JP7460272B2 - Processing Equipment - Google Patents

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Description

本発明は、複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハを加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing device that processes a wafer on which devices are formed in each area defined by a plurality of planned division lines.

携帯電話、パソコン等の電気機器には、デバイスチップが搭載されている。デバイスチップは、複数の分割予定ラインによって区画された領域の各々にIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成されているウェーハを、各分割予定ラインに沿って切削して複数のデバイスチップに分割することで製造される。 Electrical devices such as mobile phones and personal computers are equipped with device chips. Device chips are produced by cutting a wafer, in which devices such as ICs (Integrated Circuits) and LSIs (Large Scale Integration) are formed in each of the areas divided by multiple planned dividing lines, along each scheduled dividing line. Manufactured by dividing into multiple device chips.

ウェーハの分割には、切削ブレードを有する切削ユニット(例えば、特許文献1参照)、ウェーハに吸収される波長を有するレーザービームを照射するレーザー照射ユニット(例えば、特許文献2参照)等の加工ユニットを備える加工装置が用いられる。 To divide the wafer, a processing unit such as a cutting unit having a cutting blade (see, for example, Patent Document 1), a laser irradiation unit that irradiates a laser beam having a wavelength that is absorbed by the wafer (see, for example, Patent Document 2), etc. is used. The processing equipment provided is used.

加工装置は、加工ユニットの下方に設けられたチャックテーブルを備える。チャックテーブルの下方には、チャックテーブルを加工送り方向(X軸方向)に沿って移動させる加工送りユニットが設けられている。また、チャックテーブルの上方には、チャックテーブルで保持されたウェーハを撮像するための撮像ユニットが設けられている。 The processing device includes a chuck table provided below the processing unit. A processing feed unit that moves the chuck table along the processing feed direction (X-axis direction) is provided below the chuck table. Furthermore, an imaging unit is provided above the chuck table to take an image of the wafer held by the chuck table.

加えて、加工装置には、加工ユニット、チャックテーブル、加工送りユニット、撮像ユニット等の各構成要素の動作を制御する制御ユニットが設けられている。オペレーターが、予め定められた加工条件を制御ユニットに入力した後、各ウェーハは加工ユニットにより分割予定ラインに沿って加工される。 In addition, the processing device is provided with a control unit that controls the operation of each component, such as the processing unit, chuck table, processing feed unit, and imaging unit. After an operator inputs predetermined processing conditions into the control unit, each wafer is processed by the processing unit along the planned division line.

オペレーターは、加工条件が適切であるかを確認するために、数本の分割予定ラインが実際に加工されたウェーハを加工装置から取り出して、加工装置の外部に設けられた顕微鏡で分割予定ラインの複数箇所を観察する(即ち、カーフチェックを行う)ことがある。 In order to confirm that the processing conditions are appropriate, the operator takes out a wafer that has actually been processed on several lines to be split from the processing equipment, and examines the lines to be split using a microscope installed outside the processing equipment. Multiple locations may be observed (ie, a kerf check).

当該観察により、オペレーターは、例えば、切削溝の幅、欠け(チッピング)の大きさ及び数、切削溝の中央線と分割予定ラインの中央線とのずれ等が許容範囲内であるか否かを確認する。仮に、ずれ等が許容範囲を超えている場合、オペレーターは、加工条件を適宜修正する。そして、加工装置に戻されたウェーハは、修正後の加工条件で加工される。 Through this observation, the operator can determine whether, for example, the width of the cutting groove, the size and number of chips, the deviation between the center line of the cutting groove and the center line of the planned dividing line, etc. are within the allowable range. confirm. If the deviation exceeds the allowable range, the operator corrects the machining conditions as appropriate. Then, the wafer returned to the processing device is processed under the corrected processing conditions.

特開2000-108119号公報JP 2000-108119 A 特開2005-150523号公報JP 2005-150523 A

しかし、加工条件を顕微鏡で確認する度にウェーハを加工装置から取り出すと、搬送中にウェーハを破損するリスクや、異物等がウェーハに付着してウェーハが汚染されるリスクがある。 However, removing the wafer from the processing equipment every time the processing conditions are checked under a microscope carries the risk of damaging the wafer during transport or contaminating it with foreign matter.

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、ウェーハを加工装置から取り出すこと無く、加工条件が適切か否かをオペレーターが判断可能な加工装置を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of these problems, and aims to provide a processing device that allows an operator to determine whether the processing conditions are appropriate without removing the wafer from the processing device.

本発明の一態様によれば、表面側に設定された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の各々にデバイスが形成されたウェーハを加工する加工装置であって、複数のウェーハを収容したカセットが載置されるカセットテーブルと、該カセットテーブルに載置された該カセットから搬出されたウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハの分割予定ラインに対応する領域に加工を施す加工ユニットと、該チャックテーブルと該加工ユニットとを相対的に加工送りする加工送りユニットと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像する撮像ユニットと、該加工ユニット、該加工送りユニット及び該撮像ユニットを制御する制御ユニットとを備え、該制御ユニットは、該チャックテーブルで保持されたウェーハの全ての分割予定ラインに対応する領域を該加工ユニットが加工した後、該加工送りユニットを作動させて該チャックテーブルを相対的に移動させることにより該撮像ユニットの直下に該チャックテーブルを位置付けて該撮像ユニットにウェーハを撮像させる制御部と、該撮像ユニットで撮像される該2以上の異なるエリアの数が指定された場合に、該2以上の異なるエリアの配置を決定する配置決定部と、加工が施された該全ての分割予定ラインに対応する領域のうち2以上の異なるエリアが個別に撮像された画像に基づいて各エリアでの加工状態に関する情報を導き出し、該情報及び該画像が記録されたレポートを作成するレポート作成部とを含み、該配置決定部は、指定された該エリアの数に応じて、該表面において互いに直交する第1方向及び第2方向のそれぞれに該エリアを配置する際に、該第2方向における該エリアの間隔を等間隔とし、該第2方向の所定位置を通る該第1方向での該表面の幅内に複数の該エリアが等間隔で配置される様に該第1方向における該エリアの間隔を調整する加工装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a processing apparatus for processing a wafer having devices formed in each of a plurality of areas partitioned by a plurality of planned dividing lines set on a front surface side thereof includes a cassette table on which a cassette containing a plurality of wafers is placed, a chuck table for holding a wafer carried out from the cassette placed on the cassette table, a processing unit for processing an area corresponding to the planned dividing lines of the wafer held on the chuck table, a processing feed unit for processing and feeding the chuck table and the processing unit relatively, an imaging unit for imaging the wafer held on the chuck table, and a control unit for controlling the processing unit, the processing feed unit and the imaging unit, and the control unit operates the processing feed unit to move the chuck table after the processing unit has processed all of the areas corresponding to the planned dividing lines of the wafer held on the chuck table. a control unit which positions the chuck table directly below the imaging unit by moving it relatively to cause the imaging unit to image the wafer ; an arrangement determination unit which determines an arrangement of the two or more different areas when the number of the two or more different areas to be imaged by the imaging unit is specified; and a report creation unit which derives information on the processing state in each area based on images of two or more different areas individually captured among all of the regions corresponding to the planned division lines that have been processed, and creates a report in which the information and the images are recorded, wherein the arrangement determination unit, when arranging the areas in each of a first direction and a second direction perpendicular to each other on the surface, adjusts the spacing of the areas in the first direction so that the areas are equally spaced in the second direction and that the areas are equally spaced within the width of the surface in the first direction that passes through a predetermined position in the second direction, in accordance with the specified number of areas .

好ましくは、該レポート作成部は、該カセットに収容された該複数のウェーハのうち最初に加工が施されたウェーハに対して該レポートを作成する。 Preferably, the report creation section creates the report for the first wafer processed among the plurality of wafers housed in the cassette.

また、好ましくは、該加工状態に関する該情報は、分割予定ラインに対応する領域に形成された溝の幅、該溝に形成された欠けの状態、及び、分割予定ラインの中央線からの該溝のずれ量を含む。 In addition, preferably, the information on the machining state includes the width of the groove formed in the area corresponding to the planned division line, the state of the chipping formed in the groove, and the amount of deviation of the groove from the center line of the planned division line.

また、好ましくは、該加工装置は、該レポートの内容を表示する表示ユニットを更に備える。 Moreover, preferably, the processing device further includes a display unit for displaying the contents of the report.

また、好ましくは、該加工ユニットは、切削ブレードを回転可能に備えた切削ユニット、及び、レーザービームを集光する集光器を備えたレーザービーム照射ユニットのいずれかである。 Preferably, the processing unit is either a cutting unit rotatably equipped with a cutting blade or a laser beam irradiation unit equipped with a condenser that focuses a laser beam.

本発明の一態様に係る加工装置の制御ユニットは、制御部及びレポート作成部を有する。チャックテーブルに保持されたウェーハの全ての分割予定ラインに対応する領域を加工ユニットが加工した後、制御部は、加工送りユニットを作動させてチャックテーブルを相対的に移動させることにより撮像ユニットの直下に該チャックテーブルを位置づけて撮像ユニットにウェーハを撮像させる。 A control unit of a processing device according to one aspect of the present invention includes a control section and a report creation section. After the processing unit processes the area corresponding to all the scheduled dividing lines of the wafer held on the chuck table, the control section operates the processing feed unit to relatively move the chuck table so that the wafer is directly below the imaging unit. The chuck table is positioned to allow the imaging unit to image the wafer.

また、レポート作成部は、加工が施された全ての分割予定ラインに対応する領域のうち2以上の異なるエリアが個別に撮像された画像に基づいて各エリアでの加工状態に関する情報を導き出し、該情報及び該画像が記録されたレポートを作成する。オペレーターは、このレポートを参照することにより、ウェーハを加工装置から取り出すことなく、加工条件が適切であったか否かを確認できる。それゆえ、ウェーハを加工装置から取り出すことによるウェーハの破損、汚染等のリスクを無くすことができる。 In addition, the report creation unit derives information regarding the processing status of each area based on images in which two or more different areas are individually captured among the areas corresponding to all planned division lines that have been processed, and A report is created in which the information and the image are recorded. By referring to this report, the operator can check whether the processing conditions were appropriate without taking out the wafer from the processing equipment. Therefore, it is possible to eliminate the risk of damage to the wafer, contamination, etc. due to taking the wafer out of the processing equipment.

切削装置の斜視図である。FIG. フレームユニットの斜視図である。FIG. ウェーハの表面側を撮像する様子を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing how the front surface side of a wafer is imaged; 各検査領域を示す図である。FIG. レポートの一例を示す画像である。13 is an image showing an example of a report. 第2の実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser processing device concerning a 2nd embodiment. 図7(A)は端部に位置する検査領域がウェーハの外周よりも外側に位置する例を示す図であり、図7(B)は修正後の検査領域の配置を示す図である。FIG. 7(A) is a diagram showing an example in which the inspection area located at the end is located outside the outer circumference of the wafer, and FIG. 7(B) is a diagram showing the arrangement of the inspection area after correction.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、切削装置(加工装置)2の斜視図である。なお、図1では、切削装置2の構成要素の一部を機能ブロックで示している。また、以下において、X軸方向(加工送り方向)、Y軸方向(割り出し送り方向)及びZ軸方向(高さ方向)は、互いに直交する方向である。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. FIG. 1 is a perspective view of a cutting device (processing device) 2. Note that FIG. 1 shows some of the components of the cutting device 2 in functional blocks. In the following description, the X-axis direction (processing feed direction), Y-axis direction (indexing feed direction), and Z-axis direction (height direction) are mutually orthogonal.

切削装置2の前面側には、操作パネル4が設けられている。オペレーターは、例えば、操作パネル4を介して所定の入力を行うことにより、切削装置2に対して加工条件等を設定できる。切削装置2の前面側の側面には、モニター(表示ユニット)6が設けられている。 An operation panel 4 is provided on the front side of the cutting device 2. The operator can set processing conditions and the like for the cutting device 2 by, for example, making predetermined inputs via the operation panel 4. A monitor (display unit) 6 is provided on the front side of the cutting device 2 .

モニター6には、オペレーターに対して操作を案内する案内画面、後述する撮像ユニット24によって撮像された画像、後述するレポートの内容等が表示される。なお、モニター6は、操作パネル4としても機能するタッチパネルであってもよい。この場合、操作パネル4は省略してよい。 The monitor 6 displays a guide screen that guides the operator on the operation, images captured by the imaging unit 24 described below, the contents of a report described below, etc. The monitor 6 may be a touch panel that also functions as the operation panel 4. In this case, the operation panel 4 may be omitted.

切削装置2では、シリコン等の半導体材料で形成されたウェーハ11(図2参照)が切削(加工)される。図2に示す様に、ウェーハ11の表面11a側には、格子状に複数の分割予定ライン(ストリート)13が設定されている。複数の分割予定ライン13によって区画される各領域には、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイス15が形成されている。 The cutting device 2 cuts (processes) a wafer 11 (see FIG. 2) made of a semiconductor material such as silicon. As shown in FIG. 2, on the front surface 11a side of the wafer 11, a plurality of dividing lines (streets) 13 are set in a grid pattern. A device 15 such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration) is formed in each area partitioned by a plurality of dividing lines 13 .

ウェーハ11の裏面11b側には、樹脂で形成された円形の粘着テープ(ダイシングテープ17)が貼り付けられる。ダイシングテープ17の径は、ウェーハ11の径よりも大きい。ダイシングテープ17の中央部にはウェーハ11が貼り付けられ、ダイシングテープ17の外周部には金属で形成された環状のフレーム19の一面が貼り付けられる。 A circular adhesive tape (dicing tape 17) made of resin is attached to the back surface 11b of the wafer 11. The diameter of the dicing tape 17 is larger than the diameter of the wafer 11. The wafer 11 is attached to the center of the dicing tape 17, and one side of an annular frame 19 made of metal is attached to the outer periphery of the dicing tape 17.

ウェーハ11、ダイシングテープ17及びフレーム19は、フレームユニット21を構成する。図2は、フレームユニット21の斜視図である。複数(例えば、25個)のフレームユニット21は、1つのカセット8(図1参照)に収容された状態で、切削装置2へ搬送される。 The wafer 11, dicing tape 17, and frame 19 constitute a frame unit 21. Figure 2 is a perspective view of the frame unit 21. Multiple (e.g., 25) frame units 21 are stored in one cassette 8 (see Figure 1) and transported to the cutting device 2.

再び、図1に戻り、切削装置2の他の構成要素を説明する。切削装置2は、矩形の板状のカセットテーブル10を有する。カセットテーブル10上には、上述のカセット8が載置される。カセットテーブル10の下方には、カセットテーブル10を上下に移動させることができるカセットエレベータ12が連結されている。 Returning to FIG. 1 again, other components of the cutting device 2 will be described. The cutting device 2 has a rectangular, plate-like cassette table 10. The cassette 8 described above is placed on the cassette table 10. Connected to the bottom of the cassette table 10 is a cassette elevator 12 that can move the cassette table 10 up and down.

カセットテーブル10の後方には、プッシュプルアーム14が設けられている。プッシュプルアーム14は、フレームユニット21のフレーム19を把持した状態でカセット8から切削前のウェーハ11を搬出する。また、プッシュプルアーム14は、フレーム19を押すことで切削後のウェーハ11をカセット8へ搬入することもできる。 A push-pull arm 14 is provided behind the cassette table 10. The push-pull arm 14 transports the uncut wafer 11 out of the cassette 8 while holding the frame 19 of the frame unit 21. The push-pull arm 14 can also transport the cut wafer 11 into the cassette 8 by pushing the frame 19.

プッシュプルアーム14の移動経路の両脇には、一対の位置決め部材(ガイドレール)16が設けられている。一対の位置決め部材16は、フレームユニット21のX軸方向の位置を調整する。一対の位置決め部材16の近傍には、一対の位置決め部材16からフレームユニット21を搬送する第1の搬送ユニット18が設けられている。 A pair of positioning members (guide rails) 16 are provided on both sides of the movement path of the push-pull arm 14. A pair of positioning members 16 adjust the position of the frame unit 21 in the X-axis direction. A first transport unit 18 that transports the frame unit 21 from the pair of positioning members 16 is provided near the pair of positioning members 16 .

第1の搬送ユニット18は、アームと、アームの一端側に設けられた吸着機構と、アームの他端側に設けられた旋回機構とを有する。第1の搬送ユニット18は、フレーム19を吸着機構で吸着した状態で、旋回機構によりアームを所定角度回転させることで、フレームユニット21を搬送する。 The first transport unit 18 includes an arm, a suction mechanism provided at one end of the arm, and a rotation mechanism provided at the other end of the arm. The first transport unit 18 transports the frame unit 21 by rotating the arm by a predetermined angle using the rotation mechanism while the frame 19 is attracted by the suction mechanism.

