JP7403052B2 - プラズマ源及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、真空容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ源、及び、このプラズマ源を備えたプラズマ処理装置に関するものである。

アンテナに高周波電流を流し、それによって生じる誘導電界によって誘導結合型のプラズマ（略称ＩＣＰ）を発生させ、この誘導結合型のプラズマを用いて基板等の被処理物に処理を施すプラズマ処理装置が従来から提案されている。このようなプラズマ処理装置として、特許文献１には、アンテナを真空容器の外部に配置し、真空容器の側壁の開口を塞ぐように設けた誘電体窓を通じてアンテナから生じた高周波磁場を真空容器内に透過させることで、処理室内にプラズマを発生させるものが開示されている。

特開２０１７－００４６６５号公報

ところが、上述のプラズマ処理装置では、誘電体窓を真空容器の側壁の一部として用いるため、誘電体窓は真空容器内を真空排気した際に容器の内外の差圧に耐えられるよう十分な強度を有する必要がある。特に誘電体窓を構成する誘電体材料は靭性が低いセラミックスやガラスであるので、上述した差圧に耐えられる十分な強度を備えるためには誘電体窓の厚みを十分に大きくする必要がある。それ故、アンテナから真空容器内の処理室までの距離が遠くなってしまい、処理室における誘導電界の強度が弱くなり、プラズマの生成効率が低下するという問題がある。

そこで、本願発明者は、本願発明の開発にあたって、図８に示すように、真空容器の開口を塞ぐスリット板と、スリット板に形成されたスリットを真空容器の外側から塞ぐ誘電体板とを備えたプラズマ源を中間的に考えた。
このような構成であれば、スリット板と、このスリット板に重ね合わせた誘電体板とに磁場透過窓としての機能を担わせているので、誘電体板のみに磁場透過窓としての機能を担わせる場合に比べて磁場透過窓の厚みを小さくすることができる。これにより、アンテナから真空容器内までの距離を短くすることができ、アンテナから生じた高周波磁場を効率良く真空容器内に供給することができる。

ところで、プラズマ処理におけるプラズマ特性（例えばプラズマ密度やイオンエネルギーなど）を変えたい場合、もちろん、プラズマを生成するための原料ガスの流量や被処理物に印加するバイアス電圧などの運転条件を変更することもなされるが、こういった運転条件以外にも、上述したスリット板のスリット幅の変更が有効な場合がある。

しかしながら、上述したプラズマ処理装置において、プラズマ特性を変えるためなど、用途に応じた複数種類のスリット板を保有しておくと、コストの増大を招来するうえ、スリット板を取り替えるための作業時間や労力が必要となる。

そこで、本願発明は、かかる問題を一挙に解決するべくなされたものであり、真空容器の外部にアンテナを配置する構成において、スリット板を用いることでアンテナから真空容器内までの距離を短くするとともに、スリット幅を柔軟且つ簡単に変更できるようにすることをその主たる課題とするものである。

すなわち本発明に係るプラズマ源は、真空容器の外部に設けられたアンテナに高周波電流を流して前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源であって、前記真空容器の前記アンテナに臨む位置に形成された開口を塞ぐ第１スリット板と、前記第１スリット板に形成された第１スリットを前記真空容器の外側から塞ぐ誘電体板と、前記第１スリット板及び前記誘電体板の間に、又は、前記第１スリット板との間で前記誘電体板を挟み込む位置に設けられ、少なくとも一部が前記第１スリットと重なり合う第２スリットが形成された第２スリット板とを備え、前記アンテナから生じた高周波磁場が、前記第１スリットと前記第２スリットとが互いに重なり合ってなる実スリットを介して前記真空容器内に透過することを特徴とするものである。

このように構成されたプラズマ源によれば、第１スリット板とは別に第２スリット板を備えているので、第１スリット板と第２スリット板との重なり具合を調整することで、第１スリット板を取り外すことなく、実スリットを種々のスリット幅に変更することができる。
これにより、真空容器の外部にアンテナを配置する構成において、第１スリット板を用いることでアンテナから真空容器内までの距離を短くするとともに、第１スリット板に対する第２スリット板の位置を調整することで、実スリットの幅を柔軟且つ簡単に変更することができる。

前記第２スリット板を複数枚備えることが好ましい。
これならば、第１スリット板と第２スリット板との重なり具合のみならず、第２スリット板同士の重なり具合をも調整することができ、実スリットの幅をより多様に変更することができる。これにより、例えば同じ形状の第２スリットを複数枚準備することで、コストの増大を可及的に抑えつつ、実スリットを種々の幅に変更することができる。

ところで、第２スリット板が第１スリットと誘電体板との間に介在する場合、例えば第２スリット板を取り替えるためには、真空容器を大気開放した後に第２スリット板を取り替えて再び真空排気するといった作業が必要で、その都度、真空容器内のメンテナンスを要し、時間や労力が必要となる。
そこで、前記第２スリット板が、前記第１スリット板との間で前記誘電体板を挟み込む位置に設けられていることが好ましい。
これならば、真空容器を真空に保ちつつ、第２スリット板の例えば取り替えや位置調整などを行うことができ、作業性やメンテナンス性の向上を図れる。

より具体的な実施態様としては、前記第１スリット板が、長尺状をなし、その長手方向に沿って複数の前記第１スリットが形成されたものであり、前記第２スリット板が、長尺状をなし、その長手方向に沿って複数の前記第２スリットが形成されたものであり、前記第１スリット及び前記第２スリットが重なり合ってなる複数の前記実スリットが、互いに同じ形状である態様を挙げることができる。
このような構成であれば、複数の実スリットが互いに同じ形状であるので、上述した長手方向におけるプラズマ密度の均一化を図れる。

前記第２スリット板が、前記長手方向に沿った寸法が互いに異なる２種の前記第２スリットが長手方向に沿って交互に設けられたものであり、前記２種のうちの一方の前記第２スリットが、互いに隣り合う前記第１スリットの双方に跨って形成されており、前記２種のうちの他方の前記第２スリットが、一方の前記第２スリットよりも長手方向に沿った寸法が短く、互いに隣り合う前記第１スリットの一方のみに重なり合うことが好ましい。
このような構成であれば、交互に設けられた２種の第２スリットのうち連続した３つの第２スリット（長手方向に沿った寸法が長いもの、短いもの、長いもの）が、１つの第１スリットに重なり合う。従って、第１スリットを３分割してなる実スリットを、１枚の第２スリット板によって実現することができる。

前記第２スリット板が、薄膜状のものであることが好ましい。
これならば、第２スリット板が薄いので、アンテナをより真空容器内に近づけることができる。

前記第１スリット板の外向き面に前記第２スリットが載置される凹部が形成されており、その凹部の内側面が、前記第２スリット板の外側面に当接し、前記第２スリットを前記第１スリットに対して位置決めする位置決め面として機能することが好ましい。
このような構成であれば、第１スリット板に対する第２スリットの位置決めを簡単にすることができる。

また、真空容器と、上述したプラズマ源とを備えるプラズマ処理装置も本発明の１つであり、かかるプラズマ処理装置であれば、上述したプラズマ源と同様の作用効果を奏し得る。

このように構成した本発明によれば、真空容器の外部にアンテナを配置する構成において、第１スリット板を用いることでアンテナから真空容器内までの距離を短くするとともに、第１スリット板に対する第２スリット板の位置を調整することで、実スリットの幅を柔軟且つ簡単に変更することができる。

一実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図。 同実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す横断面図。 同実施形態における第２スリットが全開位置にある状態を示す断面図。 同実施形態における第２スリットが半開位置にある状態を示す断面図。 同実施形態における第２スリットが細分化位置にある状態を示す断面図。 その他の実施形態における第２スリット板を示す模式図。 その他の実施形態における第２スリット板を示す模式図。 本願発明の開発にあたり中間的に検討されたプラズマ処理装置の構成を示す模式図。

以下に、本発明に係るプラズマ源及びプラズマ処理装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。

＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ処理装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。

なお、このプラズマ処理装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はスパッタリング装置とも呼ばれる。

具体的にプラズマ処理装置１００は、図１及び図２に示すように、真空排気され且つガスＧが導入される真空容器１と、真空容器１の内部にプラズマＰを発生させるプラズマ源２００とを具備してなり、プラズマ源２００は、真空容器１の外部に設けられたアンテナ２と、アンテナ２に高周波を印加する高周波電源３とを備えたものである。かかる構成において、アンテナ２に高周波電源３から高周波を印加することによりアンテナ２には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器１内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。

真空容器１は、例えば金属製の容器であり、その壁（ここでは上壁１ａ）には、厚さ方向に貫通する開口１ｘが形成されている。この真空容器１は、ここでは電気的に接地されており、その内部は真空排気装置４によって真空排気される。

また、真空容器１内には、例えば流量調整器（図示省略）や真空容器１に設けられた１又は複数のガス導入口１１を経由して、ガスＧが導入される。ガスＧは、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板Ｗに膜形成を行う場合には、ガスＧは、原料ガス又はそれを希釈ガス（例えばＨ_２）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳｉＨ_４の場合はＳｉ膜を、ＳｉＨ_４＋ＮＨ_３の場合はＳｉＮ膜を、ＳｉＨ_４＋Ｏ_２の場合はＳｉＯ_２膜を、ＳｉＦ_４＋Ｎ_２の場合はＳｉＮ：Ｆ膜（フッ素化シリコン窒化膜）を、それぞれ基板Ｗ上に形成することができる。

この真空容器１の内部には、基板Ｗを保持する基板ホルダ５が設けられている。この例のように、基板ホルダ５にバイアス電源６からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、パルス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ５内に、基板Ｗを加熱するヒータ５１を設けておいても良い。

アンテナ２は、図１及び図２に示すように、真空容器１に形成された開口１ｘに臨むように配置されている。なお、アンテナ２の本数は１本に限らず、複数本のアンテナ２を設けても良い。

アンテナ２は、図２に示すように、その一端部である給電端部２ａが、整合回路３１を介して高周波電源３が接続されており、他端部である終端部２ｂが、直接接地されている。なお、終端部２ｂは、コンデンサ又はコイル等を介して接地されてもよい。

高周波電源３は、整合回路３１を介してアンテナ２に高周波電流ＩＲを流すことができる。高周波の周波数は例えば一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではなく適宜変更してもよい。

ここで、本実施形態のプラズマ源２００は、真空容器１の壁（上壁１ａ）に形成された開口１ｘを真空容器１の外側から塞ぐスリット部材７と、スリット部材７に形成されたスリット７ｘを真空容器１の外側から塞ぐ誘電体板８とをさらに備えている。

スリット部材７は、その厚み方向に貫通してなるスリット７ｘが形成されたものであり、アンテナ２から生じた高周波磁場を真空容器１内に透過させるとともに、真空容器１の外部から真空容器１の内部への電界の入り込みを防ぐものである。

具体的にこのスリット部材７は、図３に示すように、具体的には互いに平行な複数のスリット７ｘが形成された平板状のものであり、後述する誘電体板８よりも機械強度が高いことが好ましく、誘電体板８よりも厚み寸法が大きいことが好ましい。

より具体的に説明すると、スリット部材７は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ又はＣｏを含む群から選択される１種の金属又はそれらの合金（例えばステンレス合金、アルミニウム合金等）等の金属材料を圧延加工（例えば冷間圧延や熱間圧延）などにより製造したものであり、例えば厚みが約５ｍｍ程度のものである。ただし、製造方法や厚みはこれに限らず仕様に応じて適宜変更して構わない。

このスリット部材７は、図３に示すように、平面視において真空容器１の開口１ｘよりも大きいものであり、上壁１ａに支持された状態で開口１ｘを塞いでいる。スリット部材７と上壁１ａとの間には、Ｏリングやガスケット等のシール部材Ｓが介在しており、これらの間は真空シールされている。

誘電体板８は、スリット部材７の外向き面（真空容器１の内部を向く内向き面の裏面）に設けられて、スリット板のスリットを塞ぐものである。

誘電体板８は、全体が誘電体物質で構成された平板状をなすものであり、例えばアルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス、石英ガラス、無アルカリガラス等の無機材料、フッ素樹脂（例えばテフロン）等の樹脂材料等からなる。なお、誘電損を低減する観点から、誘電体板８を構成する材料は、誘電正接が０．０１以下のものが好ましく、０．００５以下のものがより好ましい。

ここでは誘電体板８の板厚をスリット部材７の板厚よりも小さくしているが、これに限定されず、例えば真空容器１を真空排気した状態において、スリット７ｘから受ける真空容器１の内外の差圧に耐え得る強度を備えれば良く、スリット７ｘの数や長さ等の仕様に応じて適宜設定されてよい。ただし、アンテナ２と真空容器１との間の距離を短くする観点からは薄い方が好ましい。

かかる構成により、スリット部材７及び誘電体板８は、磁場を透過させる磁場透過窓９として機能を担う。すなわち、高周波電源３からアンテナ２に高周波を印加すると、アンテナ２から発生した高周波磁場が、スリット部材７及び誘電体板８からなる磁場透過窓９を透過して真空容器１内に形成（供給）される。これにより、真空容器１内の空間に誘導電界が発生し、誘導結合型のプラズマＰが生成される。

然して、スリット部材７は、図３に示すように、複数種類のスリット板から構成されており、より具体的には第１スリット７１ｘが形成された第１スリット板７１と、少なくとも一部が第１スリット７１ｘに重なり合う第２スリット７２ｘが形成された第２スリット板７２とを有する。

第１スリット板７１は、真空容器１の開口を塞ぐものであり、真空容器１の上壁１ａに支持されるとともに、その外向き面により誘電体板８を支持するものである。なお、外向き面と誘電体板８との間には、これらの間をシールする粘着材料（不図示）が設けられている。粘着材料は、蒸気圧の低い高粘性の潤滑油であり、具体的には真空グリスである。

具体的にこの第１スリット７１ｘは、図３に示すように、平面視において例えば長方形状をなす長尺平板状のものであり、その長手方向に沿って複数（ここでは、一例として５つ）の第１スリット７１ｘが形成されている。

これらの第１スリット７１ｘは、平面視において例えば略矩形状などの互いに同じ形状をなしており、長手方向に沿って等間隔に設けられている。

第２スリット板７２は、この実施形態では第１スリット板７１と誘電体板８との間に設けられている。

具体的にこの第２スリット板７２は、図３に示すように、平面視において例えば長方形状をなす長尺平板状のものであり、その長手方向に沿って複数（ここでは、一例として６つ）の第２スリット７２ｘが形成されている。なお、ここでは第２スリット７２ｘを第１スリット７１ｘよりも１つ多く設けてあるが、その数はこの実施形態に限定されるものではなく、例えば第１スリット７１ｘと同数としても良い。

これらの第２スリット７２ｘは、平面視において例えば略矩形状などの互いに同じ形状をなしており、長手方向に沿って等間隔に設けられている。なお、ここでの第２スリット７２ｘは、第１スリット７１ｘと同じ形状であるが、その形状は第１スリット７１ｘとは異なる形状でも良く、適宜変更して構わない。また、第２スリット７２ｘの配置間隔は、ここでは第１スリット７１ｘの配置間隔と同じにしてあるが、これらの配置間隔も適宜変更して構わない。

そして、上述した構成において、図３に示すように、第１スリット７１ｘと第２スリット７２ｘとの重なり合う部分が、上述したスリット部材７のスリット７ｘ（以下、実スリット７ｘともいう）として形成され、アンテナ２から生じた高周波磁場が、この実スリット７ｘを介して真空容器１内に透過することになる。

本実施形態の第２スリット板７２は、第１スリット板７１の外向き面に形成された凹部ｃに設けられており、少なくとも本プラズマ源２００の組み立て完了前においては、その凹部ｃ内にスライド可能に載置される。ここでの第２スリット板７２は、凹部ｃ内においてスライド移動させて第１スリット板７１に対して位置決めされた後、その位置で固定されている。ただし、第２スリット板７２は、本プラズマ源２００の組み立て完了後においても、凹部ｃ内でスライド可能なものとしても良い。

この凹部ｃは、長手方向に沿った寸法が第２スリット板７２の長手方向よりも長く、長手方向と直交する短手方向に沿った寸法が第２スリット板７２の短手方向と略同一又はやや短く設定されている。かかる構成により、この凹部ｃの長手方向に沿った内側面ｃ１が、第２スリット板７２のスライド移動をガイドするガイド面として機能する。一方、この凹部ｃの短手方向に沿った（言い換えれば、ガイド面と直交する）内側面ｃ２が、第２スリット板７２の短手方向に沿った外側面に当接し、第２スリット７２ｘを第１スリット７１ｘに対して位置決めする位置決め面として機能する。

