JP7463875B2 - 光学積層体、並びに、これを用いた偏光板、表示パネル及び画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、光学積層体、並びに、これを用いた偏光板、表示パネル及び画像表示装置に関する。

画像表示装置等に適用される光学フィルムとして、入射した光に所望の位相差を付与する光学積層体がある。例えば、λ／４位相差層と直線偏光板とを組み合わせてなる円偏光板は、画像表示装置の反射防止のために用いられている。

このような光学積層体は、全ての波長に対して同様の効果をもたらすものではないことがよく知られている。
例えば、λ／４位相差層と直線偏光板とを積層してなる円偏光板は、波長５５０ｎｍの光を円偏光として外光反射を大幅に抑制することができるが、５５０ｎｍよりも長い波長及び短い波長の光は楕円偏光となるため、反射防止機能が低下するという問題がある。
この点を解決する手法として、円偏光板の位相差層を、λ／４位相差層とλ／２位相差層との組み合わせにする方法が提案されている。

しかし、λ／４位相差層及びλ／２位相差層等のポジティブＡ層を有する画像表示装置は、斜め方向から視認した際に、表示品質（例えばコントラスト）が低下するという問題があった。
このため、ポジティブＡ層とポジティブＣ層とを組み合わせてなる光学積層体が提案されている（特許文献１、２）。

特開２００６－２１５２２１号公報 特開２０１６－４１４２号公報

特許文献１では、基材上に液晶組成物を面内に配向させた層と、基材上に液晶組成物を垂直に配向させた層とをそれぞれ作製し、これらの層をそれぞれ基材から剥離して積層する必要がある。このため、特許文献１の光学積層体は、工程が複雑化するという問題がある。また、特許文献１では、ポジティブＡ層とポジティブＣ層とを接着剤層又は粘着剤層を介して積層しているため、接着剤層又は粘着剤層の分だけ厚みが増し、薄型化に支障があるものである。

特許文献２では、ポジティブＡ層と、ポジティブＣ層とを、接着剤層又は粘着剤層を介することなく直接積層しているため、薄型化の問題を解消し得るものである。
しかし、特許文献２の光学積層体は、他の部材に貼り合わせる際に、ポジティブＡ層と、ポジティブＣ層との界面で剥離する事例が多発した。また、特許文献２の光学積層体のうち、剥離可能な基材上にポジティブＣ層及びポジティブＡ層を形成し、他の部材にポジティブＣ層及びポジティブＡ層を転写する実施形態のものは、転写時に、ポジティブＡ層と、ポジティブＣ層とが剥離する事例が多発した。

本発明は、ポジティブＣ層等の配向層と、ポジティブＡ層とを直接積層してなり、かつ、配向層とポジティブＡ層との密着性に優れた光学積層体、並びに、これを用いた表示パネル及び画像表示装置を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］～［４］を提供する。
［１］配向層及びポジティブＡ層を有する光学積層体であって、前記配向層と前記ポジティブＡ層とが接してなり、前記ポジティブＡ層は化合物ａを含み、前記配向層は、前記ポジティブＡ層から移行してなる前記化合物ａと、その他の化合物とを含み、前記化合物ａは、前記その他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含み、前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの平均検出量を質量基準で１００と規格化したときに、前記配向層内の前記原子Ｘの平均検出量が２３以上である、光学積層体。
［２］偏光子と、前記偏光子の一方の側に配置されてなる透明保護板Ａと、前記偏光子の他方の側に配置されてなる透明保護板Ｂとを有する偏光板であって、前記透明保護板Ａ及び前記透明保護板Ｂの何れか一方が、前記［１］に記載の光学積層体である、偏光板。
［３］表示素子の光出射面上に、前記［１］に記載の光学積層体を配置してなる、表示パネル。
［４］前記［３］に記載の表示パネルを備えてなる、画像表示装置。

本発明の光学積層体、並びに、これを用いた表示パネル及び画像表示装置によれば、配向層とポジティブＡ層とが直接積層されてなるため、光学積層体を薄型化することができ、かつ、配向層とポジティブＡ層との密着性に優れるため、作業性及び経時安定性等を良好にすることができる。

本発明の光学積層体の一実施形態を示す断面図である。 本発明の偏光板の一実施形態を示す断面図である。 本発明の表示パネルの一実施形態を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を説明する。
本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」との表記は、「ＡＡ以上ＢＢ以下」であることを意味する。

また、本明細書において、「波長４５０ｎｍにおける面内位相差」を「Ｒｅ（４５０）」、「波長５５０ｎｍにおける面内位相差」を「Ｒｅ（５５０）」、「波長６５０ｎｍにおける面内位相差」を「Ｒｅ（６５０）」、「波長５５０ｎｍにおける厚み方向の位相差」を「Ｒｔｈ（５５０）」と表記する場合がある。
面内位相差（Ｒｅ）及び厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）は、Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚ及び位相差層の厚みｄ（ｎｍ）から、下記式により算出できる。
面内位相差（Ｒｅ）＝（Ｎｘ－Ｎｙ）×ｄ
厚み方向の位相差（Ｒｔｈ）＝（（Ｎｘ＋Ｎｙ）／２－Ｎｚ）×ｄ

また、本明細書において、ポジティブＡ層とは、層の面内に沿った最も屈折率の高い軸方向であるＸ軸方向の屈折率をＮｘ、層の面内に沿った方向でＸ軸に直交するＹ軸方向の屈折率をＮｙ、層の厚み方向の屈折率をＮｚとしたとき、Ｎｘ＞Ｎｙ≒Ｎｚの関係を満たす層である。また、本明細書において、ポジティブＣ層とは、Ｎｘ≒Ｎｙ＜Ｎｚの関係を満たす層である。

［光学積層体］
本発明の光学積層体は、配向層及びポジティブＡ層を有してなり、前記配向層と前記ポジティブＡ層とが接してなり、前記ポジティブＡ層は化合物ａを含み、前記配向層は、前記ポジティブＡ層から移行してなる前記化合物ａと、その他の化合物とを含み、
前記化合物ａは、前記その他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含み、
前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの平均検出量を質量基準で１００と規格化したときに、前記配向層内の前記原子Ｘの平均検出量が２３以上であるものである。

図１は、本発明の光学積層体の実施の形態を示す断面図である。
図１の光学積層体１００は、配向層２０及びポジティブＡ層３０を有し、配向層２０とポジティブＡ層３０とが接している。また、図１の光学積層体は、配向層２０及びポジティブＡ層３０が、基材１０上に形成されている。

本発明の光学積層体は、配向層及びポジティブＡ層を有してなり、配向層とポジティブＡ層とが接してなるものである。このように、本発明の光学積層体は、配向層とポジティブＡ層とが、接着剤層等を介することなく、直接積層されているため、光学積層体を薄型化することができるとともに、光学積層体を簡易に製造することができる。

