JP7477080B2 - Manufacturing method for ceramic electronic components - Google Patents
Manufacturing method for ceramic electronic components Download PDFInfo
- Publication number
- JP7477080B2 JP7477080B2 JP2019107073A JP2019107073A JP7477080B2 JP 7477080 B2 JP7477080 B2 JP 7477080B2 JP 2019107073 A JP2019107073 A JP 2019107073A JP 2019107073 A JP2019107073 A JP 2019107073A JP 7477080 B2 JP7477080 B2 JP 7477080B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- metal conductive
- internal electrode
- pressure
- ceramic electronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 16
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 17
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 14
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tetragonal compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は、セラミック電子部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing ceramic electronic components.
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品は、小型大容量化の需要が益々増えてきている。大容量化のためには、誘電体層および内部電極層の薄層化などが求められている。内部電極層を薄層化しようとすると、焼成の過程で金属成分が球状化し、連続率が低下するおそれがある。そこで、電極ペーストに共材を添加することで連続率低下が抑制されている(例えば、特許文献1参照)。 There is an ever-increasing demand for smaller, larger capacity ceramic electronic components such as multilayer ceramic capacitors. In order to achieve larger capacity, it is necessary to make the dielectric layers and internal electrode layers thinner. When trying to make the internal electrode layers thinner, there is a risk that the metal components will become spherical during the firing process, resulting in a decrease in the continuity ratio. Therefore, the decrease in the continuity ratio is suppressed by adding a co-material to the electrode paste (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、焼成過程での急激な連続率低下は抑制されるものの、共材の吐き出しによって焼成完了時点での連続率が低下するおそれがある。 However, although a sudden decrease in the continuity rate during the firing process is suppressed, there is a risk that the continuity rate will decrease at the end of firing due to the ejection of co-material.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、内部電極層の連続率低下を抑制することができる、セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above problems, and aims to provide a method for manufacturing ceramic electronic components that can suppress a decrease in the continuity ratio of the internal electrode layers.
本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミック粉末を含む誘電体グリーンシート上に金属導電ペーストのパターンが配置された積層単位を、前記金属導電ペーストの配置が交互にずれるように複数積層することで積層体を形成する工程と、前記誘電体グリーンシートの積層方向に、加圧手段によって圧力を加えつつ、前記積層体を焼成する工程と、を含むことを特徴とする。 The method for manufacturing ceramic electronic components according to the present invention is characterized by comprising the steps of forming a laminate by stacking a plurality of lamination units, each of which has a pattern of a metal conductive paste arranged on a dielectric green sheet containing ceramic powder, such that the arrangement of the metal conductive paste is shifted alternately, and firing the laminate while applying pressure by a pressure means in the lamination direction of the dielectric green sheet.
上記セラミック電子部品の製造方法において、前記誘電体グリーンシートの積層方向に、前記加圧手段によって0.05MPa以上1.5MPa以下の圧力を加えつつ、前記積層体を焼成してもよい。 In the method for manufacturing the ceramic electronic component, the laminate may be fired while applying a pressure of 0.05 MPa or more and 1.5 MPa or less in the stacking direction of the dielectric green sheets by the pressure means.
上記セラミック電子部品の製造方法において、前記積層体を焼成する工程において、焼成雰囲気の温度が800℃以上になった後に、前記加圧手段によって圧力を加えてもよい。 In the method for manufacturing a ceramic electronic component, in the step of firing the laminate, pressure may be applied by the pressurizing means after the temperature of the firing atmosphere reaches 800°C or higher.
上記セラミック電子部品の製造方法において、前記金属導電ペーストへの共材の添加量を0.1部以下としてもよい。 In the method for manufacturing ceramic electronic components, the amount of co-material added to the metal conductive paste may be 0.1 parts or less.
上記セラミック電子部品の製造方法において、前記金属導電ペーストの焼成によって得られる内部電極層の平均厚みを0.5μm以下としてもよい。 In the method for manufacturing the ceramic electronic component, the average thickness of the internal electrode layer obtained by firing the metal conductive paste may be 0.5 μm or less.
本発明によれば、内部電極層の連続率低下を抑制することができる、セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。 The present invention provides a method for manufacturing ceramic electronic components that can suppress a decrease in the continuity ratio of the internal electrode layers.
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。 The following describes the embodiment with reference to the drawings.
(実施形態)
図1は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図1で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、直方体形状を有する積層チップ10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。なお、積層チップ10の当該2端面以外の4面のうち、積層方向の上面および下面以外の2面を側面と称する。外部電極20a,20bは、積層チップ10の積層方向の上面、下面および2側面に延在している。ただし、外部電極20a,20bは、互いに離間している。
(Embodiment)
Fig. 1 is a partial cross-sectional perspective view of a multilayer
積層チップ10は、誘電体として機能するセラミック材料を主成分とする誘電体層11と、卑金属材料等の金属材料を主成分とする内部電極層12とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層12の端縁は、積層チップ10の外部電極20aが設けられた端面と、外部電極20bが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層12は、外部電極20aと外部電極20bとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ100は、複数の誘電体層11が内部電極層12を介して積層された構成を有する。また、誘電体層11と内部電極層12との積層構造において、積層方向の最外層には内部電極層12が配置され、当該積層構造の上面および下面は、カバー層13によって覆われている。カバー層13は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層13の材料は、誘電体層11とセラミック材料の主成分が同じである。
The laminated
積層セラミックコンデンサ100のサイズは、例えば、長さ0.25mm、幅0.125mm、高さ0.125mmであり、または長さ0.4mm、幅0.2mm、高さ0.2mm、または長さ0.6mm、幅0.3mm、高さ0.3mmであり、または長さ1.0mm、幅0.5mm、高さ0.5mmであり、または長さ3.2mm、幅1.6mm、高さ1.6mmであり、または長さ4.5mm、幅3.2mm、高さ2.5mmであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
The size of the multilayer
内部電極層12は、Ni(ニッケル),Cu(銅),Sn(スズ)等の卑金属を主成分とする。内部電極層12として、Pt(白金),Pd(パラジウム),Ag(銀),Au(金)などの貴金属やこれらを含む合金を主成分として用いてもよい。内部電極層12の平均厚さは、例えば、0.5μm以下であり、0.3μm以下とすることが好ましい。誘電体層11は、例えば、一般式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたABO3-αを含む。例えば、当該セラミック材料として、BaTiO3(チタン酸バリウム),CaZrO3(ジルコン酸カルシウム),CaTiO3(チタン酸カルシウム),SrTiO3(チタン酸ストロンチウム),ペロブスカイト構造を形成するBa1-x-yCaxSryTi1-zZrzO3(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)等を用いることができる。
The
内部電極層12を金属粉末の焼成によって得る場合、焼結が進むと表面エネルギーを最小にしようとするために球状化する。誘電体層11の主成分セラミックよりも内部電極層12の金属成分の焼結が進みやすいため、誘電体層11の主成分セラミックが焼結するまで温度を上げると、内部電極層12の金属成分は過焼結となり、球状化しようとする。この場合、切れるキッカケ(欠陥)があれば、当該欠陥を基点に内部電極層12が切れ、連続率が低下する。内部電極層12の連続率が低下すると、積層セラミックコンデンサ100の容量が低下する。
When the
図2は、連続率を表す図である。図2で例示するように、ある内部電極層12における長さL0の観察領域において、その金属部分の長さL1,L2,・・・,Lnを測定して合計し、金属部分の割合であるΣLn/L0をその層の連続率と定義することができる。連続率の低下は、内部電極層12の平均厚さが0.5μm以下などの薄層化された積層セラミックコンデンサ100で特に生じやすい。
Figure 2 is a diagram showing the continuity ratio. As shown in the example of Figure 2, in an observation area of length L0 in a certain
本実施形態においては、内部電極層12の連続率の低下を抑制することができる、積層セラミックコンデンサ100の製造方法について説明する。図3は、積層セラミックコンデンサ100の製造方法のフローを例示する図である。
In this embodiment, a method for manufacturing a multilayer
(原料粉末作製工程)
まず、誘電体層11を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層11に含まれるAサイト元素およびBサイト元素は、通常はABO3の粒子の焼結体の形で誘電体層11に含まれる。例えば、BaTiO3は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このBaTiO3は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層11を構成するセラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル-ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
(Raw material powder preparation process)
First, a dielectric material for forming the
得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Mo(モリブデン)、Nb(ニオブ)、Ta(タンタル)、W(タングステン)、Mg(マグネシウム)、Mn(マンガン)、V(バナジウム)、Cr(クロム)、希土類元素(Y(イットリウム)、Sm(サマリウム)、Eu(ユウロピウム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(エルビウム)、Tm(ツリウム)およびYb(イッテルビウム))の酸化物、並びに、Co(コバルト)、Ni、Li(リチウム)、B(ホウ素)、Na(ナトリウム)、K(カリウム)およびSiの酸化物もしくはガラスが挙げられる。 To the obtained ceramic powder, a specific additive compound is added according to the purpose. Examples of additive compounds include oxides of Mo (molybdenum), Nb (niobium), Ta (tantalum), W (tungsten), Mg (magnesium), Mn (manganese), V (vanadium), Cr (chromium), rare earth elements (Y (yttrium), Sm (samarium), Eu (europium), Gd (gadolinium), Tb (terbium), Dy (dysprosium), Ho (holmium), Er (erbium), Tm (thulium), and Yb (ytterbium)), as well as oxides or glasses of Co (cobalt), Ni, Li (lithium), B (boron), Na (sodium), K (potassium), and Si.
