in which foreign matter is present in the laminated film 11. Fig. 1(b) shows a case in which a foreign matter F1 is included across the light-shielding layer 12 and the anti-reflection layer 13 of the laminated film 11. Fig. 1(c) shows a case in which a foreign matter F2 is included only in the anti-reflection layer 13 of the laminated film 11, and is not included in the light-shielding layer 12. Note that these foreign matters shown in Figs. 1(b) and (c) will fall off in a later cleaning process, but at this time, partial peeling of the laminated film 11 may occur as shown in Figs. 1(d) and (e). Fig. 1(d) shows an opening (hereinafter referred to as a pinhole) F3 penetrating the light-shielding layer 12 and the anti-reflection layer 13 of the laminated film 11. FIG. 1E shows an opening F4 (hereinafter referred to as a half pinhole) that penetrates only the antireflection layer 13 of the laminated film 11 and exposes a part of the upper surface of the light-shielding layer 12.

積層膜11に存在する異物に光源21からのレーザー光が照射された場合、異物により散乱光が生じる。検査部274は、第1検出器22で当該散乱光(後方散乱光)を受光し、第1検出信号を検出する。第1検出信号の信号強度が所定の第1閾値以上の場合に異物であると判定される。第1閾値は、本実施の形態において例えば500と設定されるが、任意単位であり使用される装置等に応じて適宜設定可能である。本実施の形態において、信号強度が500未満である第1検出信号はノイズレベルであると見なされる。
積層膜11に存在するピンホールに光源21からのレーザー光が照射された場合、ピンホールのエッジで散乱光が生じる。検査部274は、第2検出器23でフォトマスクブランクス1を通過する当該散乱光(前方散乱光)を受光し、第2検出信号を検出する。第2検出信号の信号強度が所定の第2閾値以上の場合に、ピンホール(図1(d)参照)であると判定される。第2閾値は、本実施の形態において、例えば300と設定されるが、任意単位であり使用される装置等に応じて適宜設定可能である。本実施の形態において、信号強度が300未満である第2検出信号はノイズレベルであると見なされる。
積層膜11に存在するハーフピンホール1に光源21からのレーザー光が照射された場合、露出している遮光層12からの反射光が生じる。正常に反射防止層13が形成されている領域においても反射光は生じ得るが、ハーフピンホールには反射防止層13が形成されていない分、より強く反射光が生じる。検査部274は、第3検出器24で当該反射光を受光し、第3検出信号を検出する。第3検出信号の信号強度が所定の第3閾値以上の場合に、ハーフピンホールであると判定される。第3閾値は、本実施の形態において、例えば370と設定されるが、任意単位であり、使用される装置等に応じて適宜設定可能である。本実施の形態において、信号強度が370未満である第3検出信号はノイズレベルであると見なされる。
検査部274は、上述のように欠陥を検出すると、その欠陥についての各検出信号の信号強度と、関連付けされたその欠陥の位置情報とを第1情報として取得し、メモリ(不図示)に記録する。なお、検査部274は、欠陥を検出したときの検出信号に関連付けされた位置情報のみを第1情報として、メモリに記録してもよい。なお、本実施の形態における欠陥とは、上述した異物、ピンホール、ハーフピンホールのことである。
上述したように、駆動制御部272により検査ユニット30はフォトマスクブランクス1をXY面内で二次元走査する。これにより、検査部274は、フォトマスクブランクス1の積層膜11のうち欠陥が生じている位置を検出して、検出した位置に関する情報を含む第1情報を取得する。
When a foreign object present in the laminated film 11 is irradiated with laser light from the light source 21, the foreign object generates scattered light. The inspection unit 274 receives the scattered light (backscattered light) with the first detector 22 and detects a first detection signal. If the signal strength of the first detection signal is equal to or greater than a predetermined first threshold, it is determined that a foreign object exists. In this embodiment, the first threshold is set to, for example, 500, but is an arbitrary unit and can be set appropriately depending on the device used, etc. In this embodiment, a first detection signal with a signal strength of less than 500 is considered to be at the noise level.
When a pinhole in the laminated film 11 is irradiated with laser light from the light source 21, scattered light occurs at the edge of the pinhole. The inspection unit 274 receives the scattered light (forward scattered light) passing through the photomask blank 1 with the second detector 23 and detects a second detection signal. If the signal strength of the second detection signal is equal to or greater than a predetermined second threshold, it is determined to be a pinhole (see FIG. 1(d)). In this embodiment, the second threshold is set to, for example, 300, but is an arbitrary unit and can be set appropriately depending on the device used, etc. In this embodiment, a second detection signal with a signal strength of less than 300 is considered to be at the noise level.
When the laser light from the light source 21 is irradiated onto the half pinhole 1 present in the laminated film 11, light is reflected from the exposed light-shielding layer 12. Reflected light may also occur in an area where the anti-reflection layer 13 is normally formed, but the half pinhole has a stronger reflected light because the anti-reflection layer 13 is not formed therein. The inspection unit 274 receives the reflected light with the third detector 24 and detects a third detection signal. When the signal strength of the third detection signal is equal to or greater than a third threshold value, it is determined to be a half pinhole. In this embodiment, the third threshold value is set to, for example, 370, but is an arbitrary unit and can be set appropriately according to the device used. In this embodiment, a third detection signal having a signal strength of less than 370 is considered to be at the noise level.
When the inspection unit 274 detects a defect as described above, it acquires the signal intensity of each detection signal for the defect and the associated position information of the defect as first information and records it in a memory (not shown). Note that the inspection unit 274 may record only the position information associated with the detection signal when the defect is detected as the first information in the memory. Note that the defect in this embodiment refers to the above-mentioned foreign matter, pinhole, and half pinhole.
As described above, the drive control unit 272 causes the inspection unit 30 to two-dimensionally scan the photomask blank 1 in the XY plane. This allows the inspection unit 274 to detect a position where a defect has occurred in the laminated film 11 of the photomask blank 1, and obtain first information including information on the detected position.

