JP7388800B2 - 境界要素法を使用した超伝導量子ビットの表面関与解析 - Google Patents
境界要素法を使用した超伝導量子ビットの表面関与解析 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7388800B2 JP7388800B2 JP2020558563A JP2020558563A JP7388800B2 JP 7388800 B2 JP7388800 B2 JP 7388800B2 JP 2020558563 A JP2020558563 A JP 2020558563A JP 2020558563 A JP2020558563 A JP 2020558563A JP 7388800 B2 JP7388800 B2 JP 7388800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- conductor
- qubit
- computer
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 72
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims description 69
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 128
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 112
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 58
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 30
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 25
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000012384 transportation and delivery Methods 0.000 description 2
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000802 evaporation-induced self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000013439 planning Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/23—Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2111/00—Details relating to CAD techniques
- G06F2111/20—Configuration CAD, e.g. designing by assembling or positioning modules selected from libraries of predesigned modules
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
となるように、自由電荷「qf」または分極電荷「qp」あるいはその両方の合計であることができる。対象のメッシュ化されたパネル(例えば、対象の導体パネル)に垂直な電場は、以下に示されている方程式1によって特徴付けられ得る。
「ε0」および「εS」は真空および誘電体基板206の誘電率であることができ、「A」は対象のパネル(例えば、対象の導体パネル)の面積であることができ、「σf」は電荷密度であり、
に等しくなることができる。
」が、薄いアモルファス層の存在による影響を受けず(例えば、ここでは導体解析コンポーネント112は、アモルファス層を摂動として扱うことができる)、したがって、アモルファス領域302内の電場「
」が、以下に示されている方程式2によって特徴付けられるような誘電体の境界条件によって(例えば、アモルファス層によって引き起こされる摂動におけるゼロ次まで)与えられるということを、仮定することができる。
「h」は、図3Bに示されているように、1つまたは複数のアモルファス領域302の厚さであることができる。導体解析コンポーネント112は、1つまたは複数の(例えば、すべての)導体パネルにわたるWCの合計によって、1つまたは複数の導体と誘電体の間の界面で1つまたは複数のアモルファス領域302に蓄えられた全エネルギーを決定することができる。
「Φ」は電位であることができ、「∂V」は電圧Vの界面であることができる。さらに、「dS」は面法線であることができる。さらに、均質な誘電体ではE=-∇Φおよび∇2Φ=0であり、誘電体解析コンポーネント114は、以下に示されている方程式5に従って、前述した恒等式を、誘電体間の界面内の対象のアモルファス領域302に適用することができる。
「a」は追加の誘電体(例えば、空気)に隣接する上部パネル402上の点であることができ、「b」は誘電体基板206に隣接する下部パネル404上の点であることができる。さらに、誘電体解析コンポーネント114は、電場「
」の法線成分が、対象の薄いアモルファス領域302にわたって一定になることができるということを、仮定することができる。さらに、「QS」は、例えば1ボルトに設定された1つまたは複数の量子ビット・パッド202上の導体側面パネル408に対応することができる。
1つまたは複数のアモルファス領域302の存在において、(例えば、空気が追加の誘電体である)電場の解「
」は(例えば、1つまたは複数のアモルファス領域302によって作り出される摂動におけるゼロ次まで)影響を受けず、または誘電体の境界条件によって
であり、あるいはその両方であることになる。したがって、分極電荷密度は、以下に示されている方程式11によって特徴付けられ得る。
したがって、方程式12に基づいて方程式9を変更することができ、または誘電体解析コンポーネント114が、以下に示されている方程式13に従って、誘電体間の界面で表面関与を解析することができ、あるいはその両方が可能である。
εair=ε0を仮定して、「qp」は分極電荷の解であることができる。分極電荷「qp」は、以下に示されている方程式14に従って、誘電体間の界面での全電荷「q」に等しくなることができる(例えば、分極電荷「qp」は、同等の電荷の定式化の解になることができる)。誘電体解析コンポーネント114は、1ボルトで1つまたは複数の導体側面パネル408の離散化を使用することによって、方程式9の最後の項をさらの評価することができる。
この合計は導体側面パネル408にわたることができ、「t」は、導体側面パネル408の高さまたは金属化の厚さあるいはその両方であることができる。さらに、誘電体解析コンポーネント114は、導体パネルおよび誘電体パネルの幅が、それらのパネルが接触する位置で同じであるということを仮定することができる。したがって、誘電体コンポーネント114は、対象の超伝導量子ビットの誘電体基板206または隣接する空気あるいはその両方の間などの誘電体間の界面で、電荷密度または電場あるいはその両方の正確な計算を有利に決定することができる。
オンデマンドのセルフ・サービス:クラウドの利用者は、サーバの時間、ネットワーク・ストレージなどの計算能力を一方的に、サービス・プロバイダとの人間的なやりとりを必要とせず、必要に応じて自動的にプロビジョニングすることができる。
幅広いネットワーク・アクセス:クラウドの能力は、ネットワークを経由して利用可能であり、標準的なメカニズムを使用してアクセスできるため、異種のシン・クライアントまたはシック・クライアント・プラットフォーム(例えば、携帯電話、ラップトップ、およびPDA)による利用を促進する。
リソース・プール:プロバイダの計算リソースは、プールされ、マルチテナント・モデルを使用して複数の利用者に提供される。さまざまな物理的および仮想的リソースが、要求に従って動的に割り当ておよび再割り当てされる。場所に依存しないという感覚があり、利用者は通常、提供されるリソースの正確な場所に関して管理することも知ることもないが、さらに高い抽象レベルでは、場所(例えば、国、州、またはデータセンター)を指定できる場合がある。
迅速な順応性:クラウドの能力は、迅速かつ柔軟に、場合によっては自動的にプロビジョニングされ、素早くスケールアウトし、迅速に解放されて素早くスケールインすることができる。プロビジョニングに使用できる能力は、利用者には、多くの場合、任意の量をいつでも無制限に購入できるように見える。
測定されるサービス:クラウド・システムは、計測機能を活用することによって、サービスの種類(例えば、ストレージ、処理、帯域幅、およびアクティブなユーザのアカウント)に適した抽象レベルで、リソースの使用を自動的に制御および最適化する。リソースの使用量は監視、制御、および報告することができ、利用されるサービスのプロバイダと利用者の両方に透明性が提供される。
SaaS(Software as a Service):利用者に提供される能力は、クラウド・インフラストラクチャ上で稼働しているプロバイダのアプリケーションの利用である。それらのアプリケーションは、Webブラウザ(例えば、Webベースの電子メール)などのシン・クライアント・インターフェイスを介して、さまざまなクライアント・デバイスからアクセスできる。利用者は、ネットワーク、サーバ、オペレーティング・システム、ストレージ、または個々のアプリケーション機能さえも含む基盤になるクラウド・インフラストラクチャを、限定的なユーザ固有のアプリケーション構成設定を行う可能性を除き、管理することも制御することもない。
PaaS(Platform as a Service):利用者に提供される能力は、プロバイダによってサポートされるプログラミング言語およびツールを使用して作成された、利用者が作成または取得したアプリケーションをクラウド・インフラストラクチャにデプロイすることである。利用者は、ネットワーク、サーバ、オペレーティング・システム、またはストレージを含む基盤になるクラウド・インフラストラクチャを管理することも制御することもないが、デプロイされたアプリケーション、および場合によってはアプリケーション・ホスティング環境の構成を制御することができる。
IaaS(Infrastructure as a Service):利用者に提供される能力は、処理、ストレージ、ネットワーク、および他の基本的な計算リソースのプロビジョニングであり、ここで利用者は、オペレーティング・システムおよびアプリケーションを含むことができる任意のソフトウェアをデプロイして実行できる。利用者は、基盤になるクラウド・インフラストラクチャを管理することも制御することもないが、オペレーティング・システム、ストレージ、およびデプロイされたアプリケーションを制御することができ、場合によっては、選択されたネットワーク・コンポーネント(例えば、ホスト・ファイアウォール)を限定的に制御できる。
プライベート・クラウド:このクラウド・インフラストラクチャは、ある組織のためにのみ運用される。この組織またはサード・パーティによって管理することができ、オンプレミスまたはオフプレミスに存在することができる。
コミュニティ・クラウド:このクラウド・インフラストラクチャは、複数の組織によって共有され、関心事(例えば、任務、セキュリティ要件、ポリシー、およびコンプライアンスに関する考慮事項)を共有している特定のコミュニティをサポートする。これらの組織またはサード・パーティによって管理することができ、オンプレミスまたはオフプレミスに存在することができる。
パブリック・クラウド:このクラウド・インフラストラクチャは、一般ユーザまたは大規模な業界団体が使用できるようになっており、クラウド・サービスを販売する組織によって所有される。
ハイブリッド・クラウド:このクラウド・インフラストラクチャは、データとアプリケーションの移植を可能にする標準化された技術または独自の技術(例えば、クラウド間の負荷バランスを調整するためのクラウド・バースト)によって固有の実体を残したまま互いに結合された2つ以上のクラウド(プライベート、コミュニティ、またはパブリック)の複合である。
クラウド・コンピューティング環境は、ステートレス、疎結合、モジュール性、および意味的相互運用性に重点を置いたサービス指向の環境である。クラウド・コンピューティングの中心になるのは、相互接続されたノードのネットワークを含んでいるインフラストラクチャである。
Claims (20)
- コンピュータ実行可能コンポーネントを格納するメモリと、
前記メモリに格納された前記コンピュータ実行可能コンポーネントを実行するプロセッサとを備えているシステムであって、前記コンピュータ実行可能コンポーネントが、
前記プロセッサに動作可能なように結合され、導体と誘電体の間の界面および誘電体間の界面を複数のパネルに離散化することによって境界要素法を使用して超伝導量子ビットの表面関与を解析して、前記導体と誘電体の間の前記界面および前記誘電体間の前記界面の一方または両方に含まれるアモルファス層に蓄えられるエネルギーの量を決定するシミュレーション・コンポーネントを含んでいる、システム。 - 前記エネルギーの量を決定することにおいて、前記誘電体間の界面が、前記超伝導量子ビットの誘電体基板と誘電体化合物とが隣接する第1の領域を含むとして、前記複数のパネルの少なくとも1つが前記誘電体基板から前記誘電体化合物へ向けて突き出て得られるボックスを考慮する、請求項1に記載のシステム。
