JP7431210B2 - 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム - Google Patents
基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7431210B2 JP7431210B2 JP2021215043A JP2021215043A JP7431210B2 JP 7431210 B2 JP7431210 B2 JP 7431210B2 JP 2021215043 A JP2021215043 A JP 2021215043A JP 2021215043 A JP2021215043 A JP 2021215043A JP 7431210 B2 JP7431210 B2 JP 7431210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- high frequency
- substrate processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 72
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 161
- 239000010408 film Substances 0.000 description 132
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 24
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016455 AlBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003863 HfBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004143 HfON Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000735417 Homo sapiens Protein PAPPAS Proteins 0.000 description 1
- 229910015215 MoBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015659 MoON Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLOMTDIORDREGP-UHFFFAOYSA-N N-(ethylaminosilyl)ethanamine Chemical compound CCN[SiH2]NCC SLOMTDIORDREGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N([SiH3])C(C)C BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVQRICZYVAAUML-UHFFFAOYSA-N N-tert-butyl-2-methyl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N([SiH3])C(C)(C)C YVQRICZYVAAUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019744 NbBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020055 NbON Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100034919 Protein PAPPAS Human genes 0.000 description 1
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N Temazepam Chemical compound N=1C(O)C(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2C=1C1=CC=CC=C1 SEQDDYPDSLOBDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010060 TiBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007950 ZrBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006252 ZrON Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical compound Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N dibromosilane Chemical compound Br[SiH2]Br VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N difluorosilane Chemical compound F[SiH2]F PUUOOWSPWTVMDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J hafnium tetrachloride Chemical compound Cl[Hf](Cl)(Cl)Cl PDPJQWYGJJBYLF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N iodosilane Chemical compound I[SiH3] IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- -1 monosilane (SiH 4 Chemical compound 0.000 description 1
- OOXOBWDOWJBZHX-UHFFFAOYSA-N n-(dimethylaminosilyl)-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[SiH2]N(C)C OOXOBWDOWJBZHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)silyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C SSCVMVQLICADPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
(加熱装置)
図1に示すように、処理炉202は加熱装置(加熱機構、加熱部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより鉛直方向に立設するように据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ207の内側には、後述する電極固定具301が配設され、更に電極固定具301の内側には、後述するプラズマ生成部の電極300が配設されている。更に、電極300の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)や炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状に、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)等の金属により構成され、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合しており、反応管203を支持するように構成されている。マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、反応管203は鉛直方向に立設するように据え付けられた状態となる。主に、反応管203とマニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管203のみを処理容器と称する場合もある。
処理室201内には、第1、第2供給部としてのノズル249a,249bが、マニホールド209の側壁を貫通するようにそれぞれ設けられている。ノズル249a、249bを、それぞれ第1、第2ノズルとも称する。ノズル249a、249bは、例えば石英またはSic等の耐熱性材料により構成されている。ノズル249a,249bには、ガス供給管232a,232bが、それぞれ接続されている。このように、処理容器には2本のノズル249a,249bと、2本のガス供給管232a,232bとが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。なお、反応管203のみを処理容器とした場合、ノズル249a,249bは反応管203の側壁を貫通するように設けられていてもよい。
図1に示すように基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25~200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で鉛直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料で構成される。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料で構成される断熱板218が多段に支持されている。この構成により、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなっている。但し、本実施形態はこのような形態に限定されない。例えば、ボート217の下部に断熱板218を設けずに、石英やSiC等の耐熱性材料で構成される筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
次にプラズマ生成部について、図1から図7を用いて説明する。
次に電極300を固定する電極固定治具としての電極固定具301について、図3および図7を用いて説明する。図3(a),(b)、図7(a),(b)で示すように、複数本設けられた電極300は、その開口部305を湾曲形状の電極固定治具である電極固定具301の内壁面に設けられた突起部310に引掛け、スライドさせて固定し、この電極固定具301と一体となるようユニット化(フック式電極ユニット)して反応管203の外周に設置されている。なお、電極固定具301と電極300の材料として、それぞれ、石英とニッケル合金を採用している。電極300は後述する台座に固定され、電極固定具301は後述するリング状の固定具により反応管203に固定される。
次に電極固定治具である電極固定具301や反応管203の外壁に対して、電極300を一定の距離で固定するためのスペーサ330を図7(a)、(b)示す。例えば、スペーサ330は、円柱形状の石英材料で電極固定具301と一体化され、電極300と当接することで、電極300は電極固定具301に固定されている。電極固定具301や反応管203に対して、電極300を一定の距離で固定できるであれば、スペーサ330はどのような形態であっても、電極300と電極固定具301のどちらかと一体化されてもよい。例えば、スペーサ330は半円柱形状の石英材料で電極固定具301と一体化して、電極300を固定してもよいし、また、スペーサ330はSUSなどの金属製板材として電極と一体化して、電極300を固定してもよい。いずれにしろ、突起部310とスペーサが設けられるため、電極300の位置決めが容易となり、また、電極300が劣化した場合に電極300のみを交換することができるため、コスト低減となる。ここで、スペーサ330は上述した電極ユニットに含めてもよい。
高周波印可用プレートおよび接地用プレートについて図8を用いて説明する。図8は図3に示す電極300の配置と同様な場合であるが、電極300は3本の第1の電極300-1と3本の第2の電極300-2とで構成される例を示している。
反応管203には、図1に示すように処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管203に設ける場合に限らず、ノズル249a,249bと同様にマニホールド209に設けてもよい。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
次に制御装置について図10を用いて説明する。図10に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するプロセス例について、図11を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201の内部が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくとも後述する成膜ステップが終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
その後、ステップS3,S4,S5,S6を順次実行することで成膜ステップを行う。
ステップS3では、処理室201内のウエハ200に対して原料ガスを供給する。
処理温度:室温(25℃)~550℃、好ましくは400~500℃
処理圧力:1~4000Pa、好ましくは100~1000Pa
原料ガス供給流量:0.1~3slm
原料ガス供給時間:1~100秒、好ましくは1~50秒
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~10slm
が例示される。
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたO2ガスを供給する(S5)。
処理温度:室温(25°)~550℃、好ましくは400~500℃
処理圧力:1~300Pa、好ましくは10~100Pa
反応ガス供給流量:0.1~10slm
反応ガス供給時間:1~100秒、好ましくは1~50秒
不活性ガス供給流量(ガス供給管毎):0~10slm
RF電力:50~1000W
RF周波数:27.12MHz
が例示される。
上述したステップS3,S4,S5,S6をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)、すなわち、1回以上行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚の膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成される第1層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、第2層を積層することで形成される膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。なお、第1層として、例えばSi含有層を形成し、第2層として、例えばSiO層を形成する場合、膜として、シリコン酸化膜(SiO膜)が形成されることとなる。また、第1層として、例えばSi含有層を形成し、第2層として、例えばSiN層を形成する場合、膜として、シリコン窒化膜(SiN膜)が形成されることとなる。
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留する反応ガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰:S8)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室201内へ空のボート217を搬入するようにしてもよい。
本実施形態によれば、複数の第1の電極300-1を接続する高周波印加用プレートおよび複数の第2の電極300-2を接続する接地用プレートを設けて均一な給電を行うことにより、ウエハ面内の安定放電が可能となり、ウエハ面内のプラズマ不均一を改善することができる。プラズマのムラの発生を低減できるので、プラズマ起因のパーティクル発生を低減できる。
以下、本開示の好ましい態様について付記する。
基板を処理する処理室と、
複数の第1の電極と、
複数の第2の電極と、
高周波電力を供給する高周波電源と、
前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、
前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、
を備える基板処理装置。
前記高周波印可用プレートは、前記高周波印可用プレートの中心位置で前記高周波電源と接続する付記1の基板処理装置。
前記接地用プレートは、前記接地用プレートの中心位置で接地される付記1又は2の基板処理装置。
前記基板を前記処理室内に積載されるように保持する基板保持部を有し、
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極は、前記基板保持部に保持された前記基板の積載方向に配置される付記1~3のいずれかの基板処理装置。
前記高周波印可用プレートは、前記複数の第1の電極の下部に設けられる付記4の基板処理装置。
前記接地用プレートは、前記複数の第2の電極の下部に設けられる付記4又は5の基板処理装置。
前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座を備える付記5又は6の基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記処理室の外部に設けられる付記1~7のいずれかの基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とを固定するカバーを備える付記8の基板処理装置。
前記処理室の上部と前記カバーの上部を固定するリング状の固定具を備える付記9の基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とを1つの電極ユニットとして構成し、前記電極ユニットを複数設ける付記1~11のいずれかの基板処理装置。
前記処理室の外側に加熱部を備える付記1~11のいずれかの基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記処理室と前記加熱部の間に設けられる付記12の基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、交互に配置される付記1~13のいずれかの基板処理装置。
前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が同じ幅である付記1~14のいずれかの基板処理装置。
前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が異なる付記1~14のいずれかの基板処理装置。
前記第1の電極の幅が前記第2の電極の幅より大きい付記1~14のいずれかの基板処理装置。
前記第1の電極の幅が前記第2の電極の幅より大きい付記16の基板処理装置。
前記第1の電極の本数と前記第2の電極の本数が同一である付記1~18のいずれかの基板処理装置。
複数の第1の電極と、
複数の第2の電極と、
前記複数の第1の電極を高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、
前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、
を備えるプラズマ生成装置。
前記高周波印可用プレートは、前記高周波印可用プレートの中心位置で前記高周波電源と接続する付記20のプラズマ生成装置。
前記接地用プレートは、前記接地用プレートの中心位置で接地させる付記20又は21のプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極は、基板が積載される方向に配置される付記20~22のいずれかのプラズマ生成装置。
前記高周波印可用プレートは、前記複数の第1の電極の下部に設けられる付記23のプラズマ生成装置。
前記接地用プレートは、前記複数の第2の電極の下部に設けられる付記23又は24のプラズマ生成装置。
前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとは台座に固定される付記24又は25の基板処理装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、反応管の外部に設けられる付記20~26のいずれかのプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、カバーで固定される付記27のプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記処理室の上部と前記カバーの上部で、リング状の固定具で固定される付記28のプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、加熱部の内側に設けられる付記20~29のいずれかのプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記処理室と前記加熱部の間に設けられる付記30のプラズマ生成装置。
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、交互に配置される付記20~30のいずれかのプラズマ生成装置。
前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が同じ幅である付記20~32のいずれかのプラズマ生成装置。
前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が異なる付記20~32のいずれかのプラズマ生成装置。
前記第1の電極の幅が前記第2の電極の幅より大きい付記20~32のいずれかのプラズマ生成装置。
前記第1の電極の幅が前記第2の電極の幅より大きい付記35のプラズマ生成装置。
前記第1の電極の本数と前記第2の電極の本数が同一である付記20~35のいずれかのプラズマ生成装置。
基板を処理する処理室と、複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、高周波電力を供給する高周波電源と、前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
基板を処理する処理室と、複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、高周波電力を供給する高周波電源と、前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する基板処理方法。
基板を処理する処理室と、複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、高周波電力を供給する高周波電源と、前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する手順と、
前記基板を処理する手順と、
を前記基板処理装置に実行させるプログラム。
複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、前記複数の第1の電極を高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、を備えるプラズマ生成装置の前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極により、プラズマを生成する工程と、
を有するプラズマ生成方法。
複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、前記複数の第1の電極を高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、を備えるプラズマ生成装置の前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極により、プラズマを生成する手順と、
を前記プラズマ生成装置に実行させるプログラム。
201・・・処理室
300-1・・・第1の電極
300-2・・・第2の電極
320・・・高周波電源
350・・・高周波印可用プレート
360・・・接地用プレート
Claims (21)
- 基板を処理する処理室を形成する反応管と、
複数の第1の電極と、
複数の第2の電極と、
高周波電力を供給する高周波電源と、
前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、
前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、
前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座と、
を備える基板処理装置。 - 前記高周波印可用プレートは、前記高周波印可用プレートの中心位置で前記高周波電源と接続する請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記接地用プレートは、前記接地用プレートの中心位置で接地される請求項1又は2に記載の基板処理装置。
- 前記基板を積載されるように保持する基板保持部を有し、
前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極は、前記基板の積載方向に配置される請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記高周波印可用プレートは、前記複数の第1の電極の下部に設けられる請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記接地用プレートは、前記複数の第2の電極の下部に設けられる請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記反応管の外部に設けられる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とを固定するカバーを備える請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記反応管の上部と前記カバーの上部を固定するリング状の固定具を備える請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とを1つの電極ユニットとして構成し、前記電極ユニットを複数設ける請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記反応管の外側に加熱部を備える請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、前記反応管と前記加熱部の間に設けられる請求項11に記載の基板処理装置。
- 前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極とは、交互に配置される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が同じ幅である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極の幅と前記第2の電極の幅が異なる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極の幅が前記第2の電極の幅より大きい請求項15に記載の基板処理装置。
- 前記第1の電極の本数と前記第2の電極の本数が同一である請求項1に記載の基板処理装置。
- 複数の第1の電極と、
複数の第2の電極と、
前記複数の第1の電極を高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、
前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、
前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座と、
を備えるプラズマ生成装置。 - 基板を処理する処理室を形成する反応管と、複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、高周波電力を供給する高周波電源と、前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座と、を備える基板処理装置に前記基板を搬入する工程と、
前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、前記複数の第1の電極を高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座と、を備えるプラズマ生成装置の前記複数の第1の電極と前記複数の第2の電極により、プラズマを生成する工程と、
を有するプラズマ生成方法。 - 基板を処理する処理室を形成する反応管と、複数の第1の電極と、複数の第2の電極と、高周波電力を供給する高周波電源と、前記複数の第1の電極を前記高周波電源と接続する高周波印可用プレートと、前記複数の第2の電極を接地させる接地用プレートと、前記高周波印可用プレートと前記接地用プレートとを固定する台座と、を備える基板処理装置の前記反応管に前記基板を搬入する手順と、
前記基板を処理する手順と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021215043A JP7431210B2 (ja) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム |
TW111139944A TW202326864A (zh) | 2021-12-28 | 2022-10-21 | 基板處理裝置、電漿生成裝置、半導體裝置之製造方法及程式 |
CN202211420257.3A CN116364508A (zh) | 2021-12-28 | 2022-11-14 | 衬底处理装置、等离子体生成装置、半导体器件的制造方法及记录介质 |
US18/083,060 US20230207261A1 (en) | 2021-12-28 | 2022-12-16 | Substrate processing apparatus, plasma generating apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
KR1020220176856A KR20230100630A (ko) | 2021-12-28 | 2022-12-16 | 기판 처리 장치, 플라스마 생성 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021215043A JP7431210B2 (ja) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023098338A JP2023098338A (ja) | 2023-07-10 |
JP7431210B2 true JP7431210B2 (ja) | 2024-02-14 |
Family
ID=86897159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021215043A Active JP7431210B2 (ja) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230207261A1 (ja) |
JP (1) | JP7431210B2 (ja) |
KR (1) | KR20230100630A (ja) |
CN (1) | CN116364508A (ja) |
TW (1) | TW202326864A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168788A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2018055700A1 (ja) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット |
JP2020043221A (ja) | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置の電極 |
JP2020521270A (ja) | 2017-04-24 | 2020-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマ反応器の電極に電力を印加すること |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4794360B2 (ja) | 2006-06-02 | 2011-10-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
-
2021
- 2021-12-28 JP JP2021215043A patent/JP7431210B2/ja active Active
-
2022
- 2022-10-21 TW TW111139944A patent/TW202326864A/zh unknown
- 2022-11-14 CN CN202211420257.3A patent/CN116364508A/zh active Pending
- 2022-12-16 KR KR1020220176856A patent/KR20230100630A/ko unknown
- 2022-12-16 US US18/083,060 patent/US20230207261A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168788A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
WO2018055700A1 (ja) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット |
JP2020521270A (ja) | 2017-04-24 | 2020-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマ反応器の電極に電力を印加すること |
JP2020043221A (ja) | 2018-09-11 | 2020-03-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置の電極 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023098338A (ja) | 2023-07-10 |
CN116364508A (zh) | 2023-06-30 |
KR20230100630A (ko) | 2023-07-05 |
US20230207261A1 (en) | 2023-06-29 |
TW202326864A (zh) | 2023-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7464638B2 (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、反応管、プラズマ生成方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
CN110890265B (zh) | 基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法 | |
JP6641025B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット | |
KR102387812B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
KR20170108831A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기록 매체 및 프로그램 | |
WO2020053960A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
KR20230104736A (ko) | 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
JP7431210B2 (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法及びプログラム | |
WO2022201242A1 (ja) | 電極、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2023140468A (ja) | 電極、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7457818B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、補助プレートおよび基板保持具 | |
TWI785510B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
JP7290680B2 (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
US20240096604A1 (en) | Substrate processing apparatus, plasma generation apparatus, method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
TWI798819B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法及程式 | |
JP2024045002A (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、プラズマ生成方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP7342138B2 (ja) | 基板処理装置、プラズマ生成装置、半導体装置の製造方法、プラズマ生成方法およびプログラム | |
JP2022118471A (ja) | 基板処理装置、電極及び半導体装置の製造方法 | |
CN117747396A (zh) | 衬底处理装置、等离子体生成装置、等离子体生成方法、半导体器件的制造方法及记录介质 | |
KR20240049346A (ko) | 성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 성막 장치 및 프로그램 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220926 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7431210 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |