JP7493100B2 - 青色フォトルミネッセンス材料及び赤色/緑色量子ドットを有するledデバイス - Google Patents

青色フォトルミネッセンス材料及び赤色/緑色量子ドットを有するledデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP7493100B2
JP7493100B2 JP2023513075A JP2023513075A JP7493100B2 JP 7493100 B2 JP7493100 B2 JP 7493100B2 JP 2023513075 A JP2023513075 A JP 2023513075A JP 2023513075 A JP2023513075 A JP 2023513075A JP 7493100 B2 JP7493100 B2 JP 7493100B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diodes
blue
cured composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023513075A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023539189A (ja
Inventor
インドン ルオ,
リソン シュ,
シヴァパキア ガナパティアッパン,
ホウ ティ-. ウン,
ビョン スン クワク,
ミンウェイ チュー,
ナグ ビー. パティバンドラ,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2023539189A publication Critical patent/JP2023539189A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7493100B2 publication Critical patent/JP7493100B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本開示は、概して、マイクロLEDの自己整合インシトゥ硬化によって取り付けられる青色コンバータの製造方法、並びに青色コンバータを含むシステム及びデバイスに関する。
発光ダイオード(LED)パネルはLEDのアレイを使用し、個々のLEDは個別に制御可能なピクセル要素を提供する。このようなLEDパネルは、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末(PDA)、携帯電話、及びテレビのモニタなどに使用することができる。
III-V族半導体技術に基づくミクロンスケールのLEDを使用するLEDパネル(マイクロLEDとも呼ばれる)は、OLEDと比較して様々な利点、例えば、より高いエネルギー効率、輝度、及び寿命、並びに製造を単純化することのできるディスプレイスタック内のより少ない材料層を有する。しかしながら、マイクロLEDパネルの製造には課題が存在する。異なる発色を有するマイクロLED(例えば、赤、緑及び青のピクセル)は、別個のプロセスを通して異なる基板上で製造する必要がある。マイクロLEDデバイスの複数の色を単一のパネルへと統合することは、一般的に、マイクロLEDデバイスをその元のドナー基板から移送先基板へと移送するピックアンドプレースステップを必要とする。これには多くの場合、ダイの放出を容易にするための犠牲層の導入といったLED構造又は製造プロセスの修正が伴う。加えて、配置の精度に対するストリンジェントな要件は、スループット、最終収率、又はそれら両方を制限し得る。
ピックアンドプレースステップを回避する代替的な手法は、モノクロLEDを用いて製造された基板上の特定のピクセル位置に、色変換剤(例えば、量子ドット、ナノ構造、フォトルミネッセンス材料、又は有機物質)を選択的に堆積させることである。モノクロLEDは、比較的短い波長の光、例えば、紫又は青色光を生成することができ、色変換剤は、この短い波長の光をより長い波長の光、例えば、赤又は緑のピクセルのための赤色光又は緑色光へと変換することができる。色変換剤の選択的堆積は、高解像度のシャドウマスク又は制御可能なインクジェット若しくはエアロゾルジェットプリンティングを使用して実施することができる。
しかしながら、シャドウマスクには、位置合わせの精度及びスケーラビリティに関する問題が生じやすく、インクジェット及びエアロゾルジェット技術は、解像度(インクジェット)、精度(インクジェット)及びスループット(エアロゾルジェット)の問題を有する。マイクロLEDディスプレイを製造するために、大面積基板又はフレキシブル基板などの基板上の異なるピクセル上に、異なる色の色変換剤を精密にかつ費用効率的に提供する新しい技術が必要とされている。
本開示は、概して、マイクロLEDの自己整合インシトゥ硬化によって取り付けられる青色コンバータの製造方法、並びに青色コンバータを含むシステム及びデバイスに関する。
一般的な態様では、発光デバイスは、複数の発光ダイオードと、複数の発光ダイオードのうちの第1の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光範囲の第1の波長域の照射が通過する表面と接する第1の硬化された組成物と、複数の発光ダイオードのうちの第2の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第2の波長域の照射が通過する表面と接する第2の硬化された組成物とを含む。第1の硬化された組成物は、第1の光ポリマーと青色フォトルミネッセンス材料とを含む。青色フォトルミネッセンス材料は、複数の発光ダイオードのうちの第1の発光ダイオードのサブセット内の発光ダイオードの各々からの第1の波長域の照射の吸収に応答して、青色光を発するように選択される。青色フォトルミネッセンス材料、有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料は、第1の光ポリマーに埋め込まれる。第2の硬化された組成物は、第2の光ポリマーとナノ材料とを含む。ナノ材料は、複数の発光ダイオードのうちの第2の発光ダイオードのサブセットの発光ダイオードの各々からの第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光又は緑色光を発するように選択される。ナノ材料は、第2の光ポリマーに埋め込まれる。
別の態様では、マルチカラーディスプレイを製造する方法は、背面配線板と、背面配線板の背面配線板回路網と電気的に統合された発光ダイオード のアレイとを有するディスプレイの上に第1の光硬化性流体を分配することを含む。第1の光硬化性流体は、紫外線を吸収するように選択された青色フォトルミネッセンス材料と、1つ又は複数の第1のモノマーと、紫外線の吸収に応答して1つ又は複数の第1のモノマーの重合を開始する第1の光開始剤とを含む。発光ダイオードのアレイ内の第1の複数の発光ダイオードは、活性化されて第1の光硬化性流体を照明及び硬化し、第1の複数の発光ダイオードの各々の上に、第1の複数の発光ダイオードからの光を青色光に変換するための第1の色変換層を形成し、第1の色変換層は第1のポリマーマトリックスに埋め込まれた青色フォトルミネッセンス材料を有する。第1の光硬化性流体の未硬化の残部は除去される。その後、第2の光硬化性流体がディスプレイの上に分配される。第2の光硬化性流体は、紫外線の吸収に応答して赤色光又は緑色光を発するように選択されたナノ材料と、1つ又は複数の第2のモノマーと、紫外線の吸収に応答して1つ又は複数の第2のモノマーの重合を開始する第2の光開始剤とを含む。発光ダイオードのアレイ内の第2の複数の発光ダイオードは、活性化されて第2の光硬化性流体を照明及び硬化し、第2の複数の発光ダイオードの各々上に、第2の複数の発光ダイオードからの光を異なる第2の色の光に変換するための第2の色変換層を形成し、第2の色変換層は第2のポリマーマトリックスに埋め込まれたナノ構造を有する。第2の光硬化性流体の未硬化の残部は除去される。
これら一般的な態様の実装態様は、下記の特徴のうちの1つ又は複数を含み得る。
ナノ材料は第1のナノ材料であり、第1のナノ材料は、複数の発光ダイオードの第2のサブセットの発光ダイオードの各々からの第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光を発するように選択される。第3の硬化された組成物は、複数の発光ダイオードの第3のサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第3の波長域の照射が通過する表面と接する。第3の硬化された組成物は、第3のポリマーと第2のナノ材料とを含む。第2のナノ材料は、複数の発光ダイオードの第3のサブセットの発光ダイオードの各々からの第3の波長域の照射の吸収に応答して、緑色光を発するように選択される。第2のナノ材料は、第3の光ポリマーに埋め込まれる。
