JP7401633B2

JP7401633B2 - 表示装置及び表示装置の作製方法

Info

Publication number: JP7401633B2
Application number: JP2022184737A
Authority: JP
Inventors: 健輔吉住; 欣聡及川
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2016-07-08
Filing date: 2022-11-18
Publication date: 2023-12-19
Anticipated expiration: 2037-07-04
Also published as: CN114609885B; KR102634936B1; JP7182028B1; JP2022164681A; JP2024028893A; KR102527487B1; KR20180006280A; CN107589657A; CN114609885A; JP2018013477A; JP2022023057A; US20200292998A1; KR20230061316A; KR20220087421A; JP2023025073A; KR102411908B1; JP7138263B1; KR102359245B1; JP7119192B2; JP2022184866A

Description

特許法第３０条第２項適用〔刊行物名〕ＳＯＣＩＥＴＹＦＯＲＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＤＩＳＰＬＡＹ２０１６ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬＳＹＭＰＯＳＩＵＭＤＩＧＥＳＴＯＦＴＥＣＨＮＩＣＡＬＰＡＰＥＲＳＶｏｌｕｍｅ４７５７－６０、７３５－７３８、１００２－１００４発行年月日平成２８年５月２２日〔集会名〕ＤＩＳＰＬＡＹＷＥＥＫ２０１６ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬＳＹＭＰＯＳＩＵＭ開催日平成２８年５月２２日－２７日

本発明の一態様は、表示装置を備える電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。

スマートフォンやタブレット端末などに代表される携帯情報端末が活発に開発されてい
る。またこのような携帯情報端末は、軽量であること、小型であることなどが求められて
いる。

特に近年、装着型の電子機器（ウェアラブル機器ともいう）の開発が盛んに行われてい
る。ウェアラブル機器の一例としては、腕に装着する腕時計型の機器、頭部に装着する眼
鏡型の機器、首に装着するネックレス型の機器などが挙げられる。例えば腕時計型の機器
は、従来の時計における文字盤に代えて小型のディスプレイを備え、時刻以外の様々な情
報を使用者に提供することができる。またこのようなウェアラブル機器は、医療用途や、
健康状態の自己管理などの用途にも注目され、実用化が進んでいる。

表示装置としては、代表的には有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）等の発
光素子を備える発光装置、液晶表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパ
ーなどが挙げられる。

特許文献１には、有機ＥＬ素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている
。

特開２０１４－１９７５２２号公報

本発明の一態様は、利便性の高い電子機器を提供することを課題の一とする。または、
使用者が表示される情報を読み取りやすい電子機器を提供することを課題の一とする。ま
たは、使用者が情報を読み取るための動作を減らすことを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、外光によらず高い視認性が実現された電子機器を提供する
ことを課題の一とする。または、消費電力が低減された電子機器を提供することを課題の
一とする。または、滑らかな動画の表示と、目に優しい静止画の表示の両方を行うことの
できる電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供するこ
とを課題の一とする。

本発明の一態様は、筐体を有する電子機器である。筐体は、第１の部分、第２の部分、
第１のバンド取付け部、及び第２のバンド取付け部を有する。第１の部分は、筐体の正面
に位置する。第２の部分は、画像を表示する機能を有する。第２の部分、第１のバンド取
付け部、及び第２のバンド取付け部は、それぞれ筐体の側面に位置する。第１のバンド取
付け部は、筐体の正面側から見て上側に位置する側面に位置する。第２の部分と、第２の
バンド取付け部は、筐体の正面側から見て下側に位置する側面に位置する。

また、本発明の他の一態様は、筐体を有する電子機器である。筐体は、第１の部分、第
２の部分、第１のバンド取付け部、及び第２のバンド取付け部を有する。第１の部分は、
筐体の正面に位置する。第２の部分は、画像を表示する機能を有する。第２の部分、第１
のバンド取付け部、及び第２のバンド取付け部は、それぞれ筐体の側面に位置する。第１
のバンド取付け部と第２のバンド取付け部は、筐体の側面を貫通する第１の直線に沿って
、互いに対向する位置に設けられる。第２の部分は、第１の直線と、筐体の側面とが交差
する交点のうち、第２のバンド取付け部側の第１の点と重なる。

また、上記において、第２の部分は、筐体の側面を貫通し、且つ正面側から見て第１の
直線と交差する第２の直線と、側面との２つの交点のうちの一方である第２の点と重なる
ことが好ましい。このとき、第１の点と、第１の直線と第２の直線の交点と、第２の点と
、が成す角が、４５度以上２７０度以下であることが好ましい。

また、上記第１の部分は、時針、分針、及び秒針のうち、少なくとも一を有することが
好ましい。

または、上記第１の部分は、画像を表示する機能を有することが好ましい。

また、上記筐体内に、第１の部分と重なる表示パネル、及び第２の部分と重なる表示パ
ネルを有することが好ましい。

第１の部分と、第２の部分とは、それぞれ画像を表示する機能を有し、継ぎ目なく連続
する構成としてもよい。このとき、第１の部分及び第２の部分と重なり、一部が湾曲した
表示パネルを有することが好ましい。

第１の部分、第２の部分、または第１の部分と第２の部分に亘って設けられる表示パネ
ルは、液晶素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、マイクロカプセル、電気泳
動素子、エレクトロウェッティング素子、エレクトロフルイディック素子、エレクトロク
ロミック素子、ＭＥＭＳ素子から選ばれた一以上を含むことが好ましい。

または、第１の部分、第２の部分、または第１の部分と第２の部分に亘って設けられる
表示パネルは、第１の基板と、第２の基板と、第１の液晶素子と、第１の発光素子と、第
１の絶縁層と、を有することが好ましい。また、第１の液晶素子は、第２の基板と第１の
絶縁層の間に位置し、第１の発光素子は、第１の基板と第１の絶縁層の間に位置し、第１
の液晶素子は、第２の基板側に光を反射する機能を有し、第１の発光素子は、第２の基板
側に光を発する機能を有することが好ましい。

本発明の一態様によれば、利便性の高い電子機器を提供できる。または、使用者が表示
される情報を読み取りやすい電子機器を提供できる。または、使用者が情報を読み取るた
めの動作を減らすことができる。

または、本発明の一態様は、外光によらず高い視認性が実現された電子機器を提供でき
る。または、消費電力が低減された電子機器を提供できる。または、滑らかな動画の表示
と、目に優しい静止画の表示の両方を行うことのできる電子機器を提供できる。または、
新規な電子機器を提供できる。

電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明する図。電子機器を説明するブロック図。表示装置の一例を示すブロック図。画素ユニットの一例を示す図。画素ユニットの一例を示す図。画素ユニットの一例を示す図。表示装置の一例及び画素の一例を示す図。表示装置の画素回路の一例を示す回路図。表示装置の画素回路の一例を示す回路図及び画素の一例を示す図。表示装置の一例を示す斜視図。表示装置の一例を示す断面図。表示装置の一例を示す断面図。表示装置の一例を示す断面図。トランジスタの一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。表示装置の作製方法の一例を示す断面図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本発明の一態様は、筐体と、筐体の側面に位置する表示部と、を有する電子機器である
。また当該筐体には、使用者が装着するためのバンド（ベルト、またはストラップ）を取
り付ける部分である、一対のバンド取付け部を有する。本発明の一態様は、ウェアラブル
機器として用いることができる。好適には、使用者の腕に取り付けることができる、腕時
計型の情報端末機器として用いることができる。

筐体の正面には、時計の文字盤、または画像を表示することのできる表示部（第１の表
示部ともいう）を備える。筐体の正面に表示部を設ける場合には、表示部がタッチパネル
として機能することが好ましい。

また本発明の一態様は、筐体の側面に沿って画像を表示する表示部（第２の表示部とも
いう）を有する。筐体の側面に表示部を設けることで、当該表示部に様々な情報を表示す
ることが可能となり、使用者の利便性を高めることができる。

また、第２の表示部がタッチパネルとして機能することがより好ましい。これにより、
筐体の側面を入力装置として用いることができる。使用者は筐体の側面に触れることで、
電子機器を操作することができる。

例えば、腕に取り付けることを想定した腕時計型の機器とした場合、２つのバンド取付
け部は、正面側から見て上側と下側に位置する。より具体的には、筐体の側面を貫通する
直線上に、２つのバンド取付け部が対向するように配置される。上側に位置するバンド取
付け部（第１のバンド取付け部）に取り付けられたバンド（第１のバンド）は、腕に巻い
たときに小指側に位置し、下側に位置するバンド取付け部（第２のバンド取付け部）に取
り付けられたバンド（第２のバンド）は、腕に巻いたときに親指側（使用者から見て手前
側）に位置する。

特に、第２の表示部は、筐体の側面のうち、第２のバンド取付け部側に位置する部分を
有することが好ましい。筐体のこの部分は、使用者が意図して見る動作をすることなく、
視界に入りやすい部分である。例えば歩行しているときに腕に目を向けると視界に入る部
分であり、またデスクワークを行っているとき（デスクに腕を乗せている状態）に、視線
を下に向けると視界に入る部分である。このような部分に第２の表示部が位置することで
、使用者は電子機器から情報を得ようとする際に、手首を返して筐体の正面を見る動作を
行うことなく、視界をずらすだけで自然と第２の表示部に表示される情報を得ることがで
きる。

さらに、第２の表示部は、筐体の下側面から、左側面または右側面に亘って設けられる
ことが好ましい。また、第２の表示部は、筐体の下側面から、左側面または右側面を介し
て上側面に亘って設けられていてもよい。これにより、第２の表示部の表示面積を大きく
でき、より多くの情報を使用者に提供することができる。

例えば、電子機器を左腕（好ましくは左手首）に装着することを想定した場合には、正
面側からみて、筐体の下側面から左側面に亘って第２の表示部が設けられていることが好
ましい。電子機器を左腕に装着した場合には、筐体の左側面の一部もまた、使用者が意図
して見る動作をすることなく視界に入りやすい部分である。

一方、電子機器を右腕に装着することを想定した場合には、正面側からみて、筐体の下
側面から右側面に亘って第２の表示部が設けられていることが好ましい。

また、第２の表示部は、筐体の右側面から下側面を介して左側面に亘って設けられてい
てもよい。これにより、右腕と左腕の両方に装着することを想定したユニバーサルデザイ
ンを実現できる。

また、電子機器の左側面または右側面のうち、第２の表示部が設けられていない部分に
は、ボタン、操作スイッチ、竜頭（リューズ）などを設けてもよい。例えば左腕に装着す
ることを想定した場合には筐体の右側面にこれらを設け、右腕に装着することを想定した
場合には、筐体の左側面にこれらを設けることができる。

また、筐体の上側面にボタン、操作スイッチ、竜頭（リューズ）等を設けることで、右
腕と左腕の両方に装着することを想定したユニバーサルデザインを実現できる。

第１の表示部及び第２の表示部は、液晶素子、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、マイクロカ
プセル、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子、エレクトロフルイディック素子
、エレクトロクロミック素子、ＭＥＭＳ素子から選ばれた一以上を含むことが好ましい。
液晶素子としては、透過型液晶素子、反射型液晶素子、半透過型液晶素子などが挙げられ
る。特に、反射型液晶素子は、光源を必要としないため、消費電力を低減できる。また液
晶素子として、ネマチック液晶素子、コレステリック液晶素子、強誘電性液晶素子等のメ
モリ性を有する液晶材料が適用された素子を用いると、静止画を表示したときの書き換え
頻度を低減できるため、消費電力を低減できる。

特に、第１の表示部に、反射型の素子と、発光素子と、が混在した表示装置を適用する
ことが好ましい。これにより、外光の明るさが明るい際には、反射型の素子によって消費
電力の低い表示を行うことができ、一方外光の明るさが暗い際には、発光素子により鮮や
かな表示を行うことができる。また反射型の素子と発光素子とにより同時に表示を行うこ
とで、消費電力が低減され、且つ鮮やかな表示を行うことができる。

また、第２の表示部にも、上述の反射型の素子と発光素子とが混在した、表示装置を適
用することが好ましい。

第１の表示部と第２の表示部のうち、少なくとも一方に、上記反射型の素子と、発光素
子と、が混在した表示装置を適用することで、外光の明るさによらず、使用者が視認しや
すい電子機器を実現することができる。

ここで、第１の表示部と第２の表示部には、それぞれ同じ構成を有する表示素子が適用
された表示装置を適用してもよいし、それぞれ異なる構成を有する表示装置を適用しても
よい。

例えば、筐体の正面に位置する第１の表示部、及び側面に位置する第２の表示部のそれ
ぞれに、反射型の素子と、発光素子と、が混在した表示装置を適用することで、低消費電
力で且つ視認性の高い電子機器を実現することができる。

例えば、筐体の正面に位置する第１の表示部に、反射型の素子と、発光素子と、が混在
した表示装置を適用して低消費電力化を実現し、第２の表示部には、発光素子を備えた表
示装置を適用して明瞭な表示を行う構成としてもよい。このとき、筐体の側面に位置する
第２の表示部を第１の表示部よりも小さいサブディスプレイとして用いる場合には、表示
面積を小さくできるため、消費電力を抑えることができる。

また、筐体は、風防、ベゼル、リューズ、プッシュボタン、ラグなどを有していてもよ
い。

以下では、本発明の一態様の電子機器のより具体的な例について、図面を参照して説明
する。

［構成例１］
図１（Ａ）、（Ｂ）に、以下で例示する電子機器１０の斜視図を示す。図１（Ａ）は、
電子機器１０の正面（主面）、右側面、及び底面（下側面）を示し、図１（Ｂ）は、電子
機器１０の正面、左側面、及び下側面を示している。

電子機器１０は、筐体１１を有する。筐体１１は、表示部２１、表示部２２、バンド取
付け部３１、バンド取付け部３２、リューズ２５、及びボタン２６等を有する。また、図
１（Ａ）、（Ｂ）では、電子機器１０にバンド４１とバンド４２が取り付けられている例
を示している。

表示部２１は、筐体１１の正面側に位置し、使用者に時刻などの情報を明示する機能を
有する。例えば、表示部２１には、時計の文字盤を適用してもよいし、動画や静止画を表
示可能な表示装置を適用してもよい。

表示部２１に表示装置を適用する場合、セグメント方式の表示装置が適用されていても
よい。これによりデジタル方式の時計として機能させることができる。

特に、表示部２１にアクティブマトリクス方式またはパッシブマトリクス方式の表示装
置を適用することが好ましい。特に、表示部２１に表示装置を適用する場合には、タッチ
パネルとして機能する表示装置を適用することが好ましい。

筐体１１の正面側に位置する表示部２１に、アナログ時計の文字盤を設ける場合、少な
くとも時針、分針、秒針のいずれか一を有する構成とする。また、時計の方式としては、
クオーツ式であることが好ましいが、機械式であってもよい。クオーツ式を採用すること
で、表示部２１と、筐体内の電子部品（例えば表示パネル等）の間でバッテリーを共有で
きる。また機械式を採用することで、時計の動作に電力を必要としないため、バッテリー
の充電残量が不足している場合であっても時計として機能させることができる。なお、時
計の方式として、バッテリーを動力とするクオーツ式と、ゼンマイバネの復元力を動力と
する機械式を兼ね備え、２つの動力を利用可能なハイブリッド方式を用いてもよい。

表示部２２は、筐体１１の側面の一部に設けられ、画像を表示する機能を有する。表示
部２２はセグメント方式の表示装置が適用されていてもよいが、アクティブマトリクス方
式またはパッシブマトリクス方式の表示装置を適用することが好ましい。特に、表示部２
２に、タッチパネルとして機能する表示装置を適用することが好ましい。

バンド取付け部３１は、筐体１１の上側の側面に位置し、バンド取付け部３２は、筐体
１１の下側の側面（底面）に位置する。バンド取付け部３１とバンド取付け部３２とは、
表示部２１を挟んで対向する位置に設けられている。なお、図１（Ａ）、（Ｂ）では、バ
ンド取付け部３１とバンド取付け部３２とが、筐体１１に設けられた凹部として示してい
るが、その形態はこれに限られず、バンド４１またはバンド４２を固定できる機構を有し
ていればよい。例えば、バンド４１及びバンド４２と筐体１１とを、バネ棒を介して連結
する構成の場合には、バンド取付け部３１とバンド取付け部３２は少なくとも当該バネ棒
を取り付ける一対の軸受部を有する構成とすることができる。

なお、筐体１１とバンド４１、または筐体１１とバンド４２とは、脱着できない構成と
してもよい。また、バンド４１と、バンド４２と、筐体１１とが一体となり、境界が不明
瞭である構成とすることもできる。その場合には、少なくとも曲げることのできる部分を
バンド４１またはバンド４２とする。

ここで本明細書等では、電子機器１０を正面側（表示部２１側）から見たとき、バンド
４１が設けられている向きを上側とし、バンド４２が設けられている向きを下側とする。

なお、表示部２１に示される画像または文字盤等の向きはこれに限られず、傾いていて
もよい。例えば表示部２１に表示装置を適用し、電子機器１０が筐体１１の傾きなどの姿
勢を検出する機能を有している場合には、筐体１１の姿勢に応じて、表示される画像の向
きを変化させてもよい。

リューズ２５及びボタン２６は、ユーザインターフェースの一つとして機能する。使用
者は、例えばリューズ２５またはボタン２６を押し込む、引っ張る、回す、若しくは上下
または前後方向にスライドさせるなどの操作を行うことができる。電子機器１０は、この
ような操作に連動して、電源のオン、オフ動作、アプリケーションの起動や切り替え、ま
たはその他の操作を行うことができる。なお、ここでは筐体１１にリューズ２５が一つと
ボタン２６が二つ設けられた例を示すが、このほかにもスイッチ等を有していてもよい。

ここで、バンド４１とバンド４２を使用者の腕に巻きつけたとき、バンド４１は小指側
に位置し、バンド４２は親指側（使用者から見て手前側）に位置する。

表示部２２は、筐体１１の側面のうち、バンド４２側（すなわちバンド取付け部３２側
）に位置する。これにより、使用者が電子機器１０の正面（例えば表示部２１）を見るた
めに手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器１０に向けるだけで表示部２
２を見ることができる。そのため、極めて利便性の高い電子機器を実現できる。

図２（Ａ）は、電子機器１０を正面側から見たときの概略図である。図２（Ａ）は、表
示部２１にアナログ時計の文字盤を適用した場合について示している。

表示部２１は時針５１、分針５２、秒針５３、及びインデックス５４を有する。なお、
時針５１、分針５２、秒針５３のうち、少なくとも１つを有していればよい。また、イン
デックス５４も図２（Ａ）に示した例に限られず、様々な意匠を適用することができる。
また表示部２１は、日付表示機能（カレンダー）や、月齢表示機能（ムーンフェイズ）、
パワーリザーブ表示機能などを有していてもよい。

図２（Ｂ）は、表示部２１に表示装置を適用した場合の、表示することのできる画像の
一例を示している。

図２（Ｂ）では、表示部２１に日時情報５５、通知情報５６、及び複数のアイコン５７
が表示されている例を示している。通知情報５６には、例えば左からメッセージを受信し
た旨を通知する画像、データ通信電波の受信状況を通知する画像、及び電話通信電波の受
信状況を通知する画像が示されている。なお、ここで示す例に限られず、様々な情報を表
示部２１に表示することができる。

図２（Ｃ）は、電子機器１０を表示部２２側から見たときの概略図である。

図２（Ｃ）では、表示部２２にメッセージを受信した旨とその送信元を通知する情報と
、電波の受信状況を通知する情報とが表示されている例を示している。なお、ここで示す
例に限られず、様々な情報を表示部２２に表示することができる。

表示部２１及び表示部２２に表示される画像として、主として静止画を表示する場合に
は、表示部２１及び表示部２２にメモリ性を有する表示素子を有する表示装置を適用する
と、消費電力を低減できるため好ましい。

ここで、メモリ性を有する表示素子は、書き換えを行うことなく静止画の表示を保持す
る機能を有する表示素子である。メモリ性を有する表示素子には、電源の供給を止めた状
態で、静止画の表示が保たれる表示素子が含まれる。または、メモリ性を有する表示素子
には、定電圧を供給した状態で、静止画の表示が保たれる表示素子が含まれる。またメモ
リ性を有する表示素子は、リフレッシュ動作をすることなく、静止画の表示が保たれる表
示素子も含まれる。

メモリ性を有する表示素子が、リフレッシュや書き換えを行うことなく表示を保持でき
る期間は、長ければ長いほどよい。例えば１秒以上、好ましくは１分以上、より好ましく
は１時間以上、さらに好ましくは１日以上、１年以下の期間中、保持できることが好まし
い。ここで、表示が保持されている状態としては、例えば輝度のダイナミックレンジに対
して輝度の変化が５％以下、好ましくは３％以下、より好ましくは１％以下である状態な
どとすることができる。なお反射型の表示素子の場合には、上記輝度を反射率に置き換え
ればよい。

メモリ性を有する表示素子としては、様々な双安定性ディスプレイ技術を適用した表示
素子を用いることができる。このような表示素子としては、代表的には、電子ペーパーが
挙げられる。電子ペーパーの方式としては、例えばマイクロカプセル方式、電気泳動（Ｅ
ＰＤ：ＥｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃＤｉｓｐｌａｙ）方式、電子粉流体（登録商標
）方式などの、粒子移動型の素子が挙げられる。また、ネマチック液晶、コレステリック
液晶、強誘電性液晶素子などの双安定性液晶を用いた表示素子を用いることもできる。

そのほか、メモリ性を有する表示素子として、エレクトロウェッティング（ＥＷ：Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ）素子、エレクトロフルイディック（ＥＦ：Ｅｌｅｃｔｒｏｆ
ｌｕｉｄｉｃ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｃ）素
子、ＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）
素子等を用いることができる。ＭＥＭＳ素子としては、光干渉を利用したＭＥＭＳ素子や
、シャッター方式を用いたＭＥＭＳ素子等がある。

一方、表示部２１及び表示部２２は、電子機器１０の用途に応じて様々な方式の表示素
子を適用することができる。

また、表示部２１及び表示部２２に、滑らかな動画の表示が要求される場合には、例え
ば有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅと
もいう）素子、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子、ＱＬＥＤ（
Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子などの自発
光性の発光素子を、表示素子に用いることができる。または、透過型、反射型、または半
透過型の液晶素子を用いてもよい。

特に、表示部２１及び表示部２２に、反射光を利用した表示素子と、発光素子とを有す
る表示パネルを適用することが好ましい。より具体的な例としては、一対の基板の間に、
反射型の液晶素子及びこれを駆動するトランジスタ、ならびに有機ＥＬ素子及びこれを駆
動するトランジスタを有する表示パネルを適用することが好ましい。このような表示パネ
ルを用いることにより、外光の明るい時には反射型の液晶素子で表示を行うことで、視認
性に優れ、且つ低い消費電力で駆動することができる。また外光が暗い時には、有機ＥＬ
素子で表示を行うことで、鮮やかな表示を行うことができる。さらに、反射型の液晶素子
と有機ＥＬ素子の両方で表示を行うことにより、低い消費電力と、表示の鮮明さの両方を
実現した表示を行うことができる。

また、状況に応じて、表示部２１または表示部２２に表示を行わないように設定可能な
構成とすることが好ましい。具体的には、表示部２１または表示部２２の画素を駆動させ
ないように設定可能であることが好ましい。また表示部２１や表示部２２として透過型の
液晶表示装置のようにバックライトを有する表示装置を用いた場合には、当該バックライ
トを駆動させないようにできる構成とすることが好ましい。表示部２１または表示部２２
を一時的に非表示（非動作）とすることで、消費電力を極めて小さくすることができる。

なお上記に限られず、表示部２１及び表示部２２には様々な表示を行うことができる。
例えばメールや電話、ソーシャル・ネットワーキング・サービス（ＳＮＳ）などの着信の
通知、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、メッセージ
、日時、時刻、再生中の音声や音楽の情報、音量、温度、電池残量、通信状況、アンテナ
受信の強度、ファイル等のダウンロード状況など、様々な情報を表示することができる。
また、表示部２１及び表示部２２には、種々のアプリケーションと関連付けられたアイコ
ンや、種々の機能と関連付けられたアイコン、操作ボタン、またはスライダーなどを表示
してもよい。例えば、音声や音楽を再生しているときに、音量を調整する機能や、早送り
、早戻しなどを行う機能と関連付けられたアイコンなどがある。または、電話の着信時に
応答や保留するための機能や、電子機器１０の操作が無効にされた状態（ロック状態とも
いう）を解除する機能と関連付けられたアイコンなどを表示してもよい。

なお、表示部２１及び表示部２２の画素や、駆動回路等には、チャネル形成領域に酸化
物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することが好まし
い。シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いたトランジスタは、その
低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間
に亘って保持することが可能である。例えばこのようなトランジスタを画素に適用するこ
とで、メモリ性を有する表示素子を適用しない場合であっても、表示した画像の階調を維
持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減され
た電子機器を実現できる。

［構成例２］
図３（Ａ）、（Ｂ）に、以下で例示する電子機器１０ａの斜視図を示す。図３（Ａ）、
（Ｂ）に示す電子機器１０ａは、表示部２２の形状が異なる点で、図１（Ａ）、（Ｂ）等
に示す構成と相違している。

表示部２２は、筐体１１の下側面から、左側面に亘って設けられている。表示部２２は
筐体１１の側面が有する角部に沿って湾曲して設けられている。表示部２２は、筐体１１
の下側面から、左側面にかけて、途切れることなく画像を表示することができる。

例えば、電子機器１０ａを左腕に装着することを想定した場合に、筐体１１の下側面に
加えて、筐体１１の左側面もまた、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入り
やすい部分である。これにより、使用者が電子機器１０ａの正面（例えば表示部２１）を
見るために手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器１０ａに向けるだけで
表示部２２を見ることができる。

このような構成とすることで、表示部２２の表示領域の面積を大きくできるため、より
多くの情報を使用者に明示することが可能となる。そのためより利便性の高い電子機器を
実現できる。

なお、電子機器１０ａを右腕に装着することを想定した場合には、図３（Ａ）、（Ｂ）
に示した構成を左右反転した構成とすることができる。すなわち、正面側からみて筐体１
１の下側面から右側面に亘って表示部２２が設けられ、筐体１１の左側面にリューズ２５
及びボタン２６等が設けられる構成とすればよい。

［構成例３］
図４（Ａ）、（Ｂ）に、以下で例示する電子機器１０ｂの斜視図を示す。図４（Ａ）、
（Ｂ）に示す電子機器１０ｂは、筐体１１の形状が異なる点で、図３（Ａ）、（Ｂ）等に
示す構成と相違している。

筐体１１は、正面側からみて、円形の形状を有している。また表示部２１も同様に、円
形の形状を有している。

筐体１１は、その側面が円柱状の形状を有する。表示部２２はその側面に沿って湾曲し
た形状を有している。表示部２２は、筐体１１の下側面から左側面にかけて、一様に湾曲
した状態で設けられている。表示部２２は、筐体１１の下側面から、左側面にかけて、途
切れることなく画像を表示することができる。

例えば、電子機器１０ｂを左腕に装着することを想定した場合に、筐体１１の下側面か
ら左側面に亘る領域は、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入りやすい部分
である。これにより、使用者が電子機器１０ｂの正面（例えば表示部２１）を見るために
手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器１０ｂに向けるだけで表示部２２
を見ることができる。

なお、電子機器１０ｂを右腕に装着することを想定した場合には、図４（Ａ）、（Ｂ）
に示した構成を左右反転した構成とすることができる。すなわち、正面側からみて筐体１
１の下側面から右側面に亘って表示部２２が設けられ、筐体１１の左側面にリューズ２５
及びボタン２６等が設けられる構成とすればよい。

［構成例４］
図５（Ａ）に、以下で例示する電子機器１０ｃの斜視図を示す。図５（Ａ）に示す電子
機器１０ｃは、表示部２１と表示部２２とが継ぎ目なく繋がっている点で、図１（Ａ）、
（Ｂ）等に示す構成と相違している。

表示部２１と表示部２２とは、筐体１１の正面から下側面に亘って設けられている。表
示部２１と表示部２２は、筐体１１の正面から下側面にかけて、途切れることなく連続し
た画像を表示することができる。

表示部２１と表示部２２とは、一つの表示装置により実現されていることが好ましい。
例えば、一部または全部が可撓性を有する表示装置を適用することができる。

図５（Ａ）には便宜上、表示部２１と表示部２２との境界を点線で示している。例えば
、筐体の正面側が平坦な場合には、電子機器１０ｃが有する表示部のうち、正面側に位置
し、平坦な部分を表示部２１、湾曲した部分を含むそれ以外の部分を表示部２２と定める
ことができる。または、正面側から見える部分を表示部２１、正面側からは見えない部分
を表示部２２と定めることもできる。

〔変形例〕
図５（Ｂ）には、筐体１１の下側面に位置する表示部２２ａと、筐体１１の左側面に位
置する表示部２２ｂと、を有する例を示している。また表示部２１と、表示部２２ａと、
表示部２２ｂとは、継ぎ目なく繋がっている。表示部２１と表示部２２ａ、及び表示部２
１と表示部２２ｂとの間で、途切れることなく連続した画像を表示することができる。

［表示部２２の配置方法ついて］
続いて、表示部２２の配置方法について説明する。

図６（Ａ１）には、図１（Ａ）等で示した電子機器１０を正面側から見たときの概略図
を示している。また図６（Ａ２）には、左側面側及び下側面側から見た電子機器１０の斜
視図を示す。

図６（Ａ１）において、表示部２２が設けられる領域を破線で示している。なお、表示
部２２は筐体の側面の一部であるが、ここでは明瞭化のため表示部２２に厚みを明示して
いる。

図６（Ａ１）、（Ａ２）には、筐体１１の側面を貫通する仮想的な直線１５を示してい
る。また、直線１５は、表示部２１の表面に平行な直線とする。なお、表示部２１の表面
が曲面である場合には、直線１５は、表示部２１の重心を通る垂線と直交する直線とする
。

また直線１５は、線対称または面対称の位置に設けられるバンド取付け部３１とバンド
取付け部３２の対称線または対称面に直交する直線である。すなわち、バンド取付け部３
１及びバンド取付け部３２とは、直線１５に沿ってそれぞれ設けられる。

なお、バンド４１と、バンド４２と、筐体１１とが一体成型され、明確なバンド取付け
部３１、バンド取付け部３２が存在しない場合には、上記バンド取付け部３１、バンド取
付け部３２を、バンド４１またはバンド４２に置き換えて考えることができる。すなわち
、直線１５は、線対称または面対称の位置に設けられるバンド４１とバンド４２の対称線
または対称面に直交する直線であり、バンド４１及びバンド４２とは、直線１５に沿って
それぞれ設けられる。

直線１５は筐体１１の側面を貫通するため、直線１５と筐体１１の側面との間には、２
つの交点が存在する。２つの交点のうち、上側（バンド取付け部３１側）の交点を交点１
５ａ、下側（バンド取付け部３２側）の交点を交点１５ｂとする。

表示部２２は、少なくとも交点１５ｂと重なる位置に設けることが好ましい。交点１５
ｂは、使用者が意図して見る動作をすることなく視界に入りやすい点であるため、ここに
表示部２２を設けることで、使用者が電子機器１０の正面（例えば表示部２１）を見るた
めに手首を返すなどの動作を行うことなく、視線を電子機器１０に向けるだけで表示部２
２を見ることができる。

図６（Ｂ）には、図３（Ａ）、（Ｂ）で例示した電子機器１０ａを示している。

図６（Ｂ）には、直線１５と交差する直線１６を示している。直線１６は、直線１５と
同様に、筐体１１の側面を貫通する直線であり、直線１６と筐体１１の２つの交点を交点
１６ａ、交点１６ｂとする。ここで、直線１６は、交点１５ａと交点１５ｂの中点で、直
線１５と交差する直線である。

また、２つの交点のうち、表示部２２と重なる交点を１６ａとする。なお、２つの交点
の両方が表示部２２と重なる場合には、交点１５ｂよりも遠いほうの交点を交点１６ａと
し、近いほうの交点を交点１６ｂとする。

図６（Ｂ）乃至（Ｅ）では、表示部２２が交点１６ａと重なり、且つ交点１６ａが表示
部２２の端部に位置する場合を示している。

ここで、直線１５と直線１６の角度をθとする。角度θは、交点１５ｂ、直線１５と直
線１６の交点、及び交点１６ａとが成す角の角度である。

直線１５と直線１６の角度θは、例えば３０度以上３００度以下、好ましくは４５度以
上２７０度以下、より好ましくは９０度以上２７０度以下とする。角度θが大きいほど、
表示部２２の表示領域の面積を大きくできる。

例えば図６（Ｃ）では、角度θが１８０度を超える場合を示している。このとき、表示
部２２は、筐体１１の下側面から左側面を介して上側面の一部に亘って配置される。

図６（Ｄ）には、図４（Ａ）、（Ｂ）で例示した電子機器１０ｂを示している。

図６（Ｄ）では、筐体１１の円柱状の側面に沿って、表示部２２が湾曲して配置されて
いる。図６（Ｄ）はθが１８０度未満である場合の例を示している。このとき、表示部２
２は、筐体１１の下側面から左側面の一部に亘って配置される。

また、図６（Ｅ）では、角度θが１８０度を超える場合の例を示している。このとき、
表示部２２は、筐体１１の下側面から左側面を介して上側面の一部に亘って配置される。

以上が表示部２２の配置方法ついての説明である。

［電子機器の内部構成例］
以下では、本発明の一態様の電子機器の内部構成の一例について説明する。

図７（Ａ）は、電子機器１０の断面図概略図を示している。図７（Ａ）は図２（Ｂ）に
おける切断線Ａ１－Ａ２で切断した時の断面に相当する。

電子機器１０は、筐体１１内に、表示装置６１、表示装置６２、バッテリー７１、プリ
ント基板７２、振動モジュール７４、及びアンテナ７５等を有する。

プリント基板７２には、複数のＩＣ７３が実装されている。表示装置６１とプリント基
板７２とは、ＦＰＣ６３ａによって電気的に接続されている。表示装置６２とプリント基
板７２とは、ＦＰＣ６３ｂによって電気的に接続されている。

電子機器１０は、筐体１１の正面側の、表示装置６１と重なる領域に、透光性の部材６
４ａを有する。使用者は表示装置６１の表示領域に表示された画像を、透光性の部材６４
ａを介して見ることができる。筐体１１の、透光性の部材６４ａが設けられる領域が表示
部２１に相当する。

また電子機器１０は、筐体１１の側面の、表示装置６２と重なる領域に、透光性の部材
６４ｂを有する。使用者は表示装置６２に表示された画像を、透光性の部材６４ｂを介し
て見ることができる。筐体１１の、透光性の部材６４ｂが設けられる領域が表示部２２に
相当する。

透光性の部材６４ａ及び透光性の部材６４ｂには、例えばガラス、クリスタルガラス、
プラスチック等を用いることができる。

図７（Ｂ）は、図５（Ａ）で例示した電子機器１０ｃの断面構成例を示している。

電子機器１０ｃは、表示装置６１を有する。表示装置６１は、筐体１１の正面から側面
に亘って一部が湾曲して設けられている。表示装置６１とプリント基板７２とは、ＦＰＣ
６３を介して電気的に接続されている。

また、筐体１１は透光性の部材６４を有する。透光性の部材６４は、筐体１１の正面か
ら側面にかけて設けられ、一部が湾曲している。

以上が電子機器の内部構成の例についての説明である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
［電子機器のハードウェア構成例］
以下では、電子機器１０のハードウェアの構成例について説明する。

図８は、電子機器１０の構成例を示すブロック図である。

なお、本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブ
ロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分ける
ことが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることや、一つの機能が複数の構成要
素に係わることもありうる。

また、図８で例示する電子機器１０の構成は一例であり、全ての構成要素を含む必要は
ない。電子機器１０は、図８に示す構成要素のうち必要な構成要素を有していればよい。
また、図８に示す構成要素以外の構成要素を有していてもよい。

電子機器１０は、筐体１１を有する。

筐体１１は、演算部（ＣＰＵ）６６１、タッチパネル６５１、タッチパネル６５２、記
憶装置６６４、ディスプレイコントローラ６７１、タッチセンサコントローラ６７２、バ
ッテリーコントローラ６７３、受電部６７４、バッテリーモジュール６７５、サウンドコ
ントローラ６７６、音声入力部６７７、音声出力部６７８、通信モジュール６８１、アン
テナ６８２、姿勢検出部６８３、外部インターフェース６８５、カメラモジュール６８６
、振動モジュール６８７、センサモジュール６８８、等を有する。

記憶装置６６４、ディスプレイコントローラ６７１、タッチセンサコントローラ６７２
、バッテリーコントローラ６７３、サウンドコントローラ６７６、通信モジュール６８１
、姿勢検出部６８３、外部インターフェース６８５、カメラモジュール６８６、振動モジ
ュール６８７、センサモジュール６８８等は、それぞれバスライン６６２を介して演算部
６６１と接続されている。

タッチパネル６５１は、上記表示部２１を構成する表示装置に相当する。タッチパネル
６５２は、上記表示部２２を構成する表示装置に相当する。

演算部６６１は、例えば中央演算装置（ＣＰＵ：ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎ
ｇＵｎｉｔ）として機能することができる。演算部６６１は、例えば、記憶装置６６４
、ディスプレイコントローラ６７１、タッチセンサコントローラ６７２、バッテリーコン
トローラ６７３、サウンドコントローラ６７６、通信モジュール６８１、姿勢検出部６８
３、外部インターフェース６８５、カメラモジュール６８６、振動モジュール６８７、セ
ンサモジュール６８８等の各コンポーネントを制御する機能を有する。

演算部６６１と各コンポーネントとは、バスライン６６２を介して信号の伝達が行われ
る。演算部６６１は、バスライン６６２を介して接続された各コンポーネントから入力さ
れる信号を処理する機能、及び各コンポーネントへ出力する信号を生成する機能等を有し
、バスライン６６２に接続された各コンポーネントを統括的に制御することができる。

なお、演算部６６１や、他のコンポーネントが有するＩＣ等に、チャネル形成領域に酸
化物半導体を用い、極めて低いオフ電流が実現されたトランジスタを利用することもでき
る。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、当該トランジスタを記憶素子とし
て機能する容量素子に流入した電荷（データ）を保持するためのスイッチとして用いるこ
とで、データの保持期間を長期にわたり確保することができる。この特性を演算部６６１
のレジスタやキャッシュメモリに用いることで、必要なときだけ演算部６６１を動作させ
、他の場合には直前の処理の情報を当該記憶素子に待避させることにより、ノーマリーオ
フコンピューティングが可能となり、電子機器１０の低消費電力化を図ることができる。

演算部６６１は、プロセッサにより種々のプログラムからの命令を解釈し実行すること
で、各種のデータ処理やプログラム制御を行う。プロセッサにより実行しうるプログラム
は、プロセッサが有するメモリ領域に格納されていてもよいし、記憶装置６６４に格納さ
れていてもよい。

演算部６６１としては、ＣＰＵのほか、ＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒ
ｏｃｅｓｓｏｒ）、ＧＰＵ（ＧｒａｐｈｉｃｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）等の
他のマイクロプロセッサを単独で、または組み合わせて用いることができる。またこれら
マイクロプロセッサをＦＰＧＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡ
ｒｒａｙ）やＦＰＡＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＡｎａｌｏｇＡｒｒ
ａｙ）といったＰＬＤ（ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＬｏｇｉｃＤｅｖｉｃｅ）によっ
て実現した構成としてもよい。

演算部６６１はメインメモリを有していてもよい。メインメモリは、ＲＡＭ（Ｒａｎｄ
ｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、などの揮発性メモリや、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎ
ｌｙＭｅｍｏｒｙ）などの不揮発性メモリを備える構成とすることができる。

メインメモリに設けられるＲＡＭとしては、例えばＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎ
ｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）が用いられ、演算部６６１の作業空間として仮想
的にメモリ空間が割り当てられ利用される。記憶装置６６４に格納されたオペレーティン
グシステム、アプリケーションプログラム、プログラムモジュール、プログラムデータ等
は、実行のためにＲＡＭにロードされる。ＲＡＭにロードされたこれらのデータやプログ
ラム、プログラムモジュールは、演算部６６１に直接アクセスされ、操作される。

一方、ＲＯＭには書き換えを必要としないＢＩＯＳ（ＢａｓｉｃＩｎｐｕｔ／Ｏｕｔ
ｐｕｔＳｙｓｔｅｍ）やファームウェア等を格納することができる。ＲＯＭとしては、
マスクＲＯＭや、ＯＴＰＲＯＭ（ＯｎｅＴｉｍｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａ
ｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（ＥｒａｓａｂｌｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂ
ｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）等を用いることができる。ＥＰＲＯＭとして
は、紫外線照射により記憶データの消去を可能とするＵＶ－ＥＰＲＯＭ（Ｕｌｔｒａ－Ｖ
ｉｏｌｅｔＥｒａｓａｂｌｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅ
ｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥｒａｓａｂｌｅＰｒｏｇｒ
ａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどが挙げら
れる。

記憶装置６６４としては、例えば、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅ
ｓｉｓｔｉｖｅＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ
ｃｈａｎｇｅＲＡＭ）、ＲｅＲＡＭ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｅＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（
ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＲＡＭ）などの不揮発性の記憶素子が適用された記憶装置
、またはＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲＡＭ）やＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲＡＭ）など
の揮発性の記憶素子が適用された記憶装置等を用いてもよい。また例えばハードディスク
ドライブ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ：ＨＤＤ）やソリッドステートドライブ（Ｓ
ｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ：ＳＳＤ）などの記録メディアドライブを用いてもよ
い。

また、外部インターフェース６８５を介してコネクタにより脱着可能なＨＤＤまたはＳ
ＳＤなどの記憶装置や、フラッシュメモリ、ブルーレイディスク、ＤＶＤなどの記録媒体
のメディアドライブを記憶装置６６４として用いることもできる。なお、記憶装置６６４
を電子機器１０に内蔵せず、電子機器１０の外部に置かれる記憶装置を記憶装置６６４と
して用いてもよい。その場合、外部インターフェース６８５を介して接続される、または
通信モジュール６８１によって無線通信でデータのやりとりをする構成であってもよい。

タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２は、それぞれディスプレイコントローラ
６７１及びタッチセンサコントローラ６７２と接続されている。ディスプレイコントロー
ラ６７１及びタッチセンサコントローラ６７２は、それぞれバスライン６６２を介して演
算部６６１と接続される。

ディスプレイコントローラ６７１は、バスライン６６２を介して演算部６６１から入力
される描画指示に応じ、タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２を制御してこれら
の表示面に所定の画像を表示させる。

タッチセンサコントローラ６７２は、バスライン６６２を介して演算部６６１からの要
求に応じてタッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２のタッチセンサを制御する。ま
た、タッチセンサで受信した信号を、バスライン６６２を介して演算部６６１に出力する
。なお、タッチセンサで受信した信号からタッチ位置の情報を算出する機能を、タッチセ
ンサコントローラ６７２が有していてもよいし、演算部６６１により算出してもよい。

タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２は、ディスプレイコントローラ６７１か
ら供給される信号に基づいて、画像を表示することができる。またタッチパネル６５１、
及びタッチパネル６５２はタッチセンサコントローラ６７２から供給される信号に基づい
て、指やスタイラスなどの被検知体が近づくこと、または接触することを検出し、その位
置情報をタッチセンサコントローラ６７２に出力することができる。

またタッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２、並びにタッチセンサコントローラ
６７２は、その検出面から被検知体までの高さ方向の距離を取得する機能を有しているこ
とが好ましい。また被検知体が検出面に与える圧力の大きさを取得する機能を有している
ことが好ましい。また被検知体が検出面に接触している面の大きさを取得する機能を有し
ていることが好ましい。

タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２は、タッチセンサを備えるモジュールが
表示パネルの表示面側に重ねて設けられている構成とすることができる。このとき、タッ
チセンサを備えるモジュールは、少なくともその一部が可撓性を有し、表示パネルに沿っ
て湾曲可能であることが好ましい。タッチセンサを備えるモジュールと表示パネルとは接
着剤等で接着することができる。またこれらの間に偏光板や緩衝材（セパレータ）を設け
てもよい。タッチセンサを備えるモジュールの厚さは、表示パネルの厚さ以下とすること
が好ましい。

タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２は表示パネルとタッチセンサが一体とな
ったタッチパネルであってもよい。例えば、オンセル型のタッチパネル、またはインセル
型のタッチパネルとすることが好ましい。オンセル型またはインセル型のタッチパネルは
、厚さが薄く軽量にすることができる。さらにオンセル型またはインセル型のタッチパネ
ルは、部品点数を削減できるため、コストを削減することができる。

タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２が有するタッチセンサには、指等の被検
知体が近づくこと、または接触することを検知する様々なセンサを適用できる。例えば、
静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、光学方式など
の方式が適用されたセンサを用いることができる。そのほか、光電変換素子を用いた光学
式センサ、感圧素子を用いた感圧センサなどを用いてもよい。また異なる方式のセンサを
２種類以上有していてもよいし、同じ方式のセンサを２つ以上有していてもよい。

例えば静電容量方式のタッチセンサは、一対の導電層を備える。一対の導電層間は容量
結合されている。一対の導電層に被検知体が触れる、押圧する、または近づくことなどに
より一対の導電層間の容量の大きさが変化することを利用して、検出を行うことができる
。

静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静
電容量方式としては、主に駆動方式の違いから、自己容量方式、相互容量方式などがある
。相互容量方式を用いると、同時多点検出が容易であるため好ましい。

また、タッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２に代えて、タッチセンサとしての
機能を有さない表示パネルを適用してもよい。

可撓性を有するタッチパネル６５１、及びタッチパネル６５２、表示パネル、タッチセ
ンサ等としては、例えば表示素子やこれを駆動する回路、またはタッチセンサを構成する
回路等を支持する基板に、可撓性を有する基板を用いることで実現できる。タッチパネル
６５１、及びタッチパネル６５２に可撓性を有する基板を適用することで、電子機器１０
を軽くすることができるため、好ましい。

