JP6641025B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極固定ユニット - Google Patents
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Description
基板を処理する処理室を形成する反応管と、
前記反応管の外周に設置され前記処理室内にプラズマを形成する電極と、
前記電極を固定する電極固定ユニットと、
前記電極固定ユニットの外周に設けられ、前記反応管内を加熱する加熱装置を有し、
前記電極は、前記電極固定ユニットの表面から一定の距離を離すためのスペーサを有する技術が提供される。
以下、本発明の実施形態について図1から図5を参照しながら説明する。
(1)基板処理装置の構成
(加熱装置)
図1に示すように、処理炉202は加熱装置(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース(図示せず)に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ207の内側には、後述する電極固定ユニットとしての石英カバー301が配設され、更に石英カバー301の内側には、後述するプラズマ生成部の電極300が配設されている。更に、電極300の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)や炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の下方には、反応管203と同心円状に、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス(SUS)等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209の上端部は、反応管203の下端部に係合しており、反応管203を支持するように構成されている。マニホールド209と反応管203との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベースに支持されることにより、反応管203は垂直に据え付けられた状態となる。主に、反応管203とマニホールド209とにより処理容器(反応容器)が構成されている。処理容器の筒中空部には処理室201が形成されている。処理室201は、複数枚の基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。なお、処理容器は上記の構成に限らず、反応管203のみを処理容器と称する場合もある。
処理室201内には、ノズル249a,249bが、マニホールド209の側壁を貫通するように設けられている。ノズル249a,249bには、ガス供給管232a,232bが、それぞれ接続されている。このように、処理容器には2本のノズル249a,249bと、2本のガス供給管232a,232bとが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することが可能となっている。なお、反応管203のみを処理容器とした場合、ノズル249a,249bは反応管203の側壁を貫通するように設けられていてもよい。
図1に示すように基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25〜200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料からなる断熱板218が多段に支持されている。この構成により、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなっている。
但し、本実施形態はこのような形態に限定されない。例えば、ボート217の下部に断熱板218を設けずに、石英やSiC等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
次にプラズマ生成部について、図1から図3を用いて説明する。
電極300は反応管203とヒータ207との間に、反応管203の外壁に沿うように略円弧状に配置され、例えば、中心角が30度以上240度以下となる円弧状に形成された後述する石英カバーの内壁面に固定されて配置される。電極300には、高周波電源320から図示しない整合器を介し、例えば周波数13.56MHzの高周波が入力されることによって反応管203内にプラズマ活性種302が生成される。このように生成されたプラズマによって、ウエハ200の周囲から基板処理のためのプラズマ活性種302をウエハ200の表面に供給することが可能となる。主に、電極300と、高周波電源320によってプラズマ生成部が構成される。図示しない整合器や後述する電極固定ユニット301を含んでプラズマ生成部と考えてもよい。
次に電極300を固定する電極固定ユニットとしての石英カバー301について、図3から図4を用いて説明する。図3(a),(b)、図4(a),(b)で示すように、複数本設けられた電極300は、その切欠き部305を湾曲形状の石英カバー301の内壁面に設けられた突起部310に引掛け、スライドさせて固定し、この石英カバー301と一体となるようユニット化(フック式電極ユニット)して反応管203の外周に設置されている。なお、石英カバー301と電極300の材料として、それぞれ、石英とニッケル合金を採用している。
次に電極固定ユニットである石英カバー301の表面から電極300を一定の距離を離すためのスペーサ330について図6を用いて説明する。スペーサ330は例えば、板バネ状の弾性体で構成されており、電極300または、石英カバー301のどちらか一方に固定されている。スペーサ330は、例えば、SUSなどの金属材料、または弾性を有する耐熱材料で形成されており、電極と当接される電極当接部330−1と石英カバー301と当接される石英カバー当接部330−2によって構成されている。なお、本実施形態では、スペーサを板ばね形状として説明しているが、これに限らず、電極から一定の距離を維持することができる形状であればよい。例えば、アルミナやセラミック等の耐熱部材で円筒形状に構成され、スペーサの内側を突起軸部が貫通または遊嵌するように設けられてもよい。この場合、スペーサが突起軸部に固定されていてもよい。
反応管203には、図1に示すように処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および排気バルブ(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。排気管231は、反応管203に設ける場合に限らず、ノズル249a,249bと同様にマニホールド209に設けてもよい。
マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。
次に制御装置について図7を用いて説明する。図7に示すように、制御部(制御装置)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するプロセス例について、図8を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201の内部、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。真空ポンプ246は、少なくとも後述する成膜ステップが終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
その後、ステップS3,S4,S5,S6を順次実行することで成膜ステップを行う。
ステップS3では、処理室201内のウエハ200に対してBTBASガスを供給する。
成膜処理が終了した後、処理室201内のウエハ200に対して反応ガスとしてのプラズマ励起させたO2ガスを供給する(S5)。
上述したS3,S4,S5,S6をこの順番に沿って非同時に、すなわち、同期させることなく行うことを1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n回)、すなわち、1回以上行うことにより、ウエハ200上に、所定組成および所定膜厚のSiO膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiO層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiO層を積層することで形成されるSiO膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すことが好ましい。
上述の成膜処理が完了したら、ガス供給管232c,232dのそれぞれから不活性ガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するO2ガス等が処理室201内から除去される(不活性ガスパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰:S8)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されることとなる(ウエハディスチャージ)。なお、ウエハディスチャージの後は、処理室201内へ空のボート217を搬入するようにしてもよい。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
(a)プラズマを生成するための電極を固定治具に固定する構造とすることによって、プラズマ電極が変形することを抑制可能な構造とすることが可能となる。
(b)電極が変形することを抑制可能となるため、処理室内に供給する活性種を安定的に供給することが可能となり、ウエハ処理を均一に行うことが可能となる。
(c)電極固定ユニットの中心角を30°以上240°以下の円弧形状とし、電極を配置することで、ウエハ処理に影響しないように電極固定ユニットの外周にある加熱装置からの熱エネルギーの遮断を最低限に抑えることが可能となる。
本実施形態における基板処理工程は、上述の態様に限定されず、以下に示す変形例のように変更することができる。
前記の実施形態では、電極300を石英カバー301の突起部310に固定する方法を採用しているが、図9に示すように、石英カバー301を外側石英カバー301−1と内側石英カバー301−2で構成し、電極300を反応管203側と加熱装置であるヒータ207側で挟み込むように構成することによって保持する方法を採用してもよい。この場合、電極300の位置ズレの防止を図るために、外側石英カバー301−1と内側石英カバー301−2の電極保持側には電極300と同形の保持溝が設けられている。なお、この溝は、片方の絶縁カバーに設けられても、両方の絶縁カバーに設けられてもよい。
Claims (11)
- 基板を処理する処理室を形成する反応管と、
前記反応管の外周に設置され前記処理室内にプラズマを形成する電極と、
前記電極を固定する電極固定ユニットと、
前記電極固定ユニットの外周に設けられ、前記反応管内を加熱する加熱装置を有し、
前記電極は、前記電極固定ユニットの表面から一定の距離を離すためのスペーサを有する基板処理装置。 - 前記電極固定ユニットは、前記電極が係止される突起軸部と前記電極が抜けることを抑制する突起頭部を備えた固定部を有し、
前記スペーサは弾性体で構成され、前記電極が前記突起頭部方向への押付け力を生成する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記電極固定ユニットは、中心角が30°以上240°以下となる円弧形状である請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記電極固定ユニットは石英で形成される石英カバーである請求項1〜3のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記電極固定ユニットは、前記反応管内に設けられたガス供給部とガス排気部が設置された位置以外の前記反応管外周に配置される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記電極は、前記反応管側と前記加熱装置側を前記電極固定ユニットで挟まれて固定される請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室を形成する反応管と、前記反応管の外周に設置され前記処理室内にプラズマを形成する電極を固定する電極固定ユニットと、前記電極固定ユニットの外周に設けられ、前記反応管内を加熱する加熱装置を有し、前記電極固定ユニットに固定された電極は、前記電極固定ユニットの表面から一定の距離を離すためのスペーサを有する基板処理装置の前記処理室内に前記基板を搬入する工程と、
前記処理室内にプラズマを生成して前記基板を処理する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 処理室内にプラズマを生成する電極と、
前記電極を固定する固定部と、
前記電極と前記固定部とを一定の距離に離すためのスペーサを有する電極固定ユニットであって、
前記固定部は、前記電極を係止する突起軸部と、前記電極が抜けることを抑制する突起頭部と、を備え、
前記電極は、前記突起軸部に係止される切欠き部と、
を有する電極固定ユニット。 - 前記固定部を、前記処理室を形成する反応管の外壁に沿うように中心角が30°以上240°以下となる円弧状に配置する請求項8に記載の電極固定ユニット。
- 前記固定部は、前記処理室を形成する反応管内に設けられたガス供給部とガス排気部が設置された位置以外の前記反応管外周に配置される請求項8に記載の電極固定ユニット。
- 基板を処理する処理室を形成する反応管と、前記反応管の外周に設置され前記処理室内にプラズマを形成する電極を固定する電極固定ユニットと、前記電極固定ユニットの外周に設けられ、前記反応管内を加熱する加熱装置を有し、前記電極固定ユニットに固定された電極は、前記電極固定ユニットの表面から一定の距離を離すためのスペーサを有する基板処理装置の前記処理室内に前記基板を搬入する手順と、
前記処理室内にプラズマを生成して前記基板を処理する手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
をコンピュータを用いて前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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