JP7467232B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 95
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 49
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus .
基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って鉛直方向に延設すると共に長手方向に複数のガス孔を有するインジェクタと、を備える基板処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この基板処理装置では、ガス孔が、処理容器の近傍の内壁に配向している。 A substrate processing apparatus is known that includes a processing vessel that houses a boat on which substrates are loaded, and an injector that extends vertically along the inner wall of the processing vessel near the processing vessel and has multiple gas holes in the longitudinal direction (see, for example, Patent Document 1). In this substrate processing apparatus, the gas holes are oriented on the inner wall near the processing vessel.
本開示は、インジェクタの傾きを抑制できる技術を提供する。 This disclosure provides technology that can suppress injector tilt.
本開示の一態様による基板処理装置は、略円筒形状を有する処理容器と、前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、を備え、前記傾斜抑制部は、前記処理容器の中心軸を中心とし、前記インジェクタが延設される円周上の位置を含んで設けられ、前記処理容器の径方向に延設する第1の仕切板を含み、前記第1の仕切板は、前記処理容器の上部に設けられている。 A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure comprises a processing vessel having an approximately cylindrical shape, an injector extending vertically along the inside of an inner wall of the processing vessel, and a tilt suppression unit that suppresses tilt of the injector , the tilt suppression unit being centered on the central axis of the processing vessel and including a circumferential position to which the injector extends, and including a first partition plate extending radially of the processing vessel, the first partition plate being provided at an upper portion of the processing vessel .
本開示によれば、インジェクタの傾きを抑制できる。 This disclosure makes it possible to suppress injector tilt.
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present disclosure will be described with reference to the attached drawings. In all the attached drawings, the same or corresponding members or parts are denoted by the same or corresponding reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted.
〔第1の実施形態〕
図1~図7を参照し、第1の実施形態の基板処理装置の一例について説明する。図1は、第1の実施形態の基板処理装置の一例を示す概略図である。図2は、図1の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す斜視図である。図3は、図1の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す断面図であり、インジェクタが配設されている高さよりも上方であり、内管を通る水平面で切断した断面を示す。なお、図1では、傾斜抑制部の図示を省略している。
First Embodiment
An example of a substrate processing apparatus according to a first embodiment will be described with reference to Figures 1 to 7. Figure 1 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. Figure 2 is an enlarged perspective view of a part of an upper portion of the substrate processing apparatus shown in Figure 1. Figure 3 is an enlarged cross-sectional view of a part of an upper portion of the substrate processing apparatus shown in Figure 1, showing a cross section cut along a horizontal plane passing through an inner tube, above the height at which the injectors are disposed. Note that the tilt suppression unit is not shown in Figure 1.
基板処理装置1は、処理容器10、ガス供給部20、排気部30、加熱部40、傾斜抑制部100及び制御部90を備える。
The substrate processing apparatus 1 includes a
処理容器10は、ボート(図示せず)を収容する。ボートは、複数の基板を高さ方向に所定の間隔を有して保持する。基板は、例えば半導体ウエハであってよい。処理容器10は、内管11及び外管12を有する。内管11は、インナーチューブとも称され、下端が開放された有天井の略円筒形状に形成されている。内管11は、天井部11aが例えば平坦に形成されている。外管12は、アウターチューブとも称され、下端が開放されて内管11の外側を覆う有天井の略円筒形状に形成されている。すなわち、外管12の上部は閉塞している。内管11及び外管12は、同軸状に配置されて二重管構造となっている。内管11及び外管12は、例えば石英等の耐熱材料により形成されている。
The
内管11の一側には、その長手方向(鉛直方向)に沿ってインジェクタを収容するインジェクタ収容部13が形成されている。インジェクタ収容部13は、例えば図3に示されるように、内管11の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部14を形成し、凸部14内をインジェクタ収容部13として形成している。インジェクタ収容部13に対向させて内管11の反対側の側壁には、その長手方向(鉛直方向)に沿って矩形状の開口部(図示せず)が形成されている。開口部は、内管11内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口部の鉛直方向の長さは、ボートの鉛直方向の長さと同じであるか、又は、ボートの長さよりも長く鉛直方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。
On one side of the
外管12の側壁には、ガス出口15が形成されている。外管12の下端の開口部16には、Oリング等のシール部材を介して蓋体(図示せず)が取り付けられる。蓋体は、開口部16を開閉可能であり、開口部16を気密に塞ぎ密閉する。
A gas outlet 15 is formed in the side wall of the
ガス供給部20は、複数のガス供給源(図示せず)及び複数(例えば7本)のインジェクタ21~27を有する。
The
複数のガス供給源は、各種の処理ガスを複数のインジェクタ21~27に供給する。各種の処理ガスは、例えば膜を形成するための成膜ガス、膜をエッチングして除去するためのエッチングガス、処理容器10内をクリーニングするためのクリーニングガス及び処理容器10内をパージするためのパージガスを含む。
The multiple gas supply sources supply various process gases to the multiple injectors 21-27. The various process gases include, for example, a film forming gas for forming a film, an etching gas for etching and removing the film, a cleaning gas for cleaning the inside of the
インジェクタ21~27は、内管11の内壁内側のインジェクタ収容部13において、周方向に沿って一列になるように相互に間隔をおいて配設されている。各インジェクタ21~27は、断面が円形の石英管により形成されており、複数のガス供給源から供給される各種の処理ガスを内管11内に吐出する。各インジェクタ21~27は、内管11の内壁内側において、内管11の長手方向(鉛直方向)に沿って配設されている。各インジェクタ21~27は、下部においてL字状に屈曲されて外管12の側壁を貫通して対応するガス供給源に延びている。各インジェクタ21~27は、上部においてU字状に折り返された後に下方に延設している。すなわち、各インジェクタ21~27は、折り返し型のインジェクタとして構成されている。以下、各インジェクタ21~27における、内管11の長手方向に沿って配設される部分を導入部21a~27a、折り返された後の下方に延設する部分を吐出部21b~27bと称する。また、導入部21a~27a及び吐出部21b~27bは内管11の長手方向に沿って垂直に配設されていることから、導入部21a~27a及び吐出部21b~27bを垂直部とも称する。また、導入部21a~27aと吐出部21b~27bとを接続する部分を屈曲部21c~27c、水平方向に配設されて外管12を貫通する部分を水平部21d~27dと称する。
The injectors 21-27 are arranged at intervals from one another in a row along the circumferential direction in the injector housing 13 inside the inner wall of the
インジェクタ21~27は、図1及び図2に示されるように、鉛直方向の長さが異なるインジェクタを含む。ただし、各インジェクタ21~27の鉛直方向の長さは図1及び図2に示される例に限定されるものではない。
As shown in Figures 1 and 2, the
