JP7468462B2 - 電池システム - Google Patents

Description

本開示は、電池システムに関する。

特開２０１０－１０８７５０号公報（特許文献１）は、電池パック入出力制御装置を開示する。この制御装置は、電池パックと、温度センサと、電圧センサと、電流センサと、最大温度推定部とを備える。電池パックは、複数の単位電池を組み合わせて構成される。温度センサは、電池表面温度を検出する。電圧センサは、電池パックの単位電池の電池電圧を検出する。電流センサは、電池パックに入出力される電流値を検出する。最大温度推定部は、温度センサ、電圧センサおよび電流センサの検出値を用いて、電池パックの内部の最大温度を推定する。

特開２０１０－１０８７５０号公報

複数のバイポーラ型ニッケル水素電池を含んで構成される電池モジュールが知られている。このような電池モジュールにおいて、その温度を検出するための温度センサが設けられる。ここで、バイポーラ型電池から成る電池モジュールの構造的な理由から、電池モジュールにおける温度解析の対象である領域（以下、「対象領域」と称する」）に温度センサを設けることが困難である場合がある。この場合、温度センサは、対象領域とは異なる領域に設けられるので、温度センサの検出値は、対象領域の温度に通常一致しない。そこで、温度センサの検出値を用いて対象領域の温度を推定することが考えられる。特に、温度センサが設けられる領域よりも対象領域の温度が高い場合、電池モジュールの過熱保護という観点から、対象領域の温度を適切に推定することは重要である。

ここで、温度センサがノイズの影響を受けることにより、その検出値が、温度センサが設けられている領域の実際の温度から大きく乖離して上昇してしまうことがある。これに伴い、その検出値を用いて算出される対象領域の推定温度も、その領域の実際の温度から大きく乖離して上昇してしまう。その結果、対象領域の温度を適切に推定することができない。

本開示は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、バイポーラ型のニッケル水素電池によって構成される電池システムにおいて、温度センサが設けられている領域の温度の検出値に従って、その領域よりも温度が高い対象領域の温度を適切に推定することである。

本開示の電池システムは、電池モジュールと、温度センサと、処理装置とを備える。電池モジュールは、複数のバイポーラ型ニッケル水素電池を含んで構成される。温度センサは、電池モジュールにおける第１領域の温度を検出する。処理装置は、電池モジュールにおいて第１領域よりも温度が高い第２領域の推定温度を、温度センサの検出値に温度補正量を加えることによって算出する。処理装置は、検出値の時間微分値に従って温度補正量を設定するように構成されている。そして、処理装置は、第２領域の推定温度の上昇率が０よりも大きい所定率を上回らないように温度補正量を設定する。

上記の構成とすることにより、上記時間微分値が急激に上昇するほど温度センサの検出値がノイズの影響を受ける場合であっても、第２領域の推定温度の上昇率が所定率を上回ることが防止される。その結果、第２領域の推定温度が実際の温度から大きく乖離するほど急激に上昇することを抑制することができる。

処理装置は、正値の第１補正量を検出値に加えることによって、第２領域の第１推定温度を算出し、第１推定温度の変化を緩やかにするためのなまし処理を第１推定温度に行うことによって、第２領域の第２推定温度を算出してもよい。処理装置は、時間微分値が正値である場合に、温度補正量に第１補正量を設定し、時間微分値が正値から負値に低下した場合に、温度補正量に０よりも大きい第２補正量を設定し、検出値に第２補正量を加えることによって、第２領域の推定温度としての第２推定温度を算出してもよい。

上記の構成とすることにより、検出値の時間微分値が正値から負値に低下することに伴って、第２領域の推定温度は、第１推定温度から、検出値よりも第２補正量だけ大きい第２推定温度に変化する。これにより、第２領域の推定温度が検出値まで急激に低下することによって第２領域の推定温度が実際の温度から大きく乖離することを抑制することができる。

検出値が第１の値から第１の値よりも大きい第２の値に上昇した場合に、処理装置は、時間微分値に所定の定数を乗じて得られる第３補正量を算出し、検出値が第１の値であるときの温度補正量を示す第４補正量から第３補正量への上昇量がしきい量よりも小さいときは、第３補正量を、検出値が第２の値であるときの温度補正量として設定してもよい。上昇量がしきい量以上であるときは、処理装置は、しきい量よりも小さい値を第４補正量に加算した値を、検出値が第２の値であるときの温度補正量として設定してもよい。

上記の構成とすることにより、上記上昇量がしきい量以上になるほど温度センサがノイズの影響を受ける場合であっても、温度補正量が過度に上昇する事態を回避することができる。その結果、第２領域の推定温度がノイズの影響を受けて過度に上昇することによって実際の温度から大きく乖離する事態を回避することができる。

処理装置は、サンプリング周期ごとに温度センサの出力のサンプリング値を取得し、サンプリング周期よりも長い所定期間にわたる複数のサンプリング値を用いて、所定期間ごとに検出値を算出し、所定期間ごとに、検出値から第２領域の推定温度を算出し、サンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値以上である場合に、今回値を用いることなく検出値を算出してもよい。

上記の構成とすることにより、サンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値以上になるほど今回値が異常値を取る場合であっても、異常値としての今回値が用いられることなく検出値が算出される。これにより、その検出値に従って温度補正量が設定されるため、第２領域の推定温度が適切に算出される。その結果、第２領域の推定温度が実際の温度から大きく乖離するほど急激に変化する事態を回避することができる。

処理装置は、電池モジュールの充電電流が所定のしきい電流以上である場合に、第２領域の推定温度の上昇率が所定率を上回らないように温度補正量を設定してもよい。

上記の構成とすることにより、充電電流が過剰に大きい場合に温度センサの検出値がノイズの影響を受けるときであっても、第２領域の推定温度の上昇率が所定率を上回らないように温度補正量が設定される。その結果、電池モジュールの過充電時に、第２領域の推定温度が実際の温度から大きく乖離するほど急激に上昇することを抑制することができる。

電池システムは、さらに、電池モジュールに接続されるリレー部をさらに備えていてもよい。処理装置は、第２領域の推定温度がしきい温度に上昇した場合に、リレー部を開状態に制御してもよい。

上記の構成とすることにより、第２領域の推定温度がしきい温度に上昇した場合に、電池モジュールにおける充放電が停止される。これにより、第２領域の温度がしきい温度を上回るほど上昇する事態を回避することができる。その結果、電池モジュールを充放電による過熱から保護することができる。

バイポーラ型のニッケル水素電池によって構成される電池システムにおいて、温度センサが設けられている領域の温度の検出値に従って、その領域よりも温度が高い対象領域の温度を適切に推定することができる。

本実施の形態に従う電池システムの構成を模式的に示す図である。 電池ユニットの断面図である。 電池ユニットの分解斜視図である。 電池ユニットの使用中に、サーミスタ近傍の対象領域の温度が、サーミスタが設けられている領域の温度よりも高くなることを説明するための図である。 電池モジュールの過充電時における、サーミスタの検出値、および対象領域の推定温度の時間的推移を示す図である。 対象領域の推定温度の算出に伴う処理の手順の一例を示すフローチャートである。 仮の推定温度に従って温度補正量を設定するための処理の詳細を説明するためのフローチャートである。 サーミスタの検出値と、対象領域の第１推定温度との時間的推移の一例を示す図である。 実施の形態２における、サーミスタの検出値と、対象領域の推定温度との時間的推移の一例を示す図である。 実施の形態２に従うＥＣＵにより実行される処理の一例を示すフローチャートである。 サーミスタの検出値と、対象領域の仮の推定温度と、対象領域の推定温度との時間的推移の一例を示す図である。 実施の形態３における、サーミスタの検出値と、対象領域の仮の推定温度と、対象領域の推定温度との時間的推移の一例を示す図である。 実施の形態３に従うＥＣＵにより実行される処理の一例を示すフローチャートである。 サーミスタからのサンプリング値が異常値を含む場合の、サーミスタの検出値と、対象領域の推定温度との時間的推移を示す図である。 実施の形態４において、サーミスタのサンプリング値が異常値を含む場合の、サーミスタの検出値と、対象領域の推定温度との時間的推移を示す図である。 実施の形態５において、図６のステップＳ１０５において実行される処理の詳細を説明するためのフローチャートである。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明を繰り返さない。本開示の電池システムは、代表的には車両に適用されるが、車両以外にも適用可能である。