＜配向層の原子Ｘの平均検出量＞
本発明の光学積層体は、下記（１）～（３）の構成を有し、かつ、配向層の原子Ｘの平均検出量が下記（４）の条件を満たすことを要する。
（１）ポジティブＡ層が化合物ａを含む。
（２）配向層が、ポジティブＡ層から移行してなる前記化合物ａと、その他の化合物とを含む。
（３）前記化合物ａは、前記その他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含む。
（４）前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの平均検出量を質量基準で１００と規格化したときに、前記配向層内の前記原子Ｘの平均検出量が２３以上である。

化合物ａは、ポジティブＡ層に含まれる液晶化合物を意味する。化合物ａに含まれる原子Ｘとしては、硫黄原子及び窒素原子が挙げられる。
また、その他の化合物は、配向層を構成する化合物から化合物ａを除いた全ての化合物を意味する。
また、本明細書において、上記（４）の平均検出量のことを「配向層の平均検出量」と称する場合がある。

配向層の平均検出量が上記（４）の条件を満たすことは、ポジティブＡ層の化合物ａが、所定の割合を超えて配向層に浸透していることを意味している。このように、ポジティブＡ層の化合物ａが、所定の割合を超えて配向層に浸透した場合、ポジティブＡ層と配向層との親和性が増すとともに、投錨効果が生じることになる。したがって、上記（１）～（３）の構成を有し、かつ、上記（４）の条件を満たす本発明の光学積層体は、ポジティブＡ層と配向層との密着性を良好にすることができる。
一方、上記（４）の条件を満たさない光学積層体は、ポジティブＡ層と配向層との密着性を良好にすることができず、貼り合わせ作業及び転写作業等の作業時に生じる応力により、ポジティブＡ層と配向層との界面で剥離が生じてしまう。

配向層の平均検出量は、２７以上であることが好ましく、３０以上であることがより好ましく、３３以上であることがさらに好ましい。
配向層の平均検出量を多くするほど密着性は徐々に向上するが、密着性の向上には限界がある。また、化合物ａは配向層の配向構造の隙間に入り込むため、配向層に浸透した化合物ａによって配向層の配向は影響を受けにくい。しかし、配向層の平均検出量が多くなりすぎると、ポジティブＡ層が配向しにくくなったり、配向層の諸物性が変化することによる不具合が生じたりする可能性がある。このため、平均検出量は、６０以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、４０以下であることがさらに好ましい。

配向層の平均検出量は、例えば、ポジティブＡ層の化合物ａの分子量、配向層とポジティブＡ層との親和性、ポジティブＡ層形成用塗布液の溶剤等により増減できる。具体的には、化合物ａの分子量が小さいほど平均検出量は多くなり、化合物ａの分子量が大きいほど平均検出量が少なくなる傾向がある。また、配向層とポジティブＡ層との親和性が高いほど平均検出量は多くなり、親和性が低いほど平均検出量は少なくなる傾向がある。また、ポジティブＡ層形成用塗布液の溶剤の配向層への浸透性が高いほど平均検出量は多くなり、該溶剤の配向層への浸透性が低いほど平均検出量は少なくなる傾向がある。また、ポジティブＡ層形成用塗布液の溶剤の質量割合が多いほど平均検出量は多くなり、該塗布液の溶剤の質量割合が低いほど平均検出量は少なくなる傾向がある（塗布液の溶剤の質量割合≒塗布液の全量－塗布液の固形分の質量割合）。
また、後述するように、ポジティブＣ層等の配向層を構成する化合物として、特定の液晶化合物を用い、化合物ａが硫黄原子を含む化合物の場合、平均検出量を多くしやすくできる。また、後述するように、化合物ａが動きやすい分子構造を有する場合、平均検出量を多くしやすくできる。

ポジティブＡ層内及び配向層内の原子Ｘの質量基準の検出量は、光学積層体を垂直方向に切断した薄片の測定用サンプルを作製し、当該サンプルの断面側から、走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により測定することができる。なお、測定用サンプルは２０個作製し、２０個の測定値の平均値を原子Ｘの検出量に関する各種のパラメータとすることが好ましい。
薄片の測定用サンプルは、例えば、光学積層体を所定の大きさに切断したカットサンプルを作製し、当該カットサンプルをダイヤモンドナイフで垂直に切断して作製することができる。薄片の測定用サンプルの厚みは４０ｎｍ～１６０ｎｍとすることが好ましい。

ＳＥＭ－ＥＤＸ分析装置による測定では、各装置に固有の定量条件（例えば、日立ハイテクノロジーズ製のＳＥＭ“ＳＵ８０００”とオックスフォード・インストゥルメンツ製のＥＤＸ“ＸＭＡＸ８０”では加速電圧３０ｋＶ、焦点距離１５ｍｍ、試料傾斜０度）に合わせ、照射電流や測定時間を目的元素が十分検出できるように適時調整して特性Ｘ線スペクトルを取得することが好ましい。また、各元素の濃度は、ＺＡＦ補正法（各元素の相対強度に原子番号補正Ｚ、吸収補正Ａ、蛍光補正Ｆを施して各元素の含有量を求める方法）によって、求めることができる。

本明細書において、上述した原子Ｘの検出量に関する測定、並びに、その他の測定及び評価は、特に断りのない限り、温度２３℃±５℃、湿度４０％～６５％の雰囲気で実施するものとする。また、測定及び評価の前に、前記雰囲気にサンプルを３０分以上晒すものとする。

＜検出量の変動係数、バラツキの比＞
本発明の光学積層体は、前記配向層内の前記原子Ｘの検出量が下記の条件１を満たすことが好ましい。
（条件１）
前記配向層内の前記原子Ｘの量を、前記配向層と前記ポジティブＡ層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。前記１００箇所の前記原子Ｘの検出量の質量基準の変動係数が０．１６以上である。

条件１を満たすことは、配向層に浸透した化合物Ａの量が、配向層の場所ごとでバラついており、かつ、バラツキの程度が所定以上であることを意味している。このように、配向層の場所ごとに化合物Ａの浸透性をバラつかせることにより、配向層とポジティブＡ層との密着性をより良好にすることができる。
条件１の変動係数は０．２０以上であることが好ましく、０．２５以上であることがより好ましい。
条件１の変動係数の上限は、微細領域における物性の変動を抑制する観点から、０．６０以下であることが好ましく、０．５０以下であることがより好ましく、０．４０以下であることがさらに好ましく、０．３５以下であることがよりさらに好ましい。
なお、変動係数とは、標準偏差（バラツキ）を平均値で割った無次元のパラメータである。