- 前記導体と誘電体の間の界面が、前記超伝導量子ビットの量子ビット金属化層と前記超伝導量子ビットの結晶半導体基板との間の第1のアモルファス酸化層であり、前記誘電体間の界面が、前記結晶半導体基板と誘電体化合物との間の第2のアモルファス酸化層である、請求項1または2に記載のシステム。
- 前記プロセッサに動作可能なように結合され、前記複数のパネルからの導体パネルのメッシュ上に誘起された電荷に基づいて、前記導体と誘電体の間の前記界面に含まれるアモルファス層に蓄えられたエネルギーの量を決定する導体解析コンポーネントをさらに備えている、請求項1~3のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記導体パネルのメッシュが、前記超伝導量子ビットの量子ビット金属化層を特徴付け、前記導体パネルのメッシュの第1の部分が、前記量子ビット金属化層のエッジを特徴付け、前記量子ビット金属化層の中心領域を特徴付ける前記導体パネルのメッシュの第2の部分よりも微細である、請求項4に記載のシステム。
- 前記プロセッサに動作可能なように結合され、前記複数のパネルからパネルのメッシュ上に誘起された第2の電荷、および前記超伝導量子ビットの量子ビット・パッドの側面上の電場に基づいて、前記誘電体間の界面に含まれる第2のアモルファス層に蓄えられたエネルギーの第2の量を計算する、誘電体解析コンポーネントをさらに備えている、請求項4に記載のシステム。
- 前記導体パネルのメッシュ上に誘起された前記電荷が収束量である、請求項6に記載のシステム。
- プロセッサに動作可能なように結合されたシステムによって、導体と誘電体の間の界面および誘電体間の界面を複数のパネルに離散化することによって境界要素法を使用して超伝導量子ビットの表面関与を解析して、前記導体と誘電体の間の前記界面および前記誘電体間の前記界面の一方または両方に含まれるアモルファス層に蓄えられるエネルギーの量を決定すること
を含んでいる、コンピュータ実装方法。 - 前記エネルギーの量を決定することが、前記誘電体間の界面が、前記超伝導量子ビットの誘電体基板と誘電体化合物とが隣接する第1の領域を含むとして、前記複数のパネルの少なくとも1つが前記誘電体基板から前記誘電体化合物へ突き出て得られるボックスを考慮することを含んでいる、請求項8に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記導体と誘電体の間の界面が、前記超伝導量子ビットの量子ビット金属化層と前記超伝導量子ビットの結晶半導体基板との間の第1の界面であり、前記誘電体間の界面が、前記結晶半導体基板と誘電体化合物との間の第2の界面である、請求項8または9に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記システムによって、前記複数のパネルから導体パネルのメッシュ上に誘起された電荷に基づいて、前記導体と誘電体の間の前記界面に含まれるアモルファス層に蓄えられたエネルギーの量を決定することをさらに含んでいる、請求項8~10のいずれか1項に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記導体パネルのメッシュが、前記超伝導量子ビットの量子ビット金属化層を特徴付け、前記導体パネルのメッシュの第1の部分が、前記量子ビット金属化層のエッジを特徴付け、前記量子ビット金属化層の中心領域を特徴付ける前記導体パネルのメッシュの第2の部分よりも微細である、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記システムによって、前記複数のパネルからパネルのメッシュ上に誘起された第2の電荷、および前記超伝導量子ビットの量子ビット・パッドの側面上の電場に基づいて、前記誘電体間の前記界面に含まれる第2のアモルファス層に蓄えられたエネルギーの第2の量を決定することをさらに含んでいる、請求項11に記載のコンピュータ実装方法。
- 前記アモルファス層に蓄えられた前記エネルギーの量が、前記導体パネルのメッシュ上に誘起された前記電荷の関数である、請求項13に記載のコンピュータ実装方法。
- 超伝導量子ビットの表面関与率を決定するコンピュータ・プログラムであって、プロセッサに、請求項8から14のいずれかに記載の方法を実行させる、コンピュータ・プログラム。
- コンピュータ実行可能コンポーネントを格納するメモリと、
前記メモリに格納された前記コンピュータ実行可能コンポーネントを実行するプロセッサとを備えているシステムであって、前記コンピュータ実行可能コンポーネントが、
前記プロセッサに動作可能なように結合され、境界要素法を使用して超伝導量子ビットの表面関与を解析して、前記超伝導量子ビットの導体と誘電体の間の界面および誘電体間の界面のアモルファス領域に蓄えられたエネルギーの量を決定するシミュレーション・コンポーネントを含んでいる、システム。 - 前記エネルギーの量を決定することにおいて、前記誘電体間の界面が、前記超伝導量子ビットの誘電体基板と誘電体化合物とが隣接する第1の領域を含むとして、前記誘電体間の前記界面を離散化した複数のパネルの少なくとも1つが前記誘電体基板から前記誘電体化合物へ突き出て得られるボックスを考慮する、請求項16に記載のシステム。
- 前記プロセッサに動作可能なように結合され、前記導体と誘電体の間の界面で導体パネルのメッシュ上に誘起された第1の電荷に基づいて、前記導体と誘電体の間の前記界面の前記アモルファス領域に蓄えられた前記エネルギーの量を決定する導体解析コンポーネントと、
前記プロセッサに動作可能なように結合され、前記誘電体間の界面でパネルのメッシュ上に誘起された第2の電荷、および前記超伝導量子ビットの量子ビット・パッドの側面上の電場に基づいて、前記誘電体間の界面の前記アモルファス領域に蓄えられた前記エネルギーの量を計算する誘電体解析コンポーネントとをさらに備えている、請求項16または17に記載のシステム。 - 前記導体パネルのメッシュが、前記超伝導量子ビットの量子ビット金属化層を特徴付け、前記導体パネルのメッシュの第1の部分が、前記量子ビット金属化層のエッジを特徴付け、前記量子ビット金属化層の中心領域を特徴付ける前記導体パネルのメッシュの第2の部分よりも微細である、請求項18に記載のシステム。
- 超伝導量子ビットの表面関与率を決定するコンピュータ・プログラムであって、プロセッサに、請求項16から19のいずれかに記載の方法を実行させる、コンピュータ・プログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/006,346 | 2018-06-12 | ||
US16/006,346 US11048846B2 (en) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | Surface participation analysis of superconducting qubits with the boundary element method |
PCT/EP2019/064632 WO2019238493A1 (en) | 2018-06-12 | 2019-06-05 | Surface participation analysis of superconducting qubits with the boundary element method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021528836A JP2021528836A (ja) | 2021-10-21 |
JP2021528836A5 JP2021528836A5 (ja) | 2021-12-02 |
JP7388800B2 true JP7388800B2 (ja) | 2023-11-29 |
Family
ID=66776347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020558563A Active JP7388800B2 (ja) | 2018-06-12 | 2019-06-05 | 境界要素法を使用した超伝導量子ビットの表面関与解析 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11048846B2 (ja) |
EP (1) | EP3807791A1 (ja) |
JP (1) | JP7388800B2 (ja) |
CN (1) | CN112204561A (ja) |
WO (1) | WO2019238493A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11879789B2 (en) * | 2019-07-02 | 2024-01-23 | International Business Machines Corporation | On-chip thermometer for superconducting quantum computing devices |
US11674854B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-06-13 | International Business Machines Corporation | Mapping temperature distribution in superconducting devices |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19508823A1 (de) | 1995-03-11 | 1996-09-12 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur Nachbildung der Oberfläche eines Objekts |
JP3704195B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2005-10-05 | 新日本製鐵株式会社 | 超電導体の電磁界シミュレーション方法 |
JPH11296504A (ja) | 1998-04-06 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 有限要素法と境界要素法との結合による電磁界解析法 |
EP1194960B1 (en) | 1999-07-02 | 2010-09-15 | President and Fellows of Harvard College | Nanoscopic wire-based devices, arrays, and methods of their manufacture |
US7904283B2 (en) | 2003-05-13 | 2011-03-08 | The Penn State Research Foundation | Quantum mechanics based method for scoring protein-ligand interactions |
US9015215B2 (en) * | 2008-05-20 | 2015-04-21 | D-Wave Systems, Inc. | Systems, methods, and apparatus for calibrating, controlling, and operating a quantum processor |
US11308248B2 (en) * | 2018-05-05 | 2022-04-19 | Intel Corporation | Apparatus and method for quantum computing performance simulation |
-
2018
- 2018-06-12 US US16/006,346 patent/US11048846B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-05 WO PCT/EP2019/064632 patent/WO2019238493A1/en unknown
- 2019-06-05 CN CN201980036659.3A patent/CN112204561A/zh active Pending
- 2019-06-05 JP JP2020558563A patent/JP7388800B2/ja active Active
- 2019-06-05 EP EP19728971.3A patent/EP3807791A1/en active Pending
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
WANG, C. et al.,Supplementary Materials for "Surface participation and dielectric loss in superconducting qubits",APPLIED PHYSICS LETTERS,2015年10月02日,pp.1-6,https://doi.org/10.1063/1.4934486 |
WANG, C. et al.,Surface participation and dielectric loss in superconducting qubits,APPLIED PHYSICS LETTERS,2015年10月19日,Vol. 107,pp. 162601-1-162601-5,https://doi.org/10.1063/1.4934486 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190377845A1 (en) | 2019-12-12 |
EP3807791A1 (en) | 2021-04-21 |
US11048846B2 (en) | 2021-06-29 |
CN112204561A (zh) | 2021-01-08 |
JP2021528836A (ja) | 2021-10-21 |
WO2019238493A1 (en) | 2019-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7216807B2 (ja) | 量子回路の設計 | |
US11263052B2 (en) | Determining optimal compute resources for distributed batch based optimization applications | |
US11879789B2 (en) | On-chip thermometer for superconducting quantum computing devices | |
JP7388800B2 (ja) | 境界要素法を使用した超伝導量子ビットの表面関与解析 | |
US20210342749A1 (en) | Adaptive asynchronous federated learning | |
Cui et al. | A meshless method for multi-material topology optimization based on the alternating active-phase algorithm | |
AU2021379051B2 (en) | Stretch factor error mitigation enabled quantum computers | |
US11674854B2 (en) | Mapping temperature distribution in superconducting devices | |
Wu | Vertex-centered linearity-preserving schemes for nonlinear parabolic problems on polygonal grids | |
Hennebicq et al. | Shared-mode assisted resonant energy transfer in the weak coupling regime | |
JP7303311B2 (ja) | 事前知識に基づくトポロジーの特徴の分類 | |
US20230360736A1 (en) | Quantum computing thermodynamic observables of a chemical system | |
US11294986B2 (en) | Iterative energy-scaled variational quantum eigensolver | |
US20200193319A1 (en) | Quantum computation of molecular excited states in the presence of hamiltonian symmetries | |
US20220222412A1 (en) | Electronic generation of three-dimensional quantum circuit diagrams | |
CN114072649B (zh) | 用于超导量子计算装置的片上温度计 | |
US20230176935A1 (en) | Quantum error mitigation based on scaled gates | |
US20230186134A1 (en) | Space-saving coupler arm arrangement for superconducting qubits | |
US20220012220A1 (en) | Data enlargement for big data analytics and system identification | |
Serebrennikov | On the estimation of density of collectivized electrons in plasmonic spherical metal nanoparticles: quantum static versus classical dynamic approach | |
US20180210989A1 (en) | Method for efficient localized self-heating analysis using location based deltat analysis |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211006 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211028 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20220502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221122 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20230124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231031 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20231031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7388800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |