JP7426628B2

JP7426628B2 - Capacitor and its manufacturing method

Info

Publication number: JP7426628B2
Application number: JP2020540111A
Authority: JP
Inventors: 宏樹竹岡; 康一西村; 崇史奥戸; 透井上; 浩正尾崎; 律夫正岡
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2018-08-28
Filing date: 2019-07-02
Publication date: 2024-02-02
Anticipated expiration: 2039-07-02
Also published as: JPWO2020044778A1; WO2020044778A1; CN112602159A

Description

本開示は、一般にコンデンサ及びその製造方法に関し、より詳細にはコンデンサ素子が封止されたコンデンサ及びその製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present disclosure generally relates to a capacitor and a method of manufacturing the same, and more particularly relates to a capacitor with a sealed capacitor element and a method of manufacturing the same.

特許文献１は、フィルムコンデンサの製造方法を開示している。このフィルムコンデンサの製造方法では、まず、金属化フィルムを巻回して形成した巻回体の両端面にメタリコン電極を形成し、この電極部に外部端子を取り付けてコンデンサ素子を製造する。次に、このコンデンサ素子を、フィラーを含まない液状の熱硬化性樹脂に減圧状態で浸漬して、コンデンサ素子の外周を液状樹脂にて被覆し、液状樹脂を加熱硬化して樹脂層を形成する。その後、コンデンサ素子を外装ケースに収納し、外装ケースにフィラー含有樹脂を充填して硬化する。このように、外装ケースの開口部を樹脂封止することにより、フィルムコンデンサが製造される。 Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a film capacitor. In this method of manufacturing a film capacitor, first, metallicon electrodes are formed on both end surfaces of a wound body formed by winding a metallized film, and external terminals are attached to the electrode portions to manufacture a capacitor element. Next, this capacitor element is immersed in a liquid thermosetting resin containing no filler under reduced pressure, the outer periphery of the capacitor element is coated with the liquid resin, and the liquid resin is heated and cured to form a resin layer. . Thereafter, the capacitor element is housed in an outer case, and the outer case is filled with filler-containing resin and cured. In this way, a film capacitor is manufactured by sealing the opening of the outer case with resin.

特許文献１では、フィルムコンデンサの耐湿性の向上を図っているが、軽量化は配慮されていない。 Patent Document 1 attempts to improve the moisture resistance of the film capacitor, but does not consider weight reduction.

特開２００５－２９４５８９号公報Japanese Patent Application Publication No. 2005-294589

本開示の目的は、軽量化を実現し、耐湿性を向上させることができるコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。 An object of the present disclosure is to provide a capacitor that can achieve weight reduction and improve moisture resistance, and a method for manufacturing the same.

本開示の一態様に係るコンデンサは、コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子を封止する樹脂外装体と、前記樹脂外装体の表面の少なくとも一部を被覆するガスバリアフィルムと、を備える。 A capacitor according to one aspect of the present disclosure includes a capacitor element, a resin casing that seals the capacitor element, and a gas barrier film that covers at least a portion of the surface of the resin casing.

本開示の一態様に係るコンデンサの製造方法は、以下の工程Ａ～Ｄを含む。 A method for manufacturing a capacitor according to one aspect of the present disclosure includes the following steps A to D.

工程Ａ：成形用金型のキャビティにおいて、ガスバリアフィルムを前記成形用金型に密着させて配置し、コンデンサ素子を配置する工程、
工程Ｂ：前記成形用金型のキャビティに液状の熱硬化性樹脂組成物を注入し、前記熱硬化性樹脂組成物を加熱して半硬化させて半硬化物を形成する工程、
工程Ｃ：前記成形用金型のキャビティから前記半硬化物を取り出す工程、及び
工程Ｄ：前記半硬化物を更に加熱して完全硬化させる工程。 Step A: In the cavity of the mold, a gas barrier film is placed in close contact with the mold, and a capacitor element is placed.
Step B: a step of injecting a liquid thermosetting resin composition into the cavity of the molding die and heating the thermosetting resin composition to semi-cure it to form a semi-cured product;
Step C: A step of taking out the semi-cured material from the cavity of the mold, and Step D: A step of further heating the semi-cured material to completely cure it.

図１は、本開示の第１実施形態に係るコンデンサの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a capacitor according to a first embodiment of the present disclosure. 図２Ａは、巻回型コンデンサ素子の製造方法の一工程図（斜視図）である。図２Ｂは、上記巻回型コンデンサ素子の斜視図である。FIG. 2A is a process diagram (perspective view) of a method for manufacturing a wound capacitor element. FIG. 2B is a perspective view of the wound capacitor element. 図３Ａは、積層型コンデンサ素子の製造方法の一工程図（斜視図）である。図３Ｂは、積層型コンデンサ素子の製造方法の一工程図（断面図）である。図３Ｃは、図３Ｂに示す積層型コンデンサ素子の一部破断した斜視図である。図３Ｄは、上記積層型コンデンサ素子の斜視図である。FIG. 3A is a step diagram (perspective view) of a method for manufacturing a multilayer capacitor element. FIG. 3B is a process diagram (cross-sectional view) of a method for manufacturing a multilayer capacitor element. FIG. 3C is a partially cutaway perspective view of the multilayer capacitor element shown in FIG. 3B. FIG. 3D is a perspective view of the multilayer capacitor element. 図４Ａ～図４Ｄは、本開示の第１実施形態に係るコンデンサの製造方法の各工程の説明図である。FIGS. 4A to 4D are explanatory diagrams of each step of the capacitor manufacturing method according to the first embodiment of the present disclosure. 図５は、本開示の第２実施形態に係るコンデンサの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a capacitor according to a second embodiment of the present disclosure. 図６Ａ～図６Ｄは、本開示の第２実施形態に係るコンデンサの製造方法の各工程の説明図である。6A to 6D are explanatory diagrams of each step of the capacitor manufacturing method according to the second embodiment of the present disclosure. 図７は、本開示の第３実施形態に係るコンデンサの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a capacitor according to a third embodiment of the present disclosure. 図８Ａ～図８Ｄは、本開示の第３実施形態に係るコンデンサの製造方法の各工程の説明図である。FIGS. 8A to 8D are explanatory diagrams of each process of a method for manufacturing a capacitor according to a third embodiment of the present disclosure.

（第１実施形態）
以下、第１実施形態に係るコンデンサ１及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、一部の図面には、互いに直交するＸ軸（前後方向）、Ｙ軸（左右方向）及びＺ軸（上下方向）を図示している。これらの軸は、説明の都合上図示しただけであり、コンデンサ１などを使用する際の方向などを限定する趣旨ではない。 (First embodiment)
Hereinafter, a capacitor 1 and a method for manufacturing the same according to a first embodiment will be described with reference to the drawings. Note that in some of the drawings, an X-axis (front-back direction), a Y-axis (left-right direction), and a Z-axis (up-down direction) that are orthogonal to each other are illustrated. These axes are only shown for convenience of explanation, and are not intended to limit the direction in which the capacitor 1 or the like is used.

（１）概要
図１に示すように、第１実施形態に係るコンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、を備える。樹脂外装体３は、コンデンサ素子２を封止している。ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面の一部を被覆している。 (1) Overview As shown in FIG. 1, a capacitor 1 according to the first embodiment includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, and a gas barrier film 4. The resin exterior body 3 seals the capacitor element 2. The gas barrier film 4 covers a part of the surface of the resin exterior body 3.

コンデンサ１は、特許文献１に記載されているような外装ケースを備えていない。つまり、コンデンサ１は、いわゆるケースレス構造を採用している。そのため、コンデンサ１は、少なくとも従来の外装ケースに相当する分だけ、軽量化を実現することができる。 The capacitor 1 does not include an exterior case as described in Patent Document 1. In other words, the capacitor 1 has a so-called caseless structure. Therefore, the capacitor 1 can be made lighter by at least the amount equivalent to the conventional outer case.

またコンデンサ素子２は、樹脂外装体３で封止されている。そのため、コンデンサ１は、耐湿性が向上している。さらに樹脂外装体３の表面の一部はガスバリアフィルム４で被覆されている。ここで、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくい。そのため、例えば、図４Ｄに示すように、ガスバリアフィルム４が被覆されていない箇所の樹脂外装体３の厚みＴ２に比べて、ガスバリアフィルム４が被覆されている箇所の樹脂外装体３の厚みＴ１を薄くすることができる（Ｔ１＜Ｔ２）。このように薄くできる分だけ、更なる軽量化を実現することができる。 Further, the capacitor element 2 is sealed with a resin exterior body 3. Therefore, the capacitor 1 has improved moisture resistance. Furthermore, a part of the surface of the resin exterior body 3 is covered with a gas barrier film 4. Here, even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. Therefore, for example, as shown in FIG. 4D, the thickness T1 of the resin exterior body 3 at a portion covered with the gas barrier film 4 is smaller than the thickness T2 of the resin exterior body 3 at a portion not covered with the gas barrier film 4. It can be made thinner (T1<T2). As the thickness can be reduced in this way, further weight reduction can be achieved.

したがって、第１実施形態に係るコンデンサ１によれば、軽量化を実現し、耐湿性を向上させることができる。 Therefore, according to the capacitor 1 according to the first embodiment, weight reduction can be achieved and moisture resistance can be improved.

（２）詳細
（２．１）構成
第１実施形態に係るコンデンサ１は、いわゆるケースレス構造を採用しており、特許文献１に記載されているような外装ケースを備えていない。つまり、コンデンサ１は、ケースレスコンデンサである。図１に示すように、コンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、を備える。コンデンサ素子２、樹脂外装体３、及びガスバリアフィルム４は一体化されている。 (2) Details (2.1) Configuration The capacitor 1 according to the first embodiment adopts a so-called caseless structure and does not include an exterior case as described in Patent Document 1. In other words, capacitor 1 is a caseless capacitor. As shown in FIG. 1, the capacitor 1 includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, and a gas barrier film 4. The capacitor element 2, the resin exterior body 3, and the gas barrier film 4 are integrated.

＜コンデンサ素子＞
まずコンデンサ素子２について説明する。コンデンサ素子２は、プラスチックフィルムを誘電体として有する。コンデンサ素子２は、巻回型コンデンサ素子７（図２Ｂ参照）でもよいし、積層型コンデンサ素子８（図３Ｄ参照）でもよい。以下に、巻回型コンデンサ素子７及び積層型コンデンサ素子８の一例を示す。 <Capacitor element>
First, the capacitor element 2 will be explained. Capacitor element 2 has a plastic film as a dielectric. The capacitor element 2 may be a wound capacitor element 7 (see FIG. 2B) or a multilayer capacitor element 8 (see FIG. 3D). Examples of the wound capacitor element 7 and the multilayer capacitor element 8 are shown below.

≪巻回型コンデンサ素子≫
巻回型コンデンサ素子７は、例えば、次のようにして製造することができる。まず第１金属化フィルム７１及び第２金属化フィルム７２を用意する（図２Ａ参照）。 ≪Wound type capacitor element≫
The wound capacitor element 7 can be manufactured, for example, as follows. First, a first metallized film 71 and a second metallized film 72 are prepared (see FIG. 2A).

第１金属化フィルム７１は、第１誘電体フィルム７０１と、第１導電層７１１とを有する。第１誘電体フィルム７０１は、長尺物である。第１誘電体フィルム７０１の片面に、第１マージン部７２１を除いて、第１導電層７１１が形成されている。第１マージン部７２１は、第１誘電体フィルム７０１が露出している部分であり、第１誘電体フィルム７０１の一方の長辺に沿って、第１導電層７１１よりも細い帯状に形成されている。 The first metallized film 71 has a first dielectric film 701 and a first conductive layer 711 . The first dielectric film 701 is a long film. A first conductive layer 711 is formed on one side of the first dielectric film 701, excluding the first margin portion 721. The first margin portion 721 is an exposed portion of the first dielectric film 701, and is formed in a strip shape thinner than the first conductive layer 711 along one long side of the first dielectric film 701. There is.

第２金属化フィルム７２は、第１金属化フィルム７１と同様に形成されている。すなわち、第２金属化フィルム７２は、第２誘電体フィルム７０２と、第２導電層７１２とを有する。第２誘電体フィルム７０２は、第１誘電体フィルム７０１と同じ幅を有する長尺物である。第２誘電体フィルム７０２の片面に、第２マージン部７２２を除いて、第２導電層７１２が形成されている。第２マージン部７２２は、第２誘電体フィルム７０２が露出している部分であり、第２誘電体フィルム７０２の一方の長辺に沿って、第２導電層７１２よりも細い帯状に形成されている。 The second metallized film 72 is formed similarly to the first metallized film 71. That is, the second metallized film 72 includes a second dielectric film 702 and a second conductive layer 712. The second dielectric film 702 is a long object having the same width as the first dielectric film 701. A second conductive layer 712 is formed on one side of the second dielectric film 702, excluding the second margin portion 722. The second margin portion 722 is an exposed portion of the second dielectric film 702, and is formed in a strip shape thinner than the second conductive layer 712 along one long side of the second dielectric film 702. There is.

第１誘電体フィルム７０１及び第２誘電体フィルム７０２は、例えばポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド又はポリスチレンなどで形成されている。第１導電層７１１及び第２導電層７１２は、蒸着法又はスパッタリング法などの方法で形成される。第１導電層７１１及び第２導電層７１２は、例えばアルミニウム、亜鉛及びマグネシウムなどで形成されている。 The first dielectric film 701 and the second dielectric film 702 are made of, for example, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenyl sulfide, or polystyrene. The first conductive layer 711 and the second conductive layer 712 are formed by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. The first conductive layer 711 and the second conductive layer 712 are made of, for example, aluminum, zinc, magnesium, or the like.

次に図２Ａに示すように、第１金属化フィルム７１及び第２金属化フィルム７２の各々の２つの長辺を揃えて重ねる。このとき第１導電層７１１と第２導電層７１２との間に、第１誘電体フィルム７０１又は第２誘電体フィルム７０２を介在させる。さらに第１マージン部７２１が形成されている長辺と、第２マージン部７２２が形成されている長辺とを逆にする。このように第１金属化フィルム７１及び第２金属化フィルム７２を重ねた状態で巻き取ることによって、円柱状の巻回体７３を得ることができる。次にこの巻回体７３の側面を両側から押圧して、断面長円状の巻回体７４に加工する（図２Ｂ参照）。このように扁平化することで、省スペース化を図ることができる。 Next, as shown in FIG. 2A, the first metallized film 71 and the second metallized film 72 are stacked with their two long sides aligned. At this time, the first dielectric film 701 or the second dielectric film 702 is interposed between the first conductive layer 711 and the second conductive layer 712. Furthermore, the long side on which the first margin part 721 is formed and the long side on which the second margin part 722 is formed are reversed. By winding the first metallized film 71 and the second metallized film 72 in a stacked state in this manner, a cylindrical wound body 73 can be obtained. Next, the side surfaces of this wound body 73 are pressed from both sides to form a wound body 74 having an oval cross section (see FIG. 2B). By flattening in this way, it is possible to save space.

次に、メタリコン（金属溶射法）により巻回体７４の両端に第１外部電極２１及び第２外部電極２２を形成することによって、巻回型コンデンサ素子７を得ることができる。第１外部電極２１は、第１導電層７１１（第１内部電極）に電気的に接続されている。第２外部電極２２は、第２導電層７１２（第２内部電極）に電気的に接続されている。第１導電層７１１及び第２導電層７１２が一対の内部電極を構成している。第１外部電極２１及び第２外部電極２２は、例えば亜鉛などで形成されている。 Next, the first external electrode 21 and the second external electrode 22 are formed at both ends of the wound body 74 by metallization (metal spraying method), thereby obtaining the wound type capacitor element 7. The first external electrode 21 is electrically connected to the first conductive layer 711 (first internal electrode). The second external electrode 22 is electrically connected to the second conductive layer 712 (second internal electrode). The first conductive layer 711 and the second conductive layer 712 constitute a pair of internal electrodes. The first external electrode 21 and the second external electrode 22 are made of, for example, zinc.

その後、図２Ｂに示すように、第１外部電極２１に第１バスバー９１を電気的に接続し、第２外部電極２２に第２バスバー９２を電気的に接続する。この接続方法として、例えば半田溶接、抵抗溶接及び超音波溶接などが挙げられる。第１バスバー９１及び第２バスバー９２は、例えば銅又は銅合金などで板状に形成されている。 Thereafter, as shown in FIG. 2B, the first bus bar 91 is electrically connected to the first external electrode 21, and the second bus bar 92 is electrically connected to the second external electrode 22. Examples of this connection method include solder welding, resistance welding, and ultrasonic welding. The first bus bar 91 and the second bus bar 92 are formed into a plate shape of, for example, copper or a copper alloy.

≪積層型コンデンサ素子≫
一方、積層型コンデンサ素子８は、例えば、次のようにして製造することができる。まず第１金属化フィルム８１及び第２金属化フィルム８２を用意する（図３Ａ参照）。 ≪Multilayer capacitor element≫
On the other hand, the multilayer capacitor element 8 can be manufactured, for example, as follows. First, a first metallized film 81 and a second metallized film 82 are prepared (see FIG. 3A).

第１金属化フィルム８１は、第１誘電体フィルム８０１と、第１導電層８１１とを有する。第１誘電体フィルム８０１は、矩形状である。第１誘電体フィルム８０１の片面に、第１マージン部８２１を除いて、第１導電層８１１が形成されている。第１マージン部８２１は、第１誘電体フィルム８０１の１つの辺に沿って、第１導電層８１１よりも細い帯状に形成されている。 The first metallized film 81 has a first dielectric film 801 and a first conductive layer 811 . The first dielectric film 801 has a rectangular shape. A first conductive layer 811 is formed on one side of the first dielectric film 801 except for the first margin portion 821 . The first margin portion 821 is formed in a strip shape that is thinner than the first conductive layer 811 along one side of the first dielectric film 801 .

第２金属化フィルム８２は、第１金属化フィルム８１と同様に形成されている。すなわち、第２金属化フィルム８２は、第２誘電体フィルム８０２と、第２導電層８１２とを有する。第２誘電体フィルム８０２は、第１誘電体フィルム８０１と同じ大きさの矩形状である。第２誘電体フィルム８０２の片面に、第２マージン部８２２を除いて、第２導電層８１２が形成されている。第２マージン部８２２は、第２誘電体フィルム８０２の１つの辺に沿って、第２導電層８１２よりも細い帯状に形成されている。 The second metallized film 82 is formed similarly to the first metallized film 81. That is, the second metallized film 82 includes a second dielectric film 802 and a second conductive layer 812 . The second dielectric film 802 has a rectangular shape with the same size as the first dielectric film 801. A second conductive layer 812 is formed on one side of the second dielectric film 802, excluding the second margin portion 822. The second margin portion 822 is formed in a strip shape that is thinner than the second conductive layer 812 along one side of the second dielectric film 802 .

第１誘電体フィルム８０１及び第２誘電体フィルム８０２は、例えばポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド又はポリスチレンなどで形成されている。第１導電層８１１及び第２導電層８１２は、蒸着法又はスパッタリング法などの方法で形成される。第１導電層８１１及び第２導電層８１２は、例えばアルミニウム、亜鉛及びマグネシウムなどで形成されている。 The first dielectric film 801 and the second dielectric film 802 are made of, for example, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenyl sulfide, or polystyrene. The first conductive layer 811 and the second conductive layer 812 are formed by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method. The first conductive layer 811 and the second conductive layer 812 are made of, for example, aluminum, zinc, magnesium, or the like.

次に図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第１金属化フィルム８１及び第２金属化フィルム８２の四辺を揃えて交互に重ねる。このとき第１導電層８１１と第２導電層８１２との間に、第１誘電体フィルム８０１又は第２誘電体フィルム８０２を介在させる。さらに第１マージン部８２１が形成されている一辺と、第２マージン部８２２が形成されている一辺とを対向させる。図３Ａでは、第１マージン部８２１を後方（Ｘ軸の負の向き）に、第２マージン部８２２を前方（Ｘ軸の正の向き）に配置している。このように、複数の第１金属化フィルム８１及び第２金属化フィルム８２を積層して一体化することによって、図３Ｂ及び図３Ｃに示すような積層体８３を得ることができる。この積層体８３は、前面（Ｘ軸の正の向きに向いている面）及び後面（Ｘ軸の負の向きに向いている面）を除いて、保護フィルム８４で被覆されている。保護フィルム８４は、電気的絶縁性を有するフィルムである。 Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the first metallized film 81 and the second metallized film 82 are stacked alternately with their four sides aligned. At this time, the first dielectric film 801 or the second dielectric film 802 is interposed between the first conductive layer 811 and the second conductive layer 812. Furthermore, one side on which the first margin part 821 is formed and one side on which the second margin part 822 is formed are made to face each other. In FIG. 3A, the first margin section 821 is arranged at the rear (in the negative direction of the X-axis), and the second margin section 822 is arranged at the front (in the positive direction of the X-axis). In this way, by laminating and integrating a plurality of first metallized films 81 and second metallized films 82, a laminate 83 as shown in FIGS. 3B and 3C can be obtained. This laminate 83 is covered with a protective film 84 except for the front surface (the surface facing in the positive direction of the X-axis) and the rear surface (the surface facing in the negative direction of the X-axis). The protective film 84 is an electrically insulating film.

次に、メタリコン（金属溶射法）により積層体８３の前面及び後面にそれぞれ第１外部電極２１及び第２外部電極２２を形成することによって、積層型コンデンサ素子８を得ることができる（図３Ｄ参照）。第１外部電極２１は、第１導電層８１１（第１内部電極）に電気的に接続されている。第２外部電極２２は、第２導電層８１２（第２内部電極）に電気的に接続されている。第１導電層８１１及び第２導電層８１２が一対の内部電極となる。第１外部電極２１及び第２外部電極２２は、例えば亜鉛などで形成されている。 Next, by forming the first external electrode 21 and the second external electrode 22 on the front and rear surfaces of the laminate 83, respectively, by metallization (metal spraying method), the laminate capacitor element 8 can be obtained (see FIG. 3D). ). The first external electrode 21 is electrically connected to the first conductive layer 811 (first internal electrode). The second external electrode 22 is electrically connected to the second conductive layer 812 (second internal electrode). The first conductive layer 811 and the second conductive layer 812 become a pair of internal electrodes. The first external electrode 21 and the second external electrode 22 are made of, for example, zinc.

その後、図３Ｄに示すように、第１外部電極２１に第１バスバー９１を電気的に接続し、第２外部電極２２に第２バスバー９２を電気的に接続する。この接続方法として、例えば半田溶接、抵抗溶接及び超音波溶接などが挙げられる。第１バスバー９１及び第２バスバー９２は、例えば銅又は銅合金などで板状に形成されている。 Thereafter, as shown in FIG. 3D, the first bus bar 91 is electrically connected to the first external electrode 21, and the second bus bar 92 is electrically connected to the second external electrode 22. Examples of this connection method include solder welding, resistance welding, and ultrasonic welding. The first bus bar 91 and the second bus bar 92 are formed into a plate shape of, for example, copper or a copper alloy.

＜樹脂外装体＞
次に樹脂外装体３について説明する。図１に示すように、樹脂外装体３は、コンデンサ素子２を封止している。より詳細には、樹脂外装体３は、第１バスバー９１及び第２バスバー９２を除いて、コンデンサ素子２の全体を封止している。第１バスバー９１及び第２バスバー９２は、樹脂外装体３の表面から突出している。樹脂外装体３は、コンデンサ素子２を外気に触れさせないように隙間なく包んで、外部環境から保護している。このようにしてコンデンサ１の耐湿性を向上させることができる。すなわち、外部からの水蒸気などのガスの侵入を樹脂外装体３で防いで、コンデンサ素子２の劣化を抑制することができる。樹脂外装体３の形状は特に限定されない。 <Resin exterior body>
Next, the resin exterior body 3 will be explained. As shown in FIG. 1, the resin exterior body 3 seals the capacitor element 2. More specifically, the resin exterior body 3 seals the entire capacitor element 2 except for the first bus bar 91 and the second bus bar 92. The first bus bar 91 and the second bus bar 92 protrude from the surface of the resin exterior body 3. The resin exterior body 3 tightly encloses the capacitor element 2 so as not to expose it to the outside air, thereby protecting it from the external environment. In this way, the moisture resistance of the capacitor 1 can be improved. That is, the resin exterior body 3 prevents gas such as water vapor from entering from the outside, and deterioration of the capacitor element 2 can be suppressed. The shape of the resin exterior body 3 is not particularly limited.

樹脂外装体３は、熱硬化性樹脂組成物３０の硬化物である。硬化物は、Ｃ－ステージの物質であり、不溶不融である。Ｃ－ステージは、熱硬化性樹脂組成物３０の硬化反応の最終状態である。 The resin exterior body 3 is a cured product of a thermosetting resin composition 30. The cured product is a C-stage material and is insoluble and infusible. The C-stage is the final state of the curing reaction of the thermosetting resin composition 30.

硬化反応前の常温（２５℃）における熱硬化性樹脂組成物３０は、液状であり、熱硬化性樹脂を含有する組成物である。熱硬化性樹脂は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂などが挙げられる。これらの中ではエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性、耐薬品性、強靭性、電気絶縁性及び接着性などの特性に優れている。 The thermosetting resin composition 30 at room temperature (25° C.) before the curing reaction is a liquid composition containing a thermosetting resin. The thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include epoxy resin, unsaturated polyester resin, and polyimide resin. Among these, epoxy resin is preferred. Epoxy resins have excellent properties such as heat resistance, chemical resistance, toughness, electrical insulation, and adhesive properties.

熱硬化性樹脂組成物３０は、無機充填材を含有してもよい。無機充填材は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化硼素、マグネシア、ベーマイト、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム及びタルクなどが挙げられる。これらの中では、機械強度の観点から、シリカが好ましい。無機充填材の含有量は、例えば、熱硬化性樹脂組成物の全質量に対して、９０質量％以下である。なお、無機充填材の含有量は、成形時の流動性を確保する観点から、少ないほど好ましい。 The thermosetting resin composition 30 may contain an inorganic filler. The inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, silicon nitride, boron nitride, magnesia, boehmite, calcium carbonate, aluminum hydroxide, and talc. Among these, silica is preferred from the viewpoint of mechanical strength. The content of the inorganic filler is, for example, 90% by mass or less based on the total mass of the thermosetting resin composition. Note that the content of the inorganic filler is preferably as small as possible from the viewpoint of ensuring fluidity during molding.

さらに熱硬化性樹脂組成物３０は、必要に応じて、公知の硬化剤及び触媒などを含有してもよい。 Furthermore, the thermosetting resin composition 30 may contain a known curing agent, catalyst, etc., if necessary.

＜ガスバリアフィルム＞
次にガスバリアフィルム４について説明する。ガスバリアフィルム４は、ガスバリア性を有するフィルムである。ガスバリア性は、水蒸気などのガスを透過させにくいという性質である。好ましくは、ガスバリアフィルム４は、基材フィルム４１と、ガスバリア層４２と、を有する（図４Ｄ参照）。ガスバリア層４２は、基材フィルム４１上に形成されている。主としてガスバリア層４２がガスバリア性を有する。 <Gas barrier film>
Next, the gas barrier film 4 will be explained. The gas barrier film 4 is a film having gas barrier properties. Gas barrier properties are properties that make it difficult for gases such as water vapor to pass through. Preferably, the gas barrier film 4 includes a base film 41 and a gas barrier layer 42 (see FIG. 4D). Gas barrier layer 42 is formed on base film 41. The gas barrier layer 42 mainly has gas barrier properties.

基材フィルム４１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（融点２６５℃、ガラス転移点８０℃（ＴＭＡ法））、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム（融点２８０℃、ガラス転移点１００℃）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）フィルム（ガラス転移点２２０℃）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）フィルム（ガラス転移点２２０℃）、又はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）フィルム（融点３４０℃、ガラス転移点１４０℃）のいずれかであることが好ましい。これらのフィルムは、耐熱性に優れている。したがって、後述の液状射出成形の際の加熱温度にも耐え得る。なお、上記の融点及びガラス転移点は、ＤＳＣ法（昇温速度：１０℃／ｍｉｎ）によるデータである。 The base film 41 is made of polyethylene terephthalate (PET) film (melting point 265°C, glass transition point 80°C (TMA method)), polyphenylene sulfide (PPS) film (melting point 280°C, glass transition point 100°C), polyether sulfone. (PES) film (glass transition point 220°C), polyetherimide (PEI) film (glass transition point 220°C), or polyetheretherketone (PEEK) film (melting point 340°C, glass transition point 140°C) It is preferable that These films have excellent heat resistance. Therefore, it can withstand heating temperatures during liquid injection molding, which will be described later. Note that the above melting point and glass transition point are data obtained by the DSC method (heating rate: 10° C./min).

ガスバリア層４２は、ガスバリア性を有する。ガスバリア層４２は、酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムを含む。ガスバリア層４２は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はプラズマＣＶＤ法などにより形成可能である。 The gas barrier layer 42 has gas barrier properties. Gas barrier layer 42 contains silicon oxide and/or aluminum oxide. The gas barrier layer 42 can be formed by, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, a plasma CVD method, or the like.

図１に示すように、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面の一部を被覆している。ガスバリアフィルム４が基材フィルム４１とガスバリア層４２とを有する場合には、ガスバリア層４２が樹脂外装体３に接着され、基材フィルム４１が外部に面している（図４Ｄ参照）。被覆面積は広いほど好ましいが、特に限定されない。このように被覆することで、コンデンサ１の更なる軽量化を実現することができる。その主な理由は、ガスバリアフィルム４が、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくいからである。これに対して、樹脂外装体３は、ある程度の厚みを確保しなければ、水蒸気などのガスの透過を抑制することができない。 As shown in FIG. 1, the gas barrier film 4 covers a part of the surface of the resin exterior body 3. As shown in FIG. When the gas barrier film 4 has a base film 41 and a gas barrier layer 42, the gas barrier layer 42 is adhered to the resin exterior body 3, and the base film 41 faces the outside (see FIG. 4D). The larger the covering area is, the more preferable it is, but it is not particularly limited. By covering in this way, further weight reduction of the capacitor 1 can be realized. The main reason for this is that even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. On the other hand, the resin exterior body 3 cannot suppress the permeation of gases such as water vapor unless a certain degree of thickness is ensured.

上記の点について図４Ｄを参照しながら説明すると、Ｔ２は、ガスバリアフィルム４が被覆されていない箇所の樹脂外装体３の厚みである。より詳細には、Ｔ２は、コンデンサ素子２と樹脂外装体３との界面から樹脂外装体３の外面までの距離である。このようにガスバリアフィルム４が被覆されていない箇所では、樹脂外装体３が剥き出しであり、水蒸気などのガスの透過を抑制可能な程度の厚みを、樹脂外装体３のみで確保する必要がある。 To explain the above point with reference to FIG. 4D, T2 is the thickness of the resin exterior body 3 at a portion not covered with the gas barrier film 4. More specifically, T2 is the distance from the interface between the capacitor element 2 and the resin sheath 3 to the outer surface of the resin sheath 3. In such places where the gas barrier film 4 is not covered, the resin exterior body 3 is exposed, and it is necessary to ensure that the resin exterior body 3 alone has a thickness that can suppress the permeation of gases such as water vapor.

一方、Ｔ１は、ガスバリアフィルム４が被覆されている箇所の樹脂外装体３の厚みである。より詳細には、Ｔ１は、コンデンサ素子２と樹脂外装体３との界面から樹脂外装体３とガスバリアフィルム４との界面までの距離である。このようにガスバリアフィルム４が被覆されている箇所では、ガスバリアフィルム４で水蒸気などのガスの透過を抑制可能なので、樹脂外装体３のみの厚みＴ１を上記のＴ２よりも薄くすることができる。 On the other hand, T1 is the thickness of the resin exterior body 3 at the portion covered with the gas barrier film 4. More specifically, T1 is the distance from the interface between the capacitor element 2 and the resin sheath 3 to the interface between the resin sheath 3 and the gas barrier film 4. In the area covered with the gas barrier film 4 in this way, the gas barrier film 4 can suppress the permeation of gases such as water vapor, so the thickness T1 of only the resin exterior body 3 can be made thinner than the above-mentioned T2.

上述のように、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気を透過させにくい。そのため、図４Ｄに示すように、コンデンサ１において、ガスバリアフィルム４が被覆されていない箇所の樹脂外装体３の厚みＴ２に比べて、ガスバリアフィルム４が被覆されている箇所の樹脂外装体３の厚みＴ１を薄くすることができる（Ｔ１＜Ｔ２）。したがって、このように薄くできる分だけ、更なる軽量化を実現することができる。 As described above, even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for water vapor to pass therethrough. Therefore, as shown in FIG. 4D, in the capacitor 1, the thickness T2 of the resin exterior body 3 at a portion covered with the gas barrier film 4 is greater than the thickness T2 of the resin exterior body 3 at a portion not covered with the gas barrier film 4. T1 can be made thinner (T1<T2). Therefore, as the thickness can be reduced in this way, further weight reduction can be achieved.

以上から、ガスバリアフィルム４が全く使用されていないコンデンサ１と、ガスバリアフィルム４が一部でも使用されているコンデンサ１とを対比すると、両者の耐湿性が同じであっても、後者のコンデンサ１の方がより軽量化することが可能である。 From the above, if we compare a capacitor 1 in which no gas barrier film 4 is used with a capacitor 1 in which a gas barrier film 4 is used at least partially, even if the moisture resistance of both is the same, the latter capacitor 1 is It is possible to reduce the weight even more.

（２．２）製造方法
第１実施形態に係るコンデンサ１は、液状射出成形（ＬＩＭ：Liquid Injection Molding）により製造することができる。液状射出成形は、液状材料を型内に射出して反応硬化させて成形品を得る成形法である。この成形法では、液状材料を用いるので低圧成形が可能で、低圧の計量ポンプ及び混合機などを採用することができる。液状射出成形は、第１実施形態に係るコンデンサ１のケースレス化に好適である。一般に半導体の樹脂封止にトランスファー成形法が使用されているが、トランスファー成形法に比べて、液状射出成形では、コンデンサ素子２に及ぼす機械的及び熱的損傷が小さい。低温（例えば１００℃程度）でのトランスファー成形法が可能であるとしても、コンデンサ素子２に及ぼす機械的損傷については、液状射出成形の方が小さい。 (2.2) Manufacturing method The capacitor 1 according to the first embodiment can be manufactured by liquid injection molding (LIM). Liquid injection molding is a molding method in which a liquid material is injected into a mold and reacted and cured to obtain a molded article. Since this molding method uses a liquid material, low-pressure molding is possible, and low-pressure metering pumps, mixers, etc. can be employed. Liquid injection molding is suitable for making the capacitor 1 according to the first embodiment caseless. Transfer molding is generally used for resin encapsulation of semiconductors, but liquid injection molding causes less mechanical and thermal damage to the capacitor element 2 than transfer molding. Even if transfer molding at a low temperature (for example, about 100° C.) is possible, liquid injection molding causes less mechanical damage to the capacitor element 2.

以下では、液状射出成形を使用してコンデンサ１を製造する方法について説明する。なお、この方法では、液状材料にコンデンサ素子２を埋め込んで成形しているので、インサート成形も使用している。 In the following, a method of manufacturing capacitor 1 using liquid injection molding will be described. Note that this method also uses insert molding because the capacitor element 2 is embedded and molded in a liquid material.

図４Ａに示すように、成形用金型６は、成形型として使用する射出成形用の金型である。成形用金型６は、第１型６１と第２型６２とから構成され、所望の温度に制御可能に形成されている。第１型６１には第１凹部６０１が形成されている。第２型６２には第２凹部６０２が形成されている。第１凹部６０１及び第２凹部６０２は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに、成形用金型６の内部にキャビティ６０を形成する（図４Ｃ参照）。成形用金型６には、キャビティ６０に連通する樹脂注入路となるスプルー６００が設けられている。スプルー６００には、液状の熱硬化性樹脂組成物３０を注入するための射出ノズル６３が接続されている。射出ノズル６３からスプルー６００を通ってキャビティ６０内に液状の熱硬化性樹脂組成物３０を注入して射出成形を行う。 As shown in FIG. 4A, the molding die 6 is an injection mold used as a molding die. The molding die 6 includes a first die 61 and a second die 62, and is formed to be able to control the temperature to a desired temperature. A first recess 601 is formed in the first mold 61 . A second recess 602 is formed in the second mold 62 . The first recess 601 and the second recess 602 form a cavity 60 inside the molding die 6 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (see FIG. 4C). The molding die 6 is provided with a sprue 600 that communicates with the cavity 60 and serves as a resin injection path. An injection nozzle 63 for injecting the liquid thermosetting resin composition 30 is connected to the sprue 600 . Injection molding is performed by injecting the liquid thermosetting resin composition 30 into the cavity 60 from the injection nozzle 63 through the sprue 600.

第１実施形態に係るコンデンサ１の製造方法は、以下の工程Ａ～Ｄを含む。各工程について順に説明する。 The method for manufacturing the capacitor 1 according to the first embodiment includes the following steps A to D. Each step will be explained in turn.

＜工程Ａ＞
工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、ガスバリアフィルム４を成形用金型６に密着させて配置する。第１実施形態では、図４Ｂに示すように、ガスバリアフィルム４を第１型６１の第１凹部６０１の底面に密着させて配置している。ガスバリアフィルム４は、例えば真空引きによりキャビティ６０の内面に密着させることができる。なお、後述の半硬化物３１の離型操作を容易にするために、ガスバリアフィルム４を配置する前に、第１凹部６０１及び第２凹部６０２の内面に離型剤を塗布しておいてもよい。 <Process A>
In step A, the gas barrier film 4 is placed in close contact with the molding die 6 in the cavity 60 of the molding die 6 . In the first embodiment, as shown in FIG. 4B, the gas barrier film 4 is disposed in close contact with the bottom surface of the first recess 601 of the first mold 61. The gas barrier film 4 can be brought into close contact with the inner surface of the cavity 60 by, for example, vacuuming. In addition, in order to facilitate the mold release operation of the semi-cured material 31 described later, a mold release agent may be applied to the inner surfaces of the first recess 601 and the second recess 602 before placing the gas barrier film 4. good.

さらに工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、コンデンサ素子２を配置する。第１実施形態では、第１型６１と第２型６２とを閉じたときにコンデンサ素子２がガスバリアフィルム４に接触しないように、ガスバリアフィルム４から離してコンデンサ素子２を配置している（図４Ｃ）。このように配置するのは、ガスバリアフィルム４とコンデンサ素子２との間に熱硬化性樹脂組成物３０を注入して介在させるためである。さらに、第１型６１と第２型６２とを閉じたときにコンデンサ素子２がキャビティ６０の内面に接触しないように、コンデンサ素子２を配置している（図４Ｃ）。そして、第１凹部６０１と第２凹部６０２とを対向させ、第１型６１と第２型６２とを閉じて、キャビティ６０内にコンデンサ素子２を配置する。コンデンサ素子２のバスバー９は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに、第１型６１と第２型６２との接合部で挟持される。そのため、コンデンサ素子２は、キャビティ６０内において浮いた状態で配置される。なお、第１実施形態では、ガスバリアフィルム４から離してコンデンサ素子２を配置しているが、ガスバリアフィルム４から離さずにコンデンサ素子２を配置してもよい。コンデンサ素子２の少なくとも一部がガスバリアフィルム４に接触してもよい。 Further, in step A, the capacitor element 2 is placed in the cavity 60 of the molding die 6. In the first embodiment, the capacitor element 2 is placed away from the gas barrier film 4 so that the capacitor element 2 does not come into contact with the gas barrier film 4 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (Fig. 4C). The reason for this arrangement is to inject and interpose the thermosetting resin composition 30 between the gas barrier film 4 and the capacitor element 2. Further, the capacitor element 2 is arranged so that the capacitor element 2 does not come into contact with the inner surface of the cavity 60 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (FIG. 4C). Then, the first recess 601 and the second recess 602 are made to face each other, the first mold 61 and the second mold 62 are closed, and the capacitor element 2 is placed in the cavity 60. The bus bar 9 of the capacitor element 2 is clamped at the joint between the first mold 61 and the second mold 62 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed. Therefore, the capacitor element 2 is placed in a floating state within the cavity 60. In the first embodiment, the capacitor element 2 is arranged apart from the gas barrier film 4, but the capacitor element 2 may be arranged without being separated from the gas barrier film 4. At least a portion of capacitor element 2 may be in contact with gas barrier film 4 .

＜工程Ｂ＞
工程Ｂでは、成形用金型６のキャビティ６０に液状の熱硬化性樹脂組成物３０を注入する。具体的には、まずスプルー６００に射出ノズル６３を接続する。第１型６１と第２型６２との接合部を気密にシールする。キャビティ６０内を真空ポンプなど（図示省略）により吸引する。例えば、キャビティ６０内を１０Ｔｏｒｒ（約１．３３ｋＰａ）に減圧する。そして、射出ノズル６３の先端部６３１から液状の熱硬化性樹脂組成物３０をキャビティ６０内に射出する。液状の熱硬化性樹脂組成物３０は、溶剤を含有しなくてもよいし（無溶剤）、溶剤を含有してもよい。液状の熱硬化性樹脂組成物３０は、Ａ－ステージの物質である。Ａ－ステージは、硬化反応の初期の状態である。射出ノズル６３は、ノズル本管６３２内にプランジャ６３３を同心的に配設し、このプランジャ６３３を前進させることによって、液状の熱硬化性樹脂組成物３０をキャビティ６０内に断続的に射出できるようになっている。熱硬化性樹脂組成物３０はもともと常温で液状であるため、注入のための圧力を低くすることができ、コンデンサ素子２の機械的損傷を抑制することができる。 <Process B>
In step B, a liquid thermosetting resin composition 30 is injected into the cavity 60 of the molding die 6. Specifically, first, the injection nozzle 63 is connected to the sprue 600. The joint between the first mold 61 and the second mold 62 is airtightly sealed. The inside of the cavity 60 is sucked by a vacuum pump or the like (not shown). For example, the pressure inside the cavity 60 is reduced to 10 Torr (about 1.33 kPa). Then, the liquid thermosetting resin composition 30 is injected into the cavity 60 from the tip 631 of the injection nozzle 63 . The liquid thermosetting resin composition 30 may not contain a solvent (solventless) or may contain a solvent. The liquid thermosetting resin composition 30 is an A-stage material. A-stage is the initial state of the curing reaction. The injection nozzle 63 has a plunger 633 disposed concentrically within the nozzle main pipe 632, and by advancing the plunger 633, the liquid thermosetting resin composition 30 can be intermittently injected into the cavity 60. It has become. Since the thermosetting resin composition 30 is originally liquid at room temperature, the pressure for injection can be lowered, and mechanical damage to the capacitor element 2 can be suppressed.

さらに工程Ｂでは、熱硬化性樹脂組成物３０を加熱して半硬化させて半硬化物３１を形成する。すなわち、液状の熱硬化性樹脂組成物３０をキャビティ６０内に充填し、成形用金型６を所定の温度で加熱することで、液状の熱硬化性樹脂組成物３０の硬化反応を途中まで進行させて半硬化物３１を形成する。 Furthermore, in step B, the thermosetting resin composition 30 is heated and semi-cured to form a semi-cured material 31. That is, by filling the cavity 60 with the liquid thermosetting resin composition 30 and heating the mold 6 at a predetermined temperature, the curing reaction of the liquid thermosetting resin composition 30 is progressed halfway. In this way, a semi-cured material 31 is formed.

半硬化物３１は、Ｂ－ステージの物質である。Ｂ－ステージは、熱硬化性樹脂組成物３０の硬化中間状態である。つまり、液状の熱硬化性樹脂組成物３０は、加熱されると、Ａ－ステージからＢ－ステージに移行して半硬化物３１となる。半硬化物３１は、更に加熱されると、Ｂ－ステージからＣ－ステージに移行して硬化物となる。 The semi-cured material 31 is a B-stage material. The B-stage is an intermediate state of curing of the thermosetting resin composition 30. That is, when the liquid thermosetting resin composition 30 is heated, it shifts from the A-stage to the B-stage and becomes a semi-cured product 31. When the semi-cured material 31 is further heated, it shifts from the B-stage to the C-stage and becomes a cured material.

工程Ｂでの加熱は、コンデンサ素子２が有する誘電体（例えばポリプロピレンフィルム等のプラスチックフィルム）を損傷させない程度の温度で行うことが好ましい。具体的には、工程Ｂでの加熱温度は、好ましくは９０℃以上１２０℃以下、より好ましくは９０℃以上１００℃以下の範囲内である。加熱時間は、生産性を考慮すると、好ましくは３分以上２５分以下、より好ましくは３分以上１０分以下の範囲内である。さらにガスバリアフィルム４が基材フィルム４１とガスバリア層４２とを有する場合には、好ましくは、工程Ｂにおける加熱温度を、ガスバリアフィルム４の基材フィルム４１のガラス転移温度よりも低くする。このように、加熱温度を調整すれば、工程Ｂにおける加熱時にガスバリアフィルム４が損傷することを抑制することができる。 The heating in step B is preferably performed at a temperature that does not damage the dielectric material (for example, a plastic film such as a polypropylene film) included in the capacitor element 2. Specifically, the heating temperature in step B is preferably in the range of 90°C or more and 120°C or less, more preferably 90°C or more and 100°C or less. Considering productivity, the heating time is preferably 3 minutes or more and 25 minutes or less, more preferably 3 minutes or more and 10 minutes or less. Furthermore, when the gas barrier film 4 has the base film 41 and the gas barrier layer 42, the heating temperature in step B is preferably lower than the glass transition temperature of the base film 41 of the gas barrier film 4. By adjusting the heating temperature in this manner, damage to the gas barrier film 4 during heating in step B can be suppressed.

＜工程Ｃ＞
工程Ｃでは、成形用金型６のキャビティ６０から半硬化物３１を取り出す。すなわち、保圧及び冷却を適宜行った後、第１型６１及び第２型６２を開いて、半硬化物３１を取り出す。半硬化物３１が取り出された成形用金型６は、次の射出に供される。なお、半硬化物３１を取り出す際に、スプルー６００で硬化した部分が半硬化物３１に付着してくるが、この部分は、工程Ｃ又は工程Ｄの後に、適宜、除去される。 <Process C>
In step C, the semi-cured material 31 is taken out from the cavity 60 of the molding die 6. That is, after holding pressure and cooling as appropriate, the first mold 61 and the second mold 62 are opened and the semi-cured material 31 is taken out. The molding die 6 from which the semi-cured material 31 has been taken out is used for the next injection. Note that when the semi-cured material 31 is taken out, the portion hardened by the sprue 600 adheres to the semi-cured material 31, but this portion is removed as appropriate after step C or step D.

＜工程Ｄ＞
工程Ｄでは、半硬化物３１を更に加熱して完全硬化させる。つまり、後硬化（アフターキュアー又はポストキュアーともいう）を行う。後硬化は、半硬化物３１を離型後、追加工程として乾燥炉など他の形式の加熱室でふたたび加熱して十分に硬化させることである。例えば、複数の半硬化物３１を一括して、加熱ステージ上で加熱したり、加熱オーブン中で加熱したりすることにより、後硬化を行うことができる。このように、後硬化では、複数の半硬化物を一括して処理することができる。成形用金型６から半硬化物３１を離型後、後硬化を行うと、歪みを除去することができる等の利点がある。以上のようにして、図１に示すようなコンデンサ１が得られる。 <Process D>
In step D, the semi-cured material 31 is further heated and completely cured. That is, post-curing (also referred to as after-curing or post-curing) is performed. Post-curing is to heat the semi-cured product 31 again in another type of heating chamber such as a drying oven as an additional step after releasing the semi-cured product 31 from the mold to fully cure it. For example, post-curing can be performed by heating the plurality of semi-cured materials 31 all at once on a heating stage or in a heating oven. In this way, in post-curing, a plurality of semi-cured products can be treated at once. Post-curing after releasing the semi-cured material 31 from the molding die 6 has advantages such as being able to remove distortion. In the manner described above, a capacitor 1 as shown in FIG. 1 is obtained.

工程Ｄでの加熱は、コンデンサ素子２が有する誘電体（例えばポリプロピレンフィルム等のプラスチックフィルム）を損傷させない程度の温度で行うことが好ましい。具体的には、工程Ｄでの加熱温度は、好ましくは９０℃以上１２０℃以下、より好ましくは９０℃以上１００℃以下の範囲内である。後硬化の加熱時間は、好ましくは２時間以下、より好ましくは１時間以下である。さらにガスバリアフィルム４が基材フィルム４１とガスバリア層４２とを有する場合には、好ましくは、工程Ｄにおける加熱温度を、ガスバリアフィルム４の基材フィルム４１のガラス転移温度よりも低くする。このように、加熱温度を調整すれば、工程Ｄにおける加熱時にガスバリアフィルム４が損傷することを抑制することができる。 The heating in step D is preferably performed at a temperature that does not damage the dielectric material (for example, a plastic film such as a polypropylene film) included in the capacitor element 2. Specifically, the heating temperature in step D is preferably in the range of 90°C or more and 120°C or less, more preferably 90°C or more and 100°C or less. The heating time for post-curing is preferably 2 hours or less, more preferably 1 hour or less. Furthermore, when the gas barrier film 4 has the base film 41 and the gas barrier layer 42, the heating temperature in step D is preferably lower than the glass transition temperature of the base film 41 of the gas barrier film 4. By adjusting the heating temperature in this manner, damage to the gas barrier film 4 during heating in step D can be suppressed.

（第２実施形態）
以下、第２実施形態に係るコンデンサ１及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、第２実施形態では、第１実施形態と同様の構成要素には第１実施形態と同一の符号を付して詳細な説明を省略する場合がある。 (Second embodiment)
Hereinafter, a capacitor 1 and a manufacturing method thereof according to a second embodiment will be described with reference to the drawings. Note that, in the second embodiment, components similar to those in the first embodiment may be given the same reference numerals as those in the first embodiment, and detailed description thereof may be omitted.

（１）概要
図５に示すように、第２実施形態に係るコンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、を備える。樹脂外装体３は、コンデンサ素子２を封止している。ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面全体を被覆している。 (1) Overview As shown in FIG. 5, a capacitor 1 according to the second embodiment includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, and a gas barrier film 4. The resin exterior body 3 seals the capacitor element 2. The gas barrier film 4 covers the entire surface of the resin exterior body 3.

またコンデンサ素子２は、樹脂外装体３で封止されている。そのため、コンデンサ１は、耐湿性が向上している。さらに樹脂外装体３の表面全体はガスバリアフィルム４で被覆されている。ここで、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくい。そのため、ガスバリアフィルム４を使用しない場合に比べて、樹脂外装体３の厚みを薄くすることができる。このように薄くできる分だけ、更なる軽量化を実現することができる。 Further, the capacitor element 2 is sealed with a resin exterior body 3. Therefore, the capacitor 1 has improved moisture resistance. Furthermore, the entire surface of the resin exterior body 3 is covered with a gas barrier film 4. Here, even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. Therefore, the thickness of the resin exterior body 3 can be made thinner than when the gas barrier film 4 is not used. As the thickness can be reduced in this way, further weight reduction can be achieved.

したがって、第２実施形態に係るコンデンサ１によれば、軽量化を実現し、耐湿性を向上させることができる。 Therefore, according to the capacitor 1 according to the second embodiment, weight reduction can be achieved and moisture resistance can be improved.

（２）詳細
（２．１）構成
第２実施形態に係るコンデンサ１は、いわゆるケースレス構造を採用しており、特許文献１に記載されているような外装ケースを備えていない。つまり、コンデンサ１は、ケースレスコンデンサである。図５に示すように、コンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、を備える。コンデンサ素子２、樹脂外装体３、及びガスバリアフィルム４は一体化されている。 (2) Details (2.1) Configuration The capacitor 1 according to the second embodiment employs a so-called caseless structure and does not include an exterior case as described in Patent Document 1. In other words, capacitor 1 is a caseless capacitor. As shown in FIG. 5, the capacitor 1 includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, and a gas barrier film 4. The capacitor element 2, the resin exterior body 3, and the gas barrier film 4 are integrated.

＜コンデンサ素子＞
コンデンサ素子２は、第１実施形態と同様である。 <Capacitor element>
The capacitor element 2 is the same as in the first embodiment.

＜樹脂外装体＞
樹脂外装体３は、第１実施形態と同様である。 <Resin exterior body>
The resin exterior body 3 is the same as that in the first embodiment.

＜ガスバリアフィルム＞
ガスバリアフィルム４の構成自体は、第１実施形態と同様である。第２実施形態では、図５に示すように、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面全体を被覆している。さらにガスバリアフィルム４は、第１バスバー９１及び第２バスバー９２の各々の一部を被覆しているが、第１バスバー９１及び第２バスバー９２の各々の残部は外部に突出している。このように、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３を外気に触れさせないように隙間なく包んでいる。ガスバリアフィルム４が基材フィルム４１とガスバリア層４２とを有する場合には、ガスバリア層４２が樹脂外装体３に接着され、基材フィルム４１が外部に面している（図６Ｄ参照）。このように被覆することで、コンデンサ１の更なる軽量化を実現することができる。その主な理由は、ガスバリアフィルム４が、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくいからである。これに対して、樹脂外装体３は、ある程度の厚みを確保しなければ、水蒸気などのガスの透過を抑制することができない。 <Gas barrier film>
The structure of the gas barrier film 4 itself is the same as that of the first embodiment. In the second embodiment, as shown in FIG. 5, the gas barrier film 4 covers the entire surface of the resin exterior body 3. Further, the gas barrier film 4 covers a portion of each of the first bus bar 91 and the second bus bar 92, but the remaining portions of each of the first bus bar 91 and the second bus bar 92 protrude to the outside. In this way, the gas barrier film 4 wraps the resin exterior body 3 without any gaps so as not to expose it to the outside air. When the gas barrier film 4 has a base film 41 and a gas barrier layer 42, the gas barrier layer 42 is adhered to the resin exterior body 3, and the base film 41 faces the outside (see FIG. 6D). By covering in this way, further weight reduction of the capacitor 1 can be realized. The main reason for this is that even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. On the other hand, the resin exterior body 3 cannot suppress the permeation of gases such as water vapor unless a certain degree of thickness is ensured.

