JP7484670B2 - ブラシレスモータ - Google Patents

Description

本発明は、ブラシレスモータに関する。

一般に、ブラシレスモータは、外部に流出する電磁ノイズが少ないことが要求される。そこで、外部への電磁ノイズの流出を抑制する構造を備えたブラシレスモータが提案されている。

例えば、特許文献１に記載のブラシレスモータは、ステータから発生する電磁ノイズが外部に流出することを抑制するために、ロータハウジング、シャフト、ベアリング、ベアリングホルダ部、及び、導電部からなる第一アース経路と、ロータハウジング、シャフト、ベアリング、及び、導電部からなる第二アース経路とを有する。

このブラシレスモータによれば、ステータから電磁ノイズが発生した場合でも、ロータ及びシャフトに誘起される電位を回路基板のグラウンド部に効率的に誘導することができるので、ブラシレスモータのＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）性能を向上させることができる。

特許６６４８６１９号公報

一般に、ブラシレスモータの回路基板には、ステータを駆動させるスイッチング素子が実装されている。このスイッチング素子は、切替動作時に電磁ノイズを発生することが知られている。したがって、ブラシレスモータのＥＭＣ性能を向上させるためには、スイッチング素子から発生した電磁ノイズがブラシレスモータの外部へ流出することを抑制することが望まれる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、スイッチング素子から発生した電磁ノイズがブラシレスモータの外部へ流出することを抑制することができるブラシレスモータを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るブラシレスモータは、電磁ノイズを低減するノイズ低減構造を備えるブラシレスモータであって、前記ノイズ低減構造は、第一面にスイッチング素子及び電解コンデンサが実装された回路基板と、前記回路基板における前記第一面と反対側の第二面と対向する導電部材と、前記回路基板に形成された導電パターンであって前記電解コンデンサのカソード端子と接続された導電パターンと前記導電部材とを接続する導電接続部と、前記回路基板と前記導電部材とに接触した状態で前記回路基板と前記導電部材との間に介在され、かつ、前記スイッチング素子と静電結合される位置に配置された誘電体と、を有する。

このブラシレスモータによれば、スイッチング素子から発生した電磁ノイズがブラシレスモータの外部へ流出することを抑制することができる。

本発明の一実施形態に係るブラシレスモータの縦断面図である。 図１に示されるブラシレスモータのノイズ低減構造を模式的に示す断面図である。 図１に示される回路基板を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。 図１に示されるセンターピースの板状部を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。 図１に示されるブラシレスモータの等価回路図である。 図２に示されるノイズ低減構造の変形例を示す図である。 図６に示される変形例におけるセンターピースの板状部を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るブラシレスモータ１０の縦断面図である。図１に示されるように、本発明の一実施形態に係るブラシレスモータ１０は、ロータ１２と、ステータ１４と、シャフト１６と、センターピース１８と、回路基板２０と、基板ケース２２と、コネクタ部材２４とを備える。

矢印Ａ１は、ブラシレスモータ１０の軸方向一方側を示し、矢印Ａ２は、ブラシレスモータ１０の軸方向他方側を示している。後述するロータ１２及びステータ１４の軸方向は、ブラシレスモータ１０の軸方向と一致する。

ロータ１２は、ロータハウジング２６と、ロータマグネット２８とを有する。ロータハウジング２６は、有天円筒状に形成されており、ロータハウジング２６の天壁部の中央部には、筒状の軸受収容部３０（内筒部）が形成されている。軸受収容部３０は、ロータハウジング２６の外筒部の径方向内側に位置する。この軸受収容部３０には、一対の軸受３２が収容されており、ロータ１２は、一対の軸受３２を介してシャフト１６に回転可能に支持されている。

ロータマグネット２８は、ロータハウジング２６の外筒部の内周面に固定されている。このロータハウジング２６は、ロータ１２の周方向に沿って環状に設けられており、ロータ１２の周方向にＮ極とＳ極とを交互に有する構成とされている。ブラシレスモータ１０は、いわゆるアウタロータ型とされており、ロータマグネット２８は、後述するステータ１４の径方向外側にステータ１４と対向して配置されている。

ステータ１４は、ロータハウジング２６の内側に収容されている。ステータ１４は、全体として円環状に形成されており、シャフト１６と同軸に配置されている。ステータ１４の内側には、上述の軸受収容部３０及びシャフト１６が配置されている。

ステータ１４は、ステータコア３４と、インシュレータ３６と、複数の巻線３８を有している。ステータコア３４には、シャフト１６を中心にして放射状に延びる複数のティース４０が形成されており、複数の巻線３８は、インシュレータ３６を介して複数のティース４０に巻回されている。

センターピース１８は、例えば鉄やアルミニウム等の金属製とされている。このセンターピース１８は、板状部４２を有する。板状部４２は、ロータ１２及びステータ１４の軸方向他方側に配置されており、ロータハウジング２６の開口４４と対向している。板状部４２には、ステータ１４がネジ止め等により固定されており、これにより、ステータ１４は、板状部４２に保持されている。

板状部４２の中央部には、シャフト支持部４６が形成されている。シャフト支持部４６は、ステータ１４側に開口する凹状に形成されている。シャフト支持部４６には、シャフト１６が挿入された状態で固定されており、これにより、シャフト１６は、シャフト支持部４６に支持されている。

回路基板２０は、ステータ１４を駆動する制御回路４８を有する。制御回路４８は、後述する複数のスイッチング素子５０や複数の電解コンデンサ５２等の電気部品を含む。図１には、複数のスイッチング素子５０のうちの一部が示されている。また、図１には、複数の電解コンデンサ５２のうちの一つが示されている。

回路基板２０は、板状部４２に対するロータ１２と反対側に板状部４２と対向して配置されている。この回路基板２０は、板状部４２に沿って設けられている。回路基板２０は、ネジ５４等によって板状部４２に固定されている。

基板ケース２２は、例えば鉄やアルミニウム等の金属製とされている。基板ケース２２は、ロータ１２と反対側から板状部４２に固定されている。この基板ケース２２の内側には、回路基板２０が収容されている。

コネクタ部材２４は、コネクタケース５６と、コネクタ端子５８とを有する。コネクタケース５６は、樹脂製とされており、ネジ止め等により板状部４２に固定されている。コネクタ端子５８は、コネクタケース５６の内部に設けられている。このコネクタ端子５８は、回路基板２０に形成された制御回路４８と電気的に接続されている。

このブラシレスモータ１０では、複数のスイッチング素子５０の切替動作により複数の巻線３８に流れる電流が切り替えられ、ステータ１４が回転磁界を形成する。ステータ１４が回転磁界を形成すると、ステータ１４とロータマグネット２８との間に吸引力及び反発力が発生し、これにより、ロータ１２が回転する。

ところで、複数のスイッチング素子５０は、切替動作時に電磁ノイズを発生する。したがって、ブラシレスモータ１０のＥＭＣ性能を向上させるためには、複数のスイッチング素子５０から発生した電磁ノイズがブラシレスモータ１０の外部へ流出することを抑制することが望まれる。そこで、ブラシレスモータ１０は、電磁ノイズを低減するノイズ低減構造６０を備える。

図２は、図１に示されるブラシレスモータ１０のノイズ低減構造６０を模式的に示す断面図である。図２に示されるように、ノイズ低減構造６０は、上述の回路基板２０及び板状部４２に加えて、導電接続部６２と、第一シリコーンゲル６４と、第二シリコーンゲル６６とを有する。

板状部４２は、「導電部材」の一例であり、第一シリコーンゲル６４は、「誘電体」及び「第一誘電体」の一例であり、第二シリコーンゲル６６は、「第二誘電体」の一例である。

回路基板２０は、第一面２０Ａ及び第二面２０Ｂを有する。第一面２０Ａは、回路基板２０の板厚方向一方側の面であって、板状部４２と反対側に位置する面である。第二面２０Ｂは、回路基板２０の板厚方向他方側の面であって、板状部４２の側に位置する面である。

第一面２０Ａには、複数のスイッチング素子５０及び複数の電解コンデンサ５２等の電気部品が実装されている。図２には、複数のスイッチング素子５０のうちの一つが示されている。同様に、図２には、複数の電解コンデンサ５２のうちの一つが示されている。

複数の電解コンデンサ５２は、それぞれアノード端子５２Ａ及びカソード端子５２Ｂを有する。回路基板２０の第一面２０Ａには、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと接続された導電パターン６８が形成されている。図１では、導電パターン６８が想像線（二点鎖線）で示されている。

板状部４２は、回路基板２０の第二面２０Ｂと対向している。板状部４２には、回路基板２０の側に突出するボス部７０が形成されている。ボス部７０は、ネジ穴７２を有する。ネジ穴７２は、ボス部７０の軸方向に沿って形成されており、回路基板２０の側に開口している。

導電接続部６２は、上述のネジ５４と、スルーホール７４とを有する。ネジ５４及びスルーホール７４は、いずれも金属製とされており、導電性を有している。スルーホール７４は、回路基板２０に形成されており、回路基板２０の板厚方向に貫通している。

スルーホール７４の内周面と、スルーホール７４の軸方向両側の開口周辺部とは、メッキ層によって形成されており、互いに電気的に接続されている。このスルーホール７４は、ボス部７０と同軸上に位置する。スルーホール７４の内側には、ネジ５４が挿入されており、ネジ５４の先端部は、ボス部７０のネジ穴７２に螺入されている。

このスルーホール７４とネジ５４とを有する導電接続部６２により、上述の導電パターン６８と板状部４２とが電気的に接続されている。すなわち、導電パターン６８は、スルーホール７４の軸方向一方側の開口周辺部と繋がっており、スルーホール７４の軸方向他方側の開口周辺部は、ボス部７０の天面と接触している。また、ネジ５４の頭部は、スルーホール７４の軸方向一方側の開口周辺部と接触しており、ネジ５４の先端部は、ネジ穴７２の内周面と接触している。

なお、回路基板２０には、複数の信号線７６が接続される。この複数の信号線７６は、上述のコネクタ部材２４のコネクタ端子５８（図１参照）を介して回路基板２０の導電パターン６８に接続される。

第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６は、それぞれシリコーンゲルによって形成されている。第一シリコーンゲル６４は、回路基板２０と板状部４２とに接触した状態で回路基板２０と板状部４２との間に介在されている。同様に、第二シリコーンゲル６６は、回路基板２０と板状部４２とに接触した状態で回路基板２０と板状部４２との間に介在されている。

後述するように、第一シリコーンゲル６４は、複数のスイッチング素子５０の各々と対応する位置に配置されており、第二シリコーンゲル６６は、複数の電解コンデンサ５２の各々と対応する位置に配置されている。

図３は、図１に示される回路基板２０を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。図３に示されるように、回路基板２０の第一面２０Ａには、複数のスイッチング素子５０及び複数の電解コンデンサ５２が分布して配置されている。

以降、複数のスイッチング素子５０を区別する場合には、複数のスイッチング素子５０をそれぞれスイッチング素子５０－１～６と称する。複数の電解コンデンサ５２は、それぞれアノード端子５２Ａ及びカソード端子５２Ｂを有する。

図４は、図１に示されるセンターピース１８の板状部４２を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。図４には、板状部４２における回路基板２０側の面に、第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６が塗布された状態が示されている。

また、図４には、板状部４２に回路基板２０が組み付けられた場合の回路基板２０、複数のスイッチング素子５０及び複数の電解コンデンサ５２が想像線（二点鎖線）で示されている。

板状部４２における回路基板２０側の面に第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６が塗布された状態から回路基板２０が板状部４２に組み付けられることにより、第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６は、回路基板２０と板状部４２とに接触した状態で回路基板２０と板状部４２との間に介在される。

一例として、ノイズ低減構造６０は、複数のスイッチング素子５０の分布に対応して三か所に配置された第一シリコーンゲル６４を有する。以降、この三カ所に配置された第一シリコーンゲル６４を区別する場合には、三カ所に配置された第一シリコーンゲル６４をそれぞれ第一シリコーンゲル６４－１～３と称する。

第一シリコーンゲル６４－１及び第一シリコーンゲル６４－２は、第二シリコーンゲル６６と一体に形成されている。一例として、第一シリコーンゲル６４－１は、第二シリコーンゲル６６の一端と連続して形成されており、第一シリコーンゲル６４－２は、第二シリコーンゲル６６の他端と連続して形成されている。

第一シリコーンゲル６４－１、２及び第二シリコーンゲル６６は、いずれも線状に形成されている。第一シリコーンゲル６４－３は、第一シリコーンゲル６４－１、２及び第二シリコーンゲル６６とは独立しており、線状に形成されている。

第一シリコーンゲル６４－１は、複数のスイッチング素子５０－１、２の各々と静電結合される位置に配置されている。具体的には、第一シリコーンゲル６４－１は、その一部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０－１、２の各々と重なる位置に配置されている。回路基板２０の平面視とは、図１の矢印Ａ２側から回路基板２０を見ることに相当する。

第一シリコーンゲル６４－２は、複数のスイッチング素子５０－３～５の各々と静電結合される位置に配置されている。具体的には、第一シリコーンゲル６４－２は、その一部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０－３～５の各々と重なる位置に配置されている。

第一シリコーンゲル６４－３は、複数のスイッチング素子５０－６と静電結合される位置に配置されている。具体的には、第一シリコーンゲル６４－３は、その一部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０－６と重なる位置に配置されている。

一例として、第一シリコーンゲル６４－１～３は、それぞれ複数のスイッチング素子５０－１～６の各々の一部と重なる位置に配置されているが、第一シリコーンゲル６４－１～３は、それぞれ複数のスイッチング素子５０－１～６の各々の全部と重なる位置に配置されていてもよい。

第二シリコーンゲル６６は、複数の電解コンデンサ５２の各々と静電結合される位置に配置されている。具体的には、第二シリコーンゲル６６は、その一部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂの各々と重なり、その全部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａと重ならない位置に配置されている。

一例として、複数の電解コンデンサ５２は、一列に並んでおり、互いに同じ向きで配置されている。複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂは、複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａに対して複数のスイッチング素子５０と反対側に位置する。

つまり、回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａを通る仮想線Ｌ１を設定した場合に、仮想線Ｌ１の一方側Ｂ１には、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂが位置し、仮想線Ｌ１の他方側Ｂ２には、複数のスイッチング素子５０が位置する。

回路基板２０は、一例として、複数のネジ５４によって板状部４２に固定される。以降、複数のネジ５４を区別する場合には、複数のネジ５４をそれぞれネジ５４－１～３と称する。

ネジ５４－１～３のうちネジ５４－１、２は、上述の導電接続部６２を形成しており、このネジ５４－１、２は、図示しない導電パターン（図２に示される導電パターン６８に相当）によって複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと接続されている。以降、このネジ５４－１、２に対応する導電接続部６２を導電接続部６２－１、２と称する場合がある。

上述の第二シリコーンゲル６６は、第一シリコーンゲル６４－１～３と導電接続部６２－１、２との間に配置されている。つまり、回路基板２０の平面視で、線状に延びる第二シリコーンゲル６６の一方側Ｂ１には、導電接続部６２－１、２が位置し、第二シリコーンゲル６６の他方側Ｂ２には、第一シリコーンゲル６４－１～３が位置する。

図２に示されるように、ノイズ低減構造６０は、上記構成により、第一ノイズ伝播経路７８と、第二ノイズ伝播経路８０とを備える。

第一ノイズ伝播経路７８では、複数のスイッチング素子５０の電磁ノズルが複数のスイッチング素子５０から第一シリコーンゲル６４、板状部４２、導電接続部６２及び導電パターン６８を経由して複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂに伝播される。

第二ノイズ伝播経路８０では、複数のスイッチング素子５０の電磁ノズルが複数のスイッチング素子５０から第一シリコーンゲル６４、板状部４２及び第二シリコーンゲル６６を経由して複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂに伝播される。

図５は、図１に示されるブラシレスモータ１０の等価回路図である。インバータ回路８２は、複数のスイッチング素子５０（図３、図４参照）によって形成される。

上述のノイズ低減構造６０では、第二シリコーンゲル６６の少なくとも一部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと重なり、第二シリコーンゲル６６の全部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａと重ならないことにより、第二シリコーンゲル６６と複数の電解コンデンサ５２とが静電結合される。つまり、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂが接続された陰極側の導電パターン６８と板状部４２との間に誘電体である第二シリコーンゲル６６が接続された状態となる。

なお、第二シリコーンゲル６６の少なくとも一部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａと重なり、第二シリコーンゲル６６の全部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと重ならない場合には、図４において想像線（二点鎖線）で示されるように、第二シリコーンゲル６６と複数の電解コンデンサ５２とが静電結合されない。つまり、この場合、第二シリコーンゲル６６は、複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａが接続された陽極側の導電パターン８４と板状部４２との間に接続された状態となる。

次に、本発明の一実施形態の作用及び効果について説明する。

以上詳述した通り、本発明の一実施形態に係るブラシレスモータ１０は、電磁ノイズを低減するノイズ低減構造６０を備える。このノイズ低減構造６０では、図２に示されるように、回路基板２０に形成された導電パターン６８が、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと接続されており、この導電パターン６８と板状部４２とは導電接続部６２によって接続されている。また、回路基板２０と板状部４２との間には、回路基板２０と板状部４２とに接触した状態で第一シリコーンゲル６４が介在されている。この第一シリコーンゲル６４は、複数のスイッチング素子５０と静電結合される位置に配置されている。

したがって、この第一シリコーンゲル６４によって、複数のスイッチング素子５０の電磁ノズルが複数のスイッチング素子５０から第一シリコーンゲル６４、板状部４２、導電接続部６２及び導電パターン６８を経由して複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂに伝播される第一ノイズ伝播経路７８が形成される。これにより、複数のスイッチング素子５０の電磁ノズルを複数の電解コンデンサ５２で吸収することができるので、複数のスイッチング素子５０から発生した電磁ノイズが例えば複数の信号線７６を通じてブラシレスモータ１０の外部へ流出することを抑制することができる。

また、回路基板２０と板状部４２との間には、回路基板２０と板状部４２とに接触した状態で第二シリコーンゲル６６が介在されている。この第二シリコーンゲル６６は、複数の電解コンデンサ５２と静電結合される位置に配置されている。

したがって、この第二シリコーンゲル６６及び上述の第一シリコーンゲル６４によって、複数のスイッチング素子５０の電磁ノズルが複数のスイッチング素子５０から第一シリコーンゲル６４、板状部４２及び第二シリコーンゲル６６を経由して複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂに伝播される第二ノイズ伝播経路８０が形成される。これにより、第一ノイズ伝播経路７８に加えて、第二ノイズ伝播経路８０によっても複数の電解コンデンサ５２に電磁ノイズを伝播できるので、例えば、第一ノイズ伝播経路７８のみで複数の電解コンデンサ５２に電磁ノイズを伝播する構造に比して、複数の電解コンデンサ５２における電磁ノイズの吸収効率を向上させることができる。

また、第一シリコーンゲル６４は、その一部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０と重なる位置に配置されている。これにより、第一シリコーンゲル６４を複数のスイッチング素子５０と適切に静電結合させることができる。

また、第二シリコーンゲル６６は、その一部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと重なり、その全部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａと重ならない位置に配置されている。これにより、第二シリコーンゲル６６を複数の電解コンデンサ５２と適切に静電結合させることができる。

また、第二シリコーンゲル６６は、第一シリコーンゲル６４と導電接続部６２との間に配置されている。したがって、第二ノイズ伝播経路８０の経路長が第一ノイズ伝播経路７８の経路長よりも短くなるので、例えば、第二ノイズ伝播経路８０の経路長が第一ノイズ伝播経路７８の経路長以上である場合に比して、複数の電解コンデンサ５２における電磁ノイズの吸収効率を向上させることができる。

また、図４に示されるように、第一シリコーンゲル６４－１は、線状に形成され、回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０－１、２と重なり、第一シリコーンゲル６４－２は、線状に形成され、回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０－３～５と重なる。したがって、例えば、複数のスイッチング素子５０毎に第一シリコーンゲル６４を配置する場合に比して、第一シリコーンゲル６４の塗布工程を簡略化することができる。

また、第二シリコーンゲル６６は、線状に形成され、回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと重なる。したがって、例えば、複数の電解コンデンサ５２毎に第二シリコーンゲル６６を配置する場合に比して、第二シリコーンゲル６６の塗布工程を簡略化することができる。

また、ノイズ低減構造６０は、センターピース１８の板状部４２を、電磁ノイズを伝播させる導電部材として利用している。したがって、例えば、電磁ノイズを伝播させる専用の導電部材を利用する場合に比して、ノイズ低減構造６０の構成を簡素化することができる。

次に、本発明の一実施形態の変形例について説明する。

図６は、図２に示されるノイズ低減構造６０の変形例を示す図であり、図７は、図６に示される変形例におけるセンターピース１８の板状部４２を図１の矢印Ａ２側から見た矢視図である。上記実施形態では、好ましい例として、第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６が用いられている。しかしながら、例えば、第一シリコーンゲル６４で足りる場合には、図６、図７に示されるように、第二シリコーンゲル６６（図２、図４参照）は省かれてもよい。

また、上記実施形態では、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂが、複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａに対して複数のスイッチング素子５０と反対側に位置するが、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂは、複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａに対して複数のスイッチング素子５０の側に位置してもよい。

このように構成されていると、例えば、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂが複数の電解コンデンサ５２のアノード端子５２Ａに対して複数のスイッチング素子５０と反対側に位置する場合（図４参照）に比して、複数の電解コンデンサ５２のカソード端子５２Ｂと複数のスイッチング素子５０との間の距離が短くなる。これにより、図２に示される第二ノイズ伝播経路８０の長さが短くなるので、第二ノイズ伝播経路８０を通じて電磁ノイズを複数の電解コンデンサ５２に効率よく伝播することができる。

また、上記実施形態において、ノイズ低減構造６０は、センターピース１８の板状部４２を備える構成であるが、板状部４２の代わりに基板ケース２２を備える構成でもよい。この場合には、基板ケース２２が「導電部材」の一例に相当する。

また、上記実施形態では、「第一誘電体」及び「第二誘電体」の一例として、シリコーンゲルである第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６が用いられているが、シリコーンゲル以外の第一誘電体及び第二誘電体が用いられてもよい。また、「第一誘電体」及び「第二誘電体」の一例として、誘電体グリスである第一誘電体及び第二誘電体が用いられてもよい。

また、上記実施形態において、複数のスイッチング素子５０及び複数の電解コンデンサ５２の配置は、一例であり、上記以外でもよい。また、第一シリコーンゲル６４及び第二シリコーンゲル６６の配置及び形状は、一例であり、上記以外でもよい。

また、上記実施形態において、第一シリコーンゲル６４は、その一部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０の各々と重なる位置に配置されているが、例えば、複数の第一シリコーンゲル６４が用いられ、この複数の第一シリコーンゲル６４の各々の全部が回路基板２０の平面視で複数のスイッチング素子５０の各々と重なっていてもよい。

また、上記実施形態において、第二シリコーンゲル６６は、その一部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２の各々と重なる位置に配置されているが、例えば、複数の第二シリコーンゲル６６が用いられ、この複数の第二シリコーンゲル６６の各々の全部が回路基板２０の平面視で複数の電解コンデンサ５２の各々と重なっていてもよい。