インジェクタ21~23、27は、導入部21a~23a、27aの鉛直方向の長さが同じである。また、インジェクタ21~23、27は、吐出部21b~23b、27bの鉛直方向の長さが同じである。吐出部21b~23b、27bの鉛直方向の長さは、ボートの鉛直方向の長さと同じであるか、又は、ボートの長さよりも長く鉛直方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。吐出部21b~23b、27bには、長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔が開設されており、ボートの鉛直方向におけるすべての領域に各種の処理ガスを供給できるように構成されている。
The injectors 21-23, 27 have the same vertical length for the
インジェクタ24~26は、導入部24a~26aの鉛直方向の長さがこの順に長く、それぞれ処理容器10の下部、中央部及び上部に吐出部24b~26bが配設されている。吐出部24b~26bには、長手方向に沿って、所定の間隔で複数のガス孔が開設されており、それぞれ処理容器10の下部、中央部及び上部に各種の処理ガスを供給できるように構成されている。インジェクタ24、25には、図2に示されるように、それぞれ屈曲部24c、25cの上部から上方に延設するダミー管24e、25eが設けられている。ダミー管24e、25eの上端の高さ位置は、例えばインジェクタ26の上端の高さ位置と略同じであってよい。
The injectors 24-26 have inlet portions 24a-26a whose vertical lengths are longer in that order, and outlet portions 24b-26b are disposed at the bottom, center, and top of the
複数のガス孔は、内管11の近傍の内壁側に配向している。各吐出部21b~27bは、それぞれガス孔を介して各種の処理ガスを内管11の近傍の内壁側に向けて水平方向に吐出する。吐出された各種の処理ガスは、内管11の近傍の内壁で反射した後、内管11の中心側(基板側)に向かって水平方向に拡散しながら供給される。
The multiple gas holes are oriented toward the inner wall side near the
ここで、図4を参照し、インジェクタ22に設けられる突出部22fについて説明する。図4は、図3の一部を拡大して示す図である。図4に示されるように、突出部22fは、インジェクタ22の屈曲部22cにおける内管11の近傍の内壁側に設けられている。ただし、突出部22fは、例えば導入部22aに設けられていてもよく、吐出部22bに設けられていてもよく、導入部22aと吐出部22bの両方に設けられていてもよい。突出部22fは、インジェクタ22の表面から突出する半球状を有し、内管11の近傍の内壁に接触する。例えば、インジェクタ22は、下端のL字状に屈曲された部分(導入部22aと水平部22dとの接続部分)の屈曲角度が90度よりも僅かに小さい角度(鋭角)に形成されている。そして、突出部22fを内管11の近傍の内壁に押し当てた状態で水平部22dをナット等により固定することにより、内管11にインジェクタ22が取り付けられる。このようにインジェクタ22が2点で固定されるため、インジェクタ22が傾くことを抑制できる。また、突出部22fが設けられていることにより、インジェクタ22と内管11とが点で接触するため、成膜によるインジェクタ22と内管11との間の貼り付きを防止できる。一方、突出部22fが設けられていない場合には、インジェクタ22と内管11とが線又は面で接触することになり、成膜によってインジェクタ22が内管11に貼り付く場合がある。なお、インジェクタ21、23~27についてもインジェクタ21と同様に突出部が設けられている。
Here, referring to FIG. 4, the
ここで、図5を参照し、インジェクタ22の吐出部22bに開設されたガス孔22hの配向角度について説明する。図5は、図1の基板処理装置1の上部の一部を拡大して示す断面図であり、インジェクタ22を通る水平面で切断した断面を示す。図5に示されるように、ガス孔22hは、基板処理装置1の平面視において、内管11の中心とインジェクタ22の吐出部22bの中心Cとを通る径方向線L4に対して導入部22a側に角度θを付けて配置されている。これにより、ガス孔22hを介して水平方向に吐出された各種の処理ガスは、内管11の内壁で反射した後、内管11の中心側に向かって水平方向に拡散しながら供給される。また、ガス孔22hを介して水平方向に吐出された各種の処理ガスは、内管11の内壁で反射した後、更にインジェクタ22自身や隣接するインジェクタ21、23等に反射して、内管11の中心側に向かって水平方向に拡散しながら供給される。角度θは、例えば0度~60度の範囲であってよい。また、ガス孔22hは、基板処理装置1の平面視において、径方向線L4に対して導入部22aとは反対側に角度を付けて配置されていてもよい。この場合の角度は、例えば0度~60度の範囲であってよい。なお、インジェクタ21、23~26の吐出部21b、23b~26bに開設されたガス孔についても、ガス孔22hと同様の配向角度であってよい。
Here, referring to FIG. 5, the orientation angle of the
ここで、図6及び図7を参照し、インジェクタ22の水平部22dの形状について説明する。図6は、インジェクタ22の水平部22dの一例を示す図である。図6(a)は水平部22dを示す斜視図であり、図6(b)は水平部22dを示す断面図である。図7は、インジェクタ22の取り付け方法の一例を示す図である。図6(b)に示されるように、インジェクタ22は、外管12に形成された略円筒形状の貫通孔17に水平部22dが差し込まれることにより外管12に取り付けられる。このとき、図7に示されるように、インジェクタ22の導入部22aの上部を回転中心として水平部22dを内管11の中心側から内壁側にスイングさせながら水平部22dを貫通孔17に差し込む。インジェクタ22は、図6(a)に示されるように、外形の上側を直線としたDカット形状に加工された先端部22gを含む。これにより、導入部22aの上部を回転中心として水平部22dを内管11の中心側から内壁側にスイングさせながら水平部22dを貫通孔17に差し込む際、水平部22dの貫通孔17への差し込みが容易になる。すなわち、インジェクタ22の処理容器10への取り付けが容易になる。
Here, the shape of the
排気部30は、排気通路31、圧力調整弁32及び真空ポンプ33を有する。排気通路31は、ガス出口15に接続されている。圧力調整弁32及び真空ポンプ33は、排気通路31に介設されており、内管11と外管12との間の空間を介して開口部より排出される内管11内のガスを排気する。
The exhaust section 30 has an exhaust passage 31, a pressure adjustment valve 32, and a vacuum pump 33. The exhaust passage 31 is connected to the gas outlet 15. The pressure adjustment valve 32 and the vacuum pump 33 are interposed in the exhaust passage 31, and exhaust the gas in the
加熱部40は、処理容器10内に収容される基板を加熱する。加熱部40は、例えば外管12の外周側に、外管12を覆うように略円筒形状に形成されている。加熱部40は、鉛直方向において独立して温度を制御できるという観点から、鉛直方向において分割された複数のヒータを含むことが好ましい。ただし、加熱部40は、分割されていない1つのヒータにより構成されていてもよい。
The heating unit 40 heats the substrate housed in the
傾斜抑制部100は、インジェクタ21~27が傾いた場合に、インジェクタ21~27と接触してインジェクタ21~27が傾くことを抑制する。傾斜抑制部100の詳細については後述する。
When the
制御部90は、基板処理装置1の全体の動作を制御する。制御部90は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory)を有する。CPUは、RAM等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の熱処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガス流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。なお、レシピ及び制御部90が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピ等は、CD-ROM、DVD等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。なお、制御部90は、基板処理装置1とは別に設けられていてもよい。 The control unit 90 controls the overall operation of the substrate processing apparatus 1. The control unit 90 has a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), and a RAM (Random Access Memory). The CPU executes the desired heat treatment according to a recipe stored in a storage area such as the RAM. The recipe sets control information for the apparatus with respect to the process conditions. The control information may be, for example, gas flow rate, pressure, temperature, and process time. The recipe and the program used by the control unit 90 may be stored, for example, in a hard disk or semiconductor memory. The recipe, etc. may be set in a predetermined position and read out while being stored in a portable computer-readable storage medium such as a CD-ROM or DVD. The control unit 90 may be provided separately from the substrate processing apparatus 1.
図2~図5及び図8を参照し、基板処理装置1に設けられ、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する傾斜抑制部の一例について説明する。図8は、傾斜抑制部の一例を示す図である。図8(a)は傾斜抑制部を内管11の中心側の水平方向から見たときの図であり、図8(b)は傾斜抑制部を内管11の中心側の下方から見たときの図であり、図8(c)は傾斜抑制部を通る水平面で切断した断面図である。なお、図8(a)~図8(c)においては、処理容器10にインジェクタ21~27が取り付けられていない状態を示す。
With reference to Figures 2 to 5 and Figure 8, an example of a tilt suppression unit that is provided in the substrate processing apparatus 1 and suppresses the tilt of the
傾斜抑制部100は、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する。傾斜抑制部100は、第1の仕切板110及び第2の仕切板120を含む。
The
第1の仕切板110は、インジェクタ収容部13において、内管11の上部、例えば内管11の天井部11aとの間に隙間G1を空けて設けられている。第1の仕切板110は、内管11の中心軸を中心とし、インジェクタ21~27が延設される円周上の位置を含んで設けられている。第1の仕切板110は、内管11の近傍の内壁から内管11の中心方向に延設する平板状に形成されている。第1の仕切板110は、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、一端が内管11の近傍の内壁に溶接固定されている。第1の仕切板110は、内管11の周方向において、インジェクタ21~27を挟むように複数設けられている。図8の例では、第1の仕切板110が6つ設けられている。
The
第2の仕切板120は、内管11の内壁との間にインジェクタ21~27を挟むように設けられている。第2の仕切板120は、内管11の周方向において、インジェクタ収容部13の一端から他端にわたって延設する曲面板状に形成されている。第2の仕切板120は、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、第1の仕切板110と一体として形成されている。ただし、第2の仕切板120は、第1の仕切板110と別体として形成され、第1の仕切板110に溶接固定されていてもよい。
The
以上に説明したように、第1の実施形態の基板処理装置1によれば、インジェクタ21~27の上部が、内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110及び第2の仕切板120により囲まれる。これにより、インジェクタ21~27が傾いた場合に、インジェクタ21~27は内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110及び第2の仕切板120の少なくとも一部に接触する。その結果、インジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
As described above, according to the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, the upper portions of the injectors 21-27 are surrounded by the inner wall of the inner tube 11 (protrusion 14), the
図9を参照し、基板処理装置1に設けられ、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する傾斜抑制部の別の一例について説明する。図9は、傾斜抑制部の別の一例を示す図である。図9(a)は傾斜抑制部を内管11の中心側の水平方向から見たときの図であり、図9(b)は傾斜抑制部を内管11の中心側の下方から見たときの図であり、図9(c)は傾斜抑制部を通る水平面で切断した断面図である。なお、図9(a)~図9(c)においては、処理容器10にインジェクタ21~27が取り付けられていない状態を示す。
With reference to Figure 9, another example of a tilt suppression unit provided in the substrate processing apparatus 1 to suppress the tilt of the injectors 21-27 will be described. Figure 9 is a diagram showing another example of a tilt suppression unit. Figure 9(a) is a diagram showing the tilt suppression unit as viewed horizontally from the center side of the
傾斜抑制部100Aは、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する。傾斜抑制部100Aは、第1の仕切板110A、第2の仕切板120A及び第3の仕切板130Aを含む。
The
第1の仕切板110Aは、インジェクタ収容部13において、内管11の上部、例えば内管11の天井部11aとの間に隙間G2を空けて設けられている。第1の仕切板110Aは、内管11の中心軸を中心とし、インジェクタ21~27が延設される円周上の位置を含んで設けられている。第1の仕切板110Aは、内管11の近傍の内壁から内管11の中心方向に延設する平板状に形成されている。第1の仕切板110Aは、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、一端が内管11の近傍の内壁に溶接固定されている。第1の仕切板110Aは、内管11の周方向において、インジェクタ21~27を挟むように複数設けられる。図9の例では、第1の仕切板110Aが6つ設けられている。
The
第2の仕切板120Aは、内管11の内壁との間にインジェクタ21~27を挟むように設けられている。第2の仕切板120Aは、第1の仕切板110Aの他端から内管11の周方向に沿って延設する平板状に形成されている。ただし、第2の仕切板120Aは、曲面板状に形成されていてもよい。第2の仕切板120Aは、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、第1の仕切板110Aと一体として形成されている。ただし、第2の仕切板120Aは、第1の仕切板110Aと別体として形成され、第1の仕切板110Aに溶接固定されていてもよい。
The
第3の仕切板130Aは、内管11の周方向に沿って間隔を空けて設けられる複数の第1の仕切板110Aのうちの1つに設けられている。第3の仕切板130Aは、内管11の内壁との間にインジェクタ21~27を挟むように設けられている。第3の仕切板130Aは、第1の仕切板110Aの他端から内管11の周方向に沿って第2の仕切板120Aと反対方向に延設する平板状に形成されている。ただし、第3の仕切板130Aは、曲面板状に形成されていてもよい。第3の仕切板130Aは、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、第1の仕切板110A及び第2の仕切板120Aと一体として形成されている。ただし、第3の仕切板130Aは、第1の仕切板110A及び第2の仕切板120Aと別体として形成され、第1の仕切板110A及び第2の仕切板120Aに溶接固定されていてもよい。
The
以上に説明したように、基板処理装置1が傾斜抑制部100Aを備える場合、インジェクタ21~27の上部が、内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110A、第2の仕切板120A及び第3の仕切板130Aにより囲まれる。これにより、インジェクタ21~27が傾いた場合に、インジェクタ21~27は内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110A、第2の仕切板120A及び第3の仕切板130Aの少なくとも一部に接触する。その結果、インジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
As described above, when the substrate processing apparatus 1 is equipped with the
図10を参照し、基板処理装置1に設けられ、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する傾斜抑制部の更に別の一例について説明する。図10は、傾斜抑制部の更に別の一例を示す図である。図10(a)は傾斜抑制部を内管11の中心側の水平方向から見たときの図であり、図10(b)は傾斜抑制部を内管11の中心側の下方から見たときの図であり、図10(c)は傾斜抑制部を通る水平面で切断した断面図である。なお、図10(a)~図10(c)においては、処理容器10にインジェクタ21~27が取り付けられていない状態を示す。
Referring to FIG. 10, we will explain yet another example of a tilt suppression unit that is provided in the substrate processing apparatus 1 and suppresses the tilt of the injectors 21-27. FIG. 10 is a diagram showing yet another example of a tilt suppression unit. FIG. 10(a) is a diagram showing the tilt suppression unit as viewed horizontally from the center side of the
傾斜抑制部100Bは、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する。傾斜抑制部100Bは、第1の仕切板110B及び第2の仕切板120Bを含む。
The
第1の仕切板110Bは、インジェクタ収容部13において、内管11の天井部11aに固定されている。第1の仕切板110Bは、内管11の中心軸を中心とし、インジェクタ21~27が延設される円周上の位置を含んで設けられている。第1の仕切板110Bは、内管11の近傍の内壁から隙間G3を空けて内管11の中心方向に延設する平板状に形成されている。第1の仕切板110Bは、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、内管11の天井部11aに溶接固定されている。第1の仕切板110Bは、内管11の周方向において、インジェクタ21~27を挟むように複数設けられる。図10の例では、第1の仕切板110Bが6つ設けられている。
The
第2の仕切板120Bは、内管11の内壁との間にインジェクタ21~27を挟むように設けられている。第2の仕切板120Bは、内管11の天井部11aに溶接固定されている。第2の仕切板120Bは、内管11の周方向において、インジェクタ収容部13の一端から他端にわたって延設する曲面板状に形成されている。第2の仕切板120Bは、内管11と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、第1の仕切板110Bと一体として形成されている。ただし、第2の仕切板120Bは、第1の仕切板110Bと別体として形成され、第1の仕切板110Bに溶接固定されていてもよい。
The
以上に説明したように、基板処理装置1が傾斜抑制部100Bを備える場合、インジェクタ21~27の上部が、内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110B及び第2の仕切板120Bにより囲まれる。これにより、インジェクタ21~27が傾いた場合に、インジェクタ21~27は内管11(凸部14)の内壁、第1の仕切板110B及び第2の仕切板120Bの少なくとも一部に接触する。その結果、インジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
As described above, when the substrate processing apparatus 1 is equipped with the
〔第2の実施形態〕
図11~図15を参照し、第2の実施形態の基板処理装置の一例について説明する。図11は、第2の実施形態の基板処理装置の一例を示す概略図である。図12は、図11の基板処理装置の上部の一部を拡大して示す斜視図であり、傾斜抑制部を内管11の中心側の下方から見たときの図である。図13は、内管の上部の一部を示す斜視図であり、内管を斜め上方から見たときの図である。図14は、インジェクタの上部の一部を示す斜視図であり、インジェクタを斜め上方から見たときの図である。図15は、インジェクタと内管の位置関係を示す断面図である。
Second Embodiment
An example of a substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described with reference to Figs. 11 to 15. Fig. 11 is a schematic diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to the second embodiment. Fig. 12 is an enlarged perspective view showing a part of the upper part of the substrate processing apparatus shown in Fig. 11, and is a view of the tilt suppression unit as viewed from below the center side of the
第2の実施形態の基板処理装置1Mは、第1の実施形態の基板処理装置1における傾斜抑制部100に代えて、傾斜抑制部100Mを備える点で、第1の実施形態の基板処理装置1と異なる。以下、第1の実施形態の基板処理装置1と異なる点を中心に説明する。
The substrate processing apparatus 1M of the second embodiment differs from the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment in that it is equipped with a
基板処理装置1Mは、処理容器10、ガス供給部20、排気部30、加熱部40、傾斜抑制部100M及び制御部90を備える。処理容器10、ガス供給部20、排気部30、加熱部40及び制御部90については、第1の実施形態と同様の構成であってよい。
The substrate processing apparatus 1M includes a
傾斜抑制部100Mは、インジェクタ21~27の傾斜を抑制する。傾斜抑制部100Mは、挿通穴160及び突起部170を含む。
The
挿通穴160は、内管11の天井部11aのインジェクタ収容部13が形成された部分において、周方向に沿って一列になるように相互に間隔をおいて複数(例えば7つ)形成されている。挿通穴160は、突起部170が挿通可能な形状及び大きさを有する。挿通穴160は、例えば突起部170の平面視における外形よりも僅かに大きい穴であってよい。これにより、挿通穴160に突起部170が挿通されると、挿通穴160により突起部170の動きが制限される。挿通穴160が形成される位置は、各インジェクタ21~27の上部に設けられる突起部170の位置に対応して定められる。
The through
突起部170は、屈曲部21c~27cの各々の上部から上方に延設する。突起部170は、例えば丸棒、角棒、U字中空の形状を有し、上端が内管11の天井部11aに形成された挿通穴160に挿通されて天井部11aよりも高い位置まで延びる。突起部170は、インジェクタ21~27と同じ材料、例えば石英等の耐熱材料により形成され、例えばインジェクタ21~27の屈曲部21c~27cの上部に溶接固定されている。
The
以上に説明したように、第2の実施形態の基板処理装置1Mによれば、インジェクタ21~27の各々の上部に突起部170が設けられ、突起部170が内管11の天井部11aに形成された挿通穴160に挿通される。これにより、インジェクタ21~27が傾いた場合に、突起部170の動きが挿通穴160により制限される。その結果、インジェクタ21~27の傾きを抑制できる。
As described above, according to the second embodiment of the substrate processing apparatus 1M, a
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.
上記の実施形態では、各インジェクタ21~27が折り返し型のインジェクタである場合を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、複数のインジェクタ21~27の一部又は全部が上部において折り返されていない非折り返し型のインジェクタであってもよい。
In the above embodiment, the
上記の実施形態では、7本のインジェクタ21~27を備える基板処理装置1を例に挙げて説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、1本のインジェクタのみを備える基板処理装置であってもよい。また、2~6本、8本以上のインジェクタを備える基板処理装置であってもよい。
In the above embodiment, the substrate processing apparatus 1 having seven
1、1M 基板処理装置
10 処理容器
11 内管
11a 天井部
17 貫通孔
21~27 インジェクタ
21d~27d 水平部
22f 突出部
22g 先端部
22h ガス孔
100、100A、100B、100M 傾斜抑制部
110、110A、110B 第1の仕切板
120、120A、120B 第2の仕切板
160 挿通穴
170 突起部
REFERENCE SIGNS LIST 1, 1M
Claims (15)
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記傾斜抑制部は、前記処理容器の中心軸を中心とし、前記インジェクタが延設される円周上の位置を含んで設けられ、前記処理容器の径方向に延設する第1の仕切板を含み、
前記第1の仕切板は、前記処理容器の上部に設けられている、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
the tilt suppression unit includes a first partition plate that is provided around a central axis of the processing vessel and includes a circumferential position to which the injector is extended, and that extends in a radial direction of the processing vessel;
The first partition plate is provided at an upper portion of the processing vessel.
Substrate processing equipment.
請求項1に記載の基板処理装置。 The first partition plate is fixed to the inside of the inner wall of the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記傾斜抑制部は、前記処理容器の中心軸を中心とし、前記インジェクタが延設される円周上の位置を含んで設けられ、前記処理容器の径方向に延設する第1の仕切板を含み、
前記第1の仕切板は、前記処理容器の天井部に固定されている、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
the tilt suppression unit includes a first partition plate that is provided around a central axis of the processing vessel and includes a circumferential position to which the injector is extended, and that extends in a radial direction of the processing vessel;
The first partition plate is fixed to a ceiling of the processing vessel.
Substrate processing equipment.
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記傾斜抑制部は、
前記処理容器の中心軸を中心とし、前記インジェクタが延設される円周上の位置を含んで設けられ、前記処理容器の径方向に延設する第1の仕切板と、
前記処理容器の内壁との間に前記インジェクタを挟むように設けられ、前記処理容器の周方向に延設する第2の仕切板と、
を含む、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
The tilt suppression portion is
a first partition plate that is provided around a central axis of the processing vessel and includes a circumferential position to which the injector is extended, and that extends in a radial direction of the processing vessel;
a second partition plate extending in a circumferential direction of the processing vessel and disposed between the second partition plate and an inner wall of the processing vessel and the injector;
including,
Substrate processing equipment.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 the tilt suppression unit is provided to sandwich the injector between itself and an inner wall of the processing vessel, and includes a second partition plate extending in a circumferential direction of the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
請求項4又は5に記載の基板処理装置。 The second partition plate is integrally formed with the first partition plate.
The substrate processing apparatus according to claim 4 .
請求項4乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The second partition plate is fixed to a ceiling of the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 4 .
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The injector includes a folded-back injector that extends upward, is folded back at an upper portion, and then extends downward.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記傾斜抑制部は、前記処理容器の天井部に形成され、前記インジェクタの上部が挿通可能な挿通穴を含む、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
the tilt suppression portion is formed in a ceiling portion of the processing vessel and includes an insertion hole through which an upper portion of the injector can be inserted.
Substrate processing equipment.
前記傾斜抑制部は、前記折り返し型のインジェクタの折り返された部分から上方に延設して前記挿通穴に挿通される突起部を含む、
請求項9に記載の基板処理装置。 The injector includes a folded-back injector that extends upward, is folded back at an upper portion, and then extends downward,
the tilt suppression portion includes a protrusion portion that extends upward from a folded-back portion of the folded-back type injector and is inserted into the insertion hole,
The substrate processing apparatus according to claim 9 .
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記インジェクタには、該インジェクタの長手方向における前記処理容器の内壁側に突出する突出部が設けられている、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
the injector is provided with a protruding portion protruding toward an inner wall of the processing vessel in a longitudinal direction of the injector;
Substrate processing equipment.
請求項1乃至10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 the injector is provided with a protruding portion protruding toward an inner wall of the processing vessel in a longitudinal direction of the injector;
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記複数のガス孔は、前記処理容器の近傍の内壁側に配向している、
請求項1乃至12のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The injector is formed with a plurality of gas holes extending along a longitudinal direction thereof,
The gas holes are oriented toward an inner wall side near the processing vessel.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記処理容器の内壁内側に沿って鉛直方向に延設するインジェクタと、
前記インジェクタの傾斜を抑制する傾斜抑制部と、
を備え、
前記インジェクタは、下部において水平方向に配設されて前記処理容器を貫通する水平部を有し、
前記水平部は、外形の上側を直線としたDカット形状に加工された先端部を含む、
基板処理装置。 A processing vessel having a substantially cylindrical shape;
an injector extending vertically along the inside of the inner wall of the processing vessel;
a tilt suppression portion that suppresses tilt of the injector;
Equipped with
the injector has a horizontal portion disposed horizontally at a lower portion thereof and penetrating the processing vessel;
The horizontal portion includes a tip portion processed into a D-cut shape with an upper side of the outer shape being a straight line,
Substrate processing equipment.
前記水平部は、外形の上側を直線としたDカット形状に加工された先端部を含む、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載の基板処理装置。 the injector has a horizontal portion disposed horizontally at a lower portion thereof and penetrating the processing vessel;
The horizontal portion includes a tip portion processed into a D-cut shape with an upper side of the outer shape being a straight line,
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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