JP7374052B2

JP7374052B2 - exposure equipment

Info

Publication number: JP7374052B2
Application number: JP2020125116A
Authority: JP
Inventors: 法文石貫
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2020-07-22
Filing date: 2020-07-22
Publication date: 2023-11-06
Anticipated expiration: 2040-07-22
Also published as: JP2022021513A

Description

本開示は、リム付きウエハの露光に関する。 The present disclosure relates to exposure of rimmed wafers.

近年、半導体装置の製造に用いられるウエハは薄厚化が進んでいる。ウエハの薄厚化による強度不足を補うため、外周部を中央部に比べて厚くしたウエハの形状が採用されている。本明細書では、ウエハの中央部より厚い外周部をリムと称し、リムを有するウエハをリム付きウエハと称する。 In recent years, wafers used for manufacturing semiconductor devices have become thinner. In order to compensate for the lack of strength due to thinning of the wafer, a wafer shape is adopted in which the outer periphery is thicker than the center. In this specification, the outer peripheral portion of the wafer, which is thicker than the central portion, is referred to as a rim, and a wafer having a rim is referred to as a wafer with a rim.

８インチのシリコンウエハでは、リムと中央部との境界に約４００μｍ以上の段差が生じる。従って、リム付きウエハに感光性レジスト（以下、単に「レジスト」と称する）を６．０μｍ以下の膜厚で回転塗布する場合、レジスト膜厚がリムによる段差の側面で局所的に厚くなる。 In an 8-inch silicon wafer, a step difference of about 400 μm or more occurs at the boundary between the rim and the center. Therefore, when a photosensitive resist (hereinafter simply referred to as "resist") is spin-coated to a wafer with a rim in a film thickness of 6.0 μm or less, the resist film thickness locally becomes thicker on the side surfaces of the step caused by the rim.

特許文献１に記載された従来の露光方法では、ウエハに垂直な方向から光を照射し、所望の領域のレジストを除去する。 In the conventional exposure method described in Patent Document 1, a wafer is irradiated with light from a direction perpendicular to the wafer to remove resist in a desired area.

特開平０２－１３９９１７号公報Japanese Patent Application Publication No. 02-139917

リムには回路パターンが形成されない。回路パターンの外縁に沿って、リムと中央部の一部に形成されたレジストを露光する（以下、「周辺露光」とも称する）必要がある。ところで、リム付きウエハに形成されるレジストは、リムによる段差の側面において局所的に厚くなる。そのため、従来の周辺露光では、段差の側面のレジストを完全に除去できないという問題がある。一方、段差の側面のレジストを完全に除去するために露光時間を長くすれば、レジストの発泡に伴い発塵するという問題がある。 No circuit pattern is formed on the rim. It is necessary to expose the resist formed in the rim and part of the center along the outer edge of the circuit pattern (hereinafter also referred to as "periphery exposure"). By the way, the resist formed on the rimmed wafer becomes locally thick on the side surfaces of the step caused by the rim. Therefore, in conventional peripheral exposure, there is a problem in that the resist on the side surfaces of the step cannot be completely removed. On the other hand, if the exposure time is increased in order to completely remove the resist on the side surfaces of the step, there is a problem in that dust is generated due to foaming of the resist.

本開示は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、リム付きウエハの段差の側面に沿って形成される厚いレジストを除去する露光装置の提供を目的とする。 The present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide an exposure apparatus that removes thick resist formed along the side surfaces of steps of a rimmed wafer.

本開示の露光装置は、中央部と中央部より厚い外周部であるリムとを備えるリム付きウエハを載置するステージと、ステージに対して一定角度で固定された回転軸を中心にステージを回転させる回転機構と、リム付きウエハの上面に形成された中央部とリムとの段差を含む、リム付きウエハの外周端から一定距離内の領域である処理領域に光を照射する光源と、を備え、回転機構は、光が段差の側面に斜めから入射するよう、回転軸の方向を調整することによってリム付きウエハの姿勢角度を調整する。 The exposure apparatus of the present disclosure includes a stage on which a wafer with a rim is placed, which includes a center portion and a rim that is a peripheral portion thicker than the center portion, and a stage that rotates around a rotation axis fixed at a constant angle with respect to the stage. and a light source that irradiates light to a processing area that is an area within a certain distance from the outer peripheral edge of the rimmed wafer, including a step between the center portion formed on the top surface of the rimmed wafer and the rim. The rotation mechanism adjusts the attitude angle of the rimmed wafer by adjusting the direction of the rotation axis so that light obliquely enters the side surface of the step.

本開示の露光装置によれば、リム付きウエハの上面に形成された段差の側面に光が斜めから入射するよう、リム付きウエハの姿勢角度が調整される。これにより、段差の側面に沿って形成された厚いレジストを完全に除去することができる。 According to the exposure apparatus of the present disclosure, the attitude angle of the rimmed wafer is adjusted so that light obliquely enters the side surface of the step formed on the upper surface of the rimmed wafer. As a result, the thick resist formed along the side surfaces of the step can be completely removed.

リム付きウエハの側面図である。FIG. 2 is a side view of a rimmed wafer. リム付きウエハの段差とその周辺を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a step of a wafer with a rim and its surroundings. 前提技術の露光装置がリム付きウエハを露光する様子を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing how the exposure apparatus of the base technology exposes a wafer with a rim. 前提技術の露光装置により露光されるリム付きウエハの露光領域を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing an exposure area of a rimmed wafer exposed by an exposure apparatus of the base technology. 前提技術の露光装置によりリム付きウエハの段差の側面にレジスト残りが生じた状態を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a state in which resist remains on the side surface of a step of a wafer with a rim due to the exposure apparatus of the base technology; 実施の形態１の露光装置により露光されるリム付きウエハの斜視図である。1 is a perspective view of a rimmed wafer exposed by the exposure apparatus of Embodiment 1. FIG. 実施の形態１の露光装置により露光されるリム付きウエハの露光領域を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing an exposure area of a rimmed wafer exposed by the exposure apparatus of the first embodiment. 実施の形態１の露光装置によりリム付きウエハの段差の側面における厚いレジストが全て除去される状態を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a state in which thick resist on the side surface of a step of a wafer with a rim is completely removed by the exposure apparatus of the first embodiment; 実施の形態１の露光装置により露光されるリム付きウエハの斜視図である。1 is a perspective view of a rimmed wafer exposed by the exposure apparatus of Embodiment 1. FIG. 実施の形態２の露光装置により水平方向に対して角度θ１だけ傾けられたリム付きウエハの露光領域を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing an exposure area of a rimmed wafer tilted at an angle θ1 with respect to the horizontal direction by the exposure apparatus of the second embodiment. 実施の形態２の露光装置により水平方向に対して角度θ２だけ傾けられたリム付きウエハの露光領域を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing an exposure area of a rimmed wafer tilted at an angle θ2 with respect to the horizontal direction by the exposure apparatus of Embodiment 2; リム付きウエハが傾斜することによる露光領域の水平方向の位置変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in the horizontal position of an exposure area due to tilting of a rimmed wafer. 実施の形態３の露光装置がリム付きウエハの水平方向の位置を調整する様子を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing how the exposure apparatus according to the third embodiment adjusts the horizontal position of the wafer with a rim. 実施の形態３の変形例の露光装置が光の水平方向の照射位置を調整する様子を示す斜視図である。12 is a perspective view showing how an exposure apparatus according to a modification of Embodiment 3 adjusts the horizontal irradiation position of light. FIG. 実施の形態４の露光装置がリム付きウエハの鉛直方向の位置を調整する様子を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing how the exposure apparatus according to the fourth embodiment adjusts the vertical position of the wafer with a rim. 実施の形態４の変形例の露光装置が光の鉛直方向の照射位置を調整する様子を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing how an exposure apparatus according to a modification of the fourth embodiment adjusts the vertical irradiation position of light.

＜Ａ．前提＞
図１は、リム付きウエハ１の側面図である。リム付きウエハ１は、中央部１ａと、中央部１ａより厚い外周部であるリム１ｂとを備える。中央部１ａは、回路素子が形成される領域であり、薄い。これに対して、リム１ｂはリム付きウエハ１の強度を確保するため、中央部１ａより厚い。リム付きウエハ１の上面には、中央部１ａとリム１ｂの境界部分に段差が形成されている。この段差の高さは、例えばリム付きウエハ１を８インチのシリコンウエハとすると、約４００μｍ以上である。 <A. Premise>
FIG. 1 is a side view of a wafer 1 with a rim. The rimmed wafer 1 includes a central portion 1a and a rim 1b, which is an outer peripheral portion that is thicker than the central portion 1a. The central portion 1a is a region where circuit elements are formed and is thin. On the other hand, the rim 1b is thicker than the central portion 1a in order to ensure the strength of the rimmed wafer 1. A step is formed on the upper surface of the rimmed wafer 1 at the boundary between the central portion 1a and the rim 1b. The height of this step is, for example, approximately 400 μm or more when the rimmed wafer 1 is an 8-inch silicon wafer.

リム付きウエハ１には、レジスト４が回転塗布される。リム付きウエハ１の上面にレジスト液を一定量滴下し、リム付きウエハ１を高速回転すると、遠心力によってレジスト４がリム付きウエハ１の上面の全体に塗布される。 A resist 4 is spin-coated onto the rimmed wafer 1. When a certain amount of resist liquid is dropped onto the top surface of the rimmed wafer 1 and the rimmed wafer 1 is rotated at high speed, the resist 4 is applied to the entire top surface of the rimmed wafer 1 by centrifugal force.

図２は、リム付きウエハ１の段差とその周辺部を示す側面図である。リム付きウエハ１の段差以外の部分に形成されるレジスト４の膜厚ｔａは、例えば６．０μｍ以下である。これに対して、リム付きウエハ１の段差の側面に沿って形成されるレジスト４の膜厚ｔｂは、例えば約４００μｍ以上である。このように、レジスト４の膜厚は、リム付きウエハ１の段差において局所的に厚い。 FIG. 2 is a side view showing the step of the rimmed wafer 1 and its surrounding area. The film thickness ta of the resist 4 formed on the portions of the rimmed wafer 1 other than the steps is, for example, 6.0 μm or less. On the other hand, the film thickness tb of the resist 4 formed along the side surface of the step of the rimmed wafer 1 is, for example, about 400 μm or more. In this way, the film thickness of the resist 4 is locally thick at the steps of the rimmed wafer 1.

図３は、前提技術の露光装置がリム付きウエハ１を露光する様子を示す斜視図である。前提技術の露光装置は、リム付きウエハ１を搭載するステージと、ステージに対して一定角度、典型的には垂直に固定された回転軸３を中心にステージを回転させる回転機構と、リム付きウエハ１に照射される光２を発する光源とを備えている。但し、簡単化のため図３ではステージと光源の図示を省略している。回転軸３は鉛直方向に設けられ、ステージは回転軸３に対して典型的には垂直に固定される。従って、ステージのリム付きウエハ１の搭載面は水平であり、ステージに搭載されたリム付きウエハ１は、水平に保持される。回転軸３が回転すると、回転軸３と共にステージとリム付きウエハ１も回転する。この状態で、光源からの光２が、上方からリム付きウエハ１に照射され、リム１ｂと中央部１ａの一部を含む連続的な領域である処理領域を露光する。処理領域は、リム付きウエハ１の外周端から一定距離内の領域であり、リム１ｂと中央部１ａとの段差を含む。なお、本明細書において、光源は、ランプまたはＬＥＤ等の発光体に加えて、発光体から出射した光をリム付きウエハ１の上方まで導くレンズ等の光学系を含む。 FIG. 3 is a perspective view showing how the exposure apparatus of the base technology exposes the wafer 1 with a rim. The exposure apparatus of the underlying technology includes a stage on which a wafer with a rim 1 is mounted, a rotation mechanism that rotates the stage around a rotation axis 3 fixed at a fixed angle, typically perpendicular to the stage, and a wafer with a rim. A light source that emits light 2 that is irradiated onto the light source 1 is provided. However, for simplicity, illustration of the stage and light source is omitted in FIG. 3. The rotation axis 3 is provided in a vertical direction, and the stage is typically fixed perpendicularly to the rotation axis 3. Therefore, the mounting surface of the rimmed wafer 1 on the stage is horizontal, and the rimmed wafer 1 mounted on the stage is held horizontally. When the rotating shaft 3 rotates, the stage and the rimmed wafer 1 also rotate together with the rotating shaft 3. In this state, light 2 from a light source is irradiated onto the rimmed wafer 1 from above, exposing a processing area that is a continuous area including the rim 1b and a part of the central portion 1a. The processing area is an area within a certain distance from the outer peripheral edge of the rimmed wafer 1, and includes a step between the rim 1b and the center portion 1a. In this specification, the light source includes, in addition to a light emitting body such as a lamp or an LED, an optical system such as a lens that guides the light emitted from the light emitter to above the wafer 1 with a rim.

図４は、前提技術の露光装置によるリム付きウエハ１の露光領域を示す側面図である。リム１ｂと、リム１ｂに接する中央部１ａの一部からなる連続的な領域に、光２が照射される。図４において、光２を表す矢印の長さは、露光量を表している。つまり、光２の照射領域の全般に亘り、露光量は一定である。 FIG. 4 is a side view showing the exposure area of the rimmed wafer 1 by the exposure apparatus of the base technology. Light 2 is irradiated onto a continuous region consisting of the rim 1b and a part of the central portion 1a that is in contact with the rim 1b. In FIG. 4, the length of the arrow representing light 2 represents the amount of exposure. In other words, the amount of exposure is constant over the entire area irradiated with the light 2.

図５は、前提技術の露光装置によりリム付きウエハ１の段差の側面にレジスト残り４ｒが生じた状態を示す側面図である。光２の照射方向は、リム付きウエハ１の上面に略垂直であり、リム付きウエハ１の段差の側面に略平行である。光２は非常に直進性が高く、照射された方向にあるレジスト４しか感光させることができない。リム付きウエハ１の段差以外の場所に形成されたレジスト４は、その厚みが光２の露光量より小さいため、完全に除去される。しかし、リム付きウエハ１の段差の側面に沿って形成されたレジスト４は、その厚みが光２の露光量より大きいため、完全に除去されず、レジスト残り４ｒとなる。 FIG. 5 is a side view showing a state in which resist residue 4r is generated on the side surface of the step of the rimmed wafer 1 by the exposure apparatus of the base technology. The irradiation direction of the light 2 is substantially perpendicular to the upper surface of the rimmed wafer 1 and substantially parallel to the side surface of the step of the rimmed wafer 1. The light 2 travels in a very straight line and can only expose the resist 4 in the direction in which it is irradiated. The resist 4 formed on the rimmed wafer 1 at locations other than the steps is completely removed because its thickness is smaller than the exposure amount of the light 2. However, since the resist 4 formed along the side surface of the step of the rimmed wafer 1 is thicker than the exposure amount of the light 2, it is not completely removed, leaving a resist residue 4r.

＜Ｂ．実施の形態１＞
＜Ｂ－１．構成＞
図６は、実施の形態１の露光装置がリム付きウエハ１を露光する様子を示す斜視図である。実施の形態１の露光装置は、回転機構が回転軸３の鉛直方向に対する角度を０°以上４５°以下の範囲で任意に変更する機構を有する点でのみ、前提技術の露光装置と異なる。回転軸３の方向が鉛直方向から変化することにより、リム付きウエハ１を搭載するステージの搭載面は水平方向から傾斜し、リム付きウエハ１は水平方向から傾斜した状態でステージに保持される。リム付きウエハ１の水平方向からの傾斜角度は、０°以上４５°以下の任意の角度である。 <B. Embodiment 1>
<B-1. Configuration>
FIG. 6 is a perspective view showing how the exposure apparatus of the first embodiment exposes the wafer 1 with a rim. The exposure apparatus of the first embodiment differs from the exposure apparatus of the base technology only in that the rotation mechanism has a mechanism for arbitrarily changing the angle of the rotating shaft 3 with respect to the vertical direction within a range of 0° or more and 45° or less. By changing the direction of the rotation axis 3 from the vertical direction, the mounting surface of the stage on which the rimmed wafer 1 is mounted is inclined from the horizontal direction, and the rimmed wafer 1 is held on the stage in a state inclined from the horizontal direction. The angle of inclination of the rimmed wafer 1 from the horizontal direction is an arbitrary angle of 0° or more and 45° or less.

図７は、前提技術の露光装置によるリム付きウエハ１の露光領域を示す側面図である。露光処理において、光２がリム付きウエハ１の処理領域に照射される。図７において、光２を表す矢印の長さは、露光量を表している。つまり、光２の照射領域の全般に亘り、露光量は一定である。 FIG. 7 is a side view showing the exposure area of the rimmed wafer 1 by the exposure apparatus of the base technology. In the exposure process, light 2 is irradiated onto a processing area of the rimmed wafer 1. In FIG. 7, the length of the arrow representing light 2 represents the amount of exposure. In other words, the amount of exposure is constant over the entire area irradiated with the light 2.

図８は、実施の形態１の露光装置によりレジスト４が除去される様子を示す側面図である。リム付きウエハ１は水平方向から傾斜しているため、光２はリム付きウエハ１の上面に対して略垂直ではなく斜め方向から照射される。言い換えれば、光２はリム付きウエハ１の段差の側面に対して略水平ではなく斜め方向から照射される。そのため、段差の側面に沿って形成されたレジスト４の、光２の照射方向における厚みが、前提技術に比べて小さくなり、結果として光２の露光量より小さくなる。従って、段差の側面に沿って形成されたレジスト４が完全に除去される。図８において、除去されるレジスト４を点線で示している。 FIG. 8 is a side view showing how the resist 4 is removed by the exposure apparatus of the first embodiment. Since the rimmed wafer 1 is inclined from the horizontal direction, the light 2 is irradiated not substantially perpendicularly to the upper surface of the rimmed wafer 1 but from an oblique direction. In other words, the light 2 is irradiated onto the side surface of the step of the rimmed wafer 1 not substantially horizontally but obliquely. Therefore, the thickness of the resist 4 formed along the side surface of the step in the irradiation direction of the light 2 becomes smaller than that of the base technology, and as a result, becomes smaller than the exposure amount of the light 2. Therefore, the resist 4 formed along the side surfaces of the step is completely removed. In FIG. 8, the resist 4 to be removed is indicated by a dotted line.

＜Ｂ－２．効果＞
上記で説明したように、実施の形態１の露光装置は、中央部１ａと中央部より厚い外周部であるリム１ｂとを備えるリム付きウエハ１を載置するステージと、ステージに対して一定角度で固定された回転軸３を中心にステージを回転させる回転機構と、リム付きウエハ１の上面に形成された中央部１ａとリム１ｂとの段差を含む、リム付きウエハ１の外周端から一定距離内の領域である処理領域に光２を照射する光源と、を備える。回転機構は、光２が段差の側面に斜めから入射するよう、回転軸３の方向を調整することによってリム付きウエハ１の姿勢角度を調整する。従って、処理領域を露光する際に、段差の側面に沿って形成された厚いレジスト４を完全に除去することができる。 <B-2. Effect＞
As explained above, the exposure apparatus of Embodiment 1 includes a stage on which a rimmed wafer 1 is placed, which includes a central portion 1a and a rim 1b that is a thicker outer peripheral portion than the central portion, and a stage that is angled at a certain angle with respect to the stage. A rotation mechanism that rotates the stage around a rotation axis 3 fixed at , and a certain distance from the outer peripheral edge of the rimmed wafer 1, including the step between the center portion 1a and the rim 1b formed on the upper surface of the rimmed wafer 1. a light source that irradiates light 2 to a processing area that is an area within the processing area. The rotation mechanism adjusts the attitude angle of the rimmed wafer 1 by adjusting the direction of the rotation axis 3 so that the light 2 enters the side surface of the step obliquely. Therefore, when exposing the processing area, the thick resist 4 formed along the side surfaces of the step can be completely removed.

＜Ｃ．実施の形態２＞
＜Ｃ－１．構成＞
図９は、実施の形態２の露光装置がリム付きウエハ１を露光する様子を示す斜視図である。実施の形態２の露光装置は、露光処理中に、回転機構が回転軸３の方向を一定ではなく多段階に変化させる点でのみ、実施の形態１の露光装置と異なる。回転軸３の方向の変化に伴い、リム付きウエハ１の水平方向に対する傾斜角度も、１回の露光処理中に多段階で変化する。その結果、レジスト４に対する光２の照射角度が多段階で変化し、効率的にレジスト４を露光することができる。 <C. Embodiment 2>
<C-1. Configuration>
FIG. 9 is a perspective view showing how the exposure apparatus of the second embodiment exposes the wafer 1 with a rim. The exposure apparatus of Embodiment 2 differs from the exposure apparatus of Embodiment 1 only in that the rotation mechanism changes the direction of the rotation axis 3 in multiple steps instead of constant during exposure processing. As the direction of the rotation axis 3 changes, the inclination angle of the rimmed wafer 1 with respect to the horizontal direction also changes in multiple stages during one exposure process. As a result, the irradiation angle of the light 2 on the resist 4 changes in multiple stages, allowing the resist 4 to be exposed efficiently.

図１０は、リム付きウエハ１の水平方向に対する傾斜角度がθ１である場合を示している。図１１は、リム付きウエハ１の水平方向に対する傾斜角度がθ１より大きいθ２である場合を示している。１回の露光処理において、最初はリム付きウエハ１の傾斜角度をθ１として露光を行い、その後、リム付きウエハ１の傾斜角度をθ２に変更することで、効率的にレジスト４を露光することができる。 FIG. 10 shows a case where the inclination angle of the rimmed wafer 1 with respect to the horizontal direction is θ1. FIG. 11 shows a case where the inclination angle of the rimmed wafer 1 with respect to the horizontal direction is θ2, which is larger than θ1. In one exposure process, the resist 4 can be efficiently exposed by first performing exposure with the inclination angle of the rimmed wafer 1 as θ1, and then changing the inclination angle of the rimmed wafer 1 to θ2. can.

＜Ｃ－２．効果＞
実施の形態２の露光装置において、回転機構は、一度の露光処理中に回転軸３の方向を多段階に調整する。従って、処理領域のレジスト４が効率的に露光される。 <C-2. Effect＞
In the exposure apparatus of the second embodiment, the rotation mechanism adjusts the direction of the rotation shaft 3 in multiple stages during one exposure process. Therefore, the resist 4 in the processing area is efficiently exposed.

＜Ｄ．実施の形態３＞
＜Ｄ－１．構成＞
通常の露光装置は、１０ｍｍ以内など、ウエハの外周から予め定められた距離によって周辺露光を行う露光領域を定める。そして、通常の露光装置は、ウエハを回転させながら常にウエハの外周を検出し、その結果に基づき、露光領域の水平方向の位置を調整する。 <D. Embodiment 3>
<D-1. Configuration>
A typical exposure apparatus defines an exposure area in which peripheral exposure is performed by a predetermined distance from the outer periphery of the wafer, such as within 10 mm. A typical exposure apparatus constantly detects the outer circumference of the wafer while rotating the wafer, and adjusts the horizontal position of the exposure area based on the results.

リム付きウエハ１を水平方向に対して傾斜させると、図１２に示すように、露光すべき領域の水平方向の位置が変化する。そのため、リム付きウエハ１の傾斜にあわせて、光２の照射位置を水平方向に変化させる必要がある。 When the rimmed wafer 1 is tilted with respect to the horizontal direction, the horizontal position of the area to be exposed changes as shown in FIG. Therefore, it is necessary to change the irradiation position of the light 2 in the horizontal direction in accordance with the inclination of the rimmed wafer 1.

図１３は、実施の形態３の露光装置がリム付きウエハ１を露光する様子を示す斜視図である。実施の形態３の露光装置は、回転軸３を水平方向に移動する機構を備える。実施の形態３の露光装置は、リム付きウエハ１の傾斜に伴い、回転軸３を水平方向に移動することによって、リム付きウエハ１を水平方向に移動し、光２の照射位置の露光すべき領域に対する水平方向の位置ずれを解消する。 FIG. 13 is a perspective view showing how the exposure apparatus of the third embodiment exposes the wafer 1 with a rim. The exposure apparatus of Embodiment 3 includes a mechanism for moving the rotating shaft 3 in the horizontal direction. The exposure apparatus of Embodiment 3 moves the rimmed wafer 1 in the horizontal direction by moving the rotating shaft 3 in the horizontal direction as the rimmed wafer 1 is tilted, and exposes the irradiation position of the light 2. Eliminate horizontal misalignment of the area.

＜Ｄ－２．変形例＞
図１３では、リム付きウエハ１を水平方向に移動することによって、光２の照射位置の露光すべき領域に対する水平方向の位置ずれを解消することについて説明した。しかし、光２を照射する照射ユニットを水平方向に移動することによって、図１４に示すように光２の水平方向の照射位置を変更し、露光すべき領域である処理領域に対する水平方向の位置ずれを解消してもよい。言い換えれば、実施の形態３の変形例の露光装置は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光の照射位置が処理領域に近づくよう、光源の水平方向の位置を調整する光源水平位置調整機構を備える。 <D-2. Modified example>
In FIG. 13, it has been explained that by moving the rimmed wafer 1 in the horizontal direction, the horizontal displacement of the irradiation position of the light 2 with respect to the area to be exposed is eliminated. However, by moving the irradiation unit that irradiates light 2 in the horizontal direction, the horizontal irradiation position of light 2 can be changed as shown in FIG. may be resolved. In other words, the exposure apparatus of the modification of the third embodiment has a light source horizontal position that adjusts the horizontal position of the light source so that the light irradiation position approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer 1 changes. Equipped with an adjustment mechanism.

＜Ｄ－３．効果＞
実施の形態３の露光装置において、回転機構は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光２の照射位置が処理領域に近づくよう、回転軸の水平方向の位置を調整する。これにより、実施の形態３の露光装置によれば、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴う、光２の照射位置に対する処理領域の水平方向の位置ずれを補正することができる。 <D-3. Effect＞
In the exposure apparatus of the third embodiment, the rotation mechanism adjusts the horizontal position of the rotation axis so that the irradiation position of the light 2 approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer 1 changes. Thereby, according to the exposure apparatus of Embodiment 3, it is possible to correct a horizontal positional shift of the processing area with respect to the irradiation position of the light 2 due to a change in the attitude angle of the rimmed wafer 1.

また、実施の形態３の変形例の露光装置は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光の照射位置が処理領域に近づくよう、光源の水平方向の位置を調整する光源水平位置調整機構を備える。これにより、実施の形態３の変形例の露光装置によれば、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴う、光２の照射位置に対する処理領域の水平方向の位置ずれを補正することができる。 Further, the exposure apparatus of the modification of the third embodiment has a light source horizontal position adjustment that adjusts the horizontal position of the light source so that the light irradiation position approaches the processing area as the posture angle of the rimmed wafer 1 changes. Equipped with a mechanism. Thereby, according to the exposure apparatus of the modification of the third embodiment, it is possible to correct the horizontal positional shift of the processing area with respect to the irradiation position of the light 2 due to a change in the attitude angle of the rimmed wafer 1.

＜Ｅ．実施の形態４＞
＜Ｅ－１．構成＞
リム付きウエハ１が水平方向から傾斜すると、リム付きウエハ１の露光すべき領域は、水平方向の位置だけでなく鉛直方向の位置も変化する。従って、リム付きウエハ１の傾斜に伴い、光２の照射位置が水平方向だけでなく鉛直方向にもずれる。そこで、実施の形態４の露光装置は、回転軸３を垂直方向に移動する機構を備える。実施の形態４の露光装置は、リム付きウエハ１の傾斜に伴い、回転軸３を垂直方向に移動することによって、図１５に示すように、リム付きウエハ１を垂直方向に移動し、光２の照射位置の露光すべき領域に対する垂直方向の位置ずれを解消する。 <E. Embodiment 4>
<E-1. Configuration>
When the rimmed wafer 1 is tilted from the horizontal direction, the area of the rimmed wafer 1 to be exposed changes not only in its horizontal position but also in its vertical position. Therefore, as the rimmed wafer 1 is tilted, the irradiation position of the light 2 shifts not only in the horizontal direction but also in the vertical direction. Therefore, the exposure apparatus of the fourth embodiment includes a mechanism for moving the rotation shaft 3 in the vertical direction. The exposure apparatus of Embodiment 4 moves the rimmed wafer 1 in the vertical direction by moving the rotating shaft 3 in the vertical direction as the rimmed wafer 1 is tilted, as shown in FIG. The vertical positional deviation of the irradiation position with respect to the area to be exposed is eliminated.

＜Ｅ－２．変形例＞
図１５では、リム付きウエハ１を垂直方向に移動することによって、光２の照射位置の露光すべき領域に対する垂直方向の位置ずれを解消することについて説明した。しかし、光２を照射する照射ユニットを垂直方向に移動することによって、図１６に示すように光２の鉛直方向の照射位置を変更し、露光すべき領域に対する鉛直方向の位置ずれを解消してもよい。言い換えれば、実施の形態４の変形例の露光装置は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光の照射位置が処理領域に近づくよう、光源の鉛直方向の位置を調整する光源水平位置調整機構を備える。 <E-2. Modified example>
In FIG. 15, it has been explained that by moving the rimmed wafer 1 in the vertical direction, the positional deviation in the vertical direction of the irradiation position of the light 2 with respect to the area to be exposed is eliminated. However, by moving the irradiation unit that irradiates light 2 in the vertical direction, the vertical irradiation position of light 2 can be changed as shown in FIG. 16, and the vertical positional deviation with respect to the area to be exposed can be eliminated. Good too. In other words, in the exposure apparatus of the modification of the fourth embodiment, the light source horizontal position adjusts the vertical position of the light source so that the light irradiation position approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer 1 changes. Equipped with an adjustment mechanism.

＜Ｅ－３．効果＞
実施の形態４の露光装置において、回転機構は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光２の照射位置が処理領域に近づくよう、回転軸の鉛直方向の位置を調整する。これにより、実施の形態４の露光装置によれば、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴う、光２の照射位置に対する処理領域の鉛直方向の位置ずれを補正することができる。 <E-3. Effect＞
In the exposure apparatus of the fourth embodiment, the rotation mechanism adjusts the vertical position of the rotation axis so that the irradiation position of the light 2 approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer 1 changes. As a result, according to the exposure apparatus of the fourth embodiment, it is possible to correct a vertical positional shift of the processing area with respect to the irradiation position of the light 2 due to a change in the attitude angle of the rimmed wafer 1.

また、実施の形態４の変形例の露光装置は、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴い、光の照射位置が処理領域に近づくよう、光源の鉛直方向の位置を調整する光源鉛直位置調整機構を備える。これにより、実施の形態４の変形例の露光装置によれば、リム付きウエハ１の姿勢角度の変更に伴う、光２の照射位置に対する処理領域の鉛直方向の位置ずれを補正することができる。 Further, the exposure apparatus of the modification of the fourth embodiment has a light source vertical position adjustment that adjusts the vertical position of the light source so that the light irradiation position approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer 1 changes. Equipped with a mechanism. Thereby, according to the exposure apparatus of the modification of the fourth embodiment, it is possible to correct a vertical positional shift of the processing area with respect to the irradiation position of the light 2 due to a change in the attitude angle of the rimmed wafer 1.

なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。 Note that it is possible to freely combine each embodiment, or to modify or omit each embodiment as appropriate.

１リム付きウエハ、１ａ中央部、１ｂリム、２光、３回転軸、４レジスト。 1 wafer with rim, 1a center, 1b rim, 2 light, 3 rotation axis, 4 resist.

Claims

a stage on which a wafer with a rim is placed, the stage having a central portion and a rim that is a peripheral portion thicker than the central portion;
a rotation mechanism that rotates the stage around a rotation axis fixed at a constant angle with respect to the stage;
a light source that irradiates light to a processing area that is an area within a certain distance from the outer peripheral edge of the rimmed wafer, including a step between the center portion formed on the upper surface of the rimmed wafer and the rim;
The rotation mechanism adjusts the attitude angle of the rimmed wafer by adjusting the direction of the rotation axis so that the light obliquely enters the side surface of the step.
Exposure equipment.

The rotation mechanism adjusts the direction of the rotation axis in multiple stages during one exposure process.
The exposure apparatus according to claim 1.

The rotation mechanism adjusts the horizontal position of the rotation axis so that the irradiation position of the light approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer changes.
An exposure apparatus according to claim 1 or claim 2.

The rotation mechanism adjusts the vertical position of the rotation axis so that the irradiation position of the light approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer changes.
An exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3.

further comprising a light source horizontal position adjustment mechanism that adjusts the horizontal position of the light source so that the irradiation position of the light approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer changes;
An exposure apparatus according to claim 1 or claim 2.

The light source further includes a light source vertical position adjustment mechanism that adjusts the vertical position of the light source so that the irradiation position of the light approaches the processing area as the attitude angle of the rimmed wafer changes.
An exposure apparatus according to claim 1 or claim 2.