JP7417018B2 - Processing equipment and method - Google Patents

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Description

本発明は加工装置及び方法に係り、半導体装置又は電子部品等が形成されたウェーハ等の被加工物(ワーク)のダイシングを行う加工装置及び方法に関する。 The present invention relates to a processing apparatus and method, and more particularly, to a processing apparatus and method for dicing a workpiece such as a wafer on which a semiconductor device, an electronic component, or the like is formed.

シリコン等のウェーハの内部に集光点を合わせてレーザ光を分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってウェーハ内部に切断の起点となるレーザ加工領域を形成するレーザ加工装置(レーザダイシング装置)が知られている(例えば、特許文献1)。レーザ加工領域が形成されたウェーハは、その後、エキスパンド又はブレーキングといった割断プロセスによって分割予定ラインに沿って割断されて個々のチップに分断される。 Laser processing equipment (laser processing equipment) that aligns the condensing point inside a silicon wafer and irradiates laser light along the planned dividing line to form a laser processing area that will be the starting point for cutting inside the wafer along the planned dividing line. dicing apparatus) is known (for example, Patent Document 1). The wafer on which the laser processing region has been formed is then cut into individual chips by a cutting process such as expanding or breaking along the planned dividing line.

特開2016-195265号公報Japanese Patent Application Publication No. 2016-195265 特開2019-149541号公報Japanese Patent Application Publication No. 2019-149541

一般に、レーザ加工装置では、ウェーハ1枚ごとに、加工準備(ウェーハのロード及びアライメント)→加工動作→後処理(検査及びアンロード)の順番で処理が行われる。しかしながら、ウェーハ1枚ごとに上記の一連の処理を繰り返し行うとすると、処理に時間がかかり、生産効率が低下するという問題がある。 Generally, in a laser processing apparatus, processing is performed for each wafer in the order of processing preparation (wafer loading and alignment) -> processing operation -> post-processing (inspection and unloading). However, if the series of processes described above are repeated for each wafer, there is a problem that the process takes time and production efficiency decreases.

レーザ加工装置の生産効率を向上させるためには、処理全体の実行時間を短縮することが好ましい。処理全体の実行時間を短縮する場合、具体的には、「加工動作時間の短縮」及び「加工以外の処理時間の短縮」を行う。 In order to improve the production efficiency of laser processing equipment, it is preferable to shorten the execution time of the entire process. To shorten the execution time of the entire process, specifically, "reducing machining operation time" and "reducing processing time other than machining" are performed.

まず、「加工動作時間の短縮」を実現するためには、加工速度及び加速度を上げる必要がある。しかしながら、加工速度及び加速度を上げるためには次の課題がある。
(1)ウェーハ等の相対移動に用いられるモータの大型化
(2)オートフォーカスの高レスポンス化
(3)レーザの高出力化、高繰り返し周波数化
(4)加速度の向上に伴う装置の振動の増加
上記(1)から(4)のうち、(2)のオートフォーカスのレスポンスは、(4)のレーザ加工装置の振動の影響により低下し得る。このため、オートフォーカスのレスポンスの大幅な改善は困難である。
First, in order to "reduce machining operation time", it is necessary to increase machining speed and acceleration. However, there are the following issues in increasing the machining speed and acceleration.
(1) Larger motors used for relative movement of wafers, etc. (2) Higher autofocus response (3) Higher laser output and higher repetition frequency (4) Increased equipment vibration due to increased acceleration Among the above (1) to (4), the autofocus response in (2) may be reduced due to the influence of vibration of the laser processing device (4). Therefore, it is difficult to significantly improve autofocus response.

次に、「加工以外の処理時間の短縮」を実現するためには、ウェーハ搬送系の高速化、ステージ送り速度の向上、アライメント動作の最適化等が挙げられる。しかしながら、これらの手法では処理時間を劇的に短縮することは難しい。 Next, in order to achieve ``shortening of processing time other than processing'', examples include increasing the speed of the wafer transport system, increasing the stage feed speed, and optimizing the alignment operation. However, with these methods, it is difficult to dramatically shorten processing time.

ところで、加工以外の処理(例えば、検査)を行っている間、レーザ加工用光学ユニット(加工装置)は停止する。レーザ加工装置の価格の大部分を占める加工装置のダウンタイムが長くなると、レーザ加工装置の対費用効果が下がってしまう。 By the way, while processing other than processing (for example, inspection) is being performed, the laser processing optical unit (processing device) is stopped. If the downtime of the processing equipment, which accounts for most of the cost of the laser processing equipment, becomes longer, the cost effectiveness of the laser processing equipment will decrease.

生産効率が向上し短時間で大量の加工が可能になると、加工不良等の検査が重要になる。多数の製品に対して加工不良等の検査を厳格に行う場合、加工状態の検査(内部亀裂の測定など)に要する時間が長くなることが予想される。 As production efficiency improves and it becomes possible to process a large amount of products in a short period of time, inspection for defects in processing becomes important. If a large number of products are to be rigorously inspected for defects in processing, etc., it is expected that the time required to inspect the processing conditions (measuring internal cracks, etc.) will be longer.

レーザ加工装置の生産効率を向上させるため、複数のステージ(ウェーハテーブル)において、加工及び検査をそれぞれ実行可能とした装置が提案されている(特許文献2参照)。 In order to improve the production efficiency of a laser processing apparatus, an apparatus has been proposed in which processing and inspection can be performed respectively on a plurality of stages (wafer tables) (see Patent Document 2).

特許文献2に記載のレーザ加工装置(レーザダイシング装置)では、レーザ加工装置の重量に対してステージ及びその駆動装置の重量が締める割合が高い。このため、ステージが移送する場合に振動が生じ、レーザ加工及び検査の精度に影響を与える。 In the laser processing apparatus (laser dicing apparatus) described in Patent Document 2, the weight of the stage and its driving device has a high proportion to the weight of the laser processing apparatus. Therefore, vibration occurs when the stage is moved, which affects the accuracy of laser processing and inspection.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ワークの加工及び検査を行う場合における加工装置のダウンタイムを短縮し、かつ、振動を抑制することが可能な加工装置及び方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a processing device and method capable of shortening the downtime of the processing device and suppressing vibration when processing and inspecting a workpiece. The purpose is to

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る加工装置は、第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、加工手段とは独立して第2方向に移動可能に構成され、複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、一のステージ又は他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段とを備える。 In order to solve the above problems, a processing device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of stages configured to be movable independently of each other in a first direction, and a plurality of stages configured to be movable independently of each other in a first direction, and in a second direction perpendicular to the first direction. A processing means is configured to be movable and processes a first workpiece held on one of the plurality of stages; an inspection means for inspecting a second workpiece held on another stage; at least one counterweight configured to be movable in a first direction; and an inspection means for inspecting a second workpiece held on another stage; counterweight control means for moving the at least one counterweight in a restraining manner.

本発明の第2の態様に係る加工装置は、第1の態様において、カウンターウェイト制御手段は、一のステージ又は他のステージの移動方向と逆向きに少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる。 In the processing apparatus according to the second aspect of the present invention, in the first aspect, the counterweight control means moves at least one counterweight in a direction opposite to the moving direction of one stage or the other stage.

本発明の第3の態様に係る加工装置は、第1の態様において、カウンターウェイト制御手段は、一のステージ又は他のステージのうち加工手段に対向するステージの移動方向と逆向きに少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる。 In the processing apparatus according to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the counterweight control means moves at least one of the one stage or the other stage in a direction opposite to the moving direction of the stage facing the processing means. Move the counterweight.

本発明の第4の態様に係る加工装置は、第1から第3の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージの第2ステージが配置される側とは反対側に配置された第1カウンターウェイトと、第2ステージの第1ステージが配置される側とは反対側に配置された第2カウンターウェイトとを含む。 In the processing apparatus according to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction, and at least One counterweight is a first counterweight placed on the opposite side of the first stage to the side where the second stage is placed, and one counterweight placed on the side of the second stage opposite to the side where the first stage is placed. and a second counterweight.

本発明の第5の態様に係る加工装置は、第1から第4の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージと第2ステージとの間に配置された第3カウンターウェイトを含む。 In the processing apparatus according to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction, and at least One counterweight includes a third counterweight disposed between the first stage and the second stage.

本発明の第6の態様に係る加工装置は、第1から第3の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージの両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトと、第2ステージの両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトとを含む。 In the processing apparatus according to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction, and at least One counterweight includes a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage and a pair of second stage side counterweights arranged on both sides of the second stage.

本発明の第7の態様に係る加工装置は、第1から第6の態様のいずれかにおいて、加工手段は、ワークをレーザ加工する。 In the processing apparatus according to the seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the processing means processes the workpiece with a laser beam.

