JP2007298858A - Method for producing substrate for mask blank, method for producing mask blank and method for producing mask for exposure, and mask blank and mask for exposure - Google Patents

Method for producing substrate for mask blank, method for producing mask blank and method for producing mask for exposure, and mask blank and mask for exposure Download PDF

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JP2007298858A JP2006128259A JP2006128259A JP2007298858A JP 2007298858 A JP2007298858 A JP 2007298858A JP 2006128259 A JP2006128259 A JP 2006128259A JP 2006128259 A JP2006128259 A JP 2006128259A JP 2007298858 A JP2007298858 A JP 2007298858A
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Masaru Tanabe
勝 田辺
Makoto Goto
良 後藤
Osamu Maruyama
丸山 修
Kunihiko Ueno
邦彦 上野
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Hoya Electronics Malaysia Sdn Bhd
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Hoya Electronics Malaysia Sdn Bhd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a substrate for mask blank including steps suitable for imparting a higher cleanliness factor to only a target portion with no need of evenly cleaning the whole substrate. <P>SOLUTION: The method for producing a substrate for mask blank includes: a step of covering a foreign body 3 present on a surface of a substrate 2 for mask blank with a liquid 1; a step of solidifying the liquid 1 covering the foreign body 3; and a step of removing the foreign body 3 from the substrate 2 surface together with a solidified body 1' formed by solidifying the liquid 1 covering the foreign body 3 by removing the solidified body 1' from the substrate 2 surface. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法、並びに、これらの製造方法を用いて製造された、マスクブランク及び露光マスク等に関する。   The present invention relates to a mask blank substrate manufacturing method, a mask blank manufacturing method, an exposure mask manufacturing method, and a mask blank and an exposure mask manufactured by using these manufacturing methods.

半導体LSIや液晶パネルなどを製造するにあたっては、露光マスクを用いて露光対象物(被転写体)に微細パターンが転写される。この露光マスクにおけるマスクブランク用基板の洗浄は、一般に、ディップ(浸漬)洗浄や、スピン洗浄などで行われる(特許文献1)。
ディップ(浸漬)洗浄では、超音波を印加しつつ洗浄を行うことがある。また、スピン洗浄では、ノズルから純水又は薬液を高速で射出させることによる洗浄を伴うことがある(特許文献2)。
特開平6−69178号公報 特開2002−131889号公報
In manufacturing a semiconductor LSI, a liquid crystal panel, or the like, a fine pattern is transferred to an exposure object (transfer object) using an exposure mask. Cleaning of the mask blank substrate in this exposure mask is generally performed by dipping (dipping) cleaning, spin cleaning, or the like (Patent Document 1).
In dip (immersion) cleaning, cleaning may be performed while applying ultrasonic waves. Also, spin cleaning may involve cleaning by ejecting pure water or chemical from a nozzle at high speed (Patent Document 2).
JP-A-6-69178 JP 2002-131889 A

しかしながら、上述したマスクブランク用基板の洗浄方法には、以下の課題がある。
マスクブランク用基板上の付着物の洗浄は、洗浄のメカニズムを詳細に分析すると、(1)付着物の移動、(2)付着物の囲い込み、(3)付着物の目的の場所への移動、の3工程から成り立っている。
(1)付着物の移動では、薬液の化学的な移動圧力作用、ブラシやスポンジなどの物理的な移動圧力作用、超音波やメガヘルツ超音波(メガソニック)によるキャビテーション効果、ノズルから射出される流体や液滴の衝突圧力作用、により基板上を移動させる事が行われる。
(2)付着物の囲い込みでは、界面活性剤やキレート剤による化学的な囲い込みが行われる。
(3)付着物の目的の場所への移動は、多くの場合、液体の層流による基板の外への追い出しとなる。
このような、湿式処理は基板全体を平均的に洗浄することには適しているが、狙った部分をより高い清浄度にすることには、向いていない。その主な原因は、(1)付着物の移動工程では、付着異物の種類(有機物、無機物、金属)により薬液を使い分ける必要があり、全ての種類の異物を移動できる薬液を選択するのは困難である。また、ブラシやスポンジなどのスクラブ体自体が汚染されることによるスクラブ体からもたらされる付着物の発生がある。また、超音波や・メガヘルツ超音波(メガソニック)を用いた洗浄や、ノズルから射出される流体を用いた洗浄(例えば、純水又は薬液などの液体とエア又はNなどの気体とを混合した2流体をノズルから高速で射出させる2流体ジェット洗浄など)の物理的作用だけでは移動できない強固に付着した異物も存在する。
(2)付着物の囲い込み工程では、不十分な囲い込みに起因して、付着物の別の場所への再付着がある。また、リンス工程が不十分であると界面活性剤やキレート剤の残留が発生する。
(3)の不完全な付着物の追い出し工程では、液体の表面張力により、囲い込んだ付着物が必ず基板上を移動するため、付着物を基板の外(即ち目的の場所)への移動させる途中で乾燥が完了してしまうことにより、付着物の別の場所への再付着がある。スピン洗浄に見られるスピンによる遠心分離乾燥は、スピン中心からの距離により、その効果が大きく変わり基板外側の方が乾燥が早いことが、付着物が基板の外へ移動できなくなる事態を起きやすくしている。通常、最終リンスに用いられる超純水はその粘性により、基板との境界面での流速は遅く、十分な異物の追い出しが難しい。
上記(1)〜(3)の原因により、基板表面への付着異物の残留や付着異物の別の場所への再付着が発生する。
このような付着異物があると、付着異物上に膜が成膜されることにより係る箇所においてマスクブランクの膜欠陥(膜の光学特性の欠陥や、膜の凸欠陥)となったり、露光用マスクを作製する際に、付着異物がその上の膜と共に剥がれ落ちたり、膜が除去されるべき箇所に付着異物が残存するなどして膜欠陥となり、いずれにせよ、マスクブランクやマスクの欠陥となり、ひいては、被転写体において転写パターン欠陥となる。
However, the above-described mask blank substrate cleaning method has the following problems.
When cleaning the deposit on the mask blank substrate, the mechanism of the cleaning is analyzed in detail. (1) Move the deposit, (2) Enclose the deposit, (3) Move the deposit to the target location, It consists of three processes.
(1) In the movement of deposits, the chemical movement pressure action of chemicals, the physical movement pressure action of brushes and sponges, the cavitation effect by ultrasonic waves and megahertz ultrasonic waves (megasonic), the fluid ejected from the nozzle And movement on the substrate by the impact pressure action of the droplets.
(2) In the enclosure of deposits, chemical enclosure with a surfactant or a chelating agent is performed.
(3) In many cases, the movement of the deposit to the target location is driven out of the substrate by a laminar flow of the liquid.
Such a wet process is suitable for cleaning the entire substrate on average, but is not suitable for making the targeted portion higher in cleanliness. The main reasons are as follows: (1) In the process of moving the deposit, it is necessary to use different chemicals depending on the type of foreign matter (organic, inorganic, metal), and it is difficult to select a chemical that can move all types of foreign matter. It is. Further, there is an occurrence of deposits caused by the scrub body due to contamination of the scrub body itself such as a brush or a sponge. Also, cleaning using ultrasonic waves or megahertz ultrasonic waves (megasonic), or cleaning using a fluid ejected from a nozzle (for example, mixing liquid such as pure water or chemical liquid with gas such as air or N 2) There is also a strongly adhered foreign substance that cannot be moved only by the physical action of two-fluid jet cleaning that ejects the two fluids from the nozzle at high speed.
(2) In the enclosure process of deposits, the deposits are reattached to another place due to insufficient enclosure. Further, if the rinsing process is insufficient, a surfactant or chelating agent remains.
In the incomplete deposit expelling step (3), the enclosed deposit always moves on the substrate due to the surface tension of the liquid, so that the deposit moves to the outside of the substrate (that is, the target location). When drying is completed halfway, there is reattachment of the deposit to another place. Centrifugal drying by spin, which is observed in spin cleaning, greatly affects the effect depending on the distance from the spin center, and the drying on the outside of the substrate is faster, making it more likely that the deposits cannot move out of the substrate. ing. Usually, the ultrapure water used for the final rinse has a low flow velocity at the interface with the substrate due to its viscosity, and it is difficult to drive out sufficient foreign matter.
Due to the above causes (1) to (3), the adhering foreign matter remains on the substrate surface and the adhering foreign matter is reattached to another location.
If there is such an adhering foreign matter, a film is formed on the adhering foreign matter, resulting in a film defect of the mask blank (a defect in the optical characteristics of the film or a convex defect in the film), or an exposure mask. When producing the film, the adhered foreign material is peeled off together with the film on the film, or the adhered foreign material remains in a place where the film is to be removed, resulting in a film defect. As a result, a transfer pattern defect occurs in the transfer target.

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、第一の目的は、マスクブランク用基板の主表面に付着物のないマスクブランク用基板、マスクブランク及びそれらの製造方法を提供することにある。第二の目的は、転写パターン欠陥の発生しない露光用マスク及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a first object thereof is to provide a mask blank substrate, a mask blank, and a method for manufacturing the same, in which there are no deposits on the main surface of the mask blank substrate. There is. A second object is to provide an exposure mask that does not cause transfer pattern defects and a method of manufacturing the same.

本発明方法は、以下の構成を有する。
(構成1)マスクブランク用基板の表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を基板表面から取り除く工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
(構成2)マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着している異物に、液体を固体化させた固体化体を接触させて、表面に付着している異物の付着力を低減させる工程を有することを特徴とする構成1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
(構成3)マスクブランク用基板の主表面を精密研磨した後、前記主表面の欠陥検査を行い主表面上に存在する異物に基づく欠陥を特定し、前記特定された異物に基づく欠陥に対して、構成1又は2に記載の工程を適用することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
(構成4)前記異物を覆う液体として純水を使用することを特徴とする構成1〜3のいずれか1項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
(構成5)前記異物を覆う液体として低融点金属又は低融点金属からなる合金を溶解した液体を使用することを特徴とする構成1〜3のいずれか1項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
(構成6)構成1乃至5の何れかのマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜を形成して製造されたことを特徴とするマスクブランク。
(構成7)構成6のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを使用してマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンを形成して製造されたことを特徴とする露光用マスク。
(構成8)マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
前記マスクブランクの表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体をマスクブランク表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物をマスクブランク表面から取り除く工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
(構成9)マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンが形成された露光用マスクを準備する工程と、
前記露光用マスクの表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を露光用マスク表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を露光用マスク表面から取り除く工程と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
The method of the present invention has the following configuration.
(Configuration 1) A step of covering the foreign matter existing on the surface of the mask blank substrate with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing the foreign matter from the substrate surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface;
A method for manufacturing a mask blank substrate, comprising:
(Configuration 2) Reduce the adhesion of foreign matter adhering to the surface by bringing the solidified body obtained by solidifying the liquid into contact with the foreign matter existing on the surface of the mask blank substrate and adhering to the surface. The manufacturing method of the mask blank board | substrate of the structure 1 characterized by including the process to make.
(Configuration 3) After the main surface of the mask blank substrate is precisely polished, the defect inspection of the main surface is performed to identify the defect based on the foreign matter existing on the main surface, and against the defect based on the specified foreign matter A method for manufacturing a mask blank substrate, comprising applying the process according to Configuration 1 or 2.
(Structure 4) The manufacturing method of the mask blank substrate according to any one of Structures 1 to 3, wherein pure water is used as the liquid covering the foreign matter.
(Structure 5) The mask blank substrate according to any one of Structures 1 to 3, wherein a liquid in which a low melting point metal or an alloy made of a low melting point metal is used is used as the liquid covering the foreign matter. Method.
(Structure 6) A mask manufactured by forming a thin film to be a mask pattern on the main surface of a mask blank substrate obtained by the method for manufacturing a mask blank substrate according to any one of structures 1 to 5. blank.
(Structure 7) An exposure mask manufactured by forming a mask pattern on the main surface of a mask blank substrate using the mask blank obtained by the method for manufacturing a mask blank according to Structure 6.
(Configuration 8) A step of preparing a mask blank in which a thin film to be a mask pattern is formed on the main surface of the mask blank substrate;
Covering the foreign matter present on the surface of the mask blank with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing a solidified body obtained by solidifying a liquid covering the foreign matter from the surface of the mask blank by removing the solidified body together with the solidified body from the surface of the mask blank. Method.
(Configuration 9) A step of preparing an exposure mask having a mask pattern formed on the main surface of a mask blank substrate;
Covering the foreign matter present on the surface of the exposure mask with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing the foreign matter from the exposure mask surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the exposure mask surface. Mask manufacturing method.

本発明によれば、基板やマスクブランクや露光マスクの表面上の異物のある箇所のみを液体の固体化(凍結など)を利用して局所洗浄することが可能となる。したがって、狙った部分のみをより高い清浄度にするのに適する。
また、基板、マスクブランク又は露光マスクの全体を平均的に洗浄する必要が無く、基板、マスクブランク又は露光マスクの表面上の異物のない箇所(きれいな箇所)は洗浄を行わずに保全できるので、上記(1)〜(3)の原因による、基板、マスクブランク又は露光マスクの表面への付着異物の残留や付着異物の別の場所への再付着が発生することがない。
According to the present invention, it is possible to perform local cleaning only on a portion where a foreign substance exists on the surface of a substrate, a mask blank, or an exposure mask by utilizing liquid solidification (freezing, etc.). Therefore, it is suitable for making the target portion higher in cleanliness.
In addition, it is not necessary to wash the entire substrate, mask blank or exposure mask on average, and a place without a foreign substance (clean place) on the surface of the substrate, mask blank or exposure mask can be maintained without cleaning, Due to the above causes (1) to (3), the adhering foreign matter remains on the surface of the substrate, the mask blank or the exposure mask, and the adhering foreign matter does not reattach to another place.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、
マスクブランク用基板の表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を基板表面から取り除く工程と、
を有することを特徴とする(構成1)。
ここで、基板表面に存在する異物を液体で覆う工程においては、少なくとも基板表面に存在する異物及びその周囲を液体で覆う。その際、好ましくは、一例を図1(1)に示すように、基板2の表面に存在する異物3及びその周囲のみを液体1で覆い囲い込む(局所的に囲い込む)ことが望ましい。異物及びその周囲のみを液体で覆うには、通常、異物及び/又はその周囲への液体の滴下や、異物及び/又はその周囲における固体化体の液体化、などによって、行われる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The manufacturing method of the mask blank substrate of the present invention is as follows.
A step of covering the foreign matter present on the surface of the mask blank substrate with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing the foreign matter from the substrate surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface;
(Structure 1).
Here, in the step of covering the foreign matter existing on the substrate surface with the liquid, at least the foreign matter existing on the substrate surface and the periphery thereof are covered with the liquid. At that time, as shown in FIG. 1 (1) as an example, it is desirable that only the foreign material 3 existing on the surface of the substrate 2 and the periphery thereof are covered with the liquid 1 (enclosed locally). To cover only the foreign matter and its surroundings with a liquid is usually performed by dropping the foreign matter and / or the liquid around the foreign matter, or liquefying the foreign matter and / or the solidified body therearound.

異物を覆う液体を固体化させる工程において、異物を覆う液体を固体化させる手段は、液体によって異なる。
異物を覆う液体が超純水等の場合(構成4)は、超純水等を凍結させることによって固体化させる。
このとき、異物を覆う超純水等に、超純水等を凍結させて得られる凍結体を、接触させることによって、異物を覆う超純水等を凍結させることが好ましい。例えば、一例を図2に示すように、異物3を覆う超純水等1に、超純水等を凍結させて得られる凍結体100を、接触させることによって、異物を覆う超純水等を凍結させることが好ましい。この理由は、凍結体100によって異物3を覆う超純水等1の局所冷却が可能であると共に、凍結体100と超純水等1との接触面から超純水等1の氷への相変化が進行していき、凍結体100と超純水等の凍結体1’とが強固に接合されるためである。この凍結体100は、後述する、超純水等の凍結体1’の引き剥がし用治具としても利用される。この凍結体100の形態は、楕円柱形状、円柱形状、角柱形状とすることができ、後述する図7に示すように略球形状とすることができる。この凍結体100は、耐冷却性のある型(例えばポリプロピレン製の型)を用い、この型に、純水等を注ぎ、例えば、ペルチェモジュールなどの局所冷却スポット14’を挿入して凍結させるか、あるいは、−20℃程度の冷蔵庫内で約15時間程度放置して凍結(冷凍)させることによって得られる。
超純水等を凍結させて得られる凍結体100の替わりに、マイナス温度に冷却された冷却体を、異物3を覆う超純水等1に、接触させることによって液体を凍結させることも可能である。
異物を覆う液体を固体化させる手段は、液体が低融点金属又は低融点金属からなる合金等が溶解(融解)した液体である場合(構成5)は、自然冷却等によって固体化(固化)させる。
異物を覆う液体を固体化させる工程においては、液体を固体化させた固体化体によって、付着物の強い囲い込みが行われる。また、基板と異物との隙間や界面では、液体の浸み込み作用や、液体の体積膨張作用によって、基板と異物との付着力を低減させる作用が働く。
In the step of solidifying the liquid covering the foreign matter, the means for solidifying the liquid covering the foreign matter differs depending on the liquid.
When the liquid covering the foreign matter is ultrapure water or the like (Configuration 4), the ultrapure water or the like is frozen to be solidified.
At this time, it is preferable to freeze the ultrapure water etc. which covers a foreign material by making the frozen body obtained by freezing ultrapure water etc. contact the ultrapure water etc. which cover a foreign material. For example, as shown in FIG. 2, ultrapure water or the like that covers foreign matter is brought into contact with ultrapure water or the like 1 that covers foreign matter 3 by contacting frozen body 100 obtained by freezing ultrapure water or the like. It is preferable to freeze. The reason for this is that local cooling of the ultrapure water 1 covering the foreign matter 3 with the frozen body 100 is possible, and the phase from the contact surface between the frozen body 100 and the ultrapure water 1 etc. to the ice of the ultrapure water 1 etc. This is because the change proceeds and the frozen body 100 and the frozen body 1 ′ such as ultrapure water are firmly joined. The frozen body 100 is also used as a jig for peeling a frozen body 1 ′ such as ultrapure water, which will be described later. The form of the frozen body 100 can be an elliptical column shape, a cylindrical shape, or a prismatic shape, and can be a substantially spherical shape as shown in FIG. The frozen body 100 uses a cooling-resistant mold (for example, a mold made of polypropylene), poured pure water or the like into this mold, and inserted into a local cooling spot 14 ′ such as a Peltier module to be frozen. Alternatively, it can be obtained by allowing it to stand for about 15 hours in a refrigerator at about −20 ° C. and freeze (freeze) it.
Instead of the frozen body 100 obtained by freezing ultrapure water or the like, it is also possible to freeze the liquid by bringing the cooling body cooled to a minus temperature into contact with the ultrapure water 1 or the like covering the foreign material 3. is there.
The means for solidifying the liquid covering the foreign matter is solidified (solidified) by natural cooling or the like when the liquid is a liquid in which a low melting point metal or an alloy made of a low melting point metal is dissolved (melted). .
In the step of solidifying the liquid covering the foreign matter, the deposit is strongly enclosed by the solidified body obtained by solidifying the liquid. In addition, at the gap or interface between the substrate and the foreign matter, an action of reducing the adhesion force between the substrate and the foreign matter works due to the liquid penetration action and the volume expansion action of the liquid.

本発明は、前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を基板表面から取り除く工程を有する。
この工程では、一例を図1(2)に示すように、異物3を覆う液体を固体化させた固体化体1’を基板2表面から取り除くことによって、固体化体1’と一緒に異物3を基板2表面から取り除く。このとき、異物3は固体化体1’によって強く囲い込まれ保持されている。この工程により、異物3は、基板へ再付着する可能性のない場所(目的の場所)へ確実に移動される。
ここで、異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除く手段としては、前記固体化体に接合された引き剥がし用治具を用いる手段などが挙げられる。
具体的には、例えば、上記した異物を覆う液体を固体化させる工程において、前記異物を覆う液体に、引き剥がし用治具を接触又は挿入し、その後前記液体を固体化させて、前記固体化体と前記引き剥がし用治具とを互いに接合(固着)させ、この引き剥がし用治具によって、前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除く(引き剥す)。上述した凍結体100は、超純水等の凍結体1’の引き剥がし用治具の一例であり、異物3を覆う超純水等1の局所冷却用治具としても利用される。引き剥がし用治具の他の例としては、棒状体や針金などが挙げられ、これらの引き剥がし用治具における異物を覆う液体との接合部の形態は、異物を覆う液体を固体化させた固体化体と引き剥がし用治具とを互いに接合(固着)させるのに適した形態とすることができる。
異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除く(取り去る、除去する、剥離する、引き剥がす、などの態様がある)他の手段としては、凍結体等の異物を含む固体化体への接触、吸引手段による異物を含む固体化体の吸引、吸着手段による異物を含む固体化体の吸着や、これらの組み合わせ手段などが挙げられる。
The present invention includes a step of removing the foreign matter from the substrate surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface.
In this step, as shown in FIG. 1 (2), as an example, the solidified body 1 ′ obtained by solidifying the liquid covering the foreign body 3 is removed from the surface of the substrate 2, thereby the foreign body 3 together with the solidified body 1 ′. Is removed from the surface of the substrate 2. At this time, the foreign material 3 is strongly enclosed and held by the solidified body 1 ′. By this step, the foreign matter 3 is reliably moved to a place (target place) where there is no possibility of reattachment to the substrate.
Here, examples of means for removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface include means using a peeling jig joined to the solidified body.
Specifically, for example, in the step of solidifying the liquid covering the foreign matter, a peeling jig is brought into contact with or inserted into the liquid covering the foreign matter, and then the liquid is solidified and the solidified. The body and the peeling jig are joined (fixed) to each other, and the solidified body in which the liquid covering the foreign matter is solidified is removed (stripped) from the substrate surface by the peeling jig. The frozen body 100 described above is an example of a jig for peeling the frozen body 1 ′ such as ultrapure water, and is also used as a local cooling jig for the ultrapure water 1 or the like covering the foreign material 3. Other examples of the peeling jig include a rod-shaped body and a wire, and the form of the joint with the liquid covering the foreign matter in these peeling jigs solidifies the liquid covering the foreign matter. The solidified body and the peeling jig can be in a form suitable for joining (adhering) to each other.
As another means for removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface (including removal, removal, peeling, peeling, etc.), solidification including foreign matter such as a frozen body Examples include contact with a body, suction of a solidified body containing foreign matter by a suction means, adsorption of a solidified body containing foreign matter by an adsorption means, and a combination means thereof.