［実施の形態１］
図１は、本実施の形態に従う電池システムの構成を模式的に示す図である。図１を参照して、電池システム９０は、電池ユニット１と、サーミスタ８０と、システムメインリレー（ＳＭＲ：System Main Relay）９５と、電流センサ５３と、ＥＣＵ（Electronic Control Unit）１００とを備える。

電池ユニット１は、複数の電池モジュール４が積層されて構成される。各電池モジュール４は、バイポーラ型のニッケル水素電池を含んで構成される。図１の例では、７つの電池モジュール４が記載されているが、電池モジュールの数はこれに限定されるものではない。隣接する電池モジュール４の間には、電池モジュール４を冷却するための冷媒が内部に流通する冷却板（図示せず）が設けられる。電池モジュール４の詳細な構成については、後述する。

サーミスタ８０は、電池モジュール４の端部領域の温度を検出する。この例では、サーミスタ８０は、複数の電池モジュール４のうち代表的な１つの電池モジュール４（７つの電池モジュール４のうち真ん中のモジュール）に設けられて、その電池モジュールの端部領域の温度を検出するものとしているが、他の電池モジュールの温度を検出してもよい。サーミスタ８０の検出値は、ＥＣＵ１００により取得される。サーミスタ８０に代えて、他の種類の温度センサが用いられてもよい。

ＳＭＲ９５は、電池モジュール４（電池ユニット１）に接続される。ＳＭＲ９５は、電池モジュール４における充放電の実施および停止を切り替えるための開閉装置として設けられる。電流センサ５３は、電池モジュール４（電池ユニット１）の充放電電流を検出する。

ＥＣＵ１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０２と、メモリ１０５とを含む。ＣＰＵ１０２は、メモリ１０５に記憶された情報などに従って各種演算を実行する。メモリ１０５は、ＲＯＭ（Read Only Memory）と、ＲＡＭ（Random Access Memory）とを含む（いずれも図示せず）。ＲＯＭは、ＣＰＵ１０２により実行されるプログラムなどを格納する。ＲＡＭは、ＣＰＵ１０２により参照されるデータなどを一時的に格納する。ＥＣＵ１００の制御は、ソフトウェア処理により実現されるが、ＥＣＵ１００内に作製されたハードウェアにより実現されてもよい。

ＥＣＵ１００は、各センサ信号（例えば、サーミスタ８０および電流センサ５３の検出値）、並びにメモリ１０５に記憶されたプログラム、データおよびマップなどに従って、電池モジュール４における対象領域の温度を推定する。本実施の形態では、サーミスタ８０が設けられた電池モジュール４において温度が推定される。代表的な電池モジュール４における検出温度および推定温度は、他の電池モジュール４における検出温度および推定温度に等しいものとして利用される。

ＥＣＵ１００は、サンプリング周期ごとにサーミスタ８０の出力のサンプリング値を取得する。ＥＣＵ１００は、サンプリング周期よりも長い所定期間にわたる複数のサンプリング値を用いて、当該所定期間ごとにサーミスタ８０の検出値を算出する。具体的には、ＥＣＵ１００は、当該所定期間にわたる複数のサンプリング値の平均値を、サーミスタ８０の検出値として算出する。ＥＣＵ１００は、当該所定期間ごとに、その検出値から対象領域の推定温度を算出する。

また、サーミスタ８０の対象領域の推定温度がしきい温度を超えた場合、ＥＣＵ１００は、ＳＭＲ９５を開状態に制御する。ＥＣＵ１００による制御については、後ほど詳しく説明する。

電池システム９０は、負荷５５に接続される。電池システム９０が車両に搭載される場合、負荷５５は、例えば、ＰＣＵ（Power Control Unit）、およびモータなどである。

図２および図３を参照して、電池ユニット１および電池モジュール４の構成について説明する。図２は、電池ユニット１の断面図である。図３は、電池ユニット１の分解斜視図である。

電池ユニット１は、積層体１１と、拘束具１２とを含む。積層体１１は、複数の電池モジュール４を含む。複数の電池モジュール４は、積層方向Ｚに積層される。積層体１１は、積層方向Ｚに配列する端面１３および端面１４を有する。

電池モジュール４は、複数の電極層４１を含んで構成される。電極層４１は、セパレータ４４と、負極４５と、正極４３とを含む。セパレータ４４は、積層方向Ｚに配列する上面４６および下面４７を有する。負極４５は、上面４６に設けられる。正極４３は、下面４７に設けられる。

また、電池モジュール４は、正極終端電極と、負極終端電極とをさらに含む（いずれも図示せず）。そのため、電池モジュール４において、正極終端電極と、負極終端電極との間に、複数の電極層４１が設けられる。

隣接する電極層４１の間に１個の電池セルが形成される。ここで、電池モジュール４に、ｎ個の電極層（バイポーラ電極）４１が設けられているものとすると、ｎ個の電極層４１の間に、合計でｎ－１個の電池セルが形成される（ｎは自然数）。また、正極終端電極に隣接する電極層４１と、正極終端電極との間に１つの電池セルが形成される。負極終端電極に隣接する電極層４１と、負極終端電極との間に１つの電池セルが形成される。したがって、電池モジュール４は、積層方向Ｚに形成されるｎ＋１個の電池セルを含んでいる。各電池セルは、バイポーラ型のニッケル水素電池である。

拘束具１２は、積層体１１を積層方向Ｚに拘束する。拘束具１２は、押圧板２０と、押圧板２１と、複数の接続軸２６とを含む。押圧板２０は、端面１３を押圧する。押圧板２１は、端面１４を押圧する。

各接続軸２６は、押圧板２０および押圧板２１の間に配置され、押圧板２０および押圧板２１を接続する。各接続軸２６は、積層体１１の周囲を取り囲むように間隔をあけて配置されている（図３）。積層体１１は、外気に曝されており、積層体１１における電池モジュール４の熱は、外気に放出される。

図４は、電池ユニット１の使用中に、サーミスタ８０近傍の対象領域の温度が、サーミスタ８０が設けられている領域の温度よりも高くなることを説明するための図である。

電池モジュール４の構造的な理由から、電池モジュール４における温度解析の対象である対象領域１０７にサーミスタ８０を設けることができない。そのため、サーミスタ８０は、電池モジュール４において、発熱領域５０２（矩形領域）の外の領域のうち対象領域１０７に最も近い領域８５に設けられる。図４の例では、領域８５は、積層方向Ｚから視たときの電池モジュール４の端部領域である。電池モジュール４の使用中、対象領域１０７（発熱領域５０２）の温度は、領域８５の温度よりも高い。

対象領域１０７から領域８５への熱伝導と、サーミスタ８０の熱容量とから、対象領域１０７の温度上昇は、サーミスタ８０の検出値に直ちに反映されない。

このような理由から、サーミスタ８０の検出値は、対象領域１０７の温度に通常一致しない。そこで、サーミスタ８０の検出値を用いて対象領域１０７の温度を推定することが考えられる。

本実施の形態では、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度を、サーミスタ８０の検出値に温度補正量を加えることによって算出する。具体的には、ＥＣＵ１００は、時刻ｔにおける対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、温度補正量ＣＡ（ｔ）とに従って次式（１）を用いて算出する。

