JP7417835B2 - Continuity testing equipment, prober - Google Patents

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JP7417835B2 JP2022152576A JP2022152576A JP7417835B2 JP 7417835 B2 JP7417835 B2 JP 7417835B2 JP 2022152576 A JP2022152576 A JP 2022152576A JP 2022152576 A JP2022152576 A JP 2022152576A JP 7417835 B2 JP7417835 B2 JP 7417835B2
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本発明は、ウェハに複数形成された半導体チップの電気的特性を検査するウェハテストシステムに用いられる導通検査装置、プローバ、及び除電装置に関する。 The present invention relates to a continuity test device, a prober, and a static eliminator used in a wafer test system that tests the electrical characteristics of a plurality of semiconductor chips formed on a wafer.

ウェハ(半導体ウェハともいう)の表面には、同一の電気素子回路を有する複数の半導体チップが形成されている。ウェハは、ダイサーで各半導体チップに個々に切断される前に、ウェハテストシステムにより個々の半導体チップの電気的特性が検査される(特許文献1及び特許文献2参照)。このウェハテストシステムは、プローバとテスタとを備える。 A plurality of semiconductor chips having the same electric element circuit are formed on the surface of a wafer (also referred to as a semiconductor wafer). Before the wafer is individually cut into semiconductor chips by a dicer, the electrical characteristics of each semiconductor chip are tested by a wafer test system (see Patent Document 1 and Patent Document 2). This wafer test system includes a prober and a tester.

プローバは、ウェハをウェハチャック上に固定した状態で、ウェハチャックとプローブ(プローブ針ともいう)を有するプローブカードとを相対移動させることにより、各半導体チップの電極(電極パッドともいう)にプローブを電気的に接触させる。テスタは、プローブに接続された端子を介して、各半導体チップの電極に各種の試験信号を供給すると共に、この試験信号の供給に応じて電極から出力される信号を受信及び解析することで、各半導体チップの電気的特性(正常に動作するか否か等)を検査する。 A prober applies probes to the electrodes (also called electrode pads) of each semiconductor chip by moving the wafer chuck and a probe card having probes (also called probe needles) relative to each other while the wafer is fixed on the wafer chuck. Make electrical contact. The tester supplies various test signals to the electrodes of each semiconductor chip through the terminals connected to the probe, and receives and analyzes the signals output from the electrodes in response to the supply of the test signals. Inspect the electrical characteristics of each semiconductor chip (whether it operates normally, etc.).

パワートランジスタ、電界効果型トランジスタ、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、LED(light emitting diode)、半導体レーザなどの半導体チップには、その表面に電極(表面電極)が形成されると共に、その裏面にも電極(裏面電極)が形成される。例えば、IGBTの表面にはゲート電極及びエミッタ電極が形成され、その裏面にコレクタ電極が形成される。 Semiconductor chips such as power transistors, field effect transistors, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), LEDs (light emitting diodes), and semiconductor lasers have electrodes formed on their front surfaces, as well as electrodes on their back surfaces. An electrode (back electrode) is formed. For example, a gate electrode and an emitter electrode are formed on the front surface of an IGBT, and a collector electrode is formed on the back surface thereof.

このような半導体チップの検査に対応したウェハテストシステムのウェハチャックには、ウェハの裏面に接触した状態でウェハを支持する支持面であって、テスタの測定電極として作用する導電性の支持面(ウェハ載置面)が設けられる(特許文献3参照)。この支持面は、ウェハチャックから引き出されるチャックリード線(配線)を介してテスタに電気的に接続される。そして、半導体チップの検査を行う場合には、ウェハチャックにウェハを保持し、このウェハの表面に形成された半導体チップの表面電極にプローブを接触させた状態で各種測定が行われる。この際に、測定条件に応じて、既述の半導体チップの裏面電極は、テスタから電圧及び電流等が印加されたり、或いは接地されたりする。 The wafer chuck of a wafer test system that is compatible with the inspection of such semiconductor chips includes a support surface that supports the wafer in contact with the back surface of the wafer, and a conductive support surface that acts as a measurement electrode for the tester. A wafer mounting surface) is provided (see Patent Document 3). This support surface is electrically connected to the tester via chuck lead wires (wiring) drawn out from the wafer chuck. When inspecting a semiconductor chip, the wafer is held in a wafer chuck, and various measurements are performed with a probe in contact with a surface electrode of the semiconductor chip formed on the surface of the wafer. At this time, depending on the measurement conditions, voltage, current, etc. are applied from the tester to the back electrode of the semiconductor chip described above, or the back electrode is grounded.

特許4068127号公報Patent No. 4068127 特開2003-218175号公報Japanese Patent Application Publication No. 2003-218175 特許2970893号公報Patent No. 2970893

ところで、ウェハチャックは動き回ると共に温度も高温になるため、上述のチャックリード線は、機械的にも熱的にも過酷な条件にさらされて切れ易い傾向がある。このチャックリード線が切れると、ウェハチャックの支持面、すなわち、ウェハの半導体チップの裏面電極に電圧及び電流の印加ができなくなったり、或いは、裏面電極からの信号の検出ができなくなったりするので、半導体チップの正確な検査を行うことができなくなる。 By the way, as the wafer chuck moves around, the temperature becomes high, so the chuck lead wires described above tend to be exposed to severe mechanical and thermal conditions and tend to break. If this chuck lead wire breaks, it becomes impossible to apply voltage and current to the support surface of the wafer chuck, that is, the back electrode of the semiconductor chip of the wafer, or it becomes impossible to detect signals from the back electrode. Accurate inspection of semiconductor chips becomes impossible.

このため、従来は定期点検時などに担当者がハンディテスタなどを用いてチャックリード線の導通を定期的に確認していたが、定期点検までの間はチャックリード線が断線したことが分からず、チャックリード線が断線した状態でウェハの検査が行われるおそれがある。 For this reason, in the past, personnel in charge regularly checked the continuity of the chuck lead wire using a handy tester during periodic inspections, etc., but until the periodic inspection, it was not known that the chuck lead wire was broken. , there is a risk that the wafer will be inspected with the chuck lead wire broken.

そこで、例えば特許文献3に記載されているように、チャックリード線に検査電圧を印加する検査電源と、チャックリード線に流れる電流から出力波形を取り出す変換トランスと、変換トランスからの出力波形と基準波形とを比較してチャックリード線の導通(断線)の有無を判断する判断部と、をウェハテストシステムに設ける方法が考えられる。 Therefore, as described in Patent Document 3, for example, a test power source that applies a test voltage to the chuck lead wire, a conversion transformer that extracts an output waveform from the current flowing through the chuck lead wire, and an output waveform and a reference from the conversion transformer. A possible method is to provide the wafer test system with a determination unit that compares the waveform with the waveform and determines whether there is continuity (disconnection) in the chuck lead wire.

しかしながら、この特許文献3に記載の方法によれば、チャックリード線の導通の有無を自動で検査することができるものの、装置構成が大掛かりになってしまう。このため、チャックリード線の導通の有無を自動且つ簡単に検査したいとの強い要望がある。 However, according to the method described in Patent Document 3, although the presence or absence of continuity of the chuck lead wire can be automatically inspected, the device configuration becomes large-scale. For this reason, there is a strong desire to automatically and easily inspect the presence or absence of continuity of the chuck lead wire.

なお、ウェハチャックには、電荷(静電気)が帯電し、ひいてはウェハチャック上のウェハにも電荷が帯電するため、ウェハの検査に伴って半導体チップの表面電極とプローブとが接触する際に、半導体チップとプローブとの間に放電によるアークが発生して半導体チップを損傷するおそれがある。このため、例えば特許文献2に記載のように、ウェハチャックに電気的に接続された接続線に抵抗(高抵抗)を接続し、さらにこの抵抗に対して接地されたリレーを接続することで、ウェハチャックの除電を行う方法が考えられる。 Note that the wafer chuck is charged with an electric charge (static electricity), and the wafer on the wafer chuck is also charged with electric charge. There is a risk that an arc will occur due to discharge between the chip and the probe, damaging the semiconductor chip. For this reason, for example, as described in Patent Document 2, by connecting a resistor (high resistance) to a connection line electrically connected to the wafer chuck, and further connecting a grounded relay to this resistor, One possible method is to remove static electricity from the wafer chuck.

しかしながら、各半導体チップの正確な検査を行うためには、ウェハチャックが高絶縁状態(外部からのリーク電流等の影響を受けない状態)であることが必要であるが、上記特許文献2に記載の方法ではウェハチャックとリレーとの間に抵抗が配置される。このため、ウェハチャックの除電後にリレーをオンからオフに切り替えた後でも、ウェハチャックと抵抗との接続状態が維持される。その結果、抵抗から発生したリーク電流が各半導体チップの検査に影響を及ぼしたり、或いは半導体チップに悪影響を与えたりするおそれがある。 However, in order to accurately inspect each semiconductor chip, it is necessary for the wafer chuck to be in a highly insulating state (a state that is not affected by external leakage current, etc.), which is described in Patent Document 2 above. In this method, a resistor is placed between the wafer chuck and the relay. Therefore, even after the relay is switched from on to off after static electricity is removed from the wafer chuck, the state of connection between the wafer chuck and the resistor is maintained. As a result, the leakage current generated from the resistor may affect the inspection of each semiconductor chip or may adversely affect the semiconductor chips.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、チャックリード線の導通の有無を自動且つ簡単に検査することができる導通検査装置及びプローバを提供することを第1の目的とする。また、リーク電流の発生を最小限に抑えられる除電装置を提供することを第2の目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object thereof is to provide a continuity testing device and a prober that can automatically and easily test whether or not there is continuity in a chuck lead wire. A second object of the present invention is to provide a static eliminator that can minimize the occurrence of leakage current.

本発明の第1の目的を達成するための導通検査装置は、半導体チップが複数形成されたウェハを保持するウェハチャックと、ウェハの表面に形成された半導体チップの表面電極に接触するプローブと、を備えるプローバのウェハチャックに設けられたウェハの支持面であって、且つウェハの裏面に形成された半導体チップの裏面電極に接触する導電性の支持面に対して電気的に接続される配線の導通検査装置において、支持面に接続される配線の一端部とは反対側の他端部に接続された第1リレー及び第1抵抗の一方である第1部品と、第1部品に接続され且つ接地された第1リレー及び第1抵抗の他方である第2部品と、支持面に接続された追加配線と、追加配線に接続された電流ループ形成部であって、少なくとも電源を備え、且つ配線、追加配線、第1部品、第2部品、及び電源を少なくとも含む電流ループを形成する電流ループ形成部と、電源からの電流が電流ループを流れるか否かの判定を行う判定部と、を備える。 A continuity testing device for achieving the first object of the present invention includes: a wafer chuck that holds a wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed; a probe that contacts a surface electrode of the semiconductor chip formed on the surface of the wafer; A wafer support surface provided on a wafer chuck of a prober equipped with a conductive support surface that is in contact with a back electrode of a semiconductor chip formed on the back surface of the wafer. In the continuity testing device, a first component, which is one of a first relay and a first resistor, is connected to the other end opposite to one end of the wiring connected to the support surface; a second component that is the other of the first relay and the first resistor that are grounded; additional wiring connected to the support surface; and a current loop forming part connected to the additional wiring, the second component being provided with at least a power source and the wiring. , a current loop forming section that forms a current loop that includes at least an additional wiring, a first component, a second component, and a power source, and a determining section that determines whether or not a current from the power source flows through the current loop. .

この導通検査装置によれば、電流ループに電流が流れるか否かを判定することで、配線の導通の有無を判定することができる。 According to this continuity testing device, it is possible to determine whether or not there is continuity in the wiring by determining whether or not current flows through the current loop.

本発明の他の態様に係る導通検査装置において、電流ループ形成部が、支持面に接続される追加配線の一端部とは反対側の他端部に接続された第2リレー及び第2抵抗の一方である第3部品と、第3部品に接続された第2リレー及び第2抵抗の他方である第4部品と、第4部品に接続され且つ接地された電源と、を備え、第2抵抗の電圧を検出する電圧検出部を備え、判定部が、電圧検出部の検出結果に基づき、判定を行う。これにより、電圧検出部よる第2抵抗の電圧検出結果に基づき、電流ループに電流が流れるか否かを判定することができる。 In the continuity testing device according to another aspect of the present invention, the current loop forming section includes a second relay and a second resistor connected to the other end of the additional wiring connected to the support surface on the opposite side from one end of the additional wiring. a third component on one side; a fourth component on the other side of the second relay and second resistor connected to the third component; and a power source connected to the fourth component and grounded; The determination unit makes a determination based on the detection result of the voltage detection unit. Thereby, it is possible to determine whether or not current flows through the current loop based on the voltage detection result of the second resistor by the voltage detection section.

本発明の他の態様に係る導通検査装置において、第1リレー及び第2リレーの双方のクローズ状態とオープン状態との切り替えを個別に行うリレー制御部を備え、判定部が、リレー制御部により第1リレー及び第2リレーの双方がクローズ状態に切り替えられた状態での電圧検出部の検出結果に基づき、判定を行う。これにより、電圧検出部よる第2抵抗の電圧検出結果に基づき、電流ループに電流が流れるか否かを判定することができる。 A continuity testing device according to another aspect of the present invention includes a relay control unit that individually switches both the first relay and the second relay between a closed state and an open state, and the determination unit controls the relay control unit to The determination is made based on the detection result of the voltage detection unit in a state where both the first relay and the second relay are switched to the closed state. Thereby, it is possible to determine whether or not current flows through the current loop based on the voltage detection result of the second resistor by the voltage detection section.

本発明の他の態様に係る導通検査装置において、第1部品が第1リレーであり且つ第2部品が第1抵抗である。これにより、第1リレーをオフすることにより、支持面から第1抵抗を最短で分離することができるので、リーク電流を最小に抑えることができる。 In a continuity testing device according to another aspect of the present invention, the first component is a first relay, and the second component is a first resistor. Thereby, by turning off the first relay, the first resistor can be separated from the support surface in the shortest possible time, so that leakage current can be suppressed to a minimum.

本発明の他の態様に係る導通検査装置において、配線の他端部に設けられたコネクタであって、半導体チップの電気的特性を検査するテスタと、第1部品との双方に接続されたコネクタを備える。 In the continuity testing device according to another aspect of the present invention, the connector is provided at the other end of the wiring and is connected to both the tester for testing the electrical characteristics of the semiconductor chip and the first component. Equipped with.

本発明の第1の目的を達成するためのプローバは、半導体チップが複数形成されたウェハを保持するウェハチャックであって、且つウェハの裏面に形成された半導体チップの裏面電極に接触する導電性の支持面を有するウェハチャックと、ウェハの表面に形成された半導体チップの表面電極に接触するプローブと、上述の導通検査装置と、を備える。 A prober for achieving the first object of the present invention is a wafer chuck that holds a wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed, and a conductive chuck that is in contact with the back electrode of the semiconductor chip formed on the back surface of the wafer. The present invention includes a wafer chuck having a support surface, a probe that contacts a surface electrode of a semiconductor chip formed on a surface of a wafer, and the above-described continuity testing device.

本発明の第2の目的を達成するための除電装置は、半導体チップが複数形成されたウェハを保持するウェハチャックと、ウェハの表面に形成された半導体チップの表面電極に接触するプローブとを備えるプローバのウェハチャックに設けられたウェハの支持面であって、且つウェハの裏面に形成された半導体チップの裏面電極に接触する導電性の支持面に電気的に接続された配線と、配線に接続された第1リレーと、第1リレーに接続され且つ接地された第1抵抗と、を備える。 A static eliminator for achieving the second object of the present invention includes a wafer chuck that holds a wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed, and a probe that contacts a surface electrode of the semiconductor chip formed on the surface of the wafer. Wiring that is electrically connected to the conductive supporting surface that is provided on the wafer chuck of the prober and that contacts the backside electrode of the semiconductor chip formed on the backside of the wafer, and the wiring that is connected to the wiring. and a first resistor connected to the first relay and grounded.

この除電装置によれば、第1リレーをオフすることにより、支持面から第1抵抗を最短で分離することができるので、リーク電流を最小に抑えることができる。 According to this static eliminator, the first resistor can be separated from the support surface in the shortest possible time by turning off the first relay, so that leakage current can be suppressed to a minimum.

本発明の導通検査装置及びプローバは、チャックリード線の導通の有無を自動且つ簡単に検査することができる。また、本発明の除電装置は、リーク電流の発生を最小限に抑えられる。 The continuity testing device and prober of the present invention can automatically and easily test whether or not the chuck lead wire has continuity. Furthermore, the static eliminator of the present invention can minimize the occurrence of leakage current.

ウェハテストシステムの概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer test system. チャックリード線及び追加回路を説明するための説明図である。It is an explanatory view for explaining a chuck lead wire and an additional circuit. 比較例の除電回路の概略図である。It is a schematic diagram of the static elimination circuit of a comparative example. 電流ループ及び電源を説明するための説明図である。It is an explanatory diagram for explaining a current loop and a power supply. プローバの統括制御部の機能ブロック図である。FIG. 3 is a functional block diagram of an overall control section of the prober. 追加回路によるウェハチャックの除電、チャックリード線の導通検査、及び各リレーの自己診断の処理の流れを示すフローチャートである。7 is a flowchart showing the process flow of static elimination of the wafer chuck, continuity test of the chuck lead wire, and self-diagnosis of each relay using an additional circuit.

[ウェハテストシステムの構成]
図1は、ウェハテストシステム9の概略図である。以下、図中の上下方向であるZ軸方向の上方及び上面を適宜「上方」及び「上面」といい、Z軸方向の下方及び下面を適宜「下方」及び「下面」という。
[Wafer test system configuration]
FIG. 1 is a schematic diagram of a wafer test system 9. As shown in FIG. Hereinafter, the upper and upper surfaces in the Z-axis direction, which is the vertical direction in the figure, will be referred to as "upper" and "upper surface", and the lower and lower surfaces in the Z-axis direction will be referred to as "lower" and "lower surface", as appropriate.

ウェハテストシステム9は、ウェハWに複数形成された半導体チップ(不図示)であって両面に電極(不図示)が形成されている複数の半導体チップの各々の電気的特性を検査する。このウェハテストシステム9は、プローバ10とテスタ30とを備える。 The wafer test system 9 tests the electrical characteristics of each of a plurality of semiconductor chips (not shown) formed on a wafer W, each of which has electrodes (not shown) formed on both surfaces. This wafer test system 9 includes a prober 10 and a tester 30.

プローバ10は、ウェハW上の個々の半導体チップ(不図示)の表面に形成された表面電極(不図示)にプローブ25を接触させると共に、個々の半導体チップの裏面に形成された裏面電極(不図示)に後述のウェハチャック16の導電性の支持面16aを接触させる。テスタ30は、プローブ25と支持面16aとに電気的に接続され、個々の半導体チップの電気的特性を検査する。 The prober 10 brings the probe 25 into contact with a front surface electrode (not shown) formed on the surface of each semiconductor chip (not shown) on the wafer W, and also contacts a back surface electrode (not shown) formed on the back surface of each semiconductor chip. (illustrated) is brought into contact with a conductive support surface 16a of a wafer chuck 16, which will be described later. The tester 30 is electrically connected to the probe 25 and the support surface 16a, and tests the electrical characteristics of each semiconductor chip.

プローバ10は、基台11と、ベース12と、Yステージ13と、Xステージ14と、Zθステージ15と、ウェハチャック16と、プローブ位置検出カメラ18と、プローブ高さ検出器20と、高さ調整機構21,27と、ウェハアライメントカメラ19と、ヘッドステージ22と、カードホルダ23と、プローブカード24と、プローブ25と、を備える。 The prober 10 includes a base 11, a base 12, a Y stage 13, an X stage 14, a Zθ stage 15, a wafer chuck 16, a probe position detection camera 18, a probe height detector 20, and a height It includes adjustment mechanisms 21 and 27, a wafer alignment camera 19, a head stage 22, a card holder 23, a probe card 24, and a probe 25.

基台11の上面には、略平板状のベース12が固定されている。なお、基台11の代わりに脚部材を用いてもよいし、或いは基台11を省略してもよい。 A substantially flat base 12 is fixed to the upper surface of the base 11. Note that a leg member may be used instead of the base 11, or the base 11 may be omitted.

ベース12の上面には、不図示のY移動部を介して略平板状のYステージ13がY軸方向に移動自在に支持されている。Y移動部は、ベース12の上面に設けられ且つY軸に平行なガイドレールと、Yステージ13の下面に設けられ且つガイドレールに係合するスライダと、Yステージ13をY軸方向に移動させるモータ等の駆動機構と、を備える。このY移動部を駆動することにより、ベース12上でYステージ13と、後述のXステージ14及びZθステージ15等とが一体的にY軸方向に移動される。 A substantially flat Y stage 13 is supported on the upper surface of the base 12 via a Y moving section (not shown) so as to be movable in the Y-axis direction. The Y moving unit includes a guide rail provided on the upper surface of the base 12 and parallel to the Y axis, a slider provided on the lower surface of the Y stage 13 and engaged with the guide rail, and moves the Y stage 13 in the Y axis direction. A drive mechanism such as a motor is provided. By driving this Y moving unit, the Y stage 13, the X stage 14, the Zθ stage 15, etc., which will be described later, are integrally moved in the Y axis direction on the base 12.

Yステージ13の上面には、不図示のX移動部を介して略平板状のXステージ14がX軸方向に移動自在に支持されている。X移動部は、Yステージ13の上面に設けられ且つX軸に平行なガイドレールと、Xステージ14の下面に設けられ且つガイドレールに係合するスライダと、Xステージ14をX軸方向に移動させるモータ等の駆動機構と、を備える。このX移動部を駆動することにより、Yステージ13上でXステージ14及び後述のZθステージ15等が一体的にX軸方向に移動される。 A substantially flat X stage 14 is supported on the upper surface of the Y stage 13 via an X moving section (not shown) so as to be movable in the X-axis direction. The X moving unit includes a guide rail provided on the top surface of the Y stage 13 and parallel to the X axis, a slider provided on the bottom surface of the X stage 14 and engaged with the guide rail, and moves the X stage 14 in the X axis direction. and a drive mechanism such as a motor. By driving this X moving section, the X stage 14, the Zθ stage 15 (described later), etc. are integrally moved in the X-axis direction on the Y stage 13.

Xステージ14の上面には、Zθステージ15及び高さ調整機構21,27が設けられている。Zθステージ15の内部には、不図示のZθ移動部が設けられている。また、Zθステージ15の上面には、不図示のZθ移動部を介して、ウェハチャック16が保持されている。このZθ移動部は、例えば、Zθステージ15の上面をZ軸方向に移動自在な昇降機構と、且つこの上面をZ軸の軸周りに回転させる回転機構とを有する。このため、Zθ移動部は、Zθステージ15の上面に保持されているウェハチャック16をZ軸方向に移動させると共に、Z軸の軸周りに回転させる。 A Zθ stage 15 and height adjustment mechanisms 21 and 27 are provided on the upper surface of the X stage 14. Inside the Zθ stage 15, a Zθ moving section (not shown) is provided. Further, a wafer chuck 16 is held on the upper surface of the Zθ stage 15 via a Zθ moving section (not shown). The Zθ moving unit includes, for example, an elevating mechanism that can move the upper surface of the Zθ stage 15 in the Z-axis direction, and a rotation mechanism that rotates the upper surface around the Z-axis. Therefore, the Zθ moving unit moves the wafer chuck 16 held on the upper surface of the Zθ stage 15 in the Z-axis direction and rotates it around the Z-axis.

ウェハチャック16は、ウェハWをその裏面側から保持する。このウェハチャック16は、既述のYステージ13とXステージ14とZθステージ15とにより、ベース12に対してXYZ軸方向に移動自在に支持されている共に、Z軸の軸周りに回転自在に支持されている。これにより、ウェハチャック16に保持されているウェハWと、後述のプローブ25とを相対移動させることができる。 The wafer chuck 16 holds the wafer W from its back side. The wafer chuck 16 is supported by the Y stage 13, the X stage 14, and the Zθ stage 15, which have already been described, to be movable in the X, Y, and Z axes relative to the base 12, and is also rotatable around the Z axis. Supported. Thereby, the wafer W held by the wafer chuck 16 and the probe 25, which will be described later, can be moved relative to each other.

ウェハチャック16の上面であるウェハWの支持面16aは、例えばアルミメッキ又は金メッキ等の各種金属メッキが施されており、導電性を有している。この支持面16aは、ウェハWの各半導体チップの裏面電極(不図示)に接触する。そして、この支持面16aは、後述のチャックリード線40(図2参照)を介してテスタ30に接続されており、このテスタ30の測定電極として作用する。これにより、ウェハWの各半導体チップ(不図示)の検査時の各種測定条件に応じて、各半導体チップの裏面電極が、支持面16aを介してテスタ30から電圧及び電流等が印加されたり、或いは接地されたりする。 The support surface 16a of the wafer W, which is the upper surface of the wafer chuck 16, is plated with various metals such as aluminum plating or gold plating, and has electrical conductivity. This support surface 16a contacts the back electrode (not shown) of each semiconductor chip of the wafer W. This support surface 16a is connected to a tester 30 via a chuck lead wire 40 (see FIG. 2), which will be described later, and acts as a measurement electrode for this tester 30. As a result, depending on various measurement conditions during testing of each semiconductor chip (not shown) on the wafer W, voltage, current, etc. are applied to the back electrode of each semiconductor chip from the tester 30 via the support surface 16a, or Or it may be grounded.

高さ調整機構21は、後述のプローブ位置検出カメラ18のZ軸方向の昇降を行う。また、高さ調整機構27は、後述のプローブ高さ検出器20のZ軸方向の昇降を行う。高さ調整機構21,27は、公知の直線的な移動機構であればよく、例えばリニアガイド機構及びボールネジ機構等が用いられる。 The height adjustment mechanism 21 raises and lowers the probe position detection camera 18, which will be described later, in the Z-axis direction. Further, the height adjustment mechanism 27 raises and lowers the probe height detector 20, which will be described later, in the Z-axis direction. The height adjustment mechanisms 21 and 27 may be any known linear movement mechanism, such as a linear guide mechanism, a ball screw mechanism, or the like.

ヘッドステージ22は、例えばプローバ10の不図示の筐体の天板を構成しており、不図示の支柱等によってウェハチャック16(ウェハW)の上方に支持されている。ヘッドステージ22は、略環状に形成されており、その中央部にはプローブカード24を保持する略環状のカードホルダ23が設けられている。すなわち、ヘッドステージ22は、カードホルダ23を介してプローブカード24を保持する。 The head stage 22 constitutes, for example, a top plate of a housing (not shown) of the prober 10, and is supported above the wafer chuck 16 (wafer W) by a support (not shown) or the like. The head stage 22 is formed in a substantially annular shape, and a substantially annular card holder 23 that holds a probe card 24 is provided at the center thereof. That is, the head stage 22 holds the probe card 24 via the card holder 23.

プローブカード24は複数のプローブ25を有している。これらプローブ25は、検査対象のウェハWの不図示の各半導体チップの表面電極の配置パターンに対応するパターンでプローブカード24に配置されている。 The probe card 24 has a plurality of probes 25. These probes 25 are arranged on the probe card 24 in a pattern corresponding to the arrangement pattern of surface electrodes of each semiconductor chip (not shown) of the wafer W to be inspected.

プローブ位置検出カメラ18は、高さ調整機構21に取り付けられている。プローブ位置検出カメラ18は、例えば針合せ顕微鏡を備えたカメラであり、プローブカード24のプローブ25を下方から撮影する。このプローブ位置検出カメラ18にて撮影されたプローブ25の画像に基づき、プローブ25の位置を検出することができる。具体的には、プローブ25の先端位置のXY座標がプローブ位置検出カメラ18の位置座標から検出され、プローブ25の先端位置のZ座標がプローブ位置検出カメラ18の焦点位置から検出される。 The probe position detection camera 18 is attached to the height adjustment mechanism 21. The probe position detection camera 18 is, for example, a camera equipped with a needle alignment microscope, and photographs the probes 25 of the probe card 24 from below. Based on the image of the probe 25 taken by the probe position detection camera 18, the position of the probe 25 can be detected. Specifically, the XY coordinates of the tip position of the probe 25 are detected from the position coordinates of the probe position detection camera 18, and the Z coordinates of the tip position of the probe 25 are detected from the focal position of the probe position detection camera 18.

ウェハアライメントカメラ19は、ベース12上に設けられた不図示の支柱によって支持されており、ウェハチャック16に保持されているウェハWの半導体チップ(不図示)を上方から撮影する。このウェハアライメントカメラ19にて撮影された半導体チップの画像に基づき、半導体チップの電極の位置を検出することができる。これにより、ウェハアライメントカメラ19で得られた情報とプローブ位置検出カメラ18で得られたプローブ25の先端の位置情報とに基づき、プローブ25とウェハWの半導体チップの電極とのXY面内の二次元的な位置合わせ(アライメント)を行うことができる。 The wafer alignment camera 19 is supported by a support (not shown) provided on the base 12 and photographs a semiconductor chip (not shown) of the wafer W held by the wafer chuck 16 from above. Based on the image of the semiconductor chip taken by this wafer alignment camera 19, the positions of the electrodes of the semiconductor chip can be detected. Thereby, based on the information obtained by the wafer alignment camera 19 and the position information of the tip of the probe 25 obtained by the probe position detection camera 18, the distance between the probe 25 and the electrode of the semiconductor chip of the wafer W in the XY plane is determined. Dimensional alignment can be performed.

プローブ高さ検出器20は、Xステージ14上の既述の高さ調整機構27に取り付けられている。このプローブ高さ検出器20は、プローブ位置検出カメラ18の高さの基準となる基準面からのプローブ25の先端の高さを検出する。プローブ高さ検出器20は、接触式の検出器であり、物理的にプローブ25の先端に接触することにより、プローブ25の先端の高さを検出する。ここで、基準面とはプローバ10の全般において高さの基準となる面であり、任意(例えばXステージ14の上面)に設定されるものである。 The probe height detector 20 is attached to the previously described height adjustment mechanism 27 on the X stage 14. The probe height detector 20 detects the height of the tip of the probe 25 from a reference plane that serves as a reference for the height of the probe position detection camera 18. The probe height detector 20 is a contact type detector, and detects the height of the tip of the probe 25 by physically touching the tip of the probe 25. Here, the reference plane is a plane that serves as a height reference for the entire prober 10, and is set arbitrarily (eg, the top surface of the X stage 14).

既述の高さ調整機構21は、プローブ25の先端の高さの検出結果に基づいて、プローブ位置検出カメラ18をプローブ25の先端からワーキングディスタンスだけ離れた高さに調整する。これにより、プローブ位置検出カメラ18を上昇させ過ぎて、プローブ位置検出カメラ18がプローブ25の先端に衝突することが防止される。 The height adjustment mechanism 21 described above adjusts the probe position detection camera 18 to a height that is a working distance away from the tip of the probe 25 based on the detection result of the height of the tip of the probe 25. This prevents the probe position detection camera 18 from being raised too high and colliding with the tip of the probe 25.

テスタ30は、テスタ本体31と、テスタ本体31に設けられたコンタクトリング32とを備えている。プローブカード24には、各プローブ25に接続される端子が設けられている。そして、コンタクトリング32は、プローブカード24の各端子に接触可能な配置パターンで配置されたスプリングプローブを有する。 The tester 30 includes a tester main body 31 and a contact ring 32 provided on the tester main body 31. The probe card 24 is provided with terminals connected to each probe 25. The contact ring 32 has spring probes arranged in an arrangement pattern that allows contact with each terminal of the probe card 24.

テスタ本体31は、不図示の支持機構により、プローバ10に対して保持される。このテスタ本体31は、プローブカード24及びプローブ25等を介して不図示の半導体チップの表面電極に電気的に接続され、且つチャックリード線40(図2参照)及び支持面16a等を介して不図示の半導体チップの裏面電極に電気的に接続される。そして、テスタ本体31は、半導体チップに電流又は電圧等を印加することにより、半導体チップの電気的特性を検査する。 The tester main body 31 is held relative to the prober 10 by a support mechanism (not shown). The tester main body 31 is electrically connected to a surface electrode of a semiconductor chip (not shown) via a probe card 24, a probe 25, etc., and is also electrically connected to a surface electrode of a semiconductor chip (not shown) via a chuck lead wire 40 (see FIG. 2), a support surface 16a, etc. It is electrically connected to the back electrode of the illustrated semiconductor chip. The tester main body 31 then tests the electrical characteristics of the semiconductor chip by applying current, voltage, or the like to the semiconductor chip.

[チャックリード線及び追加回路]
図2は、チャックリード線40及び追加回路42を説明するための説明図である。図2に示すように、チャックリード線40は、本発明の配線に相当するものであり、支持面16aとテスタ30(テスタ本体31)とを電気的に接続する。このチャックリード線40は、支持面16aに電気的に接続される一端部40aと、一端部40aとは反対側の他端部40bであって且つ後述のコネクタ44に電気的に接続される他端部40bと、を有する。なお、チャックリード線40(配線)の種類は特に限定はされない。
[Chuck lead wire and additional circuit]
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the chuck lead wire 40 and the additional circuit 42. As shown in FIG. 2, the chuck lead wire 40 corresponds to the wiring of the present invention, and electrically connects the support surface 16a and the tester 30 (tester main body 31). The chuck lead wire 40 has one end 40a that is electrically connected to the support surface 16a, and the other end 40b that is opposite to the one end 40a and that is electrically connected to a connector 44 that will be described later. It has an end portion 40b. Note that the type of chuck lead wire 40 (wiring) is not particularly limited.

追加回路42は、全体が本発明の導通検査装置として機能し且つその一部が本発明の除電装置として機能するものであり、チャックリード線40の導通検査(断線検査)を行うと共に、ウェハチャック16の除電(ディスチャージ)を行う。この追加回路42は、コネクタ44と、除電回路50(第1リレー46及び第1抵抗48)と、追加リード線52と、第2リレー54と、第2抵抗56と、電源58と、検出回路60と、を備える。 The additional circuit 42 functions entirely as a continuity testing device of the present invention, and a portion thereof functions as a static eliminator of the present invention, and performs a continuity test (disconnection test) of the chuck lead wire 40, and also performs a continuity test (disconnection test) of the chuck lead wire 40. 16 static elimination (discharge) is performed. This additional circuit 42 includes a connector 44, a static elimination circuit 50 (a first relay 46 and a first resistor 48), an additional lead wire 52, a second relay 54, a second resistor 56, a power supply 58, and a detection circuit. 60.

コネクタ44は、既述の通り、チャックリード線40の他端部40bに電気的に接続される。また、コネクタ44には、他端部40bの他に、テスタ30と、除電回路50を構成する第1リレー46とが個別に接続されている。これにより、チャックリード線40及びコネクタ44を介して、支持面16aとテスタ30とが電気的に接続され、且つ支持面16aと除電回路50(第1リレー46)とが電気的に接続される。 The connector 44 is electrically connected to the other end 40b of the chuck lead wire 40, as described above. In addition to the other end 40b, the connector 44 is individually connected to the tester 30 and a first relay 46 that constitutes a static elimination circuit 50. Thereby, the support surface 16a and the tester 30 are electrically connected via the chuck lead wire 40 and the connector 44, and the support surface 16a and the static elimination circuit 50 (first relay 46) are electrically connected. .

除電回路50は、本発明の除電装置に相当するものであり、コネクタ44(すなわち他端部40b)に電気的に接続された第1リレー46と、第1リレー46に接続され且つ接地された第1抵抗48と、を備える。なお、本実施形態では除電回路50の一方の第1リレー46が本発明の第1部品に相当し、他方の第1抵抗48が本発明の第2部品に相当する。ウェハチャック16には、既述の通り、電荷(静電気)が帯電し、その結果、ウェハチャック16上のウェハWにも電荷が帯電する。このため、除電回路50は、ウェハチャック16に帯電した電荷(静電気)を除電する。 The static elimination circuit 50 corresponds to the static elimination device of the present invention, and includes a first relay 46 electrically connected to the connector 44 (that is, the other end 40b), and a first relay 46 that is connected to the first relay 46 and grounded. A first resistor 48 is provided. In this embodiment, one first relay 46 of the static elimination circuit 50 corresponds to the first component of the present invention, and the other first resistor 48 corresponds to the second component of the present invention. As described above, the wafer chuck 16 is charged with electric charge (static electricity), and as a result, the wafer W on the wafer chuck 16 is also charged with electric charge. Therefore, the static elimination circuit 50 eliminates the charge (static electricity) charged on the wafer chuck 16.

第1リレー46は、チャックリード線40及び支持面16a(以下、支持面16a等と略す)と、第1抵抗48との双方の間において、双方を電気的に接続するクローズ状態(接続状態)と、双方の電気的な接続を解除したオープン状態(非接続状態)とに切替可能である。なお、第1リレー46の種類については特に限定はされない。また、本明細書では第1リレー46を、クローズ状態に切り替えることを「オン」と定義し、逆にオープン状態に切り替えることを「オフ」と定義する。そして、第1リレー46のオンオフの切り替えは、後述の統括制御部62により制御される。 The first relay 46 is in a closed state (connected state) in which the chuck lead wire 40 and the support surface 16a (hereinafter abbreviated as support surface 16a, etc.) and the first resistor 48 are electrically connected to each other. and an open state (non-connected state) in which the electrical connection between the two is released. Note that the type of first relay 46 is not particularly limited. Further, in this specification, switching the first relay 46 to the closed state is defined as "on", and conversely, switching to the open state is defined as "off". The on/off switching of the first relay 46 is controlled by a general control unit 62, which will be described later.

第1リレー46は、ウェハチャック16の除電時及び後述のチャックリード線40の導通検査時にオンされ、支持面16a等と第1抵抗48とを電気的に接続する。また、第1リレー46は、各半導体チップ(不図示)の電気的特性の検査時にはオフされ、支持面16a等と第1抵抗48との電気的な接続を解除する。 The first relay 46 is turned on when static electricity is removed from the wafer chuck 16 and during a continuity test of the chuck lead wire 40, which will be described later, and electrically connects the support surface 16a and the like to the first resistor 48. Further, the first relay 46 is turned off when testing the electrical characteristics of each semiconductor chip (not shown), and the electrical connection between the support surface 16a and the like and the first resistor 48 is released.

第1抵抗48は、ウェハチャック16の除電時において第1リレー46がオンされた場合に、ウェハチャック16に帯電した電荷(静電気)が接地側に向けて一気に流れることを防止する電流制限抵抗であり、高抵抗体が用いられる。これにより、ウェハチャック16の除電時において、第1リレー46がオンされると、第1抵抗48を介して、ウェハチャック16に帯電した電荷を接地側に徐々に放電することができ、その結果、ウェハチャック16が除電される。 The first resistor 48 is a current limiting resistor that prevents the charge (static electricity) charged on the wafer chuck 16 from flowing all at once toward the ground side when the first relay 46 is turned on during static electricity removal from the wafer chuck 16. Yes, high resistance material is used. As a result, when the first relay 46 is turned on when static electricity is removed from the wafer chuck 16, the electric charge charged on the wafer chuck 16 can be gradually discharged to the ground side via the first resistor 48, and as a result, , the wafer chuck 16 is neutralized.

次に、本実施形態の除電回路50と比較例の除電回路200(図3参照)と比較して、本実施形態の除電回路50の作用効果についてより詳しく説明する。なお、本発明は以下の作用効果の説明に限定されるものではない。 Next, the effects of the static elimination circuit 50 of this embodiment will be described in more detail by comparing the static elimination circuit 50 of this embodiment with the static elimination circuit 200 of a comparative example (see FIG. 3). Note that the present invention is not limited to the explanation of the following effects.

図3は、比較例の除電回路200の概略図である。なお、図3に示した比較例において、本実施形態と機能又は構成上同一のものについては、同一符号を付してその説明は省略する。図3に示すように、比較例の除電回路200では、特開2003-218175号公報(上記特許文献2)に開示されているように、コネクタ44に対して第1抵抗48が先に電気的に接続され、且つこの第1抵抗48に対して接地された第1リレー46が接続されている。 FIG. 3 is a schematic diagram of a static elimination circuit 200 of a comparative example. In addition, in the comparative example shown in FIG. 3, the same reference numerals are given to the same components as in the present embodiment in function or configuration, and the explanation thereof will be omitted. As shown in FIG. 3, in the static elimination circuit 200 of the comparative example, the first resistor 48 is first electrically connected to the connector 44, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-218175 (Patent Document 2 above). A first relay 46 connected to the first resistor 48 and grounded is connected to the first resistor 48 .

このような比較例の除電回路200においても、第1リレー46をオンすることで、本実施形態の除電回路50と同様に、第1抵抗48を介して、ウェハチャック16に帯電した電荷を接地側に徐々に放電することができる。 In the static eliminator circuit 200 of the comparative example as well, by turning on the first relay 46, the charges accumulated on the wafer chuck 16 are grounded via the first resistor 48, similarly to the static eliminator circuit 50 of the present embodiment. It can be discharged gradually to the side.

しかしながら、比較例の除電回路200では、ウェハチャック16と第1リレー46との間に第1抵抗48が配置されているので、第1リレー46をオフに切り替えた場合でも、支持面16a等と第1抵抗48との接続が維持される。一方、第1抵抗48は、高抵抗体であるため、第1リレー46がオフされている状態ではリーク電流が発生する可能性がある。そして、第1抵抗48からリーク電流が発生すると、このリーク電流が、ウェハWの各半導体チップ(不図示)の検査時に裏面電極(不図示)から出力される信号に混入することで各半導体チップの検査に影響を及ぼしたり、或いは各半導体チップに悪影響を与えたりするおそれがある。従って、各半導体チップの正確な検査を行うためには、ウェハチャック16が高絶縁状態(外部からのリーク電流等の影響を受けない状態)であることが必要であり、ウェハチャック16に余分な部品を接続することは好ましくない。 However, in the static elimination circuit 200 of the comparative example, since the first resistor 48 is disposed between the wafer chuck 16 and the first relay 46, even when the first relay 46 is turned off, the support surface 16a etc. The connection with the first resistor 48 is maintained. On the other hand, since the first resistor 48 is a high-resistance element, leakage current may occur when the first relay 46 is turned off. When a leakage current is generated from the first resistor 48, this leakage current is mixed into the signal output from the back electrode (not shown) during the inspection of each semiconductor chip (not shown) on the wafer W, so that each semiconductor chip There is a risk that the test may be affected or each semiconductor chip may be adversely affected. Therefore, in order to accurately test each semiconductor chip, it is necessary for the wafer chuck 16 to be in a highly insulated state (not affected by external leakage current, etc.), and the wafer chuck 16 must have an extra Connecting parts is undesirable.

このような比較例の除電回路200に対して、本実施形態の除電回路50では、図2に示したように、コネクタ44に対して第1リレー46を先に電気的に接続し、この第1リレー46に対して接地された第1抵抗48を電気的に接続している。これにより、各半導体チップの検査時には第1リレー46をオフすることにより、支持面16a等から第1抵抗48を最短で分離することができる。その結果、除電用に追加する除電回路50によるリーク電流を最小に抑えることができる。 In contrast to the static elimination circuit 200 of the comparative example, in the static elimination circuit 50 of the present embodiment, as shown in FIG. A grounded first resistor 48 is electrically connected to the first relay 46 . Thereby, by turning off the first relay 46 when testing each semiconductor chip, the first resistor 48 can be separated from the support surface 16a and the like in the shortest possible time. As a result, leakage current caused by the static elimination circuit 50 added for static elimination can be minimized.

図2に戻って、追加リード線52は、本発明の追加配線に相当するものであり、その一端部52aが支持面16aに接続されている。これにより、チャックリード線40と追加
リード線52とは、支持面16aを介して電気的に接続される。また、追加リード線52の一端部52aと反対側の他端部52bには、第2リレー54が電気的に接続されている。なお、追加リード線52(配線)の種類は特に限定はされない。また、本実施形態では、チャックリード線40及び追加リード線52の双方の一部がケーブル(登録商標)ベア64内に収納されている。
Returning to FIG. 2, the additional lead wire 52 corresponds to the additional wiring of the present invention, and one end portion 52a thereof is connected to the support surface 16a. Thereby, the chuck lead wire 40 and the additional lead wire 52 are electrically connected via the support surface 16a. Further, a second relay 54 is electrically connected to one end 52a of the additional lead wire 52 and the other end 52b on the opposite side. Note that the type of additional lead wire 52 (wiring) is not particularly limited. Further, in this embodiment, a portion of both the chuck lead wire 40 and the additional lead wire 52 are housed within the cable (registered trademark) bearer 64.

第2リレー54は、本発明の第3部品に相当するものであり、後述の第2抵抗56及び電源58と、追加リード線52との双方の間において、双方を電気的に接続するクローズ状態(接続状態)と、双方の電気的な接続を解除したオープン状態(非接続状態)とに切替可能である。なお、第2リレー54の種類についても特に限定はされない。また、本明細書では、第2リレー54についても、クローズ状態に切り替えることを「オン」と定義し、逆にオープン状態に切り替えることを「オフ」と定義する。そして、この第2リレー54のオンオフの切り替えは、第1リレー46と同様に後述の統括制御部62により制御される。 The second relay 54 corresponds to the third component of the present invention, and is in a closed state to electrically connect both a second resistor 56 and a power source 58, which will be described later, and the additional lead wire 52. (connected state) and an open state (non-connected state) in which the electrical connection between the two is released. Note that the type of second relay 54 is not particularly limited either. Further, in this specification, switching to the closed state of the second relay 54 is defined as "on", and conversely, switching to the open state is defined as "off". The on/off switching of the second relay 54 is controlled by a general control unit 62, which will be described later, similarly to the first relay 46.

第2リレー54は、後述のチャックリード線40の導通検査時にオンされ、第2抵抗56及び電源58と、追加リード線52とを電気的に接続する。また、第2リレー54は、ウェハチャック16の除電時及び各半導体チップ(不図示)の電気的特性の検査時にはオフされ、第2抵抗56及び電源58と、追加リード線52との電気的な接続を解除する。 The second relay 54 is turned on during a continuity test of the chuck lead wire 40, which will be described later, and electrically connects the second resistor 56 and power source 58 to the additional lead wire 52. Further, the second relay 54 is turned off when static electricity is removed from the wafer chuck 16 and when inspecting the electrical characteristics of each semiconductor chip (not shown), and the second relay 54 is turned off to connect the second resistor 56 and power source 58 to the additional lead wire 52. Disconnect.

第2抵抗56は、本発明の第4部品に相当するものであり、第2リレー54に電気的に接続されている。この第2抵抗56は、第1抵抗48と同様の電流制限抵抗であり、高抵抗体が用いられる。詳しくは後述するが、この第2抵抗56の電圧(両端電圧、電位差)は、チャックリード線40の導通(断線)の有無の判定に利用される。 The second resistor 56 corresponds to the fourth component of the present invention and is electrically connected to the second relay 54. This second resistor 56 is a current limiting resistor similar to the first resistor 48, and is made of a high resistance material. As will be described in detail later, the voltage (both-end voltage, potential difference) of the second resistor 56 is used to determine whether or not the chuck lead wire 40 is electrically connected (broken).

図4は、電流ループCR及び電源58を説明するための説明図である。図2及び図4に示すように、電源58は、第2抵抗56に接続され且つ接地されている。なお、電源58及び既述の第1抵抗48は、所謂フレーム接地(例えばアース電極又は金属製の筐体に接続)されているので、電源58と第1抵抗48とは電気的に接続されている。このため、チャックリード線40、第1リレー46、第1抵抗48、追加リード線52、第2リレー54、第2抵抗56、及び電源58は、電流ループCRを構成している。従って、第2リレー54、第2抵抗56、及び電源58は、本発明の電流ループ形成部として機能する。 FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the current loop CR and the power supply 58. As shown in FIGS. 2 and 4, the power source 58 is connected to the second resistor 56 and grounded. Note that the power source 58 and the first resistor 48 described above are connected to the so-called frame ground (for example, connected to a ground electrode or a metal casing), so the power source 58 and the first resistor 48 are not electrically connected. There is. Therefore, the chuck lead wire 40, the first relay 46, the first resistor 48, the additional lead wire 52, the second relay 54, the second resistor 56, and the power source 58 constitute a current loop CR. Therefore, the second relay 54, the second resistor 56, and the power source 58 function as a current loop forming section of the present invention.

電源58は、後述のチャックリード線40の導通検査時、すなわち、第1リレー46及び第2リレー54の双方がオンされている状態で、電流ループCRに対して電流供給(電圧印加)を行う。これにより、チャックリード線40が導通している場合(断線していない場合)、すなわち電流ループCRが構成されている場合、この電流ループCRには電流Is(微小電流)が流れる。 The power supply 58 supplies current (applies voltage) to the current loop CR during a continuity test of the chuck lead wire 40, which will be described later, that is, when both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on. . As a result, when the chuck lead wire 40 is conductive (not disconnected), that is, when the current loop CR is configured, a current Is (minor current) flows through the current loop CR.

検出回路60は、本発明の電圧検出部に相当するものであり、第2抵抗56の電圧(両端電圧、電位差)を検出する電圧計である。第1リレー46及び第2リレー54の双方がオンされている状態でチャックリード線40が導通している場合、既述の電流ループCRに電流Isが流れる。この場合、電源58により電流ループCRに印加される電圧V、第1抵抗48の抵抗値をR1、及び第2抵抗56の抵抗値をR2とすると、検出回路60により検出される第2抵抗56の検出電圧は「V×(R2/(R1+R2))」となる。従って、例えばR1=R2である場合、第2抵抗56の検出電圧は「V/2」となる。以下、説明の煩雑化を防止するため、「R1=R2」として説明を行う。 The detection circuit 60 corresponds to the voltage detection section of the present invention, and is a voltmeter that detects the voltage (both-end voltage, potential difference) of the second resistor 56. When both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on and the chuck lead wire 40 is conductive, a current Is flows through the current loop CR described above. In this case, if the voltage V applied to the current loop CR by the power source 58, the resistance value of the first resistor 48 is R1, and the resistance value of the second resistor 56 is R2, then the second resistor 56 detected by the detection circuit 60 The detected voltage is “V×(R2/(R1+R2))”. Therefore, for example, when R1=R2, the detected voltage of the second resistor 56 is "V/2". Hereinafter, in order to prevent the explanation from becoming complicated, the explanation will be made assuming that "R1=R2".

一方、第1リレー46及び第2リレー54の双方がオンされている状態であってもチャックリード線40が断線している場合には、電源58による電流Isは電流ループCRを流れることはない。従って、この場合に検出回路60による検出電圧は「V」となる。 On the other hand, even if both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on, if the chuck lead wire 40 is disconnected, the current Is from the power source 58 will not flow through the current loop CR. . Therefore, in this case, the voltage detected by the detection circuit 60 is "V".

このように検出回路60による検出電圧を参照することで、電流ループCRに電流Isが流れているか否か、すなわちチャックリード線40の導通の有無(断線の無し有り)を判定することができる。そして、検出回路60は、第2抵抗56の電圧検出結果を統括制御部62へ出力する。 By referring to the voltage detected by the detection circuit 60 in this manner, it is possible to determine whether or not the current Is is flowing through the current loop CR, that is, whether or not the chuck lead wire 40 is electrically connected (whether there is any disconnection or not). The detection circuit 60 then outputs the voltage detection result of the second resistor 56 to the overall control section 62.

また逆に、チャックリード線40の導通が確認されている場合、検出回路60による第2抵抗56の電圧検出結果を、第1リレー46及び第2リレー54の自己診断に用いることができる。 Conversely, when the conductivity of the chuck lead wire 40 is confirmed, the voltage detection result of the second resistor 56 by the detection circuit 60 can be used for self-diagnosis of the first relay 46 and the second relay 54.

例えば、第1リレー46及び第2リレー54の双方をオンさせた際に、検出回路60による検出電圧が「V/2」となる場合は第1リレー46及び第2リレー54の双方が正常であると判定することができる。一方、第1リレー46及び第2リレー54の双方をオンさせた際に、検出回路60による検出電圧が「V」となる場合は、第1リレー46及び第2リレー54の少なくとも一方が実際にはオンされていない、すなわち少なくとも一方が異常であると判定することができる。また、第1リレー46及び第2リレー54の少なくとも一方をオフさせた際に、検出回路60による検出電圧が「V/2」となる場合は、第1リレー46及び第2リレー54の双方が実際にはオンされているため、第1リレー46及び第2リレー54の少なくとも一方が異常であると判定することができる。 For example, if the voltage detected by the detection circuit 60 is "V/2" when both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on, both the first relay 46 and the second relay 54 are normal. It can be determined that there is. On the other hand, if the voltage detected by the detection circuit 60 is "V" when both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on, at least one of the first relay 46 and the second relay 54 is actually turned on. is not turned on, that is, it can be determined that at least one of them is abnormal. Further, if the voltage detected by the detection circuit 60 is "V/2" when at least one of the first relay 46 and the second relay 54 is turned off, both the first relay 46 and the second relay 54 are turned off. Since it is actually turned on, it can be determined that at least one of the first relay 46 and the second relay 54 is abnormal.

図5は、プローバ10(ウェハテストシステム9でも可、以下同じ)の統括制御部62の機能ブロック図である。統括制御部62は、例えばCPU(Central Processing Unit)或いはFPGA(field-programmable gate array)含む各種の演算部と処理部とメモリ等により構成されており、プローバ10の各部の動作を統括制御する。なお、図5では、統括制御部62の複数の機能の中で、追加回路42によるウェハチャック16の除電、チャックリード線40の導通検査、及び各リレー46,54の自己診断に係る機能のみを図示し、ウェハWの検査等のプローバ10の他の制御に係る機能は公知技術であるので図示は省略する。 FIG. 5 is a functional block diagram of the overall control unit 62 of the prober 10 (or the wafer test system 9, the same applies hereinafter). The overall control unit 62 is composed of various arithmetic units, processing units, memory, etc., including, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an FPGA (field-programmable gate array), and controls the operation of each unit of the prober 10 in an integrated manner. In addition, in FIG. 5, among the plurality of functions of the overall control unit 62, only the functions related to static elimination of the wafer chuck 16 by the additional circuit 42, continuity test of the chuck lead wire 40, and self-diagnosis of each relay 46, 54 are shown. The functions shown in the figure and related to other control of the prober 10 such as inspection of the wafer W are well-known techniques and are therefore omitted from the figure.

統括制御部62には、各種の操作入力を受け付ける操作部70、各種表示を行う表示部72、既述の各リレー46,54、電源58、及び検出回路60の他、プローバ10の各部が接続されている。そして、この統括制御部62は、所定の制御プログラムを実行することで、追加回路制御部76、判定部80、及び自己診断部82として機能する。 The overall control unit 62 is connected to an operation unit 70 that receives various operation inputs, a display unit 72 that displays various displays, the aforementioned relays 46 and 54, a power supply 58, a detection circuit 60, and other parts of the prober 10. has been done. The overall control section 62 functions as an additional circuit control section 76, a determination section 80, and a self-diagnosis section 82 by executing a predetermined control program.

追加回路制御部76は、追加回路42によるウェハチャック16の除電、チャックリード線40の導通検査、及び各リレー46,54の自己診断がそれぞれ開始される際に、各リレー46,54のオンオフと電源58のオンオフとを制御する。すなわち、追加回路制御部76は、本発明のリレー制御部として機能する。 The additional circuit control unit 76 turns each relay 46, 54 on and off when the additional circuit 42 starts static electricity removal from the wafer chuck 16, conduction test of the chuck lead wire 40, and self-diagnosis of each relay 46, 54. Controls on/off of the power source 58. That is, the additional circuit control section 76 functions as a relay control section of the present invention.

なお、追加回路42による除電、導通検査、及び自己診断は、不図示の各半導体チップの検査を実行してない任意のタイミング、すなわちプローブ25がウェハWから離間しているタイミングで実行される。例えば、Zθステージ15によりウェハチャック16を下方側に退避させているタイミング、ウェハチャック16へのウェハWのロード又はアンロードのタイミング、及び半導体チップのインデックス送りのタイミング等が例として挙げられる。なお、除電、導通検査、及び自己診断を、操作部70への開始操作に応じて開始させてもよい。 Note that the static elimination, continuity test, and self-diagnosis by the additional circuit 42 are performed at an arbitrary timing when each semiconductor chip (not shown) is not being tested, that is, at a timing when the probe 25 is separated from the wafer W. Examples include the timing when the wafer chuck 16 is retracted downward by the Zθ stage 15, the timing when the wafer W is loaded or unloaded onto the wafer chuck 16, and the timing when the semiconductor chip is indexed. Note that static elimination, continuity testing, and self-diagnosis may be started in response to a start operation on the operation unit 70.

追加回路制御部76は、除電を実行する任意のタイミングで或いは操作部70への除電開始操作の入力を受けて、第1リレー46のみをオンさせる。また、追加回路制御部76は、導通検査を実行する任意のタイミングで或いは操作部70への導通検査開始操作の入力を受けて、各リレー46,54の双方をオンさせると共に、電源58をオンさせる。さらに、追加回路制御部76は、自己診断を実行するタイミングで或いは操作部70への自己診断開始操作の入力受けて、各リレー46,54を個別に1回以上オンオフさせると共に、電源58をオンさせる。 The additional circuit control unit 76 turns on only the first relay 46 at an arbitrary timing to perform static elimination or upon receiving an input of a static elimination start operation to the operation unit 70. Further, the additional circuit control unit 76 turns on both the relays 46 and 54 and turns on the power supply 58 at any timing when performing a continuity test or upon receiving an input of a continuity test start operation to the operation unit 70. let Further, the additional circuit control unit 76 turns each relay 46 and 54 on and off individually one or more times at the timing of executing a self-diagnosis or upon receiving an input of a self-diagnosis start operation to the operation unit 70, and turns on the power supply 58. let

判定部80は、導通検査が開始された場合、すなわち第1リレー46及び第2リレー54の双方がオンされ且つ電源58がオンされている場合、検出回路60から入力される第2抵抗56の電圧検出結果に基づき、電流ループCRに電流Isが流れているか否かを判定する。その結果、判定部80は、チャックリード線40の導通の有無を判定することができる。既述の通り、判定部80は、第2抵抗56の電圧が「V/2」である場合には、電流ループCRに電流Isが流れていると判定すると共に、チャックリード線40が導通していると判定する。一方、判定部80は、第2抵抗56の電圧が「V」である場合には、電流ループCRに電流Isが流れてないと判定すると共に、チャックリード線40が断線していると判定する。 When the continuity test is started, that is, when both the first relay 46 and the second relay 54 are turned on and the power supply 58 is turned on, the determination unit 80 determines whether the second resistor 56 is Based on the voltage detection result, it is determined whether the current Is is flowing through the current loop CR. As a result, the determination unit 80 can determine whether or not the chuck lead wire 40 is electrically connected. As described above, when the voltage of the second resistor 56 is "V/2", the determination unit 80 determines that the current Is is flowing through the current loop CR, and the chuck lead wire 40 is conductive. It is determined that the On the other hand, when the voltage of the second resistor 56 is "V", the determination unit 80 determines that the current Is is not flowing through the current loop CR, and determines that the chuck lead wire 40 is disconnected. .

そして、判定部80は、チャックリード線40の導通の有無を表示部72へ出力する。これにより、表示部72にて、チャックリード線40の導通の有無(断線の有無)が表示される。なお、表示部72には、画面表示(画像表示)を行うモニタの他に、音声表示(音声出力)を行うスピーカ等も含まれる。 Then, the determination section 80 outputs to the display section 72 whether or not the chuck lead wire 40 is electrically conductive. As a result, the display unit 72 displays whether or not the chuck lead wire 40 is electrically connected (whether or not it is disconnected). Note that the display unit 72 includes, in addition to a monitor that displays a screen (image display), a speaker that displays audio (audio output) and the like.

自己診断部82は、自己診断が実行されている場合、すなわち各リレー46,54がオンオフされ且つ電源58がオンされている場合、検出回路60から入力される第2抵抗56の電圧検出結果に基づき、各リレー46,54の自己診断を行う。既述の通り、自己診断部82は、例えば、各リレー46,54の双方をオンさせた際に、検出回路60による検出電圧が「V/2」となる場合は各リレー46,54の双方が正常であると判定し、検出電圧が「V」となる場合は各リレー46,54の少なくとも一方が異常であると判定する。また、自己診断部82は、各リレー46,54の少なくとも一方をオフさせた際に、検出回路60による検出電圧が「V/2」となる場合は、各リレー46,54の少なくとも一方が異常であると判定する。 The self-diagnosis section 82 uses the voltage detection result of the second resistor 56 inputted from the detection circuit 60 when the self-diagnosis is being executed, that is, when the relays 46 and 54 are turned on and off and the power supply 58 is turned on. Based on this, self-diagnosis of each relay 46, 54 is performed. As described above, the self-diagnosis unit 82 detects whether both the relays 46 and 54 are turned on if the voltage detected by the detection circuit 60 is "V/2" when both the relays 46 and 54 are turned on. is determined to be normal, and if the detected voltage is "V", it is determined that at least one of the relays 46 and 54 is abnormal. Furthermore, if the voltage detected by the detection circuit 60 is "V/2" when at least one of the relays 46 and 54 is turned off, the self-diagnosis unit 82 determines that at least one of the relays 46 and 54 is abnormal. It is determined that

そして、自己診断部82は、各リレー46,54の自己診断結果を表示部72へ出力する。これにより、表示部72にて、各リレー46,54の自己診断結果が表示される。 Then, the self-diagnosis section 82 outputs the self-diagnosis results of each relay 46 and 54 to the display section 72. As a result, the self-diagnosis results of each relay 46, 54 are displayed on the display section 72.

[本実施形態の追加回路の作用]
図6は、上記構成の追加回路42によるウェハチャック16の除電、チャックリード線40の導通検査、及び各リレー46,54の自己診断の処理の流れを示すフローチャートである。
[Operation of additional circuit of this embodiment]
FIG. 6 is a flowchart illustrating the process of eliminating electricity from the wafer chuck 16, testing the continuity of the chuck lead wire 40, and self-diagnosing each relay 46, 54 by the additional circuit 42 configured as described above.

<導通検査>
図6に示すように、追加回路制御部76は、導通検査を実行する任意のタイミングで或いは操作部70への導通検査開始操作の入力を受けて(ステップS1でYES)、各リレー46,54の双方をオンさせると共に(ステップS2)、電源58をオンさせる(ステップS3)。一方、検出回路60は、電源58のオンに合わせて第2抵抗56の電圧検出を開始し、第2抵抗56の電圧検出結果を判定部80へ出力する(ステップS4)。
<Continuity test>
As shown in FIG. 6, the additional circuit control unit 76 controls each relay 46, 54 at an arbitrary timing to perform a continuity test or upon receiving an input of a continuity test start operation to the operation unit 70 (YES in step S1). (step S2), and the power source 58 is turned on (step S3). On the other hand, the detection circuit 60 starts detecting the voltage of the second resistor 56 when the power supply 58 is turned on, and outputs the voltage detection result of the second resistor 56 to the determination unit 80 (step S4).

判定部80は、第2抵抗56の電圧が「V/2」である場合には、電流ループCRに電流Isが流れていると判定、すなわちチャックリード線40が導通していると判定する(ステップS5)。一方、判定部80は、第2抵抗56の電圧が「V」である場合には、電流ループCRに電流Isが流れていないと判定、すなわちチャックリード線40が断線し
ていると判定する(ステップS5)。そして、判定部80は、判定結果を表示部72に出力する。これにより、表示部72にて、チャックリード線40の導通の有無の判定結果が表示される(ステップS6)。
When the voltage of the second resistor 56 is "V/2", the determination unit 80 determines that the current Is is flowing through the current loop CR, that is, determines that the chuck lead wire 40 is conductive ( Step S5). On the other hand, when the voltage of the second resistor 56 is "V", the determination unit 80 determines that the current Is is not flowing through the current loop CR, that is, determines that the chuck lead wire 40 is disconnected ( Step S5). The determination unit 80 then outputs the determination result to the display unit 72. As a result, the display unit 72 displays the determination result as to whether or not the chuck lead wire 40 is electrically conductive (step S6).

<除電>
追加回路制御部76は、除電を実行する任意のタイミングで或いは操作部70への除電開始操作の入力を受けて(ステップS1でNO、ステップS7でYES)、第1リレー46をオンさせる(ステップS8)。これにより、第1抵抗48を介して、ウェハチャック16に帯電した電荷が接地側に放電されるため、ウェハチャック16が除電される。
<Static electricity removal>
The additional circuit control unit 76 turns on the first relay 46 at an arbitrary timing to perform static elimination or upon receiving an input of a static elimination start operation to the operation unit 70 (NO in step S1, YES in step S7). S8). As a result, the charge on the wafer chuck 16 is discharged to the ground side via the first resistor 48, so that the wafer chuck 16 is neutralized.

<自己診断>
追加回路制御部76は、各リレー46,54の自己診断を実行する任意のタイミングで或いは操作部70への自己診断開始操作の入力を受けて(ステップS1及びステップS7の双方でNO)、電源58をオンさせる(ステップS9)。また、この電源58のオンに合わせて、検出回路60が、第2抵抗56の電圧検出を開始し、その電圧検出結果を自己診断部82へ出力する(ステップS10)。
<Self-diagnosis>
The additional circuit control unit 76 turns on the power supply at any timing when executing the self-diagnosis of each relay 46, 54, or upon receiving an input of a self-diagnosis start operation to the operation unit 70 (NO in both step S1 and step S7). 58 is turned on (step S9). Further, when the power supply 58 is turned on, the detection circuit 60 starts detecting the voltage of the second resistor 56, and outputs the voltage detection result to the self-diagnosis section 82 (step S10).

次いで、追加回路制御部76は、各リレー46,54を個別に1回以上オンオフさせる(ステップS11)。そして、自己診断部82は、各リレー46,54のオンオフが実行されている間、検出回路60から入力される第2抵抗56の電圧検出結果に基づき、既述の通り、各リレー46,54の自己診断を行い、その診断結果を表示部72に出力する(ステップS12)。これにより、表示部72にて、各リレー46,54の自己診断結果が表示される(ステップS13)。 Next, the additional circuit control unit 76 individually turns on and off each relay 46, 54 one or more times (step S11). Then, while each relay 46, 54 is being turned on/off, the self-diagnosis unit 82 detects the voltage of each relay 46, 54 based on the voltage detection result of the second resistor 56 inputted from the detection circuit 60. A self-diagnosis is performed and the diagnosis result is output to the display section 72 (step S12). As a result, the self-diagnosis results of each relay 46, 54 are displayed on the display section 72 (step S13).

[本実施形態の効果]
以上のように本実施形態の追加回路42によれば、追加リード線52等により電流ループCRを形成し、この電流ループCRに電流Isが流れるか否か、すなわち検出回路60による第2抵抗56の電圧検出結果が「V/2」になるかを検出するだけで、チャックリード線40の導通の有無を判定することができる。そして、この追加回路42は、既知のリレー46,54、抵抗48,56、電源58、及び検出回路60(電圧計等)を組み合わるだけで簡単に構築することができる。その結果、チャックリード線40の導通の有無を自動且つ簡単に検査することができる。
[Effects of this embodiment]
As described above, according to the additional circuit 42 of this embodiment, a current loop CR is formed by the additional lead wire 52 and the like, and whether or not the current Is flows through this current loop CR is determined by the second resistor 56 by the detection circuit 60. It is possible to determine whether or not the chuck lead wire 40 is electrically connected by simply detecting whether the voltage detection result is "V/2". This additional circuit 42 can be easily constructed by simply combining known relays 46, 54, resistors 48, 56, power supply 58, and detection circuit 60 (voltmeter, etc.). As a result, the presence or absence of continuity of the chuck lead wire 40 can be automatically and easily tested.

また、本実施形態の除電回路50では、コネクタ44に対して第1リレー46を先に電気的に接続し、この第1リレー46に対して接地された第1抵抗48を電気的に接続しているので、各半導体チップの検査時には第1リレー46をオフすることにより、チャックリード線40等から第1抵抗48を最短で分離することができる。その結果、除電回路50に起因するリーク電流を最小に抑えることができるので、リーク電流が、ウェハWの各半導体チップ(不図示)の検査に影響を及ぼしたり、或いは各半導体チップに悪影響を与えたりすることが防止される。 Further, in the static elimination circuit 50 of this embodiment, the first relay 46 is first electrically connected to the connector 44, and the first resistor 48, which is grounded, is electrically connected to the first relay 46. Therefore, by turning off the first relay 46 when testing each semiconductor chip, the first resistor 48 can be separated from the chuck lead wire 40 and the like in the shortest possible time. As a result, the leakage current caused by the static elimination circuit 50 can be suppressed to a minimum, so that the leakage current does not affect the inspection of each semiconductor chip (not shown) on the wafer W or adversely affect each semiconductor chip. This prevents

[その他]
上記実施形態では、追加リード線52(他端部52b)に対して、第2リレー54、第2抵抗56、及び電源58の順番で接続されているが、第2リレー54のオンオフに応じて電流ループCRへの電流Isの供給をオンオフ可能であれば、その順番は特に限定はされない。また、上記実施形態では、除電回路50によるリーク電流を最小に抑えるために、コネクタ44に対して第1リレー46及び第1抵抗48の順番で接続しているが、リーク電流を考慮する必要が無い場合にはコネクタ44に対して第1抵抗48及び第1リレー46の順番で接続してもよい。
[others]
In the above embodiment, the second relay 54, the second resistor 56, and the power source 58 are connected in this order to the additional lead wire 52 (the other end 52b), but depending on whether the second relay 54 is turned on or off, As long as the supply of the current Is to the current loop CR can be turned on and off, the order is not particularly limited. Further, in the above embodiment, in order to minimize the leakage current caused by the static elimination circuit 50, the first relay 46 and the first resistor 48 are connected to the connector 44 in this order, but it is necessary to take leakage current into consideration. If not, the first resistor 48 and the first relay 46 may be connected to the connector 44 in this order.

上記実施形態では、第1抵抗48及び第2抵抗56としてそれぞれ単体の抵抗を例に挙げて説明したが、第1抵抗48及び第2抵抗56が複数の抵抗(抵抗と等価な電子部品、或いは抵抗以外の電子部品を含む)で構成されていてもよい。 In the above embodiment, each of the first resistor 48 and the second resistor 56 is a single resistor. (including electronic components other than resistors).

上記実施形態では、検出回路60により第2抵抗56の電圧を検出しているが、検出回路60により第1抵抗48の電圧を検出し、この電圧検出結果に基づき判定部80による判定と自己診断部82による診断とを行ってもよい。 In the embodiment described above, the voltage of the second resistor 56 is detected by the detection circuit 60, but the voltage of the first resistor 48 is detected by the detection circuit 60, and the determination unit 80 makes a determination and self-diagnosis based on this voltage detection result. Diagnosis by the unit 82 may also be performed.

上記実施形態では、電源58が追加リード線52側に接続されているが、電源58が除電回路50に接続されていてもよい。 In the embodiment described above, the power source 58 is connected to the additional lead wire 52 side, but the power source 58 may be connected to the static elimination circuit 50.

上記実施形態では、コネクタ44(チャックリード線40の他端部40b)に、除電回路50の他にテスタ30が接続されている場合を例に挙げて説明したが、テスタ30以外の各種の装置又は計測器等が接続される場合にも本発明を適用することができる。また、ウェハチャック16の除電のみを目的とする場合、コネクタ44に除電回路50のみが接続されていてもよい。 In the above embodiment, the case where the tester 30 is connected to the connector 44 (the other end 40b of the chuck lead wire 40) in addition to the static elimination circuit 50 has been described as an example. Alternatively, the present invention can also be applied when a measuring device or the like is connected. Further, when the purpose is only to eliminate static electricity from the wafer chuck 16, only the static elimination circuit 50 may be connected to the connector 44.

9…ウェハテストシステム,
10…プローバ,
16…ウェハチャック,
16a…支持面,
30…テスタ,
40…チャックリード線,
42…追加回路,
44…コネクタ,
46…第1リレー,
48…第1抵抗,
50…除電回路,
52…追加リード線,
54…第2リレー,
56…第2抵抗,
58…電源,
60…検出回路,
62…統括制御部,
80…判定部,
82…自己診断部
9...Wafer test system,
10...Prober,
16...Wafer chuck,
16a...support surface,
30...Tester,
40...Chuck lead wire,
42...Additional circuit,
44...Connector,
46...first relay,
48...first resistor,
50... Static elimination circuit,
52...Additional lead wire,
54...Second relay,
56...Second resistance,
58...Power supply,
60...detection circuit,
62...General control unit,
80...judgment section,
82...Self-diagnosis section

Claims (2)

ウェハの裏面に形成された半導体チップの裏面電極に接触するプローバのウェハチャックの導電性の支持面に対して電気的に接続される配線の導通検査装置において、
前記支持面に接続される前記配線の一端部とは反対側の他端部に接続されたリレーであって且つ接地されたリレーと、
前記支持面に接続された追加配線と、
前記追加配線に接続された電流ループ形成部であって、少なくとも電源を備え、且つ前記配線、前記追加配線、前記リレー、及び前記電源を少なくとも含む電流ループを形成する電流ループ形成部と、
前記電源からの電流が前記電流ループを流れるか否かの判定を行う判定部と、
を備える導通検査装置。
In a continuity testing device for wiring that is electrically connected to a conductive support surface of a wafer chuck of a prober that contacts a back electrode of a semiconductor chip formed on the back surface of a wafer,
a relay connected to the other end opposite to one end of the wiring connected to the support surface and grounded;
additional wiring connected to the support surface;
a current loop forming unit connected to the additional wiring, which is provided with at least a power source and forms a current loop including at least the wiring, the additional wiring, the relay, and the power source;
a determination unit that determines whether or not a current from the power source flows through the current loop;
A continuity testing device comprising:
半導体チップが複数形成されたウェハを保持するウェハチャックであって、且つ前記ウェハの裏面に形成された前記半導体チップの裏面電極に接触する導電性の支持面を有するウェハチャックと、
前記ウェハの表面に形成された前記半導体チップの表面電極に接触するプローブと、
請求項1記載の導通検査装置と、
を備えるプローバ。
A wafer chuck that holds a wafer on which a plurality of semiconductor chips are formed, the wafer chuck having a conductive support surface that contacts a back electrode of the semiconductor chip formed on the back surface of the wafer;
a probe that contacts a surface electrode of the semiconductor chip formed on the surface of the wafer;
A continuity testing device according to claim 1;
A prober equipped with.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7051927B2 (en) * 2020-03-31 2022-04-11 矢崎総業株式会社 Inspection device for terminal processing unit of shielded wire and functional diagnosis method for the inspection device
CN112967955B (en) * 2021-02-04 2023-09-19 长江存储科技有限责任公司 Method for detecting failure of electrostatic discharge pin of semiconductor device and semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970893B2 (en) 1992-12-15 1999-11-02 東京エレクトロン株式会社 Inspection device
JP2003218175A (en) 2002-01-23 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd Discharging mechanism for mounting base and inspection device
JP4068127B2 (en) 2006-11-01 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Static elimination device, static elimination method, and program recording medium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007205969A (en) * 2006-02-03 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Probe card for inspecting semiconductor device, and method of removing electric charge in semiconductor inspection system
JP2010040856A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Sanyo Electric Co Ltd Probing apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2970893B2 (en) 1992-12-15 1999-11-02 東京エレクトロン株式会社 Inspection device
JP2003218175A (en) 2002-01-23 2003-07-31 Tokyo Electron Ltd Discharging mechanism for mounting base and inspection device
JP4068127B2 (en) 2006-11-01 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Static elimination device, static elimination method, and program recording medium

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