本発明においては、マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着している異物に、液体を固体化させた固体化体を接触させて、表面に付着している異物の付着力を低減させる工程を、有することができる(構成2)。
構成2に係る工程は、マスクブランク用基板の表面に存在する異物が、マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着している異物(付着異物)である場合に、特に通常の洗浄では除去できない程度に強く基板表面に付着している異物である場合に、有用である。
構成2に係る工程は、上記構成1に係る工程における「マスクブランク用基板の表面に存在する異物を液体で覆う工程」と同時、あるいはこの工程の前工程又はこの工程の後であって異物を覆う液体が固体化するまでの間、に行うことが好ましい。
構成2に係る工程において、基板表面に付着している異物(付着異物)に、固体化体を接触させる力(物理的な移動圧力作用)は、異物の基板表面への付着力よりも大きな力を異物に作用させることが好ましく、これによって、表面に付着している異物の付着力を低減させ、好ましくは、付着箇所から異物を移動させたり、異物を表面から掻き剥がす(掻き落とす)ことが望ましい。
構成2に係る工程においては、付着異物に対する固体化体の接触は、図3に示すように、通常基板表面に平行方向に固体化体を振動させ(基板表面と平行な平面内において固体化体の先端平面を円運動させる場合を含む)で行う。
付着異物に対する固体化体の接触は、固体化体が超純水等の凍結体である場合は、この凍結体はガラス表面との接触によりガラス表面に傷を付ける虞がないので、図3(a)に示すように、基板表面に凍結体200を接触させつつ行うことができる。
付着異物に対する固体化体の接触は、図3(b)に示すように、基板表面に凍結体又は固体化体200を接触させずに行うこともできる。この場合、固体化体が超純水等の凍結体であれば、この凍結体が万一ガラス表面と接触しても、ガラス表面に傷を付ける虞がない。
凍結体又は固体化体200の形態は、楕円柱形状、円柱形状、角柱形状とすることができ、後述する図7に示すように略球形状とすることができる。
In the present invention, a solidified body obtained by solidifying a liquid is brought into contact with a foreign substance that exists on the surface of the mask blank substrate and adheres to the surface, thereby increasing the adhesion of the foreign substance attached to the surface. It is possible to have a step of reducing (Configuration 2).
The process according to Configuration 2 is particularly normal when the foreign matter present on the surface of the mask blank substrate is present on the surface of the mask blank substrate and is attached to the surface (attached foreign matter). This is useful when the foreign matter is strongly attached to the substrate surface to the extent that it cannot be removed.
The process according to the configuration 2 is performed simultaneously with the “step of covering the surface of the mask blank substrate with the liquid with the liquid” in the process according to the configuration 1, or before the process or after the process. It is preferable to carry out until the liquid to be covered is solidified.
In the process according to Configuration 2, the force (physical movement pressure action) for bringing the solidified body into contact with the foreign matter (attached foreign matter) adhering to the substrate surface is larger than the adhesion force of the foreign matter to the substrate surface. It is preferable to act on the foreign matter, thereby reducing the adhesion force of the foreign matter adhering to the surface, and preferably moving the foreign matter from the attachment location or scraping (scraping off) the foreign matter from the surface. desirable.
In the process according to Configuration 2, as shown in FIG. 3, the contact of the solidified body with the adhering foreign matter causes the solidified body to vibrate in a direction parallel to the normal substrate surface (in a plane parallel to the substrate surface). (Including the case of circular movement of the tip plane).
When the solidified body is a frozen body such as ultrapure water, there is no risk of the glass surface being damaged by contact with the glass surface. As shown to a), it can carry out, making the frozen body 200 contact the substrate surface.
As shown in FIG. 3B, the solidified body can be brought into contact with the adhering foreign matter without bringing the frozen body or solidified body 200 into contact with the substrate surface. In this case, if the solidified body is a frozen body such as ultrapure water, there is no risk of scratching the glass surface even if the frozen body contacts the glass surface.
The form of the frozen body or solidified body 200 can be an elliptic cylinder shape, a cylindrical shape, or a prismatic shape, and can be a substantially spherical shape as shown in FIG.

本発明における各工程、特に構成2に係る工程、を行う環境(雰囲気)は、清浄な空気が循環された雰囲気、具体的にはクリーンルーム内で行うことが、大気中の塵や埃による影響、例えば図3に示す凍結体又は固体化体200と基板との間に塵や埃が介在されることによる超微小な凹欠陥(キズなど)の発生、を防止することができるので好ましい。クリーンルームのクラスは、1000以下が好ましい。
また、本発明における各工程、を行う温度は、凍結体を用いる場合においては、凍結体の強度及び耐久性の観点から、10℃〜25℃とすることが好ましい。
The environment (atmosphere) for performing each step in the present invention, particularly the step according to Configuration 2, is an atmosphere in which clean air is circulated, specifically, in a clean room, and is affected by dust and dirt in the atmosphere. For example, generation of ultra-fine concave defects (such as scratches) due to the presence of dust or dirt between the frozen or solidified body 200 and the substrate shown in FIG. 3 is preferable. The clean room class is preferably 1000 or less.
Moreover, when using a frozen body, it is preferable that the temperature which performs each process in this invention shall be 10 to 25 degreeC from a viewpoint of the intensity | strength and durability of a frozen body.

本発明は、マスクブランク用基板の製造工程における最終検査工程後の局所洗浄方法として特に適する(構成3)。通常、これ以前の工程では、通常の洗浄によって基板全体を平均的に洗浄することが必要だからである。但し、これ以前の工程における通常の洗浄では落とせない強固な局所異物の局所洗浄に、本発明を適用することは有用である。
また、本発明は、マスクブランクやマスクの局所洗浄方法として特に適する(構成8、構成9)。
更に、本発明は、マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜を形成して製造されたマスクブランクや、前記薄膜上にレジスト膜を形成したレジスト膜付きマスクブランク、マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンが形成されたマスク、の局所洗浄方法としても適用可能である。
The present invention is particularly suitable as a local cleaning method after the final inspection process in the mask blank substrate manufacturing process (Configuration 3). This is because it is usually necessary to clean the entire substrate by an average cleaning in the previous process. However, it is useful to apply the present invention to strong local cleaning of local foreign matters that cannot be removed by normal cleaning in the previous process.
In addition, the present invention is particularly suitable as a local cleaning method for mask blanks and masks (Configuration 8 and Configuration 9).
Furthermore, the present invention provides a mask blank manufactured by forming a thin film to be a mask pattern on the main surface of a mask blank substrate, a mask blank with a resist film in which a resist film is formed on the thin film, and a mask blank substrate. It can also be applied as a local cleaning method for a mask having a mask pattern formed on its main surface.

本発明においては、異物を覆う液体として使用する純水としては、純水、超純水などが挙げられる(構成4)。高い清浄度が必要な場合は、超純水を用いることが好ましい。
本発明においては、異物を覆う液体や、図2や図3等に示す凍結体100や200等として、純水や超純水に、凝固点を下げる物質(例えばゼラチンなど)を添加したものを使用することができる。これにより、異物を覆う液体が室温程度で凍結しやすくなると共に、室温程度では図2や図3等に示す凍結体100や200等が溶けにくくなる。
In the present invention, pure water, ultrapure water, or the like is used as the pure water used as the liquid covering the foreign matter (Configuration 4). When high cleanliness is required, it is preferable to use ultrapure water.
In the present invention, a liquid that covers a foreign substance, or a frozen body 100 or 200 shown in FIGS. 2 or 3 or the like, which is obtained by adding a substance that lowers the freezing point (for example, gelatin) to pure water or ultrapure water, is used. can do. As a result, the liquid covering the foreign matter is easily frozen at about room temperature, and the frozen bodies 100 and 200 shown in FIGS. 2 and 3 are hardly melted at about room temperature.

本発明において、異物を覆う液体として使用する低融点金属又は低融点金属からなる合金としては、錫、インジウム、これらの合金などが挙げられる(構成5)。   In the present invention, examples of the low melting point metal or an alloy made of a low melting point metal used as a liquid for covering foreign matter include tin, indium, and alloys thereof (Configuration 5).

本発明は、マスクブランク用基板の表面に存在する異物が、マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着している異物である場合に、適用できる。
本発明は、マスクブランク用基板の表面に存在する異物が、マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着していない異物である場合についても、適用できる。
本発明は、マスクブランク用基板の主表面に存在する付着異物の局所洗浄に適用できる他、マスクブランク用基板の端面(側面、面取り面)に存在する付着異物の局所洗浄に適用できる。
The present invention is applicable when the foreign matter existing on the surface of the mask blank substrate is present on the surface of the mask blank substrate and is attached to the surface.
The present invention can also be applied to the case where the foreign matter present on the surface of the mask blank substrate is present on the surface of the mask blank substrate and is not attached to the surface.
The present invention can be applied not only to the local cleaning of the adhered foreign matter existing on the main surface of the mask blank substrate, but also to the local cleaning of the adhered foreign matter existing on the end face (side surface, chamfered surface) of the mask blank substrate.

本発明において、基板の材料は特に限定されない。合成石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスや、超低膨張ガラスなどのガラス材料や、ガラスセラミックス、セラミックス、弗化カルシウムなとでも構わない。   In the present invention, the material of the substrate is not particularly limited. Glass materials such as synthetic quartz glass, alkali-free glass, soda lime glass, aluminosilicate glass, ultra-low expansion glass, glass ceramics, ceramics, and calcium fluoride may be used.

本発明のマスクブランクは、上述した本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜を形成して製造されたことを特徴とする(構成6)。
例えば、上述した本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、薄膜としての遮光膜を形成してフォトマスクブランクを製造し、または薄膜としてのハーフトーン膜を形成してハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造し、または薄膜としてハーフトーン膜、遮光膜を順次形成してハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造する。これらのフォトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透過型マスクブランクである。このほか、上述した本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、薄膜としての多層反射膜、吸収体膜を形成して、反射型マスクブランクを製造する。更に、透過型または反射型マスクブランクの薄膜上にレジスト膜を形成して、レジスト膜付きのマスクブランクを製造してもよい。
The mask blank of the present invention is manufactured by forming a thin film to be a mask pattern on the main surface of the mask blank substrate obtained by the above-described mask blank substrate manufacturing method according to the present invention. (Configuration 6).
For example, a photomask blank is manufactured by forming a light-shielding film as a thin film on the main surface of the mask blank substrate obtained by the method for manufacturing a mask blank substrate according to the present invention described above, or a half as a thin film A halftone phase shift mask blank is manufactured by forming a tone film, or a halftone film and a light shielding film are sequentially formed as a thin film to manufacture a halftone phase shift mask blank. These photomask blanks and halftone phase shift mask blanks are transmissive mask blanks. In addition, a reflective mask blank is formed by forming a multilayer reflective film and an absorber film as a thin film on the main surface of the mask blank substrate obtained by the above-described mask blank substrate manufacturing method according to the present invention. To manufacture. Furthermore, a mask film with a resist film may be manufactured by forming a resist film on a thin film of a transmission type or reflection type mask blank.

本発明の露光用マスクは、上述した本発明に係るマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを使用してマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンを形成して製造されたことを特徴とする(構成7)。
例えば、上述のように製造された透過型マスクブランク、反射型マスクブランクまたはレジスト膜付きマスクブランクに露光・現像処理してレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをマスクにして上記薄膜をエッチング処理し、マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンを形成して露光マスクを製造する。
The exposure mask of the present invention is manufactured by forming a mask pattern on the main surface of a mask blank substrate using the mask blank obtained by the above-described mask blank manufacturing method according to the present invention. (Configuration 7).
For example, a transmissive mask blank, a reflective mask blank, or a mask blank with a resist film manufactured as described above is exposed and developed to form a resist pattern. Next, the thin film is etched using the resist pattern as a mask, and a mask pattern is formed on the main surface of the mask blank substrate to manufacture an exposure mask.

本発明は、大型マスクブランク用基板、大型マスクブランク、大型マスクの洗浄に特に適する。
これは、大型ガラス基板のディップ洗浄や超音波・メガソニック洗浄では、基板の洗浄槽へのロード・アンロードの時間、基板の浸浸時間、基板の引き上げ時間、基板の乾燥時間など一連の洗浄動作の個々動作において、小型基板(6インチなど)に比べ、時間がかかるため、トータルの洗浄時間が長くなる。同様に、大型ガラス基板のスピン洗浄やブラシ洗浄では、基板のスピンチャックへのロード・アンロードの時間が小型基板に比べ時間がかかり、小型基板に比べ基板の回転が遅いため、スピン洗浄やブラシ洗浄の時間が小型基板に比べ時間がかかるため、トータルの洗浄時間が長くなる。これらの理由から、大型ガラス基板等の通常の洗浄は時間もコストもかかるのであるが、通常の洗浄に替えて本発明を適用することにより、洗浄時間の短縮やコストの低減を図れるからである。
本発明において、大型マスクブランク用基板、大型マスクブランク、大型マスクとしては、LCD(液晶ディスプレイ)、プラズマディスプレイ、有機EL(エレクトロルミネッセンス)ディスプレイなどのFPDデバイスを製造するための大型マスクブランク用基板、マスクブランク及びマスクが挙げられる。
The present invention is particularly suitable for cleaning a large mask blank substrate, a large mask blank, and a large mask.
For dip cleaning of large glass substrates and ultrasonic / megasonic cleaning, a series of cleaning such as loading / unloading time to substrate cleaning tank, substrate immersion time, substrate lifting time, substrate drying time, etc. In each individual operation, since it takes time compared to a small substrate (6 inches or the like), the total cleaning time becomes longer. Similarly, in spin cleaning and brush cleaning of large glass substrates, the time required for loading and unloading the substrate to the spin chuck takes longer than that of small substrates, and the rotation of the substrate is slower than that of small substrates. Since the cleaning time takes longer than that of a small substrate, the total cleaning time becomes longer. For these reasons, normal cleaning of large glass substrates and the like takes time and cost, but by applying the present invention in place of normal cleaning, cleaning time and cost can be reduced. .
In the present invention, a large mask blank substrate, a large mask blank, and a large mask include a large mask blank substrate for manufacturing FPD devices such as LCD (liquid crystal display), plasma display, and organic EL (electroluminescence) display, A mask blank and a mask are mentioned.

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
(実施例1)
(マスクブランク用ガラス基板の製造及び検査)
合成石英ガラス基板の端面加工と面取り加工、両面ラッピング装置によって研削加工を終えたガラス基板の表面を両面研磨装置にセットし、粗研磨工程、精密研磨工程、洗浄工程を経て、高い平滑性を有するマスクブランク用ガラス基板を得た。
得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面を欠陥検査装置で凸欠陥や凹欠陥がないか検査した。欠陥検査装置によって得られた欠陥情報は、欠陥の種類(凸欠陥、凹欠陥)、欠陥の大きさ、欠陥の位置情報等が保存される。
欠陥検査した結果、高さ約40nm、大きさ約6μmの微小な付着異物に基づく凸欠陥を発見した。この微小な付着異物に基づく凸欠陥は、マスクブランク用ガラス基板を再度洗浄しても除去されず、ガラス基板表面に比較的強固に付着した異物であることを確認した。このようなマスクブランク用ガラス基板上の微小な付着異物に基づく凸欠陥は、付着異物上に膜が成膜されることにより係る箇所においてマスクブランクの膜欠陥(膜の光学特性の欠陥や、膜の凸欠陥)となったり、露光用マスクを作製する際に、付着異物がその上の膜と共に剥がれ落ちたり、膜が除去されるべき箇所に付着異物が残存するなどして膜欠陥となり、いずれにせよ、マスクブランクやマスクの欠陥となり、ひいては、被転写体において転写パターン欠陥となる。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.
(Example 1)
(Manufacture and inspection of glass substrates for mask blanks)
End surface processing and chamfering of synthetic quartz glass substrate, and the surface of the glass substrate that has been ground by a double-sided lapping device is set in a double-sided polishing device, and has high smoothness through a rough polishing process, a precision polishing process, and a cleaning process A glass substrate for mask blank was obtained.
The main surface of the obtained glass substrate for mask blank was inspected by a defect inspection apparatus for a convex defect or a concave defect. The defect information obtained by the defect inspection apparatus stores the defect type (convex defect, concave defect), defect size, defect position information, and the like.
As a result of the defect inspection, a convex defect based on a minute adhered foreign substance having a height of about 40 nm and a size of about 6 μm was discovered. It was confirmed that the convex defect based on the minute adhered foreign matter was not removed even when the mask blank glass substrate was washed again, and was a foreign matter that adhered relatively firmly to the glass substrate surface. Such a convex defect based on a minute adhered foreign substance on the glass substrate for mask blank is caused by a film defect on the mask blank (defect in optical characteristics of the film or film Convex defect), or when the exposure mask is produced, the adhered foreign matter is peeled off together with the film on it, or the adhered foreign matter remains in the place where the film is to be removed. In any case, it becomes a defect of a mask blank or a mask, and eventually a transfer pattern defect in the transfer target.

(凍結体の準備)
次に、以下のように凍結体を準備した。
図4に示すように、ペルチェモジュール11を用いた凍結体製造ユニット10と、冷却制御用の電源(図示せず)を準備した。凍結体製造ユニット10は、ペルチェモジュール11の冷却面(アルミ製)12にアルミ製の局所冷却スポット14(径:3mm、長さ:50mm、の円柱体(アルミ製))を取り付け、冷却面12及び局所冷却スポット14を覆うように発泡ウレタン製の断熱材13を取り付けたものである。ペルチェモジュール11の冷却面12とは反対側の面には、ヒートシンク15を介して、排気ファン16が取り付けられており、排気ファン16から排気熱が放出される。
図5(1)〜(3)に示すように、局所冷却スポット14の先端は、凍結体の付着力を高めるため、円周部分14a及び十字体部分14bを除く部分14cに溝加工を施してある。
超純水を5mlを準備し、この超純水の温度は環境温度と同じ21℃とした。また、局所冷却スポットはペルチェモジュールに電流を流し−20℃とした。
図6に示すように、局所冷却スポット14の先端に、超純水を0.03ml垂らし、数秒間放置することで、氷への相変化をさせ、その後、再び超純水を0.03ml垂らす工程、を数回繰り返し、先端形状が丸みを帯びた半球状(略球形状)の凍結体20(直径約6mmφ)を得た。この半球状の凍結体20の温度は、局所冷却スポット同じ−20℃である。
(Preparation of frozen body)
Next, a frozen body was prepared as follows.
As shown in FIG. 4, a frozen body manufacturing unit 10 using a Peltier module 11 and a power source (not shown) for cooling control were prepared. The frozen body manufacturing unit 10 is provided with a local cooling spot 14 (diameter: 3 mm, length: 50 mm, cylindrical body (aluminum)) made of aluminum mounted on a cooling surface (aluminum) 12 of the Peltier module 11. And the heat insulating material 13 made of urethane foam is attached so as to cover the local cooling spot 14. An exhaust fan 16 is attached to the surface of the Peltier module 11 opposite to the cooling surface 12 via a heat sink 15, and exhaust heat is released from the exhaust fan 16.
As shown in FIGS. 5 (1) to (3), the tip of the local cooling spot 14 is grooved on the portion 14c excluding the circumferential portion 14a and the cross body portion 14b in order to increase the adhesion of the frozen body. is there.
5 ml of ultrapure water was prepared, and the temperature of this ultrapure water was set to 21 ° C., the same as the environmental temperature. The local cooling spot was set to −20 ° C. by passing an electric current through the Peltier module.
As shown in FIG. 6, 0.03 ml of ultrapure water is dropped on the tip of the local cooling spot 14 and left for several seconds to cause a phase change to ice, and then 0.03 ml of ultrapure water is dropped again. The process was repeated several times to obtain a hemispherical (substantially spherical) frozen body 20 (diameter of about 6 mmφ) with a rounded tip. The temperature of the hemispherical frozen body 20 is −20 ° C., which is the same as the local cooling spot.

(局所洗浄)
図7に示すように、上記で準備した半球状の凍結体20を用い、この半球状の凍結体20をガラス基板40上の上記微小な付着異物50に近づける(図4(1))。
その後、半球状の凍結体20とガラス基板40との接触直前に、半球状の凍結体20の表面に超純水を0.03ml垂らし、超純水を半球状の凍結体20の表面を伝わらせて、微小な付着異物50を含むガラス基板40上に超純水30を接触させる。超純水30の氷への相変化中(超純水30が凍結する前)に、半球状の凍結体20の先端部分に1平方cm当たり最大0.5gの荷重を加え半球状の凍結体20の先端とガラス基板40の表面とを接触させる(図4(2))。
その後、超純水30の氷への相変化中(超純水30が凍結する前)に、半球状の凍結体20の先端に1平方cm当たり最大0.5gの荷重を加えた状態で、半球状の凍結体20の先端とガラス基板40の表面とを接触させつつ図示A方向に相対移動させ、半球状の凍結体20の先端による物理的な移動圧力作用によってガラス基板40上の上記微小な付着異物50を移動させる(基板表面への付着状態を解除させる)(図4(3))。
その後、超純水30(凸欠陥の周辺)を3分間冷却凍結し、半球状の凍結体20と超純水30の凍結体とを一体的に凍結させた凍結体を得た(図4(4))。 その後、半球状の凍結体20と超純水30の凍結体とを一体的に凍結させた凍結体を、基板表面法線方向(図示B方向)に引き離し、基板から分離した(図4(5))。これにより、超純水30の凍結体中の異物50を基板から分離した。
最後に、基板表面全体を清浄なクリーンルーム内に放置し、乾燥させることでマスクブランク用ガラス基板を得た。
尚、上述の半球状の凍結体の形成工程、凍結体による局所洗浄工程、乾燥工程は、クラス1000のクリーンルーム内で、雰囲気温度、基板温度ともに21℃の環境下で行った。
再び、上述の欠陥検査装置によりガラス基板表面の欠陥を検査したが、凸欠陥、凹欠陥ともに確認されなかった。また、上述の凸欠陥が形成されていた領域、及びその周辺領域について原子間力顕微鏡(AFM)で表面を観察したところ、凍結体の接触によるキズもなく良好であった。
なお、実施例1における好ましい基板温度、雰囲気の温度は、10℃〜25℃である。
(Local cleaning)
As shown in FIG. 7, the hemispherical frozen body 20 prepared as described above is used, and the hemispherical frozen body 20 is brought close to the minute adhered foreign matter 50 on the glass substrate 40 (FIG. 4 (1)).
Thereafter, immediately before contact between the hemispherical frozen body 20 and the glass substrate 40, 0.03 ml of ultrapure water is dropped on the surface of the hemispherical frozen body 20, and the ultrapure water is transferred to the surface of the hemispherical frozen body 20. Then, the ultrapure water 30 is brought into contact with the glass substrate 40 including the minute adhered foreign matter 50. During the phase change of the ultrapure water 30 to ice (before the ultrapure water 30 is frozen), a hemispherical frozen body is subjected to a load of 0.5 g per square centimeter applied to the tip of the hemispherical frozen body 20. The tip of 20 is brought into contact with the surface of the glass substrate 40 (FIG. 4 (2)).
Thereafter, during the phase change of the ultrapure water 30 to ice (before the ultrapure water 30 is frozen), a load of 0.5 g per square centimeter is applied to the tip of the hemispherical frozen body 20, The tip of the hemispherical frozen body 20 and the surface of the glass substrate 40 are moved relative to each other in the direction A in FIG. The adhering foreign matter 50 is moved (the state of adhesion to the substrate surface is released) (FIG. 4 (3)).
Thereafter, the ultrapure water 30 (around the convex defect) was cooled and frozen for 3 minutes to obtain a frozen body in which the hemispherical frozen body 20 and the frozen body of the ultrapure water 30 were integrally frozen (FIG. 4 ( 4)). Thereafter, the frozen body obtained by integrally freezing the hemispherical frozen body 20 and the frozen body of the ultrapure water 30 is pulled away in the normal direction of the substrate surface (direction B in the drawing) and separated from the substrate (FIG. 4 (5)). )). Thereby, the foreign material 50 in the frozen body of the ultrapure water 30 was separated from the substrate.
Finally, the entire substrate surface was left in a clean clean room and dried to obtain a glass substrate for mask blank.
The hemispherical frozen body forming process, the local cleaning process using the frozen body, and the drying process described above were performed in a Class 1000 clean room in an environment where both the ambient temperature and the substrate temperature were 21 ° C.
Again, defects on the surface of the glass substrate were inspected by the above-described defect inspection apparatus, but neither a convex defect nor a concave defect was confirmed. Moreover, when the surface was observed with the atomic force microscope (AFM) about the area | region where the above-mentioned convex defect was formed, and its peripheral area | region, it was favorable without the damage by the contact of a frozen body.
In addition, the preferable substrate temperature in Example 1 and the temperature of atmosphere are 10 to 25 degreeC.

