JP7473546B2 - 分析装置 - Google Patents

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Description

本発明は、3つ以上の光源を用いた分析装置に関するものである。
従来、レーザ等の光源を用いた分析装置では、サンプルに含まれる複数の成分を測定するために、サンプルが収容される測定セルと、当該測定セルにレーザ光を照射する波長の異なる複数のレーザと、測定セルを透過した光を検出する光検出器とを備えている。
このとき、複数のレーザからのレーザ光を共通の光路にして測定セルに照射するためには、ダイクロイックミラー等の結合光学素子が用いられている。具体的には、3つ以上のレーザを用いる構成の場合には、光学系を小型化するために、光射出方向が同じ向きを向くように複数のレーザを横並びに直線状に配置し、それらの光射出側に複数のレーザと同様に結合光学素子を直線上に配置する構成としている。このような光学配置では、1つのレーザから出たレーザ光は、別のレーザに対応して設けられた2つ以上の結合光学素子を透過して測定セルに照射される構成となる。
しかしながら、上記の透過型の光学系では、結合光学素子を透過するごとにレーザ光の光量が低下してしまうという問題がある。また、結合光学素子の透過率を広帯域に亘って高くすることが難しいため、レーザの数が増えると、光量低下の問題が顕著になる。また、結合光学素子内での多重反射による迷光の干渉の影響を防ぐために、ウェッジ付きの結合光学素子を用いる場合、結合光学素子を透過する度にレーザ光が屈折するため、結合光学素子の数が増すと光軸調整が非常に困難となる。
特許第6255022号公報
そこで本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、3つ以上の光源からセルに光を照射する分析装置において、各光源の光量低下を防止することをその主たる課題とするものである。
すなわち本発明に係る分析装置は、サンプルが導入されたセルに光を照射し、当該セルを透過した光を検出して、前記サンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、少なくとも第1光源、第2光源及び第3光源を含む複数の光源と、前記各光源の光を前記セルに導く光学系とを備え、前記光学系は、前記第1光源の光を反射するとともに、前記第2光源の光を透過する第2光源用光学素子と、前記第2光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び透過した前記第2光源の光を反射するとともに、前記第3光源の光を透過する第3光源用光学素子とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、第1光源の光は、第2光源用光学素子及び第3光源用光学素子を透過することなく反射して測定セルに導かれるので、第1光源の光の光量低下を防ぐことができる。また、第2光源の光は、第2光源用光学素子を透過するだけで、それ以降は第3光源用光学素子を透過することなく反射して測定セルに導かれるので、第2光源の光の光量低下を防ぐことができる。さらに、第3光源の光は、第3光源用光学素子を透過するだけで測定セルに導かれるので、第3光源の光の光量低下を防ぐことができる。このように本発明は、1つのレーザから出たレーザ光が別のレーザに対応して設けられた2つ以上の光学素子を透過して測定セルに照射される透過型の光学系ではなく、1つのレーザから出たレーザ光が別のレーザに対応して設けられた光学素子を反射して測定セルに照射される反射型の光学系であり、各光源からの光量低下を防止することができる。
また、各光学素子内での多重反射による迷光の干渉の影響を防ぐために、ウェッジの付いた光学素子を用いることが望ましく、この場合、反射型の光学系にすることで各光源は光学素子を1度しか透過しないため、光の屈折による光軸調整の困難さが緩和される。
光源の配置の自由度を増して分析装置を小型化するためには、前記第2光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び透過した前記第2光源の光を反射する第2光源用反射ミラーをさらに備え、前記第3光源用光学素子は、前記第2光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光及び前記第2光源の光を反射するものであることが望ましい。
また、光源の配置の自由度を増して分析装置を小型化するためには、前記光学系は、前記第1光源の光を反射する第1光源用反射ミラーをさらに備え、前記第2光源用光学素子は、前記第1光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光を反射するものであることが望ましい。
分析装置における光源、各反射ミラー及び各光学素子の配置の自由度を増して、所望の方向に各光源の光を照射できるようにするためには、前記光学系は、前記第3光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び前記第2光源の光並びに透過した前記第3光源の光を反射する第3光源用反射ミラーをさらに備えることが望ましい。
光学系を小型化するためには、前記各反射ミラー及び前記各光学素子は、反射する光の入射角度が45度未満となるように配置されていることが望ましい。
具体的には、前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、射出する光の波長が互いに異なることが望ましい。
各光源及び各光学素子の具体的な実施の態様としては、前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、射出する光の波長が短い順に配置され、前記第2光源用光学素子は、前記第2光源の波長以上の光を透過させるものであり、前記第3光源用光学素子は、前記第3光源の波長以上の光を透過させるものであることが望ましい。
この構成であれば、第2光源用光学素子及び第3光源用光学素子を、対応する光源からの光の波長よりも短い波長を遮断するロングパスフィルタ(短波長カットフィルタ)とすることができ、光学素子の設計が容易となる。
また、各光源及び各光学素子の具体的な実施の態様としては、前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、射出する光の波長が長い順に配置され、前記第2光源用光学素子は、前記第2光源の波長以下の光を透過させるものであり、前記第3光源用光学素子は、前記第3光源の波長以下の光を透過させるものであることが望ましい。
この構成であれば、第2光源用光学素子及び第3光源用光学素子を、対応する光源からの光の波長よりも長い波長を遮断するショートパスフィルタ(長波長カットフィルタ)とすることができ、光学素子の設計が容易となる。
また、前記各光源は、レーザ光源であり、所定の変調周波数で波長が変調された変調光を射出するものであることが考えられる。
この構成であれば、所定の変調周波数で波長が変調された変調光を射出して得られた強度関連信号を用いることにより測定対象成分を分析することができる。その結果、測定対象成分の濃度に与える干渉成分の影響を低減することができる。
本発明の分析装置は、前記セルを透過した光の強度を検出する光検出器と、前記光検出器により検出された光の強度に関連する強度関連信号と、当該強度関連信号に対して所定の相関が得られる特徴信号との相関値であるサンプル相関値を算出する相関値算出部と、前記サンプル相関値を用いて前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部とを備えることが望ましい。
この構成であれば、セルを透過した光の強度に関連する強度関連信号と特徴信号とのサンプル相関値を算出し、算出されたサンプル相関値を用いて測定対象成分の濃度を算出するので、吸収信号を吸収スペクトルへ変換することなく、吸収信号の特徴を劇的に少ない変数で捉えることができ、複雑なスペクトル演算処理をすることなく、測定対象成分の濃度を簡単な演算で測定できる。例えば一般的なスペクトルフィッティングで用いるデータ点数は数百点必要だが、本発明ではせいぜい数個から数十個程度の相関値を使えば同等の精度で濃度の算出が可能となる。その結果、演算処理の負荷を劇的に小さくすることができ、高度な演算処理装置が不要となり、分析装置のコストを削減することができるとともに、小型化が可能となる。
そして、本発明の分析装置は、前記セルを透過した光の強度を検出する光検出器と、前記光検出器により検出された光の強度に関連する強度関連信号から、前記変調周波数のn倍(nは1以上の整数)の周波数成分を抽出する周波数成分抽出部と、前記周波数成分抽出部による周波数成分抽出結果に基づいて、前記測定対象成分の濃度又は吸光度を算出する第2算出部とをさらに備えることが望ましい。
この構成であれば、周波数成分抽出部によって得られた値が直接、測定対象成分の濃度に比例した値となるため、従来の波長変調方式で必要であった濃度定量のためのスペクトル演算処理も不要となり、かつ、変調周波数も単一でよいので、システムがより簡便、低コストになる。
以上に述べた本発明によれば、3つ以上の光源からセルに光を照射する分析装置において、各光源からの光量低下を防止することができる。
本発明の一実施形態に係る分析装置の全体模式図である。 同実施形態の光学系の詳細を示す模式図である。 同実施形態における変形例の光学系の詳細を示す模式図である。 同実施形態における信号処理装置の機能ブロック図である。 同実施形態におけるレーザ発振波長の変調方法を示す模式図である。 同実施形態における発振波長、光強度I(t)、対数強度L(t)、特徴信号F(t)、相関値Sの一例を示す時系列グラフである。 同実施形態の単独相関値及びサンプル相関値を用いた濃度算出の概念図を示す図である。 第2実施形態における信号処理装置の機能ブロック図である。 第2実施形態における変調信号、光検出器の出力信号、測定結果の一例を示す時系列グラフである。 光学系の変形例を示す模式図である。 光学系の変形例を示す模式図である。 光学系の変形例を示す模式図である。 疑似連続発振における駆動電流(電圧)及び変調信号を示す図である。 疑似連続発振による測定原理を示す模式図である。 変形実施形態における複数の半導体レーザのパルス発振タイミング及び光強度信号の一例を示す模式図である。 変形実施形態における信号処理装置の機能ブロック図である。
100・・・分析装置
11 ・・・セル
121・・・第1光源
122・・・第2光源
123・・・第3光源
13 ・・・光学系
M1 ・・・第1光源用反射ミラー
E2 ・・・第2光源用光学素子
M2 ・・・第2光源用反射ミラー
E3 ・・・第3光源用光学素子
M3 ・・・第3光源用反射ミラー
14 ・・・光検出器
172・・・相関値算出部
174・・・濃度算出部
176・・・周波数成分抽出部
177・・・濃度算出部
<第1実施形態>
以下、本発明の第1実施形態に係る分析装置100について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態の分析装置100は、例えば内燃機関からの排ガスなどのサンプルガス中に含まれる測定対象成分(ここでは、例えばCO、CO、NO、NO、NO、HO、SO、CH、NHなど)の濃度を測定する濃度測定装置である。
具体的に分析装置100は、図1に示すように、サンプルガスが導入されるセル11と、セル11に照射されるレーザ光を射出する複数のレーザ光源12と、複数のレーザ光源12からの光をセル11に導く光学系13と、セル11を透過したレーザ光であるサンプル光の光路上に設けられてサンプル光を受光する光検出器14と、光検出器14の出力信号を受信し、その値に基づいて測定対象成分の濃度を算出する信号処理装置15とを備えている。
各部11~15を説明する。
セル11は、測定対象成分の吸収波長帯域において光の吸収がほとんどない石英、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等の透明材質で光の入射口及び出射口が形成されたものである。このセル11には、図示しないが、サンプルガスを内部に導入するためのインレットポートと、内部のサンプルガスを排出するためのアウトレットポートとが設けられており、サンプルガスは、このインレットポートからセル11内に導入されて封入される。
複数のレーザ光源12は、ここでは半導体レーザ12の一種である量子カスケードレーザ(QCL:Quantum Cascade Laser)であり、中赤外(4~12μm)のレーザ光を発振する。このレーザ光源12は、与えられた電流(又は電圧)によって、発振波長を変調(変える)ことが可能なものである。なお、発振波長が可変でさえあれば、他のタイプのレーザを用いても良く、発振波長を変化させるために、温度を変化させる等しても構わない。本実施形態では4つの半導体レーザ121~124を有する構成を例示しているが、3つ以上であれば、これに限られない。
光学系13は、図2Aに示すように、複数の半導体レーザ121~124から射出されるレーザ光の光路を共通にしてセル11に照射するものである。なお、以下において、複数の半導体レーザ121~124を、図2Aにおいて左から、第1レーザ121、第2レーザ122、第2レーザ123、及び第4レーザ124という。
具体的に光学系13は、第1レーザ121に対応して設けられた第1光源用反射ミラーM1(以下、第1反射ミラーM1)と、第2レーザ122に対応して設けられた第2光源用光学素子E2(以下、第2光学素子E2)及び第2光源用反射ミラーM2(以下、第2反射ミラーM2)と、第3レーザ123に対応して設けられた第3光源用光学素子E3(以下、第3光学素子E3)及び第3光源用反射ミラーM3(以下、第3反射ミラーM3)と、第4レーザ124に対応して設けられた第4光源用光学素子E4(以下、第4光学素子E4)及び第4光源用反射ミラーM4(以下、第4反射ミラーM4)と、を備えている。なお、各光学素子E2~E4は、光学素子内の多重反射による迷光の干渉の影響を防ぐため、図2Bに示すように、ウェッジ付きのものを用いても良い。ここで、ウェッジの角度としては、例えば0.3~0.5度程度とすることが考えられる。
第1反射ミラーM1は、第1レーザ121の光(以下、第1レーザ光)を反射するものである。第1反射ミラーM1により反射された第1レーザ光は、第2光学素子E2に向かう。
