JP7460051B2 - Semiconductor Device - Google Patents

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Description

本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。 The present disclosure relates to a semiconductor device equipped with a semiconductor element.

半導体装置において、半導体素子の電極とリードとを電気的に接続するために、ワイヤボンディングが行われる。たとえばボールボンディングを行うワイヤボンディングの場合、まず、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを電極に押し付けて超音波振動を付加して接合することで、ボール接合部を形成する。そして、ワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させ、ワイヤをリードに押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで、ステッチ接合部を形成する。ステッチ接合部はボール接合部より接合強度が低く、熱応力によってステッチ接合部にクラックが発生する場合がある。 In semiconductor devices, wire bonding is performed to electrically connect the electrodes and leads of a semiconductor element. For example, in the case of wire bonding using ball bonding, a molten ball is first formed at the tip of the wire, which is then pressed against the electrode and bonded by applying ultrasonic vibrations to form a ball bond. Then, the capillary is moved while drawing out the wire, and the wire is pressed against the lead and bonded by applying ultrasonic vibrations, and the wire is cut to form a stitch bond. Stitch bond has a lower bond strength than ball bond, and thermal stress can cause cracks to occur in stitch bond.

ステッチ接合部の接合強度を高めるために、ステッチ接合部を覆うようにさらにボールボンディングを行う方法がある。特許文献１には、このようなワイヤボンディング方法が開示されている。しかしながら、ワイヤの材料がＣｕの場合、ワイヤの表面が酸化しやすいので、ステッチ接合部と、これを覆うボール接合部との界面の接合が不安定になる。 To increase the bonding strength of the stitch joint, there is a method of further performing ball bonding to cover the stitch joint. Patent Document 1 discloses such a wire bonding method. However, when the wire material is Cu, the surface of the wire is easily oxidized, making the bond at the interface between the stitch joint and the ball joint that covers it unstable.

特開昭５７－１２５３０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 57-12530

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ワイヤの材料に関係なくボンディングワイヤの接合部の接合強度を高めることができる半導体装置を提供することをその課題とする。 The present disclosure was conceived under the above circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can increase the bonding strength of bonding wire bonding parts regardless of the material of the wire. .

本開示によって提供される半導体装置は、第１端部を有するボンディングワイヤと、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う焼結金属接合材とを備えている。 A semiconductor device provided by the present disclosure includes a bonding wire having a first end, a wire bonding portion to which the first end is connected, and a porous sintered metal, and A sintered metal bonding material covering at least a portion and the first end.

本開示によると、焼結金属接合材は、接続された第１端部およびワイヤボンディング部を覆っている。これにより、第１端部は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to the present disclosure, the sintered metal bonding material covers the connected first end and the wire bonding portion. This increases the bonding strength of the first end and suppresses the occurrence of cracks due to thermal stress.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

本開示の第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure; 図１に示す半導体装置の平面図である。2 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG. 図１に示す半導体装置の底面図である。2 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG. 図２のIＶ－IＶ線に沿う断面図である。3 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 2. FIG. 図１に示す半導体装置の要部拡大断面写真である。2 is an enlarged cross-sectional photograph of a main part of the semiconductor device shown in FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。2 is a partially enlarged plan view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。2 is a partially enlarged plan view illustrating the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。2 is a partially enlarged plan view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。2 is a partially enlarged plan view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大平面図である。2 is a partially enlarged plan view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor device shown in FIG. 1. 図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor device shown in FIG. 1. 本開示の第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure. 図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. 14. 本開示の第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure. 図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 16. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。17 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 16. FIG. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。17A to 17C are partial enlarged cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 16. 図１６に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。17A to 17C are partial enlarged cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 16. 図１６に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。17 is a cross-sectional view showing a modification of the semiconductor device shown in FIG. 16. FIG.

以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。 A preferred embodiment of the present disclosure will be described in detail below with reference to the attached drawings.

〔第１実施形態〕
図１～図５に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１～５、半導体素子６、ボンディングワイヤ７１～７４、焼結金属接合材７５，７６、めっき層７９、および封止樹脂８を備えている。 First Embodiment
1 to 5, a semiconductor device A10 according to a first embodiment of the present disclosure will be described. The semiconductor device A10 includes a plurality of leads 1 to 5, a semiconductor element 6, bonding wires 71 to 74, sintered metal bonding materials 75 and 76, a plating layer 79, and a sealing resin 8.

図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図４は、図２のIＶ－IＶ線に沿う断面図である。図５は、半導体装置Ａ１０の要部拡大断面写真である。 Figure 1 is a perspective view showing semiconductor device A10. Figure 2 is a plan view showing semiconductor device A10. In Figure 2, for ease of understanding, the outline of sealing resin 8 is shown by imaginary lines (two-dot chain lines) through sealing resin 8. Figure 3 is a bottom view showing semiconductor device A10. Figure 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in Figure 2. Figure 5 is an enlarged cross-sectional photograph of a main portion of semiconductor device A10.

これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に表面実装される装置である。半導体装置Ａ１０の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の一方の辺に沿う方向（図２における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図２における上下方向）をｙ方向とする。半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されない。 The semiconductor device A10 shown in these figures is a device that is surface-mounted on the circuit boards of various devices. The shape of the semiconductor device A10 when viewed in the thickness direction is rectangular. For ease of explanation, the thickness direction of the semiconductor device A10 is defined as the z direction, the direction along one side of the semiconductor device A10 perpendicular to the z direction (the left-right direction in FIG. 2) is defined as the x direction, and the direction perpendicular to the z direction and the x direction (the up-down direction in FIG. 2) is defined as the y direction. There are no particular limitations on the size of the semiconductor device A10.

複数のリード１～５は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。リード１～５は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、リード１～５が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。リード１～５の厚さは、たとえば０．０８～０．５ｍｍであり、本実施形態においては０．５ｍｍ程度である。リード１～５は、たとえば、金属板にエッチング加工を施すことで形成されている。なお、リード１～５は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されてもよい。以降の説明においては、第１リード１、第２リード２、第３リード３、第４リード４、および第５リード５と記載する。なお、まとめて示す場合は、リード１～５と記載する。 The multiple leads 1 to 5 support the semiconductor element 6 and are electrically connected to the semiconductor element 6. The leads 1 to 5 are made of metal, preferably either Cu or Ni, or an alloy of these, or 42 alloy. In this embodiment, the case where the leads 1 to 5 are made of Cu will be described as an example. The thickness of the leads 1 to 5 is, for example, 0.08 to 0.5 mm, and in this embodiment, it is about 0.5 mm. The leads 1 to 5 are formed, for example, by etching a metal plate. The leads 1 to 5 may be formed by punching or bending a metal plate. In the following description, they will be referred to as the first lead 1, the second lead 2, the third lead 3, the fourth lead 4, and the fifth lead 5. When they are collectively referred to, they will be referred to as the leads 1 to 5.

図２に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１０のｙ方向の中央より一方側（図２においては下側）寄りに配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第２リード２と第３リード３とは、ｙ方向において、第１リード１を挟んで互いに反対側に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。第２リード２は、ｙ方向の一方側の端部であり、かつ、ｘ方向の一方側（図２においては左側）の端部に配置されている。第３リード３は、ｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第４リード４と第５リード５とは、ｙ方向において、第１リード１に対して第２リード２と同じ側（図２においては下側）に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。また、第２リード２、第５リード５および第４リード４は、互いに離間して、この順でｘ方向に並んで配置されている。第１リード１は、ｚ方向視寸法が、他のリード２～５に比べて大きい。リード２～５のｘ方向の寸法は、第３リード３が最大であり、第２リード２、第４リード４、第５リード５の順に小さくなっている。また、第３リード３の第１リード１からの離間距離は、第２リード２、第５リード５および第４リード４の第１リード１からの離間距離より大きい。 As shown in FIG. 2, the first lead 1 is arranged closer to one side (lower side in FIG. 2) than the center of the semiconductor device A10 in the y direction, and extends over the entire area in the x direction. The second lead 2 and the third lead 3 are arranged on opposite sides of the first lead 1 in the y direction, and spaced apart from the first lead 1, respectively. The second lead 2 is disposed at one end in the y direction and at one end in the x direction (left side in FIG. 2). The third lead 3 is arranged at the other end (upper side in FIG. 2) in the y direction, and extends over the entire region in the x direction. The fourth lead 4 and the fifth lead 5 are arranged on the same side of the first lead 1 as the second lead 2 (lower side in FIG. 2) in the y direction, and spaced apart from the first lead 1. has been done. Further, the second lead 2, the fifth lead 5, and the fourth lead 4 are spaced apart from each other and are arranged in this order in the x direction. The first lead 1 has a larger dimension in the z direction than the other leads 2 to 5. Regarding the dimensions in the x direction of the leads 2 to 5, the third lead 3 has the largest size, and the second lead 2, the fourth lead 4, and the fifth lead 5 have smaller dimensions in the order. Further, the distance between the third lead 3 and the first lead 1 is greater than the distance between the second lead 2, the fifth lead 5, and the fourth lead 4 from the first lead 1.

第１リード１は、搭載部１１０および連結部１２０を備えている。 The first lead 1 includes a mounting section 110 and a connecting section 120.

搭載部１１０は、ｚ方向視において第１リード１の中央に位置し、ｚ方向視略矩形状である。搭載部１１０は、搭載部主面１１１、搭載部裏面１１２および搭載部裏面側凹部１１３を有する。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、図４の上方を向く面である。搭載部主面１１１は、半導体素子６が搭載される面である。搭載部裏面１１２は、図４の下方を向く面である。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。搭載部裏面側凹部１１３は、搭載部１１０の一部が搭載部裏面１１２からｚ方向に凹んだ部分である。搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部裏面１１２が位置する部分の厚さの半分程度である。搭載部裏面側凹部１１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 The mounting portion 110 is located at the center of the first lead 1 when viewed in the z direction, and has a substantially rectangular shape when viewed in the z direction. The mounting section 110 has a mounting section main surface 111, a mounting section back surface 112, and a mounting section back side recess 113. The main surface 111 of the mounting section and the rear surface 112 of the mounting section face opposite to each other in the z direction. The main surface 111 of the mounting portion is a surface facing upward in FIG. The mounting portion main surface 111 is a surface on which the semiconductor element 6 is mounted. The mounting portion back surface 112 is a surface facing downward in FIG. 4 . The back surface 112 of the mounting portion is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back terminal. The mounting portion back surface side recessed portion 113 is a portion where a portion of the mounting portion 110 is recessed from the mounting portion back surface 112 in the z direction. The thickness of the portion of the mounting portion 110 where the mounting portion back side recess 113 is located (dimension in the z direction) is approximately half the thickness of the portion where the mounting portion back surface 112 is located. The mounting portion backside recess 113 is formed by, for example, half etching.

連結部１２０は、搭載部１１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の一方端面に２個配置されている。また、連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の他方端面にも２個配置されている。つまり、連結部１２０は、合計４個配置されている。各連結部１２０は、連結部主面１２１、連結部裏面１２２、および連結部端面１２３を有する。連結部主面１２１および連結部裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面１２１は、図４の上方を向く面である。連結部主面１２１と搭載部主面１１１とは、面一になっている。連結部裏面１２２は、図４の下方を向く面である。連結部１２０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さと同程度である。連結部１２０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部端面１２３は、連結部主面１２１および連結部裏面１２２を繋ぐ面であり、ｘ方向外側を向いている。連結部端面１２３は、封止樹脂８から露出している（図１参照）。 The connecting portion 120 is connected to the mounting portion 110 and has a rectangular shape when viewed in the z direction. Two connecting portions 120 are arranged on one end surface of the mounting portion 110 in the x direction. Two connecting portions 120 are also arranged on the other end surface of the mounting portion 110 in the x direction. That is, a total of four connecting portions 120 are arranged. Each connecting portion 120 has a connecting portion main surface 121, a connecting portion back surface 122, and a connecting portion end surface 123. The connecting portion main surface 121 and the connecting portion back surface 122 face opposite each other in the z direction. The connecting portion main surface 121 is a surface facing upward in FIG. 4. The connecting portion main surface 121 and the mounting portion main surface 111 are flush with each other. The connecting portion back surface 122 is a surface facing downward in FIG. 4. The thickness (dimension in the z direction) of the connecting portion 120 is approximately the same as the thickness of the portion of the mounting portion 110 where the mounting portion back surface side recess 113 is located. The connecting portion 120 is formed, for example, by half-etching. The connecting portion end surface 123 is a surface that connects the connecting portion main surface 121 and the connecting portion back surface 122, and faces outward in the x direction. The connecting portion end surface 123 is exposed from the sealing resin 8 (see FIG. 1).

第２リード２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては左下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部２１０、端子部２２０および連結部２３０を備えている。 The second lead 2 is disposed at a corner of the semiconductor device A10 (the lower left corner in FIG. 2) when viewed in the z direction, and includes a wire bonding portion 210, a terminal portion 220, and a connecting portion 230.

ワイヤボンディング部２１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部２１０は、ワイヤボンディング部主面２１１、ワイヤボンディング部裏面２１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部２１３を有する。ワイヤボンディング部主面２１１およびワイヤボンディング部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面２１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面２１１は、ボンディングワイヤ７１がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、ワイヤボンディング部２１０の一部がワイヤボンディング部裏面２１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部２１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面２１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 When viewed in the z direction, the wire bonding portion 210 has a rectangular shape that is long in the x direction. The wire bonding portion 210 has a wire bonding portion main surface 211, a wire bonding portion back surface 212, and a wire bonding portion back surface side recess 213. The wire bonding portion main surface 211 and the wire bonding portion back surface 212 face opposite each other in the z direction. The wire bonding portion main surface 211 is a surface facing upward in FIG. 4. The wire bonding portion main surface 211 is a surface to which the bonding wire 71 is bonded. The wire bonding portion back surface 212 is a surface facing downward in FIG. 4. The wire bonding portion back surface 212 is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The wire bonding portion back surface side recess 213 is a portion of the wire bonding portion 210 recessed in the z direction from the wire bonding portion back surface 212. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 210 where the wire bonding portion rear surface side recess 213 is located is approximately half the thickness of the portion where the wire bonding portion rear surface 212 is located. The wire bonding portion rear surface side recess 213 is formed, for example, by half etching processing.

端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に２個並んで配置されている。端子部２２０は、端子部主面２２１、端子部裏面２２２、および端子部端面２２３を有する。端子部主面２２１および端子部裏面２２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面２２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面２２１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。端子部裏面２２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面２２２とワイヤボンディング部裏面２１２とは、面一になっている。端子部端面２２３は、端子部主面２２１および端子部裏面２２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面２１２、端子部裏面２２２および端子部端面２２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 220 is connected to the wire bonding portion 210 and has a rectangular shape when viewed in the z direction. Two terminal portions 220 are arranged side by side in the x direction on one end surface of the wire bonding portion 210 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 220 has a terminal portion main surface 221, a terminal portion back surface 222, and a terminal portion end surface 223. The terminal portion main surface 221 and the terminal portion back surface 222 face opposite each other in the z direction. The terminal portion main surface 221 is a surface facing upward in FIG. 4. The terminal portion main surface 221 and the wire bonding portion main surface 211 are flush with each other. The terminal portion back surface 222 is a surface facing downward in FIG. 4. The terminal portion back surface 222 and the wire bonding portion back surface 212 are flush with each other. The terminal end surface 223 is a surface that connects the terminal main surface 221 and the terminal back surface 222, and faces outward in the y direction. The wire bonding back surface 212, the terminal back surface 222, and the terminal end surface 223 are exposed from the sealing resin 8 and connected to form a terminal.

連結部２３０は、ワイヤボンディング部２１０のｘ方向外側（図２において左側）に繋がって配置されている。連結部２３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置するワイヤボンディング部２１０の厚さと同程度である。連結部２３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部２３０は、連結部主面２３１、連結部裏面２３２、および連結部端面２３３を有する。連結部主面２３１および連結部裏面２３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面２３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面２３１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面２３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面２３３は、連結部主面２３１および連結部裏面２３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 The connecting portion 230 is connected to the wire bonding portion 210 on the x-direction outer side (left side in FIG. 2). The thickness (dimension in the z-direction) of the connecting portion 230 is approximately the same as the thickness of the wire bonding portion 210 where the wire bonding portion rear side recess 213 is located. The connecting portion 230 is formed, for example, by half etching. The connecting portion 230 has a connecting portion main surface 231, a connecting portion rear surface 232, and a connecting portion end surface 233. The connecting portion main surface 231 and the connecting portion rear surface 232 face opposite each other in the z-direction. The connecting portion main surface 231 is a surface facing upward in FIG. 4. The connecting portion main surface 231 and the wire bonding portion main surface 211 are flush with each other. Therefore, the wire bonding portion main surface 211, the terminal portion main surface 221, and the connecting portion main surface 231 are flush with each other and are an integrated surface (see FIG. 2). The connecting portion rear surface 232 is a surface facing downward in FIG. 4. The connecting portion end surface 233 is the surface that connects the connecting portion main surface 231 and the connecting portion back surface 232 and faces the x direction, and is the surface that is exposed from the sealing resin 8.

第３リード３は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっており、ワイヤボンディング部３１０、端子部３２０、および連結部３３０を備えている。 The third lead 3 is disposed at the end of the semiconductor device A10 on the other side in the y direction (the upper side in FIG. 2) when viewed in the z direction, extends over the entire area in the x direction, and is connected to the wire bonding part 310 and the terminal part. 320, and a connecting portion 330.

ワイヤボンディング部３１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部３１０は、ワイヤボンディング部主面３１１、ワイヤボンディング部裏面３１２、およびワイヤボンディング部裏面側凹部３１３を有する。ワイヤボンディング部主面３１１およびワイヤボンディング部裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面３１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面３１１は、ボンディングワイヤ７２がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、ワイヤボンディング部３１０の一部がワイヤボンディング部裏面３１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部３１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面３１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 When viewed in the z direction, the wire bonding portion 310 has a rectangular shape that is long in the x direction. The wire bonding portion 310 has a wire bonding portion main surface 311, a wire bonding portion back surface 312, and a wire bonding portion back surface side recess 313. The wire bonding portion main surface 311 and the wire bonding portion back surface 312 face opposite each other in the z direction. The wire bonding portion main surface 311 is a surface facing upward in FIG. 4. The wire bonding portion main surface 311 is a surface to which the bonding wire 72 is bonded. The wire bonding portion back surface 312 is a surface facing downward in FIG. 4. The wire bonding portion back surface 312 is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The wire bonding portion back surface side recess 313 is a portion of the wire bonding portion 310 recessed in the z direction from the wire bonding portion back surface 312. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 310 where the wire bonding portion rear surface side recess 313 is located is approximately half the thickness of the portion where the wire bonding portion rear surface 312 is located. The wire bonding portion rear surface side recess 313 is formed, for example, by half etching processing.

端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に４個並んで配置されている。端子部３２０は、端子部主面３２１、端子部裏面３２２、および端子部端面３２３を有する。端子部主面３２１および端子部裏面３２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面３２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面３２１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。端子部裏面３２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面３２２とワイヤボンディング部裏面３１２とは、面一になっている。端子部端面３２３は、端子部主面３２１および端子部裏面３２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面３１２、端子部裏面３２２および端子部端面３２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 320 is connected to the wire bonding portion 310 and has a rectangular shape when viewed in the z direction. Four terminal portions 320 are arranged in a row in the x direction on one end surface of the wire bonding portion 310 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 320 has a terminal portion main surface 321, a terminal portion back surface 322, and a terminal portion end surface 323. The terminal portion main surface 321 and the terminal portion back surface 322 face opposite each other in the z direction. The terminal portion main surface 321 is a surface facing upward in FIG. 4. The terminal portion main surface 321 and the wire bonding portion main surface 311 are flush with each other. The terminal portion back surface 322 is a surface facing downward in FIG. 4. The terminal portion back surface 322 and the wire bonding portion back surface 312 are flush with each other. The terminal end surface 323 is a surface that connects the terminal main surface 321 and the terminal back surface 322, and faces outward in the y direction. The wire bonding back surface 312, the terminal back surface 322, and the terminal end surface 323 are exposed from the sealing resin 8 and connected to form a terminal.

連結部３３０は、２個備えられており、ワイヤボンディング部３１０のｘ方向両端部にそれぞれ繋がって配置されている。連結部３３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置するワイヤボンディング部３１０の厚さと同程度である。連結部３３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部３３０は、連結部主面３３１、連結部裏面３３２、および連結部端面３３３を有する。連結部主面３３１および連結部裏面３３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面３３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面３３１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面３３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面３３３は、連結部主面３３１および連結部裏面３３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 Two connecting portions 330 are provided, and are connected to both ends of the wire bonding portion 310 in the x direction. The thickness of the connecting portion 330 (dimension in the z direction) is approximately the same as the thickness of the wire bonding portion 310 in which the wire bonding portion back side recess 313 is located. The connecting portion 330 is formed by, for example, a half etching process. The connecting portion 330 has a connecting portion main surface 331, a connecting portion back surface 332, and a connecting portion end surface 333. The connecting portion main surface 331 and the connecting portion back surface 332 face opposite sides to each other in the z direction. The connecting portion main surface 331 is a surface facing upward in FIG. 4 . The connecting portion main surface 331 and the wire bonding portion main surface 311 are flush with each other. Therefore, the main surface 311 of the wire bonding part, the main surface 321 of the terminal part, and the main surface 331 of the connecting part are an integral surface that is flush with each other (see FIG. 2). The connecting portion back surface 332 is a surface facing downward in FIG. 4 . The connecting portion end surface 333 is a surface facing the x direction among the surfaces connecting the connecting portion main surface 331 and the connecting portion back surface 332, and is a surface exposed from the sealing resin 8.

第４リード４は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては右下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部４１０、端子部４２０および連結部４３０を備えている。 The fourth lead 4 is disposed at a corner of the semiconductor device A10 (the lower right corner in FIG. 2) when viewed in the z direction, and includes a wire bonding portion 410, a terminal portion 420, and a connecting portion 430.

ワイヤボンディング部４１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部４１０は、ワイヤボンディング部主面４１１、ワイヤボンディング部裏面４１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部４１３を有する。ワイヤボンディング部主面４１１およびワイヤボンディング部裏面４１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面４１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面４１１は、ボンディングワイヤ７３がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、ワイヤボンディング部４１０の一部がワイヤボンディング部裏面４１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部４１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面４１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 When viewed in the z direction, the wire bonding portion 410 has a rectangular shape that is long in the x direction. The wire bonding portion 410 has a wire bonding portion main surface 411, a wire bonding portion back surface 412, and a wire bonding portion back surface side recess 413. The wire bonding portion main surface 411 and the wire bonding portion back surface 412 face opposite each other in the z direction. The wire bonding portion main surface 411 is a surface facing upward in FIG. 4. The wire bonding portion main surface 411 is a surface to which the bonding wire 73 is bonded. The wire bonding portion back surface 412 is a surface facing downward in FIG. 4. The wire bonding portion back surface 412 is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The wire bonding portion back surface side recess 413 is a portion of the wire bonding portion 410 recessed in the z direction from the wire bonding portion back surface 412. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 410 where the wire bonding portion rear surface side recess 413 is located is approximately half the thickness of the portion where the wire bonding portion rear surface 412 is located. The wire bonding portion rear surface side recess 413 is formed, for example, by half etching processing.

端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部４２０は、端子部主面４２１、端子部裏面４２２、および端子部端面４２３を有する。端子部主面４２１および端子部裏面４２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面４２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面４２１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。端子部裏面４２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面４２２とワイヤボンディング部裏面４１２とは、面一になっている。端子部端面４２３は、端子部主面４２１および端子部裏面４２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面４１２、端子部裏面４２２および端子部端面４２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal section 420 is connected to the wire bonding section 410 and has a rectangular shape when viewed in the z direction. The terminal portion 420 is arranged on one end surface of the wire bonding portion 410 in the y direction (the end surface facing outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 420 has a terminal main surface 421, a terminal back surface 422, and a terminal end surface 423. The terminal main surface 421 and the terminal back surface 422 face opposite to each other in the z direction. The terminal main surface 421 is a surface facing upward in FIG. The terminal portion main surface 421 and the wire bonding portion main surface 411 are flush with each other. The terminal portion back surface 422 is a surface facing downward in FIG. 4 . The back surface 422 of the terminal portion and the back surface 412 of the wire bonding portion are flush with each other. The terminal end surface 423 is a surface connecting the terminal main surface 421 and the terminal back surface 422, and faces outward in the y direction. The wire bonding part back surface 412, the terminal part back surface 422, and the terminal part end surface 423 are exposed from the sealing resin 8 and connected, and become terminals.

連結部４３０は、ワイヤボンディング部４１０のｘ方向外側（図２において右側）に繋がって配置されている。連結部４３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置するワイヤボンディング部４１０の厚さと同程度である。連結部４３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部４３０は、連結部主面４３１、連結部裏面４３２、および連結部端面４３３を有する。連結部主面４３１および連結部裏面４３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面４３１は、図４の上方を向く面である。連結部主面４３１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面４３２は、図４の下方を向く面である。連結部端面４３３は、連結部主面４３１および連結部裏面４３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。 The connecting portion 430 is connected to the outer side of the wire bonding portion 410 in the x direction (the right side in FIG. 2). The thickness (dimension in the z direction) of the connecting portion 430 is approximately the same as the thickness of the wire bonding portion 410 where the wire bonding portion back side recess 413 is located. The connecting portion 430 is formed, for example, by half etching. The connecting portion 430 has a connecting portion main surface 431, a connecting portion back surface 432, and a connecting portion end surface 433. The connecting portion main surface 431 and the connecting portion back surface 432 face opposite each other in the z direction. The connecting portion main surface 431 is a surface facing upward in FIG. 4. The connecting portion main surface 431 and the wire bonding portion main surface 411 are flush with each other. Therefore, the wire bonding portion main surface 411, the terminal portion main surface 421, and the connecting portion main surface 431 are flush with each other and are an integrated surface (see FIG. 2). The connecting portion back surface 432 is a surface facing downward in FIG. 4. The connecting portion end surface 433 is the surface that faces the x direction and connects the connecting portion main surface 431 and the connecting portion back surface 432, and is the surface that is exposed from the sealing resin 8.

第５リード５は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の一方側（図２においては下側）の端部の、第２リード２と第４リード４との間に配置され、ワイヤボンディング部５１０および端子部５２０を備えている。 The fifth lead 5 is disposed between the second lead 2 and the fourth lead 4 at one end of the semiconductor device A10 in the y direction (lower side in FIG. 2) when viewed in the z direction. It includes a bonding section 510 and a terminal section 520.

ワイヤボンディング部５１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部５１０は、ワイヤボンディング部主面５１１、ワイヤボンディング部裏面５１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部５１３を有する。ワイヤボンディング部主面５１１およびワイヤボンディング部裏面５１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面５１１は、図４の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面５１１は、ボンディングワイヤ７４がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、図４の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、ワイヤボンディング部５１０の一部がワイヤボンディング部裏面５１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部５１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部５１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面５１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。 When viewed in the z direction, the wire bonding portion 510 has a rectangular shape that is long in the x direction. The wire bonding portion 510 has a wire bonding portion main surface 511, a wire bonding portion back surface 512, and a wire bonding portion back surface recess 513. The wire bonding portion main surface 511 and the wire bonding portion back surface 512 face opposite each other in the z direction. The wire bonding portion main surface 511 faces upward in FIG. 4. The wire bonding portion main surface 511 is the surface to which the bonding wire 74 is bonded. The wire bonding portion back surface 512 is the surface facing downward in FIG. 4. The wire bonding portion back surface 512 is exposed from the sealing resin 8 and becomes a back surface terminal. The wire bonding portion back surface recess 513 is a portion of the wire bonding portion 510 recessed in the z direction from the wire bonding portion back surface 512. The thickness (dimension in the z direction) of the portion of the wire bonding portion 510 where the wire bonding portion rear surface side recess 513 is located is approximately half the thickness of the portion where the wire bonding portion rear surface 512 is located. The wire bonding portion rear surface side recess 513 is formed, for example, by half etching processing.

端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部５２０は、端子部主面５２１、端子部裏面５２２、および端子部端面５２３を有する。端子部主面５２１および端子部裏面５２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面５２１は、図４の上方を向く面である。端子部主面５２１とワイヤボンディング部主面５１１とは、面一になっている。端子部裏面５２２は、図４の下方を向く面である。端子部裏面５２２とワイヤボンディング部裏面５１２とは、面一になっている。端子部端面５２３は、端子部主面５２１および端子部裏面５２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面５１２、端子部裏面５２２および端子部端面５２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。 The terminal portion 520 is connected to the wire bonding portion 510 and has a rectangular shape when viewed in the z direction. The terminal portion 520 is disposed on one end surface of the wire bonding portion 510 in the y direction (the end surface facing the outside of the semiconductor device A10). The terminal portion 520 has a terminal portion main surface 521, a terminal portion back surface 522, and a terminal portion end surface 523. The terminal portion main surface 521 and the terminal portion back surface 522 face opposite each other in the z direction. The terminal portion main surface 521 is a surface facing upward in FIG. 4. The terminal portion main surface 521 and the wire bonding portion main surface 511 are flush with each other. The terminal portion back surface 522 is a surface facing downward in FIG. 4. The terminal portion back surface 522 and the wire bonding portion back surface 512 are flush with each other. The terminal portion end surface 523 is a surface connecting the terminal portion main surface 521 and the terminal portion back surface 522, and faces outward in the y direction. The wire bonding portion back surface 512, the terminal portion back surface 522, and the terminal portion end surface 523 are exposed from the sealing resin 8 and connected to form a terminal.

