CN109659439B - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 61
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical group [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 120
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 17
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical group [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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Abstract
本发明提供了一种有机电致发光器件,其包括基板和其上设置的复合阳极结构。其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层、金属银层和上金属氧化物层。其中所述金属银层表面未被所述上金属氧化物层所遮蔽的位置处的金属银为氧化银并暴露于外。本发明提供了一种有机电致发光器件,其能够在保持其基板性能基本不变的前提下,使其基板可以长时间在大气氛围中储存,提高了器件的性能和良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是,其中的一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(organic light-emitting devices,OLEDs)由于具有能自主发光、超轻薄、视角宽广、响应速度快、发光效率高、温度适应范围大、可制作柔性显示器件、驱动电压及能耗低等优点吸引了众多显示面板厂商的目光,被视为下一代主流的显示技术。
已知,在常见的电致发光器件的结构之中,请参阅图1所示,基板10’上通常会使用TCO/Ag/TCO(Transparent Conducting Oxide,TCO)类型的复合阳极结构。然后制备完所述复合阳极结构后,通常的情况下会设置一层PR(Photo Resist)保护层来保护所述复合阳极结构,在蒸镀之前会进行化学物理的剥离流程,去除所述PR保护层。
但是在一般的实验或者量产设备中,蒸镀设备和剥离机台是相互分立的。剥离处理后的基板需要储存一段时间后再进行蒸镀处理。而为了提高OLED的效率,所述复合阳极结构的上TCO层15’会做的很薄,由于岛状的TCO层15’容易出现缺陷152’,进而暴露出其下方与其相接的金属银层13’表层的金属银。而在空气氛围中会有少量的硫存在,硫和暴露的银会形成黑色不导电的硫化银(Ag2S),从而导致基板缺陷,进而使得制备出的OLED器件效率降低,甚至无法点亮。
因此,确有必要来研发一种新型的有机电致发光器件及其制备方法,来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种有机电致发光器件,其能够在保持其基板性能基本不变的前提下,使其基板可以长时间在大气氛围中储存,提高了器件的性能和良率。
本发明采用的技术方案如下:
一种有机电致发光器件,包括基板和其上设置的复合阳极结构。其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层、金属银层和上金属氧化物层。其中所述金属银层表面因所述上金属氧化物层的缺陷而未被其遮蔽位置处的金属银为氧化银(Ag2O)。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物为铟锡氧化物。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物为铟锌氧化物。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述下金属氧化物层中的金属氧化物为铟锡氧化物。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述下金属氧化物层中的金属氧化物为铟锌氧化物。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物与所述下金属氧化物层中的金属氧化物一致。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述金属银层表层的氧化银是通过紫外线照射所述复合阳极结构表面的方式形成的。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述金属银层表层的氧化银是通过氧等离子体处理所述复合阳极结构表面的方式形成的。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述基板上还依次设置有蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、光学耦合层以及封装层。
进一步的,本发明的又一方面是提供一种制备本发明涉及的所述有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
阳极制备步骤,其为提供一基板,并于所述基板上形成由下金属氧化物层、金属银层和上金属氧化物层构成的复合阳极结构和其上设置的PR保护层,剥离所述PR保护层;
氧化步骤,其为对所述基板进行氧化处理,进而使得因所述上金属氧化物层缺陷而暴露于外的金属银层表面的金属银形成氧化银。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述氧化步骤为将所述基板放入紫外臭氧处理设备中,使用紫外灯照射所述基板,通过紫外光照射氧气生成臭氧使得暴露于所述上金属氧化物层外的金属银氧化形成氧化银。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述氧化步骤为将所述基板放入氧等离子体处理设备中,在氧等离子体处理所述基板表面时会产生大量的臭氧,通过所述臭氧使得暴露于所述上金属氧化物层外的金属银氧化形成氧化银。
进一步的,在不同实施方式中,其还包括功能层制备步骤,其为在所述基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、光学耦合层,最后封装完成所述有机电致发光器件。
相对于现有技术,本发明的有益效果是:本发明涉及的一种有机电致发光器件,通过对其基板进行氧化处理,使其因其复合阳极结构中的上金属氧化物层自身缺陷而暴露在空气中的金属银层表面形成氧化银,从而使其能相对长时间的放置在空气当中,且不会与空气中的硫生成硫化银,避免了现有技术中常见的阳极金属银被硫化为硫化银后而导致的器件缺陷,从而有效地提高了器件的性能和良率。
进一步的,本发明涉及的所述有机电致发光器件的制备方法,其制程简单易行,适用于多种TCO/Ag/TCO的复合阳极结构,可以有效地修补现有制程中存在的硫化银缺陷,使剥离PR保护层后的基板更加容易储存。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中涉及的一种有机电致发光器件,其基板和复合阳极结构的示意图。
图2为本发明一个实施方式中涉及的一种有机电致发光器件,其基板和复合阳极结构的示意图。
图1-2中的附图标记说明如下:
基板 10、10’ 下金属氧化物层 11、11’
金属银层 13、13’ 上金属氧化物层 15、15’
缺陷 152、152’
具体实施方式
以下将结合附图和实施例,对本发明涉及的一种有机电致发光器件及其制备方法的技术方案作进一步的详细描述。
请参阅图2所示,本发明的一个实施方式提供了一种有机电致发光器件,其包括基板10和其上设置的复合阳极结构。
其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层11、金属银层13和上金属氧化物层15。其中所述金属银层13表面因所述上金属氧化物层15自身缺陷152而未被其遮蔽位置处的金属银会被氧化形成氧化银并暴露于外,并同时遮蔽其下的金属银。
其中,因所述上氧化物层15存在的缺陷152而暴露出来的金属银层13表面的金属银变为氧化银后,由于银的电阻率为~1.6×10-8Ω·m,而氧化银的电阻率为~1×10-4Ω·m,与所述上层金属氧化物(TCO)的电阻率差别不大,例如,当所述TCO选用ITO(IndiumTin Oxides,氧化铟锡,TCO的一种)时,其电阻率为~5×10-4Ω·m,两者差距不大;而硫化银的电阻率为~10×106Ω·m,几乎不导电。所以,将暴露的金属银氧化为氧化银后,几乎不会影响器件的性能;同时氧化银在正常条件下也不会结合硫成为硫化银,因此也就避免了硫化银的形成,进而使得在所述PR保护层剥离过后的所述基板10可以相对长时间储存在大气氛围之中。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述基板上还依次设置有蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极、光学耦合层以及封装层。
进一步的,本发明的一个实施方式还提供了一种用于制备上述有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
提供一基板,在所述基板上形成复合阳极结构以及其表面的PR保护层,其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层、中层金属银层和上层金属氧化物层,其中所述上、下金属氧化物层均选用ITO材质组成,然后剥离所述PR保护层;
将所述基板放入紫外臭氧处理设备中进行处理,在紫外灯的照射下,入射到所述基板表面上的紫外光不仅能够进一步的清洗所述基板上的残留有机物,还可以让紫外光照射氧气生成臭氧,因所述上金属氧化物层的缺陷而未被所述上金属氧化物层所覆盖的金属银层表面的金属银,在遇到所述臭氧时,其容易氧化变为氧化银,而所述氧化银本身不会在正常条件下与空气中的硫结合变为硫化银,同时也就保护了其下的金属银不会被硫化;同时所述氧化银具有和ITO材质类似的电阻率,所以并不会明显的影响器件的性能;氧化处理后的所述基板可以在大气氛围中长时间的放置备用;
对所述基板进行蒸镀OLED功能层前的预处理,例如清洗、烘烤、阳极处理等等;
在所述基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极以及光学耦合层,最后对其进行封装,从而完成所述有机电致发光器件。
进一步的,本发明的又一个实施方式还提供了一种用于制备上述有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
提供一基板,在所述基板上形成复合阳极结构以及其表面的PR保护层,其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层、中层金属银层和上层金属氧化物层,其中所述上、下金属氧化物层均选用IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌,TCO的一种)材质组成,然后剥离所述PR保护层;
将所述基板放入氧等离子体处理设备中,进行氧等离子体处理,该处理不仅能够进一步的清洗所述基板表面上的残留有机物,还可以产生大量的臭氧,因所述上金属氧化物层的缺陷而未被所述上金属氧化物层所覆盖的金属银层表面的金属银,在遇到所述臭氧时,其容易氧化变为氧化银,而所述氧化银本身不会在正常条件下与空气中的硫结合变为硫化银,同时也就保护了其下的金属银不会被硫化;同时所述氧化银具有和IZO材质类似的电阻率,所以并不会明显的影响器件的性能;氧化处理后的所述基板可以在大气氛围中长时间的放置备用;
对所述基板进行蒸镀OLED功能层前的预处理,例如清洗、烘烤、阳极处理等等;
在所述基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极以及光学耦合层,最后对其进行封装,从而完成所述有机电致发光器件。
本发明涉及的一种有机电致发光器件,通过对其基板进行氧化处理,使其因其复合阳极结构中的上金属氧化物层自身缺陷而暴露在空气中的金属银层表面形成氧化银,从而使其能相对长时间的放置在空气当中,且不会与空气中的硫生成硫化银,避免了现有技术中常见的阳极金属银被硫化为硫化银后而导致的器件缺陷,从而有效地提高了器件的性能和良率。