本発明の第8の態様に係る加工方法は、複数のステージのうち一のステージに対向する位置に加工手段を移動させるステップと、複数のステージのうち他のステージに対向する位置に検査手段を移動させるステップと、加工手段に対して一のステージを移動させながら、一のステージに保持された第1のワークを加工手段により加工するステップと、検査手段に対して他のステージを移動させながら、他のステージに保持された第2のワークを検査手段により検査するステップと、一のステージ又は他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップとを含む。 A processing method according to an eighth aspect of the present invention includes the steps of moving a processing means to a position facing one of the plurality of stages, and moving an inspection means to a position facing another stage among the plurality of stages. a step of moving one stage relative to the processing means, processing a first workpiece held on the one stage by the processing means; and a step of moving the other stage relative to the inspection means. , a step of inspecting a second workpiece held on another stage by an inspection means, and a step of moving at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of one stage or the other stage. include.

本発明によれば、ワークの加工及び検査を行う場合における加工装置のダウンタイムを短縮することができ、かつ、振動を抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to shorten the downtime of a processing device when processing and inspecting a workpiece, and it is also possible to suppress vibration.

図1は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図5は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの加工及び検査を行う場合の平面図である。FIG. 5 is a plan view when wafers are processed and inspected in the first and second stages, respectively. 図6は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの検査及び加工を行う場合の平面図である。FIG. 6 is a plan view when wafers are inspected and processed in the first and second stages, respectively. 図7は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工の手順を示すタイミングチャートである。FIG. 7 is a timing chart showing the procedure of laser processing according to the first embodiment of the present invention. 図8は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図9は、本発明の第3の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. 図10は、本発明の第4の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. 図11は、カウンターウェイトの数とレーザ加工装置の変位の関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the number of counterweights and the displacement of the laser processing device.

以下、添付図面に従って本発明に係る加工装置及び方法の実施の形態について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a processing apparatus and method according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施形態]
(加工装置)
図1から図3は、それぞれ本発明の第1の実施形態に係る加工装置(レーザ加工装置)を示す平面図、正面図及び側面図である。以下の説明では、3次元直交座標系を用いて説明する。
[First embodiment]
(Processing equipment)
1 to 3 are a plan view, a front view, and a side view, respectively, showing a processing device (laser processing device) according to a first embodiment of the present invention. In the following description, a three-dimensional orthogonal coordinate system will be used.

図1から図3に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10は、第1ステージ14-1、第2ステージ14-2、加工部28及び検査部30を含んでいる。レーザ加工装置10は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2において、ワーク(ウェーハ)の加工及び検査を並行して(例えば、同時進行で)実行可能となっている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the laser processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a first stage 14-1, a second stage 14-2, a processing section 28, and an inspection section 30. The laser processing apparatus 10 is capable of processing and inspecting a workpiece (wafer) in parallel (for example, simultaneously) on the first stage 14-1 and the second stage 14-2.

レーザ加工装置10は、水平面(XY平面)に平行なベース12上に設けられている。ベース12は、レーザ加工装置10の基準平面を形成する。 The laser processing device 10 is provided on a base 12 parallel to a horizontal plane (XY plane). The base 12 forms a reference plane of the laser processing device 10.

第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2(以下、Xステージともいう。)は、Y方向(第2方向)に並べて配置(並設)されており、それぞれX方向(第1方向)に伸びるX1軸及びX2軸に沿って移動可能に取り付けられている。ここで、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2を移動させるための機構としては、例えば、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2にそれぞれ設けられたナット及びそのナットに螺合するボールねじを含むボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等の、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をそれぞれX方向に往復直線運動させることが可能な機構を用いることが可能である。 The first stage 14-1 and the second stage 14-2 (hereinafter also referred to as X stage) are arranged (parallel) in the Y direction (second direction), and each is arranged in the X direction (first direction). It is attached so that it can move along the X1 axis and the X2 axis that extend to . Here, the mechanism for moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 includes, for example, a nut provided on the first stage 14-1 and the second stage 14-2, and a mechanism for moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2. A mechanism capable of linearly reciprocating the first stage 14-1 and second stage 14-2 in the X direction, such as a ball screw mechanism including a screwed ball screw, a linear motor, or a rack and pinion mechanism, is used. Is possible.

第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2には、それぞれθステージ16-1及び16-2が取り付けられている。θステージ16-1及び16-2には、ウェーハチャックC1及びC2がそれぞれ取り付けられている。θステージ16-1及び16-2は、ウェーハチャックC1及びC2を、それぞれの回転軸(例えば、中心軸)の周り(θ方向)に回転させる。 θ stages 16-1 and 16-2 are attached to the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. Wafer chucks C1 and C2 are attached to the θ stages 16-1 and 16-2, respectively. The θ stages 16-1 and 16-2 rotate the wafer chucks C1 and C2 around their respective rotation axes (eg, central axes) (in the θ direction).

ウェーハチャックC1及びC2の表面には、エアを吸引するための吸引孔が形成されている。ウェーハチャックC1及びC2は、レーザ加工の対象としてレーザ加工装置10内に搬入されたウェーハW1及びW2をそれぞれ吸着保持する。 Suction holes for sucking air are formed on the surfaces of the wafer chucks C1 and C2. The wafer chucks C1 and C2 suck and hold the wafers W1 and W2, respectively, which have been carried into the laser processing apparatus 10 as targets for laser processing.

上記の通り、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2は、相互に同様の構成を有している。このため、以下の説明において、第1ステージ14-1側及び第2ステージ14-2側の双方に共通する構成及び動作については、枝番を省略してまとめて説明する場合がある。 As described above, the first stage 14-1 and the second stage 14-2 have similar configurations. Therefore, in the following description, configurations and operations that are common to both the first stage 14-1 side and the second stage 14-2 side may be explained together with branch numbers omitted.

ベース12の上方には、Yベース18が設けられている。Yベース18は、Y方向に沿う基準平面を形成する。Yベース18は、ベース12からZ方向に伸びる支柱によって支持されている。Yベース18には、それぞれY方向に伸びるY1軸及びY2軸が取りつけられている。図2及び図3に示すように、Y1軸は、Y2軸に対して+Z方向及び+X方向にずらして配置されている。 A Y base 18 is provided above the base 12. The Y base 18 forms a reference plane along the Y direction. The Y base 18 is supported by a column extending from the base 12 in the Z direction. A Y1 axis and a Y2 axis extending in the Y direction are attached to the Y base 18, respectively. As shown in FIGS. 2 and 3, the Y1 axis is shifted from the Y2 axis in the +Z direction and the +X direction.

Y1軸及びY2軸には、それぞれ加工用Y軸移動ステージ20及び検査用Y軸移動ステージ24(以下、Yステージ20及び24という。)が取り付けられている。 A processing Y-axis moving stage 20 and an inspection Y-axis moving stage 24 (hereinafter referred to as Y stages 20 and 24) are attached to the Y1 axis and the Y2 axis, respectively.

Yステージ20には、加工用Z軸移動ステージ(以下、Zステージという。)22を介して加工部28が取り付けられている。加工部(加工手段)28は、Yステージ20及びZステージ22により、それぞれYZ方向に移動可能となっている。Yステージ20及びZステージ22としては、加工部28をそれぞれYZ方向に往復直線運動させることが可能な機構(例えば、ボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等)を用いることが可能である。 A processing section 28 is attached to the Y stage 20 via a processing Z-axis moving stage (hereinafter referred to as "Z stage") 22. The processing section (processing means) 28 is movable in the YZ direction by a Y stage 20 and a Z stage 22, respectively. As the Y stage 20 and the Z stage 22, it is possible to use a mechanism (for example, a ball screw mechanism, a linear motor, a rack and pinion mechanism, etc.) that allows the processing section 28 to reciprocate and linearly move in the YZ direction, respectively. .

Yステージ24には、検査用Z軸移動ステージ(以下、Zステージという。)26を介して検査部30が取り付けられている。検査部(検査手段)30は、Yステージ24及びZステージ26により、それぞれYZ方向に移動可能となっている。Yステージ24及びZステージ26としては、検査部30をそれぞれYZ方向に往復直線運動させることが可能な機構(例えば、ボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等)を用いることが可能である。 An inspection section 30 is attached to the Y stage 24 via an inspection Z-axis moving stage (hereinafter referred to as Z stage) 26 . The inspection section (inspection means) 30 is movable in the YZ direction by a Y stage 24 and a Z stage 26, respectively. As the Y stage 24 and the Z stage 26, it is possible to use a mechanism (for example, a ball screw mechanism, a linear motor, a rack and pinion mechanism, etc.) that allows the inspection section 30 to reciprocate linearly in the YZ direction. .

加工部28は、レーザ加工用光学ユニット(以下、加工ユニットという。)28A及びアライメント用光学ユニット(以下、光学ユニットという。)28Bを含んでいる。加工ユニット28Aと光学ユニット28Bとは、一体としてYZ方向に移動可能となっている。 The processing section 28 includes an optical unit for laser processing (hereinafter referred to as a processing unit) 28A and an optical unit for alignment (hereinafter referred to as an optical unit) 28B. The processing unit 28A and the optical unit 28B are movable as a unit in the YZ direction.

加工ユニット28Aは、レーザ発振器及び集光レンズを含んでおり(特開2004-111946号公報参照)、レーザ発振器から出力されたレーザ光を、集光レンズによりウェーハW(W1又はW2)の内部に集光させる。これにより、ウェーハWの内部に、ウェーハWの切断の起点となるレーザ加工領域が形成される。 The processing unit 28A includes a laser oscillator and a condensing lens (see Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-111946), and directs the laser beam output from the laser oscillator into the inside of the wafer W (W1 or W2) using the condensing lens. Focus the light. As a result, a laser processing region is formed inside the wafer W, which serves as a starting point for cutting the wafer W.

光学ユニット28Bは、ウェーハWの画像を撮像する撮像素子(例えば、ヒ化インジウムガリウム(InGaAs)フォトダイオード又はCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ)を含んでいる。制御装置50(図4参照)は、光学ユニット28Bにより撮像したウェーハWの画像からアライメントパターンの位置を検出し、X駆動部54、θ駆動部56、Y駆動部60及びZ駆動部62を制御して、加工ユニット28AとウェーハWとのアライメントを行う。 The optical unit 28B includes an image sensor (for example, an indium gallium arsenide (InGaAs) photodiode or a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor) that captures an image of the wafer W. The control device 50 (see FIG. 4) detects the position of the alignment pattern from the image of the wafer W taken by the optical unit 28B, and controls the X drive unit 54, the θ drive unit 56, the Y drive unit 60, and the Z drive unit 62. Then, the processing unit 28A and the wafer W are aligned.

検査部30は、検査用光学ユニット(以下、検査ユニットという。)30A及びアライメント用光学ユニット(以下、光学ユニットという。)30Bを含んでいる。検査ユニット30Aと光学ユニット30Bとは、一体としてYZ方向に移動可能となっている。 The inspection section 30 includes an inspection optical unit (hereinafter referred to as an inspection unit) 30A and an alignment optical unit (hereinafter referred to as an optical unit) 30B. The inspection unit 30A and the optical unit 30B are movable as a unit in the YZ direction.

検査ユニット30Aは、レーザ加工領域から伸展した亀裂の長さの測定を行う。検査ユニット30Aとしては、例えば、特開2017-133997号公報に記載の亀裂検出装置を適用することが可能である。 The inspection unit 30A measures the length of the crack extending from the laser processing area. As the inspection unit 30A, for example, it is possible to apply a crack detection device described in Japanese Patent Application Publication No. 2017-133997.

光学ユニット30Bは、ウェーハWの画像を撮像する撮像素子(例えば、ヒ化インジウムガリウム(InGaAs)フォトダイオード又はCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ)を含んでいる。制御装置50は、光学ユニット30Bにより撮像したウェーハWの画像からアライメントパターンの位置を検出し、X駆動部54、θ駆動部56、Y駆動部64及びZ駆動部66を制御して、検査ユニット30AとウェーハWとのアライメントを行う。 The optical unit 30B includes an image sensor (for example, an indium gallium arsenide (InGaAs) photodiode or a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor) that captures an image of the wafer W. The control device 50 detects the position of the alignment pattern from the image of the wafer W captured by the optical unit 30B, controls the X drive unit 54, the θ drive unit 56, the Y drive unit 64, and the Z drive unit 66, and controls the inspection unit. 30A and the wafer W are aligned.

なお、本実施形態に係るレーザ加工装置10では、Yステージ20及び24の位置関係から、加工部28が検査部30よりも+X側に配置されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、検査部30が加工部28よりも+X側に配置されていてもよい。 Note that in the laser processing apparatus 10 according to the present embodiment, the processing section 28 is disposed on the +X side relative to the inspection section 30 due to the positional relationship between the Y stages 20 and 24, but the present invention is not limited thereto. For example, the inspection section 30 may be arranged on the +X side with respect to the processing section 28.

ベース12上には、カウンターウェイトCW1~CW3が配置されている。カウンターウェイトCW1~CW3は、それぞれX方向に伸びるガイドレールG1~G3に沿って移動可能となっている。 On the base 12, counterweights CW1 to CW3 are arranged. The counterweights CW1 to CW3 are movable along guide rails G1 to G3 extending in the X direction, respectively.

図1に示すように、ベース12上では、+Y側から、カウンターウェイトCW1、第1ステージ14-1、カウンターウェイトCW3、第2ステージ14-2及びカウンターウェイトCW2の順番で配置されている。カウンターウェイトCW1~CW3及びガイドレールG1~G3は、X1軸及びX2軸に沿って第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2を移動させる場合に発生するレーザ加工装置10の振動を抑制するための制振機構58(図4から図7参照)として機能する。 As shown in FIG. 1, the counterweight CW1, first stage 14-1, counterweight CW3, second stage 14-2, and counterweight CW2 are arranged in this order from the +Y side on the base 12. The counterweights CW1 to CW3 and the guide rails G1 to G3 suppress vibrations of the laser processing device 10 that occur when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 along the X1 axis and the X2 axis. It functions as a vibration damping mechanism 58 (see FIGS. 4 to 7).

ここで、カウンターウェイトCW1~CW3の重量は、X1軸及びX2軸に沿って第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をそれぞれ移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すことができるように調整されている。第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2に対して外側に配置されたカウンターウェイトCW1及びCW2と、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2に対して内側に配置されたカウンターウェイトCW3の重量は異なっていてもよい。 Here, the weights of the counterweights CW1 to CW3 are set such that they can cancel out the rotational moment that occurs when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 along the X1 axis and the X2 axis, respectively. It has been adjusted. Counter weights CW1 and CW2 placed outside of the first stage 14-1 and second stage 14-2, and counters placed inside of the first stage 14-1 and second stage 14-2. The weight of weight CW3 may be different.

なお、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2を移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すことができるように、カウンターウェイトCW1~CW3と、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2との間の位置関係(例えば、Y方向の距離又はZ方向の高さ)を調整するようにしてもよい。 In addition, counterweights CW1 to CW3 and the first stage 14-1 and the second stage 14 are used to cancel the rotational moment that occurs when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2. -2 (for example, the distance in the Y direction or the height in the Z direction) may be adjusted.

(レーザ加工装置の制御系)
図4は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。
(Control system of laser processing equipment)
FIG. 4 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

図4に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10は、制御装置50、入出力部52、X駆動部54-1、54-2、θ駆動部56-1、56-2、制振機構58、Y駆動部60、Z駆動部62、Y駆動部64及びZ駆動部66を含んでいる。 As shown in FIG. 4, the laser processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a control device 50, an input/output section 52, X drive sections 54-1, 54-2, θ drive sections 56-1, 56-2, It includes a vibration mechanism 58, a Y drive section 60, a Z drive section 62, a Y drive section 64, and a Z drive section 66.

制御装置50は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、ストレージデバイス(例えば、ハードディスク等)等を含んでいる。制御装置50では、ROMに記憶されている制御プログラム等の各種プログラムがRAMに展開され、RAMに展開されたプログラムがCPUによって実行されることにより、レーザ加工装置10の各部の機能が実現される。 The control device 50 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), a storage device (for example, a hard disk, etc.), and the like. In the control device 50, various programs such as a control program stored in the ROM are expanded to the RAM, and the programs expanded to the RAM are executed by the CPU, thereby realizing the functions of each part of the laser processing device 10. .

入出力部52は、ユーザからの操作入力を受け付けるための操作部材(例えば、キーボード、ポインティングデバイス等)、及びレーザ加工装置10の操作のためのGUI(Graphical User Interface)等を表示する装置(例えば、液晶ディスプレイ)等を含んでいる。 The input/output unit 52 includes an operating member (for example, a keyboard, a pointing device, etc.) for receiving operation input from a user, and a device (for example, a graphical user interface) for displaying a GUI (Graphical User Interface) for operating the laser processing apparatus 10. , liquid crystal display), etc.

X駆動部54-1及び54-2は、それぞれ、X1軸及びX2軸に取り付けられた第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をX方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。X駆動部54-1及び54-2は、第1の駆動装置の一例である。 The X drive units 54-1 and 54-2 are power sources (for example, motors) for moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 attached to the X1 axis and the X2 axis, respectively, in the X direction. ). The X drive units 54-1 and 54-2 are an example of a first drive device.

θ駆動部56-1及び56-2は、それぞれ、θステージ16-1及び16-2に取り付けられたウェーハチャックC1及びC2をθ方向に回転させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The θ drive units 56-1 and 56-2 include power sources (for example, motors) for rotating the wafer chucks C1 and C2 attached to the θ stages 16-1 and 16-2, respectively, in the θ direction. There is.

Y駆動部60は、Zステージ22を介してYステージ20に取り付けられた加工部28をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Y drive section 60 includes a power source (for example, a motor) for moving the processing section 28 attached to the Y stage 20 via the Z stage 22 in the Y direction.

Z駆動部62は、Zステージ22に取り付けられた加工部28をZ方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Z drive section 62 includes a power source (for example, a motor) for moving the processing section 28 attached to the Z stage 22 in the Z direction.

Y駆動部64は、Zステージ26を介してYステージ24に取り付けられた検査部30をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Y drive section 64 includes a power source (for example, a motor) for moving the inspection section 30 attached to the Y stage 24 via the Z stage 26 in the Y direction.

Z駆動部66は、Zステージ26に取り付けられた検査部30をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Z drive section 66 includes a power source (for example, a motor) for moving the inspection section 30 attached to the Z stage 26 in the Y direction.

上記のY駆動部60及び64並びにZ駆動部62及び66は、第2の駆動装置の一例である。 The Y drive units 60 and 64 and the Z drive units 62 and 66 described above are examples of the second drive device.

制振機構58は、カウンターウェイトCW1~CW3を、それぞれガイドレールG1~G3に沿って移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。制振機構58は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動の向き、移動量、移動速度及び移動加速度に応じて、カウンターウェイトCW1~CW3を移動の向き、移動量、移動速度及び移動加速度を制御する。これにより、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2を移動させる場合に発生するレーザ加工装置10の振動を抑制することができる。ここで、カウンターウェイトCW1~CW3は、それぞれ第1から第3カウンターウェイトの一例であり、制御装置50及び制振機構58は、カウンターウェイト制御手段の一例である。 The damping mechanism 58 includes a power source (eg, a motor) for moving the counterweights CW1 to CW3 along the guide rails G1 to G3, respectively. The vibration damping mechanism 58 controls the movement direction, movement amount, and movement acceleration of the counterweights CW1 to CW3 according to the movement direction, movement amount, movement speed, and movement acceleration of the first stage 14-1 and the second stage 14-2. Control speed and movement acceleration. Thereby, vibrations of the laser processing apparatus 10 that occur when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 can be suppressed. Here, the counterweights CW1 to CW3 are examples of first to third counterweights, respectively, and the control device 50 and the vibration damping mechanism 58 are examples of counterweight control means.

(加工方法)
次に、レーザ加工時における制振機構58の制御について、図5から図7を参照して説明する。
(Processing method)
Next, control of the vibration damping mechanism 58 during laser processing will be explained with reference to FIGS. 5 to 7.

以下の説明では、ウェーハW0,W1,W2,W3,…,W(2i-1),W(2i),…に対して、レーザ加工及び検査を順次実施する例について説明する。なお、i=1,2,3,…である。ウェーハW1,W3,…,W(2i-1),…は第1ステージ14-1において処理され、ウェーハW0,W2,…,W(2i),…は第2ステージ14-2において処理される。すなわち、まず、ウェーハW0及びW1がそれぞれ第2ステージ14-2及び第1ステージ14-1にロードされ、ウェーハW0のレーザ加工が行われる。次に、第2ステージ14-2におけるウェーハW0の検査と、第1ステージ14-1におけるウェーハW1のレーザ加工が並行して行われる。 In the following description, an example will be described in which laser processing and inspection are sequentially performed on wafers W0, W1, W2, W3, . . . , W(2i-1), W(2i), . Note that i=1, 2, 3, . . . Wafers W1, W3,..., W(2i-1),... are processed at the first stage 14-1, and wafers W0, W2,..., W(2i),... are processed at the second stage 14-2. . That is, first, wafers W0 and W1 are loaded onto the second stage 14-2 and first stage 14-1, respectively, and laser processing of the wafer W0 is performed. Next, inspection of the wafer W0 at the second stage 14-2 and laser processing of the wafer W1 at the first stage 14-1 are performed in parallel.

図5は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの加工及び検査を行う場合の平面図であり、図6は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの検査及び加工を行う場合の平面図である。 FIG. 5 is a plan view when wafers are processed and inspected in the first and second stages, respectively, and FIG. 6 is a plan view when wafers are inspected and processed in the first and second stages, respectively. be.

図5に示す例では、第1ステージ14-1において、ウェーハW1に対するレーザ加工を行い、第2ステージ14-2において、レーザ加工後のウェーハW0に対する検査を行う。この場合、まず、制御装置50は、加工部28及び検査部30のY方向の位置をそれぞれ第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2のY方向の位置に応じて移動させる。すなわち、制御装置50は、加工部28及び検査部30をそれぞれ第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2に対向させるように移動させる。 In the example shown in FIG. 5, the first stage 14-1 performs laser processing on the wafer W1, and the second stage 14-2 performs inspection on the wafer W0 after the laser processing. In this case, first, the control device 50 moves the positions of the processing section 28 and the inspection section 30 in the Y direction according to the positions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the Y direction, respectively. That is, the control device 50 moves the processing section 28 and the inspection section 30 so as to face the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively.

さらに、制御装置50は、加工部28及び検査部30のX方向の位置に応じて、第1ステージ14-1を+X側に、第2ステージ14-2を-X側に移動させる。制御装置50は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をX方向に移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すように、制振機構58を制御してカウンターウェイトCW1~CW3を移動させる。 Further, the control device 50 moves the first stage 14-1 to the +X side and the second stage 14-2 to the -X side, depending on the positions of the processing section 28 and the inspection section 30 in the X direction. The control device 50 controls the vibration damping mechanism 58 to move the counterweights CW1 to CW3 so as to cancel the rotational moment generated when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the X direction. let

図5に示す例では、第1ステージ14-1が+X側に移動するのに対して、第1ステージ14-1を挟んで配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を逆方向(-X側)に移動させる。そして、加工及び検査時の第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の動作に応じてカウンターウェイトCW1~CW3を動作させて、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すことができる。 In the example shown in FIG. 5, while the first stage 14-1 moves to the +X side, the counterweights CW1 and CW3 placed across the first stage 14-1 move in the opposite direction (-X side). move it. The rotational moment of the laser processing device 10 can be canceled by operating the counterweights CW1 to CW3 in accordance with the operations of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 during processing and inspection.

次に、制御装置50は、ウェーハW1に対するレーザ加工と、レーザ加工後のウェーハW0に対する検査とを並行して行う。具体的には、制御装置50は、X駆動部54-1、θ駆動部56-1、Y駆動部60並びにZ駆動部62を制御して、第1ステージ14-1と加工部28とを相対移動させながら、ウェーハW1の分割予定ラインに沿ってレーザ加工を行い、レーザ加工領域を形成する。また、制御装置50は、X駆動部54-2、θ駆動部56-2、Y駆動部64並びにZ駆動部66を制御して、第2ステージ14-2と検査部30とを相対移動させながら、ウェーハW0に形成されたレーザ加工領域の検査(亀裂の長さの測定)を行う。 Next, the control device 50 performs laser processing on the wafer W1 and inspection on the wafer W0 after the laser processing in parallel. Specifically, the control device 50 controls the X drive section 54-1, the θ drive section 56-1, the Y drive section 60, and the Z drive section 62 to move the first stage 14-1 and the processing section 28. While relatively moving, laser processing is performed along the planned dividing line of the wafer W1 to form a laser processing area. Further, the control device 50 controls the X drive section 54-2, the θ drive section 56-2, the Y drive section 64, and the Z drive section 66 to relatively move the second stage 14-2 and the inspection section 30. Meanwhile, the laser processing area formed on the wafer W0 is inspected (the length of the crack is measured).

次に、ウェーハW0は、検査が終了すると、不図示のハンドラアームにより、レーザ加工装置10から搬出(アンロード)される。そして、次のウェーハW2が、不図示のハンドラアームによりレーザ加工装置10に搬入(ロード)され、ウェーハチャックC2に載置されて吸着保持される。 Next, when the inspection is completed, the wafer W0 is carried out (unloaded) from the laser processing apparatus 10 by a handler arm (not shown). Then, the next wafer W2 is carried (loaded) into the laser processing apparatus 10 by a handler arm (not shown), placed on the wafer chuck C2, and held by suction.

次に、図6に示すように、第1ステージ14-1において、レーザ加工後のウェーハW1に対する検査を行い、第2ステージ14-2において、ウェーハW2に対するレーザ加工を行う。この場合、制御装置50は、加工部28及び検査部30のY方向の位置をそれぞれ第2ステージ14-2及び第1ステージ14-1のY方向の位置に応じて移動させる。 Next, as shown in FIG. 6, the wafer W1 after laser processing is inspected at the first stage 14-1, and the wafer W2 is subjected to laser processing at the second stage 14-2. In this case, the control device 50 moves the positions of the processing section 28 and the inspection section 30 in the Y direction according to the positions of the second stage 14-2 and the first stage 14-1 in the Y direction, respectively.

さらに、制御装置50は、加工部28及び検査部30のX方向の位置に応じて、第1ステージ14-1を-X側に、第2ステージ14-2を+X側に移動させる。制御装置50は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をX方向に移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すように、制振機構58を制御してカウンターウェイトCW1~CW3を移動させる。 Further, the control device 50 moves the first stage 14-1 to the -X side and the second stage 14-2 to the +X side, depending on the positions of the processing section 28 and the inspection section 30 in the X direction. The control device 50 controls the vibration damping mechanism 58 to move the counterweights CW1 to CW3 so as to cancel the rotational moment generated when moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the X direction. let

図6に示す例では、第2ステージ14-2が+X側に移動するのに対して、第2ステージ14-2を挟んで配置されたカウンターウェイトCW2及びCW3を逆方向(-X側)に移動させる。そして、加工及び検査時の第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の動作に応じてカウンターウェイトCW1~CW3を動作させて、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すようにしている。これにより、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すことができる。 In the example shown in FIG. 6, while the second stage 14-2 moves to the +X side, the counterweights CW2 and CW3 placed across the second stage 14-2 move in the opposite direction (-X side). move it. The counterweights CW1 to CW3 are operated in accordance with the operations of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 during processing and inspection, thereby canceling out the rotational moment of the laser processing device 10. Thereby, the rotational moment of the laser processing device 10 can be canceled out.

次に、制御装置50は、X駆動部54-1、θ駆動部56-1、Y駆動部64並びにZ駆動部66を制御して、第1ステージ14-1と検査部30とを相対移動させながら、ウェーハW1に形成されたレーザ加工領域の検査を行う。また、制御装置50は、X駆動部54-2、θ駆動部56-2、Y駆動部60並びにZ駆動部62を制御して、第2ステージ14-2と加工部28とを相対移動させながら、ウェーハW2の分割予定ラインに沿ってレーザ加工を行い、レーザ加工領域を形成する。 Next, the control device 50 controls the X drive section 54-1, the θ drive section 56-1, the Y drive section 64, and the Z drive section 66 to relatively move the first stage 14-1 and the inspection section 30. While doing so, the laser processing area formed on the wafer W1 is inspected. Further, the control device 50 controls the X drive section 54-2, the θ drive section 56-2, the Y drive section 60, and the Z drive section 62 to relatively move the second stage 14-2 and the processing section 28. At the same time, laser processing is performed along the planned dividing line of the wafer W2 to form a laser processing area.

なお、本実施形態では、Xステージ14が-X方向に移動するときに、そのXステージ14を挟むように配置されたカウンターウェイト(CW1~CW3)を移動させるようにしたが、本発明はこれに限定されない。移動するXステージ14に最も近い1個のカウンターウェイトを移動させるようにしてもよい。 Note that in this embodiment, when the X stage 14 moves in the -X direction, the counterweights (CW1 to CW3) arranged to sandwich the X stage 14 are moved. but not limited to. One counterweight closest to the moving X stage 14 may be moved.

また、移動するXステージ14の重量、移動速度又は移動加速度と、カウンターウェイト(CW1~CW3)の重量に応じて、カウンターウェイト(CW1~CW3)の移動速度又は移動加速度を調整するようにしてもよい。例えば、Xステージ14の移動時の運動量に応じて、カウンターウェイト(CW1~CW3)の運動量を調整するようにしてもよい。 Further, the moving speed or moving acceleration of the counterweights (CW1 to CW3) may be adjusted according to the weight, moving speed or moving acceleration of the moving X stage 14 and the weight of the counterweights (CW1 to CW3). good. For example, the amount of movement of the counterweights (CW1 to CW3) may be adjusted according to the amount of movement of the X stage 14 during movement.

また、レーザ加工装置10のXY平面における中心又は重心に対して、移動するXステージ14の反対側(例えば、点対称)の位置にあるカウンターウェイト(CW1~CW3)をXステージ14の移動方向と逆方向(例えば、点対称となる方向)に移動可能な構成としてもよい。このとき、Xステージ14の移動時の運動量と、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1~CW3)の中心又は重心からの距離に応じて、カウンターウェイト(CW1~CW3)の運動量を調整するようにしてもよい。 In addition, counterweights (CW1 to CW3) located on the opposite side (for example, point symmetrical) of the moving X stage 14 with respect to the center or center of gravity of the laser processing device 10 in the XY plane are set in the moving direction of the X stage 14. It may be configured to be movable in the opposite direction (for example, in a point-symmetrical direction). At this time, the momentum of the counterweights (CW1 to CW3) is adjusted according to the momentum of the X stage 14 during movement and the distance from the center or center of gravity of the X stage 14 and the counterweights (CW1 to CW3). Good too.

また、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1~CW3)とを同期して移動させるようにしてもよい。すなわち、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1~CW3)の移動の開始及び停止タイミングを一致させるようにしてもよい。 Further, the X stage 14 and the counterweights (CW1 to CW3) may be moved synchronously. That is, the start and stop timings of the movement of the X stage 14 and the counterweights (CW1 to CW3) may be made to coincide with each other.

図7は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工の手順を示すタイミングチャートである。図7において、点線で囲んだ部分は加工部28(加工ユニット28A)を用いるステップを示し、破線で囲んだ部分は検査部30(検査ユニット30A)を用いるステップを示している。また、図7に示す区間P(i-1)におけるレーザ加工装置10の構成の位置関係は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2においてそれぞれ加工及び検査を行う図5に対応し、区間P(i)における位置関係は、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2においてそれぞれ検査及び加工を行う図6に対応している。 FIG. 7 is a timing chart showing the procedure of laser processing according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 7, a portion surrounded by a dotted line indicates a step using the processing section 28 (processing unit 28A), and a portion surrounded by a broken line indicates a step using the inspection section 30 (inspection unit 30A). Moreover, the positional relationship of the configuration of the laser processing apparatus 10 in the section P(i-1) shown in FIG. 7 corresponds to FIG. 5 in which processing and inspection are performed in the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. , the positional relationship in section P(i) corresponds to FIG. 6 where inspection and processing are performed at the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively.

(第2ステージ14-2における処理:ステップS5~S3)
制御装置50は、ステップS5(2(i-1))において、検査部30を用いて、ウェーハW(2(i-1))に形成されたレーザ加工領域の検査を行う(検査ステップ)。このとき、制御装置50は、検査時の動作(第2ステージ14-2の動作)に応じて、第2ステージ14-2を挟んで配置されたカウンターウェイトCW2及びCW3を移動させて、レーザ加工装置10の振動を抑制する。そして、制御装置50は、ウェーハW(2(i-1))の検査が終了すると、検査の結果を記録し、入出力部52を介して出力する。
(Processing in second stage 14-2: steps S5 to S3)
In step S5 (2(i-1)), the control device 50 uses the inspection unit 30 to inspect the laser processing area formed on the wafer W (2(i-1)) (inspection step). At this time, the control device 50 moves the counterweights CW2 and CW3 placed across the second stage 14-2 according to the operation during the inspection (the operation of the second stage 14-2), and performs the laser processing. The vibrations of the device 10 are suppressed. When the inspection of the wafer W (2(i-1)) is completed, the control device 50 records the inspection results and outputs them via the input/output unit 52.

次に、制御装置50は、ウェーハチャックC2へのウェーハW(2(i-1))の吸着状態を解除し、不図示のハンドラアームにより、ウェーハW(2(i-1))をレーザ加工装置10から搬出(アンロード)する(ステップS6(2(i-1)))。 Next, the control device 50 releases the adsorption state of the wafer W (2(i-1)) to the wafer chuck C2, and uses the handler arm (not shown) to laser process the wafer W (2(i-1)). It is carried out (unloaded) from the apparatus 10 (step S6 (2(i-1))).

次に、制御装置50は、ウェーハW(2i)に対する加工準備を行う(ステップS1(2i)~S3(2i))。まず、制御装置50は、不図示のハンドラアームにより、ウェーハW(2i)をレーザ加工装置10に搬入(ロード)する(ステップS1(2i))。 Next, the control device 50 prepares for processing the wafer W (2i) (steps S1 (2i) to S3 (2i)). First, the control device 50 carries (loads) the wafer W (2i) into the laser processing apparatus 10 using a handler arm (not shown) (step S1 (2i)).

次に、制御装置50は、Z駆動部66を制御して検査部30のZ方向高さをセットする(ステップS2(2i))。そして、制御装置50は、光学ユニット30BによりウェーハW(2i)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i)の位置を検出し、アライメント(例えば、θ及びY方向の位置合わせ)を行う(ステップS3(2i))。 Next, the control device 50 controls the Z drive section 66 to set the height of the inspection section 30 in the Z direction (step S2 (2i)). Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i) using the optical unit 30B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i), and performs alignment (for example, in the θ and Y directions). alignment) is performed (step S3 (2i)).

(第1ステージ14-1における処理:ステップS4)
一方、制御装置50は、ステップS5(2(i-1))~S3(2i)と並行して、ステップS4(2i-1)を実施する(加工ステップ)。すなわち、制御装置50は、加工部28を用いて、第1ステージ14-1に吸着保持されたウェーハW(2i-1)に対してレーザ加工を行い、ウェーハW(2i-1)の分割予定ラインに沿ってレーザ加工領域を形成する。このとき、制御装置50は、加工時の動作(第1ステージ14-1の動作)に応じて、第1ステージ14-1を挟んで配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を移動させて、レーザ加工装置10の振動を抑制する。
(Processing in the first stage 14-1: Step S4)
On the other hand, the control device 50 executes step S4 (2i-1) in parallel with steps S5 (2 (i-1)) to S3 (2i) (processing step). That is, the control device 50 uses the processing unit 28 to perform laser processing on the wafer W (2i-1) held by suction on the first stage 14-1, and determines the scheduled division of the wafer W (2i-1). A laser processing area is formed along the line. At this time, the control device 50 moves the counterweights CW1 and CW3 placed across the first stage 14-1 according to the operation during processing (the operation of the first stage 14-1), and performs the laser processing. The vibrations of the device 10 are suppressed.

(加工及び検査の準備:ステップS10)
第1ステージ14-1におけるウェーハW(2i-1)に対する加工と、第2ステージ14-2におけるウェーハW(2i)に対する加工準備(ステップS1(2i)~S3(2i))が終了すると、制御装置50は、ウェーハW(2i-1)の検査及びウェーハW(2i)の加工の準備を行う(ステップS10(i))。すなわち、制御装置50は、Y駆動部60を制御して加工部28を第2ステージ14-2側に移動させ、Y駆動部64を制御して検査部30を第1ステージ14-1側に移動させる。また、制御装置50は、X駆動部54-1及び54-2を制御して、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2をそれぞれ-X方向及び+X方向に移動させる。
(Preparation for processing and inspection: Step S10)
When the processing on the wafer W (2i-1) in the first stage 14-1 and the preparation for processing on the wafer W (2i) in the second stage 14-2 (steps S1 (2i) to S3 (2i)) are completed, the control The apparatus 50 inspects the wafer W (2i-1) and prepares for processing the wafer W (2i) (step S10(i)). That is, the control device 50 controls the Y drive section 60 to move the processing section 28 to the second stage 14-2 side, and controls the Y drive section 64 to move the inspection section 30 to the first stage 14-1 side. move it. Further, the control device 50 controls the X drive units 54-1 and 54-2 to move the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the -X direction and the +X direction, respectively.

(第2ステージ14-2における準備:ステップS10)
次に、制御装置50は、Z駆動部62を制御して加工部28のZ方向高さをセットする。そして、制御装置50は、光学ユニット28BによりウェーハW(2i)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i)の位置を検出し、加工ユニット28AとウェーハW(2i)とのアライメント(例えば、X、θ、Y及びZ方向の位置合わせ)を行う。
(Preparation in second stage 14-2: Step S10)
Next, the control device 50 controls the Z drive section 62 to set the height of the processing section 28 in the Z direction. Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i) using the optical unit 28B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i), and connects the processing unit 28A and the wafer W (2i). ) (for example, alignment in the X, θ, Y, and Z directions).

(第1ステージ14-1における準備:ステップS10)
一方、制御装置50は、Z駆動部66を制御して検査部30のZ方向高さをセットする。そして、制御装置50は、光学ユニット30BによりウェーハW(2i-1)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i-1)の位置を検出し、検査ユニット30AとウェーハW(2i-1)とのアライメント(例えば、X、θ、Y及びZ方向の位置合わせ)を行う。
(Preparation in the first stage 14-1: Step S10)
On the other hand, the control device 50 controls the Z drive section 66 to set the height of the inspection section 30 in the Z direction. Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i-1) using the optical unit 30B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i-1), and connects the inspection unit 30A with the image of the wafer W (2i-1). Alignment (for example, positioning in the X, θ, Y, and Z directions) with the wafer W (2i-1) is performed.

(第2ステージ14-2における処理:ステップS4)
次に、制御装置50は、加工部28を用いて、第2ステージ14-2に吸着保持されたウェーハW(2i)に対してレーザ加工を行い、ウェーハW(2i)の分割予定ラインに沿ってレーザ加工領域を形成する(ステップS4(2i))。
(Processing in second stage 14-2: Step S4)
Next, the control device 50 uses the processing unit 28 to perform laser processing on the wafer W (2i) held by suction on the second stage 14-2, and processes the wafer W (2i) along the dividing line of the wafer W (2i). A laser processing area is formed (step S4 (2i)).

(第1ステージ14-1における処理:ステップS5~S3)
一方、制御装置50は、検査部30を用いて、ウェーハW(2i-1)に形成されたレーザ加工領域の検査を行う(ステップS5(2i-1))。そして、制御装置50は、ウェーハW(2i-1)の検査が終了すると、検査の結果を記録し、入出力部52を介して出力する。
(Processing in the first stage 14-1: steps S5 to S3)
On the other hand, the control device 50 uses the inspection unit 30 to inspect the laser processing area formed on the wafer W (2i-1) (step S5 (2i-1)). When the inspection of the wafer W (2i-1) is completed, the control device 50 records the inspection results and outputs them via the input/output unit 52.

次に、制御装置50は、ウェーハチャックC2へのウェーハW(2i-1)のアンロード(ステップS6(2i-1))、ウェーハW(2i+1)のロード及び加工準備を行う(ステップS1(2i+1)~S3(2i+1))。 Next, the control device 50 unloads the wafer W (2i-1) to the wafer chuck C2 (step S6 (2i-1)), loads the wafer W (2i+1), and prepares for processing (step S1 (2i+1)). )~S3(2i+1)).

上記のように、本実施形態では、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2において、ステップS1~S6及びS10を交互に繰り返す。これにより、加工部28及び検査部30のダウンタイムの発生を抑制することができる。そして、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動に応じてカウンターウェイトCW1~CW3を移動させることにより、レーザ加工装置10の振動を抑制することが可能になる。 As described above, in this embodiment, steps S1 to S6 and S10 are alternately repeated in the first stage 14-1 and the second stage 14-2. Thereby, the occurrence of downtime of the processing section 28 and the inspection section 30 can be suppressed. By moving the counterweights CW1 to CW3 in accordance with the movement of the first stage 14-1 and the second stage 14-2, it becomes possible to suppress vibrations of the laser processing apparatus 10.

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態について、図8を参照して説明する。図8は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、第1の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Second embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8. FIG. 8 is a plan view and a front view showing a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the following description, the same components as in the first embodiment are given the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図8に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Aは、第1ステージ14-1と第2ステージ14-2との間に、カウンターウェイトCW3が1個だけ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Aでは、+Y側から、第1ステージ14-1、カウンターウェイトCW3(ガイドレールG3)及び第2ステージ14-2の順番の配置となっている。 As shown in FIG. 8, in the laser processing apparatus 10A according to the present embodiment, only one counterweight CW3 is disposed between the first stage 14-1 and the second stage 14-2. That is, in the laser processing apparatus 10A according to the present embodiment, the first stage 14-1, counterweight CW3 (guide rail G3), and second stage 14-2 are arranged in this order from the +Y side.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW3を動作させる。具体的には、Xステージ14の移動方向と逆向きにカウンターウェイトCW3を移動させる。例えば、加工ステップと検査ステップを並行して行うときに、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動タイミングをずらせば、1個のカウンターウェイトCW3でも、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2により発生する振動を抑制することが可能になる。 The control device 50 operates the counterweight CW3 so as to suppress vibrations of the laser processing device 10 (X stage 14) caused by operations during processing or inspection (operations of the X stage 14). Specifically, the counterweight CW3 is moved in the opposite direction to the moving direction of the X stage 14. For example, when performing the processing step and the inspection step in parallel, if the movement timing of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 is shifted, even one counterweight CW3 can be used for the first stage 14-1 and the second stage 14-2. It becomes possible to suppress vibrations generated by the second stage 14-2.

本実施形態によれば、カウンターウェイトの数を1個にしたので、第1の実施形態と比較して、レーザ加工装置10Aのサイズを小さくすることができ、かつ、軽量化することができる。さらに、本実施形態によれば、Y方向のストロークを短くすることができる。 According to this embodiment, since the number of counterweights is one, the size and weight of the laser processing apparatus 10A can be reduced compared to the first embodiment. Furthermore, according to this embodiment, the stroke in the Y direction can be shortened.

[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について、図9を参照して説明する。図9は、本発明の第3の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、上記の各実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9. FIG. 9 is a plan view and a front view showing a laser processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those in each of the above embodiments are given the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図9に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Bは、第1ステージ14-1と第2ステージ14-2の外側に、2個のカウンターウェイトCW1及びCW2がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Bでは、+Y側から、カウンターウェイトCW1(ガイドレールG1)、第1ステージ14-1、第2ステージ14-2及びカウンターウェイトCW2(ガイドレールG2)の順番の配置となっている。 As shown in FIG. 9, in the laser processing apparatus 10B according to the present embodiment, two counterweights CW1 and CW2 are arranged outside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. That is, in the laser processing apparatus 10B according to the present embodiment, the order of counterweight CW1 (guide rail G1), first stage 14-1, second stage 14-2, and counterweight CW2 (guide rail G2) from the +Y side is The layout is as follows.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW1及びCW2を動作させる。例えば、第1ステージ14-1に最も近いカウンターウェイトCW1を、第1ステージ14-1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14-2に最も近いカウンターウェイトCW2を、第2ステージ14-2の移動方向と逆向きに移動させる。あるいは、レーザ加工装置10の中心又は重心に対して、第1ステージ14-1の反対側のカウンターウェイトCW2を、第1ステージ14-1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14-2の反対側のカウンターウェイトCW1を、第2ステージ14-2の移動方向と逆向きに移動させてもよい。 The control device 50 operates the counterweights CW1 and CW2 so as to suppress vibrations of the laser processing device 10 (X stage 14) caused by operations during processing or inspection (operations of the X stage 14). For example, the counterweight CW1 closest to the first stage 14-1 is moved in the opposite direction to the moving direction of the first stage 14-1, and the counterweight CW2 closest to the second stage 14-2 is moved to the second stage 14-1. -Move in the opposite direction to the moving direction of 2. Alternatively, with respect to the center or center of gravity of the laser processing device 10, the counterweight CW2 on the opposite side of the first stage 14-1 is moved in the opposite direction to the moving direction of the first stage 14-1, and the second stage 14- The counterweight CW1 on the opposite side of stage 2 may be moved in the opposite direction to the moving direction of second stage 14-2.

本実施形態によれば、カウンターウェイトの数を2個にしたので、第1の実施形態と比較して、レーザ加工装置10Bのサイズを小さくすることができ、かつ、軽量化することができる。さらに、本実施形態によれば、Y方向のストロークを短くすることができる。 According to this embodiment, since the number of counterweights is two, the size and weight of the laser processing apparatus 10B can be reduced compared to the first embodiment. Furthermore, according to this embodiment, the stroke in the Y direction can be shortened.

[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態について、図10を参照して説明する。図10は、本発明の第4の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、上記の各実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Fourth embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10. FIG. 10 is a plan view and a front view showing a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those in each of the above embodiments are given the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図10に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Cは、第1ステージ14-1と第2ステージ14-2の外側に、2個のカウンターウェイトCW1及びCW2がそれぞれ配置されており、第1ステージ14-1と第2ステージ14-2の内側に、2個のカウンターウェイトCW3及びCW4がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Cでは、+Y側から、カウンターウェイトCW1(ガイドレールG1)、第1ステージ14-1、カウンターウェイトCW3及びCW4(ガイドレールG3及びG4)、第2ステージ14-2並びにカウンターウェイトCW2(ガイドレールG2)の順番の配置となっている。ここで、カウンターウェイトCW1及びCW3は、第1ステージ14-1の両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトの一例であり、カウンターウェイトCW2及びCW4は、第2ステージ14-2の両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトの一例である。 As shown in FIG. 10, in the laser processing apparatus 10C according to the present embodiment, two counterweights CW1 and CW2 are arranged outside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. Two counterweights CW3 and CW4 are arranged inside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. That is, in the laser processing apparatus 10C according to the present embodiment, from the +Y side, the counterweight CW1 (guide rail G1), the first stage 14-1, the counterweights CW3 and CW4 (guide rails G3 and G4), and the second stage 14. -2 and counterweight CW2 (guide rail G2) are arranged in this order. Here, the counterweights CW1 and CW3 are an example of a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage 14-1, and the counterweights CW2 and CW4 are an example of a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the second stage 14-2. This is an example of a pair of second stage side counterweights arranged in FIG.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW1からCW4を動作させる。具体的には、第1ステージ14-1を挟むように配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を、第1ステージ14-1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14-2を挟むように配置されたカウンターウェイトCW2及びCW4を、第2ステージ14-2の移動方向と逆向きに移動させる。 The control device 50 operates the counterweights CW1 to CW4 so as to suppress vibrations of the laser processing device 10 (X stage 14) caused by operations during processing or inspection (operation of the X stage 14). Specifically, counterweights CW1 and CW3 arranged to sandwich the first stage 14-1 are moved in the opposite direction to the moving direction of the first stage 14-1, and are moved so as to sandwich the second stage 14-2. The counterweights CW2 and CW4 disposed at are moved in the opposite direction to the moving direction of the second stage 14-2.

本実施形態によれば、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2を挟むように2個ずつカウンターウェイトを配置したので、加工部28及び検査部30等の動作により発生するレーザ加工装置10Cの回転モーメントをより効果的に打ち消すことができる。これにより、制振効果を高めることが可能になる。 According to the present embodiment, since two counterweights are arranged to sandwich the first stage 14-1 and the second stage 14-2, the laser processing device The rotational moment of 10C can be canceled out more effectively. This makes it possible to enhance the vibration damping effect.

[実施例]
次に、上記の実施形態に係るレーザ加工装置の制振効果について、図11を参照して説明する。図11は、カウンターウェイトの数とレーザ加工装置の変位の関係を示すグラフである。
[Example]
Next, the vibration damping effect of the laser processing apparatus according to the above embodiment will be explained with reference to FIG. 11. FIG. 11 is a graph showing the relationship between the number of counterweights and the displacement of the laser processing device.

図11の(a)は、カウンターウェイトを設けなかった場合のレーザ加工装置(比較例)の動作時の変位を示している。図11の(b)は、カウンターウェイトを1個設けた場合(第2の実施形態)に、(c)は、カウンターウェイトを2個設けた場合(第3の実施形態)に対応している。 FIG. 11(a) shows the displacement during operation of the laser processing apparatus (comparative example) when no counterweight is provided. FIG. 11(b) corresponds to the case where one counterweight is provided (second embodiment), and FIG. 11(c) corresponds to the case where two counterweights are provided (third embodiment). .

なお、図11では、経過時間及び変位の数値は割愛したが、図11の(a)~(c)における経過時間及び変位の目盛の大きさは同じである。 Although the numerical values of elapsed time and displacement are omitted in FIG. 11, the scales of elapsed time and displacement in FIGS. 11(a) to (c) have the same size.

図11の(a)に示すように、カウンターウェイトを設けなかった場合には、Xステージの移動によりレーザ加工装置に振動が発生し、レーザ加工及び加工不良の検査の精度に影響を与える。 As shown in FIG. 11(a), if a counterweight is not provided, vibrations are generated in the laser processing apparatus due to the movement of the X stage, which affects the accuracy of laser processing and inspection for processing defects.

これに対して、図11の(b)及び(c)に示すように、カウンターウェイトを設けた場合には、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動により発生するレーザ加工装置10A及び10Bの振動が抑制される。そして、カウンターウェイトの数が多くなるほど、より制振効果を高めることができる。 On the other hand, as shown in FIGS. 11(b) and (c), when a counterweight is provided, the laser processing device generated by the movement of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 The vibrations of 10A and 10B are suppressed. Furthermore, the greater the number of counterweights, the more the vibration damping effect can be enhanced.

なお、本実施形態では、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動方向を平行としたが、本発明はこれに限定されない。第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動方向が非平行の場合であっても、第1ステージ14-1及び第2ステージ14-2の移動方向に対して平行に移動可能なカウンターウェイト及びガイドレールを設けることにより、振動の抑制を実現することが可能である。 Note that in this embodiment, the moving directions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are parallel to each other, but the present invention is not limited thereto. Even if the moving directions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are non-parallel, it is possible to move parallel to the moving direction of the first stage 14-1 and the second stage 14-2. Vibration can be suppressed by providing a counterweight and a guide rail.

また、本実施形態では、レーザ加工装置がXステージを2個備える場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。3台以上の複数のXステージを備える場合であっても、各Xステージの移動方向に対して平行に移動可能なカウンターウェイト及びガイドレールを設けることにより、振動の抑制を実現することが可能である。 Further, in this embodiment, a case has been described in which the laser processing apparatus includes two X stages, but the present invention is not limited to this. Even when three or more X stages are provided, vibration can be suppressed by providing a counterweight and guide rail that can be moved parallel to the moving direction of each X stage. be.

また、本実施形態は、複数のXステージを備えるレーザ加工装置において、加工と並行して行う検査として亀裂検出を行う場合について説明したが、これに限らず、例えば、加工と並行して亀裂検出以外の検査を行う場合にも適用することが可能である。また、本実施形態における検査は、レーザ加工後のワークWに対して行うものであったが、レーザ加工前のワークWに対する検査についても、本実施形態を適用して、加工と並行して行うことが可能である。また、本実施形態における加工は、レーザ加工であったが、レーザ加工以外の加工(例えば、ブレードダイシング)を行う場合にも本実施形態を適用することが可能である。 In addition, although this embodiment has described the case where crack detection is performed as an inspection performed in parallel with processing in a laser processing apparatus equipped with a plurality of X stages, the present invention is not limited to this. It can also be applied to cases where other inspections are performed. Furthermore, although the inspection in this embodiment was performed on the workpiece W after laser processing, this embodiment is also applied to the inspection on the workpiece W before laser processing and is performed in parallel with the processing. Is possible. Moreover, although the processing in this embodiment is laser processing, it is possible to apply this embodiment to the case where processing other than laser processing (for example, blade dicing) is performed.

10、10A、10B、10C…レーザ加工装置、12…ベース、14-1…第1ステージ、14-2…第2ステージ、16-1、16-2…θステージ、18…Yベース、20、24…Yステージ、22、26…Zステージ、28…加工部、28A…加工ユニット、28B…光学ユニット、30…検査部、30A…検査ユニット、30B…光学ユニット、50…制御装置、52…入出力部、54-1、54-2…X駆動部、56-1、56-2…θ駆動部、58…制振機構、60、64…Y駆動部、62、66…Z駆動部、C1、C2…ウェーハチャック、CW1~CW4…カウンターウェイト、G1~G4…ガイドレール 10, 10A, 10B, 10C...Laser processing device, 12...Base, 14-1...First stage, 14-2...Second stage, 16-1, 16-2...θ stage, 18...Y base, 20, 24...Y stage, 22, 26...Z stage, 28...processing section, 28A...processing unit, 28B...optical unit, 30...inspection section, 30A...inspection unit, 30B...optical unit, 50...control device, 52...input Output unit, 54-1, 54-2...X drive unit, 56-1, 56-2...θ drive unit, 58...vibration damping mechanism, 60, 64...Y drive unit, 62, 66...Z drive unit, C1 , C2...Wafer chuck, CW1-CW4...Counter weight, G1-G4...Guide rail

Claims (9)

第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、
前記第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、
前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、
前記第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段とを備え、
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの前記第2ステージが配置される側とは反対側に配置された第1カウンターウェイトと、前記第2ステージの前記第1ステージが配置される側とは反対側に配置された第2カウンターウェイトとを含む、加工装置。
a plurality of stages configured to be movable independently of each other in a first direction;
processing means configured to be movable in a second direction orthogonal to the first direction and processing a first workpiece held on one of the plurality of stages;
Inspection means configured to be movable in the second direction independently of the processing means and inspecting a second workpiece held on another stage of the plurality of stages;
at least one counterweight configured to be movable in the first direction;
counterweight control means for moving the at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage;
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
The at least one counterweight includes a first counterweight disposed on a side of the first stage opposite to a side on which the second stage is disposed, and a side of the second stage on which the first stage is disposed. and a second counterweight disposed on the opposite side .
第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、
前記第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、
前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、
前記第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段とを備え、
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージと前記第2ステージとの間に配置された第3カウンターウェイトを含む、加工装置。
a plurality of stages configured to be movable independently of each other in a first direction;
processing means configured to be movable in a second direction orthogonal to the first direction and processing a first workpiece held on one of the plurality of stages;
Inspection means configured to be movable in the second direction independently of the processing means and inspecting a second workpiece held on another stage of the plurality of stages;
at least one counterweight configured to be movable in the first direction;
counterweight control means for moving the at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage;
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
The processing apparatus, wherein the at least one counterweight includes a third counterweight disposed between the first stage and the second stage.
第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、
前記第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、
前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、
前記第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段とを備え、
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトと、前記第2ステージの両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトとを含む、加工装置。
a plurality of stages configured to be movable independently of each other in a first direction;
processing means configured to be movable in a second direction orthogonal to the first direction and processing a first workpiece held on one of the plurality of stages;
Inspection means configured to be movable in the second direction independently of the processing means and inspecting a second workpiece held on another stage of the plurality of stages;
at least one counterweight configured to be movable in the first direction;
counterweight control means for moving the at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage;
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
The at least one counterweight includes a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage and a pair of second stage side counterweights arranged on both sides of the second stage . Processing equipment.
前記カウンターウェイト制御手段は、前記一のステージ又は前記他のステージの移動方向と逆向きに前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる、
請求項1から3のいずれか1項に記載の加工装置。
The counterweight control means moves the at least one counterweight in a direction opposite to the moving direction of the one stage or the other stage.
The processing device according to any one of claims 1 to 3 .
前記カウンターウェイト制御手段は、前記一のステージ又は前記他のステージのうち前記加工手段に対向するステージの移動方向と逆向きに前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる、
請求項1から3のいずれか1項に記載の加工装置。
The counterweight control means moves the at least one counterweight in a direction opposite to a moving direction of a stage facing the processing means among the one stage or the other stage.
The processing device according to any one of claims 1 to 3 .
前記加工手段は、前記ワークをレーザ加工する、請求項1からのいずれか1項に記載の加工装置。 The processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the processing means processes the workpiece with a laser beam. 第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能な複数のステージと、前記第1方向に直交する第2方向に移動可能な加工手段と、前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能な検査手段とを用いる加工方法であって、
前記複数のステージのうち一のステージに対向する位置に前記加工手段を移動させるステップと、
前記複数のステージのうち他のステージに対向する位置に前記検査手段を移動させるステップと、
前記加工手段に対して前記一のステージを移動させながら、前記一のステージに保持された第1のワークを前記加工手段により加工するステップと、
前記検査手段に対して前記他のステージを移動させながら、前記他のステージに保持された第2のワークを前記検査手段により検査するステップと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップとを含み、
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの前記第2ステージが配置される側とは反対側に配置された第1カウンターウェイトと、前記第2ステージの前記第1ステージが配置される側とは反対側に配置された第2カウンターウェイトとを含む加工方法。
a plurality of stages movable independently of each other in a first direction; a processing means movable in a second direction perpendicular to the first direction; and a plurality of stages movable in the second direction independently of the processing means. A processing method using an inspection means,
moving the processing means to a position facing one of the plurality of stages;
moving the inspection means to a position facing another stage among the plurality of stages;
processing a first workpiece held on the one stage by the processing means while moving the one stage with respect to the processing means;
inspecting a second workpiece held on the other stage by the inspection means while moving the other stage with respect to the inspection means;
moving at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage ,
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
The at least one counterweight includes a first counterweight disposed on a side of the first stage opposite to a side on which the second stage is disposed, and a side of the second stage on which the first stage is disposed. and a second counterweight disposed on the opposite side .
第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能な複数のステージと、前記第1方向に直交する第2方向に移動可能な加工手段と、前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能な検査手段とを用いる加工方法であって、a plurality of stages movable independently of each other in a first direction; a processing means movable in a second direction perpendicular to the first direction; and a plurality of stages movable in the second direction independently of the processing means. A processing method using an inspection means,
前記複数のステージのうち一のステージに対向する位置に前記加工手段を移動させるステップと、moving the processing means to a position facing one of the plurality of stages;
前記複数のステージのうち他のステージに対向する位置に前記検査手段を移動させるステップと、moving the inspection means to a position facing another stage among the plurality of stages;
前記加工手段に対して前記一のステージを移動させながら、前記一のステージに保持された第1のワークを前記加工手段により加工するステップと、processing a first workpiece held on the one stage by the processing means while moving the one stage with respect to the processing means;
前記検査手段に対して前記他のステージを移動させながら、前記他のステージに保持された第2のワークを前記検査手段により検査するステップと、inspecting a second workpiece held on the other stage by the inspection means while moving the other stage with respect to the inspection means;
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップとを含み、moving at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage,
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージと前記第2ステージとの間に配置された第3カウンターウェイトを含む加工方法。The processing method, wherein the at least one counterweight includes a third counterweight disposed between the first stage and the second stage.
第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能な複数のステージと、前記第1方向に直交する第2方向に移動可能な加工手段と、前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能な検査手段とを用いる加工方法であって、a plurality of stages movable independently of each other in a first direction; processing means movable in a second direction perpendicular to the first direction; and a plurality of stages movable in the second direction independently of the processing means. A processing method using an inspection means,
前記複数のステージのうち一のステージに対向する位置に前記加工手段を移動させるステップと、moving the processing means to a position facing one of the plurality of stages;
前記複数のステージのうち他のステージに対向する位置に前記検査手段を移動させるステップと、moving the inspection means to a position facing another stage among the plurality of stages;
前記加工手段に対して前記一のステージを移動させながら、前記一のステージに保持された第1のワークを前記加工手段により加工するステップと、processing a first workpiece held on the one stage by the processing means while moving the one stage with respect to the processing means;
前記検査手段に対して前記他のステージを移動させながら、前記他のステージに保持された第2のワークを前記検査手段により検査するステップと、inspecting a second workpiece held on the other stage by the inspection means while moving the other stage with respect to the inspection means;
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップとを含み、moving at least one counterweight so as to suppress vibrations generated by movement of the one stage or the other stage,
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged in parallel in the second direction,
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトと、前記第2ステージの両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトとを含む加工方法。The at least one counterweight includes a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage and a pair of second stage side counterweights arranged on both sides of the second stage. Method.
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