めっき層７９は、図２および図４に示すように、各リード１～５の焼結金属接合材７５または焼結金属接合材７６が配置される領域に形成されている。めっき層７９は、たとえばＡｇを含有する。なお、めっき層７９の材料は限定されない。めっき層７９は、めっき層７９１～７９５を含んでいる。 As shown in FIGS. 2 and 4, the plating layer 79 is formed in a region where the sintered metal bonding material 75 or the sintered metal bonding material 76 of each lead 1 to 5 is arranged. Plating layer 79 contains, for example, Ag. Note that the material of the plating layer 79 is not limited. Plating layer 79 includes plating layers 791 to 795.

めっき層７９１は、第１リード１の搭載部主面１１１に接して形成されており、搭載部主面１１１のうち、半導体素子６が搭載され焼結金属接合材７５が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９１は、ｚ方向視において長矩形状であり、搭載部主面１１１のｘ方向中央で、かつ、ｙ方向中央に配置されている。なお、めっき層７９１は、少なくとも焼結金属接合材７５が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９１は、搭載部主面１１１の全面を覆っていてもよいし、搭載部裏面１１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９１は、第１リード１の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 791 is formed in contact with the main surface 111 of the mounting section of the first lead 1, and covers the region of the main surface 111 of the mounting section where the semiconductor element 6 is mounted and the sintered metal bonding material 75 is arranged. ing. In this embodiment, the plating layer 791 has an elongated rectangular shape when viewed in the z direction, and is disposed at the center of the mounting portion main surface 111 in the x direction and the center in the y direction. Note that the plating layer 791 only needs to cover at least the area where the sintered metal bonding material 75 is arranged, and may cover other parts as well. That is, the plating layer 791 may cover the entire surface of the main surface 111 of the mounting section, or may also be formed on the rear surface 112 of the mounting section. Further, the plating layer 791 may cover the entire first lead 1.

めっき層７９２は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面２１１のうち、ボンディングワイヤ７１が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９２は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面２１１上に２個配置されている。なお、めっき層７９２は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９２は、ワイヤボンディング部主面２１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面２１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９２は、第２リード２の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 792 is formed in contact with the main surface 211 of the wire bonding part of the second lead 2, and the area of the main surface 211 of the wire bonding part where the bonding wire 71 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. is covered. In this embodiment, the plating layer 792 has an elongated rectangular shape when viewed in the z direction, and two plating layers 792 are arranged on the main surface 211 of the wire bonding part. Note that the plating layer 792 only needs to cover at least the area where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may cover other parts as well. That is, the plating layer 792 may cover the entire surface of the main surface 211 of the wire bonding part, or may be formed on the back surface 212 of the wire bonding part. Further, the plating layer 792 may cover the entire second lead 2.

めっき層７９３は、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面３１１のうち、ボンディングワイヤ７２が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９３は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面３１１上に４個配置されている。なお、めっき層７９３は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９３は、ワイヤボンディング部主面３１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面３１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９３は、第３リード３の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 793 is formed in contact with the wire bonding portion main surface 311 of the third lead 3, and covers the area of the wire bonding portion main surface 311 where the bonding wire 72 is connected and the sintered metal bonding material 76 is disposed. In this embodiment, the plating layer 793 has an elongated rectangular shape when viewed in the z direction, and four plating layers are disposed on the wire bonding portion main surface 311. Note that the plating layer 793 only needs to cover at least the area where the sintered metal bonding material 76 is disposed, and may also cover other parts. In other words, the plating layer 793 may cover the entire surface of the wire bonding portion main surface 311, or may be formed on the wire bonding portion back surface 312. The plating layer 793 may also cover the entire third lead 3.

めっき層７９４は、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面４１１のうち、ボンディングワイヤ７３が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９４は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面４１１上に１個配置されている。なお、めっき層７９４は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９４は、ワイヤボンディング部主面４１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面４１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９４は、第４リード４の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 794 is formed in contact with the main surface 411 of the wire bonding part of the fourth lead 4, and the area of the main surface 411 of the wire bonding part where the bonding wire 73 is connected and the sintered metal bonding material 76 is arranged. is covered. In this embodiment, the plating layer 794 has an elongated rectangular shape when viewed in the z direction, and one plating layer 794 is disposed on the main surface 411 of the wire bonding part. Note that the plating layer 794 only needs to cover at least the area where the sintered metal bonding material 76 is arranged, and may cover other parts as well. That is, the plating layer 794 may cover the entire surface of the main surface 411 of the wire bonding part, or may be formed on the back surface 412 of the wire bonding part. Further, the plating layer 794 may cover the entire fourth lead 4.

めっき層７９５は、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１に接して形成されており、ワイヤボンディング部主面５１１のうち、ボンディングワイヤ７４が接続され焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９５は、ｚ方向視において長矩形状であり、ワイヤボンディング部主面５１１上に１個配置されている。なお、めっき層７９５は、少なくとも焼結金属接合材７６が配置される領域を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９５は、ワイヤボンディング部主面５１１の全面を覆っていてもよいし、ワイヤボンディング部裏面５１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９５は、第５リード５の全体を覆っていてもよい。 The plating layer 795 is formed in contact with the wire bonding portion main surface 511 of the fifth lead 5, and covers the area of the wire bonding portion main surface 511 where the bonding wire 74 is connected and the sintered metal bonding material 76 is disposed. In this embodiment, the plating layer 795 has an elongated rectangular shape when viewed in the z direction, and one plating layer is disposed on the wire bonding portion main surface 511. Note that the plating layer 795 only needs to cover at least the area where the sintered metal bonding material 76 is disposed, and may also cover other parts. In other words, the plating layer 795 may cover the entire surface of the wire bonding portion main surface 511, or may be formed on the wire bonding portion back surface 512. The plating layer 795 may also cover the entire fifth lead 5.

半導体素子６は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。本実施形態では、半導体素子６は、トランジスタである。なお、トランジスタの種類および内部構造は限定されない。また、半導体素子６は、他の半導体素子であってもよく、たとえばダイオードや、サイリスタ、コントロールＩＣなどのＩＣチップであってもよい。本実施形態では、半導体素子６はＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）であって、素子本体６０、第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４を備えている。 The semiconductor element 6 is an element that exerts the electrical function of the semiconductor device A10. In this embodiment, the semiconductor element 6 is a transistor. The type and internal structure of the transistor are not limited. The semiconductor element 6 may be another semiconductor element, for example, a diode, a thyristor, or an IC chip such as a control IC. In this embodiment, the semiconductor element 6 is a HEMT (High Electron Mobility Transistor), and includes an element body 60, a first electrode 61, a second electrode 62, a third electrode 63, and a metal layer 64.

素子本体６０は、半導体材料よりなる。本実施形態においては、当該半導体材料はシリコンである。素子本体６０は、直方体であり、素子主面６ａ、素子裏面６ｂ、および素子側面６ｃを備えている。図４に示すように、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６ａは、図４の上方を向く面である。素子裏面６ｂは、図４の下方を向く面である。素子側面６ｃは、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂに繋がる面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。 The element body 60 is made of a semiconductor material. In this embodiment, the semiconductor material is silicon. The element body 60 is a rectangular parallelepiped, and has an element main surface 6a, an element back surface 6b, and an element side surface 6c. As shown in FIG. 4, the element main surface 6a and the element back surface 6b face opposite each other in the z direction. The element main surface 6a faces upward in FIG. 4. The element back surface 6b faces downward in FIG. 4. The element side surface 6c is a surface connected to the element main surface 6a and the element back surface 6b, and faces in the x direction or y direction.

第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３は、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどのめっき層からなり、図２に示すように、素子主面６ａに配置されている。なお、第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３の配置のレイアウトは限定されない。第１電極６１は、ソース電極として機能する。第２電極６２は、ドレイン電極として機能する。第３電極６３は、ゲート電極として機能する。 The first electrode 61, the second electrode 62, and the third electrode 63 are made of plating layers of, for example, Cu, Ni, Al, Au, etc., and are arranged on the element main surface 6a as shown in FIG. 2. The layout of the first electrode 61, the second electrode 62, and the third electrode 63 is not limited. The first electrode 61 functions as a source electrode. The second electrode 62 functions as a drain electrode. The third electrode 63 functions as a gate electrode.

金属層６４は、図４に示すように、素子裏面６ｂに配置されている。本実施形態では、金属層６４は、素子裏面６ｂの全体を覆っている。なお、金属層６４は、素子裏面６ｂの一部にのみ形成されていてもよい。ただし、焼結金属接合材７５に接する面積を大きくするために、金属層６４は、素子裏面６ｂの全面を覆うことが望ましい。金属層６４の材料は、焼結金属接合材７５と金属結合する金属であればよく、たとえばＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉなどが考えられる。なお、金属層６４の材料は、これらに限定されず、他の金属であってもよいし、合金であってもよい。本実施形態では、金属層６４の材料は、Ａｇである。 The metal layer 64 is arranged on the back surface 6b of the element, as shown in FIG. In this embodiment, the metal layer 64 covers the entire back surface 6b of the element. Note that the metal layer 64 may be formed only on a part of the element back surface 6b. However, in order to increase the area in contact with the sintered metal bonding material 75, it is desirable that the metal layer 64 cover the entire surface of the back surface 6b of the element. The material of the metal layer 64 may be any metal that can be metallically bonded to the sintered metal bonding material 75, and examples thereof include Ag, Au, Cu, and Ni. Note that the material of the metal layer 64 is not limited to these, and may be other metals or alloys. In this embodiment, the material of the metal layer 64 is Ag.

図２に示すように、半導体素子６は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９上に搭載されている。図４に示すように、半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて、焼結金属接合材７５を介して、第１リード１の搭載部主面１１１に搭載されている。 As shown in FIG. 2, the semiconductor element 6 is mounted on a plating layer 79 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. As shown in FIG. As shown in FIG. 4, the semiconductor element 6 is mounted on the main surface 111 of the mounting part of the first lead 1 via the sintered metal bonding material 75 with the back surface 6b of the element facing the main surface 111 of the mounting part. .

焼結金属接合材７５は、半導体素子６と第１リード１との間に介在し、これらを接合する。焼結金属接合材７５は、焼結金属を含んでいる。本実施形態においては、当該焼結金属は、焼結銀である。なお、焼結金属はこれに限られず、焼結銅などであってもよい。焼結金属接合材７５は多孔質であり、多数の微細孔を有する。焼結金属接合材７５は、銀粒子を含むペーストに焼結処理を行って銀粒子を焼結させ、金属結合された多孔質の焼結銀の層として形成される。焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子裏面６ｂに形成された金属層６４に接しており、金属層６４と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９に接しており、めっき層７９とも金属結合している。これにより、焼結金属接合材７５は、半導体素子６が放出した熱を、効率よく第１リード１に伝達することができる。 The sintered metal bonding material 75 is interposed between the semiconductor element 6 and the first lead 1 to bond them together. Sintered metal bonding material 75 contains sintered metal. In this embodiment, the sintered metal is sintered silver. Note that the sintered metal is not limited to this, and may be sintered copper or the like. The sintered metal bonding material 75 is porous and has many micropores. The sintered metal bonding material 75 is formed as a metal-bonded porous sintered silver layer by performing a sintering process on a paste containing silver particles to sinter the silver particles. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the metal layer 64 formed on the back surface 6b of the semiconductor element 6, and is metallically bonded to the metal layer 64. Further, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 79 formed on the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and is also metallically bonded to the plating layer 79. Thereby, the sintered metal bonding material 75 can efficiently transfer the heat released by the semiconductor element 6 to the first lead 1.

焼結金属接合材７５は、図２に示すように、ｚ方向視において、半導体素子６に重なっている。また、焼結金属接合材７５は、ｚ方向視において、めっき層７９に内包されている。本実施形態では、焼結金属接合材７５のｚ方向に直交する断面は、第１リード１の搭載部主面１１１に近づくほど大きくなり、半導体素子６に近づくほど小さくなっている。つまり、図４に示すように、焼結金属接合材７５のｘ方向視の形状は台形状になっており、図示しないが、焼結金属接合材７５のｙ方向視の形状も台形状になっている。また、本実施形態では、図４に示すように、焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子本体６０の素子側面６ｃの一部も覆っている。 2, the sintered metal bonding material 75 overlaps the semiconductor element 6 when viewed in the z direction. Also, the sintered metal bonding material 75 is contained in the plating layer 79 when viewed in the z direction. In this embodiment, the cross section of the sintered metal bonding material 75 perpendicular to the z direction becomes larger as it approaches the main mounting surface 111 of the first lead 1, and becomes smaller as it approaches the semiconductor element 6. That is, as shown in FIG. 4, the shape of the sintered metal bonding material 75 when viewed in the x direction is trapezoidal, and although not shown, the shape of the sintered metal bonding material 75 when viewed in the y direction is also trapezoidal. Also, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 75 also covers a part of the element side surface 6c of the element body 60 of the semiconductor element 6.

ボンディングワイヤ７１～７４は、半導体素子６とリード２～５とを接続し、これらを導通させるものである。ボンディングワイヤ７１～７４は、たとえばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属からなる。なお、ボンディングワイヤ７１～７４の材料は限定されない。また、ボンディングワイヤ７１～７４は、たとえば不純物として他の成分（金属、非金属等）を許容範囲内で含んでいてもよい。本実施形態においては、ボンディングワイヤ７１～７４が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。なお、ボンディングワイヤ７１～７４は、さらにＰｄなどによって表面が覆われていてもよい。 The bonding wires 71 to 74 connect the semiconductor element 6 and the leads 2 to 5, and provide electrical continuity between them. The bonding wires 71 to 74 are made of a metal such as Cu, Au, Ag, or Al. The material of the bonding wires 71 to 74 is not limited. The bonding wires 71 to 74 may contain other components (metals, non-metals, etc.) as impurities within the allowable range. In this embodiment, the bonding wires 71 to 74 are made of Cu. The bonding wires 71 to 74 may further have their surfaces covered with Pd or the like.

複数のボンディングワイヤ７１は、図２に示すように、半導体素子６の第１電極６１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１とに接続されている。これにより、第２リード２は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソース端子として機能する。図４に示すように、各ボンディングワイヤ７１は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７１１および第２接合部７１２を備えている。第１接合部７１１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７１１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７１１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７１２は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接合されている。第２接合部７１２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７１２は、第１接合部７１１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９２に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７１１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７１２」が本開示の第１端部に相当する。 The plurality of bonding wires 71 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2, as shown in FIG. Thereby, the second lead 2 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source terminal. As shown in FIG. 4, each bonding wire 71 includes a first bonding portion 711 and a second bonding portion 712 located at opposite ends. The first bonding portion 711 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 . The first bonding portion 711 is a ball bonding portion bonded by ball bonding in a wire bonding step of the manufacturing process. The first bonding portion 711 is formed by forming a molten ball at the tip of a wire, pressing the ball against the first electrode 61, and applying ultrasonic vibration to bond the ball. The second bonding portion 712 is bonded to a plating layer 792 formed on the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2 . The second joint portion 712 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second bonding portion 712 is formed by forming the first bonding portion 711 and moving the capillary while pulling out the wire, and then pressing the wire against the plating layer 792 and applying ultrasonic vibration to bond it, and then cutting the wire. is formed. In this embodiment, the "first joint part 711" corresponds to the second end part of the present disclosure, and the "second joint part 712" corresponds to the first end part of the present disclosure.