进一步的,本发明涉及的所述有机电致发光器件的制备方法,其制程简单易行,适用于多种TCO/Ag/TCO的复合阳极结构,可以有效地修补现有制程中存在的硫化银缺陷,使剥离PR保护层后的基板更加容易储存。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容,本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下,对上述实施例进行多种变形和修改,而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种有机电致发光器件,包括基板和其上设置的复合阳极结构;其中所述复合阳极结构包括下金属氧化物层、金属银层和上金属氧化物层;其特征在于,其中所述金属银层表面因所述上金属氧化物层的缺陷而未被其遮蔽位置处的金属银为氧化银,所述氧化银通过对所述复合阳极结构进行氧化而形成。
2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物为铟锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物为铟锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,其中所述下金属氧化物层中的金属氧化物为铟锡氧化物。
5.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,其中所述下金属氧化物层中的金属氧化物为铟锌氧化物。
6.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件,其特征在于,其中所述上金属氧化物层中的金属氧化物与所述下金属氧化物层中的金属氧化物一致。
7.一种用于制备根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
阳极制备步骤,其为提供一基板,并于所述基板上形成由下金属氧化物层、金属银层和上金属氧化物层构成的复合阳极结构和其上设置的PR保护层,剥离所述PR保护层;
氧化步骤,其为对所述基板进行氧化处理,进而使得因所述上金属氧化物层缺陷而暴露于外的金属银层表面的金属银形成氧化银。
8.根据权利要求7所述的一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,其中所述氧化步骤为将所述基板放入紫外臭氧处理设备中,使用紫外灯照射所述基板,通过紫外光照射氧气生成臭氧使得暴露于所述上金属氧化物层外的金属银氧化形成氧化银。
9.根据权利要求7所述的一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,其中所述氧化步骤为将所述基板放入氧等离子体处理设备中,在氧等离子体处理所述基板表面时会产生大量的臭氧,通过所述臭氧使得暴露于所述上金属氧化物层外的金属银氧化形成氧化银。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811416263.5A CN109659439B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
US16/467,041 US10790468B2 (en) | 2018-11-26 | 2019-03-19 | Organic electroluminescent device and method for preparing the same |
PCT/CN2019/078597 WO2020107750A1 (zh) | 2018-11-26 | 2019-03-19 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811416263.5A CN109659439B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109659439A CN109659439A (zh) | 2019-04-19 |
CN109659439B true CN109659439B (zh) | 2020-04-03 |
Family
ID=66111546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811416263.5A Active CN109659439B (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10790468B2 (zh) |
CN (1) | CN109659439B (zh) |
WO (1) | WO2020107750A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115315815A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-11-08 | 株式会社东芝 | 透明电极及其制作方法、以及使用透明电极的电子器件 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN108807711A (zh) * | 2018-07-13 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-11-26 CN CN201811416263.5A patent/CN109659439B/zh active Active
-
2019
- 2019-03-19 US US16/467,041 patent/US10790468B2/en active Active
- 2019-03-19 WO PCT/CN2019/078597 patent/WO2020107750A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109659439A (zh) | 2019-04-19 |
US20200185637A1 (en) | 2020-06-11 |
US10790468B2 (en) | 2020-09-29 |
WO2020107750A1 (zh) | 2020-06-04 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |