JP7485630B2 - Light conversion ink composition, color filter, and image display device - Google Patents

Light conversion ink composition, color filter, and image display device Download PDF

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Description

本発明は、光変換インク組成物、カラーフィルタ、及び画像表示装置に係り、より詳しくは、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上した光変換インク組成物、これを用いて形成されるカラーフィルタ、及び前記カラーフィルタを備えた画像表示装置に関する。 The present invention relates to a light conversion ink composition, a color filter, and an image display device, and more specifically to a light conversion ink composition that is capable of forming a thick film having excellent dispersibility of quantum dots and excellent optical properties of quantum dots even without substantially containing a solvent, and has improved adhesion of the coating film, a color filter formed using the same, and an image display device equipped with the color filter.

カラーフィルタは、白色光から赤色、緑色、及び青色の3種の色を抽出して微細な画素単位で機能させる薄膜フィルム型光学部品である。 A color filter is a thin-film optical component that extracts three colors, red, green, and blue, from white light and functions at minute pixel levels.

これに関して、近年、優れたパターン特性だけではなく、高い色再現率を示すために、量子ドットを含む自発光感光性樹脂組成物を用いたカラーフィルタの製造方法が提案された。 In this regard, a method for manufacturing a color filter using a spontaneous light-emitting photosensitive resin composition containing quantum dots has been proposed in recent years to provide not only excellent pattern characteristics but also high color reproduction rate.

通常知られた量子ドットを含む自発光感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィ方法は、コーティング、露光、現像、及び硬化によって色フィルタを形成する方法である。このようなフォトリソグラフィ方法は、色フィルタの精巧性や再現性の面では優れるものの、画素を形成するためにそれぞれの色に対してコーティング、露光、現像、及び硬化する過程がそれぞれ要求されることから製造工程及び手間並びにコストが増大し、且つ工程間の制御因子が多くなって歩留まりの管理が困難であるという不具合がある。 A commonly known photolithography method using a self-luminous photosensitive resin composition containing quantum dots is a method for forming color filters by coating, exposure, development, and curing. Although this type of photolithography method is excellent in terms of the sophistication and reproducibility of color filters, it has the disadvantage that the manufacturing process, labor, and cost are increased because coating, exposure, development, and curing processes are required for each color to form a pixel, and the number of control factors between processes increases, making it difficult to manage the yield.

このため、前記フォトリソグラフィ方法に代えて、赤色、緑色、及び青色を含む複数の色を一度に着色することができるインクジェット(inkjet)方法が提案されている。 For this reason, instead of the photolithography method, an inkjet method has been proposed that can color multiple colors, including red, green, and blue, at once.

近年、モニタ、TVなどでの高い色再現率(NTSCに対する色濃度)の要求に伴い、量子ドットの発光輝度の向上が必要となっている。このような発光輝度の向上のためには、膜厚を厚くする方法がある。しかし、大韓民国登録特許第10-1475520号で開示する量子ドット及び溶剤を含むインク組成物では膜厚を厚くするのに限界がある。 In recent years, with the demand for high color reproduction (color density relative to NTSC) in monitors, TVs, etc., it has become necessary to improve the luminance of quantum dots. One method for improving luminance is to increase the film thickness. However, there is a limit to how thick the film can be made with the ink composition containing quantum dots and a solvent disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1475520.

このような側面から、溶剤を実質的に含まない量子ドット含有の無溶剤型又は低溶剤型のインク組成物が要求されている。しかし、量子ドットを無溶剤型又は低溶剤型のインク組成物で製造する場合には、均一な分散が難しくなり量子ドットの凝集を生じさせて量子ドットの光特性が低下したり、粘度が高くなってジェッティング性が不良になることがある。特に、膜厚を厚くするためにインク組成物中の量子ドットの含量を上げると、量子ドットの凝集がさらに深化して量子ドットの光特性低下が酷くなり且つ塗膜の密着性が低下するという問題点があった。 From this perspective, there is a demand for a solvent-free or low-solvent ink composition containing quantum dots that is substantially free of solvent. However, when quantum dots are produced in a solvent-free or low-solvent ink composition, uniform dispersion is difficult, and the quantum dots may aggregate, degrading the optical properties of the quantum dots, or the viscosity may increase, resulting in poor jetting properties. In particular, when the content of quantum dots in the ink composition is increased to increase the film thickness, there is a problem that the quantum dots further aggregate, causing a serious deterioration in the optical properties of the quantum dots and a decrease in the adhesion of the coating film.

したがって、溶剤を用いないか又は溶剤を少量用いても量子ドットの分散性に優れ、且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上したインク組成物の開発が望まれている。 Therefore, there is a need to develop an ink composition that has excellent dispersibility of quantum dots even when no solvent is used or when only a small amount of solvent is used, can form a thick film with excellent optical properties of quantum dots, and has improved adhesion of the coating film.

本発明の一目的は、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上した光変換インク組成物を提供することである。 One object of the present invention is to provide a light conversion ink composition that can form a thick film having excellent quantum dot dispersibility and excellent optical properties of the quantum dots even without substantially containing a solvent, and that has improved adhesion of the coating film.

本発明の他の目的は、前記光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a light conversion pixel containing a cured product of the light conversion ink composition.

本発明のまた他の目的は、前記光変換画素を含むカラーフィルタを提供することである。 Another object of the present invention is to provide a color filter including the light conversion pixel.

本発明のさらなる目的は、前記カラーフィルタを備えた画像表示装置を提供することである。 A further object of the present invention is to provide an image display device equipped with the above-mentioned color filter.

一方、本発明は、量子ドット、硬化性モノマー、及び界面活性剤を含み、
前記量子ドットは、表面上に下記の化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものであり、
前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む、光変換インク組成物を提供する。
On the other hand, the present invention includes a quantum dot, a curable monomer, and a surfactant,
The quantum dot has a ligand layer on its surface, the ligand layer including one or more of the compounds represented by the following chemical formulas 1a to 1e:
A light conversion ink composition is provided, wherein the surfactant comprises a reactive silicone surfactant.

前記式中、
R’及びR’’は、それぞれ独立して、水素原子;カルボキシル基;フェニル基;又はチオール基で置換若しくは非置換のC~C20のアルキル基であり、
R’とR”とは、同時に水素原子;フェニル基;又は非置換のC~C20のアルキル基ではなく、
、R、及びRは、それぞれ独立して、C~C22のアルキル基又はC~C22のアルケニル基であり、
は、C~C22のアルキレン基、C~Cのシクロアルキレン基又はC~C14のアリーレン基であり、
A及びBは、それぞれ独立して、存在しないか、又はC~C22のアルキレン基、O、NR又はSであり、
Rは、水素又はC~C22のアルキル基であり、
Xは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
nは、1~20の整数であり、
p、q、t、及びuは、それぞれ独立して、1~100の整数であり、
rは、1~10の整数である。
In the above formula,
R' and R'' are each independently a hydrogen atom; a carboxyl group; a phenyl group; or a C1 - C20 alkyl group unsubstituted or substituted with a thiol group;
R′ and R″ are not simultaneously a hydrogen atom; a phenyl group; or an unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group;
R a , R b , and R c are each independently a C 1 to C 22 alkyl group or a C 4 to C 22 alkenyl group;
R d is a C 1 -C 22 alkylene group, a C 3 -C 8 cycloalkylene group, or a C 6 -C 14 arylene group;
A and B are each independently absent, a C 1 -C 22 alkylene group, O, NR, or S;
R is hydrogen or a C1 - C22 alkyl group;
X is a carboxyl group, a phosphate group, a thiol group, an amine group, a tetrazole group, an imidazole group, a pyridine group, or a lipoamide group;
n is an integer from 1 to 20,
p, q, t, and u are each independently an integer from 1 to 100;
and r is an integer from 1 to 10.

本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。 In one embodiment of the present invention, the reactive silicone surfactant may be a silicone surfactant having an acrylate group at the end.

本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、下記の化学式2~3で表される化合物のうちの一つ以上を含んでよい。 In one embodiment of the present invention, the reactive silicone surfactant may include one or more of the compounds represented by the following chemical formulas 2 to 3.

前記式中、
及びRは、それぞれ独立して、
In the above formula,
R 1 and R 2 are each independently

であり、
は、
and
R3 is

であり、
Lは、ウレタン基を有する2~3価の連結基であり、
Y及びZは、それぞれ独立して、エステル基又はC~Cのオキシアルキレン基であり、
及びRは、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
gは、0~1の整数であり、
hは、1~2の整数であり、
k、l、m、i、及びjは、それぞれ独立して、1~20の整数である。
and
L is a divalent or trivalent linking group having a urethane group,
Y and Z are each independently an ester group or a C 1 -C 6 oxyalkylene group;
R4 and R5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
g is an integer from 0 to 1;
h is an integer from 1 to 2,
k, l, m, i, and j are each independently an integer from 1 to 20.

本発明の一実施形態において、前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.005~2重量%の量で含まれてよい。 In one embodiment of the present invention, the surfactant may be contained in an amount of 0.005 to 2% by weight based on 100% by weight of the total light conversion ink composition.

本発明の一実施形態において、前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体100重量%に対し、20重量%以上の量で含まれてよい。 In one embodiment of the present invention, the reactive silicone surfactant may be included in an amount of 20% by weight or more based on 100% by weight of the total surfactant.

本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、散乱粒子、光重合開始剤、及び酸化防止剤からなる群より選ばれる一つ以上を更に含んでよい。 The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention may further include one or more selected from the group consisting of scattering particles, photopolymerization initiators, and antioxidants.

本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を1重量%以下の量で含んでよい。 The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention may contain a solvent in an amount of 1% by weight or less.

他の一方で、本発明は、前記光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素を提供する。 On the other hand, the present invention provides a light conversion pixel comprising a cured product of the light conversion ink composition.

また他の一方で、本発明は、前記光変換画素を含むカラーフィルタを提供する。 On the other hand, the present invention provides a color filter including the light conversion pixel.

また他の一方で、本発明は、前記カラーフィルタが備えられたことを特徴とる画像表示装置を提供する。 On the other hand, the present invention provides an image display device characterized by being equipped with the above-mentioned color filter.

本発明に係る光変換インク組成物は、表面上に特定構造のポリエチレングリコール系配位子を有する量子ドットを含み、界面活性剤として前記ポリエチレングリコール系配位子と相溶性に優れ且つ硬化性モノマーとの反応性に優れる反応性シリコン系界面活性剤を含有して、溶剤を実質的に含まなくても量子ドットの分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上する。したがって、本発明に係る光変換インク組成物は、インクジェット印刷方式でカラーフィルタを製造する際に有効に用いることができる。 The light conversion ink composition according to the present invention contains quantum dots having polyethylene glycol-based ligands of a specific structure on the surface, and contains a reactive silicone surfactant as a surfactant that has excellent compatibility with the polyethylene glycol-based ligands and excellent reactivity with curable monomers, and can form a thick film that has excellent dispersibility of quantum dots and excellent optical properties of quantum dots even without substantially containing a solvent, and also improves the adhesion of the coating film. Therefore, the light conversion ink composition according to the present invention can be effectively used when manufacturing color filters by inkjet printing.

以下、本発明をより詳しく説明する。 The present invention will be explained in more detail below.

本発明においてある部材が他の部材の「上に」位置しているとするとき、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけではなく、両部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。 In this invention, when a member is said to be "located on" another member, this does not only include the case where the member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.

本発明においてある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特にこだわりなどない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含んでよいことを意味する。 When a part in the present invention is said to "contain" a certain component, this does not mean that it excludes other components, but that it may further contain other components, unless otherwise specified.

本発明の一実施形態は、量子ドット(A)、硬化性モノマー(B)、及び界面活性剤(C)を含み、前記量子ドット(A)は、表面上に特定構造のポリエチレングリコール系配位子を含む配位子層を有するものであり、前記界面活性剤(C)は、反応性シリコン系界面活性剤を含む光変換インク組成物に関する。 One embodiment of the present invention relates to a light conversion ink composition that includes quantum dots (A), a curable monomer (B), and a surfactant (C), the quantum dots (A) having a ligand layer on the surface thereof that includes a polyethylene glycol-based ligand of a specific structure, and the surfactant (C) includes a reactive silicone-based surfactant.

量子ドット(A)
本発明の一実施形態において、前記量子ドットは、表面上に下記の化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものである。
Quantum dots (A)
In one embodiment of the present invention, the quantum dot has a ligand layer on its surface, the ligand layer including one or more of the compounds represented by the following formulas 1a to 1e:

前記式中、
R’及びR’’は、それぞれ独立して、水素原子;カルボキシル基;フェニル基;又はチオール基で置換若しくは非置換のC~C20のアルキル基であり、
R’とR”とは、同時に水素原子;フェニル基;又は非置換のC~C20のアルキル基ではなく、
、R、及びRは、それぞれ独立して、C~C22のアルキル基又はC~C22のアルケニル基であり、
は、C~C22のアルキレン基、C~Cのシクロアルキレン基又はC~C14のアリーレン基であり、
A及びBは、それぞれ独立して、存在しないか、又はC~C22のアルキレン基、O、NR又はSであり、
Rは、水素又はC~C22のアルキル基であり、
Xは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
nは、1~20の整数であり、
p、q、t、及びuは、それぞれ独立して、1~100の整数であり、
rは、1~10の整数である。
In the above formula,
R' and R'' are each independently a hydrogen atom; a carboxyl group; a phenyl group; or a C1 - C20 alkyl group unsubstituted or substituted with a thiol group;
R′ and R″ are not simultaneously a hydrogen atom; a phenyl group; or an unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group;
R a , R b , and R c are each independently a C 1 to C 22 alkyl group or a C 4 to C 22 alkenyl group;
R d is a C 1 -C 22 alkylene group, a C 3 -C 8 cycloalkylene group, or a C 6 -C 14 arylene group;
A and B are each independently absent, a C 1 -C 22 alkylene group, O, NR, or S;
R is hydrogen or a C1 - C22 alkyl group;
X is a carboxyl group, a phosphate group, a thiol group, an amine group, a tetrazole group, an imidazole group, a pyridine group, or a lipoamide group;
n is an integer from 1 to 20,
p, q, t, and u are each independently an integer from 1 to 100;
and r is an integer from 1 to 10.

本明細書において用いられるC~C20のアルキル基は、炭素数1~20個からなる直鎖状若しくは分岐状の1価炭化水素を意味し、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、1-メチル-ブチル、1-エチル-ブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert-ペンチル、n-ヘキシル、1-メチルペンチル、2-メチルペンチル、4-メチル-2-ペンチル、3,3-ジメチルブチル、2-エチルブチル、n-ヘプチル、1-メチルヘキシル、n-オクチル、tert-オクチル、1-メチルヘプチル、2-エチルヘキシル、2-プロピルペンチル、n-ノニル、2,2-ジメチルヘプチル、n-デシル、n-ウンデシルなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, a C 1 -C 20 alkyl group means a straight or branched monovalent hydrocarbon group consisting of 1 to 20 carbon atoms, and includes, but is not limited to, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, n-decyl, and n-undecyl.

本明細書において用いられるC~C22のアルキル基は、炭素数1~22個からなる直鎖状若しくは分岐状の1価炭化水素を意味し、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、sec-ブチル、1-メチル-ブチル、1-エチル-ブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert-ペンチル、n-ヘキシル、1-メチルペンチル、2-メチルペンチル、4-メチル-2-ペンチル、3,3-ジメチルブチル、2-エチルブチル、n-ヘプチル、1-メチルヘキシル、n-オクチル、tert-オクチル、1-メチルヘプチル、2-エチルヘキシル、2-プロピルペンチル、n-ノニル、2,2-ジメチルヘプチル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドコサニルなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, a C 1 -C 22 alkyl group means a straight or branched monovalent hydrocarbon group consisting of 1 to 22 carbon atoms, and includes, but is not limited to, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, n-decyl, n-undecyl, n-docosanyl, and the like.

本明細書において用いられるC~C22のアルケニル基は、一つ以上の炭素-炭素二重結合を有する炭素数4~22個からなる直鎖状若しくは分岐状の1価不飽和炭化水素を意味し、例えば、ブテニレン、ペンテニレン、ヘキセニレン、ヘプテニレン、オクテニレン、ノネニレン、デセニレン、ウンデセニレン、ドデセニレン、トリデセニレン、テトラデセニレン、ペンタデセニレン、ヘキサデセニレン、ヘプタデセニレン、オクタデセニレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, C 4 -C 22 alkenyl group means a straight-chain or branched monovalent unsaturated hydrocarbon having 4 to 22 carbon atoms and one or more carbon-carbon double bonds, and examples include, but are not limited to, butenylene, pentenylene, hexenylene, heptenylene, octenylene, nonenylene, decenylene, undecenylene, dodecenylene, tridecenylene, tetradecenylene, pentadecenylene, hexadecenylene, heptadecenylene, octadecenylene, and the like.

前記C~C20のアルキル基、C~C22のアルキル基、及びC~C22のアルケニル基は、一つ又はそれの以上の水素がC~Cのアルキル基、C~Cのアルケニル基、C~Cのアルキニル基、C~C10のシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキルオキシ基、C~Cのハロアルキル基、C~Cのアルコキシ基、C~Cのチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ(thio)、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。 The C1 - C20 alkyl group, C1 - C22 alkyl group, and C4 - C22 alkenyl group may have one or more hydrogens substituted with a C1 -C6 alkyl group, a C2- C6 alkenyl group, a C2 -C6 alkynyl group, a C3 - C10 cycloalkyl group, a C3 - C10 heterocycloalkyl group, a C3 - C10 heterocycloalkyloxy group, a C1 - C6 haloalkyl group, a C1 - C6 alkoxy group, a C1 - C6 thioalkoxy group, an aryl group, an acyl group, hydroxy, thio (thio), halogen, amino, alkoxycarbonyl, carboxy, carbamoyl, cyano, nitro, or the like.

本発明の前記化学式1aで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、R’がチオール基で置換若しくは非置換のC~C20のアルキル基であり、且つR’’がカルボキシル基である化合物であってよい。 The compound represented by the formula 1a of the present invention may be a compound in which R' is a C1 - C20 alkyl group substituted or unsubstituted with a thiol group, and R'' is a carboxyl group, in terms of realizing optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

本発明の一実施形態において、前記化学式1aで表される化合物の具体例としては、2-(2-メトキシエトキシ)酢酸(WAKO社製)、2-[2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ]酢酸(WAKO社製)、{2-[2-(カルボキシメトキシ)エトキシ]エトキシ}酢酸(WAKO社製)、2-[2-(ベンジルオキシ)エトキシ]酢酸、(2-(カルボキシメトキシ)エトキシ)酢酸(WAKO社製)、(2-ブトキシエトキシ)酢酸(WAKO社製)、カルボキシ-EG6-ウンデカンチオールなどが挙げられるが、これらに限定されない。 In one embodiment of the present invention, specific examples of the compound represented by the chemical formula 1a include, but are not limited to, 2-(2-methoxyethoxy)acetic acid (manufactured by WAKO Corporation), 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid (manufactured by WAKO Corporation), {2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid (manufactured by WAKO Corporation), 2-[2-(benzyloxy)ethoxy]acetic acid, (2-(carboxymethoxy)ethoxy)acetic acid (manufactured by WAKO Corporation), (2-butoxyethoxy)acetic acid (manufactured by WAKO Corporation), and carboxy-EG6-undecanethiol.

本発明の前記化学式1bで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、RはC~C22のアルキル基又はC~C20のアルケニル基であり、且つpは1~50の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式1b中のpが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。 In terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity, the compound represented by Formula 1b of the present invention may be a compound in which R a is a C 1 to C 22 alkyl group or a C 4 to C 20 alkenyl group, and p is an integer from 1 to 50. In particular, if p in Formula 1b exceeds the above range, it may affect the viscosity of the light conversion ink composition.

前記化学式1bで表される化合物は、チオール(thiol)基を有し、チオール基が量子ドットの表面に結合してよい。チオール基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド(dangling bond)のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性(発光特性)や信頼性を向上させる長所がある。 The compound represented by the chemical formula 1b may have a thiol group, and the thiol group may be bonded to the surface of the quantum dot. The thiol group has a stronger bond with the surface of the quantum dot than ligand layer compounds such as carboxylic acids that are commonly used in quantum dots, and has the advantage of suppressing quenching due to surface defects such as dangling bonds of the quantum dots and quenching due to surface oxidation, thereby improving optical properties (luminescence properties) and reliability.

本発明の一実施形態において、前記化学式1bで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式1-1~1-6で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。 In one embodiment of the present invention, the compound represented by the chemical formula 1b may be one or more compounds selected from the compounds represented by the following chemical formulas 1-1 to 1-6 in terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

本発明の前記化学式1cで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、qは1~50の整数であり、且つrは1~8の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式1cでq及びrが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。 The compound represented by the chemical formula 1c of the present invention may be a compound in which q is an integer from 1 to 50 and r is an integer from 1 to 8, in terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity. In particular, when q and r in the chemical formula 1c exceed the above ranges, it may affect the viscosity of the light conversion ink composition.

前記化学式1cで表される化合物は、チオール(thiol)基を有し、且つチオール基が量子ドットの表面に結合してよい。チオール基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド(dangling bond)のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性(発光特性)と信頼性を向上させる長所がある。 The compound represented by formula 1c may have a thiol group, and the thiol group may be bound to the surface of the quantum dot. The thiol group has a stronger binding force with the surface of the quantum dot than ligand layer compounds of ordinary quantum dots, such as carboxylic acids, and has the advantage of suppressing quenching due to surface defects such as dangling bonds of the quantum dots and quenching due to surface oxidation, thereby improving optical properties (luminescence properties) and reliability.

本発明の一実施形態において、前記化学式1cで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式1-7~1-12で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。 In one embodiment of the present invention, the compound represented by the chemical formula 1c may be one or more compounds selected from the compounds represented by the following chemical formulas 1-7 to 1-12 in terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

本発明の前記化学式1dで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、RbはC~C22のアルキル基又はC~C20のアルケニル基であり、且つtは1~50の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式1d中、tが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。 In terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity, the compound represented by Formula 1d of the present invention may be a compound in which Rb is a C1 to C22 alkyl group or a C4 to C20 alkenyl group, and t is an integer from 1 to 50. In particular, when t in Formula 1d exceeds the above range, it may affect the viscosity of the light conversion ink composition.

前記化学式1dで表される化合物は、アミン(amine)基を有し、且つアミン基が量子ドットの表面に結合してよい。アミン基の場合、カルボン酸などの通常の量子ドットが有する配位子層化合物に比べて量子ドットの表面との結合力に優れて、量子ドットのダングリングボンド(dangling bond)のような表面欠点による消光及び表面酸化による消光を抑制して光特性(発光特性)と信頼性を向上させる長所がある。 The compound represented by formula 1d may have an amine group, and the amine group may be bonded to the surface of the quantum dot. The amine group has a stronger bond with the surface of the quantum dot than ligand layer compounds of ordinary quantum dots, such as carboxylic acids, and has the advantage of suppressing quenching due to surface defects such as dangling bonds of the quantum dots and quenching due to surface oxidation, thereby improving optical properties (luminescence properties) and reliability.

本発明の一実施形態において、前記化学式1dで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式1-13~1-18で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。 In one embodiment of the present invention, the compound represented by the chemical formula 1d may be one or more compounds selected from the compounds represented by the following chemical formulas 1-13 to 1-18 in terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

本発明の前記化学式1eで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、Rcは、C~C22のアルキル基又はC~C22のアルケニル基であり、Rdは、C~C22のアルキレン基、C~Cのシクロアルキレン基又はC~C14のアリーレン基であり、A及びBは、それぞれ独立して、存在しないか、又はC~C22のアルキレン基、O、NR又はSであり、Rは、水素又はC~C22のアルキル基であり、Xは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、uは、1~50の整数である化合物であってよい。特に、前記化学式1e中、uが前記範囲を超える場合、光変換インク組成物の粘度に影響を及ぼし得る。 In terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity, the compound represented by the formula 1e of the present invention may be a compound in which Rc is a C1 - C22 alkyl group or a C4 - C22 alkenyl group, Rd is a C1 - C22 alkylene group, a C3 - C8 cycloalkylene group, or a C6 - C14 arylene group, A and B are each independently absent or a C1 - C22 alkylene group, O, NR, or S, R is hydrogen or a C1 - C22 alkyl group, X is a carboxyl group, a phosphate group, a thiol group, an amine group, a tetrazole group, an imidazole group, a pyridine group, or a lipoamide group, and u is an integer of 1 to 50. In particular, when u in the formula 1e exceeds the above range, it may affect the viscosity of the light conversion ink composition.

本発明の一実施形態において、前記化学式1eで表される化合物は、量子ドットの光特性及び分散性と、低粘度の具現の面から、下記の化学式1-19~1-25で表される化合物から選ばれる一つ以上の化合物であってよい。 In one embodiment of the present invention, the compound represented by the chemical formula 1e may be one or more compounds selected from the compounds represented by the following chemical formulas 1-19 to 1-25 in terms of realizing the optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

本発明の前記化学式1a~1eで表される化合物は、有機配位子であって量子ドットの表面に配位結合されて量子ドットを安定化させる役割を遂行してよい。 The compounds represented by the chemical formulas 1a to 1e of the present invention are organic ligands that may be coordinated to the surface of quantum dots to stabilize the quantum dots.

通常的に製造された量子ドットは、表面上に配位子層を有するものが一般的であり、製造直後の配位子層はオレイン酸(oleic acid)、ラウリン酸(lauric acid)などからなる。この場合、本発明に係る量子ドットが前記化学式1a~1eで表される化合物を配位子層として含む場合よりも量子ドットとの弱い結合力による量子ドット表面の非結合欠陥のため表面保護効果が低下することがある。また、オレイン酸の場合、高揮発性化合物(VOC;volatile organic compound)であるn-ヘキサンのような脂肪族炭化水素系溶剤、ベンゼンのような芳香族炭化水素系溶剤には分散され易いが、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)のような溶剤への分散性が悪い。本発明に係る量子ドットは、前記化学式1a~1eで表される化合物を配位子層として含み、PGMEAのような溶剤への分散性に極めて優れ、光特性を向上させる効果が奏される。 Quantum dots manufactured in general generally have a ligand layer on the surface, and the ligand layer immediately after manufacture is made of oleic acid, lauric acid, etc. In this case, the surface protection effect may be reduced due to non-bonding defects on the quantum dot surface caused by weaker binding force with the quantum dot than when the quantum dot according to the present invention contains the compound represented by the chemical formulas 1a to 1e as a ligand layer. In addition, oleic acid is easily dispersed in aliphatic hydrocarbon solvents such as n-hexane, which is a highly volatile compound (VOC), and aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, but has poor dispersibility in solvents such as propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA). The quantum dots according to the present invention contain the compound represented by the chemical formulas 1a to 1e as a ligand layer, and have excellent dispersibility in solvents such as PGMEA, thereby improving optical properties.

また、前記量子ドットは、前記化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系配位子を含むことで、溶剤を実質的に含まないか少量含んでも良好な分散特性を奏することができる。 In addition, the quantum dots contain one or more polyethylene glycol-based ligands from among the compounds represented by chemical formulas 1a to 1e, and thus can exhibit good dispersion characteristics even when they contain substantially no solvent or only a small amount of solvent.

前記化学式1a~1eで表される化合物は、量子ドットの総表面積に対し、5%以上の表面を覆っていてよい。 The compounds represented by the chemical formulas 1a to 1e may cover 5% or more of the total surface area of the quantum dots.

このとき、前記化学式1a~1eで表される化合物の含量は、量子ドット1モルに対し、0.1~10モルであってよい。 In this case, the content of the compounds represented by the chemical formulas 1a to 1e may be 0.1 to 10 moles per mole of quantum dots.

前記化学式1a~1eで表される化合物を含む配位子層は、0.1nm~2nmの厚さ、例えば、0.5nm~1.5nmの厚さを有してよい。 The ligand layer containing the compounds represented by the chemical formulas 1a to 1e may have a thickness of 0.1 nm to 2 nm, for example, 0.5 nm to 1.5 nm.

本発明の一実施形態において、前記量子ドットとは、ナノ大きさの半導体物質を称するものであってよい。原子が分子をなし、分子がクラスタという小さい分子の集合体を構成してナノ粒子をなすが、このようなナノ粒子が半導体特性を呈しているときにこれを量子ドットという。前記量子ドットは、外部からエネルギーを受けて励起状態になると、当該量子ドットの自ら該当するエネルギーバンドギャップに応じたエネルギーを放出するようになる。例えば、本発明に係る光変換インク組成物は、かかる量子ドットを含むことにより、入射した青色光の緑色光及び赤色光への光変換が可能である。 In one embodiment of the present invention, the quantum dots may refer to nano-sized semiconductor materials. Atoms form molecules, and the molecules form small molecular aggregates called clusters to form nanoparticles, and such nanoparticles are called quantum dots when they exhibit semiconductor properties. When the quantum dots receive energy from the outside and enter an excited state, they emit energy according to the energy band gap corresponding to the quantum dot itself. For example, the light conversion ink composition according to the present invention contains such quantum dots, and thus is capable of converting incident blue light into green light and red light.

本発明の一実施形態において、前記量子ドットは、非カドミウム系量子ドットであってよい。 In one embodiment of the present invention, the quantum dots may be non-cadmium quantum dots.

前記非カドミウム系量子ドットは、光による刺激で発光し得る量子ドット粒子であれば特に限定されない。例えば、II-VI族半導体化合物;III-V族半導体化合物;IV-VI族半導体化合物;IV族元素又はこれを含む化合物;及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるものであってよく、これらは、単独で又は2種以上混合して用いてよい。 The non-cadmium quantum dots are not particularly limited as long as they are quantum dot particles that can emit light when stimulated by light. For example, they may be selected from the group consisting of II-VI group semiconductor compounds; III-V group semiconductor compounds; IV-VI group semiconductor compounds; IV group elements or compounds containing the same; and combinations thereof, and these may be used alone or in combination of two or more kinds.

具体的に、前記II-VI族半導体化合物は、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物;ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物;及びHgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれるものであってよいが、これらに限定されるものではない。 Specifically, the II-VI group semiconductor compound may be selected from the group consisting of two-element compounds selected from the group consisting of ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, and mixtures thereof; three-element compounds selected from the group consisting of ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, and mixtures thereof; and four-element compounds selected from the group consisting of HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and mixtures thereof, but are not limited thereto.

前記III-V族半導体化合物は、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物;GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物;及びGaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれるものであってよいが、これらに限定されるものではない。 The III-V semiconductor compound is a bi-element compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, and mixtures thereof; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof. and mixtures thereof; and quaternary compounds selected from the group consisting of GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and mixtures thereof, but are not limited thereto.

前記IV-VI族半導体化合物は、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物;SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元素化合物;及びSnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元素化合物からなる群より選ばれる一つ以上であってよいが、同様にこれらに限定されるものではない。 The IV-VI semiconductor compound may be one or more selected from the group consisting of two-element compounds selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; three-element compounds selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; and four-element compounds selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and mixtures thereof, but is similarly not limited thereto.

これらに限定されるものではないが、前記IV族元素又はこれを含む化合物は、Si、Ge、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる元素;及びSiC、SiGe、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元素化合物からなる群より選ばれるものであってよい。 The Group IV element or a compound containing the same may be, but is not limited to, an element selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; and a two-element compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

前記量子ドットは、均質な(homogeneous)単一構造;コア-シェル(core-shell)、グラディエント(gradient)構造などのような二重構造;又はこれらの混合構造を有するものであってよい。好ましくは、前記量子ドットは、コア及びコアを覆うシェルを含むコア-シェル構造を有するものであってよい。 The quantum dots may have a homogeneous single structure; a double structure such as a core-shell or gradient structure; or a mixed structure thereof. Preferably, the quantum dots have a core-shell structure including a core and a shell covering the core.

具体的に、前記コア-シェルの二重構造において、それぞれのコアとシェルをなす物質は、前述した互いに異なる半導体化合物からなるものであってよい。例えば、前記コアは、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、及びInAlPSbからなる群より選ばれる一つ以上を含み、前記シェルは、ZnSe、ZnS、及びZnTeからなる群より選ばれる一つ以上を含んでよいが、これらに限定されるものではない。 Specifically, in the core-shell double structure, the materials constituting the core and shell may be made of different semiconductor compounds as described above. For example, the core may be made of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, G The shell may include, but is not limited to, one or more selected from the group consisting of ZnSe, ZnS, and ZnTe.

例えば、コア-シェル構造の量子ドットは、InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/GaP/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、InP/ZnSeTe/ZnS、及びInP/MnSe/ZnSなどが挙げられる。 For example, core-shell quantum dots include InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS, and InP/MnSe/ZnS.

前記量子ドットは、湿式化学工程(wet chemical process)、有機金属化学蒸着工程(MOCVD、metal organic chemical vapor deposition)、又は分子線エピタキシ工程(MBE、molecular beam epitaxy)によって合成されてよいが、これらに限定されるものではなく、湿式化学工程(wet chemical process)によって合成したほうがより光特性に優れる量子ドットが得られるため、好ましい。 The quantum dots may be synthesized by, but are not limited to, a wet chemical process, a metal organic chemical vapor deposition process (MOCVD), or a molecular beam epitaxy process (MBE), and are preferably synthesized by a wet chemical process, since this produces quantum dots with better optical properties.

前記湿式化学工程とは、有機溶剤に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。湿式化学工程では、結晶が成長するときに有機溶剤が自然に量子ドット結晶の表面に配位し、分散剤の役割をして結晶の成長を調節するようになるので、有機金属化学蒸着工程や分子線エピタキシのような気相蒸着法よりも容易且つ低廉な工程によってナノ粒子の成長を制御することができる。そのため、前記湿式化学工程を用いて前記量子ドットを製造したほうが好ましい。 The wet chemical process is a method of growing particles by putting precursor materials into an organic solvent. In the wet chemical process, as the crystals grow, the organic solvent naturally coordinates to the surface of the quantum dot crystals and acts as a dispersant to regulate the growth of the crystals, so the growth of nanoparticles can be controlled by a process that is easier and less expensive than gas phase deposition methods such as metalorganic chemical vapor deposition and molecular beam epitaxy. Therefore, it is preferable to manufacture the quantum dots using the wet chemical process.

湿式化学工程によって量子ドットを製造する場合、量子ドットの凝集を抑え且つ量子ドットの粒子の大きさをナノレベルに制御するために有機配位子が用いられる。このような有機配位子としては、一般的にオレイン酸が用いられてよい。 When manufacturing quantum dots by wet chemical processes, organic ligands are used to suppress the aggregation of quantum dots and to control the particle size of quantum dots to the nano level. Oleic acid may generally be used as such an organic ligand.

本発明の一実施形態において、前記量子ドットの製造過程で用いられたオレイン酸は、前記化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングルコール系化合物によって配位子交換方法により置き換えられる。 In one embodiment of the present invention, the oleic acid used in the manufacturing process of the quantum dots is replaced by one or more polyethylene glycol-based compounds represented by the chemical formulas 1a to 1e by a ligand exchange method.

前記配位子交換は、本来の有機配位子、すなわちオレイン酸を有する量子ドットを含有する分散液に、交換したい有機配位子、すなわち前記化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物を添加しこれを常温~200℃で30分~3時間撹拌して、化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物が結合された量子ドットを収得することで行われてよい。必要に応じて前記化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上のポリエチレングリコール系化合物が結合された量子ドットを分離し精製する過程を更に行ってもよい。 The ligand exchange may be performed by adding the organic ligand to be exchanged, i.e., one or more polyethylene glycol-based compounds among the compounds represented by formulae 1a to 1e, to a dispersion containing quantum dots having the original organic ligand, i.e., oleic acid, and stirring the mixture at room temperature to 200°C for 30 minutes to 3 hours to obtain quantum dots to which one or more polyethylene glycol-based compounds among the compounds represented by formulae 1a to 1e are bonded. If necessary, a process of separating and purifying the quantum dots to which one or more polyethylene glycol-based compounds among the compounds represented by formulae 1a to 1e are bonded may be further performed.

前記量子ドットは、光変換インク組成物の全体100重量%に対し、1~60重量%、好ましくは、5~50重量%の範囲で含まれてよい。前記量子ドットが前記範囲内で含まれると、発光効率に優れ、且つコーティング層の信頼性に優れるという利点がある。前記量子ドットが前記範囲未満で含まれると、光変換効率が不十分になることがあり、また前記範囲を超えると、相対的に青色光の放出が低下して色再現性が落ちる問題が生じることがある。 The quantum dots may be contained in the range of 1 to 60% by weight, preferably 5 to 50% by weight, based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. When the quantum dots are contained within the above range, there are advantages in that the light emission efficiency is excellent and the reliability of the coating layer is excellent. When the quantum dots are contained below the above range, the light conversion efficiency may be insufficient, and when the quantum dots are contained above the above range, there may be a problem in that the emission of blue light is relatively reduced, resulting in poor color reproducibility.

硬化性モノマー(B)
本発明の一実施形態において、前記硬化性モノマー(B)は、光及び後述する光重合開始剤の作用で重合し得る化合物であって、単官能単量体、2官能単量体、その他の多官能単量体などが挙げられ、特に、下記の化学式4で表される化合物を含むものが低粘度の具現の面から、好ましい。
Curable monomer (B)
In one embodiment of the present invention, the curable monomer (B) is a compound that can be polymerized by the action of light and a photopolymerization initiator described later, and includes a monofunctional monomer, a bifunctional monomer, and other polyfunctional monomers, and in particular, a compound represented by the following Chemical Formula 4 is preferred in terms of realizing low viscosity.

前記式中、
は、C~C20のアルキレン基、フェニレン基又はC~C10のシクロアルキレン基であり、
は、水素又はメチル基であり、
fは、1~15の整数である。
In the above formula,
R 6 is a C 1 -C 20 alkylene group, a phenylene group, or a C 3 -C 10 cycloalkylene group;
R7 is hydrogen or a methyl group;
f is an integer from 1 to 15.

本明細書において用いられるC~C20のアルキレン基は、炭素数1~20個からなる直鎖状若しくは分岐状の2価炭化水素を意味し、例えば、メチレン、エチレン、n-プロピレン、イソプロピレン、n-ブチレン、イソブチレン、n-ペンチレン、n-ヘキシレン、n-ヘプチレン、n-オクチレン、n-ノニレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, a C 1 -C 20 alkylene group means a linear or branched divalent hydrocarbon having 1 to 20 carbon atoms, and examples include, but are not limited to, methylene, ethylene, n-propylene, isopropylene, n-butylene, isobutylene, n-pentylene, n-hexylene, n-heptylene, n-octylene, and n-nonylene.

本明細書において用いられるC~C10のシクロアルキレン基は、炭素数3~10個からなる単環式又は融合環式の2価炭化水素を意味し、例えば、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, a C3 - C10 cycloalkylene group refers to a monocyclic or fused ring divalent hydrocarbon containing from 3 to 10 carbon atoms, including, but not limited to, cyclopropylene, cyclobutylene, cyclopentylene, cyclohexylene, and the like.

前記C~C20のアルキレン基、フェニレン基、及びC~C10のシクロアルキレン基は、一つ又はそれの以上の水素がC~Cのアルキル基、C~Cのアルケニル基、C~Cのアルキニル基、C~C10のシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキルオキシ基、C~Cのハロアルキル基、C~Cのアルコキシ基、C~Cのチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ(thio)、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。 The C1 - C20 alkylene group, phenylene group, and C3 - C10 cycloalkylene group may have one or more hydrogens substituted with a C1 - C6 alkyl group, a C2- C6 alkenyl group, a C2 - C6 alkynyl group, a C3 -C10 cycloalkyl group, a C3 - C10 heterocycloalkyl group, a C3 - C10 heterocycloalkyloxy group, a C1 - C6 haloalkyl group, a C1 - C6 alkoxy group, a C1 - C6 thioalkoxy group, an aryl group, an acyl group, hydroxy, thio (thio), halogen, amino, alkoxycarbonyl, carboxy, carbamoyl, cyano, nitro, or the like.

本発明の一実施形態において、Rは、C~C20のアルキレン基であってよい。 In one embodiment of the present invention, R 6 can be a C 1 -C 20 alkylene group.

前記化学式4で表される化合物の具体例としては、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,9-ビスアクリロイルオキシノナン、トリプロピレングリコールジアクリレートなどが挙げられる。 Specific examples of the compound represented by chemical formula 4 include 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-bisacryloyloxynonane, and tripropylene glycol diacrylate.

本発明に係る光変換インク組成物は、前記化学式4で表される硬化性モノマーの他にも本発明の目的を逸脱しない限度内で当該分野において通常用いられる硬化性モノマーを更に含んでよい。例えば、単官能単量体、2官能単量体、その他の多官能単量体などが挙げられ、これらのうち2官能単量体が好ましく用いられる。 In addition to the curable monomer represented by the chemical formula 4, the light conversion ink composition according to the present invention may further contain a curable monomer that is commonly used in the relevant field, within the limits of the purpose of the present invention. For example, monofunctional monomers, bifunctional monomers, and other polyfunctional monomers can be mentioned, and among these, bifunctional monomers are preferably used.

前記単官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、ノニルフェニルカルビトールアクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルアクリレート、2-エチルヘキシルカルビトールアクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、N-ビニルピロリドンなどが挙げられる。 The type of the monofunctional monomer is not particularly limited, and examples thereof include nonylphenylcarbitol acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-ethylhexylcarbitol acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, and N-vinylpyrrolidone.

前記2官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、ビスフェノールAのビス(アクリロイルオキシエチル)エーテルなどが挙げられる。
前記多官能単量体の種類は別に限定されず、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシレイテッドトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロポキシレイテッドトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、エトキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、プロポキシレイテッドジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
The type of the bifunctional monomer is not particularly limited, and examples thereof include bis(acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A.
The type of the polyfunctional monomer is not particularly limited, and examples thereof include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, propoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, ethoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, propoxylated dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate.

前記硬化性モノマー(B)は、前記光変換インク組成物の全体100重量%に対し、20~90重量%、好ましくは、30~80重量%の範囲で含まれてよい。前記硬化性モノマーが前記範囲内で含まれると、画素部の強度や平滑性の面で好ましいという利点がある。前記硬化性モノマーが前記範囲未満で含まれると、画素部の強度がやや低下することがあり、また、前記硬化性モノマーが前記範囲を超えて含まれると、平滑性がやや低下することがあるため、前記範囲内で含まれることが好ましい。 The curable monomer (B) may be contained in the range of 20 to 90% by weight, preferably 30 to 80% by weight, based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. When the curable monomer is contained within the above range, it has the advantage of being preferable in terms of the strength and smoothness of the pixel part. When the curable monomer is contained below the above range, the strength of the pixel part may be slightly decreased, and when the curable monomer is contained above the above range, the smoothness may be slightly decreased, so it is preferable that the curable monomer is contained within the above range.

界面活性剤(C)
本発明の一実施形態において、前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含む。
Surfactant (C)
In one embodiment of the invention, the surfactant comprises a reactive silicone based surfactant.

前記反応性シリコン系界面活性剤は、光を照射することで光重合開始剤から発生する活性ラジカル、酸などによって重合し得る反応性基を有する化合物であって、前記反応性基により量子ドットが多量含有された厚膜を形成しても量子ドットの凝集による相殺が減って発光効率の低下を防止することができ、且つ塗膜の密着性を向上させることができる。また、前記反応性シリコン系界面活性剤は、前記ポリエチレングリコール系配位子との相溶性に優れ且つ前記硬化性モノマーとの反応性に優れて、光変換インク組成物の分散性、感度、及び工程性を向上させる。 The reactive silicone surfactant is a compound having a reactive group that can be polymerized by active radicals, acids, etc. generated from a photopolymerization initiator when irradiated with light, and the reactive group reduces offset caused by the aggregation of quantum dots even when a thick film containing a large amount of quantum dots is formed, preventing a decrease in luminous efficiency and improving the adhesion of the coating film. In addition, the reactive silicone surfactant has excellent compatibility with the polyethylene glycol ligand and excellent reactivity with the curable monomer, improving the dispersibility, sensitivity, and processability of the light conversion ink composition.

前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。例えば、前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端に1個以上、好ましくは、1~8個、より好ましくは、1~4個のアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤であってよい。 The reactive silicone surfactant may be a silicone surfactant having an acrylate group at the end. For example, the reactive silicone surfactant may be a silicone surfactant having one or more, preferably 1 to 8, and more preferably 1 to 4, acrylate groups at the end.

具体的に、前記反応性シリコン系界面活性剤は、シロキサン結合を有し、末端に反応性アクリレート基を含む化合物であって、下記の化学式2~3で表される化合物のうちの一つ以上を含んでよい。 Specifically, the reactive silicone surfactant is a compound having a siloxane bond and a reactive acrylate group at its end, and may include one or more of the compounds represented by the following chemical formulas 2 to 3.

前記式中、
及びRは、それぞれ独立して、
In the above formula,
R 1 and R 2 are each independently

であり、
は、
and
R3 is

であり、
Lは、ウレタン基を有する2~3価の連結基であり、
Y及びZは、それぞれ独立して、エステル基又はC~Cのオキシアルキレン基であり、
R4及びRは、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
gは、0~1の整数であり、
hは、1~2の整数であり、
k、l、m、i、及びjは、それぞれ独立して、1~20の整数である。
and
L is a divalent or trivalent linking group having a urethane group,
Y and Z are each independently an ester group or a C 1 -C 6 oxyalkylene group;
R4 and R5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
g is an integer from 0 to 1;
h is an integer from 1 to 2,
k, l, m, i, and j are each independently an integer from 1 to 20.

本明細書において用いられるC~Cのオキシアルキレン基は、炭素数1~6個からなる直鎖状若しくは分岐状の2価炭化水素で鎖炭素のうちの一つ以上が酸素で置換された官能基を意味し、例えば、オキシメチレン、オキシエチレン、オキシプロピレン、オキシブチレン、オキシペンチレン、オキシヘキシレンなどが含まれるが、これらに限定されるものではない。 As used herein, the term "C 1 -C 6 oxyalkylene group" refers to a functional group in which one or more of the chain carbons in a linear or branched divalent hydrocarbon having 1 to 6 carbon atoms are substituted with oxygen, and examples of such groups include, but are not limited to, oxymethylene, oxyethylene, oxypropylene, oxybutylene, oxypentylene, and oxyhexylene.

前記ウレタン基、エステル基、及びC~Cのオキシアルキレン基は、一つ又はそれ以上の水素がC~Cのアルキル基、C~Cのアルケニル基、C~Cのアルキニル基、C~C10のシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキル基、C~C10のヘテロシクロアルキルオキシ基、C~Cのハロアルキル基、C~Cのアルコキシ基、C~Cのチオアルコキシ基、アリール基、アシル基、ヒドロキシ、チオ(thio)、ハロゲン、アミノ、アルコキシカルボニル、カルボキシ、カルバモイル、シアノ、ニトロなどで置換されてよい。 The urethane group, ester group, and C1 - C6 oxyalkylene group may have one or more hydrogens substituted with a C1 - C6 alkyl group, a C2-C6 alkenyl group, a C2 - C6 alkynyl group, a C3 - C10 cycloalkyl group , a C3 - C10 heterocycloalkyl group, a C3 - C10 heterocycloalkyloxy group, a C1 -C6 haloalkyl group , a C1 - C6 alkoxy group, a C1 - C6 thioalkoxy group, an aryl group, an acyl group, hydroxy, thio, halogen, amino, alkoxycarbonyl, carboxy, carbamoyl, cyano, nitro, or the like.

前記反応性シリコン系界面活性剤の市販製品としては、BYK-UV3570、BYK-UV3530、BYK-UV3500(以上、BYK社製)、TEGO Rad 2100、TEGO Rad 2200N、TEGO Rad 2250、TEGO Rad 2300、TEGO Rad 2500、TEGO Rad 2600、TEGO Rad 2700(以上、デグサ社製)などを例に挙げられる。 Commercially available reactive silicone surfactants include, for example, BYK-UV3570, BYK-UV3530, BYK-UV3500 (all manufactured by BYK), TEGO Rad 2100, TEGO Rad 2200N, TEGO Rad 2250, TEGO Rad 2300, TEGO Rad 2500, TEGO Rad 2600, and TEGO Rad 2700 (all manufactured by Degussa).

前記界面活性剤は、前記反応性シリコン系界面活性剤の他に、当該技術分野において一般に用いられる界面活性剤を更に含んでよい。かかる更なる界面活性剤としては、例えば、市販品としてのダウコーニング東レシリコーン社製のDC3PA、DC7PA、SH11PA、SH21PA、SH8400など、GE東芝シリコーン社製のTSF-4440、TSF-4300、TSF-4445、TSF-4446、TSF-4460、TSF-4452などの非反応性シリコン系界面活性剤、大日本インキ化学工業社製のメガファックF-470、F-471、F-475、F-482、F-489、F-554などのフルオロ系界面活性剤がある。 The surfactant may further include a surfactant generally used in the technical field in addition to the reactive silicone surfactant. Examples of such additional surfactants include commercially available products such as DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, and SH8400 manufactured by Dow Corning Toray Silicones, non-reactive silicone surfactants such as TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, and TSF-4452 manufactured by GE Toshiba Silicones, and fluoro-surfactants such as Megafac F-470, F-471, F-475, F-482, F-489, and F-554 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.

前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.005~2重量%、好ましくは、0.01~1.5重量%の範囲で含んでよい。前記界面活性剤が前記範囲内で含まれると、塗膜の平坦性が良好になる。前記界面活性剤が前記範囲未満で含まれると、インク組成物の拡がり性や平坦化が不足して表面粗さが増加し表面に噴火口が生じることがあり、また前記範囲を超えて含まれると、インク組成物の拡がり性が過度になってノズルから露出したインクが隔壁表面及び隣接の開口部に溢れ出したり飛び散って汚染が生じることがある。 The surfactant may be contained in the range of 0.005 to 2% by weight, preferably 0.01 to 1.5% by weight, based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. When the surfactant is contained within the above range, the flatness of the coating film is improved. When the surfactant is contained less than the above range, the ink composition may not spread or flatten sufficiently, resulting in increased surface roughness and the formation of craters on the surface. When the surfactant is contained more than the above range, the ink composition may spread excessively, causing the ink exposed from the nozzle to overflow or splash onto the partition surface and adjacent openings, resulting in contamination.

前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体100重量%に対し、20重量%以上、好ましくは、30重量%以上の量で含んでよい。前記反応性シリコン系界面活性剤が前記範囲内で含まれると、量子ドットのシェル表面に置換されて、厚膜で量子ドットの分散安定性を向上し且つ密着性を増加させることができ、また前記範囲未満で含まれると、厚膜で量子ドットの光特性が低下し且つ塗膜の密着性も低下することがある。 The reactive silicone surfactant may be contained in an amount of 20% by weight or more, preferably 30% by weight or more, based on 100% by weight of the total surfactant. When the reactive silicone surfactant is contained within the above range, it is substituted on the shell surface of the quantum dots, improving the dispersion stability of the quantum dots in a thick film and increasing the adhesion. When it is contained below the above range, the optical properties of the quantum dots in a thick film may be reduced and the adhesion of the coating film may also be reduced.

散乱粒子(D)
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、散乱粒子(D)を更に含んでよい。
Scattering Particles (D)
The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention may further comprise scattering particles (D).

前記散乱粒子は、量子ドットから放出された光の経路を増加させて全体的な光効率を高める役割をする。 The scattering particles increase the path of light emitted from the quantum dots, thereby increasing the overall light efficiency.

前記散乱粒子としては、通常の無機材料を用いてよく、好ましくは、金属酸化物を用いてよい。 The scattering particles may be made of a normal inorganic material, preferably a metal oxide.

前記金属酸化物は、Li、Be、B、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Rb、Sr、Y、Mo、Cs、Ba、La、Hf、W、Tl、Pb、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ti、Sb、Sn、Zr、Nb、Ce、Ta、In、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれた1種の金属を含む酸化物であってよいが、これらに限定されない。 The metal oxide may be an oxide containing one metal selected from the group consisting of Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Mo, Cs, Ba, La, Hf, W, Tl, Pb, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ti, Sb, Sn, Zr, Nb, Ce, Ta, In, and combinations thereof, but is not limited thereto.

具体的に、Al、SiO、ZnO、ZrO、BaTiO、TiO、Ta、Ti、ITO、IZO、ATO、ZnO-Al、Nb、SnO、MgO、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれた1種であってよい。必要に応じて、アクリレートなどの不飽和結合を有する化合物で表面処理された材質も用いてよい。 Specifically, it may be one selected from the group consisting of Al2O3 , SiO2 , ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5 , ITO , IZO , ATO , ZnO-Al, Nb2O3 , SnO, MgO, and combinations thereof. If necessary, a material that has been surface-treated with a compound having an unsaturated bond, such as acrylate, may also be used.

散乱粒子は、50~1000nmの平均粒径を有してよく、好ましくは、100~500nm、より好ましくは、150~300nmの範囲の平均粒径を有してよい。このとき、粒子の大きさが小さ過ぎると、量子ドットから放出された光の十分な散乱効果を期待することができず、これと逆に大き過ぎると、組成物中に沈んだりして均一な品質の光変換層表面を得ることができないため、前記範囲内で適宜調節して用いる。 The scattering particles may have an average particle size of 50 to 1000 nm, preferably 100 to 500 nm, and more preferably 150 to 300 nm. If the particle size is too small, sufficient scattering effect of the light emitted from the quantum dots cannot be expected, and conversely, if the particle size is too large, the particles may sink in the composition and a uniform quality of the light conversion layer surface cannot be obtained, so the particle size is appropriately adjusted within the above range.

本発明において平均粒径とは、数平均粒径のことであってよく、例えば、電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)又は透過電子顕微鏡(TEM)によって観察した像から求めることができる。具体的に、FE-SEM又はTEMの観察画像から幾つかのサンプルを抽出し、これらのサンプルの径を測定して算術平均した値から得ることができる。 In the present invention, the average particle size may refer to the number average particle size, and can be determined, for example, from images observed with a field emission scanning electron microscope (FE-SEM) or a transmission electron microscope (TEM). Specifically, it can be obtained by extracting several samples from the FE-SEM or TEM observation images, measuring the diameters of these samples, and taking the arithmetic average value.

前記散乱粒子は、前記光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.5~20重量%、好ましくは、1~15重量%の範囲で含んでよい。前記散乱粒子が前記範囲内で含まれると、発光強さの増加効果が極大化するため好ましい。なお、前記範囲未満で含まれると、得ようとする発光強さの確保が多少難しくなることがあり、また前記範囲を超えると、青色照射光の透過度が低下するため発光効率に問題が生じることがある。 The scattering particles may be contained in the range of 0.5 to 20% by weight, preferably 1 to 15% by weight, based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. When the scattering particles are contained within the above range, the effect of increasing the luminous intensity is maximized, which is preferable. If the scattering particles are contained below the above range, it may be somewhat difficult to ensure the desired luminous intensity, and if the scattering particles are contained above the above range, the transmittance of blue irradiation light decreases, which may cause problems with luminous efficiency.

光重合開始剤(E)
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、光重合開始剤(E)を更に含んでよい。
Photopolymerization initiator (E)
The photoconversion ink composition according to one embodiment of the present invention may further contain a photopolymerization initiator (E).

本発明の一実施形態において、前記光重合開始剤(E)は、前記硬化性モノマーを重合させ得るものであれば、その種類は特に制限されずに用いてよい。特に、前記光重合開始剤は、重合特性、開始効率、吸収波長、入手性、価格などの観点から、アセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、トリアジン系化合物、ビイミダゾール系化合物、オキシム系化合物、及びチオキサントン系化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物を用いることが好ましい。 In one embodiment of the present invention, the photopolymerization initiator (E) may be used without any particular limitation as long as it can polymerize the curable monomer. In particular, from the viewpoints of polymerization characteristics, initiation efficiency, absorption wavelength, availability, price, etc., it is preferable to use one or more compounds selected from the group consisting of acetophenone-based compounds, benzophenone-based compounds, triazine-based compounds, biimidazole-based compounds, oxime-based compounds, and thioxanthone-based compounds as the photopolymerization initiator.

前記光重合開始剤は、前記光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.01~20重量%、好ましくは、0.5~15重量%の範囲で含まれてよい。前記光重合開始剤が前記範囲内で含まれると、前記光変換インク組成物が高感度化して露光時間が短縮することで生産性が向上するため好ましい。また、本発明に係る光変換インク組成物を用いて形成した画素部の強度と前記画素部の表面での平滑性が良好になるという利点がある。 The photopolymerization initiator may be contained in the range of 0.01 to 20% by weight, preferably 0.5 to 15% by weight, relative to 100% by weight of the total photoconversion ink composition. When the photopolymerization initiator is contained within the above range, the photoconversion ink composition becomes highly sensitive, shortening the exposure time and improving productivity, which is preferable. In addition, there is an advantage in that the strength of the pixel portion formed using the photoconversion ink composition according to the present invention and the smoothness of the surface of the pixel portion are improved.

前記光重合開始剤(E)は、本発明に係る光変換インク組成物の感度を向上させるために、光重合開始補助剤(e1)を更に含んでよい。前記光重合開始補助剤が含まれると、感度が一層高められて生産性が向上するという利点がある。 The photopolymerization initiator (E) may further contain a photopolymerization initiator assistant (e1) in order to improve the sensitivity of the photoconversion ink composition according to the present invention. The inclusion of the photopolymerization initiator assistant has the advantage of further increasing the sensitivity and improving productivity.

前記光重合開始補助剤(e1)は、例えば、アミン化合物、カルボン酸化合物、チオール基を有する有機黄化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物が好ましく用いられてよいが、これらに限定されるものではない。 The photopolymerization initiator aid (e1) may be, for example, one or more compounds selected from the group consisting of amine compounds, carboxylic acid compounds, and organic yellow compounds having a thiol group, but is not limited thereto.

前記光重合開始補助剤(e1)は、本発明の効果を損なわない範囲で適宜追加して用いてよい。 The photopolymerization initiator aid (e1) may be added as needed within the range that does not impair the effects of the present invention.

添加剤(F)
本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、前記した成分の他、添加剤を更に含んでよい。
Additive (F)
The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention may further contain additives in addition to the above-mentioned components.

前記添加剤は、酸化防止剤、光酸発生剤、熱酸発生剤、分散剤、充填剤、硬化剤、密着促進剤などであってよく、これらは、単独で又は2種以上組み合わせて用いてよい。
前記添加剤は、前記光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.05~10重量%、具体的に、0.1~10重量%、より具体的に、0.1~5重量%の範囲で用いてよいが、これに限定されるものではない。
The additives may be antioxidants, photoacid generators, thermal acid generators, dispersants, fillers, curing agents, adhesion promoters, etc., which may be used alone or in combination of two or more.
The additive may be used in a range of 0.05 to 10 wt %, specifically 0.1 to 10 wt %, and more specifically 0.1 to 5 wt %, relative to 100 wt % of the total weight of the light conversion ink composition, but is not limited thereto.

本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を実質的に含まず、含むとしても光変換インク組成物の全体100重量%に対し、1重量%以下の量で含む。本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、溶剤を含まない無溶剤型であるか、1重量%以下と極少量含む低溶剤型であるにも拘わらず、量子ドットの光特性及び分散性に優れ、且つ低粘度の具現が可能である。 The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention is substantially free of solvent, and if it does contain a solvent, it is contained in an amount of 1 wt% or less relative to 100 wt% of the total light conversion ink composition. The light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention is a solvent-free type that does not contain a solvent, or a low-solvent type that contains a very small amount of solvent, 1 wt% or less, yet it is possible to realize excellent optical properties and dispersibility of quantum dots and low viscosity.

また、本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、樹脂成分を実質的に含まず、含むとしても光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.5重量%以内で含む。本発明の一実施形態に係る光変換インク組成物は、樹脂成分を含まないことで低い粘度を具現することができ、インクのノズルジェッティング特性に優れる。 In addition, the light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention does not substantially contain a resin component, and even if it does contain a resin component, it contains less than 0.5% by weight based on 100% by weight of the total light conversion ink composition. Since the light conversion ink composition according to one embodiment of the present invention does not contain a resin component, it can realize low viscosity and has excellent nozzle jetting characteristics of the ink.

本発明の一実施形態は、上述した光変換インク組成物の硬化物を含む光変換画素に関する。 One embodiment of the present invention relates to a light conversion pixel that includes a cured product of the light conversion ink composition described above.

また、本発明の一実施形態は、上述した光変換画素を含むカラーフィルタに関する。 An embodiment of the present invention relates to a color filter including the above-mentioned light conversion pixel.

本発明に係る光変換インク組成物のパターン形成方法は、上述した光変換インク組成物をインクジェット方式で所定の領域に塗布するステップ、及び該塗布された光変換インク組成物を硬化させるステップを含んでなる。 The pattern forming method of the photoconversion ink composition according to the present invention comprises the steps of applying the above-mentioned photoconversion ink composition to a predetermined area by an inkjet method, and curing the applied photoconversion ink composition.

先ず、本発明に係る光変換インク組成物をインクジェット噴射機に注入して基板の所定の領域をプリントする。 First, the photoconversion ink composition of the present invention is injected into an inkjet printer to print a predetermined area of a substrate.

前記基板は制限されず、一例として、ガラス基板、シリコン基板、ポリカーボネート基板、ポリエステル基板、芳香族ポリアミド基板、ポリアミドイミド基板、ポリイミド基板、Al基板、GaAs基板などの表面が平坦な基板などが挙げられる。これらの基板は、シランカップリング剤などの薬品による薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング処理、スパッタリング処理、気相反応処理、真空蒸着処理などの前処理を施してよい。基板としてシリコン基板などを用いる場合、シリコン基板などの表面には、電荷結合素子(CCD)、薄膜トランジスター(TFT)などが設けられてよい。また、隔壁マトリックスが設けられてもよい。 The substrate is not limited, and examples include substrates with flat surfaces such as glass substrates, silicon substrates, polycarbonate substrates, polyester substrates, aromatic polyamide substrates, polyamideimide substrates, polyimide substrates, Al substrates, and GaAs substrates. These substrates may be pretreated with chemicals such as silane coupling agents, plasma treatments, ion plating treatments, sputtering treatments, gas phase reaction treatments, and vacuum deposition treatments. When a silicon substrate or the like is used as the substrate, a charge-coupled device (CCD), thin film transistor (TFT), or the like may be provided on the surface of the silicon substrate or the like. A partition matrix may also be provided.

インクジェット噴射機の一例であるピエゾインクジェットヘッドから噴射され基板上で適切な相(phase)を形成するために、粘度、流動性、量子ドット粒子などの特性がインクジェットヘッドと釣り合う必要がある。本発明で用いられたピエゾインクジェットヘッドは特に制限されないが、約10~100pL、好ましくは、約20~40pLの液滴大きさを有するインクを噴射する。 In order for ink to be sprayed from a piezoelectric inkjet head, which is an example of an inkjet sprayer, and to form an appropriate phase on a substrate, the properties of the viscosity, fluidity, quantum dot particles, etc. must be balanced with the inkjet head. The piezoelectric inkjet head used in the present invention sprays ink with a droplet size of about 10 to 100 pL, preferably about 20 to 40 pL, although there is no particular limitation.

本発明に係る光変換インク組成物の粘度は、約3~30cPが好適であり、より好ましくは、7~20cPの範囲で調節される。 The viscosity of the light conversion ink composition according to the present invention is preferably adjusted to about 3 to 30 cP, and more preferably to within the range of 7 to 20 cP.

本発明の一実施形態に係るカラーフィルタは、前記パターン形成方法によって形成される着色パターン層を含む。すなわち、カラーフィルタは、基板上に上述した光変換インク組成物を所定のパターンで塗布した後に硬化させて形成される着色パターン層を含むことを特徴とする。カラーフィルタの構成及び製造方法は、当該技術分野において周知であるので、その詳しい説明を省略する。 A color filter according to one embodiment of the present invention includes a colored pattern layer formed by the pattern forming method. That is, the color filter is characterized by including a colored pattern layer formed by applying the above-mentioned light conversion ink composition in a predetermined pattern on a substrate and then curing it. The configuration and manufacturing method of the color filter are well known in the art, so a detailed description thereof will be omitted.

本発明の一実施形態は、上述したカラーフィルタが備えられた画像表示装置に関する。
本発明に係るカラーフィルタは、通常の液晶表示装置(LCD)だけでなく、エレクトロルミネッセンス表示装置(EL)、プラズマ表示装置(PDP)、電界放出表示装置(FED)、有機発光素子(OLED)などの各種の画像表示装置に適用可能である。
One embodiment of the present invention relates to an image display device including the above-mentioned color filter.
The color filter according to the present invention can be applied to various image display devices, such as not only ordinary liquid crystal display devices (LCDs), but also electroluminescence display devices (ELs), plasma display devices (PDPs), field emission display devices (FEDs), and organic light emitting devices (OLEDs).

本発明に係る画像表示装置は、上述したカラーフィルタを備えたことを除いては、当該技術分野において周知の構成を含む。 The image display device according to the present invention includes a configuration that is well known in the art, except that it is equipped with the color filters described above.

以下、実施例、比較例及び実験例によって本発明をより具体的に説明することにする。なお、これらの実施例、比較例及び実験例は、単に本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明の範囲がこれらに限定されるものではないことは当業者にとって自明である。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, comparative examples, and experimental examples. Note that it will be obvious to those skilled in the art that these examples, comparative examples, and experimental examples are merely for the purpose of explaining the present invention, and that the scope of the present invention is not limited to these examples, comparative examples, and experimental examples.

合成例1:配位子置換量子ドット(A1)の合成
インジウムアセテート(Indium acetate)0.4mmol(0.058g)、パルミチン酸(palmitic acid)0.6mmol(0.15g)、及び1-オクタデセン(1-octadecene)20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。280℃で加熱した後、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)0.2mmol(58μl)及びトリオクチルホスフィン1.0mLの混合溶液を素早く注入し、1分間反応させた。
Synthesis Example 1: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A1) 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated at 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen. After heating at 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and reacted for 1 minute.

亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInPコア溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム(Se/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSeコア-シェルを形成させた。 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of selenium in trioctylphosphine (Se/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution, which was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInP/ZnSeコア-シェル溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄(S/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSe/ZnSコア-シェル構造の量子ドットを収得した後、クロロホルムに分散させた。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur in trioctylphosphine (S/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution that was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifuging was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots with an InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform.

得られたナノ量子ドットの光発光スペクトルの最大発光ピークは535nmであり、量子ドット溶液5mLを遠心分離チューブに入れ、エタノール20mLを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に2mLのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、0.50gの(2-ブトキシエトキシ)酢酸を入れ、窒素雰囲気下、60℃で加熱しながら一時間反応させた。 The maximum emission peak of the optical emission spectrum of the obtained nano quantum dots was 535 nm. 5 mL of the quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to cause precipitation. The upper layer was discarded by centrifugation, and 2 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots. After that, 0.50 g of (2-butoxyethoxy)acetic acid was added and reacted for one hour while heating at 60°C under a nitrogen atmosphere.

次いで、反応物に25mLのn-ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を施して沈殿物を得た。 Next, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate the quantum dots, and the mixture was then centrifuged to obtain a precipitate.

合成例2:配位子置換量子ドット(A2)の合成
インジウムアセテート(Indium acetate)0.4mmol(0.058g)、パルミチン酸(palmitic acid)0.6mmol(0.15g)、及び1-オクタデセン(1-octadecene)20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。280℃で加熱した後、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)0.2mmol(58μl)及びトリオクチルホスフィン1.0mLの混合溶液を素早く注入し、5分間の反応後、反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長560~590nmを示した。
Synthesis Example 2: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A2) 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated at 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen. After heating at 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected, and after 5 minutes of reaction, the reaction solution was quickly cooled to room temperature. The maximum absorption wavelength was 560-590 nm.

亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInPコア溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム(Se/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応後に常温に下げて、InP/ZnSeコア-シェルを形成させた。 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of selenium in trioctylphosphine (Se/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours before being cooled to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInP/ZnSeコア-シェル溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄(S/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSe/ZnSコア-シェル構造の量子ドットを収得した後にクロロホルムに分散させた。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur in trioctylphosphine (S/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution, which was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifuging was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots with an InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform.

得られたナノ量子ドットの光発光スペクトルの最大発光ピークは635nmであり、合成された量子ドット溶液5mLを遠心分離チューブに入れ、エタノール20mLを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に2mLのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、0.65gのカルボキシ-EG6-ウンデカンチオールを入れ、窒素雰囲気下、60℃で加熱しながら一時間反応させた。 The maximum emission peak of the optical emission spectrum of the obtained nano quantum dots was 635 nm. 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to cause precipitation. The upper layer was discarded by centrifugation, and 2 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots. 0.65 g of carboxy-EG6-undecanethiol was then added and reacted for one hour while heating at 60°C under a nitrogen atmosphere.

次いで、反応物に25mLのn-ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を実施して上層液は捨てて沈殿物を得た。 Next, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate the quantum dots, and then the mixture was centrifuged to discard the supernatant and obtain the precipitate.

合成例3:配位子置換量子ドット(A3)の合成
インジウムアセテート(Indium acetate)0.4mmol(0.058g)、パルミチン酸(palmitic acid)0.6mmol(0.15g)、及び1-オクタデセン(octadecene)20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
Synthesis Example 3: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A3) 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated at 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen.

280℃で加熱した後、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)0.2mmol(58μl)及びトリオクチルホスフィン1.0mLの混合溶液を素早く注入し、0.5分間反応させた。 After heating at 280°C, a mixture of 0.2 mmol (58 μl) of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and allowed to react for 0.5 minutes.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInPコア溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム(Se/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSeコア-シェルを形成させた。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of selenium in trioctylphosphine (Se/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution, which was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInP/ZnSeコア-シェル溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄(S/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSe/ZnSコア-シェル構造の量子ドットを収得した後にクロロホルムに分散させた。固形分は10%に調整した。最大発光波長は520nmであった。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur in trioctylphosphine (S/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution that was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifuging was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots with an InP/ZnSe/ZnS core-shell structure, which were then dispersed in chloroform. The solid content was adjusted to 10%. The maximum emission wavelength was 520 nm.

合成された量子ドット溶液5mLを遠心分離チューブに入れ、エタノール20mLを入れて沈澱させた。遠心分離によって上層液は捨て、沈殿物に3mLのクロロホルムを入れて量子ドットを分散させた後、1.00gの下記の化学式1-1で表されるmPEG5-SH(フューチャーケム社製)を入れ、窒素雰囲気下、60℃で加熱しながら一時間反応させた。 5 mL of the synthesized quantum dot solution was placed in a centrifuge tube, and 20 mL of ethanol was added to cause precipitation. The supernatant was discarded by centrifugation, and 3 mL of chloroform was added to the precipitate to disperse the quantum dots. 1.00 g of mPEG5-SH (FutureChem) represented by the following chemical formula 1-1 was then added and reacted for one hour while heating at 60°C under a nitrogen atmosphere.

次いで、反応物に25mLのn-ヘキサンを入れて量子ドットを沈澱させた後、遠心分離を実施して上層液は捨てて沈殿物を得た。 Next, 25 mL of n-hexane was added to the reaction mixture to precipitate the quantum dots, and the mixture was then centrifuged to discard the supernatant and obtain the precipitate.

合成例4:配位子置換量子ドット(A4)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式1-2で表されるmPEG7-SH(フューチャーケム社製)を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 4: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A4) Synthesis Example 3 was repeated, except that mPEG7-SH (FutureChem) represented by the following chemical formula 1-2 was used instead of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例5:配位子置換量子ドット(A5)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式1-3で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 5: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A5) Synthesis Example 5 was carried out in the same manner as Synthesis Example 3, except that the compound represented by the following Chemical Formula 1-3 was used instead of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例6:配位子置換量子ドット(A6)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式1-4で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 6: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A6) The same procedure as in Synthesis Example 3 was repeated, except that the ligand used in Synthesis Example 3 was replaced with a compound represented by the following formula 1-4.

合成例7:配位子置換量子ドット(A7)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式1-5で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 7: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A7) Synthesis Example 7 was carried out in the same manner as Synthesis Example 3, except that the ligand used in Synthesis Example 3 was replaced with a compound represented by the following Chemical Formula 1-5.

合成例8:配位子置換量子ドット(A8)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式1-6で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 8: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A8) The same procedure as in Synthesis Example 3 was repeated, except that the ligand used in Synthesis Example 3 was replaced with a compound represented by the following formula 1-6.

合成例9:配位子置換量子ドット(A9)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-7で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 9: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A9) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Formula 1-7 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例10:配位子置換量子ドット(A10)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-8で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 10: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A10) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Formula 1-8 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例11:配位子置換量子ドット(A11)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-9で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 11: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A11) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-9 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例12:配位子置換量子ドット(A12)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-10で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 12: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A12) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-10 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例13:配位子置換量子ドット(A13)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-11で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 13: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A13) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-11 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例14:配位子置換量子ドット(A14)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-12で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 14: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A14) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-12 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例15:配位子置換量子ドット(A15)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-13で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 15: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A15) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-13 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例16:配位子置換量子ドット(A16)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-14で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 16: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A16) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-14 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例17:配位子置換量子ドット(A17)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-15で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 17: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A17) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-15 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例18:配位子置換量子ドット(A18)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-16で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 18: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A18) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-16 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例19:配位子置換量子ドット(A19)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-17で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 19: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A19) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-17 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例20:配位子置換量子ドット(A20)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-18で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 20: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A20) The same procedure as in Synthesis Example 3 was repeated, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-18 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例21:配位子置換量子ドット(A21)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-19で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 21: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A21) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-19 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例22:配位子置換量子ドット(A22)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-20で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 22: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A22) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following Chemical Formula 1-20 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例23:配位子置換量子ドット(A23)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-21で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 23: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A23) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-21 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例24:配位子置換量子ドット(A24)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-22で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 24: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A24) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-22 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例25:配位子置換量子ドット(A25)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-23で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 25: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A25) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-23 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例26:配位子置換量子ドット(A26)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-24で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 26: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A26) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-24 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

合成例27:配位子置換量子ドット(A27)の合成
合成例3で用いた1.00gの配位子の代わりに、3.00gの下記の化学式1-25で表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
Synthesis Example 27: Synthesis of ligand-substituted quantum dots (A27) The same procedure as in Synthesis Example 3 was carried out, except that 3.00 g of a compound represented by the following formula 1-25 was used instead of 1.00 g of the ligand used in Synthesis Example 3.

比較合成例1:配位子置換量子ドット(A28)の合成
インジウムアセテート(Indium acetate)0.4mmol(0.058g)、パルミチン酸(palmitic acid)0.6mmol(0.15g)、及び1-オクタデセン(1-octadecene)20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。280℃で加熱した後、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)0.2mmol(58μl)及びトリオクチルホスフィン1.0mLの混合溶液を素早く注入し、5分間の反応後に反応溶液を常温に素早く冷却させた。吸収最大波長560~590nmを示した。
Comparative Synthesis Example 1: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A28) 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated at 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen. After heating at 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected, and after 5 minutes of reaction, the reaction solution was quickly cooled to room temperature. The maximum absorption wavelength was 560-590 nm.

亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInPコア溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム(Se/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応後に常温に下げて、InP/ZnSeコア-シェルを形成させた。 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of selenium in trioctylphosphine (Se/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours before being cooled to room temperature to form an InP/ZnSe core-shell.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInP/ZnSeコア-シェル溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄(S/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSe/ZnSコア-シェル構造の量子ドットを得た。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur in trioctylphosphine (S/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution that was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifuging was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots with an InP/ZnSe/ZnS core-shell structure.

比較合成例2:配位子置換量子ドット(A29)の合成
インジウムアセテート(Indium acetate)0.4mmol(0.058g)、パルミチン酸(palmitic acid)0.6mmol(0.15g)、及び1-オクタデセン(octadecene)20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換した。
280℃で加熱した後、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)0.2mmol(58μl)及びトリオクチルホスフィン1.0mLの混合溶液を素早く注入し、0.5分間反応させた。
Comparative Synthesis Example 2: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A29) 0.4 mmol (0.058 g) of indium acetate, 0.6 mmol (0.15 g) of palmitic acid, and 20 mL of 1-octadecene were placed in a reactor and heated at 120° C. under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen.
After heating at 280° C., a mixed solution of 0.2 mmol (58 μl) of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and 1.0 mL of trioctylphosphine was quickly injected and reacted for 0.5 minutes.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInPコア溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中のセレニウム(Se/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSeコア-シェルを形成させた。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP core solution was added, followed by 4.8 mmol of selenium in trioctylphosphine (Se/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution, which was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifugation was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to form an InP/ZnSe core-shell.

次いで、亜鉛アセテート2.4mmol(0.448g)、オレイン酸4.8mmol、及びトリオクチルアミン20mLを反応器に入れ、真空下、120℃で加熱した。1時間後に反応器内の雰囲気を窒素に置換し、反応器を280℃に昇温させた。先に合成したInP/ZnSeコア-シェル溶液2mLを入れ、次いで、トリオクチルホスフィン中の硫黄(S/TOP)4.8mmolを入れた後、最終混合物を2時間反応させた。常温に素早く冷却させた反応溶液にエタノールを入れ、遠心分離して得た沈澱を減圧ろ過後に減圧乾燥して、InP/ZnSe/ZnSコア-シェル構造の量子ドットを得た。 Next, 2.4 mmol (0.448 g) of zinc acetate, 4.8 mmol of oleic acid, and 20 mL of trioctylamine were placed in a reactor and heated to 120°C under vacuum. After 1 hour, the atmosphere in the reactor was replaced with nitrogen, and the reactor was heated to 280°C. 2 mL of the previously synthesized InP/ZnSe core-shell solution was added, followed by 4.8 mmol of sulfur in trioctylphosphine (S/TOP), and the final mixture was reacted for 2 hours. Ethanol was added to the reaction solution that was quickly cooled to room temperature, and the precipitate obtained by centrifuging was filtered under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain quantum dots with an InP/ZnSe/ZnS core-shell structure.

比較合成例3:配位子置換量子ドット(A30)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式aで表される化合物(1-ドデカンチオール)を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
〔化学式a〕
CH(CH10CHSH 。
Comparative Synthesis Example 3: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A30) The same procedure as in Synthesis Example 3 was repeated, except that the ligand used in Synthesis Example 3 was replaced with a compound represented by the following formula a (1-dodecanethiol).
[Chemical formula a]
CH3 ( CH2 ) 10CH2SH .

比較合成例4:配位子置換量子ドット(A31)の合成
合成例3で用いた配位子の代わりに、下記の化学式bで表される化合物を用いたことを除いては、合成例3と同様に実施した。
〔化学式b〕
NCH(CHCHNH
Comparative Synthesis Example 4: Synthesis of Ligand-Substituted Quantum Dots (A31) The same procedure as in Synthesis Example 3 was repeated, except that the ligand used in Synthesis Example 3 was replaced with a compound represented by the following formula b.
[Chemical Formula b]
H2NCH2 ( CH2 ) 9CH2NH2 .

製造例1:散乱粒子分散液(C1)の製造
散乱粒子として粒径210nmのTiO2(石原産業社製のCR-63)70.0重量部、分散剤としてDISPERBYK-2001(BYK社製)4.0重量部、及び溶媒として1,6-ヘキサンジオールジアクリレート26重量部をビーズミルにて12時間混合及び分散して、散乱粒子分散液(C1)を製造した。
Production Example 1: Production of scattering particle dispersion liquid (C1) 70.0 parts by weight of TiO2 (CR-63 manufactured by Ishihara Sangyo Kaisha) having a particle size of 210 nm as scattering particles, 4.0 parts by weight of DISPERBYK-2001 (manufactured by BYK Corporation) as a dispersant, and 26 parts by weight of 1,6-hexanediol diacrylate as a solvent were mixed and dispersed in a bead mill for 12 hours to produce a scattering particle dispersion liquid (C1).

実施例及び比較例:光変換インク組成物の製造
下記の表1~表4の組成でそれぞれの成分を混合して光変換インク組成物を製造した(重量%)。
Examples and Comparative Examples: Preparation of Light-Converting Ink Compositions Light-converting ink compositions were prepared by mixing the components according to the compositions in Tables 1 to 4 below (wt %).

A1~A31:合成例1~27及び比較合成例1~4で製造された量子ドット
B1:1,6-ヘキサンジオールジアクリレート(シグマアルドリッチ社製)
C1:反応性シリコン系界面活性剤 BYK-UV3570(BYK社製)
C2:反応性シリコン系界面活性剤 BYK-UV3530(BYK社製)
C3:フルオロ系界面活性剤 F-554(大日本インキ化学工業社製)
C4:非反応性シリコン系界面活性剤 SH8400(東レシリコーン社製)
D1:製造例1で製造された散乱粒子分散液
E1:Irgacure OXE-01(BASF社製)
F1:Sumilizer GP(住友化学社製)。
A1 to A31: Quantum dots produced in Synthesis Examples 1 to 27 and Comparative Synthesis Examples 1 to 4 B1: 1,6-hexanediol diacrylate (Sigma-Aldrich)
C1: Reactive silicone surfactant BYK-UV3570 (manufactured by BYK)
C2: Reactive silicone surfactant BYK-UV3530 (manufactured by BYK)
C3: Fluorosurfactant F-554 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.)
C4: Non-reactive silicone surfactant SH8400 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.)
D1: Scattering particle dispersion liquid produced in Production Example 1 E1: Irgacure OXE-01 (manufactured by BASF)
F1: Sumilizer GP (Sumitomo Chemical Co., Ltd.).

実験例:
前記実施例及び比較例で製造された光変換インク組成物を用いて下記のように光変換コーティング層を製造し、このときの膜厚、輝度、分散性、及び粘度を下記のような方法にて測定し、その結果を下記の表5~6に表した。
Experimental example:
A light conversion coating layer was prepared using the light conversion ink compositions prepared in the above examples and comparative examples as described below, and the film thickness, brightness, dispersibility, and viscosity were measured as described below. The results are shown in Tables 5 to 6 below.

<光変換コーティング層の製造>
実施例及び比較例で製造されたそれぞれの光変換インク組成物をインクジェット方式で5cm×5cmガラス基板の上に塗布した後、紫外線光源としてg、h、i線をいずれも含有する1kWの高圧水銀灯を用いて1000mJ/cmで照射後、180℃の加熱オーブンで30分間加熱して、光変換コーティング層を製造した。
<Production of light conversion coating layer>
Each of the light conversion ink compositions prepared in the examples and comparative examples was applied onto a 5 cm x 5 cm glass substrate by the inkjet method, and then irradiated with 1000 mJ/ cm2 using a 1 kW high pressure mercury lamp containing g, h, and i rays as an ultraviolet light source, and then heated in a heating oven at 180°C for 30 minutes to prepare a light conversion coating layer.

(1)膜厚
前記で製造された光変換コーティング層の膜厚を、膜厚測定器(Dektak 6M、Vecco社製)を用いて測定した。
(1) Film Thickness The film thickness of the light conversion coating layer produced above was measured using a film thickness measuring device (Dektak 6M, manufactured by Vecco).

(2)輝度
前記で製造された光変換コーティング層を青色(blue)光源(XLamp XR-E LED、Royal blue 450、Cree社製)の上に位置させた後、輝度測定器(CAS140CT Spectrometer、Instrument systems社製)を用いて、青色光の照射時の輝度を測定した。
(2) Brightness The prepared light conversion coating layer was placed on a blue light source (XLamp XR-E LED, Royal blue 450, manufactured by Cree), and the brightness when irradiated with blue light was measured using a brightness measuring device (CAS140CT Spectrometer, manufactured by Instrument Systems).

(3)分散性
前記光変換インク組成物の製造過程で、散乱粒子を投入する前の液状試料を目視にて確認して、下記の評価基準に従い評価した。
<評価基準>
○:透明な状態
×:混濁している状態。
(3) Dispersibility In the process of producing the light-converting ink composition, a liquid sample before adding the scattering particles was visually observed and evaluated according to the following evaluation criteria.
<Evaluation criteria>
○: Transparent state ×: Cloudy state

(4)密着性
前記で製造された光変換コーティング層の密着性はTQC社製のCross Cut Adhesion Test CC1000を用いて評価した。前記光変換コーティング層の表面に1mmの間隔で横方向、縦方向にそれぞれ11列の線を引いて全100個の格子が生じるようにカッティングを行い、TQC社製のテープ(tape)を用いてカッティングした表面の密着性を評価した。このとき、密着性は下記の評価基準に従い評価した。
<評価基準>
○:90個以上のパターンを維持
△:60~89個のパターンを維持
×:59個以下のパターンを維持
(4) Adhesion The adhesion of the light conversion coating layer prepared above was evaluated using a Cross Cut Adhesion Test CC1000 manufactured by TQC. The surface of the light conversion coating layer was cut by drawing 11 lines in the horizontal and vertical directions at intervals of 1 mm to generate a total of 100 lattices, and the adhesion of the cut surface was evaluated using a tape manufactured by TQC. At this time, the adhesion was evaluated according to the following evaluation criteria.
<Evaluation criteria>
○: Maintains 90 or more patterns △: Maintains 60 to 89 patterns ×: Maintains 59 or less patterns

前記表5~表6に表したように、本発明に係るポリエチレングリコール系配位子を有する量子ドットと、界面活性剤として反応性シリコン系界面活性剤を含む、実施例1~30の光変換インク組成物は、溶剤を実質的に含まなくても分散性に優れ且つ量子ドットの光特性に優れる10μmの厚膜を形成することができると共に塗膜の密着性が向上することを確認した。これに対し、本発明に係るポリエチレングリコール系配位子を有さない量子ドットを含む比較例1~2及び13~14と、界面活性剤として反応性シリコン系界面活性剤を含まない比較例3~12の光変換インク組成物は、分散性、輝度、及び密着性を同時に確保し難いことを確認することができた。 As shown in Tables 5 and 6, it was confirmed that the light conversion ink compositions of Examples 1 to 30, which contain quantum dots having the polyethylene glycol-based ligands according to the present invention and a reactive silicone-based surfactant as a surfactant, can form a 10 μm thick film that has excellent dispersibility and excellent optical properties of the quantum dots even without substantially containing a solvent, and that the adhesion of the coating film is improved. In contrast, it was confirmed that the light conversion ink compositions of Comparative Examples 1 to 2 and 13 to 14, which contain quantum dots not having the polyethylene glycol-based ligands according to the present invention, and Comparative Examples 3 to 12, which do not contain a reactive silicone-based surfactant as a surfactant, are difficult to ensure dispersibility, brightness, and adhesion at the same time.

以上、本発明の特定の部分について詳しく記述したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、このような具体的な記述は単に好適な具現例であるに過ぎず、これらによって本発明の範囲が制限されるものではないことは明らかである。本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、前記内容を基に本発明の範疇内で種々の応用および変形を行うことが可能であろう。 Although specific aspects of the present invention have been described in detail above, it will be clear to anyone with ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains that these specific descriptions are merely preferred examples and do not limit the scope of the present invention. Anyone with ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains will be able to make various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above content.

したがって、本発明の実質的な範囲は、特許請求の範囲とその等価物によって定義されると言えよう。 Therefore, the true scope of the present invention is defined by the claims and their equivalents.

Claims (9)

量子ドット、硬化性モノマー、及び界面活性剤を含む光変換インク組成物であって
前記量子ドットは、表面上に下記の化学式1a~1eで表される化合物のうちの一つ以上を含む配位子層を有するものであり、
前記界面活性剤は、反応性シリコン系界面活性剤を含み、
前記光変換インク組成物の全体100重量%に対し、1重量%以下の量で溶剤を含む、光変換インク組成物:

前記式中、
R’及びR’’は、それぞれ独立して、水素原子;カルボキシル基;フェニル基;又はチオール基で置換若しくは非置換のC~C20のアルキル基であり、
R’とR”とは、同時に水素原子;フェニル基;又は非置換のC~C20のアルキル基ではなく、
、R、及びRは、それぞれ独立して、C~C22のアルキル基又はC~C22のアルケニル基であり、
は、C~C22のアルキレン基、C~Cのシクロアルキレン基又はC~C14のアリーレン基であり、
A及びBは、それぞれ独立して、存在しないか、又はC~C22のアルキレン基、O、NR又はSであり、
Rは、水素又はC~C22のアルキル基であり、
Xは、カルボキシル基、リン酸基、チオール基、アミン基、テトラゾール基、イミダゾール基、ピリジン基又はリポアミド基であり、
nは、1~20の整数であり、
p、q、t、及びuは、それぞれ独立して、1~100の整数であり、
rは、1~10の整数である。
A light conversion ink composition comprising quantum dots, a curable monomer, and a surfactant,
The quantum dot has a ligand layer on its surface, the ligand layer including one or more of the compounds represented by the following chemical formulas 1a to 1e:
The surfactant comprises a reactive silicone surfactant;
A light conversion ink composition comprising a solvent in an amount of 1% by weight or less relative to 100% by weight of the total of the light conversion ink composition:

In the above formula,
R' and R'' are each independently a hydrogen atom; a carboxyl group; a phenyl group; or a C1 - C20 alkyl group unsubstituted or substituted with a thiol group;
R′ and R″ are not simultaneously a hydrogen atom; a phenyl group; or an unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group;
R a , R b , and R c are each independently a C 1 to C 22 alkyl group or a C 4 to C 22 alkenyl group;
R d is a C 1 -C 22 alkylene group, a C 3 -C 8 cycloalkylene group, or a C 6 -C 14 arylene group;
A and B are each independently absent, a C 1 -C 22 alkylene group, O, NR, or S;
R is hydrogen or a C1 - C22 alkyl group;
X is a carboxyl group, a phosphate group, a thiol group, an amine group, a tetrazole group, an imidazole group, a pyridine group, or a lipoamide group;
n is an integer from 1 to 20,
p, q, t, and u are each independently an integer from 1 to 100;
and r is an integer from 1 to 10.
前記反応性シリコン系界面活性剤は、末端にアクリレート基を有するシリコン系界面活性剤である、請求項1に記載の光変換インク組成物。 The light conversion ink composition according to claim 1, wherein the reactive silicone surfactant is a silicone surfactant having an acrylate group at the end. 前記反応性シリコン系界面活性剤は、下記の化学式2~3で表される化合物のうちの一つ以上を含む、請求項1に記載の光変換インク組成物:

前記式中、
及びRは、それぞれ独立して、

であり、
は、

であり、
Lは、ウレタン基を有する2~3価連結基であり、
Y及びZは、それぞれ独立して、エステル基又はC~Cのオキシアルキレン基であり、
及びRは、それぞれ独立して、水素又はメチル基であり、
gは、0~1の整数であり、
hは、1~2の整数であり、
k、l、m、i、及びjは、それぞれ独立して、1~20の整数である。
The light conversion ink composition according to claim 1, wherein the reactive silicone surfactant comprises one or more of the compounds represented by the following chemical formulas 2 to 3:

In the above formula,
R 1 and R 2 are each independently

and
R3 is

and
L is a divalent or trivalent linking group having a urethane group,
Y and Z are each independently an ester group or a C 1 -C 6 oxyalkylene group;
R4 and R5 are each independently a hydrogen atom or a methyl group;
g is an integer from 0 to 1;
h is an integer from 1 to 2,
k, l, m, i, and j are each independently an integer from 1 to 20.
前記界面活性剤は、光変換インク組成物の全体100重量%に対し、0.005~2重量%の量で含まれる、請求項1に記載の光変換インク組成物。 The light conversion ink composition according to claim 1, wherein the surfactant is contained in an amount of 0.005 to 2% by weight relative to 100% by weight of the total light conversion ink composition. 前記反応性シリコン系界面活性剤は、界面活性剤の全体100重量%に対し、20重量%以上の量で含まれる、請求項1に記載の光変換インク組成物。 The light conversion ink composition according to claim 1, wherein the reactive silicone surfactant is contained in an amount of 20% by weight or more relative to 100% by weight of the total surfactant. 散乱粒子、光重合開始剤、及び酸化防止剤からなる群より選ばれる一つ以上を更に含む、請求項1に記載の光変換インク組成物。 The light conversion ink composition according to claim 1, further comprising one or more selected from the group consisting of scattering particles, photopolymerization initiators, and antioxidants. 請求項1~のいずれか一項に記載の光変換インク組成物の硬化物を含む、光変換画素。 A light conversion pixel comprising a cured product of the light conversion ink composition according to any one of claims 1 to 6 . 請求項に記載の光変換画素を含むカラーフィルタ。 A color filter comprising the light conversion pixel of claim 7 . 請求項に記載のカラーフィルタが備えられたことを特徴とする画像表示装置。
An image display device comprising the color filter according to claim 8 .
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