以上から、ガスバリアフィルム４が全く使用されていないコンデンサ１と、ガスバリアフィルム４が使用されているコンデンサ１とを対比すると、両者の耐湿性が同じであっても、後者のコンデンサ１の方がより軽量化することが可能である。 From the above, when comparing a capacitor 1 in which no gas barrier film 4 is used and a capacitor 1 in which a gas barrier film 4 is used, even if the moisture resistance of both is the same, the latter capacitor 1 is better. It is possible to reduce the weight.

（２．２）製造方法
第２実施形態に係るコンデンサ１の製造方法においては、工程Ａが第１実施形態と相違し、工程Ｂ～Ｄが第１実施形態と同様である。以下、特に工程Ａについて説明し、さらに工程Ｃについて補足する。 (2.2) Manufacturing method In the method for manufacturing the capacitor 1 according to the second embodiment, step A is different from the first embodiment, and steps B to D are the same as the first embodiment. Hereinafter, Process A will be particularly explained, and Process C will be supplemented.

＜工程Ａ＞
工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、キャビティ６０を包囲するようにガスバリアフィルム４を成形用金型６に密着させて配置する。第２実施形態では、図６Ｂに示すように、ガスバリアフィルム４を、第１型６１の第１凹部６０１及び第２型６２の第２凹部６０２の各々の少なくとも内面全体に密着させて配置している。このようにガスバリアフィルム４を配置しておくことで、第１型６１と第２型６２とを閉じたときに、ガスバリアフィルム４がキャビティ６０を包囲するようになる（図６Ｃ参照）。ガスバリアフィルム４は、例えば真空引きによりキャビティ６０の内面に密着させることができる。なお、後述の半硬化物３１の離型操作を容易にするために、ガスバリアフィルム４を配置する前に、第１凹部６０１及び第２凹部６０２の内面に離型剤を塗布しておいてもよい。 <Process A>
In step A, in the cavity 60 of the molding die 6, the gas barrier film 4 is placed in close contact with the molding die 6 so as to surround the cavity 60. In the second embodiment, as shown in FIG. 6B, the gas barrier film 4 is disposed in close contact with at least the entire inner surface of each of the first recess 601 of the first mold 61 and the second recess 602 of the second mold 62. There is. By arranging the gas barrier film 4 in this manner, the gas barrier film 4 surrounds the cavity 60 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (see FIG. 6C). The gas barrier film 4 can be brought into close contact with the inner surface of the cavity 60 by, for example, vacuuming. In addition, in order to facilitate the mold release operation of the semi-cured material 31 described later, a mold release agent may be applied to the inner surfaces of the first recess 601 and the second recess 602 before placing the gas barrier film 4. good.

さらに工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、ガスバリアフィルム４で包囲されるようにコンデンサ素子２を配置する。第２実施形態では、第１型６１と第２型６２とを閉じたときにコンデンサ素子２がガスバリアフィルム４に接触しないように、ガスバリアフィルム４から離してコンデンサ素子２を配置している（図６Ｃ参照）。このように配置するのは、ガスバリアフィルム４とコンデンサ素子２との間に熱硬化性樹脂組成物３０を注入して介在させるためである。そして、第１凹部６０１と第２凹部６０２とを対向させ、第１型６１と第２型６２とを閉じて、キャビティ６０内にコンデンサ素子２を配置する。コンデンサ素子２のバスバー９は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに、第１型６１と第２型６２との接合部で挟持される。そのため、コンデンサ素子２は、キャビティ６０内において浮いた状態で配置される。なお、第２実施形態では、ガスバリアフィルム４から離してコンデンサ素子２を配置しているが、ガスバリアフィルム４から離さずにコンデンサ素子２を配置してもよい。コンデンサ素子２の少なくとも一部がガスバリアフィルム４に接触してもよい。 Furthermore, in step A, the capacitor element 2 is placed in the cavity 60 of the molding die 6 so as to be surrounded by the gas barrier film 4 . In the second embodiment, the capacitor element 2 is placed away from the gas barrier film 4 so that the capacitor element 2 does not come into contact with the gas barrier film 4 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (Fig. (See 6C). The reason for this arrangement is to inject and interpose the thermosetting resin composition 30 between the gas barrier film 4 and the capacitor element 2. Then, the first recess 601 and the second recess 602 are made to face each other, the first mold 61 and the second mold 62 are closed, and the capacitor element 2 is placed in the cavity 60. The bus bar 9 of the capacitor element 2 is clamped at the joint between the first mold 61 and the second mold 62 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed. Therefore, the capacitor element 2 is placed in a floating state within the cavity 60. In the second embodiment, the capacitor element 2 is arranged apart from the gas barrier film 4, but the capacitor element 2 may be arranged without being separated from the gas barrier film 4. At least a portion of capacitor element 2 may be in contact with gas barrier film 4 .

＜工程Ｃ＞
半硬化物３１を取り出す際に、スプルー６００で硬化した部分が半硬化物３１に付着してくるが、この部分は、工程Ｃ又は工程Ｄの後に、適宜、除去される。この除去などの理由で、樹脂外装体３の外面の一部が外部に露出した場合には、この露出した部分に公知の接着剤などを用いてガスバリアフィルム４を適宜接着して被覆すればよい。 <Process C>
When the semi-cured material 31 is taken out, the portion hardened by the sprue 600 adheres to the semi-cured material 31, but this portion is removed as appropriate after step C or step D. If a part of the outer surface of the resin exterior body 3 is exposed to the outside due to this removal or other reasons, the exposed part may be covered with the gas barrier film 4 by appropriately adhering it using a known adhesive or the like. .

（第３実施形態）
以下、第３実施形態に係るコンデンサ１及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、第３実施形態では、第１実施形態と同様の構成要素には第１実施形態と同一の符号を付して詳細な説明を省略する場合がある。 (Third embodiment)
Hereinafter, a capacitor 1 and a manufacturing method thereof according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. Note that in the third embodiment, components similar to those in the first embodiment may be given the same reference numerals as those in the first embodiment, and detailed description thereof may be omitted.

（１）概要
図７に示すように、第３実施形態に係るコンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、金属層５と、を備える。樹脂外装体３は、コンデンサ素子２を封止している。ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面の一部を被覆している。金属層５は、樹脂外装体３の表面の残部を被覆している。 (1) Overview As shown in FIG. 7, a capacitor 1 according to the third embodiment includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, a gas barrier film 4, and a metal layer 5. The resin exterior body 3 seals the capacitor element 2. The gas barrier film 4 covers a part of the surface of the resin exterior body 3. The metal layer 5 covers the remainder of the surface of the resin exterior body 3.

またコンデンサ素子２は、樹脂外装体３で封止されている。そのため、コンデンサ１は、耐湿性が向上している。さらに樹脂外装体３の表面全体はガスバリアフィルム４及び金属層５で被覆されている。ここで、ガスバリアフィルム４及び金属層５は、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくい。そのため、ガスバリアフィルム４及び金属層５を使用しない場合に比べて、樹脂外装体３の厚みを薄くすることができる。このように薄くできる分だけ、更なる軽量化を実現することができる。 Further, the capacitor element 2 is sealed with a resin exterior body 3. Therefore, the capacitor 1 has improved moisture resistance. Furthermore, the entire surface of the resin exterior body 3 is covered with a gas barrier film 4 and a metal layer 5. Here, the gas barrier film 4 and the metal layer 5 are less likely to allow gas such as water vapor to pass through them, even if they are thinner than the resin exterior body 3. Therefore, the thickness of the resin exterior body 3 can be made thinner than when the gas barrier film 4 and the metal layer 5 are not used. As the thickness can be reduced in this way, further weight reduction can be achieved.

したがって、第３実施形態に係るコンデンサ１によれば、軽量化を実現し、耐湿性を向上させることができる。 Therefore, according to the capacitor 1 according to the third embodiment, it is possible to realize weight reduction and improve moisture resistance.

（２）詳細
（２．１）構成
第３実施形態に係るコンデンサ１は、いわゆるケースレス構造を採用しており、特許文献１に記載されているような外装ケースを備えていない。つまり、コンデンサ１は、ケースレスコンデンサである。図７に示すように、コンデンサ１は、コンデンサ素子２と、樹脂外装体３と、ガスバリアフィルム４と、金属層５と、を備える。コンデンサ素子２、樹脂外装体３、ガスバリアフィルム４、及び金属層５は一体化されている。 (2) Details (2.1) Configuration The capacitor 1 according to the third embodiment employs a so-called caseless structure and does not include an exterior case as described in Patent Document 1. In other words, capacitor 1 is a caseless capacitor. As shown in FIG. 7, the capacitor 1 includes a capacitor element 2, a resin exterior body 3, a gas barrier film 4, and a metal layer 5. Capacitor element 2, resin exterior body 3, gas barrier film 4, and metal layer 5 are integrated.

＜ガスバリアフィルム＞
ガスバリアフィルム４の構成自体は、第１実施形態と同様である。第３実施形態では、図７に示すように、ガスバリアフィルム４は、樹脂外装体３の表面の一部を被覆している。ただし、第１バスバー９１及び第２バスバー９２の各々は、樹脂外装体３を被覆するガスバリアフィルム４を貫通して外部に突出している。ガスバリアフィルム４が基材フィルム４１とガスバリア層４２とを有する場合には、ガスバリア層４２が樹脂外装体３に接着され、基材フィルム４１が外部に面している（図８Ｄ参照）。このように被覆することで、コンデンサ１の更なる軽量化を実現することができる。その主な理由は、ガスバリアフィルム４が、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくいからである。これに対して、樹脂外装体３は、ある程度の厚みを確保しなければ、水蒸気などのガスの透過を抑制することができない。 <Gas barrier film>
The structure of the gas barrier film 4 itself is the same as that of the first embodiment. In the third embodiment, as shown in FIG. 7, the gas barrier film 4 covers a part of the surface of the resin exterior body 3. However, each of the first bus bar 91 and the second bus bar 92 penetrates the gas barrier film 4 covering the resin exterior body 3 and protrudes to the outside. When the gas barrier film 4 has a base film 41 and a gas barrier layer 42, the gas barrier layer 42 is adhered to the resin exterior body 3, and the base film 41 faces the outside (see FIG. 8D). By covering in this way, further weight reduction of the capacitor 1 can be realized. The main reason for this is that even if the gas barrier film 4 is thinner than the resin exterior body 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. On the other hand, the resin exterior body 3 cannot suppress the permeation of gases such as water vapor unless a certain degree of thickness is ensured.

＜金属層＞
次に金属層５について説明する。金属層５は、水蒸気などのガスを透過させにくいという性質を有する。さらに金属層５は、樹脂外装体３及びガスバリアフィルム４に比べて高い熱伝導性を有する。金属層５は、金属板、めっき層、及び蒸着層などである。金属層５を形成する金属の具体例として、銅、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼、マグネシウム、銀、金、ニッケル、及び白金などが挙げられる。 <Metal layer>
Next, the metal layer 5 will be explained. The metal layer 5 has a property of being difficult to transmit gas such as water vapor. Furthermore, the metal layer 5 has higher thermal conductivity than the resin exterior body 3 and the gas barrier film 4. The metal layer 5 is a metal plate, a plating layer, a vapor deposition layer, or the like. Specific examples of metals forming the metal layer 5 include copper, aluminum, iron, stainless steel, magnesium, silver, gold, nickel, and platinum.

図７に示すように、金属層５は、樹脂外装体３の表面の残部を被覆している。このように被覆することで、コンデンサ１の更なる軽量化を実現することができる。その主な理由は、金属層５が、樹脂外装体３に比べて、厚さが薄くても、水蒸気などのガスを透過させにくいからである。これに対して、樹脂外装体３は、ある程度の厚みを確保しなければ、水蒸気などのガスの透過を抑制することができない。さらにコンデンサ素子２が高熱になって樹脂外装体３に熱がこもっても、樹脂外装体３に金属層５が被覆されていることで、放熱効果も得ることができる。なお、短絡防止の観点から、第１バスバー９１及び第２バスバー９２は、金属層５と接触していない。両者は、電気的に絶縁されている。 As shown in FIG. 7, the metal layer 5 covers the remainder of the surface of the resin exterior body 3. By covering in this way, further weight reduction of the capacitor 1 can be realized. The main reason for this is that even if the metal layer 5 is thinner than the resin sheath 3, it is difficult for gases such as water vapor to pass therethrough. On the other hand, the resin exterior body 3 cannot suppress the permeation of gases such as water vapor unless a certain degree of thickness is ensured. Furthermore, even if the capacitor element 2 becomes very hot and heat is trapped in the resin sheath 3, a heat dissipation effect can be obtained because the resin sheath 3 is covered with the metal layer 5. Note that, from the viewpoint of preventing short circuits, the first bus bar 91 and the second bus bar 92 are not in contact with the metal layer 5. Both are electrically insulated.

ここで、「樹脂外装体３の表面の残部」とは、樹脂外装体３の表面全体から、ガスバリアフィルム４が被覆している樹脂外装体３の表面の一部を除いた残りの部分を意味する。つまり、樹脂外装体３の表面全体は、一部及び残部からなる。このように、ガスバリアフィルム４及び金属層５は、樹脂外装体３を外気に触れさせないように隙間なく包んでいる。 Here, "the remainder of the surface of the resin exterior body 3" means the remaining part after removing the part of the surface of the resin exterior body 3 covered by the gas barrier film 4 from the entire surface of the resin exterior body 3. do. That is, the entire surface of the resin exterior body 3 consists of a part and a remainder. In this way, the gas barrier film 4 and the metal layer 5 wrap the resin exterior body 3 without any gaps so as not to expose it to the outside air.

以上から、ガスバリアフィルム４及び金属層５が全く使用されていないコンデンサ１と、ガスバリアフィルム４及び金属層５が使用されているコンデンサ１とを対比すると、両者の耐湿性が同じであっても、後者のコンデンサ１の方がより軽量化することが可能である。 From the above, when comparing the capacitor 1 in which the gas barrier film 4 and metal layer 5 are not used at all with the capacitor 1 in which the gas barrier film 4 and the metal layer 5 are used, even if the moisture resistance of both is the same, The latter capacitor 1 can be made more lightweight.

（２．２）製造方法
図８Ａに示すように、成形用金型６は、成形型として使用する射出成形用の金型である。成形用金型６は、第１型６１と第２型６２とから構成され、所望の温度に制御可能に形成されている。第１型６１には平坦面６１１が形成されている。第２型６２には凹部６０２が形成されている。平坦面６１１及び凹部６０２は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに、成形用金型６の内部にキャビティ６０を形成する（図８Ｃ参照）。成形用金型６には、キャビティ６０に連通する樹脂注入路となるスプルー６００が設けられている。スプルー６００には、液状の熱硬化性樹脂組成物３０を注入するための射出ノズル６３が接続されている。射出ノズル６３からスプルー６００を通ってキャビティ６０内に液状の熱硬化性樹脂組成物３０を注入して射出成形を行う。 (2.2) Manufacturing method As shown in FIG. 8A, the molding die 6 is an injection molding die used as a molding die. The molding die 6 includes a first die 61 and a second die 62, and is formed to be able to control the temperature to a desired temperature. The first mold 61 has a flat surface 611 formed therein. A recess 602 is formed in the second mold 62 . The flat surface 611 and the recess 602 form a cavity 60 inside the molding die 6 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed (see FIG. 8C). The molding die 6 is provided with a sprue 600 that communicates with the cavity 60 and serves as a resin injection path. An injection nozzle 63 for injecting the liquid thermosetting resin composition 30 is connected to the sprue 600 . Injection molding is performed by injecting the liquid thermosetting resin composition 30 into the cavity 60 from the injection nozzle 63 through the sprue 600.

第３実施形態に係るコンデンサ１の製造方法においては、工程Ａが第１実施形態と相違し、工程Ｂ～Ｄが第１実施形態と同様である。以下、特に工程Ａについて説明し、さらに工程Ｃについて補足する。 In the method for manufacturing a capacitor 1 according to the third embodiment, step A is different from the first embodiment, and steps B to D are the same as the first embodiment. Hereinafter, Process A will be particularly explained, and Process C will be supplemented.

＜工程Ａ＞
工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、ガスバリアフィルム４及び金属層５を成形用金型６に密着させて配置する。第３実施形態では、図８Ｂに示すように、ガスバリアフィルム４を第２型６２の第２凹部６０２の少なくとも内面全体に密着させて配置している。さらに金属層５を第１型６１の平坦面６１１に密着させて配置している。このようにガスバリアフィルム４及び金属層５を配置しておくことで、第１型６１と第２型６２とを閉じたときに、ガスバリアフィルム４及び金属層５がキャビティ６０を包囲するようになる（図８Ｃ参照）。ガスバリアフィルム４及び金属層５は、例えば真空引きによりキャビティ６０の内面に密着させることができる。なお、後述の半硬化物３１の離型操作を容易にするために、ガスバリアフィルム４及び金属層５を配置する前に、平坦面６１１及び凹部６０２の内面に離型剤を塗布しておいてもよい。 <Process A>
In step A, the gas barrier film 4 and the metal layer 5 are placed in close contact with the molding die 6 in the cavity 60 of the molding die 6 . In the third embodiment, as shown in FIG. 8B, the gas barrier film 4 is disposed in close contact with at least the entire inner surface of the second recess 602 of the second mold 62. Further, the metal layer 5 is disposed in close contact with the flat surface 611 of the first mold 61. By arranging the gas barrier film 4 and the metal layer 5 in this way, the gas barrier film 4 and the metal layer 5 surround the cavity 60 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed. (See Figure 8C). The gas barrier film 4 and the metal layer 5 can be brought into close contact with the inner surface of the cavity 60 by, for example, vacuuming. In addition, in order to facilitate the mold release operation of the semi-cured product 31 described later, a mold release agent is applied to the flat surface 611 and the inner surface of the recess 602 before placing the gas barrier film 4 and the metal layer 5. Good too.

さらに工程Ａでは、成形用金型６のキャビティ６０において、ガスバリアフィルム４及び金属層５で包囲されるようにコンデンサ素子２を配置する。第３実施形態では、第１型６１と第２型６２とを閉じたときにコンデンサ素子２がガスバリアフィルム４及び金属層５に接触しないように、ガスバリアフィルム４及び金属層５から離してコンデンサ素子２を配置している（図８Ｃ）。このように配置するのは、ガスバリアフィルム４及び金属層５と、コンデンサ素子２との間に熱硬化性樹脂組成物３０を注入して介在させるためである。そして、平坦面６１１と凹部６０２とを対向させ、第１型６１と第２型６２とを閉じて、キャビティ６０内にコンデンサ素子２を配置する。コンデンサ素子２のバスバー９は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに、第１型６１と第２型６２との接合部で挟持される。そのため、コンデンサ素子２は、キャビティ６０内において浮いた状態で配置される。なお、第３実施形態では、ガスバリアフィルム４及び金属層５から離してコンデンサ素子２を配置しているが、コンデンサ素子２の少なくとも一部がガスバリアフィルム４に接触してもよい。ただし、金属層５とコンデンサ素子２とは電気的に絶縁されている。 Furthermore, in step A, the capacitor element 2 is placed in the cavity 60 of the molding die 6 so as to be surrounded by the gas barrier film 4 and the metal layer 5. In the third embodiment, the capacitor element 2 is separated from the gas barrier film 4 and the metal layer 5 so that the capacitor element 2 does not come into contact with the gas barrier film 4 and the metal layer 5 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed. 2 is placed (Fig. 8C). The reason for this arrangement is to inject and interpose the thermosetting resin composition 30 between the gas barrier film 4 and the metal layer 5 and the capacitor element 2. Then, the flat surface 611 and the recess 602 are made to face each other, the first mold 61 and the second mold 62 are closed, and the capacitor element 2 is placed in the cavity 60. The bus bar 9 of the capacitor element 2 is clamped at the joint between the first mold 61 and the second mold 62 when the first mold 61 and the second mold 62 are closed. Therefore, the capacitor element 2 is placed in a floating state within the cavity 60. In the third embodiment, the capacitor element 2 is arranged apart from the gas barrier film 4 and the metal layer 5, but at least a portion of the capacitor element 2 may be in contact with the gas barrier film 4. However, the metal layer 5 and the capacitor element 2 are electrically insulated.

（変形例）
第１～３実施形態では、樹脂外装体３は、１つのコンデンサ素子２のみを封止しているが、２つ以上のコンデンサ素子２を封止していてもよい。 (Modified example)
In the first to third embodiments, the resin sheath 3 seals only one capacitor element 2, but may seal two or more capacitor elements 2.

第１～３実施形態では、２つのバスバー９は、樹脂外装体３から前方（Ｘ軸の正の向き）及び後方（Ｘ軸の負の向き）に突出しているが（図１、図５、及び図７参照）、２つのバスバー９の突出方向は特に限定されない。 In the first to third embodiments, the two bus bars 9 protrude forward (in the positive direction of the X-axis) and backward (in the negative direction of the X-axis) from the resin exterior body 3 (FIGS. 1, 5, and FIG. 7), the direction in which the two bus bars 9 protrude is not particularly limited.

成形用金型６は、多数個取り金型でもよい。すなわち、第１～３実施形態では、成形用金型６は、１つのキャビティ６０のみを有しているが、２つ以上のキャビティ６０を有していてもよい。この場合、一度に複数のコンデンサ１を製造することができる。 The molding die 6 may be a multi-cavity die. That is, in the first to third embodiments, the molding die 6 has only one cavity 60, but may have two or more cavities 60. In this case, multiple capacitors 1 can be manufactured at once.

第１～３実施形態では、スプルー６００は、第１型６１及び第２型６２を閉じたときに形成されるが、第１型６１又は第２型６２のいずれかに設けられていればよい。 In the first to third embodiments, the sprue 600 is formed when the first mold 61 and the second mold 62 are closed, but the sprue 600 may be provided in either the first mold 61 or the second mold 62. .

第３実施形態では、金属層５として金属板を成形用金型６にセットしてコンデンサ１を製造するようにしているが、金属層５の形成は、半硬化物３１の完全硬化後でもよい。すなわち、半硬化物３１を完全硬化させた後に、ガスバリアフィルム４で被覆されずに樹脂外装体３が露出している部分に、金属層５として金属板を接着したり、めっき層又は蒸着層を形成したりするようにしてもよい。 In the third embodiment, the capacitor 1 is manufactured by setting a metal plate as the metal layer 5 in the molding die 6, but the metal layer 5 may be formed after the semi-cured material 31 is completely cured. . That is, after the semi-cured material 31 is completely cured, a metal plate is bonded as the metal layer 5 or a plating layer or a vapor deposition layer is applied to the exposed portion of the resin exterior body 3 that is not covered with the gas barrier film 4. It is also possible to form it.

（態様）
上記実施形態及び変形例から明らかなように、本開示は、下記の態様を含む。以下では、実施形態との対応関係を明示するためだけに、符号を括弧付きで付している。 (mode)
As is clear from the above embodiments and modifications, the present disclosure includes the following aspects. In the following, reference numerals are given in parentheses only to clearly indicate the correspondence with the embodiments.

第１の態様に係るコンデンサ（１）は、コンデンサ素子（２）と、前記コンデンサ素子（２）を封止する樹脂外装体（３）と、前記樹脂外装体（３）の表面の少なくとも一部を被覆するガスバリアフィルム（４）と、を備える。 A capacitor (1) according to a first aspect includes a capacitor element (2), a resin exterior body (3) that seals the capacitor element (2), and at least a portion of a surface of the resin exterior body (3). A gas barrier film (4) covering the.

この態様によれば、軽量化を実現し、耐湿性を向上させることができる。 According to this aspect, weight reduction can be realized and moisture resistance can be improved.

第２の態様に係るコンデンサ（１）では、第１の態様において、前記ガスバリアフィルム（４）が前記樹脂外装体（３）の表面全体を被覆する。 In the capacitor (1) according to the second aspect, in the first aspect, the gas barrier film (4) covers the entire surface of the resin exterior body (3).

第３の態様に係るコンデンサ（１）は、第１の態様において、金属層（５）を更に備える。前記ガスバリアフィルム（４）が前記樹脂外装体（３）の表面の一部を被覆する。前記金属層（５）が前記樹脂外装体（３）の表面の残部を被覆する。 The capacitor (1) according to the third aspect further includes a metal layer (5) in the first aspect. The gas barrier film (4) covers a part of the surface of the resin exterior body (3). The metal layer (5) covers the remainder of the surface of the resin sheath (3).

第４の態様に係るコンデンサ（１）は、第１～３のいずれかの態様において、前記ガスバリアフィルム（４）が、基材フィルム（４１）と、前記基材フィルム（４１）上に形成されたガスバリア層（４２）と、を有する。前記ガスバリア層（４２）が、酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムを含む。 In the capacitor (1) according to a fourth aspect, in any one of the first to third aspects, the gas barrier film (4) is formed on a base film (41) and the base film (41). and a gas barrier layer (42). The gas barrier layer (42) contains silicon oxide and/or aluminum oxide.

この態様によれば、コンデンサ（１）の耐湿性を更に向上させることができる。 According to this aspect, the moisture resistance of the capacitor (1) can be further improved.

第５の態様に係るコンデンサ（１）の製造方法は、以下の工程Ａ～Ｄを含む。 The method for manufacturing a capacitor (1) according to the fifth aspect includes the following steps A to D.

工程Ａ：成形用金型（６）のキャビティ（６０）において、ガスバリアフィルム（４）を前記成形用金型（６）に密着させて配置し、コンデンサ素子（２）を配置する工程、
工程Ｂ：前記成形用金型（６）のキャビティ（６０）に液状の熱硬化性樹脂組成物（３０）を注入し、前記熱硬化性樹脂組成物（３０）を加熱して半硬化させて半硬化物（３１）を形成する工程、
工程Ｃ：前記成形用金型（６）のキャビティ（６０）から前記半硬化物（３１）を取り出す工程、及び
工程Ｄ：前記半硬化物（３１）を更に加熱して完全硬化させる工程。 Step A: a step of arranging the gas barrier film (4) in close contact with the molding die (6) in the cavity (60) of the molding die (6), and arranging the capacitor element (2);
Step B: Injecting a liquid thermosetting resin composition (30) into the cavity (60) of the molding die (6), heating and semi-curing the thermosetting resin composition (30). a step of forming a semi-cured material (31);
Step C: A step of taking out the semi-cured material (31) from the cavity (60) of the molding die (6), and Step D: A step of further heating the semi-cured material (31) to completely cure it.

この態様によれば、軽量で、耐湿性に優れたコンデンサ（１）を製造することができる。 According to this aspect, it is possible to manufacture a capacitor (1) that is lightweight and has excellent moisture resistance.

第６の態様に係るコンデンサ（１）の製造方法では、第５の態様において、前記工程Ａが、成形用金型（６）のキャビティ（６０）において、前記キャビティ（６０）を包囲するようにガスバリアフィルム（４）を前記成形用金型（６）に密着させて配置し、前記ガスバリアフィルム（４）で包囲されるようにコンデンサ素子（２）を配置する工程である。 In the method for manufacturing a capacitor (1) according to a sixth aspect, in the fifth aspect, the step A is performed in a cavity (60) of a molding die (6) so as to surround the cavity (60). This is a step of arranging the gas barrier film (4) in close contact with the molding die (6) and arranging the capacitor element (2) so as to be surrounded by the gas barrier film (4).

第７の態様に係るコンデンサ（１）の製造方法では、第５の態様において、前記工程Ａが、成形用金型（６）のキャビティ（６０）において、前記キャビティ（６０）を包囲するように金属層（５）及びガスバリアフィルム（４）を前記成形用金型（６）に密着させて配置し、前記金属層（５）及び前記ガスバリアフィルム（４）で包囲されるようにコンデンサ素子（２）を配置する工程である。 In the method for manufacturing a capacitor (1) according to a seventh aspect, in the fifth aspect, the step A is performed in a cavity (60) of a molding die (6) so as to surround the cavity (60). A metal layer (5) and a gas barrier film (4) are placed in close contact with the molding die (6), and a capacitor element (2) is surrounded by the metal layer (5) and the gas barrier film (4). ).

第８の態様に係るコンデンサ（１）の製造方法では、第５～７のいずれかの態様において、前記ガスバリアフィルム（４）が、基材フィルム（４１）と、前記基材フィルム（４１）上に形成されたガスバリア層（４２）と、を有する。前記ガスバリア層（４２）が、酸化ケイ素及び／又は酸化アルミニウムを含む。 In the method for manufacturing a capacitor (1) according to an eighth aspect, in any one of the fifth to seventh aspects, the gas barrier film (4) includes a base film (41) and a base film (41). It has a gas barrier layer (42) formed in. The gas barrier layer (42) contains silicon oxide and/or aluminum oxide.

この態様によれば、ガスバリア層（４２）で水分を吸着することで、耐湿性を更に向上させることができる。 According to this aspect, moisture resistance can be further improved by adsorbing moisture with the gas barrier layer (42).

第９の態様に係るコンデンサ（１）の製造方法では、第５～８のいずれかの態様において、前記工程Ｂ及び前記工程Ｄにおける加熱温度を、前記ガスバリアフィルム（４）の前記基材フィルム（４１）のガラス転移温度よりも低くする。 In the method for manufacturing a capacitor (1) according to a ninth aspect, in any one of the fifth to eighth aspects, the heating temperature in the step B and the step D is adjusted to the base film ( 41) below the glass transition temperature.

この態様によれば、工程Ｂ及び工程Ｄにおける加熱時にガスバリアフィルム（４）が損傷することを抑制することができる。 According to this aspect, damage to the gas barrier film (4) during heating in Steps B and D can be suppressed.

１コンデンサ
２コンデンサ素子
３樹脂外装体
３０熱硬化性樹脂組成物
４ガスバリアフィルム
４１基材フィルム
４２ガスバリア層
５金属層
６成形用金型
６０キャビティ 1 Capacitor 2 Capacitor element 3 Resin exterior body 30 Thermosetting resin composition 4 Gas barrier film 41 Base film 42 Gas barrier layer 5 Metal layer 6 Molding mold 60 Cavity

Claims

comprising a capacitor element, a resin exterior body that seals the capacitor element, a gas barrier film that covers a part of the surface of the resin exterior body, and a metal layer that covers the remainder of the surface of the resin exterior body.
capacitor.

The gas barrier film has a base film and a gas barrier layer formed on the base film,
The gas barrier layer contains silicon oxide and/or aluminum oxide.
A capacitor according to claim 1.

A method for manufacturing a capacitor, including the following steps A to D.
Step A: In the cavity of the mold, a gas barrier film is placed in close contact with a part of the inner surface of the mold so as to surround the cavity, and a metal is placed on the remainder of the inner surface of the mold. arranging the layers in close contact with each other and arranging the capacitor element so as to be surrounded by the gas barrier film and the metal layer;
Step B: a step of injecting a liquid thermosetting resin composition into the cavity of the molding die and heating the thermosetting resin composition to semi-cure it to form a semi-cured product;
Step C: A step of taking out the semi-cured material from the cavity of the mold, and Step D: A step of further heating the semi-cured material to completely cure it.

The gas barrier film has a base film and a gas barrier layer formed on the base film,
The gas barrier layer contains silicon oxide and/or aluminum oxide.
A method for manufacturing a capacitor according to claim 3.

The heating temperature in the step B and the step D is lower than the glass transition temperature of the base film of the gas barrier film.
A method for manufacturing a capacitor according to claim 4 .