ＴＮ（ｔ）＝ＴＤ（ｔ）＋ＣＡ（ｔ） …（１）
ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的な微分値に従って温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定するように構成されている。

図４の例のように、領域８５よりも対象領域１０７の温度が高い場合、電池モジュール４の過熱保護という観点から、対象領域１０７の温度を適切に推定することが重要である。

ここで、サーミスタ８０は、ノイズ（例えば、外部の無線機から発生するＢＣＩ（Bulk Current Injection）ノイズなどの高周波ノイズ）の影響を受けることがある。その結果、サーミスタ８０の検出値が、領域８５の実際の温度から大きく乖離して上昇してしまう現象が発生することがある。より詳細には、サーミスタ８０に流れる電流が、ノイズに起因して発生する磁界の影響を受ける。これにより、サーミスタ８０が発熱し、サーミスタ８０の検出値が、領域８５の実際の温度から大きく乖離して上昇する。これにより、サーミスタ８０の検出値に従って算出される対象領域１０７の推定温度も、対象領域１０７の実際の温度から大きく乖離して上昇してしまう。その結果、対象領域１０７の温度を適切に推定することができない。

本実施の形態に従う電池システム９０は、上記問題を解決するための構成を備える。具体的には、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的な上昇率が、０よりも大きい所定率（レートガード値）を上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。この処理を「レートガード処理」とも称する。

レートガード処理が実行されることにより、ノイズの影響により推定温度ＴＮ（ｔ）が対象領域１０７の実際の温度から大きく乖離して急激に上昇することを抑制することができる。以下、推定温度ＴＮ（ｔ）の算出方法について詳しく説明する。

時刻ｔにおける対象領域１０７の仮の推定温度をＴＮＰ（ｔ）とする。仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、式（１）における推定温度ＴＮ（ｔ）の算出のために用いられる温度である。この実施の形態１では、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）について、上記のレートガード処理が実行されると、推定温度ＴＮ（ｔ）が算出される。仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、仮の温度補正量（後述）と、検出値ＴＤ（ｔ）との合計である。

また、時刻ｔにおける、サーミスタ８０が設けられる領域８５の実際の温度をＴＴ１（ｔ）とする。時刻ｔにおける、対象領域１０７の実際の温度をＴＴ２（ｔ）とする。対象領域１０７と領域８５との間の熱伝導量をＷとし、熱伝導率をＣとする。サーミスタ８０の熱容量をαとする。ＥＣＵ１００によるサーミスタ８０の検出値の算出間隔（一定値）をΔｔとする。この場合、以下の式（２），（３）が成立する。

Ｗ＝Ｃ×（ＴＴ２（ｔ）－ＴＴ１（ｔ）） …（２）
ＴＤ（ｔ）＝ＴＤ（ｔ－Δｔ）＋（Ｗ／α）×Δｔ …（３）
ここで、熱容量αおよび熱伝導率Ｃは、実験により予め定められる定数である。なお、式（３）における右辺第２項は、熱伝導量Ｗに起因する、Δｔの間のサーミスタ８０の温度上昇量を表す。

ここで、ＴＴ１（ｔ）＝ＴＤ（ｔ），ＴＴ２（ｔ）＝ＴＮＰ（ｔ）とし、（α／Ｃ）を定数Ｋとすると、上式（１），（２）から、以下の式（４）が成立する。

ＴＮＰ（ｔ）＝ＴＤ（ｔ）＋（（ＴＤ（ｔ）－ＴＤ（ｔ－Δｔ））／Δｔ）×Ｋ
＝ＴＤ（ｔ）＋ＴＤＤ（ｔ）×Ｋ
＝ＴＤ（ｔ）＋ＣＡＰ（ｔ） （ＣＡＰ（ｔ）≧０） …（４）
上式（４）において、ＴＤＤ（ｔ）は、ＴＤ（ｔ）の時間的な微分値である。ＣＡＰ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に対する仮の温度補正量である。仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）は、式（１）における温度補正量ＣＡ（ｔ）の算出のために用いられる。仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）は、０以上になるように設定される。また、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から０に低下した場合、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）は、微分値ＴＤＤ（ｔ）が０に低下する直前の値に等しくなるように設定されるものとする。微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下した場合、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）は０に設定されるものとする。

ＥＣＵ１００は、上式（１），（４）を用いることによって、温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定するように構成されている。例えば、ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率を上回らない場合、ＥＣＵ１００は、レートガード処理を実行しない。そのため、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）を温度補正量ＣＡ（ｔ）として設定する（ＣＡ（ｔ）＝ＣＡＰ（ｔ））。その結果、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）が推定温度ＴＮ（ｔ）として利用される（ＴＮ（ｔ）＝ＴＮＰ（ｔ））。

他方、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率を上回る場合、ＥＣＵ１００は、レートガード処理を実行する。この場合、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）そのものを温度補正量ＣＡ（ｔ）に設定しない。その結果、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）そのものは、推定温度ＴＮ（ｔ）として利用されない。このようにレートガード処理が実行されることによって、推定温度ＴＮ（ｔ）が、ノイズに起因して対象領域１０７の実際の温度から大きく乖離して急激に上昇することを抑制することができる。本実施の形態では、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率を上回る場合、ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率になるようにレートガード処理を実行する。

図５は、電池モジュール４の過充電時における、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）、および対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す図である。図５において、横軸は時間を示し、縦軸は温度を示す。

なお、「電池モジュール４の過充電時」とは、電池モジュール４の充電電流が所定のしきい電流以上である場合をいう。しきい電流は、電池モジュール４を過熱から保護するために実験などにより適宜予め定められる。電池モジュール４の過充電時、発熱領域５０２（図４）のうち対象領域１０７の温度が特に急激に上昇し易い。このような、対象領域１０７の温度が特に急激に上昇し易い場合に、ＥＣＵ１００が、式（１），（４）を用いて、推定温度ＴＮ（ｔ）を算出すること（レートガード処理を実行すること）は特に効果的である。なお、ＥＣＵ１００は、電池モジュール４が過充電されているか否かを、電流センサ５３（図１）の検出値に従って判定することができる。

図５において、線６０５は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。線６１０は、サーミスタ８０がノイズの影響を受けていない場合の、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。線６１５は、サーミスタ８０がノイズの影響を受けている場合の、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。

時刻ｔ１０において、電池モジュール４における充電が開始されることよって、電池モジュール４の温度が上昇し始める。時刻ｔ１０以降、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）（線６０５）は、対象領域１０７の推定温度ＴＮＰ（ｔ）（線６１５）と一致しない。具体的には、図５に示されるように、電池モジュール４の過充電時において、推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）よりも早く上昇する。対象領域１０７の実際の温度が、このように検出値ＴＤ（ｔ）よりも早く上昇することは実験的に既知である。そのため、対象領域１０７の推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映している。

時刻ｔ１１において、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がノイズの影響を受け始めるものとする。その結果、式（４）を用いてサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に従って算出される仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率は、所定率ＰＤＲ（レートガード値）を上回るものとする。そこで、ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲになるように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（線６１５）。すなわち、時刻ｔ１１以降、推定温度ＴＮ（ｔ）は、線６１５により表される。所定率ＰＤＲは、サーミスタ８０がノイズの影響を受けていないならば過充電時に取るであろう上昇率（時刻ｔ１１以降の線６１０の上昇率）に基づいて設定される。例えば、所定率ＰＤＲは、当該上昇率の最大値に設定される。これにより、電池モジュール４の過充電時、推定温度ＴＮ（ｔ）が、ノイズの影響を受けて、対象領域１０７の実際の温度から大きく乖離するほど上昇する事態を回避することができる。

