JP7411212B2 - Resistance element for variable resistor - Google Patents

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Description

本発明は、ロータリーセンサなどの各種可変抵抗器に用いて好適な可変抵抗器用抵抗素子に関するものである。 The present invention relates to a resistance element for a variable resistor suitable for use in various variable resistors such as a rotary sensor.

従来、例えば特許文献1の図3に示すように、回転式可変抵抗器に用いる可変抵抗器用抵抗素子(可変抵抗器用基板)は、基板(10)の表面に、リング状の集電パターン(15)と、集電パターン(15)の周囲を囲む円弧状の抵抗体パターン(16)とを形成すると共に、基板(10)の1外周辺に3つの端子接続パターン(50)を形成し、集電パターン(15)の外周から引き出した接続パターンを中央の端子接続パターン(50)に接続し、抵抗体パターン(16)の両端から引き出した接続パターンをそれぞれ左右両側の端子接続パターン(50)に接続して構成されている。これら各パターンは、何れもスクリーン印刷などによって形成される。なお集電パターン(15)と抵抗体パターン(16)は、その表面を金属板製の摺動子が摺接する摺接パターンである。 Conventionally, as shown in FIG. 3 of Patent Document 1, for example, a variable resistor resistance element (variable resistor substrate) used in a rotary variable resistor has a ring-shaped current collection pattern (15) on the surface of a substrate (10). ) and an arc-shaped resistor pattern (16) surrounding the current collecting pattern (15), and three terminal connection patterns (50) are formed around one outer periphery of the substrate (10). Connect the connection pattern pulled out from the outer periphery of the electrical pattern (15) to the center terminal connection pattern (50), and connect the connection patterns pulled out from both ends of the resistor pattern (16) to the left and right terminal connection patterns (50), respectively. connected and configured. Each of these patterns is formed by screen printing or the like. Note that the current collecting pattern (15) and the resistor pattern (16) are sliding contact patterns on whose surfaces a slider made of a metal plate slides.

特開平10-172630号公報Japanese Patent Application Publication No. 10-172630

ところで、上記のような可変抵抗器用抵抗素子において、その電気的有効角度(集電パターン(15)と抵抗体パターン(16)上を摺動子が同時に摺動できる回転角度)を大きくしたい場合、抵抗体パターン(16)の両端を延ばしてその間隔を小さくしなければならない。 By the way, when it is desired to increase the electrically effective angle (rotation angle at which the slider can simultaneously slide on the current collecting pattern (15) and the resistor pattern (16)) in the resistance element for a variable resistor as described above, Both ends of the resistor pattern (16) must be extended to reduce the distance between them.

しかし、抵抗体パターン(16)の両端間には集電パターン(15)から引き出される接続パターンが通過するので、上述のように抵抗体パターン(16)の両端の間隔を小さくすると、抵抗体パターン(16)の両端と、集電パターン(15)から引き出される接続パターンとの間隔が狭くなり、両者間にイオンマイグレーションを発生してしまう虞があった。 However, since the connection pattern drawn out from the current collecting pattern (15) passes between both ends of the resistor pattern (16), if the distance between both ends of the resistor pattern (16) is reduced as described above, the resistor pattern The distance between both ends of the current collecting pattern (16) and the connection pattern drawn out from the current collecting pattern (15) became narrow, and there was a possibility that ion migration would occur between the two.

本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、イオンマイグレーションを効果的に防止することができる可変抵抗器用抵抗素子を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a resistance element for a variable resistor that can effectively prevent ion migration.

本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成される摺動接点摺接用の集電パターンと、前記絶縁基板上の前記集電パターンの外側を囲むように形成される摺動接点摺接用の抵抗体パターンと、前記絶縁基板上に所定間隔を空けて並列に3か所形成される金属端子当接用の端子接続パターンと、前記集電パターンと前記中央の端子接続パターンの間、及び前記抵抗体パターンの両端のそれぞれと前記両側の端子接続パターンのそれぞれの間を、それぞれ接続する接続パターンと、を具備する可変抵抗器用抵抗素子において、前記両側の接続パターンを、前記抵抗体パターンを形成するカーボンインクと同じカーボンインクからなる接続パターン被覆層で被覆し、且つ前記中央の接続パターンを絶縁体層で覆い、前記中央の接続パターンを覆う絶縁体層を、前記両側の接続パターンを覆う接続パターン被覆部の上まで形成し、さらに前記絶縁体層の前記各端子接続パターンに対向する側の辺には、当該各端子接続パターンから隙間を形成するように、それぞれ凹部を設けたことを特徴としている。
本発明によれば、接続パターン被覆層(カーボン層)によって接続パターンの露出部分を被覆するので、接続パターンへの水分の付着を防止できてそのイオン化を防止でき、これによってイオンマイグレーションを効果的に防止することができる。
また接続パターン被覆層として抵抗体パターンを構成するカーボンインクと同じカーボンインクを用いているので、抵抗体パターンと接続パターン被覆層とを同一工程で形成することができて作業効率を向上させることができ、また同一材料を用いるのでこの点からもコストの低減化を図ることができる。
また本可変抵抗器用抵抗素子のように、集電パターンに接続した接続パターンの両側に、抵抗体パターンの両端に接続した接続パターンが配置されている場合、全ての接続パターンに導電性を有する接続パターン被覆層を被覆すると、各接続パターン被覆層の間隔が狭くなり、ショートの虞が高くなるが、本発明によれば、中央の接続パターンには絶縁層を被覆するので、両側の接続パターンとのショートの虞を確実に防止することができる。
また、中央の接続パターンを覆う絶縁層を、両側の接続パターンを覆う接続パターン被覆層の上まで形成したので、これら接続パターン間のイオンマイグレーションをさらに効果的に防止することができる。
The present invention provides an insulating substrate, a current collecting pattern for sliding contact formed on the insulating substrate, and a sliding contact sliding pattern formed so as to surround the outside of the current collecting pattern on the insulating substrate. a resistor pattern for contact, a terminal connection pattern for contacting metal terminals formed in three parallel locations at predetermined intervals on the insulating substrate, the current collection pattern and the center terminal connection pattern. and a connection pattern that connects each of the terminal connection patterns on both sides of the resistor pattern , and a connection pattern that connects each of the terminal connection patterns on both sides with the connection pattern on both sides . The central connection pattern is covered with a connection pattern coating layer made of the same carbon ink as the carbon ink forming the resistor pattern, and the central connection pattern is covered with an insulator layer. A concave portion is formed up to the top of the connection pattern covering portion covering the connection pattern, and further, a recess is formed on the side of the insulating layer opposite to each terminal connection pattern so as to form a gap from each terminal connection pattern. It is characterized by the fact that it has been established .
According to the present invention, since the exposed portion of the connection pattern is covered with the connection pattern coating layer (carbon layer), it is possible to prevent moisture from adhering to the connection pattern and prevent its ionization, thereby effectively preventing ion migration. It can be prevented.
In addition, since the same carbon ink as that forming the resistor pattern is used as the connection pattern coating layer, the resistor pattern and the connection pattern coating layer can be formed in the same process, improving work efficiency. Moreover, since the same material is used, cost reduction can also be achieved from this point of view.
In addition, when connection patterns connected to both ends of the resistor pattern are arranged on both sides of the connection pattern connected to the current collection pattern, as in the case of this resistance element for a variable resistor, all connection patterns have conductive connections. If a pattern coating layer is applied, the spacing between each connection pattern coating layer becomes narrower, increasing the risk of short-circuiting. However, according to the present invention, since the central connection pattern is covered with an insulating layer, there is no possibility of a short circuit between the connection patterns on both sides. It is possible to reliably prevent the possibility of short-circuiting.
Furthermore, since the insulating layer covering the central connection pattern is formed up to the connection pattern covering layer covering the connection patterns on both sides, ion migration between these connection patterns can be more effectively prevented.

また本発明は、上記特徴に加え、前記絶縁基板の隣り合う前記端子接続パターン間に切欠き部を形成し、前記絶縁体層の前記各凹部の間の突出する部分の先端部分を、前記絶縁基板上の前記切欠き部の最も奥寄り近傍部分を囲む位置まで形成することを特徴としている。
本発明によれば、切欠きを設けることで、隣り合う端子接続パターン間のマイグレーションを防止できる。同時に、切欠き部の最も奥寄り近傍部分を伝ってのイオンマイグレーションも、絶縁体層によって防止することができる。
In addition to the above-mentioned features, the present invention also provides a method in which a notch is formed between the adjacent terminal connection patterns of the insulating substrate, and a tip portion of a protruding portion between the recesses of the insulating layer is formed in the insulating substrate. It is characterized in that it is formed to a position that surrounds the innermost portion of the notch on the substrate .
According to the present invention, by providing the notch, migration between adjacent terminal connection patterns can be prevented. At the same time, the insulating layer can also prevent ion migration through the innermost portion of the notch.

本発明によれば、イオンマイグレーションを効果的に防止することができる。 According to the present invention, ion migration can be effectively prevented.

可変抵抗器用抵抗素子1の平面図である。It is a top view of the resistance element 1 for variable resistors. 抵抗基板1の製造方法説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the resistor substrate 1. FIG. 抵抗基板1の製造方法説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the resistor substrate 1. FIG. 抵抗基板1の製造方法説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a method for manufacturing the resistor substrate 1. FIG. 抵抗基板1の要部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of the main parts of the resistor substrate 1. FIG. 図5のA-A部分断面概略図である。6 is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 5. FIG.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の1実施形態にかかる可変抵抗器用抵抗素子(以下「抵抗基板」という)1の平面図である。同図に示すように、抵抗基板1は、回転式可変抵抗器用の抵抗基板であり、絶縁基板10上に、集電パターン20と、抵抗体パターン40と、3つの端子接続パターン60(60-1,2,3)とを形成して構成されている。なお以下の説明において、「上」とは絶縁基板10から集電パターン20などの各種パターンを形成した面側を見る方向をいい、「下」とはその反対方向をいうものとする。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a resistance element for a variable resistor (hereinafter referred to as "resistance board") 1 according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the resistance substrate 1 is a resistance substrate for a rotary variable resistor, and has a current collecting pattern 20, a resistor pattern 40, and three terminal connection patterns 60 (60- 1, 2, and 3). In the following description, "top" refers to the direction from which the side of the insulating substrate 10 is viewed from which various patterns such as the current collection pattern 20 are formed, and "bottom" refers to the opposite direction.

絶縁基板10は、ポリフェニレンスルフイド(PPS)、ナイロン(PA)などの合成樹脂製の硬質基板によって構成されている。絶縁基板10の形状は、略矩形状であって、その一辺を円弧状に形成し、その反対側の一辺を略直線状の端子接続用辺11に形成し、またその中央に円形の貫通孔13を設けている。絶縁基板10上には、上述のように、集電パターン20や抵抗体パターン40などが印刷によって形成されているが、以下その構成をその製造方法と共に説明する。 The insulating substrate 10 is made of a hard substrate made of synthetic resin such as polyphenylene sulfide (PPS) or nylon (PA). The shape of the insulating substrate 10 is approximately rectangular, with one side formed in an arc shape, the opposite side formed into a substantially linear terminal connection side 11, and a circular through hole in the center. There are 13. As described above, the current collecting pattern 20, the resistor pattern 40, and the like are formed by printing on the insulating substrate 10, and the structure thereof will be explained below along with the manufacturing method thereof.

図2~図4は、抵抗基板1の製造方法説明図であり、それぞれ図(a)はその工程において印刷するパターンのみを示し、図(b)はそれまでに重ねたパターンの印刷状態を示している。 2 to 4 are explanatory diagrams of the manufacturing method of the resistor board 1, in which figure (a) shows only the pattern printed in that process, and figure (b) shows the printed state of the patterns that have been overlapped up to that point. ing.

図2に示すように、まず、絶縁基板10上に銀ペーストをスクリーン印刷することによって、集電パターン本体部20Aと、3つの端子接続パターン60-1,2,3と、各端子接続パターン60-1,2,3に接続される接続パターン80-1,2,3とを形成する。 As shown in FIG. 2, first, by screen printing silver paste on the insulating substrate 10, the current collecting pattern main body 20A, three terminal connection patterns 60-1, 2, and 3, and each terminal connection pattern 60-1 are formed. Connection patterns 80-1, 2, and 3 connected to -1, 2, and 3 are formed.

集電パターン本体部20Aは、絶縁基板10表面の貫通孔13の周囲にリング状に形成される。3つの端子接続パターン60-1,2,3は、絶縁基板10表面の端子接続用辺11に所定間隔を空けて並ぶように設けられる。さらに言えば、絶縁基板10の端子接続用辺11には、その外周辺から凹むように、2つの切欠き部15-1,2が形成されており、これら切欠き部15-1,2は隣り合う各端子接続パターン60-1,2,3の間に形成されている。 The current collection pattern main body 20A is formed in a ring shape around the through hole 13 on the surface of the insulating substrate 10. The three terminal connection patterns 60-1, 2, and 3 are provided on the terminal connection side 11 on the surface of the insulating substrate 10 so as to be lined up at a predetermined interval. Furthermore, two notches 15-1 and 2 are formed in the terminal connection side 11 of the insulating substrate 10 so as to be recessed from the outer periphery, and these notches 15-1 and 2 are It is formed between adjacent terminal connection patterns 60-1, 2, and 3.

中央の端子接続パターン60-2は、集電パターン本体部20A方向に向かってその幅寸法を小さくする三角形状に形成され、これによって、切欠き部15-1,2の最も奥寄り部分側における両側の端子接続パターン60-1,3との間隔を広げるようにしている。また両側の端子接続パターン60-1,3は、集電パターン本体部20A方向に向かってその幅寸法を小さくする略台形状に形成され、その際、中央の端子接続パターン60-2側の辺を傾斜辺とすることで、切欠き部15-1,2の最も奥寄り部分(集電パターン20寄り部分)側における中央の端子接続パターン60-2との間隔を広げるようにしている。各端子接続パターン60-1,2,3の形状を上記のように構成することで、切欠き部15-1,2の最も奥寄り側においてのイオンマイグレーション(銀マイグレーション)を防止している。 The central terminal connection pattern 60-2 is formed in a triangular shape whose width decreases toward the direction of the current collection pattern main body 20A. The distance between the terminal connection patterns 60-1 and 60-3 on both sides is widened. In addition, the terminal connection patterns 60-1 and 3 on both sides are formed into a substantially trapezoidal shape whose width decreases toward the direction of the current collecting pattern main body 20A. By making the notches 15-1 and 15-2 slope sides, the distance from the center terminal connection pattern 60-2 at the innermost portion of the cutout portions 15-1 and 15-2 (portion closer to the current collection pattern 20) is increased. By configuring the shape of each terminal connection pattern 60-1, 2, 3 as described above, ion migration (silver migration) at the innermost side of the notch portions 15-1, 2 is prevented.

中央の端子接続パターン60-2の前記集電パターン本体部20A側の端部には、前記集電パターン本体部20Aと接続される接続パターン80-2が接続されている。接続パターン80-2は直線状である。左右の端子接続パターン60-1,3の前記集電パターン本体部20A側の端部には、下記する抵抗体パターン40の両端に接続される接続パターン80-1,3が接続されている。接続パターン80-1,3は、前記中央の接続パターン80-2の方向に向いて直線状に延びた後、集電パターン本体部20A側に向かって屈曲して延びる形状に形成されている。接続パターン80-1,3の先端部分が、下記する抵抗体パターン40の両端位置と重なる。 A connection pattern 80-2 connected to the current collection pattern main body 20A is connected to the end of the central terminal connection pattern 60-2 on the current collection pattern main body 20A side. The connection pattern 80-2 is linear. Connection patterns 80-1 and 3, which are connected to both ends of the resistor pattern 40 described below, are connected to the ends of the left and right terminal connection patterns 60-1 and 60-3 on the collector pattern main body 20A side. The connection patterns 80-1 and 80-3 are formed in a shape that extends linearly in the direction of the central connection pattern 80-2, and then extends in a bent manner toward the current collecting pattern main body 20A side. The tip portions of the connection patterns 80-1 and 80-3 overlap with both end positions of the resistor pattern 40 described below.

次に、図3に示すように、絶縁基板10上に、カーボンペーストをスクリーン印刷することによって、集電パターン被覆層20Bと、抵抗体パターン40と、接続パターン被覆層80A-1,3とを形成する。 Next, as shown in FIG. 3, carbon paste is screen printed on the insulating substrate 10 to form the current collecting pattern covering layer 20B, the resistor pattern 40, and the connecting pattern covering layers 80A-1 and 3. Form.

集電パターン被覆層20Bは、前記集電パターン本体部20Aの表面全体を被覆するように、リング状であってその幅寸法が、集電パターン本体部20Aの幅寸法よりも少し大きくなるように形成されている。集電パターン本体部20Aと集電パターン被覆層20Bによって、集電パターン20が構成される。 The current collecting pattern covering layer 20B is ring-shaped and has a width slightly larger than that of the current collecting pattern main body 20A so as to cover the entire surface of the current collecting pattern main body 20A. It is formed. The current collection pattern 20 is configured by the current collection pattern main body 20A and the current collection pattern covering layer 20B.

抵抗体パターン40は、前記集電パターン20の外側を等間隔に囲むように円弧状に形成されている。抵抗体パターン40の両端部には、それぞれ接続パターン被覆層80A-1,3が形成されている。接続パターン被覆層80A-1,3は、その一端が抵抗体パターン40の端部に接続され、端子接続用辺11側に向けて引き出された後、左右の端子接続パターン60-1,3側に向けて略直角に屈曲し、直線状に延ばされている。言い換えれば、接続パターン被覆層80A-1,3は、前記接続パターン80-1,3の表面を覆うように形成されている。従って、接続パターン被覆層80A-1,3の幅寸法は、接続パターン80-1,3の幅寸法よりも少し大きい寸法に形成されている。 The resistor pattern 40 is formed in an arc shape so as to surround the outside of the current collecting pattern 20 at equal intervals. Connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3 are formed at both ends of the resistor pattern 40, respectively. One end of the connection pattern coating layer 80A-1, 3 is connected to the end of the resistor pattern 40, and after being pulled out toward the terminal connection side 11 side, the connection pattern coating layer 80A-1, 3 is connected to the left and right terminal connection pattern 60-1, 3 side. It is bent at a substantially right angle toward the direction and extended in a straight line. In other words, the connection pattern covering layers 80A-1, 3 are formed to cover the surfaces of the connection patterns 80-1, 3. Therefore, the width dimensions of the connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3 are formed to be slightly larger than the width dimensions of the connection patterns 80A-1 and 80A-3.

次に、図4に示すように、絶縁基板10上に、絶縁樹脂ペーストをスクリーン印刷することによって、絶縁層100を形成する。 Next, as shown in FIG. 4, an insulating layer 100 is formed on the insulating substrate 10 by screen printing an insulating resin paste.

絶縁層100は、前記中央の接続パターン80-2と、その両側の一対の接続パターン被覆層80A-1,3とを被覆するように形成されている。絶縁層100は、略直線状で、前記端子接続パターン60-1,2,3の並び方向とほぼ平行になるように形成されている。絶縁層100の中央には、集電パターン20方向に突出して接続パターン80-2を被覆する接続パターン用絶縁層101が設けられている。接続パターン用絶縁層101は、接続パターン80-2の全体(端子接続パターン60-2の近傍部分を除く)を覆うように形成されており、さらに接続パターン用絶縁層101の幅方向の両側部分が、前記両接続パターン被覆層80A-1,3の対向する内側辺付近も覆う幅寸法に形成されている。 The insulating layer 100 is formed to cover the central connection pattern 80-2 and a pair of connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3 on both sides thereof. The insulating layer 100 has a substantially linear shape and is formed substantially parallel to the direction in which the terminal connection patterns 60-1, 2, and 3 are arranged. At the center of the insulating layer 100, a connection pattern insulating layer 101 is provided that protrudes in the direction of the current collection pattern 20 and covers the connection pattern 80-2. The connection pattern insulating layer 101 is formed to cover the entire connection pattern 80-2 (excluding the vicinity of the terminal connection pattern 60-2), and further covers both sides of the connection pattern insulating layer 101 in the width direction. is formed to have a width dimension that also covers the vicinity of the opposing inner sides of both connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3.

一方、絶縁層100の下辺の各端子接続パターン60-1,2,3に対向する部分は、各端子接続パターン60-1,2,3から所定の隙間を形成するように、凹部103,105,107が形成されている。逆に言えば、絶縁層100の下辺の凹部103と凹部105の間の部分と、凹部105と凹部107の間の部分は、下方向に突出してそれらの先端部分はそれぞれ切欠き部15-1,2の最も奥寄り近傍部分を囲むようにその近傍位置にまで形成されている。以上によって、抵抗基板1が完成する。 On the other hand, a portion of the lower side of the insulating layer 100 facing each of the terminal connection patterns 60-1, 2, and 3 is provided with recesses 103, 105 so as to form a predetermined gap from each of the terminal connection patterns 60-1, 2, and 3. , 107 are formed. Conversely, the portion between the recess 103 and the recess 105 and the portion between the recess 105 and the recess 107 on the lower side of the insulating layer 100 protrude downward, and their tip portions form the notch 15-1, respectively. . Through the above steps, the resistor substrate 1 is completed.

図5は抵抗基板1の前記端子接続パターン60-1,2,3などを形成した部分の近傍部分の要部拡大平面図である。また図6は、図5のA-A部分断面概略図である。上記抵抗基板1には、例えば図6に点線で示すように、各端子接続パターン60-1,2,3上にそれぞれ金属端子120の一端が当接された状態で図示しない金型内に収納され、当該金型内の抵抗基板1周囲に形成されたキャビティー内に溶融樹脂を圧入・固化し、金型を取り外すことで、各金属端子120を各端子接続パターン60-1,2,3に接続する。これによって、抵抗基板1と各金属端子120とを一体に固定した図示しないケースが成形される。当該ケース内に設置された抵抗基板1の上に摺動子や回転つまみなどを組み込むことで、回転式電子部品が組み立てられる。そして摺動子を回転すれば、摺動子の摺動接点が集電パターン20と抵抗体パターン40上を摺接し、各金属端子120間の電気的出力が変化する。 FIG. 5 is an enlarged plan view of a main portion of the resistor board 1 near the portion where the terminal connection patterns 60-1, 2, 3, etc. are formed. Further, FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The resistor board 1 is housed in a mold (not shown) with one end of the metal terminal 120 in contact with each of the terminal connection patterns 60-1, 2, and 3, as shown by dotted lines in FIG. 6, for example. Then, by press-fitting and solidifying the molten resin into the cavity formed around the resistor board 1 in the mold and removing the mold, each metal terminal 120 is connected to each terminal connection pattern 60-1, 2, 3. Connect to. As a result, a case (not shown) in which the resistance board 1 and each metal terminal 120 are integrally fixed is formed. A rotary electronic component is assembled by incorporating a slider, a rotary knob, etc. onto the resistance board 1 installed in the case. When the slider is rotated, the sliding contact of the slider comes into sliding contact with the current collecting pattern 20 and the resistor pattern 40, and the electrical output between each metal terminal 120 changes.

以上説明したように、抵抗基板1は、絶縁基板10と、絶縁基板10上に形成される摺動接点摺接用の抵抗体パターン40と、絶縁基板10上に形成される摺動接点摺接用の集電パターン20と、絶縁基板10上に形成される金属端子当接用の複数の端子接続パターン60-1,2,3と、抵抗体パターン40と何れかの前記端子接続パターン60-1,3の間、及び前記集電パターン20と他の何れかの前記端子接続パターン60-2の間を、それぞれ接続する接続パターン80-1,2,3と、を具備し、前記接続パターン80-1,2,3の少なくとも一部を、前記抵抗体パターン40を形成するカーボンインクと同じカーボンインクからなる接続パターン被覆層80A-1,3で被覆して構成されている。 As explained above, the resistance substrate 1 includes the insulating substrate 10, the resistor pattern 40 for sliding contact formed on the insulating substrate 10, and the resistor pattern 40 for sliding contact formed on the insulating substrate 10. a plurality of terminal connection patterns 60-1, 2, and 3 for contacting metal terminals formed on the insulating substrate 10, a resistor pattern 40, and any of the terminal connection patterns 60- 1 and 3, and between the current collecting pattern 20 and any other terminal connection pattern 60-2, the connection pattern 80-1, 2, and 3 are provided. At least a part of 80-1, 2, and 80-3 is covered with a connection pattern coating layer 80A-1, 3 made of the same carbon ink as that forming the resistor pattern 40.

このように構成することで、接続パターン被覆層(カーボン層)80A-1,3によって接続パターン80-1,3の露出部分を被覆するので、接続パターン80-1,3への水分の付着を防止できてそのイオン化を防止でき、これによってイオンマイグレーションを効果的に防止することができる。特に、接続パターン被覆層(カーボン層)80A-1,3を、接続パターン80-1,3の少なくとも隣接する他のパターンに接近している部分に被覆すれば、この部分、即ち隣接する他のパターンに最も近くて最もイオンマイグレーションによるショートが起き易い部分からのイオンマイグレーションを防止することができる。 With this configuration, the exposed portions of the connection patterns 80-1, 3 are covered with the connection pattern coating layer (carbon layer) 80A-1, 3, thereby preventing moisture from adhering to the connection patterns 80-1, 3. The ionization can be prevented, thereby effectively preventing ion migration. In particular, if the connection pattern coating layer (carbon layer) 80A-1, 3 is coated on at least a portion of the connection patterns 80-1, 3 that is close to another adjacent pattern, this portion, that is, the other adjacent pattern Ion migration can be prevented from the part closest to the pattern where short circuits due to ion migration are most likely to occur.

また接続パターン被覆層80A-1,3として抵抗体パターン40を構成するカーボンインクと同じカーボンインクを用いているので、抵抗体パターン40と接続パターン被覆層80A-1,3とを同一工程で形成することができて作業効率を向上させることができ、また同一材料を用いるのでこの点からもコストの低減化を図ることができる。 Furthermore, since the same carbon ink as that constituting the resistor pattern 40 is used as the connection pattern coating layers 80A-1, 3, the resistor pattern 40 and the connection pattern coating layers 80A-1, 3 are formed in the same process. This makes it possible to improve work efficiency, and since the same material is used, costs can also be reduced from this point of view.

ところで、カーボン層からなる接続パターン被覆層80A-1,3には、印刷時のピンホールなどによって、接続パターン80-1,3の表面を完全には覆えない虞がある。ピンホールなどがあると、そこから水分が浸入し、接続パターン80-1,3を構成する銀パターンから銀イオンが析出されるが、接続パターン被覆層80A-1,3は導電性を有するので、析出した銀イオンが接続パターン被覆層80A-1,3内を移動し、イオンマイグレーションを生じる。そこで上記抵抗基板1ではさらに、接続パターン被覆層80A-1,3の少なくとも一部(特にイオンマイグレーションによる不都合が生じ易い部分)を、絶縁体層100で被覆し、これによって、水分の接続パターン(銀パターン)80A-1,2,3への浸入によるイオン化と、銀イオンの移動をさらに確実に防止し、これによってイオンマイグレーションを効果的に防止している。 By the way, the connection pattern covering layers 80A-1, 3 made of a carbon layer may not be able to completely cover the surfaces of the connection patterns 80-1, 3 due to pinholes or the like during printing. If there is a pinhole or the like, moisture will infiltrate through the pinhole and silver ions will be deposited from the silver patterns forming the connection patterns 80A-1 and 80A-3, but since the connection pattern coating layers 80A-1 and 3 have conductivity, The deposited silver ions move within the connection pattern covering layers 80A-1 and 3, causing ion migration. Therefore, in the resistance board 1, at least a portion of the connection pattern coating layers 80A-1 and 80A-3 (especially the portions where problems are likely to occur due to ion migration) is coated with an insulating layer 100. Silver patterns) 80A-1, 2, and 3 are further prevented from ionization and movement of silver ions, thereby effectively preventing ion migration.

また抵抗基板1は、絶縁基板10の隣り合う端子接続パターン60-1,2,3間に切欠き部15-1,2を形成したので、隣り合う端子接続パターン60-1,2,3間のイオンマイグレーションを効果的に防止できる。同時に絶縁基板10上の前記切欠き部15-1,2の最も奥寄り近傍部分を含む所定の範囲を、絶縁体層100で被覆したので、切欠き部15-1,2の最も奥寄り近傍部分を伝ってのイオンマイグレーションも、この絶縁体層100によって防止することができる。 In addition, since the resistance board 1 has the notches 15-1, 2 formed between the adjacent terminal connection patterns 60-1, 2, and 3 of the insulating board 10, can effectively prevent ion migration. At the same time, since a predetermined area including the innermost portions of the notches 15-1 and 15-2 on the insulating substrate 10 was covered with the insulator layer 100, the innermost portions of the notches 15-1 and 15-2 Ion migration along the portion can also be prevented by this insulator layer 100.

また抵抗基板1では、集電パターン20に接続した接続パターン80-2の両側に、抵抗体パターン40の両端に接続した接続パターン80-1,3を配置し、前記両側の接続パターン80-1,3には、接続パターン被覆層80A-1,3を被覆し、前記中央の接続パターン80-2には、絶縁体層100を被覆しているが、これは以下の理由による。即ち、集電パターン20に接続した接続パターン80-2の両側に、抵抗体パターン40の両端に接続した接続パターン80-1,3が配置されている場合、全ての接続パターン80-1,2,3に導電性を有する接続パターン被覆層80Aを被覆すると、各接続パターン被覆層80A間の間隔がさらに狭くなり、ショートの虞が高くなる。そこで、上記抵抗基板1においては中央の接続パターン80-2には絶縁層100を被覆することとし、これによってこの接続パターン80-2に導電性のある接続パターン被覆層を被覆する場合に比べ、その電気的な幅寸法を広くしないようにし、これによって、両側の接続パターン80-1,3とのショートの虞を防止している。 Further, in the resistor substrate 1, connection patterns 80-1 and 3 connected to both ends of the resistor pattern 40 are arranged on both sides of the connection pattern 80-2 connected to the current collecting pattern 20, and , 3 are coated with connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3, and the central connection pattern 80-2 is covered with an insulator layer 100 for the following reasons. That is, when the connection patterns 80-1 and 3 connected to both ends of the resistor pattern 40 are arranged on both sides of the connection pattern 80-2 connected to the current collecting pattern 20, all the connection patterns 80-1 and 2 , 3 are coated with a conductive connection pattern covering layer 80A, the distance between each connection pattern covering layer 80A becomes even narrower, increasing the risk of short circuits. Therefore, in the resistor board 1, the central connection pattern 80-2 is coated with the insulating layer 100, and as a result, compared to the case where the connection pattern 80-2 is coated with a conductive connection pattern coating layer, The electrical width dimension is not widened, thereby preventing the risk of short circuit with the connection patterns 80-1 and 80-3 on both sides.

さらに、上記抵抗基板1においては、中央の接続パターン80-2を覆う絶縁層100を、両側の接続パターン80-1,3を覆う接続パターン被覆層80A-1,3(その一部)の上まで形成しているので、さらに効果的なイオンマイグレーション防止効果を得ることができる。なお前記接続パターン80-1,3の端部の真上の接続パターン被覆層80A-1,3上は、摺動子の摺動接点が電気的に接続する必要があるので、この部分上には接続パターン用絶縁層101を設けず、当該部分上よりも両接続パターン被覆層80A-1,3の対向する端辺近傍部分に接続パターン用絶縁層101を形成することとしている。 Furthermore, in the resistor board 1, the insulating layer 100 covering the central connection pattern 80-2 is placed on the connection pattern covering layers 80A-1, 3 (parts thereof) covering the connection patterns 80-1, 3 on both sides. Since the ion migration prevention effect is even more effective, it is possible to obtain an even more effective ion migration prevention effect. Note that the sliding contacts of the slider need to be electrically connected on the connection pattern covering layers 80A-1, 3 directly above the ends of the connection patterns 80-1, 3, so the In this case, the connection pattern insulating layer 101 is not provided, and the connection pattern insulating layer 101 is formed near the opposing edges of both connection pattern covering layers 80A-1 and 80A-3 rather than on the corresponding portion.

また上記抵抗基板1において、絶縁層100に凹部103,105,107を設けたので、積層する各パターン間に印刷ずれが生じたとしても、絶縁層100が端子接続パターン60-1,2,3上を覆うことはなく、これによって、金属端子の接続不良を確実に防止することができる。 In addition, in the above-mentioned resistance board 1, since the insulating layer 100 is provided with the recesses 103, 105, 107, even if printing misalignment occurs between the laminated patterns, the insulating layer 100 is There is no need to cover the top, thereby reliably preventing poor connection of metal terminals.

また、上記したように、抵抗基板1の周囲には合成樹脂製のケースがインサート成形されるが、このケースの一部を絶縁層100や接続パターン被覆層80A-1,3の上面にも形成しておけば、絶縁層100の上面や絶縁層100を形成していない接続パターン被覆層80A-1,3の上面への水の浸入をより効果的に防止でき、より効果的なマイグレーション防止効果を得ることができる。 Further, as described above, a synthetic resin case is insert-molded around the resistor board 1, and a part of this case is also formed on the upper surface of the insulating layer 100 and the connection pattern coating layers 80A-1 and 3. By doing so, it is possible to more effectively prevent water from entering into the upper surface of the insulating layer 100 and the upper surfaces of the connection pattern covering layers 80A-1 and 3 on which the insulating layer 100 is not formed, resulting in a more effective migration prevention effect. can be obtained.

以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載がない何れの形状や構造や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。例えば、上記実施形態では、回転式可変抵抗器用の絶縁基板について説明したが、抵抗体パターンと集電パターンを直線状で平行に配置したスライド式可変抵抗器用の絶縁基板など、他の各種可変抵抗器用の絶縁基板に対しても同様に適用することができる。また上記実施形態では、絶縁基板として合成樹脂製の硬質基板を用いたが、合成樹脂フィルム製のフレキシブル基板を用いても良い。また抵抗体パターン、集電パターン、端子接続パターン、接続パターン、接続パターン被覆層、絶縁体層、切欠き部などの形状・材質などに種々の変更を行っても良いことは言うまでもない。また、上記記載及び各図で示した実施形態は、その目的及び構成等に矛盾がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。また、上記記載及び各図の記載内容は、その一部であっても、それぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は上記記載及び各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims and the technical idea described in the specification and drawings. It is possible. Note that any shape, structure, or material that is not directly described in the specification or drawings is within the scope of the technical idea of the present invention as long as it achieves the action and effect of the present invention. For example, in the above embodiment, an insulating substrate for a rotary variable resistor was described, but an insulating substrate for a sliding variable resistor in which a resistor pattern and a current collecting pattern are arranged linearly and parallel to each other, etc. The present invention can be similarly applied to insulating substrates for dexterity. Further, in the above embodiment, a rigid substrate made of synthetic resin is used as the insulating substrate, but a flexible substrate made of synthetic resin film may also be used. It goes without saying that various changes may be made to the shapes and materials of the resistor pattern, current collection pattern, terminal connection pattern, connection pattern, connection pattern coating layer, insulator layer, notch, etc. Furthermore, the embodiments described above and shown in the figures can be combined with each other as long as there is no contradiction in purpose, structure, etc. In addition, the above description and the contents of each figure, even if only a part thereof, can be an independent embodiment, and the embodiment of the present invention is an embodiment that combines the above description and each figure. It is not limited to.

1 抵抗基板(可変抵抗器用抵抗素子)
10 絶縁基板
15-1,2 切欠き部
20 集電パターン
40 抵抗体パターン
60(60-1,2,3) 端子接続パターン
80(80-1,2,3) 接続パターン
80A(80A-1,3) 接続パターン被覆層
100 絶縁体層
1 Resistance board (resistance element for variable resistor)
10 Insulating substrate 15-1, 2 Notch portion 20 Current collection pattern 40 Resistor pattern 60 (60-1, 2, 3) Terminal connection pattern 80 (80-1, 2, 3) Connection pattern 80A (80A-1, 3) Connection pattern covering layer 100 insulator layer

Claims (2)

絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成される摺動接点摺接用の集電パターンと、
前記絶縁基板上の前記集電パターンの外側を囲むように形成される摺動接点摺接用の抵抗体パターンと、
前記絶縁基板上に所定間隔を空けて並列に3か所形成される金属端子当接用の端子接続パターンと、
前記集電パターンと前記中央の端子接続パターンの間、及び前記抵抗体パターンの両端のそれぞれと前記両側の端子接続パターンのそれぞれの間を、それぞれ接続する接続パターンと、
を具備する可変抵抗器用抵抗素子において、
前記両側の接続パターンを、前記抵抗体パターンを形成するカーボンインクと同じカーボンインクからなる接続パターン被覆層で被覆し、且つ前記中央の接続パターンを絶縁体層で覆い、
前記中央の接続パターンを覆う絶縁体層を、前記両側の接続パターンを覆う接続パターン被覆部の上まで形成し、
さらに前記絶縁体層の前記各端子接続パターンに対向する側の辺には、当該各端子接続パターンから隙間を形成するように、それぞれ凹部を設けたことを特徴とする可変抵抗器用抵抗素子。
an insulating substrate;
a current collection pattern for sliding contact formed on the insulating substrate;
a resistor pattern for sliding contact formed so as to surround the outside of the current collecting pattern on the insulating substrate;
Terminal connection patterns for metal terminal contact formed in three parallel locations at predetermined intervals on the insulating substrate;
a connection pattern that connects between the current collecting pattern and the center terminal connection pattern , and between each of both ends of the resistor pattern and each of the terminal connection patterns on both sides;
In a resistance element for a variable resistor, comprising:
The connection patterns on both sides are covered with a connection pattern coating layer made of the same carbon ink as the carbon ink forming the resistor pattern , and the center connection pattern is covered with an insulating layer,
forming an insulating layer covering the central connection pattern up to a connection pattern covering portion covering the connection patterns on both sides;
The resistance element for a variable resistor is further characterized in that a recessed portion is provided on a side of the insulating layer opposite to each of the terminal connection patterns so as to form a gap from each of the terminal connection patterns .
請求項1に記載の可変抵抗器用抵抗素子であって、
前記絶縁基板の隣り合う前記端子接続パターン間に切欠き部を形成し、
前記絶縁体層の前記各凹部の間の突出する部分の先端部分を、前記絶縁基板上の前記切欠き部の最も奥寄り近傍部分を囲む位置まで形成することを特徴とする可変抵抗器用抵抗素子。
The resistance element for a variable resistor according to claim 1 ,
forming a notch between the adjacent terminal connection patterns of the insulating substrate;
A resistance element for a variable resistor, characterized in that a tip portion of a protruding portion between each of the recesses of the insulating layer is formed to a position that surrounds the innermost portion of the notch on the insulating substrate. .
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