JP7382514B2 - 半導体製造装置及び半導体製造装置のガス分配器 - Google Patents
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Description
[0001]本開示は、一般に半導体テクノロジー分野に関し、より詳細には、半導体製造装置及び半導体製造装置のガス分配器に関する。
[0002]原子層堆積テクノロジーは、単一の原子層の形態で基板上に層ごとに吸着される薄膜調製テクノロジーである。原子層堆積テクノロジーは、主に２つの反応プロセスを含む。第１の反応プロセスは、第１の反応前駆体が反応チャンバに入り、基板に完全に吸着され、飽和状態に達した後、パージガスが反応チャンバに入り、残りの反応前駆体及び副生成物を除去することを含む。第２の反応プロセスは、第２の反応前駆体が反応チャンバに入り、基板の表面に吸着された基礎群と反応し、反応副生成物を放出することを含む。飽和吸着が形成された後、パージガスが反応チャンバに入り、残りの反応前駆体及びそれらの副生成物を除去する。
[0003]本開示は、既存のテクノロジーにおける技術的問題の少なくとも１つを解決することを意図しており、半導体製造装置及び半導体製造装置のガス分配器を提供する。
[0004]上記の目的を達成するために、本開示は、ガス出口端面を含む分配器本体を含む、半導体製造装置におけるガス分配器を提し、分配器本体は、ガス分配パイプライン群と、第１ガス入口パイプラインと、複数の第１ガス出口パイプラインとを含み、第１ガス入口パイプラインのガス出口端がガス分配パイプライン群のガス入口に連通し、複数の第１ガス出口パイプラインのガス入口端がガス分配パイプライン群の複数のガス出口に１対１に対応して連通し、分配器本体は、ガス分配チャンバと、第２のガス入口パイプラインと、複数の第２のガス出口パイプラインとを含み、ガス分配チャンバは、ガス分配パイプライン群の上に位置付けられ、第１のガス入口パイプラインの周りに配置され、ガス分配チャンバの高さは、第１のガス入口パイプラインに近い内周縁から第１のガス入口パイプラインから離れた外周縁まで徐々に減少し、第２のガス入口パイプラインのガス出口は、ガス分配チャンバのガス入口と連通し、複数の第２のガス出口パイプラインのガス入口は、ガス分配チャンバのガス出口と１対１の対応で連通し、第１のガス出口パイプラインおよび第２のガス出口パイプラインは、交互に配置され、第１のガス出口パイプライン及び第２のガス出口パイプラインのガス出口端は、分配器本体のガス出口端面に位置付けられる。
[0005]いくつかの実施形態では、内周縁におけるガス分配チャンバの高さは２ｍｍから４ｍｍであり、外周縁におけるガス分配チャンバの高さは０．５ｍｍから１ｍｍである。
[0006]いくつかの実施形態では、ガス分配パイプライン群は、複数のメインパイプラインを含む。複数のメインパイプラインは、第１のガス入口パイプラインから離れて異なる方向に第１のガス入口パイプラインから径方向に配置される。第１のガス入口パイプラインに近い複数のメインパイプラインの端は、第１のガス入口パイプラインのガス出口端と連通している。ガス分配パイプライン群は、複数のサブパイプライン群を更に含む。サブパイプライン群は、メインパイプラインと１対１に対応して配置される。サブパイプライン群のそれぞれは、対応するメインパイプラインの両側に、対応するメインパイプラインと予め定められた夾角で配置された複数のサブパイプラインを含む。サブパイプライングループのそれぞれの複数のサブパイプラインは、メインパイプラインの同じ側に位置付けられ、メインパイプラインの伸長方向に沿って間隔を置いて配置される。メインパイプラインに近いサブパイプラインのそれぞれの端は、メインパイプラインと連通する。ガス分配パイプライン群の複数のガス出口は、複数のサブパイプラインに配置される。
[0007]いくつかの実施形態では、ガス分配パイプライン群は、少なくとも１つの接続パイプラインをさらに含み、接続パイプラインは、接続パイプラインの伸長軌跡と交差するメインパイプライン及び／又はサブパイプラインと連通する。
[0008]いくつかの実施形態では、各接続パイプラインは環状パイプラインである。複数の環状パイプラインが含まれる。第１のガス入口パイプラインの径方向断面上の複数の環状パイプラインの正投影は、異なる直径を有し、第１のガス入口パイプラインの軸の正投影を中心として同心円状に配置される。任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は等しい。サブパイプラインのそれぞれのガス出口は、サブパイプラインが接続パイプラインと交差する位置に位置付けられる。
[0009]いくつかの実施形態では、第１のガス入口パイプラインに近いメインパイプラインの端から第１のガス入口パイプラインから離れた他端まで、メインパイプラインの内径は徐々に減少し、メインパイプラインに近いサブパイプラインの端からメインパイプラインから離れた他端まで、サブパイプラインの内径は徐々に減少する。
[0010]いくつかの実施形態では、任意の２つの隣接するメインパイプラインの間に位置付けられたすべてのサブパイプラインは、互いに平行である。
[0011]いくつかの実施形態では、同じサブパイプライン群のメインパイプラインの両側に位置付けられたサブパイプラインは、対称的に配置される。
[0012]いくつかの実施形態では、第２のガス入口パイプラインは、第１のガス入口パイプラインの周りに配置された環状ガス入口パイプラインである。
[0013]それに応じて、本開示は、ガス分配器を含む半導体製造装置をさらに提供する。第１のガス入口パイプラインのガス入口端は、第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成される。第２のガス入口パイプラインのガス入口端は、第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成される。第１の反応ガス供給デバイスは、第１の反応ガスを提供するように構成される。第２の反応ガス供給デバイスは、第２の反応ガスを提供するように構成される。第１の反応ガスの拡散係数は、第２の反応ガスの拡散係数よりも大きい。
[0014]いくつかの実施形態では、半導体デバイスは、分配器本体上に配置されたガス入口ブロックをさらに含む。第１の伝達チャネルおよび第２の伝達チャネルが、ガス入口ブロック内に配置される。第１の伝達チャネルは、第１のガス入口パイプラインを第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成される。第２の伝達チャネルは、第２のガス入口パイプラインを第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成される。ガス入口ブロックと分配器本体との間には、第１のシールリングと、この第１のシールリングを取り囲む第２のシールリングとが配置されている。第１の伝達チャネルと第１のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、第１のシールリングの内側に位置付けられる。第２の伝達チャネルと第２のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、第１のシールリングと第２のシールリングとの間に位置付けられる。
[0015]本開示の実施形態によって提供される半導体デバイス内のガス分配器が薄膜蒸着を実行するために使用されるとき、拡散及びパージが容易な反応ガスが、第１のガス入口パイプラインからガス分配パイプライン群内に導入されることができる。ガス分配パイプライン群によって分配された後、反応ガスは、第１のガス出口パイプラインから出力されてもよい。粘着性があり、凝縮しやすく、パージするのが困難な反応ガスは、第２のガス入口パイプラインからガス分配チャンバに導入されてもよい。このような反応ガスがガス分配チャンバ内で拡散した後、反応ガスを第２のガス出口パイプラインから出力することができる。既存のガス分配パイプラインと比較して、ガス分配チャンバは、ガスが拡散するのにより有益であるかもしれず、残留物が残りにくく、これは、ガス分配チャンバ内のパイプライン内のガス残留物に起因してガス出口で化学蒸着が発生する状況を回避することができる。これにより、基板上に蒸着される薄膜の均一性を向上させることができる。一方、ガス分配チャンバの高さを、第１のガス入口パイプラインに近い内周縁から第１のガス入口パイプラインから離れた外周縁まで徐々に減少させることによって、ガス分配チャンバの容積は、内側から外側まで徐々に減少することができる。したがって、ガス分配チャンバ内のガス圧力は、ガス拡散速度を増加させるのをさらに助けるようにバランスをとることができる。さらに、ガス分配チャンバは一体の空のチャンバであるので、死角位置は存在しない。したがって、反応ガスの残留物が残りにくくなり、ガス分配器の洗浄が容易になり、ガス分配器の使用寿命を向上させる。
[0016] 付随図面は、本開示のさらなる理解を提供するために使用され、本明細書の一部を構成し、以下の特定の実施形態と併せて本開示を説明するために使用されるものであり、本開示に対する限定を構成するものではない。
添付の図面において、
添付の図面において、
[0026]本開示の特定の実施形態が、付随図面を参照して以下に詳細に説明される。ここで説明される特定の実施形態が、本開示を例示および説明するためだけに使用され、本開示を限定するために使用されるものではないことを理解されたい。
[0027]図１は、本開示の実施形態にしたがう、原子層堆積装置の概略図である。図１に示すように、反応チャンバ１には、ベース３とガス分配器４とが設けられている。ガス分配器４には、ガス分配パイプライン６が形成されている。既存のガス分配パイプライン６の特定の構造を図２中に示している。ガス分配パイプライン６には、４本のメインパイプライン８，９，１０，１１の内端同士が接続されて互いに連通している。分配ブランチは、分配ブランチ８－１から８－８、分配ブランチ９－１から９－８、分配ブランチ１０－１から１０－８、及び分配ブランチ１１－１から１１－８を含む、メイン分配パイプラインのそれぞれの両側に配置される。図１に示すように、複数のガス出口パイプライン７が分配ブランチの下に均等に分配されている。原子層堆積プロセスの間、ガス源によって提供されるガスは、ガス入口パイプライン５を通ってガス分配ネットワーク６に入り、ガス分配ネットワーク６内で拡散した後、ガス出口パイプライン７を通って膜が堆積される基板２上に均一に噴霧される。
[0028]上述のガス分配パイプライン６の２つの層を有するガス分配器を採用する解決策もある。２層のガス分配パイプライン６は、２種類の反応ガスをそれぞれ送るするように構成することができる。上述のガス分配パイプライン６は、拡散しやすく、パージしやすいNH3、O2、Ar、およびN2などの反応ガスの迅速な移送およびパージを容易に実現することができる。しかしながら、ガス化したH2O、TMA、TiCl4、PDMAT等の反応ガスは、粘着性があり、低温で凝縮しやすく、パージが容易ではないので、このようなガスが上述のガス分配パイプライン６によって送られるとき、パイプラインに残留物が残りやすいかもしれない。したがって、ガス出口パイプライン７の開口部の周囲に生じる化学蒸着により薄膜を形成するかもしれない。残留ガスは、縁領域と比較して、ガス分配パイプライン６の中央領域により多く存在するので、基板上に堆積される薄膜は、縁で厚く、中央で厚くなるかもしれない。図３は、既存のガス分配器により堆積された膜の厚さ分布を示す概略図である。図３から、薄膜の厚さの均一性が悪いことが分かる。
[0029]第１の態様において、本開示の実施形態は、半導体製造装置のガス分配器を提供する。いくつかの実施形態では、半導体製造装置は薄膜蒸着装置であってもよい。図４は、本開示の実施形態にしたがうガス分配器の概略上面図である。図５は、図４中の線Ａ－Ａ’に沿った概略断面図である。図６は、図４中の線Ｂ－Ｂ’に沿った概略断面図である。図４から図６を参照すると、ガス分配器は分配器本体１１０を含む。分配器本体１１０は、ガス出口端面１１１を含む。ガス分配パイプライン群１２０、第１のガス入口パイプライン１３０、及び複数の第１のガス出口パイプライン１４０が分配器本体１１０中に配置される。第１のガス入口パイプライン１３０のガス出口端は、ガス分配パイプライン群１２０のガス入口と連通している。複数の第１のガス出口パイプライン１４０のガス入口端は、ガス分配パイプライン群１２０の複数のガス出口に１対１で対応する。加えて、分配器本体１１０は、ガス分配チャンバ１５０（図５及び図６に示される斜線部分）、第２のガス入口パイプライン１６０、及び複数の第２のガス出口パイプライン１７０を更に含む。ガス分配チャンバ１５０は、ガス分配パイプライン群１２０の上方に位置付けられ、第１のガス入口パイプライン１３０の周りに配置される。第２のガス入口パイプライン１６０のガス出口端は、ガス分配チャンバ１５０のガス入口と連通している。複数の第２のガス出口パイプライン１７０のガス入口端は、ガス分配チャンバ１５０の複数のガス出口と１対１の対応で連通する。第１のガス出口パイプライン１４０及び第２のガス出口パイプライン１７０は、交互に配置される。第１のガス出口パイプライン１４０及び第２のガス出口パイプライン１７０のガス出口端は、分配器本体１１０のガス出口端面１１１上に位置付けられる。ガス分配チャンバ１５０がガス分配パイプライン群１２０の上方に位置付けられることは、ガス分配チャンバ１５０がガス出口端面１１１から離れたガス分配パイプライン群１２０の側に位置付けられることを示すことができることを理解されたい。
[0030]ガス分配チャンバ１５０は、第１のガス入口パイプライン１３０を囲む空のチャンバであってもよい。空のチャンバは、連続した一体構造を有することができる。ガス流量に影響を与える構造部材は、ガス分配チャンバ１５０内に配置されなくてもよい。既存のガス分配パイプラインと比較して、ガス分配チャンバは、ガス拡散のためにより有益であるかもしれず、残留物が容易に生じ得ない。粘着性があり、低温で凝縮しやすく、パージするのが容易ではない反応ガスについて、パイプライン中のそのようなガスの残留物に起因してガス出口で生じる化学蒸着の状況は、ガス分配チャンバ内で防止されてもよい。これにより、基板上に堆積される薄膜の均一性を向上させることができる。
[0031]いくつかの実施形態では、図５に示すように、ガス分配チャンバ１５０の空気入口は、ガス分配チャンバ１５０の内周縁に近い位置に位置付けられる。したがって、ガスは、ガス分配チャンバ１５０の内周縁に近い位置から外周縁に拡散することができる。
[0032]ガス分配チャンバ１５０の高さは、第１のガス入口パイプライン１３０の内周縁から第１のガス入口パイプライン１３０から離れた外周縁まで徐々に減少することができ、これは、ガス分配チャンバの容積を内側から外側まで徐々に減少させることができる。したがって、ガス分配チャンバ内のガス圧力を確実に均一にすることができ、これはガス拡散速度を向上させるのに役立つ。ガス分配チャンバ１５０の高さは、ガス分配チャンバ１５０の軸方向におけるガス分配チャンバ１５０の寸法、またはガス分配チャンバ１５０の上面と底面との間の垂直距離であってもよいことを理解されたい。
[0033]本開示の実施形態のガス分配器は、反応ガスを反応チャンバ内の基板に出力するように構成されてもよい。ガス分配パイプライン群１２０の構造は、本開示の実施形態において特に限定されなくてもよい。例えば、反応ガスを反応チャンバの複数の位置に迅速かつ均一に送るために、ガス分配パイプライン群１２０は、図２に示すものと同一または類似のネットワークパイプライン構造を採用することができる。薄膜蒸着中、拡散およびパージが容易な反応ガス（例えば、NH3、O2、Ar、N2など）を、第１のガス入口パイプライン１３０からガス分配パイプライン群１２０に導入することができる。ガス分配パイプライン群１２０によって分配された後、反応ガスは、第１のガス出口パイプライン１４０から出力することができる。
[0034]比較的粘着性があり、凝縮しやすく、パージしにくい反応ガス（例えば、ガス化H2O、TMA、TiCl4、PDMATなど）は、第２のガス入口パイプライン１６０を通してガス分配チャンバ１５０に導入することができる。ガス分配チャンバ１５０内で拡散した後、そのような反応ガスは、第２のガス出口パイプライン１７０から出力されてもよい。図２のガス分配パイプライン６と比較して、ガス分配チャンバ１５０がガス拡散を収容するので、残留物が発生しにくく、これは、ガス分配チャンバ内のガスのパイプライン中の残留物に起因してガス出口で化学蒸着が発生する状況を防止することができる。したがって、ガス分配チャンバ１５０の異なる領域内のガスは、第２のガス出口パイプライン１７０から均一に流出して、基板上に堆積される薄膜の均一性を向上することができる。加えて、ガス分配チャンバ１５０は、一体型の空のチャンバであるため、死角位置が存在し得ない。したがって、反応ガスの残留物が残りにくくなり、ガス分配器の洗浄が容易になり、ガス分配器の寿命が向上する。
[0035]ガス分配器から出力されるガスの均一性を向上させるために、第１のガス出口パイプライン１４０及び第２のガス出口パイプライン１７０は、分配器本体１１０内に均等に分配させることができる。したがって、第１のガス出口パイプライン１４０および第２のガス出口パイプライン１７０のガス出口端は、分配器本体のガス出口端面１１１に対して均等に配置することができる。さらに、第１空気出口パイプライン１４０の内径と第２空気出口パイプライン１７０の内径とは同じであってもよい。具体的には、第１空気出口パイプライン１４０及び第２空気出口パイプライン１７０の内径は、０．５ｍｍから１ｍｍであってもよい。好ましくは、第１空気出口パイプライン１４０及び第２空気出口パイプライン１７０の内径は１ｍｍであってもよい。
[0036]いくつかの実施形態では、ガス分配チャンバ１５０の内周縁におけるガス分配チャンバ１５０の高さは、２ｍｍから４ｍｍの範囲であってもよい。ガス分配チャンバ１５０の外周縁におけるガス分配チャンバ１５０の高さは、０．５ｍｍから１ｍｍの範囲であってもよい。好ましくは、ガス分配チャンバ１５０の高さは、内周縁で３ｍｍ、外周縁で１ｍｍであってもよい。ガス分配チャンバ１５０の底面は、ガス分配器のガス出口端面１１１に実質的に平行であってもよい。ガス分配チャンバ１５０の上面と底面との間の垂直距離は、第１のガス入口パイプライン１３０に近い内周縁から第１のガス入口パイプライン１３０から離れた外周縁まで徐々に減少することができる。
[0037]図４及び図５に示すように、一部の実施形態では、第２のガス入口パイプライン１６０は、第１のガス入口パイプライン導管１３０の周りに配置された環状ガス入口パイプラインである。すなわち、上述のガス出口端面１１１に平行な第２のガス入口パイプライン１６０の断面は、環状形状である。対応して、ガス分配チャンバ１５０のガス入口は、環状ガス入口であってもよい。したがって、環状ガス入口からガス分配チャンバ１５０に入るガスが外周縁に拡散する距離を同じにすることができ、これは、ガス流量の均一性を改善するのに有益である。
[0038]図７は、本開示のある実施形態にしたがう、ガス分配パイプラインの概略構造図である。図４、図５及び図７に示すように、ガス分配パイプライン群１２０は、複数のメインパイプライン１２１と複数のサブパイプライン群とを含む。複数のメインパイプライン１２１は、第１のガス入口パイプライン１３０から離れて異なる方向に第１のガス入口パイプライン１３０から径方向に配置される。例えば、第１のガス入口パイプライン１３０の径方向断面において、複数のメインパイプライン１２１は、第１のガス入口パイプライン１３０の軸の正投影を中心として、第１のガス入口パイプライン１３０の異なる径方向に配置されてもよい。複数のメインパイプライン１２１の内端（すなわち、第１のガス入口パイプライン１３０に近い端）は、第１のガス入口パイプラインのガス出口と連通することができる。第１のガス入口パイプライン１３０から流出するガスは、メインパイプライン１２１内で拡散することができる。例えば、図７に示すように、メインパイプライン１２１の数は４である。各２つの隣接するメインパイプライン１２１は、互いに垂直である。サブパイプライン群は、メインパイプライン１２１と一対一に対応するように配置されてもよい。各サブパイプライン群は、対応するメインパイプライン１２１の両側に配置され、対応するメインパイプライン１２１と予め定められた夾角を有する複数のサブパイプライン１２２を含む。各サブパイプライン群において、メインパイプライン１２１の同じ側の複数のサブパイプラインは、メインパイプライン１２１の伸長方向に沿って間隔を置いて配置されてもよい。いくつかの実施形態では、各サブパイプライン群内のメインパイプライン１２１の同じ側に位置付けられた複数のサブパイプライン１２２は、互いに平行であってもよい。また、各サブパイプライン１２２の内端（すなわち、メインパイプライン１２１に近い端）は、メインパイプライン１２１と連通することができる。ガス分配パイプライン群１２０の複数のガス出口は、図７の黒丸のような、サブパイプライン１２２に配置されたガス出口１２２ａである。上述の予め定められた角度は、３０°、４５°、又は６０°等の鋭角であってもよい。
[0039]いくつかの実施形態では、任意の２つの隣接するメインパイプライン１２１間に位置付けられたサブパイプライン１２２は、互いに平行であってもよい。すなわち、任意の２つの隣接するメインパイプライン１２１は、それぞれ、第１のメインパイプラインおよび第２のメインパイプラインと呼ばれてもよい。第２のメインパイプラインに近い側に位置付けられた第１のメインパイプラインに対応するサブパイプライン群の複数のサブパイプラインは、第１のメインパイプラインに近い側に位置付けられた第２のメインパイプラインに対応するサブパイプライン群の複数のサブパイプラインと平行であってもよい。したがって、ガス分配パイプライン群１２０が反応ガスを反応チャンバに均一に出力することが有益である。隣接する２つのメインパイプライン１２１の間の複数のサブパイプライン１２２は、均等に配置されることが好ましい。
[0040]いくつかの実施形態では、同じサブパイプライン群内の対応するメインパイプライン１２１の両側に位置付けられたサブパイプライン１２２は、対称的に配置されてもよい。例えば、メインパイプライン１２１の異なる側のサブパイプライン１２２の内端は、１対１の対応でメインパイプライン１２１の同じ位置に接続されてもよく、これは、ガス分配パイプライン群１２０が反応ガスを反応チャンバに均一に出力するのに有益である。具体的には、２つの隣接するメインパイプライン１２１の間で、各隣接する２つのサブパイプライン１２２の間の距離は等しくてもよい。距離は、例えば約２１ｍｍであってもよい。
[0041]加えて、メインパイプ１２１の内端（第１のガス入口パイプライン１３０に近い端）から外端（第１のガス入口パイプライン１３０から離れた端）まで、メインパイプライン１２１の内径は徐々に減少することができる。内端（メインパイプライン１２１に近い端）から外端（メインパイプライン１２１から離れた端）まで、サブパイプライン１２２の内径は徐々に減少してもよい。これにより、ガス分配パイプライン群１２０内のガス圧力のバランスを確保することができる。具体的には、メインパイプライン１２１の内端の内径は２から４ｍｍの範囲であってもよい。メインパイプライン１２１の外端の直径は、１から２ｍｍの範囲であってもよい。サブパイプライン１２２の外端の内径は、１から２ｍｍの範囲であってもよい。サブパイプライン１２２の内端の内径は、メインパイプライン１２１とサブパイプライン１２１との接続位置の内径に応じて設定されてもよい。例示的に、メインパイプライン１２１の内端の内径は２．５ｍｍであってもよく、メインパイプライン１２１の外端の内径及びサブパイプライン１２２の外端の内径はいずれも１．５ｍｍであってもよい。
[0042]ガス分配パイプライン群１２０内のガス拡散スピードを増加させ、パージ効率を向上させするために、本開示の実施形態におけるガス分配パイプライン群１２０は、少なくとも１つの接続パイプラインを更に含むことができる。接続パイプラインは、接続パイプラインの伸長軌跡と交差するメインパイプライン１２１及び／又はサブパイプライン１２２と連通することができる。
[0043]好ましくは、各接続パイプラインは環状パイプラインであってもよく、複数の環状パイプラインが含まれてもよい。例えば、５つの環状パイプライン１２３１から１２３５が図７に示されている。第１のガス入口パイプラインの径方向断面において、５つの環状パイプライン１２３１から１２３５の正投影の内径は異なる。５つの環状パイプライン１２３１から１２３５は、第１のガス入口パイプライン１３０の軸の正投影を中心として同心円状に配置することができる。任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は、互いに等しくてもよい。また、各サブパイプライン１２２のガス出口１２２ａは、サブパイプライン１２２が接続パイプラインと交差する位置に配置されてもよい。図７に示すように、いくつかのガス出口１２２ａは、サブパイプライン１２２が環状パイプラインと交差するが、メインパイプライン１２１とは交差しない位置に位置付けることができる。いくつかのガス出口１２２ａは、サブパイプライン１２２が環状パイプラインおよびメインパイプライン１２１の両方と交差する位置に位置付けられてもよい。
[0044]さらに、いくつかの実施形態では、第１のガス入口パイプライン１３０の径方向断面において、任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は等しくてもよい。これにより、ガス分配パイプライン群１２０内における反応ガスの拡散の均一性をさらに向上させることができる。
[0045]図７は、５つの環状パイプライン１２３１から１２３５が配置された状況を概略的に示すことに留意されたい。しかしながら、他の数の環状パイプラインを配置することもできることを理解されたい。例えば、図７の１２３１、１２３３、１２３５の３つの環状パイプラインのみを配置してもよい。
[0046]第２の態様において、本開示の実施形態は、半導体製造装置をさらに提供する。半導体製造装置は、薄膜蒸着を実行するように構成することができる。図８は、本開示のいくつかの実施形態にしたがう、半導体製造装置の概略図である。図８に示すように、半導体製造装置は、反応チャンバ３００と、上述の実施形態によって提供されるガス分配器とを含む。ガス分配器は、第１固定ピン４３０を通して反応チャンバ３００の上部に固定されてもよい。反応チャンバ３００は、ベース３０１をさらに含む。ベース３０１は、堆積されるべき薄膜の基板３０２を担持するように構成されてもよい。ガス分配器の第１のガス入口パイプライン１３０は、第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成されてもよい。ガス分配器の第２のガス入口パイプライン１６０のガス入口は、第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成されてもよい。第１の反応ガス供給デバイスは第１の反応ガスを供給するように構成されてもよく、第２の反応ガス供給デバイスは第２の反応ガスを供給するように構成されてもよい。第１反応ガスの拡散係数は、第２反応ガスの拡散係数より大きくてもよい。
[0047]拡散係数は、ガス拡散度を示すパラメータであってもよい。拡散係数が大きいほど、ガスは拡散およびパージしやすくなる。拡散係数が小さいほど、粘着性があり、凝縮しやすく、ガスをパージすることがより困難である。
[0048]本開示の実施形態では、拡散しやすく凝縮しにくい第１の反応ガスは、ガス分配パイプライン群１２０に導入することができ、ガス分配パイプライン群１２０内で迅速かつ均一に拡散することができ、次いで、反応チャンバ３００の様々な位置に均一に出力することができる。他の遮蔽構造は、ガス分配チャンバ１５０内に配置されなくてもよい。したがって、粘着性があり、凝縮しやすく、パージするのが困難な第２の反応ガスをガス分配チャンバ１５０内に導入することによって、ガス分配器内の第２の反応ガスの拡散効率が高まり、それにより、ガス分配器内の第２の反応ガスの残留が防止される。これにより、薄膜蒸着の均一性を向上させることができる。ガス分配チャンバ１５０には死角がない。したがって、ガス分配チャンバ１５０は、清掃が容易であってもよく、これは、ガス分配器の使用寿命を増加させることができる。
[0049]いくつかの実施形態では、半導体製造装置は、ガス入口ブロック２００をさらに含む。ガス入口ブロック２００は、第２の固定ピン４４０を通して分配器本体１１０上に固定して配置することができる。ガス入口ブロック２００には、第１の伝達チャネル２１０および第２の伝達チャネル２２０をさらに配置することができる。第１の伝達チャネル２１０は、第１のガス入口パイプライン１３０を第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成することができる。第２の伝達チャネル２２０は、第２のガス入口パイプライン１６０を第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成することができる。
[0050]第１のシールリング４１０と、第１のシールリング４１０を取り囲む第２のシールリング４２０とが、ガス入口ブロック２００と分配器本体１１０との間に配置されてもよい。第１の伝達チャネル２１０と第１のガス入口パイプライン１３０との間の接続位置は、第１のシールリングの内側に位置付けられてもよい（すなわち、第１の伝達チャネル２１０と第１のガス入口パイプライン１３０との間の接続位置は、第１のシールリングによって囲まれてもよい）。第２の伝達チャネル２２０と第２のガス入口パイプライン１６０との間の接続位置は、第１のシールリング４１０と第２のシールリング４２０との間に位置付けられてもよい。第１のシーリングリング４１０は、ガス流入ブロック２００と分配器本体１１０との接続位置で第１反応ガスと第２反応ガスとが反応することを防止することができる。第２のシーリングリング４２０は、第２の反応ガスを外気から隔離することができる。
[0051]一例としてTiN薄膜の調製を取り上げると、半導体製造装置の膜形成プロセスを以下に紹介することができる。このうち、TiN薄膜は、第１反応ガス（例えば、NH3）と第２反応ガス（Tiハロゲン化物又はTi有機金属化合物、例えば、TiCl4）との反応を通じて形成されることができる。図５、図６および図８に関連して、膜形成プロセスは以下の通りである。
[0052]ステップ１：関連する成長パラメータが設定される。具体的には、反応チャンバ３００の温度は３００℃から５５０℃であってもよい。反応圧力は０．５から１０トールであってもよい。使用されるパージガスは、高純度の窒素や不活性ガスであってもよい。パージガスの流量は、１０から５０００標準ミリリットル／分であってもよい。
[0053]ステップ２：第２の反応ガス（TiCl4）が反応チャンバ３００内に導入される。具体的には、第２の反応ガスは、希釈ガス（例えば、高純度窒素ガスまたは不活性ガス）と混合され、次いで、ガス分配チャンバ１５０に導入されてもよい。ガス分配チャンバ１５０内で、第２の反応ガスは、希釈ガスと共に急速に分散することができ、次いで、基板３０２に向かって第２のガス出口パイプライン１７０から出力することができ、基板３０２上に均一に分配することができる。第２の反応ガス供給デバイスの蒸気圧は１トールに制御されてもよく、第２の反応ガスのガス流量は２０から５００標準ミリリットル／分、好ましくは２０から８０標準ミリリットル／分から選択されてもよい。希釈ガス流量は、４００から５０００標準ミリリットル／分、好ましくは５００から１０００標準ミリリットル／分から選択されてもよい。基板３０２上への第２反応ガスの吸着時間は、飽和吸着を達成するために、０．０５から１秒、好ましくは０．１から０．５秒の範囲であってもよい。
[0054]一方、希釈ガスは、第１のガス入口パイプライン１３０を通してガス分配パイプライン群１２０に導入することができる。希釈ガスは、ガス分配パイプライン群１２０内で迅速に分散することができ、次いで、第１のガス出口パイプライン１４０から出力することができる。第１のガス入口パイプライン１３０に入る希釈ガスの流量は、４００から５０００標準ミリリットル／分の範囲であってもよく、好ましくは３０００標準ミリリットル／分である。希釈ガスをガス分配パイプライン群１２０に導入することには、第２の反応ガスがガス分配パイプライン群１２０に入って残留物を形成するのを防止することができる。
[0055]ステップ３：ガス分配チャンバ１５０内の残留ガスに対してパージが実行される。具体的には、ステップ２に基づいて、第２の反応ガスは、ガス分配チャンバ１５０内に導入されるのを停止されてもよく、希釈ガスは、ガス分配チャンバ１５０及びガス分配パイプライン群１２０内に導入され続けてもよい。この状態は、０．１から５秒間、好ましくは０．５から２秒間持続してもよい。次いで、残留する第２の反応ガスをパージすることができる。
[0056]ステップ４：第１の反応ガス（NH3）が反応チャンバに導入される。具体的には、第３のステップに基づいて、第１の反応ガスが希釈ガスと混合された後、混合ガスは、第１のガス入口パイプライン１３０からガス分配パイプライン群１２０に入ることができる。ガス分配パイプライン群１２０では、第１の反応ガスが希釈ガスで急速に分散された後、第１の反応ガスは、基板３０２上に均一に分配されるように第１のガス出口パイプライン１４０から出力されてもよい。一方、希釈ガスは、ガス分配チャンバ１５０内に導入され続けてもよい。このプロセスにおいて、第１の反応ガスの流量は、５００から５０００標準ミリリットル／分、好ましくは２０００から４０００標準ミリリットル／分の範囲であってもよい。希釈ガス流量は、４００から５０００標準ミリリットル／分、好ましくは５００から１０００標準ミリリットル／分の範囲であってもよい。基板３０２上への第１の反応ガスの吸着時間は、１から５秒、好ましくは１から３秒の範囲であってもよい。そして、飽和吸着を達成することができる。
[0057]ステップ５：ガス分配パイプライン群１２０内の残留ガスをパージする。具体的には、ステップ４に基づいて、ガス分配パイプライン群１２０への第１の反応ガスの導入を停止してもよい。希釈ガスは、ガス分配チャンバ１５０及びガス分配パイプライン群１２０内に流れ続けることができる。この状態は、０．１から５秒間、好ましくは０．５から１秒間持続してもよい。そして、ガス分配パイプライン群１２０内に残留する第１の反応ガスをパージすることができる。
[0058]ステップ６：薄膜蒸着が完了したかどうかが決定され、完了した場合、プロセスは終了し、そうでない場合、ステップ２に戻る。
[0059]図９は、本開示の実施形態にしたがう、半導体製造装置によって堆積される膜の厚さ分布の概略図である。横軸は、薄膜の位置の横座標を示している。縦軸は、薄膜の位置の縦座標を示している。図中の異なるグレースケールは、膜層の厚さを表す。図３の厚さ分布と比較して、本開示の実施形態で形成された薄膜の厚さ均一性が著しく向上していることが分かる。
[0060]また、ガス分配パイプライン群１２０に環状パイプラインが配置されていない場合、ステップ４における第１の反応ガス（NH3）の導入時間がステップ４において２秒であってもよく、ステップ５におけるパージ時間が１秒以上であるとき、堆積された薄膜の均一性は約１％であってもよいことを実験は示している。ステップ５におけるパージ時間が１秒未満であるとき、堆積された薄膜の均一性は、２％から１０％の間であってもよい。ガス分配器が図７に示す構造を採用し、ステップ４における第１の反応ガス（NH3）の導入時間が２秒であり、ステップ５におけるパージ時間が０．７秒であるとき、薄膜の均一性は１％を達成することができる。環状パイプラインを配置することによって、ガス分配パイプラインのパージ効率が約３０％向上できることが分かる。
[0061]上記の実施形態は、本開示の原理を例示するために採用される単に例示的な実施形態に過ぎず、本開示はそれに限定されないことを理解されたい。当業者であれば、本開示の主旨及び本質から逸脱することなく、様々な修正及び改良を行うことができ、これらの修正及び改良も本開示の保護範囲とみなされる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］ 分配器本体を備える半導体装置のガス分配器であって、前記分配器本体はガス出口端面を含み、前記分配器本体は、
ガス分配パイプライン群と、第１のガス入口パイプラインと、複数の第１のガス出口パイプラインとを含み、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端は前記ガス分配パイプライン群のガス入口に連通し、前記複数の第１のガス出口パイプラインのガス入口端は前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口に１対１に対応して連通し、
前記分配器本体は、
ガス分配チャンバと、第２のガス入口パイプラインと、複数の第２のガス出口パイプラインとを含み、前記ガス分配チャンバは、前記ガス分配パイプライン群の上に位置付けられ、前記第１のガス入口パイプラインの周りに配置され、前記ガス分配チャンバの高さは、前記第１のガス入口パイプラインに近い内周縁から前記第１のガス入口パイプラインから離れた外周縁まで徐々に減少し、前記第２のガス入口パイプラインのガス出口は、前記ガス分配チャンバのガス入口と連通し、前記複数の第２のガス出口パイプラインのガス入口は、前記ガス分配チャンバのガス出口と１対１の対応で連通し、前記第１のガス出口パイプラインおよび前記第２のガス出口パイプラインは、交互に配置され、前記第１のガス出口パイプライン及び前記第２のガス出口パイプラインのガス出口端は、前記分配器本体のガス出口端面に位置付けられる、ガス分配器。
［２］ 前記内周縁における前記ガス分配チャンバの高さは２ｍｍから４ｍｍであり、前記外周縁における前記ガス分配チャンバの高さは０．５ｍｍから１ｍｍである、［１］に記載のガス分配器。
［３］ 前記ガス分配パイプライン群は、複数のメインパイプラインを含み、前記複数のメインパイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインから離れて異なる方向に前記第１のガス入口パイプラインから径方向に配置され、前記第１のガス入口パイプラインに近い前記複数のメインパイプラインの端は、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端と連通し、
前記ガス分配パイプライン群は、複数のサブパイプライン群をさらに含み、前記サブパイプライン群は、前記メインパイプラインと１対１に対応して配置され、前記サブパイプライン群のそれぞれは、前記対応するメインパイプラインの両側に、前記対応するメインパイプラインと予め定められた夾角で配置された複数のサブパイプラインを含み、前記メインパイプラインの同じ側に位置付けられた前記サブパイプライン群のそれぞれの複数のサブパイプラインは、前記メインパイプラインの伸長方向に沿って間隔を置いて配置され、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインのそれぞれの端は、前記メインパイプラインと連通し、前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口は、前記複数のサブパイプラインに配置される、［１］に記載のガス分配器。
［４］ 前記ガス分配パイプライン群は、少なくとも１つの接続パイプラインを更に含み、
前記接続パイプラインは、前記接続パイプラインの伸長軌跡と交差する前記メインパイプライン及び／又は前記サブパイプラインと連通する、［３］に記載のガス分配器。
［５］ 各接続パイプラインは環状パイプラインであり、複数の環状パイプラインが含まれ、前記第１のガス入口パイプラインの径方向断面における前記複数の環状パイプラインの正投影は異なる直径を有し、前記第１のガス入口パイプラインの軸の正投影を中心として同心円状に配置され、任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は等しく、前記サブパイプラインのそれぞれの前記ガス出口は、前記サブパイプラインが前記接続パイプラインと交差する位置に位置付けられる、［４］に記載のガス分配器。
［６］ 前記第１のガス入口パイプラインに近い前記メインパイプラインの一端から前記第１のガス入口パイプラインから離れた他端まで、前記メインパイプラインの内径は徐々に減少し、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインの一端から前記メインパイプラインから離れた他端まで、前記サブパイプラインの内径は徐々に減少する、［３］に記載のガス分配器。
［７］ 任意の２つの隣接するメインパイプラインの間に位置づけられたすべてのサブパイプラインが互いに平行である、［３］に記載のガス分配器。
［８］ 同じサブパイプライン群の前記メインパイプラインの両側に位置付けられた前記サブパイプラインは、対称に配置される、［３］に記載のガス分配器。
［９］ 前記第２のガス入口パイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインの周りに配置された環状ガス入口パイプラインである、［１］から［８］のいずれか一項に記載のガス分配器。
［１０］ ［１］から［９］のいずれか一項に記載のガス分配器を備える半導体装置であって、前記第１のガス入口パイプラインのガス入口端は、第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２のガス入口パイプラインのガス入口端は、第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第１の反応ガス供給デバイスは、第１の反応ガスを提供するように構成され、前記第２の反応ガス供給デバイスは、第２の反応ガスを提供するように構成され、前記第１の反応ガスの拡散係数は、前記第２の反応ガスの拡散係数よりも大きい、半導体装置。
［１１］ 前記分配器本体上に配置されたガス入口ブロックをさらに備え、第１の伝達チャネルおよび第２の伝達チャネルが前記ガス入口ブロック内に配置され、前記第１の伝達チャネルは、前記第１のガス入口パイプラインを前記第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２の伝達チャネルは、前記第２のガス入口パイプラインを前記第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、
前記ガス入口ブロックと前記分配器本体との間には、第１のシールリングと、前記第１のシールリングを取り囲む第２のシールリングとが配置され、前記第１の伝達チャネルと前記第１のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングの内側に位置付けられ、前記第２の伝達チャネルと前記第２のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングと前記第２のシールリングとの間に位置付けられる、［１０］に記載の半導体装置。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］ 分配器本体を備える半導体装置のガス分配器であって、前記分配器本体はガス出口端面を含み、前記分配器本体は、
ガス分配パイプライン群と、第１のガス入口パイプラインと、複数の第１のガス出口パイプラインとを含み、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端は前記ガス分配パイプライン群のガス入口に連通し、前記複数の第１のガス出口パイプラインのガス入口端は前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口に１対１に対応して連通し、
前記分配器本体は、
ガス分配チャンバと、第２のガス入口パイプラインと、複数の第２のガス出口パイプラインとを含み、前記ガス分配チャンバは、前記ガス分配パイプライン群の上に位置付けられ、前記第１のガス入口パイプラインの周りに配置され、前記ガス分配チャンバの高さは、前記第１のガス入口パイプラインに近い内周縁から前記第１のガス入口パイプラインから離れた外周縁まで徐々に減少し、前記第２のガス入口パイプラインのガス出口は、前記ガス分配チャンバのガス入口と連通し、前記複数の第２のガス出口パイプラインのガス入口は、前記ガス分配チャンバのガス出口と１対１の対応で連通し、前記第１のガス出口パイプラインおよび前記第２のガス出口パイプラインは、交互に配置され、前記第１のガス出口パイプライン及び前記第２のガス出口パイプラインのガス出口端は、前記分配器本体のガス出口端面に位置付けられる、ガス分配器。
［２］ 前記内周縁における前記ガス分配チャンバの高さは２ｍｍから４ｍｍであり、前記外周縁における前記ガス分配チャンバの高さは０．５ｍｍから１ｍｍである、［１］に記載のガス分配器。
［３］ 前記ガス分配パイプライン群は、複数のメインパイプラインを含み、前記複数のメインパイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインから離れて異なる方向に前記第１のガス入口パイプラインから径方向に配置され、前記第１のガス入口パイプラインに近い前記複数のメインパイプラインの端は、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端と連通し、
前記ガス分配パイプライン群は、複数のサブパイプライン群をさらに含み、前記サブパイプライン群は、前記メインパイプラインと１対１に対応して配置され、前記サブパイプライン群のそれぞれは、前記対応するメインパイプラインの両側に、前記対応するメインパイプラインと予め定められた夾角で配置された複数のサブパイプラインを含み、前記メインパイプラインの同じ側に位置付けられた前記サブパイプライン群のそれぞれの複数のサブパイプラインは、前記メインパイプラインの伸長方向に沿って間隔を置いて配置され、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインのそれぞれの端は、前記メインパイプラインと連通し、前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口は、前記複数のサブパイプラインに配置される、［１］に記載のガス分配器。
［４］ 前記ガス分配パイプライン群は、少なくとも１つの接続パイプラインを更に含み、
前記接続パイプラインは、前記接続パイプラインの伸長軌跡と交差する前記メインパイプライン及び／又は前記サブパイプラインと連通する、［３］に記載のガス分配器。
［５］ 各接続パイプラインは環状パイプラインであり、複数の環状パイプラインが含まれ、前記第１のガス入口パイプラインの径方向断面における前記複数の環状パイプラインの正投影は異なる直径を有し、前記第１のガス入口パイプラインの軸の正投影を中心として同心円状に配置され、任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は等しく、前記サブパイプラインのそれぞれの前記ガス出口は、前記サブパイプラインが前記接続パイプラインと交差する位置に位置付けられる、［４］に記載のガス分配器。
［６］ 前記第１のガス入口パイプラインに近い前記メインパイプラインの一端から前記第１のガス入口パイプラインから離れた他端まで、前記メインパイプラインの内径は徐々に減少し、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインの一端から前記メインパイプラインから離れた他端まで、前記サブパイプラインの内径は徐々に減少する、［３］に記載のガス分配器。
［７］ 任意の２つの隣接するメインパイプラインの間に位置づけられたすべてのサブパイプラインが互いに平行である、［３］に記載のガス分配器。
［８］ 同じサブパイプライン群の前記メインパイプラインの両側に位置付けられた前記サブパイプラインは、対称に配置される、［３］に記載のガス分配器。
［９］ 前記第２のガス入口パイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインの周りに配置された環状ガス入口パイプラインである、［１］から［８］のいずれか一項に記載のガス分配器。
［１０］ ［１］から［９］のいずれか一項に記載のガス分配器を備える半導体装置であって、前記第１のガス入口パイプラインのガス入口端は、第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２のガス入口パイプラインのガス入口端は、第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第１の反応ガス供給デバイスは、第１の反応ガスを提供するように構成され、前記第２の反応ガス供給デバイスは、第２の反応ガスを提供するように構成され、前記第１の反応ガスの拡散係数は、前記第２の反応ガスの拡散係数よりも大きい、半導体装置。
［１１］ 前記分配器本体上に配置されたガス入口ブロックをさらに備え、第１の伝達チャネルおよび第２の伝達チャネルが前記ガス入口ブロック内に配置され、前記第１の伝達チャネルは、前記第１のガス入口パイプラインを前記第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２の伝達チャネルは、前記第２のガス入口パイプラインを前記第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、
前記ガス入口ブロックと前記分配器本体との間には、第１のシールリングと、前記第１のシールリングを取り囲む第２のシールリングとが配置され、前記第１の伝達チャネルと前記第１のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングの内側に位置付けられ、前記第２の伝達チャネルと前記第２のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングと前記第２のシールリングとの間に位置付けられる、［１０］に記載の半導体装置。
Claims (10)
- 分配器本体を備える半導体製造装置のガス分配器であって、前記分配器本体はガス出口端面を含み、前記分配器本体は、
ガス分配パイプライン群と、第１のガス入口パイプラインと、複数の第１のガス出口パイプラインとを含み、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端は前記ガス分配パイプライン群のガス入口に連通し、前記複数の第１のガス出口パイプラインのガス入口端は前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口に１対１に対応して連通し、
前記分配器本体は、
ガス分配チャンバと、第２のガス入口パイプラインと、複数の第２のガス出口パイプラインとを含み、前記ガス分配チャンバは、前記ガス分配パイプライン群の上に位置付けられ、前記第２のガス入口パイプラインの周りに配置され、前記ガス分配チャンバの高さは、前記第２のガス入口パイプラインに近い内周縁から前記第２のガス入口パイプラインから離れた外周縁まで徐々に減少し、前記第２のガス入口パイプラインのガス出口は、前記ガス分配チャンバのガス入口と連通し、前記複数の第２のガス出口パイプラインのガス入口は、前記ガス分配チャンバのガス出口と１対１の対応で連通し、前記第１のガス出口パイプラインおよび前記第２のガス出口パイプラインは、交互に配置され、前記第１のガス出口パイプライン及び前記第２のガス出口パイプラインのガス出口端は、前記分配器本体のガス出口端面に位置付けられ、
前記ガス分配パイプライン群は、複数のメインパイプラインを含み、前記複数のメインパイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインから離れて異なる方向に前記第１のガス入口パイプラインから径方向に配置され、前記第１のガス入口パイプラインに近い前記複数のメインパイプラインの端は、前記第１のガス入口パイプラインのガス出口端と連通し、
前記ガス分配パイプライン群は、複数のサブパイプライン群をさらに含み、前記サブパイプライン群は、前記メインパイプラインと１対１に対応して配置され、前記サブパイプライン群のそれぞれは、前記対応するメインパイプラインの両側に、前記対応するメインパイプラインと予め定められた夾角で配置された複数のサブパイプラインを含み、前記メインパイプラインの同じ側に位置付けられた前記サブパイプライン群のそれぞれの複数のサブパイプラインは、前記メインパイプラインの伸長方向に沿って間隔を置いて配置され、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインのそれぞれの端は、前記メインパイプラインと連通し、前記ガス分配パイプライン群の複数のガス出口は、前記複数のサブパイプラインに配置される、ガス分配器。 - 前記内周縁における前記ガス分配チャンバの高さは２ｍｍから４ｍｍであり、前記外周縁における前記ガス分配チャンバの高さは０．５ｍｍから１ｍｍである、請求項１に記載のガス分配器。
- 前記ガス分配パイプライン群は、少なくとも１つの接続パイプラインを更に含み、
前記接続パイプラインは、前記接続パイプラインの伸長軌跡と交差する前記メインパイプライン及び／又は前記サブパイプラインと連通する、請求項１に記載のガス分配器。 - 各接続パイプラインは環状パイプラインであり、複数の環状パイプラインが含まれ、前記第１のガス入口パイプラインの径方向断面における前記複数の環状パイプラインの正投影は異なる直径を有し、前記第１のガス入口パイプラインの軸の正投影を中心として同心円状に配置され、任意の２つの隣接する環状パイプラインの正投影間の径方向距離は等しく、前記サブパイプラインのそれぞれの前記ガス出口は、前記サブパイプラインが前記接続パイプラインと交差する位置に位置付けられる、請求項３に記載のガス分配器。
- 前記第１のガス入口パイプラインに近い前記メインパイプラインの一端から前記第１のガス入口パイプラインから離れた他端まで、前記メインパイプラインの内径は徐々に減少し、前記メインパイプラインに近い前記サブパイプラインの一端から前記メインパイプラインから離れた他端まで、前記サブパイプラインの内径は徐々に減少する、請求項１に記載のガス分配器。
- 任意の２つの隣接するメインパイプラインの間に位置づけられたすべてのサブパイプラインが互いに平行である、請求項１に記載のガス分配器。
- 同じサブパイプライン群の前記メインパイプラインの両側に位置付けられた前記サブパイプラインは、対称に配置される、請求項１に記載のガス分配器。
- 前記第２のガス入口パイプラインは、前記第１のガス入口パイプラインの周りに配置された環状ガス入口パイプラインである、請求項１から７のいずれか一項に記載のガス分配器。
- 請求項１から８のいずれか一項に記載のガス分配器を備える半導体製造装置であって、前記第１のガス入口パイプラインのガス入口端は、第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２のガス入口パイプラインのガス入口端は、第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第１の反応ガス供給デバイスは、第１の反応ガスを提供するように構成され、前記第２の反応ガス供給デバイスは、第２の反応ガスを提供するように構成され、前記第１の反応ガスの拡散係数は、前記第２の反応ガスの拡散係数よりも大きい、半導体製造装置。
- 前記分配器本体上に配置されたガス入口ブロックをさらに備え、第１の伝達チャネルおよび第２の伝達チャネルが前記ガス入口ブロック内に配置され、前記第１の伝達チャネルは、前記第１のガス入口パイプラインを前記第１の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、前記第２の伝達チャネルは、前記第２のガス入口パイプラインを前記第２の反応ガス供給デバイスと連通するように構成され、
前記ガス入口ブロックと前記分配器本体との間には、第１のシールリングと、前記第１のシールリングを取り囲む第２のシールリングとが配置され、前記第１の伝達チャネルと前記第１のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングの内側に位置付けられ、前記第２の伝達チャネルと前記第２のガス入口パイプラインとの間の接続位置は、前記第１のシールリングと前記第２のシールリングとの間に位置付けられる、請求項９に記載の半導体製造装置。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303292A (ja) | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Asm Japan Kk | 薄膜形成装置 |
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| US20030116087A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Nguyen Anh N. | Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition |
| US6911391B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| KR100731164B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
| KR100700448B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-03-28 | 주식회사 메카로닉스 | 삼중 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착장치 |
| CN103388132B (zh) * | 2012-05-11 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器 |
| US9447499B2 (en) * | 2012-06-22 | 2016-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Dual plenum, axi-symmetric showerhead with edge-to-center gas delivery |
| US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| CN103540911A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-29 | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 | 喷淋头的制作方法 |
| CN103540910A (zh) * | 2013-10-28 | 2014-01-29 | 光垒光电科技（上海）有限公司 | 喷淋头及反应腔室 |
| US10741365B2 (en) * | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
| US9885112B2 (en) * | 2014-12-02 | 2018-02-06 | Asm Ip Holdings B.V. | Film forming apparatus |
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