時刻ｔ１２において、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が、しきい温度ＴＨＴに到達する。これに伴い、ＥＣＵ１００は、電池モジュール４を過熱から保護するためにＳＭＲ９５を閉状態から開状態に切り替える。しきい温度ＴＨＴは、電池モジュール４を過熱から保護するための値であり、実験などにより適宜予め定められる。ＳＭＲ９５が開状態に切り替わることにより、電池モジュール４における充電が停止される。これにより、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴ以上に上昇する事態を回避することができる。その結果、電池モジュール４を過充電による過熱から保護することができる。

図６は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の算出に伴う処理の手順の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、例えば、電池システム９０が搭載される車両の走行用システムの起動中（車両のスタートスイッチがオン状態である間）に所定時間ごとに実行される。

図６を参照して、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）を算出する（ステップＳ１０５）。具体的には、ＥＣＵ１００は、サンプリング周期よりも長い所定期間にわたる複数のサンプリング値を用いて、当該所定期間に対応する検出値を算出する。ＥＣＵ１００は、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）を算出する（ステップＳ１１０）。

ＥＣＵ１００は、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）に従って、式（４）における仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）（＝ＴＤＤ（ｔ）×Ｋ）を算出する（ステップＳ１１５）。ＥＣＵ１００は、式（４）を用いて、検出値ＴＤ（ｔ）と、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）とに従って、対象領域１０７の仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）を算出する（ステップＳ１２０）。

ＥＣＵ１００は、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）に従って、温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（ステップＳ１２５）。この設定方法の詳細については、後述する。

ＥＣＵ１００は、設定された温度補正量ＣＡ（ｔ）を、式（１）に従って検出値ＴＤ（ｔ）に加えることによって対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を算出する（ステップＳ１３０）。

ステップＳ１３５において、ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴ以上であるか否かを判定する。推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴ未満である場合（ステップＳ１３５においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、ＳＭＲ９５を閉状態に制御する（ステップＳ１４０）。その後、電池ユニット１の充放電が継続した状態で、リターンへ処理が移行する。

他方、推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴ以上である場合（ステップＳ１３５においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、ＳＭＲ９５を開状態に制御する（ステップＳ１４５）。ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴ未満に低下するまで（ステップＳ１３５においてＮＯに分岐するまで）、ＳＭＲ９５を開状態に制御する。

図７は、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）に従って温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定するための処理（図６のステップＳ１２５）の詳細を説明するためのフローチャートである。

図７を参照して、ＥＣＵ１００は、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ以上であるか否かを判定する（ステップＳ２０５）。推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ以上である場合（ステップＳ２０５においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（ステップＳ２１０）。この場合、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）は、温度補正量ＣＡ（ｔ）として用いられない。具体的には、ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲになるように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。

他方、推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ未満である場合（ステップＳ２０５においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）を温度補正量ＣＡ（ｔ）に設定する（ステップＳ２１５）。ステップＳ２１０，Ｓ２１５の後、ＥＣＵ１００は、図７の処理を終了し、図６のステップＳ１３０に処理を進める。

以上のように、本実施の形態に従うＥＣＵ１００は、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に温度補正量ＣＡ（ｔ）を加えることによって算出する。ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的な微分値ＴＤＤ（ｔ）に従って温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定するように構成されている。ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的な上昇率が、０よりも大きい所定率ＰＤＲを上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。

上記の構成とすることにより、微分値ＴＤＤ（ｔ）が急激に上昇するほどサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がノイズの影響を受ける場合であっても、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回ることが防止される。その結果、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が実際の温度から大きく乖離するほど急激に上昇することを抑制することができる。その結果、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に従って、対象領域１０７の温度を適切に推定することができる。

さらに、推定温度ＴＮ（ｔ）がしきい温度ＴＨＴに到達することに伴ってＳＭＲ９５が開状態に制御されるタイミング（図５の例では、時刻ｔ１２）も適切になる。すなわち、電池モジュール４が過剰に保護されたり、電池モジュール４の過熱からの保護が不十分になったりすることを抑制することができるため、電池モジュール４を適切に保護することができる。

さらに、本実施の形態では、ＥＣＵ１００による推定温度ＴＮ（ｔ）の算出に、電流センサおよび電圧センサの各検出値を要しない。すなわち、ＥＣＵ１００は、電池モジュール４に入出力される電流および電圧を用いることなく、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に従って対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を算出することができる。

［実施の形態２］
実施の形態２では、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下する場合について説明する。具体的には、ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）が負値に低下する前の算出方法による対象領域１０７の推定温度になまし処理を行う。そして、ＥＣＵ１００は、なまし処理が行われた後の温度を、微分値ＴＤＤ（ｔ）が負値に低下した後の対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）として算出する。なまし処理は、平均化処理および遅れ処理などを含む除変処理である。この実施の形態２における電池システムの構成および処理の手順は、図１～図６に示された実施の形態１における電池システム９０の構成および処理の手順と基本的に同様である。

図８を参照して、この実施の形態２に対する比較例について説明する。図８は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の第１推定温度との時間的推移の一例を示す図である。第１推定温度は、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ（レートガード値）を上回らないという条件下で上式（１），（４）を用いて検出値ＴＤ（ｔ）に従って算出され、かつ、なまし処理が行われていない温度である。図８において、横軸は時間を示し、縦軸は温度を示す。

線２１０は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。線２０５は、対象領域１０７の第１推定温度の時間的推移を示す。

時刻ｔ２１において、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がノイズの影響を受け始める。ＥＣＵは、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（線２０５）。この温度上昇は、期間ΔＴ１の間、継続する。この間、サーミスタ８０は、ノイズの影響を受けている。そのため、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、領域８５の実際の温度よりも高い。

時刻ｔ２２において、検出値ＴＤ（ｔ）の上昇が停止する。そして、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下する。その結果、以下に説明されるように、推定温度ＴＮ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）まで急激に低下する（線２０５）。

温度補正量ＣＡ（ｔ）は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）に基づいて設定されるため、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）に依存する（式（１），（４））。そして、前述の式（４）において、微分値ＴＤＤ（ｔ）が負値に低下した場合、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）が０に設定されるものとされる。そのため、検出値ＴＤ（ｔ）が低下している期間ΔＴ２の間、温度補正量ＣＡ（ｔ）も０に設定される（ＣＡ（ｔ）＝ＣＡＰ（ｔ）＝０）。それゆえ、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に等しくなる（式（１））。このような理由から、時刻ｔ２２において、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）まで急激に低下する。

しかしながら、対象領域１０７の実際の温度がこのように急激に低下するはずがないため、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映していない。このように、推定温度ＴＮ（ｔ）が急激に低下（変化）する現象は、推定温度ＴＮ（ｔ）の精度という観点から好ましくない。

時刻ｔ２３において、サーミスタ８０へのノイズの影響は解消しており、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）が再び上昇し始める（線２１０）。検出値ＴＤ（ｔ）の上昇に伴って、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値になる。その結果、微分値ＴＤＤ（ｔ）に従って算出される温度補正量ＣＡ（ｔ）も正値になる。

時刻ｔ２３～時刻ｔ２４の期間中、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ以上であるものとする。そのため、ＥＣＵは、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率を所定率ＰＤＲに制限する）。その結果、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が実際の温度を適切に反映する（実際の温度に追いつく）まで時間がかかる。

以上のように、図８に示される比較例は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の精度の低下（時刻ｔ２２～時刻ｔ２４）という問題と、検出値ＴＤ（ｔ）がノイズの影響を受け終わった後に推定温度ＴＮ（ｔ）が実際の温度を再び適切に反映するようになるまでに時間がかかる（時刻ｔ２３～時刻ｔ２４）という問題とを有する。

図９は、この実施の形態２における、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）との時間的推移の一例を示す図である。

図９を参照して、線２５５は、対象領域１０７の第１推定温度の時間的推移を示す。線２６０は、対象領域１０７の第２推定温度の時間的推移を示す。第２推定温度は、第１推定温度の変化を緩やかにするためのなまし処理をＥＣＵ１００が第１推定温度に行うことによって算出される。

