JP7480845B2 - 合波器 - Google Patents

合波器 Download PDF

Info

Publication number
JP7480845B2
JP7480845B2 JP2022532212A JP2022532212A JP7480845B2 JP 7480845 B2 JP7480845 B2 JP 7480845B2 JP 2022532212 A JP2022532212 A JP 2022532212A JP 2022532212 A JP2022532212 A JP 2022532212A JP 7480845 B2 JP7480845 B2 JP 7480845B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transmission line
output
input
resistor
multiplexer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022532212A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2021260927A1 (ja
Inventor
照男 徐
宗彦 長谷
秀之 野坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Publication of JPWO2021260927A1 publication Critical patent/JPWO2021260927A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7480845B2 publication Critical patent/JP7480845B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/605Distributed amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/18Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of distributed coupling, i.e. distributed amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/605Distributed amplifiers
    • H03F3/607Distributed amplifiers using FET's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/34Networks for connecting several sources or loads working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/48Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、高周波電気信号を扱う回路技術、特に合波器に関するものである。
広帯域なアクティブ合波器は、高速通信や高分解能レーダー等の様々なシステムで望まれている。アクティブ合波器を広帯域化する技術として分布型アクティブ合波器が従来提案されている(特許文献1参照)。従来の分布型アクティブ合波器の構成を図9に示す。分布型アクティブ合波器は、入力端が信号入力端子101に接続された入力伝送線路100と、入力端が信号入力端子103に接続された入力伝送線路102と、終端が信号出力端子105に接続された出力伝送線路104と、一端が入力伝送線路100の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された入力終端抵抗R100と、一端が入力伝送線路102の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された入力終端抵抗R101と、一端が出力伝送線路104の入力端に接続され、他端がグラウンドに接続された出力終端抵抗R102と、入力伝送線路100と出力伝送線路104に沿って配置され、入力端子が入力伝送線路100に接続され、出力端子が出力伝送線路104に接続された複数の単位増幅器105と、入力伝送線路102と出力伝送線路104に沿って配置され、入力端子が入力伝送線路102に接続され、出力端子が出力伝送線路104に接続された複数の単位増幅器106とから構成される。
入力伝送線路100は、複数の伝送線路CPW100i,CPW100,CPW100oを直列に接続した構成からなる。入力伝送線路102は、複数の伝送線路CPW102i,CPW102,CPW102oを直列に接続した構成からなる。出力伝送線路CPW104は、複数の伝送線路CPW104i,CPW104,CPW104oを直列に接続した構成からなる。
チャネル1の入力信号は、入力伝送線路100を伝搬しながら各単位増幅器105に入力される。同様に、チャネル2の入力信号は、入力伝送線路102を伝搬しながら各単位増幅器106に入力される。チャネル1側とチャネル2側の単位増幅器105,106の出力は同じ出力伝送線路104に接続される。単位増幅器105,106の出力信号は、共通の出力伝送線路104を伝搬しながら信号出力端子105に出力される。
