JP7387880B2 - ピンセット、搬送装置および試料片の搬送方法 - Google Patents

ピンセット、搬送装置および試料片の搬送方法 Download PDF

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Description

本発明は、ピンセット、搬送装置および試料片の搬送方法に関し、特に、試料を把持するためのピンセット、ピンセットを備えた搬送装置、および、ピンセットを用いた試料片の搬送方法に好適に使用できる。
近年、半導体デバイスの微細化および高集積化に伴い、その内部構造は、複雑化している。それ故、半導体デバイスの欠陥解析の際には、高い空間分解能が求められ、高い空間分解能における断面構造の解析手法の重要性が高まっている。また、欠陥解析を迅速に行うことで、半導体デバイスの製造工程において、生産性を下げることなく、歩留まりの改善に大きく貢献することができる。
従来の光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いた解析は、試料の表面状態に敏感であるので、試料の内部構造を取得することが困難である。それ故、試料から観察対象となる断面を含む試料片を取り出して、試料片を観察する必要がある。
現在、試料の断面構造の解析のために、集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置を用いた試料片の作製方法が広く用いられている。また、半導体デバイスなどの微細な断面構造に対する解析には、光学顕微鏡およびSEMと比較して、より高い空間分解能を得るために、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)が用いられる。FIB装置によって作製された試料片は、キャリアへ搬送され、キャリアに搭載された試料片は、TEMを用いて解析される。
例えば特許文献1には、FIB装置のデポジション機能を用いた試料片の作製方法および搬送方法が開示されている。この方法では、試料片の作製時に、デポジション機能によってプローブと試料片とを接着することで試料片が取り出され、試料片とキャリアとの固定にもデポジション機能が用いられる。
また、特許文献2および特許文献3には、ピンセットを用いて試料片をキャリアへ搬送する方法が開示されている。特許文献2に開示された方法では、FIB装置を用いて試料から試料片が作製され、ピンセットを用いて試料から試料片が取り出され、ピンセットに把持された試料片がキャリアに搭載される。また、特許文献3では、試料片をキャリアへ搭載する際、滑りの影響を抑制するために、試料片の上面に凸部を形成する手法が提案されている。
国際公開第1999/05506号 特開2009-216498号公報 特開2009-216534号公報
特許文献1に開示された方法では、試料片の作製時にFIB装置によってデポジションを行う必要があるので、必然的に試料片の作製時間が長くなるという問題点がある。また、デポジション工程において、試料片のコンタミネーションが問題となる場合もある。
特許文献2に開示された方法では、試料片を取り出す際、および、試料片をキャリアに搭載する際、ピンセットの把持面に対して平行な方向の外力が、試料片およびピンセットに加わる場合がある。これにより、試料片の把持状態が変化する問題、または、試料片が回転し、試料片の把持位置が変わるという問題がある。また、場合によっては、ピンセットの先端部が交差することで、試料片が弾き飛ばされ、試料片が紛失してしまう恐れがある。
特許文献3に開示された方法では、上述の各問題点の影響を低減することができる。しかしながら、ピンセットの先端部において試料片の凸部を掴むことになるので、ピンセットの据付け角度によっては、試料片の回転を抑えることができない。また、試料片の作製毎に追加のスパッタリング工程が必要となるので、試料片の作製工程および搬送工程を含む試料片の解析工程全体におけるスループットが、増加するという問題がある。更に、試料片の上面に凸部を設ける必要があるので、試料片の搬送時において、試料片の強度低下も問題となる。
以上を纏めると、試料片の把持の安定性が高いピンセットの開発が求められ、そのようなピンセットを備えた搬送装置が求められる。また、搬送装置を用いることで、試料片の解析工程全体におけるスループットを向上させる技術が求められる。
その他の課題および新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになる。
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
一実施の形態におけるピンセットは、第1把持部材および第2把持部材を備え、且つ、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる試料片を把持可能である。ここで、第1把持部材は、第1把持領域および前記第1把持領域と一体化した第1突当て領域を有し、第2把持部材は、第2把持領域および前記第2把持領域と一体化した第2突当て領域を有し、前記第1把持領域は、前記試料片を把持するための第1面を含み、前記第2把持領域は、前記第1面に対向し、且つ、前記試料片を把持するための第2面を含み、前記第1突当て領域は、前記第1面から前記第2面へ向かう方向において、前記第1把持領域から突出し、前記第2突当て領域は、前記第2面から前記第1面へ向かう方向において、前記第2把持領域から突出している。
一実施の形態における試料片の搬送方法は、試料を設置するためのステージと、第1把持部材および第2把持部材を備えるピンセットと、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる試料片を搭載するためのキャリアと、を備えた搬送装置を用いて行われる。また、試料片の搬送方法は、(a)前記ステージに、その一部に前記試料片が作製されている前記試料を設置するステップ、(b)前記ステップ(a)の後、前記第1把持部材と前記第2把持部材との間で、前記試料片を把持するステップ、(c)前記ステップ(b)の後、前記ピンセットによって前記試料片が把持された状態で、前記試料から前記試料片を取り出すステップ、(d)前記ステップ(c)の後、前記ピンセットによって前記試料片が把持された状態で、前記試料片を前記キャリアへ搭載するステップ、を備える。ここで、前記ステップ(c)の開始時から前記ステップ(d)の終了時までの間において、前記第1把持部材と前記第2把持部材との間で把持されている前記試料片の状態が、第1状態から第2状態へ変化する、試料片の搬送方法。
一実施の形態によれば、試料片の把持の安定性が高いピンセットを提供でき、そのようなピンセットを備えた搬送装置を提供できる。また、試料片の解析工程全体におけるスループットを向上させることができる。