第2光学素子E2は、第1レーザ光を反射するとともに、第2光源の光(以下、第2レーザ光)を透過するものである。第2光学素子E2により反射された第1レーザ光と、第2光学素子E2を透過した第2レーザ光とは、互いに同じ光路上を通って、第2反射ミラーM2に向かう。
第2反射ミラーM2は、第2光学素子E2を反射した第1レーザ光、及び、第2光学素子E2を透過した第2レーザ光を反射するものである。そして、第2反射ミラーM2により反射された第1レーザ光及び第2レーザ光は、互いに同じ光路上を通って、第3光学素子E3に向かう。
第3光学素子E3は、第1レーザ光及び第2レーザ光を反射するとともに、第3光源の光(以下、第3レーザ光)を透過するものである。第3光学素子E3により反射された第1レーザ光及び第2レーザ光と、第3光学素子E3を透過した第3レーザ光とは、互いに同じ光路上を通って、第3反射ミラーM3に向かう。
第3反射ミラーM3は、第3光学素子E3を反射した第1レーザ光及び第2レーザ光、並びに、第3光学素子E3を透過した第3レーザ光を反射するものである。そして、第3反射ミラーM3により反射された第1~第3レーザ光は、互いに同じ光路上を通って、第4光学素子E4に向かう。
第4光学素子E4は、第1~第3レーザ光を反射するとともに、第4光源の光(以下、第4レーザ光)を透過するものである。第4光学素子E4により反射された第1~第3レーザ光と、第4光学素子E4を透過した第4レーザ光とは、互いに同じ光路上を通って、第4反射ミラーM4に向かう。
第4反射ミラーM4は、第4光学素子E4を反射した第1~第3レーザ光、及び第4光学素子E4を透過した第4レーザ光を反射するものである。そして、第4反射ミラーM4により反射された第1~第4レーザ光は、互いに同じ光路上を通って、セル11に向かう。
この光学系13により、第1レーザ光は、第1反射ミラーM1、第2光学素子E2、第2反射ミラーM2、第3光学素子E3、第3反射ミラーM3、第4光学素子E4、第4反射ミラーM4をこの順で反射してセル11に照射される。第2レーザ光は、第2光学素子E2を透過した後、第2反射ミラーM2、第3光学素子E3、第3反射ミラーM3、第4光学素子E4、第4反射ミラーM4をこの順で反射してセル11に照射される。第3レーザ光は、第3光学素子E3を透過した後、第3反射ミラーM3、第4光学素子E4、第4反射ミラーM4をこの順で反射してセル11に照射される。第4レーザ光は、第4光学素子E4を透過した後、第4反射ミラーM4で反射してセル11に照射される。
本実施形態では、第1レーザ121、第2レーザ122、第3レーザ123及び第4レーザ124は、セル11からの光路が長くなる側(図2Aの紙面左側)から、射出するレーザ光の波長が短い順に配置されている。そして、第2光学素子E2は、第2レーザ122の波長以上のレーザ光を透過させるとともに、第1レーザ光を反射するロングパスフィルタ(短波長カットフィルタ)である。また、第3光学素子E3は、第3レーザ123の波長以上のレーザ光を透過させるとともに、第1レーザ光及び第2レーザ光を反射するロングパスフィルタ(短波長カットフィルタ)である。さらに、第4光学素子E4は、第4レーザ124の波長以上のレーザ光を透過させるとともに、第1~第3レーザ光を反射するロングパスフィルタ(短波長カットフィルタ)である。
また、本実施形態では、図2Aに示すように、第1レーザ121、第2レーザ122、第3レーザ123及び第4レーザ124は、光射出方向が同じ向きを向くように横並びに直線上に配置されている。そして、少なくとも第1~第3反射ミラーM1~M3は、対応するレーザ121、122、123と同様に、それらの光射出側に横並びに直線上に配置されている。なお、第4反射ミラーM4は、反射したレーザ光をセル11に向かわせるものであり、その位置は適宜設定される。
さらに、本実施形態では、少なくとも第1~第3反射ミラーM1~M3及び各光学素子E2~E4は、反射するレーザ光の入射角度が45度未満となるように配置されている。つまり、少なくとも第1~第3反射ミラーM1~M3及び各光学素子E2~E4において入射光と反射光とのなす角度が90度未満となるように配置されている。このように各反射ミラーM1~M3及び各光学素子E2~E4を配置することによって、光学系13を小型化することができる。
再び、図1に戻り、光検出器14及び信号処理装置15について説明する。
光検出器14は、ここでは、比較的安価なサーモパイル等の熱型のものを用いているが、その他のタイプのもの、例えば、応答性がよいHgCdTe、InGaAs、InAsSb、PbSe等の量子型光電素子を用いても構わない。
信号処理装置15は、バッファ、増幅器等からなるアナログ電気回路と、CPU、メモリ等からなるデジタル電気回路と、それらアナログ/デジタル電気回路間を仲立ちするADコンバータ、DAコンバータ等とを具備したものであり、前記メモリの所定領域に格納した所定のプログラムに従ってCPUやその周辺機器が協働することによって、図3に示すように、半導体レーザ12の出力を制御する光源制御部16や、光検出器14からの出力信号を受信し、その値を演算処理して測定対象成分の濃度を算出する信号処理部17としての機能を発揮する。
以下に各部を詳述する。
光源制御部16は、電流(又は電圧)制御信号を出力することによって各半導体レーザ12の電流源(又は電圧源)を制御するものである。具体的に光源制御部16は、各半導体レーザ12の駆動電流(又は駆動電圧)を所定周波数で変化させ、半導体レーザ12から出力されるレーザ光の発振波長を中心波長に対して所定周波数で変調させる。また、光源制御部16は、複数の半導体レーザ121~124がそれぞれ異なる測定対象成分に対応した発振波長となるように制御する。さらに、光源制御部16は、複数の半導体レーザ121~124がそれぞれ異なるタイミングでレーザ光を出力するように制御する。
この実施形態においては、光源制御部16は駆動電流を三角波状に変化させ、発振周波数を三角波状に変調する(図5の「発振波長」参照)。実際には、発振周波数が三角波状になるように、駆動電流の変調を別の関数で行う。また、レーザ光の発振波長は、図4に示すように、測定対象成分の光吸収スペクトルのピークを中心波長として変調されるようにしてある。その他、光源制御部16は、駆動電流を正弦波状や鋸波状、または任意の関数状に変化させ、発振周波数を正弦波状や鋸波状、または任意の関数状に変調してもよい。
図3を参照して、信号処理部17は、対数演算部171、相関値算出部172、格納部173、濃度算出部174等からなる。
対数演算部171は、光検出器14の出力信号である光強度信号に対数演算を施すものである。光検出器14により得られる光強度信号の継時変化を示す関数I(t)は、図5の「光強度I(t)」のようになり、対数演算を施すことにより、図5の「対数強度L(t)」のようになる。
相関値算出部172は、サンプル光の強度に関連する強度関連信号と複数の所定の特徴信号とのそれぞれの相関値を算出するものである。特徴信号とは、強度関連信号と相関を取ることで、強度関連信号の波形特徴を抽出するための信号である。特徴信号としては、例えば正弦波信号や、それ以外の強度関連信号から抽出したい波形特徴に合わせた様々な信号を用いることができる。