本実施形態では、第２スリット板７２が複数枚（具体的には２枚）設けられており、これらの第２スリット板７２は、いずれも上述した凹部ｃに収容されている。具体的には、複数枚の第２スリット板７２が凹部ｃ内に収容された状態において、第１スリット板７１の外向き面と、最も外側に位置する第２スライド板の外向き面とが同一平面状となり、これらの外向き面に誘電体板８が設けられている。

ここで、第２スリット板７２は、凹部ｃ内でスライド可能な状態においては、図３～図５に示すように、少なくとも第１スリット７１ｘの全体が実スリット７ｘとして形成される全開位置と、第１スリット７１ｘの長手方向の半分が実スリット７ｘとして形成される半開位置との間で移動可能であり、ここでは、第１スリット７１ｘの長手方向の半分よりもさらに細分化された領域が実スリット７ｘとして形成される細分化位置との間でもさらに移動可能である。

かかる構成において、ここでは凹部ｃの短手方向に沿った内側面ｃ２の一方が、図３に示すように、第２スリット板７２を全開位置に位置決めする位置決め面として機能する。なお、図示していないが、凹部ｃの短手方向に沿った内側面ｃ２の他方が、第２スリット板７２を半開位置や細分化位置に位置決めする位置決め面として機能するように構成しても良い。

上述した構成により、第２スリット板７２が、全開位置、半開位置、及び細分化位置のそれぞれにある状態において、複数の実スリット７ｘが、互いに同じ形状で、且つ、互いに等間隔に形成される。なお、この実施形態では、第２スリット板７２が細分化位置にある状態において、第１スリット７１ｘを長手方向に沿って３分割した領域それぞれが実スリット７ｘとして形成されるように構成されている。

＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置１００及びプラズマ源２００によれば、第１スリット板７１とは別に第２スリット板７２を備えているので、第１スリット板７１と第２スリット板７２との重なり具合を調整することで、第１スリット板７１を取り外すことなく、実スリット７ｘを種々のスリット幅に変更することができる。
これにより、真空容器１の外部にアンテナ２を配置する構成において、第１スリット板７１を用いることでアンテナ２から真空容器１内までの距離を短くするとともに、第１スリット板７１に対する第２スリット板７２の位置を調整することで、実スリット７ｘの幅を柔軟且つ簡単に変更することができる。

また、第２スリット板７２を複数枚設けてあるので、第１スリット板７１と第２スリット板７２との重なり具合のみならず、第２スリット板７２同士の重なり具合をも調整することができ、実スリット７ｘの幅をより多様に変更することができる。
さらに、これらの第２スリット板７２が、互いに同じ形状のものであるので、コストの増大を可及的に抑えつつ、実スリット７ｘを種々の幅に変更することができる。

加えて、複数の実スリット７ｘが互いに同じ形状であるので、長手方向におけるプラズマ密度の均一化を図れる。

そのうえ、第１スリット７１ｘに設けた凹部ｃの短手方向の内側面ｃ２が、第２スリット７２ｘを第１スリット７１ｘに対して位置決めする位置決め面として機能するので、第１スリット板７１に対する第２スリット７２ｘの位置決めを簡単にすることができ、その位置の再現性も向上させることができる。

＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。

例えば、前記実施形態では、第２スリット板７２が、第１スリット板７１と誘電体板８との間に設けられていたが、図６に示すように、１又は複数枚の第２スリット板７２が、第１スリット板７１との間で誘電体板８を挟み込む位置に設けられていても良い。
このような構成であれば、真空容器１を真空に保ちつつ、第２スリット板７２の例えば取り替えや位置調整などを行うことができ、作業性やメンテナンス性の向上を図れる。

また、前記実施形態では、２枚の第２スリット板７２を設けていたが、第２スリット板７２は、１枚であっても良いし、３枚以上であっても良い。

さらに、前記実施形態では第２スリット板７２が、全開位置、半開位置、又は細分化位置に設けられている場合について説明したが、これらの位置とへ別の位置に設けられても良い。

第２スリット板７２としては、例えばスリットシートなどと称される薄膜状のものであっても良い。
これならば、第２スリット板７２が薄いので、アンテナ２をより真空容器１内に近づけることができる。

さらに、第２スリット板７２は、図７に示すように、長手方向に沿った寸法が互いに異なる２種の第２スリット７２ｘ（以下、これらを長スリット７２ｘａ及び長スリット７２ｘｂともいう）が長手方向に沿って交互に設けられたものであっても良い。
そして、これらの２種のうちの一方の長スリット７２ｘａが、互いに隣り合う第１スリット７１ｘの双方に跨って形成されており、２種のうちの他方の長スリット７２ｘｂが、長スリット７２ｘａよりも長手方向に沿った寸法が短く、互いに隣り合う第１スリット７１ｘの一方のみに重なり合うように構成されていても良い。
このような構成であれば、交互に設けられた２種の第２スリット７２ｘのうち連続した３つの長スリット７２ｘａ、長スリット７２ｘｂ、及び長スリット７２ｘａが、１つの第１スリット７１ｘに重なり合う。従って、第１スリット７１ｘを３分割してなる実スリット７ｘ、すなわち前記実施形態において２枚の第２スリット板７２を細分化位置に移動させて形成した実スリット７ｘを、１枚の第２スリット板７２によって実現することができる。

また、第１スリット板７１と第２スリット板７２との材質は互いに異なるものであっても良い。さらに、第１スリット板７１と第２スリット板７２との厚みは、適宜変更して構わない。

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。

１００・・・プラズマ処理装置
２００・・・プラズマ源
Ｗ ・・・基板
Ｐ ・・・プラズマ
１ ・・・真空容器
２ ・・・アンテナ
７ ・・・スリット部材
７ｘ ・・・実スリット
７１ ・・・第１スリット板
７１ｘ・・・第１スリット
７２ ・・・第２スリット板
７２ｘ・・・第２スリット
７２ｘ１・・・長スリット
７２ｘ２・・・短スリット
ｃ ・・・凹部
ｃ１ ・・・内側面
ｃ２ ・・・内側面
８ ・・・誘電体板

Claims (8)

1. 真空容器の外部に設けられたアンテナに高周波電流を流して前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源であって、
   前記真空容器の前記アンテナに臨む位置に形成された開口を塞ぐ金属材料からなる第１スリット板と、
   前記第１スリット板に形成された第１スリットを前記真空容器の外側から塞ぐ誘電体板と、
   前記第１スリット板及び前記誘電体板の間に、又は、前記第１スリット板との間で前記誘電体板を挟み込む位置に設けられ、少なくとも一部が前記第１スリットと重なり合う第２スリットが形成された金属材料からなる第２スリット板とを備え、
   前記アンテナから生じた高周波磁場が、前記第１スリットと前記第２スリットとが互いに重なり合ってなる実スリットを介して前記真空容器内に透過する、プラズマ源。
2. 前記第２スリット板を複数枚備える、請求項１記載のプラズマ源。
3. 前記第２スリット板が、前記第１スリット板との間で前記誘電体板を挟み込む位置に設けられている、請求項１又は２記載のプラズマ源。
4. 前記第１スリット板が、長尺状をなし、その長手方向に沿って複数の前記第１スリットが形成されたものであり、
   前記第２スリット板が、長尺状をなし、その長手方向に沿って複数の前記第２スリットが形成されたものであり、
   前記第１スリット及び前記第２スリットが重なり合ってなる複数の前記実スリットが、互いに同じ形状である、請求項１乃至３のうち何れか一項に記載のプラズマ源。
5. 前記第２スリット板が、前記長手方向に沿った寸法が互いに異なる２種の前記第２スリットが長手方向に沿って交互に設けられたものであり、
   前記２種のうちの一方の前記第２スリットが、互いに隣り合う前記第１スリットの双方に跨って形成されており、
   前記２種のうちの他方の前記第２スリットが、一方の前記第２スリットよりも長手方向に沿った寸法が短く、互いに隣り合う前記第１スリットの一方のみに重なり合う、請求項４記載のプラズマ源。
6. 前記第２スリット板が、薄膜状のものである、請求項１乃至５のうち何れか一項に記載のプラズマ源。
7. 前記第１スリット板の外向き面に前記第２スリットが載置される凹部が形成されており、その凹部の内側面が、前記第２スリット板の外側面に当接し、前記第２スリットを前記第１スリットに対して位置決めする位置決め面として機能する、請求項１又は２に記載のプラズマ源。
8. 真空容器と、
   請求項１乃至７のうち何れか一項に記載のプラズマ源とを具備する、プラズマ処理装置。