実施の形態1における搬送装置を示す模式図である。 実施の形態1におけるピンセットおよび試料片を示す斜視図である。 実施の形態1におけるピンセットおよび試料片を示す正面図である。 実施の形態1におけるピンセットおよび試料片を示す側面図である。 実施の形態1における試料片の搬送方法を示すフローチャートである。 実施の形態1における試料片が搬送されたキャリアを示す正面図である。 実施の形態1における試料片が搬送されたキャリアの一例を示す斜視図である。 実施の形態1における試料片が搬送されたキャリアの他の例を示す斜視図である。 実施の形態1における試料片が作製された試料を示す斜視図である。 実施の形態1における試料片の搬送方法を示す斜視図である。 図10に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 図11に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 図12に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 図13に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 試料片がずれた状態および試料片が回転した状態を示す斜視図である。 図11~図14に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 図15に続く試料片の搬送方法を示す斜視図である。 変形例1におけるピンセットを示す斜視図である。 変形例2におけるピンセットを示す斜視図である。
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
また、本願において説明されるX方向、Y方向およびZ方向は互いに直交している。本願では、Z方向をある構造体の上下方向、高さ方向または厚さ方向として説明する場合もある。
(実施の形態1)
<搬送装置1の構成>
以下に図1を用いて、実施の形態1における搬送装置1について説明する。
搬送装置1は、試料室4および各制御部C0~C5を備える。試料室4には、電子ビームEBを照射可能な電子ビームカラム2、イオンビームIBを照射可能なイオンビームカラム3、試料90を設置するためのステージ5、検出器6、試料片9を保持可能なピンセット8、ピンセット8に接続されたマニピュレータ7、および、試料片9を搭載するためのキャリア10が備えられている。また、搬送装置1の内部または外部には、入力デバイス50およびディスプレイ51が設けられている。
電子ビームカラム2は、電子ビーム(荷電粒子ビーム)EBを発生するための電子源、電子ビームEBを集束するためのレンズ、および、電子ビームEBを走査し、且つ、シフトするための偏向系など、SEM装置として必要な構成要素を全て含む。
電子ビームカラム制御部C1は、電子ビームカラム2を制御する。例えば、電子源からの電子ビームEBの放出および偏向系の駆動などが、電子ビームカラム制御部C1によって制御される。
イオンビームカラム3は、イオンビーム(荷電粒子ビーム)IBを発生するためのイオン源、イオンビームIBを集束するためのレンズ、および、イオンビームIBを走査し、且つ、シフトするための偏向系など、FIB装置として必要な構成要素を全て含む。
イオンビームカラム制御部C2は、イオンビームカラム3を制御する。例えば、イオン源からのイオンビームIBの発生および偏向系の駆動などが、イオンビームカラム制御部C2によって制御される。
電子ビームカラム2を通過した電子ビームEB、および、イオンビームカラム3を通過したイオンビームIBは、主に電子ビームカラム2の光軸OA1とイオンビームカラム3の光軸OA2との交点であるクロスポイントにフォーカスされる。このクロスポイントにおいて、観察対象となる試料片9および試料片9を把持するピンセット8の様子を観察できる。
また、実施の形態1では、電子ビームカラム2を垂直配置し、イオンビームカラム3を傾斜配置しているが、これらに限られず、イオンビームカラム3を傾斜配置し、電子ビームカラム2を垂直配置してもよい。また、イオンビームカラム3および電子ビームカラム2の両方を傾斜配置してもよい。
また、搬送装置1は、2つの電子ビームカラム2を備えていてもよいし、2つのイオンビームカラム3を備えていてもよい。また、搬送装置1は、1つの電子ビームカラム2のみを備えていてもよいし、1つのイオンビームカラム3のみを備えていてもよい。
ステージ5は、試料90およびキャリア(グリッド、メッシュ)10を設置可能である。ステージ5の駆動は、ウェハステージ制御部C3によって制御される。ウェハステージ制御部C3からの制御によって、ステージ5は、平面移動、垂直移動、回転移動および傾斜移動を行うことができる。ステージ5を駆動することによって、試料90およびキャリア10の各々の位置および向きを自由に変更することができる。
なお、実施の形態1における試料90は、例えば半導体デバイスが形成されたウェハである。上記ウェハは、半導体基板、上記半導体基板上に形成されたトランジスタなどの半導体素子、および、上記半導体素子上に形成された配線層などで構成されている。試料片9は上記ウェハの一部から取得された薄片であるので、試料片9の構造には、上記半導体基板、上記半導体素子および上記配線層のうち全部または一部が含まれる。
検出器6は、電子ビームEBまたはイオンビームIBが照射された観察対象から放出される二次電子(荷電粒子)を検出可能である。検出器6は、例えば二次電子検出器、反射電子検出器、STEM検出器、低エネルギー損失電子検出器またはEDX検出器のような検出器である。ここでは、検出器6は、試料90または試料片9から放出される二次電子を検出する。
検出器制御部C4は、検出器6を制御する。検出器制御部C4は、検出器6からの検出信号を演算処理し、画像化する演算処理部を備える。
ピンセット8は、試料90に形成されている試料片9を把持可能である。ピンセット8の根本部分にはマニピュレータ7が接続され、マニピュレータ7は、マニピュレータ7を制御可能なピンセット制御部C5に接続されている。マニピュレータ7は、ピンセット8の開閉動作、平面移動、垂直移動および回転移動を行うことができる。すなわち、ピンセット8の動作および移動は、ピンセット制御部C5からの制御信号に基づいてマニピュレータ7によって行われる。なお、マニピュレータ7は、ステージ5上に取り付けられていてもよい。
総合制御部C0は、電子ビームカラム制御部C1、イオンビームカラム制御部C2、ステージ制御部C3、検出器制御部C4およびピンセット制御部C5の各々に電気的または物理的に接続され、これらを統括する。それ故、本願では、各制御部C1~C5によって行われる制御を、総合制御部C0が行うと説明する場合もある。また、各制御部C1~C5を含む総合制御部C0を一つの制御ユニットと見做し、総合制御部C0を単に「制御部」と称する場合もある。
なお、総合制御部C0として1台のコンピュータが全ての制御機能を担ってもよいが、総合制御部C0として複数台のコンピュータが任意の制御機能を分担してもよい。
入力デバイス50は、例えば、解析対象の情報の入力、電子ビームEBおよびイオンビームIBの照射条件の変更、並びに、ステージ5の位置の変更などの指示を、ユーザが入力するためのデバイスである。入力デバイス50は、例えばキーボードまたはマウスなどである。ユーザが入力デバイス50を用いてディスプレイ51上で作業することで、各種の情報が、総合制御部C0へ入力または総合制御部C0から出力される。
ディスプレイ51には、ユーザインタフェースとして様々な画面が表示される。例えばユーザインタフェースには、搬送装置1の制御状態を表示および変更するための画面、電子ビームEB若しくはイオンビームIBの照射条件を表示および変更する画面、観察像を表示および変更する画面、または、ステージ5の座標およびピンセット8の座標を表示および変更する画面などが含まれる。なお、ディスプレイ51は、1つであってもよいし、複数であってもよい。また、タッチパネルのようにディスプレイ51が入力デバイス50の機能を有していてもよい。
搬送装置1は、ピンセット8による試料片9の把持状態を観察可能な撮像媒体を備えている。実施の形態1における撮像媒体は、電子ビームカラム2またはイオンビームカラム3と、検出器6とを含んで構成される。この場合、電子ビームカラム2によるSEM像またはイオンビームカラム3によるSIM像のみによって、試料片9の把持状態および搬送状態を観察することができる。また、試料室4には、光学顕微鏡などのような他の撮像媒体が設けられていてもよい。
また、マニピュレータ7は、ピンセット8の動作状態を確認するために、SEM像またはSIM像の視野内を移動できる程度のストロークを有する。また、マニピュレータ7は、ピンセット8を含まない像も観察可能にするために、SEM像またはSIM像の視野外に退避できる。なお、視野外への退避のために、試料室4に電子ビームEBまたはイオンビームIBを遮蔽する遮蔽構造物を設け、マニピュレータ7を操作することで、ピンセット8を遮蔽構造物まで退避させてもよい。これにより、電子ビームカラム2による電子ビームEBまたはイオンビームカラム3によるイオンビームIBによって、ピンセット8がコンタミネーションまたはスパッタリングの影響を受けないようにすることができる。
試料室4には、上記以外にも、ガスデポジションユニット(図示せず)が搭載されていてもよい。ガスデポジションユニットは、それぞれその駆動を制御する制御部を有する。ガスデポジションユニットは、試料90への保護膜の作製またはマーキングに使用され、堆積膜を形成するデポガスを貯蔵する。デポガスは、必要に応じてノズル先端から供給することができる。また、試料室4には、真空排気するための減圧装置などが搭載されていてもよい。
<ピンセット8の構造、試料片9の構造>
本願の主な特徴の1つは、ピンセット8の構造にある。以下にピンセット8によって把持される試料片9の構造と、ピンセット8の構造とについて説明する。
試料片9は、試料90の一部に形成された薄片である。ピンセット8によって試料90から取り出され、ピンセット8によって把持された試料片9は、キャリア10へ搭載される。その後、試料片9の詳細な構造が、SEM、STEMまたはTEMのような解析装置(荷電粒子線装置)を用いて解析される。
図2~図4に示されるように、試料片9は、Y方向における幅が、X方向における幅およびZ方向における幅よりも薄い薄片である。試料片9は、下端部(下面)9cおよび下端部9cと反対側の上端部(上面)9bを有する。下端部9cは、試料片9がキャリア10へ搭載された際に、上端部9bよりもキャリア10の載置面の近くに位置する箇所である。
Z方向において試料片9の上端部9b側には、解析部9aが設けられている。解析部9aは、解析対象となる領域であり、Y方向において、解析部9aの幅はその周囲の試料片9の幅よりも薄い。
ピンセット8は、一対の把持部材8a1および把持部材8a2を備え、把持部材8a1と把持部材8a2との間で試料片9が把持される。より具体的には、把持部材8a1は、把持領域8c1および把持領域8c1と一体化した突当て領域8b1を有し、把持部材8a2は、把持領域8c2および把持領域8c2と一体化した突当て領域8b2を有する。なお、把持部材8a1および把持部材8a2は、例えばシリコンのような半導体材料からなる。
把持領域8c1は、前記試料片を把持するための把持面SF1を含み、把持領域8c2は、把持面SF1に対向し、且つ、試料片9を把持するための把持面SF2を含む。把持面SF1と把持面SF2との間で試料片9が保持される。
突当て領域8b1は、対抗面SF3および突当て面SF5を含む。突当て面SF5は、対抗面SF3と把持面SF1とを結ぶ面である。突当て領域8b2は、対抗面SF4および突当て面SF6を含む。対抗面SF4は、対抗面SF3に対向し、且つ、把持面SF2よりも把持部材8a1に近い面である。突当て面SF6は、対抗面SF4と把持面SF2とを結ぶ面である。
突当て領域8b1は、把持面SF1から把持面SF2へ向かう方向において、把持領域8c1から突出している。突当て領域8b2は、把持面SF2から把持面SF1へ向かう方向において、把持領域8c2から突出している。
言い換えれば、突当て領域8b1は、対抗面SF3が把持面SF1よりも把持部材8a2に近くなるように、把持領域8c1から突出し、突当て領域8b2は、対抗面SF4が把持面SF2よりも把持部材8a1に近くなるように、把持領域8c2から突出している。更に言い換えれば、対抗面SF3と対抗面SF4との間の距離は、把持面SF1と把持面SF2との間の距離よりも短い。
また、把持面SF1と把持面SF2との間で試料片9が把持された場合、対抗面SF3および対抗面SF4は、互いに接触せず、ある程度の隙間で離間している。仮に、対抗面SF3および対抗面SF4が先に接触してしまうと、試料片9を把持できなくなってしまう。実施の形態1では、対抗面SF3と対抗面SF4との間の距離が上述のように設計されているので、把持部材8a1と把持部材8a2との間で、試料片9が安定して把持される。
また、後で詳細に説明するが、把持面SF1と把持面SF2との間で把持された状態において、試料片9の位置がずれる、または、試料片9が回転する場合がある。すなわち、試料片9の状態が変化する場合があるが、実施の形態1では、突当て領域8b1および突当て領域8b2が存在しているので、試料片9を突当て領域8b1(突当て面SF5)および突当て領域8b2(突当て面SF6)に押し付けることで、試料片9の位置を正常な位置へ修正することができる。
また、図2および図4に示されるように、把持部材8a1(把持領域8c1、突当て領域8b1)および把持部材8a2(把持領域8c2および突当て領域8b2)は、それぞれ所定の方向へ延在しているが、突当て面SF5および突当て面SF6は、これらの延在方向に対して傾斜している。言い換えれば、突当て面SF5および突当て面SF6は、それぞれ上記延在方向と垂直な面に対して傾斜している。
突当て面SF5および突当て面SF6が、それぞれ上記延在方向と垂直な面であったとしても、上述のように、試料片9を安定して把持し、試料片9の位置を正常な位置へ修正することができる。特に図示はしていないが、そのような構造も実施の形態1に含まれる。
しかしながら、上述のように、突当て面SF5および突当て面SF6が傾斜していることで、把持面SF1と試料片9との接触面積および把持面SF2と試料片9との接触面積を増加させることができる。従って、試料片9の把持力が増加するので、試料片9をより安定して把持することができる。
また、試料片9を突当て領域8b1(突当て面SF5)および突当て領域8b2(突当て面SF6)に押し付けた際に、突当て面SF5および突当て面SF6が傾斜していることで、突当て面SF5と試料片9との接触面積および突当て面SF6と試料片9との接触面積を増加させることができる。従って、試料片9の位置を正常な位置へ修正することが、より容易となる。
<搬送方法の処理フロー>
以下に、図5のフローチャートに示される各ステップS1~S13と、図9~図17とを対比させながら、実施の形態1における試料片9の搬送方法について説明する。また、搬送装置1に備えられている試料片取得機能および試料片搭載機能など、各種の機能についても説明する。
<<キャリア10の構造>>
各ステップS1~S13の説明を行う前に、図6~図8を用いて、実施の形態1におけるキャリア10の構造について説明を行う。
図6に示されるように、キャリア10は、ハーフムーン型の基体11と、Z方向において基体11の表面から突出した複数の支持部(間隙部)12とを含み、複数の支持部12の各々に、試料片9が搭載される。なお、複数の支持部12を含む基体11は、例えばシリコンのような一つの材料から構成されていてよいが、基体11のうち、複数の支持部12が設けられる箇所およびその周囲は、基体11を構成する材料とは異なる材料で構成されていてもよい。例えば、基体11の大部分が銅によって構成され、複数の支持部12およびその周囲はシリコンによって構成されていてもよい。
図7に示されるように、支持部12は、支柱12aおよび支柱12bによって構成され、支柱12aおよび支柱12bは、Z方向において基体11の載置面11aから突出し、Z方向へ向かって延在している。また、支柱12aおよび支柱12bは、Y方向において互いに離間されている。
試料片9は、間隙部を成す支持部12において支持される。具体的には、試料片9は、支柱12aと支柱12bとの間に挟まれ、試料片9の下端部9cは、載置面11a上に設置される。なお、ここでは1つの試料片9が、支持部12によって支持されているが、支柱12aおよび支柱12bの高さを高くすることで、複数の試料片9を支持部12に支持させてもよい。
一つのキャリア10には、このような支柱12aおよび支柱12bからなる支持部12が4~20個設けられている。なお、実施の形態1では支柱12aおよび支柱12bが四角柱体である場合を例示するが、支柱12a~12dの形状は、試料片9を保持できる形状であればよく、四角以外の多角柱体であってもよいし、円柱体であってもよい。
また、図8に示されるように、支持部12は、支柱12a~12dによって構成されていてもよい。図7のようなキャリア10における試料片9の保持力が不足する場合には、図8のようなキャリア10を用いることが有効である。
図8では、支柱12aおよび支柱12bは、Y方向において互いに離間され、支柱12cおよび支柱12dは、Y方向において互いに離間されている。また、支柱12aおよび支柱12bは、X方向において支柱12cおよび支柱12dと離間されている。試料片9は、支柱12aと支柱12bとの間、および、支柱12cと支柱12dとの間に挟まれる。
試料90から取得された複数の試料片9は、キャリア10へ順次搭載される。また、試料片9の解析を行う際、解析は、複数の試料片9がキャリア10に搭載された状態で行われる。従って、解析部9aが支持部12に遮られないように、Y方向から見た平面視おいて、解析部9aは、支持部12に重ならず、支持部12から露出している。
<<試料片取得機能>>
試料片取得機能は、ステージ5に試料90が設置されている場合、ピンセット8を用いて、試料90の一部から試料片9を取り出すための機能である。
ステップS1では、試料片9を撮像領域へ移動させる。まず、図9に示されるような、その一部に試料片9が作製されている試料90が、ステージ5上に設置される。試料片9は、試料90を搬送装置1へ移送する前に、FIB装置などによって作製されている。また、試料片9は、試料90の一部である接合部9dによって試料90と接合されている。
なお、このような接合部9dは、1つだけでなく、複数形成されていてもよい。また、図9では、試料片9に解析部9aが含まれているが、解析部9aの作製は、試料片9がキャリア10に搭載された後に、搬送装置1の内部において、イオンビームカラム3を用いて行われてもよい。
次に、ステージ制御部C3によってステージ5を移動させることで、試料片9が撮像領域へ移動する。
なお、以下で説明する搬送方法の全体を通して、電子ビームカラム2によるTop-ViewのSEM像またはイオンビームカラム3によるTilt-ViewのSIM像が取得される。Top-Viewでは、主に、図7におけるY方向のように、ピンセット8、試料片9またはキャリア10の横方向の状態が確認される。Tilt-Viewでは、主に、図7におけるZ方向のように、ピンセット8、試料片9またはキャリア10の高さ方向の状態が確認される。以下では、主に電子ビームカラム2によるSEM像によって観察を行う場合を例示する。
ステップS2では、試料片9の位置が確認される。電子ビームカラム制御部C1によって、撮像媒体である電子ビームカラム2の焦点が試料片9に合わされ、試料片9の大まかな位置情報が得られる。
ステップS3では、ピンセット8の移動が行われる。ピンセット制御部C5によって、マニピュレータ7が駆動され、ピンセット8が撮像領域のほぼ中心へ移動する。
ステップS4では、ピンセット8の位置が確認される。電子ビームカラム制御部C1によって、撮像媒体である電子ビームカラム2の焦点がピンセット8に合わされ、ピンセット8の大まかな位置情報が得られる。
ステップS5では、ピンセット8を試料片9の直上へ移動させる。ステップS2で取得された試料片9の大まかな位置情報と、ステップS4で取得されたピンセット8の大まかな位置情報とを基にして、ピンセット8が試料片9の直上に位置するように、ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させる。
ステップS6では、ピンセット8を試料片9へ近接させる。ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させることで、ピンセット8が試料片9へ近接する。図10には、ピンセット8の把持部材8a1および把持部材8a2が開いた状態で、ピンセット8を下降させた様子が示されている。
ステップS7では、試料片9がピンセット8によって把持される。図11に示されるように、ピンセット制御部C5によってピンセット8を閉じることで、把持部材8a1と把持部材8a2との間で、試料片9が把持される。ここで、把持面SF1および把持面SF2は試料片9に接触するが、試料片9の上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2から離間するように、ピンセット8の位置が調整されている(第1状態)。
また、解析部9aはその周囲に対して凹状となっているので、ピンセット8および試料片9が摺動したとしても、解析部9aが傷つくことはない。また、解析部9aを覆い隠すように、ピンセット8が試料片9を把持してもよい。これにより、解析部9aのコンタミネーションが低減される。
ステップS8では、試料片9が試料90から切り離される。ここでは、ピンセット8によって試料片9が把持された状態で、試料90から試料片9が取り出される。
試料片9を取り出すための一例として、イオンビームカラム3を用いたスパッタリング加工によって、接合部9dを破壊する方法が挙げられる。なお、この方法を用いる場合、ステップS7においてピンセット8が試料片9を把持する際、接合部9dがピンセット8によって覆い隠されないような向きから、試料片9が把持されている必要がある。
また、接合部9dを破壊する際、図12に示されるように、ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させることで、ピンセット8を試料片9へ近接させる。ピンセット8を上端部9bから下端部9cへ向かう方向へ移動させることで、試料片9の上端部9bがピンセット8に接触する。
この場合、まず、試料片9が把持面SF1と把持面SF2との間で摺動し、試料片9の上端部9bは、突当て領域8b1および突当て領域8b2の各々の一部に接触する。その後、ピンセット8を上端部9bから下端部9cへ向かう方向へ更に移動させることで、試料片9の上端部9b全体が、突当て領域8b1および突当て領域8b2に面接触する(第2状態)。
すなわち、図12のような第2状態における上端部9bは、図11のような第1状態よりも接触面積が大きくなるように、突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触している。
上記第2状態では、試料片9は、把持面SF1と、把持面SF2と、突当て領域8b1および突当て領域8b2とからなる3方向から押さえつけられるので、外力による試料片9の回転作用が低減される。すなわち、試料片9の把持の安定性が高いので、試料片9の解析部9aの位置がずれるような不具合が発生し難くなる。
図13は、試料片9を取り出すための他の例を示している。図12のように上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触している状態(第2状態)において、ピンセット8を上端部9bから下端部9cへ向かう方向へ更に移動させ、接合部9dを破壊し、試料片9を試料90から分離させる。この方法によっても、試料90から試料片9を取得できる。この方法では、スパッタリング加工を行う必要が無くなるので、試料片9の搬送工程の簡略化を図ることができる。
<<試料片9のずれ又は回転について>>
図14は、試料片9が把持部材8a1と把持部材8a2との間(把持面SF1と把持面SF2との間)で把持された状態で、試料片9がずれる又は回転した場合を示している。この状態のまま試料片9をキャリア10へ搭載すると、解析部9aの位置が正常な位置からずれている状態になるので、解析部9aの位置を探索し、解析部9aがどの程度ずれているかを特定する作業に膨大な時間が必要となる。
例えば図11のように、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2から離間している場合、図14のように試料片9のずれ又は回転が発生し易い。しかしながら、後述の図17のように、試料片9をキャリア10に搭載する際、試料片9が把持面SF1と把持面SF2との間で摺動しながら、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触するので、解析部9aの位置は、正常な位置へ戻される。従って、解析部9aを探索するための時間を短縮できるので、解析工程全体におけるスループットを向上させることができる。
ここで、図12のように、予め、上端部9bを突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触させ(第2状態)、この状態のまま試料片9をキャリア10へ搭載することでも、解析部9aの位置が正常な位置となるので、解析部9aを探索するための時間を短縮できる
しかしながら、図12のようにピンセット8によって試料片9が把持された状態でも、試料片9を試料90からキャリア10へ搬送する間、または、試料片9をキャリア10へ挿入している間に、試料片9のずれ又は回転が発生する場合もある。例えば、上端部9bが、突当て領域8b1および突当て領域8b2の全体に接触した状態から、これらの一部のみに接触した状態へと変化する場合がある。その場合でも、後述の図17のように、解析部9aの位置は正常な位置へ戻される。
このように、実施の形態1では、把持部材8a1と把持部材8a2との間(把持面SF1と把持面SF2との間)で把持されている試料片9が、上記第1状態から上記第2状態へ変化する。
上述の説明を纏めると、上記第1状態は、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2から離間している状態、または、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2の各々の一部に接触している状態である。
また、上記第2状態は、上記第1状態よりも接触面積が大きくなるように、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触している状態である。すなわち、解析部9aの位置が正常な状態である。言い換えれば、上記第2状態における上端部9bおよび下端部9cが、上記第1状態における上端部9bおよび下端部9cよりも、キャリア10の載置面11a上に対して平行に近くなるように、試料片9の状態が変化する。
<<試料片搭載機能>>
試料片搭載機能は、取得された試料片9をキャリア10へ搭載するための機能である。試料片9を取得した後に、ピンセット8によって試料片9が把持された状態で、試料片9はキャリア10へ搭載される。
ステップS9では、ピンセット8の移動が行われる。ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させることで、試料片9を把持するピンセット8が、キャリア10の直上に移動する。なお、ここでは、図11のように、上端部9bが突当て領域8b1および突当て領域8b2から離間している場合を例示する(第1状態)。
ステップS10では、ピンセット8とキャリア10との間のアライメント調整が行われる。図15に示されるように、試料片9がキャリア10の支持部12(支柱12aと支柱12bとの間)に収まるように、ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7の位置調整が行われる。
ステップS11では、試料片9がキャリア10へ搭載される。ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させることで、ピンセット8によって把持された試料片9をキャリア10へ近接させる。図16に示されるように、試料片9は、キャリア10の支柱12aと支柱12bとの間に挿入される。
なお、図16において、試料片9は支柱12aおよび支柱12bの上部から挿入されているが、試料片9は、支柱12aおよび支柱12bの側面部から挿入されてもよい。
次に、図17に示されるように、ピンセット8を上端部9bから下端部9cへ向かう方向へ移動させることで、試料片9の上端部9bがピンセット8に接触する。
この場合、まず、試料片9が把持面SF1と把持面SF2との間で摺動し、試料片9の上端部9bは、突当て領域8b1および突当て領域8b2の各々の一部に接触する。その後、ピンセット8を上端部9bから下端部9cへ向かう方向へ更に移動させることで、試料片9の上端部9b全体が、突当て領域8b1および突当て領域8b2に面接触する(第2状態)。
すなわち、図17のような第2状態における上端部9bは、図16のような第1状態よりも接触面積が大きくなるように、突当て領域8b1および突当て領域8b2に接触している。そして、下端部9cは、キャリア10の載置面11aに接触するように、載置面11a上に設置される。
このように、試料片9の挿入時においても、試料片9の状態が上記第1状態から上記第2状態へ変化する。すなわち、試料片9が取り出されるステップS8の開始時から、試料片9がキャリア10に搭載されるステップS11の終了時までの間において、把持部材8a1と把持部材8a2との間で把持されている試料片9の状態が、上記第1状態から上記第2状態へ変化する。
また、試料片9の挿入中に、試料片9のずれ又は回転が発生する場合もあるが、最終的に試料片9は上記第2状態となるので、解析部9aの位置は正常な位置へ戻される。従って、解析部9aを探索するための時間を短縮できるので、解析工程全体におけるスループットを向上させることができる。
また、下端部9cは、必ずしもキャリア10の載置面11aに接触していなくてもよい。例えば、試料片9の取り出し時に、図12に示されるように、試料片9が上記第2状態でピンセット8に把持されていれば、上記第2状態における上端部9bおよび下端部9cが載置面11a上に対して平行な状態で、試料片9が支柱12aと支柱12bとの間に挿入される。この場合、下端部9cが載置面11aに接触することなく、支柱12aと支柱12bとの間で試料片9が保持される。
ステップS12では、ピンセット8の開放および退避が行われる。まず、ピンセット制御部C5によってマニピュレータ7を駆動させ、ピンセット8の把持面SF1および把持面SF2を試料片9から離間させる。次に、ステージ制御部C3またはピンセット制御部C5によって、ステージ5またはマニピュレータ7を移動させることで、ピンセット8を撮像領域から退避させる。
ステップS13では、試料片9の搭載位置の確認が行われる。検出器制御部C4は、電子ビームカラム2によるSEM像またはイオンビームカラム3によるSIM像を取得し、試料片9の搭載状態を確認する。その後、試料片9を搭載したキャリア10は、搬送装置1からSEM、STEMまたはTEMのような解析装置(荷電粒子線装置)へ移送され、荷電粒子線装置において、試料片9の解析部9aの解析が行われる。
(変形例1、変形例2)
図18および図19は、それぞれ実施の形態1の変形例1および変形例2におけるピンセットを示している。変形例1および変形例2では、実施の形態1と比較して、対抗面SF3および対抗面SF4の形状が異なる。
変形例1および変形例2において、対抗面SF3および対抗面SF4は、それぞれ凹部および凸部を有する。凹部および凸部の各々は、1つだけ形成されていてもよく、複数形成されていてもよい。対抗面SF3の凹部が対抗面SF4の凸部に嵌合し、且つ、対抗面SF3の凸部が対抗面SF4の凹部に嵌合するように、対抗面SF3および対抗面SF4は、互いに対向している。なお、上述のように、把持面SF1と把持面SF2との間に試料片9が把持されている際に、対抗面SF3および対抗面SF4は、互いに若干離間しており、互いに接触しない。
また、対抗面SF3および対抗面SF4の各々の凹部および凸部は、把持部材8a1(把持領域8c1、突当て領域8b1)および把持部材8a2(把持領域8c2および突当て領域8b2)の延在方向に対して平行方向、垂直方向または交差方向など、様々な形状を適用できる。また、凹部および凸部は、くさび形形状、四角柱形状または角錐形状などであってもよい。また、凹部および凸部が形成されている箇所は、突当て領域8b1および突当て領域8b2のうち、把持領域8c1および把持領域8c2に近い箇所だけでなく、突当て領域8b1および突当て領域8b2のうち、任意の箇所に設けられていてもよい。
このような凹部および凸部が設けられていることで、試料片9の把持時において、把持部材8a1と把持部材8a2とが近接した際に、把持部材8a1および把持部材8a2が互いに交差し難くなる。従って、試料片9の把持の安定性をより向上させることができる。
以上、上記実施の形態に基づいて本発明を具体的に説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上記実施の形態における撮像媒体は、電子ビームカラム2またはイオンビームカラム3であるとして説明したが、撮像媒体は試料片9を撮像可能であればよく、光学顕微鏡などであってもよい。
また、上記実施の形態における試料90および試料片9は、主に、半導体基板、半導体素子および配線層のような半導体デバイスであるとして説明したが、試料90および試料片9は、半導体デバイス以外の他分野のデバイスであってもよい。
また、ステップS1~S13のような各工程の一部または全部は、ユーザによって行われてもよいし、総合制御部C0に備えられた人工知能によって行われてもよい。
1 搬送装置
2 電子ビームカラム
3 イオンビームカラム
4 試料室
5 ステージ
6 検出器
7 マニピュレータ
8 ピンセット
8a18a2 把持部材
8b1、8b2 突当て領域
8c1、8c2 把持領域
9 試料片(薄膜試料、ラメラ)
9a 解析部
9b 上端部
9c 下端部
9d 接合部
10 キャリア(グリッド、メッシュ)
11 基体
11a 載置面
12 支持部
12a~12d 支柱
50 入力デバイス
51 ディスプレイ
90 試料(ウェハ)
C0 総合制御部
C1 電子ビームカラム制御部
C2 イオンビームカラム制御部
C3 ステージ制御部
C4 検出器制御部
C5 ピンセット制御部
EB 電子ビーム
IB イオンビーム
OA1、OA2 光軸
S1~S13 ステップ
SF1、SF2 把持面
SF3、SF4 対向面
SF5、SF6 突当て面

Claims (14)

  1. 第1挟持部材および第2挟持部材を備え、且つ、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる試料片を挟持可能なピンセットであって、
    前記第1挟持部材は、前記試料片を挟持した状態で摺動させる第1挟持領域および前記第1挟持領域と一体化し、且つ、摺動した前記試料片が突き当たる第1突当て領域を有し、
    前記第2挟持部材は、前記試料片を挟持した状態で摺動させる第2挟持領域および前記第2挟持領域と一体化し、且つ、摺動した前記試料片が突き当たる第2突当て領域を有し、
    前記第1挟持領域は、前記試料片を挟持するための第1面を含み、
    前記第2挟持領域は、前記第1面に対向し、且つ、前記試料片を挟持するための第2面を含み、
    前記第1突当て領域は、前記第1面から前記第2面へ向かう方向において、前記第1挟持領域から突出し、
    前記第2突当て領域は、前記第2面から前記第1面へ向かう方向において、前記第2挟持領域から突出している、ピンセット。
  2. 第1挟持部材および第2挟持部材を備え、且つ、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる試料片を挟持可能なピンセットであって、
    前記第1挟持部材は、第1挟持領域および前記第1挟持領域と一体化した第1突当て領域を有し、
    前記第2挟持部材は、第2挟持領域および前記第2挟持領域と一体化した第2突当て領域を有し、
    前記第1挟持領域は、前記試料片を挟持するための第1面を含み、
    前記第2挟持領域は、前記第1面に対向し、且つ、前記試料片を挟持するための第2面を含み、
    前記第1突当て領域は、前記第1面から前記第2面へ向かう方向において、前記第1挟持領域から突出し、
    前記第2突当て領域は、前記第2面から前記第1面へ向かう方向において、前記第2挟持領域から突出し、
    前記第1突当て領域は、前記第1面よりも前記第2挟持部材に近い第3面を含み、
    前記第2突当て領域は、前記第3面に対向し、且つ、前記第2面よりも前記第1挟持部材に近い第4面を含み、
    前記第3面および前記第4面は、それぞれ凹部および凸部を有し、
    前記第3面の凹部が前記第4面の凸部に嵌合し、且つ、前記第3面の凸部が前記第4面の凹部に嵌合するように、前記第3面および前記第4面は、互いに対向している、ピンセット。
  3. 第1挟持部材および第2挟持部材を備え、且つ、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる試料片を挟持可能なピンセットであって、
    前記第1挟持部材は、第1挟持領域および前記第1挟持領域と一体化した第1突当て領域を有し、
    前記第2挟持部材は、第2挟持領域および前記第2挟持領域と一体化した第2突当て領域を有し、
    前記第1挟持領域は、前記試料片を挟持するための第1面を含み、
    前記第2挟持領域は、前記第1面に対向し、且つ、前記試料片を挟持するための第2面を含み、
    前記第1突当て領域は、前記第1面から前記第2面へ向かう方向において、前記第1挟持領域から突出し、
    前記第2突当て領域は、前記第2面から前記第1面へ向かう方向において、前記第2挟持領域から突出し、
    前記第1突当て領域は、前記第1面よりも前記第2挟持部材に近い第3面、および、前記第3面と前記第1面とを結ぶ第5面を含み、
    前記第2突当て領域は、前記第3面に対向し、且つ、前記第2面よりも前記第1挟持部材に近い第4面、および、前記第4面と前記第2面とを結ぶ第6面を含み、
    前記第1挟持領域、前記第1突当て領域、前記第2挟持領域および前記第2突当て領域は、それぞれ第1方向へ延在し、
    前記第5面および前記第6面は、それぞれ前記第1方向と垂直な面に対して傾斜している、ピンセット。
  4. 請求項1に記載のピンセットを備える搬送装置において、
    試料を設置するためのステージと、
    前記試料片を搭載するためのキャリアと、
    前記ステージに前記試料が設置されている場合、前記ピンセットを用いて、前記試料の一部から前記試料片を取り出すための試料片取得機能と、
    前記ピンセットによって挟持された前記試料片を前記キャリアへ搭載するための試料片搭載機能と、
    を備える、搬送装置。
  5. 請求項4に記載の搬送装置において、
    前記ピンセットに接続されたマニピュレータと、
    前記マニピュレータを制御可能な制御部と、
    を更に備え、
    前記ピンセットの動作および移動は、前記制御部からの制御信号に基づいて前記マニピュレータによって行われる、搬送装置。
  6. 請求項4に記載の搬送装置において、
    前記ピンセットによる前記試料片の挟持状態を観察可能な撮像媒体を更に備える、搬送装置。
  7. 請求項6に記載の搬送装置において、
    電子ビームを照射可能な電子ビームカラム、または、イオンビームを照射可能なイオンビームカラムと、
    前記電子ビームまたは前記イオンビームが照射された観察対象から放出される二次電子を検出可能な検出器と、
    を更に備え、
    前記撮像媒体は、前記電子ビームカラムまたは前記イオンビームカラムと、前記検出器とを含む、搬送装置。
  8. 試料を設置するためのステージと、第1挟持部材および第2挟持部材を備えるピンセットと、を備えた搬送装置を用いて行われる試料片の搬送方法であって、
    (a)前記ステージに、その一部に前記試料片が作製されている前記試料を設置するステップ、
    (b)前記ステップ(a)の後、前記第1挟持部材と前記第2挟持部材との間で、前記試料片を挟持するステップ、
    (c)前記ステップ(b)の後、前記ピンセットによって前記試料片が挟持された状態で、前記試料から前記試料片を取り出すステップ、
    (d)前記ステップ(c)の後、前記ピンセットによって前記試料片が挟持された状態で、前記試料片を、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる前記試料片を搭載するためのキャリアへ搭載するステップ、
    を備え、
    前記ステップ(c)の開始時から前記ステップ(d)の終了時までの間において、前記第1挟持部材と前記第2挟持部材との間で挟持されている前記試料片の状態が、前記試料片と、前記第1挟持部材および前記第2挟持部材との間の摺動によって、第1状態から第2状態へ変化し、
    前記試料片は、下端部および前記下端部と反対側の上端部を有し、
    前記第1挟持部材は、前記試料片を挟持した状態で摺動させる第1挟持領域および前記第1挟持領域と一体化し、且つ、摺動した前記試料片の前記上端部が突き当たる第1突当て領域を有し、
    前記第2挟持部材は、前記試料片を挟持した状態で摺動させる第2挟持領域および前記第2挟持領域と一体化し、且つ、摺動した前記試料片の前記上端部が突き当たる第2突当て領域を有し、試料片の搬送方法。
  9. 請求項8に記載の試料片の搬送方法において
    記下端部は、前記試料片が前記キャリアへ搭載された際に、前記上端部よりも前記キャリアの載置面の近くに位置し、
    前記第2状態における前記上端部は、前記第1状態における前記上端部よりも、前記載置面に対して平行に近い、試料片の搬送方法。
  10. 試料を設置するためのステージと、第1挟持部材および第2挟持部材を備えるピンセットと、を備えた搬送装置を用いて行われる試料片の搬送方法であって、
    (a)前記ステージに、その一部に前記試料片が作製されている前記試料を設置するステップ、
    (b)前記ステップ(a)の後、前記第1挟持部材と前記第2挟持部材との間で、前記試料片を挟持するステップ、
    (c)前記ステップ(b)の後、前記ピンセットによって前記試料片が挟持された状態で、前記試料から前記試料片を取り出すステップ、
    (d)前記ステップ(c)の後、前記ピンセットによって前記試料片が挟持された状態で、前記試料片を、荷電粒子線装置を用いて解析が行われる前記試料片を搭載するためのキャリアへ搭載するステップ、
    を備え、
    前記ステップ(c)の開始時から前記ステップ(d)の終了時までの間において、前記第1挟持部材と前記第2挟持部材との間で挟持されている前記試料片の状態が、第1状態から第2状態へ変化し、
    前記第1挟持部材は、第1挟持領域および前記第1挟持領域と一体化した第1突当て領域を有し、
    前記第2挟持部材は、第2挟持領域および前記第2挟持領域と一体化した第2突当て領域を有し、
    前記第1挟持領域は、前記試料片を挟持するための第1面を含み、
    前記第2挟持領域は、前記第1面に対向し、且つ、前記試料片を挟持するための第2面を含み、
    前記第1突当て領域は、前記第1面から前記第2面へ向かう方向において、前記第1挟持領域から突出し、
    前記第2突当て領域は、前記第2面から前記第1面へ向かう方向において、前記第2挟持領域から突出し、
    前記試料片は、下端部および前記下端部と反対側の上端部を有し、
    前記下端部は、前記試料片が前記キャリアに搭載された際に、前記上端部よりも前記キャリアの載置面の近くに位置し、
    前記第1状態における前記上端部は、前記第1突当て領域および前記第2突当て領域から離間している、または、前記第1突当て領域および前記第2突当て領域の各々の一部に接触し、
    前記第2状態における前記上端部は、前記第1状態よりも接触面積が大きくなるように、前記第1突当て領域および前記第2突当て領域に接触している、試料片の搬送方法。
  11. 請求項10に記載の試料片の搬送方法において、
    前記第1状態から前記第2状態への変化は、前記試料片が前記第1面と前記第2面との間で摺動しながら行われる、試料片の搬送方法。
  12. 請求項11に記載の試料片の搬送方法において、
    前記第1状態から前記第2状態への変化は、前記ステップ(c)において、前記ピンセットを前記上端部から前記下端部へ向かう方向へ移動させることで、行われる、試料片の搬送方法。
  13. 請求項12に記載の試料片の搬送方法において、
    前記試料片の取り出しは、前記第2状態において、前記ピンセットを前記上端部から前記下端部へ向かう方向へ更に移動させ、前記試料片を前記試料から分離することで、行われる、試料片の搬送方法。
  14. 請求項11に記載の試料片の搬送方法において、
    前記第1状態から前記第2状態への変化は、前記ステップ(d)において、前記ピンセットを前記上端部から前記下端部へ向かう方向へ移動させることで、行われる、試料片の搬送方法。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003311435A (ja) 2002-04-22 2003-11-05 Hitachi High-Technologies Corp イオンビームによる穴埋め方法、イオンビーム加工・観察装置、及び電子部品の製造方法
JP2006120391A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Sii Nanotechnology Inc Memsで作製する常閉型微小サンプルホルダ
JP2007506981A (ja) 2003-09-23 2007-03-22 ザイベックス コーポレーション Fibで調製した試料を把持する素子を使用した顕微鏡検査のための方法、システム、および装置
JP2009133833A (ja) 2007-11-06 2009-06-18 Sii Nanotechnology Inc 透過電子顕微鏡用試料作製方法及び透過電子顕微鏡用試料片
JP2009210330A (ja) 2008-03-03 2009-09-17 Hitachi High-Technologies Corp 微細試料ハンドリング装置
JP2010190808A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置、及びそれを用いた試料の加工方法
CN205514976U (zh) 2016-01-27 2016-08-31 首都医科大学附属北京口腔医院 一种口腔正畸科用多功能镊子
CN206399720U (zh) 2017-01-11 2017-08-11 三峡大学 一种用于超小尺寸易碎试样的打磨夹持工具
CN206548598U (zh) 2016-10-28 2017-10-13 胡晓予 一种便于夹持组织的电凝镊

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3547143B2 (ja) 1997-07-22 2004-07-28 株式会社日立製作所 試料作製方法
EP1816100A1 (en) * 2004-11-22 2007-08-08 National University Corporation Kagawa University Nano tweezers and scanning probe microscope having the same
JP5135516B2 (ja) 2008-03-10 2013-02-06 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 薄片試料作製方法
JP2009216534A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Jeol Ltd 薄膜試料作製方法
CN202592239U (zh) * 2012-05-28 2012-12-12 上海华力微电子有限公司 一种夹取碳膜铜网的专用镊子
US9040908B2 (en) * 2013-06-28 2015-05-26 Fei Company Plan view sample preparation
JP2017094412A (ja) * 2015-11-19 2017-06-01 日東電工株式会社 部品把持具

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003311435A (ja) 2002-04-22 2003-11-05 Hitachi High-Technologies Corp イオンビームによる穴埋め方法、イオンビーム加工・観察装置、及び電子部品の製造方法
JP2007506981A (ja) 2003-09-23 2007-03-22 ザイベックス コーポレーション Fibで調製した試料を把持する素子を使用した顕微鏡検査のための方法、システム、および装置
JP2006120391A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Sii Nanotechnology Inc Memsで作製する常閉型微小サンプルホルダ
JP2009133833A (ja) 2007-11-06 2009-06-18 Sii Nanotechnology Inc 透過電子顕微鏡用試料作製方法及び透過電子顕微鏡用試料片
JP2009210330A (ja) 2008-03-03 2009-09-17 Hitachi High-Technologies Corp 微細試料ハンドリング装置
JP2010190808A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Sii Nanotechnology Inc 集束イオンビーム装置、及びそれを用いた試料の加工方法
CN205514976U (zh) 2016-01-27 2016-08-31 首都医科大学附属北京口腔医院 一种口腔正畸科用多功能镊子
CN206548598U (zh) 2016-10-28 2017-10-13 胡晓予 一种便于夹持组织的电凝镊
CN206399720U (zh) 2017-01-11 2017-08-11 三峡大学 一种用于超小尺寸易碎试样的打磨夹持工具

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