JP7465912B2 - 半導体製造プロセスの条件を決定するための方法およびコンピュータプログラム - Google Patents
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Description
・OCW位置を線形位置xの重み付けされた線形結合として定義する。
・ウェハ間のオーバーレイエラーが最小になるような最適な線形結合をとることにより、プロセス変動に対するyのプロセス感度を最小化する。
・各色/偏光の最適な重みを、オーバーレイデータを使用したトレーニングを使用して決定する。
・好ましくは、オーバーレイデータは、同様の処理を受けたウェハ上で行われた測定から得られ、測定と処理の両方が同じ又は同様の機器を使用して実行する。
・OCW位置yは、測定された色位置x(xバー)の測定値Mの重み付けされた合計値である
・色の重みw(wバー)は、以下で得られる。
アライメントマークは、1つ以上の優先方向を有する構造を含み得る。例えば、マークは、図14に示されるようなふるいBFマークであり、その方向は、OCWに使用される座標に整列していない2つの格子を含む。ふるいのBFマークのサブセグメンテーション、つまりそのピッチと方向が座標u、vと一致していない場合、OCWは異なる角度で異なる効果をもたらす可能性があり、OCWの結果は異なるウェハ間の(オーバーレイ)パフォーマンスの安定性の低下につながる。
φ1及びφ2を、正のuに対して、新しい方向u’、v’の法線の角度とみなす。角度φ1とφ2は同じでなくてもよく、互いに180°の角度を形成しない。つまり、方向u’、v’は平行でなくてもよい。角度φ1とφ2は直交していてもよいし、互いに別の角度を形成していてもよい。
新しい座標と古い座標の関係は、次のように表すことができる:
u、v座標に基づく通常のOCWの例では、u、v方向についての色の重みwucol及びwvcolは、互いに独立して決定される。セグメントごとのOCWでは、色の重みw’ucol及びw’vcolは、u’、v’座標を使用して互いに独立して決定されるが、OCWの位置を古い座標で表す場合、u、v、uocw及びvocwは、他の方向に関連付けられた重みw’ucol、W’VCOL、及び色ucol、及びvcolから独立していない。両方の方法は、2つの方向の色の重みを個別に決定することにより、最適な色の重みを決定する際に2つの自由度をもたらす。
a)本発明の実施形態によって決定される動作パラメータの最適化された値を取得し、動作パラメータの最適化された値は、基準として個々の動作パラメータを有する第1のベクトルとして表され;
b)測定データの基板ごとの変動の動作パラメータ全体の変動を取得し、
c)測定データの予想される基板ごとの変動に関連する動作パラメータの新しい値を決定し、動作パラメータの新しい値は、基準として個々の動作パラメータを有する第2のベクトルとして表され、
d)第1のベクトルと第2のベクトルの比較に基づいて、半導体製造プロセスの条件を決定する。
a)複数の基板及び複数の動作パラメータの測定データが得られ、
b)測定データ内に存在する動作パラメータの線形結合を表す一連のベクトルが決定され、
c)必要に応じて、動作パラメータに対して以前に決定された最適な重みのセットが使用可能な場合、以前に決定された最適な重みのセットによって定義された空間へのベクトルのセットの投影が、ベクトルのセットから差し引かれ、
d)特異値分解(SVD)がベクトルのセットに適用され、
e)前のステップで取得された特異値が分析され、(ほぼ)ゼロの特異値に関連付けられたベクトルは、マーク変形に関する情報を含まない動作パラメータの組み合わせを表すため、特に重要であり、
f)(ほぼ)ゼロの特異値に関連付けられたベクトルに基づく、いわゆる「ゼロカーネル」が計算され、ゼロカーネルは基本的に、初期マーク変形や初期スタック(光学)特性の影響を受けない動作パラメータの組み合わせを表す線形ベクトル空間である。
1. 基板の特性を測定するように構成されたセンサシステムの動作パラメータの1つ以上の最適化された値を決定する方法であって、
複数の基板の品質パラメータを決定し、
動作パラメータの複数の値について、センサシステムを使用して得られた複数の基板の測定パラメータを決定し、
品質パラメータの基板間のばらつきと、測定パラメータのマッピングの基板間のばらつきとを比較し、
比較に基づいて、動作パラメータの1つ以上の最適化された値を決定する。
2. マッピングが、重み付け合計、非線形マッピング、又は機械学習方法に基づくトレーニングされたマッピングである、条項1に記載の方法。
3. 比較に基づいて、動作パラメータの第1の値に関連付けられた測定パラメータ及び動作パラメータの第2の値に関連付けられた測定パラメータを重み付けするための重み係数の最適なセットを決定するステップをさらに含む、条項1に記載の方法。
4. 品質パラメータがオーバーレイ又はフォーカスパラメータである、前述のいずれかの条項に記載の方法。
5. 測定パラメータが、複数の基板に提供された特性の位置、又は前記基板上の位置の面外偏差である、前述のいずれかの条項に記載の方法。
6. 動作パラメータが、センサシステムからの光源に関連するパラメータである、前述のいずれかの条項に記載の方法。
7. 動作パラメータは、光源の波長、偏光状態、空間コヒーレンス状態又は時間コヒーレンス状態である、条項5に記載の方法。
8. 品質パラメータが、計測システムを使用して決定される、前述のいずれかの条項に記載の方法。
9. 品質パラメータが、コンテキスト情報、測定データ、再構成データ、ハイブリッド計測データのいずれかに基づいて品質パラメータを予測するシミュレーションモデルを使用して決定される、条項1から6のいずれかに記載の方法。
10. 半導体製造プロセスの状態を決定する方法であって、
先行する条項に従って動作パラメータの最適化された値を決定し、
決定された動作パラメータを基準動作パラメータと比較し、比較に基づいて条件を決定する方法。
11. 基板の特性を測定するように構成されたセンサシステムからの測定データを最適化する方法であって、
複数の基板のオーバーレイデータを取得し、ここで、オーバーレイは、基板上のアライメントマーカーの測定位置と予想位置との間の偏差を表し、センサシステムによって作成されたアライメントマーカー位置の複数の測定値を含み、複数の測定値は、それぞれセンサシステムの異なる動作パラメータを利用したものであり、
取得されたオーバーレイデータに基づいて、オーバーレイを最小にするために、さまざまな動作パラメータのそれぞれについて、さまざまな動作パラメータのすべてについてセンサシステムによって行われた測定値に対する加重調整が組み合わされるように、動作パラメータを使用して取得された測定値を調整するための重みを決定する方法。
12. 動作パラメータは、センサシステムからの放射源に関連するパラメータである、条項11に記載の方法。
13. 動作パラメータは、光源の波長、偏光状態、空間コヒーレンス状態又は時間コヒーレンス状態である、条項12に記載の方法。
14. 比較に基づいて動作パラメータの1つ又は複数の最適化された値を決定することが、基板の異なるゾーンに対して実行される、条項1から9のいずれかに記載の方法。
15. 異なるゾーンが、基板のエッジに近接するゾーンと、基板のセンターに近接するゾーンとを含む、条項14に記載の方法。
16. 各ゾーンが、基板に適用された1つ又は複数のアライメントマークを含む、条項14又は条項15に記載の方法。
17. 各ゾーンが、基板に適用された複数のアライメントマークの個々のアライメントマークに対応する、条項14又は条項15の方法。
18. 測定パラメータはマークの測定位置であり、品質パラメータはマークからデバイスへのシフトであり、動作パラメータの最適化された値は、基板ごとのばらつきを最小限にするために、品質パラメータを最適化するように決定される、条項1から9のいずれかの方法。
19. 動作パラメータは、放射源に関連するパラメータであり、放射源からの放射は基板に向けられており、動作パラメータの最適化された値は、動作パラメータを利用して得られた測定値を調整するための重み付けを適用することによって決定される、条項18に記載の方法。
20. 基板に向けられた放射源からの放射が、基板をターゲットにした後にセンサシステムによって収集される、条項19に記載の方法。
21. 重み付けが、放射を基板に向けるため及び/又はセンサシステムによって放射を収集するために使用されるレンズのレンズ加熱効果を含む、条項19に記載の方法。
22. マークからデバイスへのシフトに対する動作パラメータの感度を決定するように、意図的なマークからデバイスへのシフトが適用されたサブセグメント化されたマークを有する基板から得られた測定値を使用してサブセグメント化されたマークを測定するための動作パラメータの重みを決定することをさらに含む、条項18から21のいずれかの方法。
23. 基板の処理を制御するために利用される計測システムの動作パラメータを最適化するための条項1から9のいずれかの方法であって、
センサシステムは、処理前に基板の第1の特性を測定するように構成される第1の測定システムに関連する第1のセンサシステムを含み、
方法は、処理後に基板の第2の特性を測定するように構成された第2の測定システムに関連付けられた第2のセンサシステムを含み、
方法は、動作パラメータの複数の値について第1のセンサシステムを使用して得られた複数の基板の測定パラメータの第1のセットを決定し、
動作パラメータの複数の値について第2のセンサシステムを使用して得られた複数の基板の測定パラメータの第2のセットを決定し、
測定パラメータの第1及び第2のセットのそれぞれについて、品質パラメータの基板ごとの変動と、測定パラメータのマッピングの基板ごとの変動とを比較し、
動作パラメータの1つ又は複数の最適化された値の決定は、第1の測定システムに関連する動作パラメータの第1のセット及び第2の測定システムに関連する動作パラメータの第2のセットを同時に最適化することを含み、最適化は基板間バリエーションの第2の特性を軽減する、方法。
24. 品質パラメータが、処理後の基板の測定された第2の特性から決定されたオーバーレイである、条項23に記載の方法。
25. 品質パラメータ及び測定パラメータが、複数の基板に関連する特定の層に関連する、条項1に記載の方法。
26. 特定の層が、i)特定の層に関連する品質パラメータの第1の基板ごとの変動、及びii)測定パラメータ間の変動の第2の基板間の特定の相に関連付けられた変動の評価に基づいて選択される、条項25に記載の方法。
27. 特定の層は、第1の基板間の変動及び第2の基板間の変動が閾値を超える場合に選択される、条項26に記載の方法。
28. 半導体製造プロセスの状態を監視する方法であって、
a) 第1項から第27項のいずれかの方法を使用して、動作パラメータの最適化された値を取得し、
b) 動作パラメータの複数の値について、センサシステムを使用して取得されたさらなる基板の測定パラメータを取得し、
c) 測定データの予想される最小の基板ごとの変動に関連する動作パラメータの新しい値を決定し、
d) 最適化された値と動作パラメータの新しい値の比較に基づいて、半導体製造プロセスの条件を決定する、方法。
29. 動作パラメータの最適化された値が、測定パラメータの第1の座標に関連する第1の値のセットと、測定パラメータの第2の座標に関連する第2の値のセットとを含む、条項1に記載の方法。
30. 条項29による方法であって、さらに:
マークの第1の優先方向に平行な第3の座標を決定し、
マークの第2の優先方向に平行な第4の座標を決定し、
第3の座標に関連付けられた動作パラメータの第3の最適化された値のセット、及び第4の座標に関連付けられた動作パラメータの第4の最適化された値のセットを決定し、
第3及び第4の座標から第1及び第2の座標への変換を決定し、
決定された変換を使用して、第3及び第4の座標における動作パラメータの決定された最適化された値を第1及び第2の座標における動作パラメータの最適化された値に変換する、方法。
31. 動作パラメータの第1の値が、動作パラメータの第2の値とは無関係に最適化される、条項29に記載の方法。
Claims (12)
- 半導体製造プロセスの条件を監視するための方法であって、
複数の基板のオーバーレイデータを取得することを含み、オーバーレイは、以前に露光されたパターンを基準とした基板上のアライメントマーカーの測定位置と、前記以前に露光されたパターンを基準とした前記アライメントマーカーの公称位置との間の偏差を表すものであり、前記方法はさらに、
アライメントセンサシステムによる前記アライメントマーカーの位置の複数の測定値を含み、前記複数の測定値のそれぞれが、前記アライメントセンサシステムの異なる動作パラメータを利用したものである、アライメントマーカー位置データを取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記アライメントマーカー位置データに基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記複数の測定値を線形結合するための重みのセットを決定することと、
決定された重みのセットを以前に決定された重みのセットと比較することと、
前記比較に基づいて前記半導体製造プロセスの条件が変更された可能性があるか否かを決定することと、を備える方法。 - 前記動作パラメータは、前記アライメントセンサシステムからの放射源に関連するパラメータである、請求項1に記載の方法。
- 前記動作パラメータは、前記放射源の波長、偏光状態、空間コヒーレンス状態又は時間コヒーレンス状態である、請求項2に記載の方法。
- 前記重みのセットを決定することが、基板の異なるゾーンに対して実行される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記異なるゾーンは、基板のエッジに近接するゾーンと、基板のセンターに近接するゾーンとを含む、請求項4に記載の方法。
- 半導体製造プロセスの条件を監視する方法であって、
複数の基板のオーバーレイデータを取得することを含み、オーバーレイは、以前に露光されたパターンを基準とした基板上のアライメントマーカーの測定位置と、前記以前に露光されたパターンを基準とした前記アライメントマーカーの公称位置との間の偏差を表すものであり、前記方法はさらに、
アライメントセンサシステムによる前記アライメントマーカーの位置の複数の測定値を含み、前記複数の測定値のそれぞれが、前記アライメントセンサシステムの異なる動作パラメータを利用したものである、アライメントマーカー位置データを取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記アライメントマーカー位置データに基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記複数の測定値を線形結合するための重みのセットを決定することと、
前記動作パラメータの複数の値について前記アライメントセンサシステムを使用して、更なる基板についてアライメントマーカー位置の更なる複数の測定値を取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記更なる基板についての前記更なる複数の測定値に基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記更なる基板についての前記更なる複数の測定値を線形結合するための新しい重みのセットを決定することと、
前記重みのセットと前記新しい重みのセットの比較に基づいて前記半導体製造プロセスの条件が変更された可能性があるか否かを決定することと、を備える方法。 - 半導体製造プロセスの条件を監視するための方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法は、
複数の基板のオーバーレイデータを取得することを含み、オーバーレイは、以前に露光されたパターンを基準とした基板上のアライメントマーカーの測定位置と、前記以前に露光されたパターンを基準とした前記アライメントマーカーの公称位置との間の偏差を表すものであり、前記方法はさらに、
アライメントセンサシステムによる前記アライメントマーカーの位置の複数の測定値を含み、前記複数の測定値のそれぞれが、前記アライメントセンサシステムの異なる動作パラメータを利用したものである、アライメントマーカー位置データを取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記アライメントマーカー位置データに基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記複数の測定値を線形結合するための重みのセットを決定することと、
決定された重みのセットを以前に決定された重みのセットと比較することと、
前記比較に基づいて前記半導体製造プロセスの条件が変更された可能性があるか否かを決定することと、を含む、コンピュータプログラム。 - 前記動作パラメータは、前記アライメントセンサシステムからの放射源に関連するパラメータである、請求項7に記載のコンピュータプログラム。
- 前記動作パラメータは、前記放射源の波長、偏光状態、空間コヒーレンス状態又は時間コヒーレンス状態である、請求項8に記載のコンピュータプログラム。
- 前記重みのセットを決定することが、基板の異なるゾーンに対して実行される、請求項7から9のいずれかに記載のコンピュータプログラム。
- 前記異なるゾーンは、基板のエッジに近接するゾーンと、基板のセンターに近接するゾーンとを含む、請求項10に記載のコンピュータプログラム。
- 半導体製造プロセスの条件を監視する方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法は、
複数の基板のオーバーレイデータを取得することを含み、オーバーレイは、以前に露光されたパターンを基準とした基板上のアライメントマーカーの測定位置と、前記以前に露光されたパターンを基準とした前記アライメントマーカーの公称位置との間の偏差を表すものであり、前記方法はさらに、
アライメントセンサシステムによる前記アライメントマーカーの位置の複数の測定値を含み、前記複数の測定値のそれぞれが、前記アライメントセンサシステムの異なる動作パラメータを利用したものである、アライメントマーカー位置データを取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記アライメントマーカー位置データに基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記複数の測定値を線形結合するための重みのセットを決定することと、
前記動作パラメータの複数の値について前記アライメントセンサシステムを使用して、更なる基板についてアライメントマーカー位置の更なる複数の測定値を取得することと、
前記オーバーレイデータおよび前記更なる基板についての前記更なる複数の測定値に基づいて、前記アライメントマーカーの測定位置に対する前記アライメントマーカーの変形の影響を最小限に抑えるように、前記更なる基板についての前記更なる複数の測定値を線形結合するための新しい重みのセットを決定することと、
前記重みのセットと前記新しい重みのセットの比較に基づいて前記半導体製造プロセスの条件が変更された可能性があるか否かを決定することと、を備えるコンピュータプログラム。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005513771A (ja) | 2001-12-17 | 2005-05-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | フィードフォワードオーバーレイ情報を導入したフォトリソグラフィー・オーバーレイ整合を制御するための方法および装置 |
JP2011066323A (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 露光処理の補正方法 |
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Family Cites Families (11)
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JPH1022207A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 位置検出装置 |
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JP2011159753A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Nikon Corp | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、及び露光装置 |
JP2012059853A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Nikon Corp | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、並びに露光装置及びマーク検出装置 |
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JP2011066323A (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 露光処理の補正方法 |
JP2013118369A (ja) | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Asml Netherlands Bv | アライメントマーク変形推定方法、基板位置予測方法、アライメントシステムおよびリソグラフィ装置 |
WO2017032534A2 (en) | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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