CN205275699U - 一种气体分配器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种气体分配器，在本体内设有辐射状的气体分配主管，在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管，并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小，形成树状的气体分配网络，使从气体分配网络中心的进气管通入的反应气体或蒸汽可由众多规律分布的出气管垂直均匀地吹向所覆盖的硅片表面，可实现在硅片上的均匀反应、提高反应效率、节约反应气体消耗及缩小设备体积，还可使吹扫气体容易将气体分配网络边缘位置的残留气体吹扫干净，有效防止在ALD反应中误发生CVD反应，具有提高ALD反应的产率和良率及降低成本的显著特点。

Description

一种气体分配器

技术领域

本实用新型涉及半导体原子层沉积技术领域，更具体地，涉及一种应用于半导体原子层沉积技术的可均匀分配反应气体并可防止在原子层沉积时误发生化学气相沉积反应的气体分配器。

背景技术

目前，薄膜沉积反应系统和方法广泛应用于多个领域的设备中，如：半导体、集成电路、太阳能电池板、平面显示器、微电子、发光二极管等。利用化学气相沉积(ChemicalVapourDeposition，CVD)技术在基底表面形成10μm或小于10μm的薄膜是进行薄膜沉积的一种普遍方法。多数的CVD技术一般需要提供多种气体或蒸汽沉积生成薄膜，以便获得期望的性能和化学成分，并且，反应气体一般是在反应腔室中先进行混合并在一定条件下来发生所需的反应的。

而在另外一些薄膜沉积工艺例如利用原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)技术进行的薄膜沉积方法中，要求多种反应气体或蒸汽以择一方式相继地、连续地进入反应腔室，并且在进入腔室之前不能发生相互反应。由于ALD技术具有可生成具有一定特性的、极其薄的薄膜的优点，因此，在某些应用场所具有CVD技术不可比拟的应用价值，得以替代CVD技术。ALD技术的原理是，将第一种反应气体或蒸汽经过一气体分配器进入反应腔室，通过化学吸附或物理吸附在其可接触的所有表面(包括基底表面)形成单层原子层；在将反应腔室内未被吸附的残留气体吹扫干净后，再向反应腔室内通入第二种反应气体或蒸汽，与第一种反应气体吸附在表面形成的单层原子层发生反应，生成期望的薄膜，然后再次将反应腔室内未被吸附的残留气体吹扫干净。重复上述过程，直至得到期望的薄膜厚度。由于ALD技术的特性，第一种反应气体和第二种反应气体必须独立地、分别地通过气体分配器通入到反应腔室中。在ALD反应中，如果第一种反应气体和第二种反应气体在气体输送的过程中相遇，就会发生反应。这种不期望的反应其实就是一种CVD反应。虽然在某些场合的CVD反应中，将反应气体或蒸汽在进入反应腔室之前进行混合具有一定的优点，但是，在ALD反应中，如果一些反应气体或蒸汽由于某种原因而在气体输送的过程中发生相遇，例如在反应腔室、气体输送管路或者气体分配器的内表面发生我们所不希望的CVD反应，以至于反应气体或蒸汽在进入反应腔室之前有所损耗，或之前的反应物进入反应腔室和基底表面，就会影响薄膜沉积的质量和效果。

由于ALD技术的周期性和次序性特性，在一种反应气体被送入反应腔室之前，将反应腔室内残留的另一种反应气体吹扫干净就成为一项重要工作。在薄膜沉积技术中，一般是通过排气和吹扫的方式来清理腔室内的残余气体。由于吹扫方法速度快、效率高，经常为首选方法。吹扫方法主要为通过气体分配器向腔室内通入低活性或惰性气体(如：氦气、氮气、氩气等)。并且，如果在通入下一种反应气体之前,能够减少吹扫残余气体的时间，就能明显提高薄膜沉积周期的生产率，具有相当的经济价值。

