JP7390674B2 - 投影システム - Google Patents

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Description

本開示は、一般に、投影システムに関し、より詳細には、投影光学系を備える投影システムに関するものである。
従来、光源部と、光源部からの光を画素毎に制御して光学像を形成する空間光変調素子と、空間光変調素子で形成された光学像を対象スクリーンまで投影する投影光学系と、を備えるプロジェクタ装置が提案されている（特許文献１）。
光源部は、固体光源と、波長変換素子と、を含む。固体光源は、４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する青色光及び４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する緑色光を含む第１の光を発する。波長変換素子は、少なくとも、Ｃｅを発光中心として含む赤色蛍光体を含む。赤色蛍光体は、緑色光を受光した場合に第２の光を発する。第２の光のスペクトルは、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内にピーク波長を有する。
特許文献１に記載された照明器具では、波長変換光の強度を高めることが難しかった。
特開２０１８－１３８９９１号公報
本開示の目的は、温度上昇を抑制可能な投影システムを提供することにある。
本開示に係る一態様の投影システムは、光源ユニットと、空間光変調ユニットと、投影光学系と、を備える。前記空間光変調ユニットは、前記光源ユニットからの出射光を制御して光学像を形成する。前記投影光学系は、前記空間光変調ユニットで形成された光学像を投影する。前記光源ユニットは、光ファイバと、第１光源部と、複数の第２光源部と、を備える。前記光ファイバは、光入射部と、光出射部と、波長変換部と、を有する。前記波長変換部は、前記光入射部と前記光出射部との間に設けられている。前記波長変換部は、波長変換要素を含む。前記波長変換要素は、励起光によって励起され前記励起光よりも長波長の自然放出光を発生可能であり、かつ、自然放射増幅光によって励起可能である。前記第１光源部は、前記励起光を前記光入射部に入射させる。前記複数の第２光源部は、前記励起光あるいは前記自然放射増幅光によって励起された前記波長変換要素から誘導放出光を発生させるためのシード光を出力し、前記光入射部に入射させる。前記複数の第２光源部それぞれから出力される前記シード光は、互いに異なる波長を有する。前記光ファイバの前記光出射部から出射される混色光は、インコヒーレント光である。
図１は、実施形態１に係る投影システムの構成図である。 図２は、同上の投影システムにおける光ファイバの断面図である。 図３Ａ～３Ｃは、同上の投影システムにおける光源ユニットの動作原理の説明図である。 図４は、実施形態２に係る投影システムの構成図である。 図５は、実施形態３に係る投影システムの構成図である。 図６は、実施形態４に係る投影システムの構成図である。 図７は、実施形態５に係る投影システムの構成図である。 図８は、実施形態６に係る投影システムの構成図である。
下記の実施形態１～６等において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態１）
以下では、実施形態１に係る投影システム１００について図１～３Ｃに基づいて説明する。
（１）概要
投影システム１００は、図１に示すように、光源ユニット１と、空間光変調ユニット３と、投影光学系４と、を備える。投影システム１００では、光源ユニット１から出射された白色光が空間光変調ユニット３で変調されて投影光学系４から投影される。投影システム１００は、例えば、プロジェクタであるが、これに限らず、例えば、リアプロジェクションシステム又はヘッドアップディスプレイであってもよい。光源ユニット１は、光ファイバ２と、第１光源部１１と、第２光源部１２と、を有しており、光ファイバ２の光出射部２２から白色光が出射されるように構成されている。
（２）投影システムの構成
投影システム１００は、図１に示すように、光源ユニット１と、空間光変調ユニット３と、投影光学系４と、を備える。また、投影システム１００は、光源ユニット１からの光（白色光）を赤色光、緑色光及び青色光の光に分離する光分離ユニット５を更に備える。
以下では、光分離ユニット５、空間光変調ユニット３及び投影光学系４について説明した後、光源ユニット１について説明する。
（２．１）光分離ユニット
光分離ユニット５は、第１ダイクロイックミラー５１と、第２ダイクロイックミラー５２と、第１ミラー５３と、第２ミラー５４と、第３ミラー５５と、を含む。
第１ダイクロイックミラー５１及び第１ミラー５３は、光ファイバ２の光軸の延長線上において、光ファイバ２の光出射部２２側から第１ダイクロイックミラー５１、第１ミラー５３の順に配置されている。第１ダイクロイックミラー５１と第１ミラー５３とは略平行である。また、第１ダイクロイックミラー５１と第２ダイクロイックミラー５２と第２ミラー５４とは、第１ダイクロイックミラー５１と第１ミラー５３との並んでいる第１方向Ｄ１とは直交する第２方向Ｄ２において、第１ダイクロイックミラー５１と第２ミラー５４との間に第２ダイクロイックミラー５２が位置している。第１ダイクロイックミラー５１と第２ダイクロイックミラー５２と第２ミラー５４とは、略平行である。第２ミラー５４と第３ミラー５５とは、第１方向Ｄ１において第２ミラー５４、第３ミラー５５の順に並んでいる。第１ミラー５３と第３ミラー５５とは、第２方向Ｄ２において並んでいる。第２ミラー５４と第３ミラー５５とは非平行である。第１ミラー５３と第３ミラー５５とは非平行である。
第１ダイクロイックミラー５１は、光源ユニット１から出射された光（白色光）の赤色光を透過させ、緑色光成分と青色光成分とを含むシアン光を第２ダイクロイックミラー５２側へ反射する。
第１ダイクロイックミラー５１を透過した赤色光は、第１ミラー５３で反射され空間光変調ユニット３に入射する。
第２ダイクロイックミラー５２は、第１ダイクロイックミラー５１で反射されたシアン光のうち緑色光を空間光変調ユニット３側へ反射し、かつ、青色光を透過する。
第２ミラー５４は、第２ダイクロイックミラー５２を透過した青色光を第３ミラー５５側へ反射する。
第３ミラー５５は、第２ミラー５４で反射られた青色光を空間光変調ユニット３側へ反射する。
（２．２）空間光変調ユニット
空間光変調ユニット３は、光源ユニット１からの出射光を制御して光学像を形成する。空間光変調ユニット３は、光分離ユニット５と投影光学系４とで囲まれている。空間光変調ユニット３は、第１液晶パネル３１と、第２液晶パネル３２と、第３液晶パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３４と、を含む。空間光変調ユニット３では、クロスダイクロイックプリズム３４は、第２方向Ｄ２において、第１液晶パネル３１と第３液晶パネル３３との間に位置し、第１方向Ｄ１において第２液晶パネル３２と投影光学系４との間に位置している。
クロスダイクロイックプリズム３４は、第１液晶パネル３１を透過した赤色光と、第２液晶パネル３２を透過した緑色光と、第３液晶パネル３３を透過した青色光と、を合成して投影光学系４に入射させるように配置されている。
クロスダイクロイックプリズム３４は、第１液晶パネル３１からの赤色光を反射し第２ダイクロイックミラー５２からの緑色光を透過する第１膜（第１誘電体多層膜）３４１と、第３ミラー５５からの青色光を反射し第２ダイクロイックミラー５２からの緑色光を透過する第２膜（第２誘電体多層膜）３４２と、を含む。第１膜３４１と第２膜３４２とは互いに直交するように配置されている。第１膜３４１は、第１ミラー５３及び第２ダイクロイックミラー５２と略平行である。第２膜３４２は、第３ミラー５５と略平行である。
第１液晶パネル３１には、第１ミラー５３で反射された赤色光が入射する。第２液晶パネル３２には、第２ダイクロイックミラー５２で反射された緑色光が入射する。第３液晶パネル３３には、第３ミラー５５で反射された青色光が入射する。
第１液晶パネル３１、第２液晶パネル３２及び第３液晶パネル３３は、例えば、アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶ディスプレイであるが、これに限らない。第１液晶パネル３１、第２液晶パネル３２及び第３液晶パネル３３は、制御部８によって制御される。制御部８は、例えば、外部装置から与えられた画像情報（画像信号）に従って、第１液晶パネル３１、第２液晶パネル３２及び第３液晶パネル３３を制御する。これにより、空間光変調ユニット３は、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ光学像の画素ごとに変調してクロスダイクロイックプリズム３４によって合成することで形成された光学像の光を、投影光学系４に入射させることができる。投影システム１００は、制御部８によって第１液晶パネル３１、第２液晶パネル３２及び第３液晶パネル３３を適宜制御することにより、投影光学系４からカラー画像を投影することができる。カラー画像は、静止画像でもよいし、動画像でもよい。
制御部８は、コンピュータシステムを含んでいる。コンピュータシステムは、ハードウェアとしてのプロセッサ及びメモリを主構成とする。コンピュータシステムのメモリに記録されたプログラムをプロセッサが実行することによって、本開示における制御部８としての機能が実現される。プログラムは、コンピュータシステムのメモリに予め記録されてもよく、電気通信回線を通じて提供されてもよく、コンピュータシステムで読み取り可能なメモリカード、光学ディスク、ハードディスクドライブ等の非一時的記録媒体に記録されて提供されてもよい。コンピュータシステムのプロセッサは、半導体集積回路（ＩＣ）又は大規模集積回路（ＬＳＩ）を含む１ないし複数の電子回路で構成される。ここでいうＩＣ又はＬＳＩ等の集積回路は、集積の度合いによって呼び方が異なっており、システムＬＳＩ、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）、又はＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integration）と呼ばれる集積回路を含む。さらに、ＬＳＩの製造後にプログラムされる、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、又はＬＳＩ内部の接合関係の再構成若しくはＬＳＩ内部の回路区画の再構成が可能な論理デバイスについても、プロセッサとして採用することができる。複数の電子回路は、１つのチップに集約されていてもよいし、複数のチップに分散して設けられていてもよい。複数のチップは、１つの装置に集約されていてもよいし、複数の装置に分散して設けられていてもよい。ここでいうコンピュータシステムは、１以上のプロセッサ及び１以上のメモリを有するマイクロコントローラを含む。したがって、マイクロコントローラについても、半導体集積回路又は大規模集積回路を含む１ないし複数の電子回路で構成される。
（２．３）投影光学系
投影光学系４は、空間光変調ユニット３からの合成光を含む画像（カラー画像）を投影する。投影光学系４から出射された画像は、例えば、投影光学系４の光軸の延長線に交差するスクリーン上に投影される。投影光学系４は、クロスダイクロイックプリズム３４からの画像を投影する投影レンズ（投射レンズ）４１を含む。投影レンズ４１は、マルチレンズである。
（２．４）光源ユニット
光源ユニット１は、図１に示すように、波長変換要素（元素）を添加された光ファイバ２（図２参照）に、波長変換要素を励起するための励起光Ｐ１と、励起光Ｐ１によって励起された波長変換要素から誘導放出光Ｐ３（図３Ｃ参照）を発生させるためのシード光Ｐ２と、を入射させる。光ファイバ２からは、励起光Ｐ１と誘導放出光Ｐ３とを含む光が出射される。図３Ａ～３Ｃは、投影システム１００における光源ユニット１の動作原理の説明図である。図３Ａ、３Ｂ及び３Ｃの縦軸は、電子エネルギである。また、図３Ａの上向きの矢印は、励起光Ｐ１の吸収を示している。また、図３Ｃの下向きの矢印は、自然放出光あるいは誘導放出光Ｐ３に関する遷移を示している。投影システム１００では、光ファイバ２に入射した励起光Ｐ１によって、波長変換要素の基底準位Ｅ０（複数のエネルギ準位を含む）にあった電子ｅ－が励起準位Ｅ２に励起される。そして、励起準位Ｅ２の電子ｅ－が励起準位Ｅ２よりもエネルギの低い準安定準位Ｅ１に遷移する。その後、例えば準安定準位Ｅ１と基底準位Ｅ０の複数のエネルギ準位のうち上位のエネルギ準位（以下、第２エネルギ準位ともいう）とのエネルギ差に相当する波長のシード光Ｐ２（Ｐ２２）によって準安定準位Ｅ１の電子ｅ－が第２エネルギ準位に遷移するときに誘導放出光Ｐ３（Ｐ３２）が発生する。また、準安定準位Ｅ１と基底準位Ｅ０の複数のエネルギ準位のうち第２エネルギ準位よりも低い第１エネルギ準位とのエネルギ差に相当する波長のシード光Ｐ２（Ｐ２１）によって準安定準位Ｅ１の電子ｅ－が当該別のエネルギ準位に遷移するときに、誘導放出光Ｐ３（Ｐ３１）が発生する。
光源ユニット１は、図１に示すように、光ファイバ２と、第１光源部１１と、第２光源部１２と、を備える。第１光源部１１は、励起光Ｐ１を光入射部２１に入射させる。第２光源部１２は、励起光Ｐ１によって励起された波長変換要素から、誘導放出光Ｐ３を発生させるためのシード光Ｐ２（以下、外部シード光Ｐ２ともいう）を、光入射部２１に入射させる。
（２．４．１）光ファイバ
光ファイバ２は、図２に示すように、コア２４と、クラッド２５と、被覆部２６と、を有する。クラッド２５は、コア２４の外周面を覆っている。被覆部２６は、クラッド２５の外周面を覆っている。コア２４に関し、光軸方向に直交する断面形状は、円形状である。クラッド２５は、コア２４と同軸状に配置されている。
コア２４は、第１端面と、コア２４の長さ方向において第１端面とは反対側の第２端面と、を有する。コア２４は、透光性材料と、波長変換要素と、を含む。コア２４における波長変換要素の濃度は、コア２４の全長に亘って略均一であってもよいし、均一でなくてもよい。コア２４の屈折率は、コア２４の主成分である上述の透光性材料の屈折率と略同じである。また、コア２４は、コア２４の長さ方向において、波長変換要素を含有している部分と、波長変換要素を含有していない部分と、が並んでいてもよい。
透光性材料は、例えば、フッ化物、酸化物、又は窒化物のいずれかである。フッ化物は、例えば、フッ化物ガラスである。酸化物は、例えば、酸化ケイ素、石英等である。
波長変換要素は、希土類元素である。ここにおいて、波長変換要素は、例えば、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｎｄ及びＭｎの群から選択される元素を含む。波長変換要素は、希土類元素のイオンとしてコア２４に含有されており、例えば、Ｐｒのイオン（Ｐｒ３＋）、Ｔｂのイオン（Ｔｂ３＋）として含有されている。波長変換要素は、励起光Ｐ１によって励起されるか、あるいは自身とは別の波長変換要素から発せられた自然放出光を内部シード光として増幅された光、即ち自然放射増幅光（ＡＳＥ）によって励起されてもよい。このような励起を介して、波長変換要素は、波長変換要素の元素特有のＡＳＥを放出し、併せて外部シード光Ｐ２の波長と同じ波長の誘導放出光を発生し、これらを合わせて誘導放出光Ｐ３として放出する。ＡＳＥ及び外部シード光Ｐ２の波長は、励起光Ｐ１の波長（例えば、４４０～４５０ｎｍ）よりも長波長である。シード光Ｐ２の波長については、「（２．４．３）第２光源部」の欄で説明する。
Ｐｒ３＋はシアン～赤色の範囲でＡＳＥあるいはシード光の増幅光を放出できる波長変換要素である。誘導放出光の強度は、内部シード光（自然放出光）及び外部シード光の強さに依存する。コア２４がＰｒ３＋とＴｂ３＋とを含有している場合、Ｔｂ３＋は、Ｐｒ３＋からのＡＳＥを吸収して励起され、Ｔｂ３＋特有の波長のＡＳＥを発生することもできる。
クラッド２５の屈折率は、コア２４の屈折率よりも小さい。クラッド２５は、コア２４の含有している波長変換要素を含まない。
被覆部２６の材料は、例えば、樹脂である。
光ファイバ２は、光入射部２１と、光出射部２２と、波長変換部２３と、を有する。光ファイバ２は、光入射部２１を含む第１端部２１０と、光出射部２２を含む第２端部２２０と、を有している。
光入射部２１は、励起光Ｐ１が入射する部分であり、例えば、コア２４の第１端面を含む。光出射部２２は、励起光Ｐ１と、ＡＳＥを含む誘導放出光Ｐ３と、を含む光が出射するコア２４の第２端面を含む。
光入射部２１は、光ファイバ２の外部から光入射部２１に入射する励起光Ｐ１の反射を低減する反射低減部を含んでいてもよい。反射低減部は、例えば、コア２４の第１端面を覆うアンチリフレクションコートであってもよい。
波長変換部２３は、光入射部２１と光出射部２２との間に設けられている。波長変換部２３は、励起光Ｐ１によって励起され励起光Ｐ１よりも長波長の光を放射する波長変換要素を含む。波長変換要素は、励起光Ｐ１を吸収して励起光Ｐ１よりも長波長の自然放出光又はシード光を誘導放出によって増幅することができる元素である。
コア２４の直径は、例えば、２５μｍ～５００μｍである。光ファイバ２の長さは、例えば、３ｍ～１０ｍである。波長変換部２３の長さについては、波長変換部２３における波長変換要素の濃度が低いほど長いほうが好ましい。光ファイバ２の開口数は、例えば、０．２２である。波長変換部２３における波長変換要素の濃度は、コア２４における波長変換要素の濃度である。
（２．４．２）第１光源部
第１光源部１１は、光ファイバ２の波長変換部２３に含まれる波長変換要素を励起するための励起光Ｐ１を出射する。第１光源部１１から出射された励起光Ｐ１は、光ファイバ２の光入射部２１へ入射される。波長変換要素をより効率的に励起する観点から、励起光Ｐ１の波長は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましい。
第１光源部１１は、例えば、レーザ光源を含む。レーザ光源は、レーザ光を出射する。第１光源部１１から出射された励起光Ｐ１（レーザ光源から出射したレーザ光）は、光入射部２１へ入射される。レーザ光源は、例えば、青色のレーザ光を出射する半導体レーザである。この場合、励起光Ｐ１の波長は、例えば、４４０ｎｍ～４５０ｎｍである。この場合、励起光Ｐ１の一部は、波長変換要素を励起せずに光ファイバ２内を伝搬して光出射部２２から青色光として出射される。
（２．４．３）第２光源部
第２光源部１２は、シード光Ｐ２を出射する。第２光源部１２から出射されたシード光Ｐ２は、光ファイバ２の光入射部２１へ入射される。
光源ユニット１は、複数（例えば、２つ）の第２光源部１２を備える。２つの第２光源部１２は、例えば、互いに波長の異なる一の波長のシード光Ｐ２を出射する。以下では、説明の便宜上、２つの第２光源部１２のうち１つの第２光源部１２を第２光源部１２１と称し、残りの１つの第２光源部１２を第２光源部１２２と称することもある。第２光源部１２１は、例えば、緑色の光を出射する半導体レーザである。また、第２光源部１２２は、例えば、赤色の光を出射する半導体レーザである。波長変換部２３の波長変換要素がＰｒ３＋を含む場合、緑色のシード光Ｐ２１の波長は、例えば約５２０ｎｍであり、赤色のシード光Ｐ２２の波長は、例えば約６４０ｎｍであるのが好ましい。各第２光源部１２は、準単色光を放射する光源である。ここにおいて、準単色光とは、狭い波長範囲（例えば、１０ｎｍ）に含まれる光である。光源ユニット１における第２光源部１２の数は、２つに限らず、３つ以上でもよいし、１つでもよい。光源ユニット１は、第２光源部１２を３つ備える場合、３つの第２光源部１２として、緑色の光を出射する半導体レーザと、赤色の光を出射する半導体レーザと、オレンジ色の光を出射する半導体レーザと、を備えていてもよい。オレンジ色のシード光の波長は、例えば約６００ｎｍであるのが好ましい。
第２光源部１２１から出射した光は、シード光Ｐ２（Ｐ２１）として、光ファイバ２の光入射部２１に入射される。また、第２光源部１２２から出射した光は、シード光Ｐ２（Ｐ２２）として、光ファイバ２の光入射部２１に入射される。
（２．４．４）光源ユニットの動作
光源ユニット１では、第１光源部１１から励起光Ｐ１を出射させ、かつ、第２光源部１２からシード光Ｐ２を出射させる。これにより、光源ユニット１では、励起光Ｐ１及びシード光Ｐ２を光ファイバ２の光入射部２１に入射させる。光ファイバ２の光入射部２１に入射した励起光Ｐ１の一部は、光ファイバ２の光出射部２２から出射される。光源ユニット１では、光ファイバ２の光出射部２２から出射される光は、励起光Ｐ１と、波長変換要素から発生する波長約４８０ｎｍのＡＳＥ、及びシード光Ｐ２の波長と同じ波長の誘導放出光（Ｐ３）と、の混色光である。複数のシード光Ｐ２１，Ｐ２２に一対一に対応し互いに波長の異なる２種類の誘導放出光Ｐ３１，Ｐ３２は、例えば、それぞれ、緑色光、赤色光である。この場合、混色光は、例えば、白色光である。なお、図３Ｃにおいて下側の誘導放出光Ｐ３（Ｐ３１）が、緑色光であり、上側の誘導放出光Ｐ３（Ｐ３２）が赤色光である。
光ファイバ２では、自然放出光とシード光Ｐ２により誘導放出が生じるので、光入射部２１に入射した励起光Ｐ１と、誘導放出により増幅された誘導放出光Ｐ３とが光出射部２２から出射する。光ファイバ２の光出射部２２から出射される光のうちシード光Ｐ２１の波長と同じ波長の誘導放出光Ｐ３の強度は、第２光源部１２１から光入射部２１に入射させるシード光Ｐ２１の強度よりも大きい。また、光ファイバ２の光出射部２２から出射される光のうちシード光Ｐ２２の波長と同じ波長の誘導放出光Ｐ３の強度は、第２光源部１２２から光入射部２１に入射させるシード光Ｐ２２の強度よりも大きい。光ファイバ２の光出射部２２から出射される混色光は、インコヒーレント光である。光源ユニット１では、光ファイバ２の光入射部２１から光出射部２２に近づくにつれて誘導放出光Ｐ３が増加、又は減少する。光源ユニット１では、ＡＳＥの波長とシード光Ｐ２の波長とに応じて、光出射部２２から出射される光の色度、色温度、演色性等が決まる。なお、光源ユニット１の動作は、レーザ発振するファイバレーザの動作とは異なる。
光源ユニット１では、発熱源となる波長変換要素が光ファイバ２のコア２４に分散されているので、使用時の温度上昇を抑制できる。
（２．５）その他の構成要素
投影システム１００では、光源ユニット１が、第１光源部１１及び第２光源部１２を収納するユニット筐体１５を備えている。
光源ユニット１は、励起光Ｐ１及び各シード光Ｐ２を光ファイバ２の光入射部２１へ入射するための光結合部１６を更に有していてもよい。光結合部１６は、ユニット筐体１５の開口部１５１に配置されている。光結合部１６は、導波路型カプラが挙げられるが、これに限らず、例えば、光ファイバ型カプラや、その他の多波長コンバイナでもよい。導波路型カプラ、光ファイバ型カプラ、多波長コンバイナ等の光路の材料は、例えば、石英であるが、これに限らない。また、光源ユニット１は、光結合部１６がレンズを含むように構成し、励起光Ｐ１を導入するための光結合部１６のレンズにシード光Ｐ２も導入してもよい。第１光源部１１と第２光源部１２が、それぞれ光ファイバで励起光Ｐ１とシード光Ｐ２を出射する構造の場合には、それぞれの光ファイバを出射光が光結合部１６に導入されるよう配置すればよい。さらに、光源ユニット１は、レンズ、ミラー、プリズム、光を通すスリットを有する光学部材、その他の光学部材を用いて、光ファイバ２の光入射部２１への入射光（励起光Ｐ１及び各シード光Ｐ２）を調節してもよい。これらの光学部材を用いた調整は、第１光源部１１又は第２光源部１２が光ファイバで出射する場合にも、適宜、組み合わせることも可能である。なお、光結合部１６における、励起光Ｐ１又はシード光Ｐ２の導入部には、反射低減部を含んでいてもよい。反射低減部は、例えば、アンチリフレクションコートであってもよい。
また、光源ユニット１は、送風機１７を更に備える。送風機１７は、ユニット筐体１５内に配置されている。光源ユニット１は、送風機１７を備えるので、ユニット筐体１５内の空気を冷却することが可能となり、第１光源部１１及び複数の第２光源部１２それぞれの温度上昇を抑制することができる。
投影システム１００の筐体６は、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する方向から見て、４つの側壁を有している。４つの側壁は、第１方向Ｄ１に交差する第１側壁６１及び第２側壁６２と、第２方向Ｄ２に交差する第３側壁６３及び第４側壁６４と、を含む。筐体６は、投影光学系４に対向する第１側壁６１に、投影光学系４からの光を出射させるための開口部６１１を有している。筐体６は、送風機１７に対向する第３側壁６３に、複数の通気孔６３１を有している。
また、投影システム１００の筐体６は、光ファイバ２の少なくとも一部に対向する第２側壁６２に、複数の通気孔６２１を有している。これにより、実施形態１に係る投影システム１００では、光ファイバ２の波長変換部２３で発生した熱を放熱させやすくなる。実施形態１に係る投影システム１００では、第２側壁６２の通気孔６２１が、少なくとも波長変換部２３を冷却する冷却部を構成している。冷却部は、通気孔６２１に限らず、例えば、筐体６内に配置される送風機であってもよい。また、投影システム１００では、光ファイバ２を筐体６に接するように配置することで、筐体６が冷却部を兼ねていてもよい。この場合、筐体６のうち少なくとも光ファイバ２に接する部分の材料は、金属を含むのが好ましい。
また、投影システム１００は、筐体６内において光ファイバ２を保持している保持部７を更に備える。保持部７は、例えば、光ファイバ２の一径方向において光ファイバ２の両側に位置し筐体６の底壁６０から突出している２つの突起７１のペアを複数ペア（図１では４ペア）含んでいる。ペアとなる２つの突起７１の最短距離は、光ファイバ２の直径よりも大きい。各突起７１の形状は、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する第３方向から見て、長円状であるが、これに限らない。各突起７１の突出寸法は、保持部７により光ファイバ２を安定して保持する観点から、光ファイバ２の半径以上であるのが好ましく、光ファイバ２の直径以上であるのが、より好ましい。各突起７１は、筐体６と一体に形成されていているが、これに限らず、筐体６とは別部材で形成されて筐体６に固定されていてもよい。光ファイバ２の熱を効率よく放熱させる観点から、各突起７１の材料は、光ファイバ２よりも熱伝導率の高い材料であるのが好ましい。
実施形態１に係る投影システム１００では、光ファイバ２は、筐体６内において曲がった状態で保持部７に保持されている。
また、光源ユニット１は、光ファイバ２の光出射部２２から出射される光（白色光）をコリメートするコリメートレンズ１９を更に備えている。これにより、光源ユニット１から出射される光は、コリメート光となる。
また、実施形態１に係る投影システム１００は、光軸調整部材１８を更に備える。光軸調整部材１８には、光ファイバ２の第２端部２２０が固定されている。光軸調整部材１８は、筐体６内に配置されている光学基台部に固定されている。光学基台部は、コリメートレンズ１９、空間光変調ユニット３及び投影光学系４を保持する部材である。光軸調整部材１８は、例えば、光ファイバ２の第２端部２２０が固定されるＶ字状の溝が形成された部材であるが、これに限らず、光ファイバ２の第２端部２２０が固定される光コネクタであってもよい。光学基台部は、筐体６とは別部材で形成されて筐体６に固定されているが、これに限らず、筐体６に一体に形成されていてもよい。
また、投影システム１００は、第１光源部１１を駆動する第１駆動回路と、複数の第２光源部１２に一対一に対応し対応する第２光源部１２を駆動する複数の第２駆動回路と、第１駆動回路及び複数の第２駆動回路を個別に制御する制御回路１０と、を含む。投影システム１００は、制御回路１０が第１駆動回路及び複数の第２駆動回路を個別に制御することにより、光ファイバ２（の光出射部２２）から出射される光の出力を調整できる。第１駆動回路及び複数の第２駆動回路には、例えば、電源ユニットに含まれている第１電源回路から電源電圧が供給される。また、制御回路には、例えば、電源ユニットに含まれている第２電源回路から電源電圧が供給される。第１電源回路及び第２電源回路は、投影システム１００の構成要素に含まれないが、これに限らず、投影システム１００の構成要素に含まれてもよい。
（３）まとめ
実施形態１に係る投影システム１００は、光源ユニット１と、空間光変調ユニット３と、投影光学系４と、を備える。空間光変調ユニット３は、光源ユニット１からの出射光を制御して光学像を形成する。投影光学系４は、空間光変調ユニット３で形成された光学像を投影する。光源ユニット１は、光ファイバ２と、第１光源部１１と、第２光源部１２と、を備える。光ファイバ２は、光入射部２１と、光出射部２２と、波長変換部２３と、を有する。波長変換部２３は、光入射部２１と光出射部２２との間に設けられている。波長変換部２３は、波長変換要素を含む。波長変換要素は、励起光Ｐ１によって励起され励起光Ｐ１よりも長波長の自然放出光を発生可能であり、かつ、自然放射増幅光によって励起可能である。第１光源部１１は、励起光Ｐ１を光入射部２１に入射させる。第２光源部１２は、励起光Ｐ１あるいは自然放射増幅光によって励起された波長変換要素から誘導放出光Ｐ３を発生させるためのシード光Ｐ２を、光入射部２１に入射させる。
実施形態１に係る投影システム１００では、温度上昇を抑制することが可能となる。
また、実施形態１に係る投影システム１００は、波長変換部２３が波長変換要素としてＰｒ３＋を含有しており、シアン色のＡＳＥを放出するのみならず、複数波長のシード光Ｐ２を光入射部２１に入射させるので、緑色の誘導放出光、赤色の誘導放出光それぞれの強度を高めることができる。これにより、実施形態１に係る投影システム１００は、光源ユニット１から出射される光（白色光）の演色性を向上させることが可能となり、空間光変調ユニット３から出射される白色光の演色性を向上させることが可能となる。また、実施形態１に係る投影システム１００は、波長変換部２３が２種類の波長変換要素としてＰｒ３＋とＴｂ３＋とを含有しているので、光源ユニット１から出射される光の演色性を更に向上させることが可能となる。
（実施形態２）
以下、実施形態２に係る投影システム１００ａについて、図４に基づいて説明する。
実施形態２に係る投影システム１００ａは、実施形態１に係る投影システム１００における保持部７の代わりに、保持部７ａを備える点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。実施形態２に係る投影システム１００ａに関し、実施形態１に係る投影システム１００と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
保持部７ａは、２つの突起７１の複数ペアのうちの１つのペアに代えて、互いに形状の異なる突起７１１ａと突起７１２ａとのペアを含んでいる。突起７１１ａの形状は、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とに直交する第３方向から見て、長円状である。突起７１２ａは、第３方向から見て、突起７１１ａよりも大きい。突起７１１ａと突起７１２ａとの最短距離は、光ファイバ２の直径よりも大きい。突起７１２ａの形状は、第３方向から見て、光ファイバ２の許容曲げ半径よりも大きな半径を有する円形状である。実施形態２に係る投影システム１００ａでは、光ファイバ２の一部が、突起７１２ａに巻かれており、突起７１１ａと突起７１２ａとによって保持されている。突起７１１ａ及び突起７１２ａの突出寸法は、光ファイバ２の直径以上であるのが好ましい。投影システム１００ａは、突起７１１ａ及び突起７１２ａの突出寸法を大きくすることにより、突起７１２ａに対する光ファイバ２の巻回数を増やすことができ、第３方向から見た筐体６のサイズを大きくすることなく、筐体６内における光ファイバ２の長さを長くすることが可能となる。
実施形態２に係る投影システム１００ａは、光ファイバ２の一部が突起７１２ａに巻かれた状態で保持されているので、実施形態１に係る投影システム１００と比べて、光ファイバ２の長さを長くすることにより、光出力の高出力化を図ることが可能となる。また、実施形態２に係る投影システム１００ａは、光ファイバ２の一部が突起７１２ａに巻かれた状態で保持されているので、例えば、光ファイバ２の長さを実施形態１に係る投影システム１００の光ファイバ２の長さと同じとした場合に、実施形態１に係る投影システム１００と比べて小型化を図ることが可能となる。
（実施形態３）
以下、実施形態３に係る投影システム１００ｂについて、図５に基づいて説明する。
実施形態３に係る投影システム１００ｂは、実施形態１に係る投影システム１００の筐体６の代わりに、筐体６ｂを備えており、光ファイバ２の一部及びユニット筐体１５が、筐体６ｂの外に配置される点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。実施形態３に係る投影システム１００ｂに関し、実施形態１に係る投影システム１００と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る投影システム１００ｂは、実施形態１に係る投影システム１００の筐体６と比べて筐体６ｂの小型化を図れるとともに、放熱性を向上させることが可能となる。
また、実施形態３に係る投影システム１００ｂは、光ファイバ２の長さを長くすることができるので、波長変換要素の濃度を低くすることが可能となり、放熱性を向上させることが可能となる。
また、実施形態３に係る投影システム１００ｂは、光ファイバ２の長さを長くすることができるので、光源ユニット１の光出力の更なる高出力化を図ることが可能となる。
また、実施形態３に係る投影システム１００ｂは、光ファイバ２の長さの自由度、及び光ファイバ２の引き回しの自由度が高くなり、投影システム１００ｂの設置場所の自由度が高くなる。
（実施形態４）
以下、実施形態４に係る投影システム１００ｃについて、図６に基づいて説明する。
実施形態４に係る投影システム１００ｃは、実施形態１に係る光源ユニット１の代わりに光源ユニット１ｃを備える点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。実施形態４に係る投影システム１００ｃに関し、実施形態１に係る投影システム１００と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
光源ユニット１ｃは、１つの光ファイバ２に対して第１光源部１１を複数（図示例では、２つ）有する。
実施形態４に係る投影システム１００ｃでは、例えば、第１光源部１１の光出力が不足している場合でも、光源ユニット１ｃの光出力の高出力化を図ることが可能となる。
（実施形態５）
以下、実施形態５に係る投影システム１００ｄについて、図７に基づいて説明する。
実施形態５に係る投影システム１００ｄは、光ファイバ２を複数（図示例では、２つ）備えている点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。また、実施形態５に係る投影システム１００ｄは、実施形態１に係る投影システム１００の光源ユニット１の代わりに、光源ユニット１ｄを備える点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。実施形態５に係る投影システム１００ｄに関し、実施形態１に係る投影システム１００と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態５に係る投影システム１００ｄでは、光源ユニット１ｄが、複数（２つ）の光ファイバ２ごとに第１光源部１１と複数（２つ）の第２光源部１２とを備えている。要するに、光源ユニット１ｄは、第１光源部１１と２つの第２光源部１２とのセットを２つ備えている。これら２つのセットは、１つのユニット筐体１５に収納されている。制御回路１０は各セットの第１光源部１１及び複数の第２光源部１２を制御する。
保持部７は、２つの光ファイバ２の第１端部２１０の近くでは、２つの光ファイバ２それぞれを２つの突起７１のペアで保持し、２つの光ファイバ２の第２端部２２０の近くでは、２つの光ファイバ２を２つの突起７１のペアで保持している。保持部７において、ペアとなる２つの突起７１に関し、１つの光ファイバ２を保持しているペアの２つの突起７１間の最短距離は、１つの光ファイバ２の直径よりも大きい。また、保持部７において、ペアとなる２つの突起７１に関し、２つの光ファイバ２を保持しているペアの２つの突起７１間の最短距離は、２つの光ファイバ２の直径の合計よりも大きい。
実施形態５に係る投影システム１００ｄでは、例えば、小型化のために光ファイバ２の長さが制限されてしまう場合でも、光源ユニット１ｄの光出力の高出力化を図ることが可能となる。
（実施形態６）
以下、実施形態６に係る投影システム１００ｅについて、図８に基づいて説明する。
実施形態６に係る投影システム１００ｅは、実施形態１に係る投影システム１００の光源ユニット１の代わりに光源ユニット１ｅを備えている点で、実施形態１に係る投影システム１００と相違する。実施形態６に係る投影システム１００ｅに関し、実施形態１に係る投影システム１００と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
光源ユニット１ｅは、光ファイバ２の光出射部２２から出射した光を集光するレンズ２８を更に有する。レンズ２８は、光ファイバ２の光出射部２２とコリメートレンズ１９との間に配置されている。
実施形態６に係る投影システム１００ｅは、光ファイバ２の光出射部２２から出射される光をより有効に利用でき、光出力の高出力化を図ることが可能となり、低消費電力化を図ることが可能となる。
（その他の変形例）
上記の実施形態１～６は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～６は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
例えば、光ファイバ２では、光入射部２１と光出射部２２との間の波長変換部２３の数は１つに限らず、例えば、複数であってもよい。この場合、複数の波長変換部２３は、コア２４の光軸方向に並ぶ。
光ファイバ２は、波長変換部２３の長さがコア２４の長さと略同じである場合に限らず、コア２４の長さよりも短くてもよい。
第１光源部１１に含まれるレーザ光源は、青色のレーザ光を出射する半導体レーザに限らず、例えば、紫色のレーザ光を出射する半導体レーザであってもよい。また、第１光源部１１は、半導体レーザに限らず、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）光源と光学系とを含む構成であってもよい。
第２光源部１２１は、緑色の光を出射する半導体レーザに限らず、例えば、緑色の光を出射するＬＥＤであってもよい。また、第２光源部１２２は、赤色の光を出射する半導体レーザに限らず、例えば、赤色の光を出射するＬＥＤであってもよい。
また、実施形態１に係る投影システム１００において、第１光源部１１及び複数の第２光源部１２と光ファイバ２の光入射部２１との相対的な位置関係は、特に限定されない。例えば、投影システム１００では、第１光源部１１及び複数の第２光源部１２と光ファイバ２の光入射部２１との間にクロスダイクロイックプリズムを配置することで、第１光源部１１及び複数の第２光源部１２と光ファイバ２の光入射部２１との相対的な位置関係を変えてもよい。
また、投影システム１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅでは、１つの光ファイバ２に対して複数の第２光源部１２を備えているが、これに限らず、１つの光ファイバ２に対して少なくとも１つの第２光源部１２を備えていればよい。
保持部７は、光ファイバ２が許容曲げ半径（最小曲げ半径とも呼ばれる）よりも小さな曲げ半径で曲がった状態とならないように光ファイバ２を保持できればよく、２つの突起７１のペアを複数備える構成に限らない。例えば、保持部７は、筐体６の底壁６０に形成されている溝と、第２側壁６２に形成されている溝との少なくとも一方を含んでもよい。また、保持部７は、筐体６とは別部材であって、筐体６内に配置されて筐体６との間に光ファイバ２を保持するクリップであってもよい。
また、実施形態５に係る投影システム１００ｄでは、複数の光ファイバ２ごとに第１光源部１１と複数の第２光源部１２とを備えているが、これに限らない。例えば、投影システム１００ｄは、第１光源部１１と複数の第２光源部１２とのセットに対して、第１光源部１１から出射れる励起光Ｐ１を複数の光ファイバ２に入射させる第１ビームスプリッタと、複数の第２光源部１２の各々から出射されるシード光Ｐ２を複数の光ファイバ２に入射させる複数の第２ビームスプリッタと、を備えていてもよい。
（態様）
以上説明した実施形態１～６等から本明細書には以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ；１ｅ）と、空間光変調ユニット（３）と、投影光学系（４）と、を備える。空間光変調ユニット（３）は、光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ；１ｅ）からの出射光を制御して光学像を形成する。投影光学系（４）は、空間光変調ユニット（３）で形成された光学像を投影する。光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、光ファイバ（２）と、第１光源部（１１）と、第２光源部（１２）と、を備える。光ファイバ（２）は、光入射部（２１）と、光出射部（２２）と、波長変換部（２３）と、を有する。波長変換部（２３）は、光入射部（２１）と光出射部（２２）との間に設けられている。波長変換部（２３）は、波長変換要素を含む。波長変換要素は、励起光（Ｐ１）によって励起され励起光（Ｐ１）よりも長波長の自然放出光を発生可能であり、かつ、自然放射増幅光によって励起可能である。第１光源部（１１）は、励起光（Ｐ１）を光入射部（２１）に入射させる。第２光源部（１２）は、励起光（Ｐ１）あるいは自然放射増幅光によって励起された波長変換要素から誘導放出光（Ｐ３）を発生させるためのシード光（Ｐ２）を、光入射部（２１）に入射させる。
第１の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、温度上昇を抑制することが可能となる。
第２の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第１の態様において、第１光源部（１１）は、レーザ光源を含む。
第２の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、シード光（Ｐ２）の強度を高めることができる。
第３の態様に係る投影システム（１００ｄ）では、第１又は２の態様において、光源ユニット（１ｄ）は、光ファイバ（２）と第１光源部（１１）と第２光源部（１２）とのセットを複数有する。
第３の態様に係る投影システム（１００ｄ）では、光源ユニット（１ｄ）の光出力の高出力化を図ることが可能となる。
第４の態様に係る投影システム（１００ｃ）では、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、光源ユニット（１ｃ）は、光ファイバ（２）に対して第１光源部（１１）を複数有する。
第４の態様に係る投影システム（１００ｃ）では、光源ユニット（１ｃ）の光出力の高出力化を図ることが可能となる。
第５の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、光出射部（２２）から出射した光を集光するレンズ（２８）を更に有する。
第５の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、光出射部（２２）から出射される光の拡散を抑制することが可能となる。
第６の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、筐体（６）を更に備える。筐体（６）は、少なくとも光ファイバ（２）と空間光変調ユニット（３）と投影光学系（４）とを収容している。
第６の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、小型化を図ることが可能となる。
第７の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第６の態様において、筐体（６）内において光ファイバ（２）を保持している保持部（７；７ａ）を更に備える。
第７の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、筐体（６）内における光ファイバ（２）の状態を安定させることができる。
第８の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第７の態様において、光ファイバ（２）は、筐体（６）内において曲がった状態で保持部（７；７ａ）に保持されている。
第８の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、光ファイバ（２）が曲がっていない状態（直線状の状態）で保持部（７；７ａ）に保持されている場合に比べて、光ファイバ（２）の長さを長くすることが可能となり、光ファイバ（２）の光出射部（２２）からの光出力を高めることが可能となる。
第９の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第１～８の態様のいずれか一つにおいて、少なくとも波長変換部（２３）を冷却する冷却部（通気孔６２１）を更に備える。
第９の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、光ファイバ（２）の温度上昇を抑制することが可能となる。
第１０の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第１～９の態様のいずれか一つにおいて、第２光源部（１２）を複数備える。複数の第２光源部（１２）は、複数のシード光（Ｐ２）を出力する。複数の第２光源部（１２）から出力される複数のシード光（Ｐ２）は、互いに異なる波長を有する。
第１０の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、複数のシード光（Ｐ２）に一対一に対応する複数の誘導放出光（Ｐ３）を含む光を光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ）から出射させることが可能となり、演色性を向上させることが可能となる。
第１１の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、第２光源部（１２）は、レーザ光源を含む。
第１１の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、シード光（Ｐ２）の強度を高めることができ、光源ユニット（１；１ｃ；１ｄ）の光出力の高出力化を図ることが可能となる。
第１２の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第１～１１の態様のいずれか一つにおいて、波長変換要素は、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｎｄ及びＭｎの群から選択される１以上の元素を含む。
第１２の態様に係る投影システム（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、例えば、波長変換要素として２つ以上の元素を含む場合、少なくとも一の元素からの自然放射増幅光による励起によって、別の元素からの異なる波長での自然放射増幅光を発生させることもできる。
１、１ｃ、１ｄ、１ｅ 光源ユニット
２ 光ファイバ
２１ 光入射部
２２ 光出射部
２３ 波長変換部
２８ レンズ
３ 空間光変調ユニット
４ 投影光学系
６、６ｂ 筐体
７、７ａ 保持部
１１ 第１光源部
１２ 第２光源部
１２１ 第２光源部
１２２ 第２光源部
１５ ユニット筐体
１６ 光結合部
１７ 送風機
１８ 光軸調整部材
１９ コリメートレンズ
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ 投影システム
Ｐ１ 励起光
Ｐ２ シード光
Ｐ２１ シード光
Ｐ２２ シード光
Ｐ３ 誘導放出光
Ｐ３１ 誘導放出光
Ｐ３２ 誘導放出光

Claims (11)

  1. 光源ユニットと、
    前記光源ユニットからの出射光を制御して光学像を形成する空間光変調ユニットと、
    前記空間光変調ユニットで形成された光学像を投影する投影光学系と、を備え、
    前記光源ユニットは、
    光入射部と、光出射部と、前記光入射部と前記光出射部との間に設けられており、励起光によって励起され前記励起光よりも長波長の自然放出光を発生可能であり、かつ、自然放射増幅光によって励起可能な、波長変換要素を含む波長変換部と、を有する光ファイバと、
    前記励起光を前記光入射部に入射させる第１光源部と、
    前記励起光あるいは前記自然放射増幅光によって励起された前記波長変換要素から誘導放出光を発生させるためのシード光を出力し、前記光入射部に入射させる複数の第２光源部と、を含み、
    前記複数の第２光源部それぞれから出力される前記シード光は、互いに異なる波長を有し、
    前記光ファイバの前記光出射部から出射される混色光は、インコヒーレント光である、
    投影システム。
  2. 前記第１光源部は、レーザ光源を含む、
    請求項１に記載の投影システム。
  3. 前記光源ユニットは、前記光ファイバと前記第１光源部と前記複数の第２光源部とのセットを複数有する、
    請求項１又は２に記載の投影システム。
  4. 前記光源ユニットは、前記光ファイバに対して前記第１光源部を複数有する、
    請求項１～３のいずれか一項に記載の投影システム。
  5. 前記光源ユニットは、前記光出射部から出射した光を集光するレンズを更に有する、
    請求項１～４のいずれか一項に記載の投影システム。
  6. 少なくとも前記光ファイバと前記空間光変調ユニットと前記投影光学系とを収容している筐体を更に備える、
    請求項１～５のいずれか一項に記載の投影システム。
  7. 前記筐体内において前記光ファイバを保持している保持部を更に備える、
    請求項６に記載の投影システム。
  8. 前記光ファイバは、前記筐体内において曲がった状態で前記保持部に保持されている、
    請求項７に記載の投影システム。
  9. 少なくとも前記波長変換部を冷却する冷却部を更に備える、
    請求項１～８のいずれか一項に記載の投影システム。
  10. 前記複数の第２光源部の各々は、レーザ光源を含む、
    請求項１～９のいずれか一項に記載の投影システム。
  11. 前記波長変換要素は、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｎｄ及びＭｎの群から選択される１以上の元素を含む、
    請求項１～１０のいずれか一項に記載の投影システム。
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