JP7406597B2 - 透明電極およびその作製方法、ならびに透明電極を用いた電子デバイス - Google Patents
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Description
前記透明電極の、波長800nmおよび600nmにおける透過率をそれぞれT800およびT600とした場合の全透過率の比T800/T600が0.85以上であり、
かつ前記透明電極の断面を走査型電子顕微鏡で観察したときに、前記銀含有層が連続的であるものである。
まず、図1を用いて、第1の実施形態に係る透明電極の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る透明電極100の構成概略図である。
第1の実施形態に係る透明電極の他の実施形態1-2について説明する。そのような透明電極も、図1に示すような構造を有している。
図4Aに、実施形態に係る透明電極の作製方法の概念図を示す。この作製方法は、導電性の銀含有層と、第1の導電性の酸化物層とが積層された積層膜に硫黄または硫黄化合物を接触させる工程(b)を含む。
(b1)積層膜に硫黄蒸気ガスに接触させること、
(b2)積層膜に硫化水素ガスに接触させること、
(b3)積層膜に硫化水素、硫化ナトリウム、または硫化アンモニウムの水溶液に接触させること、または
(b4)積層膜にチオアミドまたはチオ尿素の溶液を接触させること
などの方法が採用される。
R11は水素、またはC1~C3のアルキル基であり、
R12およびR13は、それぞれ独立に水素、またはC1~C3アルキル基である)
R11がメチル基、R12およびR13が水素であるチオアセトアミド、
R1がメチル基、R12がメチル基、R13が水素であるN-メチルチオアセトアミド、
R11がメチル基、R12およびR13がメチル基であるN,N-ジメチルチオアセトアミド、
R11がエチル基、R12およびR13が水素であるチオプロポキシアミド、または
R11が水素、R12およびR13がメチル基であるN,N-ジメチルチオホルムアミド
が、溶解性や反応性が優れており、また固体残渣が残りにくいこと等から好ましい。特にチオアセトアミドが好ましい。
R21~R24は、それぞれ独立に水素またはC1~C3アルキル基である)
これらのうち、
R21がメチル基、R22,R23およびR24が水素であるN-メチルチオ尿素、
R21、R23がメチル基、R22およびR24が水素であるN,N‘-ジメチルチオ尿素、または
R21、R22がメチル基、R22およびR23が水素であるN,N-ジメチルチオ尿素
が溶解性や反応性から好ましい。
このため、加熱炉内に不活性ガス、例えば窒素を導入したり、加熱炉内を減圧したりすることが好ましい。また、より簡便には、図4Bに示すような外部大気流入防止器405および406を設けることができる。この外部大気流入防止器は、積層膜(または積層膜が形成された透明基材)の導入口または排出口の開口を狭く制限するだけのものであっても効果を得ることができる。また、エアーカーテンや、スクイーザーなどであってもよい。
また、加熱炉内の水分含有量または酸素含有量が増加しないように制御することが好ましいが、具体的には、加熱炉内の酸素含有量が21体積%以下であることが好ましく、水蒸気含有率が0.3体積%以下であることが好ましく、0.1体積%以下であることがより好ましい。
また、ポリスチレン層を積層する工程は任意の方法でおこなうことができる。例えば、ポリスチレンを有機溶媒、例えばトルエンに溶解して、積層膜の上に塗布または噴霧し、その後有機溶媒を蒸発除去する方法などを採用することができる。
図5を用いて、第3の電子デバイスの実施形態の一つに係る光電変換素子の構成について説明する。図3は、本実施形態に係る太陽電池セル500(光電変換素子)の構成概略図である。太陽電池セル500は、このセルに入射してきた太陽光L等の光エネルギーを電力に変換する太陽電池としての機能を有する素子である。太陽電池セル500は、基材501上の導電性層502の表面に設けられた光電変換層503と、光電変換層503の導電性層502の反対側面に設けられた対向電極504とを具備している。ここで導電性層502は実施形態1で示されたものと同様である。
対向電極上に正孔注入層として例えばポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)・ポリ(スチレンスルホン酸)複合体(PEDOT・PSS)膜を形成してもよい。この膜は、例えば50nmの厚さとすることができる。
図6を用いて、第3の別の実施形態に係る光電変換素子の構成について説明する。図6は、本実施形態に係る有機EL素子600(光電変換素子)の構成概略図である。有機EL素子600は、この素子に入力された電気エネルギーを光Lに変換する発光素子としての機能を有する素子である。有機EL素子600は、基材601上の導電性層602の表面に設けられた光電変換層(発光層)603と、光電変換層603の導電性層602の反対側面に設けられた対向電極604とを具備している。