本発明の光学積層体は、前前記ポジティブＡ層内及び前記配向層内の前記原子Ｘの検出量が下記の条件２を満たすことが好ましい。
（条件２）
前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの量を、前記ポジティブＡ層と前記配向層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。検出した前記原子Ｘの質量基準の変動係数をＣＶ１と定義する。
前記配向層内の前記原子Ｘの量を、前記配向層と前記ポジティブＡ層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。検出した前記原子Ｘの質量基準の変動係数をＣＶ２と定義する。
前記ＣＶ１と前記ＣＶ２との比（ＣＶ２／ＣＶ１）が２．００以上を示す。

条件２を満たすことは、条件１と同様に、配向層に浸透した化合物Ａの量が、配向層の場所ごとでバラついており、かつ、バラツキの程度が所定以上であることを意味している。このように、配向層の場所ごとに化合物Ａの浸透性をバラつかせることにより、配向層とポジティブＡ層との密着性をより良好にすることができる。
条件２の比は２．１０以上であることが好ましく、２．２０以上であることがより好ましい。
条件２の比の上限は、微細領域における物性の変動を抑制する観点から、４．００以下であることが好ましく、３．００以下であることがより好ましく、２．５０以下であることがさらに好ましい。

条件１及び２は、例えば、配向層の配向度合いの面内均一性により調整できる。具体的には、配向層の配向度合いの面内均一性が低いほど、条件１の変動係数及び条件２の比が大きくなる傾向があり、配向層の配向度合いの面内均一性が高いほど、条件１の変動係数及び条件２の比が小さくなる傾向がある。

＜配向層＞
配向層は、光学積層体の厚み方向において、ポジティブＡ層と接する位置に配置される。
基材上に、配向層及びポジティブＡ層を形成する場合、基材上に先に配向層を形成し、その後、ポジティブＡ層を形成することが好ましい。

また、配向層は、ポジティブＡ層から移行してなる化合物ａと、その他の化合物とを含む。その他の化合物は、配向層を構成する化合物から化合物ａを除いた全ての化合物である。その他の化合物の主成分は液晶化合物であり、当該液晶化合物は、感光性基を有する液晶化合物であることが好ましい。
その他の化合物は、化合物ａに含まれる原子Ｘを実質的に含有しないものである。本明細書において、その他の化合物が原子Ｘを実質的に含有しないとは、その他の化合物の全量の０．１質量％以下を意味し、より好ましくは０．０１質量％以下である。

配向層としては、例えば、ホメオトロピック配向層が挙げられる。
ホメオトロピック配向とは、液晶化合物が層の法線方向に対し、平行かつ一様に配向した状態、すなわち、垂直配向した状態をいう。
ホメオトロピック配向層の代表例はポジティブＣ層である。すなわち、配向層としては、ポジティブＣ層が挙げられる。
以下、主として、配向層の代表例であるポジティブＣ層の実施形態を説明する。

ポジティブＣ層の液晶化合物は、液晶性ポリマーからなる材料であっても、液晶性モノマーからなる材料であってもよい。
ポジティブＣ層の液晶化合物は、ポジティブＣ層上に形成するポジティブＡ層の配向性の観点から、感光性基を有する液晶化合物であることが好ましい。すなわち、配向層は、その他の化合物として感光性基を有する液晶化合物を含むことが好ましい。

本明細書において感光性基とは、光照射により他の分子と結合する官能基をいう。また、本明細書において、液晶化合物とは、材料単独に物理的な外部刺激（加熱、冷却、電場、磁場、せん断の印加等）を与えた時に液晶性を示すか、または溶媒や非液晶性成分との混合により液晶性を発現する材料をいう。

感光性基を有する液晶化合物としては、例えば、下記（ｉ）と（ｉｉ）とをスペーサーを介してまたは介さず結合した構造を含む側鎖を有する感光性側鎖型液晶性ポリマーが挙げられる。このような感光性基を有する液晶化合物は、特開２０１６－４１４２号公報に記載されたものを用いることもできる。
（ｉ）シンナモイル基、カルコン基、シンナミリデン基、ビフェニルアクリロイル基、フリルアクリロイル基、ナフチルアクリロイル基（または、それらの誘導体）などの感光性基。
（ｉｉ）液晶性ポリマーのメソゲン成分として多用されているビフェニル、ターフェニル、フェニルベンゾエート、アゾベンゼンなどの置換基。

感光性側鎖型液晶性ポリマーとしては、側鎖末端にカルボキシル基を有する感光性の側鎖を有し、該側鎖末端のカルボキシル基の水素結合による２量化により剛直な構造を形成し、側鎖自体にメソゲン基を構造に含まず液晶性を発現するポリマーも挙げられる。
感光性側鎖型液晶性ポリマーを構成する主鎖としては、上記側鎖をスペーサーを介して結合した炭化水素、アクリレート、メタクリレート、シロキサン、マレインイミド、Ｎ－フェニルマレインイミドなどが挙げられる。これらのポリマーは同一の繰り返し単位からなる単一重合体または構造の異なる側鎖を有する複数の単位からなる共重合体、あるいは感光性基を含む側鎖を有する単位に、感光性基を含まない側鎖を有する単位を液晶性を損なわない程度に配合して得られる共重合体のいずれであってもよい。また、配向を増強するために低分子化合物を添加しても構わない。

感光性側鎖型液晶性ポリマーは、耐熱性を向上することなどを目的として、イソシアネート材料及びエポキシ材料などの架橋剤により架橋構造を導入したポリマーであってもよい。

感光性側鎖型液晶性ポリマーは、下記の一般式（１）～（３）で示される側鎖を有するモノマーを用いて形成されるポリマーが好ましい。
なお、下記の一般式（１）～（３）で示される側鎖を有するモノマーを用いて形成されるポリマーは、硫黄原子を含む化合物との親和性が高い。すなわち、ポジティブＣ層等の配向層が下記の一般式（１）～（３）で示される側鎖を有するモノマーを用いて形成されるポリマーを含み、ポジティブＡ層の化合物ａが硫黄原子を含む場合、化合物ａがポジティブＣ層に浸透しやすくなり、原子Ｘ（例えば硫黄）の検出量が上記範囲を満たしやすくなる点で好ましい。

前記化学式１および化学式２のそれぞれにおいて、ｎは１～１２、ｍは１～１２の整数をそれぞれ示し、ＸまたはＹは、ｎｏｎｅ、－ＣＯＯ、－ＯＣＯ－、－Ｎ=Ｎ－、－Ｃ=Ｃ－または－Ｃ₆Ｈ₄－をそれぞれ表し、Ｗ₁はシンナモイル基、カルコン基、シンナミリデンキ基、ビフェニルアクリロイル基、フリルアクリロイル基、ナフチルアクリロイル基もしくはそれらの誘導体を表すか、または、－Ｈ、－ＯＨ、もしくは－ＣＮを表し、Ｗ₂は、シンナモイル基、カルコン基、シンナミリデンキ基、ビフェニルアクリロイル基、フリルアクリロイル基、ナフチルアクリロイル基もしくはそれらの誘導体を表すか、または、－Ｈ、－ＯＨもしくは－ＣＮを表す。 前記一般式（１）及び一般式（２）のそれぞれにおいて、ｎは１～１２の整数を示し、ｍは１～１２の整数を示し、ＸまたはＹは、単結合、－ＣＯＯ、－ＯＣＯ－、－Ｎ=Ｎ－、－Ｃ=Ｃ－または－Ｃ_６Ｈ_４－を示し、Ｗ_１は、シンナモイル基、カルコン基、シンナミリデン基、ビフェニルアクリロイル基、フリルアクリロイル基、ナフチルアクリロイル基及びこれらの誘導体、又は、－Ｈ、－ＯＨ及び－ＣＮを示し、Ｗ_２は、シンナモイル基、カルコン基、シンナミリデン基、ビフェニルアクリロイル基、フリルアクリロイル基、ナフチルアクリロイル基及びこれらの誘導体、又は、－Ｈ、－ＯＨ及び－ＣＮを示す。

上記の式で表わされる側鎖のなかで、Ｗ_１及びＷ_２が、－Ｈ、－ＯＨ及び－ＣＮで表わされる側鎖を有するモノマーは感光性を示さないが、側鎖に感光性基を有するモノマーと共重合することにより、感光性基を有する液晶性ポリマーを得ることができる。共重合する場合において、上記の式で表わされる感光性を示さないモノマーの割合が高いほどホメオトロピック配向しやすいポリマーを得やすいが、共重合割合はホメオトロピック配向性と液晶性とのバランスを見て適宜設定することができる。

一般式（３）において、ｓは０または１を表し、ｔは１～３の整数を表し、ＲはＨ、アルキル基，アルキルオキシ基またはハロゲンを表す。

ポジティブＣ層等の配向層は、本発明の効果を阻害しない範囲で、光安定剤及び酸化防止剤等の添加剤を含有してもよい。

ポジティブＣ層は、例えば、ポジティブＣ層を構成する成分（例えば、一般式（１）～（３）で表わされる側鎖を有するモノマー単位から形成される液晶性ポリマー、添加剤）を溶剤に溶解又は希釈してなるポジティブＣ層用塗布液を調製し、当該塗布液を基材上に塗布、乾燥することにより形成することができる。

ポジティブＣ層用塗布液の溶剤としては、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、トルエン、テトラヒドロフラン、ｏ－ジクロロベンゼン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどが挙げられ、これらの溶媒は、単独または混合して用いられる。

ポジティブＣ層用塗布液を基材上に塗布して、溶剤を除去する過程において、ポジティブＣ層はホメオトロピック配向を示し始め、乾燥後、さらに加熱を行うことによりホメオトロピック配向は増強される。具体的には、液晶相転移温度以上であって等方性転移温度以下（好ましくは等方性転移温度未満）の温度に加熱して冷却することによってホメオトロピック配向が誘起される。
さらに、ホメオトロピック配向した層に対して、直線偏光性紫外線を照射する。直線偏光性紫外線を照射することにより、感光性基を有する液晶性ポリマーの感光性基の光反応が異方的に進行し、ポジティブＡ層の液晶化合物を配向させる液晶配向能が付与される。照射光の波長は２００ｎｍ～５００ｎｍが好ましく、２５０ｎｍ～４００ｎｍがより好ましい。このような直線偏光性の紫外線照射がなされても、ホメオトロピック配向層の配向は実質的に影響されない。

ポジティブＣ層に直線偏光性紫外線を照射した後であって、ポジティブＣ層上にポジティブＡ層を形成した後に、非偏光性の紫外線を照射することが好ましい。非偏光性紫外線を照射すると、感光性基を有する液晶性ポリマーの二量化が進行し、配向が固定され、安定したホモジニアス配向層が形成される。なお、ポジティブＡ層のホメオトロピック配向は非偏光性の紫外線の照射前に完了しているため、非偏光性紫外線によってポジティブＡ層のホメオトロピック配向は実質的に乱されることはないといえる。また、非偏光性の紫外線を照射することで、ポジティブＣ層の感光性基とポジティブＡ層との感光性基とが反応し、密着性がより向上することが期待できる。

ポジティブＣ層等の配向層は、Ｒｔｈ（５５０）が－１００ｎｍ～－５０ｎｍであることが好ましく、－９０ｎｍ～－６０ｎｍであることがより好ましい。配向層のＲｔｈ（５５０）を当該範囲とすることにより、斜め方向の視認性を良好にしやすくできる。

ポジティブＣ層等の配向層は、Ｒｅ（５５０）が小さいことが好ましく、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは５ｎｍ以下、より更に好ましくは１ｎｍ以下である。

本明細書において、面内位相差、厚み方向の位相差、ヘイズ及び全光線透過率は、１６箇所の測定値の平均値を意味する。１６の測定箇所は、測定サンプルの外縁から１ｃｍの領域を余白として、該余白よりも内側の領域に関して、縦方向及び横方向を５等分する線を引いた際の、交点の１６箇所を測定の中心とすることが好ましい。測定サンプルが四角形の場合には、四角形の外縁から１ｃｍの領域を余白として、該余白よりも内側の領域を縦方向及び横方向に５等分した線の交点の１６箇所を中心として測定を行い、その平均値を算出することが好ましい。なお、測定サンプルが円形、楕円形、三角形、五角形等の四角形以外の形状の場合、これらの形状に内接する最大面積の四角形を書き、該四角形に関して、上記手法により１６箇所の測定を行うことが好ましい。
面内位相差及び厚み方向の位相差は、例えば、王子計測（株）製の商品名「ＫＯＢＲＡ－ＷＲ」で測定できる。

ポジティブＣ層等の配向層の厚みは、好ましくは１００ｎｍ～５μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ～３μｍ、さらに好ましくは１００ｎｍ～２μｍである。
ポジティブＣ層等の配向層、ポジティブＡ層及び基材等の各層の厚みは、例えば、光学積層体の断面像を、走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）等で観察し、２０箇所の平均値として算出できる。