いくつかの事例では、フォトルミネッセンス材料は有機材料であり、有機材料はフリーラジカルである。青色フォトルミネッセンス材料は、リン光性又は蛍光性とすることができる。青色フォトルミネッセンス材料は、一般的に、約300nmから約430nmの範囲の最大波長を有する紫外線を吸収する。いくつかの事例では、青色フォトルミネッセンス材料は、約420nmから約480nmの範囲の発光ピークを有する青色光を発する。青色フォトルミネッセンス材料の発光ピークの最大半量における全幅は100nm未満である。青色フォトルミネッセンス材料のフォトルミネッセンス量子収率は、一般的に、5%から100%の範囲である。
青色コンバータ並びに青色コンバータを含むシステム及びデバイスの利点には、高いフォトルミネッセンス量子収率、長寿命、及び長い貯蔵寿命が含まれる。
本開示の主題の1つ又は複数の実施形態の詳細は、添付図面及び記載に示される。主題の他の特徴、態様、及び利点は、記載、図面、及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
青色蛍光分子の構造式を示している。 青色熱活性化遅延蛍光分子の構造式を示している。 青色熱活性化遅延蛍光分子の構造式を示している。 青色リン光性有機錯体及び有機金属錯体の構造式を示している。 背面配線板と既に統合されているマイクロLEDアレイの概略上面図である。 図3Aは、マイクロLEDアレイの一部分の概略上面図である。図3Bは、図3AのマイクロLEDアレイの部分の概略断面図である。 マイクロLEDアレイの上に色変換層を選択的に形成する方法を示している。 マイクロLEDアレイの上に色変換層を選択的に形成する方法を示している。 光硬化性組成物の配合物を示している。 背面配線板上にマイクロLEDアレイ及び隔離壁を製造する方法を示している。 背面配線板上にマイクロLEDアレイ及び隔離壁を製造する別の方法を示している。
種々の図面における同様の参照記号は、同様の要素を示す。
量子ドットは、インクジェットプリンティングのためのアクリレート配合物中に分散させることができる。続いてUV硬化が行われ、ポリアクリレートマトリックス中に閉じ込められた量子ドットは、進化型ディスプレイ用の色変換層として使用することができる。しかしながら、赤色光と緑色光は量子ドットによって達成することができる一方で、UV光を青色光へと変換する量子ドット(例えば、ZeS/Se/Te量子ドット)は一般的に、低いフォトルミネッセンス量子収率(PLQY)、短い耐用年数、及び短い貯蔵寿命という欠点を有している。
UVバックライトを備えたマイクロLEDのための青色変換剤の欠如に伴う問題に対処し得る技法は、青色変換剤用の量子ドット以外の材料を使用することを含む。これら青色変換剤は、本開示に記載される自己整合硬化によって形成されるマイクロLED青色変換層のための配合物に含めることができる。
マイクロLED青色変換層のための配合物は、一般的に、青色変換剤(例えば、量子ドットを含まない)、反応成分、及び光開始剤を含む。配合物は、任意選択的に、溶媒、機能性成分(例えば、高屈折率の添加物、界面活性剤、迷光吸収剤又はUVブロッカー)のうちの1つ又は複数を含んでもよい。
適切な青色変換剤は、蛍光性及びリン光性の有機分子、有機ラジカル、有機金属錯体、及びこれら色変換剤のうちの1つ又は複数を含むポリマーを含む。青色変換剤は、約300nmから約430nmの範囲の最大波長(λmax)を有するUV光の強力な吸収を有し、約420nmから約480nmの範囲の発光ピークを有する青色光を発するように選択される。発光ピークの最大半量(FWHM)における全幅は、一般的に、100nm未満であり、フォトルミネッセンス量子収率(PLQY)は、一般的に、5%から100%の範囲である。
適切な青色変換剤の例には、LUMILUX Blue CD 310、LUMILUX Blue CD 710、及びLUMILUX Dispersion Blue CD 910(Honeywell International Inc.から入手可能)が含まれる。図1Aは、青色蛍光分子4P-NPD、Bepp、TPA-SBFF、DPAFVF、Ban-(3,5)-CF3、TBPe、DBzA、BITPI、BiPI-1、4PF、TPI-Py、及びPhImAの構造式を示している。図1Bは、青色熱活性化遅延蛍光(TADF)分子ν-DABNA、DMAC-DPS、CZ-PS、DMTDAc、DMAC-TRZ、Cab-ペーハー-TRZ、Ca-TRZ2、Cz-TRZ3、Cz-TRZ4、BCC-TPTA、DDCzTrz、DPCC-TPTA、DCzTrz、BDPCC-TPTA、Phen-TRZ、TCzTrz、Cz-VPN、CPC、2PXZ-TAZ、及びCC2BPの構造式を示している。図1Cは、青色リン光性有機錯体並びにメタロイド(ホウ素)及び金属(ベリリウム及びイリジウム)を含む有機金属錯体の構造式を示している。
マイクロLEDの赤色変換層及び緑色変換層のための配合物は、一般的に、それぞれ赤色変換剤又は緑色変換剤、反応成分、及び光開始剤を含む。配合物は、任意選択的に、溶媒、機能性成分(例えば、高屈折率の添加物、界面活性剤、迷光吸収剤又はUVブロッカー)のうちの1つ又は複数を含んでもよい。
赤色変換剤及び緑色変換剤は、UV照射又は第2の可視波長域の可視光の吸収に応答して、第1の可視波長域の可視光を発する物質である。UV照射は、一般的に、200nmから400nmの範囲の波長を有する。可視光は、一般的に、500nmから800nmの範囲の波長又は波長域を有する。第1の可視波長域は、第2の可視波長域とは異なる(例えば、エネルギーが高い)。つまり、色変換剤は、マイクロLEDからのより短い波長光をより長い波長光へと変換することのできる材料である。
赤色変換剤及び緑色変換剤は、フォトルミネッセンス材料、例えば有機分子又は無機分子、ナノ材料(例えば、ナノ粒子、ナノ構造、量子ドット)、又は他の適切な材料を含むことができる。適切なナノ材料には、一般的に、1つ又は複数のIII-V族化合物が含まれる。適切なIII-V族化合物の例には、CdSe、CdS、InP、PbS、CuInP、ZnSeS、及びGaAsが含まれる。いくつかの事例では、ナノ材料は、カドミウム、インジウム、銅、銀、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ化物、アルミニウム、ホウ素、ヨウ化物、臭化物、塩素、セレン、テルル、及びリンからなる群から選択される1つ又は複数の元素を含む。一部の事例では、ナノ材料は1つ又は複数のペロブスカイトを含む。
量子ドットは、均一にすることができるか、又はコアシェル構造を有することができる。量子ドットは、約1nmから約10nmの範囲の平均直径を有することができる。1つ又は複数の有機リガンドは、一般的に、量子ドットの外面に結合される。有機リガンドは、溶媒中での量子ドットの分散を促進する。適切な有機リガンドは、脂肪族アミン、チオール又は酸化合物を含み、その脂肪族部分は、一般的に、6から30個の炭素原子を有する。適切なナノ構造の例には、ナノプレートレット、ナノ結晶、ナノロッド、ナノチューブ、及びナノヤワイヤが含まれる。
反応成分は、モノマー、例えば(メタ)アクリレートモノマーを含み、1つ又は複数のモノ(メタ)アクリレート、ジ(メタ)アクリレート、トリ(メタ)アクリレート、テトラ(メタ)アクリレート、又はこれらの組み合わせを含むことができる。反応成分は、ネガティブフォトレジスト、例えば、SU-8 フォトレジストによって提供され得る。適切なモノ(メタ)アクリレートの例には、イソボルニル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、トリメチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジエチル(メタ)アクリルアミド、ジメチル(メタ)アクリルアミド、及びテトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレートが含まれる。反応成分は、架橋剤又は他の反応性化合物を含み得る。適切な架橋剤の例には、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート又はトリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート)、N,N’-メチレンビス-(メタ)アクリルアミド、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及びペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレートが含まれる。適切な反応性化合物の例には、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、スチレンスルホネート,(メタ)アクリルアミド、アルキル(メタ)アクリルアミド、ジアルキル(メタ)アクリルアミド)、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、モルホリノエチルアクリレート、及びビニルホルムアミドが含まれる。
光開始剤は、UV照射、UV-LED照射、可視光、及び電子ビーム照射といった照射に応答して重合を開始する。いくつかの事例では、光開始剤は、UV照射又は可視光に応答性である。適切な光開始剤は、バルク硬化光開始剤及び表面硬化光開始剤といったフリーラジカル光開始剤を含む。
バルク硬化光開始剤はUV照射への曝露時に切断してフリーラジカルを産み、それにより重合が開始される。バルク硬化光開始剤は、分配された液滴の、表面硬化、及び全体又はバルク硬化の両方に有用である。バルク硬化光開始剤は、ベンゾインエーテル、ベンジルケタール、アセチルフェノン、アルキルフェノン、ホスフィンオキシド、ベンゾフェノン化合物、及びチオキサン化合物を含む。
表面硬化光開始剤は、UV照射によって活性化され、第2の化合物からの水素引き抜きによってフリーラジカルを形成し、それが実際の開始フリーラジカルになる。この第2の化合物は、しばしば共開始剤又は重合相乗剤と呼ばれ、アミン相乗剤であってよい。アミン相乗剤は酸素阻害を減少させるために使用され、したがって、表面硬化光開始剤は迅速な表面硬化のために有用であり得る。表面硬化開始剤は、ベンゾフェノン化合物及びチオキサントン化合物を含む。アミン相乗剤は活性水素を含むアミンである。アミン含有アクリレートなどのアミン相乗剤は、樹脂前駆体組成配合物中でベンゾフェノン光開始剤と組み合わせられて、a)酸素阻害を制限し、b)液滴又は層表面を迅速に硬化させて液滴又は層表面の寸法を固定し、c)硬化プロセスを通して層の安定性を高めることができる。
適切な光開始剤の例には、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、4-イソプロピルフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2,2-ジメチル-2-ヒドロキシ-アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオンフェノン、ジフェニル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド、ビス(2,6-ジメトキシ-ベンゾイル)-2,4,6トリメチルフェニルホスフィンオキシド、2-メチル-1-1[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルホリノ-プロパン-1-オン、3,6-ビス(2-メチル-2-モルホリノ-プロピオニル)-9-n-オクチルカルバゾール、2-ベンジル-2-(ジメチルアミノ)-1-(4-モルホリニル)フェニル)-1-ブタノン、ベンゾフェノン、2,4,6-トリメチルベンゾフェノン、イソプロピルチオキサントン、フェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド、2-ヒドロキシ-2-メチル-1フェニル-1-プロパノンが含まれる。市販されている光開始剤の適切なブレンド物は、Darocur 4265、Irgacure 184、Irgacure 250、Irgacure 270、Irgacure 295、Irgacure 369、Irgacure 379、Irgacure 500、Irgacure 651、Irgacure 754、Irgacure 784、Irgacure 819、Irgacure 907、Irgacure 1173、Irgacure 2100、Irgacure 2022、Irgacure 4265、Irgacure TPO、Irgacure TPO-L、Esacure KT37、Esacure KT55、Esacure KTO046、Omnicat 250、及びOmnicat 550を含む。適切なアミン相乗剤は、アクリル基を含むか又は含まない二級及び三級アミン化合物、例えばジエタノールアミン、トリエタノールアミン、及びGenomer 5142を含む。
任意選択的に、光硬化性組成物は、溶媒を含むことができる。溶媒は、有機又は無機とすることができる。適切な溶媒の例には、水、エタノール、トルエン、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、又はこれらの組み合わせが含まれる。溶媒は、光硬化性組成物に所望の表面張力又は粘度を提供するように選択することができる。溶媒は、他の成分の化学安定性を向上させることもできる。
任意選択的に、光硬化性組成物は、迷光吸収剤又はUVブロッカーを含むことができる。適切な迷光吸収剤の例には、Disperse Yellow 3、Disperse Yellow 7、Disperse Orange 13、Disperse Orange 3、Disperse Orange 25、Disperse Black 9、Disperse Red 1アクリレート、Disperse Red 1メタクリレート、Disperse Red 19、Disperse Red 1、Disperse Red 13、及びDisperse Blue 1が含まれる。適切なUVブロッカーの例には、ベンゾトリアゾリルヒドロキシフェニル化合物が含まれる。
任意選択的に、第1の光硬化性組成物は、1つ又は複数の他の機能性成分を含むことができる。一例として、機能性成分は、色変換層の光学特性に影響を与えることができる。例えば、機能性成分は、十分に高い屈折率(例えば、少なくとも約1.7)を有するナノ粒子を含むことができるので、色変換層は、出力光の光路を調節する光学層として機能し、例えば、マイクロレンズを提供する。適切なナノ粒子の例には、TiO、ZnO、ZrO、CeO、又はこれら酸化物のうちの2つ以上の混合物が含まれる。代替的に、加えて、ナノ粒子は、色変換層が全反射損失を減少させる光学層として機能するように選択された屈折率を有することができ、それにより光取り出しを向上させる。他の例として、機能性成分は、光硬化性組成物の表面張力を調節する分散剤又は界面活性剤を含むことができる。適切な分散剤又は界面活性剤の例には、シロキサン及びポリエチレングリコールが含まれる。また別の例として、機能性成分は、可視光を発するフォトルミネッセンス顔料を含むことができる。適切なフォトルミネッセンス顔料の例には、硫化亜鉛及びアルミン酸ストロンチウムが含まれる。
いくつかの事例では、光硬化性組成物は、凡そ最大約90wt%の反応成分(例えば、約10wt%から約90wt%)、約0.5wt%から約5wt%の光開始剤、及び約0.1wt%から約10wt%(例えば、約1wt%から約2wt%)の色変換剤を含む。光硬化性組成物は、溶媒(例えば、最大約10wt%の溶媒)も含み得る。
光硬化性組成物は、任意選択的に、最大約5wt%の界面活性剤又は分散剤、約0.01wt%から約5wt%(例えば、約0.1wt%から約1wt%)の迷光吸収剤、又はこれらの任意の組み合わせを含むことができる。
光硬化性組成物の粘度は、一般的に、室温で約10cP(センチポアズ)から約2000cP(例えば、約10cPから約150cP)の範囲である。光硬化性組成物の表面張力は、一般的に、約20ミリニュートン/メートル(mN/m)から約60mN/m(例えば、約40mN/mから約60mN/m)の範囲である。硬化後、硬化した光硬化性組成物の破断の際の伸び率は、一般的に、約1%から約200%の範囲である。硬化した光硬化性組成物の引張強さは、一般的に、約1メガパスカル(MPa)から約1ギガパスカル(GPa)の範囲である。光硬化性組成物は、1つ又は複数の層に適用することができ、硬化した光硬化性組成物の厚さは、一般的に、約10nmから約100ミクロン(例えば、約10nmから約20ミクロン、約10nmから約1000nm、又は約10nmから約100nm)の範囲である。
本開示に記載される光硬化性組成物は、ディスプレイ、例えば図2~7を参照して記載されるマイクロLEDディスプレイの色変換層として実装される。
図2は、背面配線板16上に配置された単一のマイクロLED14(図3A及び3B参照)のアレイ12を含むマイクロLEDディスプレイ10を示している。マイクロLED14は、各マイクロLED14が個々にアドレス指定され得るように、背面配線板回路網18と既に統合されている。例えば、背面配線板回路網18は、各マイクロLEDのための薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタ(図示しない)、列アドレスライン及び行アドレスライン18a、列ドライバ及び行ドライバ18bなどを備えたTFTアクティブマトリックスアレイを含み、マイクロLED14を駆動することができる。代替的に、マイクロLED14は、背面配線板回路網18内のパッシブマトリックスによって駆動することができる。背面配線板16は、従来のCMOSプロセスを使用して製造することができる。
図3A及び3Bは、個別のマイクロLED14を有するマイクロLEDアレイ12の一部分12aを示している。マイクロLED14のすべては、同じ波長範囲を生成するために同じ構造を有するように製造される(これは「モノクローム」マイクロLEDと呼ぶことができる)。例えば、マイクロLED14は、紫外(UV)域、例えば、近紫外域の光を生成することができる。例えば、マイクロLED14は、365から405nmの範囲の光を生成することができる。他の例として、マイクロLED14は、紫又は青の範囲の光を生成することができる。マイクロLEDは、20から60nmのスペクトルバンド幅を有する光を生成することができる。
図3Bは、単一のピクセルを提供することのできるマイクロLEDアレイの一部分を示している。マイクロLEDディスプレイが三色ディスプレイであると仮定すると、各ピクセルは、各色に1つずつ、例えば、青色チャネル、緑色チャネル及び赤色のチャネルの各々に1つずつの、3つのサブピクセルを含んでいる。したがって、ピクセルは、3つのマイクロLED14a、14b、14cを含むことができる。例えば、第1のマイクロLED14aは、青のサブピクセルに対応することができ、第2のマイクロLED14bは、緑のサブピクセルに対応することができ、第3のマイクロLED14cは、赤のサブピクセルに対応することができる。しかしながら、以下に説明される技法は、多数の色、例えば、4色又は5色を使用するマイクロLEDディスプレイに適用可能である。この場合、各ピクセルは、各マイクロLEDがそれぞれの色に対応する4つ以上のマイクロLEDを含むことができる。加えて、以下に説明される技法は、2色のみを使用するマイクロLEDディスプレイに適用可能である。
一般に、モノクロマイクロLED14は、ディスプレイに意図された最も高い周波数の色、例えば、紫色光又は青色光の波長以下の波長のピークを有する波長範囲の光を生成することができる。色変換剤は、この短い波長の光をそれよりも長い波長の光、例えば、赤又は緑のサブピクセルのための赤色光又は緑色光に変換することができる。マイクロLEDがUV光を生成する場合、色変換剤を使用してUV光を青いサブピクセルのための青色光へと変換することができる。
垂直隔離壁20は、隣り合うマイクロLED間に形成される。隔離壁は、重合を局在化して、後述されるインシトゥ重合中の光クロストークを低減することを助ける光学的アイソレーションを提供する。隔離壁20は、フォトレジスト又は金属とすることができ、従来のリソグラフィプロセスによって堆積させることができる。図3Aに示されるように、壁20は、壁20によって画定された個々の凹部22内に各マイクロLED14を有する矩形のアレイを形成することができる。他のアレイ形状寸法、例えば、六角形又はオフセットされた矩形のアレイも可能である。背面配線板統合及び隔離壁形成のための可能なプロセスが、以下でさらに詳細に説明される。
壁は、約3から20μmの高さHを有し得る。壁は、約2から10μmの幅Wを有し得る。高さHは、幅Wより大きくすることができ、例えば、壁は、1.5:1から5:1のアスペクト比を有することができる。壁の高さHは、光が1つのマイクロLEDから隣接するマイクロLEDに到達することをブロックするために十分である。
図4A~4Hは、マイクロLEDアレイの上に色変換層を選択的に形成する方法を示している。まず、図4Aに示されるように、第1の光硬化性組成物30aが、背面配線板回路網と既に統合されているマイクロLED14のアレイの上に堆積される。第1の光硬化性組成物30aは、隔離壁20の高さHより大きな深さDを有することができる。
図5A~5Cに示すように、光硬化性組成物(例えば、第1の光硬化性組成物30a、第2の光硬化性組成物30b、第3の光硬化性組成物30cなど)は、重合性成分32、マイクロLED14の発光に対応する波長の照明下で重合をトリガーする光開始剤34、及び色変換剤36aを含む。重合性成分32は、本明細書に記載される抗酸素阻害添加物及び反応成分を含む。
光硬化性組成物の硬化後、光開始剤34の成分は、硬化した光硬化性組成物(光ポリマー)中に存在してよく、その場合この成分は、光開始プロセスにおいて光開始剤の結合が破断する間に形成された光開始剤の断片である。
図4Aに戻ると、第1の光硬化性組成物30aは、スピンオン法、浸漬、スプレー吹き付け、又はインクジェットプロセスによってマイクロLEDアレイの上のディスプレイ上に堆積させることができる。インクジェットプロセスは、第1の光硬化性組成物30aの消費においてより効率的であり得る。
次に、図4Bに示されるように、背面配線板16の回路網は、第1の複数のマイクロLED14aを選択的に活性化するために使用される。この第1の複数のマイクロLED14aは、第1の色のサブピクセルに対応する。特に、第1の複数のマイクロLED14aは、光硬化性組成物30a中の色変換剤によって生成される光の色のためのサブピクセルに対応している。例えば、流体30a中の色変換剤がマイクロLED14からの光を青色光へと変換すると仮定すると、青のサブピクセルに対応するこれらマイクロLED14aのみがオンにされる。マイクロLEDアレイが既に背面配線板回路網18と統合されているので、電力をマイクロLEDディスプレイ10に供給することができ、マイクロプロセッサによって制御信号を適用してマイクロLED14aを選択的にオンにすることができる。
図4B及び4Cに示すように、第1の複数のマイクロLED14aの活性化によって、第1の光硬化性組成物30aのインシトゥ硬化が引き起こされて、各活性化マイクロLED14aの上に第1の固化された色変換層40a(図4C参照)を形成する照明A(図4B参照)が生成される。すなわち、流体30aは、硬化されて、色変換層40aを、ただし選択されたマイクロLED14a上にのみ形成する。例えば、青色光を変換するための色変換層40aは、各マイクロLED14a上に形成することができる。
いくつかの実装態様では、選択されたマイクロLED14aからの照明は、他のマイクロLED14b、14cに到達しない。このような状況では、隔離壁20は不要である場合がある。しかしながら、マイクロLED14間の間隔が十分に小さい場合にも、隔離壁20は、選択されたマイクロLED14aからの照明Aが、他のマイクロLEDからの照明の浸透深さ内にあるそれら他のマイクロLEDの上のエリアに到達することをうまくブロックすることができる。隔離壁20も、例えば、単純に照明が他のマイクロLEDの上のエリアに到達することを防ぐ保険として、含めることができる。
第1の複数のマイクロLED14aの駆動電流及び駆動時間は、光硬化性組成物30aのための適切な光子適用量のために選択することができる。流体30aを硬化させるためのサブピクセルあたりの電力は、マイクロLEDディスプレイ10の表示モードでのサブピクセルあたりの電力と必ずしも同じではない。例えば、硬化モードの場合のサブピクセルあたりの電力は、ディスプレイモードの場合のサブピクセルあたりの電力より高くすることができる。
図4Dに示すように、硬化が完了して第1の固化された色変換層40aが形成されると、残った未硬化の第1の光硬化性組成物がディスプレイ10から除去される。これにより、他のマイクロLED14b、14cが次の堆積ステップのために露出した状態で残る。いくつかの実装態様では、未硬化の第1の光硬化性組成物30aは、溶媒、例えば、水、エタノール、トルエン、ジメチルホルムアミド、若しくはメチルエチルケトン、又はこれらの組み合わせを用いてディスプレイから簡単に洗い流される。光硬化性組成物30aがネガティブフォトレジストを含む場合、洗い流し流体は、フォトレジスト用のフォトレジストデベロッパを含むことができる。
図4E及び5Bに示すように、図4A~4Dを参照して上述した処理が繰り返されるが、ただし第2の光硬化性組成物30bが用いられ、第2の複数のマイクロLED14bが活性化される。洗い流しの後、第2の色変換層40bが、第2の複数のマイクロLED14bの各々の上に形成される。
第2の光硬化性組成物30bは、第1の光硬化性組成物30aと類似であるが、マイクロLED14からのより短い波長光を異なる第2の色のより長い波長光へと変換する色変換剤36bを含んでいる。第2の色は、例えば、緑とすることができる。
第2の複数のマイクロLED14bは、第2の色のサブピクセルに対応する。特に、第2の複数のマイクロLED14bは、第2の光硬化性組成物30b中の色変換剤によって生成される光の色のためのサブピクセルに対応している。例えば、流体30a中の色変換剤がマイクロLED14からの光を緑色光へと変換すると仮定すると、緑のサブピクセルに対応するこれらマイクロLED14bのみがオンにされる。
図4F及び5Cに示すように、任意選択的に、図4A~4Dを参照して上述した処理が繰り返されるが、ただし第3の光硬化性組成物30cが用いられ、第3の複数のマイクロLED14cが活性化される。洗い流しの後、第3の色変換層40cが、第3の複数のマイクロLED14cの各々の上に形成される。
第3の光硬化性組成物30cは、第1の光硬化性組成物30aと類似であるが、マイクロLED14からのより短い波長光を異なる第3の色のより長い波長光へと変換する色変換剤36cを含む。第3の色は、例えば、赤とすることができる。
第3の複数のマイクロLED14cは、第3の色のサブピクセルに対応する。特に、第3の複数のマイクロLED14cは、第3の光硬化性組成物30c中の色変換剤によって生成される光の色のためのサブピクセルに対応している。例えば、流体30c中の色変換剤がマイクロLED14からの光を赤色光へと変換すると仮定すると、赤のサブピクセルに対応するこれらマイクロLED14cのみがオンにされる。
図4A~4Fに示されるこの具体的な実施例では、色変換層40a、40b、40cは、各色のサブピクセルについて堆積されている。これは、例えば、マイクロLEDが紫外線を生成するときに必要である。
しかしながら、マイクロLED14は、UV光ではなく青色光を生成してもよい。この場合、青色変換剤を含有する光硬化性組成物によるディスプレイ10のコーティングはスキップすることができ、プロセスは、緑及び赤のサブピクセルのための光硬化性組成物を使用して実施することができる。例えば、図4Eに示されるように、1組の複数のマイクロLEDは色変換層なしで残される。図4Fによって示されるプロセスは実施されない。例えば、第1の光硬化性組成物30aが緑のCCAを含んでマイクロLEDの第1の複数の14aが緑のサブピクセルに対応することができ、第2の光硬化性組成物30bが赤のCCAを含んでマイクロLEDの第2の複数の14bが赤のサブピクセルに対応することができる。
流体30a、30b、30cが溶媒を含むと仮定すると、いくつかの溶媒は色変換層40a、40b、40c中に捕捉され得る。図4Gに示すように、この溶媒は、例えば、マイクロLEDアレイを、IRランプなどによる熱に曝露することにより、蒸発させることができる。色変換層40a、40b、40cからの溶媒の蒸発は、最終層がより薄くなるように、これらの層を収縮させることができる。
溶媒の除去及び色変換層40a、40b、40cの収縮は、色変換剤、例えば、量子ドットの濃度を上昇させることができ、それにより色変換効率を高める。一方で、溶媒を含めることで、光硬化性組成物の他の成分の化学配合物、例えば、色変換剤又は架橋性成分の柔軟性を高めることができる。
任意選択的に、図4Hに示されるように、UVブロッキング層50を、マイクロLED14のすべての上に堆積させることができる。UVブロッキング層50は、色変換層40によって吸収されないUV光をブロックすることができる。UVブロッキング層50は、ブラッグリフレクタとすることができるか、又は単純に、UV光を選択的に吸収する材料(例えば、ベンゾトリアゾリルヒドロキシフェニル化合物)とすることができる。ブラッグリフレクタは、UV光を反射してマイクロLED14へと戻すことができ、よってエネルギー効率を上昇させる。迷光吸収層、フォトルミネッセンス層、及び高屈折率層といった他の層は、任意選択的にやはりマイクロLED14上に堆積され得る材料を含む。
したがって、本明細書に記載されるように、光硬化性組成物は、UV光又は可視光範囲の第2の波長域の照射の吸収に応答して可視光範囲の第1の波長域の照射を放出するように選択された色変換剤と、反応成分(例えば、1つ又は複数のモノマー)と、第2の波長域の照射の吸収に応答して活性成分の重合を開始する光開始剤とを含む。第2の波長域は、第1の波長域とは異なる。
いくつかの実装態様では、発光デバイスは、複数の発光ダイオードと、発光ダイオードの各々から放出されたUV光又は可視光範囲の第1の波長域の照射が通過する表面と接する硬化された組成物とを含む。硬化された組成物は、発光ダイオードの各々からの第1の波長域の照射の吸収に応答して可視光範囲の第2の波長域の照射を放出するように選択されたナノ材料と、光ポリマーと、第1の波長域の照射の吸収に応答して光ポリマーの重合を開始する光開始剤の成分(例えば、断片)とを含む。第2の波長域は、第1の波長域とは異なる。
一部の実装態様では、発光デバイスは、追加の複数の発光ダイオードと、追加の発光ダイオードの各々から放出された第1の波長域の照射が通過する表面と接する追加の硬化された組成物とを含む。追加の硬化された組成物は、発光ダイオードの各々からの第1の波長域の照射の吸収に応答して可視光範囲の第3の波長域の照射を放出するように選択された追加のCCAと、追加の光ポリマーと、第1の波長域の照射の吸収に応答して光ポリマーの重合を開始する追加の光開始剤の成分とを含む。第3の波長域は、第2の波長域とは異なってよい。
図6A~6Eは、背面配線板上にマイクロLEDアレイ及び隔離壁を製造する方法を示している。図6Aに示すように、プロセスは、マイクロLEDアレイを提供するウエハ100を用いて開始される。ウエハ100は、上に第1のドーピングを有する第1の半導体層104、活性層106、及び第2の逆ドーピングを有する第2の半導体層108が堆積される基板102、例えば、シリコン又はサファイアのウエハを含む。例えば、第1の半導体層104は、N型ドープされた窒化ガリウム(n-GaN)層とすることができ、活性層106は、多重量子井戸(MQW)層106とすることができ、第2の半導体層107は、P型ドープされた窒化ガリウム(p-GaN)層108とすることができる。
図6Bに示すように、ウエハ100は、エッチングされて、層104、106、108を、第1、第2、及び第3の色に対応する第1、第2、及び第3の複数のマイクロLED14a、14b、14cを含む個別のマイクロLED14に分割する。加えて、導電コンタクト110を堆積させることができる。例えば、p型コンタクト110a及びn型コンタクト110bは、それぞれn-GaN層104及びp-GaN層108の上に堆積させることができる。
同様に、背面配線板16は、回路網18、並びに電気的コンタクト120を含むように製造される。電気的コンタクト120は、第1のコンタクト120a、例えば、駆動コンタクトと、第2のコンタクト120b、例えば、接地コンタクトとを含むことができる。
図6Cに示すように、マイクロLEDウエハ100は、背面配線板16と整列されて、背面配線板16と接触するように配置される。例えば、第1のコンタクト110aは第1のコンタクト120aと接することができ、第2のコンタクト110bは第2のコンタクト120bと接することができる。マイクロLEDウエハ100は、背面配線板と接触するように下げることができるか、又はその逆が可能である。
次に、図6Dに示すように、基板102が除去される。例えば、シリコン基板は、基板102から研磨により、例えば、化学機械的研磨により取り去ることができる。別の実施例として、サファイア基板は、レーザリフトオフプロセスによって除去することができる。
最後に、図6Eに示すように、隔離壁20が、背面配線板16(既にマイクロLED14が取り付けられている)上に形成される。隔離壁は、フォトレジストの堆積、フォトリソグラフィによるフォトレジストのパターン形成、及び凹部22に対応するフォトレジストの部分を除去するためのディベロップメントといった従来のプロセスにより形成することができる。その結果得られる構造は、図4A~4Hについて記載されたプロセスのためのディスプレイ10として使用することができる。
図7A~7Dは、背面配線板上にマイクロLEDアレイ及び隔離壁を製造する別の方法を示している。このプロセスは、図6A~6Eについて上述したプロセスと同様とすることができるが、以下の点が違っている。
図7Aに示すように、プロセスは、上述のプロセスと同様に、マイクロLEDアレイ及び背面配線板16を提供するウエハ100を用いて開始される。
図7Bに示すように、隔離壁20が、背面配線板16(マイクロLED14がまだ取り付けられていない)上に形成される。
加えて、ウエハ100は、エッチングされて、層104、106、108を、第1、第2、及び第3の複数のマイクロLED14a、14b、14cを含む個別のマイクロLED14に分割する。しかしながら、このエッチング処理によって形成された凹部130は、隔離壁20を収容するために十分に深い。例えば、エッチングは、凹部130が基板102中へと延びるように継続することができる。
次に、図7Cに示されるように、マイクロLEDウエハ100は、背面配線板16と整列されて、背面配線板16と接触するように配置される(又は逆も可能)。隔離壁20は凹部130に嵌り込む。加えて、マイクロLEDのコンタクト110は、背面配線板16のコンタクト120に電気的に接続される。
最後に、図7Dに示すように、基板102が除去される。これにより、マイクロLED14及び隔離壁20が背面配線板16に残る。その結果得られる構造は、図4A~4Hについて記載されたプロセスのためのディスプレイ10として使用することができる。
垂直及び側方といった配置に関する用語が使用された。しかしながら、このような用語は相対的な配置に言及しているのであって、重力を基準とする絶対的な配置に言及しているのではない。例えば、側方にとは、基板表面に平行な方向であり、垂直にとは、基板表面に直角の方向である。
前述した実施例は例示的なものであって限定的なものではないことが、当業者には認識されよう。例えば:
・上記の記載はマイクロLEDに焦点を当てているが、本技法は、他の種類の発光ダイオードを備える他のディスプレイ、特に、他のマイクロスケール発光ダイオード、例えば、幅約10ミクロン未満のLEDを備えるディスプレイに適用することができる。
・上記の記載は、色変換層が形成される順序が青、緑、赤の順であると仮定しているが、他の順序、例えば、青、赤、緑の順も可能である。加えて、他の色、例えば、オレンジ及び黄が可能である。
本開示の精神及び範囲から逸脱せずに、様々な修正を行うことができることを理解されたい。

Claims (20)

  1. 複数の発光ダイオードと、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第1の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光範囲の第1の波長域の照射が通過する表面と接する第1の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第1の発光ダイオードのサブセット内の前記発光ダイオードの各々からの前記第1の波長域の照射の吸収に応答して、青色光を発するように選択された青色フォトルミネッセンス材料であって、有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料である青色フォトルミネッセンス材料、及び
    前記有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料が埋め込まれている第1の光ポリマー
    を含む前記第1の硬化された組成物と、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第2の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第2の波長域の照射が通過する表面と接する第2の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第2の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光又は緑色光を発するように選択されたナノ材料、及び
    前記ナノ材料が埋め込まれている第2の光ポリマー
    を含む前記第2の硬化された組成物と
    を含む発光デバイス。
  2. 前記ナノ材料が第1の量子ドットを含み、前記青色フォトルミネッセンス材料が量子ドットを含まない、請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記ナノ材料が第1のナノ材料であり、前記第1のナノ材料が、前記複数の発光ダイオードのうちの前記第2の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光を発するように選択されており、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第3の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第3の波長域の照射が通過する表面と接する第3の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第3の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第3の波長域の照射の吸収に応答して、緑色光を発するように選択された第2のナノ材料、及び
    前記第2のナノ材料が埋め込まれている第3の光ポリマー
    を含む前記第3の硬化された組成物をさらに含む、請求項1に記載の発光デバイス。
  4. 前記第1のナノ材料が第1の量子ドットを含み、前記第2のナノ材料が、前記第1の量子ドットとは異なる組成の第2の量子ドットをみ、前記青色フォトルミネッセンス材料が量子ドットを含まない、請求項3に記載の発光デバイス。
  5. 前記青色フォトルミネッセンス材料がリン光性である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  6. 前記青色フォトルミネッセンス材料が蛍光性である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  7. 前記青色フォトルミネッセンス材料が、300nmから430nmの範囲の最大波長を有する紫外線を吸収する、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  8. 前記青色フォトルミネッセンス材料が、420nmから480nmの範囲の発光ピークを有する青色光を発する、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  9. 前記青色フォトルミネッセンス材料の発光ピークの最大半量における全幅が100nm未満である、請求項に記載の発光デバイス。
  10. 前記青色フォトルミネッセンス材料のフォトルミネッセンス量子収率が、5%から100%の範囲である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  11. 前記複数の発光ダイオードの各々の間に設けられた垂直隔離壁であって、前記第1の硬化された組成物の上面及び前記第2の硬化された組成物の上面よりも上方まで延在する垂直隔離壁をさらに含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  12. 複数の発光ダイオードと、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第1の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光範囲の第1の波長域の照射が通過する表面と接する第1の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第1の発光ダイオードのサブセット内の前記発光ダイオードの各々からの前記第1の波長域の照射の吸収に応答して、青色光を発するように選択された、量子ドットを含まない青色フォトルミネッセンス材料であって、有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料である前記青色フォトルミネッセンス材料、及び
    前記有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料が埋め込まれている第1の光ポリマー
    を含む第1の硬化された組成物と、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第2の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第2の波長域の照射が通過する表面と接する第2の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第2の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光又は緑色光を発するように選択された第1の量子ドット、及び
    前記第1の量子ドットが埋め込まれている第2の光ポリマー
    を含む第2の硬化された組成物と
    を含む発光デバイス。
  13. 前記第1の量子ドットが、前記複数の発光ダイオードのうちの前記第2の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第2の波長域の照射の吸収に応答して、赤色光を発するように選択されており、
    前記複数の発光ダイオードのうちの第3の発光ダイオードのサブセットから放出されるUV光又は可視光範囲の第3の波長域の照射が通過する表面と接する第3の硬化された組成物であって、
    前記複数の発光ダイオードのうちの前記第3の発光ダイオードのサブセットの前記発光ダイオードの各々からの前記第3の波長域の照射の吸収に応答して、緑色光を発するように選択された第2の量子ドット、及び
    前記第2の量子ドットが埋め込まれている第3の光ポリマー
    を含む第3の硬化された組成物
    をさらに含む、請求項12に記載の発光デバイス。
  14. 背面配線板と、前記背面配線板の背面配線板回路網と電気的に統合された発光ダイオードのアレイとを有するディスプレイの上に第1の光硬化性流体を分配することであって、前記第1の光硬化性流体が、紫外線を吸収するように選択された青色フォトルミネッセンス材料と、1つ又は複数の第1のモノマーと、前記紫外線の吸収に応答して前記1つ又は複数の第1のモノマーの重合を開始する第1の光開始剤とを含む、前記第1の光硬化性流体を分配することと、