本実施形態においては、好ましくは、まず誘電体層11を構成するセラミックの粒子に添加化合物を含む化合物を混合して820~1150℃で仮焼を行う。続いて、得られたセラミック粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック粉末を調製する。例えば、セラミック粉末の平均粒子径は、誘電体層11の薄層化の観点から、好ましくは50~300nmである。例えば、上記のようにして得られたセラミック粉末について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。
In this embodiment, preferably, first, a compound containing an additive compound is mixed with the ceramic particles constituting the
(積層工程)
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
(Lamination process)
Next, a binder such as polyvinyl butyral (PVB) resin, an organic solvent such as ethanol or toluene, and a plasticizer are added to the obtained dielectric material and wet mixed. Using the obtained slurry, a dielectric green sheet is applied onto a substrate by, for example, a die coater method or a doctor blade method, and then dried.
次に、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層用のパターンを配置する。金属導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加してもよく、添加しなくてもよい。共材としてセラミック粒子を添加する場合には、セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層11の主成分セラミックと同じであることが好ましい。
Next, a metal conductive paste for forming an internal electrode containing an organic binder is printed on the surface of the dielectric green sheet by screen printing, gravure printing, or the like to arrange a pattern for the internal electrode layer. Ceramic particles may or may not be added to the metal conductive paste as a co-material. When ceramic particles are added as a co-material, the main component of the ceramic particles is not particularly limited, but is preferably the same as the main ceramic component of the
その後、基材から剥離した状態で、内部電極層12と誘電体層11とが互い違いになるように、かつ内部電極層12が誘電体層11の長さ方向両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極20a,20bに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシートを交互に積層する。例えば、合計の積層数を100~500層とする。その後、積層した誘電体グリーンシートの積層体の上下のそれぞれに、カバー層13となる複数枚のカバーシートを圧着することで、セラミック積層体を得る。その後、得られたセラミック積層体を所定チップ寸法(例えば1.0mm×0.5mm)にカットする。
After that, in a state where it is peeled off from the substrate, the dielectric green sheets are alternately stacked so that the internal electrode layers 12 and the
(焼成工程)
図4(a)で例示するように、このようにして得られた成型体41を、N2雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極20a,20bの下地となる金属ペースト42をディップ法で塗布し、酸素分圧10-5~10-8atmの還元雰囲気中で1100~1300℃で10分~2時間焼成する。図4(a)において、上下方向が誘電体グリーンシートの積層方向である。図4(b)でも同様である。
(Firing process)
As shown in Fig. 4(a), the molded
この焼成の過程において、加圧手段によって、誘電体グリーンシートの積層方向に圧力を加える。例えば、台座の上に載置された成型体41に対して、錘を載せたプレート等によって成型体41に圧力を加えることで、誘電体グリーンシートの積層方向の1軸方向に成型体41を加圧する。したがって、成型体41に加わっている大気圧を上回るように、成型体41に圧力が加わることになる。この場合、内部電極形成用の金属導電ペーストの面内方向の動きが抑制され、内部電極層12の球状化が抑制される。それにより、内部電極層12の連続率低下が抑制される。
During this firing process, pressure is applied in the lamination direction of the dielectric green sheets by a pressure means. For example, the molded
なお、図4(b)で例示するように、成型体41の全体が加圧されるように、成型体41の周囲雰囲気を、大気圧を上回る圧力となるように加圧してもよい。すなわち、ガス加圧を採用してもよい。例えば、ガスポンプを用いることで、雰囲気の圧力を高くすることができる。この場合においても、誘電体グリーンシートの積層方向に圧力が加わることになるため、内部電極形成用の金属導電ペーストの面内方向の動きが抑制され、内部電極層12の球状化が抑制される。
As shown in FIG. 4(b), the atmosphere surrounding the molded
(再酸化処理工程)
その後、N2ガス雰囲気中で600℃~1000℃で再酸化処理を行ってもよい。
(Reoxidation treatment process)
Thereafter, a re-oxidation treatment may be performed at 600° C. to 1000° C. in a N 2 gas atmosphere.
(めっき処理工程)
その後、電解めっき等によって、外部電極20a,20bに、Cu,Ni,Sn等の金属コーティングを行ってもよい。
(Plating process)
Thereafter, the
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、成型体41に対して加圧手段によって誘電体グリーンシートの積層方向に圧力が加えられた状態で焼成工程が行われることから、内部電極形成用の金属導電ペーストの面内方向の動きが抑制され、内部電極層12の球状化が抑制される。それにより、内部電極層12の連続率低下が抑制される。
According to the method for manufacturing a multilayer ceramic capacitor according to this embodiment, the firing process is performed while pressure is applied to the molded
なお、誘電体グリーンシートの積層方向における圧力が小さすぎると、内部電極層12の球状化を十分に抑制できないおそれがある。そこで、当該圧力に下限を設けることが好ましい。例えば、誘電体グリーンシートの積層方向に、大気圧に加えて、加圧手段によって0.05MPa以上の圧力を加えることが好ましく、0.15MPa以上の圧力を加えることがより好ましい。一方、当該圧力が大きすぎると、誘電体層11の成分と内部電極層12の成分とが互いに拡散するおそれがある。そこで、当該圧力に上限を設けることが好ましい。例えば、誘電体グリーンシートの積層方向に、大気圧に加えて、加圧手段によって1.5MPa以下の圧力を加えることが好ましく、1.0MPa以下の圧力を加えることがより好ましい。
If the pressure in the lamination direction of the dielectric green sheets is too small, the
本実施形態に係る製造方法によれば、内部電極形成用の金属導電ペーストに共材を添加しなくても、内部電極層12の連続率低下を抑制することができる。共材は、一般的には小径を有しているため、誘電体層11に吐き出されると誘電体層11の誘電率を低下させるおそれがある。そこで、当該金属導電ペーストに対する共材の添加量を少なくすることが好ましい。例えば、当該金属導電ペースト中の金属重量に対する共材の添加量を0.1部以下とすることが好ましく、添加しないことがより好ましい。この場合、焼成の過程で誘電体層11に吐き出される共材の量が低減されるまたは無くなるため、誘電体層11の誘電率低下を抑制することができる。
According to the manufacturing method of this embodiment, the decrease in the continuity of the
内部電極層12の球状化は、高温になってから開始する。そこで、焼成雰囲気の温度が所定温度以上になった後に、加圧手段による加圧を開始してもよい。例えば、内部電極層12の主成分金属がNiである場合に、焼成雰囲気の温度が800℃以上になった後に、加圧手段による加圧を開始することが好ましい。例えば、成型体41の周囲雰囲気の圧力を高くする場合においては、昇温途中まで加圧しないことで、脱バインダ効率の低下を抑制することができる。
The
なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。 In the above embodiments, a multilayer ceramic capacitor has been described as an example of a ceramic electronic component, but the present invention is not limited to this. For example, other electronic components such as a varistor or a thermistor may be used.
以下、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。 The multilayer ceramic capacitor according to the embodiment was fabricated and its characteristics were investigated.
(実施例1)
チタン酸バリウム粉末に必要な添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダおよび溶剤を加えてドクターブレード法にて誘電体グリーンシートを作製した。有機バインダとしてポリビニルブチラール(PVB)等を用い、溶剤としてエタノール、トルエン等を加えた。その他、可塑剤などを加えた。次に、内部電極層12の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる内部電極形成用の金属導電ペーストを作製した。共材は添加しなかった。当該金属導電ペーストの有機バインダおよび溶剤には、誘電体グリーンシートとは異なるものを用いた。誘電体シートに内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷した。内部電極形成用の金属導電ペーストを印刷した誘電体グリーンシートを重ねた。得られた積層体の上下に、複数枚のカバーシートをそれぞれ積層した。その後、熱圧着によりセラミック積層体を得て、所定の形状に切断した。
Example 1
Necessary additives were added to the barium titanate powder, and the mixture was thoroughly wet-mixed and pulverized in a ball mill to obtain a dielectric material. An organic binder and a solvent were added to the dielectric material, and a dielectric green sheet was prepared by the doctor blade method. Polyvinyl butyral (PVB) or the like was used as the organic binder, and ethanol, toluene, or the like was added as the solvent. In addition, a plasticizer or the like was added. Next, a metal conductive paste for forming an internal electrode was prepared, which contains a powder of the main component metal of the
得られた成型体41をN2雰囲気中で脱バインダした後に、成型体41の両端面から積層方向の上面、下面および各側面にかけて、Niを主成分とする金属フィラー、共材、バインダおよび溶剤を含む金属ペースト42を塗布し、乾燥させた。その後、還元雰囲気中で1100℃~1300℃で10分~2時間、金属ペーストを成型体41と同時に焼成して焼結体を得た。この焼成の過程において、プレートによって誘電体グリーンシートの積層方向に、大気圧に加えて0.05MPaの圧力を加えた。
The obtained molded
焼結体をN2雰囲気下800℃の条件で再酸化処理を行った後、メッキ処理して外部電極20a,20bの表面にCuめっき層、Niめっき層およびSnめっき層を形成し、積層セラミックコンデンサ100を得た。得られた積層セラミックコンデンサ100の形状寸法は、長さ1.0mm×幅0.5mm×高さ0.5mmであった。
The sintered body was subjected to a reoxidation treatment under the condition of 800°C in a N2 atmosphere, and then a plating treatment was performed to form a Cu plating layer, a Ni plating layer and a Sn plating layer on the surfaces of the
(実施例2)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を5部添加したこと以外は、実施例1と同様の条件とした。
Example 2
The conditions were the same as in Example 1, except that 5 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(実施例3)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を10部添加したこと以外は、実施例1と同様の条件とした。
Example 3
The conditions were the same as in Example 1, except that 10 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(実施例4)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を15部添加したこと以外は、実施例1と同様の条件とした。
Example 4
The conditions were the same as in Example 1, except that 15 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(実施例5)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を20部添加したこと以外は、実施例1と同様の条件とした。
Example 5
The conditions were the same as in Example 1, except that 20 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(比較例1)
焼成の過程で加圧手段による圧力を加えなかったこと以外は、実施例1と同様の条件とした。
(Comparative Example 1)
The conditions were the same as in Example 1, except that no pressure was applied by the pressurizing means during the firing process.
(比較例2)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を5部添加したこと以外は、比較例1と同様の条件とした。
(Comparative Example 2)
The conditions were the same as those of Comparative Example 1, except that 5 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(比較例3)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を10部添加したこと以外は、比較例1と同様の条件とした。
(Comparative Example 3)
The conditions were the same as those of Comparative Example 1, except that 10 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(比較例4)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を15部添加したこと以外は、比較例1と同様の条件とした。
(Comparative Example 4)
The conditions were the same as those of Comparative Example 1, except that 15 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(比較例5)
内部電極形成用の金属導電ペーストに対してチタン酸バリウムの共材を20部添加したこと以外は、比較例1と同様の条件とした。
(Comparative Example 5)
The conditions were the same as those of Comparative Example 1, except that 20 parts of barium titanate was added to the metal conductive paste for forming the internal electrodes.
(分析)
実施例1~5および比較例1~5における内部電極層12の連続率を測定した。測定には、チップ中央部での、誘電体層11と内部電極層12との積層方向における断面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真を用いた。具体的には、数枚のSEM写真に写っている全内部電極層の連続率を測定し、その平均値を連続率として求めた。容量については、1kHz、0.5Vrmsの条件で測定した。容量について、材料誘電率、誘電体層厚み、積層数、電極面積から求められる計算容量に対して10%以内の減少の場合には非常に良好「〇」と判定し、10~20%以内の減少の場合には良好「△」と判定し、20%を超える減少の場合には不良「×」と判定した。
(analysis)
The continuity ratio of the
表1は、測定された連続率および容量の判定結果を示す。表1に示すように、実施例1~実施例5のいずれにおいても、連続率が高くなっている。また、実施例1~実施例5と比較例1~比較例5とを比較すると、共材の添加量が同一であれば、実施例1~実施例5の連続率の方が高くなっている。これは、誘電体グリーンシートの積層方向に、加圧手段によって圧力を加えつつ焼成を行ったことで、内部電極層12の球状化が抑制されたからであると考えられる。
また、表1に示すように、実施例1~5において、容量が良好「△」または非常に良好「〇」と判定された。これは、内部電極層12の連続率が高くなったからであると考えられる。なお、実施例4,5の判定結果と比較して、実施例1~3の判定結果が良好となった。これは、共材の添加量を少なくしたことで誘電体層11への共材の吐き出し量が低減され、誘電体層11の誘電率低下が抑制されたからであると考えられる。
As shown in Table 1, the capacitance was judged to be good (△) or very good (◯) in Examples 1 to 5. This is believed to be because the continuity rate of the
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the specific embodiments, and various modifications and variations are possible within the scope of the gist of the present invention as described in the claims.
10 積層チップ
11 誘電体層
12 内部電極層
13 カバー層
20a,20b 外部電極
100 積層セラミックコンデンサ
REFERENCE SIGNS
Claims (6)
前記積層体の全体が加圧されるように、前記積層体の周囲雰囲気を、大気圧を上回る圧力となるようガス加圧しつつ、前記積層体を焼成する工程と、を含み、
前記積層体を焼成する工程において、焼成雰囲気の温度が800℃以上になった後に、周囲雰囲気が大気圧を上回るようにガス加圧することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 forming a laminate by laminating a plurality of lamination units, each lamination unit having a pattern of a metal conductive paste arranged on a dielectric green sheet containing ceramic powder, such that the arrangement of the metal conductive paste is shifted alternately;
and firing the laminate while pressurizing the atmosphere surrounding the laminate to a pressure higher than atmospheric pressure so that the entire laminate is pressurized.
A method for producing a ceramic electronic component , wherein in the step of firing the laminate, after the temperature of the firing atmosphere has reached 800° C. or higher, the surrounding atmosphere is pressurized with gas so that the pressure exceeds atmospheric pressure.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019107073A JP7477080B2 (en) | 2019-06-07 | 2019-06-07 | Manufacturing method for ceramic electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019107073A JP7477080B2 (en) | 2019-06-07 | 2019-06-07 | Manufacturing method for ceramic electronic components |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202245A JP2020202245A (en) | 2020-12-17 |
JP7477080B2 true JP7477080B2 (en) | 2024-05-01 |
Family
ID=73743480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019107073A Active JP7477080B2 (en) | 2019-06-07 | 2019-06-07 | Manufacturing method for ceramic electronic components |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7477080B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024004393A1 (en) * | 2022-06-26 | 2024-01-04 | 株式会社村田製作所 | Multilayer ceramic capacitor |
WO2024004392A1 (en) * | 2022-06-26 | 2024-01-04 | 株式会社村田製作所 | Multilayer ceramic capacitor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092228A (en) | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nec Tokin Ceramics Corp | Method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
JP2004134808A (en) | 2003-11-14 | 2004-04-30 | Tdk Corp | Manufacturing method and binder removal method of ceramic electronic component |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8303447A (en) * | 1983-10-07 | 1985-05-01 | Philips Nv | METHOD FOR MAKING MULTI-LAYER CAPACITORS. |
-
2019
- 2019-06-07 JP JP2019107073A patent/JP7477080B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092228A (en) | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nec Tokin Ceramics Corp | Method for manufacturing laminated ceramic capacitor |
JP2004134808A (en) | 2003-11-14 | 2004-04-30 | Tdk Corp | Manufacturing method and binder removal method of ceramic electronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020202245A (en) | 2020-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6955363B2 (en) | Multilayer ceramic capacitors and their manufacturing methods | |
KR102648161B1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
KR102587765B1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
JP7290914B2 (en) | Manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
JP6986361B2 (en) | Multilayer ceramic capacitors and their manufacturing methods | |
KR102412983B1 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
JP6986360B2 (en) | Multilayer ceramic capacitors and their manufacturing methods | |
JP7131955B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP7186014B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP7421313B2 (en) | Ceramic electronic components and their manufacturing method | |
JP2019201161A (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP2018041814A (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of the same | |
JP2022157148A (en) | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
JP7432391B2 (en) | Ceramic electronic components and their manufacturing method | |
JP2023050840A (en) | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
JP2022154959A (en) | Ceramic electronic component and manufacturing method thereof | |
JP7545200B2 (en) | Ceramic electronic components and their manufacturing method | |
JP7477080B2 (en) | Manufacturing method for ceramic electronic components | |
JP2018139253A (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP7524269B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing same | |
JP7169069B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP7312525B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof | |
JP7536434B2 (en) | Manufacturing method for ceramic electronic component, and sheet member | |
JP7523922B2 (en) | Manufacturing method for ceramic electronic components and metal conductive paste | |
JP2021082644A (en) | Manufacturing method of ceramic electronic component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7477080 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |