JP7390377B2 - レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
1.用語の説明
2.レーザシステムの概要
2.1 構成
2.2 動作
3.課題
4.実施形態1
4.1 構成
4.1.1 ビーム整形光学系の具体的構造
4.1.2 ランダム位相板の例
4.1.3 ランダム位相板のピッチと凸レンズ、凸面シリンドリカルミラー、凹面シリンドリカルミラーの焦点距離の組み合わせ例
4.2 動作
4.3 作用・効果
5.実施形態2
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用・効果
6.実施形態3
6.1 構成
6.1.1 ランダム位相板のピッチと凸レンズ、1枚目の凹面シリンドリカルミラー、2枚目の凹面シリンドリカルミラーの焦点距離の組み合わせ例
6.2 動作
6.3 作用・効果
7.実施形態4
7.1 構成
7.2 動作
7.3 作用・効果
8.実施形態5
8.1 構成
8.2 動作
8.3 作用・効果
9.電子デバイスの製造方法
10.その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
本明細書において使用される用語を以下のように定義する。
2.1 構成
図1は、レーザシステム1の構成例を概略的に示す図である。レーザシステム1は、紫外線固体レーザ装置10と、エキシマ増幅器12と、を含むハイブリッドレーザ装置である。紫外線固体レーザ装置10は、波長約193.4nmの紫外線のパルスレーザ光をシード光SLとして出力する。紫外線固体レーザ装置10は、例えば、半導体レーザと、半導体増幅器と、光ファイバ増幅器と、非線形結晶を用いた波長変換システムと、を含んで構成されてよい。
紫外線固体レーザ装置10から出力された波長約193.4nmのシード光SLは、凹面シリンドリカルミラー18の下端部よりもさらに下側を通過し、かつ放電電極21、22の長手軸に平行に進行するように放電空間24に入射する。放電電極21、22の長手軸は、図1におけるZ方向であってよい。
現行の典型的な露光装置用レーザ装置においては、発振段(マスタオシレータ)と増幅段(増幅装置)の各々に、エキシマレーザガスをレーザ媒質とするガスレーザ装置が使用される。しかし、放電励起式のエキシマレーザ装置は、その特性上、固体レーザ装置に比べてビーム品質が低く、ビームダイバージェンス(ビーム拡がり角)は縦方向と横方向の割合が大きく異なる。ここでいう縦方向とは放電方向であり、横方向とは放電方向に直交し、かつ、レーザ光の進行方向に直交する方向である。
4.1 構成
図2は、実施形態1に係るレーザシステム1Aの構成を概略的に示す図である。図1に示したレーザシステム1との相違点を説明する。図2に示すレーザシステム1Aは、紫外線固体レーザ装置10とエキシマ増幅器12との間の光路上に、ビーム整形光学系30とランダム位相板40と凸レンズ50とが配置される。
図3及び図4は、それぞれビーム整形光学系30の構成を概略的に示す上面図及び側面図である。本例のビーム整形光学系30は、一対のシリンドリカルレンズ32、34を含む透過型のビーム整形光学系である。一対のシリンドリカルレンズ32、34は、ビーム整形光学系30に入射したシード光SLの光路上にシリンドリカルレンズ32、34の順に配置される。
ランダム位相板40は、入射するビームをセルの単位で微小ビームに分割し得る。ランダム位相板40は、凹部を透過した微小ビームと凸部を透過した微小ビームとの位相差が例えばπラジアンとなるように、凹部と凸部の段差が設計される。
ランダム位相板40のピッチが40μmの場合、凸レンズ50、凸面シリンドリカルミラー16、凹面シリンドリカルミラー18の焦点距離の一例は、それぞれ1000mm、-333mm、1333mmである。
紫外線固体レーザ装置10は、ビーム断面が円状のプロファイルを有するシード光SLを出力する。紫外線固体レーザ装置10から出力されたシード光SLは、ビーム整形光学系30に入射する。ビーム整形光学系30は、シリンドリカルレンズ32によってシード光SLをV方向に拡大し、シリンドリカルレンズ34によって、V方向に拡大されたシード光SLをコリメートする。
実施形態1に係るレーザシステム1Aによれば、ビーム整形光学系30によってシード光SLのビーム断面のプロファイルを楕円状に整形してからランダム位相板40に入射し、凸レンズ50でコリメートすることで、シード光SLのビームダイバージェンスの縦横比を変更することができる。ランダム位相板40に入射するシード光SLのビーム断面のプロファイルが円状の場合、ビームダイバージェンスの縦横比を調整することは難しい。しかしながら、レーザシステム1Aのようにビーム断面のプロファイルを楕円状に整形してからランダム位相板40に入射することで、ビームダイバージェンスの縦横比を任意に変更することができる。
5.1 構成
図8は、実施形態2に係るレーザシステム1Bの構成を概略的に示す図である。実施形態2では、実施形態1のエキシマ増幅器12の部分を、3パス増幅器からファブリペロー型(共振器型)の増幅器に構成を変更したものである。
紫外線固体レーザ装置10から出力された波長約193.4nmのシード光SLは、実施形態1と同様に、ビーム整形光学系30によってビームプロファイルがV方向に拡大され、ランダム位相板40及び凸レンズ50によってビームダイバージェンスが変更される。
実施形態2に係るレーザシステム1Bにおいても、実施形態1と同様の作用効果が得られる。すなわち、ビーム断面の光強度の分布とビームダイバージェンスの縦横比を変更することができる。これにより、現行のエキシマレーザ装置によって生成されるエキシマレーザ光のビーム特性に近づけることができる。
6.1 構成
図9は、実施形態3に係るレーザシステム1Cの構成を概略的に示す図である。実施形態3に係るレーザシステム1Cは、図2に示したエキシマ増幅器12の部分の凸面シリンドリカルミラー16を、凹面シリンドリカルミラー17に変更したものである。他の構成は、図2で説明したレーザシステム1Aと同様である。
ランダム位相板40のピッチの範囲は、例えば20μm以上500μm以下である。ランダム位相板40のピッチは、好ましくは40μm以上500μm以下であり、より好ましくは40μm以上80μm以下である。実施形態3に係るレーザシステム1Cは、第1実施形態に係るレーザシステム1Aよりも小さいピッチのランダム位相板40を使用することができる。
紫外線固体レーザ装置10から出力されたシード光SLは、ビーム整形光学系30によってビームプロファイルがV方向に拡大され、ランダム位相板40及び凸レンズ50によってビームダイバージェンスが変更される。
実施形態3に係るレーザシステム1Cにおいても、実施形態1と同様の作用効果が得られる。すなわち、ビーム断面の光強度の分布とビームダイバージェンスの縦横比を変更することができる。これにより、現行のエキシマレーザ装置によって生成されるエキシマレーザ光のビーム特性に近づけることができる。また、凹面シリンドリカルミラー17と凹面シリンドリカルミラー18とによってそれぞれビームのH方向とV方向との拡がりが調整されるので、適切にエキシマ増幅器12部分の光学系をビームが通過するようにすることができる。
7.1 構成
図11は、実施形態4に係るレーザシステム1Dの構成を概略的に示す図である。実施形態4は、実施形態2に係るレーザシステム1Bからビーム拡大光学系60を取り除いたものである。
紫外線固体レーザ装置10から出力されたシード光SLは、実施形態2と同様に、ビーム整形光学系30によってビームプロファイルがV方向に拡大され、ランダム位相板40及び凸レンズ50によってビームダイバージェンスが変更される。
実施形態4に係るレーザシステム1Dにおいても、実施形態1と同様の作用効果が得られる。すなわち、ビームダイバージェンスの縦横比を変更することができる。これにより、現行のエキシマレーザ装置によって生成されるエキシマレーザ光のビーム特性に近いビーム特性のエキシマレーザ光を生成することが可能になる。
8.1 構成
図12は、実施形態5に係るレーザシステム1Eの構成を概略的に示す図である。実施形態5では、実施形態1に係るレーザシステム1Aのエキシマ増幅器12の部分を、3パス増幅器からリング型共振器の増幅器に構成を変更したものである。
紫外線固体レーザ装置10から出力されたシード光SLは、ビーム整形光学系30によってビームプロファイルがV方向に拡大され、ランダム位相板40及び凸レンズ50によってビームダイバージェンスが変更される。
実施形態5に係るレーザシステム1Eにおいても、実施形態1と同様の作用効果が得られる。すなわち、ビームダイバージェンスの縦横比を変更することができる。これにより、現行のエキシマレーザ装置によって生成されるエキシマレーザ光のビーム特性に近いビーム特性のエキシマレーザ光を生成することが可能になる。
図13は、露光装置120の構成例を概略的に示す図である。図13において、露光装置120は、照明光学系124と投影光学系125とを含む。照明光学系124は、レーザシステム1から入射したレーザ光によって、レチクルステージRTのレチクルパターンを照明する。投影光学系125は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルWT上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置120は、レチクルステージRTとワークピーステーブルWTとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。レーザシステム1は、各実施形態で説明したレーザシステム1A、1B、1C、1D、1E等であってもよい。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
釈されるべきである。また、「A、B及びCの少なくとも1つ」という用語は、「A」「B」「C」「A+B」「A+C」「B+C」又は「A+B+C」と解釈されるべきである。さらに、それらと「A」「B」「C」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
Claims (19)
- レーザ光を出力する固体レーザ装置と、
前記レーザ光を通過させる放電空間を挟んで対向して配置される一対の放電電極を含み、前記レーザ光を増幅するエキシマ増幅器と、
前記固体レーザ装置と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置され、前記固体レーザ装置から出力された前記レーザ光のビーム断面を拡大するビーム整形部と、
前記ビーム整形部と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置されたランダム位相板と、
前記ランダム位相板と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置されたコリメート光学系と、
を備え、
前記コリメート光学系は、前記ランダム位相板から前記コリメート光学系の焦点距離離れた位置に配置され、
前記エキシマ増幅器に入射する前記レーザ光の進行方向をZ方向、前記一対の放電電極の放電方向をV方向、前記V方向及び前記Z方向に直交する方向をH方向、前記エキシマ増幅器に入射する前記レーザ光のビーム断面の前記V方向に対応する前記ビーム整形部の整形方向を第1方向、前記ビーム断面の前記H方向に対応する前記ビーム整形部の整形方向を第2方向として、前記第1方向の拡大率をE1、前記第2方向の拡大率をE2とする場合に、前記ビーム整形部は、E2/E1で定義される拡大率比が1より小さくなるように前記レーザ光のビーム断面を拡大するレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記コリメート光学系は凸レンズを含むレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記ビーム整形部は透過型光学素子を含むレーザシステム。 - 請求項3に記載のレーザシステムであって、
前記透過型光学素子はシリンドリカルレンズであるレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
E2=1であるレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記エキシマ増幅器は、前記放電空間に前記レーザ光を3回通過させて増幅を行う3パス増幅器であるレーザシステム。 - 請求項5に記載のレーザシステムであって、
前記エキシマ増幅器は、前記放電空間を挟む第1拡大光学系を含むレーザシステム。 - 請求項7に記載のレーザシステムであって、
前記第1拡大光学系は、前記レーザ光を前記V方向にM倍に拡大し、
前記コリメート光学系は、前記エキシマ増幅器から出力される所望のレーザ光のビームダイバージェンスに対して前記V方向にM倍のビームダイバージェンスを有するレーザ光を前記エキシマ増幅器に入力するレーザシステム。 - 請求項7に記載のレーザシステムであって、
前記第1拡大光学系は、前記放電空間を挟むようにして互いに対向する第1ミラーと第2ミラーとを含み、
前記放電空間を通過した前記レーザ光が最初に入射する前記第1ミラーが凸面ミラーであるレーザシステム。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、
前記ランダム位相板のピッチが40μm~80μmであるレーザシステム。 - 請求項9に記載のレーザシステムであって、
前記コリメート光学系の焦点距離が1000mm~1900mmであるレーザシステム。 - 請求項5に記載のレーザシステムであって、
前記エキシマ増幅器は、前記放電空間を挟むようにして互いに対向する第1ミラーと第2ミラーとを含み、
前記第1ミラーは前記H方向に湾曲する凹面シリンドリカルミラーであり、前記第2ミラーは前記V方向に湾曲する凹面シリンドリカルミラーであるレーザシステム。 - 請求項11に記載のレーザシステムであって、
前記ランダム位相板のピッチが20μm~80μmであるレーザシステム。 - 請求項12に記載のレーザシステムであって、
前記コリメート光学系の焦点距離が150mm~164mmであるレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記エキシマ増幅器は、ファブリペロー型共振器であるレーザシステム。 - 請求項15に記載のレーザシステムであって、
前記ファブリペロー型共振器と前記コリメート光学系との間の光路上に第2拡大光学系を配置したレーザシステム。 - 請求項16に記載のレーザシステムであって、
前記第2拡大光学系は、前記レーザ光を前記V方向にM倍に拡大し、
前記コリメート光学系は、前記エキシマ増幅器から出力される所望のレーザ光のビームダイバージェンスに対して前記V方向にM倍のビームダイバージェンスを有するレーザ光を前記第2拡大光学系に入力するレーザシステム。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記エキシマ増幅器は、リング型共振器であるレーザシステム。 - 電子デバイスの製造方法であって、
レーザ光を出力する固体レーザ装置と、
前記レーザ光を通過させる放電空間を挟んで対向して配置される一対の放電電極を含み、前記レーザ光を増幅するエキシマ増幅器と、
前記固体レーザ装置と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置され、前記固体レーザ装置から出力されたレーザ光のビーム断面を拡大するビーム整形部と、
前記ビーム整形部と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置されたランダム位相板と、
前記ランダム位相板と前記エキシマ増幅器の間の光路上に配置されたコリメート光学系と、
を備え、
前記コリメート光学系は、前記ランダム位相板から前記コリメート光学系の焦点距離離れた位置に配置され、
前記エキシマ増幅器に入射する前記レーザ光の進行方向をZ方向、前記一対の放電電極の放電方向をV方向、前記V方向及び前記Z方向に直交する方向をH方向、前記エキシマ増幅器に入射する前記レーザ光のビーム断面の前記V方向に対応する前記ビーム整形部の整形方向を第1方向、前記ビーム断面の前記H方向に対応する前記ビーム整形部の整形方向を第2方向として、前記第1方向の拡大率をE1、前記第2方向の拡大率をE2とする場合に、前記ビーム整形部は、E2/E1で定義される拡大率比が1より小さくなるように前記レーザ光のビーム断面を拡大するレーザシステムによってエキシマレーザ光を生成し、
前記エキシマレーザ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記エキシマレーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法。
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