また、上記実施形態では、好ましい例として、回路基板２０に実装された全てのスイッチング素子５０に対応して第一シリコーンゲル６４が設けられているが、回路基板２０に実装された全てのスイッチング素子５０のうちの一部のみに対応して第一シリコーンゲル６４が設けられてもよい。

また、上記実施形態では、好ましい例として、回路基板２０に実装された全ての電解コンデンサ５２に対応して第二シリコーンゲル６６が設けられているが、回路基板２０に実装された全ての電解コンデンサ５２のうちの一部のみに対応して第二シリコーンゲル６６が設けられてもよい。

また、上記実施形態では、「導電接続部」の一例として、ネジ５４及びスルーホール７４が用いられているが、ネジ５４及びスルーホール７４以外の構成が用いられてもよい。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記に限定されるものでなく、上記以外にも、その主旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施可能であることは勿論である。

なお、上述の本発明の一実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）
電磁ノイズを低減するノイズ低減構造を備えるブラシレスモータであって、
前記ノイズ低減構造は、
第一面にスイッチング素子及び電解コンデンサが実装された回路基板と、
前記回路基板における前記第一面と反対側の第二面と対向する導電部材と、
前記回路基板に形成された導電パターンであって前記電解コンデンサのカソード端子と接続された導電パターンと前記導電部材とを接続する導電接続部と、
前記回路基板と前記導電部材とに接触した状態で前記回路基板と前記導電部材との間に介在され、かつ、前記スイッチング素子と静電結合される位置に配置された誘電体と、
を有する、
ブラシレスモータ。
（付記２）
前記誘電体は、その少なくとも一部が前記回路基板の平面視で前記スイッチング素子と重なる位置に配置されている、
付記１に記載のブラシレスモータ。
（付記３）
前記ノイズ低減構造は、
前記誘電体としての第一誘電体と、
前記回路基板と前記導電部材とに接触した状態で前記回路基板と前記導電部材との間に介在され、かつ、前記電解コンデンサと静電結合される位置に配置された第二誘電体と、
を有する、
付記１又は付記２に記載のブラシレスモータ。
（付記４）
前記第二誘電体は、その少なくとも一部が前記回路基板の平面視で前記電解コンデンサのカソード端子と重なり、その全部が前記回路基板の平面視で前記電解コンデンサのアノード端子と重ならない位置に配置されている、
付記３に記載のブラシレスモータ。
（付記５）
前記第二誘電体は、前記第一誘電体と前記導電接続部との間に配置されている、
付記３又は付記４に記載のブラシレスモータ。
（付記６）
前記回路基板の第一面には、複数の前記スイッチング素子が実装され、
前記第一誘電体は、線状に形成され、前記回路基板の平面視で複数の前記スイッチング素子と重なる、
付記３～付記５のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記７）
前記回路基板の第一面には、複数の前記電解コンデンサが実装され、
前記第二誘電体は、線状に形成され、前記回路基板の平面視で複数の前記電解コンデンサのカソード端子と重なる、
付記３～付記６のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記８）
前記第一誘電体及び前記第二誘電体は、一体に形成されている、
付記３～付記７のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記９）
前記第一誘電体及び前記第二誘電体は、シリコーンゲルである、
付記３～付記８のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記１０）
前記電解コンデンサのカソード端子は、前記電解コンデンサのアノード端子に対して前記スイッチング素子と反対側に位置する、
付記１～付記９のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記１１）
前記電解コンデンサのカソード端子は、前記電解コンデンサのアノード端子に対して前記スイッチング素子の側に位置する、
付記１～付記１０のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記１２）
前記ブラシレスモータは、
有天筒状のロータハウジングを有するロータと、
前記ロータハウジングの内側に収容されたステータと、
前記ロータハウジングの開口と対向する板状部を有し、前記ステータを保持するセンターピースと、
を備え、
前記回路基板は、前記板状部に対する前記ロータと反対側に前記板状部と対向して配置され、
前記導電部材は、前記板状部である、
付記１～付記１１のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
（付記１３）
前記ブラシレスモータは、
有天筒状のロータハウジングを有するロータと、
前記ロータハウジングの内側に収容されたステータと、
前記ロータハウジングの開口と対向する板状部を有し、前記ステータを保持するセンターピースと、
を備え、
前記回路基板は、前記板状部に対する前記ロータと反対側に前記板状部と対向して配置され、
前記導電部材は、前記回路基板を収容する基板ケースである、
付記１～付記１１のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。

１０…ブラシレスモータ、１２…ロータ、１４…ステータ、１６…シャフト、１８…センターピース、２０…回路基板、２０Ａ…第一面、２０Ｂ…第二面、２２…基板ケース、２４…コネクタ部材、２６…ロータハウジング、２８…ロータマグネット、３０…軸受収容部、３２…軸受、３４…ステータコア、３６…インシュレータ、３８…巻線、４０…ティース、４２…板状部、４４…開口、４６…シャフト支持部、４８…制御回路、５０…スイッチング素子、５２…電解コンデンサ、５２Ａ…アノード端子、５２Ｂ…カソード端子、５４…ネジ、５６…コネクタケース、５８…コネクタ端子、６０…ノイズ低減構造、６２…導電接続部、６４…第一シリコーンゲル、６６…第二シリコーンゲル、６８…導電パターン、７０…ボス部、７２…ネジ穴、７４…スルーホール、７６…信号線、７８…第一ノイズ伝播経路、８０…第二ノイズ伝播経路、８２…インバータ回路、８４…陽極側の導電パターン

Claims (8)

1. 電磁ノイズを低減するノイズ低減構造を備えるブラシレスモータであって、
   前記ノイズ低減構造は、
   第一面にスイッチング素子及び電解コンデンサが実装された回路基板と、
   前記回路基板における前記第一面と反対側の第二面と対向する導電部材と、
   前記回路基板に形成された導電パターンであって前記電解コンデンサのカソード端子と接続された導電パターンと前記導電部材とを接続する導電接続部と、
   前記回路基板と前記導電部材とに接触した状態で前記回路基板と前記導電部材との間に介在され、かつ、前記スイッチング素子と静電結合される位置に配置された誘電体と、
   を有する、
   ブラシレスモータ。
2. 前記誘電体は、その少なくとも一部が前記回路基板の平面視で前記スイッチング素子と重なる位置に配置されている、
   請求項１に記載のブラシレスモータ。
3. 前記ノイズ低減構造は、
   前記誘電体としての第一誘電体と、
   前記回路基板と前記導電部材とに接触した状態で前記回路基板と前記導電部材との間に介在され、かつ、前記電解コンデンサと静電結合される位置に配置された第二誘電体と、
   を有する、
   請求項１又は請求項２に記載のブラシレスモータ。
4. 前記第二誘電体は、その少なくとも一部が前記回路基板の平面視で前記電解コンデンサのカソード端子と重なり、その全部が前記回路基板の平面視で前記電解コンデンサのアノード端子と重ならない位置に配置されている、
   請求項３に記載のブラシレスモータ。
5. 前記第二誘電体は、前記第一誘電体と前記導電接続部との間に配置されている、
   請求項３又は請求項４に記載のブラシレスモータ。
6. 前記回路基板の第一面には、複数の前記スイッチング素子が実装され、
   前記第一誘電体は、線状に形成され、前記回路基板の平面視で複数の前記スイッチング素子と重なる、
   請求項３～請求項５のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
7. 前記回路基板の第一面には、複数の前記電解コンデンサが実装され、
   前記第二誘電体は、線状に形成され、前記回路基板の平面視で複数の前記電解コンデンサのカソード端子と重なる、
   請求項３～請求項６のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。
8. 前記ブラシレスモータは、
   有天筒状のロータハウジングを有するロータと、
   前記ロータハウジングの内側に収容されたステータと、
   前記ロータハウジングの開口と対向する板状部を有し、前記ステータを保持するセンターピースと、
   を備え、
   前記回路基板は、前記板状部に対する前記ロータと反対側に前記板状部と対向して配置され、
   前記導電部材は、前記板状部である、
   請求項１～請求項７のいずれか一項に記載のブラシレスモータ。