JP2021061280A - Processing device and method - Google Patents

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Abstract

To provide a processing device and method capable of reducing a downtime of the processing device and suppressing vibration when processing and inspecting a workpiece.SOLUTION: A processing method includes the steps of moving processing means (28) to a position facing one of a plurality of stages (ST), moving inspection means (30) to a position facing the other stage from among the plurality of stages, processing a first workpiece (W) held in one stage by the processing means while moving one stage with respect to the processing means, inspecting a second workpiece (W) held in the other stage by the inspection means while moving the other stage to the inspection means, and moving at least one counterweight (CW1 to CW4) so as to suppress the vibration generated by the movement of one stage or the other stage.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は加工装置及び方法に係り、半導体装置又は電子部品等が形成されたウェーハ等の被加工物(ワーク)のダイシングを行う加工装置及び方法に関する。 The present invention relates to a processing apparatus and method, and relates to a processing apparatus and method for dicing a workpiece such as a wafer on which a semiconductor device or an electronic component is formed.

シリコン等のウェーハの内部に集光点を合わせてレーザ光を分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってウェーハ内部に切断の起点となるレーザ加工領域を形成するレーザ加工装置(レーザダイシング装置)が知られている(例えば、特許文献1)。レーザ加工領域が形成されたウェーハは、その後、エキスパンド又はブレーキングといった割断プロセスによって分割予定ラインに沿って割断されて個々のチップに分断される。 A laser processing device (laser) that aligns a condensing point inside a wafer such as silicon and irradiates laser light along the planned division line to form a laser processing region inside the wafer that is the starting point of cutting along the planned division line. A dicing device) is known (for example, Patent Document 1). The wafer on which the laser processing region is formed is then divided along the planned division line by a division process such as expanding or braking, and is divided into individual chips.

特開2016−195265号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-195265 特開2019−149541号公報JP-A-2019-149541

一般に、レーザ加工装置では、ウェーハ1枚ごとに、加工準備(ウェーハのロード及びアライメント)→加工動作→後処理(検査及びアンロード)の順番で処理が行われる。しかしながら、ウェーハ1枚ごとに上記の一連の処理を繰り返し行うとすると、処理に時間がかかり、生産効率が低下するという問題がある。 Generally, in a laser processing apparatus, processing is performed for each wafer in the order of processing preparation (wafer loading and alignment) → processing operation → post-processing (inspection and unloading). However, if the above series of processing is repeated for each wafer, there is a problem that the processing takes time and the production efficiency is lowered.

レーザ加工装置の生産効率を向上させるためには、処理全体の実行時間を短縮することが好ましい。処理全体の実行時間を短縮する場合、具体的には、「加工動作時間の短縮」及び「加工以外の処理時間の短縮」を行う。 In order to improve the production efficiency of the laser processing apparatus, it is preferable to shorten the execution time of the entire processing. When shortening the execution time of the entire processing, specifically, "reducing the machining operation time" and "reducing the processing time other than machining" are performed.

まず、「加工動作時間の短縮」を実現するためには、加工速度及び加速度を上げる必要がある。しかしながら、加工速度及び加速度を上げるためには次の課題がある。
(1)ウェーハ等の相対移動に用いられるモータの大型化
(2)オートフォーカスの高レスポンス化
(3)レーザの高出力化、高繰り返し周波数化
(4)加速度の向上に伴う装置の振動の増加
上記(1)から(4)のうち、(2)のオートフォーカスのレスポンスは、(4)のレーザ加工装置の振動の影響により低下し得る。このため、オートフォーカスのレスポンスの大幅な改善は困難である。
First, in order to realize "reduction of machining operation time", it is necessary to increase the machining speed and acceleration. However, there are the following problems in order to increase the machining speed and acceleration.
(1) Larger motor used for relative movement of wafers, etc. (2) Higher autofocus response (3) Higher laser output and higher repetition frequency (4) Increased vibration of equipment due to improved acceleration Of the above (1) to (4), the autofocus response of (2) may be reduced by the influence of the vibration of the laser processing apparatus of (4). Therefore, it is difficult to significantly improve the autofocus response.

次に、「加工以外の処理時間の短縮」を実現するためには、ウェーハ搬送系の高速化、ステージ送り速度の向上、アライメント動作の最適化等が挙げられる。しかしながら、これらの手法では処理時間を劇的に短縮することは難しい。 Next, in order to realize "shortening of processing time other than processing", speeding up of the wafer transfer system, improvement of stage feed speed, optimization of alignment operation, and the like can be mentioned. However, it is difficult to dramatically reduce the processing time with these methods.

ところで、加工以外の処理(例えば、検査)を行っている間、レーザ加工用光学ユニット(加工装置)は停止する。レーザ加工装置の価格の大部分を占める加工装置のダウンタイムが長くなると、レーザ加工装置の対費用効果が下がってしまう。 By the way, the laser processing optical unit (processing apparatus) is stopped while processing other than processing (for example, inspection) is being performed. If the downtime of the processing device, which accounts for the majority of the price of the laser processing device, becomes long, the cost-effectiveness of the laser processing device becomes reduced.

生産効率が向上し短時間で大量の加工が可能になると、加工不良等の検査が重要になる。多数の製品に対して加工不良等の検査を厳格に行う場合、加工状態の検査(内部亀裂の測定など)に要する時間が長くなることが予想される。 When production efficiency is improved and a large amount of processing can be performed in a short time, inspection of processing defects and the like becomes important. When a large number of products are rigorously inspected for processing defects, it is expected that the time required for inspection of the processing state (measurement of internal cracks, etc.) will be long.

レーザ加工装置の生産効率を向上させるため、複数のステージ(ウェーハテーブル)において、加工及び検査をそれぞれ実行可能とした装置が提案されている(特許文献2参照)。 In order to improve the production efficiency of a laser processing apparatus, an apparatus capable of performing machining and inspection at a plurality of stages (wafer tables) has been proposed (see Patent Document 2).

特許文献2に記載のレーザ加工装置(レーザダイシング装置)では、レーザ加工装置の重量に対してステージ及びその駆動装置の重量が締める割合が高い。このため、ステージが移送する場合に振動が生じ、レーザ加工及び検査の精度に影響を与える。 In the laser processing apparatus (laser dicing apparatus) described in Patent Document 2, the ratio of the weight of the stage and its driving device tightening to the weight of the laser processing apparatus is high. Therefore, vibration occurs when the stage is transferred, which affects the accuracy of laser machining and inspection.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ワークの加工及び検査を行う場合における加工装置のダウンタイムを短縮し、かつ、振動を抑制することが可能な加工装置及び方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a processing apparatus and method capable of reducing downtime of the processing apparatus and suppressing vibration when machining and inspecting a workpiece. The purpose is.

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様に係る加工装置は、第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、加工手段とは独立して第2方向に移動可能に構成され、複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、一のステージ又は他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段とを備える。 In order to solve the above problems, the processing apparatus according to the first aspect of the present invention has a plurality of stages configured to be movable independently of each other in the first direction, and a second direction orthogonal to the first direction. A processing means for processing a first work that is movable and held in one of a plurality of stages, and a processing means that is movable in a second direction independently of the processing means, and is configured to be movable in a plurality of stages. Of these, an inspection means for inspecting a second work held on another stage, at least one counter weight configured to be movable in the first direction, and vibration generated by the movement of one stage or another stage. It is provided with a counterweight control means for moving at least one counterweight so as to suppress it.

本発明の第2の態様に係る加工装置は、第1の態様において、カウンターウェイト制御手段は、一のステージ又は他のステージの移動方向と逆向きに少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる。 In the processing apparatus according to the second aspect of the present invention, in the first aspect, the counterweight control means moves at least one counterweight in the direction opposite to the moving direction of one stage or another stage.

本発明の第3の態様に係る加工装置は、第1の態様において、カウンターウェイト制御手段は、一のステージ又は他のステージのうち加工手段に対向するステージの移動方向と逆向きに少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる。 In the processing apparatus according to the third aspect of the present invention, in the first aspect, the counterweight control means is at least one of one stage or another stage in the direction opposite to the moving direction of the stage facing the processing means. Move the counterweight.

本発明の第4の態様に係る加工装置は、第1から第3の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージの第2ステージが配置される側とは反対側に配置された第1カウンターウェイトと、第2ステージの第1ステージが配置される側とは反対側に配置された第2カウンターウェイトとを含む。 In the processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction, and at least. One counterweight is arranged on the side opposite to the side where the second stage of the first stage is arranged and the side opposite to the side where the first stage of the second stage is arranged. Includes the second counterweight.

本発明の第5の態様に係る加工装置は、第1から第4の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージと第2ステージとの間に配置された第3カウンターウェイトを含む。 In the processing apparatus according to the fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction, and at least. One counterweight includes a third counterweight placed between the first and second stages.

本発明の第6の態様に係る加工装置は、第1から第3の態様のいずれかにおいて、複数のステージは、第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、少なくとも1つのカウンターウェイトは、第1ステージの両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトと、第2ステージの両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトとを含む。 In the processing apparatus according to the sixth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction, and at least. One counterweight includes a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage and a pair of second stage side counterweights arranged on both sides of the second stage.

本発明の第7の態様に係る加工装置は、第1から第6の態様のいずれかにおいて、加工手段は、ワークをレーザ加工する。 In the processing apparatus according to the seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the processing means laser-machines the work.

本発明の第8の態様に係る加工方法は、複数のステージのうち一のステージに対向する位置に加工手段を移動させるステップと、複数のステージのうち他のステージに対向する位置に検査手段を移動させるステップと、加工手段に対して一のステージを移動させながら、一のステージに保持された第1のワークを加工手段により加工するステップと、検査手段に対して他のステージを移動させながら、他のステージに保持された第2のワークを検査手段により検査するステップと、一のステージ又は他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップとを含む。 The machining method according to the eighth aspect of the present invention includes a step of moving the machining means to a position facing one of the plurality of stages and an inspection means at a position of the plurality of stages facing the other stage. While moving one stage with respect to the processing means, the step of moving the first work held by the one stage by the processing means, and moving the other stage with respect to the inspection means. , The step of inspecting the second work held in the other stage by the inspection means, and the step of moving at least one counter weight so as to suppress the vibration generated by the movement of one stage or the other stage. Including.

本発明によれば、ワークの加工及び検査を行う場合における加工装置のダウンタイムを短縮することができ、かつ、振動を抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to shorten the downtime of the processing apparatus when processing and inspecting the work, and it is possible to suppress vibration.

図1は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図5は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの加工及び検査を行う場合の平面図である。FIG. 5 is a plan view when processing and inspecting wafers in the first and second stages, respectively. 図6は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの検査及び加工を行う場合の平面図である。FIG. 6 is a plan view when inspecting and processing wafers in the first and second stages, respectively. 図7は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工の手順を示すタイミングチャートである。FIG. 7 is a timing chart showing a laser machining procedure according to the first embodiment of the present invention. 図8は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図9は、本発明の第3の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. 図10は、本発明の第4の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. 図11は、カウンターウェイトの数とレーザ加工装置の変位の関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing the relationship between the number of counterweights and the displacement of the laser processing apparatus.

以下、添付図面に従って本発明に係る加工装置及び方法の実施の形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the processing apparatus and method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施形態]
(加工装置)
図1から図3は、それぞれ本発明の第1の実施形態に係る加工装置(レーザ加工装置)を示す平面図、正面図及び側面図である。以下の説明では、3次元直交座標系を用いて説明する。
[First Embodiment]
(Processing equipment)
1 to 3 are a plan view, a front view, and a side view showing a processing apparatus (laser processing apparatus) according to the first embodiment of the present invention, respectively. In the following description, a three-dimensional Cartesian coordinate system will be used.

図1から図3に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10は、第1ステージ14−1、第2ステージ14−2、加工部28及び検査部30を含んでいる。レーザ加工装置10は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2において、ワーク(ウェーハ)の加工及び検査を並行して(例えば、同時進行で)実行可能となっている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the laser machining apparatus 10 according to the present embodiment includes a first stage 14-1, a second stage 14-2, a machining section 28, and an inspection section 30. The laser machining apparatus 10 can perform machining and inspection of workpieces (wafers) in parallel (for example, simultaneously) in the first stage 14-1 and the second stage 14-2.

レーザ加工装置10は、水平面(XY平面)に平行なベース12上に設けられている。ベース12は、レーザ加工装置10の基準平面を形成する。 The laser processing device 10 is provided on a base 12 parallel to a horizontal plane (XY plane). The base 12 forms a reference plane for the laser machining apparatus 10.

第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2(以下、Xステージともいう。)は、Y方向(第2方向)に並べて配置(並設)されており、それぞれX方向(第1方向)に伸びるX1軸及びX2軸に沿って移動可能に取り付けられている。ここで、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2を移動させるための機構としては、例えば、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2にそれぞれ設けられたナット及びそのナットに螺合するボールねじを含むボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等の、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をそれぞれX方向に往復直線運動させることが可能な機構を用いることが可能である。 The first stage 14-1 and the second stage 14-2 (hereinafter, also referred to as the X stage) are arranged (parallel) side by side in the Y direction (second direction), and are respectively arranged in the X direction (first direction). It is attached so as to be movable along the X1 axis and the X2 axis extending in. Here, as a mechanism for moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2, for example, the nuts provided in the first stage 14-1 and the second stage 14-2 and their nuts are used. A mechanism capable of reciprocating and linearly moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the X direction, such as a ball screw mechanism including a ball screw to be screwed, a linear motor or a rack and pinion mechanism, is used. It is possible.

第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2には、それぞれθステージ16−1及び16−2が取り付けられている。θステージ16−1及び16−2には、ウェーハチャックC1及びC2がそれぞれ取り付けられている。θステージ16−1及び16−2は、ウェーハチャックC1及びC2を、それぞれの回転軸(例えば、中心軸)の周り(θ方向)に回転させる。 Θ stages 16-1 and 16-2 are attached to the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. Wafer chucks C1 and C2 are attached to the θ stages 16-1 and 16-2, respectively. The θ stages 16-1 and 16-2 rotate the wafer chucks C1 and C2 around their respective rotation axes (for example, the central axis) (in the θ direction).

ウェーハチャックC1及びC2の表面には、エアを吸引するための吸引孔が形成されている。ウェーハチャックC1及びC2は、レーザ加工の対象としてレーザ加工装置10内に搬入されたウェーハW1及びW2をそれぞれ吸着保持する。 A suction hole for sucking air is formed on the surfaces of the wafer chucks C1 and C2. The wafer chucks C1 and C2 adsorb and hold the wafers W1 and W2 carried into the laser processing apparatus 10 as targets for laser processing, respectively.

上記の通り、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2は、相互に同様の構成を有している。このため、以下の説明において、第1ステージ14−1側及び第2ステージ14−2側の双方に共通する構成及び動作については、枝番を省略してまとめて説明する場合がある。 As described above, the first stage 14-1 and the second stage 14-2 have similar configurations to each other. Therefore, in the following description, the configurations and operations common to both the first stage 14-1 side and the second stage 14-2 side may be collectively described by omitting the branch numbers.

ベース12の上方には、Yベース18が設けられている。Yベース18は、Y方向に沿う基準平面を形成する。Yベース18は、ベース12からZ方向に伸びる支柱によって支持されている。Yベース18には、それぞれY方向に伸びるY1軸及びY2軸が取りつけられている。図2及び図3に示すように、Y1軸は、Y2軸に対して+Z方向及び+X方向にずらして配置されている。 A Y base 18 is provided above the base 12. The Y base 18 forms a reference plane along the Y direction. The Y base 18 is supported by a support column extending in the Z direction from the base 12. A Y1 axis and a Y2 axis extending in the Y direction are attached to the Y base 18, respectively. As shown in FIGS. 2 and 3, the Y1 axis is arranged so as to be offset in the + Z direction and the + X direction with respect to the Y2 axis.

Y1軸及びY2軸には、それぞれ加工用Y軸移動ステージ20及び検査用Y軸移動ステージ24(以下、Yステージ20及び24という。)が取り付けられている。 A Y-axis moving stage 20 for processing and a Y-axis moving stage 24 for inspection (hereinafter referred to as Y stages 20 and 24) are attached to the Y1 axis and the Y2 axis, respectively.

Yステージ20には、加工用Z軸移動ステージ(以下、Zステージという。)22を介して加工部28が取り付けられている。加工部(加工手段)28は、Yステージ20及びZステージ22により、それぞれYZ方向に移動可能となっている。Yステージ20及びZステージ22としては、加工部28をそれぞれYZ方向に往復直線運動させることが可能な機構(例えば、ボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等)を用いることが可能である。 A machining portion 28 is attached to the Y stage 20 via a Z-axis moving stage for machining (hereinafter, referred to as a Z stage) 22. The processing unit (processing means) 28 can be moved in the YZ direction by the Y stage 20 and the Z stage 22, respectively. As the Y stage 20 and the Z stage 22, it is possible to use a mechanism (for example, a ball screw mechanism, a linear motor, a rack and pinion mechanism, etc.) capable of reciprocating and linearly moving the machined portion 28 in the YZ direction, respectively. ..

Yステージ24には、検査用Z軸移動ステージ(以下、Zステージという。)26を介して検査部30が取り付けられている。検査部(検査手段)30は、Yステージ24及びZステージ26により、それぞれYZ方向に移動可能となっている。Yステージ24及びZステージ26としては、検査部30をそれぞれYZ方向に往復直線運動させることが可能な機構(例えば、ボールねじ機構、リニアモータ又はラックアンドピニオン機構等)を用いることが可能である。 An inspection unit 30 is attached to the Y stage 24 via an inspection Z-axis moving stage (hereinafter, referred to as a Z stage) 26. The inspection unit (inspection means) 30 can be moved in the YZ direction by the Y stage 24 and the Z stage 26, respectively. As the Y stage 24 and the Z stage 26, it is possible to use a mechanism (for example, a ball screw mechanism, a linear motor, a rack and pinion mechanism, etc.) capable of reciprocating and linearly moving the inspection unit 30 in the YZ direction, respectively. ..

加工部28は、レーザ加工用光学ユニット(以下、加工ユニットという。)28A及びアライメント用光学ユニット(以下、光学ユニットという。)28Bを含んでいる。加工ユニット28Aと光学ユニット28Bとは、一体としてYZ方向に移動可能となっている。 The processing unit 28 includes a laser processing optical unit (hereinafter referred to as a processing unit) 28A and an alignment optical unit (hereinafter referred to as an optical unit) 28B. The processing unit 28A and the optical unit 28B can be integrally moved in the YZ direction.

加工ユニット28Aは、レーザ発振器及び集光レンズを含んでおり(特開2004−111946号公報参照)、レーザ発振器から出力されたレーザ光を、集光レンズによりウェーハW(W1又はW2)の内部に集光させる。これにより、ウェーハWの内部に、ウェーハWの切断の起点となるレーザ加工領域が形成される。 The processing unit 28A includes a laser oscillator and a condenser lens (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-111946), and the laser light output from the laser oscillator is brought into the inside of the wafer W (W1 or W2) by the condenser lens. Condensing. As a result, a laser processing region serving as a starting point for cutting the wafer W is formed inside the wafer W.

光学ユニット28Bは、ウェーハWの画像を撮像する撮像素子(例えば、ヒ化インジウムガリウム(InGaAs)フォトダイオード又はCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ)を含んでいる。制御装置50(図4参照)は、光学ユニット28Bにより撮像したウェーハWの画像からアライメントパターンの位置を検出し、X駆動部54、θ駆動部56、Y駆動部60及びZ駆動部62を制御して、加工ユニット28AとウェーハWとのアライメントを行う。 The optical unit 28B includes an image pickup element (for example, an indium gallium arsenide (InGaAs) photodiode or a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor) that captures an image of the wafer W. The control device 50 (see FIG. 4) detects the position of the alignment pattern from the image of the wafer W captured by the optical unit 28B, and controls the X drive unit 54, the θ drive unit 56, the Y drive unit 60, and the Z drive unit 62. Then, the processing unit 28A and the wafer W are aligned.

検査部30は、検査用光学ユニット(以下、検査ユニットという。)30A及びアライメント用光学ユニット(以下、光学ユニットという。)30Bを含んでいる。検査ユニット30Aと光学ユニット30Bとは、一体としてYZ方向に移動可能となっている。 The inspection unit 30 includes an inspection optical unit (hereinafter referred to as an inspection unit) 30A and an alignment optical unit (hereinafter referred to as an optical unit) 30B. The inspection unit 30A and the optical unit 30B can be integrally moved in the YZ direction.

検査ユニット30Aは、レーザ加工領域から伸展した亀裂の長さの測定を行う。検査ユニット30Aとしては、例えば、特開2017−133997号公報に記載の亀裂検出装置を適用することが可能である。 The inspection unit 30A measures the length of the crack extending from the laser processing region. As the inspection unit 30A, for example, the crack detection device described in JP-A-2017-133997 can be applied.

光学ユニット30Bは、ウェーハWの画像を撮像する撮像素子(例えば、ヒ化インジウムガリウム(InGaAs)フォトダイオード又はCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ)を含んでいる。制御装置50は、光学ユニット30Bにより撮像したウェーハWの画像からアライメントパターンの位置を検出し、X駆動部54、θ駆動部56、Y駆動部64及びZ駆動部66を制御して、検査ユニット30AとウェーハWとのアライメントを行う。 The optical unit 30B includes an image pickup element (for example, an indium gallium arsenide (InGaAs) photodiode or a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor) that captures an image of the wafer W. The control device 50 detects the position of the alignment pattern from the image of the wafer W captured by the optical unit 30B, controls the X drive unit 54, the θ drive unit 56, the Y drive unit 64, and the Z drive unit 66, and controls the inspection unit. Align 30A with wafer W.

なお、本実施形態に係るレーザ加工装置10では、Yステージ20及び24の位置関係から、加工部28が検査部30よりも+X側に配置されているが、本発明はこれに限定されない。例えば、検査部30が加工部28よりも+X側に配置されていてもよい。 In the laser machining apparatus 10 according to the present embodiment, the machining section 28 is arranged on the + X side of the inspection section 30 due to the positional relationship between the Y stages 20 and 24, but the present invention is not limited to this. For example, the inspection unit 30 may be arranged on the + X side of the processing unit 28.

ベース12上には、カウンターウェイトCW1〜CW3が配置されている。カウンターウェイトCW1〜CW3は、それぞれX方向に伸びるガイドレールG1〜G3に沿って移動可能となっている。 Counterweights CW1 to CW3 are arranged on the base 12. The counterweights CW1 to CW3 can move along the guide rails G1 to G3 extending in the X direction, respectively.

図1に示すように、ベース12上では、+Y側から、カウンターウェイトCW1、第1ステージ14−1、カウンターウェイトCW3、第2ステージ14−2及びカウンターウェイトCW2の順番で配置されている。カウンターウェイトCW1〜CW3及びガイドレールG1〜G3は、X1軸及びX2軸に沿って第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2を移動させる場合に発生するレーザ加工装置10の振動を抑制するための制振機構58(図4から図7参照)として機能する。 As shown in FIG. 1, on the base 12, the counterweight CW1, the first stage 14-1, the counterweight CW3, the second stage 14-2, and the counterweight CW2 are arranged in this order from the + Y side. The counterweights CW1 to CW3 and the guide rails G1 to G3 suppress the vibration of the laser processing apparatus 10 generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved along the X1 axis and the X2 axis. It functions as a vibration damping mechanism 58 (see FIGS. 4 to 7).

ここで、カウンターウェイトCW1〜CW3の重量は、X1軸及びX2軸に沿って第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をそれぞれ移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すことができるように調整されている。第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2に対して外側に配置されたカウンターウェイトCW1及びCW2と、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2に対して内側に配置されたカウンターウェイトCW3の重量は異なっていてもよい。 Here, the weights of the counterweights CW1 to CW3 can cancel the rotational moment generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved along the X1 axis and the X2 axis, respectively. It has been adjusted. Counterweights CW1 and CW2 arranged outside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, and counters arranged inside the first stage 14-1 and the second stage 14-2. The weights of the weights CW3 may be different.

なお、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2を移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すことができるように、カウンターウェイトCW1〜CW3と、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2との間の位置関係(例えば、Y方向の距離又はZ方向の高さ)を調整するようにしてもよい。 The counterweights CW1 to CW3 and the first stage 14-1 and the second stage 14 can cancel the rotational moment generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved. The positional relationship with -2 (for example, the distance in the Y direction or the height in the Z direction) may be adjusted.

(レーザ加工装置の制御系)
図4は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置を示すブロック図である。
(Control system for laser machining equipment)
FIG. 4 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

図4に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10は、制御装置50、入出力部52、X駆動部54−1、54−2、θ駆動部56−1、56−2、制振機構58、Y駆動部60、Z駆動部62、Y駆動部64及びZ駆動部66を含んでいる。 As shown in FIG. 4, the laser machining apparatus 10 according to the present embodiment includes a control device 50, an input / output unit 52, an X drive unit 54-1 and 54-2, a θ drive unit 56-1 and 56-2, and a control unit. It includes a vibration mechanism 58, a Y drive unit 60, a Z drive unit 62, a Y drive unit 64, and a Z drive unit 66.

制御装置50は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、ストレージデバイス(例えば、ハードディスク等)等を含んでいる。制御装置50では、ROMに記憶されている制御プログラム等の各種プログラムがRAMに展開され、RAMに展開されたプログラムがCPUによって実行されることにより、レーザ加工装置10の各部の機能が実現される。 The control device 50 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), a storage device (for example, a hard disk, etc.) and the like. In the control device 50, various programs such as a control program stored in the ROM are expanded in the RAM, and the programs expanded in the RAM are executed by the CPU to realize the functions of each part of the laser processing apparatus 10. ..

入出力部52は、ユーザからの操作入力を受け付けるための操作部材(例えば、キーボード、ポインティングデバイス等)、及びレーザ加工装置10の操作のためのGUI(Graphical User Interface)等を表示する装置(例えば、液晶ディスプレイ)等を含んでいる。 The input / output unit 52 displays an operation member (for example, a keyboard, a pointing device, etc.) for receiving an operation input from a user, a GUI (Graphical User Interface) for operating the laser processing apparatus 10, and the like (for example). , Liquid crystal display) and the like.

X駆動部54−1及び54−2は、それぞれ、X1軸及びX2軸に取り付けられた第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をX方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。X駆動部54−1及び54−2は、第1の駆動装置の一例である。 The X drive units 54-1 and 54-2 are power sources (for example, motors) for moving the first stage 14-1 and the second stage 14-2 attached to the X1 axis and the X2 axis in the X direction, respectively. ) Is included. The X drive units 54-1 and 54-2 are examples of the first drive device.

θ駆動部56−1及び56−2は、それぞれ、θステージ16−1及び16−2に取り付けられたウェーハチャックC1及びC2をθ方向に回転させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The θ drive units 56-1 and 56-2 include a power source (for example, a motor) for rotating the wafer chucks C1 and C2 attached to the θ stages 16-1 and 16-2 in the θ direction, respectively. There is.

Y駆動部60は、Zステージ22を介してYステージ20に取り付けられた加工部28をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Y drive unit 60 includes a power source (for example, a motor) for moving the processing unit 28 attached to the Y stage 20 via the Z stage 22 in the Y direction.

Z駆動部62は、Zステージ22に取り付けられた加工部28をZ方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Z drive unit 62 includes a power source (for example, a motor) for moving the processed unit 28 attached to the Z stage 22 in the Z direction.

Y駆動部64は、Zステージ26を介してYステージ24に取り付けられた検査部30をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Y drive unit 64 includes a power source (for example, a motor) for moving the inspection unit 30 attached to the Y stage 24 via the Z stage 26 in the Y direction.

Z駆動部66は、Zステージ26に取り付けられた検査部30をY方向に移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。 The Z drive unit 66 includes a power source (for example, a motor) for moving the inspection unit 30 attached to the Z stage 26 in the Y direction.

上記のY駆動部60及び64並びにZ駆動部62及び66は、第2の駆動装置の一例である。 The Y drive units 60 and 64 and the Z drive units 62 and 66 are examples of the second drive device.

制振機構58は、カウンターウェイトCW1〜CW3を、それぞれガイドレールG1〜G3に沿って移動させるための動力源(例えば、モータ)を含んでいる。制振機構58は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動の向き、移動量、移動速度及び移動加速度に応じて、カウンターウェイトCW1〜CW3を移動の向き、移動量、移動速度及び移動加速度を制御する。これにより、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2を移動させる場合に発生するレーザ加工装置10の振動を抑制することができる。ここで、カウンターウェイトCW1〜CW3は、それぞれ第1から第3カウンターウェイトの一例であり、制御装置50及び制振機構58は、カウンターウェイト制御手段の一例である。 The vibration damping mechanism 58 includes a power source (for example, a motor) for moving the counterweights CW1 to CW3 along the guide rails G1 to G3, respectively. The vibration damping mechanism 58 moves the counterweights CW1 to CW3 in the direction, movement amount, and movement according to the movement direction, movement amount, movement speed, and movement acceleration of the first stage 14-1 and the second stage 14-2. Control speed and movement acceleration. Thereby, the vibration of the laser processing apparatus 10 generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved can be suppressed. Here, the counterweights CW1 to CW3 are examples of the first to third counterweights, respectively, and the control device 50 and the vibration damping mechanism 58 are examples of the counterweight control means.

(加工方法)
次に、レーザ加工時における制振機構58の制御について、図5から図7を参照して説明する。
(Processing method)
Next, the control of the vibration damping mechanism 58 during laser machining will be described with reference to FIGS. 5 to 7.

以下の説明では、ウェーハW0,W1,W2,W3,…,W(2i−1),W(2i),…に対して、レーザ加工及び検査を順次実施する例について説明する。なお、i=1,2,3,…である。ウェーハW1,W3,…,W(2i−1),…は第1ステージ14−1において処理され、ウェーハW0,W2,…,W(2i),…は第2ステージ14−2において処理される。すなわち、まず、ウェーハW0及びW1がそれぞれ第2ステージ14−2及び第1ステージ14−1にロードされ、ウェーハW0のレーザ加工が行われる。次に、第2ステージ14−2におけるウェーハW0の検査と、第1ステージ14−1におけるウェーハW1のレーザ加工が並行して行われる。 In the following description, an example in which laser machining and inspection are sequentially performed on the wafers W0, W1, W2, W3, ..., W (2i-1), W (2i), ... Will be described. It should be noted that i = 1, 2, 3, ... Wafers W1, W3, ..., W (2i-1), ... Are processed in the first stage 14-1, and wafers W0, W2, ..., W (2i), ... Are processed in the second stage 14-2. .. That is, first, the wafers W0 and W1 are loaded into the second stage 14-2 and the first stage 14-1, respectively, and the wafer W0 is laser-machined. Next, the inspection of the wafer W0 in the second stage 14-2 and the laser machining of the wafer W1 in the first stage 14-1 are performed in parallel.

図5は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの加工及び検査を行う場合の平面図であり、図6は、第1及び第2ステージにおいてそれぞれウェーハの検査及び加工を行う場合の平面図である。 FIG. 5 is a plan view when the wafers are processed and inspected in the first and second stages, respectively, and FIG. 6 is a plan view when the wafers are inspected and processed in the first and second stages, respectively. is there.

図5に示す例では、第1ステージ14−1において、ウェーハW1に対するレーザ加工を行い、第2ステージ14−2において、レーザ加工後のウェーハW0に対する検査を行う。この場合、まず、制御装置50は、加工部28及び検査部30のY方向の位置をそれぞれ第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2のY方向の位置に応じて移動させる。すなわち、制御装置50は、加工部28及び検査部30をそれぞれ第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2に対向させるように移動させる。 In the example shown in FIG. 5, the first stage 14-1 performs laser processing on the wafer W1, and the second stage 14-2 inspects the wafer W0 after laser processing. In this case, first, the control device 50 moves the positions of the processing unit 28 and the inspection unit 30 in the Y direction according to the positions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the Y direction, respectively. That is, the control device 50 moves the processing unit 28 and the inspection unit 30 so as to face the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively.

さらに、制御装置50は、加工部28及び検査部30のX方向の位置に応じて、第1ステージ14−1を+X側に、第2ステージ14−2を−X側に移動させる。制御装置50は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をX方向に移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すように、制振機構58を制御してカウンターウェイトCW1〜CW3を移動させる。 Further, the control device 50 moves the first stage 14-1 to the + X side and the second stage 14-2 to the −X side according to the positions of the processing unit 28 and the inspection unit 30 in the X direction. The control device 50 controls the vibration damping mechanism 58 to move the counterweights CW1 to CW3 so as to cancel the rotational moment generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved in the X direction. Let me.

図5に示す例では、第1ステージ14−1が+X側に移動するのに対して、第1ステージ14−1を挟んで配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を逆方向(−X側)に移動させる。そして、加工及び検査時の第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の動作に応じてカウンターウェイトCW1〜CW3を動作させて、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すことができる。 In the example shown in FIG. 5, the first stage 14-1 moves to the + X side, while the counterweights CW1 and CW3 arranged across the first stage 14-1 move in the opposite direction (-X side). Move. Then, the counterweights CW1 to CW3 can be operated according to the operations of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 at the time of processing and inspection to cancel the rotational moment of the laser processing apparatus 10.

次に、制御装置50は、ウェーハW1に対するレーザ加工と、レーザ加工後のウェーハW0に対する検査とを並行して行う。具体的には、制御装置50は、X駆動部54−1、θ駆動部56−1、Y駆動部60並びにZ駆動部62を制御して、第1ステージ14−1と加工部28とを相対移動させながら、ウェーハW1の分割予定ラインに沿ってレーザ加工を行い、レーザ加工領域を形成する。また、制御装置50は、X駆動部54−2、θ駆動部56−2、Y駆動部64並びにZ駆動部66を制御して、第2ステージ14−2と検査部30とを相対移動させながら、ウェーハW0に形成されたレーザ加工領域の検査(亀裂の長さの測定)を行う。 Next, the control device 50 performs laser processing on the wafer W1 and inspection on the wafer W0 after the laser processing in parallel. Specifically, the control device 50 controls the X drive unit 54-1, the θ drive unit 56-1, the Y drive unit 60, and the Z drive unit 62 to control the first stage 14-1 and the machining unit 28. While moving relative to each other, laser machining is performed along the planned division line of the wafer W1 to form a laser machining region. Further, the control device 50 controls the X drive unit 54-2, the θ drive unit 56-2, the Y drive unit 64, and the Z drive unit 66 to relatively move the second stage 14-2 and the inspection unit 30. At the same time, the laser processing region formed on the wafer W0 is inspected (measurement of crack length).

次に、ウェーハW0は、検査が終了すると、不図示のハンドラアームにより、レーザ加工装置10から搬出(アンロード)される。そして、次のウェーハW2が、不図示のハンドラアームによりレーザ加工装置10に搬入(ロード)され、ウェーハチャックC2に載置されて吸着保持される。 Next, when the inspection is completed, the wafer W0 is unloaded from the laser processing apparatus 10 by a handler arm (not shown). Then, the next wafer W2 is carried (loaded) into the laser processing apparatus 10 by a handler arm (not shown), placed on the wafer chuck C2, and attracted and held.

次に、図6に示すように、第1ステージ14−1において、レーザ加工後のウェーハW1に対する検査を行い、第2ステージ14−2において、ウェーハW2に対するレーザ加工を行う。この場合、制御装置50は、加工部28及び検査部30のY方向の位置をそれぞれ第2ステージ14−2及び第1ステージ14−1のY方向の位置に応じて移動させる。 Next, as shown in FIG. 6, in the first stage 14-1, the wafer W1 after laser machining is inspected, and in the second stage 14-2, the wafer W2 is laser machined. In this case, the control device 50 moves the positions of the processing unit 28 and the inspection unit 30 in the Y direction according to the positions of the second stage 14-2 and the first stage 14-1 in the Y direction, respectively.

さらに、制御装置50は、加工部28及び検査部30のX方向の位置に応じて、第1ステージ14−1を−X側に、第2ステージ14−2を+X側に移動させる。制御装置50は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をX方向に移動させる場合に発生する回転モーメントを打ち消すように、制振機構58を制御してカウンターウェイトCW1〜CW3を移動させる。 Further, the control device 50 moves the first stage 14-1 to the −X side and the second stage 14-2 to the + X side according to the positions of the processing unit 28 and the inspection unit 30 in the X direction. The control device 50 controls the vibration damping mechanism 58 to move the counterweights CW1 to CW3 so as to cancel the rotational moment generated when the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are moved in the X direction. Let me.

図6に示す例では、第2ステージ14−2が+X側に移動するのに対して、第2ステージ14−2を挟んで配置されたカウンターウェイトCW2及びCW3を逆方向(−X側)に移動させる。そして、加工及び検査時の第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の動作に応じてカウンターウェイトCW1〜CW3を動作させて、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すようにしている。これにより、レーザ加工装置10の回転モーメントを打ち消すことができる。 In the example shown in FIG. 6, the second stage 14-2 moves to the + X side, while the counterweights CW2 and CW3 arranged across the second stage 14-2 move in the opposite direction (-X side). Move. Then, the counterweights CW1 to CW3 are operated according to the operations of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 at the time of processing and inspection to cancel the rotational moment of the laser processing apparatus 10. Thereby, the rotational moment of the laser processing apparatus 10 can be canceled.

次に、制御装置50は、X駆動部54−1、θ駆動部56−1、Y駆動部64並びにZ駆動部66を制御して、第1ステージ14−1と検査部30とを相対移動させながら、ウェーハW1に形成されたレーザ加工領域の検査を行う。また、制御装置50は、X駆動部54−2、θ駆動部56−2、Y駆動部60並びにZ駆動部62を制御して、第2ステージ14−2と加工部28とを相対移動させながら、ウェーハW2の分割予定ラインに沿ってレーザ加工を行い、レーザ加工領域を形成する。 Next, the control device 50 controls the X drive unit 54-1, the θ drive unit 56-1, the Y drive unit 64, and the Z drive unit 66 to move the first stage 14-1 and the inspection unit 30 relative to each other. While doing so, the laser processing region formed on the wafer W1 is inspected. Further, the control device 50 controls the X drive unit 54-2, the θ drive unit 56-2, the Y drive unit 60, and the Z drive unit 62 to relatively move the second stage 14-2 and the machining unit 28. At the same time, laser machining is performed along the planned division line of the wafer W2 to form a laser machining region.

なお、本実施形態では、Xステージ14が−X方向に移動するときに、そのXステージ14を挟むように配置されたカウンターウェイト(CW1〜CW3)を移動させるようにしたが、本発明はこれに限定されない。移動するXステージ14に最も近い1個のカウンターウェイトを移動させるようにしてもよい。 In the present embodiment, when the X stage 14 moves in the −X direction, the counter weights (CW1 to CW3) arranged so as to sandwich the X stage 14 are moved. Not limited to. The one counterweight closest to the moving X stage 14 may be moved.

また、移動するXステージ14の重量、移動速度又は移動加速度と、カウンターウェイト(CW1〜CW3)の重量に応じて、カウンターウェイト(CW1〜CW3)の移動速度又は移動加速度を調整するようにしてもよい。例えば、Xステージ14の移動時の運動量に応じて、カウンターウェイト(CW1〜CW3)の運動量を調整するようにしてもよい。 Further, the moving speed or moving acceleration of the counter weights (CW1 to CW3) may be adjusted according to the weight, moving speed or moving acceleration of the moving X stage 14 and the weight of the counter weights (CW1 to CW3). Good. For example, the momentum of the counterweights (CW1 to CW3) may be adjusted according to the momentum of the movement of the X stage 14.

また、レーザ加工装置10のXY平面における中心又は重心に対して、移動するXステージ14の反対側(例えば、点対称)の位置にあるカウンターウェイト(CW1〜CW3)をXステージ14の移動方向と逆方向(例えば、点対称となる方向)に移動可能な構成としてもよい。このとき、Xステージ14の移動時の運動量と、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1〜CW3)の中心又は重心からの距離に応じて、カウンターウェイト(CW1〜CW3)の運動量を調整するようにしてもよい。 Further, the counter weights (CW1 to CW3) located on the opposite side (for example, point symmetry) of the moving X stage 14 with respect to the center or the center of gravity of the laser processing apparatus 10 in the XY plane are set as the moving direction of the X stage 14. The configuration may be such that it can be moved in the opposite direction (for example, the direction in which it becomes point-symmetrical). At this time, the momentum of the counterweights (CW1 to CW3) is adjusted according to the momentum of the movement of the X stage 14 and the distance from the center or the center of gravity of the X stage 14 and the counterweights (CW1 to CW3). May be good.

また、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1〜CW3)とを同期して移動させるようにしてもよい。すなわち、Xステージ14とカウンターウェイト(CW1〜CW3)の移動の開始及び停止タイミングを一致させるようにしてもよい。 Further, the X stage 14 and the counter weights (CW1 to CW3) may be moved in synchronization with each other. That is, the start and stop timings of the movements of the X stage 14 and the counterweights (CW1 to CW3) may be matched.

図7は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工の手順を示すタイミングチャートである。図7において、点線で囲んだ部分は加工部28(加工ユニット28A)を用いるステップを示し、破線で囲んだ部分は検査部30(検査ユニット30A)を用いるステップを示している。また、図7に示す区間P(i−1)におけるレーザ加工装置10の構成の位置関係は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2においてそれぞれ加工及び検査を行う図5に対応し、区間P(i)における位置関係は、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2においてそれぞれ検査及び加工を行う図6に対応している。 FIG. 7 is a timing chart showing a laser machining procedure according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 7, the portion surrounded by the dotted line indicates the step of using the processing unit 28 (processing unit 28A), and the portion surrounded by the broken line indicates the step of using the inspection unit 30 (inspection unit 30A). Further, the positional relationship of the configuration of the laser machining apparatus 10 in the section P (i-1) shown in FIG. 7 corresponds to FIG. 5 in which machining and inspection are performed in the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. The positional relationship in the section P (i) corresponds to FIG. 6 in which inspection and processing are performed in the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively.

(第2ステージ14−2における処理:ステップS5〜S3)
制御装置50は、ステップS5(2(i−1))において、検査部30を用いて、ウェーハW(2(i−1))に形成されたレーザ加工領域の検査を行う(検査ステップ)。このとき、制御装置50は、検査時の動作(第2ステージ14−2の動作)に応じて、第2ステージ14−2を挟んで配置されたカウンターウェイトCW2及びCW3を移動させて、レーザ加工装置10の振動を抑制する。そして、制御装置50は、ウェーハW(2(i−1))の検査が終了すると、検査の結果を記録し、入出力部52を介して出力する。
(Processing in the second stage 14-2: steps S5 to S3)
In step S5 (2 (i-1)), the control device 50 inspects the laser processing region formed on the wafer W (2 (i-1)) by using the inspection unit 30 (inspection step). At this time, the control device 50 moves the counterweights CW2 and CW3 arranged across the second stage 14-2 according to the operation at the time of inspection (the operation of the second stage 14-2) to perform laser machining. The vibration of the device 10 is suppressed. Then, when the inspection of the wafer W (2 (i-1)) is completed, the control device 50 records the inspection result and outputs it via the input / output unit 52.

次に、制御装置50は、ウェーハチャックC2へのウェーハW(2(i−1))の吸着状態を解除し、不図示のハンドラアームにより、ウェーハW(2(i−1))をレーザ加工装置10から搬出(アンロード)する(ステップS6(2(i−1)))。 Next, the control device 50 releases the adsorption state of the wafer W (2 (i-1)) on the wafer chuck C2, and laser-machines the wafer W (2 (i-1)) by a handler arm (not shown). Unloading from the device 10 (step S6 (2 (i-1))).

次に、制御装置50は、ウェーハW(2i)に対する加工準備を行う(ステップS1(2i)〜S3(2i))。まず、制御装置50は、不図示のハンドラアームにより、ウェーハW(2i)をレーザ加工装置10に搬入(ロード)する(ステップS1(2i))。 Next, the control device 50 prepares for processing the wafer W (2i) (steps S1 (2i) to S3 (2i)). First, the control device 50 carries (loads) the wafer W (2i) into the laser processing device 10 by a handler arm (not shown) (step S1 (2i)).

次に、制御装置50は、Z駆動部66を制御して検査部30のZ方向高さをセットする(ステップS2(2i))。そして、制御装置50は、光学ユニット30BによりウェーハW(2i)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i)の位置を検出し、アライメント(例えば、θ及びY方向の位置合わせ)を行う(ステップS3(2i))。 Next, the control device 50 controls the Z drive unit 66 to set the height of the inspection unit 30 in the Z direction (step S2 (2i)). Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i) by the optical unit 30B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i), and aligns (for example, the θ and Y directions). Alignment) (step S3 (2i)).

(第1ステージ14−1における処理:ステップS4)
一方、制御装置50は、ステップS5(2(i−1))〜S3(2i)と並行して、ステップS4(2i−1)を実施する(加工ステップ)。すなわち、制御装置50は、加工部28を用いて、第1ステージ14−1に吸着保持されたウェーハW(2i−1)に対してレーザ加工を行い、ウェーハW(2i−1)の分割予定ラインに沿ってレーザ加工領域を形成する。このとき、制御装置50は、加工時の動作(第1ステージ14−1の動作)に応じて、第1ステージ14−1を挟んで配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を移動させて、レーザ加工装置10の振動を抑制する。
(Processing in the first stage 14-1: step S4)
On the other hand, the control device 50 executes step S4 (2i-1) in parallel with steps S5 (2 (i-1)) to S3 (2i) (machining step). That is, the control device 50 performs laser machining on the wafer W (2i-1) attracted and held by the first stage 14-1 by using the machining section 28, and plans to divide the wafer W (2i-1). A laser machining area is formed along the line. At this time, the control device 50 moves the counter weights CW1 and CW3 arranged so as to sandwich the first stage 14-1 according to the operation at the time of processing (the operation of the first stage 14-1), and performs laser processing. The vibration of the device 10 is suppressed.

(加工及び検査の準備:ステップS10)
第1ステージ14−1におけるウェーハW(2i−1)に対する加工と、第2ステージ14−2におけるウェーハW(2i)に対する加工準備(ステップS1(2i)〜S3(2i))が終了すると、制御装置50は、ウェーハW(2i−1)の検査及びウェーハW(2i)の加工の準備を行う(ステップS10(i))。すなわち、制御装置50は、Y駆動部60を制御して加工部28を第2ステージ14−2側に移動させ、Y駆動部64を制御して検査部30を第1ステージ14−1側に移動させる。また、制御装置50は、X駆動部54−1及び54−2を制御して、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2をそれぞれ−X方向及び+X方向に移動させる。
(Preparation for processing and inspection: step S10)
Control when the machining of the wafer W (2i-1) in the first stage 14-1 and the machining preparation for the wafer W (2i) in the second stage 14-2 (steps S1 (2i) to S3 (2i)) are completed. The apparatus 50 inspects the wafer W (2i-1) and prepares for processing the wafer W (2i) (step S10 (i)). That is, the control device 50 controls the Y drive unit 60 to move the processing unit 28 to the second stage 14-2 side, and controls the Y drive unit 64 to move the inspection unit 30 to the first stage 14-1 side. Move. Further, the control device 50 controls the X drive units 54-1 and 54-2 to move the first stage 14-1 and the second stage 14-2 in the −X direction and the + X direction, respectively.

(第2ステージ14−2における準備:ステップS10)
次に、制御装置50は、Z駆動部62を制御して加工部28のZ方向高さをセットする。そして、制御装置50は、光学ユニット28BによりウェーハW(2i)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i)の位置を検出し、加工ユニット28AとウェーハW(2i)とのアライメント(例えば、X、θ、Y及びZ方向の位置合わせ)を行う。
(Preparation in the second stage 14-2: step S10)
Next, the control device 50 controls the Z drive unit 62 to set the height of the processing unit 28 in the Z direction. Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i) by the optical unit 28B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i), and processes the processing unit 28A and the wafer W (2i). ) (For example, alignment in the X, θ, Y and Z directions).

(第1ステージ14−1における準備:ステップS10)
一方、制御装置50は、Z駆動部66を制御して検査部30のZ方向高さをセットする。そして、制御装置50は、光学ユニット30BによりウェーハW(2i−1)の画像を取得し、アライメントパターンの位置を検出して、ウェーハW(2i−1)の位置を検出し、検査ユニット30AとウェーハW(2i−1)とのアライメント(例えば、X、θ、Y及びZ方向の位置合わせ)を行う。
(Preparation in the first stage 14-1: step S10)
On the other hand, the control device 50 controls the Z drive unit 66 to set the height of the inspection unit 30 in the Z direction. Then, the control device 50 acquires an image of the wafer W (2i-1) by the optical unit 30B, detects the position of the alignment pattern, detects the position of the wafer W (2i-1), and sets the inspection unit 30A. Alignment with the wafer W (2i-1) (for example, alignment in the X, θ, Y and Z directions) is performed.

(第2ステージ14−2における処理:ステップS4)
次に、制御装置50は、加工部28を用いて、第2ステージ14−2に吸着保持されたウェーハW(2i)に対してレーザ加工を行い、ウェーハW(2i)の分割予定ラインに沿ってレーザ加工領域を形成する(ステップS4(2i))。
(Processing in the second stage 14-2: step S4)
Next, the control device 50 laser-machines the wafer W (2i) attracted and held by the second stage 14-2 by using the processing unit 28, and follows the scheduled division line of the wafer W (2i). To form a laser machining region (step S4 (2i)).

(第1ステージ14−1における処理:ステップS5〜S3)
一方、制御装置50は、検査部30を用いて、ウェーハW(2i−1)に形成されたレーザ加工領域の検査を行う(ステップS5(2i−1))。そして、制御装置50は、ウェーハW(2i−1)の検査が終了すると、検査の結果を記録し、入出力部52を介して出力する。
(Processing in the first stage 14-1: Steps S5 to S3)
On the other hand, the control device 50 inspects the laser processing region formed on the wafer W (2i-1) by using the inspection unit 30 (step S5 (2i-1)). Then, when the inspection of the wafer W (2i-1) is completed, the control device 50 records the inspection result and outputs it via the input / output unit 52.

次に、制御装置50は、ウェーハチャックC2へのウェーハW(2i−1)のアンロード(ステップS6(2i−1))、ウェーハW(2i+1)のロード及び加工準備を行う(ステップS1(2i+1)〜S3(2i+1))。 Next, the control device 50 unloads the wafer W (2i-1) onto the wafer chuck C2 (step S6 (2i-1)), loads the wafer W (2i + 1), and prepares for processing (step S1 (2i + 1)). ) ~ S3 (2i + 1)).

上記のように、本実施形態では、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2において、ステップS1〜S6及びS10を交互に繰り返す。これにより、加工部28及び検査部30のダウンタイムの発生を抑制することができる。そして、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動に応じてカウンターウェイトCW1〜CW3を移動させることにより、レーザ加工装置10の振動を抑制することが可能になる。 As described above, in the present embodiment, steps S1 to S6 and S10 are alternately repeated in the first stage 14-1 and the second stage 14-2. As a result, it is possible to suppress the occurrence of downtime in the processing unit 28 and the inspection unit 30. Then, by moving the counterweights CW1 to CW3 in accordance with the movement of the first stage 14-1 and the second stage 14-2, it becomes possible to suppress the vibration of the laser processing apparatus 10.

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態について、図8を参照して説明する。図8は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、第1の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a plan view and a front view showing the laser processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図8に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Aは、第1ステージ14−1と第2ステージ14−2との間に、カウンターウェイトCW3が1個だけ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Aでは、+Y側から、第1ステージ14−1、カウンターウェイトCW3(ガイドレールG3)及び第2ステージ14−2の順番の配置となっている。 As shown in FIG. 8, in the laser processing apparatus 10A according to the present embodiment, only one counterweight CW3 is arranged between the first stage 14-1 and the second stage 14-2. That is, in the laser processing apparatus 10A according to the present embodiment, the first stage 14-1, the counterweight CW3 (guide rail G3), and the second stage 14-2 are arranged in this order from the + Y side.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW3を動作させる。具体的には、Xステージ14の移動方向と逆向きにカウンターウェイトCW3を移動させる。例えば、加工ステップと検査ステップを並行して行うときに、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動タイミングをずらせば、1個のカウンターウェイトCW3でも、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2により発生する振動を抑制することが可能になる。 The control device 50 operates the counterweight CW3 so as to suppress the vibration of the laser processing device 10 (X stage 14) generated by the operation during processing or inspection (operation of the X stage 14). Specifically, the counterweight CW3 is moved in the direction opposite to the moving direction of the X stage 14. For example, when the machining step and the inspection step are performed in parallel, if the movement timings of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are shifted, even one counterweight CW3 can be used for the first stage 14-1 and the first stage 14-1. It becomes possible to suppress the vibration generated by the second stage 14-2.

本実施形態によれば、カウンターウェイトの数を1個にしたので、第1の実施形態と比較して、レーザ加工装置10Aのサイズを小さくすることができ、かつ、軽量化することができる。さらに、本実施形態によれば、Y方向のストロークを短くすることができる。 According to the present embodiment, since the number of counterweights is one, the size of the laser processing apparatus 10A can be reduced and the weight can be reduced as compared with the first embodiment. Further, according to the present embodiment, the stroke in the Y direction can be shortened.

[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について、図9を参照して説明する。図9は、本発明の第3の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、上記の各実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a plan view and a front view showing the laser processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those of the above-described embodiments will be designated by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

図9に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Bは、第1ステージ14−1と第2ステージ14−2の外側に、2個のカウンターウェイトCW1及びCW2がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Bでは、+Y側から、カウンターウェイトCW1(ガイドレールG1)、第1ステージ14−1、第2ステージ14−2及びカウンターウェイトCW2(ガイドレールG2)の順番の配置となっている。 As shown in FIG. 9, in the laser processing apparatus 10B according to the present embodiment, two counterweights CW1 and CW2 are arranged outside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. That is, in the laser processing apparatus 10B according to the present embodiment, the counterweight CW1 (guide rail G1), the first stage 14-1, the second stage 14-2, and the counterweight CW2 (guide rail G2) are in this order from the + Y side. It is the arrangement of.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW1及びCW2を動作させる。例えば、第1ステージ14−1に最も近いカウンターウェイトCW1を、第1ステージ14−1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14−2に最も近いカウンターウェイトCW2を、第2ステージ14−2の移動方向と逆向きに移動させる。あるいは、レーザ加工装置10の中心又は重心に対して、第1ステージ14−1の反対側のカウンターウェイトCW2を、第1ステージ14−1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14−2の反対側のカウンターウェイトCW1を、第2ステージ14−2の移動方向と逆向きに移動させてもよい。 The control device 50 operates the counterweights CW1 and CW2 so as to suppress the vibration of the laser processing device 10 (X stage 14) generated by the operation during processing or inspection (operation of the X stage 14). For example, the counterweight CW1 closest to the first stage 14-1 is moved in the direction opposite to the moving direction of the first stage 14-1, and the counterweight CW2 closest to the second stage 14-2 is moved to the second stage 14. -Move in the direction opposite to the moving direction of -2. Alternatively, the counterweight CW2 on the opposite side of the first stage 14-1 is moved in the direction opposite to the moving direction of the first stage 14-1 with respect to the center or the center of gravity of the laser processing apparatus 10, and the second stage 14- The counterweight CW1 on the opposite side of 2 may be moved in the direction opposite to the moving direction of the second stage 14-2.

本実施形態によれば、カウンターウェイトの数を2個にしたので、第1の実施形態と比較して、レーザ加工装置10Bのサイズを小さくすることができ、かつ、軽量化することができる。さらに、本実施形態によれば、Y方向のストロークを短くすることができる。 According to the present embodiment, since the number of counterweights is two, the size of the laser processing apparatus 10B can be reduced and the weight can be reduced as compared with the first embodiment. Further, according to the present embodiment, the stroke in the Y direction can be shortened.

[第4の実施形態]
次に、本発明の第4の実施形態について、図10を参照して説明する。図10は、本発明の第4の実施形態に係るレーザ加工装置を示す平面図及び正面図である。以下の説明において、上記の各実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a plan view and a front view showing a laser processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In the following description, the same components as those of the above-described embodiments will be designated by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

図10に示すように、本実施形態に係るレーザ加工装置10Cは、第1ステージ14−1と第2ステージ14−2の外側に、2個のカウンターウェイトCW1及びCW2がそれぞれ配置されており、第1ステージ14−1と第2ステージ14−2の内側に、2個のカウンターウェイトCW3及びCW4がそれぞれ配置されている。すなわち、本実施形態に係るレーザ加工装置10Cでは、+Y側から、カウンターウェイトCW1(ガイドレールG1)、第1ステージ14−1、カウンターウェイトCW3及びCW4(ガイドレールG3及びG4)、第2ステージ14−2並びにカウンターウェイトCW2(ガイドレールG2)の順番の配置となっている。ここで、カウンターウェイトCW1及びCW3は、第1ステージ14−1の両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトの一例であり、カウンターウェイトCW2及びCW4は、第2ステージ14−2の両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトの一例である。 As shown in FIG. 10, in the laser processing apparatus 10C according to the present embodiment, two counterweights CW1 and CW2 are arranged outside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. Two counterweights CW3 and CW4 are arranged inside the first stage 14-1 and the second stage 14-2, respectively. That is, in the laser processing apparatus 10C according to the present embodiment, from the + Y side, the counterweight CW1 (guide rail G1), the first stage 14-1, the counterweights CW3 and CW4 (guide rails G3 and G4), and the second stage 14 -2 and counterweight CW2 (guide rail G2) are arranged in this order. Here, the counterweights CW1 and CW3 are examples of a pair of counterweights on the first stage side arranged on both sides of the first stage 14-1, and the counterweights CW2 and CW4 are on both sides of the second stage 14-2. This is an example of a pair of counterweights on the second stage side arranged in.

制御装置50は、加工時又は検査時の動作(Xステージ14の動作)により発生するレーザ加工装置10(Xステージ14)の振動を抑制するように、カウンターウェイトCW1からCW4を動作させる。具体的には、第1ステージ14−1を挟むように配置されたカウンターウェイトCW1及びCW3を、第1ステージ14−1の移動方向と逆向きに移動させ、第2ステージ14−2を挟むように配置されたカウンターウェイトCW2及びCW4を、第2ステージ14−2の移動方向と逆向きに移動させる。 The control device 50 operates the counterweights CW1 to CW4 so as to suppress the vibration of the laser processing device 10 (X stage 14) generated by the operation during processing or inspection (operation of the X stage 14). Specifically, the counterweights CW1 and CW3 arranged so as to sandwich the first stage 14-1 are moved in the direction opposite to the moving direction of the first stage 14-1 so as to sandwich the second stage 14-2. The counterweights CW2 and CW4 arranged in the second stage 14-2 are moved in the direction opposite to the moving direction of the second stage 14-2.

本実施形態によれば、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2を挟むように2個ずつカウンターウェイトを配置したので、加工部28及び検査部30等の動作により発生するレーザ加工装置10Cの回転モーメントをより効果的に打ち消すことができる。これにより、制振効果を高めることが可能になる。 According to the present embodiment, since two counterweights are arranged so as to sandwich the first stage 14-1 and the second stage 14-2, the laser processing apparatus generated by the operation of the processing unit 28, the inspection unit 30, and the like. The rotational moment of 10C can be canceled more effectively. This makes it possible to enhance the damping effect.

[実施例]
次に、上記の実施形態に係るレーザ加工装置の制振効果について、図11を参照して説明する。図11は、カウンターウェイトの数とレーザ加工装置の変位の関係を示すグラフである。
[Example]
Next, the vibration damping effect of the laser processing apparatus according to the above embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a graph showing the relationship between the number of counterweights and the displacement of the laser processing apparatus.

図11の(a)は、カウンターウェイトを設けなかった場合のレーザ加工装置(比較例)の動作時の変位を示している。図11の(b)は、カウンターウェイトを1個設けた場合(第2の実施形態)に、(c)は、カウンターウェイトを2個設けた場合(第3の実施形態)に対応している。 FIG. 11A shows the displacement of the laser processing apparatus (comparative example) during operation when the counterweight is not provided. FIG. 11B corresponds to the case where one counterweight is provided (second embodiment), and (c) corresponds to the case where two counterweights are provided (third embodiment). ..

なお、図11では、経過時間及び変位の数値は割愛したが、図11の(a)〜(c)における経過時間及び変位の目盛の大きさは同じである。 Although the numerical values of the elapsed time and the displacement are omitted in FIG. 11, the scales of the elapsed time and the displacement in FIGS. 11 (a) to 11 (c) are the same.

図11の(a)に示すように、カウンターウェイトを設けなかった場合には、Xステージの移動によりレーザ加工装置に振動が発生し、レーザ加工及び加工不良の検査の精度に影響を与える。 As shown in FIG. 11A, when the counterweight is not provided, vibration is generated in the laser processing apparatus due to the movement of the X stage, which affects the accuracy of laser processing and inspection of processing defects.

これに対して、図11の(b)及び(c)に示すように、カウンターウェイトを設けた場合には、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動により発生するレーザ加工装置10A及び10Bの振動が抑制される。そして、カウンターウェイトの数が多くなるほど、より制振効果を高めることができる。 On the other hand, as shown in FIGS. 11B and 11C, when the counterweight is provided, the laser processing apparatus generated by the movement of the first stage 14-1 and the second stage 14-2. Vibrations of 10A and 10B are suppressed. And, as the number of counterweights increases, the damping effect can be further enhanced.

なお、本実施形態では、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動方向を平行としたが、本発明はこれに限定されない。第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動方向が非平行の場合であっても、第1ステージ14−1及び第2ステージ14−2の移動方向に対して平行に移動可能なカウンターウェイト及びガイドレールを設けることにより、振動の抑制を実現することが可能である。 In the present embodiment, the moving directions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are parallel, but the present invention is not limited to this. Even if the moving directions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2 are not parallel, they can be moved in parallel with the moving directions of the first stage 14-1 and the second stage 14-2. By providing a counterweight and a guide rail, it is possible to suppress vibration.

また、本実施形態では、レーザ加工装置がXステージを2個備える場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。3台以上の複数のXステージを備える場合であっても、各Xステージの移動方向に対して平行に移動可能なカウンターウェイト及びガイドレールを設けることにより、振動の抑制を実現することが可能である。 Further, in the present embodiment, the case where the laser processing apparatus includes two X stages has been described, but the present invention is not limited to this. Even when a plurality of X stages of three or more are provided, it is possible to suppress vibration by providing counterweights and guide rails that can move in parallel with the moving direction of each X stage. is there.

また、本実施形態は、複数のXステージを備えるレーザ加工装置において、加工と並行して行う検査として亀裂検出を行う場合について説明したが、これに限らず、例えば、加工と並行して亀裂検出以外の検査を行う場合にも適用することが可能である。また、本実施形態における検査は、レーザ加工後のワークWに対して行うものであったが、レーザ加工前のワークWに対する検査についても、本実施形態を適用して、加工と並行して行うことが可能である。また、本実施形態における加工は、レーザ加工であったが、レーザ加工以外の加工(例えば、ブレードダイシング)を行う場合にも本実施形態を適用することが可能である。 Further, the present embodiment has described a case where crack detection is performed as an inspection performed in parallel with processing in a laser processing apparatus provided with a plurality of X stages, but the present invention is not limited to this, and for example, crack detection is performed in parallel with processing. It can also be applied when performing inspections other than. Further, the inspection in the present embodiment was performed on the work W after laser machining, but the inspection on the work W before laser machining is also performed in parallel with the machining by applying this embodiment. It is possible. Further, although the processing in the present embodiment is laser processing, the present embodiment can also be applied when processing other than laser processing (for example, blade dicing) is performed.

10、10A、10B、10C…レーザ加工装置、12…ベース、14−1…第1ステージ、14−2…第2ステージ、16−1、16−2…θステージ、18…Yベース、20、24…Yステージ、22、26…Zステージ、28…加工部、28A…加工ユニット、28B…光学ユニット、30…検査部、30A…検査ユニット、30B…光学ユニット、50…制御装置、52…入出力部、54−1、54−2…X駆動部、56−1、56−2…θ駆動部、58…制振機構、60、64…Y駆動部、62、66…Z駆動部、C1、C2…ウェーハチャック、CW1〜CW4…カウンターウェイト、G1〜G4…ガイドレール 10, 10A, 10B, 10C ... Laser Machining Equipment, 12 ... Base, 14-1 ... 1st Stage, 14-2 ... 2nd Stage, 16-1, 16-2 ... θ Stage, 18 ... Y Base, 20, 24 ... Y stage, 22, 26 ... Z stage, 28 ... Machining unit, 28A ... Machining unit, 28B ... Optical unit, 30 ... Inspection unit, 30A ... Inspection unit, 30B ... Optical unit, 50 ... Control device, 52 ... On Output unit, 54-1, 54-2 ... X drive unit, 56-1, 56-2 ... θ drive unit, 58 ... Vibration damping mechanism, 60, 64 ... Y drive unit, 62, 66 ... Z drive unit, C1 , C2 ... Wafer chuck, CW1-CW4 ... Counterweight, G1-G4 ... Guide rail

Claims (8)

第1方向にそれぞれ互いに独立に移動可能に構成された複数のステージと、
前記第1方向に直交する第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち一のステージに保持された第1のワークを加工する加工手段と、
前記加工手段とは独立して前記第2方向に移動可能に構成され、前記複数のステージのうち他のステージに保持された第2のワークを検査する検査手段と、
前記第1方向に移動可能に構成された少なくとも1つのカウンターウェイトと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるカウンターウェイト制御手段と、
を備える加工装置。
Multiple stages configured to move independently of each other in the first direction,
A processing means for processing a first work that is movable in a second direction orthogonal to the first direction and is held in one of the plurality of stages.
An inspection means that is configured to be movable in the second direction independently of the processing means and inspects a second work held in another stage among the plurality of stages.
With at least one counterweight configured to be movable in the first direction,
A counterweight control means for moving at least one counterweight so as to suppress vibration generated by the movement of the one stage or the other stage.
A processing device equipped with.
前記カウンターウェイト制御手段は、前記一のステージ又は前記他のステージの移動方向と逆向きに前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる、
請求項1に記載の加工装置。
The counterweight control means moves the at least one counterweight in the direction opposite to the moving direction of the one stage or the other stage.
The processing apparatus according to claim 1.
前記カウンターウェイト制御手段は、前記一のステージ又は前記他のステージのうち前記加工手段に対向するステージの移動方向と逆向きに前記少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させる、
請求項1に記載の加工装置。
The counterweight control means moves the at least one counterweight in the direction opposite to the moving direction of the stage of the one stage or the other stage facing the processing means.
The processing apparatus according to claim 1.
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの前記第2ステージが配置される側とは反対側に配置された第1カウンターウェイトと、前記第2ステージの前記第1ステージが配置される側とは反対側に配置された第2カウンターウェイトとを含む、
請求項1から3のいずれか1項に記載の加工装置。
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction.
The at least one counterweight includes a first counterweight arranged on the side of the first stage opposite to the side on which the second stage is arranged, and a side on which the first stage of the second stage is arranged. Includes a second counterweight located on the opposite side of the
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージと前記第2ステージとの間に配置された第3カウンターウェイトを含む、
請求項1から4のいずれか1項に記載の加工装置。
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction.
The at least one counterweight includes a third counterweight disposed between the first stage and the second stage.
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
前記複数のステージは、前記第2方向に並設された第1ステージと第2ステージとを含み、
前記少なくとも1つのカウンターウェイトは、前記第1ステージの両側に配置された一対の第1ステージ側カウンターウェイトと、前記第2ステージの両側に配置された一対の第2ステージ側カウンターウェイトとを含む、
請求項1から3のいずれか1項に記載の加工装置。
The plurality of stages include a first stage and a second stage arranged side by side in the second direction.
The at least one counterweight includes a pair of first stage side counterweights arranged on both sides of the first stage and a pair of second stage side counterweights arranged on both sides of the second stage.
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記加工手段は、前記ワークをレーザ加工する、請求項1から6のいずれか1項に記載の加工装置。 The processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the processing means laser-processes the work. 複数のステージのうち一のステージに対向する位置に加工手段を移動させるステップと、
前記複数のステージのうち他のステージに対向する位置に検査手段を移動させるステップと、
前記加工手段に対して前記一のステージを移動させながら、前記一のステージに保持された第1のワークを前記加工手段により加工するステップと、
前記検査手段に対して前記他のステージを移動させながら、前記他のステージに保持された第2のワークを前記検査手段により検査するステップと、
前記一のステージ又は前記他のステージの移動により発生する振動を抑制するように少なくとも1つのカウンターウェイトを移動させるステップと、
を含む加工方法。
A step of moving the processing means to a position facing one of the multiple stages,
A step of moving the inspection means to a position facing the other stage among the plurality of stages,
A step of processing the first work held by the one stage by the processing means while moving the one stage with respect to the processing means.
A step of inspecting the second work held by the other stage by the inspection means while moving the other stage with respect to the inspection means.
A step of moving at least one counterweight so as to suppress vibration generated by the movement of the one stage or the other stage.
Processing method including.
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