(実施例2)
実施例1の「局所洗浄」工程において、「半球状の凍結体20の表面に超純水を0.03ml接触させる」工程に替えて、半球状の凍結体20の先端とガラス基板40の表面とを接触させ、半球状の凍結体20の先端のみを溶かすことによって、微小な付着異物50を覆う超純水30を得た(図4(2)参照)。その他の工程は実施例1と同様とした。
上述の欠陥検査装置によりガラス基板表面の欠陥を検査したが、凸欠陥、凹欠陥ともに確認されなかった。また、上述の凸欠陥が形成されていた領域、及びその周辺領域について原子間力顕微鏡(AFM)で表面を観察したところ、凍結体の接触によるキズもなく良好であった。
なお、実施例2のように基板に接触させた凍結体の先端を溶かして局所洗浄を行う場合においては、基板に接触させた凍結体の先端のみが溶けて局所洗浄できるような基板温度、雰囲気の温度を設定することが凍結体の強度及び、局所洗浄位置の制御の点から好ましい。好ましい基板温度、雰囲気の温度は、10℃〜25℃である。
(Example 2)
In the “local cleaning” step of the first embodiment, instead of the step of “contacting the surface of the hemispherical frozen body 20 with 0.03 ml of ultrapure water”, the tip of the hemispherical frozen body 20 and the surface of the glass substrate 40 And the ultrapure water 30 covering the minute adhered foreign matter 50 was obtained by melting only the tip of the hemispherical frozen body 20 (see FIG. 4 (2)). The other steps were the same as in Example 1.
Although defects on the glass substrate surface were inspected by the above-described defect inspection apparatus, neither convex defects nor concave defects were confirmed. Moreover, when the surface was observed with the atomic force microscope (AFM) about the area | region where the above-mentioned convex defect was formed, and its peripheral area | region, it was favorable without the damage by the contact of a frozen body.
In the case of performing local cleaning by melting the tip of the frozen body in contact with the substrate as in the second embodiment, the substrate temperature and atmosphere are such that only the tip of the frozen body in contact with the substrate can be melted and locally cleaned. It is preferable to set the temperature in terms of the strength of the frozen body and the control of the local cleaning position. A preferable substrate temperature and ambient temperature are 10 ° C. to 25 ° C.

上記実施例1、2によって得られたガラス基板40の主表面にクロムを含む遮光膜と、クロムと酸素を含む反射防止膜を積層させてマスクパターンとなる遮光性膜を形成してマスクブランクを得た。得られたマスクブランクの遮光性膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜に描画、現像処理を施してレジストパターンを形成した後、該レジストパターシをマスクとして遮光性膜をエッチング処理することにより露光用マスクを作製した。得られた露光用マスクの欠陥検査を行ったところ、マスクパターン欠陥もなく良好であった。   A mask blank is formed by laminating a light-shielding film containing chromium and an antireflection film containing chromium and oxygen on the main surface of the glass substrate 40 obtained in Examples 1 and 2 to form a light-shielding film serving as a mask pattern. Obtained. By forming a resist film on the light-shielding film of the obtained mask blank, drawing on the resist film, applying a development process to form a resist pattern, and then etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask An exposure mask was prepared. When the obtained exposure mask was inspected for defects, it was satisfactory with no mask pattern defects.

(実施例3)
主表面が精密研磨された高い平滑性を有するマスクブランク用ガラス基板を準備し、該ガラス基板の主表面上に、クロムを含む遮光膜と、クロムと酸素を含む反射防止膜を積層させてマスクパターンとなる遮光性膜を形成してマスクブランクを得た。
得られたマスクブランクの主表面を欠陥検査装置で凸欠陥や凹欠陥がないか検査した。欠陥検査装置によって得られた欠陥情報は、欠陥の種類(凸欠陥、凹欠陥)、欠陥の大きさ、欠陥の位置情報等が保存される。
欠陥検査した結果、高さ約45nm、大きさ約7μmの微小な付着異物に基づく凸欠陥を発見した。
上記凸欠陥に対して上記実施例1と同様の方法により凍結体を接触させることで、マスクブランク表面の凸欠陥を除去した。
再び、上述の欠陥検査装置によりマスクブランク表面の欠陥を検査したが、凸欠陥、凹欠陥ともに確認されなかった。また、上述の凸欠陥が形成されていた領域、及びその周辺領域について原子間力顕微鏡(AFM)で表面を観察したところ、凍結体の接触によるキズもなく良好であった。
上記得られたマスクブランクの遮光性膜上にレジスト膜を形成し、レジスト膜に描画、現像処理を施してレジストパターンを形成した後、該レジストパターンをマスクとして遮光性膜をエッチング処理することにより露光用マスクを作製した。得られた露光用マスクの欠陥検査を行ったところ、マスクパターン欠陥もなく良好であった。
Example 3
A mask blank glass substrate having a high smoothness with a precisely polished main surface is prepared, and a mask is formed by laminating a light shielding film containing chromium and an antireflection film containing chromium and oxygen on the main surface of the glass substrate. A mask blank was obtained by forming a light-shielding film to be a pattern.
The main surface of the obtained mask blank was inspected for a convex defect or a concave defect by a defect inspection apparatus. The defect information obtained by the defect inspection apparatus stores the defect type (convex defect, concave defect), defect size, defect position information, and the like.
As a result of the defect inspection, a convex defect based on a minute adhered foreign substance having a height of about 45 nm and a size of about 7 μm was discovered.
The frozen defect was removed from the mask blank surface by bringing the frozen body into contact with the raised defect by the same method as in Example 1.
Again, the defect on the mask blank surface was inspected by the above-described defect inspection apparatus, but neither a convex defect nor a concave defect was confirmed. Moreover, when the surface was observed with the atomic force microscope (AFM) about the area | region where the above-mentioned convex defect was formed, and its peripheral area | region, it was favorable without the damage by the contact of a frozen body.
By forming a resist film on the light-shielding film of the mask blank obtained above, forming a resist pattern by drawing and developing on the resist film, and then etching the light-shielding film using the resist pattern as a mask An exposure mask was prepared. When the obtained exposure mask was inspected for defects, it was satisfactory with no mask pattern defects.

以上、好ましい実施例を掲げて本発明を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
本発明は、例えば、エアーブロー等では落ちない(飛ばせない)程度の強さで、基板、マスクブランク又は露光マスクの表面に付着した異物の局所的な除去方法としても有用である。
While the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
The present invention is also useful as a method for locally removing foreign substances adhered to the surface of a substrate, mask blank or exposure mask with such a strength that it cannot be removed by air blow or the like.

本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の一態様を説明するための模式図である。It is a mimetic diagram for explaining one mode of a manufacturing method of a mask blank substrate concerning the present invention. 本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の一工程の一態様を説明するための模式図である。It is a mimetic diagram for explaining one mode of one process of a manufacturing method of a substrate for mask blanks concerning the present invention. 本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法の他の工程の一態様を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating one aspect | mode of the other process of the manufacturing method of the mask blank substrate which concerns on this invention. ペルチェモジュールを用いた凍結体製造ユニットについて説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the frozen body manufacturing unit using a Peltier module. 局所冷却スポットの先端の一形態を説明するための模式図であり、図2(1)は平面図、図2(2)は図2(1)の部分拡大図、図2(3)は側面図である。It is a schematic diagram for demonstrating one form of the front-end | tip of a local cooling spot, FIG.2 (1) is a top view, FIG.2 (2) is the elements on larger scale of FIG.2 (1), FIG.2 (3) is a side surface. FIG. 局所冷却スポットの先端に形成した凍結体の一形態を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating one form of the frozen body formed in the front-end | tip of a local cooling spot. 実施例に係るマスクブランク用基板の製造方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the manufacturing method of the mask blank substrate which concerns on an Example.

