JP7437568B1 - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁層は、更に保護膜を含み、保護膜は、第1絶縁体および第2絶縁体に積層して設けられることにより、絶縁層の密着性(例えばパッケージ材料樹脂と絶縁層との密着性)を更に向上させることができる。
酸化物は、例えば、シリコン酸化物を含むことができる。
第2絶縁体は、シリコン系化合物または酸化物を含むことにより、成分が絶縁体と共通し、絶縁層の密着性(例えばパッケージ材料樹脂と絶縁層との密着性)を更に向上させることができる。
酸化物は、ハフニウム酸化物、チタン酸化物、およびアルミニウム酸化物のうち少なくともいずれかを含むことができる。
本発明の第1実施形態に係る半導体装置1を図1乃至図3を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図、図2は、同半導体装置の構成を示す図1のAA正面断面図、図3は、同半導体装置のトレンチの構造を示す拡大正面断面図である。なお、以下の説明においては、半導体装置1の基板10から見てエピタキシャル層20側を上方、カソード電極等30側を下方、半導体装置1の中央部65側を内側、終端部70a側(末端70a´側)を外側とし、他の方向も含め各方向を図において明示するものとする。
第2絶縁体52の比誘電率は、5~200より好ましくは5~30更に好ましくは5~10とすることができる。第2絶縁体52は、シリコン系化合物または酸化物を含むことが好ましく、シリコン系化合物は、シリコン窒化物(例えば、窒化ケイ素(SiN、Si3N4))を含むことが好ましい。酸化物は、ハフニウム酸化物(例えば、二酸化ハフニウム(HfO2))、チタン酸化物(例えば、二酸化チタン(TiO2))、およびアルミニウム酸化物(Al2O3)のうち少なくともいずれかを含むことが好ましい。第1絶縁体51にシリコン酸化物(例えば、二酸化ケイ素(SiO2))等の酸化膜を用いることにより、局所的に電界集中が生じることがあるが、第2絶縁体52を積層することにより電界集中を緩和することができる。
また、第2絶縁体52は、第1絶縁体51の上面の全体を覆うように設けられていることにより、水分の侵入を更に抑えることができる。
更に、トレンチ71の活性部60側の端部71a2側においては、上部側絶縁体51Bおよび第2絶縁体52は、端部71a2に達することなく、導電物質71bが上部側絶縁体51Bおよび第2絶縁体52に対し露出し、導電物質71bの露出した部分71b´は、フィールドプレート電極82、ショットキー電極81と接していることにより同電位となり、周辺の電界強度を緩和することができる。なお、上部側絶縁体51Bおよび第2絶縁体52が導電物質71bに達していない場合は、フィールドプレート電極82下の第1絶縁体51および第2絶縁体52で覆われている部分と、覆われていない部分で電界強度分布が異なってしまい、耐圧不安定、耐圧低下につながる。
本発明の第2実施形態に係る半導体装置2と図4を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明および図4において上述した実施形態と同一の符号が付された構成および説明のない構成であって同等の構成については上述した実施形態と同様の構成であるとしてその説明を省略することがあるものとする。また、以下の説明においては、半導体装置2の基板10から見てエピタキシャル層20側を上方、カソード電極等30側を下方、半導体装置2の中央部65側を内側、終端部70a側(末端70a´側)を外側とし、他の方向も含め各方向を図において明示するものとする。
本発明の第3実施形態に係る半導体装置3を図8乃至図10を参照して詳細に説明する。図8は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の構成を示す平面図、図9は、同半導体装置の構成を示す図8のAA正面断面図、図10は、同半導体装置の終端部のトレンチの構造を示す拡大正面断面図である。なお、以下の説明および図8乃至図10において上述した実施形態と同一の符号が付された構成および説明のない構成であって同等の構成については上述した実施形態と同様の構成であるとしてその説明を省略することがあるものとする。また、以下の説明においては、半導体装置3の基板10から見てエピタキシャル層20側を上方、カソード電極等30側を下方、半導体装置3の中央部65側を内側、終端部70a側(末端70a´側)を外側とし、他の方向も含め各方向を図において明示するものとする。
本発明の第4実施形態に係る半導体装置4と図11を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明および図11において上述した実施形態と同一の符号が付された構成および説明のない構成であって同等の構成については上述した実施形態と同様の構成であるとしてその説明を省略することがあるものとする。また、以下の説明においては、半導体装置4の基板10から見てエピタキシャル層20側を上方、カソード電極等30側を下方、半導体装置4の中央部65側を内側、終端部70a側(末端70a´側)を外側とし、他の方向も含め各方向を図において明示するものとする。
次に、本発明の第5実施形態に係る半導体装置5を図13乃至図16を参照して詳細に説明する。図13は、同半導体装置の構成を示す正面断面図、図14は、同半導体装置の別の構成を示す正面断面図、図15は、同半導体装置の更に別の構成を示す正面断面図、図16は、同半導体装置のまた更に別の構成を示す正面断面図である。なお、以下の説明および図13乃至図16において上述した実施形態と同一の符号が付された構成および説明のない構成であって同等の構成については上述した実施形態と同様の構成であるとしてその説明を省略することがあるものとする。また、以下の説明においては、半導体装置5の基板10から見てエピタキシャル層20側を上方、カソード電極等30側を下方、半導体装置5の中央部65側を内側、終端部70a側(末端70a´側)を外側とし、他の方向も含め各方向を図において明示するものとする。
本発明は上述した実施形態に限定されることなく特許請求の範囲において種々の変形実施、応用実施が可能であることは勿論である。
[数1]
A=w3´/w3
L:境界
d1,d2,d3:深さ寸法
w1,w2,w3:幅寸法
w3´:メサ幅
1,2,3,4,5:半導体装置
10:基板
10a:一の面
10b:他の面
20:エピタキシャル層
20a:一の面
30:カソード電極等
40:絶縁層
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51:第1絶縁体
51A:下部側絶縁体
51B:上部側絶縁体
51´:絶縁体
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53:保護膜
60:活性部
61:トレンチ
61a:内面
61b:導電物質
61c:開口
65:中央部
70:周辺部
70a:終端部
70a´:末端
71:トレンチ
71a:内面
71a1,71a2:端部
71b:導電物質
71b´:露出した部分
80:ダイオード(ショットキーバリアダイオード)
81:ショットキー電極
81A:第1電極部分
81B:第2電極部分
82:フィールドプレート電極
90:チャネル電流抑制部
91:トレンチ
91a:内面
91a1:内側の端部
91a2:外側の端部
91b:導電物質
91c:開口
92:トレンチ
92´:底部
92´´:上端部
100:電極(EQR電極)
100a:第1電極部分
100b:第2電極部分
100c:第3電極部分
110:電極(EQR電極)
110a:第1電極部分
110b:第2電極部分
110c:第3電極部分
Claims (17)
- 基板と、前記基板に形成されるエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の一の面側に設けられる絶縁層と、を有する半導体装置であって、
前記エピタキシャル層の一の面側には、前記絶縁層を介して、活性部が設けられるとともに、前記活性部の外側の領域に設定されている周辺部には、トレンチが設けられ、
前記周辺部に設けられる絶縁層は、比誘電率が異なる第1絶縁体と第2絶縁体とを積層して構成され、
前記第1絶縁体は、シリコン酸化物を含み、
前記第2絶縁体は、チタン酸化物を含むことを特徴とする半導体装置。 - 基板と、前記基板に形成されるエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の一の面側に設けられる絶縁層と、を有する半導体装置であって、
前記エピタキシャル層の一の面側には、前記絶縁層を介して、活性部が設けられるとともに、前記活性部の外側の領域に設定されている周辺部には、トレンチが設けられ、
前記周辺部に設けられる絶縁層は、比誘電率が異なる第1絶縁体と第2絶縁体とを積層して構成され、
前記周辺部の終端部側には、チャネル電流抑制部が設けられ、前記チャネル電流抑制部には、トレンチが更に設けられ、前記トレンチは、前記活性部から前記終端部側に流れるチャネル電流を抑制することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁体の比誘電率は、5~200とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁体の比誘電率は、5~30とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁体の比誘電率は、5~10とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記絶縁層は、更に保護膜を含み、前記保護膜は、前記第1絶縁体および前記第2絶縁体に積層して設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1絶縁体は、酸化物を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記酸化物は、シリコン酸化物を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁体は、シリコン系化合物または酸化物を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記シリコン系化合物は、シリコン窒化物を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記酸化物は、ハフニウム酸化物、チタン酸化物、およびアルミニウム酸化物のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記保護膜は、ポリイミドまたはポリイミド系化合物を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記周辺部の終端部側には、チャネル電流抑制部が設けられ、前記チャネル電流抑制部には、トレンチが更に設けられ、前記トレンチは、前記活性部から前記終端部側に流れるチャネル電流を抑制することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャネル電流抑制部は、更に前記チャネル電流を抑制する電極を設けることを特徴とする請求項2または請求項13に記載の半導体装置。
- 前記チャネル電流を抑制する電極は、EQR電極とすることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記チャネル電流抑制部に設けられたトレンチは、前記エピタキシャル層の一の面側における終端部側を段差状に欠損させるように設けられ、前記段差状のトレンチは、外側の側方を開放するように構成されることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 前記段差状のトレンチは、底部に更にトレンチを設けることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
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