以下では、特徴信号に正弦波信号以外のものを用いた場合の例を説明する。相関値算出部172は、サンプル光の強度に関連する強度関連信号と、当該強度関連信号に対して正弦波信号(正弦関数)とは異なる相関が得られる複数の特徴信号とのそれぞれの相関値を算出する。ここでは、相関値算出部172は、対数演算された光強度信号(対数強度L(t))を強度関連信号として用いる。
また、相関値算出部172は、測定対象成分の種類数及び干渉成分の種類数を合わせた数以上の数の特徴信号F(t)(i=1,2,・・・,n)を用いて、下式(数1)により、複数のサンプル相関値S(t)を算出するものである。なお、数1におけるTは、変調の周期である。
Figure 0007473546000001
相関値算出部162は、サンプル相関値を算出する時、上式(数1)のように、サンプル光の強度関連信号L(t)と複数の特徴信号F(t)との相関値Sを求める。また、相関値算出部162は、上式(数1)のように、リファレンス光の強度関連信号L(t)と複数の特徴信号F(t)との相関値であるリファレンス相関値Rを求める。そして、相関値算出部162は、上式(数1)のように、相関値Sからリファレンス相関値Rを差し引いたサンプル相関値S’を算出する。これにより、サンプル相関値に含まれるオフセットを除去し、測定対象成分及び干渉成分の濃度に比例した相関値となり、測定誤差を低減できる。なお、リファレンス相関値を差し引かない構成であっても良い。
ここで、リファレンス光の取得タイミングは、サンプル光と同時、測定の前後又は任意のタイミングである。リファレンス光の強度関連信号又はリファレンス相関値は、予め取得して格納部173に記憶させておいても良い。また、リファレンス光を同時に取得する方法は、例えば、光検出器14を2つ設けて、半導体レーザ12からの変調光をビームスプリッタなどにより分岐させて、一方をサンプル光測定用とし、他方をリファレンス光測定用とすることが考えられる。
本実施形態では、相関値算出部172は、複数の特徴信号F(t)として、正弦関数よりも対数強度L(t)の波形特徴を捉えやすい関数を用いている。測定対象成分(例えばSO)及び1つの干渉成分(例えばHO)を含むサンプルガスの場合には、2つ以上の特徴信号F(t)、F(t)を用いることが考えられ、2つの特徴信号F(t)、F(t)としては、例えば、吸収スペクトルの形に近いローレンツ関数に基づいた関数と、当該ローレンツ関数に基づいた関数の微分関数とを用いることが考えられる。また、特徴信号としては、ローレンツ関数に基づいた関数の代わりに、フォークト関数に基づいた関数、又はガウス関数に基づいた関数等を用いることもできる。このような関数を特徴信号に用いることで、正弦関数を用いた時よりもより大きな相関値を得ることができ、測定精度を向上させることができる。
ここで、特徴信号は、直流成分を除去、すなわち変調周期で積分した時にゼロになるようにオフセットを調整することが望ましい。こうすることで、光強度の変動による強度関連信号にオフセットが乗った時の影響を除去することができる。なお、特徴信号の直流成分を除去する代わりに、強度関連信号の直流成分を除去してもよいし、特徴信号と強度関連信号の両方とも直流成分を除去してもよい。その他、特徴信号として、測定対象成分及び/又は干渉成分の吸収信号の実測値、またはそれらを模したものをそれぞれ用いてもよい。
なお、2つの特徴信号F(t)、F(t)を互いに直交する直交関数列又は直交関数列に近い関数列とすることにより、対数強度L(t)の特徴をより効率的に抽出することができ、後述する連立方程式により得られる濃度を精度良くすることができる。
格納部173は、測定対象成分及び各干渉成分が単独で存在する場合のそれぞれの強度関連信号と複数の特徴信号F(t)とから求められた測定対象成分及び各干渉成分それぞれの単位濃度当たりの相関値である単独相関値を格納するものである。この単独相関値を求めるのに用いる複数の特徴信号F(t)は、相関値算出部172で用いる複数の特徴信号F(t)と同一である。
ここで、格納部173は、単独相関値を格納する時、測定対象成分及び各干渉成分が単独で存在する場合の相関値からリファレンス相関値を差し引いた上で、単位濃度当たりに換算する補正をした単独相関値を格納することが望ましい。これにより、単独相関値に含まれるオフセットを除去し、測定対象成分及び干渉成分の濃度に比例した相関値となり、測定誤差を低減できる。なお、リファレンス相関値を差し引かない構成であっても良い。
濃度算出部174は、相関値算出部172により得られた複数のサンプル相関値を用いて測定対象成分の濃度を算出するものである。
具体的に濃度算出部174は、相関値算出部172により得られた複数のサンプル相関値と、格納部173に格納された複数の単独相関値とに基づいて、測定対象成分の濃度を算出するものである。より詳細には、濃度算出部174は、相関値算出部172により得られた複数のサンプル相関値と、格納部173に格納された複数の単独相関値と、測定対象成分及び各干渉成分それぞれの濃度とからなる連立方程式を解くことにより、測定対象成分の濃度を算出するものである。
次に、前記各部の詳細説明を兼ねて、この分析装置100の動作の一例を説明する。以下では、サンプルガス中に1つの測定対象成分(例えばSO)と1つの干渉成分(例えばHO)とが含まれる場合を想定している。
<リファレンス測定>
まず、光源制御部16が、各半導体レーザ121~124を制御し、変調周波数で且つ測定対象成分の吸収スペクトルのピークを中心に、レーザ光の波長を変調する。なお、スパンガスを用いたリファレンス測定の前に、ゼロガスを用いたリファレンス測定を行い、リファレンス相関値の測定を行ってもよい。
次に、オペレータにより又は自動的に、セル11内にスパンガス(成分濃度既知のガス)が導入されて、リファレンス測定が行われる。このリファレンス測定は、測定対象成分が単独で存在するスパンガスと、干渉成分が単独で存在するスパンガスとのそれぞれにおいて行われる。
具体的には、リファレンス測定において、対数演算部171が光検出器14の出力信号を受信して対数強度L(t)を算出する。そして、相関値算出部172は、その対数強度L(t)と2つの特徴信号F(t)、F(t)との相関値を算出し、その相関値からリファレンス相関値を差し引いたものをスパンガスの濃度で割ることにより、単位濃度当たりの各スパンガスの相関値である単独相関値を算出する。なお、単位濃度あたりの単独相関値を算出する代わりに、スパンガス濃度と当該スパンガスの単独相関値との関係を記憶させておいても良い。
具体的には以下の通りである。
測定対象成分が単独で存在するスパンガスをセル1内に導入することにより、相関値算出部172により測定対象成分の相関値S1t、S2tを算出する(図6参照)。ここで、S1tは、第1の特徴信号との相関値であり、S2tは、第2の特徴信号との相関値である。そして、相関値算出部162は、それら相関値S1t、S2tからリファレンス相関値Rを差し引いたものを測定対象成分のスパンガス濃度cで割ることにより、単独相関値s1t、s2tを算出する。なお、測定対象成分のスパンガス濃度cは、予めユーザ等により信号処理部17に入力される。
また、干渉成分が単独で存在するスパンガスをセル1内に導入することにより、相関値算出部172により干渉成分の相関値S1i、S2iを算出する(図6参照)。ここで、S1iは、第1の特徴信号との相関値であり、S2iは、第2の特徴信号との相関値である。そして、相関値算出部172は、それら相関値S1i、S2iからリファレンス相関値を差し引いたものを干渉成分のスパンガス濃度cで割ることにより、単独相関値s1i、s2iを算出する。なお、干渉成分のスパンガス濃度cは、予めユーザ等により信号処理部17に入力される。
上記により算出された単独相関値s1t、s2t、s1i、s2iは、格納部173に格納される。なお、このリファレンス測定は、製品出荷前に行うようにしても良いし、定期的に行うようにしてもよい。
<サンプル測定>
光源制御部16が、各半導体レーザ121~124を制御し、変調周波数で且つ測定対象成分の吸収スペクトルのピークを中心に、レーザ光の波長を変調する。
次に、オペレータにより又は自動的に、セル11内にサンプルガスが導入されて、サンプル測定が行われる。
具体的には、サンプル測定において、対数演算部171が光検出器14の出力信号を受信して対数強度L(t)を算出する。そして、相関値算出部172は、その対数強度L(t)と複数の特徴信号F(t)、F(t)とのサンプル相関値を算出し、その相関値からリファレンス相関値Rを差し引いたサンプル相関値S’、S’を算出する(図6参照)。
そして、濃度算出部174は、相関値算出部172が算出したサンプル相関値S’、S’と、格納部173の単独相関値s1t、s2t、s1i、s2iと、測定対象成分及び各干渉成分それぞれの濃度Ctar、Cintとからなる以下の二元連立方程式を解く。
Figure 0007473546000002
これにより、上式(数2)の連立方程式を解くという簡単かつ確実な演算により、干渉影響が取り除かれた測定対象成分の濃度Ctarを決定することができる。
なお、干渉成分が2以上存在すると想定し得る場合でも、干渉成分の数だけ、単独相関値を追加して、成分種の数と同じ元数の連立方程式を解くことで、同様に干渉影響が取り除かれた測定対象成分の濃度を決定することができる。
すなわち、一般に測定対象成分と干渉成分を合わせてn種のガスが存在する場合、m番目の特徴信号におけるk番目のガス種の単独相関値をsmk、k番目のガス種の濃度をC、m番目の特徴信号F(t)におけるサンプル相関値をS’とすると、以下の式(数3)が成り立つ。
Figure 0007473546000003
この式(数3)で表されるn元連立方程式を解くことで、測定対象成分及び干渉成分の各ガスの濃度を決定することができる。
<第1実施形態の効果>
このように構成した本実施形態の分析装置100であれば、各レーザ121~124から射出されたレーザ光は最大でも1つの光学素子E2~E4しか通過しないので、各レーザ121~124から射出されたレーザ光の光量低下を防ぐことができる。その結果、光学素子E2~E4を通過することにより生じる各レーザ121~124の光量のばらつきを抑えることができ、分析装置100における各測定対象成分の測定精度を向上させることができる。またウェッジ付きの光学素子を用いた場合でも各レーザ光は光学素子を1度しか通過しないため、光の屈折による光軸調整の困難さが緩和されている。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る分析装置100について説明する。第2実施形態の分析装置100は、前記第1実施形態とは信号処理部17の構成が異なる。
第2実施形態の信号処理部17は、図7に示すように、強度比対数算出部175、周波数成分抽出部176、濃度算出部177等からなる。
強度比対数算出部175は、サンプルガスが封入され、その中の測定対象成分による光吸収が生じる状態でのセル11を透過したレーザ光(以下、透過光ともいう。)の光強度と、光吸収が実質的にゼロ状態でのセル11を透過したレーザ光(以下、リファレンス光ともいう。)の光強度との比の対数(以下、強度比対数ともいう。)を算出するものである。
より詳細に説明すると、透過光の光強度及びリファレンス光の光強度のいずれも光検出器14により測定され、その測定結果データはメモリの所定領域に格納されるところ、強度比対数算出部175は、この測定結果データを参照して強度比対数(以下、強度関連信号ともいう。)を算出する。このように本実施形態では、強度関連信号として吸光度信号を用いてもよい。
しかして、前者の測定(以下、サンプル測定ともいう。)は、当然のことながら、サンプルガスごとに都度行われる。後者の測定(以下、リファレンス測定ともいう。)は、サンプル測定の前後にいずれかに都度行ってもよいし、適宜のタイミングで、例えば1回だけ行い、その結果をメモリに記憶させて各サンプル測定に共通に用いてもよい。
なお、この実施形態においては、光吸収が実質的にゼロとなる状態とするために、測定対象成分の光吸収がみられる波長帯域において、光吸収が実質的にゼロとなるゼロガス、例えばNガスをセル11に封入しているが、その他のガスでもよいし、セル11内を真空にしても構わない。また、サンプル測定を行うセル11とは別に参照測定を行うセルを設けて、半導体レーザ12からの変調光をハーフミラーなどにより分岐させて、2つのセルに導入してもよい。
周波数成分抽出部176は、強度比対数算出部175が算出した強度関連信号を、変調周波数のn倍(nは1以上の整数)の周波数を有する正弦波信号(リファレンス信号)でロックイン検波して、当該強度関連信号からリファレンス信号の有する周波数成分を抽出して、同期検波信号を生成するものである。なお、ロックイン検波は、デジタル演算で行ってもよいし、アナログ回路による演算で行ってもよい。また、周波数成分の抽出は、ロックイン検波のみならず、例えばフーリエ級数展開といった方式を用いても構わない。
濃度算出部177は、周波数成分抽出部176による同期検波結果に基づいて、測定対象成分の濃度を算出するものである。
次に、上記各部の詳細説明を兼ねて、この分析装置100の動作の一例を説明する。
まず、光源制御部16が、各半導体レーザ121~124を制御し、前記変調周波数で、かつ測定対象成分の吸収スペクトルのピークを中心に、レーザ光の波長を変調する。
次に、オペレータにより又は自動的に、セル11内にゼロガスが封入されると、これを検知した強度比対数算出部175は、リファレンス測定を行う。
具体的には、ゼロガスがセル11に封入された状態での光検出器14からの出力信号を受信し、その値を測定結果データ格納部に格納する。このリファレンス測定における光検出器14の出力信号の値、すなわちリファレンス光強度を時系列グラフで表すと、図8(a)のようになる。すなわち、レーザの駆動電流(電圧)の変調による光出力の変化のみが光検出器13の出力信号に表れている。
そこで、オペレータにより又は自動的にセル11内にサンプルガスが封入されると、強度比対数算出部175は、サンプル測定を行う。具体的には、サンプルガスがセル11に封入された状態での光検出器14からの出力信号を受信し、その値をメモリの所定領域に格納する。このサンプル測定における光検出器14の出力信号の値、すなわち透過光強度を時系列グラフで表すと、図8(b)のようになる。変調の半周期ごとに吸収によるピークが現れることがわかる。
次に、強度比対数算出部175は、各測定データを変調周期に同期させ、透過光の光強度と、リファレンス光の光強度との強度比対数(強度関連信号)を算出する。具体的には、以下の式(数4)と均等な演算を行う。
Figure 0007473546000004
ここで、D(t)は透過光強度、D(t)はリファレンス光強度、A(t)は強度比対数(強度関連信号)である。この強度関連信号を時間を横軸にとってグラフに表すと図8(c)のようになる。
このとき、透過光強度とリファレンス光強度との比を算出してからその対数を求めてもよいし、透過光強度の対数及びリファレンス光強度の対数をそれぞれ求め、それらを差し引いても構わない。
次に、周波数成分抽出部176が、強度関連信号を変調周波数の2倍の周波数を有するリファレンス信号でロックイン検波、すなわち、変調周波数の2倍の周波数成分を抽出し、その同期検波信号(以下、ロックインデータともいう。)を、メモリの所定領域に格納する。
このロックインデータの値が、測定対象成分の濃度に比例した値となり、濃度算出部177が、このロックインデータの値に基づいて、測定対象成分の濃度を示す濃度指示値を算出する。
しかして、このような構成によれば、何らかの要因でレーザ光強度が変動したとしても前述した強度比対数には、一定のオフセットが加わるだけで、波形は変化しない。したがって、これをロックイン検波して算出された各周波数成分の値は変化せず、濃度指示値は変化しないため、精度のよい測定が期待できる。
その理由を詳細に説明すると以下のとおりである。
一般的に、強度関連信号A(t)をフーリエ級数展開すると、次式(数5)で表される。
なお、式(数5)におけるaが測定対象成分の濃度に比例する値であり、この値aに基づいて濃度算出部177が測定対象成分の濃度を示す濃度指示値を算出する。
Figure 0007473546000005
ここで、fは変調周波数であり、nは変調周波数に対する倍数である。
一方、A(t)は、前記式(数1)とも表される。
次に、測定中に何らかの要因でレーザ光強度がα倍変動した場合の、強度関連信号A’(t)は、以下の式(数6)のように表される。
Figure 0007473546000006
この式(数6)から明らかなように、A’(t)は、レーザ光強度の変動のない場合の強度関連信号A(t)に一定値である-ln(α)が加わるだけとなり、レーザ光強度が変化しても各周波数成分の値aは変化しないことがわかる。
よって、変調周波数の2倍の周波数成分の値に基づいて決定している濃度指示値には影響はでない。
以上が、サンプルガスに測定対象成分以外の干渉成分が含まれていない場合の試料分析装置100の動作例である。
次に、測定対象成分のピーク光吸収波長に光吸収を有する1又は複数の干渉成分(例えばHO)がサンプルガスに含まれている場合の試料分析装置100の動作例について説明する。
まず、原理を説明する。
測定対象成分と干渉成分の光吸収スペクトルは形状が違うため、それぞれの成分が単独で存在する場合の強度関連信号は波形が異なり、各周波数成分の割合が異なる(線形独立)。このことを利用し、測定された強度関連信号の各周波数成分の値と、あらかじめ求めた測定対象成分と干渉成分の強度関連信号の各周波数成分との関係を用いて、連立方程式を解くことにより、干渉影響が補正された測定対象成分の濃度を得ることができる。
測定対象成分、干渉成分のそれぞれが単独で存在する場合の単位濃度当たりの強度関連信号をそれぞれA(t)、A(t)とし、それぞれの強度関連信号の各周波数成分をanm、aniとすると、以下の式(数7、数8)が成り立つ。
Figure 0007473546000007
Figure 0007473546000008
測定対象成分、干渉成分の濃度がそれぞれC、Cで存在する場合の強度関連信号値A(t)は、各吸光度の線形性により、以下の式(数9)で表される。
Figure 0007473546000009
ここで、A(t)のfと2fの周波数成分をそれぞれa、aとすれば、上式(数9)より、以下の連立方程式(数10)が成り立つ。
Figure 0007473546000010
測定対象成分、干渉成分のそれぞれが単独で存在する場合の各周波数成分anm、ani(nは自然数、ここではn=1,2)は、あらかじめ、各スパンガスを流して求めておくことができるので、上式(数10)の連立方程式を解くという簡単かつ確実な演算により、干渉影響が取り除かれた測定対象ガスの濃度Cを決定することができる。
上述した原理に基づいて分析装置100は動作する。
すなわち、この場合の分析装置100は、メモリの所定領域に、例えば事前にスパンガスを流して予め測定するなどして、測定対象成分及び干渉成分が単独で存在する場合のそれぞれの強度関連信号の周波数成分a1m、a2m、a1i、a2iを記憶している。具体的には、前例同様、測定対象成分及び干渉成分それぞれにおいて、測定対象光強度とリファレンス光強度とを測定して、それらの強度比対数(強度関連信号)を算出し、この強度比対数からロックイン検波するなどして周波数成分a1m、a2m、a1i、a2iを求め、これらを記憶する。なお、前記周波数成分ではなく、単位濃度当たりの強度関連信号A(t)、A(t)を記憶して、前記式(数7、数8)から周波数成分a1m、a2m、a1i、a2iを算出するようにしてもよい。
そして、該分析装置100は、オペレータからの入力などによって、測定対象成分及び干渉成分を特定する。
次に、強度比対数算出部175が、式(数4)に従って強度比対数A(t)を算出する。
その後、周波数成分抽出部176が、強度比対数を変調周波数f及びその2倍の周波数2fを有するリファレンス信号でロックイン検波して、各周波数成分a、a(ロックインデータ)を抽出し、メモリの所定領域に格納する。
そして、濃度算出部177が、ロックインデータの値a、a及びメモリに記憶された周波数成分a1m、a2m、a1i、a2iの値を前記式(数10)に当てはめ、あるいはこれと均等な演算を行って、干渉影響が取り除かれた測定対象ガスの濃度を示す濃度(又は濃度指示値)Cを算出する。このとき、各干渉成分の濃度(又は濃度指示値)Cを算出してもよい。
なお、干渉成分が2以上存在すると想定し得る場合でも、干渉成分の数だけ、より高次の周波数成分を追加して、成分種の数と同じ元数の連立方程式を解くことで、同様に干渉影響が取り除かれた測定対象成分の濃度を決定することができる。
すなわち、一般に測定対象成分と干渉成分を合わせてn種のガスが存在する場合、k番目のガス種のi×fの周波数成分を、aik、k番目のガス種の濃度をCとすると、以下の式(数11)が成り立つ。
Figure 0007473546000011
この式(数11)で表されるn元連立方程式を解くことで、測定対象成分及び干渉成分の各ガスの濃度を決定することができる。
またnより大きい次数の高調波成分も追加して、ガス種の数より大きい元数の連立方程式を作り、最小二乗法で、各ガス濃度を決定してもよく、こうすることで、より測定ノイズに対しても誤差の小さい濃度決定が可能となる。
<その他の実施形態>
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、光学系13に関して言えば、第1反射ミラーを用いることなく、図9に示すように、第1光源121の光を第2光学素子E2に直接照射するようにしてもよいし、2つ以上の反射ミラーを用いて第2光学素子E2に照射するようにしても良い。
