JP7383346B2 - Measuring method - Google Patents

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Description

本発明は、切削ブレードで被加工物を切削することで被加工物に切削溝を形成した後、切削に伴い切削溝の縁部に形成されたチッピングの大きさを測定する測定方法に関する。 The present invention relates to a measurement method for forming a cutting groove in a workpiece by cutting the workpiece with a cutting blade, and then measuring the size of chipping formed at the edge of the cutting groove due to cutting.

携帯電話等の電子機器やモーター等の電気機器には、LED(Light Emitting Diode)、チップ抵抗器、弾性表面波フィルター、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の機能を有する半導体デバイスチップが使用される。 Semiconductor device chips with functions such as LEDs (Light Emitting Diodes), chip resistors, surface acoustic wave filters, and IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) are used in electronic devices such as mobile phones and electrical devices such as motors. .

これらの半導体デバイスチップは、耐熱性、絶縁性、放熱性等の種々の特性について所定の性能を有するように、アルミナ基板やアルミナジルコニア基板等のセラミックス基板を用いて製造される。 These semiconductor device chips are manufactured using ceramic substrates such as alumina substrates and alumina-zirconia substrates so as to have predetermined performance in various properties such as heat resistance, insulation, and heat dissipation.

例えば、1つのセラミックス基板に複数の半導体デバイスを形成した後、切削ブレードを備える切削装置でセラミックス基板を切削して分割することで、1つのセラミックス基板が、複数の半導体デバイスチップに分割される(例えば、特許文献1参照)。 For example, after forming multiple semiconductor devices on one ceramic substrate, the ceramic substrate is cut and divided using a cutting device equipped with a cutting blade, thereby dividing one ceramic substrate into multiple semiconductor device chips ( For example, see Patent Document 1).

しかし、セラミックス基板を切削ブレードで切削すると、加工条件等に起因して切削後の半導体デバイスの外周縁にチッピング(即ち、欠け)が生じる。所定の許容値よりも大きいサイズのチッピングを有する半導体デバイスチップは、当該許容値以下のサイズのチッピングを有する半導体デバイスチップに比べて抗折強度が低く、不良品として取り扱われる。 However, when a ceramic substrate is cut with a cutting blade, chipping (that is, chipping) occurs at the outer periphery of the semiconductor device after cutting due to processing conditions and the like. A semiconductor device chip having a chipping size larger than a predetermined tolerance value has a lower bending strength than a semiconductor device chip having a chipping size smaller than the tolerance value, and is treated as a defective product.

それゆえ、半導体デバイスチップに形成されたチッピングの大きさを評価する必要がある。このため、セラミックス基板の表面側に切削溝(カーフ)を形成した後、切削に伴い切削溝の縁部に形成されたチッピングの大きさを評価することが行われている。 Therefore, it is necessary to evaluate the magnitude of chipping formed on a semiconductor device chip. For this reason, after forming a cutting groove (kerf) on the surface side of a ceramic substrate, the size of chipping formed at the edge of the cutting groove due to cutting is evaluated.

チッピングの大きさの評価方法として、通常、光学顕微鏡を用いた目視での評価が行われる。しかし、セラミックス基板(特に、アルミナ等で形成された白色基板)では、光が基板の表面側で乱反射するので、チッピングの大きさを評価し難い。 As a method for evaluating the size of chipping, visual evaluation using an optical microscope is usually performed. However, in the case of a ceramic substrate (particularly a white substrate made of alumina or the like), light is diffusely reflected on the surface side of the substrate, making it difficult to evaluate the size of chipping.

特開平4-179505号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-179505

それゆえ、現状では、加工テスト用のセラミックス基板を切削した後、切削溝の縁部を油性ペン等で着色することにより光の乱反射を抑えた上で、チッピングの大きさを評価している。 Therefore, currently, after cutting a ceramic substrate for processing tests, the edges of the cut grooves are colored with an oil-based marker to suppress diffused reflection of light, and then the size of chipping is evaluated.

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、切削溝の縁部を着色することなくより簡単にチッピングの大きさを測定することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to more easily measure the size of chipping without coloring the edges of cut grooves.

本発明の一態様によれば、回転する切削ブレードにより被加工物を切削することで該被加工物に切削溝を形成した後、切削に伴い該切削溝の縁部に形成されたチッピングの大きさを測定する測定方法であって、該切削溝の該縁部に超音波を入射させて、該縁部から反射された反射波を検出する反射波検出工程と、該反射波に応じて予め設定された色調に基づいて該反射波を画像データに変換する変換工程と、該画像データから、又は、該画像データから作成された画像から、該切削溝の該縁部に形成されたチッピングの大きさを測定する測定工程と、を備え、該反射波検出工程では、該切削ブレードが装着される切削ユニットに対してそれぞれ位置が固定された超音波探触子及び液体供給ノズルを使用し、該超音波探触子と該被加工物との間に該液体供給ノズルから液体を供給した状態で、該超音波探触子から該切削溝の該縁部に超音波を入射させて、該超音波探触子で該縁部から反射された該反射波を検出する測定方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, after a cutting groove is formed in the workpiece by cutting the workpiece with a rotating cutting blade, the size of chipping formed at the edge of the cutting groove due to cutting is The method includes a reflected wave detection step of injecting an ultrasonic wave into the edge of the cutting groove and detecting a reflected wave reflected from the edge, and a step of detecting a reflected wave in advance according to the reflected wave. a conversion step of converting the reflected wave into image data based on a set color tone; and a conversion step of converting the reflected wave into image data based on the set color tone; a measurement step of measuring the size, and the reflected wave detection step uses an ultrasonic probe and a liquid supply nozzle whose positions are respectively fixed with respect to the cutting unit to which the cutting blade is attached, With a liquid being supplied from the liquid supply nozzle between the ultrasonic probe and the workpiece, ultrasonic waves are made to enter the edge of the cutting groove from the ultrasonic probe, and the A measurement method is provided for detecting the reflected wave reflected from the edge with an ultrasonic probe .

好ましくは、該変換工程では、該反射波の強度の大小に応じて設定された色調に基づいて、該反射波を該画像データに変換する。 Preferably, in the conversion step, the reflected wave is converted into the image data based on a color tone set depending on the intensity of the reflected wave.

また、好ましくは、該反射波検出工程では、該切削溝を横切る複数の位置で超音波を入射させて反射波を検出する作業を、該切削溝の長手方向に沿って繰り返し行うことを含む。 Preferably, the reflected wave detection step includes repeatedly performing the operation of detecting reflected waves by injecting ultrasonic waves at a plurality of positions across the cut groove along the longitudinal direction of the cut groove.

本発明の一態様に係る測定方法では、切削溝の縁部を含む測定領域に超音波を入射させて、測定領域から反射された反射波を検出する(反射波検出工程)。そして、反射波に応じて予め設定された色調に基づいて、反射波を画像データに変換する(変換工程)。 In the measurement method according to one aspect of the present invention, an ultrasonic wave is made incident on a measurement region including the edge of a cut groove, and a reflected wave reflected from the measurement region is detected (reflected wave detection step). Then, the reflected wave is converted into image data based on a color tone set in advance according to the reflected wave (conversion step).

更に、画像データ、又は、画像データから作成された画像から、切削溝に形成されたチッピングの大きさを測定する(測定工程)。この様に、超音波を用いて切削溝を可視化することにより縁部を観察できる。それゆえ、切削溝の縁部を着色することなくより簡単にチッピングの大きさを測定できる。 Furthermore, the size of chipping formed in the cut groove is measured from the image data or an image created from the image data (measuring step). In this way, the edges can be observed by visualizing the cut grooves using ultrasound. Therefore, the size of chipping can be measured more easily without coloring the edges of the cut grooves.

超音波撮像装置等の構成例を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration example of an ultrasonic imaging device and the like. 切削装置等を示す斜視図である。It is a perspective view showing a cutting device etc. 図3(A)は切削溝の部分拡大図であり、図3(B)は超音波が照射される領域を説明する切削溝の部分拡大図である。FIG. 3(A) is a partially enlarged view of the cut groove, and FIG. 3(B) is a partially enlarged view of the cut groove for explaining the area to which ultrasonic waves are irradiated. 図4(A)は反射波の一例を示すグラフであり、図4(B)は反射波の他の例を示すグラフであり、図4(C)は振幅と色調との対応関係を説明する図である。FIG. 4(A) is a graph showing an example of reflected waves, FIG. 4(B) is a graph showing another example of reflected waves, and FIG. 4(C) explains the correspondence between amplitude and color tone. It is a diagram. 図5(A)は表面側の画像の一例であり、図5(B)は光学顕微鏡を用いた場合の表面側の画像の一例である。FIG. 5(A) is an example of an image on the front side, and FIG. 5(B) is an example of an image on the front side when an optical microscope is used. チッピングの測定方法のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of a method for measuring chipping. 第2の実施形態に係る切削装置を示す斜視図である。It is a perspective view showing a cutting device concerning a 2nd embodiment. 第2の実施形態に係る反射波検出工程を示す一部断面側面図である。FIG. 7 is a partially cross-sectional side view showing a reflected wave detection process according to the second embodiment.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、チッピングを撮像するための超音波撮像装置2について説明する。図1は、超音波撮像装置2等の構成例を示す図である。なお、図1では、構成要素の一部をブロック図で示す。 Embodiments according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, the ultrasonic imaging device 2 for imaging chipping will be described. FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of an ultrasonic imaging device 2 and the like. Note that in FIG. 1, some of the constituent elements are shown in a block diagram.

超音波撮像装置2の構成は、市販の超音波撮像装置と略同じである。超音波撮像装置2には、超音波探触子(プローブ)4が接続されている。超音波探触子4は、例えば、ピエゾ素子を有するPMUT(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer)を備える。 The configuration of the ultrasound imaging device 2 is substantially the same as a commercially available ultrasound imaging device. An ultrasound probe 4 is connected to the ultrasound imaging device 2 . The ultrasonic probe 4 includes, for example, a PMUT (Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer) having a piezo element.

超音波探触子4には、超音波探触子4を水平方向に移動させるための水平方向移動機構(不図示)が連結されている。水平方向移動機構は、例えば、XYスキャナーであり、超音波探触子4をX軸方向と、所定の平面においてX軸方向に直交するY軸方向とに沿って移動させる。 A horizontal movement mechanism (not shown) for horizontally moving the ultrasound probe 4 is connected to the ultrasound probe 4 . The horizontal movement mechanism is, for example, an XY scanner, and moves the ultrasound probe 4 along the X-axis direction and the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction in a predetermined plane.

超音波探触子4には、送受切り替えユニット6を介して送信ユニット8が接続されている。送受切り替えユニット6は、超音波探触子4と、送信ユニット8又は受信ユニット10との電気的接続を切り替える所定の回路を有する。 A transmitting unit 8 is connected to the ultrasound probe 4 via a transmitting/receiving switching unit 6 . The transmission/reception switching unit 6 has a predetermined circuit for switching the electrical connection between the ultrasound probe 4 and the transmission unit 8 or the reception unit 10.

送信ユニット8は、電圧信号を発生させる信号発生器(不図示)を有する。信号発生器は、電圧値の大きさ、周波数等が所定の値に調整された電圧信号を、送受切り替えユニット6を介して超音波探触子4に送信する。 The transmitting unit 8 has a signal generator (not shown) that generates a voltage signal. The signal generator transmits a voltage signal whose voltage value, frequency, etc. are adjusted to predetermined values to the ultrasound probe 4 via the transmission/reception switching unit 6 .

超音波探触子4と送信ユニット8とが電気的に接続された状態で、送信ユニット8から所定の電圧信号が超音波探触子4に送信されると、ピエゾ素子が振動してパルス状の超音波が発生する。 When the ultrasound probe 4 and the transmission unit 8 are electrically connected and a predetermined voltage signal is transmitted from the transmission unit 8 to the ultrasound probe 4, the piezo element vibrates and generates a pulsed signal. Ultrasonic waves are generated.

超音波の発生後の所定のタイミングで、送受切り替えユニット6において、超音波探触子4と送信ユニット8との電気的接続が解除され、超音波探触子4と受信ユニット10とが電気的に接続される。 At a predetermined timing after the generation of ultrasound, the transmission/reception switching unit 6 releases the electrical connection between the ultrasound probe 4 and the transmission unit 8, and disconnects the ultrasound probe 4 and the reception unit 10 from each other. connected to.

超音波探触子4は、後述する被加工物11により反射されパルス状の超音波を出射した後、被加工物11からの反射波(エコー)、散乱波等を受信する(パルス・エコー法)。反射波は、ピエゾ素子により電圧信号に変換され、受信ユニット10へ送信される。 The ultrasonic probe 4 emits pulsed ultrasonic waves that are reflected by a workpiece 11, which will be described later, and then receives reflected waves (echoes), scattered waves, etc. from the workpiece 11 (pulse echo). law). The reflected wave is converted into a voltage signal by the piezo element and transmitted to the receiving unit 10.

受信ユニット10は、ピエゾ素子により変換されたアナログの電圧信号を、所定のサンプリング周波数でデジタル信号に変換するアナログ-デジタル変換器(ADC:Analog-to-Digital Converter)等を有する。 The receiving unit 10 includes an analog-to-digital converter (ADC) that converts an analog voltage signal converted by a piezo element into a digital signal at a predetermined sampling frequency.

受信ユニット10は画像変換処理ユニット12に接続されている。画像変換処理ユニット12では、反射波の強度又は周波数に対応して、変換される画素の色調が予め設定されている。 The receiving unit 10 is connected to an image conversion processing unit 12. In the image conversion processing unit 12, the color tone of the pixel to be converted is set in advance in accordance with the intensity or frequency of the reflected wave.

画像変換処理ユニット12は、反射波の強度又は周波数の情報を、画素の色調の情報に変換することで、受信ユニット10から受信したデジタル信号を、画像データに変換する。画像データは、縦及び横の位置情報と、各位置情報に応じて定められた画素値とを有し、1つの画像を構成する際に使用されるデータである。 The image conversion processing unit 12 converts the digital signal received from the receiving unit 10 into image data by converting information on the intensity or frequency of the reflected wave into information on the color tone of the pixel. The image data has vertical and horizontal position information and pixel values determined according to each position information, and is data used when configuring one image.

画像データは、JPEG(Joint Photographic Experts Group)、GIF(Graphics Interchange Format)、PNG(Portable Network Graphics)、TIFF(Tagged Image File Format)等の任意の形式のデータであってよい。 The image data may be in any format such as JPEG (Joint Photographic Experts Group), GIF (Graphics Interchange Format), PNG (Portable Network Graphics), or TIFF (Tagged Image File Format).

画像変換処理ユニット12は、更に、画像データに対して画像処理を行う。例えば、画像変換処理ユニット12は、画像データに対して既知のエッジ検出等の処理を施し、次いで、切削溝15の縁部15aに形成されたチッピング15bの大きさを算出する。 The image conversion processing unit 12 further performs image processing on the image data. For example, the image conversion processing unit 12 performs processing such as known edge detection on the image data, and then calculates the size of the chipping 15b formed on the edge 15a of the cutting groove 15.

チッピング15bの大きさは、例えば、チッピング15bが無い場合の切削溝15の縁から、切削溝15の幅方向に沿って、切削溝15の外側に延びるチッピング15bの最大長さである。なお、切削溝15の縁の位置も、画像処理により特定される。 The size of the chipping 15b is, for example, the maximum length of the chipping 15b extending from the edge of the cutting groove 15 to the outside of the cutting groove 15 along the width direction of the cutting groove 15 when there is no chipping 15b. Note that the position of the edge of the cutting groove 15 is also specified by image processing.

画像変換処理ユニット12は、ビデオモニター、コンピュータースクリーン等の表示装置14に接続されている。表示装置14は、表示専用のモニター、スクリーンであってよく、表示及び入力が可能なタッチパネル、タッチスクリーンであってもよい。 Image conversion processing unit 12 is connected to a display device 14, such as a video monitor, computer screen, or the like. The display device 14 may be a display-only monitor or screen, or may be a touch panel or touch screen capable of display and input.

画像変換処理ユニット12が作成した画像データは、表示装置14に表示される。超音波撮像装置2は、送受切り替えユニット6、送信ユニット8、受信ユニット10、画像変換処理ユニット12等の動作を制御する制御ユニット16を更に有する。 The image data created by the image conversion processing unit 12 is displayed on the display device 14. The ultrasonic imaging device 2 further includes a control unit 16 that controls operations of the transmission/reception switching unit 6, the transmission unit 8, the reception unit 10, the image conversion processing unit 12, and the like.

制御ユニット16は、例えば、CPU(Central Processing Unit)に代表されるプロセッサ等の処理装置と、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等の主記憶装置と、フラッシュメモリー、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。 The control unit 16 includes, for example, a processing device such as a processor represented by a CPU (Central Processing Unit), and a main memory such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory), an SRAM (Static Random Access Memory), or a ROM (Read Only Memory). The computer includes a device and an auxiliary storage device such as a flash memory, hard disk drive, or solid state drive.

補助記憶装置に記憶されるソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット16の機能が実現される。なお、制御ユニット16は、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)や、FPGA(Field-Programmable Gate Array)等を用いて構成されてもよい。 The functions of the control unit 16 are realized by operating the processing device and the like according to software stored in the auxiliary storage device. Note that the control unit 16 may be configured using an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), an FPGA (Field-Programmable Gate Array), or the like.

制御ユニット16には、複数の入力用ボタンや、GUI(Graphical User Interface)が表示されるタッチパネル等を備える入力装置18が接続されている。入力装置18を介して、制御ユニット16には、超音波撮像装置2に関する種々の条件が設定される。 The control unit 16 is connected to an input device 18 including a plurality of input buttons and a touch panel on which a GUI (Graphical User Interface) is displayed. Various conditions regarding the ultrasound imaging device 2 are set in the control unit 16 via the input device 18 .

例えば、入力装置18を用いて、送信ユニット8が出力する電圧信号の大きさや周波数が設定される。また、例えば、入力装置18を用いて、反射波の強度又は周波数に対応する画素の色調が設定される。 For example, using the input device 18, the magnitude and frequency of the voltage signal output by the transmitting unit 8 are set. Further, for example, using the input device 18, the color tone of the pixel corresponding to the intensity or frequency of the reflected wave is set.

上述の超音波撮像装置2を用いて、被加工物11の表面11a側に形成された切削溝15が撮像される。被加工物11は、例えば、圧電素子製造用のセラミックス基板である。圧電素子製造用のセラミックス基板としては、鉛含有基板や鉛非含有(鉛フリー)基板が知られている。 The cut groove 15 formed on the surface 11a side of the workpiece 11 is imaged using the ultrasonic imaging device 2 described above. The workpiece 11 is, for example, a ceramic substrate for manufacturing piezoelectric elements. As ceramic substrates for manufacturing piezoelectric elements, lead-containing substrates and lead-free (lead-free) substrates are known.

鉛含有基板は、例えば、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)、又は、PMN-PT(ニオブ酸鉛マグネシウム‐チタン酸鉛)で形成されている。また、鉛非含有基板は、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、又は、亜鉛酸バナジウム酸ビスマスで形成されている。 The lead-containing substrate is made of, for example, PZT (lead zirconate titanate) or PMN-PT (lead magnesium niobate-lead titanate). Further, the lead-free substrate is formed of barium titanate, sodium bismuth titanate, potassium bismuth titanate, or bismuth zincate vanadate.

