JP7407751B2 - Wire bonding equipment and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本開示は、ワイヤボンディング装置および半導体装置の製造方法に関するものである。 The present disclosure relates to a wire bonding device and a method for manufacturing a semiconductor device.
従来、２つの半導体素子間または半導体素子およびリードフレーム間を金属ワイヤで接続するワイヤボンディング装置は、キャピラリの先端から延出された金属ワイヤのワイヤテールの先端にフリーエアボールを形成する。フリーエアボールは、スパーク放電によって形成される。超音波振動および熱圧着の少なくともいずれかによってフリーエアボールを半導体素子にボンディングするボールボンディングが多く行われている。ボールボンディングでは、半導体素子へのダメージがフリーエアボールによって抑制されている。 Conventionally, a wire bonding apparatus that connects two semiconductor devices or a semiconductor device and a lead frame using a metal wire forms a free air ball at the tip of a wire tail of a metal wire extending from the tip of a capillary. Free air balls are formed by spark discharge. Ball bonding, in which a free air ball is bonded to a semiconductor element by at least one of ultrasonic vibration and thermocompression bonding, is often performed. In ball bonding, damage to semiconductor elements is suppressed by free air balls.
しかしながら、良好なフリーエアボールの形成のためには、ボンディングに関する多くの要素を良好な状態に保つ必要がある。ボンディングに関する多くの要素を良好な状態に保つことが困難であるため、ボールボンディングを良好に行うことは困難である。ボールボンディングが良好に行われない場合、半導体素子へのダメージが生じる。このため、フリーエアボールを形成しないワイヤボンディングが提案されている。例えば、特開２００５－３４０７７７号公報（特許文献１）に記載のワイヤボンディング方法では、ボンディングワイヤにフリーエアボールに替えて略Ｌ字形のワイヤテールが形成される。 However, in order to form a good free air ball, many elements related to bonding must be kept in good condition. It is difficult to perform ball bonding well because it is difficult to keep many elements related to bonding in good condition. If ball bonding is not performed well, damage to the semiconductor device will occur. For this reason, wire bonding that does not form free air balls has been proposed. For example, in the wire bonding method described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-340777 (Patent Document 1), a substantially L-shaped wire tail is formed on the bonding wire instead of a free air ball.
上記公報に記載のワイヤボンディング方法では、ボンディングワイヤがキャピラリから脱落しやすいという課題がある。 The wire bonding method described in the above publication has a problem in that the bonding wire tends to fall off from the capillary.
本開示は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボンディングワイヤがキャピラリから脱落することを抑制することができるワイヤボンディング装置および半導体装置の製造方法を提供することである。 The present disclosure has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wire bonding device and a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress the bonding wire from falling off from the capillary.
本開示のワイヤボンディング装置は、ボンディングワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング装置である。ワイヤボンディング装置は、キャピラリと、移動部とを備えている。キャピラリは、ボンディングワイヤを取り付けるためのキャピラリである。移動部は、キャピラリに接続されている。キャピラリは、第１環状部と、第２環状部と、第３環状部とを含んでいる。第２環状部は、第１環状部を囲んでいる。第３環状部は、第２環状部を囲んでいる。移動部は、キャピラリを上下方向に移動可能に構成されている。第２環状部は、第１環状部および第３環状部よりも上下方向に沿って下方に突出している。キャピラリは、第１環状部と第２環状部との間および第２環状部と第３環状部との間において上下方向に沿って上方に凹んでいる。 The wire bonding device of the present disclosure is a wire bonding device for bonding bonding wires. The wire bonding device includes a capillary and a moving section. The capillary is a capillary for attaching a bonding wire. The moving part is connected to the capillary. The capillary includes a first annular portion, a second annular portion, and a third annular portion. The second annular portion surrounds the first annular portion. The third annular portion surrounds the second annular portion. The moving section is configured to be able to move the capillary in the vertical direction. The second annular portion projects further downward in the vertical direction than the first annular portion and the third annular portion. The capillary is recessed upward along the up-down direction between the first annular part and the second annular part and between the second annular part and the third annular part.
本開示のワイヤボンディング装置のキャピラリは、第１環状部と第２環状部との間および第２環状部と第３環状部との間において上下方向に沿って上方に凹んでいる。このため、キャピラリは、第１環状部と第２環状部との間の位置にボンディングワイヤを保持することができる。したがって、ボンディングワイヤがキャピラリから脱落することを抑制することができる。 The capillary of the wire bonding device of the present disclosure is recessed upward along the vertical direction between the first annular portion and the second annular portion and between the second annular portion and the third annular portion. Therefore, the capillary can hold the bonding wire at a position between the first annular part and the second annular part. Therefore, it is possible to prevent the bonding wire from falling off the capillary.
以下、実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下では、同一または相当する部分に同一の符号を付すものとし、重複する説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments will be described based on the drawings. In addition, below, the same code|symbol shall be attached to the same or corresponding part, and the overlapping description will not be repeated.
実施の形態１．
図１を用いて、実施の形態１に係るワイヤボンディング装置２００の構成を説明する。図１に示されるように、ワイヤボンディング装置２００は、ボンディングワイヤＷをボンディングするためのワイヤボンディング装置である。ワイヤボンディング装置２００は、ボンディングワイヤＷを接合部１０にボンディングするためのワイヤボンディング装置である。
The configuration of a
ワイヤボンディング装置２００は、キャピラリ２と、移動部３とを含んでいる。本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００は、超音波ホーン１をさらに含んでいる。また、図示されないが、ワイヤボンディング装置２００は、加熱部をさらに含んでいてもよい。
超音波ホーン１は、キャピラリ２を振動させるように構成されている。超音波ホーン１は、キャピラリ２を介してボンディングワイヤＷに超音波を印加するように構成されている。図示されない加熱部は、接合部１０を加熱するように構成されている。
The
キャピラリ２は、ボンディングワイヤＷを取り付けるためのキャピラリである。キャピラリ２は、円筒形状を有している。キャピラリ２は、ボンディングワイヤＷをボンディングワイヤＷが接合される接合部１０とキャピラリ２との間に導出するように構成されている。キャピラリ２は、上下方向ＤＲ１において、接合部１０の上方に配置されている。なお、本実施の形態において、上下方向ＤＲ１は、ボンディングワイヤＷが接合される接合部１０に対して直交する方向であってもよい。
The
移動部３は、キャピラリ２に接続されている。移動部３は、キャピラリ２を上下方向ＤＲ１に移動可能に構成されている。移動部３は、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２に移動可能に構成されている。なお、本実施の形態において、上下方向ＤＲ１と水平方向ＤＲ２とは、互いに直交している。また、本実施の形態において、水平方向ＤＲ２は、ボンディングワイヤＷが接合される接合部１０に対して平行な方向であってもよい。
The moving
移動部３は、キャピラリ２を上下方向ＤＲ１に沿って下方に移動させることで荷重をボンディングワイヤＷに印加させるように構成されている。このため、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００は、超音波ホーン１による超音波および移動部３による荷重をボンディングワイヤＷに印加することによってボンディングワイヤＷをボンディングするように構成されている。また、ワイヤボンディング装置２００が加熱部をさらに含んでいる場合、ワイヤボンディング装置２００は、加熱部によって接合部１０を加熱しかつ移動部３による荷重をボンディングワイヤＷに印加することでボンディングワイヤＷをボンディングするように構成されている。
The moving
ボンディングワイヤＷの主成分は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）および銅（Ｃｕ）の少なくともいずれかである。ボンディングワイヤＷの主成分が金（Ａｕ）である場合には、ボンディングワイヤＷに酸化および硫化等の化学反応が生じることが抑制され得る。ボンディングワイヤＷの主成分が銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）である場合には、ボンディングワイヤＷの主成分が金（Ａｕ）である場合よりもボンディングワイヤＷの製造コストが小さい。ボンディングワイヤＷの主成分が銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）である場合には、ボンディングワイヤＷの主成分が金（Ａｕ）である場合よりもボンディングワイヤＷの電気特性が優れている。ボンディングワイヤＷの材料は、合金であってもよい。本実施の形態において、ボンディングワイヤＷのキャピラリから延出している部分は、ワイヤテールと呼ばれる。 The main component of the bonding wire W is, for example, at least one of gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu). When the main component of the bonding wire W is gold (Au), chemical reactions such as oxidation and sulfidation can be suppressed from occurring in the bonding wire W. When the main component of the bonding wire W is silver (Ag) or copper (Cu), the manufacturing cost of the bonding wire W is lower than when the main component of the bonding wire W is gold (Au). When the main component of the bonding wire W is silver (Ag) or copper (Cu), the electrical properties of the bonding wire W are better than when the main component of the bonding wire W is gold (Au). The material of the bonding wire W may be an alloy. In this embodiment, the portion of the bonding wire W extending from the capillary is called a wire tail.
続いて、図１～図４を用いて、実施の形態１に係るワイヤボンディング装置２００のキャピラリ２の構成を詳細に説明する。
Next, the configuration of the
図１に示されるように、キャピラリ２は、第１環状部２１と、第２環状部２２と、第３環状部２３とを含んでいる。キャピラリ２は、第１環状部２１と第２環状部２２との間および第２環状部２２と第３環状部２３との間において上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。このため、キャピラリ２の第１環状部２１と第２環状部２２との間および第２環状部２２と第３環状部２３との間には、段差が設けられている。よって、キャピラリ２には、２つの段差が設けられている。
As shown in FIG. 1, the
図２に示されるように、キャピラリ２には、開口ＯＰと、導通孔ＩＮＳとが設けられている。キャピラリ２は、開口ＯＰからボンディングワイヤＷ（図１参照）を導出するように構成されている。キャピラリ２は、開口ＯＰの内径が上下方向ＤＲ１に沿って上方から下方に向かって大きくなるように構成されている。導通孔ＩＮＳは、上下方向ＤＲ１で第１環状部２１よりも上方において開口ＯＰに連通している。キャピラリ２は、導通孔ＩＮＳの内径が上下方向ＤＲ１に沿って上方から下方に向かって小さくなるように構成されている。開口ＯＰおよび導通孔ＩＮＳの内径は、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径よりも大きい。
As shown in FIG. 2, the
第１環状部２１は、開口ＯＰを全周にわたって囲んでいる。第１環状部２１の下端は、第２環状部２２および第３環状部２３の下端よりも上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。
The first
第２環状部２２は、第１環状部２１を囲んでいる。第２環状部２２は、第１環状部２１を全周にわたって囲んでいる。第２環状部２２は、第１環状部２１および第３環状部２３よりも上下方向ＤＲ１に沿って下方に突出している。このため、第２環状部２２は、キャピラリ２の底面を構成している。
The second
第３環状部２３は、第２環状部２２を囲んでいる。第３環状部２３は、第２環状部２２を全周にわたって囲んでいる。第３環状部２３の下端は、第２環状部２２の下端よりも上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。
The third
図３に示されるように、本実施の形態において、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３は、同心円状に配置されている。第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の各々は、曲線形状を有している。さらに具体的には、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３は、同心円状の環形状を有している。
As shown in FIG. 3, in this embodiment, the first
本実施の形態において、第１環状部２１の内径は、例えば、７５μｍである。第１環状部２１の内壁から第３環状部２３の外壁までの寸法は、例えば、６５μｍである。この場合、キャピラリ２の直径は、２０５μｍ（７５μｍ＋６５μｍ×２＝２０５μｍ）である。なお、キャピラリ２の寸法は、これに限られない。
In this embodiment, the inner diameter of the first
図４に示されるように、本実施の形態において、第１環状部２１と第２環状部２２との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ１は、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径の０．１倍以上０．９倍以下である。第２環状部２２と第３環状部２３との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ２は、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径の０．１倍以上０．９倍以下である。第１環状部２１と第２環状部２２との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ１は、第１環状部２１と第１環状部２１との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ２よりも大きい。第１環状部２１と第２環状部２２との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ１および第２環状部２２と第３環状部２３との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ２の各々は、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径よりも小さい。
As shown in FIG. 4, in the present embodiment, the difference D1 in the dimensions of the first
本実施の形態において、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径が４０μｍである場合には、寸法の差Ｄ１およびＤ２は、４μｍ以上３６μｍ以下である。なお、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径は４０μｍに限られず、ボンディングワイヤＷ（図１参照）の直径は、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。なお、第１環状部２１と第２環状部２２との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ１および第２環状部２２と第３環状部２３との上下方向ＤＲ１の寸法の差Ｄ２は、キャピラリ２が同等の機能を奏する場合には上記の寸法に限られない。
In this embodiment, when the diameter of the bonding wire W (see FIG. 1) is 40 μm, the difference in dimensions D1 and D2 is 4 μm or more and 36 μm or less. Note that the diameter of the bonding wire W (see FIG. 1) is not limited to 40 μm, and the diameter of the bonding wire W (see FIG. 1) may be, for example, 10 μm or more and 50 μm or less. Note that the difference D1 in dimension in the vertical direction DR1 between the first
次に、図１、図５～図９を用いて、実施の形態１に係るワイヤボンディング装置２００を用いた半導体装置１００の製造方法を説明する。
Next, a method for manufacturing the
図５に示されるように、半導体装置１００の製造方法は、準備される工程Ｓ１０１と、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２と、ボンディングワイヤＷを切断させる工程Ｓ１０３とを含んでいる。半導体装置１００の製造方法は、ボンディングワイヤＷを半導体装置１００の第１接合部１１に接合することで半導体装置１００を製造する半導体装置１００の製造方法である。ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２およびボンディングワイヤＷを切断させる工程Ｓ１０３は、セカンドボンディング工程を構成している。なお、ファーストボンディング工程は、後述される。
As shown in FIG. 5, the method for manufacturing the
図６に示されるように、本実施の形態におけるワイヤボンディング装置２００によって製造される半導体装置１００は、リードフレームＬＦ、リードフレームＬＦ上に設けられためっき膜ＰＦおよび後述される半導体素子ＳＣ（図８参照）を含んでいる。第１接合部１１は、セカンドボンディング点である。図６では、めっき膜ＰＦが第１接合部１１を含んでいる。セカンドボンディング工程においては、上記の接合部１０（図１参照）は、第１接合部１１である。なお、ファーストボンディング工程においては、上記の接合部１０（図１参照）は、第２接合部１２（図１４参照）である。
As shown in FIG. 6, the
準備される工程Ｓ１０１（図５参照）では、ワイヤボンディング装置２００と、ボンディングワイヤＷと、第１接合部１１が準備される。ワイヤボンディング装置２００のキャピラリ２は、第１接合部１１の上方に配置される。ボンディングワイヤＷは、ワイヤボンディング装置２００に取り付けられる。
In the preparation step S101 (see FIG. 5), the
ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２（図５参照）では、ボンディングワイヤＷが第１接合部１１とキャピラリ２とに挟み込まれるように移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで第１環状部２１と第２環状部２２との間にボンディングワイヤＷを入り込ませる。また、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２（図５参照）では、ボンディングワイヤＷが第１接合部１１とキャピラリ２とに挟み込まれるように移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで第２環状部２２と第３環状部２３との間にボンディングワイヤＷを入り込ませる。また、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２（図５参照）では、ボンディングワイヤＷが第１接合部１１とキャピラリ２とに挟み込まれるように移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで第２環状部２２と第３環状部２３との間においてボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる。本実施の形態において、ボンディングワイヤＷは、めっき膜ＰＦに接合される。
In step S102 (see FIG. 5) of bonding the bonding wire W to the
図７に示されるように、ボンディングワイヤＷを切断させる工程Ｓ１０３（図５参照）では、第１環状部２１と第２環状部２２との間にボンディングワイヤＷが入り込んだ状態で、移動部３がキャピラリ２を上方に移動させることでボンディングワイヤＷを切断させる。具体的には、キャピラリ２が移動することによって、ボンディングワイヤＷの第２環状部２２の先端に位置する部分において、ボンディングワイヤＷが引きちぎられる。ボンディングワイヤＷの第２環状部２２の先端に位置する部分の厚みが薄いため、ボンディングワイヤＷの第２環状部２２の先端に位置する部分を切断の起点としてボンディングワイヤＷが切断される。
As shown in FIG. 7, in step S103 (see FIG. 5) of cutting the bonding wire W, the bonding wire W is inserted between the first
なお、図８に示されるように、半導体素子ＳＣが第１接合部１１を含んでいてもよい。半導体素子ＳＣは、ダイボンド接合材ＪＭによってリードフレームＬＦに接合されている。この場合、図９に示されるように、ボンディングワイヤＷは、半導体素子ＳＣに接合される。ボンディングワイヤＷが接合される半導体装置１００の部材は、適宜に決められてもよい。例えば、ボンディングワイヤＷは、リードフレームＬＦに接合されてもよい。
Note that, as shown in FIG. 8, the semiconductor element SC may include the
続いて、本実施の形態の作用効果を説明する。
図１０～図１２に示されるフリーエアボールＦＡＢを形成するように構成された比較例に係るワイヤボンディング装置２０１と比較しながら、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００の効果を詳細に説明する。
Next, the effects of this embodiment will be explained.
The effects of the
図１０に示されるように、比較例に係るワイヤボンディング装置２０１は、セカンドボンディング工程の後にフリーエアボールＦＡＢを形成するように構成されている。具体的には、比較例に係るワイヤボンディング装置２０１は、トーチ棒８およびフォーミングガスノズル９をさらに含んでいる。フォーミングガスノズル９は、ボンディングワイヤＷのワイヤテールに向けてフォーミングガスＧを噴出するように構成されている。トーチ棒８は、ボンディングワイヤＷの先端に向けてスパーク放電を行うように構成されている。なお、図１１に示されるように、比較例に係るワイヤボンディング装置２０１のキャピラリ２の先端は、平坦な形状を有している。このため、比較例に係るワイヤボンディング装置２０１のキャピラリ２には、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３が設けられていない。
As shown in FIG. 10, the
図１０に示されるように、比較例に係るワイヤボンディング装置２０１を用いたフリーエアボールＦＡＢが形成された半導体装置１０１の製造方法では、セカンドボンディングの後に、フォーミングガスノズル９がボンディングワイヤＷの先端に向けてフォーミングガスＧを噴出しながら、トーチ棒８がボンディングワイヤＷの先端に向けてスパーク放電を行う。これにより、ボンディングワイヤＷの先端にフリーエアボールＦＡＢが形成される。フリーエアボールＦＡＢが形成された後に、移動部３は、超音波ホーン１およびキャピラリ２を下方に移動させる。フリーエアボールＦＡＢは、接合部に押し付けられることで接合部に接合される。具体的には、移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで、フリーエアボールに荷重が印加される。また、超音波ホーン１がキャピラリ２に超音波による振動を印加することで、フリーエアボールに超音波による振動が印加される。これにより、図１２に示されるように、フリーエアボールＦＡＢが接合部１０に接合される。接合部１０に接合されたフリーエアボールＦＡＢは、圧着ボールとも呼ばれる。
As shown in FIG. 10, in the manufacturing method of the
比較例に係るワイヤボンディング装置２０１では、ボンディングワイヤＷがキャピラリ２から脱落する可能性がある。また、フリーエアボールＦＡＢを良好に形成することは困難である。さらに、フリーエアボールＦＡＢが良好に形成されなかった場合、良好に形成されなかったフリーエアボールＦＡＢによって接合部１０がかえって損傷するおそれがある。
In the
これに対して、実施の形態１に係るワイヤボンディング装置２００によれば、図１および図２に示されるように、キャピラリ２は、第１環状部２１と第２環状部２２との間および第２環状部２２と第３環状部２３との間において上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。このため、ボンディングワイヤＷを第１環状部２１と第２環状部２２との間および第２環状部２２と第３環状部２３との間に入り込ませることができる。また、第２環状部２２は、第１環状部２１および第３環状部２３よりも上下方向ＤＲ１に沿って下方に突出している。このため、ボンディングワイヤＷを第２環状部２２の先端の位置において切断することができる。よって、ボンディングワイヤＷが切断された後も、キャピラリ２は、第１環状部２１と第２環状部２２との間の位置にボンディングワイヤＷを保持することができる。したがって、ボンディングワイヤＷがキャピラリ２から脱落することを抑制することができる。
On the other hand, according to the
図７に示されるように、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００のキャピラリ２は、ボンディングワイヤＷを保持することができる。このため、ボンディングワイヤＷにフリーエアボールを形成しなくてもよい。よって、接合部１０が良好に形成されなかったフリーエアボールによって損傷することがない。
As shown in FIG. 7, the
図１および図２に示されるように、キャピラリ２は、第１環状部２１と、第２環状部２２と、第３環状部２３とを含んでいる。このため、キャピラリ２の先端が平坦である場合およびキャピラリ２が第１環状部２１を含みかつ第２環状部２２および第３環状部２３を含んでいない場合よりも、キャピラリ２の先端の表面積が大きい。すなわち、キャピラリ２の押圧面が大きい。このため、ボンディングワイヤＷと接合部１０との接合強度を大きくすることができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図１および図２に示されるように、第２環状部２２は、第１環状部２１および第３環状部２３よりも上下方向ＤＲ１に沿って下方に突出している。このため、ボンディングワイヤＷの厚みは、第２環状部２２の先端の位置において最も薄い。よって、図７に示されるように、キャピラリ２が上昇した場合に、ボンディングワイヤＷを第２環状部２２の先端の位置において切断することができる。したがって、ボンディングワイヤＷの切断される位置を安定させることができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the second
図１および図２に示されるように、キャピラリ２は、第１環状部２１と第２環状部２２との間および第２環状部２２と第３環状部２３との間において上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。また、図７に示されるように、ボンディングワイヤＷは、第２環状部２２の先端の位置において切断される。このため、ボンディングワイヤＷが切断される場合に、ボンディングワイヤＷの第２環状部２２と第３環状部２３との間に入り込んでいた部分は、接合部１０上に残る。ボンディングワイヤＷの第２環状部２２と第３環状部２３との間に入り込んでいた部分の厚みは、ボンディングワイヤＷの直径よりも大きい。したがって、ボンディングワイヤＷと接合部１０との接合強度が向上する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図３に示されるように、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３は、同心円状の環形状を有している。このため、接合部１０（図１参照）上において３６０°のどの方向におけるボンディングであっても、ボンディングワイヤＷ（図１参照）とキャピラリ２との接触面積が同じである。よって、接合部１０（図１参照）上において３６０°のどの方向におけるボンディングであっても、ボンディングワイヤＷ（図１参照）を良好に接合部１０（図１参照）に接合することができる。
As shown in FIG. 3, the first
実施の形態１に係る半導体装置１００の製造方法によれば、図７に示されるように、ボンディングワイヤＷを切断させる工程Ｓ１０３（図５参照）では、第１環状部２１と第２環状部２２との間にボンディングワイヤＷが入り込んだ状態で、移動部３がキャピラリ２を上方に移動させることでボンディングワイヤＷを切断させる。このため、ボンディングワイヤＷが切断された後も、キャピラリ２は、第１環状部２１と第２環状部２２との間の位置にボンディングワイヤＷを保持することができる。よって、ボンディングワイヤＷがキャピラリ２から脱落することを抑制することができる。
According to the method for manufacturing the
実施の形態２．
次に、図１３を用いて、実施の形態２に係るワイヤボンディング装置２００の構成を説明する。実施の形態２は、特に説明しない限り、上記の実施の形態１と同一の構成および作用効果を有している。したがって、上記の実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
Next, the configuration of
図１３に示されるように、本実施の形態に係る第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の少なくともいずれかは、少なくとも部分的に粗面化されている。第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３は、粗面化された部分を有している。第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の粗面化された部分の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の粗面化されていない部分の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい。
As shown in FIG. 13, at least one of the first
本実施の形態において、第２環状部２２の先端は、粗面化されている。このため、第２環状部２２の先端の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１環状部２１および第３環状部２３の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい。粗面化された第２環状部２２の先端の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．４０μｍである。また、粗面化された第２環状部２２の先端の最大高さ（Ｒｍａｘ）は、例えば、１．０μｍである。算術平均粗さ（Ｒａ）および最大高さ（Ｒｍａｘ）は、同等の効果が奏される場合には、上記に限られない。図示されないが、第１環状部２１および第３環状部２３の先端が粗面化されていてもよい。
In this embodiment, the tip of the second
続いて、本実施の形態の作用効果を説明する。
実施の形態２に係るワイヤボンディング装置２００によれば、図１３に示されるように、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の少なくともいずれかは、少なくとも部分的に粗面化されている。このため、第１環状部２１、第２環状部２２および第３環状部２３の粗面化された部分とボンディングワイヤＷとに生じる摩擦力が増加する。よって、移動部３（図１参照）による荷重および超音波ホーン１（図１参照）による超音波の振動がキャピラリ２を介してボンディングワイヤＷに伝達される効率（伝達力）が向上する。したがって、ボンディングワイヤＷを強固にボンディングすることができる。
Next, the effects of this embodiment will be explained.
According to the
図１３に示されるように、第２環状部２２の先端は、粗面化されていてもよい。この場合、第２環状部２２の先端の摩擦力が向上する。このため、第２環状部２２の先端によってボンディングワイヤＷを容易に切断することができる。よって、ボンディングワイヤＷが切断される位置がさらに安定する。具体的には、セカンドボンディング工程においてボンディングワイヤＷが切断される位置がさらに安定する。
As shown in FIG. 13, the tip of the second
実施の形態３．
次に、図１４および図１５を用いて、実施の形態３に係るワイヤボンディング装置２００の構成および半導体装置１００の製造方法（ワイヤボンディング装置２００の動作）を説明する。実施の形態３は、特に説明しない限り、上記の実施の形態１と同一の構成および作用効果を有している。したがって、上記の実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
Next, the configuration of
図１４に示されるように、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００のキャピラリ２は、ボンディングワイヤＷをボンディングワイヤＷが接合される接合部１０とキャピラリ２との間に導出するように構成されている。
As shown in FIG. 14, the
図１４および図１５に示されるように、移動部３は、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２に移動可能に構成されている。移動部３は、キャピラリ２をボンディングワイヤＷの接合部１０に接合された接合部分Ｗ１に対して水平方向ＤＲ２に沿って反対側に移動可能に構成されている。図１４および図１５では、移動部３の移動方向は、白抜き矢印によって示されている。移動部３は、キャピラリ２を上下方向ＤＲ１に沿って下方に移動させながら、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２に移動させるように構成されている。これにより、キャピラリ２は、水平方向ＤＲ２に移動しながらボンディングワイヤＷに荷重および超音波ホーン１（図１参照）による超音波振動をボンディングワイヤＷに印加するように構成されている。
As shown in FIGS. 14 and 15, the moving
次に、図１４～図１６を用いて、実施の形態３に係るワイヤボンディング装置２００を用いた半導体装置１００の製造方法を説明する。
Next, a method for manufacturing the
図１６に示されるように、本実施の形態に係る半導体装置１００の製造方法は、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２の前に、ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４をさらに含んでいる。ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４は、ファーストボンディング工程を構成している。本実施の形態において、半導体素子ＳＣが第２接合部１２を含んでいる。なお、第２接合部１２は、めっき膜ＰＦ（図６参照）であってもよい。
As shown in FIG. 16, in the method for manufacturing the
図１４および図１５に示されるように、ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４（図１６参照）において、移動部３がキャピラリ２を第２接合部１２の水平方向ＤＲ２に移動させながら、ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる。これにより、キャピラリ２は、水平方向ＤＲ２に移動しながら、ボンディングワイヤＷに荷重および超音波振動をボンディングワイヤＷに印加する。
As shown in FIGS. 14 and 15, in step S104 (see FIG. 16) of bonding the bonding wire W to the
続いて、本実施の形態の作用効果を説明する。
実施の形態３に係るワイヤボンディング装置２００によれば、図１４および図１５に示されるように、移動部３は、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２に移動可能に構成されている。このため、移動部３は、ボンディングワイヤＷの一部を第１環状部２１と第２環状部２２との間に入り込ませた状態でキャピラリ２を水平に移動させることができる。よって、ボンディングワイヤＷの第１環状部２１と第２環状部２２との間に入り込んだ接合部分Ｗ１を第１環状部２１と第２環状部２２との間の外に押し出すことができる。これにより、ボンディングワイヤＷと第２接合部１２との接合面積は、第１環状部２１と第２環状部２２との間の外に押し出された接合部分Ｗ１の面積だけ大きくなる。したがって、ボンディングワイヤＷと第２接合部１２との接合面積が大きくなる。以上より、ボンディングワイヤＷを強固に接合することができる。
Next, the effects of this embodiment will be explained.
According to the
図１４および図１５に示されるように、本実施の形態では、ボンディングワイヤＷにフリーエアボールＦＡＢ（図１０参照）が形成されないため、ボンディングワイヤＷにフリーエアボールＦＡＢ（図１０参照）が形成される場合よりも、ボンディングワイヤＷが薄いことがある。ボンディングワイヤＷが薄い場合、接合部１０に生じる損傷が大きくなる可能性がある。しかしながら、本実施の形態では、ボンディングワイヤＷと接合部１０との接合面積が大きいため、ボンディングワイヤＷが薄い場合でも、弱い荷重および超音波振動によってボンディングワイヤＷと接合部１０とを十分に接合させることができる。これにより、接合部１０に生じる損傷を低減することができる。
As shown in FIGS. 14 and 15, in this embodiment, free air balls FAB (see FIG. 10) are not formed on the bonding wire W, so free air balls FAB (see FIG. 10) are formed on the bonding wire W. In some cases, the bonding wire W is thinner than in the case where the bonding wire W is used. If the bonding wire W is thin, there is a possibility that damage to the
実施の形態３に係る半導体装置１００の製造方法によれば、図１４および図１５に示されるように、ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４（図５参照）において、移動部３がキャピラリ２を第２接合部１２の水平方向ＤＲ２に移動させながら、ボンディングワイヤＷを第２接合部１２に接合させる。これにより、半導体装置１００の接合部１０に印加される荷重および超音波振動が接合部１０の同じ位置に集中され続けることを抑制することができる。したがって、半導体装置１００への接合部１０に生じる損傷を軽減することができる。
According to the method for manufacturing the
実施の形態４．
次に、図１７および図１８を用いて、実施の形態４に係るワイヤボンディング装置２００の構成および半導体装置１００の製造方法（ワイヤボンディング装置２００の動作）を説明する。実施の形態４は、特に説明しない限り、上記の実施の形態１と同一の構成および作用効果を有している。したがって、上記の実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
Embodiment 4.
Next, the configuration of
図１７および図１８に示されるように、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００の移動部３は、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２および上下方向ＤＲ１に移動させるように構成されている。また、移動部３は、キャピラリ２を水平方向ＤＲ２に往復させるように移動可能に構成されている。これにより、ボンディングワイヤＷは、少なくとも１回折り返されている。図１８では、ボンディングワイヤＷは、１回折り返されているが、ボンディングワイヤＷは複数回折り返されていてもよい。
As shown in FIGS. 17 and 18, the moving
具体的には、移動部３は、キャピラリ２をボンディングワイヤＷの接合部１０に接合された接合部分Ｗ１から上下方向ＤＲ１の間隔Ｈを空けて水平方向ＤＲ２に移動可能に構成されている。接合部分Ｗ１の厚みは、例えば、５μｍ以上１０μｍ以下である。移動部３は、間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態でキャピラリ２を接合部分Ｗ１に沿って移動可能に構成されている。間隔Ｈは、例えば、ボンディングワイヤＷの０．５倍以上１．０倍未満である。ボンディングワイヤＷの直径が４０μｍである場合には、間隔Ｈは２０μｍ以上４０μｍ未満である。また、移動部３と接合部１０との上下方向ＤＲ１に沿った距離は、接合部分Ｗ１の厚み以上接合部分Ｗ１の厚みとボンディングワイヤＷの直径との和未満である。
Specifically, the moving
次に、図１７および図１８を用いて、実施の形態４に係るワイヤボンディング装置２００を用いた半導体装置１００の製造方法を説明する。
Next, a method for manufacturing
本実施の形態では、第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４（図１６参照）において、図１７に示されるように、接合部分Ｗ１が接合部１０に接合される。続いて、図１８に示されるように、接合部分Ｗ１にボンディングワイヤＷの根元側部分Ｗ２が接合される。ボンディングワイヤＷの根元側部分Ｗ２は、ボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１よりもボンディングワイヤＷの根元側の部分である。根元側部分Ｗ２は、接合部１０には接合されない。根元側部分Ｗ２は、接合部分Ｗ１に重ねられることで接合部分Ｗ１に接合される。ワイヤボンディング装置２００は、ファーストボンディング工程において、接合部分Ｗ１を接合部１０に接合し、接合部分Ｗ１に根元側部分Ｗ２を接合する。
In the present embodiment, in the step S104 (see FIG. 16) of joining to the second
具体的には、図１８に示されるように、第２接合部１２に接合させる工程Ｓ１０４（図１６参照）において、移動部３がキャピラリ２をボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１から上下方向ＤＲ１の間隔Ｈを空けて水平方向ＤＲ２に移動させる。また、間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態で、移動部３が根元側部分Ｗ２を接合部分Ｗ１に重ねながら移動させることで、接合部分Ｗ１と根元側部分Ｗ２とが接合される。これにより、根元側部分Ｗ２は、すり潰されながら接合部分Ｗ１に接合される。なお、接合部分Ｗ１が接合部１０に接合される際の移動部３の移動の向きは、根元側部分Ｗ２が接合部分Ｗ１に接合される際の移動部３の移動の向きとは水平方向ＤＲ２に沿って反対である。また、ボンディングワイヤＷの直径とは、ボンディングワイヤＷが潰されておらずボンディングワイヤＷの断面が円形である場合におけるボンディングワイヤＷの直径である。
Specifically, as shown in FIG. 18, in step S104 (see FIG. 16) of bonding to the
また、図示されないが、ボンディングワイヤＷが複数回折り返される場合には、ファーストボンディング工程において、接合部分Ｗ１が接合部１０に接合される。続いて、第１の根元側部分が接合部分に接合される。続いて、さらに第２の根元側部分が第１の根元側部分に接合される。移動部３は、キャピラリ２を第１の根元側部分から上下方向ＤＲ１の間隔Ｈを空けて水平に移動させる。また、間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態で、移動部３が第２の根元側部分を第１の根元側部分に重ねながら移動させることで、第１の根元側部分と第２の根元側部分とが接合される。
Furthermore, although not shown, when the bonding wire W is folded back multiple times, the bonding portion W1 is bonded to the
続いて、本実施の形態の作用効果を説明する。
実施の形態４に係るワイヤボンディング装置２００によれば、図１７および図１８に示されるように、移動部３は、間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態でキャピラリ２を接合部分Ｗ１に沿って移動可能に構成されている。このため、ボンディングワイヤＷの根元側部分Ｗ２は、すり潰されながらボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１に接合される。よって、ボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される際に、ボンディングワイヤＷの厚みが厚くなるため、接合部１０に生じる損傷を低減することができる。また、ボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される際に、ボンディングワイヤＷの厚みが厚くなるため、さらに強い荷重および超音波振動を印加することができる。これにより、ボンディングワイヤＷと接合部１０との接合性が向上する。
Next, the effects of this embodiment will be explained.
According to the
図１７および図１８に示されるように、移動部３は、キャピラリ２をボンディングワイヤＷの接合部１０に接合された接合部分Ｗ１から上下方向ＤＲ１の間隔Ｈを空けて水平方向ＤＲ２に移動可能に構成されている。このため、ボンディングワイヤＷが折り返される。よって、ボンディングワイヤＷの厚みが厚くなる。これにより、荷重および超音波振動がボンディングワイヤＷに印加された際に接合部１０に損傷が生じないだけの厚みを有するボンディングワイヤＷを得ることができる。したがって、必要な荷重および超音波振動を容易にボンディングワイヤＷに印加することができるため、結果としてボンディングワイヤＷと接合部１０との接合性が向上する。
As shown in FIGS. 17 and 18, the moving
実施の形態４に係る半導体装置１００の製造方法によれば、図１８に示されるように、移動部３が間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態でキャピラリ２を接合部分Ｗ１に沿って移動させながらボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１よりも根元側部分Ｗ２を接合部分Ｗ１に重ねることで、接合部分Ｗ１と根元側部分Ｗ２とが接合される。このため、ボンディングワイヤＷの根元側部分Ｗ２は、すり潰されながらボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１に接合される。よって、ボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される際に、ボンディングワイヤＷの厚みが厚くなるため、接合部１０に生じる損傷を低減することができる。また、ボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される際に、ボンディングワイヤＷの厚みが厚くなるため、さらに強い荷重および超音波振動を印加することができる。これにより、ボンディングワイヤＷと接合部１０との接合性が向上する。
According to the method for manufacturing the
図１８に示されるように、移動部３が間隔Ｈが上下方向ＤＲ１に沿ってボンディングワイヤＷの直径未満である状態でキャピラリ２を接合部分Ｗ１に沿って移動させながらボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１よりも根元側部分Ｗ２を接合部分Ｗ１に重ねることで、接合部分Ｗ１と根元側部分Ｗ２とが接合される。仮に、間隔ＨがボンディングワイヤＷの直径以上である場合、移動部３はキャピラリ２を上方に移動させた後に、ボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１と折り曲げられた根元側部分Ｗ２とが接触しないようにキャピラリ２を水平方向ＤＲ２に移動させ、さらに接合部分Ｗ１と根元側部分Ｗ２とが積み重なるようにキャピラリ２を下降させる必要がある。また、移動部３が下降した後に、ボンディングワイヤＷの接合部分Ｗ１と根元側部分Ｗ２とが接合される。すなわち、仮に間隔ＨがボンディングワイヤＷの直径以上である場合、上昇、水平移動、下降および接合の４つのプロセスによってボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される。これに対して、本実施の形態では、上昇および水平移動しながらの接合の２つのプロセスによってボンディングワイヤＷが接合部１０に接合される。このため、ボンディングワイヤＷが接合部１０に接合されるプロセスが低減される。よって、ボンディングにかかる時間を低減することができる。
As shown in FIG. 18, the moving
実施の形態５．
次に、図１９～図２５を用いて、実施の形態５に係るワイヤボンディング装置２００の構成を説明する。実施の形態５は、特に説明しない限り、上記の実施の形態１と同一の構成および作用効果を有している。したがって、上記の実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
Embodiment 5.
Next, the configuration of
図１９に示されるように、本実施の形態に係るワイヤボンディング装置２００のキャピラリ２は、第４環状部２４をさらに含んでいる。第４環状部２４は、第３環状部２３を囲んでいる。第２環状部２２は、第４環状部２４よりも上下方向ＤＲ１に沿って下方に突出している。本実施の形態において、第４環状部２４の下端は、第３環状部２３の下端よりも上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。第４環状部２４の下端は、第１環状部２１の下端よりも上下方向ＤＲ１に沿って下方に突出している。
As shown in FIG. 19, the
キャピラリ２は、第３環状部２３と第４環状部２４との間において上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。このため、キャピラリ２の第１環状部２１と第２環状部２２との間、第２環状部２２と第３環状部２３との間および第３環状部２３と第４環状部２４との間には、段差が設けられている。よって、キャピラリ２には、３つの段差が設けられている。
The
本実施の形態においても、キャピラリ２が第４環状部２４を含んでいない場合と同様に、セカンドボンディング工程が行われる。すなわち、図２０および図２１に示されるように、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２（図５参照）では、ボンディングワイヤＷが第１接合部１１とキャピラリ２とに挟み込まれるように移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで第１環状部２１と第２環状部２２との間、第２環状部２２と第３環状部２３との間および第３環状部２３と第４環状部２４との間にボンディングワイヤＷを入り込ませる。また、ボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる工程Ｓ１０２（図５参照）では、ボンディングワイヤＷが第１接合部１１とキャピラリ２とに挟み込まれるように移動部３がキャピラリ２を下方に移動させることで第２環状部２２と第３環状部２３との間および第３環状部２３と第４環状部２４との間においてボンディングワイヤＷを第１接合部１１に接合させる。
In this embodiment as well, the second bonding step is performed as in the case where the
また、図２２～図２５に示されるように、キャピラリ２が第４環状部２４を含んでいない場合と同様に、ファーストボンディング工程が行われる。
Further, as shown in FIGS. 22 to 25, the first bonding process is performed in the same manner as in the case where the
続いて、本実施の形態の作用効果を説明する。
実施の形態５に係るワイヤボンディング装置２００によれば、図１９および図２０に示されるように、キャピラリ２は、第３環状部２３と第４環状部２４との間において上下方向ＤＲ１に沿って上方に凹んでいる。このため、キャピラリ２とボンディングワイヤＷとの接触面積は、第４環状部２４が設けられていない場合よりも、大きい。よって、ボンディングワイヤＷを接合部１０にさらに強固に接合することができる。
Next, the effects of this embodiment will be explained.
According to the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time should be considered to be illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present disclosure is indicated by the claims rather than the above description, and it is intended that all changes within the meaning and range equivalent to the claims are included.
２ キャピラリ、３ 移動部、１０ 接合部、２１ 第１環状部、２２ 第２環状部、２３ 第３環状部、２４ 第４環状部、１００ 半導体装置、２００ ワイヤボンディング装置、ＤＲ１ 上下方向、ＤＲ２ 水平方向、Ｗ ボンディングワイヤ、Ｗ１ 接合部分、Ｗ２ 根元側部分。 2 capillary, 3 moving section, 10 joint section, 21 first annular section, 22 second annular section, 23 third annular section, 24 fourth annular section, 100 semiconductor device, 200 wire bonding device, DR1 vertical direction, DR2 horizontal Direction, W bonding wire, W1 bonding part, W2 root side part.
Claims (8)
前記ボンディングワイヤを取り付けるためのキャピラリと、
前記キャピラリに接続された移動部とを備え、
前記キャピラリは、第１環状部と、前記第１環状部を囲む第２環状部と、前記第２環状部を囲む第３環状部とを含み、
前記移動部は、前記キャピラリを上下方向に移動可能に構成されており、
前記第２環状部は、前記第１環状部および前記第３環状部よりも前記上下方向に沿って下方に突出しており、
前記キャピラリは、前記第１環状部と前記第２環状部との間および前記第２環状部と前記第３環状部との間において前記上下方向に沿って上方に凹んでいる、ワイヤボンディング装置。 A wire bonding device for bonding bonding wires,
a capillary for attaching the bonding wire;
a moving part connected to the capillary,
The capillary includes a first annular portion, a second annular portion surrounding the first annular portion, and a third annular portion surrounding the second annular portion,
The moving unit is configured to be able to move the capillary in the vertical direction,
The second annular portion protrudes more downwardly than the first annular portion and the third annular portion along the up-down direction,
In the wire bonding device, the capillary is recessed upward along the up-down direction between the first annular part and the second annular part and between the second annular part and the third annular part.
前記第２環状部は、前記第４環状部よりも前記上下方向に沿って下方に突出しており、
前記キャピラリは、前記第３環状部と前記第４環状部との間において前記上下方向に沿って上方に凹んでいる、請求項１または２に記載のワイヤボンディング装置。 The capillary further includes a fourth annular portion surrounding the third annular portion,
The second annular portion protrudes more downwardly than the fourth annular portion along the up-down direction,
3. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the capillary is recessed upward along the up-down direction between the third annular part and the fourth annular part.
前記移動部は、前記キャピラリを水平方向に移動可能に構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載のワイヤボンディング装置。 The capillary is configured to lead out the bonding wire between the joint portion to which the bonding wire is bonded and the capillary,
The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the moving section is configured to be able to move the capillary in a horizontal direction.
前記移動部は、前記間隔が前記上下方向に沿って前記ボンディングワイヤの直径未満である状態で前記キャピラリを前記接合部分に沿って移動可能に構成されている、請求項４に記載のワイヤボンディング装置。 The moving unit is configured to be able to move the capillary in the horizontal direction at a distance in the vertical direction from the bonding portion bonded to the bonding portion of the bonding wire,
The wire bonding apparatus according to claim 4, wherein the moving unit is configured to be able to move the capillary along the bonding portion in a state where the interval is less than the diameter of the bonding wire along the up-down direction. .
前記ボンディングワイヤを取り付けるためでありかつ第１環状部、前記第１環状部を囲む第２環状部および前記第２環状部を囲む第３環状部を含むキャピラリと、前記キャピラリを上下方向に移動可能に構成された移動部とを備え、かつ前記第２環状部が前記第１環状部および前記第３環状部よりも前記上下方向に沿って下方に突出しており、かつ前記キャピラリが前記第１環状部と前記第２環状部との間および前記第２環状部との前記第３環状部との間において前記上下方向に沿って上方に凹んでいるワイヤボンディング装置と、前記ボンディングワイヤと、前記第１接合部とが準備される工程と、
前記ボンディングワイヤが前記第１接合部と前記キャピラリとに挟み込まれるように前記移動部が前記キャピラリを下方に移動させることで前記第１環状部と前記第２環状部との間に前記ボンディングワイヤを入り込ませ、前記第２環状部と前記第３環状部との間において前記ボンディングワイヤを前記第１接合部に接合させる工程と、
前記第１環状部と前記第２環状部との間に前記ボンディングワイヤが入り込んだ状態で、前記移動部が前記キャピラリを上方に移動させることで前記ボンディングワイヤを切断させる工程とを備えた、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, the method comprising: manufacturing a semiconductor device by bonding a bonding wire to a first bonding portion of the semiconductor device;
a capillary for attaching the bonding wire and including a first annular part, a second annular part surrounding the first annular part, and a third annular part surrounding the second annular part; and the capillary is movable in the vertical direction. a moving part configured to move, and the second annular part protrudes below the first annular part and the third annular part along the up-down direction, and the capillary is arranged in the first annular part. a wire bonding device that is recessed upward along the vertical direction between the second annular portion and the second annular portion and between the second annular portion and the third annular portion; a step of preparing a joint;
The moving section moves the capillary downward so that the bonding wire is sandwiched between the first bonding section and the capillary, thereby moving the bonding wire between the first annular section and the second annular section. a step of joining the bonding wire to the first bonding portion between the second annular portion and the third annular portion;
a step of causing the moving part to move the capillary upward to cut the bonding wire in a state where the bonding wire is inserted between the first annular part and the second annular part. Method of manufacturing the device.
前記ボンディングワイヤを前記第２接合部に接合させる工程において、前記移動部が前記キャピラリを前記第２接合部の水平方向に移動させながら、前記ボンディングワイヤを前記第２接合部に接合させる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。 Before the step of bonding the bonding wire to the first bonding portion, further comprising a step of bonding the bonding wire to a second bonding portion of the semiconductor device,
In the step of bonding the bonding wire to the second bonding portion, the moving portion moves the capillary in a horizontal direction of the second bonding portion while bonding the bonding wire to the second bonding portion. 6. The method for manufacturing a semiconductor device according to 6.
前記間隔が前記上下方向に沿って前記ボンディングワイヤの直径未満である状態で、前記移動部が前記ボンディングワイヤの根元側部分を前記接合部分に重ねながら移動させることで、前記接合部分と前記根元側部分とが接合される、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。 In the step of bonding to the second bonding portion, the moving unit moves the capillary in the horizontal direction from the bonding portion of the bonding wire bonded to the second bonding portion at an interval in the vertical direction,
In a state where the distance is less than the diameter of the bonding wire along the vertical direction, the moving unit moves the root side portion of the bonding wire while overlapping the bonding portion, thereby connecting the bonding portion and the root side. 8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the parts are joined.
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