JP7447990B2 - 誘電分光測定装置および方法 - Google Patents
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Description
本発明は、微量な液体試料の複素誘電率を測定する誘電分光測定装置および方法に関する。
高齢化が進み、成人病に対する対応が大きな課題になっている。血糖値などの検査は、血液の採取が必要なために患者にとって大きな負担である。このため、血液を採取しない非侵襲な成分濃度測定装置が注目されている。
非侵襲な成分濃度測定としては、マイクロ波－ミリ波帯の電磁波を用いた技術が提案されている。この技術は、近赤外光などの光学的な測定と比べ、生体内での散乱が少ない、１フォトンの持つエネルギーが低い、などの利点がある。マイクロ波－ミリ波帯の電磁波を用いた例として、例えば、非特許文献１に示される共振構造を用いた測定技術がある。この技術では、アンテナや共振器などのＱ値の高い測定デバイスと測定試料を接触させ、共振周波数周辺の周波数特性を測定する。共振周波数は、測定デバイスの周囲の複素誘電率により決定されるため、共振周波数のシフト量と成分濃度との間の相関を予測することにより、共振周波数のシフト量から成分濃度を推定する。
マイクロ波－ミリ波帯の電磁波を用いた他の測定技術としては、特許文献１に示す誘電分光法が提案されている。誘電分光法は、皮膚内に電磁波を照射し、測定対象である血液成分、例えば、グルコース分子と水の相互作用に従い、電磁波を吸収させ、電磁波の振幅および位相を観測する。観測される電磁波の周波数に対する振幅および位相から、誘電緩和スペクトルを算定する。
誘電緩和スペクトルは、一般的には、Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ式に基づいて緩和カーブの線形結合として表現し、複素誘電率を算定する。生体成分の計測では、例えば血液中に含まれるグルコースやコレステロールなどの血液成分の量に複素誘電率は相関があり、この変化に対応した電気信号（振幅、位相）として測定される。複素誘電率変化と成分濃度との相関を予め測定することによって検量モデルを作成し、計測した誘電緩和スペクトルの変化と検量モデルとの比較から成分濃度の検量を行う。いずれの測定技術を用いる場合でも、対象となる成分と相関の強い周波数帯を選定することにより測定感度の向上が期待できるため、予め広帯域な誘電分光により誘電率の変化を測定しておくことが重要となる。
誘電分光法の中でも、非特許文献２に示すような同軸プローブ（Open-ended coaxial probe、または Open-ended coaxial line）を用いた技術は、測定器の校正に水などの入手が容易な試料を用いることができる。また、この測定技術では、材料の特殊な加工を必要とせず、プローブ端面に被測定試料を接触させることで測定試料の誘電率を測定することが可能である。これらのことにより、非特許文献２に示されている同軸プローブを用いた測定技術は、生体や土壌などの加工が困難な試料の測定に適している。
M. Hofmann et al., "Microwave-Based Noninvasive Concentration Measurements for Biomedical Applications", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 61, no. 5, pp. 2195-2204, 2013.
J.P. Grant, "A critical study of the openended coaxial line sensor technique for RF and microwave complex permittivity measurements", Journal of Physics E: Scientific Instruments, vol. 22, pp. 757-770, 1989.
しかしながら、従来の同軸プローブを用いた測定は、被測定物質が十分厚いという条件下において正確に誘電率を測定するものであり、測定対象が薄い場合、測定対象の厚さが既知でなければ誘電率が測定できない。また、測定対象が、多層となっている場合、測定対象の一部の誘電率などが既知でなければ、誘電率が測定できない。
例えば、果実の糖度分析や生体内グルコース濃度推定などの非侵襲な生体成分応用を考える場合、多くの場合、同軸プローブが接触する部位は、少なくとも、水分を保持するためのバリア層と水分を多く含む生体内部の層からなる２層構造であると考えられる。このような場合、バリア層の影響を抑制し、生体内部の誘電率や誘電率情報から推定される成分濃度が算出できることが望ましい。しかしながら、生体内部の材料誘電率やバリア層の厚さを予め計測しておくことは困難であり、従来の同軸プローブを用いた技術では、正確な測定ができないという問題があった。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、同軸プローブを用いた誘電分光法で、多層となっている測定対象の測定が正確に実施できるようにすることを目的とする。
本発明に係る誘電分光測定装置は、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とする第１プローブと、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とし、第１プローブより侵入長が長い第２プローブと、第１プローブを用いた測定対象物の測定結果、および第２プローブを用いた測定対象物の測定結果により、第１プローブの侵入長より薄い表層側の第１媒質と、第１媒質より深層側の第２媒質とが積層されている測定対象物の第２媒質の誘電率を求める測定器とを備える。
本発明に係る誘電分光測定方法は、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とする第１プローブと、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とし、第１プローブより侵入長が長い第２プローブとを用いた誘電分光法により、第１プローブの侵入長より薄い表層側の第１媒質と、第１媒質より深層側の第２媒質とが積層されている測定対象物の第２媒質の誘電率εsを求める誘電分光測定方法であって、第１プローブを用いた測定対象物の測定により第１媒質の誘電率実測値を求め、第２プローブを用いた測定対象物の測定により第２プローブの検出端におけるアドミタンスの実測値Ｙmeasuredを求める第１ステップと、第１媒質の誘電率ε1、誘電率εsを用いた第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデルを用い、誘電率ε1を誘電率実測値とし、誘電率εsを変数として、第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデル値Ｙmodelを求める第２ステップと、実測値Ｙmeasuredとモデル値Ｙmodelとが等しくなる誘電率εsを求める第３ステップとを備える。
以上説明したように、本発明によれば、第１プローブと、第１プローブより侵入長が長い第２プローブとを用いるので、同軸プローブを用いた誘電分光法で、多層となっている測定対象の測定が正確に実施できる。
以下、本発明の実施の形態に係る誘電分光測定装置について図１を参照して説明する。この誘電分光測定装置は、第１プローブ１０１、第２プローブ１０２、測定器１０３を備える。
第１プローブ１０１は、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端１０１ａとしている。第２プローブ１０２は、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端１０２ａとしている。また、第２プローブ１０２は、第１プローブ１０１より侵入長が長い。これらプローブにより、測定対象物１５０の誘電率を電気信号として測定する。
測定器１０３は、第１プローブ１０１を用いた測定対象物の測定結果、および第２プローブ１０２を用いた測定対象物の測定結果により、第１プローブ１０１の侵入長より薄い表層側の第１媒質１５１と、第１媒質１５１より深層側の第２媒質１５２とが積層されている測定対象物１５０の第２媒質１５２の誘電率を求める。
第１プローブ１０１は、外導体１１１と内導体１１２とを備える同軸線路から構成され、外導体１１１と内導体１１２との間は、フッ素樹脂などから構成された誘電体層１１３で充填されている。第１プローブ１０１により、検出端１０１ａにおいて測定対象物１５０に接触する、外導体１１１と内導体１１２との間に生じる漏洩電磁界を利用することで、測定対象物１５０のインピーダンス、アドミタンスなどの電気的特性が測定できる。
また、第１プローブ１０１の検出端１０２ａには、例えば、フリンジ１１４を形成することができる。円柱状の第１プローブ１０１の端部に、円板状のフリンジ１１４を設けることができる。フリンジ１１４は、外導体１１１に形成されている。フリンジ１１４の同軸線路の導波方向に垂直な方向の面は、例えば、検出端１０１ａからの漏洩電界の電界強度が、最大値の１％以下となる領域より広くされている。
第２プローブ１０２は、外導体１２１と内導体１２２とを備える同軸線路から構成され、外導体１２１と内導体１２２との間は、フッ素樹脂などから構成された誘電体層１２３で充填されている。内導体１２２の外径は、内導体１１２の外径より大きいものとされている。第２プローブ１０２により、検出端１０２ａにおいて測定対象物１５０に接触する、外導体１２１と内導体１２２との間に生じる漏洩電磁界を利用することで、測定対象物１５０のインピーダンス、アドミタンスなどの電気的特性が測定できる。
また、第２プローブ１０２の検出端１０２ａには、例えば、フリンジ１２４を形成することができる。円柱状の第２プローブ１０２の端部に、円板状のフリンジ１２４を設けることができる。フリンジ１２４は、外導体１２１に形成されている。フリンジ１２４の同軸線路の導波方向に垂直な方向の面は、例えば、検出端１０２ａからの漏洩電界の電界強度が、最大値の１％以下となる領域より広くされている。
また、図２Ａ、図２Ｂに示すように、第１プローブ１０１，第２プローブ１０２は、共通のフリンジ１０４に集積することもできる。このように共通のフリンジ１０４に第１プローブ１０１と第２プローブ１０２とを集積することで、両者の測定領域（検出端１０１ａ，検出端１０２ａ）を近づけることができる。このように構成することで、不均質な材料や測定領域の狭い材料などの測定が可能となる。
測定器１０３は、第１処理部１３１、第２処理部１３２、第３処理部１３３、高周波測定部１３４、および表示部１３５を備える。高周波測定部１３４は、任意の範囲で周波数を掃引して電磁波を発生して、第１プローブ１０１、第２プローブ１０２に供給する。また、高周波測定部１３４は、第１プローブ１０１、第２プローブ１０２の各々において、測定対象物１５０に電磁波が吸収された状態において、電磁波の振幅および位相を測定（観測）する。
なお、高周波測定部１３４は、例えば、ベクトルネットワークアナライザである。また、高周波測定部１３４は、市販されているインピーダンスアナライザやＬＣＲメータなどを用いることができる。
第１処理部１３１は、まず、測定対象物１５０の第１プローブ１０１を用いた測定により高周波測定部１３４で測定された測定結果より、第１媒質１５１の誘電率実測値を求める。また、第１処理部１３１は、第２プローブ１０２を用いた測定対象物１５０の測定により高周波測定部１３４で測定された測定結果より、第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスの実測値Ｙmeasuredを求める。
第２処理部１３２は、第１媒質１５１の誘電率ε1、第２媒質１５２の誘電率εsを用いた第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスのモデルを用い、誘電率ε1を誘電率実測値とし、誘電率εsを変数として、第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスのモデル値Ｙmodelを求める。
第３処理部１３３は、実測値Ｙmeasuredとモデル値Ｙmodelとが等しくなる誘電率εsを求める。表示部１３５は、第３処理部１３３で求められた結果を表示する。
次に、実施の形態に係る誘電分光測定装置について、より詳細に説明する。
同軸線路の特性インピーダンスは、以下の式（１）で示される。式（１）において、Ｚ０は同軸線路の特性インピーダンス（Ω）、εrは同軸線路における誘電体層の比誘電率を示すパラメータ、ａは内導体の外径の半径、ｂは外導体の内径の半径である。また、同軸線路のカットオフ周波数は、以下の式（２）で示される。式（２）において、ｆｃはカットオフ周波数、ｖは光速である。
例えば、測定器１０３の高周波測定部は、一般的に特性インピーダンスが５０Ω、あるいは７５Ωとなるよう設計されている。このため、測定周波数の上限がカットオフ周波数ｆｃ以下とならず、かつ特性インピーダンスが上記を満たすように、パラメータａ、ｂ、εrを設計する。例えば、測定周波数の上限が５０ＧＨｚ、特性インピーダンス５０Ω、外導体と内導体との間の誘電体層がフッ素樹脂（εr≒２．２）の場合、ａは０．１７５ｍｍとし、ｂは０．８ｍｍ、とする。
第１プローブ１０１および第２プローブ１０２の特性インピーダンスは、同値となるように設計する一方で、内導体１２２の外径は、内導体１１２の外径より大きいものとなるように設計する。すなわち、第１プローブ１０１および第２プローブ１０２は、式（３）を満たす構造となる。なお、式（３）において、各変数の数字は第１プローブ１０１、第２プローブ１０２を意味する。
例えば、測定周波数の上限が５０ＧＨｚ、特性インピーダンス５０Ω、誘電体層の材料がフッ素樹脂（εr≒２．２）の場合、ａ1、ｂ1、ａ2、ｂ2はそれぞれ０．１７５ｍｍ、０．８ｍｍ、０．３３ｍｍ、１．５ｍｍとする。なお、実施の形態においては、ａ1＜ａ2、ｂ1＜ｂ2であり、第２プローブ１０２の方が開口は広く、カットオフ周波数は低いものであるとする。このとき、各プローブの測定対象物１５０の方向の電界強度の減衰率は、図３の通りである。図３において、点線が第１プローブ１０１の特性を示し、破線が第２プローブ１０２の特性を示す。図３に示すように、第２プローブ１０２の方がより深くまで侵入する。
ここで、第１処理部１３１は、高周波測定部１３４により測定されたインピーダンス、アドミタンス、反射係数などから、測定対象物１５０の誘電率を計算する。例えば、予め誘電率が分かっている３つの第１基準物質，第２基準物質，第３基準物質を用い、以下の式（３）および式（４）などを用い、測定対象物１５０の誘電率を算出する。
ここで、ρ1は、第１基準物質を測定した結果得られる反射係数、ρ2は、第２基準物質を測定した結果得られる反射係数、ρ3は、第３基準物質を測定した結果得られる反射係数である。また、ρ4は、対象物質を測定した結果得られる反射係数である。
また、ｙ1は誘電率がε1である第１基準物質を測定した結果得られるアドミタンスの線形写像、ｙ2は誘電率がε2である第１基準物質を測定した結果得られるアドミタンスの線形写像、ｙ3は誘電率がε3である第１基準物質を測定した結果得られるアドミタンスの線形写像である。また、ｙ4は誘電率がε4である測定対象物１５０を測定した結果得られるアドミタンスの線形写像である。Ｇ0は、各プローブの中で、検出端より外部に出ている部分の特性インピーダンスを指す。
誘電率が既知な第１基準物質、第２基準物質、第３基準物質を校正標準として用いることにより，測定対象物１５０の誘電率を算出する。校正標準としては，空気、固体、液体金属、水、また、アルコールなどの有機溶媒などを用いる。
ここで、実施の形態に係る誘電分光測定装置（第２処理部１３２）は、測定対象物１５０の測定により求める実効誘電率を、図４に示すように、２種の誘電体１５１ａ，誘電体１５２ａからなる材料としてモデルを構成する。図４において、ｄｐ１は第１プローブ１０１の侵入深さ，ｄｐ２は第２プローブ１０２の侵入深さである。この侵入深さは、図３における電界強度が一定の値、例えば１０％～３０％のいずれかの値まで減衰するまでの距離である。ε1は、第１プローブ１０１の測定による実測値である。また、εsは、図１における第２媒質１５２の誘電率である。なお、一般的な同軸プローブ法では、測定対象物１５０の実効誘電率は、測定された誘電率で一様な材料の誘電体であるとみなす。
上述した２種の誘電体からなる２層媒質を測定する場合のアドミタンスのモデルは、例えば、以下の式（６）で示すことができる（参考文献１参照）。
式（６）において、εcは同軸線路の絶縁体の誘電率、ｋ0は測定周波数における波数、ε1、γ1は、表層側の誘電体の誘電率および伝搬定数、εs、γsは、深層側の誘電体の誘電率および伝搬定数，Ｊ0（ｘ）は０次ベッセル関数、ζは、ハンケル変換に伴う変数である。また、第１プローブ１０１の侵入深さｄｐ１は第１媒質１５１の厚さよりも厚くなるように設計する。これにより、表層である第１媒質１５１の誘電率および厚さの影響は、第１プローブ１０１の測定による誘電率ε1に包含されるため、図４Ａに示す実効誘電率モデルにおける誘電体１５２ａは、第２媒質１５２の誘電率と等しものとして扱うことできる。
なお、上述した２種の誘電体からなる２層媒質を測定する場合のアドミタンスのモデルは、例えば、以下の式（７）で示すこともできる（参考文献１参照）。なお、式（７）において、Ｍは、同軸プローブの強度の減衰率である。また，評価関数は（８）式を用いる。εmeasは、測定される実効誘電率である。
次に、本発明の実施の形態に係る誘電分光測定方法について、図５を参照して説明する。この測定方法は、第１プローブ１０１と、第２プローブ１０２とを用いた誘電分光法により、第１プローブ１０１の侵入長より薄い表層側の第１媒質１５１と、第１媒質１５１より深層側の第２媒質１５２とが積層されている測定対象物の第２媒質１５２の誘電率εsを求める方法である。
まず、ステップＳ１０１で、測定面となる測定対象物１５０（第１媒質１５１）の表面を、プローブと測定対象との境界面とするために較正を実施する。誘電率が既知な材料として、空気、金属、純水を標準試料として用いて校正用データを取得する。標準試料に金属を用いない場合には、アルコールなどの有機溶媒２種類を代わりに用いてもよい。
次に、ステップＳ１０２で、第１プローブ１０１を用いた測定、および第２プローブを用いた測定を実施する。
次に、ステップＳ１０３で、第１処理部１３１が、測定対象物１５０の第１プローブ１０１を用いた測定により高周波測定部１３４で測定された測定結果より、第１媒質１５１の誘電率実測値を求める。また、第１処理部１３１が、第２プローブ１０２を用いた測定対象物１５０の測定により高周波測定部１３４で測定された測定結果より、第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスの実測値Ｙmeasuredを求める（第１ステップ）。
次に、ステップＳ１０４で、第２処理部１３２が、第１媒質１５１の誘電率ε1、第２媒質１５２の誘電率εsを用いた第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスのモデルを用い、誘電率ε1を誘電率実測値とし、誘電率εsを変数として、第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスのモデル値Ｙmodelを求める（第２ステップ）。アドミタンスのモデルは、例えば、式（６）で示されるモデルとすることができる。
次に、ステップＳ１０５で、実測値Ｙmeasuredとモデル値Ｙmodelとが等しくなるという逆問題解析により、第２媒質１５２の誘電率εsを求める（第３ステップ）。
上述したステップＳ１０１～ステップＳ１０５を、所定の周波数ポイント分、繰り返して実施することにより誘電分光スペクトルを取得することができる。
図６に、上述した測定方法を用いた実際の測定結果について示す。測定対象物１５０は、第１媒質１５１をポリエチレンシートとし、第２媒質１５２を生理食塩水とした。図５において、実線が実際の測定により求めた実測値Ｙmeasuredであり、点線が、式（６）をモデルとしたモデル値Ｙmodelである。式（６）をモデルとしたモデル値Ｙmodelにより、第２プローブ１０２の検出端１０２ａにおけるアドミタンスが、精度よく表現できていることがわかる。
なお、上述した実施の形態に係る誘電分光測定装置の測定器は、ＣＰＵ（Central Processing Unit；中央演算処理装置）と主記憶装置と外部記憶装置とネットワーク接続装置となどを備えたコンピュータ機器とし、主記憶装置に展開されたプログラムによりＣＰＵが動作する（プログラムを実行する）ことで、上述した各機能（誘電分光測定方法）が実現されるようにすることもできる。上記プログラムは、上述した実施の形態で示した誘電分光測定方法をコンピュータが実行するためのプログラムである。また、各機能は、複数のコンピュータ機器に分散させることもできる。
また、上述した実施の形態に係る誘電分光測定装置の測定器は、ＦＰＧＡ（field-programmable gate array）などのプログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ：Programmable Logic Device）により構成することも可能である。例えば、ＦＰＧＡのロジックエレメントに、第１処理部、第２処理部、第３処理部、第４処理部の各々を回路として備えることで、測定器として機能させることができる。第１処理部、第２処理部、第３処理部、第４処理部の各々は、所定の書き込み装置を接続してＦＰＧＡに書き込むことができる。また、ＦＰＧＡに書き込まれた上記の各回路は、ＦＰＧＡに接続した書き込み装置により確認することができる。
以上に説明したように、本発明によれば、第１プローブと、第１プローブより侵入長が長い第２プローブとを用いるので、同軸プローブを用いた誘電分光法で、多層となっている測定対象の測定が正確に実施できるようになる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
［参考文献１］Kok Yeow You, "RF Coaxial Slot Radiators: Modeling, Measurements, and Applications", ISBN: 9781608078226.
１０１…第１プローブ、１０１ａ…検出端、１０２…第２プローブ、１０２ａ…検出端、１０３…測定器、１１１…外導体、１１２…内導体、１１３…誘電体層、１１４…フリンジ、１２１…外導体、１２２…内導体、１２３…誘電体層、１２４…フリンジ、１３１…第１処理部、１３２…第２処理部、１３３…第３処理部、１３４…高周波測定部、１３５…表示部、１５０…測定対象物、１５１…第１媒質、１５２…第２媒質。
Claims (6)
- 同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とする第１プローブと、
同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とし、前記第１プローブより侵入長が長い第２プローブと、
前記第１プローブを用いた測定対象物の測定結果、および前記第２プローブを用いた前記測定対象物の測定結果により、前記第１プローブの侵入長より薄い表層側の第１媒質と、前記第１媒質より深層側の第２媒質とが積層されている前記測定対象物の前記第２媒質の誘電率を求める測定器と
を備え、
前記測定器は、
前記第１プローブの侵入長より薄い表層側の前記第１媒質と、前記第１媒質より深層側の前記第２媒質とが積層されている前記測定対象物の、前記第１プローブを用いた測定により前記第１媒質の誘電率実測値を求め、前記第２プローブを用いた前記測定対象物の測定により前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスの実測値Ｙ measured を求める第１処理部と、
前記第１媒質の誘電率ε 1 、前記第２媒質の誘電率ε s を用いた前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデルを用い、前記誘電率ε 1 を前記誘電率実測値とし、前記誘電率ε s を変数として、前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデル値Ｙ model を求める第２処理部と、
前記実測値Ｙ measured と前記モデル値Ｙ model とが等しくなる誘電率ε s を求める第３処理部と
を備える誘電分光測定装置。 - 請求項１記載の誘電分光測定装置において、
前記第１プローブおよび前記第２プローブの各々は、検出端にフリンジが形成されていることを特徴とする誘電分光測定装置。 - 請求項２記載の誘電分光測定装置において、
前記フリンジの前記同軸線路の導波方向に垂直な方向の面は、検出端からの漏洩電界の電界強度が、最大値の１％以下となる領域より広くされている
ことを特徴とする誘電分光測定装置。 - 請求項１～３のいずれか１項に記載の誘電分光測定装置において、
前記第２処理部は、式（Ａ）で示されるアドミタンスモデルを用いることを特徴とする誘電分光測定装置。
- 同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とする第１プローブと、同軸線路から構成され、開放端とされた一端を検出端とし、前記第１プローブより侵入長が長い第２プローブとを用いた誘電分光法により、前記第１プローブの侵入長より薄い表層側の第１媒質と、前記第１媒質より深層側の第２媒質とが積層されている測定対象物の前記第２媒質の誘電率εsを求める誘電分光測定方法であって、
前記第１プローブを用いた前記測定対象物の測定により前記第１媒質の誘電率実測値を求め、前記第２プローブを用いた前記測定対象物の測定により前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスの実測値Ｙmeasuredを求める第１ステップと、
前記第１媒質の誘電率ε1、前記誘電率εsを用いた前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデルを用い、前記誘電率ε1を前記誘電率実測値とし、前記誘電率εsを変数として、前記第２プローブの検出端におけるアドミタンスのモデル値Ｙmodelを求める第２ステップと、
前記実測値Ｙmeasuredと前記モデル値Ｙmodelとが等しくなる誘電率εsを求める第３ステップと
を備えることを特徴とする誘電分光測定方法。 - 請求項５記載の誘電分光測定方法において、
前記第２ステップは、式（Ａ）で示されるアドミタンスモデルを用いることを特徴とする誘電分光測定方法。
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