図2に対応する構造を有する透明電極700Aを作成する。厚さ100μmのPETフィルム701A上にアモルファス含有ITO層(以下、a-ITO層という)704A(45~52nm)/銀含有層702A(5~8nm)/a-ITO層703A(45~52nm)の積層構造を有する導電性層を有する透明電極700Aをスパッタ法で作成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これを乾燥空気中で硫黄粉末と共に80℃で10分間ガラス容器中で放置する。表面抵抗や透過スペクトルは変化しない。得られる透明電極の断面SEMを測定する。具体的には、測定にはFE-SEM(電界放射型走査電子顕微鏡、Carl Zeiss製 ULTRA55型)を用いて、観察電圧:2.0kV、倍率80,000倍で観察することができる。得られる断面画像は図7(A)に示すとおりである。図7(A)において、銀含有層702Aは連続的である。705AはSEM測定のための金属コート層である。比Rtは0.92である。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が10%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
硫黄蒸気で処理しないことを除いては実施例1と同様にして、PETフィルム701B上にアモルファスITO層704B/銀含有層702B/a-ITO層703Bの積層構造を有する導電性層を有する透明電極700Bを作製して評価する。得られる断面画像は図7(B)に示すとおりである。断面SEM写真には銀含有層702Bに多数の不連続領域706Bが見られる。また0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗は300Ω/□以上に増加し、イオンマイグレーションに対して耐性が弱い。
図2に示す構造の透明電極200を作成する。厚さ100μmのPETフィルム上にa-ITO層(45~52nm)/銀、Pd合金を含む銀含有層(5~8nm)/a-ITO層(45~52nm)の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で作成する。表面抵抗は9~10Ω/□である。これを1%の硫化水素を含む乾燥空気中、30℃で10分間ガラス容器中で放置する。得られる透明電極の断面SEMを測定する。銀含有層には不連続が見られず均一である。表面抵抗および透過スペクトルは硫黄処理前と変化していない。比Rtは0.85である。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が1%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
実施例2と比べてPdの量を増加させ、比Rtは0.83である透明電極を作製する。。この場合は550nmでの光透過率が実施例2と比べ、5%低下し太陽電池用の透明電極としては光透過性が不足する。
実施例1と同様に、a-ITO/銀含有層/a-ITOの積層構造を有する導電性層スパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これを乾燥空気中で硫黄粉末と共に80℃で10分間ガラス容器中で放置する。その上に平面状の、炭素原子の一部が窒素原子に置換された、平均4層のN-グラフェン膜が積層された遮蔽層を形成する。
実施例1と同様に、a-ITO層/銀含有層/a-ITO層の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これを1%の硫化水素を含む乾燥空気中、30℃で10分間ガラス容器中で放置する。
図8に示す太陽電池セル800を作成する。
有機EL素子を作成する。実施例2で作製される透明電極上に電子輸送層としてフッ化リチウムの水溶液を塗布し、n型の半導体としても機能し、発光層でもあるトリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)(40nm)を蒸着して光電変換層を作製する。その上にN,N’-ジ-1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン(以下、NPDという)を30nmの厚さで蒸着しホール輸送層83を作製する。その上に金電極をスパッタ法により製膜する。さらに周りを封止することにより有機EL素子を作製する。得られる有機EL素子は出力光の劣化が少なく、1000時間連続運転しても出力の低下は4%以下である。
実施例1と同様に、a-ITO層/銀含有層/a-ITO層の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これに5wt%のチオアセトアミドのエタノール溶液を塗布した後、80℃で加熱しとエタノールと余剰のチオアセトアミドを乾燥、除去させる。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が8%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
実施例1と同様に、a-ITO層/銀含有層/a-ITO層の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これに5wt%のN-メチルチオアセトアミドのエタノール溶液を塗布した後、90℃で加熱し、エタノールと余剰のN-メチルチオアセトアミドを乾燥、除去させる。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が10%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
実施例1と同様に、a-ITO層/銀含有層/a-ITO層の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これに5wt%のN-メチルチオ尿素のエタノール溶液を塗布した後、100℃で加熱し、エタノールと余剰のN-メチルチオアセトアミドを乾燥、除去させる。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が10%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
厚さ100μm、幅20cm、長さ40mのPETフィルム上にa-ITO層704A(45~52nm)/銀含有層702A(5~8nm)/a-ITO層703A(45~52nm)の積層構造を有する導電性層を有する透明電極700Aをロールツーロールスパッタ装置で作成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これを図4Bで示す装置で硫黄蒸気処理を行う。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が10%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
実施例1と同様に、a-ITO層/銀含有層/a-ITO層の積層構造を有する導電性層をスパッタ法で100μmのPETフィルム上に形成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。
0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が2%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
厚さ100μm、幅20cm、長さ40mのPETフィルム上にa-ITO層704A(45~52nm)/銀含有層702A(5~8nm)/a-ITO層703A(45~52nm)の積層構造を有する導電性層を有する透明電極700Aをロールツーロールスパッタ装置で作成する。表面抵抗は7~9Ω/□である。これに5wt%のチオアセトアミドのエタノール溶液をロールツーロール塗布装置で塗布した後、ロールツーロール乾燥炉で加熱して、エタノールと余剰のチオアセトアミドを乾燥、除去させる。次にポリスチレンのトルエン溶液をロールツーロール塗布装置で塗布した後、ロールツーロール乾燥炉でトルエンを蒸発させる。0.03wt%中の塩水中で-0.5~0.8V(対銀―塩化銀電極)で5分間サイクリックボタンメトリーによって応答電力の測定を行った場合、表面抵抗の増加が1%以下であり、イオンマイグレーションに対して耐性がある。
101…基材
102…銀含有層
103…酸化物層
104…第2の酸化物層
105…不均一部
106…硫黄含有銀化合物
400…ロールツーロール硫黄蒸気処理装置
401…積層膜
402…送り側ロール
403…巻き取り側ロール
404…加熱炉
405、406…外部大気流入防止器
407…硫黄源
500…太陽電池セル
501…透明基材
502…導電性層
503…光電変換層
504…対向電極
600…有機EL素子
601…透明基材
602…導電性層
603…光電変換層
604…対向電極
700A、700B…透明電極
701A、701B…PETフィルム
702A、702B…銀含有層
703A、703B…アモルファス含有ITO層
704A、704B…アモルファス含有ITO層
705A、705B…金属コート層
706B…不連続領域
800…太陽電池セル
801…透明基材
802…導電性層
803…電子注入層
804…電子輸送層
805…光電変換層
806…ステンレス箔
807…遮蔽層
808…接着層
809…紫外線カット層
810…ガスバリア層
Claims (19)
- (i)導電性の銀含有層、(ii)第1の導電性の酸化物層、および(iii)グラフェン層、またはポリスチレン層が、この順で積層された積層膜を具備する透明電極であって、
前記透明電極の、波長800nmおよび600nmにおける透過率をそれぞれT800およびT600とした場合の全透過率の比T800/T600が0.85以上であり、
かつ前記透明電極の無作為に選択された5か所の断面を、倍率80,000倍でSEM観察したとき、1.4μmの長さの銀含有層の中に不連続領域が2つ以下である、透明電極。 - 前記第1の導電性の酸化物層が不均一部を有し、前記不均一部に硫黄含有銀化合物層を具備する、請求項1に記載の透明電極。
- 前記銀含有層の全面が、前記酸化物層または前記硫黄含有銀化合物層で被覆されている、請求項2に記載の透明電極。
- 透明基材をさらに具備し、前記透明基材の上に、前記銀含有層、および前記第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層膜を具備する、請求項1~3のいずれか1項に記載の透明電極。
- 前記透明基材と、前記銀含有層の間に、第2の導電性の酸化物層をさらに具備する、請求項4に記載の透明電極。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載の透明電極と、活性層と、対向電極とを具備する、電子デバイス。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載の透明電極の作製方法であって、前記第1の導電性の酸化物層に硫黄または硫黄化合物を接触させる工程(b)を含む、透明電極の作製方法。
- 前記工程(b)が、
(b1)前記第1の導電性の酸化物層に硫黄蒸気ガスを接触させること、
(b2)前記第1の導電性の酸化物層に硫化水素ガスを接触させること、
(b3)前記第1の導電性の酸化物層に硫化水素、硫化ナトリウム、または硫化アンモニウムの水溶液を接触させること、または
(b4)前記第1の導電性の酸化物層にチオアミドまたはチオ尿素の溶液を接触させること
を含む、請求項7に記載の方法。 - 前記工程(b4)が、チオアミドまたはチオ尿素のアルコール溶液を前記第1の導電性の酸化物層に塗布し、加熱することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記工程(b)の前または後に、(c)(iii)グラフェン層またはポリスチレン層を積層する工程を含む、請求項8または9に記載の方法。
- 前記工程(b)の前または後に、(d)第3の無機酸化物層を積層する工程をさらに含む、請求項8~10のいずれが1項に記載の方法。
- 前記積層膜が、透明基材の上に、前記銀含有層を形成し、前記銀含有層の上に前記第1の導電性の酸化物層を形成することによって形成される、請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記工程(b1)または(b2)が、前記硫黄蒸気ガスまたは前記硫化水素ガスのいずれかのガスの雰囲気中に前記積層膜を連続的に通過させることを含み、かつ前記雰囲気における水分含有量または酸素含有量が増加しないように制御する、請求項8に記載の方法。
- 導電性の銀含有層および第1の導電性の酸化物層が、この順で積層された積層膜を具備する透明電極の作製方法であって、前記積層膜に硫黄または硫黄化合物を含有するガスまたは溶液をロールツーロール処理装置で接触させる工程(b)を含み、前記ガス中または前記溶液中の硫黄濃度を観測し、観測された濃度に応じて接触条件を調整する、透明電極の作製方法。
- 前記工程(b)が、
(b1)前記第1の導電性の酸化物層に硫黄蒸気ガスを接触させること、または
(b2)前記第1の導電性の酸化物層に硫化水素ガスを接触させること、
(b3)前記第1の導電性の酸化物層に硫化水素、硫化ナトリウム、または硫化アンモニウムの水溶液を接触させること、または
(b4)前記第1の導電性の酸化物層にチオアミドまたはチオ尿素の溶液を接触させること
を含む、請求項14に記載の方法。 - 前記工程(b)の前または後に、(c)グラフェン層またはポリスチレン層を積層する工程をさらに含む、請求項14または15に記載の方法。
- 前記工程(b)の前または後に、前記第1の導電性の酸化物層とは異なる(d)第3の無機酸化物層を積層する工程をさらに含む、請求項14~16のいずれが1項に記載の方法。
- 前記積層膜が、透明基材の上に、前記銀含有層を形成し、前記銀含有層の上に前記第1の導電性の酸化物層を形成することによって形成される、請求項14~17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記工程(b1)または(b2)のいずれか1つの工程が、前記硫黄蒸気ガスまたは前記硫化水素ガスのいずれかのガスの雰囲気中に前記積層膜を連続的に通過させることを含み、かつ前記雰囲気における水分含有量または酸素含有量が増加しないように制御する、請求項15に記載の方法。
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