なまし処理の時定数は、ノイズのおおよその発生期間（例えば、図８の期間ΔＴ１の長さと期間ΔＴ２の長さとの合計）に基づいて決定される。一例として、時定数は、この合計よりも小さく、かつ、０よりも大きい数である。このように時定数が決定されることによって、対象領域１０７の第２推定温度は、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映するようになる。

時刻ｔ２１において、図８の場合と同様に、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がノイズの影響を受け始める。対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を示す第１推定温度は、その上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように上昇し始める（線２５５）。この実施の形態２では、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値である場合（時刻ｔ２２までの間）に、ＥＣＵ１００は、温度補正量ＣＡ（ｔ）に正値の補正量ＣＡ１（ｔ）を設定する。ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に補正量ＣＡ１（ｔ）を加えることによって、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）としての第１推定温度を算出する。ここで、ＥＣＵ１００は、第１推定温度とともに第２推定温度を算出する（線２６０）。すなわち、時刻ｔ２２よりも前の期間中、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）としては第１推定温度が用いられるものの、第２推定温度も算出されている。

時刻ｔ２２において、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の上昇が停止する（線２１０）。そして、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下する。これに伴い、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、急激に低下する。

ここで、時刻ｔ２２以降、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）として、第１推定温度に代えて第２推定温度が用いられる（線２６０）。具体的には、ＥＣＵ１００は、温度補正量ＣＡ（ｔ）に０よりも大きい補正量ＣＡ２（ｔ）を設定する。ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に補正量ＣＡ２（ｔ）を加えることによって、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）としての第２推定温度を算出する。このように、時刻ｔ２２以降、推定温度ＴＮ（ｔ）として第２推定温度が用いられるため、時刻ｔ２２において、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、第２推定温度まで低下する。よって、推定温度ＴＮ（ｔ）は、時刻ｔ２２において急激に低下する点において比較例の場合の推定温度（図８の線２０５）と共通するものの、比較例の場合とは異なり、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）（線２１０）までは低下しない。

時刻ｔ２２以降、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）（第２推定温度）は、その上昇率が所定率ＰＤＲに制限されることなく上昇する。対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、このように急激に上昇していない場合、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映していると考えられる。よって、この実施の形態２では、比較例の場合（図８の時刻ｔ２２～ｔ２４）よりも、推定温度ＴＮ（ｔ）の精度が向上している。また、この実施の形態２では、比較例の場合（図８の時刻ｔ２３～時刻ｔ２４）とは異なり、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が急激に低下した後に実際の温度を適切に反映するようになるまでに時間を要することがない。

図１０は、この実施の形態２に従うＥＣＵ１００により実行される処理の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、図７のフローチャートと比較して、ステップＳ３１５，Ｓ３２０，Ｓ３２５の処理が、ステップＳ２１５（図７）の処理に代えて実行される。本フローチャートにおけるステップＳ３０５，Ｓ３１０の処理は、それぞれ、図７のステップＳ２０５，Ｓ２１０の処理と同様である。

図１０を参照して、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ未満である場合（ステップＳ３０５においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下したか否かを判定する（ステップＳ３１５）。微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下していない場合（ステップＳ３１５においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、温度補正量ＣＡ（ｔ）に補正量ＣＡ１（ｔ）を設定する（ステップＳ３２０）。上述のように、補正量ＣＡ１（ｔ）は、図９の時刻ｔ２２よりも前に設定されるものである。他方、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下した場合（ステップＳ３１５においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、温度補正量ＣＡ（ｔ）に補正量ＣＡ２（ｔ）を設定する（ステップＳ３２５）。上述のように、補正量ＣＡ２（ｔ）は、図９の時刻ｔ２２以降に設定されるものである。ステップＳ３２０，Ｓ３２５の後、ＥＣＵ１００は、図１０の処理を終了し、図６のステップＳ１３０に処理を進める。

以上のように、この実施の形態２に従うＥＣＵ１００は、正値の補正量ＣＡ１（ｔ）を検出値ＴＤ（ｔ）に加えることによって、対象領域１０７の第１推定温度を算出し、第１推定温度の変化を緩やかにするためのなまし処理を第１推定温度に行うことによって、対象領域１０７の第２推定温度を算出する。ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値である場合に、温度補正量ＣＡ（ｔ）に補正量ＣＡ１（ｔ）を設定する。ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下した場合に、温度補正量ＣＡ（ｔ）に０よりも大きい補正量ＣＡ２（ｔ）を設定し、検出値ＴＤ（ｔ）に補正量ＣＡ２（ｔ）を加えることによって、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）としての第２推定温度を算出する。

上記の構成とすることにより、微分値ＴＤＤ（ｔ）が正値から負値に低下することに伴って、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、第１推定温度から、検出値ＴＤ（ｔ）よりも補正量ＣＡ２（ｔ）だけ大きい第２推定温度に変化する。これにより、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が検出値ＴＤ（ｔ）まで急激に低下することによって対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が実際の温度から大きく乖離することを抑制することができる。

［実施の形態３］
この実施の形態３では、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）（＝ＴＤＤ（ｔ）×Ｋ））の上昇量が、０よりも大きいしきい量以上である場合について説明する。この場合、温度補正量ＣＡ（ｔ）が過剰に大きく設定されることによって、推定温度ＴＮ（ｔ）が過剰に高い非現実的な値として算出される事態は好ましくない。そこで、この実施の形態３では、このような事態が回避されるように温度補正量ＣＡ（ｔ）が設定される。以下、この点について詳しく説明する。この実施の形態３における電池システムの構成および処理の手順は、図１～図６に示された実施の形態１における電池システム９０の構成および処理の手順と基本的に同様である。

まず、図１１を参照して、この実施の形態３に対する比較例について説明する。図１１は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）と、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）との時間的推移の一例を示す図である。図１１において、横軸は時間を示し、縦軸は温度を示す。

線３１５は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。線３０５は、式（４）を用いて算出される仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の時間的推移を示す。線３１０は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。線３２０は、式（４）を用いて算出される仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の時間的推移を示す。線３２５は、温度補正量ＣＡ（ｔ）の時間的推移を示す。時刻ｔ３３（後述）以降、線３２０，３２５は一致する。

時刻ｔ３１において、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、ノイズの影響を受け始めることによって温度Ｔ０から上昇し始める（線３１５）。

時刻ｔ３２において、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、ノイズの影響により急激に上昇する（線３０５）。図１１の例では、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の時間的な上昇率が所定率ＰＤＲ（レートガード値）を上回っている。そのため、時刻ｔ３２～時刻ｔ３３の間、ＥＣＵは、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように、温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（線３１０，３２５）。

時刻ｔ３３において、温度補正量ＣＡ（ｔ）および推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇が終了する。推定温度ＴＮ（ｔ）は、温度Ｔ１になる。時刻ｔ３３以降、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）（温度ＴＡ）は、サーミスタ８０がノイズの影響を受ける前（時刻ｔ３１の前）の温度Ｔ０よりも、ΔＴＥ１だけ上昇している。また、温度補正量ＣＡ（ｔ）は、上昇量ＣＡＱだけ上昇している。

図１１の例では、電池モジュール４の充電電中に、時刻ｔ３１～時刻ｔ３３までの間にサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がノイズに起因してΔＴＥ１だけ上昇しているものとする。すなわち、対象領域１０７の実際の温度は、ΔＴＥ１だけ上昇していないものとする。

検出値ＴＤ（ｔ）がΔＴＥ１だけ急激に上昇したことに伴って、検出値ＴＤ（ｔ）に基づいて算出される仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）も急激に上昇する（線３２０）。仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱは、しきい量ＴＨＱ以上である。しきい量ＴＨＱは、上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上の量になる状況が非現実的であるような量であり、実験などにより適宜予め定められる。それゆえ、図１１に示されるように、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上である場合、対象領域１０７における実際の温度は急激に上昇しておらず、サーミスタ８０がノイズの影響を受けていると考えられる。