可撓性を有する基板の材料としては、代表的には有機樹脂を用いることができる。その
ほか、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属、合金、半導体等を用いることができる。
または、有機樹脂、ガラス、金属、合金、半導体などのうち２以上を含む複合材料または
積層材料を用いることができる。

バッテリーコントローラ６７３は、バッテリーモジュール６７５の充電状態を管理する
ことができる。またバッテリーコントローラ６７３は、バッテリーモジュール６７５から
の電力を各コンポーネントに供給する。受電部６７４は、外部から供給された電力を受電
し、バッテリーモジュール６７５を充電する機能を有する。バッテリーコントローラ６７
３は、バッテリーモジュール６７５の充電状態に応じて、受電部６７４の動作を制御する
ことができる。

バッテリーモジュール６７５は、例えば１つ以上の一次電池や二次電池を有する。バッ
テリーモジュール６７５に用いることのできる二次電池として、例えばリチウムイオン二
次電池や、リチウムイオンポリマー二次電池などが挙げられる。また、バッテリーモジュ
ール６７５はこのような電池に加えて、バッテリーの過充電及び過放電等を防ぐ保護回路
が設けられていてもよい。

家屋内などで使用する場合には、外部電源として交流電源（ＡＣ）を用いてもよい。特
に電子機器１０を外部電源と切り離して使用する場合には、充放電容量が大きく長時間に
わたって電子機器１０の使用を可能とするバッテリーモジュール６７５が望ましい。バッ
テリーモジュール６７５の充電を行う場合には、電子機器１０に電力を供給可能な充電器
を用いてもよい。この際、ＵＳＢ（ＵｎｉｖｅｒｓａｌＳｅｒｉａｌＢｕｓ）コネク
タやＡＣアダプタ等を用いた有線方式で充電を行ってもよいし、電界結合方式、電磁誘導
方式、電磁共鳴（電磁共振結合）方式などの無線給電方式により充電を行う構成としても
よい。

バッテリーコントローラ６７３は、例えばバッテリマネジメントユニット（ＢＭＵ）を
有していてもよい。ＢＭＵは電池のセル電圧やセル温度データの収集、過充電及び過放電
の監視、セルバランサの制御、電池劣化状態の管理、電池残量（ＳｔａｔｅＯｆＣｈ
ａｒｇｅ：ＳＯＣ）の算出、故障検出の制御などを行う。

バッテリーコントローラ６７３は、バッテリーモジュール６７５から電源供給ライン（
図示しない）を介して各コンポーネントに電力を送電するための制御を行う。バッテリー
コントローラ６７３は、例えば複数チャネルの電力コンバータやインバータ、保護回路等
を有する構成とすることができる。

バッテリーモジュール６７５は、タッチパネル６５１またはタッチパネル６５２と重ね
て配置する構成とすることが好ましい。このとき、バッテリーモジュール６７５が組み込
まれる筐体１１が可撓性を有し、これを曲げて使用することのできる構成の場合には、バ
ッテリーモジュール６７５の少なくとも一部もまた、可撓性を有することが好ましい。バ
ッテリーモジュール６７５に適用できる二次電池として、例えばリチウムイオン二次電池
や、リチウムイオンポリマー二次電池などが挙げられる。また、これら電池に可撓性を持
たせるため、電池の外装容器にラミネート袋を用いるとよい。

ラミネート袋に用いるフィルムは金属フィルム（アルミニウム、ステンレス、ニッケル
鋼など）、有機材料からなるプラスチックフィルム、有機材料（有機樹脂や繊維など）と
無機材料（セラミックなど）とを含むハイブリッド材料フィルム、炭素含有無機フィルム
（カーボンフィルム、グラファイトフィルムなど）から選ばれる単層フィルムまたはこれ
ら複数からなる積層フィルムを用いる。金属フィルムは、エンボス加工を行いやすく、エ
ンボス加工を行って凹部または凸部を形成すると外気に触れるフィルムの表面積が増大す
るため、放熱効果に優れている。

特にラミネート袋として、エンボス加工により凹部と凸部が形成された、金属フィルム
を有するラミネート袋を用いると、当該ラミネート袋に加えられた応力によって生じるひ
ずみを緩和することができる。その結果、二次電池を曲げたときにラミネート袋が破れて
しまうなどの不具合を効果的に低減できるため好ましい。

また、バッテリーコントローラ６７３は、低消費電力化機能を有していることが好まし
い。例えば低消費電力化機能として、電子機器１０に一定時間入力がないことを検出し、
演算部６６１のクロック周波数を低下またはクロックの入力を停止させること、演算部６
６１自体の動作を停止させること、補助メモリの動作を停止させること、各コンポーネン
トへ供給する電力を減らして電力の消費を削減すること、などが挙げられる。このような
機能は、バッテリーコントローラ６７３のみにより、あるいは演算部６６１と連動して実
行することができる。

音声入力部６７７は例えばマイクロフォンや音声入力コネクタ等を有する。また音声出
力部６７８は例えばスピーカや音声出力コネクタ等を有する。音声入力部６７７及び音声
出力部６７８はそれぞれサウンドコントローラ６７６に接続され、バスライン６６２を介
して演算部６６１と接続する。音声入力部６７７に入力された音声データは、サウンドコ
ントローラ６７６においてデジタル信号に変換され、サウンドコントローラ６７６や演算
部６６１において処理される。一方、サウンドコントローラ６７６は、演算部６６１から
の命令に応じて、ユーザが可聴なアナログ音声信号を生成し、音声出力部６７８に出力す
る。音声出力部６７８が有する音声出力コネクタには、イヤフォン、ヘッドフォン、ヘッ
ドセット等の音声出力装置を接続可能で、当該装置にサウンドコントローラ６７６で生成
した音声が出力される。

通信モジュール６８１は、アンテナ６８２を介して通信を行うことができる。例えば演
算部６６１からの命令に応じて電子機器１０をコンピュータネットワークに接続するため
の制御信号を制御し、当該信号をコンピュータネットワークに発信する。これによって、
ＷｏｒｌｄＷｉｄｅＷｅｂ（ＷＷＷ）の基盤であるインターネット、イントラネット
、エクストラネット、ＰＡＮ（ＰｅｒｓｏｎａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）、ＬＡＮ
（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）、ＣＡＮ（ＣａｍｐｕｓＡｒｅａＮｅｔ
ｗｏｒｋ）、ＭＡＮ（ＭｅｔｒｏｐｏｌｉｔａｎＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）、ＷＡＮ
（ＷｉｄｅＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）、ＧＡＮ（ＧｌｏｂａｌＡｒｅａＮｅｔｗ
ｏｒｋ）等のコンピュータネットワークに電子機器１０を接続させ、通信を行うことがで
きる。またその通信方法として複数の方法を用いる場合には、アンテナ６８２は当該通信
方法に応じて複数有していてもよい。

通信モジュール６８１には、例えば高周波回路（ＲＦ回路）を設け、ＲＦ信号の送受信
を行えばよい。高周波回路は、各国法制により定められた周波数帯域の電磁信号と電気信
号とを相互に変換し、当該電磁信号を用いて無線で他の通信機器との間で通信を行うため
の回路である。実用的な周波数帯域として数１０ｋＨｚ～数１０ＧＨｚが一般に用いられ
ている。アンテナ６８２と接続される高周波回路には、複数の周波数帯域に対応した高周
波回路部を有し、高周波回路部は、増幅器（アンプ）、ミキサ、フィルタ、ＤＳＰ、ＲＦ
トランシーバ等を有する構成とすることができる。無線通信を行う場合、通信プロトコル
又は通信技術として、ＬＴＥ（ＬｏｎｇＴｅｒｍＥｖｏｌｕｔｉｏｎ）、ＧＳＭ（Ｇ
ｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ：登録
商標）、ＥＤＧＥ（ＥｎｈａｎｃｅｄＤａｔａＲａｔｅｓｆｏｒＧＳＭＥｖｏ
ｌｕｔｉｏｎ）、ＣＤＭＡ２０００（ＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅ
Ａｃｃｅｓｓ２０００）、Ｗ－ＣＤＭＡ（ＷｉｄｅｂａｎｄＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉ
ｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ：登録商標）などの通信規格、またはＷｉ－Ｆｉ
（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＺｉｇＢｅｅ（登録商標）等のＩＥＥ
Ｅにより通信規格化された仕様を用いることができる。

また、通信モジュール６８１は、電子機器１０を電話回線と接続する機能を有していて
もよい。電話回線を通じた通話を行う場合には、通信モジュール６８１は、演算部６６１
からの命令に応じて、電子機器１０を電話回線に接続するための接続信号を制御し、当該
信号を電話回線に発信する。

通信モジュール６８１は、アンテナ６８２により受信した放送電波から、タッチパネル
６５１、及びタッチパネル６５２に出力する映像信号を生成するチューナーを有していて
もよい。例えばチューナーは、復調回路と、Ａ－Ｄ変換回路（アナログ－デジタル変換回
路）と、デコーダ回路等を有する構成とすることができる。復調回路はアンテナ６８２か
ら入力した信号を復調する機能を有する。またＡ－Ｄ変換回路は、復調されたアナログ信
号をデジタル信号に変換する機能を有する。またデコーダ回路は、デジタル信号に含まれ
る映像データをデコードし、ディスプレイコントローラ６７１に送信する信号を生成する
機能を有する。

またデコーダが分割回路と、複数のプロセッサを有する構成としてもよい。分割回路は
、入力された映像のデータを空間的、時間的に分割し、各プロセッサに出力する機能を有
する。複数のプロセッサは、入力された映像データをデコードし、ディスプレイコントロ
ーラ６７１に送信する信号を生成する。このように、デコーダとして、複数のプロセッサ
によりデータを並列処理する構成を適用することで、極めて情報量の多い映像データをデ
コードすることができる。特にフルハイビジョンを超える解像度を有する映像を表示する
場合には、圧縮されたデータをデコードするデコーダ回路が極めて高速な処理能力を有す
るプロセッサを有していることが好ましい。また、例えばデコーダ回路は、４以上、好ま
しくは８以上、より好ましくは１６以上の並列処理が可能な複数のプロセッサを含む構成
とすることが好ましい。またデコーダは、入力された信号に含まれる映像用の信号と、そ
れ以外の信号（文字情報、番組情報、認証情報等）を分離する回路を有していてもよい。

アンテナ６８２により受信できる放送電波としては、地上波、または衛星から送信され
る電波などが挙げられる。またアンテナ６８２により受信できる放送電波として、アナロ
グ放送、デジタル放送などがあり、また映像及び音声、または音声のみの放送などがある
。例えばＵＨＦ帯（約３００ＭＨｚ～３ＧＨｚ）またはＶＨＦ帯（３０ＭＨｚ～３００Ｍ
Ｈｚ）のうちの特定の周波数帯域で送信される放送電波を受信することができる。また例
えば、複数の周波数帯域で受信した複数のデータを用いることで、転送レートを高くする
ことができ、より多くの情報を得ることができる。これによりフルハイビジョンを超える
解像度を有する映像を、タッチパネル６５１及びタッチパネル６５２に表示させることが
できる。例えば、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映
像を表示させることができる。

また、チューナーはコンピュータネットワークを介したデータ伝送技術により送信され
た放送のデータを用いて、ディスプレイコントローラ６７１に送信する信号を生成する構
成としてもよい。このとき、受信する信号がデジタル信号の場合には、チューナーは復調
回路及びＡ－Ｄ変換回路を有していなくてもよい。

姿勢検出部６８３は、電子機器１０の傾きや姿勢等を検出する機能を有する。例えば姿
勢検出部６８３としては、加速度センサ、角速度センサ、振動センサ、圧力センサ、ジャ
イロセンサ等を用いることができる。また、これらのセンサを複数組み合わせて用いても
よい。

外部インターフェース６８５としては、例えば筐体１１に設けられた１つ以上のボタン
やスイッチ（筐体スイッチともいう）、その他の入力コンポーネントが接続可能な外部ポ
ートなどが挙げられる。外部インターフェース６８５は、バスライン６６２を介して演算
部６６１と接続される。筐体スイッチとしては、電源のオン／オフと関連付けられたスイ
ッチ、音量調節のためのボタン、カメラ撮影用ボタンなどがある。

また外部インターフェース６８５が有する外部ポートとしては、例えばコンピュータや
プリンタなどの外部装置にケーブルを介して接続できる構成とすることができる。代表的
には、ＵＳＢ端子などがある。また、外部ポートとして、ＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａ
Ｎｅｔｗｏｒｋ）接続用端子、デジタル放送の受信用端子、ＡＣアダプタを接続する端
子等を有していてもよい。また、有線だけでなく、赤外線、可視光、紫外線などを用いた
光通信用の送受信機を設ける構成としてもよい。

カメラモジュール６８６は、バスライン６６２を介して演算部６６１と接続される。例
えば筐体に設けられたスイッチが押されることや、タッチパネル６５１及びタッチパネル
６５２へのタッチ操作と連動して、静止画または動画を撮影することができる。またカメ
ラモジュール６８６は、撮影用の光源を有していてもよい。例えばキセノンランプなどの
ランプ、ＬＥＤや有機ＥＬなどの発光素子等を用いることができる。または、撮影用の光
源として、タッチパネル６５１及びタッチパネル６５２を利用してもよく、その場合には
、白色だけでなく様々な色の光を撮影用に用いてもよい。

振動モジュール６８７は、電子機器１０を振動させる振動素子と、振動素子を制御する
振動コントローラと、を有する。振動素子としては、振動モータ（偏心モータ）、共振ア
クチュエータ、磁歪素子、圧電素子など、電気信号や磁気信号を振動に変換することので
きる素子を用いることができる。

振動モジュール６８７は、演算部６６１からの命令に応じて、振動素子の振動の振動数
、振幅、振動させる期間等を制御することで、様々な振動パターンで電子機器１０を振動
させることができる。例えば、筐体スイッチ等が操作されることに連動した振動、電子機
器１０の起動に連動した振動、動画再生用アプリケーションで再生される動画や音声と連
動した振動、電子メールの着信に連動した振動、タッチパネル６５１及びタッチパネル６
５２への入力動作に連動した振動など、各種アプリケーションにおいて実行される動作に
基づく様々な振動パターンの振動を、振動モジュール６８７により発することができる。

センサモジュール６８８は、センサユニットと、センサコントローラとを有する。セン
サコントローラは、センサユニットにバッテリーモジュール６７５等からの電力を供給す
る。またセンサコントローラはセンサユニットからの入力を受け、制御信号に変換してバ
スライン６６２を介して演算部６６１に出力する。センサコントローラにおいて、センサ
ユニットのエラー管理を行ってもよいし、センサユニットの校正処理を行ってもよい。な
お、センサコントローラは、センサユニットを制御するコントローラを複数備える構成と
してもよい。

センサモジュール６８８は、例えば力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を有する各種センサ
を備える構成としてもよい。

以上が、電子機器１０のハードウェア構成の例についての説明である。

（実施の形態３）
以下では、本発明の一態様の電子機器の表示部等に用いることのできる表示パネルの例
について説明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方
を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。

図９に、表示装置５００のブロック図を示す。表示装置５００は、表示部５０１を有す
る。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素ユニット５３０を有する。画素
ユニット５３０は、第１の画素５３１ｐと、第２の画素５３２ｐを有する。

図９では、第１の画素５３１ｐ及び第２の画素５３２ｐが、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色に対応する表示素子を有する場合の例を示している。

第１の画素５３１ｐが有する表示素子は、それぞれ、外光の反射を利用した表示素子で
ある。第１の画素５３１ｐは、赤色（Ｒ）に対応する第１の表示素子５３１Ｒ、緑色（Ｇ
）に対応する第１の表示素子５３１Ｇ、青色（Ｂ）に対応する第１の表示素子５３１Ｂを
有する。

第２の画素５３２ｐが有する表示素子は、それぞれ、発光素子である。第２の画素５３
２ｐは、赤色（Ｒ）に対応する第２の表示素子５３２Ｒ、緑色（Ｇ）に対応する第２の表
示素子５３２Ｇ、青色（Ｂ）に対応する第２の表示素子５３２Ｂを有する。

図１０（Ａ）～（Ｃ）は、画素ユニット５３０の構成例を示す模式図である。

第１の画素５３１ｐは、第１の表示素子５３１Ｒ、第１の表示素子５３１Ｇ、第１の表
示素子５３１Ｂを有する。第１の表示素子５３１Ｒは、外光を反射し、赤色の光Ｒｒを表
示面側に射出する。第１の表示素子５３１Ｇ、第１の表示素子５３１Ｂも同様に、それぞ
れ緑色の光Ｇｒまたは青色の光Ｂｒを、表示面側に射出する。

第２の画素５３２ｐは、第２の表示素子５３２Ｒ、第２の表示素子５３２Ｇ、第２の表
示素子５３２Ｂを有する。第２の表示素子５３２Ｒは赤色の光Ｒｔを、表示面側に射出す
る。第２の表示素子５３２Ｇ、第２の表示素子５３２Ｂも同様に、それぞれ緑色の光Ｇｔ
または青色の光Ｂｔを、表示面側に射出する。

図１０（Ａ）は、第１の画素５３１ｐと第２の画素５３２ｐの両方を駆動させることで
表示を行うモード（第３のモード）に対応する。画素ユニット５３０は、反射光（光Ｒｒ
、光Ｇｒ、光Ｂｒ）と透過光（光Ｒｔ、光Ｇｔ、光Ｂｔ）とを用いて、所定の色の光５３
５ｔｒを表示面側に射出することができる。

図１０（Ｂ）は、第１の画素５３１ｐのみを駆動させることにより、反射光を用いて表
示を行うモード（第１のモード）に対応する。画素ユニット５３０は、例えば外光が十分
に強い場合などでは、第２の画素５３２ｐを駆動させずに、第１の画素５３１ｐからの光
（光Ｒｒ、光Ｇｒ、及び光Ｂｒ）のみを用いて、光５３５ｒを表示面側に射出することが
できる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。

図１０（Ｃ）は、第２の画素５３２ｐのみを駆動させることにより、発光（透過光）を
用いて表示を行うモード（第２のモード）に対応する。画素ユニット５３０は、例えば外
光が極めて弱い場合などでは、第１の画素５３１ｐを駆動させずに、第２の画素５３２ｐ
からの光（光Ｒｔ、光Ｇｔ、及び光Ｂｔ）のみを用いて、光５３５ｔを表示面側に射出す
ることができる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また周囲が暗い場合に輝
度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。

第１の画素５３１ｐと第２の画素５３２ｐとが有する表示素子の色、数は、それぞれ限
定されない。

図１１（Ａ）～（Ｃ）、図１２（Ａ）～（Ｃ）に、それぞれ画素ユニット５３０の構成
例を示す。なおここでは、第１の画素５３１ｐと第２の画素５３２ｐの両方を駆動させる
ことで表示を行うモード（第３のモード）に対応した模式図を示しているが、上記と同様
に、第１の画素５３１ｐまたは第２の画素５３２ｐのみを駆動させるモード（第１のモー
ド及び第２のモード）でも表示を行うことができる。

図１１（Ａ）、（Ｃ）、図１２（Ｂ）に示す第２の画素５３２ｐは、第２の表示素子５
３２Ｒ、第２の表示素子５３２Ｇ、第２の表示素子５３２Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈す
る第２の表示素子５３２Ｗを有する。

図１１（Ｂ）、図１２（Ｃ）に示す第２の画素５３２ｐは、第２の表示素子５３２Ｒ、
第２の表示素子５３２Ｇ、第２の表示素子５３２Ｂに加えて、黄色（Ｙ）を呈する第２の
表示素子５３２Ｙを有する。

図１１（Ａ）～（Ｃ）、図１２（Ｂ）、（Ｃ）に示す構成は、第２の表示素子５３２Ｗ
及び第２の表示素子５３２Ｙを有さない構成に比べて、第２の画素５３２ｐを用いた表示
モード（第２のモード及び第３のモード）における消費電力を低減することができる。

図１１（Ｃ）に示す第１の画素５３１ｐは、第１の表示素子５３１Ｒ、第１の表示素子
５３１Ｇ、第１の表示素子５３１Ｂに加えて、白色（Ｗ）を呈する第１の表示素子５３１
Ｗを有する。

図１１（Ｃ）に示す構成は、図１０（Ａ）に示す構成に比べて、第１の画素５３１ｐを
用いた表示モード（第１のモード及び第３のモード）における消費電力を低減することが
できる。

図１２（Ａ）～（Ｃ）に示す第１の画素５３１ｐは、白色を呈する第１の表示素子５３
１Ｗのみを有する。このとき、第１の画素５３１ｐのみを用いた表示モード（第１のモー
ド）では、白黒表示またはグレースケールでの表示を行うことができ、第２の画素５３２
ｐを用いた表示モード（第２のモード及び第３のモード）では、カラー表示を行うことが
できる。

このような構成とすることで、第１の画素５３１ｐの開口率を高めることができるため
、第１の画素５３１ｐの反射率を向上させ、より明るい表示を行うことができる。

第１のモードは、例えば、文書情報などのカラー表示を必要としない情報を表示するこ
とに適している。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２で例示した表示装置のより具体的な例について、図面
を参照して説明する。

図１３（Ａ）は、表示装置４００のブロック図である。表示装置４００は、表示部３６
２、回路ＧＤ、及び回路ＳＤを有する。表示部３６２は、マトリクス状に配列した複数の
画素４１０を有する。

表示装置４００は、複数の配線Ｇ１、複数の配線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、複数の配線
ＣＳＣＯＭ、複数の配線Ｓ１、及び複数の配線Ｓ２を有する。複数の配線Ｇ１、複数の配
線Ｇ２、複数の配線ＡＮＯ、及び複数の配線ＣＳＣＯＭは、それぞれ、矢印Ｒで示す方向
に配列した複数の画素４１０及び回路ＧＤと電気的に接続する。複数の配線Ｓ１及び複数
の配線Ｓ２は、それぞれ、矢印Ｃで示す方向に配列した複数の画素４１０及び回路ＳＤと
電気的に接続する。

なお、ここでは簡単のために回路ＧＤと回路ＳＤを１つずつ有する構成を示したが、液
晶素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと、発光素子を駆動する回路ＧＤ及び回路ＳＤと
を、別々に設けてもよい。

画素４１０は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。

図１３（Ｂ１）～（Ｂ４）に、画素４１０が有する電極３１１の構成例を示す。電極３
１１は、液晶素子の反射電極として機能する。図１３（Ｂ１）、（Ｂ２）の電極３１１に
は、開口４５１が設けられている。

図１３（Ｂ１）、（Ｂ２）には、電極３１１と重なる領域に位置する発光素子３６０を
破線で示している。発光素子３６０は、電極３１１が有する開口４５１と重ねて配置され
ている。これにより、発光素子３６０が発する光は、開口４５１を介して表示面側に射出
される。

図１３（Ｂ１）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画
素である。このとき、図１３（Ｂ１）に示すように、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの
画素において、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設け
られていることが好ましい。これにより、２つの発光素子３６０を離すことが可能で、発
光素子３６０が発する光が隣接する画素４１０が有する着色層に入射してしまう現象（ク
ロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子３６０を
離して配置することができるため、発光素子３６０のＥＬ層をシャドウマスク等により作
り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。

図１３（Ｂ２）では、矢印Ｃで示す方向に隣接する画素４１０が異なる色に対応する画
素である。図１３（Ｂ２）においても同様に、矢印Ｃで示す方向に隣接する２つの画素に
おいて、開口４５１が一列に配列されないように、電極３１１の異なる位置に設けられて
いることが好ましい。

非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積の比の値が小さいほど、液晶素子を用い
た表示を明るくすることができる。また、非開口部の総面積に対する開口４５１の総面積
の比の値が大きいほど、発光素子３６０を用いた表示を明るくすることができる。

開口４５１の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とする
ことができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、
開口４５１を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口４５１を同じ色を
表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。

また、図１３（Ｂ３）、（Ｂ４）に示すように、電極３１１が設けられていない部分に
、発光素子３６０の発光領域が位置していてもよい。これにより、発光素子３６０が発す
る光は、表示面側に射出される。

図１３（Ｂ３）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する２つの画素４１０において、発光素
子３６０が一列に配列されていない。図１３（Ｂ４）では、矢印Ｒで示す方向に隣接する
２つの画素４１０において、発光素子３６０が一列に配列されている。

図１３（Ｂ３）の構成は、隣接する２つの画素４１０が有する発光素子３６０どうしを
離すことができるため、上述の通り、クロストークの抑制、及び、高精細化が可能となる
。また、図１３（Ｂ４）の構成では、発光素子３６０の矢印Ｃに平行な辺側に、電極３１
１が位置しないため、発光素子３６０の光が電極３１１に遮られることを抑制でき、高い
視野角特性を実現できる。

回路ＧＤには、シフトレジスタ等の様々な順序回路等を用いることができる。回路ＧＤ
には、トランジスタ及び容量素子等を用いることができる。回路ＧＤが有するトランジス
タは、画素４１０に含まれるトランジスタと同じ工程で形成することができる。

回路ＳＤは、配線Ｓ１と電気的に接続される。回路ＳＤには、例えば、集積回路を用い
ることができる。具体的には、回路ＳＤには、シリコン基板上に形成された集積回路を用
いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏｎｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ方式等を用いて、画
素４１０と電気的に接続されるパッドに回路ＳＤを実装することができる。具体的には、
異方性導電膜を用いて、パッドに集積回路を実装できる。

図１４は、画素４１０の回路図の一例である。図１４では、隣接する２つの画素４１０
を示している。

画素４１０は、スイッチＳＷ１、容量素子Ｃ１、液晶素子３４０、スイッチＳＷ２、ト
ランジスタＭ、容量素子Ｃ２、及び発光素子３６０等を有する。また、画素４１０には、
配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に
接続されている。また、図１４では、液晶素子３４０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１
、及び発光素子３６０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。

図１４では、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ２にトランジスタを用いた場合の例を示
している。

スイッチＳＷ１のゲートは、配線Ｇ１と接続されている。スイッチＳＷ１のソース及び
ドレインのうち一方は、配線Ｓ１と接続され、他方は、容量素子Ｃ１の一方の電極、及び
液晶素子３４０の一方の電極と接続されている。容量素子Ｃ１の他方の電極は、配線ＣＳ
ＣＯＭと接続されている。液晶素子３４０の他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されてい
る。

スイッチＳＷ２のゲートは、配線Ｇ２と接続されている。スイッチＳＷ２のソース及び
ドレインのうち一方は、配線Ｓ２と接続され、他方は、容量素子Ｃ２の一方の電極、及び
トランジスタＭのゲートと接続されている。容量素子Ｃ２の他方の電極は、トランジスタ
Ｍのソースまたはドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタＭの
ソースまたはドレインの他方は、発光素子３６０の一方の電極と接続されている。発光素
子３６０の他方の電極は、配線ＶＣＯＭ２と接続されている。

図１４では、トランジスタＭが半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが接続されて
いる例を示している。これにより、トランジスタＭが流すことのできる電流を増大させる
ことができる。

配線Ｇ１には、スイッチＳＷ１を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えるこ
とができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液
晶素子３４０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣ
ＯＭには、所定の電位を与えることができる。

配線Ｇ２には、スイッチＳＷ２を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えるこ
とができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子３６０が発光する電位差が生
じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタＭの導通状態を制
御する信号を与えることができる。

図１４に示す画素４１０は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配
線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子３４０による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信
号により駆動し、発光素子３６０を発光させて表示することができる。また両方のモード
で駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信
号により駆動することができる。

なお、図１４では一つの画素４１０に、一つの液晶素子３４０と一つの発光素子３６０
とを有する例を示したが、これに限られない。図１５（Ａ）は、一つの画素４１０に一つ
の液晶素子３４０と４つの発光素子３６０（発光素子３６０ｒ、３６０ｇ、３６０ｂ、３
６０ｗ）を有する例を示している。図１５（Ａ）に示す画素４１０は、図１４とは異なり
、１つの画素で発光素子を用いたフルカラーの表示が可能である。

図１５（Ａ）では図１４の例に加えて、画素４１０に配線Ｇ３及び配線Ｓ３が接続され
ている。

図１５（Ａ）に示す例では、例えば４つの発光素子３６０に、それぞれ赤色（Ｒ）、緑
色（Ｇ）、青色（Ｂ）、及び白色（Ｗ）を呈する発光素子を用いることができる。また液
晶素子３４０として、白色を呈する反射型の液晶素子を用いることができる。これにより
、反射モードの表示を行う場合には、反射率の高い白色の表示を行うことができる。また
透過モードで表示を行う場合には、演色性の高い表示を低い電力で行うことができる。

図１５（Ｂ）に、図１５（Ａ）に対応した画素４１０の構成例を示す。画素４１０は、
電極３１１が有する開口部と重なる発光素子３６０ｗと、電極３１１の周囲に配置された
発光素子３６０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂとを有する。発光素子３６
０ｒ、発光素子３６０ｇ、及び発光素子３６０ｂは、発光面積がほぼ同等であることが好
ましい。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２及び実施の形態３で例示した表示装置の、より具体的
な構成例について、図面を参照して説明する。

［構成例１］
図１６は、表示装置３００の斜視概略図である。表示装置３００は、基板３５１と基板
３６１とが貼り合わされた構成を有する。図１６では、基板３６１を破線で明示している
。

表示装置３００は、表示部３６２、回路３６４、配線３６５等を有する。図１６では表
示装置３００にＩＣ（集積回路）３７３及びＦＰＣ３７２が実装されている例を示してい
る。そのため、図１６に示す構成は、表示装置３００、ＩＣ、及びＦＰＣを有する表示モ
ジュールということもできる。

回路３６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線３６５は、表示部３６２及び回路３６４に信号及び電力を供給する機能を有する。
当該信号及び電力は、ＦＰＣ３７２を介して外部から、またはＩＣ３７３から配線３６５
に入力される。

図１６では、ＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐｏ
ｎＦｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３７３が設けられている例を示す。ＩＣ
３７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。
なお、表示装置３００及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、
ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１６には、表示部３６２の一部の拡大図を示している。表示部３６２には、複数の表
示素子が有する電極３１１ｂがマトリクス状に配置されている。電極３１１ｂは、可視光
を反射する機能を有し、液晶素子１８０の反射電極として機能する。

また、図１６に示すように、電極３１１ｂは開口４５１を有する。さらに表示部３６２
は、電極３１１ｂよりも基板３５１側に、発光素子１７０を有する。発光素子１７０から
の光は、電極３１１ｂの開口４５１を介して基板３６１側に射出される。発光素子１７０
の発光領域の面積と開口４５１の面積とは等しくてもよい。発光素子１７０の発光領域の
面積と開口４５１の面積のうち一方が他方よりも大きいと、位置ずれに対するマージンが
大きくなるため好ましい。特に、開口４５１の面積は、発光素子１７０の発光領域の面積
に比べて大きいことが好ましい。開口４５１が小さいと、発光素子１７０からの光の一部
が電極３１１ｂによって遮られ、外部に取り出せないことがある。開口４５１を十分に大
きくすることで、発光素子１７０の発光が無駄になることを抑制できる。

図１７に、図１６で示した表示装置３００の、ＦＰＣ３７２を含む領域の一部、回路３
６４を含む領域の一部、及び表示部３６２を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断
面の一例を示す。

図１７に示す表示装置３００は、基板３５１と基板３６１の間に、トランジスタ２０１
、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、トランジスタ２０６、液晶素子１８０、発
光素子１７０、絶縁層２２０、着色層１３１、着色層１３４等を有する。基板３６１と絶
縁層２２０は接着層１４１を介して接着されている。基板３５１と絶縁層２２０は接着層
１４２を介して接着されている。

基板３６１には、着色層１３１、遮光層１３２、絶縁層１２１、及び液晶素子１８０の
共通電極として機能する電極１１３、配向膜１３３ｂ、絶縁層１１７等が設けられている
。基板３６１の外側の面には、偏光板１３５を有する。絶縁層１２１は、平坦化層として
の機能を有していてもよい。絶縁層１２１により、電極１１３の表面を概略平坦にできる
ため、液晶層１１２の配向状態を均一にできる。絶縁層１１７は、液晶素子１８０のセル
ギャップを保持するためのスペーサとして機能する。絶縁層１１７が可視光を透過する場
合は、絶縁層１１７を液晶素子１８０の表示領域と重ねて配置してもよい。

液晶素子１８０は反射型の液晶素子である。液晶素子１８０は、電極３１１ａ、液晶層
１１２、電極１１３が積層された積層構造を有する。電極３１１ａの基板３５１側に接し
て、可視光を反射する電極３１１ｂが設けられている。電極３１１ｂは開口４５１を有す
る。電極３１１ａ及び電極１１３は可視光を透過する。液晶層１１２と電極３１１ａの間
に配向膜１３３ａが設けられている。液晶層１１２と電極１１３の間に配向膜１３３ｂが
設けられている。

液晶素子１８０において、電極３１１ｂは可視光を反射する機能を有し、電極１１３は
可視光を透過する機能を有する。基板３６１側から入射した光は、偏光板１３５により偏
光され、電極１１３、液晶層１１２を透過し、電極３１１ｂで反射する。そして液晶層１
１２及び電極１１３を再度透過して、偏光板１３５に達する。このとき、電極３１１ｂと
電極１１３の間に与える電圧によって液晶の配向を制御し、光の光学変調を制御すること
ができる。すなわち、偏光板１３５を介して射出される光の強度を制御することができる
。また光は着色層１３１によって特定の波長領域以外の光が吸収されることにより、取り
出される光は、例えば赤色を呈する光となる。

図１７に示すように、開口４５１には可視光を透過する電極３１１ａが設けられている
ことが好ましい。これにより、開口４５１と重なる領域においてもそれ以外の領域と同様
に液晶層１１２が配向するため、これらの領域の境界部で液晶の配向不良が生じ、意図し
ない光が漏れてしまうことを抑制できる。

接続部２０７において、電極３１１ｂは、導電層２２１ｂを介して、トランジスタ２０
６が有する導電層２２２ａと電気的に接続されている。トランジスタ２０６は、液晶素子
１８０の駆動を制御する機能を有する。

接着層１４１が設けられる一部の領域には、接続部２５２が設けられている。接続部２
５２において、電極３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層と、電極１１３の
一部が、接続体２４３により電気的に接続されている。したがって、基板３６１側に形成
された電極１１３に、基板３５１側に接続されたＦＰＣ３７２から入力される信号または
電位を、接続部２５２を介して供給することができる。

接続体２４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子とし
ては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることが
できる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。ま
たニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を
用いることが好ましい。また接続体２４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を
用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体２４３は、図１７に示すよう
に上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体２４３と、これと電
気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良など
の不具合の発生を抑制することができる。

接続体２４３は、接着層１４１に覆われるように配置することが好ましい。例えば、硬
化前の接着層１４１に接続体２４３を分散させておけばよい。

発光素子１７０は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子１７０は、絶縁
層２２０側から電極１９１、ＥＬ層１９２、及び電極１９３の順に積層された積層構造を
有する。電極１９１は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が
有する導電層２２２ｂと接続されている。トランジスタ２０５は、発光素子１７０の駆動
を制御する機能を有する。絶縁層２１６が電極１９１の端部を覆っている。電極１９３は
可視光を反射する材料を含み、電極１９１は可視光を透過する材料を含む。電極１９３を
覆って絶縁層１９４が設けられている。発光素子１７０が発する光は、着色層１３４、絶
縁層２２０、開口４５１、電極３１１ａ等を介して、基板３６１側に射出される。

液晶素子１８０及び発光素子１７０は、画素によって着色層の色を変えることで、様々
な色を呈することができる。表示装置３００は、液晶素子１８０を用いて、カラー表示を
行うことができる。表示装置３００は、発光素子１７０を用いて、カラー表示を行うこと
ができる。

トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２
０６は、いずれも絶縁層２２０の基板３５１側の面上に形成されている。これらのトラン
ジスタは、同一の工程を用いて作製することができる。

トランジスタ２０３は、画素の選択、非選択状態を制御するトランジスタ（スイッチン
グトランジスタ、または選択トランジスタともいう）である。トランジスタ２０５は、発
光素子１７０に流れる電流を制御するトランジスタ（駆動トランジスタともいう）である
。

絶縁層２２０の基板３５１側には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１３、絶縁
層２１４等の絶縁層が設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲ
ート絶縁層として機能する。絶縁層２１２は、トランジスタ２０６等を覆って設けられる
。絶縁層２１３は、トランジスタ２０５等を覆って設けられている。絶縁層２１４は、平
坦化層としての機能を有する。なお、トランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、単層
であっても２層以上であってもよい。

各トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水や水素などの不純物が拡散しにく
い材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア膜として機能させることが
できる。このような構成とすることで、トランジスタに対して外部から不純物が拡散する
ことを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装置を実現できる。

トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トランジスタ２０５、及びトランジスタ２
０６は、ゲートとして機能する導電層２２１ａ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１
１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、並びに、半
導体層２３１を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハ
ッチングパターンを付している。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、トランジスタ２０３及びトランジスタ
２０６の構成に加えて、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２
つのゲートで挟持する構成が適用されている。このような構成とすることで、トランジス
タの閾値電圧を制御することができる。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供
給することによりトランジスタを駆動してもよい。このようなトランジスタは他のトラン
ジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させること
ができる。その結果、高速駆動が可能な回路を作製することができる。さらには、回路部
の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジスタを適用すること
で、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したとしても、各配線に
おける信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制することができる。

または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆
動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。

表示装置が有するトランジスタの構造に限定はない。回路３６４が有するトランジスタ
と、表示部３６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であっ
てもよい。回路３６４が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、２
種類以上の構造が組み合わせて用いられていてもよい。同様に、表示部３６２が有する複
数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよく、２種類以上の構造が組み合わせて用
いられていてもよい。

導電層２２３には、酸化物を含む導電性材料を用いることが好ましい。導電層２２３を
構成する導電膜の成膜時に、酸素を含む雰囲気下で成膜することで、絶縁層２１２に酸素
を供給することができる。成膜ガス中の酸素ガスの割合を９０％以上１００％以下の範囲
とすることが好ましい。絶縁層２１２に供給された酸素は、後の熱処理により半導体層２
３１に供給され、半導体層２３１中の酸素欠損の低減を図ることができる。

特に、導電層２２３には、低抵抗化された酸化物半導体を用いることが好ましい。この
とき、絶縁層２１３に水素を放出する絶縁膜、例えば窒化シリコン膜等を用いることが好
ましい。絶縁層２１３の成膜中、またはその後の熱処理によって導電層２２３中に水素が
供給され、導電層２２３の電気抵抗を効果的に低減することができる。

絶縁層２１３に接して着色層１３４が設けられている。着色層１３４は、絶縁層２１４
に覆われている。

基板３５１と基板３６１が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続
部２０４では、配線３６５が接続層２４２を介してＦＰＣ３７２と電気的に接続されてい
る。接続部２０４は接続部２０７と同様の構成を有している。接続部２０４の上面は、電
極３１１ａと同一の導電膜を加工して得られた導電層が露出している。これにより、接続
部２０４とＦＰＣ３７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板３６１の外側の面に配置する偏光板１３５として直線偏光板を用いてもよいが、円
偏光板を用いることもできる。円偏光板としては、例えば直線偏光板と１／４波長位相差
板を積層したものを用いることができる。これにより、外光反射を抑制することができる
。また、偏光板の種類に応じて、液晶素子１８０に用いる液晶素子のセルギャップ、配向
、駆動電圧等を調整することで、所望のコントラストが実現されるようにする。

なお、基板３６１の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては
、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等
が挙げられる。また、基板３６１の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを
付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜等を配置し
てもよい。

基板３５１及び基板３６１には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、
有機樹脂などを用いることができる。基板３５１及び基板３６１に可撓性を有する材料を
用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。

液晶素子１８０としては、例えば垂直配向（ＶＡ：ＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅ
ｎｔ）モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、Ｍ
ＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ＤｏｍａｉｎＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、Ｐ
ＶＡ（ＰａｔｔｅｒｎｅｄＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（
ＡｄｖａｎｃｅｄＳｕｐｅｒＶｉｅｗ）モードなどを用いることができる。

液晶素子１８０には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例え
ばＶＡモードのほかに、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ
－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗ
ｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（ＡｘｉａｌｌｙＳｙｍｍｅｔｒｉｃａｌｉｇｎｅ
ｄＭｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔ
ｅｄＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬ
ｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。

液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過または非透過を制御する素子であ
る。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界（横方向の電界、縦方向の電界または斜
め方向の電界を含む）によって制御される。液晶素子に用いる液晶としては、サーモトロ
ピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ
ＤｉｓｐｅｒｓｅｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）、強誘電性液晶、反強誘電性液晶
等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメク
チック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。

液晶材料としては、ポジ型の液晶、またはネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、適用
するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いることができる。

液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を採用す
る場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つ
であり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する
直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改
善するために数重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶に用いる。ブルー
相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性である
。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が不要であり
、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となる
ため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中
の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。

反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板１３５を設ける。またこれとは
別に、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。

偏光板１３５よりも外側に、フロントライトを設けてもよい。フロントライトとしては
、エッジライト型のフロントライトを用いることが好ましい。ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍ
ｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を備えるフロントライトを用いると、消費電力を低減できる
ため好ましい。

接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を
用いてもよい。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）などを用いることができる。

発光素子１７０は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッシ
ョン型などがある。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また
、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

ＥＬ層１９２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層１９２は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高
い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層１９２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層１９２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。

ＥＬ層１９２は、量子ドットなどの無機化合物を有していてもよい。例えば、量子ドッ
トを発光層に用いることで、発光材料として機能させることもできる。

なお、カラーフィルタ（着色層）とマイクロキャビティ構造（光学調整層）との組み合
わせを適用することで、表示装置から色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整
層の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び
電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、
ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタング
ステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含
む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそ
れらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電
層（画素電極や共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの
樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミ
ニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含
まれた樹脂材料などが挙げられる。

［構成例２］
図１８に示す表示装置３００Ａは、トランジスタ２０１、トランジスタ２０３、トラン
ジスタ２０５、及びトランジスタ２０６を有さず、トランジスタ２８１、トランジスタ２
８４、トランジスタ２８５、及びトランジスタ２８６を有する点で、主に表示装置３００
と異なる。

なお、図１８では、絶縁層１１７及び接続部２０７等の位置も図１７と異なる。図１８
では、画素の端部を図示している。絶縁層１１７は、着色層１３１の端部に重ねて配置さ
れている。また、絶縁層１１７は、遮光層１３２の端部に重ねて配置されている。このよ
うに、絶縁層１１７は、表示領域と重ならない部分（遮光層１３２と重なる部分）に配置
されてもよい。

トランジスタ２８４及びトランジスタ２８５のように、表示装置が有する２つのトラン
ジスタは、部分的に積層して設けられていてもよい。これにより、画素回路の占有面積を
縮小することが可能なため、精細度を高めることができる。また、発光素子１７０の発光
面積を大きくでき、開口率を向上させることができる。発光素子１７０は、開口率が高い
と、必要な輝度を得るための電流密度を低くできるため、信頼性が向上する。

トランジスタ２８１、トランジスタ２８４、及びトランジスタ２８６は、導電層２２１
ａ、絶縁層２１１、半導体層２３１、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導
電層２２１ａは、絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。導電層２２２ａ及び導
電層２２２ｂは、半導体層２３１と電気的に接続される。トランジスタ２８１は、導電層
２２３を有する。

トランジスタ２８５は、導電層２２２ｂ、絶縁層２１７、半導体層２６１、導電層２２
３、絶縁層２１２、絶縁層２１３、導電層２６３ａ、及び導電層２６３ｂを有する。導電
層２２２ｂは、絶縁層２１７を介して半導体層２６１と重なる。導電層２２３は、絶縁層
２１２及び絶縁層２１３を介して半導体層２６１と重なる。導電層２６３ａ及び導電層２
６３ｂは、半導体層２６１と電気的に接続される。

導電層２２１ａは、ゲートとして機能する。絶縁層２１１は、ゲート絶縁層として機能
する。導電層２２２ａはソースまたはドレインの一方として機能する。トランジスタ２８
６が有する導電層２２２ｂは、ソースまたはドレインの他方として機能する。

トランジスタ２８４とトランジスタ２８５が共有している導電層２２２ｂは、トランジ
スタ２８４のソースまたはドレインの他方として機能する部分と、トランジスタ２８５の
ゲートとして機能する部分を有する。絶縁層２１７、絶縁層２１２、及び絶縁層２１３は
、ゲート絶縁層として機能する。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂのうち、一方はソー
スとして機能し、他方はドレインとして機能する。導電層２２３は、ゲートとして機能す
る。

［構成例３］
図１９（Ａ）に表示装置３００Ｂの表示部の断面図を示す。

表示装置３００Ｂは、着色層１３１を有していない点で、表示装置３００と異なる。そ
の他の構成については、表示装置３００と同様のため、詳細な説明を省略する。

液晶素子１８０は、白色を呈する。着色層１３１を有していないため、表示装置３００
Ｂは、液晶素子１８０を用いて、白黒またはグレースケールでの表示を行うことができる
。

［構成例４］
図１９（Ｂ）に示す表示装置３００Ｃは、ＥＬ層１９２が塗り分けられて（発光素子１
７０ごとにＥＬ層１９２が区分して設けられて）おり、かつ着色層１３４を有さない点で
、表示装置３００Ｂと異なる。その他の構成については、表示装置３００Ｂと同様のため
、詳細な説明を省略する。

塗り分け方式が適用された発光素子１７０は、ＥＬ層１９２を構成する層のうち少なく
とも一層（代表的には発光層）が塗り分けられていればよく、ＥＬ層を構成する層の全て
が塗り分けられていてもよい。

本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。
例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよ
いし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲ
ート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電
極が設けられていてもよい。

図２０（Ａ）～（Ｅ）に、トランジスタの構成例を示す。

図２０（Ａ）に示すトランジスタ１１０ａは、トップゲート構造のトランジスタである
。

トランジスタ１１０ａは、導電層２２１、絶縁層２１１、半導体層２３１、絶縁層２１
２、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。半導体層２３１は、絶縁層１５１上
に設けられている。導電層２２１は絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。導電
層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、絶縁層２１１及び絶縁層２１２に設けられた開口を介
して、半導体層２３１と電気的に接続される。

導電層２２１は、ゲートとして機能する。絶縁層２１１は、ゲート絶縁層として機能す
る。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレ
インとして機能する。

トランジスタ１１０ａは、導電層２２１と導電層２２２ａまたは導電層２２２ｂとの物
理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である
。

図２０（Ｂ）に示すトランジスタ１１０ｂは、トランジスタ１１０ａの構成に加えて、
導電層２２３及び絶縁層２１８を有する。導電層２２３は絶縁層１５１上に設けられ、半
導体層２３１と重なる。絶縁層２１８は、導電層２２３及び絶縁層１５１を覆って設けら
れている。

導電層２２３は、一対のゲートの一方として機能する。そのため、トランジスタのオン
電流を高めることや、閾値電圧を制御することなどが可能である。

図２０（Ｃ）～（Ｅ）には、２つのトランジスタを積層した構造の例を示す。積層され
る２つのトランジスタの構造は、それぞれ独立に決定することができ、図２０（Ｃ）～（
Ｅ）の組み合わせに限られない。

図２０（Ｃ）に、トランジスタ１１０ｃとトランジスタ１１０ｄとを積層した構成を示
す。トランジスタ１１０ｃは、２つのゲートを有する。トランジスタ１１０ｄは、ボトム
ゲート構造である。なお、トランジスタ１１０ｃは、ゲートを１つ有していてもよい（ト
ップゲート構造）。また、トランジスタ１１０ｄはゲートを２つ有していてもよい。

トランジスタ１１０ｃは、導電層２２３、絶縁層２１８、半導体層２３１、導電層２２
１、絶縁層２１１、導電層２２２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導電層２２３は絶縁
層１５１上に設けられている。導電層２２３は、絶縁層２１８を介して半導体層２３１と
重なる。絶縁層２１８は、導電層２２３及び絶縁層１５１を覆って設けられている。導電
層２２１は絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。図２０（Ｃ）では絶縁層２１
１が導電層２２１と重なる部分にのみ設けられている例を示すが、図２０（Ｂ）等に示す
ように、絶縁層２１１は半導体層２３１の端部を覆うように設けられていてもよい。導電
層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、絶縁層２１２に設けられた開口を介して、半導体層２
３１と電気的に接続される。

トランジスタ１１０ｄは、導電層２２２ｂ、絶縁層２１３、半導体層２６１、導電層２
６３ａ、及び導電層２６３ｂを有する。導電層２２２ｂは、絶縁層２１３を介して半導体
層２６１と重なる領域を有する。絶縁層２１３は、導電層２２２ｂを覆って設けられてい
る。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂは、半導体層２６１と電気的に接続される。

導電層２２１及び導電層２２３は、それぞれ、トランジスタ１１０ｃのゲートとして機
能する。絶縁層２１８及び絶縁層２１１は、トランジスタ１１０ｃのゲート絶縁層として
機能する。導電層２２２ａはトランジスタ１１０ｃのソースまたはドレインの一方として
機能する。

導電層２２２ｂは、トランジスタ１１０ｃのソースまたはドレインの他方として機能す
る部分と、トランジスタ１１０ｄのゲートとして機能する部分と、を有する。絶縁層２１
３は、トランジスタ１１０ｄのゲート絶縁層として機能する。導電層２６３ａ及び導電層
２６３ｂのうち、一方はトランジスタ１１０ｄのソースとして機能し、他方はトランジス
タ１１０ｄのドレインとして機能する。

トランジスタ１１０ｃ及びトランジスタ１１０ｄは、発光素子１７０の画素回路に適用
されることが好ましい。例えば、トランジスタ１１０ｃを、選択トランジスタに用い、ト
ランジスタ１１０ｄを駆動トランジスタに用いることができる。

導電層２６３ｂは、絶縁層２１７及び絶縁層２１４に設けられた開口を介して、発光素
子の画素電極として機能する電極１９１と電気的に接続されている。

図２０（Ｄ）に、トランジスタ１１０ｅとトランジスタ１１０ｆとを積層した構成を示
す。トランジスタ１１０ｅは、ボトムゲート構造である。トランジスタ１１０ｆは、２つ
のゲートを有する。トランジスタ１１０ｅは、ゲートを２つ有していてもよい。

トランジスタ１１０ｅは、導電層２２１、絶縁層２１１、半導体層２３１、導電層２２
２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。導電層２２１は絶縁層１５１上に設けられている。
導電層２２１は、絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。絶縁層２１１は、導電
層２２１及び絶縁層１５１を覆って設けられている。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ
は、半導体層２３１と電気的に接続される。

トランジスタ１１０ｆは、導電層２２２ｂ、絶縁層２１２、半導体層２６１、導電層２
２３、絶縁層２１８、絶縁層２１３、導電層２６３ａ、及び導電層２６３ｂを有する。導
電層２２２ｂは、絶縁層２１２を介して半導体層２６１と重なる領域を有する。絶縁層２
１２は、導電層２２２ｂを覆って設けられている。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂは
、絶縁層２１３に設けられた開口を介して、半導体層２６１と電気的に接続される。導電
層２２３は、絶縁層２１８を介して半導体層２６１と重なる。絶縁層２１８は、導電層２
２３と重なる部分に設けられている。

導電層２２１は、トランジスタ１１０ｅのゲートとして機能する。絶縁層２１１は、ト
ランジスタ１１０ｅのゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａはトランジスタ１１
０ｅのソースまたはドレインの一方として機能する。

導電層２２２ｂは、トランジスタ１１０ｅのソースまたはドレインの他方として機能す
る部分と、トランジスタ１１０ｆのゲートとして機能する部分と、を有する。導電層２２
３は、トランジスタ１１０ｆのゲートとして機能する。絶縁層２１２及び絶縁層２１８は
、それぞれ、トランジスタ１１０ｆのゲート絶縁層として機能する。導電層２６３ａ及び
導電層２６３ｂのうち、一方はトランジスタ１１０ｆのソースとして機能し、他方はトラ
ンジスタ１１０ｆのドレインとして機能する。

導電層２６３ｂは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、発光素子の画素電極とし
て機能する電極１９１と電気的に接続されている。

図２０（Ｅ）に、トランジスタ１１０ｇとトランジスタ１１０ｈとを積層した構成を示
す。トランジスタ１１０ｇは、トップゲート構造である。トランジスタ１１０ｈは、２つ
のゲートを有する。なお、トランジスタ１１０ｇはゲートを２つ有していてもよい。

トランジスタ１１０ｇは、半導体層２３１、導電層２２１、絶縁層２１１、導電層２２
２ａ、及び導電層２２２ｂを有する。半導体層２３１は絶縁層１５１上に設けられている
。導電層２２１は、絶縁層２１１を介して半導体層２３１と重なる。絶縁層２１１は、導
電層２２１と重ねて設けられている。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、絶縁層２１
２に設けられた開口を介して、半導体層２３１と電気的に接続される。

トランジスタ１１０ｈは、導電層２２２ｂ、絶縁層２１３、半導体層２６１、導電層２
２３、絶縁層２１８、絶縁層２１７、導電層２６３ａ、及び導電層２６３ｂを有する。導
電層２２２ｂは、絶縁層２１３を介して半導体層２６１と重なる領域を有する。絶縁層２
１３は、導電層２２２ｂを覆って設けられている。導電層２６３ａ及び導電層２６３ｂは
、絶縁層２１７に設けられた開口を介して半導体層２６１と電気的に接続される。導電層
２２３は、絶縁層２１８を介して半導体層２６１と重なる。絶縁層２１８は、導電層２２
３と重なる部分に設けられている。

導電層２２１は、トランジスタ１１０ｇのゲートとして機能する。絶縁層２１１は、ト
ランジスタ１１０ｇのゲート絶縁層として機能する。導電層２２２ａはトランジスタ１１
０ｇのソースまたはドレインの一方として機能する。

導電層２２２ｂは、トランジスタ１１０ｇのソースまたはドレインの他方として機能す
る部分と、トランジスタ１１０ｈのゲートとして機能する部分と、を有する。導電層２２
３は、トランジスタ１１０ｈのゲートとして機能する。絶縁層２１２及び絶縁層２１８は
、それぞれ、トランジスタ１１０ｈのゲート絶縁層として機能する。導電層２６３ａ及び
導電層２６３ｂのうち、一方はトランジスタ１１０ｈのソースとして機能し、他方はトラ
ンジスタ１１０ｈのドレインとして機能する。

［作製方法例］
以下では、図２１～図２４を用いて、本実施の形態の表示装置の作製方法について、具
体的に説明する。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法
、化学気相堆積（ＣＶＤ：ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、
真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣ
ＶＤ：ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（
ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣＶＤ）法を使ってもよい。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ
、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ド
クターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法
により形成することができる。

表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することが
できる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。ま
たは、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工して
もよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して
、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有
する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と
、がある。

リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５
ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた
光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等
を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用
いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）やＸ
線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。
極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ま
しい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォト
マスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト
法などを用いることができる。

以下では、図１７に示す表示装置３００の作製方法の一例について説明する。図２１～
図２４では特に表示装置３００の表示部３６２に着目して、作製方法を説明する。

まず、基板３６１上に、着色層１３１を形成する（図２１（Ａ））。着色層１３１は、
感光性の材料を用いて形成することで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工するこ
とができる。なお、図１７に示す回路３６４等では、基板３６１上に遮光層１３２を設け
る。

次に、着色層１３１及び遮光層１３２上に、絶縁層１２１を形成する。

絶縁層１２１は、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層１２１には、アクリ
ル、エポキシなどの樹脂を好適に用いることができる。

絶縁層１２１には、無機絶縁膜を適用してもよい。絶縁層１２１としては、例えば、窒
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミ
ニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化ハフ
ニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜
、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用い
てもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

次に、電極１１３を形成する。電極１１３は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを
形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成でき
る。電極１１３は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。

次に、電極１１３上に、絶縁層１１７を形成する。絶縁層１１７には、有機絶縁膜を用
いることが好ましい。

次に、電極１１３及び絶縁層１１７上に、配向膜１３３ｂを形成する（図２１（Ａ））
。配向膜１３３ｂは、樹脂等の薄膜を形成した後に、ラビング処理を行うことで形成でき
る。

また、図２１（Ａ）を用いて説明した工程とは独立して、図２１（Ｂ）から図２４（Ａ
）までに示す工程を行う。

まず、作製基板３８１上に剥離層３８２を形成し、剥離層３８２上に絶縁層３８３を形
成する（図２１（Ｂ））。

この工程では、作製基板３８１を剥離する際に、作製基板３８１と剥離層３８２の界面
、剥離層３８２と絶縁層３８３の界面、又は剥離層３８２中で分離が生じるような材料を
選択する。本実施の形態では、絶縁層３８３と剥離層３８２の界面で分離が生じる場合を
例示するが、剥離層３８２や絶縁層３８３に用いる材料の組み合わせによってはこれに限
られない。

作製基板３８１は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、かつ作製工程にかかる温度に
対して耐熱性を有する。作製基板３８１に用いることができる材料としては、例えば、ガ
ラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる
。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス等が挙げられる。

剥離層３８２は、有機材料または無機材料を用いて形成することができる。

剥離層３８２に用いることができる無機材料としては、タングステン、モリブデン、チ
タン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、
該元素を含む合金、または該元素を含む化合物等が挙げられる。シリコンを含む層の結晶
構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

無機材料を用いる場合、剥離層３８２の厚さは、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好まし
くは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

無機材料を用いる場合、剥離層３８２は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ
法、蒸着法等により形成できる。

剥離層３８２に用いることができる有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン
系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

有機材料を用いる場合、剥離層３８２の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満である
ことが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上
１μｍ以下であることがさらに好ましい。剥離層３８２の厚さを上記範囲とすることで、
作製のコストを低減することができる。ただし、これに限定されず、剥離層３８２の厚さ
は、１０μｍ以上、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下としてもよい。

有機材料を用いる場合、剥離層３８２の形成方法としては、スピンコート、ディップ、
スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドク
ターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等が挙げら
れる。

絶縁層３８３としては、無機絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３８３には、例え
ば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化
アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸
化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タン
タル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等
を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

例えば、剥離層３８２に、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と当該金属材料
の酸化物を含む層との積層構造を適用し、絶縁層３８３に、窒化シリコン、酸化窒化シリ
コン、または窒化酸化シリコン等の無機絶縁膜を複数有する積層構造を適用してもよい。
剥離層３８２に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置を実現できる。なお、
剥離後に、表示装置にとって不要な層（剥離層３８２、絶縁層３８３など）を除去する工
程を有していてもよい。または、剥離層３８２または絶縁層３８３を除去せず、表示装置
の構成要素としてもよい。

次に、絶縁層３８３上に電極３１１ａを形成し、電極３１１ａ上に電極３１１ｂを形成
する（図２１（Ｃ））。電極３１１ｂは、電極３１１ａ上に開口４５１を有する。電極３
１１ａ及び電極３１１ｂは、それぞれ、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、
当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極
３１１ａは、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。電極３１１ｂは、可視光を反
射する導電材料を用いて形成する。

次に、絶縁層２２０を形成する（図２１（Ｄ））。そして、絶縁層２２０に電極３１１
ｂに達する開口を設ける。

絶縁層２２０は、剥離層３８２に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示
素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。剥離層３８２に有機材料
を用いる場合、絶縁層２２０は、剥離層３８２を加熱した際に、剥離層３８２に含まれる
水分等がトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐことが好ましい。そのため、絶縁
層２２０は、バリア性が高いことが好ましい。

絶縁層２２０としては、絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜及び樹脂等を用
いることができる。

次に、絶縁層２２０上に、トランジスタ２０５及びトランジスタ２０６を形成する。

トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物
半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含
む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む酸化物半導体等を適用で
きる。

ここではトランジスタ２０６として、半導体層２３１として酸化物半導体層を有する、
ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合を示す。トランジスタ２０５は、トラン
ジスタ２０６の構成に導電層２２３及び絶縁層２１２を追加した構成であり、２つのゲー
トを有する。

トランジスタの半導体層には、酸化物半導体を用いることが好ましい。シリコンよりも
バンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタ
のオフ状態における電流を低減できる。

具体的には、まず、絶縁層２２０上に、導電層２２１ａ及び導電層２２１ｂを形成する
。導電層２２１ａ及び導電層２２１ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し
、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。ここで
、絶縁層２２０の開口を介して、導電層２２１ｂと電極３１１ｂとが接続する。

続いて、絶縁層２１１を形成する。

絶縁層２１１としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を
用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム
膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリ
ウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用
いてもよい。

無機絶縁膜は、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成す
ることが好ましい。無機絶縁膜の成膜時の基板温度は、室温（２５℃）以上３５０℃以下
が好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。

続いて、半導体層２３１を形成する。本実施の形態では、半導体層２３１として、酸化
物半導体層を形成する。酸化物半導体層は、酸化物半導体膜を成膜した後、レジストマス
クを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで
形成できる。

酸化物半導体膜の成膜時の基板温度は、３５０℃以下が好ましく、室温以上２００℃以
下がより好ましく、室温以上１３０℃以下がさらに好ましい。

酸化物半導体膜は、不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方または双方を用いて成膜す
ることができる。なお、酸化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、
特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、酸
化物半導体膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ま
しく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。

酸化物半導体膜は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にイン
ジウム及び亜鉛を含むことが好ましい。

酸化物半導体は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上であることが好ましく、２．５ｅＶ
以上であることがより好ましく、３ｅＶ以上であることがさらに好ましい。このように、
エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減
することができる。

酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、例えば
ＰＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法などを用いてもよい。

なお、実施の形態４にて酸化物半導体の一例について説明する。

続いて、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂを形成する。導電層２２２ａ及び導電層２
２２ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした
後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層２２２ａ及び導電層２２２
ｂは、それぞれ、半導体層２３１と接続される。ここで、トランジスタ２０６が有する導
電層２２２ａは、導電層２２１ｂと電気的に接続される。これにより、接続部２０７では
、電極３１１ｂと導電層２２２ａを電気的に接続することができる。

なお、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われてい
ない半導体層２３１の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。

以上のようにして、トランジスタ２０６を作製できる（図２１（Ｄ））。トランジスタ
２０６において、導電層２２１ａの一部はゲートとして機能し、絶縁層２１１の一部はゲ
ート絶縁層として機能し、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれソースまたは
ドレインのいずれか一方として機能する。

次に、トランジスタ２０６を覆う絶縁層２１２を形成し、絶縁層２１２上に導電層２２
３を形成する。

絶縁層２１２は、絶縁層２１１と同様の方法により形成することができる。

トランジスタ２０５が有する導電層２２３は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを
形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成でき
る。

以上のようにして、トランジスタ２０５を作製できる（図２１（Ｄ））。トランジスタ
２０５において、導電層２２１ａの一部及び導電層２２３の一部はゲートとして機能し、
絶縁層２１１の一部及び絶縁層２１２の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層２２２
ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれソースまたはドレインのいずれか一方として機能する
。

次に、絶縁層２１３を形成する（図２１（Ｄ））。絶縁層２１３は、絶縁層２１１と同
様の方法により形成することができる。

また、絶縁層２１２として、酸素を含む雰囲気下で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化
シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。さらに、当該酸化シリコン膜や酸
化窒化シリコン膜上に、絶縁層２１３として、窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過し
にくい絶縁膜を積層することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で形成した酸化物絶縁膜は
、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放
出する酸化物絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を
行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給することができる。その結果、酸化物半導
体層中の酸素欠損、及び酸化物半導体層と絶縁層２１２の界面の欠陥を修復し、欠陥準位
を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い表示装置を実現できる。

次に、絶縁層２１３上に、着色層１３４を形成し（図２１（Ｄ））、その後、絶縁層２
１４を形成する（図２２（Ａ））。着色層１３４は、電極３１１ｂの開口４５１と重なる
ように配置する。

着色層１３４は、着色層１３１と同様の方法により形成することができる。絶縁層２１
４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する
ことが好ましい。絶縁層２１４は、絶縁層１２１に用いることのできる樹脂または無機絶
縁膜を援用できる。

次に、絶縁層２１２、絶縁層２１３、及び絶縁層２１４に、トランジスタ２０５が有す
る導電層２２２ｂに達する開口を形成する。

次に、電極１９１を形成する（図２２（Ａ））。電極１９１は、導電膜を成膜した後、
レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去するこ
とにより形成できる。ここで、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと電極１９１
とが接続する。電極１９１は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。

次に、電極１９１の端部を覆う絶縁層２１６を形成する（図２２（Ｂ））。絶縁層２１
６は、絶縁層１２１に用いることのできる樹脂または無機絶縁膜を援用できる。絶縁層２
１６は、電極１９１と重なる部分に開口を有する。

次に、ＥＬ層１９２及び電極１９３を形成する（図２２（Ｂ））。電極１９３は、その
一部が発光素子１７０の共通電極として機能する。電極１９３は、可視光を反射する導電
材料を用いて形成する。

ＥＬ層１９２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる
。ＥＬ層１９２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた
蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層１９２を画素毎
に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。

ＥＬ層１９２には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、
無機化合物を含んでいてもよい。

ＥＬ層１９２の形成後に行う各工程は、ＥＬ層１９２にかかる温度が、ＥＬ層１９２の
耐熱温度以下となるように行う。電極１９３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形
成することができる。

以上のようにして、発光素子１７０を形成することができる（図２２（Ｂ））。発光素
子１７０は、一部が画素電極として機能する電極１９１、ＥＬ層１９２、一部が共通電極
として機能する電極１９３が積層された構成を有する。発光素子１７０は、発光領域が着
色層１３４及び電極３１１ｂの開口４５１と重なるように作製する。

ここでは、発光素子１７０として、ボトムエミッション型の発光素子を作製する例を示
したが、本発明の一態様はこれに限られない。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。

次に、電極１９３を覆って絶縁層１９４を形成する（図２２（Ｂ））。絶縁層１９４は
、発光素子１７０に水などの不純物が拡散することを抑制する保護層として機能する。発
光素子１７０は、絶縁層１９４によって封止される。電極１９３を形成した後、大気に曝
すことなく、絶縁層１９４を形成することが好ましい。

絶縁層１９４は、例えば、上述した絶縁層１２１に用いることができる無機絶縁膜を適
用することができる。絶縁層１９４は、特に、バリア性の高い無機絶縁膜を含むことが好
ましい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜を積層して用いてもよい。

絶縁層１９４の成膜時の基板温度は、ＥＬ層１９２の耐熱温度以下の温度であることが
好ましい。絶縁層１９４は、ＡＬＤ法やスパッタリング法等を用いて形成することができ
る。ＡＬＤ法及びスパッタリング法は低温成膜が可能であるため好ましい。ＡＬＤ法を用
いると絶縁層１９４のカバレッジが良好となり好ましい。

次に、絶縁層１９４の表面に、接着層１４２を用いて基板３５１を貼り合わせる（図２
２（Ｃ））。

接着層１４２には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接
着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を
用いてもよい。

基板３５１には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリ
エーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロ
キサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を
用いることができる。基板３５１には、ガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の各
種材料を用いてもよい。基板３５１には、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹
脂、金属、合金、半導体等の各種材料を用いてもよい。

次に、作製基板３８１を剥離する（図２３（Ａ））。

分離面は、絶縁層３８３、剥離層３８２、及び作製基板３８１等の材料及び形成方法等
によって、様々な位置となり得る。

図２３（Ａ）では、剥離層３８２と絶縁層３８３との界面で分離が生じる例を示す。分
離により、絶縁層３８３が露出する。

分離を行う前に、剥離層３８２に分離の起点を形成してもよい。例えば、剥離層３８２
の一部または一面全体にレーザ光を照射してもよい。これにより、剥離層３８２を脆弱化
させる、または剥離層３８２と絶縁層３８３（または作製基板３８１）との密着性を低下
させることができる。

例えば、剥離層３８２に垂直方向に引っ張る力をかけることにより、作製基板３８１を
剥離することができる。具体的には、基板３５１の上面の一部を吸着し、上方に引っ張る
ことにより、作製基板３８１を引き剥がすことができる。

剥離層３８２と絶縁層３８３（または作製基板３８１）との間に、刃物などの鋭利な形
状の器具を差し込むことで分離の起点を形成してもよい。または、基板３５１側から鋭利
な形状の器具で剥離層３８２を切り込み、分離の起点を形成してもよい。

次に、絶縁層３８３を除去する。例えば、ドライエッチング法などを用いて絶縁層３８
３を除去することができる。これにより、電極３１１ａが露出する（図２３（Ｂ））。

次に、露出した電極３１１ａの表面に、配向膜１３３ａを形成する（図２４（Ａ））。
配向膜１３３ａは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、ラビング処理を行うことにより形成で
きる。

そして、図２１（Ａ）を用いて説明した工程が完了した基板３６１と、図２４（Ａ）ま
での工程が完了した基板３５１とを、液晶層１１２を挟んで貼り合わせる（図２４（Ｂ）
）。図２４（Ｂ）では示さないが、図１７等に示すように、基板３５１と基板３６１とは
接着層１４１で貼り合わされる。接着層１４１は、接着層１４２に用いることのできる材
料を援用できる。

図２４（Ｂ）に示す液晶素子１８０は、一部が画素電極として機能する電極３１１ａ（
及び電極３１１ｂ）、液晶層１１２、一部が共通電極として機能する電極１１３が積層さ
れた構成を有する。液晶素子１８０は、着色層１３１と重なるように作製する。

以上により、表示装置３００を作製することができる。

以上のように、本実施の形態の表示装置は、２種類の表示素子を有し、複数の表示モー
ドを切り替えて使用することができるため、周囲の明るさによらず、視認性が高く利便性
の高い。

本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例
を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣ
ＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－ＡｌｉｇｎｅｄＣｏｍｐｏｓｉｔｅ）－ＯＳの構成について説明す
る。

ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ
以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一
構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素
が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎ
ｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ
状ともいう。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウム
および亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イ
ットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、
ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム
、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が
含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳ（ＣＡＣ－ＯＳの中でもＩｎ－
Ｇａ－Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ－ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化
物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛
酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数
）とする。）と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とす
る。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およ
びＺ４は０よりも大きい実数）とする。）などと、に材料が分離することでモザイク状と
なり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布し
た構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２
、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導
体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数
比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、
第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう
場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ
_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１－ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（－１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で
表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお
、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ－ｂ面におい
ては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ－ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ－ＯＳとは、Ｉｎ、
Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に
観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞ
れモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、結
晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ－ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする
。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含
まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１
が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウ
ム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデ
ン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグ
ネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ－ＯＳは、一
部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とす
るナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成
をいう。

ＣＡＣ－ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形
成することができる。また、ＣＡＣ－ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガス
として、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれた
いずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素
ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ま
しくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ－ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法の
ひとつであるＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したとき
に、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領
域のａ－ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ－ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を
照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該
リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ－ＯＳ
の結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ－
ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ
線分光法（ＥＤＸ：ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ－ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏ
ｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域
と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合
している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ－ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、Ｉ
ＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分
である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互
いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ
_３などが主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ
_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸
化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ
_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効
果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３などが主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ
_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３など
が主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好な
スイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ－ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３などに起因する絶縁性と
、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用する
ことにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現すること
ができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ－ＯＳは、
ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

１０電子機器
１０ａ電子機器
１０ｂ電子機器
１０ｃ電子機器
１１筐体
１５直線
１５ａ交点
１５ｂ交点
１６直線
１６ａ交点
１６ｂ交点
２１表示部
２２表示部
２２ａ表示部
２２ｂ表示部
２５リューズ
２６ボタン
３１バンド取付け部
３２バンド取付け部
４１バンド
４２バンド
５１時針
５２分針
５３秒針
５４インデックス
５５日時情報
５６通知情報
５７アイコン
６１表示装置
６２表示装置
６３ＦＰＣ
６３ａＦＰＣ
６３ｂＦＰＣ
６４部材
６４ａ部材
６４ｂ部材
７１バッテリー
７２プリント基板
７３ＩＣ
７４振動モジュール
７５アンテナ
１１０ａトランジスタ
１１０ｂトランジスタ
１１０ｃトランジスタ
１１０ｄトランジスタ
１１０ｅトランジスタ
１１０ｆトランジスタ
１１０ｇトランジスタ
１１０ｈトランジスタ
１１２液晶層
１１３電極
１１７絶縁層
１２１絶縁層
１３１着色層
１３２遮光層
１３３ａ配向膜
１３３ｂ配向膜
１３４着色層
１３５偏光板
１４１接着層
１４２接着層
１５１絶縁層
１７０発光素子
１８０液晶素子
１９１電極
１９２ＥＬ層
１９３電極
１９４絶縁層
２０１トランジスタ
２０３トランジスタ
２０４接続部
２０５トランジスタ
２０６トランジスタ
２０７接続部
２１１絶縁層
２１２絶縁層
２１３絶縁層
２１４絶縁層
２１６絶縁層
２１７絶縁層
２１８絶縁層
２２０絶縁層
２２１導電層
２２１ａ導電層
２２１ｂ導電層
２２２ａ導電層
２２２ｂ導電層
２２３導電層
２３１半導体層
２４２接続層
２４３接続体
２５２接続部
２６１半導体層
２６３ａ導電層
２６３ｂ導電層
２８１トランジスタ
２８４トランジスタ
２８５トランジスタ
２８６トランジスタ
３００表示装置
３００Ａ表示装置
３００Ｂ表示装置
３００Ｃ表示装置
３１１電極
３１１ａ電極
３１１ｂ電極
３４０液晶素子
３５１基板
３６０発光素子
３６０ｂ発光素子
３６０ｇ発光素子
３６０ｒ発光素子
３６０ｗ発光素子
３６１基板
３６２表示部
３６４回路
３６５配線
３７２ＦＰＣ
３７３ＩＣ
３８１作製基板
３８２剥離層
３８３絶縁層
４００表示装置
４１０画素
４５１開口
５００表示装置
５０１表示部
５３０画素ユニット
５３１Ｂ表示素子
５３１Ｇ表示素子
５３１ｐ画素
５３１Ｒ表示素子
５３１Ｗ表示素子
５３２Ｂ表示素子
５３２Ｇ表示素子
５３２Ｗ表示素子
５３２ｐ画素
５３２Ｒ表示素子
５３２Ｙ表示素子
５３５ｒ光
５３５ｔ光
５３５ｔｒ光
６５１タッチパネル
６５２タッチパネル
６６１演算部
６６２バスライン
６６４記憶装置
６７１ディスプレイコントローラ
６７２タッチセンサコントローラ
６７３バッテリーコントローラ
６７４受電部
６７５バッテリーモジュール
６７６サウンドコントローラ
６７７音声入力部
６７８音声出力部
６８１通信モジュール
６８２アンテナ
６８３姿勢検出部
６８５外部インターフェース
６８６カメラモジュール
６８７振動モジュール
６８８センサモジュール

Claims

第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上方に配置された領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に配置された領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に配置された領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層の上方に配置された領域を有する第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上方に配置された領域を有する第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層の上方に配置された領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層の上方に配置された領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層の上方に配置された領域を有する第４の導電層と、
前記第４の導電層の上方に配置された領域を有する第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層の上方に配置された領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第４の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第５の絶縁層は、第２の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第５の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第５の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第６の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第４の導電層と電気的に接続される、表示装置。
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上方に配置された領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に配置された領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に配置された領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層の上方に配置された領域を有する第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上方に配置された領域を有する第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層の上方に配置された領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層の上方に配置された領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層の上方に配置された領域を有する第４の導電層と、
前記第４の導電層の上方に配置された領域を有する第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層の上方に配置された領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第４の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第５の絶縁層は、第２の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第５の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第５の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第６の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第４の導電層と電気的に接続される、表示装置。
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上方に配置された領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に配置された領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に配置された領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層の上方に配置された領域を有する第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上方に配置された領域を有する第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層の上方に配置された領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層の上方に配置された領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層の上方に配置された領域を有する第４の導電層と、
前記第４の導電層の上方に配置された領域を有する第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層の上方に配置された領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第４の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第５の絶縁層は、第２の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第５の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第６の絶縁層は、樹脂を有し、
前記第５の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第６の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第４の導電層と電気的に接続される、表示装置。
第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上方に配置された領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方に配置された領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に配置された領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層の上方に配置された領域を有する第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層の上方に配置された領域を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上方に配置された領域を有する第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層の上方に配置された領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層の上方に配置された領域を有する第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層の上方に配置された領域を有する第４の導電層と、
前記第４の導電層の上方に配置された領域を有する第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層の上方に配置された領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、且つ、第２のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第１のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、窒化シリコンを有し、
前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第４の絶縁層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第５の絶縁層は、第２の層間絶縁層として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第５の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第６の絶縁層は、樹脂を有し、
前記第５の導電層は、発光素子の画素電極として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、導電性酸化物を有し、
前記第５の導電層は、前記第６の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記第４の導電層と電気的に接続される、表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示装置の作製方法であって、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記第２の半導体層は、原子層堆積法を用いて形成されたものである、表示装置の作製方法。