    前記発光ダイオードのアレイ内の第1の複数の発光ダイオードを活性化して前記第1の光硬化性流体を照明及び硬化し、前記第1の複数の発光ダイオードの各々の上に、前記第1の複数の発光ダイオードからの光を青色光に変換するための第1の色変換層を形成することであって、前記第1の色変換層が、第1のポリマーマトリックスに埋め込まれた前記青色フォトルミネッセンス材料を有する、前記第1の複数の発光ダイオードを活性化することと、
    前記第1の光硬化性流体の未硬化の残部を除去することと、
    その後、前記ディスプレイの上に第2の光硬化性流体を分配することであって、前記第2の光硬化性流体が、前記紫外線の吸収に応答して赤色光又は緑色光を発するように選択されたナノ材料と、1つ又は複数の第2のモノマーと、前記紫外線の吸収に応答して、前記1つ又は複数の第2のモノマーの重合を開始する第2の光開始剤とを含む、前記第2の光硬化性流体を分配することと、
    前記発光ダイオードのアレイ内の第2の複数の発光ダイオードを活性化して前記第2の光硬化性流体を照明及び硬化し、前記第2の複数の発光ダイオードの各々上に、前記第2の複数の発光ダイオードからの光を異なる第2の色の光に変換するための第2の色変換層を形成することであって、前記第2の色変換層が、第2のポリマーマトリックスに埋め込まれたナノ構造を有する、前記第2の複数の発光ダイオードを活性化することと、
    前記第2の光硬化性流体の未硬化の残部を除去することと
    を含む、マルチカラーディスプレイを製造する方法。
  15. 前記ナノ材料が第1の量子ドットを含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記1つ又は複数の第1のモノマー及び前記1つ又は複数の第2のモノマーがともに(メタ)アクリレートモノマーである、請求項14に記載の方法。
  17. 前記1つ又は複数の第1のモノマー及び前記1つ又は複数の第2のモノマーが同じ化学構造を有する、請求項14に記載の方法。
  18. 前記1つ又は複数の第1の光開始剤及び前記1つ又は複数の第2の光開始剤が同じ化学構造を有する、請求項14に記載の方法。
  19. 前記ナノ材料が第1のナノ材料であり、前記第1のナノ材料が、前記第2の複数の発光ダイオードの各々からのの吸収に応答して赤色光を発するように選択されており、
    前記ディスプレイの上に第3の光硬化性流体を分配することであって、前記第3の光硬化性流体が、前記紫外線の吸収に応答して緑色光を発するように選択された第2のナノ材料と、1つ又は複数の第3のモノマーと、前記紫外線の吸収に応答して前記1つ又は複数の第3のモノマーの重合を開始する第3の光開始剤とを含み、前記第1のナノ材料が第1の量子ドットを含み、前記第2のナノ材料が、前記第1の量子ドットとは異なる組成の第2の量子ドットを含む、前記第3の光硬化性流体を分配することと、
    前記発光ダイオードのアレイ内の第3の複数の発光ダイオードを活性化して前記第3の光硬化性流体を照明及び硬化し、前記第3の複数の発光ダイオードの各々の上に、前記第3の複数の発光ダイオードからの光を緑色光に変換するための第3の色変換層を形成することであって、前記第3の色変換層が、第3のポリマーマトリックスに埋め込まれた第2のナノ構造を有する、第3の複数の発光ダイオードを活性化することと、
    前記第3の光硬化性流体の未硬化の残部を除去することと
    をさらに含む、請求項14に記載の方法。
  20. 前記青色フォトルミネッセンス材料が、有機材料、有機金属材料、又はポリマー材料である、請求項14に記載の方法。
JP2023513075A 2020-08-28 2021-08-26 青色フォトルミネッセンス材料及び赤色/緑色量子ドットを有するledデバイス Active JP7493100B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/006,690 2020-08-28
US17/006,690 US11404612B2 (en) 2020-08-28 2020-08-28 LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots
PCT/US2021/047722 WO2022047010A1 (en) 2020-08-28 2021-08-26 Led device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023539189A JP2023539189A (ja) 2023-09-13
JP7493100B2 true JP7493100B2 (ja) 2024-05-30

Family

ID=80355687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023513075A Active JP7493100B2 (ja) 2020-08-28 2021-08-26 青色フォトルミネッセンス材料及び赤色/緑色量子ドットを有するledデバイス

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11404612B2 (ja)
EP (1) EP4205187A1 (ja)
JP (1) JP7493100B2 (ja)
KR (1) KR20230054729A (ja)
CN (1) CN116157931A (ja)
TW (1) TWI794943B (ja)
WO (1) WO2022047010A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200373279A1 (en) * 2019-05-24 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Color Conversion Layers for Light-Emitting Devices
US11404612B2 (en) 2020-08-28 2022-08-02 Applied Materials, Inc. LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots
US11942576B2 (en) * 2020-08-28 2024-03-26 Applied Materials, Inc. Blue color converter for micro LEDs

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150255505A1 (en) 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP2016523450A (ja) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するledディスプレイ
JP2019523990A (ja) 2016-06-08 2019-08-29 コーニング インコーポレイテッド パターン化された色変換媒質を備えるデバイスおよびその作製方法
JP2019142829A (ja) 2018-02-23 2019-08-29 東ソー株式会社 新規セリウム錯体、及び発光材

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565770B1 (en) 2000-11-17 2003-05-20 Flex Products, Inc. Color-shifting pigments and foils with luminescent coatings
US20050040562A1 (en) 2003-08-19 2005-02-24 3D Systems Inc. Nanoparticle-filled stereolithographic resins
US20050101684A1 (en) 2003-11-06 2005-05-12 Xiaorong You Curable compositions and rapid prototyping process using the same
US20070015847A1 (en) 2005-07-15 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Red printing ink for color filter applications
CN101621054A (zh) 2008-07-01 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
US20100117106A1 (en) 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8247248B2 (en) 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
US8597963B2 (en) 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