また、光学系13において、図10に示すように、セル11までの光路が最も短い光源(前記実施形態では第4光源124)に対応する第4反射ミラーM4を用いない構成としても良い。この場合、第4光学素子E4により反射された第1~第3光源121~123の光及び第4光学素子E4を透過した第4光源124の光を直接セル11に照射する構成となる。
前記実施形態では、4つの光源を有する構成であったが、3つ以上の光源を有するものであれば良い。
3つの光源を有する構成において光学系13を最も簡単にする構成としては、図11に示すものが考えられる。この光学系13は、第1光源121の光を反射するとともに、第2光源122の光を透過する第2光学素子E2と、第2光学素子E2を反射した第1光源121の光及び透過した第2光源122の光を反射するとともに、第3光源123の光を透過する第3光学素子E3とを有する。そして、第3光学素子E3を反射した第1光源121の光及び第2光源122の光並びに第3光学素子を透過した第2光源122の光は、セル11に照射される。
前記実施形態の測定原理の他に、分析装置100は例えばNDIR法、FTIR法やNDUV法を用いたものであっても良い。
例えば、前記第1実施形態の対数演算部161は、光検出器13の光強度信号を対数演算するものであったが、光検出器13の光強度信号を用いて、サンプル光の強度とリファレンス光である変調光の強度との比の対数(いわゆる吸光度)を算出するものであってもよい。このとき、対数演算部161は、サンプル光の強度の対数を演算し、リファレンス光の強度の対数を演算した後にそれらを差し引くことで吸光度を算出しても良いし、サンプル光の強度とリファレンス光の強度との比を求めた後にその比の対数を取ることで吸光度を算出してもよい。
また、前記第1実施形態の相関値算出部62は、強度関連信号と特徴信号との相関値を算出するものであったが、強度関連信号と特徴信号との内積値を算出するものであってもよい。
また、前記第1実施形態では、格納部173はリファレンス相関値を用いて補正した単独相関値を格納するものであったが、格納部173に補正前の単独相関値を格納しておき、濃度算出部174が、補正前の単独相関値からリファレンス相関値を差し引いた上で、単位濃度当たりに換算する補正をした単独相関値を求める構成としても良い。
複数の特徴信号は、前記第1実施形態に限られず、互いに異なる関数であれば良い。また、特徴信号として、例えば濃度既知のスパンガスを流して得られた光強度や対数強度又は吸光度の波形(実測スペクトル)を示す関数を用いてもよい。また、1つの測定対象成分の濃度を測定する場合には、特徴信号は少なくとも1つあれば良い。
前記実施形態の光源制御部16は半導体レーザを連続発振(CW)させるものであったが、図12に示すように、疑似連続発振(疑似CW)させるものであってもよい。この場合、光源制御部16は、電流(又は電圧)制御信号を出力することによって各半導体レーザ121~124の電流源(又は電圧源)を制御して、電流源(又は電圧源)の駆動電流(駆動電圧)をパルス発振させるための所定のしきい値以上とする。具体的に光源制御部16は、所定の周期(例えば1~5MHz)で繰り返される所定のパルス幅(例えば10~50ns、Duty比5%)のパルス発振で疑似連続発振させるものである。そして、光源制御部16は、電流源(又は電圧源)の駆動電流(駆動電圧)を前記パルス発振用のしきい値未満である波長掃引用の値で、所定周波数で変化させることにより温度変化を発生させてレーザ光の発振波長の掃引を行うものである。駆動電流を変調させる変調信号としては、三角波状、鋸波状又は正弦波状で変化するとともに、その周波数は例えば1~100Hzである。
このように半導体レーザ121~124を疑似連続発振させて光検出器14により得られる光強度信号は、図13のようになる。このようにパルス列全体で吸収スペクトルを取得することができる。疑似連続発振は連続発振に比べて光源の消費電力が小さく排熱処理も容易となり、さらに光源の長寿命化もできる。
このとき、光源制御部16は、複数の半導体レーザ121~124がそれぞれ異なる測定対象成分に対応した発振波長となるように制御するとともに、互いに同じ発振周期で且つそれらの発振タイミングが互いに異なるようにパルス発振する。
具体的に光源制御部16は、電流(又は電圧)制御信号を出力することによって各半導体レーザ121~124の電流源(又は電圧源)を制御する。本実施形態の光源制御部16は、図4に示すように、各半導体レーザ121~124を、所定の周期(例えば1~5MHz)で繰り返される所定のパルス幅(例えば10~100ns、Duty比5%)のパルス発振で疑似連続発振(疑似CW)させるものである。
また、光源制御部16は、図12に示すように、電流源(又は電圧源)の駆動電流(駆動電圧)を所定周波数で変化させることにより温度変化を発生させてレーザ光の発振波長の掃引を行うものである。各半導体レーザにおけるレーザ光の発振波長は、図4に示すように、測定対象成分の光吸収スペクトルのピークを中心にして変調される。駆動電流を変化させる変調信号としては、三角波状、鋸波状又は正弦波状で変化するとともに、その周波数が例えば1~100Hzの信号である。なお、図12には、変調信号が三角波状で変化する例を示している。
このように1つの半導体レーザ2を疑似連続発振させて光検出器3により得られる光強度信号は、図13のようになる。このようにパルス列全体で吸収スペクトルを取得することができる。
また、光源制御部5は、複数の半導体レーザ2を互いに異なるタイミングでパルス発振する。具体的には、図14に示すように、複数の半導体レーザ2が順次パルス発振し、1つの半導体レーザ2におけるパルス発振の1周期内にその他の半導体レーザ2それぞれの1パルスが含まれる。つまり、1つの半導体レーザ2の互いに隣り合うパルス内にその他の半導体レーザ2それぞれの1パルスが含まれる。このとき、複数の半導体レーザ2のパルスは、互いに重複しないように発振される。
そして、この信号処理装置15は、図15に示すように、光検出器14により得られた光強度信号から半導体レーザ121~124毎の信号を分離する信号分離部18を更に備えている。
信号分離部18は、光検出器14により得られた光強度信号から、複数の半導体レーザ121~124それぞれの信号を分離するものである。本実施形態の信号分離部18は、複数の半導体レーザ121~124それぞれに対応して設けられた複数のサンプルホールド回路と当該サンプルホールド回路により分離された光強度信号をデジタル変換するAD変換器とを有している。なお、サンプルホールド回路及びAD変換器は、複数の半導体レーザ121~124に共通の1つのものとしても良い。
サンプルホールド回路は、図14に示すように、対応する半導体レーザ121~124の電流(又は電圧)制御信号と同期されたサンプリング信号により、半導体レーザ121~124のパルス発振のタイミングと同期したタイミングで、光検出器14の光強度信号から、対応する半導体レーザ121~124の信号を分離して保持する。サンプルホールド回路は、半導体レーザ121~124のパルス発振の後半部分に対応する信号を分離して保持するように構成されている。この信号分離部18により分離された各半導体レーザ121~124の複数の信号を集めることにより1つの光吸収信号となり、1つの半導体レーザ121~124を疑似連続発振させた場合に得られる光吸収信号よりも波長分解能の良い光吸収信号を得ることができる。ここで、パルス内の吸収変化位置が変調信号により変化するので、パルス発振に対して同じタイミングで信号を採取することで、波形を再現できる。また、サンプルホールド回路によりパルス発振の一部分に対応する信号を分離しているので、AD変換器は処理速度の遅いものであってもよい。各半導体レーザ121~124毎に得られた複数の光吸収信号を時間平均して用いても良い。
このように信号分離部18により分離された各半導体レーザ121~124の吸収信号を用いて信号処理部17は、各半導体レーザ121~124に対応する測定対象成分の濃度を算出する。なお、信号処理部17による測定対象成分の濃度の算出は前記実施形態と同様である。
また、サンプルガスは、排ガスのみならず大気などでもよいし、液体や固体でも構わない。その意味では、測定対象成分もガスのみならず液体や固体でも本発明を適用可能である。
光源も、半導体レーザに関わらず、他のタイプのレーザでもよいし、測定精度を担保するに十分な半値幅をもつ単波長光源であって、波長変調さえできるものなら、どのような光源を用いてもよい。また、測定対象を貫通透過した光の吸光度のみならず、反射による吸光度算出にも用いることができる。
その他、本発明の趣旨に反しない限りにおいて様々な実施形態の変形や組み合わせを行っても構わない。
本発明によれば、3つ以上の光源からセルに光を照射する分析装置において、各光源の光量低下を防止することができる。

Claims (7)

  1. サンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、
    前記サンプルが導入されるセルと、
    少なくとも第1光源、第2光源及び第3光源を含む複数の光源と、
    前記各光源の光を前記セルに導いて照射する光学系と、
    前記セルを透過した光の強度を検出する光検出器と、
    前記光検出器により検出された光の強度に関連する強度関連信号に基づいて前記測定対象成分の濃度を算出する信号処理装置とを備え、
    前記複数の光源は、それぞれ異なるタイミングで光を照射するものであり、
    前記光学系は、
    前記第1光源の光を反射する第1光源用反射ミラーと、
    前記第1光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光を反射するとともに、前記第2光源の光を透過する第2光源用光学素子と、
    前記第2光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び透過した前記第2光源の光を反射する第2光源用反射ミラーと、
    前記第2光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光及び前記第2光源の光を反射するとともに、前記第3光源の光を透過する第3光源用光学素子とを備え
    前記第2光源用光学素子及び前記第3光源用光学素子がウェッジ付きの光学素子である、分析装置。
  2. 前記光学系は、前記第3光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び前記第2光源の光並びに透過した前記第3光源の光を反射する第3光源用反射ミラーをさらに備える、請求項に記載の分析装置。
  3. 前記第1光源用反射ミラー、前記第2光源用反射ミラー、前記第3光源用反射ミラー、前記第2光源用光学素子及び前記第3光源用光学素子は、反射する光の入射角度が45度未満となるように配置されている、請求項に記載の分析装置。
  4. 前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、射出する光の波長が互いに異なり、前記セルからの光路が長くなる側から波長順に配置されている、請求項1乃至の何れか一項に記載の分析装置。
  5. 前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、前記セルからの光路が長くなる側から、射出する光の波長が短い順に配置され、
    前記第2光源用光学素子は、前記第2光源の波長以上の光を透過させるロングパスフィルタであり、
    前記第3光源用光学素子は、前記第3光源の波長以上の光を透過させるロングパスフィルタである、請求項1乃至4の何れか一項に記載の分析装置。
  6. 前記第1光源、前記第2光源及び前記第3光源は、前記セルからの光路が長くなる側から、射出する光の波長が長い順に配置され、
    前記第2光源用光学素子は、前記第2光源の波長以下の光を透過させるショートパスフィルタであり、
    前記第3光源用光学素子は、前記第3光源の波長以下の光を透過させるショートパスフィルタである、請求項1乃至の何れか一項に記載の分析装置。
  7. 1又は複数の干渉成分が含まれるサンプル中に含まれる測定対象成分を分析する分析装置であって、
    前記サンプルが導入されるセルと、
    少なくとも第1光源、第2光源及び第3光源を含む複数の光源と、
    前記各光源の光を前記セルに導いて照射する光学系と、
    前記サンプルを透過したサンプル光の強度を検出する光検出器と、
    前記光検出器により検出されたサンプル光の強度に関連する強度関連信号に基づいて前記測定対象成分の濃度を算出する信号処理装置とを備え、
    前記複数の光源は、それぞれ異なるタイミングで光を照射するものであり、
    前記光学系は、
    前記第1光源の光を反射する第1光源用反射ミラーと、
    前記第1光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光を反射するとともに、前記第2光源の光を透過する第2光源用光学素子と、
    前記第2光源用光学素子を反射した前記第1光源の光及び透過した前記第2光源の光を反射する第2光源用反射ミラーと、
    前記第2光源用反射ミラーを反射した前記第1光源の光及び前記第2光源の光を反射するとともに、前記第3光源の光を透過する第3光源用光学素子とを備え、
    前記信号処理装置は、
    前記サンプル光の強度に関連する強度関連信号と所定の特徴信号との相関値であるサンプル相関値を算出する相関値算出部と、
    前記相関値算出部により得られた前記サンプル相関値を用いて前記測定対象成分の濃度を算出する濃度算出部と、
    前記測定対象成分及び各干渉成分が単独で存在する場合のそれぞれの前記強度関連信号と複数の前記特徴信号とから求められた前記測定対象成分及び各干渉成分それぞれの単位濃度当たりの相関値である単独相関値を格納する格納部とを備え、
    前記濃度算出部は、前記相関値算出部により得られた複数のサンプル相関値と、前記複数の単独相関値とに基づいて、前記測定対象成分の濃度を算出するものである、分析装置。
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