複数のボンディングワイヤ７２は、図２に示すように、半導体素子６の第２電極６２と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１とに接続されている。これにより、第３リード３は、半導体素子６の第２電極６２（ドレイン電極）に電気的に接続されて、ドレイン端子として機能する。図４に示すように、各ボンディングワイヤ７２は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７２１および第２接合部７２２を備えている。第１接合部７２１は、半導体素子６の第２電極６２に接合されている。第１接合部７２１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７２１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第２電極６２に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７２２は、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１に形成されためっき層７９３に接合されている。第２接合部７２２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７２２は、第１接合部７２１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９３に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７２１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７２２」が本開示の第１端部に相当する。 The plurality of bonding wires 72 are connected to the second electrode 62 of the semiconductor element 6 and the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3, as shown in FIG. Thereby, the third lead 3 is electrically connected to the second electrode 62 (drain electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a drain terminal. As shown in FIG. 4, each bonding wire 72 includes a first bonding portion 721 and a second bonding portion 722 located at opposite ends. The first bonding portion 721 is bonded to the second electrode 62 of the semiconductor element 6 . The first bonding portion 721 is a ball bonding portion bonded by ball bonding in a wire bonding step of the manufacturing process. The first bonding portion 721 is formed by forming a molten ball at the tip of a wire, pressing the ball against the second electrode 62, and applying ultrasonic vibration to bond the ball. The second bonding portion 722 is bonded to a plating layer 793 formed on the main surface 311 of the wire bonding portion of the third lead 3 . The second joint portion 722 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second bonding portion 722 is formed by forming the first bonding portion 721 and moving the capillary while pulling out the wire, and then pressing the wire against the plating layer 793 and applying ultrasonic vibration to bond it, and then cutting the wire. is formed. In this embodiment, the "first joint part 721" corresponds to the second end part of the present disclosure, and the "second joint part 722" corresponds to the first end part of the present disclosure.

ボンディングワイヤ７３は、図２に示すように、半導体素子６の第３電極６３と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１とに接続されている。これにより、第４リード４は、半導体素子６の第３電極６３（ゲート電極）に電気的に接続されて、ゲート端子として機能する。ボンディングワイヤ７３は、図示しないが、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７３１および第２接合部７３２を備えている。第１接合部７３１は、半導体素子６の第３電極６３に接合されている。第１接合部７３１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７３１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第３電極６３に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７３２は、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１に形成されためっき層７９４に接合されている。第２接合部７３２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７３２は、第１接合部７３１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９４に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７３１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７３２」が本開示の第１端部に相当する。 The bonding wire 73 is connected to the third electrode 63 of the semiconductor element 6 and the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4, as shown in FIG. Thereby, the fourth lead 4 is electrically connected to the third electrode 63 (gate electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a gate terminal. Although not shown, the bonding wire 73 includes a first bonding portion 731 and a second bonding portion 732 located at opposite ends. The first bonding portion 731 is bonded to the third electrode 63 of the semiconductor element 6 . The first bonding portion 731 is a ball bonding portion that is bonded by ball bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The first bonding portion 731 is formed by forming a molten ball at the tip of a wire, pressing the ball against the third electrode 63, and applying ultrasonic vibration to bond the ball. The second bonding portion 732 is bonded to a plating layer 794 formed on the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4 . The second joint portion 732 is a stitch joint portion joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second bonding portion 732 is formed by forming the first bonding portion 731 and moving the capillary while pulling out the wire, and then pressing the wire against the plating layer 794 and applying ultrasonic vibration to bond it, and then cutting the wire. is formed. In this embodiment, the "first joint part 731" corresponds to the second end part of the present disclosure, and the "second joint part 732" corresponds to the first end part of the present disclosure.

複数のボンディングワイヤ７４は、図２に示すように、半導体素子６の第１電極６１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１とに接続されている。これにより、第５リード５は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソースセンス端子として機能する。ソースセンス端子は、第１電極６１（ソース電極）の電位を検出するための端子である。各ボンディングワイヤ７４は、図示しないが、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７４１および第２接合部７４２を備えている。第１接合部７４１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７４１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７４１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７４２は、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１に形成されためっき層７９５に接合されている。第２接合部７４２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７４２は、第１接合部７４１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９５に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。本実施形態では、「第１接合部７４１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７４２」が本開示の第１端部に相当する。 As shown in FIG. 2, the bonding wires 74 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the wire bonding portion main surface 511 of the fifth lead 5. As a result, the fifth lead 5 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source sense terminal. The source sense terminal is a terminal for detecting the potential of the first electrode 61 (source electrode). Although not shown, each bonding wire 74 has a first joint portion 741 and a second joint portion 742 located at opposite ends. The first joint portion 741 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The first joint portion 741 is a ball joint bonded by ball bonding in the wire bonding process of the manufacturing process. The first joint portion 741 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing it against the first electrode 61, and bonding it by applying ultrasonic vibration. The second joint portion 742 is bonded to a plating layer 795 formed on the wire bonding portion main surface 511 of the fifth lead 5. The second joint 742 is a stitch joint that is joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint 742 is formed by forming the first joint 741, drawing out the wire while moving the capillary, pressing the wire against the plating layer 795, applying ultrasonic vibration to join the wire, and cutting the wire. In this embodiment, the "first joint 741" corresponds to the second end of the present disclosure, and the "second joint 742" corresponds to the first end of the present disclosure.

なお、各ボンディングワイヤ７１～７４の本数は限定されない。また、各ボンディングワイヤ７１～７４の材料および太さは限定されず、全て同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。 Note that the number of each bonding wire 71 to 74 is not limited. Further, the material and thickness of each of the bonding wires 71 to 74 are not limited, and may be all the same or different.

焼結金属接合材７６は、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）の第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）の接合強度を高めるために形成されている。焼結金属接合材７６は、焼結金属を含んでいる。本実施形態においては、当該焼結金属は、焼結銀である。なお、焼結金属はこれに限られず、焼結銅などであってもよい。焼結金属接合材７６は多孔質であり、多数の微細孔を有する。焼結金属接合材７６は、銀粒子を含むペーストに焼結処理を行って銀粒子を焼結させ、金属結合された多孔質の焼結銀の層として形成される。 The sintered metal bonding material 76 is formed to increase the bonding strength of the second bonding portion 712 (722, 732, 742) of the bonding wire 71 (72, 73, 74). The sintered metal bonding material 76 contains sintered metal. In this embodiment, the sintered metal is sintered silver. However, the sintered metal is not limited to this, and may be sintered copper or the like. The sintered metal bonding material 76 is porous and has many fine holes. The sintered metal bonding material 76 is formed as a layer of porous sintered silver bonded by metal bonding by performing a sintering process on a paste containing silver particles to sinter the silver particles.

本実施形態では、焼結金属接合材７６における焼結銀の体積比率は、比較的高く、たとえば５０％以上８０％以下である。なお、焼結銀の体積比率はこの範囲に限定されない。また、焼結金属接合材７６は、スペーサを含んでいない。なお、焼結金属接合材７６は、たとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいてもよい。なお、スペーサの材料は限定されず、他の熱可塑性樹脂であってもよいし、その他の材料であってもよい。本実施形態では、焼結金属接合材７６は、焼結金属接合材７５と同じ材料からなるが、焼結金属接合材７６の材料は、焼結金属接合材７５と異なっていてもよい。焼結金属接合材７６は、焼結金属接合材７６１，７６２，７６３，７６４を含んでいる。 In this embodiment, the volume ratio of sintered silver in the sintered metal bonding material 76 is relatively high, for example, 50% to 80%. The volume ratio of sintered silver is not limited to this range. The sintered metal bonding material 76 does not include a spacer. The sintered metal bonding material 76 may include a spacer made of, for example, acrylic resin. The material of the spacer is not limited, and may be other thermoplastic resin or other material. In this embodiment, the sintered metal bonding material 76 is made of the same material as the sintered metal bonding material 75, but the material of the sintered metal bonding material 76 may be different from that of the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 76 includes sintered metal bonding materials 761, 762, 763, and 764.

焼結金属接合材７６１は、図４に示すように、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、ワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接しており、めっき層７９２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１とめっき層７９２とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 761 covers the second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a portion of the wire bonding portion main surface 211 of the second lead 2. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the plating layer 792 formed on the wire bonding portion main surface 211 and is metallically bonded to the plating layer 792. The sintered metal bonding material 761 is also in contact with the bonding wire 71 and is metallically bonded to the bonding wire 71. In other words, the bonding wire 71 and the plating layer 792 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 761. This increases the bonding strength of the second bonding portion 712.

図５(ａ)は、図４の領域Ａの部分に相当する要部拡大断面写真である。図５（ｂ）は、図５(ａ)の要部拡大断面写真における領域Ｂの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真である。図５（ｂ）を見ると、ボンディングワイヤ７１と焼結金属接合材７６１とが金属結合していることが解る。また、図５（ｃ）は、図５(ａ)の要部拡大断面写真における領域Ｃの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真である。図５（ｃ）を見ると、めっき層７９２と焼結金属接合材７６１とが金属結合していることが解る。 Figure 5(a) is an enlarged cross-sectional photograph of the essential part corresponding to region A in Figure 4. Figure 5(b) is an enlarged cross-sectional photograph of the essential part, further enlarging region B in the enlarged cross-sectional photograph of the essential part in Figure 5(a). From Figure 5(b), it can be seen that the bonding wire 71 and the sintered metal bonding material 761 are metallically bonded. Also, Figure 5(c) is an enlarged cross-sectional photograph of the essential part, further enlarging region C in the enlarged cross-sectional photograph of the essential part in Figure 5(a). From Figure 5(c), it can be seen that the plating layer 792 and the sintered metal bonding material 761 are metallically bonded.

焼結金属接合材７６２は、図４に示すように、ボンディングワイヤ７２の第２接合部７２２と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２は、ワイヤボンディング部主面３１１に形成されためっき層７９３に接しており、めっき層７９３と金属結合している。また、焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２に接しており、ボンディングワイヤ７２とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２とめっき層７９３とが、焼結金属接合材７６２によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７２２の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 4, the sintered metal bonding material 762 covers the second bonding portion 722 of the bonding wire 72 and a portion of the wire bonding portion main surface 311 of the third lead 3. The sintered metal bonding material 762 is in contact with the plating layer 793 formed on the wire bonding portion main surface 311 and is metallically bonded to the plating layer 793. The sintered metal bonding material 762 is also in contact with the bonding wire 72 and is metallically bonded to the bonding wire 72. In other words, the bonding wire 72 and the plating layer 793 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 762. This increases the bonding strength of the second bonding portion 722.

焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３の第２接合部７３２と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６３は、ワイヤボンディング部主面４１１に形成されためっき層７９４に接しており、めっき層７９４と金属結合している。また、焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３に接しており、ボンディングワイヤ７３とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７３とめっき層７９４とが、焼結金属接合材７６３によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７３２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 763 covers the second bonding portion 732 of the bonding wire 73 and a portion of the main surface 411 of the wire bonding portion of the fourth lead 4 . The sintered metal bonding material 763 is in contact with the plating layer 794 formed on the main surface 411 of the wire bonding part, and is metallically bonded to the plating layer 794. Further, the sintered metal bonding material 763 is in contact with the bonding wire 73 and is also metallically bonded to the bonding wire 73. In other words, the bonding wire 73 and the plating layer 794 are joined by metallic bonding over a wide range by the sintered metal joining material 763. This increases the joint strength of the second joint portion 732.

焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４の第２接合部７４２と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６４は、ワイヤボンディング部主面５１１に形成されためっき層７９５に接しており、めっき層７９５と金属結合している。また、焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４に接しており、ボンディングワイヤ７４とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７４とめっき層７９５とが、焼結金属接合材７６４によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７４２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 764 covers the second bonding portion 742 of the bonding wire 74 and a portion of the main surface 511 of the wire bonding portion of the fifth lead 5 . The sintered metal bonding material 764 is in contact with the plating layer 795 formed on the main surface 511 of the wire bonding part, and is metallically bonded to the plating layer 795. Further, the sintered metal bonding material 764 is in contact with the bonding wire 74 and is also metallically bonded to the bonding wire 74. In other words, the bonding wire 74 and the plating layer 795 are joined by metallic bonding over a wide range by the sintered metal joining material 764. This increases the joint strength of the second joint portion 742.

封止樹脂８は、各リード１～５の一部ずつ、半導体素子６、焼結金属接合材７５，７６、めっき層７９、およびボンディングワイヤ７１～７４を覆っている。封止樹脂８は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。本実施形態においては、封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。 The sealing resin 8 covers a portion of each of the leads 1 to 5, the semiconductor element 6, the sintered metal bonding materials 75 and 76, the plating layer 79, and the bonding wires 71 to 74. The sealing resin 8 is a thermosetting synthetic resin that has electrical insulation properties. In this embodiment, the sealing resin 8 is made of, for example, a black epoxy resin.

封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２および樹脂側面８３を有する。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１は、図４の上方を向く面であり、樹脂裏面８２は、図４の下方を向く面である。樹脂側面８３は、樹脂主面８１および樹脂裏面８２を繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。 The sealing resin 8 has a resin main surface 81, a resin back surface 82, and a resin side surface 83. The main resin surface 81 and the resin back surface 82 face opposite sides in the z direction. The resin main surface 81 is a surface facing upward in FIG. 4, and the resin back surface 82 is a surface facing downward in FIG. The resin side surface 83 is a surface connecting the resin main surface 81 and the resin back surface 82, and faces the x direction or the y direction.

本実施形態においては、第１リード１の連結部端面１２３と、第２リード２の端子部端面２２３および連結部端面２３３と、第３リード３の端子部端面３２３および連結部端面３３３と、第４リード４の端子部端面４２３および連結部端面４３３と、第５リード５の端子部端面５２３とが、封止樹脂８の樹脂側面８３と互いに面一である。また、第１リード１の搭載部裏面１１２と、第２リード２のワイヤボンディング部裏面２１２および端子部裏面２２２と、第３リード３のワイヤボンディング部裏面３１２および端子部裏面３２２と、第４リード４のワイヤボンディング部裏面４１２および端子部裏面４２２と、第５リード５のワイヤボンディング部裏面５１２および端子部裏面５２２とが、封止樹脂８の樹脂裏面８２と互いに面一である。 In this embodiment, the connecting portion end surface 123 of the first lead 1, the terminal portion end surface 223 and the connecting portion end surface 233 of the second lead 2, the terminal portion end surface 323 and the connecting portion end surface 333 of the third lead 3, The terminal end face 423 and the connecting end face 433 of the fourth lead 4 and the terminal end face 523 of the fifth lead 5 are flush with the resin side surface 83 of the sealing resin 8 . Also, the mounting part back surface 112 of the first lead 1, the wire bonding part back surface 212 and the terminal part back surface 222 of the second lead 2, the wire bonding part back surface 312 and the terminal part back surface 322 of the third lead 3, and the fourth lead The wire bonding portion back surface 412 and terminal portion back surface 422 of No. 4 and the wire bonding portion back surface 512 and terminal portion back surface 522 of the fifth lead 5 are flush with the resin back surface 82 of the sealing resin 8.

