JP7462763B2 - 共有供給及び排気システムを備えたマルチ熱cvdチャンバ - Google Patents
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Description
Claims (19)
- 基板処理のための装置であって、
デュアルチャンバ本体であって、
中央平面の第1の側にある第1の処理容積部、
前記中央平面の第2の側にある第2の処理容積部、
前記第1の処理容積部と前記第2の処理容積部とを接続する等化ポート、
前記第1の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第1の複数のガス注入通路、
前記第2の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の複数のガス注入通路、
前記第1の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第1の排気口であって、前記第1の処理容積部と流体連結している前記第1の排気口、及び
前記第2の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の排気口であって、前記第2の処理容積部と流体連結している前記第2の排気口
を含む前記デュアルチャンバ本体と、
前記デュアルチャンバ本体の上に配置された1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリと、
前記第1の処理容積部に隣接して位置決めされた第1の下側ウインドウと、
前記第2の処理容積部に隣接して位置決めされた第2の下側ウインドウと、
前記第1の処理容積部に位置決めされた第1の基板支持体と、
前記第2の処理容積部に位置決めされた第2の基板支持体と、
前記第1の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第1の下部ランプアセンブリと、
前記第2の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第2の下部ランプアセンブリと
を含み、
前記1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリが、単一の上側ウインドウを含む、装置。 - 前記第1の複数のガス注入通路及び前記第1の排気口が、第1の流路面に沿って中心に位置しており、前記第2の複数のガス注入通路及び前記第2の排気口が、第2の流路面に沿って中心に位置している、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の流路面及び前記第2の流路面の両方が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約80度から約100度の角度をなしている、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の流路面及び前記第2の流路面が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約-10度から約10度の角度をなしている、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の流路面及び前記第2の流路面が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約25度から約65度の角度をなしている、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の流路面及び前記第2の流路面が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約115度から約165度の角度をなしている、請求項2に記載の装置。
- 前記第1の処理容積部及び前記第2の処理容積部の両方に流体的に結合された共有ガスパネルをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の処理容積部及び前記第2の処理容積部の両方に流体的に結合された共有排気部をさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の複数のガス注入通路が、互いに平行な5つ以上のガス注入通路を含み、前記第2の複数のガス注入通路が、互いに平行な5つ以上のガス注入通路を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記第1の複数のガス注入通路及び前記第2の複数のガス注入通路が、それぞれ第1の処理チャンバ及び第2の処理チャンバの内壁に沿って間隔を置いて配置されている、請求項1に記載の装置。
- 基板処理のための装置であって、
デュアルチャンバ本体であって、
基準面の第1の側にある第1のキャビティによって形成されている第1の処理容積部、
前記基準面の第2の側にある第2のキャビティによって形成されている第2の処理容積部、
前記第1の処理容積部と前記第2の処理容積部とを接続する等化ポート、
前記第1の処理容積部と流体連結している第1の複数のガス注入通路、
前記第2の処理容積部と流体連結している第2の複数のガス注入通路、
前記第1の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第1の排気口であって、前記第1の処理容積部と流体連結している前記第1の排気口、
前記第2の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第2の排気口であって、前記第2の処理容積部と流体連結している前記第2の排気口
を含む前記デュアルチャンバ本体と、
前記デュアルチャンバ本体の上に配置された1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリと、
前記第1の処理容積部に隣接して位置決めされた第1の下側ウインドウと、
前記第2の処理容積部に隣接して位置決めされた第2の下側ウインドウと、
前記第1の処理容積部に位置決めされた第1の基板支持体と、
前記第2の処理容積部に位置決めされた第2の基板支持体と、
前記第1の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第1の下部ランプアセンブリと、
前記第2の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第2の下部ランプアセンブリと
を含み、
前記1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリが、単一の上側ウインドウを含む、装置。 - 共有ガスパネルをさらに含む、請求項11に記載の装置。
- 共有排気部をさらに含む、請求項11に記載の装置。
- 前記デュアルチャンバ本体が、前記第1の処理容積部及び前記第2の処理容積部の各々の外径の周りに形成された上溝をさらに含む、請求項11に記載の装置。
- 前記1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリが、前記デュアルチャンバ本体とリッドアセンブリとの間に配置されている、請求項11に記載の装置。
- 前記第1の処理容積部及び前記第2の処理容積部の各々が、内部に形成された内側ライナを有する、請求項11に記載の装置。
- 基板処理のための装置であって、
デュアルチャンバ本体であって、
中央平面の第1の側にある第1の処理容積部、
前記中央平面の第2の側にある第2の処理容積部、
前記第1の処理容積部と前記第2の処理容積部とを接続する等化ポート、
前記第1の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第1の複数のガス注入通路、
前記第2の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の複数のガス注入通路、
前記第1の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第1の排気口であって、前記第1の処理容積部と流体連結している前記第1の排気口、及び
前記第2の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の排気口であって、前記第2の処理容積部と流体連結している前記第2の排気口
を含む前記デュアルチャンバ本体と、
前記デュアルチャンバ本体の上に配置された1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリと、
前記第1の処理容積部に隣接して位置決めされた第1の下側ウインドウと、
前記第2の処理容積部に隣接して位置決めされた第2の下側ウインドウと、
前記第1の処理容積部に位置決めされた第1の基板支持体と、
前記第2の処理容積部に位置決めされた第2の基板支持体と、
前記第1の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第1の下部ランプアセンブリと、
前記第2の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第2の下部ランプアセンブリと
を含み、
前記第1の複数のガス注入通路及び前記第1の排気口が、第1の流路面に沿って中心に位置しており、前記第2の複数のガス注入通路及び前記第2の排気口が、第2の流路面に沿って中心に位置しており、
前記第1の流路面及び前記第2の流路面の両方が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約80度から約100度の角度をなしている、装置。 - 基板処理のための装置であって、
デュアルチャンバ本体であって、
中央平面の第1の側にある第1の処理容積部、
前記中央平面の第2の側にある第2の処理容積部、
前記第1の処理容積部と前記第2の処理容積部とを接続する等化ポート、
前記第1の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第1の複数のガス注入通路、
前記第2の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の複数のガス注入通路、
前記第1の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第1の排気口であって、前記第1の処理容積部と流体連結している前記第1の排気口、及び
前記第2の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の排気口であって、前記第2の処理容積部と流体連結している前記第2の排気口
を含む前記デュアルチャンバ本体と、
前記デュアルチャンバ本体の上に配置された1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリと、
前記第1の処理容積部に隣接して位置決めされた第1の下側ウインドウと、
前記第2の処理容積部に隣接して位置決めされた第2の下側ウインドウと、
前記第1の処理容積部に位置決めされた第1の基板支持体と、
前記第2の処理容積部に位置決めされた第2の基板支持体と、
前記第1の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第1の下部ランプアセンブリと、
前記第2の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第2の下部ランプアセンブリと
を含み、
前記第1の複数のガス注入通路及び前記第1の排気口が、第1の流路面に沿って中心に位置しており、前記第2の複数のガス注入通路及び前記第2の排気口が、第2の流路面に沿って中心に位置しており、
前記第1の流路面及び前記第2の流路面が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約25度から約65度の角度をなしている、装置。 - 基板処理のための装置であって、
デュアルチャンバ本体であって、
中央平面の第1の側にある第1の処理容積部、
前記中央平面の第2の側にある第2の処理容積部、
前記第1の処理容積部と前記第2の処理容積部とを接続する等化ポート、
前記第1の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第1の複数のガス注入通路、
前記第2の処理容積部と流体連結している前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の複数のガス注入通路、
前記第1の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体に形成された第1の排気口であって、前記第1の処理容積部と流体連結している前記第1の排気口、及び
前記第2の複数のガス注入通路の反対側で前記デュアルチャンバ本体を通して形成された第2の排気口であって、前記第2の処理容積部と流体連結している前記第2の排気口
を含む前記デュアルチャンバ本体と、
前記デュアルチャンバ本体の上に配置された1つ又は複数の上側ウインドウアセンブリと、
前記第1の処理容積部に隣接して位置決めされた第1の下側ウインドウと、
前記第2の処理容積部に隣接して位置決めされた第2の下側ウインドウと、
前記第1の処理容積部に位置決めされた第1の基板支持体と、
前記第2の処理容積部に位置決めされた第2の基板支持体と、
前記第1の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第1の下部ランプアセンブリと、
前記第2の下側ウインドウに隣接して位置決めされた第2の下部ランプアセンブリと
を含み、
前記第1の複数のガス注入通路及び前記第1の排気口が、第1の流路面に沿って中心に位置しており、前記第2の複数のガス注入通路及び前記第2の排気口が、第2の流路面に沿って中心に位置しており、
前記第1の流路面及び前記第2の流路面が、前記デュアルチャンバ本体の長手軸に対して約115度から約165度の角度をなしている、装置。
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