GB0916699D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
EP2445028A1 (en) 2010-10-25 2012-04-25 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method of manufacturing an opto-electric device
US8425065B2 (en) 2010-12-30 2013-04-23 Xicato, Inc. LED-based illumination modules with thin color converting layers
WO2012135744A2 (en) * 2011-04-01 2012-10-04 Kai Su White light-emitting device
US9188884B2 (en) 2011-11-30 2015-11-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge transport layer for organic photoconductors
EP2698836A1 (en) 2012-08-17 2014-02-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil, electro-optic component and method of manufacturing these
AU2014261711B2 (en) 2013-05-01 2017-04-20 Sicpa Holding Sa Security elements exhibiting a dynamic visual motion
CN104610511B (zh) 2013-11-05 2018-11-16 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 用于加成制造的稳定的基质填充的液体可辐射固化树脂组合物
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
CN113579992A (zh) 2014-10-17 2021-11-02 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
KR101604339B1 (ko) 2014-12-09 2016-03-18 엘지전자 주식회사 광 변환 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 표시장치
KR20170137797A (ko) 2015-04-16 2017-12-13 아큘러스 브이알, 엘엘씨 Led 어레이를 위한 색상 변환 구조
JP6653622B2 (ja) 2015-06-10 2020-02-26 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および量子ドット含有重合性組成物
US10333036B2 (en) 2016-06-23 2019-06-25 eLux Inc. Absorptive color conversion film
MX2019006642A (es) 2016-12-09 2019-08-01 Sicpa Holding Sa Impresion offset de curado de baja energia y tintas de impresion tipografica y proceso de impresion.
US10345688B2 (en) 2017-04-18 2019-07-09 Unique Materials Co., Ltd. Light emitting apparatus using composite material
KR102422386B1 (ko) 2017-04-21 2022-07-20 주식회사 루멘스 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN110997569B (zh) 2017-06-02 2022-06-17 奈科斯多特股份公司 获得封装的纳米颗粒的方法
KR101948098B1 (ko) 2017-06-20 2019-02-14 주식회사 한솔케미칼 자외선 경화형 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조한 광학 부재
KR20190050726A (ko) 2017-11-03 2019-05-13 삼성전자주식회사 양자점 조성물, 양자점-폴리머 복합체, 그리고, 이를 포함한 적층 구조물 및 전자 소자
TW202415137A (zh) 2018-08-09 2024-04-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法
US10978657B2 (en) * 2018-08-23 2021-04-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and quantum dots
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US20200373279A1 (en) 2019-05-24 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Color Conversion Layers for Light-Emitting Devices
US11404612B2 (en) 2020-08-28 2022-08-02 Applied Materials, Inc. LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016523450A (ja) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション 波長変換層を有するledディスプレイ
US20150255505A1 (en) 2014-03-05 2015-09-10 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP2019523990A (ja) 2016-06-08 2019-08-29 コーニング インコーポレイテッド パターン化された色変換媒質を備えるデバイスおよびその作製方法
JP2019142829A (ja) 2018-02-23 2019-08-29 東ソー株式会社 新規セリウム錯体、及び発光材

Also Published As

Publication number Publication date
TW202215680A (zh) 2022-04-16
WO2022047010A1 (en) 2022-03-03
US11404612B2 (en) 2022-08-02
EP4205187A1 (en) 2023-07-05
KR20230054729A (ko) 2023-04-25
US20220069175A1 (en) 2022-03-03
WO2022047010A9 (en) 2022-05-05
TWI794943B (zh) 2023-03-01
JP2023539189A (ja) 2023-09-13
US11855241B2 (en) 2023-12-26
US20220367763A1 (en) 2022-11-17
TW202324788A (zh) 2023-06-16
CN116157931A (zh) 2023-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7493100B2 (ja) 青色フォトルミネッセンス材料及び赤色/緑色量子ドットを有するledデバイス
TW202112830A (zh) 發光元件的顏色轉換層
TWI814067B (zh) 用於微型led的色彩轉換層中量子點前驅物材料的螯合劑
US11888096B2 (en) Quantum dot formulations with thiol-based crosslinkers for UV-LED curing
US20240194837A1 (en) Blue color converter for micro led devices

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240409

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240423

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7493100

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150