入出力の伝送線路100,102,104は、外部機器と接続するために、単位増幅器105,106内のトランジスタの寄生容量を組み込んだ状態でインピーダンスを50Ωに整合させる必要がある。以降、通常の伝送線路と区別するために、トランジスタの寄生容量を含む伝送線路のことを疑似伝送線路と呼ぶ。
一般的に無損失な疑似伝送線路のインピーダンスZは、伝送線路の単位長さあたりのインダクタンス成分LLineとキャパシタンス成分CLineと伝送線路に繋がるトランジスタの寄生容量成分Cparaとを用いて、次式のように表される。
Figure 0007480845000001
寄生容量成分Cparaは単位増幅器の入力と出力で異なる。このため、入力伝送線路のインダクタンス成分LLineとキャパシタンス成分CLineを単位増幅器の入力の寄生容量成分Cparaに合わせて、入力伝送線路のインピーダンスを50Ωに設計する必要がある。また、出力伝送線路のインダクタンス成分LLineとキャパシタンス成分CLineを単位増幅器の出力の寄生容量成分Cparaに合わせて、出力伝送線路のインピーダンスを50Ωに設計する必要がある。また、疑似伝送線路の位相速度Vは次式のように表される。
Figure 0007480845000002
入力伝送線路と出力伝送線路の位相速度を合わせることで広帯域な合波が可能となる。さらに、疑似伝送線路には、通常の伝送線路とは異なり、次式で表されるカットオフ周波数fが存在する。このカットオフ周波数fによって分布型アクティブ合波器の帯域が決まる。
Figure 0007480845000003
しかしながら、従来のアクティブ合波器では、出力伝送線路がチャネル1とチャネル2で共通になっており、単位長さあたりの出力伝送線路に単位増幅器2個分の寄生容量が繋がるため、帯域が狭いという課題があった。出力疑似伝送線路のカットオフ周波数fcutは、単位増幅器1個分の寄生容量をCTrとすると、次式で表される。
Figure 0007480845000004
従来の分布型アクティブ合波器のもう一つの課題として、入力チャネル間のアイソレーションが低いことが挙げられる。アイソレーションが低い理由は、図10に示すように単位増幅器105,106の入出力端子間に存在する寄生容量C100,C101を介して、チャネル1側の単位増幅器105とチャネル2側の単位増幅器106間で信号が結合するためである。
Paolo Valerio Testa,Corrado Carta,and Frank Ellinger,"Analysis and design of a 220-GHz wideband SiGe BiCMOS distributed active combiner",IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,VOL.64,NO.10,PP.3049-3059,2016
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、広帯域化と入力チャネル間のアイソレーション向上とを実現することができる合波器を提供することを目的とする。
本発明の合波器は、第1の信号を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された第1の分布型増幅器と、第2の信号を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された第2の分布型増幅器と、前記第1の分布型増幅器の出力信号と前記第2の分布型増幅器の出力信号とを合波するように構成されたパッシブ合波器とを備え、前記パッシブ合波器は、一端が前記第1の分布型増幅器の出力に接続された第1の伝送線路と、一端が前記第1の伝送線路の他端に接続された第1の抵抗と、一端が前記第1の抵抗の他端に接続された第2の伝送線路と、一端が前記第2の分布型増幅器の出力に接続された第3の伝送線路と、一端が前記第3の伝送線路の他端に接続された第2の抵抗と、一端が前記第2の抵抗の他端に接続された第4の伝送線路と、一端が前記第2、第4の伝送線路の他端に接続された第5の伝送線路と、一端が前記第5の伝送線路の他端に接続された第3の抵抗と、一端が前記第3の抵抗の他端に接続され、他端が信号出力端子に接続された第6の伝送線路とから構成され、前記第1、第2、第3の抵抗の値が16.7Ωであることを特徴とするものである。
本発明によれば、インピーダンスが50Ωに整合された第1、第2の分布型増幅器の出力信号を合波するパッシブ合波器を設け、パッシブ合波器を16.7Ωの3つの抵抗によって構成することにより、広帯域化と入力チャネル間のアイソレーション向上とを実現することができる
図1は、本発明の第1の実施例に係る合波器の構成を示す回路図である。 図2は、従来の分布型アクティブ合波器と本発明の第1の実施例に係る合波器の透過特性のシミュレーション結果を示す図である。 図3は、従来の分布型アクティブ合波器と本発明の第1の実施例に係る合波器の入力チャネル間のクロストーク特性のシミュレーション結果を示す図である。 図4は、本発明の第1の実施例に係る合波器においてパッシブ合波器の抵抗に寄生成分が存在しない場合と存在する場合の透過特性のシミュレーション結果を示す図である。 図5は、本発明の第2の実施例に係る合波器の構成を示す回路図である。 図6は、本発明の第1、第2の実施例に係る合波器の透過特性のシミュレーション結果を示す図である。 図7は、本発明の第1、第2の実施例に係る合波器の単位増幅器の構成を示す回路図である。 図8は、本発明の第1、第2の実施例に係る合波器の単位増幅器の構成を示す回路図である。 図9は、従来の分布型アクティブ合波器の構成を示す回路図である。 図10は、従来の分布型アクティブ合波器の課題を説明する図である。
[第1の実施例]
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施例に係る合波器の構成を示す回路図である。本実施例の合波器4は、チャネル1の信号Vin1を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された分布型増幅器1aと、チャネル2の信号Vin2を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された分布型増幅器2aと、分布型増幅器1aの出力信号と分布型増幅器2aの出力信号とを合波するパッシブ合波器3aとから構成される。
分布型増幅器1aは、入力端が合波器4のチャネル1の信号入力端子11に接続された入力伝送線路10と、終端からチャネル1の信号を出力する出力伝送線路12と、一端が入力伝送線路10の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された入力終端抵抗R10と、一端が出力伝送線路12の入力端に接続され、他端がグラウンドに接続された出力終端抵抗R11と、入力伝送線路10と出力伝送線路12に沿って配置され、入力端子a1が入力伝送線路10に接続され、出力端子b1が出力伝送線路12に接続された複数の単位増幅器13とから構成される。入力終端抵抗R10、出力終端抵抗R11の値は50Ωである。
入力伝送線路10は、複数の伝送線路CPW10i,CPW10,CPW10oを直列に接続した構成からなる。単位増幅器間の伝送線路CPW10と入力側の伝送線路CPW10iとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW10iの場合、信号入力端子11の前段の回路等の寄生容量の影響を伝送線路CPW10iで吸収する必要があるからである。同様に、伝送線路CPW10とCPW10oとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW10oの場合、入力終端抵抗R10の寄生容量の影響を伝送線路CPW10oで吸収する必要があるからである。入力伝送線路10と単位増幅器13内のトランジスタの寄生容量とを含む入力疑似伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωに設計されている。
出力伝送線路12は、複数の伝送線路CPW12i,CPW12,CPW12oを直列に接続した構成からなる。単位増幅器間の伝送線路CPW12と入力側の伝送線路CPW12iとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW12iの場合、出力終端抵抗R11の寄生容量の影響を伝送線路CPW12iで吸収する必要があるからである。同様に、伝送線路CPW12とCPW12oとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW12oの場合、後段のパッシブ合波器3aの寄生容量の影響を伝送線路CPW12oで吸収する必要があるからである。出力伝送線路12と単位増幅器13内のトランジスタの寄生容量とを含む出力疑似伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωに設計されている。
分布型増幅器2aは、入力端が合波器4のチャネル2の信号入力端子21に接続された入力伝送線路20と、終端からチャネル2の信号を出力する出力伝送線路22と、一端が入力伝送線路20の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された入力終端抵抗R20と、一端が出力伝送線路22の入力端に接続され、他端がグラウンドに接続された出力終端抵抗R21と、入力伝送線路20と出力伝送線路22に沿って配置され、入力端子a2が入力伝送線路20に接続され、出力端子b2が出力伝送線路22に接続された複数の単位増幅器23とから構成される。入力終端抵抗R20、出力終端抵抗R21の値は50Ωである。
入力伝送線路20は、複数の伝送線路CPW20i,CPW20,CPW20oを直列に接続した構成からなる。単位増幅器間の伝送線路CPW20と入力側の伝送線路CPW20iとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW20iの場合、信号入力端子21の前段の回路等の寄生容量の影響を伝送線路CPW20iで吸収する必要があるからである。同様に、伝送線路CPW20とCPW20oとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW20oの場合、入力終端抵抗R20の寄生容量の影響を伝送線路CPW20oで吸収する必要があるからである。入力伝送線路20と単位増幅器23内のトランジスタの寄生容量とを含む入力疑似伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωに設計されている。
出力伝送線路22は、複数の伝送線路CPW22i,CPW22,CPW22oを直列に接続した構成からなる。単位増幅器間の伝送線路CPW22と入力側の伝送線路CPW22iとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW22iの場合、出力終端抵抗R21の寄生容量の影響を伝送線路CPW22iで吸収する必要があるからである。同様に、伝送線路CPW22とCPW22oとは、特性インピーダンスが異なる。その理由は、伝送線路CPW22oの場合、後段のパッシブ合波器3aの寄生容量の影響を伝送線路CPW22oで吸収する必要があるからである。出力伝送線路22と単位増幅器23内のトランジスタの寄生容量とを含む出力疑似伝送線路の特性インピーダンスは、50Ωに設計されている。
パッシブ合波器3aは、一端が分布型増幅器1aの出力伝送線路12の終端(分布型増幅器1aの出力端子)に接続された抵抗R30と、一端が分布型増幅器2aの出力伝送線路22の終端(分布型増幅器2aの出力端子)に接続された抵抗R31と、一端が抵抗R30,R31の他端に接続され、他端が合波器4の信号出力端子30に接続された抵抗R32とから構成される。抵抗R30~R32の値は16.7Ωである。
単位増幅器13,23の構成については後述する。
本発明では、従来、チャネル1とチャネル2で共通になっていた出力伝送線路を分離し、単位長さあたりの出力伝送線路に繋がる単位増幅器の寄生容量を1つに減らすことによって広帯域化を可能にする。出力伝送線路12,22の単位長さあたりのインダクタンス成分をLLine、単位長さあたりのキャパシタンス成分をCLine、単位増幅器1個分の寄生容量をCTrとすると、本実施例の合波器4のカットオフ周波数fcutは次式で表される。
Figure 0007480845000005
本実施例においてパッシブ合波器3aを16.7Ωの3つの抵抗R30~R32で構成することによって、2つの分布型増幅器1a,2aのそれぞれの出力からパッシブ合波器3a側を見たインピーダンスと、信号出力端子30からパッシブ合波器3a側を見たインピーダンスとが、全て50Ωとなる。このため、本実施例では、インピーダンス不整合が発生せず、広帯域な合波が可能になる。
また、本実施例では、出力伝送線路12,22を分離したことによって、チャネル1側の単位増幅器13とチャネル2側の単位増幅器23間で信号が結合することがなくなり、さらに単位増幅器13,23の出力信号がパッシブ合波器3aの抵抗R30~R32で減衰する。その結果、本実施例では、チャネル1とチャネル2間のアイソレーションを向上させることが可能になる。
従来の分布型アクティブ合波器と本実施例の合波器4の透過特性のシミュレーション結果を図2に示す。図2の200は図9に示した従来の分布型アクティブ合波器のシミュレーション結果、201は本実施例の合波器4のシミュレーション結果を示している。従来の分布型アクティブ合波器の帯域が188GHzであるのに対して、本実施例の合波器4の帯域は250GHzであり、本実施例による広帯域化の効果を確認できる。
従来の分布型アクティブ合波器と本実施例の合波器4の入力チャネル間のクロストーク特性のシミュレーション結果を図3に示す。図3の300は図9に示した従来の分布型アクティブ合波器のシミュレーション結果、301は本実施例の合波器4のシミュレーション結果を示している。本実施例によれば、従来と比べチャネル1とチャネル2間の信号クロストークを5dB程度低減できていることを確認できる。
[第2の実施例]
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第1の実施例の図2、図3で示した合波器4の特性は、理想の抵抗素子で構成されたパッシブ合波器3aを用いたシミュレーション結果である。しかしながら、実際の抵抗素子は、寄生容量成分と寄生インダクタンス成分とを有する。これらの寄生容量成分と寄生インダクタンス成分とは、高周波においてインピーダンス不整合を引き起こし、帯域劣化の原因となる。
パッシブ合波器3aの抵抗R30~R32に寄生成分が存在しない場合と存在する場合の合波器4の透過特性のシミュレーション結果を図4に示す。図4の400は抵抗R30~R32に寄生成分が存在しない場合のシミュレーション結果、401は抵抗R30~R32に寄生成分が存在する場合のシミュレーション結果を示している。図4によれば、抵抗R30~R32の寄生成分によって合波器4の帯域が劣化することが確認できる。
図5は本実施例に係る合波器の構成を示す回路図である。本実施例の合波器4bは、2つの分布型増幅器1a,2aと、パッシブ合波器3bとから構成される。
分布型増幅器1a,2aの構成は第1の実施例で説明したとおりである。
本実施例のパッシブ合波器3bは、抵抗R30~R32と、抵抗R30と分布型増幅器1aの出力伝送線路12の終端(分布型増幅器1aの出力端子)との間に挿入された伝送線路CPW30iと、抵抗R30と抵抗R32との間に挿入された伝送線路CPW30oと、抵抗R31と分布型増幅器2aの出力伝送線路22の終端(分布型増幅器2aの出力端子)との間に挿入された伝送線路CPW31iと、抵抗R31と抵抗R32との間に挿入された伝送線路CPW31oと、伝送線路CPW30o,31oと抵抗R32との間に挿入された伝送線路CPW32iと、抵抗R32と信号出力端子30との間に挿入された伝送線路CPW32oとから構成される。
本実施例では、図5のように伝送線路CPW30i,CPW30o,CPW31i,CPW31o,CPW32i,CPW32oによって抵抗R30~R32の寄生成分を吸収するようなパッシブ合波器3aを構成することにより、帯域劣化を防ぎ、広帯域な合波器4bを実現する。
本実施例では、伝送線路CPW32i,CPW32oの特性インピーダンスよりも伝送線路CPW30i,CPW30o,CPW31i,CPW31oの特性インピーダンスが高くなるように設計する必要がある。200GHz以上の帯域を実現する場合、寄生成分を有する抵抗R30と伝送線路CPW30i,CPW30oとの特性インピーダンスが70Ω±20%の範囲になるように、伝送線路CPW30i,CPW30oを設計する。また、200GHz以上の帯域を実現する場合、寄生成分を有する抵抗R31と伝送線路CPW31i,CPW31oとの特性インピーダンスが70Ω±20%の範囲になるように、伝送線路CPW31i,CPW31oを設計する。また、200GHz以上の帯域を実現する場合、寄生成分を有する抵抗R32と伝送線路CPW32i,CPW32oとの特性インピーダンスが50Ω±20%の範囲になるように、伝送線路CPW32i,CPW32oを設計する。
第1の実施例においてパッシブ合波器3aの抵抗R30~R32に寄生成分が存在する場合の合波器4の透過特性のシミュレーション結果と本実施例の合波器4bの透過特性のシミュレーション結果を図6に示す。図6の401は第1の実施例において抵抗R30~R32に寄生成分が存在する場合のシミュレーション結果、600は本実施例のシミュレーション結果を示している。本実施例の構成によって、抵抗R30~R32の寄生成分による帯域劣化を防ぎ、広帯域化できていることが確認できる。
[第3の実施例]
次に、本発明の第3の実施例について説明する。本実施例は、第1、第2の実施例の単位増幅器13,23の構成例である。図7は分布型増幅器1aの単位増幅器13の構成を示す回路図、図8は分布型増幅器2aの単位増幅器23の構成を示す回路図である。
図7に示すように、単位増幅器13は、ベース端子が伝送線路CPW10に接続され、エミッタ端子が電源電圧VEEに接続された入力トランジスタQ130と、ベース端子がバイアス電圧Vbに接続され、コレクタ端子が伝送線路CPW12に接続され、エミッタ端子が入力トランジスタQ130のコレクタ端子に接続された出力トランジスタQ131とから構成される。
図8に示すように、単位増幅器23は、ベース端子が伝送線路CPW20に接続され、エミッタ端子が電源電圧VEEに接続された入力トランジスタQ132と、ベース端子がバイアス電圧Vbに接続され、コレクタ端子が伝送線路CPW22に接続され、エミッタ端子が入力トランジスタQ132のコレクタ端子に接続された出力トランジスタQ133とから構成される。
このように単位増幅器13,23の構成として図7、図8に示すようなカスコード接続を用いることにより、ミラー容量の低減による広帯域化と入力チャネル間のアイソレーション向上とが可能になる。
本発明は、高周波電気信号を扱う回路技術に適用することができる。
1a,2a…分布型増幅器、3a,3b…パッシブ合波器、4,4b…合波器、10,20…入力伝送線路、11,21…信号入力端子、12,22…出力伝送線路、13,23…単位増幅器、30…信号出力端子、CPW10,CPW10i,CPW10o,CPW12,CPW12i,CPW12o,CPW20,CPW20i,CPW20o,CPW22,CPW22i,CPW22o,CPW30i,CPW30o,CPW31i,CPW31o,CPW32i,CPW32o…伝送線路、Q130~Q132…トランジスタ、R10,R11,R20,R21,R30~R32…抵抗。

Claims (4)

  1. 第1の信号を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された第1の分布型増幅器と、
    第2の信号を入力とし、インピーダンスが50Ωに整合された第2の分布型増幅器と、
    前記第1の分布型増幅器の出力信号と前記第2の分布型増幅器の出力信号とを合波するように構成されたパッシブ合波器とを備え、
    前記パッシブ合波器は、
    一端が前記第1の分布型増幅器の出力に接続された第1の伝送線路と、
    一端が前記第1の伝送線路の他端に接続された第1の抵抗と、
