JP7440897B2 - 貼り合わせ装置、貼り合わせ方法およびそれを用いた素子の製造方法 - Google Patents
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Description
この例としては、例えば、非特許文献1に記載のあるhBN(六方晶窒化ホウ素)/グラフェン/hBNヘテロ構造(ファンデルワールスヘテロ構造)のデバイスを挙げることができる。このデバイスは低消費電力デバイスの有力候補になっている。
また、その貼り合わせ装置、方法を用いて、電気特性が優れるデバイス(装置)の製造方法を提供することである。
(構成1)
貼り合わせ用ハンドリングチップ、温度制御機能を具備する被貼り合わせ試料載置用ステージ、前記ハンドリングチップと前記ステージとの位置を変える位置移動手段、前記ハンドリングチップを介して前記ステージ上に載置された被貼り合わせ試料を画像観察するモニター手段、および前記モニター手段からの画像情報を基に前記位置移動手段および前記温度制御機能を用いて前記ステージの温度を制御する制御手段、とを有し、
前記ハンドリングチップは、段差が形成されている前記画像観察用の光を透過するハンドリングチップ基板上に、Polydimethylsiloxane(PDMS)膜およびPolypropylene carbonate(PPC)膜が順次形成された構造を有し、
前記PPC膜の表面は前記ハンドリングチップ基板の下面に対して15°以上19°以下の傾斜部を有する、貼り合わせ装置。
(構成2)
前記傾斜部の長さは0.1mm以上100mm以下である、構成1記載の貼り合わせ装置。
(構成3)
前記段差は、50μm以上500μm以下である、構成1または2記載の貼り合わせ装置。
(構成4)
前記段差は、2以上の辺を有して形成されている、構成1から3の何れか1記載の貼り合わせ装置。
(構成5)
前記PDMS膜の表面は、RMS(Root Mean Square)で10nm以上1μm以下の凹凸を有する、構成1から4の何れか1記載の貼り合わせ装置。
(構成6)
前記ハンドリングチップ基板は、PDMSからなるゲルシートと透明な平面形状を有する基体からなる、構成1から5の何れか1記載の貼り合わせ装置。
(構成7)
前記ゲルシートの最大辺の長さは、0.1mm以上100mm以下である、構成6記載の貼り合わせ装置。
(構成8)
前記ゲルシートの厚さは、100μm以上300μmである、構成6または7記載の貼り合わせ装置。
(構成9)
前記温度制御機能の温度範囲は、0℃以上150℃以下である、構成1から8の何れか1記載の貼り合わせ装置。
(構成10)
第1の試料を第2の試料に貼り合わせる貼り合わせ方法であって、
前記第1の試料を第1の載置台上に載置する第1のステップと、
段差が形成された透明基板上にPDMS膜およびPPC膜が順次形成され、かつ15°以上19°以下の表面傾斜が長さ0.1mm以上100mm以下形成された貼り合わせ用ハンドリングチップを、所定の温度T1下で前記15°以上19°以下の表面傾斜が前記第1の試料のエッジ部に触れるように接触させる第2のステップと、
前記第1の試料を第1の載置台から離反させる第3のステップと、
前記第1の試料を、所定の温度T2下で前記第2の試料に接触させる第3のステップと、
前記貼り合わせ用ハンドリングチップを前記第1の試料から離反させる第4のステップとを有する、
貼り合わせ方法。
(構成11)
前記段差は、50μm以上500μm以下である、構成10記載の貼り合わせ方法。
(構成12)
前記段差は2以上の辺を有して形成されており、前記2以上の辺の内の2辺と前記第1の試料における2辺の部分を重ねて、第2のステップの前記接触を行う、構成10または11記載の貼り合わせ方法。
(構成13)
前記第1の試料は六方晶窒化ホウ素(hBN)からなり、前記第2の試料はグラフェンからなり、前記所定の温度T1、T2はそれぞれ30℃以上70℃以下および90℃以上150℃以下である、構成10から12の何れか1記載の貼り合わせ方法。
(構成14)
構成10から13の何れか1記載の貼り合わせ方法を用いて素子の製造を行う、素子の製造方法。
また、その貼り合わせ装置、方法を用いて、電気特性が優れるデバイス(装置)の製造方法を提供することが可能になる。
<装置>
本実施の形態の装置構成を図1に示す。貼り合わせ装置101は、温度調整手段12と載置基体13を具備し、試料11を載置する載置台(ステージ)14と、載置台14を移動させる位置移動手段15と、貼り合わせ用ハンドリングチップ(スタンプ)18を具備するアーム17と、アーム17を移動させる位置移動手段19と、貼り合わせ用ハンドリングチップ18およびアーム17を介して試料11を画像観察する画像観察手段20と、画像観察手段20から画像情報をインプットして位置移動手段15および位置移動手段19を用いて載置台14およびアーム17の相対位置を変えて試料の貼り合わせや引き離しの制御や温度調整手段12による温度制御を行う制御手段21を有する。ここで、載置台14の位置移動は、位置移動手段15と載置台14とをロッド16を介して接続して行ってもよいし、位置移動手段15を載置台14に載せて行ってもよい。また、位置移動手段15および位置移動手段19はどちらか1つにして装置を簡略化してもよい。また、位置移動手段15は水平(XY)および回転(θ)移動に特化させ、位置移動手段19は上下(Z)移動に特化させてもよい。
貼り合わせ用ハンドリングチップ18は、画像観察手段20で試料11を観察できるように、画像観察手段20に用いる光に対して透明とする。アーム17も試料11を画像観察手段20で観察するときに視野にかぶる構成のときは、画像観察手段20に用いる光に対して透明とする。
ここで、図2(a)は断面図で、θは表面傾斜角を表す。図2(b)および(c)は平面視図であり、(b)は長方形状の段差52、(c)はL字状の段差52が形成された場合である。図中の62は、表面傾斜が15°以上19°以下の領域を表す。15°以上19°以下の表面傾斜領域の長さLまたはA+Bは、0.1mm以上100mm以下が好ましい。特にL字状の段差を形成した場合((c)の場合)は、二辺を使って貼り合わせを行う試料をさせることができ、姿勢が安定するので安定して気泡の発生を抑制することが可能となる。
ゲルシートの最大辺の長さは、0.1mm以上100mm以下が好ましく、100μm以上300μm以下がより好ましい。ゲルシートの最大辺の長さがこの範囲にあると貼り合わせを行ったときに気泡が発生しにくいという効果がある。また、ゲルシートの厚さは、100μm以上300μm以下が好ましい。ゲルシートの厚さがこの範囲にあると貼り合わせを行ったときに気泡が発生しにくいという効果がある。
段差51は50μm以上500μm以下が好ましい。段差がこの範囲にあると貼り合わせを行ったときに気泡が発生しにくいという効果がある。
貼り合わせのプロセスを、要部断面を用いて工程を示した図4を参照しながら、第1の試料を第2の試料に貼り合わせる場合を例にして説明する。ここでは、第1の試料としてhBN、第2の試料としてグラフェンを用いた場合を説明するがこの組み合わせに限らず、例えば第1の試料としてグラファイト薄膜(多層グラフェン)、第2の試料として二硫化モリブデン薄膜を用いてもよい。
本発明の貼り合わせプロセスは、基板(Substrate)上に載置された第1の試料(hBN)を、載置台(Sample stage)4上に載置する第1のステップ(図4(a))と、段差が形成された透明基板上にPDMSおよびPPCが順次形成され、かつ15°以上19°以下の表面傾斜が長さ0.1mm以上100mm以下形成された貼り合わせ用ハンドリングチップ18(スタンプ、Stamp)を、所定の温度T1で15°以上19°以下の表面傾斜が第1の試料のエッジ部に触れるように接触させる第2のステップ(図4(b))と、第1の試料を載置台4から離反させる第3のステップ(図4(d))と、基板上に載置された第2の試料を載置台4に載置した後(図4(e))、第1の試料を所定の温度T2下で第2の試料に接触させる第3のステップ(図4(f))と、載置台4を上ゲて第1の試料を所定の温度T2で第2の試料に密着(図4(g))させた後、スタンプを前記第1の試料から離反させる第4のステップ(図4(h))とを有する。
また、上記の段差は2以上の辺を有して形成されており、2以上の辺のうちの2辺と第1の試料における2辺の部分を重ねて第2のステップの前記接触を行うことが、気泡の発生を抑制する上で好ましい。
また、第1の試料はが六方晶窒化ホウ素(hBN)からなり、第2の試料がグラフェンからなる場合は、温度T1、T2はそれぞれ30℃以上70℃以下および90℃以上150℃以下であることが、気泡の発生を抑制する上で好ましい。さらに、この場合、第1のステップでの載置台4の温度は室温であることが取り扱いが容易になることから好ましい。第2のステップは、室温から一旦55℃というような比較的高温を経て(図4(c))、40℃というような比較的低温にしてから第3のステップに移行することが、接着力の観点から好ましい。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態による貼り合わせ方法を用いた素子の製造方法に関するものである。
素子製造方法の適用としては、GaN、Ga2O3などの半導体層上に形成する結晶性のゲート絶縁膜の貼り合わせ、SOI(Semiconductor On Insulator)における貼り合わせ、hBNとグラフェンなどのヘテロ接合貼り合わせなどを挙げることができる。
素子とする場合には、被貼り合わせ物体と貼り合わせ物体との貼り合わせ工程が重要であるばかりではなく、配線や電極の形成、インテグレーションする上で必要な熱処理工程とも整合が取れる必要がある。
実施の形態1で示した貼り合わせ法により作製した貼り合わせ物はその界面に気泡を発生させることなく、またファンデルワールス力によって貼り合わせ物と被貼り合わせ物が強力に密着したものとなるため、配線や電極の形成や熱処理工程と整合性のとれたものとなる。
実施例1では、第1の試料の貼り合わせ部材であるhBNを第2の試料の被貼り合わせ部材であるグラフェンに貼り合わせた例について説明する。
アーム17としては、スライドガラスを用い、スライドガラスを固定するためのマイクロマニピュレーター(Thorlab Inc.、米国)を載置台14の近くに配置した。このマニュピュレータは位置移動手段19としても機能させることができるが、本実施例では半固定として、試料11の移動は主に位置移動手段15によって行った。
スライドガラスの先には貼り合わせ用ハンドリングチップ18を貼り付けた。このため、画像観察手段20を用いて試料11を観察するときは、アーム17であるスライドガラスを介さずに貼り合わせ用ハンドリングチップ18のみを介して観察できるようにした。
画像観察手段20は、2種類の対物レンズを有する5×および20×の顕微鏡とし、観察光にはハロゲンランプを用いた。レンズのNAは各々0.15および0.45である。
最初に、約25mm×15mの寸法のスライドガラス(第1のスライドガラス)を準備した。
次に、PDMSベースのゲルフィルムポリマーシート(Gel+Film WF-55-X4-A,Gel-Pak、米国)を1~1.5mmの正方形に切断し、第1のスライドガラスの中央に貼り付けた。
その後、透明基板51上にPDMS:Agent混合物(質量比で9:1)で3000rpmで1分間スピンコートし、70℃で5時間焼き付けた。
別途PDMS膜に同様のO2プラズマで処理した試料を作製し、AFM(Atomic Force Microscope)で1μm×1μmの範囲で観察したところ、表面粗さはRMSで約19nmであった。また、O2プラズマ未処理の状態では約0.62nmであった。このO2プラズマで処理を施しておくと、貼り合わせ試料のハンドリングに問題は発生しなかったが、O2プラズマ未処理で貼り合わせ用ハンドリングチップ18を作製した場合は、貼り合わせ工程中にPDMS膜53と次に述べるPPC膜54の間で剥離が発生することがあり、この剥離があった場合は、hBNとグラフェンとの貼り合わせ面に気泡が発生した。
上記方法によって製造された貼り合わせ用ハンドリングチップ18は、図3(b)に示すように、スタンプ表面の中央に突起が形成されており、傾斜角θは約15~19°であった。これは、気泡が発生しない貼り合わせ(転写)に不可欠であった。
位置移動手段19としてはマニピュレーターを用いたが、貼り合わせ用ハンドリングチップ18は、そのPPC膜表面の突出部側が下を向くようにしてマニピュレーターに取り付けられた。
最初に、hBNのフレークを機械的剥離法により厚さ90nmのSiO2膜が形成されたSi基板に貼り付け、載置台14(ステージ)に設置した(図5(i))。スタンプ(貼り合わせ用ハンドリングチップ)18をターゲットのhBNフレークに配置する前に、スタンプが清浄なSiO2表面と接触するようにすることで、スタンプが試料と最初に接触する位置を確認した(図5(ii))。
その後、スタンプをSi基板から持ち上げ、スタンプ18の表面傾斜角が15~19°の領域がhBNフレークのエッジ部に来るように位置移動手段15および19を使ってスタンプ18と載置台14の相対位置を移動させた(図4(a))。フレークのサイズに応じて、接触領域の長さは500~1000μmの範囲であった。
次に、hBNフレークが接触領域で完全に覆われるまで、室温(約25℃)で載置台14を持ち上げた(図4(b)、図5(iii))。
その後、ピックアッププロセスの制御性を高めるため、載置台14を温度調整手段12を用いて加熱した。その加熱条件は、最初の3分間を55℃、その後の2分間を40℃とした(図4(c))。
しかる後、接触領域の滑らかな収縮を可能にするように、載置台14をゆっくりと下げた。接触領域の急激な収縮は、hBNフレークを損傷する可能性があるため、避けることが肝要である。以上の工程で、hBNフレークはスタンプ18の表面傾斜角が15~19°の傾斜領域で拾い上げられた(図4(d)、図5(iv))。
その後、位置移動手段15および19を使って、hBNフレークとグラフェンフレーク
が重なる位置になるようにした後、載置台14をゆっくり(約25μm/30s:0.83μm/s)と持ち上げた(図4(f)、図4(g)、図5(vi)、図5(vii))。ここで、高温、フレーク間の接触角および遅い接触速度は、気泡の形成を避けるための重要である。十分に可動性の界面汚染を抑えるには高温が必要で、接触角(傾斜)によって界面汚染の放出性が上がって界面汚染の放出効率が上がる。
また、スタンプ18の中心近傍(そこは表面傾斜角が15~19°の傾斜領域)によるコンフォーマル接触により、載置台14の傾斜などの複雑な過程なしでhBNフレークとグラフェンフレークの接触を簡便に行うことができる。その時の接触角は、フレークのサイズとフレークが拾われた位置に応じて変わるが、θ=15~19°であった。
また、0.83μm/sというような遅い接触速度も気泡の形成の抑制に重要である。
比較例1は、表面傾斜が約0°から10±1°とし、接触速度を約25μm/sとしたときの貼り合わせの例で、その結果を図6に示す。ここで、図6(a)はスタンプ18とhBNフレークの接触、図6(d)はグラフェンフレークとhBNフレークとの貼り合わせの様子を示した光学顕微鏡写真である。なお、グラフェンとhBNの間の密着性を高めるために、試料からスタンプ18が離れた後、基板を大気中130℃で15分間ベークした。
図6(d)に示されるように、比較例1では多数の気泡が発生した貼り合わせになった。
実施例2では、不要なフレークの除去について説明する。
一般に、機械的剥離を行うと、基板上に多くのフレークが堆積する。この場合、デバイスの製造には清浄な表面で所望の厚さ(層数)をもつフレークのみが用いられ、他のフレークは不要である。このような不必要なフレークを除去するために、半球状のスタンプを使用して、光学顕微鏡スケールで剥離プロセスを実施した。その剥離工程を図7に、観察画像を図8に示す。
実施例1と同様に、スタンプ18と、フレーク(hBNまたはグラフェン)の付いた基板をそれぞれマニピュレーターと載置台14に取り付けた(図7(a)、図8(i ))。