＜ポジティブＡ層＞
ポジティブＡ層は、光学積層体の厚み方向において、ポジティブＣ層と接する位置に配置される。また、ポジティブＡ層は化合物ａを含む。

化合物ａは、ポジティブＣ層に含まれるその他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含む。化合物ａが含む原子Ｘとしては硫黄原子及び窒素原子が挙げられ、硫黄原子が好ましい。
ポジティブＡ層は液晶化合物から形成することが好ましい。液晶化合物は重合性液晶化合物であることが好ましい。すなわち、化合物ａは、液晶化合物であることが好ましく、重合性液晶化合物であることがより好ましい。また、化合物ａは、前記原子Ｘとしての硫黄原子又は窒素原子を含む重合性液晶化合物であることが好ましく、前記原子Ｘとしての硫黄原子を含む重合性液晶化合物であることがより好ましい。

ポジティブＡ層はホモジニアス配向を示す層である。ホモジニアス配向とは、液晶性材料が層面に対して平行に、かつ同一方位に配列している状態（光学的一軸性）をいう。ホモジニアス配向し得る液晶化合物は、液晶性ポリマーからなる材料であっても液晶性モノマーからなる材料であってもよい。
上述したように、ホメオトロピック配向したポジティブＣ層に対して、直線偏光性紫外線を照射すると、感光性基を有する液晶性ポリマーの感光性基の光反応が異方的に進行し、ポジティブＡ層の液晶化合物を配向させる液晶配向能が付与される。このため、ポジティブＣ層上に、ポジティブＡ層用塗布液を直接塗布、乾燥及び硬化しても、ホメオトロピック配向したポジティブＣ層上に、ホモジニアス配向してなるポジティブＡ層を得ることができる。

ポジティブＡ層は、Ｒｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）及びＲｅ（６５０）が、下記（ｉ）の関係を満たすことが好ましい。すなわち、ポジティブＡ層は逆分散性を有することが好ましい。ポジティブＡ層として、下記（ｉ）の関係を満たす逆分散性のものを用いることにより、ポジティブＡ層及びポジティブＣ層を含む光学積層体全体としても逆分散性を付与しやすくすることができ、５５０ｎｍから外れた波長域における視認性及び反射防止性等を良好にしやすくできる。
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０） （ｉ）

ポジティブＡ層のＲｅ（４５０）、Ｒｅ（５５０）及びＲｅ（６５０）は、特に限定されないが、ポジティブＡ層をλ／４位相差層とする場合には下記の範囲として、ポジティブＡ層をλ／２位相差層とする場合には下記の範囲とすることが好ましい。

《λ／４位相差層の場合》
Ｒｅ（４５０）は８２ｎｍ～１４３ｎｍであることが好ましく、９０ｎｍ～１３５ｎｍであることがより好ましい。Ｒｅ（５５０）は１００ｎｍ～１７５ｎｍであることが好ましく、１１０ｎｍ～１６５ｎｍであることがより好ましい。Ｒｅ（６５０）は１１９ｎｍ～２０６ｎｍであることが好ましく、１３０ｎｍ～１９５ｎｍであることがより好ましい。
また、ポジティブＡ層（λ／４位相差層）とポジティブＣ層の積層体は、Ｒｔｈ（５５０）が－４０ｎｍ～４０ｎｍであることが好ましく、－２５ｎｍ～２５ｎｍであることがより好ましい。

《λ／２位相差層の場合》
Ｒｅ（４５０）は１６５ｎｍ～２８６ｎｍであることが好ましく、１８０ｎｍ～２７０ｎｍであることがより好ましい。Ｒｅ（５５０）は２０１ｎｍ～３４９ｎｍであることが好ましく、２２０ｎｍ～２３０ｎｍであることがより好ましい。Ｒｅ（６５０）は２３７ｎｍ～４１２ｎｍであることが好ましく、２６０ｎｍ～３９０ｎｍであることがより好ましい。
また、ポジティブＡ層（λ／２位相差層）とポジティブＣ層の積層体は、Ｒｔｈ（５５０）が－５０ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましく、－３０ｎｍ～３０ｎｍであることがより好ましい。

ポジティブＡ層の厚みは、好ましくは１００ｎｍ～５μｍであり、より好ましくは５００ｎｍ～４μｍ、さらに好ましくは１．５μｍ～３．０μｍである。

逆分散性のポジティブＡ層は、逆分散性を示す液晶化合物から形成することができる。このような液晶化合物は、重合性を有するものが好ましい。
逆分散性を示す重合性液晶化合物としては、例えば、特開２０１９－７３７１２号公報の一般式（１）で表されるもの、国際公開番号ＷＯ２０１７／０４３４３８の一般式（ＩＩ）で表されるものが挙げられる。

逆分散性を示す重合性液晶化合物の具体例としては、下記化学式（４）～（２９）に示す化合物が挙げられる。下記化学式（４）～（２９）に示す化合物は、何れも分子中に硫黄原子及び窒素原子を含んでいる。
下記化学式（４）～（２９）に示す化合物は、ビフェニル基を中心として分子構造の左右がそれぞれ動きやすい構造を有しているため、配向膜の中に染み込みやすく、配向膜中の原子Ｘの平均検出量を上記範囲にしやすい点で好ましい。

ポジティブＡ層は、本発明の効果を阻害しない範囲で、光安定剤及び酸化防止剤等の添加剤を含有してもよい。

ポジティブＡ層は、例えば、ポジティブＡ層を構成する成分を溶剤に溶解又は希釈してなるポジティブＡ層用塗布液を調製し、当該塗布液をポジティブＣ層上に塗布、乾燥し、必要に応じて電離放射線を照射して硬化することにより形成することができる。

ポジティブＡ層用塗布液の溶剤は、例えば、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エーテル類（ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，３－ジオキソラン等）、脂肪族炭化水素類（ヘキサン等）、脂環式炭化水素類（シクロヘキサン等）、芳香族炭化水素類（トルエン、キシレン等）、ハロゲン化炭素類（ジクロロメタン、ジクロロエタン等）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、アルコール類（イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール等）、セロソルブ類（メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、グリコールエーテル類（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート等）、セロソルブアセテート類、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）等が例示でき、これらの混合物であってもよい。

上記溶剤の中でも、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、１，３－ジオキソラン、トルエンなどを含むことが好ましく、中でも、極性が高く配向層に浸透しやすいシクロヘキサノン及び１，３－ジオキソランを含むことがより好ましい。

ポジティブＡ層用塗布液中の溶剤の割合は、７０質量％～９５質量％であることが好ましく、７５質量％～９０質量％であることがより好ましい。

＜基材＞
光学積層体は、基材を有していてもよい。
基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。
プラスチックフィルムを構成するポリマーとしては、セルロースアシレート、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステル系ポリマー、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマー、ポリスチレンやアクリロニトリル・スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）等のスチレン系ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体の如きポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、ナイロンや芳香族ポリアミド等のアミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマー、ポリフェニレンスルフィド系ポリマー、塩化ビニリデン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、ビニルブチラール系ポリマー、アリレート系ポリマー、ポリオキシメチレン系ポリマー及びエポキシ系ポリマー等が挙げられる。

画像表示装置の薄型化を考慮すると、基材は、配向層及びポジティブＡ層を剥離可能なものが好ましい。剥離可能な基材を用いることにより、画像表示装置の他の部材に、配向層及びポジティブＡ層を転写することができる。
本発明の光学積層体は、配向層とポジティブＡ層との密着性が良好であるため、転写時に生じる応力で配向層とポジティブＡ層との界面が剥離することを抑制できるため、剥離可能な基材を適用しやすい点で好ましい。
剥離可能な基材は、例えば、上記プラスチックフィルムそのもの、又は、上記プラスチックフィルムの表面を汎用の離型剤等で離型処理したものが挙げられる。

基材の厚みは、通常２５μｍ～１５０μｍ程度であり、好ましくは３０μｍ～１２５μｍ、より好ましくは４０μｍ～１００μｍである。

＜その他の層＞
光学積層体は、本発明の効果を阻害しない範囲で、その他の層を有していてもよい。その他の層としては、ガスバリア層、接着剤層、位相差層等が挙げられる。

＜光学積層体の物性＞
本発明の光学積層体は、光学積層体の波長４５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（４５０）、光学積層体の波長５５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（５５０）、光学積層体の波長６５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（６５０）と定義した際に、下記式（Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０） （Ａ）

式（Ａ）を満たすことにより、光学積層体全体として逆波長分散特性を示すことになり、５５０ｎｍから外れた波長域における視認性及び反射防止性等を良好にしやすくできる。

光学積層体は、ＪＩＳ Ｋ７１３６：２０００のヘイズが１．０％以下であることが好ましく、０．９％以下であることがより好ましく、０．８％以下であることがさらに好ましい。
また、光学積層体は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１：１９９７の全光線透過率が８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。

光学積層体の総厚みは特に限定されないが、取り扱い性及び機械的強度を良好にする観点から、１５μｍ～３００μｍであることが好ましく、２０μｍ～２００μｍであることがより好ましく、２５μｍ～１００μｍであることがさらに好ましい。

＜大きさ、形状等＞
光学積層体は枚葉状であってもよいしロール状であってもよい。
また、枚葉の大きさは特に限定されないが、一般的には、大きさは対角で２インチから５００インチ程度である。ロール状の幅及び長さは特に限定されないが、一般的には、幅は５００ｍｍから３０００ｍｍ、長さは５００ｍから５０００ｍ程度である。
また、枚葉の形状も特に限定されず、例えば、多角形（三角形、四角形、五角形等）や円形であってもよいし、ランダムな不定形であってもよい。

[偏光板]
本発明の偏光板は、偏光子と、前記偏光子の一方の側に配置されてなる透明保護板Ａと、前記偏光子の他方の側に配置されてなる透明保護板Ｂとを有する偏光板であって、前記透明保護板Ａ及び前記透明保護板Ｂの何れか一方が、上述した本発明の光学積層体であるものである。

図２は、本発明の偏光板の実施の形態を示す断面図である。
図２の偏光板２００は、偏光子５０と、前記偏光子の一方の側に配置されてなる透明保護板Ａ（６１）と、前記偏光子の他方の側に配置されてなる透明保護板Ｂ（６２）とを有している。また、図２の透明保護板Ａ（６１）は、光学積層体１００である。

＜偏光子＞
偏光子としては、例えば、ヨウ素等により染色し、延伸したポリビニルアルコールフィルム、ポリビニルホルマールフィルム、ポリビニルアセタールフィルム、エチレン－酢酸ビニル共重合体系ケン化フィルム等のシート型偏光子、平行に並べられた多数の金属ワイヤからなるワイヤーグリッド型偏光子、リオトロピック液晶や二色性ゲスト－ホスト材料を塗布した塗布型偏光子、多層薄膜型偏光子等が挙げられる。なお、これらの偏光子は、透過しない偏光成分を反射する機能を備えた反射型偏光子であってもよい。

＜透明保護板＞
偏光子の一方の側には透明保護板Ａ、他方の側には透明保護板Ｂが配置される。透明保護板Ａ及び透明保護板Ｂの一方は、上述した本発明の光学積層体である。

光学積層体以外の透明保護板Ａ及び透明保護板Ｂとしては、プラスチックフィルム及びガラス等が挙げられる。プラスチックフィルムとしては、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム及びアクリルフィルムが挙げられ、機械的強度の観点から、これらの延伸フィルムが好ましい。ガラスは、アルカリガラス、窒化ガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウ珪酸塩ガラス及び鉛ガラス等が挙げられる。また、偏光子を保護する透明保護板としてのガラスは、画像表示装置の他の部材（例えば、液晶表示素子のガラス基板、画像表示装置の表面板）と兼用することが好ましい。
なお、偏光子と透明保護板とは、接着剤を介して貼り合わせることが好ましい。接着剤は汎用の接着剤を用いることができ、ＰＶＡ系接着剤が好ましい。

本発明の偏光板は、表示素子の光出射面側に配置する偏光板として用いることが好ましい。また、前記のように用いる際に、偏光子を基準として光入射面側の透明保護板を上述した本発明の光学積層体とすることが好ましい。なお、偏光板を円偏光板として機能させる観点から、偏光子の吸収軸に対する、ポジティブＡ層の遅相軸の向きは３０°～６０°の範囲とすることが好ましく、４０°～５０°の範囲とすることがより好ましい。

［表示パネル］
本発明の表示パネルは、表示素子の光出射面側の面上に、上述した本発明の光学積層体が配置されてなるものである。

図３は、本発明の表示パネル５００の実施の形態を示す断面図である。図３の表示パネル５００は、表示素子３００の光出射面側の面上に、光学積層体１００が積層されている。

表示パネルの表示素子が液晶表示素子である場合、液晶表示素子の背面には図示しないバックライトが必要である。バックライトとしては、エッジライト型バックライト、直下型バックライトの何れも用いることができる。また、バックライトの光源としては、ＬＥＤ、ＣＣＦＬ等が挙げられるが、光源として量子ドットを用いたバックライトは色再現性を高めやすい点で好ましい。

表示パネルは、光学積層体の表示素子とは反対側の面に偏光子を有することが好ましい。かかる構成を採用することで、画像表示装置に外光反射防止機能を付与するとともに、斜めから視認した際に色味が損なわれることを抑制できる。

＜表示素子＞
表示素子としては、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子、無機ＥＬ表示素子、プラズマ表示素子、電子ペーパー表示素子、ＬＥＤ表示素子（マイクロＬＥＤなど）、量子ドットを用いた表示素子等が挙げられる。これら表示素子は、表示素子の内部にタッチパネル機能を有していてもよい。

［画像表示装置］
本発明の画像表示装置は、本発明の表示パネルを備えるものであれば特に限定されないが、本発明の表示パネルと、該表示パネルに電気的に接続された駆動制御部と、これらを収容する筐体とを備えることが好ましい。

画像表示装置は、フォルダブル型の画像表示装置、ローラブル型の画像表示装置であってもよい。また、画像表示装置は、タッチパネル付きの画像表示装置であってもよい。

次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、「部」及び「％」は特に断りのない限り質量基準とする。

１．測定、評価
実施例及び比較例で得られた光学積層体について、下記の測定、評価を行った。結果を表１に示す。

１－１．硫黄原子の測定
実施例及び比較例の光学積層体を所定の大きさに切断したカットサンプルを作製し、当該カットサンプルをエポキシ樹脂で包埋してなる包埋サンプルを作製した。次いで、当該包埋サンプルをダイヤモンドナイフで垂直に切断してなる、薄片の測定用サンプル（厚み０．０８μｍ）を２０個ずつ作製した。
次いで、走査型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により、測定用サンプルのポジティブＡ層内及び配向層内の硫黄原子の質量基準の検出量を測定した。測定結果を元に、ポジティブＡ層内の硫黄原子の平均検出量を質量基準で１００と規格化したときの、配向層（ポジティブＣ層）内の原子Ｘの平均検出量を算出し、２０個のサンプルの平均値を算出した。結果を表１に示す。
さらに、上記測定結果を元に、明細書本文の「条件１の変動係数」及び「条件２の比」を算出した。結果を表１に示す。
ＳＥＭ－ＥＤＸの測定装置は、日立ハイテクノロジーズ社製のＳＥＭ“ＳＵ８０００”、オックスフォード・インストゥルメンツ製のＥＤＸ“ＸＭＡＸ８０”を用いた。また、同装置の測定条件は下記のように設定した。
＜測定条件＞
加速電圧３０ｋＶ、焦点距離１５ｍｍ、（試料傾斜０度）に合わせ、照射電流や測定時間を目的元素が十分検出できるように適時調整して特性Ｘ線スペクトルを取得した。各元素の濃度は、ＺＡＦ補正法（各元素の相対強度に原子番号補正Ｚ、吸収補正Ａ、蛍光補正Ｆを施して各元素の含有量を求める方法）によって算出した。

１－２．密着性
実施例及び比較例の光学積層体の中間体を、２３℃、相対湿度５０％の環境下で２４時間保管した後に、実施例及び比較例の光学積層体の中間体の配向層（ポジティブＣ層）及びポジティブＡ層を粘着層付ガラスに転写してガラス積層体とし、そのガラス積層体の配向層（ポジティブＣ層）側から刃を入れ、１００マスの碁盤目状（縦１０マス×横１０マス）に、刃先が粘着層まで到達するようにクロスカットした。碁盤目のカット間隔は、１ｍｍのものと、２ｍｍのものとの２種類を準備した。
上記クロスカットを施したサンプルの、クロスカットを施した表面に、粘着テープ（ニチバン株式会社製、製品名「3M社製、Scotch はってはがせるテープ、CAT.NO.811-3-18）を貼り付けし、ＪＩＳ Ｋ５６００－５－６：１９９９に規定されるクロスカット法に準拠し剥離試験を行った。カット間隔１ｍｍ及び２ｍｍのそれぞれについて、剥がれた目の数をマイクロスコープ（キーエンス社製のデジタルマイクロスコープＶＨ５５００、設定倍率１００倍）で評価した。結果を表１に示す。なお、「０／１００」は剥がれた目の数が０であり、配向層（ポジティブＣ層）とポジティブＡ層との密着性が最良であることを示し、「１００／１００」は全ての目が剥がれ、配向層（ポジティブＣ層）とポジティブＡ層との密着性が乏しいことを示している。

１－３．転写作業性
実施例及び比較例の光学積層体（実施例及び比較例の光学積層体の中間体の配向層（ポジティブＣ層）及びポジティブＡ層をガラスに転写した積層体）に関して、ポジティブＡ層とポジティブＣ層との界面で剥離が生じているか否かをマイクロスコープ（キーエンス社製デジタルマイクロスコープＶＨ５５００、設定倍率１００倍）で評価した。剥離が確認できないものを「Ａ」、剥離が確認できたものを「Ｃ」とした。結果を表１に示す。

２．配向層の化合物の合成
２－１．実施例で用いる化合物の合成
（単量体１）
４，４’－ビフェニルジオールと２－クロロエタノールを、アルカリ条件下で加熱することにより、４－ヒドロキシ－４’－ヒドロキシエトキシビフェニルを合成した。この生成物に、アルカリ条件下で１，６－ジブロモヘキサンを反応させ、４－（６－ブロモヘキシルオキシ）－４’－ヒドロキシエトキシビフェニルを合成した。次いで、リチウムメタクリレートを反応させ、下記の化学式（３０）で示される単量体１を合成した。

（単量体２）
単量体１に、塩基性の条件下において、塩化シンナモイルを加え、下記の化学式（３１）で示される単量体２を合成した。

（重合体１）
単量体１と単量体２をモル比３：７でテトラヒドロフラン中に溶解し、反応開始剤としてＡＩＢＮ（アゾビスイソブチロニトリル）を添加して、７０℃で２４時間重合することにより感光性の重合体１を得た。この重合体１は液晶性を呈した。

２－２．比較例で用いる化合物の準備
比較例の配向膜にはポリシンナメート系化合物を含有する配向膜形成組成物を使用した。

３．ポジティブＡ層の化合物の合成
特開２０１９－７３７１２号公報の実施例の製造例１０の記載に準じて、下記の硫黄原子を含む化合物ａ（化学式（５）の化合物）を合成した。

４．光学積層体の作製
［実施例１］
上記２－１で得た重合体１をシクロヘキサノンに溶解し、光重合開始剤（東京化成社の４、４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン）を添加し、ポジティブＣ層用塗布液１を調製した。ポジティブＣ層用塗布液１中の光重合開始剤の含有量は、１００質量部の重合体１に対して２重量部とした。
基材（厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、製品名「Ａ４１００」、東洋紡社）上に、ポジティブＣ層用塗布液１をミヤバーを用いて０．６μｍの厚みとなるよう塗布し、室温（約２５℃）で乾燥した。次いで、１３０℃まで加熱した後冷却し、ホメオトロピック配向層であるポジティブＣ層を形成した。ポジティブＣ層のＲｅ（５５０）は３．２ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）は－７３ｎｍであった。
次いで、ポジティブＣ層に直線偏光性紫外線（高圧水銀灯の光を、グランテラープリズムを介して直線偏光性を付与してなる紫外線）を１５秒間照射し、重合体１の感光性基の光反応を異方的に進行させた。
次いで、ポジティブＣ層上に、下記のポジティブＡ層用塗布液１を硬化後の厚みが２μｍになるように塗布し、成膜した。その後、１２０℃で６０秒間乾燥させた後に、Ｆｕｓｉｏｎ社製のＨバルブを用いて、紫外線（非偏光の紫外線）を照射量４００ｍＪ／ｃｍ^２で照射し、ポジティブＡ層を形成し、実施例１の光学積層体の中間体を得た。ポジティブＡ層のＲｅ（５５０）は１６１ｎｍ、積層体のＲｔｈ（５５０）は－５ｎｍであった。
次いで、ガラス基材上に透明粘着剤層（パナック社製、商品名：パナクリーンPD-S1、厚み２５μｍ）を形成し、実施例及び比較例の光学積層体のポジティブＡ層側の面を当該透明粘着剤層に貼り合わせた。次いで、剥離可能な基材（ＰＥＴフィルム）を剥離し、ガラス基材、透明粘着剤層、ポジティブＡ層、ポジティブＣ層をこの順に有する、実施例１の光学積層体を得た。光学積層体は、Ｒｅ（４５０）が１３６ｎｍ、Ｒｅ（５５０）が１６１ｎｍ、Ｒｅ（６５０）が１６４ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が－５ｎｍであった。

＜ポジティブＡ層用塗布液１＞
・上記３で得た硫黄原子を含む化合物ａ １００質量部
・光重合開始剤 ４質量部
（２－メチル－１－（４－メチルチオフェニル）－２－モルフォリノプロパン－１－オン、IGM Resins B.V.社、商品名「Omnirad 907」）
・トルエン ７０質量部
・シクロヘキサノン ３０質量部

［比較例１］
ポジティブＣ層用塗布液１を、下記のポジティブＣ層用塗布液２に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の光学積層体を得た。比較例１のポジティブＣ層は、Ｒｅ（５５０）が０．５ｎｍ、Ｒｔｈ（５５０）が－０．２ｎｍであった。

＜ポジティブＣ層用塗布液２＞
・重合性液晶化合物 ４質量部
（ポリシンナメート系化合物）
・プロピレングリコールモノメチルエーテル ９６質量部

実施例の結果から、実施例の光学積層体は、配向層とポジティブＡ層とが直接積層されてなるため、薄型化に寄与し得るものであり、かつ、配向層とポジティブＡ層との密着性に優れたものであることが確認できる。

１０：基材
２０：配向層
３０：ポジティブＡ層
５０：偏光子
６１：透明保護板Ａ
６２：保護保護板Ｂ
１００：光学積層体
２００：偏光板
３００：表示素子
５００：表示パネル

Claims (11)

1. 配向層及びポジティブＡ層を有する光学積層体であって、
   前記配向層と前記ポジティブＡ層とが接してなり、
   前記ポジティブＡ層は化合物ａを含み、
   前記配向層は、前記ポジティブＡ層から移行してなる前記化合物ａと、その他の化合物とを含み、
   前記化合物ａは、前記その他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含み、
   前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの平均検出量を質量基準で１００と規格化したときに、前記配向層内の前記原子Ｘの平均検出量が２３以上５０以下であり、
   前記配向層内の前記原子Ｘの検出量が下記の条件１を満たす、光学積層体。
   （条件１）
   前記配向層内の前記原子Ｘの量を、前記配向層と前記ポジティブＡ層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。前記１００箇所の前記原子Ｘの検出量の質量基準の変動係数が０．１６以上である。
2. 配向層及びポジティブＡ層を有する光学積層体であって、
   前記配向層と前記ポジティブＡ層とが接してなり、
   前記ポジティブＡ層は化合物ａを含み、
   前記配向層は、前記ポジティブＡ層から移行してなる前記化合物ａと、その他の化合物とを含み、
   前記化合物ａは、前記その他の化合物が実質的に含有しない原子Ｘを含み、
   前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの平均検出量を質量基準で１００と規格化したときに、前記配向層内の前記原子Ｘの平均検出量が２３以上５０以下であり、
   前記ポジティブＡ層内及び前記配向層内の前記原子Ｘの検出量が下記の条件２を満たす、光学積層体。
   （条件２）
   前記ポジティブＡ層内の前記原子Ｘの量を、前記ポジティブＡ層と前記配向層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。検出した前記原子Ｘの質量基準の変動係数をＣＶ１と定義する。
   前記配向層内の前記原子Ｘの量を、前記配向層と前記ポジティブＡ層との界面から厚み方向に２００ｎｍの位置において、前記界面と平行な方向に２６ｎｍごとに１００箇所で検出する。検出した前記原子Ｘの質量基準の変動係数をＣＶ２と定義する。
   前記ＣＶ１と前記ＣＶ２との比（ＣＶ２／ＣＶ１）が２．００以上を示す。
3. 前記原子Ｘが硫黄原子である、請求項１又は２に記載の光学積層体。
4. 前記化合物ａが、前記原子Ｘとしての硫黄原子を含む重合性液晶化合物である、請求項１～３の何れかに記載の光学積層体。
5. 前記配向層がポジティブＣ層である、請求項１～４の何れかに記載の光学積層体。
6. 前記その他の化合物が、感光性基を有する液晶化合物を含む、請求項１～５の何れかに記載の光学積層体。
7. 前記配向層の波長５５０ｎｍにおける厚み方向の位相差をＲｔｈ（５５０）と定義した際に、Ｒｔｈ（５５０）が－１００ｎｍ～－５０ｎｍである、請求項１～６に記載の光学積層体。
8. 前記光学積層体の波長４５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（４５０）、前記光学積層体の波長５５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（５５０）、前記光学積層体の波長６５０ｎｍにおける面内位相差をＲｅ（６５０）と定義した際に、下記式（Ａ）の関係を満たす、請求項１～７の何れかに記載の光学積層体。
   Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０） （Ａ）
9. 偏光子と、前記偏光子の一方の側に配置されてなる透明保護板Ａと、前記偏光子の他方の側に配置されてなる透明保護板Ｂとを有する偏光板であって、前記透明保護板Ａ及び前記透明保護板Ｂの何れか一方が、請求項１～８のいずれかに記載の光学積層体である、偏光板。
10. 表示素子の光出射面上に、請求項１～８のいずれかに記載の光学積層体を配置してなる、表示パネル。
11. 請求項１０に記載の表示パネルを備えてなる、画像表示装置。