影响获得所期望的薄膜特性所需要的吹扫气体量的决定因素有很多，其中一些因素例如反应物的化学性质和物理性质，难以实际控制；还有一些因素例如惰性气体流速和需要吹扫的空间体积，可通过恰当的反应系统设计和工艺设置进行控制。不过，虽然对惰性气体流速可以很容易实现自动控制，但是，在沉积工艺已预成型的前提下，惰性气体流速可调节范围实际是很小的。并且，为防止惰性气体流速过大而产生湍流气体环境，从而产生微粒进入气体分配器和反应腔室，惰性气体的流速可调范围实际上也不宜过大。需要吹扫的空间范围主要由气体分配器内部空间体积、输送反应气体到反应腔室的管路体积和反应腔室本身内部空间体积所组成。一般来说，需要吹扫的空间体积越小，吹扫周期也越短。另外，许多CVD技术和ALD技术对反应腔室内和基底表面反应气体的进气均匀性很敏感，进气不均匀会导致基底表面薄膜厚度不均。

上述决定获得所期望的薄膜特性所需要的吹扫气体量的因素，对起用于输送并能够均匀分配反应气体作用的气体分配器的设计，提出了更高的要求。

美国实用新型专利申请US6921437B1气体分配系统(GasDistributionSystem)公开了一种气体分配器，通过设置在分配器内部的双层树状网络来实现对反应气体的分配和输送。该实用新型专利申请公开的气体分配器双层网络结构虽然能够实现两种反应源独立通入，但由于各层气体分配器管路均为等径(或等截面积)，容易导致管路末端由于气体压力逐渐减小而出现气体不均匀现象；同时由于其管路中存在的压力减小和流量降低的影响，吹扫气体就不易将此处管道内残留的前一种气体吹扫干净,从而极易误发生CVD反应。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种气体分配器，可均匀分配反应气体并可防止在原子层沉积时误发生化学气相沉积反应。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种气体分配器，设于原子层沉积设备反应腔室内，位于放置硅片的基座正上方，所述气体分配器包括一本体，所述本体内设有气体分配网络，所述气体分配网络包括若干个气体分配主管，其以内端作为共同连通点形成均匀的辐射状设置，各气体分配主管两侧以相同夹角分别均匀设有若干气体分配支管,位于相邻气体分配主管之间的各气体分配支管相互平行设置,所述气体分配主管通过由其共同连通点上方引出的进气管连通至本体的进气口，沿各气体分配支管均匀地向下垂直设有若干出气管，各出气管分别连通至本体下端面对应的出气口，所述气体分配主管、支管的外端封闭；其中，各气体分配主管、支管的横截面积按朝向其各自的外端方向逐渐减小设置，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向逐渐减小设置。

优选地，所述气体分配网络的数量为1至若干个；其中，当所述气体分配网络的数量为2个及以上时，各气体分配网络之间按上、下层错位独立设置，各气体分配网络的进气管分别连通本体设有的对应进气口、出气管分别连通本体下端面设有的对应出气口，各气体分配网络全部的出气管在垂直于基座方向分别形成的投影区域能够将基座上放置的硅片覆盖在内。

优选地，所述气体分配主管、支管的横截面为圆形、椭圆形、矩形、正多边形或异形中的任意一种形状。

优选地，所述气体分配主管、支管位于相同水平面，所述本体的下端面为水平面。

优选地，所述气体分配支管在气体分配主管的两侧错位设置。

优选地，各所述气体分配主管或支管的横截面积朝向其外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置。

优选地，各所述气体分配主管或支管横截面积的减小总量为50～90％；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间横截面积的减小总量为10～50％。

优选地，所述气体分配主管的数量为3-6个。

优选地，所述夹角为180°/n,其中n为气体分配主管的个数。

优选地，所述夹角为30-60°。

从上述技术方案可以看出，本实用新型通过在气体分配器的本体内设置辐射状的气体分配主管，以及在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管，并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小，形成树状的气体分配网络，使从气体分配网络中心位置的进气管通入的反应气体或蒸汽可由众多规律分布的出气管垂直均匀地吹向所覆盖的硅片表面，不但可以提高通入气体的均匀性，缩小气体分配器与硅片之间的安装距离，实现在硅片上的均匀反应、提高反应效率、节约反应气体消耗及缩小设备体积，还可以利用各气体分配主管、支管横截面积逐渐缩小的特点，使吹扫气体容易将位于气体分配网络边缘位置的气体分配主管、支管内的残留气体吹扫干净，可避免不同反应气体之间发生反应的现象，在实现减少吹扫时间、提高吹扫效率的同时，可以有效地防止在ALD反应中误发生CVD反应。因此，本实用新型具有提高ALD反应的产率和良率及降低成本的显著特点。

附图说明

图1是本实用新型一较佳实施例的一种气体分配器位于原子层沉积设备反应腔室内的安装结构示意图；

图2是本实用新型一较佳实施例的一种气体分配网络的结构示意图；

图3是图2中气体分配网络的倒置结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细说明。

需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本实用新型的实施方式时，为了清楚地表示本实用新型的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本实用新型的限定来加以理解。

在以下本实用新型的具体实施方式中，请参阅图1，图1是本实用新型一较佳实施例的一种气体分配器位于原子层沉积设备反应腔室内的安装结构示意图。如图1所示，本实用新型的一种气体分配器，应用于薄膜沉积技术，可安装在原子层沉积设备反应腔室4的顶部内壁，位于放置硅片2的基座3正上方，并与基座及硅片保持一定距离。所述气体分配器包括一本体1，本体具有与硅片对应的柱体外形。在本体上端面中部设有进气口12，进气口连接外部气源管路，用于通过进气口向本体内的气体分配网络6通入工艺所需的反应气体或蒸汽，并从本体下端面设有的出气口13垂直喷向硅片表面进行工艺，或通入吹扫气体，对气体分配网络通道及设备腔室进行吹扫，将气体分配网络通道内之前残留的反应气体或蒸汽以及腔室内的残留气体吹扫干净，以避免在ALD反应时发生不期望的CVD反应。由本体下方的出气口13垂直吹出的气体或蒸汽，要将硅片2覆盖在其垂直投影范围内，以保证在ALD反应时吹向硅片的反应气体或蒸汽能同时均匀地接触硅片，从而通过反应得到均匀的薄膜沉积层。

请参阅图2，图2是本实用新型一较佳实施例的一种气体分配网络的结构示意图。如图2所示，在本体1内设有气体分配网络6，所述气体分配网络包括若干个气体分配主管8-11。各气体分配主管以其内端作为共同连通点连接在一起，并按均匀的辐射状进行设置，从而该共同连通点即位于气体分配网络6的结构中心。在每个气体分配主管8、9、10或11的两侧分别设有若干个气体分配支管8-1至8-8、9-1至9-8、10-1至10-8或11-1至11-8,各气体分配支管在气体分配主管的两侧以相同的夹角α分列设置，即朝向气体分配主管的外侧方向设置，并保持均匀的距离。在每两个相邻气体分配主管之间的各气体分配支管以相互平行的状态进行设置,例如，位于相邻气体分配主管8和11之间的各气体分配支管8-8至11-7是按照相互平行的状态进行排列的，以免相互影响。气体分配主管与其两侧的各气体分配支管形成树状互相连通的气体分配网络结构。

请参阅图2。作为一优选的实施方式，所述气体分配主管的数量可为3-6个，例如图示为具有4个气体分配主管8-11的气体分配网络结构。各气体分配主管两侧的气体分配支管与气体分配主管之间形成的夹角α优选为180°/n,其中n为气体分配主管的个数。例如，当气体分配主管的数量为图示的4个时，该夹角为45°。作为进一步的优选，所述夹角α的范围可在30-60°之间进行调节。

请继续参阅图2。在各气体分配主管共同连通点的上方连通设有进气管5，进气管连通至本体的进气口12(请参考图1)。一般来说，进气管5的设置位置属于气体分配网络6的中心位置，从而使进气管具有一定的对称性，可以使反应气体或蒸汽经过分配后均匀地进入反应腔室。而进气口当然也可设置在本体表面的其他适用位置，本实用新型不作限制。

请参阅图3，图3是图2中气体分配网络的倒置结构示意图。如图3所示，在各气体分配支管的下端、并沿气体分配支管的长度方向连通设有一列出气管7，出气管向下垂直并均匀地进行排列设置。各出气管7分别连通至本体下端面对应的出气口13(请参考图1)，以便从外部气源管路向气体分配网络通入的气体或蒸汽可从各出气口垂直喷向下方的硅片。在设置出气管和出气口时，应使得由出气口垂直吹出的气体或蒸汽能将硅片覆盖在其垂直投影范围内，故全部的出气管在垂直于基座方向形成的投影区域能够将基座上放置的硅片覆盖在内。

请参阅图2和图3。各所述气体分配主管8-11、支管8-1至8-8、9-1至9-8、10-1至10-8和11-1至11-8的外端为封闭结构，使管路中的气体或蒸汽只能由各出气口13排出气体分配网络。因通常会将本体加工成与硅片对应的柱体外形，因此，可将各所述气体分配主管、支管的封闭外端向本体1的侧部延伸，并与本体的内壁相固定连接。从而，本实施例中的气体分配网络6将具有图示圆形的结构，气体分配主管两侧的气体分配支管的长度也将逐渐缩短，使得设于每个气体分配支管下端的出气管数量也将从多到少分布。如图1所示，在具体加工本实用新型的气体分配器时，可将本体1分为上板14和下板15两部分分别进行加工。其中，可在上板14开有贯通的进气口12(包含进气管5)，在下板15开有规律分布且贯通的多数个出气口13(包含出气管7)，全部的所述出气口13在垂直所述基座3方向形成的投影区域能够将所述基座上放置的所述硅片2覆盖在内；在上板14下表面开有如图2所示形成气体分配网络6的规律沟槽，然后将本体上板14和下板15通过焊接结合在一起，完成本实用新型气体分配器的制作。

请继续参阅图2。作为可选的实施方式，所述气体分配主管、支管的横截面可为圆形、椭圆形、矩形、正多边形或异形中的任意一种形状。正是由于本实用新型的树状交错形式的气体分配网络设计特点，使得在本实用新型中，能够扩大对于气体分配管的横截面形状的适应范围，具有不同截面形状的气体分配管所组成的气体分配网络，都可以很好地实现均匀分配和输送气体的功能，并能在气体吹扫时做到管道内不残留前种反应气体。并且，所述气体分配主管、支管位于相同的水平面进行设置；进一步地，所述本体的下端面为水平面，可使得各出气口与基座之间的距离相等，一方面可节约空间，另一方面可使反应气体或蒸汽能同时吹到硅片表面发生反应。此外，作为一优选的实施方式，所述气体分配支管在气体分配主管的两侧可以图示的错位方式进行设置，以避免在气体分配主管同一位置两侧同时产生分配口，造成压力和流量明显衰减。

请继续参阅图2。各气体分配主管、支管的横截面积按朝向其各自的外端方向逐渐减小设置；并且，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端端口之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向逐渐减小设置，而且，各气体分配支管内端端口的横截面积应至少不大于其所处位置的气体分配主管对应的横截面积。

在现有技术中，气体分配器的气路管道通常具有等径的横截面积，随着反应气体或蒸汽从进气口进入，通过其等径的气路管道到达出气口时，所分配的反应气体或蒸汽的量其实是逐渐减少的。这是由于气体输送的时间差及管道压差的影响，一部分气体已通过气体分配器近进气口端的出气口先行进入反应腔室。所以，这种具有相等或相近横截面积气路管道的气体分配器，在进气口远端的管道处，具有比进气口近端的管道相对更大的内部空间，由于压力减小和流量降低的影响，吹扫气体就不易将此处管道内残留的前一种气体吹扫干净。

针对上述问题，本实用新型将位于气体分配网络中心位置的气体分配主管内端的横截面积设计成最大，并且向其外端呈楔形设计，使气体分配主管横截面积由气体分配网络中心向边缘逐渐减小。与气体分配主管相通的气体分配支管同样设计为楔形,并且气体分配支管横截面积由连接点向其边缘也逐渐减小。从而使本实用新型的气体分配网络中的各气体分配管具有从中心向边缘横截面积逐渐减小的内部空间结构，可以在保证反应气体或蒸汽均匀进入反应腔室的同时，减少吹扫时间，提高吹扫效率，并有效地防止在ALD反应中误发生CVD反应。

作为优选的实施方式，各所述气体分配主管或支管的横截面积朝向其外端方向可以等比例减小或等面积量减小的方式进行设置。进一步优选地，上述横截面积的减小总量应控制在50～90％之间，即气体分配主管外端处的横截面积是其位于气体分配网络中心处的内端横截面积的10～50％，气体分配支管外端处横截面积是其与气体分配管主连接处的内端横截面积的10～50％。同时，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置。优选地，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间横截面积的减小总量为10～50％，即位于气体分配主管最外端处的1个气体分配支管与气体分配主管连接处的内端横截面积是位于气体分配网络中心的气体分配主管最内端处的气体分配支管与气体分配主管连接处的内端横截面积的50～90％。

在工艺中，反应气体或蒸汽通过进气管5进入气体分配网络6，再通过树状互相连通的气体分配管路(包括主管8-11、支管8-1至8-8、9-1至9-8、10-1至10-8和11-1至11-8)进行均匀分配；同时，在反应周期中进行气体吹扫时，吹扫气体也同样可以通过上述通道进入及均匀分配。经过均匀分配的反应气体或蒸汽通过出气管7、出气口13均匀吹向硅片2，保证了在硅片上的反应均匀发生；同时，在反应周期中进行气体吹扫时，吹扫气体也同样可以通过上述通道向反应腔室4均匀吹出。由于出气管数量较多，且规律地垂直朝向基座设置，使得出气管下端面与硅片之间的距离可以设置得很接近，就可以保证反应气体快速、均匀地完全覆盖硅片，所以，也就相应地节约了设备腔体的内部空间，可以减小设备的体积。这样，不但可以节约反应气体的消耗量，而且，在进行气体吹扫时，也可以提高吹扫的效率。

此外，作为不同的可选实施方式，所述气体分配网络6在本体1内的设置数量可为1个，或者可为2个、甚至更多个。其中，当所述气体分配网络的数量为1个时，可将图2所示的例如1个气体分配网络以水平状态安装在本体1内(请参考图1)，并通过进气管5与本体上数量为1个的进气口12相连接、通过出气管7与本体下端面对应数量及位置的出气口13相连接。工艺时，反应气体从进气管5进入气体分配网络6的气体分配主管8-11，并分别分配给气体分配支管8-1至8-8、9-1至9-8、10-1至10-8和11-1至11-8，经过出气管7并通过出气口13进入反应腔室4，在放置在基座3上的硅片2表面发生反应。

当所述气体分配网络的数量为2个及2个以上时，可将图2所示的对应个气体分配网络之间按上、下层依次错位独立设置，即各气体分配网络的中心(即进气管位置)不在同一竖直轴线上，且各层气体分配网络的对应气体分配主管和支管相互偏移一定位置设置，使上、下层气体分配网络管路之间在布局上不会产生冲突。并且，各气体分配网络的进气管分别连通本体设有的对应进气口，可进一步分别连通原子层沉积设备的其中一种进气源管路；各气体分配网络的出气管分别连通本体下端面设有的对应出气口，各气体分配网络全部的出气管在垂直于基座方向分别形成的投影区域能够将基座上放置的硅片覆盖在内。

例如，当气体分配网络的数量为2个时，2个气体分配网络在气体分配器的本体内处于不同的平面上，并且通过设置不同的进气管路和不同的出气管路进行分开，所以，在气体分配器内部不会发生一个气体分配网络内的气体流入到另一个中发生混合的现象。此种设计应用在反应中存在2种不同反应气体时的情况，可以实现专管专用，节约不同反应气体切换的时间，同时也提高了气体输送的稳定性和安全性。

在具体加工具有2个气体分配网络的气体分配器时，可将本体分为上板、中板和下板三部分分别进行加工。其中，可在上板开有贯通的进气口，在下板开有对应不同气体分配网络的规律分布且贯通的多数个出气口，全部的所述出气口在垂直所述基座方向形成的投影区域能够将所述基座上放置的所述硅片覆盖在内；在上板下表面开有形成1个气体分配网络的规律沟槽，将上板下表面与中板上表面封闭即形成一个气体分配网络；在中板下表面开有形成第2个气体分配网络的规律沟槽，将中板下表面与下板上表面封闭即形成第2个气体分配网络；然后将本体上板、中板和下板通过焊接结合在一起，完成本实用新型具有2个气体分配网络的气体分配器的制作。

综上所述，本实用新型通过在气体分配器的本体内设置辐射状的气体分配主管，以及在气体分配主管两侧错位设置气体分配支管，并沿气体分配主管向气体分配支管方向管路横截面积逐渐减小，形成树状的气体分配网络，使从气体分配网络中心位置的进气管通入的反应气体或蒸汽可由众多规律分布的出气管垂直均匀地吹向所覆盖的硅片表面，不但可以提高通入气体的均匀性，缩小气体分配器与硅片之间的安装距离，实现在硅片上的均匀反应、提高反应效率、节约反应气体消耗及缩小设备体积，还可以利用各气体分配主管、支管横截面积逐渐缩小的特点，使吹扫气体容易将位于气体分配网络边缘位置的气体分配主管、支管内的残留气体吹扫干净，可避免不同反应气体之间发生反应的现象，在实现减少吹扫时间、提高吹扫效率的同时，可以有效地防止在ALD反应中误发生CVD反应。因此，本实用新型具有提高ALD反应的产率和良率及降低成本的显著特点。

以上所述的仅为本实用新型的优选实施例，所述实施例并非用以限制本实用新型的专利保护范围，因此凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种气体分配器，设于原子层沉积设备反应腔室内，位于放置硅片的基座正上方，其特征在于，所述气体分配器包括一本体，所述本体内设有气体分配网络，所述气体分配网络包括若干个气体分配主管，其以内端作为共同连通点形成均匀的辐射状设置，各气体分配主管两侧以相同夹角分别均匀设有若干气体分配支管,位于相邻气体分配主管之间的各气体分配支管相互平行设置,所述气体分配主管通过由其共同连通点上方引出的进气管连通至本体的进气口，沿各气体分配支管均匀地向下垂直设有若干出气管，各出气管分别连通至本体下端面对应的出气口，所述气体分配主管、支管的外端封闭；其中，各气体分配主管、支管的横截面积按朝向其各自的外端方向逐渐减小设置，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向逐渐减小设置。

2.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配网络的数量为1至若干个；其中，当所述气体分配网络的数量为2个及以上时，各气体分配网络之间按上、下层错位独立设置，各气体分配网络的进气管分别连通本体设有的对应进气口、出气管分别连通本体下端面设有的对应出气口，各气体分配网络全部的出气管在垂直于基座方向分别形成的投影区域能够将基座上放置的硅片覆盖在内。

3.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管、支管的横截面为圆形、椭圆形、矩形、正多边形或异形中的任意一种形状。

4.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管、支管位于相同水平面，所述本体的下端面为水平面。

5.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配支管在气体分配主管的两侧错位设置。

6.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，各所述气体分配主管或支管的横截面积朝向其外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置。

7.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管的数量为3-6个。

8.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述夹角为180°/n,其中n为气体分配主管的个数。

9.根据权利要求8所述的气体分配器，其特征在于，所述夹角为30-60°。

10.根据权利要求1或6所述的气体分配器，其特征在于，各所述气体分配主管或支管横截面积的减小总量为50～90％；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间横截面积的减小总量为10～50％。