<洗浄工程>
洗浄は、硫酸等の酸による洗浄や、オゾン水やUVオゾンによるオゾン洗浄等の公知の方法により行われ、積層膜11に付着した異物等を除去する。
洗浄工程により積層膜11に付着した異物が剥離する。上記の通り、図1(b)に示す異物F1が剥離すると、積層膜11には図1(d)に示すピンホールF3が生じ得る。また、図1(c)に示す異物F2が剥離すると、積層膜11には図1(e)に示すハーフピンホールF4が生じ得る。
<Cleaning process>
The cleaning is carried out by a known method such as cleaning with an acid such as sulfuric acid or ozone cleaning with ozone water or UV ozone, and foreign matter and the like adhering to the laminated film 11 is removed.
The cleaning process peels off the foreign matter attached to the laminated film 11. As described above, when the foreign matter F1 shown in Fig. 1(b) peels off, a pinhole F3 shown in Fig. 1(d) may occur in the laminated film 11. When the foreign matter F2 shown in Fig. 1(c) peels off, a half pinhole F4 shown in Fig. 1(e) may occur in the laminated film 11.

<第2検査工程>
洗浄工程により積層膜11が洗浄されたフォトマスクブランクス1の積層膜11の検査を行う。第2検査工程においては、第1検査工程により異物が検出された位置(すなわち、第1検査工程における第1検出信号の信号強度が所定の第1閾値以上であった位置)において、光源29及び光源31により光を照射し撮像部25により積層膜11の表面の反射画像と透過画像の撮像を行い、検査を行った位置における撮像情報を含む第2情報を取得する。
<Second inspection process>
The laminate film 11 of the photomask blank 1, which has been cleaned in the cleaning process, is inspected. In the second inspection process, at the position where the foreign matter was detected in the first inspection process (i.e., the position where the signal strength of the first detection signal in the first inspection process was equal to or greater than a predetermined first threshold), light is irradiated from the light source 29 and the light source 31, and a reflected image and a transmitted image of the surface of the laminate film 11 are captured by the imaging unit 25, and second information including imaging information at the position where the inspection was performed is obtained.

駆動制御部272は、駆動部26を制御して、第1情報により特定された位置(特定検査位置)へ撮像部25を移動させる。撮像部25は、駆動部26により移動した位置において、フォトマスクブランクス1の積層膜11の表面の撮像を行い、撮像により得られた信号を制御部27へ出力し、画像生成部275は入力した信号に基づいて、上記の特定された位置における積層膜11の画像データを生成する。上記の処理を全ての特定検査位置にて行うことにより、特定検査位置におけるフォトマスクブランクス1の積層膜11の状態に関する画像データが生成される。 The drive control unit 272 controls the drive unit 26 to move the imaging unit 25 to the position (specific inspection position) specified by the first information. The imaging unit 25 images the surface of the laminated film 11 of the photomask blank 1 at the position moved by the drive unit 26 and outputs a signal obtained by the imaging to the control unit 27, and the image generation unit 275 generates image data of the laminated film 11 at the above-mentioned specified position based on the input signal. By performing the above process at all specific inspection positions, image data regarding the state of the laminated film 11 of the photomask blank 1 at the specific inspection position is generated.

なお、洗浄工程後、必要に応じて第1検査工程と同様の検査を行ってもよい。第1検査工程と同様の検査は、第2検査工程の前に行われてよいし、第2検査工程の後に行われてよいし、第2検査工程と同時に行われてもよい。 After the cleaning process, an inspection similar to the first inspection process may be performed as necessary. The inspection similar to the first inspection process may be performed before the second inspection process, after the second inspection process, or simultaneously with the second inspection process.

<判定工程>
判定部276は、第2検査工程にて取得した第2情報に基づいて、積層膜11のハーフピンホールが所定の判定基準を満たすか否かを判定する。より具体的には、まず、異物が検出された位置(すなわち、第1検査工程における第1検出信号の信号強度が所定の第1閾値以上であった位置)における反射画像と透過画像のうち反射画像のみに欠陥が検出された場合にハーフピンホールでると判断する。なお、反射画像と透過画像の両方に欠陥が検出された場合はピンホールであると判断する。そして、上述の画像データに基づいてハーフピンホールの大きさを求め、所定の判定基準を満たすか否かを判定する。所定の判定基準の一例として、積層膜11における1μm以上3μm以下のハーフピンホールの個数が0.003個/cm以下(すなわち、800mm×920mmの大きさのフォトマスクブランクス1の場合には22個以下、1220mm×1400mmの大きさのフォトマスクブランクス1の場合には51個以下)とする。
<Determination step>
The determination unit 276 determines whether the half pinhole in the laminated film 11 satisfies a predetermined determination criterion based on the second information acquired in the second inspection process. More specifically, first, when a defect is detected only in the reflected image out of the reflected image and the transmitted image at the position where the foreign matter is detected (i.e., the position where the signal strength of the first detection signal in the first inspection process is equal to or greater than the predetermined first threshold), it is determined that the foreign matter is a half pinhole. Note that, when a defect is detected in both the reflected image and the transmitted image, it is determined that the foreign matter is a pinhole. Then, the size of the half pinhole is obtained based on the above-mentioned image data, and it is determined whether the half pinhole satisfies the predetermined determination criterion. As an example of the predetermined determination criterion, the number of half pinholes in the laminated film 11 that is 1 μm or more and 3 μm or less is 0.003 pieces/cm2 or less (i.e., 22 pieces or less in the case of a photomask blank 1 having a size of 800 mm x 920 mm, and 51 pieces or less in the case of a photomask blank 1 having a size of 1220 mm x 1400 mm).

上記の所定の判定基準である1μm以上3μm以下のハーフピンホール(以下、微小ハーフピンホールと呼ぶ)は、例えば、図1(c)に示すような異物F2が洗浄工程により剥離することにより生じた図1(e)に示すようなハーフピンホールF4に相当する。このような微小ハーフピンホールは、レーザー光を照射した際の後方散乱光の強度が極めて小さく、第1検査工程で行った検査では検出が困難である。このため、第2検査工程を行わなければ、微小ハーフピンホールを検出することが困難である。 The half pinholes (hereinafter referred to as micro half pinholes) of 1 μm or more and 3 μm or less, which are the above-mentioned predetermined judgment criteria, correspond to, for example, half pinholes F4 as shown in FIG. 1(e) that are generated when foreign matter F2 as shown in FIG. 1(c) is peeled off during the cleaning process. Such micro half pinholes have an extremely small intensity of backscattered light when irradiated with laser light, making them difficult to detect in the inspection performed in the first inspection process. For this reason, it is difficult to detect micro half pinholes unless the second inspection process is performed.

本実施の形態においては、第1検査工程の第1検出信号に基づいて、洗浄工程後に微小ハーフピンホールが生ずる原因となる異物F2(図1(c)参照)の位置に関する第1情報が特定検査位置として特定される。さらに、洗浄工程後の第2検査工程において、第1情報により特定された特定検査位置における第2情報が取得される。判定部276は、第2情報に基づいて上記の微小ハーフピンホールが所定値(0.003個/cm)以下であるか否かを判定する。 In this embodiment, first information on the position of a foreign matter F2 (see FIG. 1(c)) that will cause a tiny half pinhole to occur after the cleaning process is identified as a specific inspection position based on a first detection signal from the first inspection process. Furthermore, in a second inspection process after the cleaning process, second information on the specific inspection position identified by the first information is obtained. The judgment unit 276 judges whether the number of the tiny half pinholes is equal to or less than a predetermined value (0.003 pieces/ cm2 ) based on the second information.

上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
フォトマスクブランクス1の製造方法は、ガラス基板10上に遮光層12と反射防止層13とを含む積層膜11を成膜してフォトマスクブランクス1を形成する形成工程と、積層膜11における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1検査工程と、第1検査工程の後、フォトマスクブランクス1を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程の後、第1検査工程で特定された位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2検査工程と、第2情報に基づいて、所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程と、を有する。
ガラス基板10上に遮光層12と反射防止層13とを含む積層膜11を有するフォトマスクブランクス1の検査方法は、積層膜11における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1検査工程と、第1検査工程の後、フォトマスクブランクス1を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程の後、第1検査工程で特定された位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2検査工程と、第2情報に基づいて、所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程と、を有する。
これにより、積層膜11に生じる微小ハーフピンホールを検出するので、検査精度を向上させることが可能となり、フォトマスクブランクス1の品質向上に寄与する。また、洗浄前に異物の位置を特定しているため、洗浄後は第2検査工程で当該位置を検査するだけで微小ハーフピンホールを検出することができる。積層膜11の全体に亘って撮像部25で検査し、微小ハーフピンホールを検出することも可能ではあるが、撮像部25で撮像可能な領域を1点ずつ撮像していく必要があるため膨大な時間がかかる。本実施の形態においては、予め特定した異物の位置を洗浄後に撮像部25で検査することで微小ハーフピンホールを検出することができるため、積層膜11の全面を撮像部25で検査する場合に比べて検査時間を大幅に短縮することができる。
According to the above-described embodiment, the following advantageous effects can be obtained.
The manufacturing method of the photomask blank 1 includes a formation step of forming the photomask blank 1 by forming a laminate film 11 including a light-shielding layer 12 and an anti-reflection layer 13 on a glass substrate 10, a first inspection step of acquiring first information including information regarding the position of a foreign substance in the laminate film 11, a cleaning step of cleaning the photomask blank 1 after the first inspection step, a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step, and a judgment step of judging whether or not a predetermined judgment criterion is satisfied based on the second information.
The inspection method for a photomask blank 1 having a laminate film 11 including a light-shielding layer 12 and an anti-reflection layer 13 on a glass substrate 10 includes a first inspection step of acquiring first information including information regarding the position of a foreign substance in the laminate film 11, a cleaning step of cleaning the photomask blank 1 after the first inspection step, a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step after the cleaning step, and a judgment step of judging whether or not a predetermined judgment criterion is satisfied based on the second information.
As a result, minute half pinholes occurring in the laminated film 11 are detected, so that the inspection accuracy can be improved, contributing to the improvement of the quality of the photomask blanks 1. In addition, since the position of the foreign matter is specified before cleaning, the minute half pinhole can be detected by simply inspecting the position in the second inspection process after cleaning. Although it is possible to inspect the entire laminated film 11 with the imaging unit 25 and detect the minute half pinhole, it takes a huge amount of time because it is necessary to image the area that can be imaged by the imaging unit 25 one by one. In this embodiment, the minute half pinhole can be detected by inspecting the position of the foreign matter specified in advance with the imaging unit 25 after cleaning, so that the inspection time can be significantly reduced compared to the case where the entire surface of the laminated film 11 is inspected with the imaging unit 25.

[実施例]
図5において、計測データ1~5はいずれも、洗浄工程前の第1検査工程で異物が存在すると判定された位置において計測された各データを示す。各計測データには、検査位置と、洗浄工程前と洗浄工程後のそれぞれにおける第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号の検出値とが含まれる。検査位置は、フォトマスクブランクス1において、計測データ1~5が計測された位置のX座標およびY座標の値を示す。図5において、分類1は、第1検査工程において異物であるとの判定結果、および、倍率が50倍の対物レンズを用いて撮像部25により撮像した異物の画像信号を用いて測定した異物の大きさを示し、分類2は、第2検査工程に基づいたピンホールかハーフピンホールかの判定結果、および、倍率が50倍の対物レンズを用いて撮像部25により撮像した画像データを用いて測定したそれらの大きさを示す。
[Example]
In FIG. 5, each of the measurement data 1 to 5 indicates each data measured at a position where it was determined that a foreign object exists in the first inspection process before the cleaning process. Each measurement data includes an inspection position and detection values of the first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal before and after the cleaning process. The inspection position indicates the X coordinate and Y coordinate values of the position where the measurement data 1 to 5 were measured in the photomask blank 1. In FIG. 5, category 1 indicates the result of the determination that a foreign object exists in the first inspection process and the size of the foreign object measured using the image signal of the foreign object captured by the imaging unit 25 using an objective lens with a magnification of 50 times, and category 2 indicates the result of the determination that a foreign object exists as a pinhole or a half pinhole based on the second inspection process and the size of the foreign object measured using the image data captured by the imaging unit 25 using an objective lens with a magnification of 50 times.

図5に示すように、洗浄工程前においては、第1検出信号は第1閾値(本実施例においては500)以上であり、第2検出信号は第2閾値(本実施例においては300)未満であり、第3検出信号は第3閾値(本実施例においては370)未満である。すなわち、分類1に示されるとおり、洗浄工程前の第1検査工程により異物であると判定される。洗浄工程前においてこのような計測結果が得られたフォトマスクブランクス1を洗浄工程後に同様にして計測すると、計測データ1および計測データ2は、第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号の値はいずれも検出限界を下回り、信号を検出できていない。一方、計測データ3は第2検出信号の信号強度が第2閾値以上、計測データ4は第3検出信号の信号強度が第3閾値以上、計測データ5は第3検出信号の信号強度が第3閾値以上となっている。 As shown in FIG. 5, before the cleaning process, the first detection signal is equal to or greater than the first threshold (500 in this embodiment), the second detection signal is less than the second threshold (300 in this embodiment), and the third detection signal is less than the third threshold (370 in this embodiment). That is, as shown in category 1, it is determined to be a foreign body by the first inspection process before the cleaning process. When the photomask blank 1 for which such a measurement result was obtained before the cleaning process is measured in the same manner after the cleaning process, the values of the first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal in the measurement data 1 and the measurement data 2 are all below the detection limit, and no signal is detected. On the other hand, the signal strength of the second detection signal in the measurement data 3 is equal to or greater than the second threshold, the signal strength of the third detection signal in the measurement data 4 is equal to or greater than the third threshold, and the signal strength of the third detection signal in the measurement data 5 is equal to or greater than the third threshold.

以上より、次のことがわかる。洗浄工程後のフォトマスクブランクス1に対して第1検査工程と同じ検査のみを実施した場合、計測データ3~5においては、第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号に基づいて欠陥を検出可能であるが、計測データ1及び2においては、第1検出信号、第2検出信号および第3検出信号が検出限界を下回るため異物が検出された位置に欠陥が存在しないと判定されることになる。しかし、洗浄工程後において、撮像部25で積層膜を検査することにより、分類2に示されるとおりそれぞれ大きさ1μmおよび1.2μmのハーフピンホールを検出できていることがわかる。つまり、洗浄工程後に大きさが3.0μm以下の微小ハーフピンホールを検査する場合、第3検出器では検出ができず、本実施例のように高い倍率の対物レンズを有する撮像部25で積層膜を検査することが有効である。そして、本実施例では、フォトマスクブランクス1の洗浄工程前に第1検査工程を実施して異物の位置を特定し、特定された異物の位置を洗浄工程後に撮像部25で検査(第2検査工程)して微小ハーフピンホールを検出している。このように検査することで、洗浄工程後に積層膜の全面を撮像部25で検査する場合に比べて検査時間を大幅に短縮することができる。 From the above, the following can be seen. When only the same inspection as the first inspection process is performed on the photomask blanks 1 after the cleaning process, in the measurement data 3 to 5, defects can be detected based on the first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal, but in the measurement data 1 and 2, the first detection signal, the second detection signal, and the third detection signal are below the detection limit, so it is determined that there is no defect at the position where the foreign matter was detected. However, it can be seen that by inspecting the laminated film with the imaging unit 25 after the cleaning process, half pinholes of sizes 1 μm and 1.2 μm can be detected, as shown in classification 2. In other words, when inspecting a minute half pinhole of size 3.0 μm or less after the cleaning process, it cannot be detected with the third detector, and it is effective to inspect the laminated film with the imaging unit 25 having a high magnification objective lens as in this embodiment. And in this embodiment, the first inspection process is performed before the cleaning process of the photomask blanks 1 to identify the position of the foreign matter, and the identified position of the foreign matter is inspected by the imaging unit 25 after the cleaning process (second inspection process) to detect the minute half pinhole. By inspecting in this manner, the inspection time can be significantly reduced compared to inspecting the entire surface of the laminated film using the imaging unit 25 after the cleaning process.

次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(変形例1)
上述した実施の形態における検査装置20による第1検査工程で取得した第1情報と、異物の大きさに関する情報と、第2検査工程で取得した第2情報との関係を学習するようにしてもよい。異物の大きさに関する情報は、例えば、撮像部25により撮像した異物の画像または当該画像を用いて測定した異物の大きさである。この場合、図6のブロック図に示すように、検査装置201の制御部27は学習部279を有する。他の構成については、図3に示す実施の形態の検査装置20が有する構成と同様の構成を有する。学習部279は、取得された第1情報と、異物の大きさに関する情報と、第2情報とを用いて、例えば、ニューラルネットワークによる学習を行う。なお、ニューラルネットワークによる学習には、公知の方法を用いるものとする。このニューラルネットワークは、例えば、第1情報と、異物の大きさに関する情報とを入力データとし、第1情報に含まれる位置における微小ハーフピンホールに関する情報を出力データとする。制御部27は、例えば、第1情報と異物の大きさに関する情報と第2情報とが取得されて、第1情報と異物の大きさに関する情報と第2情報との関係を登録する際に、第2情報を教師データ(正解データ)として、ニューラルネットワークによる学習を実行する。
The following modifications are also within the scope of the present invention, and one or more of the modifications may be combined with the above-described embodiment.
(Variation 1)
The relationship between the first information acquired in the first inspection step by the inspection device 20 in the above-mentioned embodiment, the information on the size of the foreign matter, and the second information acquired in the second inspection step may be learned. The information on the size of the foreign matter is, for example, an image of the foreign matter captured by the imaging unit 25 or the size of the foreign matter measured using the image. In this case, as shown in the block diagram of FIG. 6, the control unit 27 of the inspection device 201 has a learning unit 279. The other configuration is the same as the configuration of the inspection device 20 in the embodiment shown in FIG. 3. The learning unit 279 performs learning, for example, by a neural network using the acquired first information, information on the size of the foreign matter, and the second information. It is to be noted that a known method is used for learning by the neural network. For example, the neural network uses the first information and information on the size of the foreign matter as input data, and uses information on the minute half pinhole at the position included in the first information as output data. For example, when the control unit 27 acquires the first information, information relating to the size of the foreign object, and second information, and registers the relationship between the first information, the information relating to the size of the foreign object, and the second information, the control unit 27 performs learning using a neural network using the second information as teacher data (correct answer data).

図7は、検査装置201が学習を行う際の学習方法を説明するフローチャートである。
ステップS11(形成工程)からステップS14(第2検査工程)までの各処理は、図2に示すステップS1(形成工程)からステップS4(第2検査工程)までの各処理と同様に示してあるが、ここでは異物の大きさに関する情報を取得する工程をステップ12(第1検査工程)と同時に実施しているものとする。異物の大きさに関する情報は、ステップ12(第1検査工程)と同時に撮像部25により取得してよいが、ステップ12(第1検査工程)の後に取得してもよい。ステップS15においては、学習部279は、第1検査工程で取得した第1情報と、異物の大きさに関する情報と、第2検査工程で取得した第2情報との関係を学習し(学習工程)、処理を終了する。
FIG. 7 is a flowchart for explaining a learning method when the inspection device 201 performs learning.
Each process from step S11 (forming process) to step S14 (second inspection process) is shown similarly to each process from step S1 (forming process) to step S4 (second inspection process) shown in FIG. 2, but here, it is assumed that the process of acquiring information on the size of the foreign matter is carried out simultaneously with step 12 (first inspection process). The information on the size of the foreign matter may be acquired by the imaging unit 25 simultaneously with step 12 (first inspection process), or may be acquired after step 12 (first inspection process). In step S15, the learning unit 279 learns the relationship between the first information acquired in the first inspection process, the information on the size of the foreign matter, and the second information acquired in the second inspection process (learning process), and ends the process.

上記のように検査装置201が学習を行い、学習結果を用いる場合、フォトマスクブランクス1を製造する際に、制御部27の判定部276は、上記の学習方法により学習された学習部279に第1検査工程で取得された第1情報と、異物の大きさに関する情報とを入力し、洗浄工程後のフォトマスクブランクス1が所定の判定基準を満たすか否かを判定する。すなわち、実施の形態の場合とは異なり、検査装置201は第2検査工程を行わない。第1検査工程で取得された第1情報と、異物の大きさに関する情報とを入力することにより、学習部279は学習結果に基づいて特定位置における欠陥が微小ハーフピンホールであるか否かを示す情報を出力する。判定部276は、学習部279が出力した情報のうち微小ハーフピンホールであることを示す情報の個数をカウントし、カウントした個数が所定値(0.003個/cm)以下の場合に、フォトマスクブランクス1を良品として判定する。 In the case where the inspection device 201 learns as described above and uses the learning result, when manufacturing the photomask blanks 1, the judgment unit 276 of the control unit 27 inputs the first information acquired in the first inspection process and information on the size of the foreign matter to the learning unit 279 that has learned by the above learning method, and judges whether the photomask blanks 1 after the cleaning process meets a predetermined judgment criterion. That is, unlike the case of the embodiment, the inspection device 201 does not perform the second inspection process. By inputting the first information acquired in the first inspection process and information on the size of the foreign matter, the learning unit 279 outputs information indicating whether the defect at the specific position is a minute half pinhole based on the learning result. The judgment unit 276 counts the number of pieces of information indicating a minute half pinhole among the pieces of information output by the learning unit 279, and judges the photomask blanks 1 to be a non-defective product when the counted number is equal to or less than a predetermined value (0.003 pieces/cm 2 ).

図8は、検査装置201によって行われるフォトマスクブランクス1の製造方法を説明するフローチャートである。
ステップS21(形成工程)からステップS23(洗浄工程)までの各処理は、図2に示すステップS1(形成工程)からステップS3(洗浄工程)までの各処理と同様である。ステップS24においては、判定部276は、学習部279に第1検査工程にて取得された第1情報と、異物の大きさに関する情報とを入力し、学習部279から出力された情報に基づいて微小ハーフピンホールの個数をカウントし、カウントした個数が所定値以下の場合に、フォトマスクブランクス1を良否として判定して(判定工程)、処理を終了する。
FIG. 8 is a flowchart illustrating the manufacturing method of the photomask blanks 1 performed by the inspection device 201.
Each process from step S21 (forming process) to step S23 (cleaning process) is the same as each process from step S1 (forming process) to step S3 (cleaning process) shown in Fig. 2. In step S24, the determination unit 276 inputs the first information acquired in the first inspection process and information on the size of the foreign matter to the learning unit 279, counts the number of minute half pinholes based on the information output from the learning unit 279, and determines that the photomask blank 1 is good or bad if the counted number is equal to or less than a predetermined value (determination process), and ends the process.

以上の処理により、第2検査工程を行うことなく、積層膜11に生じた微小ハーフピンホールを検出し、フォトマスクブランクス1の良品判定を行うことができる。その結果、フォトマスクブランクス1の製造に係る時間を短縮することが可能となる。なお、図8に示す工程においては、洗浄工程の後に判定工程を行う態様について説明したが、これに限られない。例えば、第1検査工程の後かつ洗浄工程の前に判定工程を行ってもよい。また、第1検査工程の後に判定工程を行い、洗浄工程を行わずに出荷してもよい。なお、この場合、洗浄工程は別の工場等で実施されてよい。 By the above process, it is possible to detect minute half pinholes occurring in the laminated film 11 and judge the quality of the photomask blanks 1 without performing the second inspection process. As a result, it is possible to shorten the time required for manufacturing the photomask blanks 1. Note that, in the process shown in FIG. 8, an embodiment in which the judgment process is performed after the cleaning process has been described, but this is not limited to this. For example, the judgment process may be performed after the first inspection process and before the cleaning process. Also, the judgment process may be performed after the first inspection process, and the product may be shipped without performing the cleaning process. Note that in this case, the cleaning process may be performed in a different factory, etc.

(変形例2)
判定部276は、第2検査工程時に撮像部25により取得された透過画像のみに基づいて微小ハーフピンホールを検出し、検出した微小ハーフピンホールの個数に基づいてフォトマスクブランクス1の良否判定を行っても良い。この場合、画像生成部275は、撮像部25からの信号に基づいて生成した画像データに基づいて、欠陥およびその周辺の所定個数の画素を階調化する。画像生成部275は、最大となる階調の値(すなわち、欠陥に対応する画像のうち最も明るい箇所)を抽出する。
(Variation 2)
The judgment unit 276 may detect minute half pinholes based only on the transmission image acquired by the imaging unit 25 during the second inspection step, and judge the quality of the photomask blanks 1 based on the number of detected minute half pinholes. In this case, the image generation unit 275 gradates the defect and a predetermined number of pixels around it based on image data generated based on a signal from the imaging unit 25. The image generation unit 275 extracts the maximum gradation value (i.e., the brightest point in the image corresponding to the defect).

一般的にピンホールの方がハーフピンホールよりも撮像画像にはより明るい部分が存在する。すなわち、撮像画像上における階調の最大値が大きい。判定部276は、階調の最大値が所定値よりも小さい場合に、その欠陥を微小ハーフピンホールであると判定する。この場合、所定値は、シミュレーションや試験等により好ましい値が設定されればよい。判定部276は、上記のようにして微小ハーフピンホールであると判定された欠陥の個数をカウントし、カウントした個数が所定値(0.003個/cm)以下の場合に、フォトマスクブランクス1を良品として判定する。 Generally, pinholes have brighter areas in the captured image than half pinholes. That is, the maximum value of gradation on the captured image is larger. If the maximum value of gradation is smaller than a predetermined value, the determination unit 276 determines that the defect is a minute half pinhole. In this case, the predetermined value may be set to a preferable value by simulation, testing, or the like. The determination unit 276 counts the number of defects determined to be minute half pinholes as described above, and determines the photomask blank 1 as a non-defective product if the counted number is equal to or less than a predetermined value (0.003 pieces/ cm2 ).

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these. Other embodiments that are conceivable within the scope of the technical concept of the present invention are also included within the scope of the present invention.

1…フォトマスクブランクス
10…ガラス基板
11…積層膜
12…遮光層
13…反射防止層
20、201…検査装置
22…第1検出器
23…第2検出器
24…第3検出器
27…制御部
274…検査部
276…判定部
279…学習部
Reference Signs List 1... photomask blank 10... glass substrate 11... laminated film 12... light-shielding layer 13... anti-reflection layer 20, 201... inspection device 22... first detector 23... second detector 24... third detector 27... control unit 274... inspection unit 276... judgment unit 279... learning unit

Claims (26)

ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を成膜してフォトマスクブランクスを形成する工程と、
前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、
前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、
前記第2情報に基づいて、ハーフピンホールを検出するハーフピンホール検出工程と、を有するフォトマスクブランクスの製造方法。
forming a photomask blank by forming a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate;
a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign substance in the laminated film;
a cleaning step of cleaning the photomask blanks after the first inspection step;
a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step after the cleaning step;
and detecting a half pinhole based on the second information.
請求項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記第1の層は遮光層であり、前記第2の層は反射防止層である、フォトマスクブランクスの製造方法。
2. The method for producing a photomask blank according to claim 1 ,
The method for producing a photomask blank, wherein the first layer is a light-shielding layer and the second layer is an anti-reflection layer.
請求項またはに記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記第1の層はクロムを含有し、前記第2の層はクロムと酸素とを含有する、フォトマスクブランクスの製造方法。
3. The method for producing a photomask blank according to claim 1 ,
The method for producing a photomask blank, wherein the first layer contains chromium and the second layer contains chromium and oxygen.
請求項からまでのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記第1の検査工程において、前記積層膜からの散乱光を検出する、フォトマスクブランクスの製造方法。
4. The method for producing a photomask blank according to claim 1 ,
In the first inspection step, light scattered from the laminated film is detected.
請求項からまでのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記第2の検査工程において、前記積層膜からの反射光を撮像する、フォトマスクブランクスの製造方法。
5. The method for producing a photomask blank according to claim 1 ,
In the second inspection step, an image of reflected light from the laminated film is captured.
請求項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記ハーフピンホール検出工程で検出された前記ハーフピンホールに関して、所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程を有し、
前記判定工程において、前記反射光の強度に基づいて、前記判定基準を満たすか否かを判定する、
フォトマスクブランクスの製造方法。
6. The method for producing a photomask blank according to claim 5 ,
a determination step of determining whether or not the half pinhole detected in the half pinhole detection step satisfies a predetermined determination criterion,
In the determination step, it is determined whether or not the determination criterion is satisfied based on the intensity of the reflected light.
A method for manufacturing photomask blanks.
請求項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記判定基準は、前記積層膜における直径が1μm以上3μm以下の前記ハーフピンホールの個数が0.003個/cm以下であることを含む、フォトマスクブランクスの製造方法。
7. The method for producing a photomask blank according to claim 6 ,
A method for manufacturing photomask blanks, wherein the judgment criteria include a number of half pinholes having a diameter of 1 μm or more and 3 μm or less in the laminated film being 0.003 pcs/ cm2 or less.
請求項からまでのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記第2の検査工程において、50倍以上の倍率にて前記撮像情報を生成する、フォトマスクブランクスの製造方法。
The method for producing a photomask blank according to any one of claims 1 to 7 ,
The method for manufacturing photomask blanks, wherein in the second inspection step, the imaging information is generated at a magnification of 50 times or more.
請求項1から8までのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、前記洗浄工程では、少なくとも一部分が前記積層膜の内部に含まれている前記異物を前記積層膜から取り除く、フォトマスクブランクスの製造方法。9. The method for producing a photomask blank according to claim 1, wherein in the cleaning step, the foreign matter at least a part of which is contained inside the laminated film is removed from the laminated film. 請求項1から9までのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、The method for producing a photomask blank according to any one of claims 1 to 9,
前記ハーフピンホールは、前記積層膜において前記第1の層を貫通し、前記第2の層を貫通していない開口である、フォトマスクブランクスの製造方法。A method for manufacturing a photomask blank, wherein the half pinhole is an opening that penetrates the first layer in the laminated film but does not penetrate the second layer.
ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を成膜してフォトマスクブランクスを形成する工程と、
前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、
前記異物の大きさに関する情報を取得する工程と、
前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、
前記第1情報と、前記異物の大きさに関する情報と、前記第2情報との関係を学習する学習工程と、を有する学習方法。
forming a photomask blank by forming a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate;
a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign substance in the laminated film;
acquiring information regarding the size of the foreign object;
a cleaning step of cleaning the photomask blanks after the first inspection step;
a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step after the cleaning step;
a learning step of learning a relationship between the first information, the information relating to the size of the foreign matter, and the second information.
請求項11に記載の学習方法において、
前記第1の検査工程において、前記積層膜からの散乱光を検出し、かつ前記積層膜からの反射光を撮像する、学習方法。
The learning method according to claim 11 ,
A learning method, wherein in the first inspection step, scattered light from the laminated film is detected and an image of reflected light from the laminated film is captured.
請求項11または12に記載の学習方法において、
前記第2の検査工程において、前記積層膜からの反射光を撮像する、学習方法。
The learning method according to claim 11 or 12 ,
A learning method, wherein in the second inspection step, an image of reflected light from the laminated film is captured.
請求項11から13までのいずれか一項に記載の学習方法において、
前記第2の検査工程において、倍率が50倍以上の対物レンズを用いて前記撮像情報を生成する、学習方法。
A learning method according to any one of claims 11 to 13 ,
A learning method, wherein in the second inspection step, the imaging information is generated using an objective lens having a magnification of 50 times or more.
ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を成膜してフォトマスクブランクスを形成する工程と、
前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、
前記異物の大きさに関する情報を取得する工程と、
請求項11から14までのいずれか一項に記載の学習方法により学習された学習部に前記第1情報と前記異物の大きさに関する情報とを入力し、洗浄後の前記フォトマスクブランクスが所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程と、を有するフォトマスクブランクスの製造方法。
forming a photomask blank by forming a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate;
a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign substance in the laminated film;
acquiring information regarding the size of the foreign object;
and a judgment step of inputting the first information and information regarding the size of the foreign matter into a learning unit that has been trained by the learning method according to any one of claims 11 to 14 , and judging whether the photomask blank after cleaning satisfies a predetermined judgment criterion.
請求項15に記載のフォトマスクブランクスの製造方法において、
前記判定基準は、前記積層膜における直径が1μm以上3μm以下のハーフピンホールの個数が0.003個/cm以下であることを含む、フォトマスクブランクスの製造方法。
16. The method for producing a photomask blank according to claim 15 ,
A method for manufacturing photomask blanks, wherein the judgment criteria include a number of half pinholes having a diameter of 1 μm or more and 3 μm or less in the laminated film being 0.003 pcs/ cm2 or less.
ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を有するフォトマスクブランクスの検査方法であって、
前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、
前記異物の大きさに関する情報を取得する工程と、
請求項11から14までのいずれか一項に記載の学習方法により学習された学習部に前記第1情報と前記異物の大きさに関する情報とを入力し、洗浄後の前記フォトマスクブランクスが所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程と、を有するフォトマスクブランクスの検査方法。
1. A method for inspecting a photomask blank having a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate, comprising:
a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign substance in the laminated film;
acquiring information regarding the size of the foreign object;
15. A photomask blank inspection method comprising: a judgment step of inputting the first information and information regarding the size of the foreign matter to a learning unit trained by the learning method according to any one of claims 11 to 14 , and judging whether the photomask blank after cleaning satisfies a predetermined judgment criterion.
請求項17に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記判定基準は、前記積層膜における直径が1μm以上3μm以下のハーフピンホールの個数が0.003個/cm以下であることを含む、フォトマスクブランクスの検査方法。
18. The photomask blank inspection method according to claim 17 ,
The method for inspecting photomask blanks, wherein the judgment criteria include a number of half pinholes having a diameter of 1 μm or more and 3 μm or less in the laminated film being 0.003 pcs/ cm2 or less.
ガラス基板上に第1の層と第2の層とを含む積層膜を有するフォトマスクブランクスの検査方法であって、
前記積層膜における異物の位置に関する情報を含む第1情報を取得する第1の検査工程と、
前記第1の検査工程の後、前記フォトマスクブランクスを洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後、前記第1の検査工程で特定された前記位置の撮像情報を含む第2情報を取得する第2の検査工程と、
前記第2情報に基づいて、ハーフピンホールを検出するハーフピンホール検出工程と、を有するフォトマスクブランクスの検査方法。
1. A method for inspecting a photomask blank having a laminated film including a first layer and a second layer on a glass substrate, comprising:
a first inspection step of acquiring first information including information regarding a position of a foreign substance in the laminated film;
a cleaning step of cleaning the photomask blanks after the first inspection step;
a second inspection step of acquiring second information including imaging information of the position identified in the first inspection step after the cleaning step;
and a half pinhole detection step of detecting a half pinhole based on the second information.
請求項19に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記第1の層は遮光層であり、前記第2の層は反射防止層である、フォトマスクブランクスの検査方法。
20. The photomask blank inspection method according to claim 19 ,
A method for inspecting a photomask blank, wherein the first layer is a light-shielding layer and the second layer is an anti-reflection layer.
請求項19または20に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記第1の層はクロムを含有し、前記第2の層はクロムと酸素とを含有する、フォトマスクブランクスの検査方法。
21. The photomask blank inspection method according to claim 19 , further comprising:
The method for inspecting a photomask blank, wherein the first layer contains chromium and the second layer contains chromium and oxygen.
請求項19から21までのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記第1の検査工程において、前記積層膜からの散乱光を検出する、フォトマスクブランクスの検査方法。
22. The method for inspecting a photomask blank according to claim 19 ,
A photomask blank inspection method, comprising: detecting light scattered from the laminated film in the first inspection step.
請求項19から22までのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記第2の検査工程において、前記積層膜からの反射光を撮像する、フォトマスクブランクスの検査方法。
23. The method for inspecting a photomask blank according to any one of claims 19 to 22 ,
The photomask blank inspection method further comprises: capturing an image of light reflected from the laminated film in the second inspection step.
請求項23に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記ハーフピンホール検出工程で検出された前記ハーフピンホールに関して、所定の判定基準を満たすか否かを判定する判定工程を有し、
前記判定工程において、前記反射光の強度に基づいて、前記判定基準を満たすか否かを判定する、フォトマスクブランクスの検査方法。
24. The photomask blank inspection method according to claim 23 ,
a determination step of determining whether or not the half pinhole detected in the half pinhole detection step satisfies a predetermined determination criterion,
A photomask blank inspection method, comprising: determining, in the determining step, whether or not the determination criterion is satisfied based on the intensity of the reflected light.
請求項24に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記判定基準は、前記積層膜における直径が1μm以上3μm以下の前記ハーフピンホールの個数が0.003個/cm以下であることを含む、前記判定工程において、前記反射光の強度に基づいて、前記判定基準を満たすか否かを判定する、フォトマスクブランクスの検査方法。
25. The photomask blank inspection method according to claim 24 ,
The photomask blank inspection method includes determining whether or not the judgment criterion is satisfied based on the intensity of the reflected light in the judgment step, the judgment criterion including that the number of the half pinholes having a diameter of 1 μm or more and 3 μm or less in the laminate film is 0.003 pcs/cm2 or less.
請求項19から25までのいずれか一項に記載のフォトマスクブランクスの検査方法において、
前記第2の検査工程において、倍率が50倍以上の対物レンズを用いて前記撮像情報を生成する、フォトマスクブランクスの検査方法。
26. The method for inspecting a photomask blank according to claim 19 ,
A photomask blank inspection method, wherein in the second inspection step, the imaging information is generated using an objective lens having a magnification of 50 or more.
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