第1の搬送ユニット18は、X軸方向で最もカセットテーブル10の近くの領域に移動させられているチャックテーブル20へ、フレームユニット21を搬送する。チャックテーブル20の上面側には、円盤状の多孔質プレートが固定されている。 The first transport unit 18 transports the frame unit 21 to the chuck table 20 that has been moved to the area closest to the cassette table 10 in the X-axis direction. A disc-shaped porous plate is fixed to the upper surface side of the chuck table 20.

多孔質プレートの下面側には、チャックテーブル20の内部に形成されている流路(不図示)の一端が接続されており、この流路の他端には、エジェクタ等の吸引源(不図示)が接続されている。 One end of a flow path (not shown) formed inside the chuck table 20 is connected to the underside of the porous plate, and the other end of this flow path is connected to a suction source (not shown) such as an ejector.

吸引源を動作させれば、多孔質プレートの上面には負圧が発生し、チャックテーブル20の上面は、フレームユニット21を吸引して保持する保持面20aとして機能する。フレームユニット21は、ウェーハ11の表面11a側が露出する様に、ダイシングテープ17側が保持面20aで保持される。 When the suction source is operated, negative pressure is generated on the upper surface of the porous plate, and the upper surface of the chuck table 20 functions as a holding surface 20a that holds the frame unit 21 by suction. The frame unit 21 is held by the holding surface 20a on the dicing tape 17 side so that the surface 11a side of the wafer 11 is exposed.

チャックテーブル20の外周部には、フレーム19を固定するための複数のクランプユニット20bが設けられている。また、チャックテーブル20の下方には、チャックテーブル20を所定の回転軸の周りに回転させるθテーブル(不図示)が連結されている。 A number of clamp units 20b for fixing the frame 19 are provided on the outer periphery of the chuck table 20. In addition, a θ table (not shown) that rotates the chuck table 20 around a predetermined rotation axis is connected below the chuck table 20.

θテーブルの下方には、チャックテーブル20をX軸方向に沿って移動させる加工送りユニット22が連結されている。なお、図1では、加工送りユニット22の位置の概略が示されており、具体的な形状は図示されていない。 Below the θ table, a processing feed unit 22 that moves the chuck table 20 along the X-axis direction is connected. Note that FIG. 1 shows an outline of the position of the processing feed unit 22, but does not show its specific shape.

加工送りユニット22は、θテーブルを支持するX軸移動テーブル(不図示)を有する。X軸移動テーブルは、X軸に平行な一対のX軸ガイドレール(不図示)上にスライド可能な態様で設けられている。 The processing feed unit 22 has an X-axis moving table (not shown) that supports the θ table. The X-axis moving table is provided in a slidable manner on a pair of X-axis guide rails (not shown) that are parallel to the X-axis.

一対のX軸ガイドレールの間には、X軸方向に沿ってボールねじ(不図示)が配置されている。ボールねじの一端には、ボールねじを回転させるためのパルスモーター(不図示)が連結されている。 A ball screw (not shown) is arranged along the X-axis direction between the pair of X-axis guide rails. A pulse motor (not shown) for rotating the ball screw is connected to one end of the ball screw.

また、X軸移動テーブルの下面にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部はボールねじに対して回転可能な態様で連結されている。パルスモーターを駆動させれば、チャックテーブル20が、X軸移動テーブル等と共にX軸方向に沿って移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the underside of the X-axis moving table, and this nut portion is rotatably connected to the ball screw. When the pulse motor is driven, the chuck table 20 moves along the X-axis direction together with the X-axis moving table, etc.

チャックテーブル20の移動経路の上方には、保持面20aに対面可能な態様で、撮像ユニット24が設けられている。撮像ユニット24は、所定の光学系と、CCDイメージセンサ又はCMOSイメージセンサ等の撮像素子とを含むカメラを備えており、例えば、保持面20aで保持されたウェーハ11の表面11a側を撮像して画像を取得する。 An imaging unit 24 is provided above the movement path of the chuck table 20 in such a manner that it can face the holding surface 20a. The imaging unit 24 includes a camera including a predetermined optical system and an imaging element such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor, and for example, images the front surface 11a side of the wafer 11 held by the holding surface 20a. Get the image.

取得された画像は、例えば、モニター6に表示される。撮像ユニット24に対してX軸方向の一方側には、切削ユニット(加工ユニット)26が設けられている。切削ユニット26は、Y軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル(不図示)を有する。 The acquired image is displayed, for example, on the monitor 6. A cutting unit (machining unit) 26 is provided on one side of the imaging unit 24 in the X-axis direction. The cutting unit 26 has a cylindrical spindle (not shown) arranged along the Y-axis direction.

スピンドルの一端部には、円環状の切り刃を有する切削ブレード26aが装着されている。また、スピンドルの他端側にはモーター等の回転駆動源が連結されている。回転駆動源を動作させると、切削ブレード26aは高速で回転する。 A cutting blade 26a with an annular cutting edge is attached to one end of the spindle. A rotary drive source such as a motor is connected to the other end of the spindle. When the rotary drive source is operated, the cutting blade 26a rotates at high speed.

ここで、切削ユニット26を用いたウェーハ11の切削方法について説明する。ウェーハ11を切削する場合には、まず、表面11aが露出する様に、ウェーハ11の裏面11b側(即ち、ダイシングテープ17)を保持面20aで保持し、複数のクランプユニット20bでフレーム19を固定する。 Here, we will explain the method of cutting the wafer 11 using the cutting unit 26. When cutting the wafer 11, first, the back surface 11b side of the wafer 11 (i.e., the dicing tape 17) is held by the holding surface 20a so that the front surface 11a is exposed, and the frame 19 is fixed by the multiple clamp units 20b.

次いで、撮像ユニット24でウェーハ11の表面11a側を撮像し、撮像により取得した画像にパターンマッチング等の画像処理を施すことで、所定のアライメントマークの座標を検出する。これにより、アライメントマークの座標から所定距離離れている分割予定ライン13の位置が特定される。 Next, the imaging unit 24 images the front surface 11a of the wafer 11, and the image obtained by the imaging is subjected to image processing such as pattern matching, thereby detecting the coordinates of a predetermined alignment mark. Thereby, the position of the planned division line 13 that is a predetermined distance away from the coordinates of the alignment mark is specified.

次に、切削ブレード26aを一の分割予定ライン13の延長線上に位置付ける。その後、回転させた切削ブレード26aの下端をウェーハ11の裏面11bと保持面20aとの間に位置付ける。 Next, the cutting blade 26a is positioned on an extension of the first dividing line 13. Thereafter, the lower end of the rotated cutting blade 26a is positioned between the back surface 11b of the wafer 11 and the holding surface 20a.

そして、加工送りユニット22によりチャックテーブル20を加工送りすることで、ウェーハ11とチャックテーブル20とをX軸方向に沿って相対的に移動させる。これにより、一の分割予定ライン13に対応する領域が切削(加工)され、切削溝13aが形成される(図3参照)。 Then, the processing feed unit 22 processes and feeds the chuck table 20, thereby moving the wafer 11 and the chuck table 20 relatively along the X-axis direction. As a result, the area corresponding to one of the planned division lines 13 is cut (processed), and a cutting groove 13a is formed (see FIG. 3).

一の分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切削した後、切削ユニット26をY軸方向に沿って移動させて、切削ブレード26aを一の分割予定ライン13に対してY軸方向に隣接する他の分割予定ライン13の延長線上に位置付ける。 After cutting the wafer 11 along one planned dividing line 13, the cutting unit 26 is moved along the Y-axis direction to position the cutting blade 26a on an extension line of another planned dividing line 13 adjacent to the one planned dividing line 13 in the Y-axis direction.

そして、他の分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切削する。同様にして、残りの分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切削する。X軸方向に沿う全ての分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切削した後、θテーブルによりウェーハ11を90度回転させる。 Then, the wafer 11 is cut along the other planned dividing lines 13. In the same manner, the wafer 11 is cut along the remaining planned dividing lines 13. After the wafer 11 has been cut along all the planned dividing lines 13 along the X-axis direction, the wafer 11 is rotated 90 degrees by the θ table.

その後、X軸方向に沿う全ての分割予定ライン13に沿ってウェーハ11を切削する。この様に、格子状に設定された全ての分割予定ライン13に対応する領域に切削溝13aを形成したら、切削を終了する。 Thereafter, the wafer 11 is cut along all the dividing lines 13 along the X-axis direction. Once the cutting grooves 13a have been formed in the regions corresponding to all the dividing lines 13 set in a grid pattern in this way, the cutting is finished.

切削終了後のフレームユニット21は、第2の搬送ユニット28により、チャックテーブル20から、チャックテーブル20の後方に位置するスピンナ洗浄ユニット30へ搬送される。スピンナ洗浄ユニット30では、フレームユニット21がスピン洗浄及びスピン乾燥される。 After cutting, the frame unit 21 is transported by the second transport unit 28 from the chuck table 20 to the spinner cleaning unit 30 located behind the chuck table 20. In the spinner cleaning unit 30, the frame unit 21 is spin cleaned and spin dried.

スピンナ洗浄ユニット30でスピン洗浄及びスピン乾燥されたフレームユニット21は、第1の搬送ユニット18、位置決め部材16、プッシュプルアーム14等により、カセット8へ搬入される。次に、切削装置2の動作を制御する制御ユニット32について説明する。 The frame unit 21 that has been spin-cleaned and spin-dried in the spinner cleaning unit 30 is carried into the cassette 8 by the first transport unit 18, the positioning member 16, the push-pull arm 14, and the like. Next, the control unit 32 that controls the operation of the cutting device 2 will be explained.

制御ユニット32は、カセットエレベータ12、プッシュプルアーム14、位置決め部材16、チャックテーブル20、加工送りユニット22、撮像ユニット24、切削ユニット26、第2の搬送ユニット28、スピンナ洗浄ユニット30等の動作を制御する。 The control unit 32 controls the operation of the cassette elevator 12, push-pull arm 14, positioning member 16, chuck table 20, processing feed unit 22, imaging unit 24, cutting unit 26, second transport unit 28, spinner cleaning unit 30, etc.

制御ユニット32は、例えば、CPU(Central Processing Unit)等の処理装置と、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等の主記憶装置と、フラッシュメモリー、ハードディスクドライブ等の補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。補助記憶装置に記憶され所定のプログラムを含むソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット32の機能が実現される。 The control unit 32 is configured by a computer including, for example, a processing device such as a CPU (Central Processing Unit), a main storage device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory), and an auxiliary storage device such as a flash memory or a hard disk drive. The functions of the control unit 32 are realized by operating the processing device and the like in accordance with software including a specific program stored in the auxiliary storage device.

制御ユニット32は、例えばプログラムで構成されている制御部34を含む。制御部34は、例えば、チャックテーブル20の内部に形成されている流路の一端と他端との間に設けられている電磁弁(不図示)の動作を制御する。 The control unit 32 includes a control section 34 configured of a program, for example. The control unit 34 controls, for example, the operation of a solenoid valve (not shown) provided between one end and the other end of a flow path formed inside the chuck table 20.

電磁弁が開状態とされると保持面20aに負圧が発生し、電磁弁が閉状態とされると保持面20aの負圧は消滅する。制御部34は、また例えば、切削ユニット26の回転駆動源の動作を制御する。 When the solenoid valve is opened, negative pressure is generated on the holding surface 20a, and when the solenoid valve is closed, the negative pressure on the holding surface 20a disappears. The control unit 34 also controls, for example, the operation of the rotation drive source of the cutting unit 26.

上述したウェーハ11の切削方法に従い、全ての分割予定ライン13が切削ユニット26で切削された後、制御部34は、加工送りユニット22のパルスモーターを制御してチャックテーブル20を撮像ユニット24の直下にチャックテーブル20を位置付ける。 After all scheduled dividing lines 13 are cut by the cutting unit 26 according to the above-described cutting method of the wafer 11, the control unit 34 controls the pulse motor of the processing feed unit 22 to move the chuck table 20 directly below the imaging unit 24. Position the chuck table 20 at .

その後、制御部34は、撮像ユニット24を動作させて、撮像ユニット24にウェーハ11の表面11a側を撮像させる。図3は、ウェーハ11の表面11a側を撮像する様子を示す図である。 After that, the control section 34 operates the imaging unit 24 to cause the imaging unit 24 to image the front surface 11a side of the wafer 11. FIG. 3 is a diagram showing how the front surface 11a side of the wafer 11 is imaged.

撮像ユニット24は、ウェーハ11の表面11a側の全体を撮像すると共に、予め定められた2以上の検査領域(エリア)をウェーハ11の全体像よりも拡大した態様で、個別に撮像する。本実施形態の撮像ユニット24は、互いに異なる位置にある7つの検査領域を撮像する。 The imaging unit 24 captures an image of the entire surface 11a side of the wafer 11, and also captures images of two or more predetermined inspection regions (areas) individually in an enlarged form compared to the entire image of the wafer 11. In this embodiment, the imaging unit 24 captures images of seven inspection regions located at different positions.

図4は、各検査領域を示す図である。なお、本実施形態では、図4に示す横方向をチャンネル1(CH1)方向と称し、図4に示す縦方向をチャンネル2(CH2)方向と称する。 FIG. 4 is a diagram showing each inspection area. In this embodiment, the horizontal direction shown in FIG. 4 is referred to as the channel 1 (CH1) direction, and the vertical direction shown in FIG. 4 is referred to as the channel 2 (CH2) direction.

各検査領域は、CH1方向及びCH2方向の分割予定ライン13の交差点を中心とする所定の範囲を含む。検査領域Aの画像に示す様に、CH1方向に沿う切削溝13aと、CH2方向に沿う切削溝13aとには、それぞれ欠け(チッピング)13bが生じている。 Each inspection area includes a predetermined range centered on the intersection of the planned division lines 13 in the CH1 direction and CH2 direction. As shown in the image of the inspection area A, chippings 13b are generated in the cut grooves 13a 1 along the CH1 direction and the cut grooves 13a 2 along the CH2 direction, respectively.

検査領域Aでは、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれている。切削溝13aの中央線とは、切削溝13aのCH2方向の幅の中央位置を通るCH1方向に平行な直線である。また、CH1方向の分割予定ライン13の中央線とは、CH1方向の分割予定ライン13のCH2方向の幅の中央位置を通るCH1方向に平行な直線である。 In the inspection area A, the center line of the cutting groove 13a 1 in the CH1 direction is shifted to the rear side from the center line of the planned dividing line 13 in the CH1 direction. The center line of the cut groove 13a 1 is a straight line parallel to the CH1 direction passing through the center position of the width of the cut groove 13a 1 in the CH2 direction. Further, the center line of the planned division line 13 in the CH1 direction is a straight line parallel to the CH1 direction passing through the center position of the width of the planned division line 13 in the CH1 direction in the CH2 direction.

検査領域Bは、CH1方向で検査領域Aよりも右側に位置し、CH2方向で検査領域Aと同じ位置にある。検査領域Bでは、CH2方向の切削溝13aの中央線がCH2方向の分割予定ライン13の中央線から左側にずれている。 Inspection area B is located on the right side of inspection area A in the CH1 direction, and is located at the same position as inspection area A in the CH2 direction. In the inspection area B, the center line of the cut groove 13a2 in the CH2 direction is shifted to the left from the center line of the planned dividing line 13 in the CH2 direction.

切削溝13aの中央線とは、切削溝13aのCH1方向の幅の中央位置を通るCH2方向に平行な直線である。また、CH2方向の分割予定ライン13の中央線とは、例えば、CH2方向の分割予定ライン13のCH1方向の幅の中央位置を通るCH2方向に平行な直線である。 The center line of the cut groove 13a2 is a straight line parallel to the CH2 direction passing through the center position of the width of the cut groove 13a2 in the CH1 direction. Further, the center line of the planned division line 13 in the CH2 direction is, for example, a straight line parallel to the CH2 direction that passes through the center position of the width of the planned division line 13 in the CH2 direction in the CH1 direction.

検査領域Bでは、検査領域Aと同様に、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれている。なお、CH1方向の切削溝13aには、欠け13bが生じていない。 In the inspection area B, similarly to the inspection area A, the center line of the cut groove 13a1 in the CH1 direction is shifted rearward from the center line of the planned dividing line 13 in the CH1 direction. Note that no chipping 13b occurs in the cutting groove 13a1 in the CH1 direction.

検査領域Cは、CH1方向で検査領域Aよりも左側に位置し、CH2方向で検査領域Aよりも前側に位置する。検査領域Cでは、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれており、CH2方向の切削溝13aがCH2方向の分割予定ライン13の中央線から右側にずれている。 Inspection area C is located to the left of inspection area A in the CH1 direction and in front of inspection area A in the CH2 direction. In inspection area C, the center line of cutting groove 13a1 in the CH1 direction is shifted rearward from the center line of planned division line 13 in the CH1 direction, and cutting groove 13a2 in the CH2 direction is shifted rightward from the center line of planned division line 13 in the CH2 direction.

検査領域Dは、表面11aの略中央に位置する。検査領域Dは、CH1方向で検査領域A及びBの間に位置し、CH2方向で検査領域Cと同じ位置にある。検査領域Dでも、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれている。 Inspection area D is located approximately at the center of surface 11a. Inspection area D is located between inspection areas A and B in the CH1 direction, and at the same position as inspection area C in the CH2 direction. Also in the inspection area D, the center line of the cutting groove 13a1 in the CH1 direction is shifted to the rear side from the center line of the planned dividing line 13 in the CH1 direction.

検査領域Eは、CH1方向で検査領域Bよりも右側に位置し、CH2方向で検査領域C及びDと同じ位置にある。検査領域Eでも、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれている。 The inspection area E is located on the right side of the inspection area B in the CH1 direction, and is located at the same position as the inspection areas C and D in the CH2 direction. Also in the inspection area E, the center line of the cut groove 13a1 in the CH1 direction is shifted to the rear side from the center line of the planned dividing line 13 in the CH1 direction.

検査領域Fは、CH1方向で検査領域Aと同じ位置にあり、CH2方向で検査領域Cよりも前側にある。検査領域Fでは、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれている。 Inspection area F is located at the same position as inspection area A in the CH1 direction, and is located in front of inspection area C in the CH2 direction. In inspection area F, the center line of cut groove 13a1 in the CH1 direction is shifted rearward from the center line of planned division line 13 in the CH1 direction.

検査領域Gは、CH1方向で検査領域Bと同じ位置にあり、CH2方向で検査領域Fと同じ位置にある。検査領域Gでは、CH1方向の切削溝13aの中央線がCH1方向の分割予定ライン13の中央線から後側にずれており、CH2方向の切削溝13aの中央線がCH2方向の分割予定ライン13の中央線から左側にずれている。 Inspection area G is in the same position as inspection area B in the CH1 direction, and in the same position as inspection area F in the CH2 direction. In inspection area G, the center line of cutting groove 13a1 in the CH1 direction is shifted rearward from the center line of planned division line 13 in the CH1 direction, and the center line of cutting groove 13a2 in the CH2 direction is shifted leftward from the center line of planned division line 13 in the CH2 direction.

検査領域AからGの配置は、撮像ユニット24で撮像される2以上の異なる検査領域(エリア)の数をオペレーターが指定した場合に、制御ユニット32の一部である配置決定部36により決定される。配置決定部36は、例えばプログラムで構成されている。 The arrangement of the inspection areas A to G is determined by the arrangement determining unit 36 that is part of the control unit 32 when the operator specifies the number of two or more different inspection areas (areas) to be imaged by the imaging unit 24. Ru. The arrangement determining unit 36 is configured by, for example, a program.

配置決定部36は、CH1方向の分割予定ライン13の中央線と、CH2方向の分割予定ライン13の中央線との交点の座標を、検査領域の中心座標に設定する。配置決定部36は、指定された検査領域の数に応じて、検査領域の中心座標を複数決定する。 The arrangement determining unit 36 sets the coordinates of the intersection of the center line of the planned division line 13 in the CH1 direction and the center line of the planned division line 13 in the CH2 direction as the center coordinates of the inspection area. The arrangement determining unit 36 determines a plurality of center coordinates of the inspection areas according to the number of designated inspection areas.

配置決定部36は、例えば、複数の交点の座標のうち、表面11aの略中央に位置する一の座標と、一の座標の周囲に位置する複数の他の座標とを、それぞれ検査領域の中心座標とする。例えば、配置決定部36は、少なくとも2つの検査領域の中心座標がCH1方向又はCH2方向で同じになる様に、検査領域の中心座標の配置を決定する。 For example, among the coordinates of the plurality of intersection points, the arrangement determining unit 36 selects one coordinate located approximately at the center of the surface 11a and a plurality of other coordinates located around the one coordinate, respectively, at the center of the inspection area. Coordinates. For example, the arrangement determining unit 36 determines the arrangement of the center coordinates of the inspection areas so that the center coordinates of at least two inspection areas are the same in the CH1 direction or the CH2 direction.

検査領域の中心座標の配置が決定された後、各検査領域の中心座標から所定の直径(例えば、200μmから300μm)の範囲が、撮像ユニット24により撮像される。なお、撮像ユニット24が撮像する範囲は、円形に限定されず任意の形状であってもよい。 After the arrangement of the central coordinates of the inspection areas is determined, an image of a range of a predetermined diameter (e.g., 200 μm to 300 μm) from the central coordinates of each inspection area is captured by the imaging unit 24. Note that the range captured by the imaging unit 24 is not limited to a circle and may be any shape.

制御ユニット32は、各検査領域の画像と、各検査領域でのウェーハ11の加工状態に関する情報とが記録されたレポートを作成するレポート作成部38を更に含む。レポート作成部38は、例えばプログラムで構成されており、カセット8に収容された複数のウェーハ11のうち最初に加工が施されたウェーハ11に対してレポートを作成する。 The control unit 32 further includes a report creation section 38 that creates a report in which images of each inspection area and information regarding the processing state of the wafer 11 in each inspection area are recorded. The report creation unit 38 is configured with a program, for example, and creates a report for the first wafer 11 to be processed among the plurality of wafers 11 housed in the cassette 8.

オペレーターは、このレポートを参照することにより、ウェーハ11を加工装置から取り出すことなく、加工条件が適切であったか否かを確認できる。仮に、加工条件が不適切であった場合には、加工条件を修正できる。それゆえ、第2番目以降のウェーハ11を加工するときには、修正した加工条件でウェーハ11を加工できる。 By referring to this report, the operator can check whether the processing conditions were appropriate without taking out the wafer 11 from the processing apparatus. If the machining conditions are inappropriate, the machining conditions can be corrected. Therefore, when processing the second and subsequent wafers 11, the wafers 11 can be processed under the corrected processing conditions.

加工状態に関する情報は、切削溝13aの幅、切削溝13aに形成された欠け13bの状態、及び、分割予定ライン13の中央線からの切削溝13aの中央線のずれ量を含む。なお、CH1方向に沿う切削溝13aの幅とは、切削溝13aのCH2方向の長さであり、CH2方向に沿う切削溝13aの幅とは、切削溝13aのCH1方向の長さである。 The information on the machining state includes the width of the cut groove 13a, the state of the chipping 13b formed in the cut groove 13a, and the amount of deviation of the center line of the cut groove 13a from the center line of the planned division line 13. The width of the cut groove 13a1 along the CH1 direction is the length of the cut groove 13a1 in the CH2 direction, and the width of the cut groove 13a2 along the CH2 direction is the length of the cut groove 13a2 in the CH1 direction.

また、切削溝13aに形成された欠け13bの状態とは、例えば、欠け13bの数、欠け13bの大きさである。例えば、欠け13bの大きさは、切削溝13aの縁からCH2方向における欠け13bの最大長さや、切削溝13aの縁からCH1方向における欠け13bの最大長さを意味する。 Further, the state of the chips 13b formed in the cutting groove 13a includes, for example, the number of chips 13b and the size of the chips 13b. For example, the size of the chip 13b means the maximum length of the chip 13b in the CH2 direction from the edge of the cut groove 13a1 , or the maximum length of the chip 13b in the CH1 direction from the edge of the cut groove 13a2 .

本実施形態のレポートは、モニター6に画像として表示される。図5は、レポートの一例を示す画像である。レポートの右上には、ウェーハ11の表面11a側の全体像が表示されている。この全体像には、検査領域AからGに対応する位置が丸で示されている。 The report of this embodiment is displayed as an image on the monitor 6. FIG. 5 is an image showing an example of a report. An overall image of the front surface 11a of the wafer 11 is displayed in the upper right corner of the report. In this overall image, positions corresponding to the inspection areas A to G are indicated by circles.

ウェーハ11の全体像の下には、全体像を簡略化した円が表示されており、この円内には、検査領域AからGが示されている。ウェーハ11の全体像の左側には、検査領域の画像が表示される。図5に示す例では、検査領域Dの画像が表示されている。 Below the overall image of the wafer 11, a circle that is a simplified overall image is displayed, and inspection areas A to G are shown within this circle. An image of the inspection area is displayed on the left side of the overall image of the wafer 11. In the example shown in FIG. 5, an image of the inspection area D is displayed.

なお、オペレーターは、所望の検査領域を指定することにより、表示される検査領域の画像を選択できる。例えば、オペレーターは、全体像を簡略化した円内に示されている検査領域Aを指定することにより、検査領域Dの画像を検査領域Aの画像に切り替えることができる。 The operator can select the image of the desired inspection area to be displayed by specifying the desired inspection area. For example, the operator can switch the image of inspection area D to the image of inspection area A by specifying inspection area A, which is shown in a circle that simplifies the overall image.

検査領域の画像の下方には、選択された検査領域の加工状態に関する情報が表示される。図5に示す例では、検査領域Dの加工状態に関する情報が表示されている。各情報は、例えば、得られた画像に基づいてレポート作成部38により生成される。 Information regarding the processing state of the selected inspection area is displayed below the image of the inspection area. In the example shown in FIG. 5, information regarding the processing state of the inspection area D is displayed. Each piece of information is generated, for example, by the report creation unit 38 based on the obtained image.

図5の「溝の幅」に示す様に、検査領域Dの切削溝13aの幅は30μmであり、検査領域Dの切削溝13aの幅は31μmである。また、図5の「チッピング」は、5μm未満の欠けの個数を示す。図5に示す様に、検査領域Dでは、切削溝13aにおける5μm未満の欠けの数は1個であり、切削溝13aにおける5μm未満の欠けの数は4個である。 As shown in "groove width" in Fig. 5, the width of cut groove 13a1 in inspection area D is 30 μm, and the width of cut groove 13a2 in inspection area D is 31 μm. Also, "chipping" in Fig. 5 indicates the number of chips less than 5 μm. As shown in Fig. 5, in inspection area D, the number of chips less than 5 μm in cut groove 13a1 is one, and the number of chips less than 5 μm in cut groove 13a2 is four.

図5の「(5μm以上)」は、5μm以上の欠けの個数を示す。図5に示す様に、検査領域Dでは、切削溝13a,13aにおける5μm以上の欠けは無い。また、図5の「ストリートずれ」は、分割予定ライン13の中央線からの切削溝13aの中央線のずれ量である。 "(5 μm or more)" in Fig. 5 indicates the number of chips of 5 μm or more. As shown in Fig. 5, in the inspection area D, there are no chips of 5 μm or more in the cut grooves 13a1 and 13a2 . Also, "street deviation" in Fig. 5 is the deviation amount of the center line of the cut groove 13a from the center line of the planned division line 13.

図5に示す様に、検査領域DのCH1方向の切削溝13aの中央線は、CH1方向の分割予定ライン13の中央線から3μmずれている。また、検査領域DのCH2方向の切削溝13aの中央線は、CH2方向の分割予定ライン13の中央線から2μmずれている。 5, the center line of the cut groove 13a1 in the CH1 direction of the inspection region D is shifted by 3 μm from the center line of the planned division line 13 in the CH1 direction. Also, the center line of the cut groove 13a2 in the CH2 direction of the inspection region D is shifted by 2 μm from the center line of the planned division line 13 in the CH2 direction.

レポート作成部38は、取得された画像に基づいて、切削溝13aの幅、5μm未満の欠けの個数、5μm以上の欠けの個数、ストリートずれ等を導き出す。取得された画像の1ピクセル当たりの長さは予め定められているので、レポート作成部38は、例えば、画像中の切削溝13aの幅に対応する画素数から、切削溝13aの幅、及び、切削溝13aの中央線の位置を算出する。 The report creation unit 38 derives the width of the cutting groove 13a, the number of chips less than 5 μm, the number of chips larger than 5 μm, street deviation, etc., based on the acquired image. Since the length per pixel of the acquired image is predetermined, the report creation unit 38 calculates, for example, the width of the cut groove 13a from the number of pixels corresponding to the width of the cut groove 13a in the image, and The position of the center line of the cutting groove 13a is calculated.

同様に、レポート作成部38は、画像中の欠けに対応する所定方向の画素数から、所定方向の欠けの大きさを算出できる。また、レポート作成部38は、欠けの大きさに応じて、欠けの個数をカウントできる。この様にして、レポート作成部38は、各検査領域の画像と、各検査領域での加工状態に関する情報とが記録されたレポートを作成する。 Similarly, the report creation unit 38 can calculate the size of a chip in a predetermined direction from the number of pixels in the predetermined direction corresponding to the chip in the image. Further, the report creation unit 38 can count the number of chips depending on the size of the chip. In this manner, the report creation unit 38 creates a report in which images of each inspection area and information regarding the processing state in each inspection area are recorded.

オペレーターは、このレポートを参照することで、ウェーハ11を切削装置2から取り出して顕微鏡等により分割予定ライン13を観察しなくとも、加工条件が適切であったか否かを確認できる。それゆえ、ウェーハ11を切削装置2から取り出すことによるウェーハ11の破損、汚染等のリスクを無くすことができる。 By referring to this report, the operator can confirm whether the processing conditions were appropriate without taking out the wafer 11 from the cutting device 2 and observing the planned dividing line 13 using a microscope or the like. Therefore, the risk of damage to the wafer 11, contamination, etc. due to taking the wafer 11 out of the cutting device 2 can be eliminated.

なお、レポートは、画像表示に限定されず、紙に印刷されてもよい。レポートが紙に印刷される場合、切削装置2は、プリンターを含むレポート印刷部(不図示)を備えてよい。また、レポート印刷部に代えて、レポート作成部38は、レポートの作成に必要なデータを外付けのプリンター(不図示)に出力し、当該プリンターにレポートを印刷させてもよい。 Note that the report is not limited to image display, and may be printed on paper. If the report is printed on paper, the cutting device 2 may include a report printing section (not shown) including a printer. Furthermore, instead of the report printing section, the report creation section 38 may output data necessary for creating a report to an external printer (not shown) and cause the printer to print the report.

レポートが紙に印刷される場合、各検査領域の画像と、各検査領域でのウェーハ11の加工状態に関する情報との対応関係が特定可能な態様で、検査領域の画像と加工状態に関する情報とがレポートに記録されることが好ましい。 When the report is printed on paper, it is preferable that the images of the inspection areas and information regarding the processing state are recorded in the report in a manner that allows identification of the correspondence between the images of each inspection area and the information regarding the processing state of the wafer 11 in each inspection area.

次に、加工条件の確認及び修正方法について説明する。まず、オペレーターが操作パネル4を介して制御ユニット32に所定の加工条件を入力する(準備工程(S10))。加工条件は、切削ブレード26aの種類、加工点に供給される切削水の流量、スピンドルの回転数等である。 Next, a method for checking and correcting the machining conditions will be described. First, the operator inputs the specified machining conditions to the control unit 32 via the operation panel 4 (preparation step (S10)). The machining conditions include the type of cutting blade 26a, the flow rate of cutting water supplied to the machining point, the rotation speed of the spindle, etc.

準備工程(S10)では、撮像する検査領域(エリア)の数も入力され、上述の配置決定部36が自動的に検査領域の配置を決定する。加工条件入力後、オペレーターは、自動加工開始ボタンを押し、切削装置2にウェーハ11の加工を開始させる。 In the preparation step (S10), the number of inspection regions (areas) to be imaged is also input, and the above-mentioned arrangement determining section 36 automatically determines the arrangement of the inspection regions. After inputting the processing conditions, the operator presses the automatic processing start button to cause the cutting device 2 to start processing the wafer 11.

自動加工開始ボタンが押されると、カセット8から第1番目のフレームユニット21がチャックテーブル20上に搬送され、保持面20a及びクランプユニット20bで当該フレームユニット21が保持される(保持工程(S20))。 When the automatic processing start button is pressed, the first frame unit 21 is transported from the cassette 8 onto the chuck table 20, and the frame unit 21 is held by the holding surface 20a and the clamp unit 20b (holding process (S20)).

保持工程(S20)の後、ウェーハ11の全ての分割予定ライン13に対応する領域が、上述の切削方法に従い切削ユニット26により切削される(切削工程(S30))。切削工程(S30)後、撮像ユニット24により、配置決定部36により指定された各検査領域と、ウェーハ11の表面11a側の全体とが撮像される(撮像工程(S40))。 After the holding step (S20), the areas of the wafer 11 corresponding to all of the planned dividing lines 13 are cut by the cutting unit 26 according to the cutting method described above (cutting step (S30)). After the cutting step (S30), the imaging unit 24 captures images of each inspection area designated by the arrangement determination unit 36 and the entire surface 11a side of the wafer 11 (imaging step (S40)).

撮像工程(S40)の後、レポート作成部38が上述のレポートを作成する(レポート作成工程(S50))。オペレーターは、作成されたレポートを参照することにより、準備工程(S10)で入力した加工条件が適切であったか否かを確認する(確認工程(S60))。これにより、ウェーハ11を切削装置2から取り出すことによるウェーハ11の破損、汚染等のリスクを無くすことができる。 After the imaging step (S40), the report creation unit 38 creates the above-mentioned report (report creation step (S50)). The operator refers to the created report to check whether the processing conditions entered in the preparation step (S10) were appropriate (confirmation step (S60)). This eliminates the risk of damage, contamination, etc. of the wafer 11 when the wafer 11 is removed from the cutting device 2.

確認工程(S60)の後、第1番目のフレームユニット21は、スピンナ洗浄ユニット30で洗浄及び乾燥され、カセット8へ搬入される。加工条件が適切である場合には、第2番目以降のフレームユニット21についても、同じ加工条件で切削工程(S30)が行われる。 After the confirmation step (S60), the first frame unit 21 is washed and dried in the spinner washing unit 30 and then loaded into the cassette 8. If the processing conditions are appropriate, the cutting step (S30) is performed on the second and subsequent frame units 21 under the same processing conditions.

しかし、加工条件が不適切であった場合には、確認工程(S60)の後、加工条件が修正される(修正工程(S70))。修正工程(S70)では、例えば、切削ブレード26aの取り換え又は装着のやり直し、切削水の流量の設定変更、スピンドルの回転数の設定変更等が行われる。 However, if the processing conditions are inappropriate, after the confirmation step (S60), the processing conditions are corrected (correction step (S70)). In the correction step (S70), for example, the cutting blade 26a is replaced or reattached, the flow rate of cutting water is changed, the spindle speed is changed, etc.

修正工程(S70)の後、第2番目のフレームユニット21に対して、保持工程(S20)から確認工程(S60)までを行う。加工条件が適切である場合には、第2番目のフレームユニット21は、洗浄及び乾燥され、カセット8へ搬入される。しかし、加工条件が不適切であった場合には、再度、修正工程(S70)等が行われる。 After the correction step (S70), the second frame unit 21 is subjected to a holding step (S20) to a confirmation step (S60). If the processing conditions are appropriate, the second frame unit 21 is cleaned and dried, and then transported to the cassette 8. However, if the processing conditions are inappropriate, the correction step (S70) etc. are performed again.

次に、第2の実施形態について説明する。図6は、第2の実施形態に係るレーザー加工装置(加工装置)40の斜視図である。レーザー加工装置40は、切削ユニット26に代えて、レーザービーム照射ユニット(加工ユニット)42を有する。係る点が、切削装置2と異なる。 Next, a second embodiment will be described. FIG. 6 is a perspective view of a laser processing device (processing device) 40 according to the second embodiment. The laser processing device 40 has a laser beam irradiation unit (processing unit) 42 instead of the cutting unit 26. This is where it differs from the cutting device 2.

レーザービーム照射ユニット42は、ウェーハ11に吸収される波長を有するパルス状のレーザービームを生成するレーザービーム生成部(不図示)を有する。なお、レーザービーム生成部は、レーザー発振器(不図示)を含む。レーザービーム照射ユニット42は、円筒状のハウジング部42aを有し、ハウジング部42aの先端部には、ヘッド部42bが設けられている。 The laser beam irradiation unit 42 has a laser beam generating section (not shown) that generates a pulsed laser beam having a wavelength that is absorbed by the wafer 11. The laser beam generating section includes a laser oscillator (not shown). The laser beam irradiation unit 42 has a cylindrical housing section 42a, and a head section 42b is provided at the tip of the housing section 42a.

ヘッド部42bにはレーザービームを集光する集光レンズ(不図示)が設けられており、ヘッド部42bは集光器として機能する。レーザービーム生成部で生成されたレーザービームは、ハウジング部42a内に設けられた所定の光学系を経て、ヘッド部42bから下方に向けて出射される。 The head portion 42b is provided with a condensing lens (not shown) that condenses the laser beam, and the head portion 42b functions as a condenser. The laser beam generated by the laser beam generation section passes through a predetermined optical system provided within the housing section 42a, and is emitted downward from the head section 42b.

ウェーハ11を加工するときには、例えば、表面11aが露出する態様でウェーハ11の裏面11b側を保持面20aで保持する。そして、ヘッド部42bの直下の領域を一の分割予定ライン13の延長線上に位置付ける。 When processing the wafer 11, for example, the back surface 11b side of the wafer 11 is held by the holding surface 20a in such a manner that the front surface 11a is exposed. Then, the area immediately below the head portion 42b is positioned on the extension line of the first dividing line 13.

ヘッド部42bから所定の出力のレーザービームを照射した状態で、チャックテーブル20とヘッド部42bとを相対的に加工送りすると、分割予定ライン13に対応する領域がアブレーション加工されて、レーザー加工溝が形成される。 When the chuck table 20 and the head section 42b are processed and fed relative to each other while being irradiated with a laser beam of a predetermined output from the head section 42b, the area corresponding to the planned dividing line 13 is ablated and a laser processing groove is formed. It is formed.

レーザー加工装置40も、切削装置2と同様に制御ユニット32を有する。それゆえ、第1の実施形態と同様に、第1番目のウェーハ11の全ての分割予定ライン13にレーザー加工溝を形成した後、レポート作成部38によりレポートが作成される。 The laser processing device 40 also has a control unit 32 like the cutting device 2. Therefore, similarly to the first embodiment, a report is created by the report creation section 38 after laser processing grooves are formed on all of the dividing lines 13 of the first wafer 11.

オペレーターは、このレポートを参照することにより、ウェーハ11を加工装置から取り出すことなく、加工条件が適切であったか否かを確認できる。それゆえ、ウェーハ11を切削装置2から取り出すことによるウェーハ11の破損、汚染等のリスクを無くすことができる。 By referring to this report, the operator can check whether the processing conditions were appropriate without taking out the wafer 11 from the processing apparatus. Therefore, the risk of damage to the wafer 11, contamination, etc. due to taking the wafer 11 out of the cutting device 2 can be eliminated.

次に、配置決定部36が検査領域の配置を決める他の例について説明する。検査領域は、ウェーハ11に設定されないと意味をなさない。しかし、ウェーハ11は円盤状であるので、仮に、複数の検査領域がCH1及びCH2方向において等間隔に配置された場合、端部に位置する検査領域は表面11aの外周よりも外側に位置する場合がある。 Next, another example in which the placement determination unit 36 determines the placement of the inspection area will be described. The inspection area is meaningless unless it is set on the wafer 11. However, since the wafer 11 is disk-shaped, if multiple inspection areas are placed at equal intervals in the CH1 and CH2 directions, the inspection areas located at the ends may be located outside the outer periphery of the surface 11a.

図7(A)は、端部に位置する検査領域13cがウェーハ11の外周よりも外側に位置する例を示す図である。なお、図7(A)では、検査領域13cの位置を簡易的に十字で示す。この場合、配置決定部36は、CH1又はCH2方向で検査領域13cの間隔が狭くなる様に、検査領域13cの配置を修正する。 Figure 7 (A) is a diagram showing an example in which the inspection region 13c located at the edge is located outside the outer periphery of the wafer 11. Note that in Figure 7 (A), the position of the inspection region 13c is simply indicated by a cross. In this case, the placement determination unit 36 corrects the placement of the inspection region 13c so that the interval between the inspection regions 13c becomes narrower in the CH1 or CH2 direction.

図7(B)は、修正後の検査領域13cの配置を示す図である。配置決定部36は、端部に位置する検査領域13cが表面11aの外周よりも内側に位置する様に、検査領域13cの座標を修正する。 Figure 7 (B) shows the arrangement of the inspection area 13c after correction. The arrangement determination unit 36 corrects the coordinates of the inspection area 13c so that the inspection area 13c located at the edge is located inside the outer periphery of the surface 11a.

例えば、配置決定部36は、CH2方向の一端部及び中央部の間に位置する5つの検査領域13cと、CH2方向の他端部及び中央部の間に位置する5つの検査領域13cと、におけるCH1方向の間隔を、図7(A)の場合に比べて狭い第1の間隔とする。 For example, the placement determination unit 36 sets the spacing in the CH1 direction between the five inspection regions 13c located between one end and the center in the CH2 direction and the five inspection regions 13c located between the other end and the center in the CH2 direction to a first spacing that is narrower than that in the case of FIG. 7(A).

更に、配置決定部36は、CH2方向の一端部に位置する5つの検査領域13cと、CH2方向の他端部に位置する5つの検査領域13cと、におけるCH1方向の間隔を、第1の間隔よりも狭い第2の間隔とする。なお、図7(B)の修正例では、CH1方向の間隔を狭くしたが、これに代えて、CH2方向の間隔を狭くしてもよい。 Furthermore, the placement determination unit 36 sets the spacing in the CH1 direction between the five inspection regions 13c located at one end in the CH2 direction and the five inspection regions 13c located at the other end in the CH2 direction to a second spacing that is narrower than the first spacing. Note that in the modification example of FIG. 7(B), the spacing in the CH1 direction is narrowed, but instead, the spacing in the CH2 direction may be narrowed.

この様に、配置決定部36が、オペレーターにより指定された検査領域13cの数に応じて、検査領域13cの配置を修正するので、撮像ユニット24がウェーハ11の外周よりも外側で画像を取得することを回避できる。 In this way, the placement determination unit 36 corrects the placement of the inspection areas 13c according to the number of inspection areas 13c specified by the operator, thereby preventing the imaging unit 24 from acquiring images outside the outer periphery of the wafer 11.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、切削溝13a及びレーザー加工溝は、ウェーハ11を切断(即ち、フルカット)により形成された溝に限定されず、ウェーハ11が部分的に除去されたハーフカット溝であってもよい。 In addition, the structures, methods, etc. according to the above embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the purpose of the present invention. For example, the cut groove 13a and the laser processed groove are not limited to grooves formed by cutting the wafer 11 (i.e., full cut), but may be half-cut grooves in which the wafer 11 is partially removed.

2 切削装置(加工装置)
4 操作パネル
6 モニター(表示ユニット)
8 カセット
10 カセットテーブル
12 カセットエレベータ
14 プッシュプルアーム
16 位置決め部材
18 第1の搬送ユニット
20 チャックテーブル
20a 保持面
20b クランプユニット
22 加工送りユニット
24 撮像ユニット
26 切削ユニット(加工ユニット)
26a 切削ブレード
28 第2の搬送ユニット
30 スピンナ洗浄ユニット
32 制御ユニット
34 制御部
36 配置決定部
38 レポート作成部
40 レーザー加工装置(加工装置)
42 レーザービーム照射ユニット(加工ユニット)
42a ハウジング部
42b ヘッド部
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン
13a,13a,13a 切削溝
13b 欠け
13c 検査領域
15 デバイス
17 ダイシングテープ
19 フレーム
21 フレームユニット
A,B,C,D,E,F,G 検査領域(エリア)
2 Cutting equipment (processing equipment)
4 Operation panel 6 Monitor (display unit)
8 Cassette 10 Cassette table 12 Cassette elevator 14 Push-pull arm 16 Positioning member 18 First transport unit 20 Chuck table 20a Holding surface 20b Clamp unit 22 Processing feed unit 24 Imaging unit 26 Cutting unit (processing unit)
26a Cutting blade 28 Second transport unit 30 Spinner cleaning unit 32 Control unit 34 Control section 36 Layout determining section 38 Report creation section 40 Laser processing device (processing device)
42 Laser beam irradiation unit (processing unit)
42a Housing part 42b Head part 11 Wafer 11a Front side 11b Back side 13 Planned dividing line 13a, 13a 1 , 13a 2 cutting grooves 13b Chip 13c Inspection area 15 Device 17 Dicing tape 19 Frame 21 Frame units A, B, C, D, E, F, G Inspection area

Claims (5)

表面側に設定された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域の各々にデバイスが形成されたウェーハを加工する加工装置であって、
複数のウェーハを収容したカセットが載置されるカセットテーブルと、該カセットテーブルに載置された該カセットから搬出されたウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハの分割予定ラインに対応する領域に加工を施す加工ユニットと、該チャックテーブルと該加工ユニットとを相対的に加工送りする加工送りユニットと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを撮像する撮像ユニットと、該加工ユニット、該加工送りユニット及び該撮像ユニットを制御する制御ユニットとを備え、
該制御ユニットは、
該チャックテーブルで保持されたウェーハの全ての分割予定ラインに対応する領域を該加工ユニットが加工した後、該加工送りユニットを作動させて該チャックテーブルを相対的に移動させることにより該撮像ユニットの直下に該チャックテーブルを位置付けて該撮像ユニットにウェーハを撮像させる制御部と、
加工が施された該全ての分割予定ラインに対応する領域のうち2以上の異なるエリアが個別に撮像された画像に基づいて各エリアでの加工状態に関する情報を導き出し、該情報及び該画像が記録されたレポートを作成するレポート作成部と
該撮像ユニットで撮像される該2以上の異なるエリアの数が指定された場合に、該2以上の異なるエリアの配置を決定する配置決定部と、
を含み、
該配置決定部は、指定された該エリアの数に応じて、該表面において互いに直交する第1方向及び第2方向のそれぞれに該エリアを配置する際に、該第2方向における該エリアの間隔を等間隔とし、該第2方向の所定位置を通る該第1方向での該表面の幅内に複数の該エリアが等間隔で配置される様に該第1方向における該エリアの間隔を調整することを特徴とする加工装置。
A processing apparatus for processing a wafer having devices formed in each of a plurality of areas partitioned by a plurality of planned division lines set on a front surface side, comprising:
the wafer processing system includes a cassette table on which a cassette containing a plurality of wafers is placed, a chuck table which holds the wafers carried out from the cassette placed on the cassette table, a processing unit which processes an area of the wafer held on the chuck table which corresponds to a planned dividing line, a processing feed unit which relatively feeds the chuck table and the processing unit, an imaging unit which images the wafer held on the chuck table, and a control unit which controls the processing unit, the processing feed unit, and the imaging unit,
The control unit
a control unit that, after the processing unit has processed areas of the wafer held by the chuck table corresponding to all of the planned dividing lines, operates the processing feed unit to relatively move the chuck table to position the chuck table directly below the imaging unit and cause the imaging unit to image the wafer;
a report creation unit that derives information on a processing state in each area based on images of two or more different areas among all the areas corresponding to the planned dividing lines that have been processed, and creates a report in which the information and the images are recorded ;
an arrangement determination unit that determines an arrangement of the two or more different areas when the number of the two or more different areas to be imaged by the imaging unit is specified;
Including,
The processing apparatus is characterized in that, when arranging the areas in each of a first direction and a second direction perpendicular to each other on the surface in accordance with the number of areas specified, the arrangement determination unit adjusts the spacing of the areas in the first direction so that the areas are equally spaced in the second direction and multiple areas are arranged at equal intervals within the width of the surface in the first direction passing through a predetermined position in the second direction .
該レポート作成部は、該カセットに収容された該複数のウェーハのうち最初に加工が施されたウェーハに対して該レポートを作成することを特徴とする請求項1に記載の加工装置。 The processing device according to claim 1, characterized in that the report creation unit creates the report for the first processed wafer among the plurality of wafers contained in the cassette. 該加工状態に関する該情報は、分割予定ラインに対応する領域に形成された溝の幅、該溝に形成された欠けの状態、及び、分割予定ラインの中央線からの該溝のずれ量を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の加工装置。 The processing device according to claim 1 or 2, characterized in that the information on the processing state includes the width of the groove formed in the area corresponding to the planned division line, the state of the chipping formed in the groove, and the amount of deviation of the groove from the center line of the planned division line. 該レポートの内容を表示する表示ユニットを更に備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の加工装置。 The processing device according to any one of claims 1 to 3, further comprising a display unit that displays the contents of the report. 該加工ユニットは、切削ブレードを回転可能に備えた切削ユニット、及び、レーザービームを集光する集光器を備えたレーザービーム照射ユニットのいずれかであることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の加工装置。 5. The processing unit according to claim 1, wherein the processing unit is either a cutting unit rotatably equipped with a cutting blade or a laser beam irradiation unit equipped with a condenser that condenses a laser beam. The processing device according to any one of the above.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004806A (en) 2006-06-23 2008-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method for managing result of processing of wafer
JP2011066233A (en) 2009-09-17 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting device
JP2013074198A (en) 2011-09-28 2013-04-22 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device
JP2017140682A (en) 2016-02-12 2017-08-17 株式会社ディスコ Device
JP2019040918A (en) 2017-08-22 2019-03-14 ラピスセミコンダクタ株式会社 Apparatus for manufacturing semiconductor and method of polishing semiconductor substrate
JP2019046923A (en) 2017-08-31 2019-03-22 株式会社ディスコ Wafer processing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000108119A (en) 1998-10-08 2000-04-18 Disco Abrasive Syst Ltd Working device
JP4471632B2 (en) 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ Wafer processing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004806A (en) 2006-06-23 2008-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method for managing result of processing of wafer
JP2011066233A (en) 2009-09-17 2011-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting device
JP2013074198A (en) 2011-09-28 2013-04-22 Disco Abrasive Syst Ltd Processing device
JP2017140682A (en) 2016-02-12 2017-08-17 株式会社ディスコ Device
JP2019040918A (en) 2017-08-22 2019-03-14 ラピスセミコンダクタ株式会社 Apparatus for manufacturing semiconductor and method of polishing semiconductor substrate
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