JP2021106248A - Metal-clad laminated plate and circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品として有用な金属張積層板及び回路基板に関する。 The present invention relates to a metal-clad laminate and a circuit board useful as electronic components.
近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。 In recent years, with the progress of miniaturization, weight reduction, and space saving of electronic devices, a flexible printed circuit board (FPC) that is thin and lightweight, has flexibility, and has excellent durability even after repeated bending. The demand for Circuits) is increasing. Since FPC can be mounted three-dimensionally and at high density even in a limited space, its use is expanded to, for example, wiring of moving parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, and smartphones, and parts such as cables and connectors. I'm doing it.
上述した高密度化に加えて、機器の高性能化が進んだことから、伝送信号の高周波化への対応も必要とされている。高周波信号を伝送する際に、伝送経路における伝送損失が大きい場合、電気信号のロスや信号の遅延時間が長くなるなどの不都合が生じる。そのため、今後はFPCにおいても、伝送損失の低減が重要となる。 In addition to the above-mentioned high density, the high performance of the equipment has advanced, so it is also necessary to cope with the high frequency of the transmission signal. When transmitting a high-frequency signal, if the transmission loss in the transmission path is large, inconveniences such as loss of an electric signal and a long delay time of the signal occur. Therefore, it will be important to reduce transmission loss in FPC in the future.
高周波伝送特性を改善するために、ポリイミドフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムを積層した積層体を絶縁樹脂層として用いることが提案されている(特許文献1)。特許文献1の絶縁樹脂層は、フッ素系樹脂を使用しているため、誘電特性の点では優れているが、寸法安定性に課題があり、特に、FPCに適用した場合、エッチングによる回路加工の前後の寸法変化と、加熱処理の前後の寸法変化が大きくなることが懸念される。 In order to improve high-frequency transmission characteristics, it has been proposed to use a laminate in which a film made of a fluororesin is laminated on both sides of a polyimide film as an insulating resin layer (Patent Document 1). Since the insulating resin layer of Patent Document 1 uses a fluororesin, it is excellent in terms of dielectric properties, but has a problem in dimensional stability. In particular, when applied to FPC, circuit processing by etching is performed. There is a concern that the dimensional change before and after the heat treatment and the dimensional change before and after the heat treatment will be large.
高周波伝送特性を改善するために、特定のジアミン残基を導入した接着層によって2つの片面金属張積層板を貼り合わせて積層するとともに、樹脂層全体及び接着層の厚みを制御することが提案されている(特許文献2)。しかしながら、特許文献2では、片面金属張積層板の絶縁層によって、低誘電正接の接着層と金属層(配線)との距離が離れていることから、伝送損失の低減効果にさらなる改善の余地があった。 In order to improve high-frequency transmission characteristics, it has been proposed to bond and laminate two single-sided metal-clad laminates with an adhesive layer introduced with a specific diamine residue, and to control the entire resin layer and the thickness of the adhesive layer. (Patent Document 2). However, in Patent Document 2, since the distance between the low dielectric loss tangent adhesive layer and the metal layer (wiring) is large due to the insulating layer of the single-sided metal-clad laminate, there is room for further improvement in the effect of reducing transmission loss. there were.
本発明の目的は、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れた金属張積層板及び回路基板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a metal-clad laminate and a circuit board that can reduce transmission loss even in high-frequency transmission and have excellent dimensional stability.
本発明者らは、鋭意研究の結果、一対の金属層(配線)に接するように、それぞれ、低誘電正接の伝送損失抑制層を設けるとともに、伝送損失抑制層の間に、複数の寸法精度維持層が中間伝送損失抑制層によって積層された構造を設け、樹脂層全体の厚みに対する寸法精度維持層の合計厚み比率を一定以上とすることによって、樹脂層全体の厚みを大きくしても配線の位置ずれを抑制することができ、伝送損失の低減と寸法精度の維持を両立できることを見出した。 As a result of diligent research, the present inventors provide a transmission loss suppression layer having a low dielectric loss tangent so as to be in contact with a pair of metal layers (wiring), and maintain a plurality of dimensional accuracy between the transmission loss suppression layers. By providing a structure in which the layers are laminated by the intermediate transmission loss suppressing layer and setting the total thickness ratio of the dimensional accuracy maintaining layer to the thickness of the entire resin layer to a certain level or more, the position of the wiring even if the thickness of the entire resin layer is increased. It was found that the deviation can be suppressed, the transmission loss can be reduced, and the dimensional accuracy can be maintained at the same time.
本発明の金属張積層板は、第1の金属層と、前記第1の金属層の片側に接して設けられている第1の伝送損失抑制層と、第2の金属層と、前記第2の金属層の片側に接して設けられている第2の伝送損失抑制層と、前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層との間に介在する複数の樹脂層と、を備えている。
本発明の金属張積層板において、前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、前記樹脂積層体は、少なくとも2層以上の寸法精度維持層と、前記寸法精度維持層の間に積層されている中間伝送損失抑制層と、を有している。
そして、本発明の金属張積層板は、下記の条件i及びii;
i)23℃、50%RHの恒温恒湿条件(常態)のもと24時間調湿後にスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定される10GHzにおける誘電正接であって、前記第1の伝送損失抑制層及び前記第2の伝送損失抑制層の誘電正接をDf1、前記寸法精度維持層の誘電正接をDf2としたとき、Df1<Df2の関係にあること;
ii)前記寸法精度維持層の合計厚みが、前記樹脂積層体の合計厚みの25〜60%の範囲内にあること;
を満たしている。
The metal-clad laminate of the present invention includes a first metal layer, a first transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the first metal layer, a second metal layer, and the second metal layer. A second transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the metal layer, and a plurality of resin layers interposed between the first transmission loss suppressing layer and the second transmission loss suppressing layer. It has.
In the metal-clad laminate of the present invention, a resin laminate is formed by the first transmission loss suppressing layer, the second transmission loss suppressing layer, and the plurality of resin layers, and the resin laminate is at least It has two or more dimensional accuracy maintaining layers and an intermediate transmission loss suppressing layer laminated between the dimensional accuracy maintaining layers.
The metal-clad laminate of the present invention has the following conditions i and ii;
i) Dissipation factor at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after humidity control for 24 hours under constant temperature and humidity conditions (normal condition) of 23 ° C. and 50% RH, and the first transmission. Df 1 and the dielectric loss tangent of the loss confinement layer and said second transmission loss confinement layer, when the dielectric loss tangent of the dimensional accuracy kept layer was Df 2, a relation that Df 1 <Df 2;
ii) The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer is within the range of 25 to 60% of the total thickness of the resin laminate;
Meet.
本発明の回路基板は、第1の配線層と、前記第1の配線層の片側に接して設けられている第1の伝送損失抑制層と、第2の配線層と、前記第2の配線層の片側に接して設けられている第2の伝送損失抑制層と、前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層との間に介在する複数の樹脂層と、を備えている。
本発明の回路基板は、前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、前記樹脂積層体は、少なくとも2層以上の寸法精度維持層と、前記寸法精度維持層の間に積層されている中間伝送損失抑制層と、
を有している。
そして、 本発明の回路基板は、下記の条件i及びii;
i)23℃、50%RHの恒温恒湿条件(常態)のもと24時間調湿後にスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定される10GHzにおける誘電正接であって、前記第1の伝送損失抑制層及び前記第2の伝送損失抑制層の誘電正接をDf1、前記寸法精度維持層の誘電正接をDf2としたとき、Df1<Df2の関係にあること;
ii)前記寸法精度維持層の合計厚みが、前記樹脂積層体の合計厚みの25〜60%の範囲内にあること;
を満たしている。
The circuit board of the present invention includes a first wiring layer, a first transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the first wiring layer, a second wiring layer, and the second wiring. A second transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the layer, and a plurality of resin layers interposed between the first transmission loss suppressing layer and the second transmission loss suppressing layer are provided. ing.
In the circuit board of the present invention, a resin laminate is formed by the first transmission loss suppressing layer, the second transmission loss suppressing layer, and the plurality of resin layers, and the resin laminate has at least two layers. An intermediate transmission loss suppressing layer laminated between the above dimensional accuracy maintaining layer and the dimensional accuracy maintaining layer,
have.
The circuit board of the present invention has the following conditions i and ii;
i) Dissipation factor at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after humidity control for 24 hours under constant temperature and humidity conditions (normal condition) of 23 ° C. and 50% RH, and the first transmission. Df 1 and the dielectric loss tangent of the loss confinement layer and said second transmission loss confinement layer, when the dielectric loss tangent of the dimensional accuracy kept layer was Df 2, a relation that Df 1 <Df 2;
ii) The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer is within the range of 25 to 60% of the total thickness of the resin laminate;
Meet.
本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記寸法精度維持層は、100℃から250℃の温度領域での貯蔵弾性率の最小値が1.0〜8.0GPaの範囲内であってもよく、熱膨張係数が15〜25ppm/Kの範囲内の低熱膨張性ポリイミド層であってもよい。 In the metal-clad laminate or circuit board of the present invention, the dimensional accuracy maintenance layer has a minimum storage elastic modulus in the temperature range of 100 ° C. to 250 ° C. even if it is in the range of 1.0 to 8.0 GPa. It may be a low thermal expansion polyimide layer having a thermal expansion coefficient in the range of 15 to 25 ppm / K.
本発明の金属張積層板又は回路基板において、前記第1の伝送損失抑制層及び第2の伝送損失抑制層を構成する樹脂が、酸無水物成分と、ジアミン成分と、を反応させてなるポリイミドであって、前記ジアミン成分の全量100モル部に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマージアミンを50モル部以上含有するものであってもよい。 In the metal-clad laminate or circuit substrate of the present invention, a polyimide obtained by reacting an acid anhydride component with a diamine component by a resin constituting the first transmission loss suppressing layer and the second transmission loss suppressing layer. The total amount of the diamine component is 100 mol, and 50 mol or more of diamine diamine in which the two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group or an amino group is contained. You may.
本発明の金属張積層板は、一対の金属層(配線)に接するように、それぞれ、低誘電正接の伝送損失抑制層を設けているため、高周波信号伝送における伝送損失を効果的に抑えることができる。また、伝送損失抑制層の間に、複数の寸法精度維持層と中間伝送損失抑制層が積層された構造を設けるとともに、樹脂層全体の厚みに対する寸法精度維持層の合計厚み比率を一定以上としているので、高い寸法安定性を確保しながら、低誘電化が実現されている。従って、本発明の金属張積層板は、例えば周波数が10GHz以上の高周波信号を伝送する回路基板等へ適用した場合に、伝送損失を効果的に低減することが可能となる。 Since the metal-clad laminate of the present invention is provided with a transmission loss suppression layer having a low dielectric loss tangent so as to be in contact with a pair of metal layers (wiring), transmission loss in high-frequency signal transmission can be effectively suppressed. can. Further, a structure in which a plurality of dimensional accuracy maintaining layers and an intermediate transmission loss suppressing layer are laminated is provided between the transmission loss suppressing layers, and the total thickness ratio of the dimensional accuracy maintaining layers to the total thickness of the resin layer is set to a certain level or more. Therefore, low dielectric constant is realized while ensuring high dimensional stability. Therefore, the metal-clad laminate of the present invention can effectively reduce transmission loss when applied to, for example, a circuit board or the like that transmits a high-frequency signal having a frequency of 10 GHz or more.
本発明の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate.
[金属張積層板]
図1は、本発明の一実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式図である。本実施の形態の金属張積層板10は、
第1の金属層M1と、
第1の金属層M1の片側に接して設けられている第1の伝送損失抑制層BS1と、
第2の金属層M2と、
第2の金属層M2の片側に接して設けられている第2の伝送損失抑制層BS2と、
第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2との間に介在する複数の樹脂層と、
を備えている。金属張積層板10は、一対の金属層(配線となる第1の金属層M1及び第2の金属層M2)に最も近接する位置に、それぞれ、低誘電正接である第1の伝送損失抑制層BS1及び第2の伝送損失抑制層BS2を設けているため、高周波信号伝送における伝送損失を効果的に抑えることができる。
ここで、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2と複数の樹脂層とによって樹脂積層体20が形成されている。この樹脂積層体20は、第1の伝送損失抑制層BS1及び第2の伝送損失抑制層BS2に加え、少なくとも2層以上の寸法精度維持層PLと、寸法精度維持層PLの間に積層されている中間伝送損失抑制層BS3を有している。
このように、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2との間に、寸法精度維持層PLと中間伝送損失抑制層BS3との積層構造を設けることによって、高い寸法安定性を確保しながら、低誘電化が実現されている。
なお、樹脂積層体20は、上記以外の任意の樹脂層を有していてもよいが、上記各機能を有する樹脂層のみによって形成されていることが好ましい。
[Metal-clad laminate]
FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a metal-clad laminate according to an embodiment of the present invention. The metal-
The first metal layer M1 and
The first transmission loss suppressing layer BS1 provided in contact with one side of the first metal layer M1 and
The second metal layer M2 and
A second transmission loss suppressing layer BS2 provided in contact with one side of the second metal layer M2, and
A plurality of resin layers interposed between the first transmission loss suppressing layer BS1 and the second transmission loss suppressing layer BS2, and
It has. The metal-clad
Here, the
In this way, by providing a laminated structure of the dimensional accuracy maintaining layer PL and the intermediate transmission loss suppressing layer BS3 between the first transmission loss suppressing layer BS1 and the second transmission loss suppressing layer BS2, high dimensional stability is achieved. Low dielectric constant is realized while ensuring the property.
The
図1に示すように、第1の金属層M1と第2の金属層M2は、それぞれ最も外側に位置し、それらの内側に接して第1の伝送損失抑制層BS1及び第2の伝送損失抑制層BS2が配置され、さらに第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2との間に、複数の寸法精度維持層PLと中間伝送損失抑制層BS3を含む複数の樹脂層が介在配置されている。ここで、第1の伝送損失抑制層BS1は、一つの寸法精度維持層PLに隣接しており、第2の伝送損失抑制層BS2は別の寸法精度維持層PLに接している。 As shown in FIG. 1, the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are located on the outermost side, respectively, and are in contact with the innermost layers of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 to suppress the first transmission loss and the second transmission loss. Layer BS2 is arranged, and between the first transmission loss suppressing layer BS1 and the second transmission loss suppressing layer BS2, a plurality of resin layers including a plurality of dimensional accuracy maintaining layer PL and an intermediate transmission loss suppressing layer BS3 are provided. It is intervened. Here, the first transmission loss suppression layer BS1 is adjacent to one dimensional accuracy maintenance layer PL, and the second transmission loss suppression layer BS2 is in contact with another dimensional accuracy maintenance layer PL.
図1に示す金属張積層板10は、2層の寸法精度維持層PLと1層の中間伝送損失抑制層BS3とを有しているが、寸法精度維持層PLが2層以上であればよく、中間伝送損失抑制層BS3の層数に特に制限はない。例えば、図2に示すように、3層の寸法精度維持層PLと2層の中間伝送損失抑制層BS3を有する構成でもよいし、図3に示すように、5層の寸法精度維持層PLと4層の中間伝送損失抑制層BS3を有する構成でもよい。
The metal-clad
金属張積層板10において、第1の金属層M1及び第2の金属層M2の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じ材質、同じ物性、同じ厚み、であることが好ましい。
In the metal-clad
また、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じ材質、同じ物性、同じ厚みであることが好ましい。例えば、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2の誘電正接や厚みを同じにすることによって、高周波伝送用回路基板を作製したときの伝送損失低減設計が容易になる。 Further, the configurations of the first transmission loss suppressing layer BS1 and the second transmission loss suppressing layer BS2 may be the same or different, but they may have the same material, the same physical characteristics, and the same thickness. preferable. For example, by making the dielectric loss tangent and the thickness of the first transmission loss suppression layer BS1 and the second transmission loss suppression layer BS2 the same, it becomes easy to design a transmission loss reduction when a high-frequency transmission circuit board is manufactured.
さらに、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2と中間伝送損失抑制層BS3の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、樹脂積層体20全体の誘電特性を改善し、高周波信号の伝送損失を効果的に抑制するため、同じ材質、同じ物性、であることが好ましい。
Further, the configurations of the first transmission loss suppression layer BS1, the second transmission loss suppression layer BS2, and the intermediate transmission loss suppression layer BS3 may be the same or different, but the
複数の寸法精度維持層PLの構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、回路基板を作製したときの機械的強度や寸法精度の設計が容易になることから、同じ材質、同じ物性、同じ厚み、同じ層構造であることが好ましい。 The configurations of the plurality of dimensional accuracy maintaining layers PL may be the same or different, but the same material can be easily designed for mechanical strength and dimensional accuracy when the circuit board is manufactured. , The same physical properties, the same thickness, and the same layer structure are preferable.
金属張積層板10は、下記の条件i及びiiを満たしている。
The metal-clad
条件i:
第1の伝送損失抑制層BS1及び第2の伝送損失抑制層BS2の誘電正接をDf1、寸法精度維持層PLの誘電正接をDf2としたとき、Df1<Df2の関係にあること。
高周波信号の伝送路である回路配線となるべき第1及び第2の金属層M1,M2にそれぞれ接する第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2の誘電正接Df1を、寸法精度維持層PLの誘電正接Df2に比較して低く設計することによって、高周波信号の伝送損失を効果的に抑制できる。なお、第1の伝送損失抑制層BS1と第2の伝送損失抑制層BS2の誘電正接が異なる場合でも、どちらもDf1<Df2の関係を満たすことが必要である。本発明において特に明記しない場合には、誘電率及び誘電正接は、23℃、50%RHの恒温恒湿条件(常態)のもと24時間調湿後にスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定される10GHzにおける誘電率及び誘電正接を意味する。
Condition i:
Df 1 a first transmission loss confinement layer BS1 and the second dielectric loss tangent of the transmission loss confinement layer BS2 of, when the dielectric loss tangent of the dimensional accuracy kept layer PL was Df 2, Df 1 <relation that Df 2.
The dielectric loss tangent Df 1 of the first and second transmission loss suppression layers BS1 and BS2, which are in contact with the first and second metal layers M1 and M2, which should be the circuit wiring which is the transmission path of the high frequency signal, is the dimensional accuracy maintenance layer. By designing the PL to be lower than the dielectric loss tangent Df 2 , the transmission loss of the high frequency signal can be effectively suppressed. Even when the first transmission loss suppressing layer BS1 and the second transmission loss suppressing layer BS2 have different dielectric loss tangents, it is necessary to satisfy the relationship of Df 1 <Df 2 in both cases. Unless otherwise specified in the present invention, the permittivity and the dielectric loss tangent are measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after humidity control for 24 hours under a constant temperature and humidity condition (normal state) of 23 ° C. and 50% RH. It means the permittivity and the dielectric loss tangent at 10 GHz.
高周波信号の伝送損失の抑制を図る観点から、第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2の10GHzにおける誘電正接Df1は、0.005以下であることが好ましく、0.003以下がより好ましい。 From the viewpoint of suppressing the transmission loss of high-frequency signals, the dielectric loss tangent Df 1 of the first and second transmission loss suppression layers BS1 and BS2 at 10 GHz is preferably 0.005 or less, more preferably 0.003 or less. preferable.
なお、条件iと同様に測定される10GHzにおける中間伝送損失抑制層BS3の誘電正接Df3は、高周波信号の伝送損失の抑制を図る観点から、0.005以下であることが好ましく、0.003以下がより好ましく、第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2の誘電正接Df1と同じであることが最も好ましい。 The dielectric loss tangent Df 3 of the intermediate transmission loss suppression layer BS3 at 10 GHz, which is measured in the same manner as the condition i, is preferably 0.005 or less, preferably 0.003, from the viewpoint of suppressing the transmission loss of high-frequency signals. The following is more preferable, and most preferably the same as the dielectric loss tangent Df 1 of the first and second transmission loss suppressing layers BS1 and BS2.
また、寸法精度維持層PLの誘電正接Df2は、出来るだけ低いことが望ましいが、寸法精度と機械的強度の維持を主目的とする層であることから、条件iを満たすことを前提にして、好ましくは0.012以下であればよく、より好ましくは0.010以下がよい。寸法精度維持層PLの誘電正接Df2が多少高くなっても、より低誘電正接である第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2及び中間伝送損失抑制層BS3と積層し、これらとの厚み比率を考慮することによって、樹脂積層体20全体の低誘電化を担保できるためである。
Further, it is desirable that the dielectric loss tangent Df 2 of the dimensional accuracy maintaining layer PL is as low as possible, but since it is a layer whose main purpose is to maintain dimensional accuracy and mechanical strength, it is assumed that the condition i is satisfied. , It may be preferably 0.012 or less, and more preferably 0.010 or less. Even if the dielectric loss tangent Df 2 of the dimensional accuracy maintenance layer PL becomes slightly higher, the first and second transmission loss suppression layers BS1 and BS2 and the intermediate transmission loss suppression layer BS3, which are lower dielectric loss tangents, are laminated with each other. This is because the low dielectric constant of the
条件ii:
寸法精度維持層PLの合計厚みTPLが、樹脂積層体20(つまり、第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2と、一ないし複数の中間伝送損失抑制層BS3と、複数の寸法精度維持層PL)の総厚みTの25〜60%の範囲内にあること。
複数の寸法精度維持層PLの合計厚みTPLと樹脂積層体20の総厚みTとの比率を上記範囲内とすることによって、金属張積層板10を回路加工したときの寸法精度と機械的強度を維持しながら、高周波信号の伝送損失の低減を図ることができる。かかる観点から、総厚みTに対する厚みTPLの比率は、25〜50%の範囲内が好ましい。
Condition ii:
Total thickness T PL dimensional precision maintenance layer PL is, resin laminate 20 (i.e., the first and second transmission loss confinement layer BS1, BS2, as one or a plurality of intermediate transmission loss confinement layer BS3, a plurality of dimensional accuracy It must be within the range of 25 to 60% of the total thickness T of the maintenance layer PL).
By setting the ratio of the total thickness T PL of the plurality of dimensional accuracy maintaining layers PL to the total thickness T of the
ここで、樹脂積層体20における各層の厚みは、使用目的に応じて適宜設定できるので特に限定されるものではないが、以下のとおり例示できる。
第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2の一層の厚みは、2〜100μmの範囲内が好ましく、5〜75μmの範囲内がより好ましい。
寸法精度維持層PLの一層の厚みは、10〜100μmの範囲内が好ましく、12〜50μmの範囲内がより好ましい。
中間伝送損失抑制層BS3の一層の厚みは、12〜150μmの範囲内が好ましく、25〜100μmの範囲内がより好ましい。
樹脂積層体20の総厚みTは、50〜300μmの範囲内が好ましく、75〜200μmの範囲内がより好ましい。
Here, the thickness of each layer in the
The thickness of the first and second transmission loss suppressing layers BS1 and BS2 is preferably in the range of 2 to 100 μm, more preferably in the range of 5 to 75 μm.
The thickness of the dimensional accuracy maintaining layer PL is preferably in the range of 10 to 100 μm, more preferably in the range of 12 to 50 μm.
The thickness of the intermediate transmission loss suppressing layer BS3 is preferably in the range of 12 to 150 μm, more preferably in the range of 25 to 100 μm.
The total thickness T of the
また、樹脂積層体20全体の低誘電化を図るため、第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2と中間伝送損失抑制層BS3との合計厚みTBは、樹脂積層体20の総厚みTに対して、40〜75%の範囲内にあることが好ましく、50〜75%の範囲内がより好ましい。
Further, in order to lower the dielectric of the
以下、金属張積層板10を構成する各層について説明する。
Hereinafter, each layer constituting the metal-clad
[金属層]
第1の金属層M1及び第2の金属層M2の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も第1の金属層M1及び第2の金属層M2と同様である。
[Metal layer]
The materials of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 are not particularly limited, but for example, copper, stainless steel, iron, nickel, berylium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, tin, zirconium, etc. Examples thereof include tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese and alloys thereof. Of these, copper or copper alloys are particularly preferable. The material of the wiring layer in the circuit board of the present embodiment described later is also the same as that of the first metal layer M1 and the second metal layer M2.
第1の金属層M1及び第2の金属層M2の厚みは特に限定されるものではないが、例えば銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは35μm以下であり、より好ましくは5〜25μmの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は5μmとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。 The thickness of the first metal layer M1 and the second metal layer M2 is not particularly limited, but when a metal foil such as a copper foil is used, it is preferably 35 μm or less, more preferably 5 to 25 μm. Good within range. From the viewpoint of production stability and handleability, the lower limit of the thickness of the metal foil is preferably 5 μm. When a copper foil is used, it may be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Further, as the copper foil, a commercially available copper foil can be used.
また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。 Further, the metal foil may be subjected to surface treatment with, for example, siding, aluminum alcoholate, aluminum chelate, silane coupling agent or the like for the purpose of rust prevention treatment or improvement of adhesive strength.
[伝送損失抑制層]
第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2及び中間伝送損失抑制層BS3(以下、これらを総称して「伝送損失抑制層BS1〜BS3」と記すことがある)を構成する樹脂は、ガラス転移温度(Tg)が180℃以下であることが好ましく、160℃以下であることがより好ましい。伝送損失抑制層BS1〜BS3のガラス転移温度を180℃以下とすることによって、低温での熱圧着が可能になるため、積層時に発生する内部応力を緩和し、回路加工後の寸法変化を抑制できる。伝送損失抑制層BS1〜BS3のTgが180℃を超えると、寸法精度維持層PLの間に介在させて接着する際の温度が高くなり、回路加工後の寸法安定性を損なう恐れがある。
[Transmission loss suppression layer]
The resin constituting the first and second transmission loss suppressing layers BS1 and BS2 and the intermediate transmission loss suppressing layer BS3 (hereinafter, these may be collectively referred to as "transmission loss suppressing layers BS1 to BS3") is glass. The transition temperature (Tg) is preferably 180 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. By setting the glass transition temperature of the transmission loss suppression layers BS1 to BS3 to 180 ° C. or lower, thermocompression bonding at a low temperature becomes possible, so that internal stress generated during lamination can be relaxed and dimensional changes after circuit processing can be suppressed. .. If the Tg of the transmission loss suppressing layers BS1 to BS3 exceeds 180 ° C., the temperature at which they are interposed between the dimensional accuracy maintaining layers PL and adhered becomes high, which may impair the dimensional stability after circuit processing.
伝送損失抑制層BS1〜BS3は、100℃から250℃の温度領域での貯蔵弾性率の最大値が1.0GHz以下であることが好ましい。このような貯蔵弾性率であれば、熱圧着時の内部応力を緩和し、回路加工後の寸法安定性を保持することができる。また、回路加工後の半田リフロー工程を経た後においても、反りが生じにくい。 The transmission loss suppressing layers BS1 to BS3 preferably have a maximum storage elastic modulus of 1.0 GHz or less in the temperature range of 100 ° C. to 250 ° C. With such a storage elastic modulus, internal stress during thermocompression bonding can be relaxed and dimensional stability after circuit processing can be maintained. In addition, warpage is unlikely to occur even after the solder reflow process after circuit processing.
第1及び第2の伝送損失抑制層BS1,BS2及び中間伝送損失抑制層BS3を構成する樹脂は、ポリイミドであることが好ましく、酸無水物成分と、ジアミン成分の全量100モル部に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマージアミンを50モル部以上含有するジアミン成分と、を反応させて得られる前駆体のポリアミド酸をイミド化した熱可塑性ポリイミド(以下、「DDA系ポリイミド」と記すことがある)又はその架橋硬化物であることがより好ましい。なお、本発明でポリイミドという場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。 The resin constituting the first and second transmission loss suppressing layers BS1 and BS2 and the intermediate transmission loss suppressing layer BS3 is preferably polyimide, and is a dimer with respect to 100 mol parts of the total amount of the acid anhydride component and the diamine component. The precursor polyamic acid obtained by reacting with a diamine component containing 50 parts or more of dimerdiamine in which the two terminal carboxylic acid groups of the acid are replaced with a primary aminomethyl group or an amino group is imidized. More preferably, it is a thermoplastic polyimide (hereinafter, may be referred to as "DDA-based polyimide") or a cross-linked cured product thereof. The term polyimide in the present invention means a resin composed of a polymer having an imide group in its molecular structure, such as polyamideimide, polyetherimide, polyesterimide, polysiloxaneimide, and polybenzimidazolimide, in addition to polyimide.
<DDA系ポリイミド>
DDA系ポリイミドは、脂肪族系の熱可塑性ポリイミドであり、可撓性に富み、液晶性高分子フィラーを大量に添加した場合でも十分な靭性を有し、樹脂フィルムを形成した場合にその形状を保持する能力が高い。
<DDA-based polyimide>
DDA-based polyimide is an aliphatic thermoplastic polyimide, which is highly flexible, has sufficient toughness even when a large amount of liquid crystal polymer filler is added, and has a shape when a resin film is formed. High ability to hold.
DDA系ポリイミドは、原料のテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基及び原料のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含んでいる。なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。原料であるテトラカルボン酸無水物及びジアミン化合物をほぼ等モルで反応させることによって、原料の種類と量に対して、DDA系ポリイミド中に含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類と量をほぼ対応させることができる。 The DDA-based polyimide contains a tetracarboxylic acid residue derived from the raw material tetracarboxylic dianhydride and a diamine residue derived from the raw material diamine compound. In the present invention, the tetracarboxylic acid residue represents a tetravalent group derived from a tetracarboxylic dianhydride, and the diamine residue is a divalent group derived from a diamine compound. Represents that. By reacting the raw material tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound in approximately equimolar amounts, the type and amount of the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the DDA-based polyimide are compared with the type and amount of the raw material. Can be almost made to correspond.
(酸無水物成分)
DDA系ポリイミドは、原料として一般に熱可塑性ポリイミドに使用されるテトラカルボン酸無水物を特に制限なく使用できるが、全酸無水物成分に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物を合計で90モル%以上含有することが好ましい。換言すれば、DDA系ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基100モル部に対して、下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を、合計で90モル部以上含有することが好ましい。下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を、テトラカルボン酸残基100モル部に対して合計で90モル部以上含有させることによって、DDA系ポリイミドの柔軟性と耐熱性の両立が図りやすく好ましい。下記の一般式(1)及び/又は(2)で表されるテトラカルボン酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基の合計が90モル部未満では、DDA系ポリイミドの溶剤溶解性が低下する傾向になる。
(Acid anhydride component)
As the DDA-based polyimide, tetracarboxylic dianhydride, which is generally used for thermoplastic polyimide as a raw material, can be used without particular limitation, but the following general formulas (1) and / or (2) are used for the total acid anhydride component. It is preferable to contain 90 mol% or more of the tetracarboxylic dianhydride represented by. In other words, the DDA-based polyimide is a tetracarboxylic dianhydride derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) for 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. It is preferable that the acid residue is contained in an amount of 90 mol parts or more in total. A total of 90 mol or more of tetracarboxylic acid residues derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) is added to 100 mol of tetracarboxylic acid residue. By containing it, it is easy to achieve both flexibility and heat resistance of the DDA-based polyimide, which is preferable. If the total amount of tetracarboxylic acid residues derived from the tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formulas (1) and / or (2) is less than 90 mol parts, the solvent solubility of the DDA-based polyimide decreases. It becomes a tendency.
一般式(1)中、Xは、単結合、または、下式から選ばれる2価の基を示し、一般式(2)中、Yで表される環状部分は、4員環、5員環、6員環、7員環又は8員環から選ばれる環状飽和炭化水素基を形成していることを示す。 In the general formula (1), X represents a single bond or a divalent group selected from the following formula, and in the general formula (2), the cyclic portion represented by Y is a 4-membered ring or a 5-membered ring. , 6-membered ring, 7-membered ring or 8-membered ring.
上記式において、Zは−C6H4−、−(CH2)n−又は−CH2−CH(−O−C(=O)−CH3)−CH2−を示すが、nは1〜20の整数を示す。 In the above formula, Z is -C 6 H 4 -, - ( CH 2) n- or -CH 2 -CH (-O-C ( = O) -CH 3) -CH 2 - are illustrated, n represents 1 Indicates an integer of ~ 20.
上記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸無水物としては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA)、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、2,2−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロパン二無水物(BPADA)、p-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル酸無水物)(TAHQ)、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート(TMEG)などを挙げることができる。これらの中でも特に3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)が好ましい。BTDAを使用する場合は、カルボニル基(ケトン基)が接着性に寄与するため、DDA系ポリイミドの接着性を向上させることができる。また、BTDAは分子骨格に存在するケトン基と、後述する架橋形成のためのアミノ化合物のアミノ基が反応してC=N結合を形成する場合があり、耐熱性を向上させる効果を発現しやすい。このような観点から、テトラカルボン酸残基100モル部に対して、BTDAから誘導されるテトラカルボン酸残基を好ましくは50モル部以上、より好ましくは60モル部以上含有することがよい。 Examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (1) include 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3', 4,4'. -Benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (DSDA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), 4,4 '-(Hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (6FDA), 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride (BPADA), p-phenylenebis (trimerit) Acid monoesteric anhydride) (TAHQ), ethylene glycol bisamhydrotrimeritate (TMEG) and the like can be mentioned. Of these, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) is particularly preferable. When BTDA is used, the carbonyl group (ketone group) contributes to the adhesiveness, so that the adhesiveness of the DDA-based polyimide can be improved. Further, in BTDA, a ketone group existing in the molecular skeleton may react with an amino group of an amino compound for forming a crosslink, which will be described later, to form a C = N bond, and the effect of improving heat resistance is likely to be exhibited. .. From such a viewpoint, 100 mol parts or more of the tetracarboxylic acid residue derived from BTDA is preferably contained in an amount of 50 parts by mol or more, more preferably 60 parts by mole or more.
また、一般式(2)で表されるテトラカルボン酸無水物としては、例えば、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘプタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−シクロオクタンテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができる。 Examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (2) include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride and 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride. Dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cycloheptantetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-cyclooctanetetracarboxylic dianhydride Dianhydride and the like can be mentioned.
DDA系ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、上記一般式(1)及び一般式(2)で表されるテトラカルボン酸無水物以外の酸無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することができる。そのようなテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-又は2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 The DDA-based polyimide contains tetracarboxylic acid residues derived from acid anhydrides other than the tetracarboxylic acid anhydrides represented by the general formulas (1) and (2) above, as long as the effects of the invention are not impaired. Can be contained. Such tetracarboxylic acid residues are not particularly limited, but for example, pyromellitic acid dianhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3 , 3'-or 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ) Ether dianhydride, 3,3'', 4,4''-, 2,3,3'', 4''-or 2,2'',3,3''-p-terphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, Bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfonate dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,2,7, 8-1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-Dicarboxyphenyl) Tetrafluoropropane dianhydride 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 2, 3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride 2,6-or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride 2,3,6,7-(or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene -1,4,5,8-(or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride 2,3,8,9-,3,4,9,10-4,5,10 , 11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic Aromatic tetracarboxylic acid dianhydride such as acid dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride. Examples include tetracarboxylic acid residues derived from the substance.
(ジアミン成分)
DDA系ポリイミドは、原料として、ジアミン成分の全量100モル部に対し、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級アミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマージアミンを50モル部以上、より好ましくは70モル部以上含有するジアミン成分を用いる。ダイマージアミンを上記の量で含有することによって、ポリイミドの誘電特性を改善させるとともに、ポリイミドのガラス転移温度の低温化(低Tg化)による熱圧着特性の改善及び低弾性率化による内部応力を緩和することができる。
(Diamine component)
As a raw material, DDA-based polyimide contains 50 mol parts or more of diamine diamine in which two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with primary aminomethyl groups or amino groups, based on 100 mol parts of the total amount of the diamine component. A diamine component containing 70 mol parts or more is preferably used. By containing dimer diamine in the above amount, the dielectric property of polyimide is improved, the thermocompression bonding property is improved by lowering the glass transition temperature of polyimide (lower Tg), and the internal stress is relaxed by lowering the elastic modulus. can do.
ダイマージアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基(−COOH)が、1級のアミノメチル基(−CH2−NH2)又はアミノ基(−NH2)に置換されてなるジアミンを意味する。ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が11〜22の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸、リノレン酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸(炭素数18)、トリマー酸(炭素数54)、炭素数20〜54の他の重合脂肪酸を含有する。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。ダイマージアミンは、炭素数18〜54の範囲内、好ましくは22〜44の範囲内にある二塩基酸化合物の末端カルボン酸基を1級アミノメチル基又はアミノ基に置換して得られるジアミン化合物、と定義することができる。 Dimerdiamine means a diamine in which two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group (-CH 2- NH 2 ) or an amino group (-NH 2). do. Dimeric acid is a known dibasic acid obtained by the intermolecular polymerization reaction of unsaturated fatty acids, and its industrial production process is almost standardized in the industry, and unsaturated fatty acids having 11 to 22 carbon atoms are used as clay catalysts. It is obtained by dimerizing with. The industrially obtained dimer acid is mainly composed of a dibasic acid having 36 carbon atoms obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 18 carbon atoms such as oleic acid, linoleic acid and linolenic acid. Depending on the degree, it contains an arbitrary amount of monomeric acid (18 carbon atoms), trimeric acid (54 carbon atoms), and other polymerized fatty acids having 20 to 54 carbon atoms. Further, although the double bond remains after the dimerization reaction, in the present invention, the dimer acid is also included in which the degree of unsaturation is lowered by the hydrogenation reaction. Dimerdiamine is a diamine compound obtained by substituting a terminal carboxylic acid group of a dibasic acid compound having a carbon number of 18 to 54, preferably 22 to 44, with a primary aminomethyl group or an amino group. Can be defined as.
ダイマージアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性を付与することができる。すなわち、ダイマージアミンは、分子量約560〜620の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、DDA系ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、DDA系ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電率と誘電正接を小さくして誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、2つの自由に動く炭素数7〜9の疎水鎖と、炭素数18に近い長さを持つ2つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、DDA系ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、DDA系ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、低誘電率化を図ることができると考えられる。 As a characteristic of dimer diamine, it is possible to impart properties derived from the skeleton of dimer acid. That is, since dimer diamine is an aliphatic of macromolecules having a molecular weight of about 560 to 620, the molar volume of the molecule can be increased and the polar groups of the DDA-based polyimide can be relatively reduced. It is considered that such a feature of the dimer acid type diamine contributes to improving the dielectric property by reducing the dielectric constant and the dielectric loss tangent while suppressing the decrease in the heat resistance of the DDA-based polyimide. In addition, since it has two free-moving hydrophobic chains having 7 to 9 carbon atoms and two chain-like aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, it is necessary to give flexibility to the DDA-based polyimide. However, since the DDA-based polyimide can have an asymmetrical chemical structure or a non-planar chemical structure, it is considered that the dielectric constant can be reduced.
本発明で用いるダイマージアミンは、ダイマージアミン以外の成分を低減する目的で精製することが好ましい。精製方法としては、特に制限されないが、蒸留法や沈殿精製等の公知の方法が好適である。精製前のダイマージアミンは、市販品での入手が可能であり、例えばクローダジャパン社製のPRIAMINE1073(商品名)、同PRIAMINE1074(商品名)、同PRIAMINE1075(商品名)等が挙げられる。 The diamine diamine used in the present invention is preferably purified for the purpose of reducing components other than diamine diamine. The purification method is not particularly limited, but a known method such as a distillation method or precipitation purification is preferable. The diamine diamine before purification can be obtained as a commercially available product, and examples thereof include PRIAMINE 1073 (trade name), PRIAMINE 1074 (trade name), and PRIAMINE 1075 (trade name) manufactured by Croda Japan.
DDA系ポリイミドに使用されるダイマージアミン以外のジアミン化合物としては、芳香族ジアミン化合物、脂肪族ジアミン化合物を挙げることができる。それらの具体例としては、1,4−ジアミノベンゼン(p−PDA;パラフェニレンジアミン)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、4−アミノフェニル−4’−アミノベンゾエート(APAB)、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド、4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン、6-アミノ-2-(4-アミノフェノキシ)ベンゾオキサゾール、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン等のジアミン化合物が挙げられる。 Examples of the diamine compound other than the diamine diamine used in the DDA-based polyimide include aromatic diamine compounds and aliphatic diamine compounds. Specific examples thereof include 1,4-diaminobenzene (p-PDA; paraphenylenediamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-n-. Propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 4-aminophenyl-4'-aminobenzoate (APAB), 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [ 4- (3-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane , Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2,2- Bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'- Diaminobiphenyl, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3''-diamino-p-terphenyl, 4,4'-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β) -Methyl-δ-aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2 , 6-diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m -Xylylene diamine, p-xylylene diamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 2'-methoxy-4, 4'-Diaminobenzanilide, 4,4'-Zia Minobensanilide, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 6-amino-2- (4-aminophenoxy) benzoxazole, 1,3-bis (3-aminophenoxy) ) Examples thereof include diamine compounds such as benzene.
DDA系ポリイミドは、上記の酸無水物成分とジアミン成分を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、酸無水物成分とジアミン成分をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜50重量%の範囲内、好ましくは10〜40重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、2−ブタノン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5〜50重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。 The DDA-based polyimide can be produced by reacting the above-mentioned acid anhydride component and diamine component in a solvent to generate polyamic acid, and then heat-closing the ring. For example, the acid anhydride component and the diamine component are dissolved in an organic solvent in approximately equimolar amounts, and the mixture is stirred at a temperature in the range of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 24 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyimide precursor. Polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the precursor produced is in the range of 5 to 50% by weight, preferably in the range of 10 to 40% by weight. Examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -Butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethylsulfate, cyclohexanone, methylcyclohexane, dioxane, tetrahydrofuran, diglime, triglime, methanol, ethanol, benzyl alcohol, cresol and the like can be mentioned. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can be used in combination. The amount of such an organic solvent used is not particularly limited, but it should be adjusted so that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 50% by weight. Is preferable.
合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500mPa・s〜100000mPa・sの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。 The synthesized polyamic acid is usually advantageous to be used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent if necessary. In addition, polyamic acid is generally excellent in solvent solubility, and is therefore advantageously used. The viscosity of the polyamic acid solution is preferably in the range of 500 mPa · s to 100,000 mPa · s. If it is out of this range, defects such as thickness unevenness and streaks are likely to occur in the film during coating work by a coater or the like.
ポリアミド酸をイミド化させてポリイミドを形成させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。また、温度は一定の温度条件で加熱しても良いし、工程の途中で温度を変えることもできる。 The method of imidizing the polyamic acid to form the polyimide is not particularly limited, and for example, a heat treatment such as heating in the solvent under a temperature condition in the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is preferably adopted. Will be done. Further, the temperature may be heated under a constant temperature condition, or the temperature may be changed in the middle of the process.
DDA系ポリイミドにおいて、上記酸無水物成分及びジアミン成分の種類や、2種以上の酸無水物成分又はジアミン成分を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、誘電特性、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、DDA系ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In the DDA-based polyimide, the dielectric property, the coefficient of thermal expansion, and the coefficient of thermal expansion can be determined by selecting the types of the acid anhydride component and the diamine component and the molar ratio of each when two or more kinds of the acid anhydride component or the diamine component are applied. The tensile elastic modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. Further, in the DDA-based polyimide, when a plurality of structural units of polyimide are present, it may exist as a block or randomly, but it is preferable that it exists randomly.
DDA系ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜200,000の範囲内が好ましく、このような範囲内であれば、ポリイミドの重量平均分子量の制御が容易となる。また、例えばFPC用の接着剤として適用する場合、DDA系ポリイミドの重量平均分子量は、20,000〜150,000の範囲内がより好ましく、40,000〜150,000の範囲内が更に好ましい。FPC用の接着剤として適用する場合、DDA系ポリイミドの重量平均分子量が20,000未満である場合、フロー耐性が悪化する傾向となる。一方、DDA系ポリイミドの重量平均分子量が150,000を超えると、過度に粘度が増加して溶剤に不溶になり、塗工作業の際に接着剤層の厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the DDA-based polyimide is preferably in the range of, for example, 10,000 to 200,000, and within such a range, the weight average molecular weight of the polyimide can be easily controlled. Further, for example, when applied as an adhesive for FPC, the weight average molecular weight of the DDA-based polyimide is more preferably in the range of 20,000 to 150,000, and further preferably in the range of 40,000 to 150,000. When applied as an adhesive for FPC, if the weight average molecular weight of the DDA-based polyimide is less than 20,000, the flow resistance tends to deteriorate. On the other hand, when the weight average molecular weight of the DDA-based polyimide exceeds 150,000, the viscosity increases excessively and becomes insoluble in the solvent, causing defects such as uneven thickness of the adhesive layer and streaks during the coating work. It tends to be easy.
DDA系ポリイミドのイミド基濃度は、好ましくは22重量%以下、より好ましくは20重量%以下がよい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)2−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が22重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化し、Tg及び弾性率が上昇する。 The imide group concentration of the DDA-based polyimide is preferably 22% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. Here, the "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide base portion (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 22% by weight, the molecular weight of the resin itself becomes small, the low hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups, and the Tg and elastic modulus increase.
DDA系ポリイミドは、完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、1回反射ATR法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1015cm−1付近のベンゼン環吸収体を基準とし、1780cm−1のイミド基に由来するC=O伸縮の吸光度から算出することができる。 The DDA-based polyimide most preferably has a completely imidized structure. However, a part of the polyimide may be amic acid. The imidization rate is around 1015 cm -1 by measuring the infrared absorption spectrum of the polyimide thin film by the single reflection ATR method using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercially available: FT / IR620 manufactured by JASCO Corporation). It can be calculated from the absorbance of C = O expansion and contraction derived from the imide group of 1780 cm -1 based on the benzene ring absorber of.
DDA系ポリイミドには、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。 Other curing resin components such as plasticizers and epoxy resins, curing agents, curing accelerators, inorganic fillers, coupling agents, fillers, solvents, flame retardants and the like are appropriately added to the DDA-based polyimide as optional components. be able to.
[DDA系ポリイミドの架橋形成]
DDA系ポリイミドがケトン基を有する場合に、該ケトン基と、少なくとも2つの第1級のアミノ基を官能基として有するアミノ化合物(以下、「架橋形成用アミノ化合物」と記すことがある)のアミノ基を反応させてC=N結合を形成させることによって、架橋構造を形成することができる。架橋構造の形成によって、DDA系ポリイミドの耐熱性を向上させることができる。ケトン基を有するDDA系ポリイミドを形成するために好ましいテトラカルボン酸無水物としては、例えば3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)を、ジアミン化合物としては、例えば、4,4’―ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾフェノン(BABP)、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン(BABB)等の芳香族ジアミンを挙げることができる。
[Crosslink formation of DDA-based polyimide]
When the DDA-based polyimide has a ketone group, the amino of the amino compound having the ketone group and at least two primary amino groups as functional groups (hereinafter, may be referred to as "crosslink-forming amino compound"). A crosslinked structure can be formed by reacting the groups to form a C = N bond. By forming the crosslinked structure, the heat resistance of the DDA-based polyimide can be improved. Preferred tetracarboxylic acid anhydrides for forming a DDA-based polyimide having a ketone group include, for example, 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride (BTDA), and diamine compounds include, for example. Aromatic diamines such as 4,4'-bis (3-aminophenoxy) benzophenone (BABP) and 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene (BABB) can be mentioned.
架橋構造を形成させる目的において、特に、全テトラカルボン酸残基に対して、BTDAから誘導されるBTDA残基を、好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%以上含有する上記のDDA系ポリイミド、及び架橋形成用アミノ化合物、を含むことが好ましい。なお、本発明において、「BTDA残基」とは、BTDAから誘導された4価の基のことを意味する。 For the purpose of forming a crosslinked structure, in particular, the above-mentioned DDA system containing BTDA residues derived from BTDA in an amount of preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, based on all tetracarboxylic acid residues. It is preferable to contain polyimide and an amino compound for forming a crosslink. In the present invention, the "BTDA residue" means a tetravalent group derived from BTDA.
架橋形成用アミノ化合物としては、(I)ジヒドラジド化合物、(II)芳香族ジアミン、(III)脂肪族アミン等を例示することができる。これらの中でも、ジヒドラジド化合物が好ましい。ジヒドラジド化合物以外の脂肪族アミンは、室温でも架橋構造を形成しやすく、ワニスの保存安定性の懸念があり、一方、芳香族ジアミンは、架橋構造の形成のために高温にする必要がある。このように、ジヒドラジド化合物を使用した場合は、ワニスの保存安定性と硬化時間の短縮化を両立させることができる。ジヒドラジド化合物としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、ピメリン酸ジヒドラジド、スベリン酸ジヒドラジド、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、ジグリコール酸ジヒドラジド、酒石酸ジヒドラジド、リンゴ酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、2,6−ナフトエ二酸ジヒドラジド、4,4−ビスベンゼンジヒドラジド、1,4−ナフトエ酸ジヒドラジド、2,6−ピリジン二酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジド等のジヒドラジド化合物が好ましい。以上のジヒドラジド化合物は、単独でもよいし、2種類以上混合して用いることもできる。 Examples of the crosslink-forming amino compound include (I) a dihydrazide compound, (II) an aromatic diamine, and (III) an aliphatic amine. Among these, dihydrazide compounds are preferable. Aliphatic amines other than dihydrazide compounds tend to form crosslinked structures even at room temperature, and there is a concern about storage stability of varnishes, while aromatic diamines need to be heated to a high temperature in order to form crosslinked structures. As described above, when the dihydrazide compound is used, both the storage stability of the varnish and the shortening of the curing time can be achieved at the same time. Examples of the dihydrazide compound include dihydrazide oxalic acid, dihydrazide malonate, dihydrazide succinic acid, dihydrazide glutalide, adipic acid dihydrazide, dihydrazide dihydric acid, dihydrazide sberinate, dihydrazide azeline acid, dihydrazide sebacic acid, and dihydrazide sevacinate. Dihydrazide, dihydrazide fumarate, diglycolic acid dihydrazide, tartrate dihydrazide, malic acid dihydrazide, phthalic acid dihydrazide, isophthalic acid dihydrazide, terephthalic acid dihydrazide, 2,6-naphthoediic acid dihydrazide, 4,4-bisbenzenedihydrazide, 1,4 Dihydrazide compounds such as −naphthoic acid dihydrazide, 2,6-pyridinediacid dihydrazide, and itaconic acid dihydrazide are preferred. The above dihydrazide compounds may be used alone or in combination of two or more.
また、上記(I)ジヒドラジド化合物、(II)芳香族ジアミン、(III)脂肪族アミン等のアミノ化合物は、例えば(I)と(II)の組み合わせ、(I)と(III)との組み合わせ、(I)と(II)と(III)との組み合わせのように、カテゴリーを超えて2種以上組み合わせて使用することもできる。 Further, the amino compounds such as (I) dihydrazide compound, (II) aromatic diamine, and (III) aliphatic amine are, for example, a combination of (I) and (II), a combination of (I) and (III), and the like. It is also possible to use two or more types in combination across categories, such as the combination of (I), (II) and (III).
また、架橋形成用アミノ化合物による架橋で形成される網目状の構造をより密にするという観点から、本発明で使用する架橋形成用アミノ化合物は、その分子量(架橋形成用アミノ化合物がオリゴマーの場合は重量平均分子量)が5,000以下であることが好ましく、より好ましくは90〜2,000、更に好ましくは100〜1,500がよい。この中でも、100〜1,000の分子量をもつ架橋形成用アミノ化合物が特に好ましい。架橋形成用アミノ化合物の分子量が90未満になると、架橋形成用アミノ化合物の1つのアミノ基がDDA系ポリイミドのケトン基とC=N結合を形成するにとどまり、残りのアミノ基の周辺が立体的に嵩高くなるために残りのアミノ基はC=N結合を形成しにくい傾向となる。 Further, from the viewpoint of making the network structure formed by cross-linking with the cross-linking amino compound more dense, the cross-linking amino compound used in the present invention has a molecular weight (when the cross-linking amino compound is an oligomer). The weight average molecular weight) is preferably 5,000 or less, more preferably 90 to 2,000, and even more preferably 100 to 1,500. Among these, an amino compound for cross-linking having a molecular weight of 100 to 1,000 is particularly preferable. When the molecular weight of the cross-linking amino compound is less than 90, one amino group of the cross-linking amino compound only forms a C = N bond with the ketone group of the DDA-based polyimide, and the periphery of the remaining amino groups is steric. Since it becomes bulky, the remaining amino groups tend to be difficult to form a C = N bond.
DDA系ポリイミド中のケトン基と架橋形成用アミノ化合物とを架橋形成させる場合は、DDA系ポリイミドを含む樹脂溶液に、上記架橋形成用アミノ化合物を加えて、DDA系ポリイミド中のケトン基と架橋形成用アミノ化合物の第1級アミノ基とを縮合反応させる。この縮合反応により、樹脂溶液は硬化して硬化物となる。この場合、架橋形成用アミノ化合物の添加量は、ケトン基1モルに対し、第1級アミノ基が合計で0.004モル〜1.5モル、好ましくは0.005モル〜1.2モル、より好ましくは0.03モル〜0.9モル、最も好ましくは0.04モル〜0.6モルとすることができる。ケトン基1モルに対して第1級アミノ基が合計で0.004モル未満となるような架橋形成用アミノ化合物の添加量では、架橋形成用アミノ化合物による架橋が十分ではないため、硬化後の耐熱性が発現しにくい傾向となり、架橋形成用アミノ化合物の添加量が1.5モルを超えると未反応の架橋形成用アミノ化合物が熱可塑剤として作用し、接着剤層としての耐熱性を低下させる傾向がある。 When cross-linking the ketone group in the DDA-based polyimide and the cross-linking amino compound, the above-mentioned cross-linking amino compound is added to the resin solution containing the DDA-based polyimide to form a cross-link with the ketone group in the DDA-based polyimide. Condensation reaction with the primary amino group of the amino compound for use. By this condensation reaction, the resin solution is cured to become a cured product. In this case, the amount of the amino compound for forming a bridge is 0.004 mol to 1.5 mol, preferably 0.005 mol to 1.2 mol, in total of the primary amino group with respect to 1 mol of the ketone group. It can be more preferably 0.03 mol to 0.9 mol, and most preferably 0.04 mol to 0.6 mol. If the amount of the cross-linking amino compound added so that the total number of primary amino groups is less than 0.004 mol with respect to 1 mol of the ketone group, the cross-linking by the cross-linking amino compound is not sufficient, and therefore after curing. Heat resistance tends to be difficult to develop, and when the amount of the cross-linking amino compound added exceeds 1.5 mol, the unreacted cross-linking amino compound acts as a thermoplastic agent, and the heat resistance as the adhesive layer is lowered. Tend to let.
架橋形成のための縮合反応の条件は、DDA系ポリイミドにおけるケトン基と上記架橋形成用アミノ化合物の第1級アミノ基が反応してイミン結合(C=N結合)を形成する条件であれば、特に制限されない。加熱縮合の温度は、縮合によって生成する水を系外へ放出させるため、又はDDA系ポリイミドの合成後に引き続いて加熱縮合反応を行なう場合に当該縮合工程を簡略化するため等の理由で、例えば120〜220℃の範囲内が好ましく、140〜200℃の範囲内がより好ましい。反応時間は、30分〜24時間程度が好ましい。反応の終点は、例えばフーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1670cm−1付近のポリイミド樹脂におけるケトン基に由来する吸収ピークの減少又は消失、及び1635cm−1付近のイミン基に由来する吸収ピークの出現により確認することができる。 The conditions for the condensation reaction for crosslink formation are as long as the ketone group in the DDA-based polyimide reacts with the primary amino group of the crosslink-forming amino compound to form an imine bond (C = N bond). There are no particular restrictions. The temperature of the heat condensation is, for example, 120 for the purpose of releasing the water generated by the condensation to the outside of the system, or for simplifying the condensation step when the heat condensation reaction is subsequently carried out after the synthesis of the DDA-based polyimide. The range of about 220 ° C. is preferable, and the range of 140 to 200 ° C. is more preferable. The reaction time is preferably about 30 minutes to 24 hours. The end point of the reaction is the absorption derived from the ketone group in the polyimide resin near 1670 cm -1 by measuring the infrared absorption spectrum using, for example, a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercially available product: FT / IR620 manufactured by JASCO Corporation). It can be confirmed by the decrease or disappearance of the peak and the appearance of the absorption peak derived from the imine group near 1635 cm-1.
DDA系ポリイミドのケトン基と上記架橋形成用アミノ化合物の第1級のアミノ基との加熱縮合は、例えば、
(1)DDA系ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、架橋形成用アミノ化合物を添加して加熱する方法、
(2)ジアミン成分として予め過剰量のアミノ化合物を仕込んでおき、DDA系ポリイミドの合成(イミド化)に引き続き、イミド化若しくはアミド化に関与しない残りのアミノ化合物を架橋形成用アミノ化合物として利用してDDA系ポリイミドとともに加熱する方法、
又は、
(3)上記の架橋形成用アミノ化合物を添加したDDA系ポリイミドの組成物を所定の形状に加工した後(例えば任意の基材に塗布した後やフィルム状に形成した後)に加熱する方法、
等によって行うことができる。
The thermal condensation of the ketone group of the DDA-based polyimide and the primary amino group of the above-mentioned cross-linking amino compound is, for example,
(1) A method of adding an amino compound for cross-linking and heating following the synthesis (imidization) of DDA-based polyimide.
(2) An excess amount of an amino compound is charged in advance as a diamine component, and following the synthesis (imidization) of the DDA-based polyimide, the remaining amino compound that is not involved in imidization or amidization is used as an amino compound for cross-linking. Method of heating with DDA-based polyimide,
Or
(3) A method of heating a DDA-based polyimide composition to which the above-mentioned cross-linking amino compound is added after processing it into a predetermined shape (for example, after applying it to an arbitrary substrate or forming it into a film).
It can be done by such as.
DDA系ポリイミドの耐熱性付与のため、架橋構造の形成でイミン結合の形成を説明したが、これに限定されるものではなく、ポリイミドの硬化方法として、例えばエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、マレイミドや活性化エステル樹脂やスチレン骨格を有する樹脂等の不飽和結合を有する化合物等を配合し硬化することも可能である。 In order to impart heat resistance to DDA-based polyimide, the formation of imine bonds was described in the formation of a crosslinked structure, but the present invention is not limited to this, and examples of the polyimide curing method include epoxy resin, epoxy resin curing agent, maleimide, and the like. It is also possible to blend and cure a compound having an unsaturated bond such as an activated ester resin or a resin having a styrene skeleton.
[寸法精度維持層]
寸法精度維持層PLは、金属張積層板10の機械的強度を維持するため、100℃から250℃の温度領域での貯蔵弾性率の最小値が1.0〜8.0GPaの範囲内であることが好ましく、2.0〜6.0GHzの範囲内がより好ましい。寸法精度維持層PLの貯蔵弾性率の最小値が1.0GPa未満では十分な機械的強度と回路加工後の寸法精度が得られない。貯蔵弾性率の最小値が8.0GPaを超える場合は、積層プレスする際に反りが発生し易くなる。
[Dimensional accuracy maintenance layer]
In order to maintain the mechanical strength of the metal-clad
また、寸法精度維持層PLは、金属張積層板10を回路加工したときの寸法精度を維持するため、熱膨張係数(CTE)が15〜25ppm/Kの範囲内であることが好ましく、16〜23ppm/Kの範囲内がより好ましい。寸法精度維持層PLのCTEが15ppm/K未満では、金属張積層板10に反りが発生し易くなり、25ppm/Kを超えると回路加工後の寸法精度が得られない。
Further, in order to maintain the dimensional accuracy of the metal-clad
寸法精度維持層PLは、電気的絶縁性を有する樹脂により構成されるものであれば特に限定はなく、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン、ETFEなどを挙げることができるが、ポリイミドによって構成されることが好ましい。つまり、寸法精度維持層PLは、単層又は複数層からなる低熱膨張性ポリイミド層であることが好ましい。 The dimensional accuracy maintenance layer PL is not particularly limited as long as it is composed of a resin having an electrically insulating property, and for example, polyimide, epoxy resin, phenol resin, polyethylene, polypropylene, polytetrafluoroethylene, silicone, ETFE, etc. can be used. Although it can be mentioned, it is preferably composed of polyimide. That is, the dimensional accuracy maintenance layer PL is preferably a low thermal expansion polyimide layer composed of a single layer or a plurality of layers.
寸法精度維持層PLが単層のポリイミド層である場合、後述する非熱可塑性ポリイミド層31と同様の構成とすることができる。単層のポリイミド層としては、例えば、カプトンEN(商品名;東レ・デュポン社製)、アピカルNPI(商品名;カネカ社製)などの市販品を用いることができる。 When the dimensional accuracy maintenance layer PL is a single-layer polyimide layer, it can have the same configuration as the non-thermoplastic polyimide layer 31 described later. As the single-layer polyimide layer, for example, commercially available products such as Kapton EN (trade name: manufactured by Toray DuPont) and Apical NPI (trade name: manufactured by Kaneka Corporation) can be used.
寸法精度維持層PLが複数のポリイミド層からなる場合、寸法精度維持層PLは、例えば、図4に示すように、樹脂成分として非熱可塑性ポリイミドを含む非熱可塑性ポリイミド層31の両側に樹脂成分として熱可塑性ポリイミドを含む熱可塑性ポリイミド層33が積層された構造であってもよい。なお、「非熱可塑性ポリイミド」とは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×109Pa以上であり、350℃における貯蔵弾性率が1.0×108Pa以上であるポリイミドをいう。また、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×109Pa以上であり、350℃における貯蔵弾性率が1.0×108Pa未満であるポリイミドをいう。 When the dimensional accuracy maintaining layer PL is composed of a plurality of polyimide layers, for example, as shown in FIG. 4, the dimensional accuracy maintaining layer PL contains resin components on both sides of the non-thermoplastic polyimide layer 31 containing the non-thermoplastic polyimide as the resin component. The structure may be such that the thermoplastic polyimide layer 33 containing the thermoplastic polyimide is laminated. The "non-thermoplastic polyimide" is a polyimide that generally does not soften or show adhesiveness even when heated, but in the present invention, it was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). A polyimide having a storage elastic modulus of 1.0 × 10 9 Pa or more at ° C. and a storage elastic modulus of 1.0 × 10 8 Pa or more at 350 ° C. Further, the "thermoplastic polyimide" is generally a polyimide in which the glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed, but in the present invention, the storage elastic modulus at 30 ° C. measured using DMA is 1.0. A polyimide having a storage elastic modulus of × 10 9 Pa or more and a storage elastic modulus at 350 ° C. of less than 1.0 × 10 8 Pa.
次に、寸法精度維持層PLを構成するための非熱可塑性ポリイミド層31及び熱可塑性ポリイミド層33の好ましい構成例について説明する。 Next, a preferable configuration example of the non-thermoplastic polyimide layer 31 and the thermoplastic polyimide layer 33 for forming the dimensional accuracy maintenance layer PL will be described.
非熱可塑性ポリイミド層:
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含むものである。ポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される芳香族テトラカルボン酸残基及び芳香族ジアミンから誘導される芳香族ジアミン残基を含むことが好ましい。
Non-thermoplastic polyimide layer:
The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 31 contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue. The polyimide preferably contains an aromatic tetracarboxylic acid residue derived from an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine residue derived from an aromatic diamine.
(テトラカルボン酸残基)
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基として、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)及び1,4-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル)二無水物(TAHQ)の少なくとも1種から誘導されるテトラカルボン酸残基並びにピロメリット酸二無水物(PMDA)及び2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)の少なくとも1種から誘導されるテトラカルボン酸残基を含有することが好ましい。
(Tetracarboxylic acid residue)
The non-plastic polyimide constituting the non-plastic polyimide layer 31 has 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 1,4-phenylenebis (TPDA) as tetracarboxylic acid residues. Trimellitic acid monoester) A tetracarboxylic acid residue derived from at least one of the dianhydride (TAHQ) and a pyromellitic dianhydride (PMDA) and 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride. It preferably contains a tetracarboxylic dian residue derived from at least one of the substances (NTCDA).
BPDAから誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「BPDA残基」ともいう。)及びTAHQから誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「TAHQ残基」ともいう。)は、ポリマーの秩序構造を形成しやすく、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させることができる。BPDA残基は、ポリイミド前駆体のポリアミド酸としてのゲル膜の自己支持性を付与できるが、その一方で、イミド化後のCTEを増大させるとともに、ガラス転移温度を低くして耐熱性を低下させる傾向になる。 The tetracarboxylic acid residue derived from BPDA (hereinafter, also referred to as “BPDA residue”) and the tetracarboxylic acid residue derived from TAHQ (hereinafter, also referred to as “TAHQ residue”) are in the order of the polymer. It is easy to form a structure, and the dielectric positivity and hygroscopicity can be reduced by suppressing the movement of molecules. The BPDA residue can impart the self-supporting property of the gel film as the polyamic acid of the polyimide precursor, but on the other hand, it increases the CTE after imidization and lowers the glass transition temperature to lower the heat resistance. It becomes a tendency.
このような観点から、非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドが、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、BPDA残基及びTAHQ残基の合計を好ましくは30モル部以上60モル部以下の範囲内、より好ましくは40モル部以上50モル部以下の範囲内で含有するように制御する。BPDA残基及びTAHQ残基の合計が30モル部未満では、ポリマーの秩序構造の形成が不十分となって、耐吸湿性が低下したり、誘電正接の低減が不十分となり、60モル部を超えると、CTEの増加や面内リタデーション(RO)の変化量の増大のほか、耐熱性が低下したりするおそれがある。 From this point of view, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 31 preferably contains 30 mol parts of the total of BPDA residues and TAHQ residues with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. The content is controlled to be contained in the range of 60 mol parts or more, more preferably 40 mol parts or more and 50 mol parts or less. If the total of the BPDA residue and the TAHQ residue is less than 30 mol parts, the formation of the ordered structure of the polymer becomes insufficient, the moisture absorption resistance is lowered, and the reduction of the dielectric loss tangent is insufficient, and 60 mol parts is formed. If it exceeds, the CTE may increase, the amount of change in in-plane retardation (RO) may increase, and the heat resistance may decrease.
また、ピロメリット酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「PMDA残基」ともいう。)及び2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「NTCDA残基」ともいう。)は、剛直性を有するため、面内配向性を高め、CTEを低く抑えるとともに、面内リタデーション(RO)の制御や、ガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。一方で、PMDA残基は、分子量が小さいため、その量が多くなり過ぎると、ポリマーのイミド基濃度が高くなり、極性基が増加して吸湿性が大きくなってしまい、分子鎖内部の水分の影響により誘電正接が増加する。また、NTCDA残基は、剛直性が高いナフタレン骨格によりフィルムが脆くなりやすく、弾性率を増大させる傾向になる。
そのため、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、PMDA残基及びNTCDA残基の合計を好ましくは40モル部以上70モル部以下の範囲内、より好ましくは50モル部以上60モル部以下の範囲内、さらに好ましくは50〜55モル部の範囲内で含有する。PMDA残基及びNTCDA残基の合計が40モル部未満では、CTEが増加したり、耐熱性が低下したりするおそれがあり、70モル部を超えると、ポリマーのイミド基濃度が高くなり、極性基が増加して低吸湿性が損なわれ、誘電正接が増加するおそれやフィルムが脆くなりフィルムの自己支持性が低下するおそれがある。
Further, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (hereinafter, also referred to as “PMDA residue”) and a tetra derived from 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride. Since the carboxylic acid residue (hereinafter, also referred to as "NTCDA residue") has rigidity, it enhances in-plane orientation, suppresses CTE to a low level, controls in-plane retardation (RO), and controls the glass transition temperature. It is a residue that plays a role in controlling. On the other hand, since PMDA residues have a small molecular weight, if the amount is too large, the imide group concentration of the polymer will increase, the polar groups will increase, and the hygroscopicity will increase, and the water content inside the molecular chain will increase. The dielectric positive tangent increases due to the influence. In addition, the NTCDA residue tends to make the film brittle due to the highly rigid naphthalene skeleton, and tends to increase the elastic modulus.
Therefore, in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer, the total of PMDA residues and NTCDA residues is preferably 40 mol parts or more and 70 mol parts or less with respect to 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. It is contained in the range of 50 mol parts or more and 60 mol parts or less, more preferably 50 to 55 mol parts or less. If the total of PMDA residues and NTCDA residues is less than 40 mol parts, CTE may increase or heat resistance may decrease, and if it exceeds 70 mol parts, the imide group concentration of the polymer becomes high and the polarity The number of groups increases and the low moisture absorption property is impaired, which may increase the dielectric adduct and the film may become brittle and the self-supporting property of the film may decrease.
また、BPDA残基及びTAHQ残基の少なくとも1種並びにPMDA残基及びNTCDA残基の少なくとも1種の合計が、全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して80モル部以上、好ましくは90モル部以上であることがよい。 Further, the total of at least one BPDA residue and TAHQ residue and at least one PMDA residue and NTCDA residue is 80 mol parts or more, preferably 90 parts or more, based on 100 mol parts of all tetracarboxylic acid residues. It is preferably a molar portion or more.
また、BPDA残基及びTAHQ残基の少なくとも1種と、PMDA残基及びNTCDA残基少なくとも1種のモル比{(BPDA残基+TAHQ残基)/(PMDA残基+NTCDA残基)}を0.4以上1.5以下の範囲内、好ましくは0.6以上1.3以下の範囲内、より好ましくは0.8以上1.2以下の範囲内とし、CTEとポリマーの秩序構造の形成を制御することがよい。 Further, the molar ratio of at least one BPDA residue and TAHQ residue to at least one PMDA residue and NTCDA residue {(BPDA residue + TAHQ residue) / (PMDA residue + NTCDA residue)} is 0. Within the range of 4 or more and 1.5 or less, preferably within the range of 0.6 or more and 1.3 or less, more preferably within the range of 0.8 or more and 1.2 or less, and control the formation of the ordered structure of CTE and the polymer. It is good to do.
PMDA及びNTCDAは、剛直骨格を有するため、他の一般的な酸無水物成分に比べて、ポリイミド中の分子の面内配向性の制御が可能であり、熱膨張係数(CTE)の抑制とガラス転移温度(Tg)の向上効果がある。また、BPDA及びTAHQは、PMDAと比較し分子量が大きいため、仕込み比率の増加によりイミド基濃度が低下することで、誘電正接の低下や吸湿率の低下に効果がある。一方でBPDA及びTAHQの仕込み比率が増加すると、ポリイミド中の分子の面内配向性が低下し、CTEの増加に繋がる。さらに分子内の秩序構造の形成が進み、ヘイズ値が増加する。このような観点から、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量は、原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、40〜70モル部の範囲内、好ましくは50〜60モル部の範囲内、より好ましくは50〜55モル部の範囲内がよい。原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量が40モル部未満であると、分子の面内配向性が低下し、低CTE化が困難となり、またTgの低下による加熱時におけるフィルムの耐熱性や寸法安定性が低下する。一方、PMDA及びNTCDAの合計の仕込み量が70モル部を超えると、イミド基濃度の増加により吸湿率が悪化したり、弾性率を増大させる傾向になる。 Since PMDA and NTCDA have a rigid skeleton, it is possible to control the in-plane orientation of molecules in polyimide as compared with other general acid anhydride components, and suppress the coefficient of thermal expansion (CTE) and glass. It has the effect of improving the transition temperature (Tg). Further, since BPDA and TAHQ have a larger molecular weight than PMDA, the imide group concentration decreases as the charging ratio increases, which is effective in reducing the dielectric loss tangent and the hygroscopicity. On the other hand, when the charging ratio of BPDA and TAHQ increases, the in-plane orientation of the molecules in the polyimide decreases, which leads to an increase in CTE. Furthermore, the formation of an ordered structure in the molecule progresses, and the haze value increases. From this point of view, the total amount of PMDA and NTCDA charged is in the range of 40 to 70 mol parts, preferably in the range of 50 to 60 mol parts, with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material. More preferably, it is in the range of 50 to 55 mol parts. If the total amount of PMDA and NTCDA charged is less than 40 mol parts with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material, the in-plane orientation of the molecule is lowered, it becomes difficult to reduce the CTE, and Tg. The heat resistance and dimensional stability of the film during heating are reduced due to the decrease in temperature. On the other hand, when the total amount of PMDA and NTCDA charged exceeds 70 mol parts, the hygroscopicity tends to deteriorate or the elastic modulus tends to increase due to the increase in the imide group concentration.
また、BPDA及びTAHQは、分子運動の抑制やイミド基濃度の低下による低誘電正接化、吸湿率低下に効果があるが、イミド化後のポリイミドフィルムとしてのCTEを増大させる。このような観点から、BPDA及びTAHQの合計の仕込み量は、原料の全酸無水物成分の100モル部に対し、30〜60モル部の範囲内、好ましくは40〜50モル部の範囲内がよい。 Further, BPDA and TAHQ are effective in suppressing molecular motion, lowering the dielectric loss tangent by lowering the imide group concentration, and lowering the hygroscopicity, but increase the CTE as a polyimide film after imidization. From this point of view, the total amount of BPDA and TAHQ charged is in the range of 30 to 60 mol parts, preferably in the range of 40 to 50 mol parts, with respect to 100 mol parts of the total acid anhydride component of the raw material. good.
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれる、上記BPDA残基、TAHQ残基、PMDA残基、NTCDA残基以外のテトラカルボン酸残基としては、例えば、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 Examples of the tetracarboxylic acid residue other than the BPDA residue, TAHQ residue, PMDA residue, and NTCDA residue contained in the non-thermal polyimide constituting the non-thermal polyimide layer 31 include 3,3', 4,4'-Diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid anhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2', 3,3 '-, 2,3,3', 4'-or 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, Bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3'', 4,4''-, 2,3,3'', 4''-or 2,2'', 3,3 '' -P-Terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-) Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfonate dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethanedi Anhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetracarboxylic acid Dianhydride 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid Dianhydride 1,4,5,8-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride 4,8-Dimethyl-1,2,3,5,6,7-Hexahydronaphthalene-1,2,5,6- Tetracarboxylic acid dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-(or 1,4,5, 8-) Tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-(or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride 2,3,8,9-,3,4,9,10- 4,5,10,11-or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3 , 5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4' -Bis (2,3- Dicarboxyphenoxy) Examples thereof include tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as diphenylmethane dianhydride and ethylene glycol bisamhydrotrimeritate.
(ジアミン残基)
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。
(Diamine residue)
As the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 31, a diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (A1) is preferable.
式(A1)において、連結基Zは単結合又は−COO−を示し、Yは独立に、ハロゲン原子若しくはフェニル基で置換されてもよい炭素数1〜3の1価の炭化水素、又は炭素数1〜3のアルコキシ基、又は炭素数1〜3のパーフルオロアルキル基、又はアルケニル基を示し、nは0〜2の整数を示し、p及びqは独立に0〜4の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式(A1)において、複数の置換基Y、さらに整数p、qが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式(A1)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば−NR2R3(ここで、R2,R3は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the formula (A1), the linking group Z represents a single bond or −COO−, and Y is a monovalent hydrocarbon having 1 to 3 carbon atoms which may be independently substituted with a halogen atom or a phenyl group, or a carbon number of carbon atoms. It represents an alkoxy group of 1 to 3 or a perfluoroalkyl group or an alkenyl group having 1 to 3 carbon atoms, n represents an integer of 0 to 2, and p and q independently represent an integer of 0 to 4. Here, "independently" means that, in the above formula (A1), a plurality of substituents Y and further integers p and q may be the same or different. In the above formula (A1), the hydrogen atom in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (where R 2 and R 3 are independently alkyl groups and the like. It may mean any substituent).
一般式(A1)で表されるジアミン化合物(以下、「ジアミン(A1)」と記すことがある)は、1ないし3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。ジアミン(A1)は、剛直構造を有しているため、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有している。そのため、ガス透過性が低く、低吸湿性のポリイミドが得られ、分子鎖内部の水分を低減できるため、誘電正接を下げることができる。ここで、連結基Zとしては、単結合が好ましい。 The diamine compound represented by the general formula (A1) (hereinafter, may be referred to as “diamine (A1)”) is an aromatic diamine having 1 to 3 benzene rings. Since the diamine (A1) has a rigid structure, it has an action of imparting an ordered structure to the entire polymer. Therefore, a polyimide having low gas permeability and low hygroscopicity can be obtained, and the water content inside the molecular chain can be reduced, so that the dielectric loss tangent can be lowered. Here, as the linking group Z, a single bond is preferable.
ジアミン(A1)としては、例えば、1,4−ジアミノベンゼン(p−PDA;パラフェニレンジアミン)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、4−アミノフェニル−4’−アミノベンゾエート(APAB)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (A1) include 1,4-diaminobenzene (p-PDA; para-phenylenediamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-. Examples thereof include n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB) and 4-aminophenyl-4'-aminobenzoate (APAB).
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドは、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン残基の100モル部に対して、好ましくは80モル部以上、より好ましくは85モル部以上含有することがよい。ジアミン(A1)を上記範囲内の量で使用することによって、モノマー由来の剛直構造により、ポリマー全体に秩序構造が形成されやすくなり、ガス透過性が低く、低吸湿性、かつ低誘電正接である非熱可塑性ポリイミドが得られやすい。 The non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 31 contains the diamine residue derived from the diamine (A1) in an amount of preferably 80 mol parts or more, more preferably 80 mol parts or more, based on 100 mol parts of the total diamine residues. It is preferable to contain 85 mol parts or more. By using the diamine (A1) in an amount within the above range, the rigid structure derived from the monomer facilitates the formation of an ordered structure throughout the polymer, resulting in low gas permeability, low hygroscopicity, and low dielectric loss tangent. Non-thermoplastic polyimide can be easily obtained.
また、非熱可塑性ポリイミドにおける全ジアミン残基の100モル部に対して、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基が80モル部以上85モル部以下の範囲内である場合は、より剛直であり、面内配向性に優れる構造であるという観点から、ジアミン(A1)として、1,4−ジアミノベンゼンを用いることが好ましい。 Further, when the diamine residue derived from diamine (A1) is in the range of 80 mol parts or more and 85 mol parts or less with respect to 100 mol parts of all diamine residues in the non-thermoplastic polyimide, it is more rigid. It is preferable to use 1,4-diaminobenzene as the diamine (A1) from the viewpoint of the structure having excellent in-plane orientation.
非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドに含まれるその他のジアミン残基としては、例えば、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2'-メトキシ-4,4'-ジアミノベンズアニリド、4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン、6-アミノ-2-(4-アミノフェノキシ)ベンゾオキサゾール等の芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミン等の脂肪族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。 Examples of other diamine residues contained in the non-thermal polyimide constituting the non-thermal polyimide layer 31 include 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane and bis [4- ( 3-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [ 4- (3-Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2,2-bis- [ 4- (4-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 3,3'-diaminodiphenylethane, 3,3 '-Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 3,3''-diamino-p-terphenyl, 4,4'-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4 '-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl- δ-Aminopentyl) benzene, p-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6- Diaminonaphthalene, 2,4-bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylene Amine, p-xylylene diamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 2'-methoxy-4,4'- Diaminobenzanilide, 4,4'-diaminobenzanilide, 1,3-bis [2- (4-aminophenyl) -2-propyl] benzene, 6-amino-2- (4-aminophenoxy) benzoxazole, etc. From aromatic diamine compounds Examples include the derived diamine residue and the diamine residue derived from an aliphatic diamine compound such as a dimer acid type diamine in which the two terminal carboxylic acid groups of dimer acid are replaced with a primary aminomethyl group or an amino group. Be done.
非熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、貯蔵弾性率、引張弾性率等を制御することができる。また、非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、面内リタデーション(RO)のばらつきを抑制する観点から、ランダムに存在することが好ましい。 In non-thermoplastic polyimide, thermal expansion is performed by selecting the types of the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue and the molar ratio of each when two or more kinds of tetracarboxylic acid residues or diamine residues are applied. The coefficient, storage elastic modulus, tensile elastic modulus, etc. can be controlled. Further, in the non-thermoplastic polyimide, when a plurality of structural units of polyimide are present, they may exist as blocks or randomly, but they are random from the viewpoint of suppressing variation in in-plane retardation (RO). It is preferable to be present in.
なお、非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を、いずれも芳香族基とすることで、ポリイミドフィルムの高温環境下での寸法精度を向上させ、面内リタデーション(RO)の変化量を小さくすることができるため好ましい。 By using both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide as aromatic groups, the dimensional accuracy of the polyimide film in a high temperature environment is improved, and in-plane retardation (RO) is performed. It is preferable because the amount of change in is small.
非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、33%以下であることが好ましく、32%以下であることがより好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)2−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が33%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、非熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide is preferably 33% or less, more preferably 32% or less. Here, the "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide base portion (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 33%, the molecular weight of the resin itself becomes small, and the decrease in hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups. By selecting the combination of the acid anhydride and the diamine compound, the orientation of the molecules in the non-thermoplastic polyimide is controlled, thereby suppressing the increase in CTE due to the decrease in the imide group concentration and ensuring low hygroscopicity. ing.
非熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the non-thermoplastic polyimide is preferably in the range of, for example, 10,000 to 400,000, and more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film is lowered and the film tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as film thickness unevenness and streaks tend to occur during the coating operation.
非熱可塑性ポリイミド層31の厚みは、ベース層としての機能を確保し、且つ製造時および熱可塑性ポリイミド塗工時の搬送性の観点から、6μm以上100μm以下の範囲内であることが好ましく、9μm以上50μm以下の範囲内がより好ましい。非熱可塑性ポリイミド層31の厚みが上記の下限値未満である場合、電気絶縁性やハンドリング性が不十分となり、上限値を超えると、生産性が低下する。 The thickness of the non-thermoplastic polyimide layer 31 is preferably in the range of 6 μm or more and 100 μm or less, preferably 9 μm, from the viewpoint of ensuring the function as a base layer and transportability during manufacturing and coating with the thermoplastic polyimide. It is more preferably in the range of 50 μm or more. If the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer 31 is less than the above lower limit value, the electrical insulation and handleability will be insufficient, and if it exceeds the upper limit value, the productivity will decrease.
非熱可塑性ポリイミド層31は、耐熱性の観点から、ガラス転移温度(Tg)が280℃以上であることが好ましい。 From the viewpoint of heat resistance, the non-thermoplastic polyimide layer 31 preferably has a glass transition temperature (Tg) of 280 ° C. or higher.
また、反りを抑制する観点から、非熱可塑性ポリイミド層31の熱膨張係数は、1pm/K以上30ppm/K以下の範囲内、好ましくは1ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内にあることがよい。 Further, from the viewpoint of suppressing warpage, the coefficient of thermal expansion of the non-thermoplastic polyimide layer 31 is in the range of 1 pm / K or more and 30 ppm / K or less, preferably in the range of 1 ppm / K or more and 25 ppm / K or less, more preferably. It is preferably in the range of 15 ppm / K or more and 25 ppm / K or less.
また、非熱可塑性ポリイミド層31を構成する非熱可塑性ポリイミドには、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。ただし、可塑剤には、極性基を多く含有するものがあり、それが銅配線からの銅の拡散を助長する懸念があるため、可塑剤は極力使用しないことが好ましい。 Further, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer 31 includes, as optional components, other curing resin components such as a plasticizer and an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, a coupling agent, a filler, and the like. A solvent, a flame retardant, etc. can be appropriately blended. However, some plasticizers contain a large amount of polar groups, which may promote the diffusion of copper from the copper wiring. Therefore, it is preferable not to use the plasticizer as much as possible.
熱可塑性ポリイミド層:
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含むものであり、芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される芳香族テトラカルボン酸残基及び芳香族ジアミンから誘導される芳香族ジアミン残基を含むことが好ましい。
Thermoplastic polyimide layer:
The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33 contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and the aromatic tetracarboxylic acid residue and the aromatic are derived from the aromatic tetracarboxylic dianhydride. It preferably contains an aromatic diamine residue derived from the diamine.
(テトラカルボン酸残基)
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドに用いるテトラカルボン酸残基としては、上記非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドにおけるテトラカルボン酸残基として例示したものと同様のものを用いることができる。
(Tetracarboxylic acid residue)
As the tetracarboxylic dian residue used for the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33, the same one as exemplified as the tetracarboxylic dian residue in the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer is used. be able to.
(ジアミン残基)
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式(B1)〜(B7)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が好ましい。
(Diamine residue)
As the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33, a diamine residue derived from a diamine compound represented by the general formulas (B1) to (B7) is preferable.
式(B1)〜(B7)において、R1は独立に炭素数1〜6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、連結基Aは独立に−O−、−S−、−CO−、−SO−、−SO2−、−COO−、−CH2−、−C(CH3)2−、−NH−若しくは−CONH−から選ばれる2価の基を示し、n1は独立に0〜4の整数を示す。ただし、式(B3)中から式(B2)と重複するものは除き、式(B5)中から式(B4)と重複するものは除くものとする。ここで、「独立に」とは、上記式(B1)〜(B7)の内の一つにおいて、または二つ以上において、複数の連結基A、複数のR1若しくは複数のn1が、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式(B1)〜(B7)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば−NR2R3(ここで、R2,R3は、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the formulas (B1) to (B7), R 1 independently represents a monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the linking group A independently represents -O-, -S-, and -CO-. , -SO-, -SO 2- , -COO-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -NH- or -CONH-, indicating a divalent group, n 1 being independent. Indicates an integer from 0 to 4. However, the formula (B3) that overlaps with the formula (B2) is excluded, and the formula (B5) that overlaps with the formula (B4) is excluded. Here, "independently", in one of the above formulas (B1) ~ (B7), or in two or more, a plurality of linking groups A, a plurality of R 1 or a plurality of n 1, the same However, it means that it may be different. In the above formulas (B1) to (B7), the hydrogen atom in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 2 R 3 (here, R 2 and R 3 are independent. It may mean any substituent such as an alkyl group).
式(B1)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B1)」と記すことがある)は、2つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B1)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B1)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−、−CH2−、−C(CH3)2−、−CO−、−SO2−、−S−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B1) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B1)") is an aromatic diamine having two benzene rings. This diamine (B1) has a high degree of flexibility due to an increase in the degree of freedom of the polyimide molecular chain by having an amino group directly linked to at least one benzene ring and a divalent linking group A at the meta position. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B1) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -SO 2- , -S- are preferable.
ジアミン(B1)としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B1) include 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 3,3'-diamino. Diphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminobenzophenone, (3,3'- Bisamino) diphenylamine and the like can be mentioned.
式(B2)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B2)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B2)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B2)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B2) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B2)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B2) has a high degree of flexibility due to an increase in the degree of freedom of the polyimide molecular chain by having an amino group directly linked to at least one benzene ring and a divalent linking group A at the meta position. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B2) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.
ジアミン(B2)としては、例えば1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B2) include 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzeneamine, and 3- [3- (4-aminophenoxy) phenoxy]. Benzene amine and the like can be mentioned.
式(B3)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B3)」と記すことがある)は、3つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B3)は、1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B3)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B3) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B3)") is an aromatic diamine having three benzene rings. This diamine (B3) has two divalent linking groups A directly linked to one benzene ring at the meta position of each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and the diamine has high flexibility. Therefore, it is considered that it contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B3) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.
ジアミン(B3)としては、例えば1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B3) include 1,3-bis (4-aminophenyloxy) benzene (TPE-R), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), and 4,4'-[2-]. Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[4-methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[5-methyl- (1,3-phenylene) ) Benzene] Bisaniline and the like can be mentioned.
式(B4)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B4)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B4)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Aとがメタ位にあることで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B4)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−、−CH2−、−C(CH3)2−、−SO2−、−CO−、−CONH−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B4) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B4)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B4) has high flexibility because the amino group directly linked to at least one benzene ring and the divalent linking group A are in the meta position, which improves the flexibility of the polyimide molecular chain. It is thought to contribute. Therefore, the use of diamine (B4) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -O-, -CH 2- , -C (CH 3 ) 2- , -SO 2- , -CO-, and -CONH- are preferable.
ジアミン(B4)としては、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド等を挙げることができる。 Diamines (B4) include bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, and bis. [4- (3-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4,4'-(3-aminophenoxy)] benzanilide and the like can be mentioned.
式(B5)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B5)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B5)は、少なくとも1つのベンゼン環に直結した、2つの2価の連結基Aが互いにメタ位にあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B5)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B5) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B5)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B5) has two divalent linking groups A directly linked to at least one benzene ring at the meta position of each other, so that the degree of freedom of the polyimide molecular chain is increased and the diamine has high flexibility. It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B5) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.
ジアミン(B5)としては、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B5) include 4- [3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] phenoxy] aniline and 4,4'-[oxybis (3,1-phenyleneoxy)] bisaniline. ..
式(B6)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B6)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B6)は、少なくとも2つのエーテル結合を有することで高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B6)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−C(CH3)2−、−O−、−SO2−、−CO−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B6) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B6)") is an aromatic diamine having four benzene rings. This diamine (B6) has high flexibility by having at least two ether bonds, and is considered to contribute to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B6) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, -C (CH 3 ) 2- , -O-, -SO 2- , and -CO- are preferable.
ジアミン(B6)としては、例えば、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B6) include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether (BAPE), and bis [4). -(4-Aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone (BAPK) and the like can be mentioned.
式(B7)で表されるジアミン(以下、「ジアミン(B7)」と記すことがある)は、4つのベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(B7)は、ジフェニル骨格の両側に、それぞれ屈曲性の高い2価の連結基Aを有するため、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与すると考えられる。従って、ジアミン(B7)を用いることで、ポリイミドの熱可塑性が高まる。ここで、連結基Aとしては、−O−が好ましい。 The diamine represented by the formula (B7) (hereinafter, may be referred to as "diamine (B7)") is an aromatic diamine having four benzene rings. Since this diamine (B7) has highly flexible divalent linking groups A on both sides of the diphenyl skeleton, it is considered to contribute to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain. Therefore, the use of diamine (B7) enhances the thermoplasticity of the polyimide. Here, as the linking group A, —O— is preferable.
ジアミン(B7)としては、例えば、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル等を挙げることができる。 Examples of the diamine (B7) include bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl and bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl.
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドは、全ジアミン残基の100モル部に対して、ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)から選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を60モル部以上、好ましくは60モル部以上99モル部以下の範囲内、より好ましくは70モル部以上95モル部以下の範囲内で含有することがよい。ジアミン(B1)〜ジアミン(B7)は、屈曲性を有する分子構造を持つため、これらから選ばれる少なくとも一種のジアミン化合物を上記範囲内の量で使用することによって、ポリイミド分子鎖の柔軟性を向上させ、熱可塑性を付与することができる。原料中のジアミン(B1)〜ジアミン(B7)の合計量が全ジアミン成分の100モル部に対して60モル部未満であるとポリイミド樹脂の柔軟性不足で十分な熱可塑性が得られない。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33 contains diamine residues derived from at least one diamine compound selected from diamines (B1) to diamines (B7) with respect to 100 mol parts of all diamine residues. It may be contained in an amount of 60 mol parts or more, preferably 60 mol parts or more and 99 mol parts or less, and more preferably 70 mol parts or more and 95 mol parts or less. Since diamines (B1) to diamines (B7) have a flexible molecular structure, the flexibility of the polyimide molecular chain is improved by using at least one diamine compound selected from these in an amount within the above range. And can impart thermoplasticity. If the total amount of diamine (B1) to diamine (B7) in the raw material is less than 60 mol parts with respect to 100 mol parts of the total diamine component, sufficient thermoplasticity cannot be obtained due to insufficient flexibility of the polyimide resin.
また、熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、一般式(A1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基も好ましい。式(A1)で表されるジアミン化合物[ジアミン(A1)]については、非熱可塑性ポリイミドの説明で述べたとおりである。ジアミン(A1)は、剛直構造を有し、ポリマー全体に秩序構造を付与する作用を有しているため、分子の運動抑制により誘電正接や吸湿性を低下させることができる。更に、熱可塑性ポリイミドの原料として使用することで、ガス透過性が低く、長期耐熱接着性に優れたポリイミドが得られる。 Further, as the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33, a diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (A1) is also preferable. The diamine compound [diamine (A1)] represented by the formula (A1) is as described in the description of the non-thermoplastic polyimide. Since the diamine (A1) has a rigid structure and has an action of imparting an ordered structure to the entire polymer, it is possible to reduce dielectric loss tangent and hygroscopicity by suppressing the movement of molecules. Further, by using it as a raw material for thermoplastic polyimide, a polyimide having low gas permeability and excellent long-term heat-resistant adhesiveness can be obtained.
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドは、ジアミン(A1)から誘導されるジアミン残基を、好ましくは1モル部以上40モル部以下の範囲内、より好ましくは5モル部以上30モル部以下の範囲内で含有してもよい。ジアミン(A1)を上記範囲内の量で使用することによって、モノマー由来の剛直構造により、ポリマー全体に秩序構造が形成されるので、熱可塑性でありながら、ガス透過性及び吸湿性が低く、長期耐熱接着性に優れたポリイミドが得られる。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33 contains the diamine residue derived from the diamine (A1) in an amount of preferably 1 mol part or more and 40 mol parts or less, more preferably 5 mol parts or more and 30 mol parts or more. It may be contained within the following range. By using the diamine (A1) in an amount within the above range, an ordered structure is formed in the entire polymer due to the rigid structure derived from the monomer. Therefore, although it is thermoplastic, it has low gas permeability and hygroscopicity and is long-term. A polyimide having excellent heat-resistant adhesiveness can be obtained.
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドは、発明の効果を損なわない範囲で、ジアミン(A1)、(B1)〜(B7)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことができる。 The thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33 can contain diamine residues derived from diamine compounds other than diamines (A1) and (B1) to (B7) as long as the effects of the invention are not impaired. ..
熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を適用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張係数、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In thermoplastic polyimide, the coefficient of thermal expansion is selected by selecting the types of the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue and the molar ratio of each when two or more types of tetracarboxylic acid residue or diamine residue are applied. , Tension modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. Further, in the thermoplastic polyimide, when a plurality of structural units of polyimide are present, it may exist as a block or randomly, but it is preferable that it exists randomly.
なお、熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を、いずれも芳香族基とすることで、ポリイミドフィルムの高温環境下での寸法精度を向上させ、面内リタデーション(RO)の変化量を抑制することができる。 By using both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide as aromatic groups, the dimensional accuracy of the polyimide film in a high temperature environment can be improved, and in-plane retardation (RO) can be used. The amount of change can be suppressed.
熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、33%以下であることが好ましく、32%以下であることがより好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)2−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が33%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記ジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the thermoplastic polyimide is preferably 33% or less, more preferably 32% or less. Here, the "imide group concentration" means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide base portion (-(CO) 2 -N-) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide. When the imide group concentration exceeds 33%, the molecular weight of the resin itself becomes small, and the decrease in hygroscopicity deteriorates due to the increase in polar groups. By controlling the orientation of the molecules in the thermoplastic polyimide by selecting the combination of the above diamine compounds, the increase in CTE accompanying the decrease in the imide group concentration is suppressed, and low hygroscopicity is ensured.
熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the thermoplastic polyimide is preferably in the range of 10,000 to 400,000, more preferably in the range of 50,000 to 350,000, for example. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film is lowered and the film tends to be brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased, and defects such as film thickness unevenness and streaks tend to occur during the coating operation.
熱可塑性ポリイミド層33を構成する熱可塑性ポリイミドは、例えば回路基板の絶縁樹脂における接着層となるため、銅の拡散を抑制するために完全にイミド化された構造が最も好ましい。但し、ポリイミドの一部がアミド酸となっていてもよい。そのイミド化率は、フーリエ変換赤外分光光度計(市販品:日本分光製FT/IR620)を用い、1回反射ATR法にてポリイミド薄膜の赤外線吸収スペクトルを測定することによって、1015cm−1付近のベンゼン環吸収体を基準とし、1780cm−1のイミド基に由来するC=O伸縮の吸光度から算出される。 Since the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer 33 is, for example, an adhesive layer in the insulating resin of the circuit board, a completely imidized structure is most preferable in order to suppress the diffusion of copper. However, a part of the polyimide may be amic acid. The imidization rate is around 1015 cm -1 by measuring the infrared absorption spectrum of the polyimide thin film by the single reflection ATR method using a Fourier transform infrared spectrophotometer (commercially available: FT / IR620 manufactured by JASCO Corporation). It is calculated from the absorbance of C = O expansion and contraction derived from the imide group of 1780 cm -1 based on the benzene ring absorber of.
熱可塑性ポリイミド層33の厚みは、接着機能を確保する観点から、1μm以上10μm以下の範囲内であることが好ましく、1μm以上5μm以下の範囲内がより好ましい。熱可塑性ポリイミド層33の厚みが上記の下限値未満である場合、接着性が不十分となり、上限値を超えると、寸法安定性が悪化する傾向となる。 The thickness of the thermoplastic polyimide layer 33 is preferably in the range of 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably in the range of 1 μm or more and 5 μm or less, from the viewpoint of ensuring the adhesive function. If the thickness of the thermoplastic polyimide layer 33 is less than the above lower limit value, the adhesiveness becomes insufficient, and if it exceeds the upper limit value, the dimensional stability tends to deteriorate.
熱可塑性ポリイミド層33は、反りを抑制する観点から、熱膨張係数が、30ppm/K以上、好ましくは30ppm/K以上100ppm/K以下の範囲内、より好ましくは30ppm/K以上80ppm/K以下の範囲内にあることがよい。 From the viewpoint of suppressing warpage, the thermoplastic polyimide layer 33 has a coefficient of thermal expansion of 30 ppm / K or more, preferably in the range of 30 ppm / K or more and 100 ppm / K or less, and more preferably 30 ppm / K or more and 80 ppm / K or less. It should be within range.
また、熱可塑性ポリイミド層33に用いる樹脂には、ポリイミドの他に、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、無機フィラー、カップリング剤、充填剤、溶剤、難燃剤などを適宜配合することができる。 Further, the resin used for the thermoplastic polyimide layer 33 includes, in addition to polyimide, other curing resin components such as a plastic agent and an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and a coupling agent. Fillers, solvents, flame retardants and the like can be appropriately blended.
非熱可塑性ポリイミド層31及び熱可塑性ポリイミド層33を形成するための非熱可塑性ポリイミド及び熱可塑性ポリイミドは、上記DDA系ポリイミドと同様に、酸無水物成分とジアミン成分を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。非熱可塑性ポリイミド及び熱可塑性ポリイミドの合成において、上記酸無水物及びジアミンは、それぞれ、その1種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。酸無水物及びジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。 The non-thermoplastic polyimide and the thermoplastic polyimide for forming the non-thermoplastic polyimide layer 31 and the thermoplastic polyimide layer 33 are made of polyamide by reacting an acid anhydride component and a diamine component in a solvent in the same manner as the above-mentioned DDA-based polyimide. It can be produced by producing an acid and then heating and closing the ring. In the synthesis of the non-thermoplastic polyimide and the thermoplastic polyimide, the acid anhydride and the diamine may be used alone or in combination of two or more. The coefficient of thermal expansion, adhesiveness, glass transition temperature, etc. can be controlled by selecting the types of acid anhydride and diamine, and the molar ratio of each when two or more types of acid anhydride or diamine are used. ..
<熱膨張係数>
金属張積層板10において、樹脂積層体20全体の熱膨張係数(CTE)は、10ppm/K以上がよく、好ましくは10ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内、より好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内である。CTEが10ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有するポリイミド層とすることができる。
<Coefficient of thermal expansion>
In the metal-clad
<誘電正接>
金属張積層板10において、樹脂積層体20全体の10GHzにおける誘電正接(Tanδ)は、好ましくは0.02以下、より好ましくは0.0005以上0.01以下の範囲内、更に好ましくは0.001以上0.008以下の範囲内がよい。樹脂積層体20全体の10GHzにおける誘電正接が0.02を超えると、回路基板に適用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。一方、樹脂積層体20全体の10GHzにおける誘電正接の下限値は特に制限されないが、回路基板の絶縁樹脂層としての物性制御を考慮している。
<Dissipation factor>
In the metal-clad
<誘電率>
金属張積層板10において、樹脂積層体20は、例えば回路基板の絶縁樹脂層として適用する場合において、インピーダンス整合性を確保するために、樹脂積層体20全体として、10GHzにおける誘電率が4.0以下であることが好ましい。樹脂積層体20全体の10GHzにおける誘電率が4.0を超えると、回路基板に適用した際に、誘電損失の増大に繋がり、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
<Permittivity>
In the metal-clad
[金属張積層板の製造]
金属張積層板10は、例えば、第1の伝送損失抑制層BS1、第2の伝送損失抑制層BS2、複数の寸法精度維持層PL及び一ないし複数の中間伝送損失抑制層BS3に相当する樹脂シートを準備し、これらの樹脂シートを第1の金属層M1と第2の金属層M2の間に配置して貼り合わせ、熱圧着させることによって製造することができる。
[Manufacturing of metal-clad laminates]
The metal-clad
以上のようにして得られる本実施の形態の金属張積層板10は、第1の金属層M1及び/又は第2の金属層M2をエッチングするなどして配線回路加工することによって、片面FPC又は両面FPCなどの回路基板を製造することができる。
The metal-clad
[回路基板]
上記金属張積層板10は、主にFPC、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。金属張積層板10の第1の金属層M1及び第2の金属層M2の片方又は両方を、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるFPCなどの回路基板を製造できる。この回路基板は、図示は省略するが、樹脂積層体20と、この樹脂積層体20の片側又は両側の面に設けられた配線層と、を備えており、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れている。
[Circuit board]
The metal-clad
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.
[粘度の測定]
粘度の測定は、E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity was measured using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name; DV-II + Pro) at 25 ° C. The rotation speed was set so that the torque was 10% to 90%, and 2 minutes after the start of the measurement, the value when the viscosity became stable was read.
[貯蔵弾性率の測定]
5mm×20mmのサイズの樹脂シートを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行った。
[Measurement of storage elastic modulus]
A resin sheet having a size of 5 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 400 ° C. at a heating rate of 4 ° C./min using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA: manufactured by UBM Co., Ltd., trade name; E4000F). The measurement was performed at a frequency of 11 Hz.
[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から265℃まで昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
A polyimide film having a size of 3 mm × 20 mm was heated from 30 ° C. to 265 ° C. at a constant heating rate while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name; 4000SA). Further, after holding at that temperature for 10 minutes, the film was cooled at a rate of 5 ° C./min to obtain an average coefficient of thermal expansion (coefficient of thermal expansion) from 250 ° C. to 100 ° C.
[誘電率及び誘電正接の測定]
ベクトルネットワークアナライザ(Agilent社製、商品名;E8363C)ならびにSPDR共振器を用いて、10GHzにおける樹脂シートの誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)を測定した。なお、測定に使用した材料は、温度;24〜26℃、湿度;45℃〜55%RHの条件下で、24時間放置したものである。
[Measurement of permittivity and dielectric loss tangent]
The dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet at 10 GHz were measured using a vector network analyzer (manufactured by Agilent, trade name; E8633C) and an SPDR resonator. The material used for the measurement was left to stand for 24 hours under the conditions of temperature; 24 to 26 ° C. and humidity: 45 ° C. to 55% RH.
[寸法変化率の測定]
寸法変化率の測定は、以下の手順で行った。まず、150mm角の試料を用い、100mm間隔にてドライフィルムレジストを露光、現像することによって、位置測定用ターゲットを形成する。温度23±2℃、相対湿度50±5%の雰囲気中にてエッチング前(常態)の寸法を測定した後に、試験片のターゲット以外の銅をエッチング(液温40℃以下、時間10分以内)により除去する。温度23±2℃、相対湿度50±5%の雰囲気中に24±4時間静置後、エッチング後の寸法を測定する。縦方向及び横方向の各3箇所の常態に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもってエッチング後の寸法変化率とする。エッチング後寸法変化率は下記数式により算出した。
[Measurement of dimensional change rate]
The dimensional change rate was measured by the following procedure. First, a position measurement target is formed by exposing and developing a dry film resist at 100 mm intervals using a 150 mm square sample. After measuring the dimensions before etching (normal state) in an atmosphere with a temperature of 23 ± 2 ° C and a relative humidity of 50 ± 5%, the copper other than the target of the test piece is etched (liquid temperature 40 ° C or less, time within 10 minutes). Removed by. After standing for 24 ± 4 hours in an atmosphere having a temperature of 23 ± 2 ° C. and a relative humidity of 50 ± 5%, the dimensions after etching are measured. The dimensional change rate for each of the three locations in the vertical direction and the horizontal direction is calculated, and the average value of each is used as the dimensional change rate after etching. The dimensional change rate after etching was calculated by the following formula.
エッチング後寸法変化率(%)=(B−A)/A×100
A;エッチング前のターゲット間距離
B;エッチング後のターゲット間距離
Dimensional change rate after etching (%) = (BA) / A × 100
A; Distance between targets before etching B; Distance between targets after etching
次に、本試験片を250℃のオーブンで1時間加熱処理し、その後の位置ターゲット間の距離を測定する。縦方向及び横方向の各3箇所のエッチング後に対する寸法変化率を算出し、各々の平均値をもって加熱処理後の寸法変化率とする。加熱寸法変化率は下記数式により算出した。 Next, the test piece is heat-treated in an oven at 250 ° C. for 1 hour, and then the distance between the positional targets is measured. The dimensional change rate after etching at each of the three locations in the vertical direction and the horizontal direction is calculated, and the average value of each is used as the dimensional change rate after heat treatment. The heating dimensional change rate was calculated by the following formula.
加熱寸法変化率(%)=(C―B)/B×100
B;エッチング後のターゲット間距離
C;加熱後のターゲット間距離
Heating dimensional change rate (%) = (CB) / B × 100
B; Distance between targets after etching C; Distance between targets after heating
[銅箔の表面粗さ(Rz;十点平均粗さ)の測定]
触針式表面粗さ計(株式会社小坂研究所製、商品名;サーフコーダET−3000)を用い、Force;100μN、Speed;20μm、Range;800μmの測定条件によって求めた。なお、表面粗さの算出は、JIS−B0601:1994に準拠した方法により算出した。
[Measurement of copper foil surface roughness (Rz; 10-point average roughness)]
It was determined using a stylus type surface roughness meter (manufactured by Kosaka Laboratory Co., Ltd., trade name; surf coder ET-3000) under the measurement conditions of Force; 100 μN, Speed; 20 μm, Range; 800 μm. The surface roughness was calculated by a method based on JIS-B0601: 1994.
合成例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
BTDA:3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
BPADA:2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物
DAPE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
p−PDA:p−フェニレンジアミン
BAPP:2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
TPE−R:1,3-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
DDA:炭素数36の脂肪族ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、アミン価;205mgKOH/g、環状構造及び鎖状構造のダイマージアミンの混合物、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
OP935:有機ホスフィン酸アルミニウム塩(クラリアントジャパン社製、商品名;Exolit OP935)
N−12:ドデカン二酸ジヒドラジド
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
The abbreviations used in the synthesis examples indicate the following compounds.
BTDA: 3,3', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride PMDA: pyromellitic acid dianhydride BPDA: 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride BPADA: 2, 2-Bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] Propane dianhydride DAPE: 4,4'-diaminodiphenyl ether p-PDA: p-phenylenediamine BAPP: 2,2-Bis [4- (4) -Aminophenoxy) Phenyl] Propane m-TB: 2,2'-Dimethyl-4,4'-Diaminobiphenyl TPE-R: 1,3-bis (4-Aminophenoxy) Benzene DDA: Aliphatic diamine having 36 carbon atoms (Manufactured by Claude Japan Co., Ltd., trade name; PRIAMINE1074, amine value: 205 mgKOH / g, mixture of cyclic and chain-structured dimerdiamine, content of dimer component; 95% by weight or more)
OP935: Aluminum phosphinic acid salt (manufactured by Clariant Japan, trade name; Exolit OP935)
N-12: Dodecanedioic acid dihydrazide DMAc: N, N-dimethylacetamide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone
(合成例1)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、312gのDMAcを入れた。この反応容器に14.67gのDAPE(0.073モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、23.13gのBTDA(0.072モル)を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度2,960mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液aを調製した。
(Synthesis Example 1)
312 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 14.67 g of DAPE (0.073 mol) was dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 23.13 g of BTDA (0.072 mol) was added. Then, stirring was continued for 3 hours to prepare a resin solution a of polyamic acid having a solution viscosity of 2,960 mPa · s.
(合成例2)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、200gのDMAcを入れた。この反応容器に1.335gのm−TB(0.0063モル)及び10.414gのTPE−R(0.0356モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、0.932gのPMDA(0.0043モル)及び11.319gのBPDA(0.0385モル)を加えた。その後、2時間撹拌を続け、溶液粘度1,420mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液bを調製した。
(Synthesis Example 2)
200 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 1.335 g of m-TB (0.0063 mol) and 10.414 g of TPE-R (0.0356 mol) were dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 0.932 g of PMDA (0.0043 mol) and 11.319 g of BPDA (0.0385 mol) were added. Then, stirring was continued for 2 hours to prepare a resin solution b of polyamic acid having a solution viscosity of 1,420 mPa · s.
(合成例3)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、250gのDMAcを入れた。この反応容器に2.561gのp−PDA(0.0237モル)及び16.813gのDAPE(0.0840モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、18.501gのPMDA(0.0848モル)及び6.239gのBPDA(0.0212モル)を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度29,500mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液cを調製した。
(Synthesis Example 3)
250 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 2.561 g of p-PDA (0.0237 mol) and 16.813 g of DAPE (0.0840 mol) were dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 18.501 g of PMDA (0.0848 mol) and 6.239 g of BPDA (0.0212 mol) were added. Then, stirring was continued for 3 hours to prepare a resin solution c of polyamic acid having a solution viscosity of 29,500 mPa · s.
(合成例4)
熱電対および攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、250gのDMAcを入れた。この反応容器に12.323gのm−TB(0.0580モル)及び1.886gのTPE−R(0.0064モル)を容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、8.314gのPMDA(0.0381モル)及び7.477gのBPDA(0.0254モル)を加えた。その後、3時間撹拌を続け、溶液粘度31,500mPa・sのポリアミド酸の樹脂溶液dを調製した。
(Synthesis Example 4)
250 g of DMAc was placed in a reaction vessel equipped with a thermocouple and a stirrer and capable of introducing nitrogen. 12.323 g of m-TB (0.0580 mol) and 1.886 g of TPE-R (0.0064 mol) were dissolved in this reaction vessel with stirring in the vessel. Next, 8.314 g of PMDA (0.0381 mol) and 7.477 g of BPDA (0.0254 mol) were added. Then, stirring was continued for 3 hours to prepare a resin solution d of polyamic acid having a solution viscosity of 31,500 mPa · s.
(合成例5)
<接着層用の樹脂溶液eの調製>
窒素導入管、攪拌機、熱電対、ディーンスタークトラップ、冷却管を付した500mLの4ッ口フラスコに、44.92gのBTDA(0.139モル)、75.08gのDDA(0.141モル)、168gのNMP及び112gのキシレンを装入し、40℃で30分間混合して、ポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を190℃に昇温し、4時間加熱、攪拌し、留出する水及びキシレンを系外に除去した。その後、100℃まで冷却し、112gのキシレンを加え撹拌し、更に30℃まで冷却することでイミド化を完結し、接着層用の樹脂溶液e(固形分;29.5重量%)を得た。
(Synthesis Example 5)
<Preparation of resin solution e for adhesive layer>
44.92 g of BTDA (0.139 mol), 75.08 g of DDA (0.141 mol), in a 500 mL 4-neck flask with a nitrogen introduction tube, stirrer, thermocouple, Dean-Stark trap, and condenser. 168 g of NMP and 112 g of xylene were charged and mixed at 40 ° C. for 30 minutes to prepare a polyamic acid solution. The temperature of this polyamic acid solution was raised to 190 ° C., and the mixture was heated and stirred for 4 hours to remove distilled water and xylene from the system. Then, the mixture was cooled to 100 ° C., 112 g of xylene was added and stirred, and further cooled to 30 ° C. to complete imidization to obtain a resin solution e (solid content; 29.5% by weight) for the adhesive layer. ..
(合成例6)
<接着層用の樹脂溶液fの調製>
42.51gのBPADA(0.082モル)、34.30gのDDA(0.066モル)、6.56gのBAPP(0.016モル)、208gのNMP及び112gのキシレンを原料組成とした以外は、合成例5と同様にしてポリアミド酸溶液を調製した。このポリアミド酸溶液を合成例5と同様にして処理し、接着層用の樹脂溶液f(固形分;30.0重量%)を得た。
(Synthesis Example 6)
<Preparation of resin solution f for adhesive layer>
Except for the raw material composition of 42.51 g BPADA (0.082 mol), 34.30 g DDA (0.066 mol), 6.56 g BAPP (0.016 mol), 208 g NMP and 112 g xylene. , A polyamic acid solution was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5. This polyamic acid solution was treated in the same manner as in Synthesis Example 5 to obtain a resin solution f (solid content; 30.0% by weight) for the adhesive layer.
(作製例1)
<ポリイミドフィルムの調製>
電解銅箔1(厚さ12μm、Rz;2.1μm)の片面の表面に、ポリアミド酸の樹脂溶液cを硬化後の厚みが約25μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、120℃から360℃まで段階的な熱処理を30分以内で行い、イミド化を完結した。塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム1(厚み;25μm、Dk;3.4、Df;0.0085、CTE;16ppm/K、貯蔵弾性率最小値(100〜250℃)2.9GHz)を調製した。
(Production Example 1)
<Preparation of polyimide film>
A resin solution c of polyamic acid is uniformly applied to the surface of one side of the electrolytic copper foil 1 (thickness 12 μm, Rz; 2.1 μm) so that the cured thickness is about 25 μm, and then heated and dried at 120 ° C. The solvent was removed. Further, a stepwise heat treatment from 120 ° C. to 360 ° C. was performed within 30 minutes to complete imidization. The copper foil was etched and removed using an aqueous solution of ferric chloride, and the polyimide film 1 (thickness; 25 μm, Dk; 3.4, Df; 0.0085, CTE; 16 ppm / K, storage elastic modulus minimum value (100 to 100 to 250 ° C.) 2.9 GHz) was prepared.
(作製例2)
<ポリイミドフィルムの調製>
樹脂溶液dを用いたこと以外、作製例1と同様にして、ポリイミドフィルム2(厚み;25μm、Dk;3.3、Df;0.0034、CTE;17ppm/K、貯蔵弾性率最小値(100〜250℃)3.0GHz)を調製した。
(Production Example 2)
<Preparation of polyimide film>
Polyimide film 2 (thickness; 25 μm, Dk; 3.3, Df; 0.0034, CTE; 17 ppm / K, minimum storage elastic modulus (100), except that the resin solution d was used, in the same manner as in Production Example 1. ~ 250 ° C.) 3.0 GHz) was prepared.
(作製例3)
<ポリイミドフィルムの調製>
電解銅箔1(厚さ12μm、Rz;2.1μm)の片面の表面に、樹脂溶液aを硬化後の厚みが約2〜3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。次に、その上に樹脂溶液dを硬化後の厚みが約21μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。更に、その上に樹脂溶液aを硬化後の厚みが約2〜3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。このようにして、3層のポリアミド酸層を形成した後、120℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結した。塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔層をエッチング除去して、ポリイミドフィルム3(厚み;25μm、Dk;3.4、Df;0.0052、CTE;21ppm/K、貯蔵弾性率最小値(100〜250℃)2.8GHz)を調製した。
(Production Example 3)
<Preparation of polyimide film>
The resin solution a was uniformly applied to the surface of one side of the electrolytic copper foil 1 (thickness 12 μm, Rz; 2.1 μm) so that the cured thickness was about 2 to 3 μm, and then heated and dried at 120 ° C. , The solvent was removed. Next, the resin solution d was uniformly applied onto the resin solution d so as to have a thickness of about 21 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. Further, the resin solution a was uniformly applied onto the resin solution a so as to have a thickness of about 2 to 3 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. After forming the three polyamic acid layers in this way, a stepwise heat treatment was performed from 120 ° C. to 360 ° C. to complete imidization. The copper foil layer was etched and removed using an aqueous ferric chloride solution, and the polyimide film 3 (thickness; 25 μm, Dk; 3.4, Df; 0.0052, CTE; 21 ppm / K, storage elastic modulus minimum value (100). ~ 250 ° C.) 2.8 GHz) was prepared.
(作製例4)
<ポリイミドフィルムの調製>
電解銅箔1(厚さ12μm、Rz;2.1μm)の片面の表面に、樹脂溶液bを硬化後の厚みが約2〜3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。次に、その上に樹脂溶液dを硬化後の厚みが約21μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。更に、その上に樹脂溶液bを硬化後の厚みが約2〜3μmとなるように均一に塗布した後、120℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。このようにして、3層のポリアミド酸層を形成した後、120℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結した。塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔層をエッチング除去して、ポリイミドフィルム4(厚み;25μm、Dk;3.3、Df;0.0032、CTE;23ppm/K、貯蔵弾性率最小値(100〜250℃)2.7GHz)を調製した。
(Production Example 4)
<Preparation of polyimide film>
The resin solution b was uniformly applied to the surface of one side of the electrolytic copper foil 1 (thickness 12 μm, Rz; 2.1 μm) so that the cured thickness was about 2 to 3 μm, and then heated and dried at 120 ° C. , The solvent was removed. Next, the resin solution d was uniformly applied onto the resin solution d so as to have a thickness of about 21 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. Further, the resin solution b was uniformly applied onto the resin solution b so as to have a thickness of about 2 to 3 μm after curing, and then heat-dried at 120 ° C. to remove the solvent. After forming the three polyamic acid layers in this way, a stepwise heat treatment was performed from 120 ° C. to 360 ° C. to complete imidization. The copper foil layer was etched and removed using an aqueous ferric chloride solution, and the polyimide film 4 (thickness; 25 μm, Dk; 3.3, Df; 0.0032, CTE; 23 ppm / K, storage elastic modulus minimum value (100). ~ 250 ° C.) 2.7 GHz) was prepared.
(作製例5)
<樹脂シートの調製>
樹脂溶液eの169.49g(固形分として50g)に1.8gのN−12(0.0036モル)及び12.5gのOP935を配合し、6.485gのNMPと19.345gのキシレンを加えて希釈して、ポリイミドワニス1を調製した。
(Production Example 5)
<Preparation of resin sheet>
169.49 g (50 g as solid content) of the resin solution e is mixed with 1.8 g of N-12 (0.0036 mol) and 12.5 g of OP935, and 6.485 g of NMP and 19.345 g of xylene are added. Diluted to prepare polyimide varnish 1.
ポリイミドワニス1を乾燥後の厚みが25μmとなるように離型基材のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シート1を調製した。樹脂シート1の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.7、0.0023であった。 A resin sheet 1 is prepared by applying the polyimide varnish 1 to the silicone-treated surface of the release base material so that the thickness after drying is 25 μm, heating and drying at 80 ° C., and peeling from the release base material. did. The permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 1 were 2.7 and 0.0023, respectively.
(作製例6)
<樹脂シートの調製>
乾燥後の厚みが50μmとなるようにすること以外、作製例6と同様にして、樹脂シート2を調整した。樹脂シート2の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.7、0.0023であった。
(Production Example 6)
<Preparation of resin sheet>
The resin sheet 2 was adjusted in the same manner as in Production Example 6 except that the thickness after drying was 50 μm. The dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 2 were 2.7 and 0.0023, respectively.
(作製例7)
<樹脂シートの調製>
乾燥後の厚みが75μmとなるようにすること以外、作製例6と同様にして、樹脂シート3を調整した。樹脂シート3の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.7、0.0023であった。
(Production Example 7)
<Preparation of resin sheet>
The resin sheet 3 was adjusted in the same manner as in Production Example 6 except that the thickness after drying was 75 μm. The dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 3 were 2.7 and 0.0023, respectively.
(作製例8)
<樹脂シートの調製>
乾燥後の厚みが5μmとなるようにすること以外、作製例6と同様にして、樹脂シート4を調整した。樹脂シート4の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.7、0.0023であった。
(Production Example 8)
<Preparation of resin sheet>
The resin sheet 4 was adjusted in the same manner as in Production Example 6 except that the thickness after drying was 5 μm. The permittivity (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 4 were 2.7 and 0.0023, respectively.
(作製例9)
<樹脂シートの調製>
接着層用の樹脂溶液fを乾燥後の厚みが25μmとなるように離型基材のシリコーン処理面に塗工した後、80℃で加熱乾燥し、離型基材上から剥離することで樹脂シート5を調製した。樹脂シート5の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.8、0.0028であった。
(Production Example 9)
<Preparation of resin sheet>
The resin solution f for the adhesive layer is applied to the silicone-treated surface of the release base material so that the thickness after drying is 25 μm, dried by heating at 80 ° C., and peeled off from the release base material to release the resin. Sheet 5 was prepared. The dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 5 were 2.8 and 0.0028, respectively.
(作製例10)
<樹脂シートの調製>
乾燥後の厚みが50μmとなるようにすること以外、作製例10と同様にして、樹脂シート6を調整した。樹脂シート6の誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.8、0.0028であった。
(Production Example 10)
<Preparation of resin sheet>
The resin sheet 6 was adjusted in the same manner as in Production Example 10 except that the thickness after drying was 50 μm. The dielectric constant (Dk) and dielectric loss tangent (Df) of the resin sheet 6 were 2.8 and 0.0028, respectively.
[実施例1]
2枚の電解銅箔1と、2枚の樹脂シート1、1枚の樹脂シート2、2枚のポリイミドフィルム4を準備し、電解銅箔1/樹脂シート1/ポリイミドフィルム4/樹脂シート2/ポリイミドフィルム4/樹脂シート1/電解銅箔1の順に積層した後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板1を調整した。両面金属張積層板1について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.05%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.04%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.03%
TD方向の加熱後寸法変化率;0.03%
また、両面金属張積層板1における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体1(厚み;150μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0026であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体1全体の厚みの33%であった。
[Example 1]
Two electrolytic copper foils 1, two resin sheets 1, one resin sheet 2, and two polyimide films 4 are prepared, and electrolytic copper foil 1 / resin sheet 1 / polyimide film 4 / resin sheet 2 / After laminating the polyimide film 4 / resin sheet 1 / electrolytic copper foil 1 in this order, the double-sided metal-clad laminate 1 was prepared by heat-pressing at 160 ° C. and 4 MPa for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 1 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.05%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.04%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.03%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; 0.03%
Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 1 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 1 are 2.9 and 0, respectively. It was 0026. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 33% of the total thickness of the resin laminate 1.
[実施例2]
2枚の電解銅箔1と、2枚の樹脂シート1、1枚の樹脂シート3、2枚のポリイミドフィルム4を準備し、電解銅箔1/樹脂シート1/ポリイミドフィルム4/樹脂シート3/ポリイミドフィルム4/樹脂シート1/電解銅箔1の順に積層した後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板2を調整した。両面金属張積層板2について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.06%
TD方向のエッチング後寸法変化率;−0.04%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.04%
TD方向の加熱後寸法変化率;0.04%
また、両面金属張積層板2における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体2(厚み;175μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.92、0.0026であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体2全体の厚みの29%であった。
[Example 2]
Two electrolytic copper foils 1, two resin sheets 1, one resin sheet 3, and two polyimide films 4 are prepared, and electrolytic copper foil 1 / resin sheet 1 / polyimide film 4 / resin sheet 3 / After laminating the polyimide film 4 / resin sheet 1 / electrolytic copper foil 1 in this order, the double-sided metal-clad laminate 2 was prepared by heat-pressing at 160 ° C. and 4 MPa for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 2 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.06%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; -0.04%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.04%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; 0.04%
Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 2 (thickness; 175 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 2 are 2.92 and 0. It was 0026. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 29% of the total thickness of the resin laminate 2.
[実施例3]
2枚の電解銅箔1と、1枚の樹脂シート1、2枚の樹脂シート2、2枚のポリイミドフィルム4を準備し、電解銅箔1/樹脂シート2/ポリイミドフィルム4/樹脂シート1/ポリイミドフィルム4/樹脂シート2/電解銅箔1の順に積層した後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板3を調整した。両面金属張積層板3について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;−0.02%
TD方向のエッチング後寸法変化率;0.03%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.06%
TD方向の加熱後寸法変化率;−0.02%
また、両面金属張積層板3における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体3(厚み;175μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0026であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体3全体の厚みの29%であった。
[Example 3]
Two electrolytic copper foils 1, one resin sheet 1, two resin sheets 2, and two polyimide films 4 are prepared, and electrolytic copper foil 1 / resin sheet 2 / polyimide film 4 / resin sheet 1 / After laminating the polyimide film 4 / resin sheet 2 / electrolytic copper foil 1 in this order, the double-sided metal-clad laminate 3 was prepared by heat-pressing at 160 ° C. and 4 MPa for 60 minutes. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 3 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; -0.02%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; 0.03%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.06%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; -0.02%
Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 3 (thickness; 175 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 3 are 2.9 and 0. It was 0026. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 29% of the total thickness of the resin laminate 3.
[実施例4]
ポリイミドフィルム4の替わりに、ポリイミドフィルム1を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面金属張積層板4を調整した。両面金属張積層板4について、評価したところ、寸法変化は問題がなかった。また、両面金属張積層板4における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体4(厚み;150μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0044であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体4全体の厚みの33%であった。
[Example 4]
The double-sided metal-clad laminate 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polyimide film 1 was used instead of the polyimide film 4. When the double-sided metal-clad laminate 4 was evaluated, there was no problem in dimensional change. Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 4 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 4 are 2.9 and 0. It was 0044. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 33% of the total thickness of the resin laminate 4.
[実施例5]
ポリイミドフィルム4の替わりに、ポリイミドフィルム2を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面金属張積層板5を調整した。両面金属張積層板5について、評価したところ、寸法変化は問題がなかった。また、両面金属張積層板5における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体5(厚み;150μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0027であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体5全体の厚みの33%であった。
[Example 5]
The double-sided metal-clad laminate 5 was adjusted in the same manner as in Example 1 except that the polyimide film 2 was used instead of the polyimide film 4. When the double-sided metal-clad laminate 5 was evaluated, there was no problem in dimensional change. Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 5 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 5 are 2.9 and 0, respectively. It was 0027. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 33% of the total thickness of the resin laminate 5.
[実施例6]
ポリイミドフィルム4の替わりに、ポリイミドフィルム3を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面金属張積層板6を調整した。両面金属張積層板6について、評価したところ、寸法変化は問題がなかった。また、両面金属張積層板6における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体6(厚み;150μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.9、0.0033であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体6全体の厚みの33%であった。
[Example 6]
The double-sided metal-clad laminate 6 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polyimide film 3 was used instead of the polyimide film 4. When the double-sided metal-clad laminate 6 was evaluated, there was no problem in dimensional change. Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 6 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 6 are 2.9 and 0, respectively. It was 0033. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 33% of the total thickness of the resin laminate 6.
[実施例7]
樹脂シート1の替わりに樹脂シート5を、樹脂シート2の替わりに樹脂シート6を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面金属張積層板7を調整した。両面金属張積層板7について、評価したところ、寸法変化は問題がなかった。また、両面金属張積層板7における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体7(厚み;150μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.0、0.0029であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体7全体の厚みの33%であった。
[Example 7]
The double-sided metal-clad laminate 7 was adjusted in the same manner as in Example 1 except that the resin sheet 5 was used instead of the resin sheet 1 and the resin sheet 6 was used instead of the resin sheet 2. When the double-sided metal-clad laminate 7 was evaluated, there was no problem in dimensional change. Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) in the resin laminate 7 (thickness; 150 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 in the double-sided metal-clad laminate 7 are 3.0 and 0, respectively. It was 0029. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 33% of the total thickness of the resin laminate 7.
[実施例8]
樹脂シート1の替わりに、樹脂シート4を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面金属張積層板8を調整した。両面金属張積層板8について、評価したところ、寸法変化は問題がなかった。また、両面金属張積層板8における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体8(厚み;110μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、3.0、0.0027であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体8全体の厚みの45%であった。
[Example 8]
The double-sided metal-clad laminate 8 was adjusted in the same manner as in Example 1 except that the resin sheet 4 was used instead of the resin sheet 1. When the double-sided metal-clad laminate 8 was evaluated, there was no problem in dimensional change. Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 8 (thickness; 110 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 on the double-sided metal-clad laminate 8 are 3.0 and 0, respectively. It was 0027. The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer was 45% of the total thickness of the resin laminate 8.
[比較例1]
2枚の電解銅箔1と、2枚の樹脂シート2、1枚のポリイミドフィルム1を準備し、電解銅箔1/樹脂シート2/ポリイミドフィルム1/樹脂シート2/電解銅箔1の順に積層した後、160℃、4MPaの条件で、60分間熱圧着することで、両面金属張積層板9を調整した。両面金属張積層板9について、評価した結果は、次のとおりである。
MD方向のエッチング後寸法変化率;0.02%
TD方向のエッチング後寸法変化率;0.08%
MD方向の加熱後寸法変化率;−0.10%
TD方向の加熱後寸法変化率;−0.05%
また、両面金属張積層板9における電解銅箔1をエッチング除去して調製した樹脂積層体9(厚み;125μm)における誘電率(Dk)及び誘電正接(Df)はそれぞれ、2.8、0.0035であった。寸法精度維持層の合計厚みは、樹脂積層体9全体の厚みの20%であった。
[Comparative Example 1]
Two electrolytic copper foils 1, two resin sheets 2, and one polyimide film 1 are prepared and laminated in the order of electrolytic copper foil 1 / resin sheet 2 / polyimide film 1 / resin sheet 2 / electrolytic copper foil 1. After that, the double-sided metal-clad laminate 9 was adjusted by heat-pressing for 60 minutes under the conditions of 160 ° C. and 4 MPa. The evaluation results of the double-sided metal-clad laminate 9 are as follows.
Dimensional change rate after etching in the MD direction; 0.02%
Dimensional change rate after etching in the TD direction; 0.08%
Dimensional change rate after heating in MD direction; -0.10%
Dimensional change rate after heating in the TD direction; -0.05%
Further, the dielectric constant (Dk) and the dielectric loss tangent (Df) of the resin laminate 9 (thickness; 125 μm) prepared by etching and removing the electrolytic copper foil 1 on the double-sided metal-clad laminate 9 are 2.8 and 0. It was 0035. The total thickness of the dimensional accuracy maintaining layer was 20% of the total thickness of the resin laminate 9.
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail for the purpose of exemplification, the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways.
10…金属張積層板、20…樹脂積層体、M1…第1の金属層、M2…第2の金属層、BS1…第1の伝送損失抑制層、BS2…第2の伝送損失抑制層、BS3…中間伝送損失抑制層、PL…寸法精度維持層、31…非熱可塑性ポリイミド層、33…熱可塑性ポリイミド層
10 ... Metal-clad laminate, 20 ... Resin laminate, M1 ... First metal layer, M2 ... Second metal layer, BS1 ... First transmission loss suppression layer, BS2 ... Second transmission loss suppression layer, BS3 ... Intermediate transmission loss suppression layer, PL ... Dimensional accuracy maintenance layer, 31 ... Non-thermoplastic polyimide layer, 33 ... Thermoplastic polyimide layer
Claims (4)
前記第1の金属層の片側に接して設けられている第1の伝送損失抑制層と、
第2の金属層と、
前記第2の金属層の片側に接して設けられている第2の伝送損失抑制層と、
前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層との間に介在する複数の樹脂層と、
を備え、
前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、
前記樹脂積層体は、
少なくとも2層以上の寸法精度維持層と、
前記寸法精度維持層の間に積層されている中間伝送損失抑制層と、
を有しており、
下記の条件i及びii;
i)23℃、50%RHの恒温恒湿条件(常態)のもと24時間調湿後にスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定される10GHzにおける誘電正接であって、前記第1の伝送損失抑制層及び前記第2の伝送損失抑制層の誘電正接をDf1、前記寸法精度維持層の誘電正接をDf2としたとき、Df1<Df2の関係にあること;
ii)前記寸法精度維持層の合計厚みが、前記樹脂積層体の合計厚みの25〜60%の範囲内にあること;
を満たす金属張積層板。 The first metal layer and
A first transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the first metal layer,
The second metal layer and
A second transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the second metal layer,
A plurality of resin layers interposed between the first transmission loss suppressing layer and the second transmission loss suppressing layer, and
With
A resin laminate is formed by the first transmission loss suppressing layer, the second transmission loss suppressing layer, and the plurality of resin layers.
The resin laminate is
At least two or more dimensional accuracy maintenance layers,
An intermediate transmission loss suppression layer laminated between the dimensional accuracy maintenance layers and
Have and
The following conditions i and ii;
i) Dissipation factor at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after humidity control for 24 hours under constant temperature and humidity conditions (normal condition) of 23 ° C. and 50% RH, and the first transmission. Df 1 and the dielectric loss tangent of the loss confinement layer and said second transmission loss confinement layer, when the dielectric loss tangent of the dimensional accuracy kept layer was Df 2, a relation that Df 1 <Df 2;
ii) The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer is within the range of 25 to 60% of the total thickness of the resin laminate;
A metal-clad laminate that meets the requirements.
前記第1の配線層の片側に接して設けられている第1の伝送損失抑制層と、
第2の配線層と、
前記第2の配線層の片側に接して設けられている第2の伝送損失抑制層と、
前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層との間に介在する複数の樹脂層と、
を備え、
前記第1の伝送損失抑制層と前記第2の伝送損失抑制層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、
前記樹脂積層体は、
少なくとも2層以上の寸法精度維持層と、
前記寸法精度維持層の間に積層されている中間伝送損失抑制層と、
を有しており、
下記の条件i及びii;
i)23℃、50%RHの恒温恒湿条件(常態)のもと24時間調湿後にスプリットポスト誘電体共振器(SPDR)により測定される10GHzにおける誘電正接であって、前記第1の伝送損失抑制層及び前記第2の伝送損失抑制層の誘電正接をDf1、前記寸法精度維持層の誘電正接をDf2としたとき、Df1<Df2の関係にあること;
ii)前記寸法精度維持層の合計厚みが、前記樹脂積層体の合計厚みの25〜60%の範囲内にあること;
を満たす回路基板。
The first wiring layer and
A first transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the first wiring layer, and
The second wiring layer and
A second transmission loss suppressing layer provided in contact with one side of the second wiring layer, and
A plurality of resin layers interposed between the first transmission loss suppressing layer and the second transmission loss suppressing layer, and
With
A resin laminate is formed by the first transmission loss suppressing layer, the second transmission loss suppressing layer, and the plurality of resin layers.
The resin laminate is
At least two or more dimensional accuracy maintenance layers,
An intermediate transmission loss suppression layer laminated between the dimensional accuracy maintenance layers and
Have and
The following conditions i and ii;
i) Dissipation factor at 10 GHz measured by a split post dielectric resonator (SPDR) after humidity control for 24 hours under constant temperature and humidity conditions (normal condition) of 23 ° C. and 50% RH, and the first transmission. Df 1 and the dielectric loss tangent of the loss confinement layer and said second transmission loss confinement layer, when the dielectric loss tangent of the dimensional accuracy kept layer was Df 2, a relation that Df 1 <Df 2;
ii) The total thickness of the dimensional accuracy maintenance layer is within the range of 25 to 60% of the total thickness of the resin laminate;
Circuit board that meets.
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