    一端が前記第1の抵抗の他端に接続された第2の伝送線路と、
    一端が前記第2の分布型増幅器の出力に接続された第3の伝送線路と、
    一端が前記第3の伝送線路の他端に接続された第2の抵抗と、
    一端が前記第2の抵抗の他端に接続された第4の伝送線路と、
    一端が前記第2、第4の伝送線路の他端に接続された第5の伝送線路と、
    一端が前記第5の伝送線路の他端に接続された第3の抵抗と
    一端が前記第3の抵抗の他端に接続され、他端が信号出力端子に接続された第6の伝送線路とから構成され、
    前記第1、第2、第3の抵抗の値が16.7Ωであることを特徴とする合波器。
  2. 請求項記載の合波器において、
    前記第1の抵抗と前記第1、第2の伝送線路との特性インピーダンスが70Ω±20%の範囲であり、
    前記第2の抵抗と前記第3、第4の伝送線路との特性インピーダンスが70Ω±20%の範囲であり、
    前記第3の抵抗と前記第5、第6の伝送線路との特性インピーダンスが50Ω±20%の範囲であることを特徴とする合波器。
  3. 請求項1または2記載の合波器において、
    前記第1の分布型増幅器は、
    入力端に前記第1の信号が入力されるように構成された第1の入力伝送線路と、
    終端から信号を出力するように構成された第1の出力伝送線路と、
    一端が前記第1の入力伝送線路の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された第1の入力終端抵抗と、
    一端が前記第1の出力伝送線路の入力端に接続され、他端がグラウンドに接続された第1の出力終端抵抗と、
    前記第1の入力伝送線路と前記第1の出力伝送線路に沿って配置され、入力端子が前記第1の入力伝送線路に接続され、出力端子が前記第1の出力伝送線路に接続された複数の第1の単位増幅器とから構成され、
    前記第2の分布型増幅器は、
    入力端に前記第2の信号が入力されるように構成された第2の入力伝送線路と、
    終端から信号を出力するように構成された第2の出力伝送線路と、
    一端が前記第2の入力伝送線路の終端に接続され、他端がグラウンドに接続された第2の入力終端抵抗と、
    一端が前記第2の出力伝送線路の入力端に接続され、他端がグラウンドに接続された第2の出力終端抵抗と、
    前記第2の入力伝送線路と前記第2の出力伝送線路に沿って配置され、入力端子が前記第2の入力伝送線路に接続され、出力端子が前記第2の出力伝送線路に接続された複数の第2の単位増幅器とから構成されることを特徴とする合波器。
  4. 請求項記載の合波器において、
    前記第1の単位増幅器は、
    ベース端子が前記第1の入力伝送線路に接続され、エミッタ端子が電源電圧に接続された第1のトランジスタと、
    ベース端子がバイアス電圧に接続され、コレクタ端子が前記第1の出力伝送線路に接続され、エミッタ端子が前記第1のトランジスタのコレクタ端子に接続された第2のトランジスタとから構成され、
    前記第2の単位増幅器は、
    ベース端子が前記第2の入力伝送線路に接続され、エミッタ端子が前記電源電圧に接続された第3のトランジスタと、
    ベース端子が前記バイアス電圧に接続され、コレクタ端子が前記第2の出力伝送線路に接続され、エミッタ端子が前記第3のトランジスタのコレクタ端子に接続された第4のトランジスタとから構成されることを特徴とする合波器。
JP2022532212A 2020-06-26 2020-06-26 合波器 Active JP7480845B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/025274 WO2021260927A1 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 合波器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2021260927A1 JPWO2021260927A1 (ja) 2021-12-30
JP7480845B2 true JP7480845B2 (ja) 2024-05-10

Family

ID=79282131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022532212A Active JP7480845B2 (ja) 2020-06-26 2020-06-26 合波器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US12021494B2 (ja)
JP (1) JP7480845B2 (ja)
WO (1) WO2021260927A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160723A (ja) 1999-12-02 2001-06-12 Fujitsu Ltd 分布増幅器
JP2003092523A (ja) 2001-07-11 2003-03-28 Fujitsu Ltd カスコード型分布増幅器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5365197A (en) * 1993-06-30 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Low-noise distributed amplifier
KR100381685B1 (ko) * 1994-08-15 2003-07-10 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 리액티브보상전력트랜지스터회로
JPH10112626A (ja) 1996-10-03 1998-04-28 Kokusai Electric Co Ltd 高周波合成器
JP4220982B2 (ja) * 2005-06-08 2009-02-04 富士通株式会社 分布型増幅器
JP6565231B2 (ja) * 2015-03-06 2019-08-28 富士通株式会社 分布型増幅器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001160723A (ja) 1999-12-02 2001-06-12 Fujitsu Ltd 分布増幅器
JP2003092523A (ja) 2001-07-11 2003-03-28 Fujitsu Ltd カスコード型分布増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
US12021494B2 (en) 2024-06-25
JPWO2021260927A1 (ja) 2021-12-30
US20230246616A1 (en) 2023-08-03
WO2021260927A1 (ja) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1276230A2 (en) Cascode distributed amplifier
US20110187453A1 (en) Linearizer incorporating a phase shifter
EP0401632B1 (en) Method and apparatus for broadband impedance matching
US7804362B2 (en) Distributed amplifier with negative feedback
JP2011234036A (ja) 電力合成分配器および電力合成分配器を用いた送信機
US4885557A (en) Broadband constant voltage multicoupler
US5357213A (en) High-frequency wide band amplifier having reduced impedance
JP2845480B2 (ja) 信号分配方式
WO2006028288A1 (ja) 等化フィルタ回路
JP7480845B2 (ja) 合波器
KR20210140770A (ko) 전력 분배기, 조절 방법, 전력 분배 방법, 저장 매체 및 전자 장치
JP2010288007A (ja) 可変ゲイン回路
Darwazeh et al. A distributed optical receiver preamplifier with unequal gate/drain impedances
US6769133B1 (en) Termination circuitry for dual forward and reverse test points for amplifiers
JP3137232B2 (ja) 分布増幅器
JP4774949B2 (ja) 分配器及び合成器並びにそれらを用いた電力増幅装置
JP3056933B2 (ja) 分布型バラン
EP3220477A1 (en) Directional coupler and power splitter made therefrom
US20230253929A1 (en) Distributed amplifier
CN113114124A (zh) 一种空间行波管宽频带可调线性化器
KR20020012935A (ko) 3단 체비셰프 매칭변환기를 이용한 전력분배기/합성기
CN111162780B (zh) 一种低电流高电压幅相控制系统
KR100225472B1 (ko) Vhf 및 uhf 대역용 소형 가변 감쇄기
Tarar et al. Fully Integrated Efficient and Wideband Distributed Amplifier Employing Dual-Feed Output Stage with Active Input Split-Stage in 0.13 μm CMOS
CN116632488B (zh) 一种差分功分器、发射链路系统及接收链路系统

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7480845

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150