符号の説明Explanation of symbols

1 液体
2 基板
3 異物
1 Liquid 2 Substrate 3 Foreign matter

Claims (9)

マスクブランク用基板の表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を基板表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を基板表面から取り除く工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
A step of covering the foreign matter present on the surface of the mask blank substrate with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing the foreign matter from the substrate surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the substrate surface;
A method for manufacturing a mask blank substrate, comprising:
マスクブランク用基板の表面に存在し、その表面に付着している異物に、液体を固体化させた固体化体を接触させて、表面に付着している異物の付着力を低減させる工程を有することを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。   It has the process of reducing the adhesion of the foreign substance adhering to the surface by bringing the solidified body obtained by solidifying the liquid into contact with the foreign substance existing on the surface of the mask blank substrate and adhering to the surface. The method for producing a mask blank substrate according to claim 1. マスクブランク用基板の主表面を精密研磨した後、前記主表面の欠陥検査を行い主表面上に存在する異物に基づく欠陥を特定し、前記特定された異物に基づく欠陥に対して、請求項1又は2に記載の工程を適用することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 After the main surface of the mask blank substrate is precisely polished, the defect inspection of the main surface is performed to identify a defect based on the foreign matter existing on the main surface, and the defect based on the specified foreign matter is claimed. Or a process for producing a mask blank substrate, wherein the process according to 2 is applied. 前記異物を覆う液体として純水を使用することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。 The method for manufacturing a mask blank substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein pure water is used as the liquid covering the foreign matter. 前記異物を覆う液体として低融点金属又は低融点金属からなる合金を溶解した液体を使用することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。 The method for producing a mask blank substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein a liquid in which a low melting point metal or an alloy made of a low melting point metal is dissolved is used as the liquid covering the foreign matter. 請求項1乃至5の何れかのマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜を形成して製造されたことを特徴とするマスクブランク。 A mask blank produced by forming a thin film to be a mask pattern on the main surface of the mask blank substrate obtained by the method for producing a mask blank substrate according to claim 1. 請求項6のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを使用してマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンを形成して製造されたことを特徴とする露光用マスク。 An exposure mask manufactured by forming a mask pattern on the main surface of a mask blank substrate using the mask blank obtained by the mask blank manufacturing method of claim 6. マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
前記マスクブランクの表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体をマスクブランク表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物をマスクブランク表面から取り除く工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
Preparing a mask blank in which a thin film to be a mask pattern is formed on the main surface of the mask blank substrate;
Covering the foreign matter present on the surface of the mask blank with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing a solidified body obtained by solidifying a liquid covering the foreign matter from the surface of the mask blank by removing the solidified body together with the solidified body from the surface of the mask blank. Method.
マスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンが形成された露光用マスクを準備する工程と、
前記露光用マスクの表面に存在する異物を液体で覆う工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させる工程と、
前記異物を覆う液体を固体化させた固体化体を露光用マスク表面から取り除くことによって前記固体化体と一緒に前記異物を露光用マスク表面から取り除く工程と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
Preparing an exposure mask having a mask pattern formed on the main surface of the mask blank substrate;
Covering the foreign matter present on the surface of the exposure mask with a liquid;
Solidifying the liquid covering the foreign matter;
Removing the foreign matter from the exposure mask surface together with the solidified body by removing the solidified body obtained by solidifying the liquid covering the foreign matter from the exposure mask surface. Mask manufacturing method.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295840A (en) * 2008-06-06 2009-12-17 Toshiba Corp Substrate processing method and mask manufacturing method
JP2012009833A (en) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Synthetic quartz glass substrate and method for manufacturing the same
JP2014090167A (en) * 2012-10-11 2014-05-15 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
JP2017207492A (en) * 2016-05-20 2017-11-24 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Removal of debris from high aspect structure
JP2019506637A (en) * 2016-01-29 2019-03-07 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Debris removal from high aspect structures
US11040379B2 (en) 2007-09-17 2021-06-22 Bruker Nano, Inc. Debris removal in high aspect structures
US11391664B2 (en) 2007-09-17 2022-07-19 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
US11964310B2 (en) 2023-01-06 2024-04-23 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55153331A (en) * 1979-05-18 1980-11-29 Fujitsu Ltd Retouch of hard mask
JPH0424639A (en) * 1990-05-18 1992-01-28 Fujitsu Ltd Washing method for reticule and mask
JPH0479422A (en) * 1990-07-18 1992-03-12 Nec Corp Transmission control circuit
JPH06124933A (en) * 1992-10-13 1994-05-06 Nomura Micro Sci Kk Removement of fine grains attached to surface of solid
JPH07256222A (en) * 1994-03-18 1995-10-09 Nikon Corp Substrate cleaning device
JPH08262388A (en) * 1995-03-27 1996-10-11 Toshiba Electron Eng Corp Washing method and device therefor
JP2002182370A (en) * 2000-12-13 2002-06-26 Toshiba Corp Laser cleaning method, method of manufacturing reticle substrate and laser cleaning equipment
JP2002329700A (en) * 2001-04-27 2002-11-15 Sony Corp Surface processing method
JP2004119715A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus of stripping deposits
JP2006058777A (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Hoya Corp Method for manufacturing mask blank substrate, method for manufacturing mask blank, and method for manufacturing exposure mask

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55153331A (en) * 1979-05-18 1980-11-29 Fujitsu Ltd Retouch of hard mask
JPH0424639A (en) * 1990-05-18 1992-01-28 Fujitsu Ltd Washing method for reticule and mask
JPH0479422A (en) * 1990-07-18 1992-03-12 Nec Corp Transmission control circuit
JPH06124933A (en) * 1992-10-13 1994-05-06 Nomura Micro Sci Kk Removement of fine grains attached to surface of solid
JPH07256222A (en) * 1994-03-18 1995-10-09 Nikon Corp Substrate cleaning device
JPH08262388A (en) * 1995-03-27 1996-10-11 Toshiba Electron Eng Corp Washing method and device therefor
JP2002182370A (en) * 2000-12-13 2002-06-26 Toshiba Corp Laser cleaning method, method of manufacturing reticle substrate and laser cleaning equipment
JP2002329700A (en) * 2001-04-27 2002-11-15 Sony Corp Surface processing method
JP2004119715A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and apparatus of stripping deposits
JP2006058777A (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Hoya Corp Method for manufacturing mask blank substrate, method for manufacturing mask blank, and method for manufacturing exposure mask

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11391664B2 (en) 2007-09-17 2022-07-19 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
US11040379B2 (en) 2007-09-17 2021-06-22 Bruker Nano, Inc. Debris removal in high aspect structures
US11577286B2 (en) 2007-09-17 2023-02-14 Bruker Nano, Inc. Debris removal in high aspect structures
JP2009295840A (en) * 2008-06-06 2009-12-17 Toshiba Corp Substrate processing method and mask manufacturing method
JP2012009833A (en) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Synthetic quartz glass substrate and method for manufacturing the same
JP2014090167A (en) * 2012-10-11 2014-05-15 Lam Research Corporation Delamination drying apparatus and method
JP2019506637A (en) * 2016-01-29 2019-03-07 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Debris removal from high aspect structures
KR20200096673A (en) * 2016-01-29 2020-08-12 브루커 나노, 아이엔씨. Debris removal from high aspect structures
EP3748431A1 (en) * 2016-01-29 2020-12-09 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
KR102306619B1 (en) * 2016-01-29 2021-10-01 브루커 나노, 아이엔씨. Debris removal from high aspect structures
JP2017207492A (en) * 2016-05-20 2017-11-24 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Removal of debris from high aspect structure
JP2022050485A (en) * 2016-05-20 2022-03-30 レイヴ リミテッド ライアビリティ カンパニー Debris removal from high aspect structure
US11964310B2 (en) 2023-01-06 2024-04-23 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures

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