次に、PDMS膜53の粘度を高めるために、載置台14を80℃に設定して、マニュピュレーター(位置移動手段19)によりスタンプの中央が載置台14のごく近傍に来るようにした(図7(b)、図8(ii))。
その後、接触領域をフレーク上でxy方向に移動し(図7(c)、図8(iii))、スタンプ18を引き上げた結果、基板からフレークが剥離された(図7(d)、図8(iv))。
この剥離技術では、主に横方向の力がフレークを巻き上げて持ち上げるため、通常のピックアッププロセスではほとんど除去できない大きなフレークを剥離することもできるという特徴がある(図7(d)、図8(iv))。さらに、この剥離プロセスの後、フレークの下層が基板上に残っていることが時々観察された。清浄な主表面をもつ基板を用いれば、このフレーク下層はデバイス製造にも活用可能であった。
本発明の貼り合わせ方法は、フレークのみ同士への貼り合わせに限らず、電極や配線が形成されたフレークなどの被貼り合わせ物への気泡レスの貼り合わせも可能である。この例を実施例3で説明する。
図7にhBN/グラフェンヘテロ構造の光学画像を示す。Cr/Au電極はhBN転写の前に製造されているが、電極が形成されたフレークに対して気泡の発生なしに貼り合わせが行われていることがわかる。
この結果は、本発明の技術が、金属電極を備えたグラフェンデバイスにも有効であることを示している。したがって、本発明の技術は、例えば、トップゲートとその誘電体層の追加製造にも活用可能であることを示すものになっている。
実施例4では、バブルフリー転写技術によって作製されたグラフェン/hBNヘテロ構造に基づいて、hBN/グラフェン/hBNヘテロ構造デバイスの品質特性を調べた。
最初に、実施例1と同様の工程でBLG膜4にhBN膜5を図1に示す装置を用いて貼り合わせ、載置台14の温度を40℃にして2分経った時点でアーム17を上昇させて貼り合わせ用ハンドリングチップ18にhBN膜5/BLG膜4積層膜を付着させたまま引き上げた。
次に、準備しておいた酸化膜2が形成された高濃度ドープSi基板1の上にhBN膜3を載置した後、載置台14に載せ、アーム17を下降させてhBN膜3とhBN膜5/BLG膜4積層膜を付着させ、載置台14の温度を110℃とした。
5分経った時点でアーム17を上昇させて酸化膜2が形成された高濃度ドープSi基板1の上に、hBN膜3、BLG膜4およびhBN膜5が順次積層された構造物を作製した。
しかる後、EBリソグラフィとEB堆積プロセスを用いたリフトオフ法により、Cr/Auからなる接触電極を形成した。ここで、Crの厚さは5nm、Auの厚さは100nmとした。なお、CrはBLG膜4とのオーミックコンタクトおよび酸化膜2との密着性を担い、AuはCrの酸化を抑制して経時安定性を高めるとともに、低抵抗化が図られる。
最後に、サンプルをAr/H2(3体積%)フォーミングガス中で350℃で1時間アニールした。
素子10の電気輸送特性を、4Heクライオスタットで10nAのAC励起電流を使用した標準ロックイン技術を使用して、4端子構成で測定した。そこでは、超伝導マグネットを使用して、デバイスに垂直な磁場(磁束密度、B)を印加した。
図12は、温度が1.6Kのときの縦方向抵抗率(ρxx)のバックゲート電圧(Vg)依存性であるが、Vgが約0で最大値を示す。つまり、電荷中性点はほぼVg=0Vであった。
図12の挿入図は、温度T=10Kおよび磁束密度B=6Tでの、ホール伝導率(σxy)のVg依存性を示す。ホール伝導率σxyは、N,h,eをそれぞれ整数、プランク定数、電気素量とすると(4Ne2)/hで表されるが、この特性曲線に平坦域が見られる。これは、BLGのランダウ量子化を意味する。
貼り合わせ法によるデバイスとしては、低消費電力が期待されるhBN/グラフェン/hBNヘテロ構造デバイスなどがあることから、民生用途および産業用途のいずれにも上大いに利用されることが期待される。
2:酸化膜(SiO2膜)
3:hBN膜
4:二層グラフェン膜(BLG膜)
5:hBN膜
6:電極(Cr/Au積層膜)
10: 素子(hBN/グラフェン/hBNヘテロ構造デバイス)
11:試料
12:温度調整手段
13:載置基体
14:載置台(ステージ)
15:位置移動手段
16:ロッド
17:アーム
18:貼り合わせ用ハンドリングチップ(スタンプ)
19:位置移動手段
20:画像観察手段
21:制御手段
51:透明基板
52:段差
53:PDMS膜
54:PPC膜
55:表面
61:表面傾斜15~19°の場所
101:貼り合わせ装置
Claims (14)
- 貼り合わせ用ハンドリングチップ、温度制御機能を具備する被貼り合わせ試料載置用ステージ、前記ハンドリングチップと前記ステージとの位置を変える位置移動手段、前記ハンドリングチップを介して前記ステージ上に載置された被貼り合わせ試料を画像観察するモニター手段、および前記モニター手段からの画像情報を基に前記位置移動手段および前記温度制御機能を用いて前記ステージの温度を制御する制御手段、とを有し、
前記ハンドリングチップは、段差が形成されている前記画像観察用の光を透過するハンドリングチップ基板上に、Polydimethylsiloxane(PDMS)膜およびPolypropylene carbonate(PPC)膜が順次形成された構造を有し、
前記PPC膜の表面は前記ハンドリングチップ基板の下面に対して15°以上19°以下の傾斜部を有し、
前記ハンドリングチップの前記傾斜部を、前記被貼り合わせ試料のエッジ部に接触させて使用する、貼り合わせ装置。 - 前記傾斜部の長さは0.1mm以上100mm以下である、請求項1記載の貼り合わせ装置。
- 前記段差は、50μm以上500μm以下である、請求項1または2記載の貼り合わせ装置。
- 前記段差は、2以上の辺を有して形成されている、請求項1から3の何れか1記載の貼り合わせ装置。
- 前記PDMS膜の表面は、RMS(Root Mean Square)で10nm以上1μm以下の凹凸を有する、請求項1から4の何れか1記載の貼り合わせ装置。
- 前記ハンドリングチップ基板は、PDMSからなるゲルシートと透明な平面形状を有する基体からなる、請求項1から5の何れか1記載の貼り合わせ装置。
- 前記ゲルシートの最大辺の長さは、0.1mm以上100mm以下である、請求項6記載の貼り合わせ装置。
- 前記ゲルシートの厚さは、100μm以上300μm以下である、請求項6または7記載の貼り合わせ装置。
- 前記温度制御機能の温度範囲は、0℃以上150℃以下である、請求項1から8の何れか1記載の貼り合わせ装置。
- 第1の試料を第2の試料に貼り合わせる貼り合わせ方法であって、
前記第1の試料を第1の載置台上に載置する第1のステップと、
段差が形成された透明基板上にPDMS膜およびPPC膜が順次形成され、かつ15°以上19°以下の表面傾斜が長さ0.1mm以上100mm以下で形成された貼り合わせ用ハンドリングチップを、所定の温度T1下で前記15°以上19°以下の表面傾斜が前記第1の試料のエッジ部に触れるように接触させる第2のステップと、
前記第1の試料を第1の載置台から離反させる第3のステップと、
前記第1の試料を、所定の温度T2下で前記第2の試料に接触させる第4のステップと、
前記貼り合わせ用ハンドリングチップを前記第1の試料から離反させる第5のステップとを有する、
貼り合わせ方法。 - 前記段差は、50μm以上500μm以下である、請求項10記載の貼り合わせ方法。
- 前記段差は2以上の辺を有して形成されており、前記2以上の辺の内の2辺と前記第1の試料における2辺の部分を重ねて、第2のステップの前記接触を行う、請求項10または11記載の貼り合わせ方法。
- 前記第1の試料は六方晶窒化ホウ素(hBN)からなり、前記第2の試料はグラフェンからなり、前記所定の温度T1、T2はそれぞれ30℃以上70℃以下および90℃以上150℃以下である、請求項10から12の何れか1記載の貼り合わせ方法。
- 請求項10から13の何れか1記載の貼り合わせ方法を用いて素子の製造を行う、素子の製造方法。
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