しかしながら、図１１の比較例では、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）が非現実的な上昇量ＣＡＱだけ上昇したものとして、温度補正量ＣＡ（ｔ）が算出され、推定温度ＴＮ（ｔ）が算出される。その結果、推定温度ＴＮ（ｔ）は、非現実的な温度Ｔ１まで過度に上昇している（線３１０）。よって、図１１の比較例において、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映していない。したがって、ＥＣＵは、推定温度ＴＮ（ｔ）を適切に算出できない。

そこで、この実施の形態３では、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上であるか否かに従って、サーミスタ８０がノイズの影響を受けているか否かを判定する。上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上である場合、ＥＣＵ１００は、しきい量ＴＨＱよりも小さい上昇量だけ仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）が上昇するように、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量を制限する。そして、制限された上昇量に従って、温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。これにより、温度補正量ＣＡ（ｔ）が過剰に大きく設定されることを抑制することができる。その結果、推定温度ＴＮ（ｔ）が、非現実的な温度Ｔ１まで上昇することを抑制することができる。以下、この点について詳しく説明する。

図１２を参照して、この実施の形態３に従うＥＣＵ１００による処理について説明する。図１２は、この実施の形態３における、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）と、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）との時間的推移の一例を示す図である。図１２において、横軸は時間を示し、縦軸は温度を示す。

線４１５は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。線４０５は、式（４）を用いて算出される仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の時間的推移を示す。線４１０は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。線４２０は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）よりも上昇量が制限された仮の温度補正量（後述）の時間的推移を示す。線４２５は、この実施の形態３に従う温度補正量ＣＡ（ｔ）の時間的推移を示す。時刻ｔ４３（後述）以降、線４２０，４２５は一致する。

時刻ｔ４１において、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、ノイズの影響を受け始めることによって温度Ｔ０から上昇し始める（線４１５）。

時刻ｔ４２において、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱは、ノイズの影響により、しきい量ＴＨＱ以上になる。よって、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０がノイズの影響を受けていると判定する。そこで、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量をＣＡＱ１（＜ＣＡＱ）に制限する（線４２０）。上昇量ＣＡＱ１は、しきい量ＴＨＱよりも小さく、かつ、０よりも大きい。上昇量ＣＡＱ１は、例えば、上昇量ＣＡＱを、１よりも大きい所定数により除算することによって得られる。上昇量が制限された後の仮の温度補正量をＣＡＰＲ（ｔ）とする。本実施の形態では、仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ）は、式（１），（４）において、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）に代えて用いられる。

また、時刻ｔ４２において、仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ）に基づいて算出される仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の時間的な上昇率は、所定率ＰＤＲ（レートガード値）を上回っている（線４０５）。そのため、時刻ｔ４２～時刻ｔ４３の間、ＥＣＵ１００は、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように、温度補正量ＣＡ（ｔ）を上昇させながら設定する（線４１０，４２５）。

時刻ｔ４３において、時刻ｔ４２からの温度補正量ＣＡ（ｔ）の上昇量が上昇量ＣＡＱ１に達する。時刻ｔ４３以降、ＥＣＵ１００は、温度補正量ＣＡ（ｔ）に補正量ＣＡ４（一定値）を設定し、温度補正量ＣＡ（ｔ）を上昇させない。その結果、推定温度ＴＮ（ｔ）は、比較例（図１１）の場合の温度Ｔ１よりも小さい温度Ｔ２になる（線４１０）。ここで、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、比較例（図１１）の場合と同様に、サーミスタ８０がノイズの影響を受ける前（時刻ｔ４１の前）よりも、ΔＴＥ１だけ上昇している。一方で、温度補正量ＣＡ（ｔ）は、比較例とは異なり、時刻ｔ４１の前よりも、上昇量ＣＡＱ１だけ上昇するようにＥＣＵ１００により設定される。すなわち、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上になる時刻ｔ４２よりも後に設定される補正量ＣＡ３は、時刻ｔ４２よりも前に設定される補正量ＣＡ４と、上昇量ＣＡＱ１との合計である（線４２５）。

図１３は、この実施の形態３に従うＥＣＵ１００により実行される処理の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、この実施の形態３における、図６のステップＳ１２５）の詳細な処理に相当する。このフローチャートは、図７のフローチャートと比較して、ステップＳ４０２，Ｓ４０３，Ｓ４０４の処理が追加されている。本フローチャートにおけるステップＳ４０５，Ｓ４１０，Ｓ４１５の処理は、それぞれ、図７のステップＳ２０５，Ｓ２１０，Ｓ２１５の処理と同様である。

図１３とともに図１２を参照して、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上であるか否かを判定する（ステップＳ４０２）。仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上である場合（ステップＳ４０２においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、制限された上昇量ＣＡＱ１を算出し（ステップＳ４０３）、上昇量が制限された仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ）を、上昇量ＣＡＱ１と上昇前の補正量ＣＡ４とに従って算出する（ステップＳ４０４）。上昇量が制限された仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ）は、以降の処理において、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）に代えて用いられる。ステップＳ４０４の処理の後、ＥＣＵ１００は、ステップＳ４０５へ処理を進める。他方、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ未満である場合（ステップＳ４０２においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量を制限することなく、ステップＳ４０５へ処理を進める。

ステップＳ４０５以降の処理は、実施の形態１の場合（図７）と同様に実行される。具体的には、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）（または仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ））に従って算出される仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ以上である場合（ステップＳ４０５においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲを上回らないように温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する（ステップＳ４１０）。そうでない場合（ステップＳ４０５においてのＮＯ）、ＥＣＵ１００は、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）（または仮の温度補正量ＣＡＰＲ（ｔ））を、温度補正量ＣＡ（ｔ）に設定する（ステップＳ４１５）。ステップＳ４１０，Ｓ４１５の後、ＥＣＵ１００は、図１３の処理を終了し、図６のステップＳ１３０に処理を進める。

以上のように、本実施の形態では、検出値ＴＤ（ｔ）が温度Ｔ０から温度ＴＡに上昇した場合に、ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）に所定の定数Ｋを乗じて得られる仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）を算出する。ＥＣＵ１００は、検出値ＴＤ（ｔ）が温度Ｔ０であるときの温度補正量ＣＡ（ｔ）を示す補正量ＣＡ４から仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）への上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱよりも小さいときは、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）を、検出値ＴＤ（ｔ）が温度ＴＡであるときの温度補正量ＣＡ（ｔ）として設定する。他方、上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上であるときは、しきい量ＴＨＱよりも小さい上昇量ＣＡＱ１を補正量ＣＡ４に加算した補正量ＣＡ３を、検出値ＴＤ（ｔ）が温度ＴＡであるときの温度補正量ＣＡ（ｔ）として設定する。

これにより、仮の温度補正量ＣＡＰ（ｔ）の上昇量ＣＡＱがしきい量ＴＨＱ以上になるほどサーミスタ８０がノイズの影響を受ける場合に、温度補正量ＣＡ（ｔ）が過度に大きく設定される事態を回避することができる。したがって、図１１の比較例の場合（線３１０）とは異なり、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が非現実的な温度Ｔ１まで過度に上昇する事態を回避することができる（線４１０）。

［実施の形態４］
この実施の形態４では、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０から取得するサンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値以上である場合に、今回値を用いることなく検出値ＴＤ（ｔ）を算出する。この実施の形態４における電池システムの構成および処理の手順は、図１～図６に示された実施の形態１における電池システム９０の構成および処理の手順と基本的に同様である。

まず、図１４を参照して、この実施の形態４に対する比較例について説明する。図１４は、サーミスタ８０からのサンプリング値が異常値を含む場合の、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）との時間的推移を示す図である。図１４において、横軸は時刻を示し、縦軸は温度を示す。

線５１０は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。線５０５は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。線５０５Ｔは、対象領域１０７の実際の温度と考えられる温度の時間的推移を示す。前述したように、Δｔは、ＥＣＵ１００によるサーミスタ８０の検出値の算出間隔である。

ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０から、所定のサンプリング周期ごとにサンプリング値を取得する。このサンプリング周期は、Δｔの長さの検出期間よりも短い。ＥＣＵ１００は、Δｔの長さの検出期間にわたる複数の（例えば、所定数の）サンプリング値の平均値を、次の検出期間の検出値ＴＤ（ｔ）として算出する。

例えば、ＥＣＵ１００は、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の間の検出期間に取得した複数のサンプリング値の平均値を算出する。そして、この平均値は、時刻ｔ５２～時刻ｔ５３の間の検出期間における検出値ＴＤ（ｔ）として推定温度ＴＮ（ｔ）の算出のために用いられる（線５０５）。

図１４の例では、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の間の検出期間にわたって取得される複数のサンプリング値の少なくとも１つが異常値を含むものとする。「異常値」とは、その値がサンプリングされる直前のサンプリング値（前回値）から、所定のしきい値以上変化した値である。このような異常値は、サーミスタ８０の領域８５の実際の温度変化に起因するものでなく、例えば、サーミスタ８０の突発的な誤検出に起因する。このように、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の期間のサンプリング値が異常値を含むため、時刻ｔ５２において、その期間の複数のサンプリング値の平均値としての検出値ＴＤ（ｔ）がＶＡ２（＜ＶＡ１）に急激に低下している。

よって、時刻ｔ５２において、検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）（＝（ＶＡ２－ＶＡ１）／Δｔ）が負値に低下する。前述したように、微分値ＴＤＤ（ｔ）が負値に低下した場合、温度補正量ＣＡ（ｔ）が０に設定されるものとされる。よって、時刻ｔ５２～時刻ｔ５３の期間中、温度補正量ＣＡ（ｔ）が０に設定される。その結果、推定温度ＴＮ（ｔ）は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）に一致するほどに急激に低下してしまっている（線５０５）。

このように、推定温度ＴＮ（ｔ）が急激に変化する現象は、非現実的であると考えられる。そのため、時刻ｔ５２～時刻ｔ５３までの間、推定温度ＴＮ（ｔ）は、対象領域１０７の実際の温度を適切に反映していないと考えられる。

時刻ｔ５３～時刻ｔ５４の期間、ＥＣＵは、前回の期間（時刻ｔ５２～時刻ｔ５３の期間）にわたって取得された複数のサンプリング値の平均値を、今回の期間の検出値ＴＤ（ｔ）として用いることによって対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を算出する（線５０５）。当該複数のサンプリング値は、異常値を含まないものとする。そして、時刻ｔ５３～時刻ｔ５４の期間中、仮の推定温度ＴＮＰ（ｔ）の上昇率は、所定率ＰＤＲを上回っているものとする。そのため、ＥＣＵは、推定温度ＴＮ（ｔ）の上昇率が所定率ＰＤＲ（レートガード値）に制限されるように、温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。その結果、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が実際の温度（線５０５Ｔ）を適切に反映するようになるまで（実際の温度の追いつくまで）に時間がかかる。

以上のように、図１４の比較例では、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の期間にわたって取得された複数のサンプリング値が異常値を含むため、時刻ｔ５２～時刻ｔ５５の間、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）は、対象領域１０７の実際の温度と考えられる温度（線５０５Ｔ）を適切に反映できない。

図１５を参照して、この実施の形態４に従うＥＣＵ１００が検出値ＴＤ（ｔ）を算出する手法について説明する。図１５は、この実施の形態４において、サーミスタ８０のサンプリング値が異常値を含む場合の、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）との時間的推移を示す図である。図１５において、横軸は時刻を示し、縦軸は温度を示す。

線６０５は、この実施の形態４における推定温度ＴＮ（ｔ）の時間的推移を示す。線６１０は、この実施の形態４における検出値ＴＤ（ｔ）の時間的推移を示す。

ＥＣＵ１００は、サンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値以上である場合に、今回値を用いることなく検出値ＴＤ（ｔ）を算出する。しきい値は、前回値と今回値との差分に従って、今回値が異常値であるか否かをＥＣＵ１００が判定するために用いられる。具体的には、しきい値は、サンプリング周期ごとのサンプリング値の変化量としては非現実的な値として適宜予め定められる。

時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の期間中に、ＥＣＵ１００が今回値を取得した時点において、前回値と今回値との差分がしきい値以上である（今回値が異常値である）ものとする。そこで、ＥＣＵ１００は、異常値としての今回値を、正常値としての前回値に置換する。そして、ＥＣＵ１００は、異常値が正常値に置換された後の複数のサンプリング値の平均値を検出値ＴＤ（ｔ）として算出する（線６１０）。図１５の例では、この平均値は、ＶＡ３（≠ＶＡ２）である。ＥＣＵ１００は、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の期間にわたる当該複数のサンプリング値の平均値であるＶＡ３に従って、時刻ｔ５２～時刻ｔ５３の期間に対応する検出値ＴＤ（ｔ）を算出する。そして、ＥＣＵ１００は、その検出値ＴＤ（ｔ）に従って、時刻ｔ５２～時刻ｔ５３における温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定する。その結果、図１５の例では、この期間中の推定温度ＴＮＰ（ｔ）は、時刻ｔ５２における推定温度ＴＮＰ（ｔ）に等しい値として算出される。

このように、この実施の形態４では、比較例の場合（図１４の線５０５）とは異なり、時刻ｔ５１～時刻ｔ５２の期間におけるサンプリング値の異常値が、次の期間（時刻ｔ５２～時刻ｔ５３の期間）における推定温度ＴＮ（ｔ）の算出結果に反映される事態が回避される。その結果、時刻ｔ５２において推定温度ＴＮ（ｔ）が急激に変化する事態が回避される（線６０５）。

なお、図１５の例では、サンプリング値が急激に低下する場合について説明されたが、サンプリング値が急激に上昇する場合（異常値が他のサンプリング値よりも大幅に大きい場合）も、ＥＣＵ１００は、検出値ＴＤ（ｔ）を上記と同様に算出する。具体的には、ＥＣＵ１００は、その異常値を用いることなく当該他のサンプリング値に従って検出値ＴＤ（ｔ）を算出し、その検出値ＴＤ（ｔ）に従って温度補正量ＣＡ（ｔ）を設定し、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を算出する。

図１６は、この実施の形態５において、図６のステップＳ１０５において実行される処理の詳細を説明するためのフローチャートである。

図１６を参照して、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０からサンプリング値を取得する（ステップＳ５０５）。ＥＣＵ１００は、サンプリング値の今回値と前回値との差分の絶対値がしきい値ＴＨ以上であるか否かを判定する（ステップＳ５１０）。絶対値がしきい値ＴＨ以上でない場合（ステップＳ５１０においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、ステップＳ５２０に処理を進める。絶対値がしきい値ＴＨ以上である場合（ステップＳ５１０においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、サンプリング値の今回値が異常値であるものとして、サンプリング値の今回値を前回値に置換する（ステップＳ５１５）。

ステップＳ５２０において、ＥＣＵ１００は、所定の検出期間（図１５の例では、Δｔの長さの期間）が経過したか否かを判定する。所定の検出期間が経過していない場合（ステップＳ５２０においてＮＯ）、ＥＣＵ１００は、ステップＳ５０５に処理を戻す。所定の検出期間が経過した場合（ステップＳ５２０においてＹＥＳ）、ＥＣＵ１００は、異常値が正常値に置換された後の複数のサンプリング値の平均値を算出する（ステップＳ５２５）。この平均値は、サーミスタ８０の検出値として、図６のステップＳ１１０以降の処理において用いられる。

以上のように、本実施の形態４では、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０から取得したサンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値ＴＨ以上であるか否かを判定する。絶対値がしきい値ＴＨ以上である場合に、ＥＣＵ１００は、今回値が異常値であるものとして、今回値を用いることなく前回値（および所定の検出期間における他の正常値）を用いて検出値ＴＤ（ｔ）を算出する。

これにより、サンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値ＴＨ以上になるほど今回値が異常値を取る場合であっても、異常値としての今回値が用いられることなく検出値ＴＤ（ｔ）が算出される。よって、サンプリング値の異常値が温度補正量ＣＡ（ｔ）に反映されることを防止することができる。その結果、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）が急激に変化することによって実際の温度から大きく乖離する事態を回避することができる。

［変形例１］
上述の各実施の形態では、複数の電池モジュール４のうち代表的な電池モジュール４のみにサーミスタ８０が設けられるものとした。これに対して、複数の電池モジュール４の各々にサーミスタが設けられてもよい。各サーミスタの検出値は、ＥＣＵ１００により取得される。

この場合、ＥＣＵ１００は、対象領域１０７の推定温度ＴＮ（ｔ）を電池モジュール４ごとに演算する。そして、ＥＣＵ１００は、例えば、各電池モジュール４に対して演算された推定温度ＴＮ（ｔ）の７つの推定値の平均値（または、これらの推移値の少なくとも１つ）がしきい温度ＴＨＴ（図５）以上であるか否かに応じて、ステップＳ１３５（図６）の処理を分岐させてもよい。

［変形例２］
上述の各実施の形態では、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、サーミスタ８０の対象領域１０７（近傍領域）の推定温度ＴＮ（ｔ）の算出のために用いられるものとした。

これに対して、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）は、サーミスタ８０の対象領域１０７以外の領域（発熱領域５０２のうちの他の領域）の温度の推定のために用いられてもよい。すなわち、サーミスタ８０が設けられる領域と、温度が推定される他の領域との間の熱伝導率（熱伝導量）などが既知である限り、ＥＣＵ１００は、式（１），（４）を用いて、当該他の領域の温度の推定値を算出することができる。

［その他の変形例］
前述の実施の形態１～４では、式（１），（４）に示されるように、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の算出間隔Δｔ（一定値）が経過する度に、微分値ＴＤＤ（ｔ）を算出するものとした。

これに対して、ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）が所定の温度間隔（ΔＴＩとする）だけ変化する度に、微分値ＴＤＤ（ｔ）を算出する処理を実行してもよい。

この場合、ΔＴＩが小さくなるほど、微分値ＴＤＤ（ｔ）が変動し易い。他方、ΔＴＩが大きくなるほど、微分値ＴＤＤ（ｔ）が変動し難いものの、その算出回数が減少したり、微分値ＴＤＤ（ｔ）が次に算出されるまでの時間が長くなったりする。そこで、ＥＣＵ１００は、以下に説明される手法を用いて、微分値ＴＤＤ（ｔ）の算出回数を増加させてもよい。

具体的には、ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）の算出処理を、その開始時間をずらしながらｎ回に分割して実行する（ｎは２以上の自然数）。例えば、ＥＣＵ１００は、まず、第１の微分値算出処理を開始する。この処理は、その処理の開始後にサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がΔＴＩだけ上昇した時点において完了する。この処理における微分値は、その処理の開始時点のサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）と、その検出値ＴＤ（ｔ）がΔＴＩだけ上昇した値との時間的な変化率に従って算出される。

ＥＣＵ１００は、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）が、第１の微分値算出処理の開始時の検出値ＴＤ（ｔ）からΔＴＩ×（ｍ－１）／ｎだけ上昇する度に、第ｍの微分値算出処理を開始する（ｍは、１≦ｍ≦ｎを満たす自然数）。各微分値算出処理は、その開始からサーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がΔＴＩだけ上昇した時点において完了する。

これにより、第１の微分値算出処理の完了後、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）がΔＴＩ／ｎの温度だけ上昇したタイミングごとに、対応する微分値算出処理が完了する。よって、ＥＣＵ１００は、そのタイミングごとに、サーミスタ８０の検出値ＴＤ（ｔ）の微分値ＴＤＤ（ｔ）を得ることができる。その結果、ＥＣＵ１００は、微分値ＴＤＤ（ｔ）が大きく変動する事態を防止しつつ、微分値ＴＤＤ（ｔ）の算出回数を、微分値ＴＤＤ（ｔ）の算出処理が分割して実行されない場合よりも増加させることができる。よって、対象領域１０７の温度の推定精度を向上させることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 電池ユニット、４ 電池モジュール、８０ サーミスタ、９０ 電池システム、１０５ メモリ、１０７ 対象領域。

Claims (6)

1. 複数のバイポーラ型ニッケル水素電池を含んで構成される電池モジュールと、
   前記電池モジュールにおける第１領域の温度を検出する温度センサと、
   前記電池モジュールにおいて前記第１領域よりも温度が高い第２領域の推定温度を、前記温度センサの検出値に温度補正量を加えることによって算出する処理装置とを備え、
   前記処理装置は、
   前記検出値の時間微分値に従って前記温度補正量を設定するように構成されており、
   前記第２領域の推定温度の上昇率が０よりも大きい所定率を上回らないように前記温度補正量を設定する、電池システム。
2. 前記処理装置は、
   正値の第１補正量を前記検出値に加えることによって、前記第２領域の第１推定温度を算出し、
   前記第１推定温度の変化を緩やかにするためのなまし処理を前記第１推定温度に行うことによって、前記第２領域の第２推定温度を算出し、
   前記処理装置は、
   前記時間微分値が正値である場合に、
   前記温度補正量に前記第１補正量を設定し、
   前記時間微分値が正値から負値に低下した場合に、
   前記温度補正量に０よりも大きい第２補正量を設定し、
   前記検出値に前記第２補正量を加えることによって、前記第２領域の推定温度としての前記第２推定温度を算出する、請求項１に記載の電池システム。
3. 前記検出値が第１の値から前記第１の値よりも大きい第２の値に上昇した場合に、
   前記処理装置は、
   前記時間微分値に所定の定数を乗じて得られる第３補正量を算出し、
   前記検出値が前記第１の値であるときの前記温度補正量を示す第４補正量から前記第３補正量への上昇量がしきい量よりも小さいときは、前記第３補正量を、前記検出値が前記第２の値であるときの前記温度補正量として設定し、
   前記上昇量が前記しきい量以上であるときは、前記しきい量よりも小さい値を前記第４補正量に加算した値を、前記検出値が前記第２の値であるときの前記温度補正量として設定する、請求項１または請求項２に記載の電池システム。
4. 前記処理装置は、
   サンプリング周期ごとに前記温度センサの出力のサンプリング値を取得し、
   前記サンプリング周期よりも長い所定期間にわたる複数のサンプリング値を用いて、前記所定期間ごとに前記検出値を算出し、
   前記所定期間ごとに、前記検出値から前記第２領域の推定温度を算出し、
   前記サンプリング値の前回値と今回値との差分の絶対値がしきい値以上である場合に、前記今回値を用いることなく前記検出値を算出する、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電池システム。
5. 前記処理装置は、前記電池モジュールの充電電流が所定のしきい電流以上である場合に、前記第２領域の推定温度の上昇率が前記所定率を上回らないように前記温度補正量を設定する、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の電池システム。
6. 前記電池モジュールに接続されるリレー部をさらに備え、
   前記処理装置は、前記第２領域の推定温度がしきい温度に上昇した場合に、前記リレー部を開状態に制御する、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電池システム。

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