次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図６～図１０を参照して以下に説明する。なお、これらの図は、部分拡大平面図であり、ｘ方向およびｙ方向は、図２と同じ方向を示している。 Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor device A10 will be described below with reference to FIGS. 6 to 10. Note that these figures are partially enlarged plan views, and the x direction and y direction indicate the same directions as in FIG. 2.

まず、図６に示すように、リードフレーム９１０を用意する。リードフレーム９１０は、各リード１～５となる板状の材料である。リードフレーム９１０の主面９１１は、第１リード１の搭載部主面１１１および連結部主面１２１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１および端子部主面５２１になる面である。リードフレーム９１０の主面９１１は、面一になっている。図中の比較的密であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が厚い領域である。一方、図中の比較的粗であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が薄い領域である。当該領域は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。本実施形態においては、リードフレーム９１０の母材は、Ｃｕからなる。 First, as shown in FIG. 6, a lead frame 910 is prepared. The lead frame 910 is a plate-shaped material that becomes each lead 1 to 5. The main surface 911 of the lead frame 910 includes the mounting part main surface 111 and the connecting part main surface 121 of the first lead 1, the wire bonding part main surface 211, the terminal part main surface 221, and the connecting part main surface 231 of the second lead 2. , the wire bonding part main surface 311, the terminal part main surface 321, and the connection part main surface 331 of the third lead 3; the wire bonding part main surface 411, the terminal part main surface 421, and the connection part main surface 431 of the fourth lead 4. This is the surface that becomes the wire bonding part main surface 511 and the terminal part main surface 521 of the fifth lead 5. The main surface 911 of the lead frame 910 is flush with the main surface 911 . The relatively densely hatched regions in the figure are regions with a large thickness (dimension in the z direction). On the other hand, the relatively coarsely hatched areas in the figure are areas where the thickness (dimension in the z direction) is small. The region is formed by, for example, a half etching process. In this embodiment, the base material of the lead frame 910 is made of Cu.

また、リードフレーム９１０とは別に、半導体素子６を用意する。具体的には、素子本体６０となるウエハに第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４となるめっき処理を施す。当該ウエハは、素子本体６０（半導体素子６）を複数個生成可能なサイズとされる。そして、めっき処理されたウエハをダイシングして、半導体素子６を生成する。 Further, apart from the lead frame 910, the semiconductor element 6 is prepared. Specifically, a wafer that will become the element body 60 is subjected to plating processing that will become the first electrode 61, second electrode 62, third electrode 63, and metal layer 64. The wafer has a size that allows production of a plurality of element bodies 60 (semiconductor elements 6). The plated wafer is then diced to produce semiconductor elements 6.

次いで、図７に示すように、リードフレーム９１０にめっき層７９１～７９５を形成し、めっき層７９１に、焼結金属接合材７５になる焼結銀ペースト９２０を塗布する。めっき層７９１は、主面９１１のうち、第１リード１の搭載部主面１１１になる部分の中央に形成される。めっき層７９２は主面９１１のうち、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１になる部分に形成される。めっき層７９３は主面９１１のうち、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１になる部分に形成される。めっき層７９４は主面９１１のうち、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１になる部分に形成される。めっき層７９５は主面９１１のうち、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１になる部分に形成される。めっき層７９１～７９５は、たとえば、電解めっきにより形成される。焼結銀ペースト９２０は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。焼結銀ペースト９２０は、たとえばディスペンサーを用いて、めっき層７９１の中央に塗布される。 Next, as shown in FIG. 7, plating layers 791-795 are formed on the lead frame 910, and sintered silver paste 920 that will become the sintered metal bonding material 75 is applied to the plating layer 791. The plating layer 791 is formed in the center of the portion of the main surface 911 that will become the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The plating layer 792 is formed on the portion of the main surface 911 that will become the wire bonding portion main surface 211 of the second lead 2. The plating layer 793 is formed on the portion of the main surface 911 that will become the wire bonding portion main surface 311 of the third lead 3. The plating layer 794 is formed on the portion of the main surface 911 that will become the wire bonding portion main surface 411 of the fourth lead 4. The plating layer 795 is formed on the portion of the main surface 911 that will become the wire bonding portion main surface 511 of the fifth lead 5. The plating layers 791-795 are formed, for example, by electrolytic plating. The sintered silver paste 920 is a paste made by mixing micro- or nano-sized silver particles in a solvent. The sintered silver paste 920 is applied to the center of the plating layer 791, for example, using a dispenser.

次いで、焼結銀ペースト９２０を挟むようにして、半導体素子６をめっき層７９１上に載置する。半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて載置される。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２０上に載置される。半導体素子６の自重により、図８に示すように、焼結銀ペースト９２０は周囲に広がる。 Next, the semiconductor element 6 is placed on the plating layer 791 with the sintered silver paste 920 sandwiched therebetween. The semiconductor element 6 is mounted with the element back surface 6b facing the main surface 111 of the mounting portion. In this embodiment, the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920 without applying any particular force. Due to the weight of the semiconductor element 6, the sintered silver paste 920 spreads around it as shown in FIG.

次いで、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９２０上に半導体素子６を載置した状態を維持したまま、焼結銀ペースト９２０を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件としては、加圧の有無、加熱時間、加熱温度、環境（雰囲気）などが挙げられる。本実施形態においては、たとえば、無加圧状態で、２００℃で２時間の熱処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行う。なお、焼結条件は、上記したものに限定されない。上記熱処理を行うことで、焼結銀ペースト９２０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７５として形成される。焼結金属接合材７５は、金属層６４およびめっき層７９１とも金属結合する。 Next, a sintering process is performed. Specifically, the sintered silver paste 920 is heat-treated under predetermined sintering conditions while maintaining the state in which the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920. The sintering conditions include the presence or absence of pressurization, heating time, heating temperature, environment (atmosphere), and the like. In this embodiment, for example, heat treatment is performed at 200° C. for 2 hours in an oxygen-containing atmosphere under no pressure. Note that the sintering conditions are not limited to those described above. By performing the above heat treatment, the solvent of the sintered silver paste 920 evaporates and disappears, the nano-sized silver particles are melted, and the micro-sized silver particles are sintered. As a result, a layer of porous sintered silver that is metallically bonded is formed as the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 75 is also metallically bonded to the metal layer 64 and the plating layer 791.

次いで、図９に示すように、ボンディングワイヤ７１～７４を半導体素子６の各電極６１～６３とリードフレーム９１０とにボンディングする。ワイヤボンディング工程は、キャピラリを用いたワイヤボンダによって行う。具体的には、まず、ワイヤボンダのキャピラリからワイヤの先端部を突出させ、これを溶解させて、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成する。この溶融ボールを電極６１～６３に押し付けて超音波振動を付加して接合する。次に、キャピラリからワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、リードフレーム９１０の各リード２～５になる部分に形成されためっき層７９２～７９５にワイヤを押し付けて超音波振動を付加して接合する。そして、キャピラリのクランパでワイヤを押さえながら、キャピラリを持ち上げ、ワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ７１～７４が形成される。なお、ボンディングワイヤ７１～７４の形成の順番は限定されない。 9, the bonding wires 71 to 74 are bonded to the electrodes 61 to 63 of the semiconductor element 6 and the lead frame 910. The wire bonding process is performed by a wire bonder using a capillary. Specifically, the tip of the wire is first protruded from the capillary of the wire bonder and melted to form a molten ball at the tip of the wire. This molten ball is pressed against the electrodes 61 to 63 and ultrasonic vibration is applied to bond them. Next, the capillary is moved while drawing out the wire from the capillary, and then the wire is pressed against the plating layers 792 to 795 formed on the parts that will become the leads 2 to 5 of the lead frame 910 and ultrasonic vibration is applied to bond them. Then, while holding the wire with the clamper of the capillary, the capillary is lifted and the wire is cut. This forms the bonding wires 71 to 74. The order of forming the bonding wires 71 to 74 is not limited.

次いで、図１０に示すように、めっき層７９２～７９５に、焼結金属接合材７６（７６１～７６４）になる焼結銀ペースト９３０をそれぞれ塗布する。焼結銀ペースト９３０は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。本実施形態においては、焼結銀ペースト９２０と焼結銀ペースト９３０の材料は同じである。焼結銀ペースト９３０は、たとえばディスペンサーを用いて塗布される。 Next, as shown in FIG. 10, sintered silver paste 930, which will become the sintered metal bonding material 76 (761-764), is applied to each of the plating layers 792-795. The sintered silver paste 930 is a paste made by mixing micro- or nano-sized silver particles in a solvent. In this embodiment, the sintered silver paste 920 and the sintered silver paste 930 are made of the same material. The sintered silver paste 930 is applied, for example, using a dispenser.

次いで、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９３０を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件としては、加圧の有無、加熱時間、加熱温度、環境（雰囲気）などが挙げられる。本実施形態においては、たとえば、無加圧状態で、２００℃で２時間の熱処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行う。なお、焼結条件は、上記したものに限定されない。上記熱処理を行うことで、焼結銀ペースト９３０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７６１～７６４として形成される。焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１およびめっき層７９２とも金属結合している。焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２およびめっき層７９３とも金属結合している。焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３およびめっき層７９４とも金属結合している。焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４およびめっき層７９５とも金属結合している。 Next, a sintering process is performed. Specifically, sintered silver paste 930 is heat treated under predetermined sintering conditions. The sintering conditions include the presence or absence of pressurization, heating time, heating temperature, environment (atmosphere), and the like. In this embodiment, for example, heat treatment is performed at 200° C. for 2 hours in an oxygen-containing atmosphere under no pressure. Note that the sintering conditions are not limited to those described above. By performing the above heat treatment, the solvent of the sintered silver paste 930 evaporates and disappears, the nano-sized silver particles are melted, and the micro-sized silver particles are sintered. As a result, a layer of porous sintered silver that is metallically bonded is formed as sintered metal bonding materials 761 to 764. The sintered metal bonding material 761 is also metallically bonded to the bonding wire 71 and the plating layer 792. The sintered metal bonding material 762 is also metallically bonded to the bonding wire 72 and the plating layer 793. The sintered metal bonding material 763 is also metallically bonded to the bonding wire 73 and the plating layer 794. The sintered metal bonding material 764 is also metallically bonded to the bonding wire 74 and the plating layer 795.

次いで、樹脂材料を硬化させることにより、リードフレーム９１０の一部、半導体素子６、およびボンディングワイヤ７１～７４を覆う封止樹脂８（図示略）を形成する。封止樹脂８の形成工程は、たとえば、金型を用いた、周知のトランスファモールド成形により行われる。具体的には、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１～７４をボンディングしたリードフレーム９１０を、金型成形機にセットし、流動化させたエポキシ樹脂を金型内のキャビティに流し込み、モールド成形する。そして、エポキシ樹脂を硬化させ、成形済みのリードフレーム９１０を取り出す。そして、余分な樹脂やバリ取りなどを行う。本実施形態においては、封止樹脂８は、図１０に示された全領域に形成される。 Next, by curing the resin material, a sealing resin 8 (not shown) that covers a portion of the lead frame 910, the semiconductor element 6, and the bonding wires 71 to 74 is formed. The step of forming the sealing resin 8 is performed, for example, by well-known transfer molding using a metal mold. Specifically, the lead frame 910 to which the semiconductor element 6 and the bonding wires 71 to 74 are bonded is set in a mold molding machine, and fluidized epoxy resin is poured into a cavity in the mold to perform molding. Then, the epoxy resin is cured, and the molded lead frame 910 is taken out. Then, remove excess resin and burrs. In this embodiment, the sealing resin 8 is formed in the entire area shown in FIG.

次いで、リードフレーム９１０および封止樹脂８を、図１０に示す切断線９５０に沿って切断する。これにより、半導体装置Ａ１０となる個片が形成される。以上の工程を経ることにより、上述した半導体装置Ａ１０が得られる。 Next, the lead frame 910 and the sealing resin 8 are cut along the cutting line 950 shown in FIG. As a result, individual pieces that will become the semiconductor device A10 are formed. Through the above steps, the above-described semiconductor device A10 is obtained.

次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。 Next, the effects of the semiconductor device A10 will be described.

本実施形態によると、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、ワイヤボンディング部主面２１１に形成されためっき層７９２に接しており、めっき層７９２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１とめっき層７９２とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第２接合部７２２（７３２，７４２）も同様であり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）とめっき層７９３（７９４，７９５）とが焼結金属接合材７６２（７６３，７６４）によって広い範囲で金属結合により接合されているので、接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to this embodiment, the sintered metal bonding material 761 covers the second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a portion of the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the plating layer 792 formed on the main surface 211 of the wire bonding part, and is metallically bonded to the plating layer 792. Further, the sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71 and is also metallically bonded to the bonding wire 71. In other words, the bonding wire 71 and the plating layer 792 are joined by metal bonding over a wide range by the sintered metal joining material 761. This increases the joint strength of the second joint portion 712 and suppresses the occurrence of cracks due to thermal stress. The same applies to the second bonding portion 722 (732, 742) of the bonding wire 72 (73, 74), and the bonding wire 72 (73, 74) and the plating layer 793 (794, 795) are connected to the sintered metal bonding material 762 ( 763, 764), the bonding strength is increased and the occurrence of cracks due to thermal stress is suppressed.

本実施形態によると、第２リード２（ワイヤボンディング部主面２１１）に、Ａｇを含有するめっき層７９２が形成され、焼結金属接合材７６１はめっき層７９２と金属結合している。したがって、焼結金属接合材７６１が、Ｃｕからなる第２リード２と直接金属結合する場合より、第２接合部７１２の接合強度を高めることができる。第２接合部７２２，７３２，７４２も同様である。 In this embodiment, a plating layer 792 containing Ag is formed on the second lead 2 (main surface 211 of the wire bonding portion), and the sintered metal bonding material 761 is metallically bonded to the plating layer 792. Therefore, the bonding strength of the second bonding portion 712 can be increased compared to when the sintered metal bonding material 761 is directly metallically bonded to the second lead 2 made of Cu. The same applies to the second bonding portions 722, 732, and 742.

本実施形態によると、焼結金属接合材７６は、スペーサを含んでおらず、焼結銀の体積比率が比較的高い。したがって、焼結金属接合材７６は、めっき層７９２～７９５およびボンディングワイヤ７１～７４との結合強度が高い。よって、第２接合部７１２，７２２,７３２,７４２の接合強度をより高めることができる。 In this embodiment, the sintered metal bonding material 76 does not include a spacer and has a relatively high volume ratio of sintered silver. Therefore, the sintered metal bonding material 76 has a high bonding strength with the plating layers 792-795 and the bonding wires 71-74. This can further increase the bonding strength of the second bonding portions 712, 722, 732, and 742.

〔第１変形例〕
図１１は、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１を示している。図１１において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１１は、半導体装置Ａ１１を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [First Modification]
Fig. 11 shows a semiconductor device A11 which is a first modification of the semiconductor device A10. In Fig. 11, elements which are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are given the same reference numerals and duplicated explanations are omitted. Fig. 11 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A11 and corresponds to Fig. 4.

半導体装置Ａ１１は、めっき層７９（７９１～７９５）が形成されていない点で、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A11 differs from the semiconductor device A10 in that the plating layer 79 (791 to 795) is not formed.

半導体装置Ａ１１は、搭載部主面１１１にめっき層７９１が形成されず、焼結金属接合材７５が搭載部主面１１１に直接形成されている。この場合、焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に接し、搭載部主面１１１と金属結合する。また、半導体装置Ａ１１は、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）にめっき層７９２（７９３，７９４，７９５）が形成されず、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）がワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）に直接形成されている。この場合、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）は、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）に接し、ワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）と金属結合する。 In the semiconductor device A11, the plating layer 791 is not formed on the main surface 111 of the mounting portion, and the sintered metal bonding material 75 is directly formed on the main surface 111 of the mounting portion. In this case, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the main surface 111 of the mounting section and is metallically bonded to the main surface 111 of the mounting section. Further, in the semiconductor device A11, the plating layer 792 (793, 794, 795) is not formed on the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding part, and the sintered metal bonding material 761 (762, 763, 764) is It is directly formed on the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding part. In this case, the sintered metal bonding material 761 (762, 763, 764) is in contact with the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding part, and is metallically bonded to the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding part. do.

本変形例においても、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）とワイヤボンディング部主面２１１（３１１，４１１，５１１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。また、めっき層７９（７９１～７９５）を形成する工程を省略できるので、製造工程が簡略化できる。なお、めっき層７９１が形成されず、めっき層７９２～７９５が形成されてもよいし、めっき層７９２～７９５が形成されず、めっき層７９１が形成されてもよい。 Also in this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the main surface 211 (311, 411, 511) of the wire bonding part are bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 761 (762, 763, 764). are joined by metal bonding. This increases the joint strength of the second joint portion 712 (722, 732, 742), and suppresses the occurrence of cracks due to thermal stress. Furthermore, since the step of forming the plating layer 79 (791 to 795) can be omitted, the manufacturing process can be simplified. Note that the plating layer 791 may not be formed and the plating layers 792 to 795 may be formed, or the plating layers 792 to 795 may not be formed and the plating layer 791 may be formed.

〔第２変形例〕
図１２は、半導体装置Ａ１０の第２変形例である半導体装置Ａ１２を示している。図１２において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１２は、半導体装置Ａ１２を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [Second Modification]
Fig. 12 shows a semiconductor device A12 which is a second modification of the semiconductor device A10. In Fig. 12, elements which are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are given the same reference numerals and will not be described again. Fig. 12 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A12 and corresponds to Fig. 4.

半導体装置Ａ１２は、ワイヤボンディング工程における各ボンディングワイヤ７１～７４の形成方法が、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A12 differs from the semiconductor device A10 in the method for forming each of the bonding wires 71 to 74 during the wire bonding process.

本変形例におけるボンディングワイヤ７１は、溶融ボールをリード２のワイヤボンディング部主面２１１のめっき層７９２に接合した後、引き出したワイヤを半導体素子６の第１電極６１に接合することで形成される。したがって、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１はめっき層７９２に接合されており、第２接合部７１２は第１電極６１に接合されている。なお、本変形例では、ワイヤボンディング部主面２１１にめっき層７９２が形成されているが、めっき層７９２が形成されてなくてもよい。この場合、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１は、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１に接合される。 The bonding wire 71 in this modification is formed by bonding a molten ball to the plating layer 792 on the main surface 211 of the wire bonding part of the lead 2 and then bonding the pulled out wire to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. . Therefore, as shown in FIG. 12, the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 is bonded to the plating layer 792, and the second bonding portion 712 is bonded to the first electrode 61. Note that in this modification, the plating layer 792 is formed on the main surface 211 of the wire bonding part, but the plating layer 792 may not be formed. In this case, the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 is bonded to the main surface 211 of the wire bonding portion of the second lead 2 .

また、本変形例における焼結金属接合材７６１は、図１２に示すように、ボンディングワイヤ７１の第２接合部７１２と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２の接合強度が高められている。 In addition, as shown in FIG. 12, the sintered metal bonding material 761 in this modified example covers the second bonding portion 712 of the bonding wire 71 and a portion of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the first electrode 61 and is metallically bonded to the first electrode 61. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the bonding wire 71 and is also metallically bonded to the bonding wire 71. In other words, the bonding wire 71 and the first electrode 61 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 761. This increases the bonding strength of the second bonding portion 712.

本変形例におけるボンディングワイヤ７２～７４も同様であり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第１接合部７２１（７３１，７４１）はワイヤボンディング部主面３１１（４１１,５１１）のめっき層７９３(７９４，７９５)に接合されており、第２接合部７２２（７３２，７４２）は第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）に接合されている。また、焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)は、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）の第２接合部７２２（７３２，７４２）と、半導体素子６の第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)は、第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）に接して金属結合し、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）とも接して金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２（７３，７４）と第２電極６２（第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６２(７６３，７６４)によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７２２(７３２，７４２)の接合強度が高められている。本変形例では、「第１電極６１」、「第２電極６２」、「第３電極６３」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The same is true for the bonding wires 72 to 74 in this modified example, with the first joint 721 (731, 741) of the bonding wire 72 (73, 74) being joined to the plating layer 793 (794, 795) of the wire bonding portion main surface 311 (411, 511), and the second joint 722 (732, 742) being joined to the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61). In addition, the sintered metal joint material 762 (763, 764) covers the second joint 722 (732, 742) of the bonding wire 72 (73, 74) and a portion of the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61) of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 762 (763, 764) is in contact with and metal-bonded to the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61) and is also in contact with and metal-bonded to the bonding wire 72 (73, 74). In other words, the bonding wire 72 (73, 74) and the second electrode 62 (third electrode 63, first electrode 61) are metal-bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 762 (763, 764). This increases the bonding strength of the second bonding portion 722 (732, 742). In this modified example, the "first electrode 61", "second electrode 62", and "third electrode 63" correspond to the wire bonding portion of this disclosure.

本変形例においても、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）と第１電極６１（第２電極６２、第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７１２（７２２，７３２，７４２）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 Also in this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the first electrode 61 (second electrode 62, third electrode 63, first electrode 61) are connected to the sintered metal bonding material 761 (762, 763). , 764), they are joined by metal bonding over a wide range. This increases the joint strength of the second joint portion 712 (722, 732, 742), and suppresses the occurrence of cracks due to thermal stress.

〔第３変形例〕
図１３は、半導体装置Ａ１０の第３変形例である半導体装置Ａ１３を示している。図１３において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１３は、半導体装置Ａ１３を示す断面図であり、図４に対応する図である。 [Third modification]
FIG. 13 shows a semiconductor device A13 that is a third modification example of the semiconductor device A10. In FIG. 13, elements that are the same or similar to those of the semiconductor device A10 described above are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. FIG. 13 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A13, and corresponds to FIG. 4. As shown in FIG.

半導体装置Ａ１３は、各ボンディングワイヤ７１～７４の両方の接合部に焼結金属接合材７６が形成されている点で、半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A13 differs from the semiconductor device A10 in that a sintered metal bonding material 76 is formed at both bonding portions of each of the bonding wires 71 to 74.

本変形例においては、製造工程のワイヤボンディング工程は、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングによって行われる。ウェッジボンディングでは、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成することなく、ワイヤの先端を電極６１～６３に押し付けて超音波振動を付加して接合する。よって、溶融ボールを形成して接合するボールボンディングに比べて、接合強度が低くなる。したがって、半導体装置Ａ１３では、第１接合部７１１，７２１，７３１，７４１にも、焼結金属接合材７６（７６１～７６４）が形成されている。 In this modified example, the wire bonding step in the manufacturing process is performed by wedge bonding using a wedge tool. In wedge bonding, the tip of the wire is pressed against the electrodes 61-63 and ultrasonic vibration is applied to bond the wires without forming a molten ball at the tip of the wire. This results in a lower bond strength than ball bonding, which forms a molten ball to bond the wires. Therefore, in the semiconductor device A13, sintered metal bonding material 76 (761-764) is also formed on the first bonding portions 711, 721, 731, and 741.

第１接合部７１１に形成された焼結金属接合材７６１は、図１３に示すように、ボンディングワイヤ７１の第１接合部７１１と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６１は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６１は、ボンディングワイヤ７１に接しており、ボンディングワイヤ７１とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７１と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６１によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７１１の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 13, the sintered metal bonding material 761 formed at the first bonding portion 711 covers the first bonding portion 711 of the bonding wire 71 and a portion of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 761 is in contact with the first electrode 61 and is metallically bonded to the first electrode 61. The sintered metal bonding material 761 is also in contact with the bonding wire 71 and is metallically bonded to the bonding wire 71. In other words, the bonding wire 71 and the first electrode 61 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 761. This increases the bonding strength of the first bonding portion 711.

第１接合部７２１に形成された焼結金属接合材７６２は、図１３に示すように、ボンディングワイヤ７２の第１接合部７２１と、半導体素子６の第２電極６２の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６２は、第２電極６２に接しており、第２電極６２と金属結合している。また、焼結金属接合材７６２は、ボンディングワイヤ７２に接しており、ボンディングワイヤ７２とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７２と第２電極６２とが、焼結金属接合材７６２によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７２１の接合強度が高められている。 As shown in FIG. 13, the sintered metal bonding material 762 formed in the first bonding portion 721 covers the first bonding portion 721 of the bonding wire 72 and a part of the second electrode 62 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 762 is in contact with the second electrode 62 and is metallically bonded to the second electrode 62. The sintered metal bonding material 762 is also in contact with the bonding wire 72 and is metallically bonded to the bonding wire 72. In other words, the bonding wire 72 and the second electrode 62 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 762. This increases the bonding strength of the first bonding portion 721.

第１接合部７３１に形成された焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３の第１接合部７３１と、半導体素子６の第３電極６３の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６３は、第３電極６３に接しており、第３電極６３と金属結合している。また、焼結金属接合材７６３は、ボンディングワイヤ７３に接しており、ボンディングワイヤ７３とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７３と第３電極６３とが、焼結金属接合材７６３によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７３１の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 763 formed in the first bonding portion 731 covers the first bonding portion 731 of the bonding wire 73 and a portion of the third electrode 63 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 763 is in contact with the third electrode 63 and is metallically bonded to the third electrode 63. The sintered metal bonding material 763 is also in contact with the bonding wire 73 and is metallically bonded to the bonding wire 73. In other words, the bonding wire 73 and the third electrode 63 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 763. This increases the bonding strength of the first bonding portion 731.

第１接合部７４１に形成された焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４の第１接合部７４１と、半導体素子６の第１電極６１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６４は、第１電極６１に接しており、第１電極６１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６４は、ボンディングワイヤ７４に接しており、ボンディングワイヤ７４とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７４と第１電極６１とが、焼結金属接合材７６４によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７４１の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 764 formed in the first bonding portion 741 covers the first bonding portion 741 of the bonding wire 74 and a portion of the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The sintered metal bonding material 764 is in contact with the first electrode 61 and is metallically bonded to the first electrode 61. The sintered metal bonding material 764 is also in contact with the bonding wire 74 and is metallically bonded to the bonding wire 74. In other words, the bonding wire 74 and the first electrode 61 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 764. This increases the bonding strength of the first bonding portion 741.

本変形例によると、ボンディングワイヤ７１（７２，７３，７４）と第１電極６１（第２電極６２、第３電極６３、第１電極６１）とが、焼結金属接合材７６１（７６２，７６３，７６４）によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第１接合部７１１（７２１，７３１，７４１）は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 According to this modification, the bonding wire 71 (72, 73, 74) and the first electrode 61 (second electrode 62, third electrode 63, first electrode 61) are connected to the sintered metal bonding material 761 (762, 763). , 764), they are joined by metal bonding over a wide range. As a result, the bonding strength of the first bonding portion 711 (721, 731, 741) is increased, and the occurrence of cracks due to thermal stress is suppressed.

なお、ボンディングワイヤ７１～７４のいずれかのみが、両方の接合部に焼結金属接合材７６を形成されてもよい。たとえば、キャピラリを用いたボールボンディングによってボンディングされたか、ウェッジツールを用いたウェッジボンディングによってボンディングされたかによって、ボンディングワイヤ７１～７４ごとに、焼結金属接合材７６の形成を変更してもよい。 Note that the sintered metal bonding material 76 may be formed at the bonding portion of only one of the bonding wires 71 to 74. For example, the formation of the sintered metal bonding material 76 may be changed for each of the bonding wires 71 to 74 depending on whether the bonding is performed by ball bonding using a capillary or by wedge bonding using a wedge tool.

〔第２実施形態〕
図１４～図１５に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す平面図であり、図２に対応する図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 Second Embodiment
A semiconductor device A20 according to a second embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 14 and 15. In these figures, elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted. Figure 14 is a plan view showing the semiconductor device A20, and corresponds to Figure 2. Figure 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in Figure 14.

本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、半導体素子６の第１電極６１と第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されているボンディングワイヤ７７と、焼結金属接合材７６５とをさらに備えている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A20 according to the present embodiment further includes a bonding wire 77 connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, and a sintered metal bonding material 765. This is different from the semiconductor device A10 according to the first embodiment.

複数のボンディングワイヤ７７は、半導体素子６の第１電極６１と、第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されている。これにより、第１リード１は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソース端子として機能する。なお、ボンディングワイヤ７７は、ボンディングワイヤ７１～７４と同様の材料からなる。図１５に示すように、各ボンディングワイヤ７７は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７７１および第２接合部７７２を備えている。第１接合部７７１は、半導体素子６の第１電極６１に接合されている。第１接合部７７１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７７１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これを第１電極６１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７７２は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接合されている。第２接合部７７２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７７２は、第１接合部７７１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９１に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。なお、ボンディングワイヤ７７の本数、材料および太さは限定されない。本実施形態では、「第１接合部７７１」が本開示の第２端部に相当し、「第２接合部７７２」が本開示の第１端部に相当する。また、「搭載部１１０」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The bonding wires 77 are connected to the first electrode 61 of the semiconductor element 6 and the mounting surface 111 of the first lead 1. As a result, the first lead 1 is electrically connected to the first electrode 61 (source electrode) of the semiconductor element 6 and functions as a source terminal. The bonding wires 77 are made of the same material as the bonding wires 71 to 74. As shown in FIG. 15, each bonding wire 77 has a first joint 771 and a second joint 772 located at opposite ends. The first joint 771 is bonded to the first electrode 61 of the semiconductor element 6. The first joint 771 is a ball joint bonded by ball bonding in the wire bonding process of the manufacturing process. The first joint 771 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing it against the first electrode 61, and bonding it by applying ultrasonic vibration. The second joint 772 is bonded to a plating layer 791 formed on the mounting surface 111 of the first lead 1. The second bonding portion 772 is a stitch bonding portion bonded by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second bonding portion 772 is formed by forming the first bonding portion 771, drawing out the wire while moving the capillary, pressing the wire against the plating layer 791, applying ultrasonic vibration to bond the wire, and cutting the wire. The number, material, and thickness of the bonding wires 77 are not limited. In this embodiment, the "first bonding portion 771" corresponds to the second end of the present disclosure, and the "second bonding portion 772" corresponds to the first end of the present disclosure. Also, the "mounting portion 110" corresponds to the wire bonding portion of the present disclosure.

焼結金属接合材７６５は、焼結金属接合材７６１～７６４と同様の材料からなり、同様に形成される。焼結金属接合材７６５は、図１４および図１５に示すように、ボンディングワイヤ７７の第２接合部７７２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７に接しており、ボンディングワイヤ７７とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７７とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７６５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７７２の接合強度が高められている。 The sintered metal bonding material 765 is made of the same material as the sintered metal bonding materials 761 to 764, and is formed in the same manner. The sintered metal bonding material 765 covers the second bonding portion 772 of the bonding wire 77 and a portion of the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1, as shown in FIGS. 14 and 15. The sintered metal bonding material 765 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metallically bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 765 is in contact with the bonding wire 77 and is also metallically bonded to the bonding wire 77. In other words, the bonding wire 77 and the plating layer 791 are joined by metal bonding over a wide range by the sintered metal joining material 765. This increases the joint strength of the second joint portion 772.

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７の第２接合部７７２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７６５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７６５は、ボンディングワイヤ７７に接しており、ボンディングワイヤ７７とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７７とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７６５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７７２は接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。 In this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be achieved. In addition, according to this embodiment, the sintered metal bonding material 765 covers the second bonding portion 772 of the bonding wire 77 and a part of the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The sintered metal bonding material 765 is in contact with the plating layer 791 formed on the mounting portion main surface 111 and is metallically bonded to the plating layer 791. The sintered metal bonding material 765 is in contact with the bonding wire 77 and is also metallically bonded to the bonding wire 77. In other words, the bonding wire 77 and the plating layer 791 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 765. As a result, the bonding strength of the second bonding portion 772 is increased, and the occurrence of cracks due to thermal stress is suppressed.

〔第３実施形態〕
図１６～図１７に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１６は、半導体装置Ａ３０を示す平面図であり、図２に対応する図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 [Third embodiment]
A semiconductor device A30 according to a third embodiment of the present disclosure will be described based on FIGS. 16 and 17. In these figures, the same or similar elements as those of the semiconductor device A10 described above are denoted by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. FIG. 16 is a plan view showing the semiconductor device A30, and corresponds to FIG. 2. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 16.

本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、ボンディングワイヤの接合部が、半導体素子６を接合する焼結金属接合材７５に覆われている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。 The semiconductor device A30 of this embodiment differs from the semiconductor device A10 of the first embodiment in that the bonding wire joint is covered with a sintered metal joint material 75 that joins the semiconductor element 6.

半導体装置Ａ３０は、第６リード９およびボンディングワイヤ７８を備えている。 The semiconductor device A30 has a sixth lead 9 and a bonding wire 78.

第６リード９は、リード１～５と同様にして形成される。第６リード９は、ボンディングワイヤ７８を介して、第１リード１と導通している。第６リード９は、ワイヤボンディング部主面９１を備えている。ワイヤボンディング部主面９１は、ｚ方向において第１リード１の搭載部主面１１１と同じ方向を向く面であり、ボンディングワイヤ７８がボンディングされる面である。 The sixth lead 9 is formed in the same manner as the leads 1-5. The sixth lead 9 is electrically connected to the first lead 1 via the bonding wire 78. The sixth lead 9 includes a main surface 91 of a wire bonding portion. The wire bonding portion main surface 91 is a surface facing in the same direction as the mounting portion main surface 111 of the first lead 1 in the z direction, and is a surface to which the bonding wire 78 is bonded.

複数のボンディングワイヤ７８は、第６リード９のワイヤボンディング部主面９１と、第１リード１の搭載部主面１１１とに接続されている。これにより、第６リード９は、第１リード１に電気的に接続されて、第１リード１と同電位になる。なお、ボンディングワイヤ７８は、ボンディングワイヤ７１～７４と同様の材料からなる。図１７に示すように、各ボンディングワイヤ７８は、互いに反対側の端部に位置する第１接合部７８１および第２接合部７８２を備えている。第１接合部７８１は、第６リード９のワイヤボンディング部主面９１に接合されている。第１接合部７８１は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ボールボンディングによって接合されたボール接合部である。第１接合部７８１は、ワイヤの先端に溶融ボールを形成し、これをワイヤボンディング部主面９１に押し付けて超音波振動を付加して接合することで形成される。第２接合部７８２は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接合されている。第２接合部７８２は、製造工程のワイヤボンディング工程において、ステッチボンディングによって接合されたステッチ接合部である。第２接合部７８２は、第１接合部７８１を形成してワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、ワイヤをめっき層７９１に押し付けて超音波振動を付加して接合し、ワイヤを切断することで形成される。なお、ボンディングワイヤ７８の本数、材料および太さは限定されない。本実施形態では、「第２接合部７８２」が本開示の第１端部に相当する。また、「搭載部１１０」が本開示のワイヤボンディング部に相当する。 The bonding wires 78 are connected to the wire bonding portion main surface 91 of the sixth lead 9 and the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. As a result, the sixth lead 9 is electrically connected to the first lead 1 and has the same potential as the first lead 1. The bonding wires 78 are made of the same material as the bonding wires 71 to 74. As shown in FIG. 17, each bonding wire 78 has a first joint portion 781 and a second joint portion 782 located at opposite ends. The first joint portion 781 is bonded to the wire bonding portion main surface 91 of the sixth lead 9. The first joint portion 781 is a ball joint bonded by ball bonding in the wire bonding process of the manufacturing process. The first joint portion 781 is formed by forming a molten ball at the tip of the wire, pressing it against the wire bonding portion main surface 91, and bonding it by applying ultrasonic vibration. The second joint portion 782 is bonded to a plating layer 791 formed on the mounting portion main surface 111 of the first lead 1. The second joint 782 is a stitch joint that is joined by stitch bonding in the wire bonding step of the manufacturing process. The second joint 782 is formed by forming the first joint 781, moving the capillary while drawing out the wire, pressing the wire against the plating layer 791, applying ultrasonic vibration to join the wire, and cutting the wire. The number, material, and thickness of the bonding wires 78 are not limited. In this embodiment, the "second joint 782" corresponds to the first end of the present disclosure. Also, the "mounting portion 110" corresponds to the wire bonding portion of the present disclosure.

本実施形態では、焼結金属接合材７５は、図１７に示すように、半導体素子６と第１リード１との間に介在してこれらを接合しつつ、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２も覆っている。焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８に接しており、ボンディングワイヤ７８とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７８とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７８２の接合強度が高められている。 In this embodiment, as shown in FIG. 17, the sintered metal bonding material 75 is interposed between the semiconductor element 6 and the first lead 1 to bond them, and also covers the second bonding portion 782 of the bonding wire 78. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 791 formed on the mounting portion main surface 111 and is metallically bonded to the plating layer 791. The sintered metal bonding material 75 is also in contact with the bonding wire 78 and is metallically bonded to the bonding wire 78. In other words, the bonding wire 78 and the plating layer 791 are metallically bonded over a wide area by the sintered metal bonding material 75. This increases the bonding strength of the second bonding portion 782.

次に、半導体装置Ａ３０の製造方法の一例について、図１８～図２０を参照して以下に説明する。なお、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の製造方法と共通する部分は説明を省略する。図１８～図２０は、半導体装置Ａ３０の製造方法の一例の工程を示す図である。図１８～図２０は、部分拡大断面図であり、図１７と同じ断面を示している。 Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor device A30 will be described below with reference to FIGS. 18 to 20. Note that explanations of parts common to the method for manufacturing the semiconductor device A10 according to the first embodiment will be omitted. 18 to 20 are diagrams showing steps of an example of a method for manufacturing the semiconductor device A30. 18 to 20 are partially enlarged sectional views showing the same cross section as FIG. 17.

リードフレーム９１０および半導体素子６を用意する工程、および、めっき層を形成する工程は、第１実施形態の場合と同様である。半導体装置Ａ３０の製造方法では、半導体素子６を搭載する前に、図１８に示すように、ボンディングワイヤ７８のボンディングを行う。当該ワイヤボンディング工程は、キャピラリを用いたワイヤボンダによって行う。具体的には、まず、ワイヤボンダのキャピラリからワイヤの先端部を突出させ、これを溶解させて、ワイヤの先端部に溶融ボールを形成する。この溶融ボールをリードフレーム９１０のワイヤボンディング部主面９１になる部分に押し付けて超音波振動を付加して接合する。次に、キャピラリからワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させた後、リードフレーム９１０の搭載部主面１１１になる部分に形成されためっき層７９１にワイヤを押し付けて超音波振動を付加して接合する。そして、キャピラリのクランパでワイヤを押さえながら、キャピラリを持ち上げ、ワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ７８が形成される。 The process of preparing the lead frame 910 and the semiconductor element 6 and the process of forming the plating layer are the same as in the first embodiment. In the method for manufacturing the semiconductor device A30, before mounting the semiconductor element 6, bonding of the bonding wire 78 is performed as shown in FIG. The wire bonding step is performed by a wire bonder using a capillary. Specifically, first, the tip of the wire is made to protrude from the capillary of the wire bonder, and is melted to form a molten ball at the tip of the wire. This molten ball is pressed against a portion of the lead frame 910 that will become the main surface 91 of the wire bonding portion, and ultrasonic vibration is applied to bond the lead frame 910. Next, after moving the capillary while pulling out the wire from the capillary, the wire is pressed against the plating layer 791 formed on the portion of the lead frame 910 that will become the main surface 111 of the mounting portion, and ultrasonic vibration is applied to bond the wire. Then, while holding the wire with the capillary clamper, lift the capillary and cut the wire. As a result, bonding wire 78 is formed.

次いで、図１９に示すように、めっき層７９１に、焼結金属接合材７５になる焼結銀ペースト９２０を塗布する。焼結銀ペースト９２０は、めっき層７９１の中央に塗布されるが、半導体素子６を載置したときに焼結銀ペースト９２０がボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２を覆うまで広がるように、量および位置を設定して塗布される。次いで、焼結銀ペースト９２０を挟むようにして、半導体素子６をめっき層７９１上に載置する。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２０上に載置されるが、半導体素子６の自重により、図２０に示すように、焼結銀ペースト９２０は周囲に広がる。これにより、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２は、焼結銀ペースト９２０によって覆われる。次いで、焼結処理工程を行う。焼結処理により、焼結銀ペースト９２０の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７５として形成される。焼結金属接合材７５は、金属層６４、めっき層７９１およびボンディングワイヤ７８とも金属結合する。以下の工程は、第１実施形態の場合と共通する。 Next, as shown in FIG. 19, the plating layer 791 is coated with sintered silver paste 920, which will become the sintered metal bonding material 75. The sintered silver paste 920 is applied to the center of the plating layer 791, but the amount and position are set so that the sintered silver paste 920 spreads until it covers the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 when the semiconductor element 6 is placed on it. Next, the semiconductor element 6 is placed on the plating layer 791 so as to sandwich the sintered silver paste 920. In this embodiment, the semiconductor element 6 is placed on the sintered silver paste 920 without applying any particular force, but due to the weight of the semiconductor element 6, the sintered silver paste 920 spreads around as shown in FIG. 20. As a result, the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 is covered with the sintered silver paste 920. Next, a sintering process is performed. The sintering process causes the solvent of the sintered silver paste 920 to evaporate and disappear, and the nano-sized silver particles melt and the micro-sized silver particles are sintered. This forms a layer of metallically bonded porous sintered silver as the sintered metal bonding material 75. The sintered metal bonding material 75 is also metallically bonded to the metal layer 64, the plating layer 791, and the bonding wire 78. The following steps are the same as those in the first embodiment.

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２と、第１リード１の搭載部主面１１１の一部とを覆っている。焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に形成されためっき層７９１に接しており、めっき層７９１と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、ボンディングワイヤ７８に接しており、ボンディングワイヤ７８とも金属結合している。つまり、ボンディングワイヤ７８とめっき層７９１とが、焼結金属接合材７５によって、広い範囲で金属結合により接合されている。これにより、第２接合部７８２の接合強度が高められ、熱応力によるクラックの発生が抑制される。また、半導体装置Ａ３０は、焼結金属接合材７５を、半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材として機能させ、かつ、第２接合部７８２の接合強度を高める機能も発揮させることができる。 Also in this embodiment, the same effects as in the first embodiment can be achieved. Further, according to the present embodiment, the sintered metal bonding material 75 covers the second bonding portion 782 of the bonding wire 78 and a portion of the main surface 111 of the mounting portion of the first lead 1. The sintered metal bonding material 75 is in contact with the plating layer 791 formed on the main surface 111 of the mounting portion, and is metallically bonded to the plating layer 791. Further, the sintered metal bonding material 75 is in contact with the bonding wire 78 and is also metallically bonded to the bonding wire 78. That is, the bonding wire 78 and the plating layer 791 are joined by metal bonding over a wide range by the sintered metal joining material 75. This increases the joint strength of the second joint portion 782 and suppresses the occurrence of cracks due to thermal stress. Further, the semiconductor device A30 allows the sintered metal bonding material 75 to function as a bonding material for bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1, and also to exhibit a function of increasing the bonding strength of the second bonding portion 782. Can be done.

〔第１変形例〕
図２１は、半導体装置Ａ３０の第１変形例である半導体装置Ａ３１を示している。図２１において、先述した半導体装置Ａ３０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２１は、半導体装置Ａ３１を示す断面図であり、図１７に対応する図である。 [First Modification]
Fig. 21 shows a semiconductor device A31 which is a first modification of the semiconductor device A30. In Fig. 21, elements which are the same as or similar to those of the semiconductor device A30 described above are given the same reference numerals and duplicated explanations are omitted. Fig. 21 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A31 and corresponds to Fig. 17.

半導体装置Ａ３１は、ボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２が、ｚ方向視において、半導体素子６に重なっている点で、半導体装置Ａ３０と異なる。 The semiconductor device A31 differs from the semiconductor device A30 in that the second joint portion 782 of the bonding wire 78 overlaps the semiconductor element 6 when viewed in the z direction.

本変形例においても、第３実施形態と同様の効果を奏することができる。また、本変形例は、ｚ方向視において半導体素子６に重ならない搭載部主面１１１の領域が狭く、当該領域にボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２をボンディングすることが困難である場合に、特に有効である。ただし、本変形例の場合は、半導体素子６がボンディングワイヤ７８の第２接合部７８２に接触することを防止するために、焼結金属接合材７５がたとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいることが望ましい。また、スペーサの粒子径は、ボンディングワイヤ７８の太さ以上にすることが望ましい。 This modified example can also achieve the same effect as the third embodiment. This modified example is particularly effective when the area of the mounting portion main surface 111 that does not overlap the semiconductor element 6 when viewed in the z direction is narrow and it is difficult to bond the second joint portion 782 of the bonding wire 78 to this area. However, in this modified example, it is preferable that the sintered metal bonding material 75 contains a spacer made of, for example, acrylic resin to prevent the semiconductor element 6 from contacting the second joint portion 782 of the bonding wire 78. It is also preferable that the particle diameter of the spacer is equal to or larger than the thickness of the bonding wire 78.

なお、上記第１～第２実施形態では、焼結金属接合材７５によって、半導体素子６が第１リード１に接合されている場合について説明したが、これに限られない。半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材は、たとえば銀ペーストなどの導電性接合材であってもよい。ただし、この場合、半導体素子６の金属層６４とめっき層７９１との間では、金属結合していないので、焼結金属接合材７５によって接合されている場合と比較して、熱伝導性および導電性が低い。また、熱伝導性および導電性を必要としない場合は、半導体素子６と第１リード１とを接合する接合材は、たとえば絶縁性接合材であってもよい。この場合、半導体素子６には金属層６４が形成されていなくてもよい。 In the above first and second embodiments, the semiconductor element 6 is bonded to the first lead 1 by the sintered metal bonding material 75, but the present invention is not limited to this. The bonding material bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1 may be, for example, a conductive bonding material such as silver paste. However, in this case, there is no metallic bond between the metal layer 64 of the semiconductor element 6 and the plating layer 791, so the thermal conductivity and electrical conductivity are lower than when they are bonded by the sintered metal bonding material 75. In addition, if thermal conductivity and electrical conductivity are not required, the bonding material bonding the semiconductor element 6 and the first lead 1 may be, for example, an insulating bonding material. In this case, the metal layer 64 may not be formed on the semiconductor element 6.

また、上記第１～第３実施形態では、１個の半導体素子６が第１リード１に搭載されている場合について説明したが、これに限られない。第１リード１に搭載される半導体素子６は、複数であってもよい。また、半導体素子６に加えて、半導体素子６とは異なる半導体素子が搭載されてもよい。 In addition, in the above first to third embodiments, a case where one semiconductor element 6 is mounted on the first lead 1 has been described, but this is not limited to the above. A plurality of semiconductor elements 6 may be mounted on the first lead 1. Furthermore, in addition to the semiconductor element 6, a semiconductor element different from the semiconductor element 6 may be mounted.

また、上記第１～第３実施形態では、リード１～５を備えている場合について説明したが、これに限られない。リードの数、形状、および配置は、半導体素子６の種類、数、配置などに応じて適宜設計される。 In addition, in the above first to third embodiments, the case where the leads 1 to 5 are provided has been described, but this is not limited to this. The number, shape, and arrangement of the leads are designed appropriately depending on the type, number, arrangement, etc. of the semiconductor element 6.

また、上記第１～第３実施形態では、各リード１～５が、封止樹脂８から突出しない場合について説明したが、これに限られない。本開示は、いずれかのリードが封止樹脂８から突出して外部端子となる半導体装置（たとえば、挿入実装型の半導体装置）においても適用することができる。 In addition, in the above first to third embodiments, the cases where the leads 1 to 5 do not protrude from the sealing resin 8 have been described, but this is not limited to the above. The present disclosure can also be applied to semiconductor devices in which any of the leads protrudes from the sealing resin 8 to serve as an external terminal (for example, an insertion-mount type semiconductor device).

本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be freely designed in various ways.

〔付記１〕
第１端部を有するボンディングワイヤと、
前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う焼結金属接合材と、
を備えている、
半導体装置。
〔付記２〕
前記焼結金属接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記焼結金属接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記ボンディングワイヤは、Ｃｕからなる、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記ボンディングワイヤは、表面がＰｄで覆われている、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される第１リードと、
をさらに備える、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記ボンディングワイヤは、前記第１端部の反対側に位置する第２端部を有し、
前記第２端部は、前記半導体素子に接続されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１リードから離間して配置された第２リードをさらに備えており、
前記ワイヤボンディング部は、前記第２リードの一部により構成されている、
付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記ワイヤボンディング部は、前記第１リードの一部により構成されている、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記焼結金属接合材は、前記半導体素子と前記第１リードとの間にも介在する、
付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記第１端部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
付記１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
めっき層をさらに備え、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部主面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記ワイヤボンディング部は、前記ワイヤボンディング部主面とは反対側を向くワイヤボンディング部裏面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部裏面にも形成されている、
付記１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記めっき層は、Ａｇを含有する、
付記１２または１３に記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記半導体素子は、厚さ方向において、前記第１リードに対向する面とは反対側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された第１電極とを有し、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１電極である、
付記６に記載の半導体装置。 [Appendix 1]
a bonding wire having a first end;
a wire bonding portion to which the first end is connected;
a sintered metal bonding material including a porous sintered metal and covering at least a portion of the wire bonding portion and the first end portion;
Equipped with
Semiconductor device.
[Appendix 2]
The sintered metal in the sintered metal bonding material is sintered silver;
2. The semiconductor device according to claim 1.
[Appendix 3]
The sintered metal bonding material contains a thermoplastic resin.
3. The semiconductor device according to claim 1 or 2.
[Appendix 4]
The bonding wire is made of Cu.
4. The semiconductor device according to claim 1 ,
[Appendix 5]
The bonding wire has a surface covered with Pd.
5. The semiconductor device according to claim 4.
[Appendix 6]
A semiconductor element;
a first lead on which the semiconductor element is mounted;
Further comprising:
6. The semiconductor device according to claim 1 .
[Appendix 7]
the bonding wire has a second end opposite the first end;
The second end is connected to the semiconductor element.
7. The semiconductor device according to claim 6.
[Appendix 8]
a second lead spaced apart from the first lead,
The wire bonding portion is formed of a part of the second lead.
8. The semiconductor device according to claim 7.
[Appendix 9]
The wire bonding portion is formed of a part of the first lead.
7. The semiconductor device according to claim 6.
[Appendix 10]
The sintered metal bonding material is also interposed between the semiconductor element and the first lead.
10. The semiconductor device according to claim 9.
[Appendix 11]
The first end portion overlaps the semiconductor element when viewed in a thickness direction of the semiconductor element.
11. The semiconductor device according to claim 10.
[Appendix 12]
Further comprising a plating layer;
the wire bonding portion includes a wire bonding portion main surface to which the first end is connected;
The plating layer is formed in contact with the main surface of the wire bonding portion and is in contact with the sintered metal bonding material.
12. The semiconductor device according to any one of claims 1 to 11.
[Appendix 13]
the wire bonding portion includes a wire bonding portion back surface facing in a direction opposite to the wire bonding portion main surface,
The plating layer is also formed on the rear surface of the wire bonding portion.
13. The semiconductor device according to claim 12.
[Appendix 14]
The plating layer contains Ag.
14. The semiconductor device according to claim 12 or 13.
[Appendix 15]
the semiconductor element has a main surface facing a side opposite to a surface facing the first lead in a thickness direction, and a first electrode disposed on the main surface;
The wire bonding portion is the first electrode.
7. The semiconductor device according to claim 6.

Ａ１０～Ａ１３，Ａ２０，Ａ３０～Ａ３１：半導体装置
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部裏面側凹部
１２０ ：連結部
１２１ ：連結部主面
１２２ ：連結部裏面
１２３ ：連結部端面
２ ：第２リード
２１０ ：ワイヤボンディング部
２１１ ：ワイヤボンディング部主面
２１２ ：ワイヤボンディング部裏面
２１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
２２０ ：端子部
２２１ ：端子部主面
２２２ ：端子部裏面
２２３ ：端子部端面
２３０ ：連結部
２３１ ：連結部主面
２３２ ：連結部裏面
２３３ ：連結部端面
３ ：第３リード
３１０ ：ワイヤボンディング部
３１１ ：ワイヤボンディング部主面
３１２ ：ワイヤボンディング部裏面
３１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
３２０ ：端子部
３２１ ：端子部主面
３２２ ：端子部裏面
３２３ ：端子部端面
３３０ ：連結部
３３１ ：連結部主面
３３２ ：連結部裏面
３３３ ：連結部端面
４ ：第４リード
４１０ ：ワイヤボンディング部
４１１ ：ワイヤボンディング部主面
４１２ ：ワイヤボンディング部裏面
４１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
４２０ ：端子部
４２１ ：端子部主面
４２２ ：端子部裏面
４２３ ：端子部端面
４３０ ：連結部
４３１ ：連結部主面
４３２ ：連結部裏面
４３３ ：連結部端面
５ ：第５リード
５１０ ：ワイヤボンディング部
５１１ ：ワイヤボンディング部主面
５１２ ：ワイヤボンディング部裏面
５１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
５２０ ：端子部
５２１ ：端子部主面
５２２ ：端子部裏面
５２３ ：端子部端面
６ ：半導体素子
６ａ ：素子主面
６ｂ ：素子裏面
６ｃ ：素子側面
６０ ：素子本体
６１ ：第１電極
６２ ：第２電極
６３ ：第３電極
６４ ：金属層
９ ：第６リード
９１ ：ワイヤボンディング部主面
７１～７４，７７,７８：ボンディングワイヤ
７１１，７２１，７３１，７４１，７７１，７８１：第１接合部
７１２，７２２，７３２，７４２，７７２，７８２：第２接合部
７５ ：焼結金属接合材
７６，７６１～７６５：焼結金属接合材
７９，７９１～７９５：めっき層
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
９１０ ：リードフレーム
９１１ ：主面
９２０ ：焼結銀ペースト
９３０ ：焼結銀ペースト
９５０ ：切断線 A10 to A13, A20, A30 to A31: semiconductor device 1: first lead 110: mounting portion 111: mounting portion main surface 112: mounting portion back surface 113: mounting portion back surface recess 120: connecting portion 121: connecting portion main surface 122: connecting portion back surface 123: connecting portion end surface 2: second lead 210: wire bonding portion 211: wire bonding portion main surface 212: wire bonding portion back surface 213: wire bonding portion back surface recess 220: terminal portion 221: terminal portion main surface 222: terminal portion back surface 223: terminal portion end surface 230: connecting portion 231: connecting portion main surface 232: connecting portion back surface 233: connecting portion end surface 3: third lead 310: wire bonding portion 311: wire bonding portion main surface 312: wire bonding portion back surface 313 : Wire bonding portion back surface recess 320 : Terminal portion 321 : Terminal portion main surface 322 : Terminal portion back surface 323 : Terminal portion end surface 330 : Connection portion 331 : Connection portion main surface 332 : Connection portion back surface 333 : Connection portion end surface 4 : Fourth lead 410 : Wire bonding portion 411 : Wire bonding portion main surface 412 : Wire bonding portion back surface 413 : Wire bonding portion back surface recess 420 : Terminal portion 421 : Terminal portion main surface 422 : Terminal portion back surface 423 : Terminal portion end surface 430 : Connection portion 431 : Connection portion main surface 432 : Connection portion back surface 433 : Connection portion end surface 5 : Fifth lead 510 : Wire bonding portion 511 : Wire bonding portion main surface 512 : Wire bonding portion back surface 513 : Wire bonding portion back surface recess 520 : Terminal portion 521 : Terminal portion main surface 522 : Terminal portion back surface 523 : Terminal portion end surface 6 : Semiconductor element 6a : Element main surface 6b : Element back surface 6c : Element side surface 60 : Element body 61 : First electrode 62 : Second electrode 63 : Third electrode 64 : Metal layer 9 : Sixth lead 91 : Wire bonding portion main surface 71 to 74, 77, 78 : Bonding wire 711, 721, 731, 741, 771, 781 : First bonding portion 712, 722, 732, 742, 772, 782 : Second bonding portion 75 : Sintered metal bonding material 76, 761 to 765 : Sintered metal bonding material 79, 791 to 795 : Plating layer 8 : Sealing resin 81 : Resin main surface 82 : Resin back surface 83 : Resin side surface 910 : Lead frame 911 : Main surface 920 : Sintered silver paste 930 : Sintered silver paste 950 : Cutting line

Claims (10)

半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される第１リードと、
第１端部を有するボンディングワイヤと、
前記第１リードの一部により構成され、かつ、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部と、
多孔質の焼結金属を含む焼結金属接合材と、
を備え、
前記焼結金属接合材は、前記半導体素子と前記第１リードとの間に介在し、かつ、前記ワイヤボンディング部の少なくとも一部と前記第１端部とを覆う、
半導体装置。 a semiconductor element;
a first lead on which the semiconductor element is mounted;
a bonding wire having a first end;
a wire bonding part configured by a part of the first lead and to which the first end is connected;
a sintered metal bonding material containing porous sintered metal;
Equipped with
The sintered metal bonding material is interposed between the semiconductor element and the first lead, and covers at least a portion of the wire bonding part and the first end.
Semiconductor equipment. 前記焼結金属接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
請求項１に記載の半導体装置。 The sintered metal in the sintered metal bonding material is sintered silver;
The semiconductor device according to claim 1 . 前記焼結金属接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
請求項１または２に記載の半導体装置。 The sintered metal bonding material contains a thermoplastic resin.
3. The semiconductor device according to claim 1 or 2 . 前記ボンディングワイヤは、Ｃｕからなる、
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。 The bonding wire is made of Cu.
4. The semiconductor device according to claim 1. 前記ボンディングワイヤは、表面がＰｄで覆われている、
請求項４に記載の半導体装置。 The bonding wire has a surface covered with Pd.
The semiconductor device according to claim 4 . 前記第１端部は、前記半導体素子の厚さ方向視において、前記半導体素子に重なっている、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。 The first end portion overlaps the semiconductor element when viewed in a thickness direction of the semiconductor element.
6. The semiconductor device according to claim 1. 前記ボンディングワイヤは、前記第１端部の反対側に位置する第２端部を有し、
前記第２端部は、前記半導体素子に接続されている、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。 The bonding wire has a second end located opposite the first end,
the second end is connected to the semiconductor element;
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 5 . めっき層をさらに備え、
前記ワイヤボンディング部は、前記第１端部が接続されるワイヤボンディング部主面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。 Further equipped with a plating layer,
The wire bonding portion includes a main surface of the wire bonding portion to which the first end portion is connected,
The plating layer is formed in contact with the main surface of the wire bonding part and in contact with the sintered metal bonding material,
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 7. 前記ワイヤボンディング部は、前記ワイヤボンディング部主面とは反対側を向くワイヤボンディング部裏面を備え、
前記めっき層は、前記ワイヤボンディング部裏面にも形成されている、
請求項８に記載の半導体装置。 The wire bonding portion includes a wire bonding portion back surface facing opposite to the wire bonding portion main surface,
The plating layer is also formed on the back surface of the wire bonding part,
The semiconductor device according to claim 8. 前記めっき層は、Ａｇを含有する、
請求項８または９に記載の半導体装置。 The plating layer contains Ag.
The semiconductor device according to claim 8 or 9.
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