JP7381185B2 - Circuit boards and multilayer circuit boards - Google Patents

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JP7381185B2 JP2017073200A JP2017073200A JP7381185B2 JP 7381185 B2 JP7381185 B2 JP 7381185B2 JP 2017073200 A JP2017073200 A JP 2017073200A JP 2017073200 A JP2017073200 A JP 2017073200A JP 7381185 B2 JP7381185 B2 JP 7381185B2
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Description

本発明は、回路基板及び多層回路基板に関するものである。 The present invention relates to a circuit board and a multilayer circuit board.

近年,電子機器のさらなる高密度化、高機能化の進展に伴い、更なる寸法安定性や優れた高周波特性を有する回路基板材料が求められている。特に、高速信号処理に必要な有機層間絶縁材料の特性には、低誘電率化、低誘電損失化が重要である。高周波化に対応するために、低誘電率、低誘電正接を特徴とした液晶ポリマー(LCP)を誘電体層とした多層配線板が提案されている(例えば、特許文献1)。液晶ポリマーを絶縁層とした多層配線板は、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー基材の融点付近まで加熱した状態で加熱圧着することにより製造されるため、液晶ポリマー基材の熱変形により、回路導体の位置ズレがおきやすく、インピーダンスの不整合など電気特性に悪影響が出ることが懸念されている。また、液晶ポリマーを基材層とする多層配線板は、多層接着界面が平滑であるとアンカー効果が発現せず層間接着力が不十分となるため、回路導体と液晶ポリマー基材のそれぞれの表面に粗化処理を必要とし、製造工程が煩雑であるという問題点もあった。 BACKGROUND ART In recent years, as electronic devices have become more dense and highly functional, circuit board materials with even greater dimensional stability and superior high frequency properties are required. In particular, low dielectric constant and low dielectric loss are important characteristics of organic interlayer insulating materials required for high-speed signal processing. In order to cope with higher frequencies, a multilayer wiring board having a dielectric layer made of liquid crystal polymer (LCP), which is characterized by low dielectric constant and low dielectric loss tangent, has been proposed (for example, Patent Document 1). Multilayer wiring boards with liquid crystal polymer as an insulating layer are manufactured by heat-pressing the liquid crystal polymer base material, which is a thermoplastic resin, after heating it to around the melting point. It is feared that the position of the capacitor may easily shift, which may adversely affect electrical characteristics such as impedance mismatch. In addition, in multilayer wiring boards with liquid crystal polymer as the base material layer, if the multilayer adhesive interface is smooth, the anchor effect will not occur and the interlayer adhesion will be insufficient. There was also the problem that a roughening treatment was required and the manufacturing process was complicated.

ところで、ポリイミドを主成分とする接着層に関する技術として、ダイマー酸などの脂肪族ジアミンから誘導されるジアミン化合物を原料とするポリイミドと、少なくとも2つの第1級アミノ基を官能基として有するアミノ化合物と、を反応させて得られる架橋ポリイミド樹脂を、カバーレイフィルムの接着剤層に適用することが提案されている(例えば、特許文献2)。特許文献2の架橋ポリイミド樹脂は、環状シロキサン化合物からなる揮発成分を発生させず、優れた半田耐熱性を有し、繰り返し高温にさらされる使用環境でも、配線層とカバーレイフィルムとの接着力を低下させない、という利点を有するものである。しかしながら、特許文献2では、高周波信号伝送への適用可能性については検討されていない。 By the way, as technologies related to adhesive layers containing polyimide as a main component, there are two methods: polyimide made from a diamine compound derived from an aliphatic diamine such as dimer acid, and an amino compound having at least two primary amino groups as functional groups. It has been proposed to apply a crosslinked polyimide resin obtained by reacting , to an adhesive layer of a coverlay film (for example, Patent Document 2). The crosslinked polyimide resin of Patent Document 2 does not generate volatile components made of cyclic siloxane compounds, has excellent soldering heat resistance, and maintains the adhesive strength between the wiring layer and the coverlay film even in environments where it is repeatedly exposed to high temperatures. This has the advantage of not causing any deterioration. However, in Patent Document 2, the applicability to high frequency signal transmission is not considered.

特開2005-317953号公報Japanese Patent Application Publication No. 2005-317953 特許第5777944号公報Patent No. 5777944

本発明の目的は、密着性に優れ、誘電率及び誘電正接が小さく、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能な接着層を備えた回路基板及び多層回路基板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a circuit board and a multilayer circuit board equipped with an adhesive layer that has excellent adhesion, low dielectric constant and dielectric loss tangent, and can reduce transmission loss even in high frequency transmission.

本発明者らは、鋭意研究の結果、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層と導体回路層を有する回路基板において、導体回路層を被覆する接着層に熱圧着が可能な接着性ポリイミドを使用するとともに、該接着性ポリイミドの原料となるモノマーの種類と量を制御することによって、優れた接着性を維持しつつ、低誘電率化及び低誘電正接化が可能となることを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive research, the present inventors have found that in a circuit board having an insulating base layer made of a liquid crystal polymer and a conductive circuit layer, an adhesive polyimide that can be bonded by thermocompression is used as an adhesive layer covering the conductive circuit layer. In addition, they discovered that by controlling the type and amount of monomers that are raw materials for the adhesive polyimide, it is possible to lower the dielectric constant and dielectric loss tangent while maintaining excellent adhesive properties, and have developed the present invention. completed.

本発明の回路基板は、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層と、前記絶縁性基材層の少なくとも片面に形成された導体回路層と、前記導体回路層を被覆する接着層とを備えた回路基板である。
本発明の回路基板において、前記接着層は、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドを有しており、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の100モル部に対して、
ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を40モル部以上含有することを特徴とする。
The circuit board of the present invention includes an insulating base layer made of a liquid crystal polymer, a conductive circuit layer formed on at least one side of the insulating base layer, and an adhesive layer covering the conductive circuit layer. It is a board.
In the circuit board of the present invention, the adhesive layer has an adhesive polyimide containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue,
The adhesive polyimide contains, based on 100 mole parts of the diamine residue,
It is characterized by containing 40 mole parts or more of a diamine residue derived from a dimer acid type diamine in which two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid are substituted with primary aminomethyl groups or amino groups.

本発明の回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、
下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有することを特徴とする。
In the circuit board of the present invention, the adhesive polyimide comprises:
It is characterized by containing a total of 90 mole parts or more of tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic acid anhydrides represented by the following general formulas (1) and/or (2).

Figure 0007381185000001
[一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。]
Figure 0007381185000001
[In general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in general formula (2), the cyclic moiety represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring, It represents forming a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring, or an 8-membered ring. ]

Figure 0007381185000002
[上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。]
Figure 0007381185000002
[In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, but n is Indicates an integer from 1 to 20. ]

本発明の回路基板において、前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の100モル部に対して、
前記ダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有してもよく、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有してもよい。
In the circuit board of the present invention, the adhesive polyimide comprises:
The diamine residue derived from the dimer acid type diamine may be contained within the range of 50 mole parts or more and 99 mole parts or less,
The diamine residue derived from at least one diamine compound selected from the diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7) may be contained in the range of 1 to 50 mole parts. good.

Figure 0007381185000003
[式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。]
Figure 0007381185000003
[In formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO -, -SO-, -SO 2 -, -COO-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -NH- or -CONH-, where n 1 is independent indicates an integer from 0 to 4. However, from equation (B3), those that overlap with equation (B2) are excluded, and from equation (B5), those that overlap with equation (B4) are excluded. ]

本発明の多層回路基板は、複数の回路基板を積層した多層回路基板であって、前記回路基板が、上記いずれかにの回路基板であることを特徴とする。 The multilayer circuit board of the present invention is a multilayer circuit board in which a plurality of circuit boards are laminated, and the circuit board is any one of the above circuit boards.

本発明の回路基板は、特定のテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を導入した接着性ポリイミドによって導体回路層を被覆する接着層を形成することで、密着性の確保と低誘電率化及び低誘電正接化を可能とした。また、本発明の多層回路基板は、良好な層間接続を有し、且つ信頼性が高く、電子部品の高密度集積化や、高密度実装化を可能とすることができる。 The circuit board of the present invention ensures adhesion, lowers the dielectric constant, and lowers the conductive circuit layer by forming an adhesive layer covering the conductor circuit layer using adhesive polyimide into which specific tetracarboxylic acid residues and diamine residues are introduced. This made it possible to change the dielectric loss tangent. Further, the multilayer circuit board of the present invention has good interlayer connections and is highly reliable, and can enable high-density integration and high-density packaging of electronic components.

本発明の一実施の形態の多層回路基板の製造工程を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of a multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention.

本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described in detail.

[回路基板]
本実施の形態の回路基板は、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層の少なくとも片面に導体回路層を有し、前記導体回路層は、接着層で被覆されている。本実施の形態の回路基板の高周波特性は、接着性ポリイミドで形成された接着層と内部に埋め込まれる導体回路層により確保することができ、該接着層は液晶ポリマーとの低温接着性も良好なため、液晶ポリマーの誘電特性に悪影響を及ぼさない。導体回路層を被覆する接着層は、導体回路層の表面を部分的に被覆するものでもよいし、導体回路層の全表面に亘って被覆するものでもよい。また、本実施の形態の回路基板は、接着層で被覆されている導体回路層以外に、任意の導体回路層を有してもよい。
[Circuit board]
The circuit board of this embodiment has a conductor circuit layer on at least one side of an insulating base material layer made of a liquid crystal polymer, and the conductor circuit layer is covered with an adhesive layer. The high frequency characteristics of the circuit board of this embodiment can be ensured by the adhesive layer made of adhesive polyimide and the conductor circuit layer embedded inside, and the adhesive layer also has good low-temperature adhesion with the liquid crystal polymer. Therefore, it does not adversely affect the dielectric properties of the liquid crystal polymer. The adhesive layer covering the conductor circuit layer may partially cover the surface of the conductor circuit layer, or may cover the entire surface of the conductor circuit layer. Furthermore, the circuit board of this embodiment may have any conductive circuit layer other than the conductive circuit layer covered with the adhesive layer.

(絶縁性基材層)
絶縁性基材層は、液晶ポリマーによって構成されている。液晶ポリマーは、市販の液晶ポリマーフィルム又は市販の銅張積層板に絶縁性基材層として用いられている液晶ポリマー等の各種の液晶ポリマーの中から選定して用いることができる。液晶ポリマーフィルムは、クラレ社製のベクスター(商品名)、プライマテック社製のBIAC Film(商品名)などを用いることができる。また、銅張積層板としては、パナソニック社製のR-F705T(商品名)などを用いることができる。
(Insulating base material layer)
The insulating base material layer is made of liquid crystal polymer. The liquid crystal polymer can be selected from various liquid crystal polymers such as those used as insulating base layers in commercially available liquid crystal polymer films or commercially available copper-clad laminates. As the liquid crystal polymer film, Vector (trade name) manufactured by Kuraray Co., Ltd., BIAC Film (trade name) manufactured by Primatec, etc. can be used. Further, as the copper-clad laminate, RF705T (trade name) manufactured by Panasonic Corporation or the like can be used.

絶縁性基材層の厚みは、例えば5~100μmの範囲内にあることが好ましく、10~50μmの範囲内がより好ましい。絶縁性基材層の厚みが上記下限値に満たないと、十分な電気絶縁性が担保出来ないなどの問題が生じることがある。一方、絶縁性基材層の厚みが上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。 The thickness of the insulating base layer is, for example, preferably in the range of 5 to 100 μm, more preferably in the range of 10 to 50 μm. If the thickness of the insulating base material layer is less than the above lower limit, problems such as insufficient electrical insulation may occur. On the other hand, if the thickness of the insulating base material layer exceeds the above upper limit, problems such as decreased dimensional stability will occur.

液晶ポリマーは、回路基板の安定した寸法精度を得る観点から、例えば、1~25ppm/Kの範囲内の熱膨張係数(CTE)を有するものであることが好ましい。 The liquid crystal polymer preferably has a coefficient of thermal expansion (CTE) within the range of 1 to 25 ppm/K, for example, from the viewpoint of obtaining stable dimensional accuracy of the circuit board.

また、液晶ポリマーの熱変形温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは210~330℃の範囲内がよい。この範囲にあれば、後述する製造が容易に実施でき、加熱接着時に液晶ポリマーに悪影響を与えない。 Further, the heat distortion temperature of the liquid crystal polymer is preferably 180°C or higher, more preferably within the range of 210 to 330°C. If it is within this range, the production described below can be carried out easily and the liquid crystal polymer will not be adversely affected during heat bonding.

(導体回路層)
本実施の形態の回路基板における導体回路層は、導電性の材料から構成されるものであれば特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等の金属が好ましい。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。
(conductor circuit layer)
The conductive circuit layer in the circuit board of this embodiment is not particularly limited as long as it is made of a conductive material, but examples include copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, and silver. , gold, tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese and alloys thereof. Among these, copper or copper alloy is particularly preferred.

導体回路層は、任意の手法で形成できる。例えば、銅を主成分とする金属箔を絶縁性基材層に熱圧着して片面又は両面に金属箔を有する絶縁性基材層を形成した後、金属箔上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行い、所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して金属箔のエッチングを行った後、マスクパターンを除去することによって、所定形状の導体回路層を形成することができる。また、絶縁性基材層にインクジェットやメッキによって、所定形状の導体回路層を形成してもよい。 The conductive circuit layer can be formed by any method. For example, a metal foil containing copper as a main component is thermocompression bonded to an insulating base material layer to form an insulating base material layer having metal foil on one or both sides, and then a photosensitive resist is applied on the metal foil. A conductor circuit layer having a predetermined shape can be formed by performing exposure and development to form a predetermined mask pattern, etching the metal foil through the mask pattern, and then removing the mask pattern. Further, a conductor circuit layer having a predetermined shape may be formed on the insulating base material layer by inkjet or plating.

導体回路層の厚みは特に限定されるものではないが、例えば導体回路層の材料として、銅箔を用いる場合、好ましくは35μm以下であり、より好ましくは5~25μmの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から、銅箔の厚みの下限値は5μmとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。 The thickness of the conductor circuit layer is not particularly limited, but for example, when copper foil is used as the material for the conductor circuit layer, it is preferably 35 μm or less, more preferably within the range of 5 to 25 μm. From the viewpoint of production stability and handling properties, the lower limit of the thickness of the copper foil is preferably 5 μm. In addition, when using copper foil, rolled copper foil or electrolytic copper foil may be used. Moreover, as the copper foil, commercially available copper foil can be used.

導体回路層は、高周波伝送における伝送損失の低減と液晶ポリマーとの密着性の観点から、絶縁性基材層と接する面が、粗化処理されており、最大高さ粗さ(Rz)が2.0μm以下であることが好ましい。伝送損失は、導体損失と誘電損失の和からなるが、導体回路層のRzが大きいと導体損失が大きくなる。すなわち伝送損失に悪影響を及ぼすため、Rzを制御する必要がある。 The surface of the conductor circuit layer in contact with the insulating base material layer is roughened, with a maximum height roughness (Rz) of 2, from the viewpoint of reducing transmission loss in high-frequency transmission and adhesion with the liquid crystal polymer. It is preferable that it is .0 μm or less. Transmission loss consists of the sum of conductor loss and dielectric loss, and when the Rz of the conductive circuit layer is large, the conductor loss becomes large. In other words, since it has an adverse effect on transmission loss, it is necessary to control Rz.

なお、絶縁性基材層には、導体回路層以外に層間接続電極(ビア電極)を形成してもよい。層間接続電極は、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層にレーザー加工やドリル加工によりビアホールを形成した後、印刷等により導電性ペーストを充填することにより形成することができる。導電性ペーストは、例えば錫を主成分とする導電性粉末に、有機溶剤やエポキシ樹脂等が混合されたものを用いることができる。また、層間接続電極は、ビアホールを形成した後、ビアホールの内面、及び導体回路層の表面の一部にメッキ部を形成してもよい。 Note that an interlayer connection electrode (via electrode) may be formed in the insulating base material layer in addition to the conductor circuit layer. The interlayer connection electrode can be formed by forming a via hole in an insulating base material layer made of a liquid crystal polymer by laser processing or drilling, and then filling the via hole with a conductive paste by printing or the like. The conductive paste may be, for example, a mixture of a conductive powder containing tin as a main component and an organic solvent, an epoxy resin, or the like. Further, for the interlayer connection electrode, after forming a via hole, a plating portion may be formed on the inner surface of the via hole and a part of the surface of the conductive circuit layer.

(接着層)
接着層は、導体回路層を被覆するものである。また、接着層の上に必要に応じて、保護層としてカバーレイフィルム若しくはソルダーレジストが設けられてもよい。液晶ポリマーで構成される絶縁性基材層の片面又は両面に所定パターンの導体回路層を形成した後、接着層を積層する。
(Adhesive layer)
The adhesive layer covers the conductive circuit layer. Moreover, a coverlay film or a solder resist may be provided as a protective layer on the adhesive layer, if necessary. After forming a conductive circuit layer in a predetermined pattern on one or both sides of an insulating base material layer made of a liquid crystal polymer, an adhesive layer is laminated thereon.

接着層を構成する接着性ポリイミドは、特定の酸無水物とジアミン化合物とを反応させて得られる前駆体のポリアミド酸をイミド化して製造されるので、酸無水物とジアミン化合物を説明することにより、接着性ポリイミドの具体例が理解される。なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを意味し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを意味する。 The adhesive polyimide constituting the adhesive layer is produced by imidizing a precursor polyamic acid obtained by reacting a specific acid anhydride and a diamine compound, so by explaining the acid anhydride and diamine compound, , specific examples of adhesive polyimides are understood. In the present invention, the term "tetracarboxylic acid residue" refers to a tetravalent group derived from tetracarboxylic dianhydride, and the term "diamine residue" refers to a divalent group derived from a diamine compound. means.

(テトラカルボン酸残基)
接着性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「テトラカルボン酸残基(1)」、「テトラカルボン酸残基(2)」と記すことがある)を、合計で90モル部以上含有することが好ましい。本発明では、テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)を、テトラカルボン酸残基の100モル部に対して合計で90モル部以上含有させることによって、接着性ポリイミドに溶剤可溶性を付与するとともに、接着性ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。テトラカルボン酸残基(1)及び/又は(2)の合計が90モル部未満では、接着性ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
(tetracarboxylic acid residue)
The adhesive polyimide contains a tetracarboxylic acid residue derived from a tetracarboxylic anhydride represented by the following general formula (1) and/or (2) based on 100 mole parts of the tetracarboxylic acid residue ( Hereinafter, it is preferable to contain 90 mole parts or more in total of "tetracarboxylic acid residue (1)" and "tetracarboxylic acid residue (2)"). In the present invention, solvent solubility is imparted to the adhesive polyimide by containing the tetracarboxylic acid residues (1) and/or (2) in a total of 90 mol parts or more per 100 mol parts of the tetracarboxylic acid residues. This is preferable because it is easy to provide both flexibility and heat resistance of the adhesive polyimide. If the total amount of tetracarboxylic acid residues (1) and/or (2) is less than 90 parts by mole, the solvent solubility of the adhesive polyimide tends to decrease.

Figure 0007381185000004
Figure 0007381185000004

一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを示す。 In the general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in the general formula (2), the cyclic moiety represented by Y is a 4-membered ring or a 5-membered ring. , indicates the formation of a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a 6-membered ring, a 7-membered ring, or an 8-membered ring.

Figure 0007381185000005
Figure 0007381185000005

上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。 In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, but n is 1 Indicates an integer between ~20.

テトラカルボン酸残基(1)を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4’-オキシジフタル酸無水物(ODPA)、4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、2,2-ビス〔4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物(BPADA)、p-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)(TAHQ)、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート(TMEG)などを挙げることができる。 Examples of the tetracarboxylic dianhydride for inducing the tetracarboxylic acid residue (1) include 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (DSDA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA) , 4,4'-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (6FDA), 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride (BPADA), p-phenylene Examples include bis(trimellitic acid monoester acid anhydride) (TAHQ) and ethylene glycol bisanhydrotrimellitate (TMEG).

また、テトラカルボン酸残基(2)を誘導するためのテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-シクロオクタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。 In addition, examples of the tetracarboxylic dianhydride for inducing the tetracarboxylic acid residue (2) include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4- Cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cycloheptanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6- Examples include cyclooctanetetracarboxylic dianhydride.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式(1)又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。 The adhesive polyimide contains a tetracarboxylic acid residue derived from an acid anhydride other than the tetracarboxylic anhydride represented by the above general formula (1) or (2) to the extent that the effects of the invention are not impaired. be able to.

(ジアミン残基)
接着性ポリイミドは、ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミンから誘導されるダイマー酸型ジアミン残基を40モル部以上、例えば50モル部以上99モル部以下の範囲内、好ましくは60モル部以上、例えば60モル部以上99モル部以下の範囲内で含有する。ダイマー酸型ジアミン残基を上記の量で含有することによって、接着層の誘電特性を改善させるとともに、接着層のガラス転移温度の低温化(低Tg化)による熱圧着特性の改善及び低弾性率化による内部応力を緩和することができる。ジアミン残基の100モル部に対して、ダイマー酸型ジアミン残基が40モル部未満であると、液晶ポリマーとの十分な接着性が得られないことがある。
(diamine residue)
The adhesive polyimide preferably contains dimer acid type diamine residues derived from dimer acid type diamine in an amount of 40 moles or more, for example 50 moles or more and 99 moles or less, per 100 moles of diamine residues. is contained within a range of 60 mole parts or more, for example, 60 mole parts or more and 99 mole parts or less. By containing the dimer acid type diamine residue in the above amount, the dielectric properties of the adhesive layer are improved, and the thermocompression bonding properties are improved and the elastic modulus is lowered by lowering the glass transition temperature (lower Tg) of the adhesive layer. It is possible to alleviate the internal stress caused by oxidation. If the amount of the dimer acid type diamine residue is less than 40 mol parts with respect to 100 mol parts of the diamine residue, sufficient adhesiveness with the liquid crystal polymer may not be obtained.

ここで、ダイマー酸型ジアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基(-COOH)が、1級のアミノメチル基(-CH-NH)又はアミノ基(-NH)に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が11~22の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸(炭素数18)、トリマー酸(炭素数54)、炭素数20~54の他の重合脂肪酸を含有する。本発明では、ダイマー酸は分子蒸留によってダイマー酸含有量を90重量%以上にまで高めたものを使用することが好ましい。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。 Here, a dimer acid type diamine is a diamine in which two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of a dimer acid are substituted with a primary aminomethyl group (-CH 2 --NH 2 ) or an amino group (-NH 2 ). It means a diamine. Dimer acid is a known dibasic acid obtained by intermolecular polymerization reaction of unsaturated fatty acids, and its industrial manufacturing process is almost standardized in the industry. It can be obtained by dimerization using etc. Industrially obtained dimer acids are mainly composed of dibasic acids with 36 carbon atoms obtained by dimerizing unsaturated fatty acids with 18 carbon atoms such as oleic acid and linoleic acid, but depending on the degree of purification, , any amount of monomer acid (18 carbon atoms), trimer acid (54 carbon atoms), and other polymerized fatty acids having 20 to 54 carbon atoms. In the present invention, it is preferable to use a dimer acid whose content of dimer acid has been increased to 90% by weight or more by molecular distillation. Further, although double bonds remain after the dimerization reaction, in the present invention, dimer acids also include those whose degree of unsaturation has been reduced by further hydrogenation reaction.

ダイマー酸型ジアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性をポリイミドに付与することができる。すなわち、ダイマー酸型ジアミンは、分子量約560~620の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、2つの自由に動く炭素数7~9の疎水鎖と、炭素数18に近い長さを持つ2つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化及び低誘電正接化を図ることができると考えられる。 A feature of dimer acid type diamines is that they can impart properties derived from the dimer acid skeleton to polyimide. That is, since the dimer acid type diamine is a large aliphatic molecule with a molecular weight of approximately 560 to 620, it is possible to increase the molar volume of the molecule and relatively reduce the number of polar groups in polyimide. It is thought that such characteristics of the dimer acid type diamine contribute to improving the dielectric properties by reducing the dielectric constant and the dielectric loss tangent while suppressing a decrease in the heat resistance of polyimide. In addition, since it has two freely movable hydrophobic chains with 7 to 9 carbon atoms and two chain-like aliphatic amino groups with a length close to 18 carbon atoms, it not only gives polyimide flexibility, but also Since polyimide can be made to have an asymmetrical chemical structure or a non-planar chemical structure, it is thought that it is possible to lower the dielectric constant and dielectric loss tangent of polyimide.

ダイマー酸型ジアミンは、市販品が入手可能であり、例えばクローダジャパン社製のPRIAMINE1073(商品名)、同PRIAMINE1074(商品名)、同PRIAMINE1075(商品名)、BASFジャパン社製のバーサミン551(商品名)、同バーサミン552(商品名)等が挙げられる。 Dimer acid diamines are commercially available, such as PRIAMINE 1073 (trade name), PRIAMINE 1074 (trade name), PRIAMINE 1075 (trade name) manufactured by Croda Japan, and Versamine 551 (trade name) manufactured by BASF Japan. ), Versamine 552 (trade name), etc.

また、接着性ポリイミドは、下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン成分100モル部に対して、合計で1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有することが好ましく、1モル部以上40モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、溶剤可溶性と熱可塑性を付与することができる。また、例えば接着層にレーザー加工によりビアホール(貫通孔)を形成する場合でも、ポリイミド分子構造中の芳香環の割合が高くなることで、例えば紫外線領域の吸収性を高めることができる他、接着層のガラス転移温度を高めることができ、これによってレーザー光の入熱によるボトム金属の温度上昇に対する耐熱性を向上させることができるため、レーザー加工性をより向上させることができる。一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物の合計量が全ジアミン成分の100モル部に対して50モル部を超えると、接着性ポリイミドの柔軟性が不足し、またTgが上昇するため、熱圧着による残留応力が増加しエッチング後寸法変化率が悪化する傾向になる。 In addition, the adhesive polyimide contains a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7), based on 100 mole parts of the total diamine component. The total content is preferably within the range of 1 mole part or more and 50 mole parts or less, and more preferably within the range of 1 mole part or more and 40 mole parts or less. Since the diamine compounds represented by the general formulas (B1) to (B7) have a flexible molecular structure, by using at least one diamine compound selected from these in an amount within the above range, polyimide molecules can be formed. It can improve chain flexibility and impart solvent solubility and thermoplasticity. Furthermore, even when forming via holes (through holes) in the adhesive layer by laser processing, for example, by increasing the proportion of aromatic rings in the polyimide molecular structure, it is possible to increase the absorption of ultraviolet rays, for example. The glass transition temperature of the bottom metal can be increased, thereby improving the heat resistance to the temperature rise of the bottom metal due to the heat input of laser light, thereby further improving laser processability. If the total amount of diamine compounds represented by general formulas (B1) to (B7) exceeds 50 mole parts based on 100 mole parts of all diamine components, the adhesive polyimide will lack flexibility and the Tg will increase. Therefore, residual stress due to thermocompression bonding increases, and the dimensional change rate after etching tends to worsen.

Figure 0007381185000006
Figure 0007381185000006

式(B1)~(B7)において、Rは独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CH-、-C(CH-、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。
なお、「独立に」とは、上記式(B1)~(B7)の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基A、複数のR若しくは複数のnが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、式(B1)~(B7)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば-NR(ここで、R,Rは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。
In formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO- , -SO-, -SO 2 -, -COO-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -NH- or -CONH-, and n 1 is independently Indicates an integer from 0 to 4. However, from equation (B3), those that overlap with equation (B2) are excluded, and from equation (B5), those that overlap with equation (B4) are excluded.
Note that "independently" means that in one or more of the above formulas (B1) to (B7), a plurality of linking groups A, a plurality of R 1 or a plurality of n 1 are the same. It means that it is okay and can be different. Furthermore, in formulas (B1) to (B7), the hydrogen atoms in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (here, R 2 and R 3 are independently alkyl (means any substituent such as a group).

式(B1)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B1)」と記すことがある)は、2つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B1)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B1)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-、-CH-、-C(CH-、-CO-、-SO-、-S-、-COO-が好ましい。 The diamine represented by formula (B1) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B1)") is an aromatic diamine having two benzene rings. This diamine (B1) has an amino group directly connected to at least one benzene ring and a divalent linking group A in the meta position, which increases the degree of freedom of the polyimide molecular chain and has high flexibility. It is thought that this contributes to improving the flexibility of polyimide molecular chains. Therefore, the use of diamine (B1) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, -S-, and -COO- are preferable.

ジアミン(B1)としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B1) include 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, and 3,3-diaminodiphenyl ether. , 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino ) diphenylamine, etc.

式(B2)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B2)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B2)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B2)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B2) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B2)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B2) has an amino group directly connected to at least one benzene ring and a divalent linking group A in the meta position, which increases the degree of freedom of the polyimide molecular chain and has high flexibility. It is thought that this contributes to improving the flexibility of polyimide molecular chains. Therefore, the use of diamine (B2) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-.

ジアミン(B2)としては、例えば1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B2) include 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 3-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy] Examples include benzeneamine and the like.

式(B3)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B3)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B3)は、1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B3)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B3) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B3)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B3) has two divalent linking groups A that are directly connected to one benzene ring and are located in the meta position of each other, which increases the degree of freedom of the polyimide molecular chain and has high flexibility. It is thought that this contributes to improving the flexibility of polyimide molecular chains. Therefore, the use of diamine (B3) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-.

ジアミン(B3)としては、例えば1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B3) include 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (APB), 4,4'-[2- Methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[4-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[5-methyl-(1,3-phenylene) )bisoxy]bisaniline and the like.

式(B4)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B4)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B4)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B4)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-、-CH-、-C(CH-、-SO-、-CO-、-CONH-が好ましい。 The diamine represented by formula (B4) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B4)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B4) has high flexibility because the amino group directly connected to at least one benzene ring and the divalent linking group A are in the meta position, and it can improve the flexibility of the polyimide molecular chain. It is thought that this contributes. Therefore, the use of diamine (B4) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -SO 2 -, -CO-, and -CONH- are preferable.

ジアミン(B4)としては、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド等を挙げることができる。 Diamines (B4) include bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis Examples include [4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)]benzophenone, and bis[4,4'-(3-aminophenoxy)]benzanilide.

式(B5)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B5)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B5)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B5)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B5) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B5)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B5) has two divalent linking groups A that are directly connected to at least one benzene ring and are located in meta positions, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain increases and it has high flexibility. It is thought that this contributes to improving the flexibility of polyimide molecular chains. Therefore, the use of diamine (B5) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-.

ジアミン(B5)としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B5) include 4-[3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline, 4,4'-[oxybis(3,1-phenyleneoxy)]bisaniline, etc. .

式(B6)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B6)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B6)は、少なくとも2つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B6)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-C(CH-、-O-、-SO-、-CO-が好ましい。 The diamine represented by formula (B6) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B6)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B6) has high flexibility because it has at least two ether bonds, and is thought to contribute to improving the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B6) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, as the linking group A, -C(CH 3 ) 2 -, -O-, -SO 2 -, and -CO- are preferable.

ジアミン(B6)としては、例えば、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B6) include 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane (BAPP), bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether (BAPE), and bis[4-aminophenoxy)phenyl]ether (BAPE). Examples include -(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone (BAPS), bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK), and the like.

式(B7)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B7)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B7)は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い2価の連結基Aを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B7)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、-O-が好ましい。 The diamine represented by formula (B7) (hereinafter sometimes referred to as "diamine (B7)") is an aromatic diamine having four benzene rings. Since this diamine (B7) has divalent linking groups A with high flexibility on both sides of the diphenyl skeleton, it is thought that it contributes to improving the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B7) increases the thermoplasticity of polyimide. Here, the linking group A is preferably -O-.

ジアミン(B7)としては、例えば、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B7) include bis[4-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)]biphenyl, and the like.

接着性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン(B1)~(B7)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。上記ダイマー酸型ジアミン及びジアミン(B1)~(B7)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基としては、熱可塑性ポリイミドに使用されるジアミン化合物として一般に使用されるものを制限なく用いることができる。 The adhesive polyimide may contain a diamine residue derived from a diamine compound other than the dimer acid type diamine and diamines (B1) to (B7) as long as the effects of the invention are not impaired. As the diamine residue derived from a diamine compound other than the dimer acid type diamine and diamines (B1) to (B7) mentioned above, those commonly used as diamine compounds used in thermoplastic polyimides can be used without limitation. .

また、接着性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In addition, in the adhesive polyimide, by selecting the types of the above-mentioned tetracarboxylic acid residues and diamine residues, and the molar ratio of two or more types of tetracarboxylic acid residues or diamine residues, it is possible to Expansion coefficient, tensile modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. Furthermore, when polyimide has a plurality of polyimide structural units, they may exist as blocks or randomly, but it is preferable that they exist randomly.

接着性ポリイミドのイミド基濃度は、20重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(-(CO)-N-)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が20重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化し、弾性率が上昇する。 The imide group concentration of the adhesive polyimide is preferably 20% by weight or less. Here, "imide group concentration" means the value obtained by dividing the molecular weight of the imide group (-(CO) 2 -N-) in polyimide by the molecular weight of the entire polyimide structure. When the imide group concentration exceeds 20% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases, and the low hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups, and the elastic modulus increases.

接着性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000~400,000の範囲内が好ましく、20,000~350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、ポリイミド層の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に接着層の厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the adhesive polyimide is, for example, preferably within the range of 10,000 to 400,000, more preferably within the range of 20,000 to 350,000. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the polyimide layer decreases and tends to become brittle. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity increases excessively and defects such as uneven thickness and streaks of the adhesive layer tend to occur during coating operations.

接着性ポリイミドは、導体回路層を被覆するものであることから、銅の拡散を抑制するために完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、1回反射ATR法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1015cm-1付近のベンゼン環吸収体を基準とし、1780cm-1のイミド基に由来するC=O伸縮の吸光度から算出することができる。 Since the adhesive polyimide is used to cover the conductor circuit layer, it is most preferable to have a completely imidized structure in order to suppress copper diffusion. However, a part of the polyimide may be an amic acid. The imidization rate was determined to be around 1015 cm -1 by measuring the infrared absorption spectrum of the polyimide thin film by the single reflection ATR method using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercial product: JASCO Corporation FT/IR620). It can be calculated from the absorbance of C=O stretching derived from the imide group at 1780 cm -1 using the benzene ring absorber as a reference.

(架橋形成)
接着性ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物のアミノ基を反応させてC=N結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、接着性ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有するポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を、ジアミン化合物としては、例えば、4,4’―ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BABP)、1,3-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン(BABB)等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
(Crosslink formation)
When the adhesive polyimide has a ketone group, crosslinking is achieved by reacting the ketone group with the amino group of an amino compound having at least two primary amino groups as functional groups to form a C=N bond. structure can be formed. By forming a crosslinked structure, the heat resistance of the adhesive polyimide can be improved. Preferred tetracarboxylic anhydrides for forming a polyimide having a ketone group include, for example, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA), and examples of diamine compounds include, for example, 4 , 4'-bis(3-aminophenoxy)benzophenone (BABP), and 1,3-bis[4-(3-aminophenoxy)benzoyl]benzene (BABB).

接着性ポリイミドの架橋形成に使用可能な上記アミノ化合物としては、ジヒドラジド化合物、芳香族ジアミン、脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすく、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。このように、ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6-ナフトエ二酸ジヒドラジド、4,4-ビスベンゼンジヒドラジド、1,4-ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6-ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、2種類以上混合して用いることもできる。 Examples of the above-mentioned amino compounds that can be used for crosslinking adhesive polyimide include dihydrazide compounds, aromatic diamines, aliphatic amines, and the like. Among these, dihydrazide compounds are preferred. Aliphatic amines other than dihydrazide compounds tend to form crosslinked structures even at room temperature, and there is a concern about the storage stability of the varnish. On the other hand, aromatic diamines require high temperatures to form crosslinked structures. In this way, when a dihydrazide compound is used, both the storage stability of the varnish and the shortening of the curing time can be achieved. Examples of dihydrazide compounds include oxalic acid dihydrazide, malonic acid dihydrazide, succinic acid dihydrazide, glutaric acid dihydrazide, adipic acid dihydrazide, pimelic acid dihydrazide, suberic acid dihydrazide, azelaic acid dihydrazide, sebacic acid dihydrazide, dodecanedioic acid dihydrazide, and maleic acid. Dihydrazide, fumaric acid dihydrazide, diglycolic acid dihydrazide, tartaric acid dihydrazide, malic acid dihydrazide, phthalic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthoedioic acid dihydrazide, 4,4-bisbenzene dihydrazide, 1,4 - Dihydrazide compounds such as naphthoic acid dihydrazide, 2,6-pyridinedioic acid dihydrazide, and itaconic acid dihydrazide are preferred. The above dihydrazide compounds may be used alone or in combination of two or more.

(接着層の製造)
接着性ポリイミドは、上記のテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0~100℃の範囲内の温度で30分~24時間撹拌し重合反応させることで接着性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5~50重量%の範囲内、好ましくは10~40重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、2-ブタノン、ジメチルスホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N-メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5~50重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
(Manufacture of adhesive layer)
The adhesive polyimide can be produced by reacting the above-mentioned tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in a solvent to produce a polyamic acid, and then ring-closing the polyamic acid by heating. For example, adhesive polyimide can be produced by dissolving approximately equimolar amounts of tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in an organic solvent, stirring at a temperature within the range of 0 to 100°C for 30 minutes to 24 hours, and causing a polymerization reaction. A polyamic acid precursor is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the amount of the precursor to be produced is within the range of 5 to 50% by weight, preferably within the range of 10 to 40% by weight. Examples of organic solvents used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can also be used in combination. Further, the amount of such an organic solvent to be used is not particularly limited, but it should be adjusted to an amount such that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 50% by weight. is preferred.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500cps~100,000cpsの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。 It is usually advantageous to use the synthesized polyamic acid as a reaction solvent solution, but it can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent if necessary. In addition, polyamic acids generally have excellent solvent solubility, so they are advantageously used. Preferably, the viscosity of the polyamic acid solution is within the range of 500 cps to 100,000 cps. Outside this range, defects such as uneven thickness and streaks are likely to occur in the film during coating operations using a coater or the like.

ポリアミド酸をイミド化させてポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80~400℃の範囲内の温度条件で1~24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。 The method of imidizing polyamic acid to form polyimide is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the above solvent at a temperature in the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is preferably employed. be done.

以上のようにして得られた接着性ポリイミドを架橋形成させる場合は、ケトン基を有するポリイミドを含む樹脂溶液に、上記アミノ化合物を加えて、接着性ポリイミド中のケトン基とアミノ化合物の第1級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、アミノ化合物の添加量は、ケトン基1モルに対し、第1級アミノ基が合計で0.004モル~1.5モルがよく、好ましくは0.005モル~1.2モル、より好ましくは0.03モル~0.9モル、最も好ましくは0.04モル~0.5モルとなるようにアミノ化合物を添加することができる。ケトン基1モルに対して第1級アミノ基が合計で0.004モル未満となるようなアミノ化合物の添加量では、アミノ化合物によるポリイミド鎖の架橋が十分ではないため、硬化させた後の接着層において耐熱性が発現しにくい傾向となり、アミノ化合物の添加量が1.5モルを超えると未反応のアミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着層の耐熱性を低下させる傾向がある。 When crosslinking the adhesive polyimide obtained as described above, the above amino compound is added to a resin solution containing a polyimide having a ketone group, and the ketone group in the adhesive polyimide and the amino compound are combined to form a primary compound. A condensation reaction is performed with an amino group. This condensation reaction causes the resin solution to harden into a cured product. In this case, the amount of the amino compound added is preferably 0.004 mol to 1.5 mol, preferably 0.005 mol to 1.2 mol, more preferably 0.005 mol to 1.2 mol, of primary amino groups per 1 mol of ketone group. The amino compound can be added preferably in an amount of 0.03 mol to 0.9 mol, most preferably 0.04 mol to 0.5 mol. If the amount of amino compound added is such that the total amount of primary amino groups is less than 0.004 mol per mol of ketone group, crosslinking of the polyimide chains by the amino compound will not be sufficient, resulting in poor adhesion after curing. Heat resistance tends to be difficult to develop in the layer, and if the amount of the amino compound added exceeds 1.5 mol, the unreacted amino compound acts as a thermoplastic agent, which tends to reduce the heat resistance of the adhesive layer.

架橋形成のための縮合反応の条件は、接着性ポリイミドにおけるケトン基とアミノ化合物の第1級アミノ基が反応してイミン結合(C=N結合)を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又は接着性ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば120~220℃の範囲内が好ましく、140~200℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、30分~24時間程度が好ましく、反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1670cm-1付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び1635cm-1付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。 Conditions for the condensation reaction for forming crosslinks are not particularly limited as long as the ketone group in the adhesive polyimide reacts with the primary amino group of the amino compound to form an imine bond (C=N bond). The temperature of the heating condensation is set to 120° C., for example, in order to release water generated by condensation to the outside of the system, or to simplify the condensation process when performing a heating condensation reaction after synthesizing the adhesive polyimide. The temperature range is preferably from 140 to 200°C, more preferably from 140 to 200°C. The reaction time is preferably about 30 minutes to 24 hours, and the end point of the reaction can be determined, for example, by measuring the infrared absorption spectrum using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercial product: JASCO Corporation FT/IR620). This can be confirmed by the decrease or disappearance of the absorption peak derived from the ketone group in the polyimide resin around −1 and the appearance of the absorption peak derived from the imine group around 1635 cm −1 .

接着性ポリイミドのケトン基とアミノ化合物の第1級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、(a)接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、アミノ化合物を添加して加熱する方法、(b)ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、接着性ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物とともに接着性ポリイミドを加熱する方法、又は、(c)アミノ化合物を添加した接着性ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後(例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後)に加熱する方法、等によって行うことができる。 Thermal condensation of the ketone group of the adhesive polyimide and the primary amino group of the amino compound can be carried out by, for example, (a) a method in which an amino compound is added and heated subsequent to the synthesis (imidization) of the adhesive polyimide; b) A method in which an excess amount of an amino compound is charged in advance as a diamine component, and subsequent to the synthesis (imidization) of the adhesive polyimide, the adhesive polyimide is heated together with the remaining amino compound that does not participate in imidization or amidation, or (c) A method of heating an adhesive polyimide composition to which an amino compound has been added after processing it into a predetermined shape (for example, after applying it to an arbitrary base material or forming it into a film shape), etc. Can be done.

接着性ポリイミドの耐熱性付与のため、架橋構造の形成でイミン結合の形成を説明したが、これに限定されるものではなく、ポリイミドの硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤等を配合し硬化することも可能である。 In order to impart heat resistance to adhesive polyimide, we have explained the formation of imine bonds by forming a crosslinked structure, but the method is not limited to this, and as a method of curing polyimide, for example, epoxy resin, epoxy resin curing agent, etc. may be blended. It is also possible to cure it.

(接着層の厚み)
接着層の厚みは、例えば5~125μmの範囲内にあることが好ましく、10~50μmの範囲内がより好ましい。接着層の厚みが上記下限値に満たないと、十分な電気絶縁性が担保出来ないなどの問題が生じることがある。一方、接着層の厚みが上記上限値を超えると、寸法安定性が低下するなどの不具合が生じる。
(thickness of adhesive layer)
The thickness of the adhesive layer is, for example, preferably in the range of 5 to 125 μm, more preferably in the range of 10 to 50 μm. If the thickness of the adhesive layer is less than the above lower limit, problems such as insufficient electrical insulation may occur. On the other hand, if the thickness of the adhesive layer exceeds the above upper limit, problems such as decreased dimensional stability will occur.

(接着層のCTE)
接着性ポリイミドは、高熱膨張性であり、CTEが、好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上200ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上150ppm/K以下の範囲内である。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有する接着層とすることができる。
接着性ポリイミドは、高熱膨張であるが低弾性であるため、CTEが30ppm/Kを超えても、積層時に発生する内部応力を緩和することができる。本発明者らは、接着性ポリイミドの特徴として、40~250℃の範囲に、温度上昇に伴って貯蔵弾性率が急勾配で減少する温度域が存在することを見出した。このような特性が、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持する要因であると考えられる。
(CTE of adhesive layer)
The adhesive polyimide has high thermal expansion, and has a CTE of preferably 35 ppm/K or more, more preferably 35 ppm/K or more and 200 ppm/K or less, and even more preferably 35 ppm/K or more and 150 ppm/K or less. It is. An adhesive layer having a desired CTE can be obtained by appropriately changing the combination of raw materials used, the thickness, and drying/curing conditions.
Adhesive polyimide has high thermal expansion but low elasticity, so even if the CTE exceeds 30 ppm/K, it can alleviate internal stress generated during lamination. The present inventors have discovered that, as a characteristic of adhesive polyimide, there exists a temperature range in the range of 40 to 250° C. in which the storage elastic modulus decreases at a steep gradient as the temperature rises. Such characteristics are thought to be a factor in alleviating internal stress during thermocompression bonding and maintaining dimensional stability after circuit processing.

(接着層の誘電正接)
接着層は、誘電損失の悪化を抑制するために、10GHzにおける誘電正接(Tanδ)が、好ましくは0.004以下、より好ましくは0.0005以上0.004以下の範囲内、更に好ましくは0.001以上0.0035以下の範囲内がよい。接着層の10GHzにおける誘電正接が0.004を超えると、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、接着層の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されない。
(Dielectric loss tangent of adhesive layer)
In order to suppress deterioration of dielectric loss, the adhesive layer has a dielectric loss tangent (Tan δ) at 10 GHz of preferably 0.004 or less, more preferably 0.0005 or more and 0.004 or less, and even more preferably 0.004 or less. It is preferably within the range of 001 or more and 0.0035 or less. If the dielectric loss tangent of the adhesive layer at 10 GHz exceeds 0.004, problems such as electrical signal loss are likely to occur on the high frequency signal transmission path. On the other hand, the lower limit of the dielectric loss tangent of the adhesive layer at 10 GHz is not particularly limited.

(接着層の誘電率)
接着層は、インピーダンス整合性を確保するために、10GHzにおける誘電率が4.0以下であることが好ましい。接着層の10GHzにおける誘電率が4.0を超えると、接着層の誘電損失の悪化に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
(Permittivity of adhesive layer)
The adhesive layer preferably has a dielectric constant of 4.0 or less at 10 GHz in order to ensure impedance matching. If the dielectric constant of the adhesive layer exceeds 4.0 at 10 GHz, the dielectric loss of the adhesive layer will deteriorate, and problems such as electrical signal loss will likely occur on the high-frequency signal transmission path.

(フィラー)
接着層は、必要に応じて、フィラーを含有してもよい。フィラーとしては、例えば、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、有機ホスフィン酸の金属塩等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。
(filler)
The adhesive layer may contain a filler, if necessary. Examples of fillers include silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, calcium fluoride, and metal salts of organic phosphinic acids. These can be used alone or in combination of two or more.

接着性ポリイミドは、溶剤可溶性であるので、接着層を積層する場合は、ポリイミドの塗布液を塗布、乾燥して積層してもよく、また、フィルム状のポリイミド(以下「接着フィルム」という。)として積層してもよい。 Adhesive polyimide is solvent-soluble, so when laminating an adhesive layer, a polyimide coating solution may be applied and dried to laminate, or polyimide in the form of a film (hereinafter referred to as "adhesive film") may be used. It may be laminated as

接着フィルムは、上述の接着層を形成するポリイミドをフィルム状に形成してなるものである。フィルム状のポリイミドは、銅箔、ガラス板、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルムなどの任意の基材に積層された状態であってもよい。 The adhesive film is formed by forming the above-mentioned polyimide, which forms the adhesive layer, into a film shape. The film-like polyimide may be in a state where it is laminated on any base material such as a copper foil, a glass plate, a polyimide film, a polyamide film, or a polyester film.

接着フィルムの製造方法の態様として、例えば、[1]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥し、熱処理してイミド化した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、[2]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、熱処理してイミド化して接着フィルムを製造する方法、[3]支持基材に、接着性ポリイミドの溶液を塗布・乾燥した後、支持基材から剥がして接着フィルムを製造する方法、を挙げることができる。なお、接着フィルムを構成する接着性ポリイミドについて、上記方法で架橋形成をさせてもよい。 Examples of the method for producing an adhesive film include: [1] A method of producing an adhesive film by applying a solution of polyamic acid to a supporting base material, drying it, heat-treating it to imidize it, and then peeling it off from the supporting base material; [2] A method of manufacturing an adhesive film by coating and drying a polyamic acid solution on a supporting base material, peeling off the polyamic acid gel film from the supporting base material, and heat-treating it to imidize it, [3] Supporting base material Another example is a method in which an adhesive polyimide solution is applied, dried, and then peeled off from a supporting substrate to produce an adhesive film. Note that the adhesive polyimide constituting the adhesive film may be crosslinked by the above method.

接着性ポリイミド溶液(又はポリアミド酸溶液)を支持基材上に塗布する方法としては特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。製造される接着フィルムは、ポリアミド酸溶液中でイミド化を完結させた接着性ポリイミド溶液を支持基材上に塗布・乾燥することによって形成することが好ましい。接着性ポリイミドは溶剤可溶性であるので、ポリアミド酸を溶液の状態でイミド化し、接着性ポリイミドの塗布液としてそのまま使用できるので有利である。 The method for applying the adhesive polyimide solution (or polyamic acid solution) onto the support substrate is not particularly limited, and can be applied using a comma, die, knife, lip, or other coater. The adhesive film to be manufactured is preferably formed by applying an adhesive polyimide solution that has been imidized in a polyamic acid solution onto a supporting substrate and drying it. Since adhesive polyimide is solvent-soluble, it is advantageous that polyamic acid can be imidized in a solution state and used as is as a coating solution for adhesive polyimide.

なお、接着フィルムは、任意の基材上に溶液の状態(例えば、溶剤を含有するワニス状)で塗布し、例えば80~180℃の温度で乾燥した後、剥離することにより得られる。また、任意の基材をカバーレイフィルム又はソルダーレジストとし、接着層の保護層とすることもできる。 Note that the adhesive film can be obtained by applying a solution (for example, a varnish containing a solvent) onto any base material, drying it at a temperature of, for example, 80 to 180° C., and then peeling it off. Moreover, an arbitrary base material can be made into a coverlay film or a solder resist, and it can also be used as a protective layer of an adhesive layer.

この接着フィルムを、上記導体回路層が形成された絶縁性基材層と例えば60℃以上220℃以下の温度で熱圧着させることによって、本実施の形態の回路基板が得られる。絶縁性基材層との熱圧着を施す場合、好ましくは60℃以上180℃未満、より好ましくは80℃以上175℃以下の温度がよい。熱圧着の温度が220℃を超えると、絶縁性基材層とポリイミド層とのピール強度が低下する傾向になる。これは、接着層と接する面における液晶ポリマーの熱による変質に起因するものと考えられる。 The circuit board of this embodiment is obtained by thermocompression bonding this adhesive film to the insulating base material layer on which the conductor circuit layer is formed, at a temperature of, for example, 60° C. or higher and 220° C. or lower. When thermocompression bonding with the insulating base material layer is performed, the temperature is preferably 60°C or higher and lower than 180°C, more preferably 80°C or higher and 175°C or lower. When the thermocompression bonding temperature exceeds 220° C., the peel strength between the insulating base layer and the polyimide layer tends to decrease. This is considered to be due to heat-induced deterioration of the liquid crystal polymer on the surface in contact with the adhesive layer.

[多層回路基板]
本実施の形態の多層回路基板は、上記実施の形態に係る複数の回路基板を積層して形成される。また、本実施の形態の多層回路基板は、任意に多層回路基板の表面に露出する導体部を有してもよい。本明細書において、「導体回路層」とは、液晶ポリマーからなる絶縁性基材層の面方向に形成された面内接続電極(ランド電極)を意味し、導体回路層に接する層間接続電極(ビア電極)と区別している。
[Multilayer circuit board]
The multilayer circuit board of this embodiment is formed by laminating a plurality of circuit boards according to the above embodiments. Further, the multilayer circuit board of this embodiment may optionally have a conductor portion exposed on the surface of the multilayer circuit board. As used herein, the term "conductor circuit layer" refers to an in-plane connection electrode (land electrode) formed in the surface direction of an insulating base material layer made of a liquid crystal polymer, and an interlayer connection electrode (land electrode) in contact with the conductor circuit layer. (via electrode).

本実施の形態の多層回路基板の高周波特性は、接着層と内部に埋め込まれる導体回路層により確保することができる。従って、本実施の形態の多層回路基板を、高周波特性が損なわれることなく、部品実装される導体回路層の接着強度が高く、導体回路層の埋め込み性が高い多層回路基板とすることができる。また、本実施の形態の多層回路基板の表面に露出する導体部を設ける場合であっても、耐熱性と十分な接着強度が確保され、部品実装時の半田付けに際して表面に露出する導体部に熱や応力が印加されても、層間剥離が生じにくい。 The high frequency characteristics of the multilayer circuit board of this embodiment can be ensured by the adhesive layer and the conductor circuit layer embedded inside. Therefore, the multilayer circuit board of this embodiment can be made into a multilayer circuit board with high adhesive strength of the conductor circuit layer on which components are mounted and high embeddability of the conductor circuit layer without impairing high frequency characteristics. Furthermore, even when the conductor portions exposed on the surface of the multilayer circuit board of this embodiment are provided, heat resistance and sufficient adhesive strength are ensured, and the conductor portions exposed on the surface during soldering during component mounting are secured. Delamination is less likely to occur even when heat or stress is applied.

本実施の形態の多層回路基板において、絶縁性基材層の少なくとも片面に導体回路層が形成された回路基板を2枚準備し、この2枚の回路基板を積層して多層回路基板とする例を挙げて説明する。なお、本実施の形態は、2枚の回路基板を積層する場合を例に挙げるが、3枚以上の回路基板を積層した多層回路基板にも適用できる。 In the multilayer circuit board of this embodiment, an example in which two circuit boards each having a conductor circuit layer formed on at least one side of an insulating base material layer are prepared, and these two circuit boards are laminated to form a multilayer circuit board. I will list and explain. Note that although this embodiment takes as an example a case in which two circuit boards are stacked, it can also be applied to a multilayer circuit board in which three or more circuit boards are stacked.

図1は、本実施の形態に係る多層回路基板の製造工程図である。まず、導体回路層が形成された回路基板(「第1の回路基板」と記す)が2枚準備される。ここでは、図1(a)に示すように、液晶ポリマーからなる絶縁樹脂層(以下「絶縁性基材層」という。)10の片面に導体回路層20が形成されている第1の回路基板1Aを使用する場合を例示するが、絶縁性基材層10の両面にそれぞれ導体回路層20が形成されているものでもよい。 FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer circuit board according to this embodiment. First, two circuit boards (referred to as "first circuit boards") on which conductive circuit layers are formed are prepared. Here, as shown in FIG. 1(a), a first circuit board has a conductor circuit layer 20 formed on one side of an insulating resin layer (hereinafter referred to as "insulating base material layer") 10 made of a liquid crystal polymer. Although 1A is used as an example, conductor circuit layers 20 may be formed on both sides of the insulating base layer 10.

(接着層形成工程)
次に、図1(b),(c)に示すように、第1の回路基板1Aにおける導体回路層20を覆うように接着層30を積層形成して第2の回路基板2Aを形成する接着層形成工程が行われる。なお、第1の回路基板1Aが、絶縁性基材層10の両面にそれぞれ導体回路層20が形成されている両面回路基板である場合は、両面にそれぞれ接着層30を積層してもよい。
(Adhesive layer formation process)
Next, as shown in FIGS. 1(b) and 1(c), an adhesive layer 30 is laminated to cover the conductor circuit layer 20 on the first circuit board 1A to form a second circuit board 2A. A layer forming step is performed. In addition, when the first circuit board 1A is a double-sided circuit board in which conductive circuit layers 20 are formed on both sides of the insulating base material layer 10, adhesive layers 30 may be laminated on both sides.

接着層形成工程は、上記第1の回路基板1Aの片面又は両面における絶縁性基材層10の露出面と導体回路層20の表面に接着層30を積層することにより行われる。例えば、接着層形成工程は、90~100℃の低温で、上記導体回路層20の表面及び上記絶縁性基材層10の露出面を覆うように、上記接着フィルムを片面又は両面に貼り合わせることにより行うことができる。 The adhesive layer forming step is performed by laminating the adhesive layer 30 on the exposed surface of the insulating base material layer 10 and the surface of the conductor circuit layer 20 on one or both surfaces of the first circuit board 1A. For example, the adhesive layer forming step includes laminating the adhesive film on one or both sides at a low temperature of 90 to 100° C. so as to cover the surface of the conductor circuit layer 20 and the exposed surface of the insulating base layer 10. This can be done by

上記接着層形成工程では、形成される第2の回路基板2Aにおける接着層30の表面を平坦状に形成することが好ましい。接着層30の表面を平坦状に形成することにより、後述する積層工程における接着性が向上する。また、形成された接着層30の厚みを均一に形成することが好ましい。 In the adhesive layer forming step, the surface of the adhesive layer 30 in the second circuit board 2A to be formed is preferably formed into a flat surface. By forming the surface of the adhesive layer 30 in a flat shape, adhesiveness in the lamination process described later is improved. Further, it is preferable that the adhesive layer 30 formed has a uniform thickness.

(積層工程)
次に、図1(d),(e)に示すように、上記接着層30を片面又は両面に設けた複数の第2の回路基板2Aどうし、又は第2の回路基板2Aと他の回路基板(上記第1の回路基板1Aでもよい)を積層して多層回路基板100を得る積層工程が行われる。図1(d),(e)では、第2の回路基板2Aにおける接着層30どうしを対接するように積層する態様を示しているが、第2の回路基板2Aの接着層面と、他の第2の回路基板2Aの絶縁性基材層10側の面が対接するように積層してもよい。なお、本実施の形態では、2枚の回路基板を積層する例を示したが、3枚以上の回路基板を一度に積層する積層工程を行うこともできる。
(Lamination process)
Next, as shown in FIGS. 1(d) and (e), a plurality of second circuit boards 2A provided with the adhesive layer 30 on one or both surfaces, or a second circuit board 2A and another circuit board A lamination step is performed to obtain the multilayer circuit board 100 by laminating the circuit boards (which may be the first circuit board 1A described above). 1(d) and (e) show a mode in which the adhesive layers 30 of the second circuit board 2A are laminated so as to face each other, but the adhesive layer surface of the second circuit board 2A and the other The two circuit boards 2A may be stacked such that the surfaces on the insulating base material layer 10 side are in contact with each other. Note that although this embodiment shows an example in which two circuit boards are stacked, a stacking process in which three or more circuit boards are stacked at once can also be performed.

上記接着層形成工程において、接着層30の表面が平坦化されているため、積層工程で接着層30に気泡等を生じることなく、積層することが可能となる。 In the adhesive layer forming step, since the surface of the adhesive layer 30 is flattened, it is possible to laminate the adhesive layer 30 without creating bubbles or the like in the laminating step.

(厚み調整工程)
必要に応じて、上記積層工程で得られた多層回路基板100を、図1(e),(f)に示すように、両側から加圧ローラやプレス装置等によって加圧することにより、上記接着層30の厚みを調整する厚み調整工程を行うこともできる。厚み調整工程により、厚みの精度を向上させることができる。
(Thickness adjustment process)
If necessary, as shown in FIGS. 1(e) and 1(f), the multilayer circuit board 100 obtained in the above laminating process is pressed from both sides with a pressure roller, a press device, etc. to form the adhesive layer. It is also possible to perform a thickness adjustment step of adjusting the thickness of the 30. The thickness adjustment process can improve the accuracy of the thickness.

(加熱工程)
厚み調整工程において、接着層30の厚みを調整した後、好ましくは40~250℃、より好ましくは120℃以上180℃未満の温度で加熱する加熱工程を行う。加熱工程では、液晶ポリマーの熱劣化を抑制しピール強度の低下を抑制する観点から、130~170℃の温度で加熱することが特に好ましい。これにより、図1(g)に示すように、複数の回路基板が一体的に積層された多層回路基板101が製造される。この際、接着層30は、例えば接着性ポリイミドの加熱縮合によるイミン結合の架橋構造を形成させることもできる。
(Heating process)
In the thickness adjustment step, after adjusting the thickness of the adhesive layer 30, a heating step is performed, preferably at a temperature of 40 to 250°C, more preferably 120°C or more and less than 180°C. In the heating step, it is particularly preferable to heat at a temperature of 130 to 170° C. from the viewpoint of suppressing thermal deterioration of the liquid crystal polymer and suppressing a decrease in peel strength. Thereby, as shown in FIG. 1(g), a multilayer circuit board 101 in which a plurality of circuit boards are integrally laminated is manufactured. At this time, the adhesive layer 30 can also be formed by, for example, forming a crosslinked structure of imine bonds by thermal condensation of adhesive polyimide.

本実施の形態の多層回路基板101は、導体回路層20及び絶縁性基材層10の間に、絶縁性、柔軟性及び低誘電特性を確保できる厚みの接着層30を設けた構成を備えている。なお、必要に応じて接着層30の対接する面の間に、保護層としてカバーレイフィルム若しくはソルダーレジストを設けてもよい。また、本実施の形態の多層回路基板101の内部には、例えばICチップやチップコンデンサ、チップコイル、チップ抵抗等のチップ型の電子部品を内蔵することもできる。なお、図1では、これらの電子部品や、ビア電極などは図示を省略している。 The multilayer circuit board 101 of this embodiment has a structure in which an adhesive layer 30 having a thickness that ensures insulation, flexibility, and low dielectric properties is provided between the conductive circuit layer 20 and the insulating base material layer 10. There is. Note that, if necessary, a coverlay film or a solder resist may be provided as a protective layer between the opposing surfaces of the adhesive layer 30. Additionally, chip-type electronic components such as an IC chip, a chip capacitor, a chip coil, and a chip resistor can also be incorporated inside the multilayer circuit board 101 of this embodiment. Note that, in FIG. 1, illustration of these electronic components, via electrodes, etc. is omitted.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way. In addition, in the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から300℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
A polyimide film with a size of 3 mm x 20 mm was heated from 30° C. to 300° C. at a constant heating rate while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name: 4000SA). After further holding at that temperature for 10 minutes, it was cooled at a rate of 5°C/min, and the average coefficient of thermal expansion (coefficient of thermal expansion) from 250°C to 100°C was determined.

[ガラス転移温度(Tg)の測定]
ガラス転移温度は、5mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行い、弾性率変化(tanδ)が最大となる温度をガラス転移温度とした。
[Measurement of glass transition temperature (Tg)]
The glass transition temperature was determined by heating a polyimide film with a size of 5 mm x 20 mm from 30°C to 400°C using a dynamic viscoelasticity analyzer (DMA: manufactured by UBM, trade name: E4000F). Measurement was performed at 4° C./min and a frequency of 11 Hz, and the temperature at which the change in elastic modulus (tan δ) was maximum was defined as the glass transition temperature.

[銅箔の表面粗度の測定]
銅箔の表面粗度は、AFM(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:Dimension Icon型SPM)、プローブ(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:TESPA(NCHV)、先端曲率半径10nm、ばね定数42N/m)を用いて、タッピングモードで、銅箔表面の80μm×80μmの範囲について測定し、十点平均粗さ(Rzjis)を求めた。
[Measurement of surface roughness of copper foil]
The surface roughness of the copper foil was measured using AFM (manufactured by Bruker AXS, trade name: Dimension Icon type SPM), probe (manufactured by Bruker AXS, trade name: TESPA (NCHV), tip radius of curvature 10 nm, Using a spring constant of 42 N/m), measurement was performed in a tapping mode on an area of 80 μm x 80 μm on the surface of the copper foil, and the ten-point average roughness (Rzjis) was determined.

[誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)の測定]
誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法誘電率評価装置(Agilent社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)及びスプリットポスト誘電体共振器(SPDR共振器)を用いて、周波数10GHzにおける樹脂シートの誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した樹脂シートは、温度;24~26℃、湿度;45~55%の条件下で、24時間放置したものである。
[Measurement of dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df)]
The permittivity and dielectric loss tangent were measured using a cavity resonator perturbation method permittivity evaluation device (manufactured by Agilent, trade name: Vector Network Analyzer E8363C) and a split post dielectric resonator (SPDR resonator), using a resin sheet at a frequency of 10 GHz. The dielectric constant and dielectric loss tangent were measured. The resin sheet used in the measurement was left for 24 hours at a temperature of 24 to 26°C and a humidity of 45 to 55%.

[レーザー加工性の評価方法]
レーザー加工性の評価は、以下の方法で行った。UV-YAG、第3高調波355nmのレーザー光を周波数60kHz、1.0Wの強度で、サンプルの多層回路基板の積層方向に照射して有底ビア加工し、接着層に抉れやアンダーカットが発生しないものを「良好」、接着層に抉れやアンダーカットが発生したものを「不良」と評価した。
[Laser processability evaluation method]
Laser processability was evaluated using the following method. A UV-YAG, third harmonic 355 nm laser beam with a frequency of 60 kHz and an intensity of 1.0 W was irradiated in the stacking direction of the sample multilayer circuit board to process the vias with a bottom, and there were no gouges or undercuts in the adhesive layer. Those in which no gouging or undercutting occurred were rated as "good," and those in which gouges or undercuts occurred in the adhesive layer were rated as "poor."

[リフロー耐熱の測定]
リフロー耐熱は、以下の方法で行った。サンプルの多層回路基板を40℃、湿度90%、96時間で吸湿後、120℃、2時間加熱前処理したものを、150℃から180℃に105秒、220℃以上に65秒、245℃に7秒の熱がかかるプロファイルで試験を行った。サンプルの層間に膨れが発生しないものや層の剥がれが発生しないものを「良好」、サンプルの層間に膨れの発生や層の剥がれが発生したものを「不可」と評価した。
[Measurement of reflow heat resistance]
Reflow heat resistance was performed using the following method. After absorbing moisture at 40°C and 90% humidity for 96 hours, the sample multilayer circuit board was preheated at 120°C for 2 hours, then heated from 150°C to 180°C for 105 seconds, above 220°C for 65 seconds, and then to 245°C. The test was conducted with a heat profile of 7 seconds. Samples with no blistering between the layers or peeling of the layers were rated as "good", and samples with blistering between the layers or peeling of the layers were rated as "unsatisfactory".

[ピール強度の測定]
ピール強度は、以下の方法で行った。引張試験機(東洋精機製作所製、ストログラフVE)を用いて、試験片幅5mmのサンプルを接着層の90°方向に、速度50mm/minで引っ張ったときの剥離強度を測定した。なお、ピール強度が0.9kN/m以上を「良」、ピール強度が0.4kN/m以上0.9kN/m未満を「可」、ピール強度が0.4kN/m未満を「不可」と評価した。
[Measurement of peel strength]
Peel strength was measured using the following method. Using a tensile tester (Strograph VE, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho), the peel strength was measured when a sample with a width of 5 mm was pulled in the 90° direction of the adhesive layer at a speed of 50 mm/min. In addition, a peel strength of 0.9 kN/m or more is considered "good", a peel strength of 0.4 kN/m or more and less than 0.9 kN/m is "acceptable", and a peel strength of less than 0.4 kN/m is "unacceptable". evaluated.

[反りの評価方法]
反りの評価は、以下の方法で行った。10cm×10cmのフィルムを置き、フィルムの4隅の反り上がっている高さの平均を測定し、10mm以下を「良」、10mmを超える場合を「不可」とした。
[Warpage evaluation method]
The warpage was evaluated using the following method. A 10 cm x 10 cm film was placed, and the average height of the four corners of the film was measured. If it was 10 mm or less, it was rated "good" and if it exceeded 10 mm, it was rated "unsatisfactory."

本実施例で用いた略号は以下の化合物を示す。
BTDA:3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
APB:1,3-ビス(3‐アミノフェノキシ)ベンゼン
BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DDA:炭素数36の脂肪族ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、アミン価;210mgKOH/g、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
ODPA:4,4’-オキシジフタル酸無水物(別名;5,5’-オキシビス-1,3-イソベンゾフランジオン)
N-12:ドデカン二酸ジヒドラジド
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
The abbreviations used in this example represent the following compounds.
BTDA: 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride PMDA: Pyromellitic dianhydride APB: 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene BAPP: 2,2-bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl]propane DDA: aliphatic diamine having 36 carbon atoms (manufactured by Croda Japan Co., Ltd., trade name: PRIAMINE 1074, amine value: 210 mgKOH/g, mixture of dimer diamines with cyclic structure and chain structure, Dimer component content; 95% by weight or more)
ODPA: 4,4'-oxydiphthalic anhydride (also known as 5,5'-oxybis-1,3-isobenzofurandione)
N-12: Dodecanedioic acid dihydrazide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

(合成例1)
<接着用の樹脂溶液の調製>
1000mlのセパラブルフラスコに、57.68gのBTDA(0.179モル)、87.10gのDDA(0.163モル)、5.26gのAPB(0.018モル)、210gのNMP及び140gのキシレンを装入し、40℃で1時間良く混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を190℃に昇温し、4時間加熱、攪拌し、140gのキシレンを加えてイミド化を完結したポリイミド溶液1(固形分;30重量%、粘度;6,100cps、重量平均分子量;63,900)を調製した。
(Synthesis example 1)
<Preparation of resin solution for adhesion>
In a 1000 ml separable flask, 57.68 g BTDA (0.179 mol), 87.10 g DDA (0.163 mol), 5.26 g APB (0.018 mol), 210 g NMP, and 140 g xylene. was charged and mixed well at 40° C. for 1 hour to prepare a polyamic acid solution. Polyimide solution 1 (solid content: 30% by weight, viscosity: 6,100 cps, weight average molecular weight ;63,900) was prepared.

(合成例2~9)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
表1に示す原料組成とした他は、合成例1と同様にしてポリイミド溶液2~9を調製した。
(Synthesis examples 2 to 9)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solutions 2 to 9 were prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that the raw material compositions shown in Table 1 were used.

Figure 0007381185000007
Figure 0007381185000007

(合成例10)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
合成例1で調製したポリイミド溶液1の100g(固形分として30g)に1.1gのN-12(0.004モル)を配合し、0.1gのNMP及び10gのキシレンを加えて希釈し、更に1時間攪拌することでポリイミド溶液10を調製した。
(Synthesis example 10)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
1.1 g of N-12 (0.004 mol) was blended with 100 g (30 g as solid content) of polyimide solution 1 prepared in Synthesis Example 1, and diluted by adding 0.1 g of NMP and 10 g of xylene. Polyimide solution 10 was prepared by further stirring for 1 hour.

(合成例11)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液2を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液11を調製した。
(Synthesis example 11)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solution 11 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 10 except that polyimide solution 2 was used.

(合成例12)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液3を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液12を調製した。
(Synthesis example 12)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solution 12 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 10 except that polyimide solution 3 was used.

(合成例13)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液4を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液13を調製した。
(Synthesis example 13)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solution 13 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 10 except that polyimide solution 4 was used.

(合成例14)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液5を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液14を調製した。
(Synthesis example 14)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solution 14 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 10 except that polyimide solution 5 was used.

(合成例15)
<接着層用の樹脂溶液の調製>
ポリイミド溶液6を用いた他は、合成例10と同様にしてポリイミド溶液15を調製した。
(Synthesis example 15)
<Preparation of resin solution for adhesive layer>
Polyimide solution 15 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 10 except that polyimide solution 6 was used.

(作製例1)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液10を離型処理されたPETフィルムの片面に塗布し、80℃で15分間乾燥を行った後、剥離することによって、樹脂シート1(厚さ;25μm)を調製した。樹脂シート1のガラス転移温度は41.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.69及び0.0023であった。
(Preparation example 1)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
A resin sheet 1 (thickness: 25 μm) was prepared by applying polyimide solution 10 to one side of a PET film subjected to mold release treatment, drying it at 80° C. for 15 minutes, and then peeling it off. The glass transition temperature of the resin sheet 1 was 41.2° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.69 and 0.0023, respectively.

(作製例2)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液11を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート2を調製した。樹脂シート2のガラス転移温度は48.0℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.50及び0.0022であった。
(Preparation example 2)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 2 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 11 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 2 was 48.0° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.50 and 0.0022, respectively.

(作製例3)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液12を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート3を調製した。樹脂シート3のガラス転移温度は60.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.63及び0.0025であった。
(Preparation example 3)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 3 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 12 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 3 was 60.2°C, and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.63 and 0.0025, respectively.

(作製例4)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液13を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート4を調製した。樹脂シート4のガラス転移温度は72.0℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.70及び0.0028であった。
(Preparation example 4)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 4 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 13 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 4 was 72.0° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.70 and 0.0028, respectively.

(作製例5)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液14を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート5を調製した。樹脂シート5のガラス転移温度は39.6℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.61及び0.0025であった。
(Preparation example 5)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 5 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 14 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 5 was 39.6° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.61 and 0.0025, respectively.

(作製例6)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液15を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート6を調製した。樹脂シート6のガラス転移温度は48.2℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.61及び0.0023であった。
(Preparation example 6)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 6 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 15 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 6 was 48.2° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.61 and 0.0023, respectively.

(作製例7)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液7を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート7を調製した。樹脂シート7のガラス転移温度は236.3℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、3.11及び0.0050であった。
(Preparation example 7)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 7 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 7 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 7 was 236.3° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 3.11 and 0.0050, respectively.

(作製例8)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液8を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート8を調製した。樹脂シート8のガラス転移温度は164.8℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.90及び0.0039であった。
(Preparation example 8)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 8 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 8 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 8 was 164.8° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.90 and 0.0039, respectively.

(作製例9)
<接着層用の樹脂シートの調製>
ポリイミド溶液9を使用した以外は、作製例1と同様にして、樹脂シート9を調製した。樹脂シート9のガラス転移温度は195.8℃であり、誘電率及び誘電正接はそれぞれ、2.90及び0.0041であった。
(Preparation example 9)
<Preparation of resin sheet for adhesive layer>
Resin sheet 9 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that polyimide solution 9 was used. The glass transition temperature of the resin sheet 9 was 195.8° C., and the dielectric constant and dielectric loss tangent were 2.90 and 0.0041, respectively.

(作製例10)
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液7をポリイミドフィルム(東レデュポン社製、商品名;カプトンEN―S、厚さ;25μm、CTE;16ppm/K、Dk;3.79、Df;0.0126)の片面に塗布し、80℃で15分間乾燥を行い、カバーレイ10(接着層の厚さ;25μm)を調製した。
(Preparation example 10)
<Preparation of coverlay>
Polyimide solution 7 was applied to one side of a polyimide film (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd., trade name: Kapton EN-S, thickness: 25 μm, CTE: 16 ppm/K, Dk: 3.79, Df: 0.0126). Drying was performed at ℃ for 15 minutes to prepare coverlay 10 (adhesive layer thickness: 25 μm).

(作製例11)
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液8を用いた他は、作製例7と同様にしてカバーレイ11を調製した。
(Preparation example 11)
<Preparation of coverlay>
Coverlay 11 was prepared in the same manner as in Preparation Example 7 except that polyimide solution 8 was used.

(作製例12)
<カバーレイの調製>
ポリイミド溶液9を用いた他は、作製例7と同様にしてカバーレイ12を調製した。
(Preparation example 12)
<Preparation of coverlay>
Coverlay 12 was prepared in the same manner as in Preparation Example 7 except that polyimide solution 9 was used.

[実施例1]
液晶ポリマーフィルム(クラレ社製、商品名;CT-Z、厚さ;50μm、CTE;18ppm/K、熱変形温度;300℃、Dk;3.40、Df;0.0022)を絶縁性基材とし、その両面に銅箔(電解銅箔、厚さ;9μm、表面粗度Rz;2.0μm)が設けられた両面フレキシブル銅張積層板1を準備し、その片面の銅箔にエッチングによる回路加工を施し、導体回路層を形成した配線基板1を調製した。併せて、両面フレキシブル銅張積層板1の片面の銅箔をエッチング除去し、片面フレキシブル銅張積層板1’を調製した。
[Example 1]
A liquid crystal polymer film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name: CT-Z, thickness: 50 μm, CTE: 18 ppm/K, heat distortion temperature: 300°C, Dk: 3.40, Df: 0.0022) was used as an insulating base material. A double-sided flexible copper-clad laminate 1 with copper foil (electrolytic copper foil, thickness: 9 μm, surface roughness Rz: 2.0 μm) provided on both sides is prepared, and a circuit is etched on the copper foil on one side. A wiring board 1 on which a conductor circuit layer was formed was prepared by processing. At the same time, the copper foil on one side of the double-sided flexible copper-clad laminate 1 was removed by etching to prepare a single-sided flexible copper-clad laminate 1'.

配線基板1の導体回路層側の面と、片面フレキシブル銅張積層板1’の絶縁性基材層側の面との間に樹脂シート1を挟み、重ね合わせた状態で、温度;160℃、圧力;4MPa、時間;60分間の条件で熱圧着して、回路基板1を調製した。回路基板1の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。 The resin sheet 1 was sandwiched between the conductive circuit layer side surface of the wiring board 1 and the insulating base material layer side surface of the single-sided flexible copper clad laminate 1', and the resin sheet 1 was stacked on top of each other at a temperature of 160°C. The circuit board 1 was prepared by thermocompression bonding under conditions of a pressure of 4 MPa and a time of 60 minutes. The warpage of the circuit board 1 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

[実施例2]
樹脂シート1に代えて樹脂シート2を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板2を調製した。回路基板2の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
[Example 2]
A circuit board 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 2 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 2 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

[実施例3]
樹脂シート1に代えて樹脂シート3を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板3を調製した。回路基板3の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
[Example 3]
A circuit board 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 3 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 3 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

[実施例4]
樹脂シート1に代えて樹脂シート4を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板4を調製した。回路基板4の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
[Example 4]
A circuit board 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 4 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 4 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

[実施例5]
樹脂シート1に代えて樹脂シート5を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板5を調製した。回路基板5の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
[Example 5]
A circuit board 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 5 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 5 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

[実施例6]
樹脂シート1に代えて樹脂シート6を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板6を調製した。回路基板6の反りは「良」、ピール強度は「良」、レーザー加工性は「良好」であった。
[Example 6]
A circuit board 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 6 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 6 was "good", the peel strength was "good", and the laser processability was "good".

(比較例1)
樹脂シート1に代えて樹脂シート7を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板7を調製した。回路基板7の反りは「不可」、ピール強度は「不可」、レーザー加工性は「良好」であった。
(Comparative example 1)
A circuit board 7 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 7 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 7 was "not acceptable", the peel strength was "not acceptable", and the laser processability was "good".

(比較例2)
樹脂シート1に代えて樹脂シート8を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板8を調製した。回路基板8の反りは「良」、ピール強度は「可」、レーザー加工性は「不可」であった。
(Comparative example 2)
A circuit board 8 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 8 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 8 was "good", the peel strength was "fair", and the laser processability was "bad".

(比較例3)
樹脂シート1に代えて樹脂シート9を使用したこと以外、実施例1と同様にして、回路基板9を調製した。回路基板9の反りは「不可」、ピール強度は「不可」、レーザー加工性は「良好」であった。
(Comparative example 3)
A circuit board 9 was prepared in the same manner as in Example 1 except that resin sheet 9 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the circuit board 9 was "not acceptable", the peel strength was "not acceptable", and the laser processability was "good".

[実施例7]
実施例1と同様にして、配線基板7及び配線基板7’(いずれも、配線基板1と同じもの)を準備した。配線基板7及び配線基板7’のそれぞれの導体回路層側の面に、2枚のカバーレイ10の接着層面をそれぞれ重ね合わせて積層し、カバーレイが積層した回路基板7及び回路基板7’を調製した。回路基板7のカバーレイ側の面と、回路基板7’のカバーレイ側の面との間に樹脂シート1を挟み、重ね合わせた状態で、温度;160℃、圧力;4MPa、時間;60分間の条件で真空ラミネートし、その後オーブンにて温度;160℃、時間;1時間の条件で熱圧着することで、多層回路基板7を調製した。多層回路基板7の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
[Example 7]
A wiring board 7 and a wiring board 7' (both of which are the same as the wiring board 1) were prepared in the same manner as in Example 1. The adhesive layer surfaces of two coverlays 10 are overlapped and laminated on the conductive circuit layer side surfaces of each of the wiring board 7 and the wiring board 7', and the circuit board 7 and the circuit board 7' with the coverlays laminated thereon are stacked. Prepared. The resin sheet 1 was sandwiched between the coverlay side surface of the circuit board 7 and the coverlay side surface of the circuit board 7', and in the stacked state, the temperature was 160°C, the pressure was 4MPa, and the time was 60 minutes. The multilayer circuit board 7 was prepared by vacuum laminating under the following conditions and then thermocompression bonding in an oven at a temperature of 160° C. for 1 hour. The warpage of the multilayer circuit board 7 was "good", and the laser processability and reflow resistance were also "good".

[実施例8]
カバーレイ10に代えてカバーレイ11を使用し、樹脂シート1に代えて樹脂シート2を使用したこと以外、実施例7と同様にして、多層回路基板8を調製した。多層回路基板8の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
[Example 8]
A multilayer circuit board 8 was prepared in the same manner as in Example 7 except that coverlay 11 was used instead of coverlay 10 and resin sheet 2 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the multilayer circuit board 8 was "good", and the laser processability and reflow resistance were also "good".

[実施例9]
カバーレイ10に代えてカバーレイ12を使用し、樹脂シート1に代えて樹脂シート3を使用したこと以外、実施例7と同様にして、多層回路基板9を調製した。多層回路基板9の反りは「良」、レーザー加工性及びリフロー耐性も「良好」であった。
[Example 9]
A multilayer circuit board 9 was prepared in the same manner as in Example 7 except that coverlay 12 was used instead of coverlay 10 and resin sheet 3 was used instead of resin sheet 1. The warpage of the multilayer circuit board 9 was "good", and the laser processability and reflow resistance were also "good".

(参考例1)
熱圧着の温度を160℃に代えて180℃にしたこと以外、実施例1と同様にして回路基板10を調製した。回路基板10の反りは「良」、ピール強度は「不可」であった。
(Reference example 1)
A circuit board 10 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thermocompression bonding temperature was 180°C instead of 160°C. The warpage of the circuit board 10 was "good", and the peel strength was "poor".

(参考例2)
熱圧着の温度を160℃に代えて180℃にしたこと以外、実施例7と同様にして回路基板11を調製した。回路基板11の反りは「良」、ピール強度は「不可」であった。
(Reference example 2)
A circuit board 11 was prepared in the same manner as in Example 7 except that the thermocompression bonding temperature was changed to 180°C instead of 160°C. The warpage of the circuit board 11 was "good", and the peel strength was "bad".

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways.

1A…第1の回路基板、2A…第2の回路基板、10…絶縁性基材層、20…導体回路層、30…接着層、100,101…多層回路基板


1A...First circuit board, 2A...Second circuit board, 10...Insulating base material layer, 20...Conductor circuit layer, 30...Adhesive layer, 100, 101...Multilayer circuit board


Claims (3)

液晶ポリマーからなる絶縁性基材層と、前記絶縁性基材層の少なくとも片面に形成された導体回路層と、前記導体回路層を被覆する接着層とを備えた回路基板であって、
前記接着層は、スプリットポスト誘電体共振器を用いて測定される周波数10GHzにおける誘電正接が0.004以下であるとともに、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含有する接着性ポリイミドを有しており、
前記接着性ポリイミドは、前記ジアミン残基の100モル部に対して、
ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミンから誘導されるジアミン残基を50モル部以上99モル部以下の範囲内で含有し、
下記の一般式(B1)~(B7)で表されるジアミン化合物から選ばれる少なくとも1種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を1モル部以上50モル部以下の範囲内で含有することを特徴とする回路基板。
Figure 0007381185000008
[式(B1)~(B7)において、R は独立に炭素数1~6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO -、-COO-、-CH -、-C(CH -、-NH-若しくは-CONH-から選ばれる2価の基を示し、n は独立に0~4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。]
A circuit board comprising an insulating base layer made of a liquid crystal polymer, a conductive circuit layer formed on at least one side of the insulating base layer, and an adhesive layer covering the conductive circuit layer,
The adhesive layer has an adhesive polyimide having a dielectric loss tangent of 0.004 or less at a frequency of 10 GHz measured using a split post dielectric resonator, and containing a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue. Ori,
The adhesive polyimide contains, based on 100 mole parts of the diamine residue,
Contains a diamine residue derived from a dimer acid type diamine in which two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid are substituted with a primary aminomethyl group or an amino group within a range of 50 to 99 mole parts. ,
Contains a diamine residue derived from at least one diamine compound selected from the diamine compounds represented by the following general formulas (B1) to (B7) in a range of 1 to 50 mole parts. Characteristic circuit board.
Figure 0007381185000008
[In formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, -CO -, -SO-, -SO 2 -, -COO-, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -NH- or -CONH-, where n 1 is independent indicates an integer from 0 to 4. However, from equation (B3), those that overlap with equation (B2) are excluded, and from equation (B5), those that overlap with equation (B4) are excluded. ]
前記接着性ポリイミドは、前記テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、
下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を合計で90モル部以上含有することを特徴とする請求項1に記載の回路基板。
Figure 0007381185000009
[一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを表す。]
Figure 0007381185000010
[上記式において、Zは-C-、-(CH)n-又は-CH-CH(-O-C(=O)-CH)-CH-を示すが、nは1~20の整数を示す。]
The adhesive polyimide contains, based on 100 mole parts of the tetracarboxylic acid residue,
Claim 1, characterized in that it contains a total of 90 mole parts or more of tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic acid anhydrides represented by the following general formulas (1) and/or (2). circuit board.
Figure 0007381185000009
[In general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in general formula (2), the cyclic moiety represented by Y is a 4-membered ring, a 5-membered ring, It represents forming a cyclic saturated hydrocarbon group selected from a ring, a 6-membered ring, a 7-membered ring, or an 8-membered ring. ]
Figure 0007381185000010
[In the above formula, Z represents -C 6 H 4 -, -(CH 2 )n- or -CH 2 -CH(-O-C(=O)-CH 3 )-CH 2 -, but n is Indicates an integer from 1 to 20. ]
複数の回路基板を積層した多層回路基板であって、
前記回路基板が、請求項1又は2に記載の回路基板であることを特徴とする多層回路基板。
A multilayer circuit board made by laminating multiple circuit boards,
A multilayer circuit board, wherein the circuit board is the circuit board according to claim 1 or 2 .
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