被加工物11は、圧電素子を有しないセラミックス基板であってもよい。圧電素子を有しないセラミックス基板は、アルミナ基板、ジルコニア基板、アルミナジルコニア基板、窒化アルミニウム基板、窒化ケイ素基板、HTCC(High Temperature Cofired multilayer Ceramics)基板(即ち、高温焼成セラミック多層基板)、LTCC(Low Temperature Cofired multilayer Ceramics)基板(即ち、低温焼成セラミックス多層基板)等である。 The workpiece 11 may be a ceramic substrate without a piezoelectric element. Ceramic substrates without piezoelectric elements include alumina substrates, zirconia substrates, alumina zirconia substrates, aluminum nitride substrates, silicon nitride substrates, HTCC (High Temperature Cofired Multilayer Ceramics) substrates (i.e., high temperature fired ceramic multilayer substrates), and LTCC (Low Temperature Ceramics). Cofired multilayer ceramics (low-temperature firing ceramics multilayer substrate), etc.

また、被加工物11は、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga)、ガリウムヒ素(GaAs)、等の半導体基板であってもよい。被加工物11の表面11a側には、切削装置20を用いて切削溝15が形成される。図2は、切削装置20等を示す斜視図である。切削装置20は、被加工物11等を保持するチャックテーブル24を備える。 Further, the workpiece 11 may be a semiconductor substrate such as silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), gallium oxide (Ga 2 O 3 ), gallium arsenide (GaAs), or the like. A cutting groove 15 is formed on the surface 11a side of the workpiece 11 using a cutting device 20. FIG. 2 is a perspective view showing the cutting device 20 and the like. The cutting device 20 includes a chuck table 24 that holds the workpiece 11 and the like.

チャックテーブル24の上面は、X軸方向(加工送り方向)及びY軸方向(割り出し送り方向)で規定される平面と略平行に形成されている。チャックテーブル24の上面は、チャックテーブル24の内部に形成された吸引路(不図示)を介して、エジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。 The upper surface of the chuck table 24 is formed substantially parallel to a plane defined by the X-axis direction (processing feed direction) and the Y-axis direction (indexing feed direction). The upper surface of the chuck table 24 is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a suction path (not shown) formed inside the chuck table 24 .

吸引源を動作させると、チャックテーブル24の上面には負圧が発生するので、当該上面は、被加工物11等を保持する保持面として機能する。保持面上には、樹脂製で円形のダイシングテープ17を介して被加工物11が金属製の環状フレーム19により支持された被加工物ユニット21の状態で載置される。 When the suction source is operated, negative pressure is generated on the upper surface of the chuck table 24, so the upper surface functions as a holding surface for holding the workpiece 11 and the like. A workpiece 11 is placed on the holding surface via a circular dicing tape 17 made of resin in the form of a workpiece unit 21 supported by an annular frame 19 made of metal.

チャックテーブル24の周囲には、環状フレーム19を把持して固定する複数のクランプ(不図示)が設けられている。また、チャックテーブル24の下部には、チャックテーブル24をZ軸方向(鉛直方向、上下方向)に概ね平行な回転軸の周りで回転させるモーター等を有する回転機構(不図示)が設けられている。 A plurality of clamps (not shown) are provided around the chuck table 24 to grip and fix the annular frame 19. Furthermore, a rotation mechanism (not shown) having a motor or the like that rotates the chuck table 24 around a rotation axis that is generally parallel to the Z-axis direction (vertical direction, vertical direction) is provided at the lower part of the chuck table 24. .

更に、回転機構の下部には、チャックテーブル24をX軸方向に沿って移動させるボールネジ式のX軸方向移動機構(不図示)が設けられている。また、チャックテーブル24の上方には、被加工物11を切削する切削ユニット26が配置されている。 Furthermore, a ball screw-type X-axis direction moving mechanism (not shown) for moving the chuck table 24 along the X-axis direction is provided at the bottom of the rotation mechanism. Further, above the chuck table 24, a cutting unit 26 for cutting the workpiece 11 is arranged.

切削ユニット26は、円筒状のスピンドルハウジング28を備える。スピンドルハウジング28は、円筒の高さ方向がY軸方向と略平行に配置されている。スピンドルハウジング28内には、円柱状のスピンドル(不図示)の一部が収容されている。 The cutting unit 26 includes a cylindrical spindle housing 28. The spindle housing 28 is arranged such that the height direction of the cylinder is substantially parallel to the Y-axis direction. A portion of a cylindrical spindle (not shown) is accommodated within the spindle housing 28 .

スピンドルの一端部はスピンドルハウジング28の外部に露出しており、この一端部には環状の切削ブレード30が装着される。切削ブレード30は、アルミニウム等の金属で形成された円環状の基台の外周部に切り刃が設けられた所謂ハブ型ブレードや、マウント及び押さえナットで両面が挟持される円環状の所謂ハブレス型(ワッシャ型)ブレード等である。 One end of the spindle is exposed outside the spindle housing 28, and an annular cutting blade 30 is attached to this one end. The cutting blade 30 may be a so-called hub type blade in which a cutting edge is provided on the outer periphery of a circular base made of metal such as aluminum, or a so-called hubless type blade in which both sides are held between a mount and a holding nut. (washer type) blade, etc.

スピンドルの一端部とは反対側に位置するスピンドルの他端部には、サーボモーター等の回転駆動源(不図示)が接続されている。回転駆動源からスピンドルを介して伝達される動力によって、切削ブレード30は回転する。 A rotational drive source (not shown) such as a servo motor is connected to the other end of the spindle located on the opposite side from the one end of the spindle. The cutting blade 30 is rotated by power transmitted from the rotational drive source via the spindle.

スピンドルハウジング28には、可視光で被写体を撮像するカメラユニット(不図示)が設けられている。カメラユニットは、光学顕微鏡を構成する対物レンズ(不図示)及び結像レンズ(不図示)を有する。 The spindle housing 28 is provided with a camera unit (not shown) that images a subject using visible light. The camera unit has an objective lens (not shown) and an imaging lens (not shown) that constitute an optical microscope.

カメラユニットは、更に、対物レンズ及び結像レンズを介して被写体を撮像するための、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ等の撮像素子(不図示)を有する。 The camera unit further includes an image sensor (not shown) such as a CCD (Charge Coupled Device) image sensor or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor for capturing an image of a subject through an objective lens and an imaging lens. .

スピンドルハウジング28には、ボールネジ式のZ軸方向移動機構(不図示)のZ軸方向移動プレート(不図示)が接続されている。更に、Z軸方向移動機構には、ボールネジ式のY軸方向移動機構(不図示)のY軸方向移動プレート(不図示)が接続されている。切削ユニット26は、Z軸方向移動機構によりZ軸方向に沿って移動し、Y軸方向移動機構によってY軸方向に沿って移動する。 A Z-axis moving plate (not shown) of a ball screw type Z-axis moving mechanism (not shown) is connected to the spindle housing 28 . Further, a Y-axis moving plate (not shown) of a ball screw type Y-axis moving mechanism (not shown) is connected to the Z-axis moving mechanism. The cutting unit 26 moves along the Z-axis direction by a Z-axis direction movement mechanism, and moves along the Y-axis direction by a Y-axis direction movement mechanism.

次に、第1の実施形態に係るチッピング15b(図1参照)の測定方法について説明する。図6は、第1の実施形態に係るチッピング15bの測定方法のフロー図である。チッピング15bの測定方法では、まず、切削装置20を用いて被加工物11に切削溝15を形成し、その後、切削溝15の縁部15aに形成されたチッピング15bの大きさを測定する。 Next, a method for measuring chipping 15b (see FIG. 1) according to the first embodiment will be described. FIG. 6 is a flow diagram of a method for measuring chipping 15b according to the first embodiment. In the method for measuring chipping 15b, first, cutting groove 15 is formed in workpiece 11 using cutting device 20, and then the size of chipping 15b formed on edge 15a of cutting groove 15 is measured.

被加工物11を切削する際には、まず、被加工物11の裏面11b側(即ち、被加工物ユニット21のダイシングテープ17側)を保持面で吸引して保持し、環状フレーム19を複数のクランプで固定する(保持工程(S10))。このとき、被加工物11の表面11aが上方に露出する。 When cutting the workpiece 11, first, the back side 11b side of the workpiece 11 (that is, the dicing tape 17 side of the workpiece unit 21) is held by suction with the holding surface, and a plurality of annular frames 19 are cut. (holding step (S10)). At this time, the surface 11a of the workpiece 11 is exposed upward.

次に、被加工物11の加工予定ラインが切削ブレード30と略平行になる様に、カメラユニットを利用して、被加工物11の向きを調整する。被加工物11の向きは、チャックテーブル24を回転させることで実現される。 Next, the orientation of the workpiece 11 is adjusted using the camera unit so that the line to be machined on the workpiece 11 is approximately parallel to the cutting blade 30 . The orientation of the workpiece 11 is realized by rotating the chuck table 24.

その後、切削ブレード30を加工予定ラインの外側に配置した状態で切削ブレード30を高速で回転させて、切削ブレード30の下端を被加工物11の表面11aから所定の深さ位置に位置付ける。そして、切削ブレード30に対してチャックテーブル24をX軸方向に移動させる。 Thereafter, the cutting blade 30 is rotated at high speed with the cutting blade 30 disposed outside the planned processing line, and the lower end of the cutting blade 30 is positioned at a predetermined depth position from the surface 11a of the workpiece 11. Then, the chuck table 24 is moved in the X-axis direction relative to the cutting blade 30.

これにより、被加工物11は加工予定ラインに沿って切削される。表面11a側には、例えば、100μmの幅を有する線状の切削溝15が形成される(切削工程(S20))。図1及び図2に示す例では、被加工物11は、厚さ方向で完全に切断されないが、完全に切断されてもよい。 Thereby, the workpiece 11 is cut along the line to be machined. A linear cutting groove 15 having a width of, for example, 100 μm is formed on the surface 11a side (cutting step (S20)). In the example shown in FIGS. 1 and 2, the workpiece 11 is not completely cut in the thickness direction, but may be completely cut.

また、X軸方向に沿って1つの切削溝15を形成した後、切削ユニット26を割り出し送りして、1つの切削溝15とは異なる領域を切削することで、複数の切削溝15を形成してもよい。 Further, after forming one cutting groove 15 along the X-axis direction, the cutting unit 26 is indexed and fed to cut an area different from the one cutting groove 15, thereby forming a plurality of cutting grooves 15. You can.

例えば、それぞれ切削条件を変えて複数の切削溝15を形成すれば、切削条件とチッピング15bの大きさとの相関関係を評価できる。また、複数の切削溝15を形成すれば、切削ブレード30の磨耗とチッピング15bとの相関関係を評価することもできる。 For example, if a plurality of cutting grooves 15 are formed with different cutting conditions, the correlation between the cutting conditions and the size of chipping 15b can be evaluated. Furthermore, by forming a plurality of cutting grooves 15, it is also possible to evaluate the correlation between the wear of the cutting blade 30 and the chipping 15b.

図3(A)は、表面11a側に形成された切削溝15の部分拡大図である。切削溝15の表面11a側の縁部15aには、切削溝15の縁から外側に向かって延伸する様に、複数のチッピング15bが形成されている。 FIG. 3(A) is a partially enlarged view of the cutting groove 15 formed on the surface 11a side. A plurality of chippings 15b are formed on the edge 15a of the cutting groove 15 on the surface 11a side so as to extend outward from the edge of the cutting groove 15.

これらのチッピング15bを画像化するために、表面11a側を超音波撮像装置2で画像化する。そのために、まず、被加工物11をダイシングテープ17から剥離して、図1に示す様に、所定の深さまで純水等の液体32が充填された水槽34の底部に被加工物11を固定する。 In order to image these chippings 15b, the surface 11a side is imaged with the ultrasonic imaging device 2. To do this, first, the workpiece 11 is peeled off from the dicing tape 17, and as shown in FIG. do.

このとき、被加工物11は全体が液体32に浸かり、表面11aは、超音波探触子4の下端から所定距離だけ離れた状態で超音波探触子4の下端に対面する。この状態で、液体32を介して超音波探触子4から表面11a側の切削溝15の縁部15aに超音波を入射させて、反射波を超音波探触子4で検出する(反射波検出工程(S30))。 At this time, the entire workpiece 11 is immersed in the liquid 32, and the surface 11a faces the lower end of the ultrasonic probe 4 at a predetermined distance from the lower end of the ultrasonic probe 4. In this state, ultrasonic waves are made to enter the edge 15a of the cut groove 15 on the surface 11a side from the ultrasonic probe 4 via the liquid 32, and the reflected waves are detected by the ultrasonic probe 4 (reflected waves Detection step (S30)).

図3(B)は、超音波が照射される領域を説明する切削溝15の部分拡大図である。本実施形態の反射波検出工程(S30)では、超音波の波長帯域である周波数25MHz以上200MHz以下の所定の周波数を用いる。 FIG. 3(B) is a partially enlarged view of the cutting groove 15 illustrating the area to which ultrasonic waves are irradiated. In the reflected wave detection step (S30) of this embodiment, a predetermined frequency of 25 MHz or more and 200 MHz or less, which is the wavelength band of ultrasonic waves, is used.

反射波を検出する際には、まず、超音波探触子4の下端から表面11aまでの距離を調整し、水中で超音波が表面11aで収束する様に、超音波探触子4の下端を位置付ける。また、このとき、超音波探触子4の下端を、縁部15aの一方の外側に位置付ける(図3(B)において実線の丸で示す)。 When detecting reflected waves, first adjust the distance from the lower end of the ultrasound probe 4 to the surface 11a, and adjust the distance from the lower end of the ultrasound probe 4 so that the ultrasound waves converge on the surface 11a underwater. position. Also, at this time, the lower end of the ultrasound probe 4 is positioned outside one of the edges 15a (indicated by a solid circle in FIG. 3(B)).

そして、超音波探触子4から超音波を出射し、超音波の反射波を超音波探触子4で検出する。次いで、上述の水平方向移動機構を用いて、切削溝15の幅方向に沿って、超音波探触子4を切削溝15の内側に、例えば切削溝15の幅の1/10以下の長さに対応する所定距離だけ移動させ、同様に超音波を出射し反射波を検出する。 Then, the ultrasonic probe 4 emits ultrasonic waves, and the ultrasonic probe 4 detects reflected waves of the ultrasonic waves. Next, using the above-mentioned horizontal movement mechanism, the ultrasonic probe 4 is moved inside the cutting groove 15 along the width direction of the cutting groove 15, for example, by a length of 1/10 or less of the width of the cutting groove 15. The device is moved a predetermined distance corresponding to , and similarly emits ultrasonic waves and detects reflected waves.

同様に、切削溝15の幅方向に沿って所定距離移動させた各位置で反射波を検出する。この作業を繰り返して、図3(B)に示す様に、切削溝15を横切る複数の位置で超音波を照射して反射波を検出する。なお、複数の位置の数は、図3(B)に示す例に限定されるものではない。 Similarly, reflected waves are detected at each position moved a predetermined distance along the width direction of the cutting groove 15. This operation is repeated to irradiate ultrasonic waves at a plurality of positions across the cut groove 15 and detect reflected waves, as shown in FIG. 3(B). Note that the number of multiple positions is not limited to the example shown in FIG. 3(B).

本実施形態では、切削溝15を横切るように複数の位置で超音波の反射波を検出する作業を、切削溝15の長手方向に沿って繰り返し行う。図4(A)は、反射波の一例を示すグラフである。 In this embodiment, the work of detecting reflected waves of ultrasonic waves at a plurality of positions across the cut groove 15 is repeatedly performed along the longitudinal direction of the cut groove 15 . FIG. 4(A) is a graph showing an example of reflected waves.

図4(A)では、パルス・エコー法で測定された最初の反射波を示す。横軸は時間であり、縦軸は超音波探触子4で受信された信号の振幅(電圧値)であり、反射波の強度に対応する。本実施形態では、最初の反射波を構成する複数のピークのうち、最初に受信されるピーク(図4(A)に示すピークP)に注目する。 FIG. 4(A) shows the first reflected wave measured by the pulse echo method. The horizontal axis is time, and the vertical axis is the amplitude (voltage value) of the signal received by the ultrasound probe 4, which corresponds to the intensity of the reflected wave. In this embodiment, attention is paid to the first received peak (peak P 1 shown in FIG. 4A) among the plurality of peaks that constitute the first reflected wave.

比較的平坦な表面11aで超音波が照射された場合、入射波の大部分は、反射されて超音波探触子4に受信される。この場合、ピークPの振幅は比較的大きくなる。 When ultrasonic waves are irradiated on the relatively flat surface 11a, most of the incident waves are reflected and received by the ultrasonic probe 4. In this case, the amplitude of peak P1 will be relatively large.

これに対して、チッピング15bが形成された領域や切削溝15に超音波が照射された場合、入射波の特定の周波数成分が散乱等することにより、ピークPの振幅は比較的小さくなる(図4(B)参照)。 On the other hand, when the area where the chipping 15b is formed or the cutting groove 15 is irradiated with ultrasonic waves, the amplitude of the peak P1 becomes relatively small due to scattering of specific frequency components of the incident wave ( (See Figure 4(B)).

また、チッピング15bが形成された領域には気泡が残留しやすく、この気泡により反射波の特定の周波数成分の位相が反転し、位相が反転した反射波と入射波との干渉により反射波が減衰することもある。図4(B)は、ピークPの振幅が比較的小さくなった反射波の他の例を示すグラフである。図4(B)の縦軸及び横軸は、図4(A)の例と同じである。 In addition, bubbles tend to remain in the area where the chipping 15b is formed, and the bubbles invert the phase of a specific frequency component of the reflected wave, and the reflected wave is attenuated due to interference between the phase-inverted reflected wave and the incident wave. Sometimes I do. FIG. 4(B) is a graph showing another example of a reflected wave in which the amplitude of the peak P1 is relatively small. The vertical axis and horizontal axis of FIG. 4(B) are the same as the example of FIG. 4(A).

受信ユニット10は、受信された反射波(アナログ信号)をデジタル信号に変換する。変換されたデジタル信号は、画像変換処理ユニット12に接続されているメモリー(不図示)に格納される。 The receiving unit 10 converts the received reflected wave (analog signal) into a digital signal. The converted digital signal is stored in a memory (not shown) connected to the image conversion processing unit 12.

画像変換処理ユニット12は、所定数の反射波に対応する複数のデジタル信号が格納された後、当該メモリーにアクセスする。そして、画像変換処理ユニット12は、反射波の振幅(即ち、強度)の大小に応じて予め設定された色調に基づいて、当該複数のデジタル信号を画像データに変換する(変換工程(S40))。 The image conversion processing unit 12 accesses the memory after a plurality of digital signals corresponding to a predetermined number of reflected waves are stored. Then, the image conversion processing unit 12 converts the plurality of digital signals into image data based on a color tone that is preset according to the amplitude (i.e., intensity) of the reflected wave (conversion step (S40)). .

図4(C)は、反射波の振幅(強度)と、画素値の色調との対応関係を説明する図である。色調は、彩度と明度とにより特定されるが、彩度は、無彩色(白、灰色、黒等)及び純色のいずれの彩色でもよい。 FIG. 4C is a diagram illustrating the correspondence between the amplitude (intensity) of a reflected wave and the tone of a pixel value. The color tone is specified by saturation and lightness, and the saturation may be either an achromatic color (white, gray, black, etc.) or a pure color.

図4(C)に示す例では、便宜的に、無彩色を採用している。本実施形態では、振幅が大きいほど画素の明度を高く(即ち、明るく)し、振幅が小さいほど画素の明度を低く(即ち、暗く)する。振幅に対応する画素の明度は、例えば、0から255の256諧調で表現される。 In the example shown in FIG. 4C, achromatic colors are used for convenience. In this embodiment, the larger the amplitude, the higher the brightness of the pixel (ie, brighter), and the smaller the amplitude, the lower the brightness of the pixel (ie, darker). The brightness of a pixel corresponding to the amplitude is expressed, for example, in 256 tones from 0 to 255.

超音波探触子4で表面11a側の略全体のスキャンが完了した後、画像変換処理ユニット12は、表面11a側の画像データを、表示装置14のドライバ回路(不図示)に送る。これにより、表示装置14には当該画像データから作成された画像が表示される。図5(A)は、超音波を照射して作成した表面11a側の画像の一例である。 After scanning substantially the entire surface 11a side with the ultrasound probe 4, the image conversion processing unit 12 sends the image data on the surface 11a side to a driver circuit (not shown) of the display device 14. Thereby, the image created from the image data is displayed on the display device 14. FIG. 5(A) is an example of an image of the surface 11a side created by irradiating ultrasonic waves.

画像変換処理ユニット12は、画像データに対してエッジ検出等の既知の画像処理を施し、チッピング15bの大きさを自動で測定する(測定工程(S50))。例えば、画像変換処理ユニット12は、チッピング15bが無い場合の切削溝15の縁の位置する画素の座標から、切削溝15の幅方向に沿って切削溝15の外側に延びるチッピング15bの端部に位置する画素の座標までの長さを特定する。 The image conversion processing unit 12 performs known image processing such as edge detection on the image data, and automatically measures the size of the chipping 15b (measuring step (S50)). For example, the image conversion processing unit 12 converts the coordinates of the pixel where the edge of the cutting groove 15 is located when there is no chipping 15b to the edge of the chipping 15b extending outside the cutting groove 15 along the width direction of the cutting groove 15. Specify the length to the coordinates of the located pixel.

そして、座標間の距離を実際の長さに換算する。これにより、チッピング15bの大きさが測定される。測定されたチッピング15bの大きさ(長さ)は、例えば、表示装置14に画像と共に表示される。また、チッピング15bの大きさは、表示装置14に表示される画像とは異なるモニター、スクリーン等に表示されてもよく、紙等に印字されてもよい。 Then, the distance between the coordinates is converted into an actual length. Thereby, the size of the chipping 15b is measured. The measured size (length) of the chipping 15b is displayed on the display device 14 together with the image, for example. Further, the size of the chipping 15b may be displayed on a monitor, screen, etc. different from the image displayed on the display device 14, or may be printed on paper or the like.

なお、測定工程(S50)では、表示装置14に表示された表面11a側の画像に基づいて、チッピング15bの大きさを測定してもよい。例えば、表示装置14に所定の物差し(スケール)を表示させて、作業者が画像からチッピング15bの大きさを測定してもよい。 In addition, in the measurement step (S50), the size of the chipping 15b may be measured based on the image on the surface 11a side displayed on the display device 14. For example, a predetermined ruler (scale) may be displayed on the display device 14, and the operator may measure the size of the chipping 15b from the image.

本実施形態では、超音波を用いて切削溝15を可視化することにより縁部15aを観察する。それゆえ、切削溝15の縁部15aを着色することなくより簡単にチッピング15bの大きさを測定できる。また、チッピング15bの測定作業に要する時間を短縮することもできる。 In this embodiment, the edge 15a is observed by visualizing the cutting groove 15 using ultrasound. Therefore, the size of the chipping 15b can be measured more easily without coloring the edge 15a of the cutting groove 15. Moreover, the time required for measuring the chipping 15b can also be shortened.

図5(B)は、表面11a側に形成された切削溝15を、光学顕微鏡で撮像した場合の表面側の画像の一例である。なお、図5(B)の表示倍率は、図5(A)の表示倍率と同じである。 FIG. 5(B) is an example of an image of the surface side when the cutting groove 15 formed on the surface 11a side is imaged using an optical microscope. Note that the display magnification in FIG. 5(B) is the same as the display magnification in FIG. 5(A).

図5(B)の切削溝15の縁部15aにも、図5(A)に示す例と同様に、チッピング15bが形成されている。しかし、光学顕微鏡を用いているので、光が被加工物11の表面11a側で乱反射し、チッピング15bの大きさを評価することが難しい。 Chipping 15b is also formed on the edge 15a of the cutting groove 15 in FIG. 5(B), as in the example shown in FIG. 5(A). However, since an optical microscope is used, the light is diffusely reflected on the surface 11a side of the workpiece 11, making it difficult to evaluate the size of the chipping 15b.

次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、超音波撮像装置2と切削装置20とが一体化された切削装置20aを用いる。切削装置20aを用いれば、被加工物11をチャックテーブル24で保持した状態で、超音波探触子4で表面11a側をスキャンして、表面11a側の画像を得ることができる。 Next, a second embodiment will be described. In the second embodiment, a cutting device 20a in which an ultrasonic imaging device 2 and a cutting device 20 are integrated is used. Using the cutting device 20a, it is possible to scan the surface 11a side with the ultrasonic probe 4 while holding the workpiece 11 on the chuck table 24, and obtain an image of the surface 11a side.

図7は、第2の実施形態に係る切削装置20aを示す斜視図である。切削装置20aのスピンドルハウジング28には、アーム36の一端部が固定されている。アーム36の他端部の底部には、上述の超音波探触子4が固定されている。 FIG. 7 is a perspective view showing a cutting device 20a according to the second embodiment. One end of an arm 36 is fixed to the spindle housing 28 of the cutting device 20a. The above-mentioned ultrasonic probe 4 is fixed to the bottom of the other end of the arm 36.

また、アーム36の他端部の底部には、超音波探触子4に隣接する位置に液体供給ノズル38が固定されている。液体供給ノズル38には、純水等の液体が貯留された貯留槽(不図示)が、送水ポンプ(不図示)、電磁弁(不図示)等介して接続されている。 Further, a liquid supply nozzle 38 is fixed to the bottom of the other end of the arm 36 at a position adjacent to the ultrasound probe 4 . A storage tank (not shown) storing a liquid such as pure water is connected to the liquid supply nozzle 38 via a water pump (not shown), a solenoid valve (not shown), or the like.

超音波撮像装置2の制御ユニット16が電磁弁を開状態とすると、液体供給ノズル38からは純水等の液体が供給される。次に、第2の実施形態に係るチッピング15bの測定方法について説明する。 When the control unit 16 of the ultrasonic imaging device 2 opens the solenoid valve, a liquid such as pure water is supplied from the liquid supply nozzle 38. Next, a method for measuring chipping 15b according to the second embodiment will be described.

第2の実施形態に係るチッピング15bの測定方法では、保持工程(S10)及び切削工程(S20)の後、被加工物11をダイシングテープ17から剥離せず、反射波検出工程(S30)を行う。係る点が、第1の実施形態と異なる。 In the method for measuring chipping 15b according to the second embodiment, after the holding step (S10) and the cutting step (S20), the reflected wave detection step (S30) is performed without peeling the workpiece 11 from the dicing tape 17. . This point differs from the first embodiment.

図8は、第2の実施形態に係る反射波検出工程(S30)を示す一部断面側面図である。反射波検出工程(S30)では、まず、アーム36の他端部を、被加工物11の切削溝15の上方に位置付ける。アーム36の他端部の位置は、上述のX軸方向移動機構、Y軸方向移動機構及びZ軸方向移動機構を用いて調整される。 FIG. 8 is a partially sectional side view showing the reflected wave detection step (S30) according to the second embodiment. In the reflected wave detection step (S30), first, the other end of the arm 36 is positioned above the cutting groove 15 of the workpiece 11. The position of the other end of the arm 36 is adjusted using the above-mentioned X-axis direction movement mechanism, Y-axis direction movement mechanism, and Z-axis direction movement mechanism.

そして、超音波探触子4と被加工物11の表面11aとの間に液体供給ノズル38から液体40を供給した状態で、超音波探触子4から表面11a側の切削溝15の縁部15aに超音波を入射させる。 Then, while the liquid 40 is supplied from the liquid supply nozzle 38 between the ultrasonic probe 4 and the surface 11a of the workpiece 11, the edge of the cut groove 15 on the surface 11a side from the ultrasonic probe 4 is Ultrasonic waves are made to enter 15a.

これにより、被加工物11を液体32が充填された水槽34に浸すことなく、縁部15aから反射された反射波を超音波探触子4で検出する。なお、第2の実施形態でも、第1の実施形態と同様に、切削溝15を横切る複数の位置で超音波を照射して反射波を検出する。また、切削溝15を横切るように複数の位置で超音波の反射波を検出する作業を、切削溝15の長手方向に沿って繰り返し行う。 Thereby, the reflected waves reflected from the edge 15a are detected by the ultrasonic probe 4 without immersing the workpiece 11 in the water tank 34 filled with the liquid 32. Note that in the second embodiment as well, similarly to the first embodiment, ultrasonic waves are irradiated at a plurality of positions across the cutting groove 15 and reflected waves are detected. Further, the operation of detecting reflected waves of ultrasonic waves at a plurality of positions across the cutting groove 15 is repeatedly performed along the longitudinal direction of the cutting groove 15.

そして、第1の実施形態と同様に、変換工程(S40)及び測定工程(S50)を行う。第2の実施形態では、切削工程(S20)後に、被加工物ユニット21をチャックテーブル24から取り外したり、ダイシングテープ17から被加工物11を取り外したりすること無く、速やかに反射波検出工程(S30)を行うことができる。 Then, similar to the first embodiment, a conversion step (S40) and a measurement step (S50) are performed. In the second embodiment, after the cutting process (S20), the reflected wave detection process (S30 )It can be performed.

従って、水槽34中の液体32に被加工物11を浸す場合に比べて、チッピング15bの大きさの測定が容易になる。その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 Therefore, compared to the case where the workpiece 11 is immersed in the liquid 32 in the water tank 34, it becomes easier to measure the size of the chipping 15b. In addition, the structure, method, etc. according to the above embodiments can be modified and implemented as appropriate without departing from the scope of the objective of the present invention.

2 :超音波撮像装置
4 :超音波探触子
6 :送受切り替えユニット
8 :送信ユニット
10 :受信ユニット
11 :被加工物
11a :表面
12 :画像変換処理ユニット
14 :表示装置
15 :切削溝
15a :縁部
15b :チッピング
16 :制御ユニット
17 :ダイシングテープ
18 :入力装置
19 :環状フレーム
20,20a:切削装置
21 :被加工物ユニット
24 :チャックテーブル
26 :切削ユニット
28 :スピンドルハウジング
30 :切削ブレード
32,40:液体
34 :水槽
36 :アーム
38 :液体供給ノズル
:ピーク
2: Ultrasonic imaging device 4: Ultrasonic probe 6: Transmission/reception switching unit 8: Transmission unit 10: Receiving unit 11: Workpiece 11a: Surface 12: Image conversion processing unit 14: Display device 15: Cutting groove 15a: Edge 15b: Chipping 16: Control unit 17: Dicing tape 18: Input device 19: Annular frame 20, 20a: Cutting device 21: Workpiece unit 24: Chuck table 26: Cutting unit 28: Spindle housing 30: Cutting blade 32 , 40: Liquid 34: Water tank 36: Arm 38: Liquid supply nozzle P 1 : Peak

Claims (3)

回転する切削ブレードにより被加工物を切削することで該被加工物に切削溝を形成した後、切削に伴い該切削溝の縁部に形成されたチッピングの大きさを測定する測定方法であって、
該切削溝の該縁部に超音波を入射させて、該縁部から反射された反射波を検出する反射波検出工程と、
該反射波に応じて予め設定された色調に基づいて該反射波を画像データに変換する変換工程と、
該画像データから、又は、該画像データから作成された画像から、該切削溝の該縁部に形成されたチッピングの大きさを測定する測定工程と、
を備え
該反射波検出工程では、該切削ブレードが装着される切削ユニットに対してそれぞれ位置が固定された超音波探触子及び液体供給ノズルを使用し、該超音波探触子と該被加工物との間に該液体供給ノズルから液体を供給した状態で、該超音波探触子から該切削溝の該縁部に超音波を入射させて、該超音波探触子で該縁部から反射された該反射波を検出することを特徴とする測定方法。
A measurement method in which a cutting groove is formed in a workpiece by cutting the workpiece with a rotating cutting blade, and then the size of chipping formed at the edge of the cutting groove due to cutting is measured. ,
a reflected wave detection step of injecting ultrasonic waves into the edge of the cutting groove and detecting the reflected wave reflected from the edge;
a conversion step of converting the reflected wave into image data based on a color tone set in advance according to the reflected wave;
a measuring step of measuring the size of chipping formed at the edge of the cut groove from the image data or from an image created from the image data;
Equipped with
In the reflected wave detection step, an ultrasonic probe and a liquid supply nozzle whose positions are fixed with respect to the cutting unit to which the cutting blade is installed are used, and the ultrasonic probe and the workpiece are connected to each other. While the liquid is being supplied from the liquid supply nozzle, ultrasonic waves are incident on the edge of the cutting groove from the ultrasonic probe, and the ultrasonic wave is reflected from the edge by the ultrasonic probe. A measuring method characterized by detecting the reflected wave .
該変換工程では、該反射波の強度の大小に応じて設定された色調に基づいて、該反射波を該画像データに変換することを特徴とする請求項1記載の測定方法。 2. The measuring method according to claim 1, wherein in the conversion step, the reflected wave is converted into the image data based on a color tone set depending on the magnitude of the intensity of the reflected wave. 該反射波検出工程では、該切削溝を横切る複数の位置で超音波を入射させて反射波を検出する作業を、該切削溝の長手方向に沿って繰り返し行うことを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の測定方法。A claim characterized in that the reflected wave detection step includes repeatedly performing the work of detecting reflected waves by injecting ultrasonic waves at a plurality of positions across the cutting groove along the longitudinal direction of the cutting groove. The measuring method according to item 1 or 2.
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