JP7372164B2 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。

半導体デバイスを製造するための半導体製造装置においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に薬液または有機溶剤含有液などの様々な処理液を吐出して処理を行う液処理モジュールが設けられる。

液処理モジュールにおいて、ノズルから吐出される処理液の吐出量を精度よく制御することが求められているが、所望の吐出量と実際の吐出量とに差が生じることがある。そこで、処理液の吐出量の測定と、測定結果に基づく吐出量の調整とが、作業者によって行われている。

処理液の吐出量の測定および吐出量の補正について説明する。まず、半導体製造装置の初期立ち上げ時または定期メンテナンス時などに作業者が採液容器を液処理モジュールに配置し、液処理モジュールのノズルから当該採液容器内に処理液を吐出させる。

その後、作業者が当該採液容器を半導体製造装置の外部に置かれた電子天秤へ運び、処理液の重量を測定し、測定された重量から吐出量を算出する。

処理液の吐出量の補正は、測定された吐出量に基づいて、作業者が液処理モジュールのパラメータを変更することで行われる。このような、処理液の吐出量の測定とパラメータの変更とが繰り返し行われ、それによって吐出量が許容範囲内に収まるように補正される。

このように、吐出量の測定は人手を介する作業であるため、たとえば採液容器に処理液を吐出してから測定するまでの作業時間にばらつきが生じると、処理液の揮発量が変化して処理液の吐出量の測定値に誤差が生じることが懸念される。それに加えて、処理液の採取時に処理液が飛散して、作業員にかかってしまうおそれもある。さらに、揮発性の処理液では、作業員に害を及ぼすリスクが存在する。

したがって、処理液を直接採取して測定する方法は、吐出量の測定精度および安全の観点から好ましくない（たとえば、特許文献１を参照）。

特開２０１４－１９９８８１号公報

このような状況において、発明者らは処理液を送る配管の外径または肉厚の規格値に対する数％程度の製造誤差によって生じる内径の違いにより、当該配管内を流れる処理液の流量が変動することを見出した。内径の違いによって流量の変動が生じた場合、吐出された処理液の量が２０％程度の差が生じてしまう場合もある。そのため、処理液の吐出量を精度よく制御するためには、処理液を送る配管の情報を正確に取得することが重要である。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、超音波を用いる流量測定器によって流量制御の精度低下を抑制するための技術である。

本願明細書に開示される技術の第１の態様は、配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、前記配管の内径である第１の内径を測定するための少なくとも１つの内径測定器と、入力される前記配管の内径に基づいて、前記配管を流れる前記処理液の流量を超音波を用いて測定するための流量測定器と、前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、前記制御部は、前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記流量測定器によって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する。

本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記処理液は、ポリマーである。

本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、前記制御部は、前記第１の内径に基づいて、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力を制御する。

本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１から３のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記制御部は、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力時間を制御する。

本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１から４のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内径測定器を複数備え、それぞれの前記内径測定器は、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される。

本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１から５のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内径測定器を複数備え、それぞれの前記内径測定器は、前記配管の周方向における複数箇所に配置される。

本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第１から６のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内径測定器は、超音波センサーである。

本願明細書に開示される技術の第８の態様は、配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、前記配管の内径である第１の内径を測定し、かつ、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定するための少なくとも１つの超音波センサーと、前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、前記制御部は、前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する。

本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第８の態様に関連し、前記超音波センサーを複数備え、それぞれの前記超音波センサーは、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される。

本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、第８または９の態様に関連し、前記超音波センサーを複数備え、それぞれの前記超音波センサーは、前記配管の周方向における複数箇所に配置される。

本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１から１０のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記制御部は、前記第１の内径と、前記配管の内径の規格値である第２の内径とを用いて誤差率を算出し、かつ、前記誤差率を用いて測定される前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する。

本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、第１１の態様に関連し、前記誤差率があらかじめ定められたしきい値よりも大きい場合に警報を発報する報知部をさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第１３の態様は、配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための基板処理方法であり、前記配管の内径である第１の内径を測定する工程と、超音波センサーを用いて、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定する工程と、前記配管を介して前記基板を処理するための前記処理液を送液するためのポンプの出力を制御する工程とを備え、前記ポンプの出力を制御する工程は、前記基板の処理のためにあらかじめ設定された前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記基板の処理のために送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、さらに、前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する工程である。

本願明細書に開示される技術の第１４の態様は、第１３の態様に関連し、前記第１の内径を測定する工程は、前記配管内に前記処理液が流れている状態で前記第１の内径を測定する工程である。

本願明細書に開示される技術の第１から１４の態様によれば、測定された配管の内径に基づいて処理液の流量が制御されるため、配管サイズの個体差などがある場合でも流量制御の精度低下を抑制することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、基板処理装置の全体構成の例を示す図である。 実施の形態に関する、処理ユニットとそれに関連する構成を示す図である。 内径測定機能について説明するための模式図である。 内径測定の変形例１に関する模式図である。 内径測定の変形例２に関する模式図である。 基板処理装置における基板の処理の流れの一例を示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の全体構成の例を示す図である。図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

本実施の形態に関する基板処理装置１００は、円形薄板状であるシリコン基板である基板Ｗに対して、薬液およびリンス液を用いて液処理を行った後、置換液を用いてリンス液を置換し、さらに、塗布液を塗布して置換液を除去して塗布膜を形成させる。

上記の薬液としては、たとえば、アンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）、塩酸と過酸化水素水との混合水溶液（ＳＣ２）、または、ＤＨＦ液（希フッ酸）などが用いられる。上記のリンス液としては、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、オゾン水または水素水などが用いられる。また、上記の置換液としては、たとえば、水溶性有機溶剤であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などが用いられる。また、上記の塗布液としては、たとえば、水溶性高分子樹脂であるアクリル樹脂などが用いられる。

以下の説明では、薬液とリンス液と置換液と塗布液とを総称して「処理液」とする。

基板処理装置１００は、複数の処理ユニット１と、インデクサ部１０２におけるインデクサロボットＩＲと、搬送部１０３における搬送ロボットＣＲ１および搬送ロボットＣＲ２とを備える。

インデクサ部１０２は、装置外から受け取る処理対象である基板Ｗを装置内に搬送するとともに、基板処理が完了している処理済みの基板Ｗを装置外に搬出する。インデクサ部１０２は、複数のロードポートＬＰにそれぞれ保持されるキャリアＣを配置するとともに、インデクサロボットＩＲを備える。

キャリアＣとしては、基板Ｗを密閉空間に収納するｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）、ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ（ＯＣ）が採用されてもよい。また、インデクサロボットＩＲは、キャリアＣと搬送ロボットとの間で基板Ｗを移送する。

処理ユニット１は、１枚の基板Ｗに対して液処理および乾燥処理を行う。本実施の形態に関する基板処理装置１００には、１２個の処理ユニット１が配置されている。

具体的には、それぞれが鉛直方向に積層された３個の処理ユニット１を含む４つのタワーが、搬送ロボットの周囲を取り囲むようにして配置されている。

図１では、３段に重ねられた処理ユニット１の１つが概略的に示されている。なお、基板処理装置１００における処理ユニット１の数量は、適宜変更されてもよい。

搬送ロボットＣＲ１および搬送ロボットＣＲ２は、処理ユニット１が積層された６個のタワーの中央に設置されている。搬送ロボットＣＲ１および搬送ロボットＣＲ２は、インデクサロボットＩＲから受け取る処理対象の基板Ｗをそれぞれの処理ユニット１に搬入する。また、搬送ロボットＣＲ１および搬送ロボットＣＲ２は、それぞれの処理ユニット１から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサロボットＩＲに渡す。

以下、基板処理装置１００に搭載された処理ユニット１のうちの１つについて説明するが、他の処理ユニット１についても、ノズルの配置関係が異なること以外は、同一の構成を有する。

図２は、本実施の形態に関する処理ユニット１とそれに関連する構成を示す図である。図２に例が示されるように、処理ユニット１には、処理液供給系３と、制御系５とが接続される。

処理ユニット１は、図示しないチャンバで全体が覆われ、そのチャンバ内で基板Ｗに対して処理を行うものである。具体的には、スピンチャック７と、処理カップ９と、回転駆動モータ１１とを備える。遮断板は備えていてもよい。

スピンチャック７は、平面視において基板Ｗよりも大きい直径を有する板状部材である。本実施の形態におけるスピンチャック７は、たとえば、基板Ｗの外周縁を支持する支持ピン１５を有するものであるが、基板Ｗの裏面を真空吸引して当該裏面を吸着するものであってもよい。

処理カップ９は、スピンチャック７の周囲を囲うように配置される。回転駆動モータ１１は、スピンチャック７の下面の回転中心に回転軸の先端部が連結される。回転駆動モータ１１が平面視で回転駆動すると、スピンチャック７が基板Ｗとともに同方向に回転する。

処理液供給系３は、ノズル１９と、ノズル２１、ノズル１７、ノズル１８と、配管２３、配管２５、配管２７および配管６８とを備えている。

ノズル１９は、ノズルアーム２０の先端に取り付けられており、図示しない駆動源によって当該ノズルアーム２０を駆動することによって、基板Ｗの回転中心に先端部が向けられた姿勢となる処理位置と、処理カップ９の側方に退避した退避位置との間で移動可能に設けられている。ノズル１９は、配管２３の一端側が連通接続されている。

配管２３の他端側は、薬液供給源２９に連通接続されている。配管２３は、薬液供給源２９側から順に、ポンプ２９Ａと、流量調整弁３１と、超音波センサー３５と、吐出バルブ３３とが設けられている。

ポンプ２９Ａは、薬液供給源２９から供給される薬液を吸い込み、かつ、吸い込んだ薬液を吐出することによって、薬液を処理ユニット１へ供給する。流量調整弁３１は、配管２３を流通する薬液の流量を調整する。吐出バルブ３３は、流量調整弁３１で調整された薬液の流通および遮断を制御する。

超音波センサー３５は、薬液の流量を測定する流量測定機能と、配管２３の内径を測定する内径測定機能とを有する。

ノズル２１は、上述したノズル１９と同様に、ノズルアーム２０の先端に取り付けられており、前述した駆動源によって当該ノズルアーム２０を駆動することによって、基板Ｗの回転中心に先端部が向けられた姿勢となる処理位置と、処理カップ９の側方に退避した退避位置との間で移動可能に設けられている。

ノズル２１は、配管２５の一端側が連通接続されている。配管２５の他端側は、純水（ＤＩＷ）供給源３７に連通接続されている。

配管２５は、ＤＩＷ供給源３７側から順に、流量調整弁３９と、超音波センサー４３と、吐出バルブ４１とが設けられている。

流量調整弁３９は、配管２５を流通する純水の流量を調整する。吐出バルブ４１は、流量調整弁３９で調整された純水の流通および遮断を制御する。

超音波センサー４３は、ＤＩＷの流量を測定する流量測定機能と、配管２５の内径を測定する内径測定機能とを有する。

ノズル１７は、上記のノズル１９と同様に、ノズルアーム６２の先端に取り付けられており、上記の駆動源によってノズルアーム６２を駆動することによって、基板Ｗの回転中心に先端部が向けられた姿勢となる処理位置と、処理カップ９の側方に退避する退避位置との間で移動可能に設けられている。

ノズル１７は、配管２７の一端側が連通接続されている。配管２７の他端側は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）供給源４５に連通接続されている。

配管２７は、ＩＰＡ供給源４５側から順に、ポンプ４５Ａと、流量調整弁４７と、超音波センサー５１と、吐出バルブ４９とが設けられている。

ポンプ４５Ａは、ＩＰＡ供給源４５から供給されるＩＰＡを吸い込み、かつ、吸い込んだＩＰＡを吐出することによって、ＩＰＡを処理ユニット１へ供給する。流量調整弁４７は、配管２７を流通するＩＰＡの流量を調整する。吐出バルブ４９は、流量調整弁４７で調整されたＩＰＡの流通および遮断を制御する。

超音波センサー５１は、ＩＰＡの流量を測定する流量測定機能と、配管２７の内径を測定する内径測定機能とを有する。

ノズル１８は、上記のノズル１９と同様に、ノズルアーム６６の先端に取り付けられており、上記の駆動源によってノズルアーム６６を駆動することによって、基板Ｗの回転中心に先端部が向けられた姿勢となる処理位置と、処理カップ９の側方に退避する退避位置との間で移動可能に設けられている。

ノズル１８は、配管６８の一端側が連通接続されている。配管６８の他端側は、塗布液供給源６９に連通接続されている。

配管６８は、塗布液供給源６９側から順に、ポンプ６７と、流量調整弁６５と、超音波センサー６３と、吐出バルブ６１とが設けられている。

ポンプ６７は、塗布液供給源６９から供給される塗布液を吸い込み、かつ、吸い込んだ塗布液を吐出することによって、塗布液を処理ユニット１へ供給する。流量調整弁６５は、配管６８を流通する塗布液の流量を調整する。吐出バルブ６１は、流量調整弁６５で調整された塗布液の流通および遮断を制御する。

超音波センサー６３は、塗布液の流量を測定する流量測定機能と、配管６８の内径を測定する内径測定機能とを有する。

上記の超音波センサー３５、超音波センサー４３、超音波センサー５１、超音波センサー６３は、処理液の漏れの検出にも用いることができる（以下、これらを区別せずに、単に「超音波センサー」と称する場合がある）。処理液の漏れは、処理液の供給時における流量に比較して極端に流量が小さいので、微少流量の測定が可能な超音波流量計が好適である。なお、ここでいう微少流量とは、たとえば、毎分数十ｍｌの流量である。

制御系５は、制御部５３と、記憶部５５と、報知部５７とを備えている。

制御部５３は、内部または外部の記憶部５５（ＨＤＤ、ＲＡＭ、ＲＯＭまたはフラッシュメモリなどの、揮発性または不揮発性のメモリなど）に記憶されたプログラムを実行することによって制御対象を制御するものであり、たとえば、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）、マイクロプロセッサまたはマイクロコンピュ－タなどで構成される。

制御部５３は、演算部５９を内蔵している。演算部５９は、超音波センサー３５、超音波センサー４３および超音波センサー５１から出力される信号の遅延時間に基づいて、配管の内径値を算出する。また、制御部５３は、超音波センサー３５、超音波センサー４３および超音波センサー５１から出力される処理液の流量値に基づいてポンプの動作を制御することによって、処理液の流量を制御する。

記憶部５５には、外部から入力されたそれぞれの配管の内径の規格値、外径の規格値、演算部５９において算出された配管の内径値、また、それぞれの基板処理に対してあらかじめ設定された処理液の流量値などが記憶されている。

報知部５７は、後述の誤差率Ｚがしきい値よりも大きい場合などに、そのことをオペレータに報知する。当該報知に際して、報知部５７は、光または音などを用いる警報を発報する。

＜超音波センサーについて＞
本実施の形態における超音波センサー、特に、少なくとも超音波センサー６３は、たとえばクランプオン式であり、配管の周囲に巻き付けられる態様で設けられる。また、本実施の形態における超音波センサーは、巻き付けられている配管の内径を測定する内径測定機能と、巻き付けられている配管を流れる処理液の流量（単位時間当たりの量、および、単位時間当たりの量に吐出時間を乗じて算出される積算流量を含む）を測定する流量測定機能とを有する。単位時間当たりの量の場合にポンプの吐出時間を乗じることによって、積算流量が導き出される。

なお、内径測定機能と流量測定機能とは、別々の超音波センサーによって実現されてもよい。すなわち、内径測定器である超音波センサーと、流量測定器である超音波センサーとがそれぞれ別々に備えられてもよい。

内径測定の方法については、超音波方式に限られるものではなく、たとえば、レーザーなどを用いる光学式の検出方法であってもよい。一方で、流量測定の検出方法としては、処理液の状態によってドップラー方式または伝搬時間差方式などが用いられる。

図３は、上記の機能のうちの内径測定機能について説明するための模式図である。図３において、配管２０１は図の奥行き方向（Ｘ軸方向）に延びるものとし、配管２０１のＸ軸方向に延びる中心軸を軸Ｘ_０とする。また、配管２０１で反射する超音波に関連して模式的に示される反射波の波形図は、波形Ａ１が外側面２０１Ａで反射した際の超音波の波形を示しており、波形Ａ２が内側面２０１Ｂで反射した際の超音波の波形を示しており、波形Ａ３が配管２０１の下面に接触して配置された反射部材２０２で反射した際の超音波の波形を示している。ここで、反射部材２０２は、空気よりも音響インピーダンスが十分に大きい物質からなるものとする。

図３に例が示されるように、超音波センサー２００は、ＹＺ平面における配管２０１の軸Ｘ_０を通る方向に超音波を出力し、さらに、配管２０１で反射される超音波を測定する。そうすることによって、配管２０１の内径を測定する。

具体的には、まず、超音波センサー２００から配管２０１の軸Ｘ_０を通る方向に超音波を出力すると、一部の超音波が配管２０１の外側面２０１Ａで反射する。この反射された超音波を超音波センサー２００が受信する。さらに、制御部５３の演算部５９が、超音波センサー２００に受信された超音波の出力信号の遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と外側面２０１Ａとの間の距離Ｌ_１を算出することができる。

図３の場合では、演算部５９は、たとえば波形Ａ１が受信されるまでの遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と超音波センサー２００に対向する外側面２０１Ａとの間の距離Ｌ_１を算出することができる。なお、反射した超音波の遅延時間を求める方法としては、所定のしきい値を超える波形が受信されるまでの時間を遅延時間とする方法があり、以下の場合でも同様の方法を採用することができる。

なお、図３では、説明の都合上超音波センサー２００の出射面と外側面２０１Ａとは離れて位置しているが、これらを接触させて配置することによって、超音波センサー２００と外側面２０１Ａとの間の距離Ｌ_１の算出を省略する（または、単純化する）ことが望ましい。

次に、配管２０１の外側面２０１Ａを透過した一部の超音波は、配管２０１内部の処理液の流路２０１Ｃを通過し、さらに内側面２０１Ｂで反射する。この反射された超音波を超音波センサー２００が受信する。さらに、制御部５３の演算部５９が、超音波センサー２００に受信された超音波の出力信号の遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と内側面２０１Ｂとの間の距離Ｌ_２を算出することができる。

図３の場合では、演算部５９は、たとえば波形Ａ２が受信されるまでの遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と超音波センサー２００に対向する内側面２０１Ｂとの間の距離Ｌ_２を算出することができる。

次に、配管２０１の内側面２０１Ｂを透過した一部の超音波は、さらに、配管２０１に対して超音波センサーとは反対側に位置する反射部材２０２で反射する。この反射された超音波を超音波センサー２００が受信する。さらに、制御部５３の演算部５９が、超音波センサー２００に受信された超音波の出力信号の遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と反射部材２０２との間の距離Ｌ_３を算出することができる。

図３の場合では、演算部５９は、たとえば波形Ａ３が受信されるまでの遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と反射部材２０２との間の距離Ｌ_３を算出することができる。図３において反射部材２０２は、超音波が出力される方向において、配管２０１に対して超音波センサー２００とは反対側の外側面２０１Ａに接触して配置されるため、距離Ｌ_３と距離Ｌ_１との差分は、配管２０１の外径に相当する。

ここで、配管２０１の全周において配管２０１の厚さが等しいと仮定すると、上記の距離Ｌ_１、距離Ｌ_２および距離Ｌ_３を用いて、配管２０１の内径Ｘ_１は、以下の式（１）に基づいて求めることができる。

なお、図３においては、反射部材２０２を用いて距離Ｌ_３を実測する場合が示されたが、配管２０１の外径（Ｌ_３－Ｌ_１）は、規格値を参照することによって求めてもよい。その場合には、反射部材２０２および距離Ｌ_３の測定は不要である。

また、上記では、超音波が、超音波センサー２００に対向する外側面２０１Ａ、超音波センサー２００に対向する内側面２０１Ｂ、および、反射部材２０２で反射する場合が示されたが、超音波が他の面（たとえば、超音波センサー２００に対向する外側面２０１Ａとは反対側の、超音波センサー２００に対向しない内側面２０１Ｂ）でも反射する場合であっても、同様に測定可能である。

また、流量測定を行う場合には、まず、超音波センサーは、出力される超音波の方向を適宜調整し、処理液の流速を測定する。そして、超音波センサーは、測定された流速値および配管の内径値に基づいて、たとえば、処理液の体積流量を算出して出力する。

ここで、配管の内径値は、超音波センサーによって実測された内径の値であってもよいし、記憶部５５などにあらかじめ記憶された規格値が参照された値であってもよい。

＜基板処理装置の動作について＞
以下、基板処理装置１００の動作のうち、特に処理液を吐出する動作について説明する。以下では、図２に示された構成のうち、たとえば、塗布液供給源６９から塗布液が供給され、基板Ｗに対してノズル１８から塗布液が吐出される場合について説明する。

まず、制御部５３によってポンプ６７、流量調整弁６５および吐出バルブ６１が制御され、塗布液供給源６９から供給される塗布液が配管６８内を流れる。

次に、超音波センサー６３が配管６８を流れる薬液の流速を測定する。さらに、超音波センサー６３は、当該流速値と、あらかじめ入力されている配管６８の内径値とを用いて、塗布液の流量値を出力する。

超音波センサー６３から出力された流量値を受信した制御部５３は、受信した当該流量値と、記憶部５５にあらかじめ記憶されている、所定の基板処理に対してあらかじめ設定された薬液の流量値とを比較する。そして、制御部５３は、超音波センサー６３から出力された流量値が、所定の基板処理に対してあらかじめ設定された薬液の積算流量値に一致するように、ポンプ６７の出力値を制御する。

ここで、超音波センサー６３には、あらかじめ配管６８の内径値が入力されているが、当該内径値は、超音波センサー６３によって実測された内径の値であってもよいし、記憶部５５などにあらかじめ記憶されている規格値が参照された値であってもよい。

超音波センサー６３に入力されている内径値が、超音波センサー６３によって実測された内径の値である場合、超音波センサー６３から出力された流量値は、高い精度で測定された配管６８の内径値と薬液の流速とに基づく流量値であるため、制御部５３は、当該流量値が所定の基板処理に対してあらかじめ設定された薬液の流量値（たとえば、２ｍｌ）に一致するように、ポンプ６７の出力値を制御すればよい。

一方で、超音波センサー６３に入力されている内径値が、規格値が参照された内径値である場合、当該内径値は、実際の内径値とは異なる値となっている場合がある。これは、実際の内径値が、配管６８の厚みの個体差、または、高温（または低温）の処理液が流れることに起因する熱膨張（または縮小）などによって変化し得るからである。

そのような場合、制御部５３の演算部５９は、規格値が参照された内径値に基づく流量値に後述の誤差率を乗算して補正する。そして、制御部５３は、補正された当該流量値が所定の基板処理に対してあらかじめ設定された塗布液の流量値（たとえば、２ｍｌ）に一致するように、ポンプ６７の出力値を制御する。

上記の誤差率Ｚは、内径の規格値をＸ_Ｒとすると、以下の式（２）のように算出される。

そして、誤差率Ｚを用いて、測定された流量値Ｒを補正すると、以下の式（３）のように補正された流量値Ｒ’を求めることができる。

流量値Ｒ’が単位時間当たりの量である場合は、ポンプの吐出時間を乗じることによって積算流量を求めることができる。

＜内径測定の変形例１＞
図４は、内径測定の変形例１に関する模式図である。図４において、配管２０１は図の奥行き方向（Ｘ軸方向）に延びるものとし、配管２０１のＸ軸方向に延びる中心軸を軸Ｘ_０とする。また、配管２０１には、処理液２０３が流れているものとする。また、配管２０１で反射する超音波に関連して模式的に示される反射波の波形図は、波形Ａ１、波形Ａ２および波形Ａ３に加えて、波形Ａ４を示している。波形Ａ４は、超音波センサー２００に対向しない内側面２０１Ｂと処理液２０３との境界で反射した際の超音波の波形を示している。

図４に例が示される内径測定の場合では、処理液２０３が配管２０１内を流れている。よって、処理液の熱などの影響によって配管２０１が熱膨張するような場合であっても、高い精度で配管２０１の内径を測定することができる。

なお、配管２０１の外側面２０１Ａを透過した一部の超音波は、当該外側面２０１Ａとは反対側の内側面２０１Ｂに到達する。そして、内側面２０１Ｂと、流路２０１Ｃを流れる処理液２０３との境界で反射する。この反射された超音波を超音波センサー２００が受信する。さらに、制御部５３の演算部５９が、超音波センサー２００に受信された超音波の出力信号の遅延時間および超音波の伝搬速度に基づいて、超音波センサー２００と内側面２０１Ｂ（すなわち、超音波センサー２００と処理液２０３）との間の距離Ｌ_４を算出することができる。

＜内径測定の変形例２＞
超音波センサーを、たとえば配管の周りに超音波の出力方向が互いに直交するように複数配置して、超音波センサーから配管に対して異なる方向から超音波が出力されることによって、配管の内径を異なる方向から複数測定したり、配管の延びる方向に複数の超音波センサーを配置して、それぞれの超音波センサーの位置において配管の内径が測定されることによって、配管が延びる方向における配管の内径の変化（たとえば、配管の端部同士での内径の変化）を測定したりすることができる。また、たとえば、同じ超音波センサーで複数回測定された配管の内径値の平均を用いることによって、内径の測定精度を向上させることができる。

図５は、内径測定の変形例２に関する模式図である。図５において、配管２０１は図の左右方向（Ｘ軸方向）に延びるものとし、配管２０１のＸ軸方向に延びる中心軸を軸Ｘ_０とする。図５においては、配管２０１の延びる方向に複数の超音波センサー（超音波センサー２００および超音波センサー２００Ｄ）が配置されている。

このように、配管２０１の延びる方向において複数の超音波センサーが配置され、それぞれの超音波センサーの位置において配管２０１の内径が測定されることによって、配管２０１が延びる方向における配管２０１の内径の変化も測定することができる。また、たとえば、複数測定された内径値の平均をとるなどすれば、内径の測定精度を向上させることができる。

たとえば、超音波センサーを用いて配管を周方向に１周する間にＮ回内径を測定する場合に、測定された配管の半径を用いて、以下の式（４）に示されるように配管の断面積を求めてもよい。

＜基板処理装置における基板処理について＞
基板処理装置１００における基板Ｗの処理は、たとえば、薬液処理、リンス処理、置換処理、充填材充填処理および乾燥処理の順で行われる。図６は、基板処理装置１００における基板Ｗの処理の流れの一例を示す図である。

まず、基板Ｗが、スピンチャック７により水平状態で保持される（ステップＳＴ１１）。続いて、基板Ｗの回転が開始され、比較的高い回転速度（たとえば、８００ｒｐｍ）にて回転中の基板Ｗに対して、ノズル１９から薬液が供給される。そして、薬液の供給が所定時間継続されることにより、基板Ｗに対する薬液処理が行われる（ステップＳＴ１２）。本実施の形態では、薬液としてＤＨＦが利用され、基板Ｗの上面に対する洗浄処理が行われる。これにより、基板Ｗの上面が疎水面となる。

薬液の供給が停止されると、比較的高い回転速度（たとえば、ステップＳＴ１２と同様の８００ｒｐｍ）にて回転中の基板Ｗに対して、ノズル２１からリンス液が供給される。そして、リンス液の供給が所定時間継続されることにより、基板Ｗに対するリンス処理が行われる（ステップＳＴ１３）。リンス処理では、基板Ｗ上の薬液が、ノズル２１から供給されるリンス液（たとえば、ＤＩＷ）により洗い流される。

ステップＳＴ１３が終了すると、基板Ｗの回転速度を漸次減少させつつリンス液の供給が停止され、ノズル１７から基板Ｗの上面に対して置換液（ＩＰＡ）が供給される。このとき、基板Ｗの回転速度は、上述の回転速度よりも十分に低い回転速度である。基板Ｗの回転速度は、たとえば、０ｒｐｍ～１０ｒｐｍである。基板Ｗ上に供給されたＩＰＡは、上面の中央部から径方向外方へと拡がる。

そして、基板Ｗに対するＩＰＡの供給を継続しつつ、比較的高い回転速度（たとえば、８００ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を漸次増加させる。これにより、基板Ｗの上面の中央部からＩＰＡが径方向外方へと拡がり、基板Ｗ上のリンス液が径方向外方へと移動する。そして、基板Ｗ上からリンス液が除去され（すなわち、リンス液がＩＰＡに置換され）、基板Ｗの上面には、ＩＰＡの薄い液膜（以下、「置換液膜」という。）が形成されて保持される。基板処理装置１００では、置換液膜の厚さが所望の厚さとなるように、置換液膜が形成される際の基板Ｗの回転速度が設定される。

ＩＰＡは、表面張力が小さいため、基板Ｗの上面の構造体における隙間（すなわち、構造体において隣接する構造体要素の間の空間）に入り込みやすい。このため、構造体における隙間がＩＰＡで満たされる（ステップＳＴ１４）。置換液膜は、少なくとも構造体の高さをほぼ覆う程度、または、それ以上の厚さを有する。ＩＰＡによるリンス液の置換処理が終了すると、ＩＰＡの供給が停止される。

ステップＳＴ１４が終了すると、ステップＳＴ１４における比較的高い回転速度を維持した状態で回転中の基板Ｗに対して、塗布液供給源６９から塗布液である充填材溶液が供給される。所定量の充填材溶液が基板Ｗ上に供給されると、充填材溶液の供給は停止される。塗布液供給源６９から基板Ｗ上の置換液膜に供給された充填材溶液は、基板Ｗの回転により上面の中央部から径方向外方へと拡がる。これにより、基板Ｗ上の置換液膜上に充填材溶液の液膜が形成される。なお、充填材溶液の液膜が形成される際の基板Ｗの回転数は、必ずしも一定に維持される必要はなく、適宜変動してもよい。たとえば、基板Ｗの回転が停止された状態で充填材溶液が供給され、その後、基板Ｗが回転されることにより、置換液膜上に充填材溶液の液膜が形成されてもよい。

その後、基板Ｗの回転速度が減少され、たとえば、１０ｒｐｍとされる。上述のように、基板Ｗの上面の略全体は置換液膜により覆われており、置換液膜の上面の略全体は充填材溶液の液膜により覆われている。充填材溶液の比重は置換液よりも大きいため、置換液膜と充填材溶液の液膜との上下が入れ替わる。これにより、基板Ｗの上面の構造体における隙間に存在するＩＰＡが、充填材溶液により置換され、構造体における隙間が充填材溶液により満たされる（ステップＳＴ１５）。換言すれば、ステップＳＴ１５は、構造体において隣接する構造体要素の間に充填材を埋め込む充填材充填処理（すなわち、充填材埋め込み処理）である。基板Ｗ上では、上面に充填材溶液の液膜が位置し、充填材溶液の液膜上に置換液膜が位置する。

ステップＳＴ１５が終了すると、基板Ｗの回転速度が増加され、充填材溶液の液膜上の置換液膜が基板Ｗ上から除去される。また、充填材溶液の余剰も、基板Ｗ上から除去される。このときの基板Ｗの回転速度は、ステップＳＴ１５において基板Ｗの構造体における隙間（すなわち、隣接する構造体要素の間）に埋め込まれた充填材が遠心力で外方に抜けてしまわない程度の速度である。たとえば、基板Ｗは、３００ｒｐｍ～５００ｒｐｍにて回転される。これにより、基板Ｗの上面に、充填材溶液の液膜である塗布膜が形成される（ステップＳＴ１６）。当該塗布膜は、構造体の全体を覆うために必要な厚さを有する。基板Ｗ上では、充填材溶液に含まれる溶媒が気化することにより、塗布膜の固化が進行する。

続いて、基板Ｗの乾燥処理が行われる（ステップＳＴ１８）。ステップＳＴ１８では、基板Ｗをスピンチャック７により保持した状態で高速にてスピンチャック７を回転する。これにより、基板Ｗが乾燥される。

乾燥処理が終了した基板Ｗは、基板処理装置１００から搬出され、次の処理装置（図示省略）へと搬送される。そして、次の処理装置にて基板Ｗが加熱され、基板Ｗ上の構造体における隙間（すなわち、隣接する構造体要素の間）に埋め込まれた充填材が除去される。基板Ｗが基板処理装置１００から次の処理装置へと搬送される際には、基板Ｗの周縁領域の充填材は除去されているため、搬送機構が充填材により汚染されることが防止される。基板処理装置１００では、上述のステップＳＴ１１～Ｓ１８の処理が、複数の基板Ｗに対して順次行われる。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、処理部と、ポンプと、少なくとも１つの内径測定器と、流量測定器と、制御部５３とを備える。ここで、処理部は、たとえば、処理ユニット１などに対応するものである。また、ポンプは、たとえば、ポンプ２９Ａまたはポンプ４５Ａなどに対応するものである（以下では、単にポンプとする場合がある）。また、内径測定器および流量測定器は、たとえば、超音波センサー２００などに対応するものである。処理ユニット１は、配管２０１を介して供給される処理液を用いて基板を処理する。ポンプは、処理ユニット１に対し、配管２０１を介して処理液を送液する。超音波センサーは、配管２０１の内径である第１の内径を測定する。また、別の超音波センサーは、入力される配管２０１の内径に基づいて、配管２０１を流れる処理液の流量を超音波を用いて測定する。制御部５３は、処理液を送液するポンプの出力、たとえば吐出時間を制御する。また、制御部５３は、基板の処理のためにあらかじめ設定された、処理ユニット１に送液される処理液の第１の流量と、第１の内径を用いて超音波センサー２００によって測定される、処理ユニット１に送液される処理液の第２の流量とを比較する。そして、制御部５３は、第２の流量が第１の流量に一致するように、ポンプの出力を制御する。

このような構成によれば、測定された配管２０１の内径に基づいて処理液の第２の流量が第１の流量に一致するように制御されるため、配管サイズの個体差などがある場合でも積算流量の精度低下を抑制することができる。特に、吐出バルブを開けた直後の流量、または、継続して処理液を吐出している時の流量の精度低下を抑制することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、超音波センサー２００を複数備える。そして、それぞれの超音波センサー２００は、配管２０１が延びる方向における複数箇所に配置される。このような構成によれば、配管２０１が延びる方向における配管２０１の内径の変化も測定することができる。また、たとえば、複数測定された内径値の平均をとるなどすれば、内径の測定精度を向上させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、超音波センサー２００を複数備える。そして、それぞれの超音波センサー２００は、配管２０１の周方向における複数箇所に配置される。このような構成によれば、配管２０１の内径を異なる方向から複数測定することができる。よって、たとえば、複数測定された内径値の平均をとるなどすれば、内径の測定精度を向上させることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、内径測定可能であり、かつ、流量測定可能な超音波センサー２００を備える。このような構成によれば、配管の内径測定と、配管を流れる処理液の流量測定とを１つの機器で兼用することができるため、装置構成を簡易なものにすることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、配管２０１を介して供給される処理液を用いて基板を処理する処理ユニット１と、処理ユニット１に対し、配管２０１を介して処理液を送液するポンプと、配管２０１の内径である第１の内径を測定し、かつ、配管２０１を流れる処理液の流量を測定する、少なくとも１つの超音波センサー２００と、処理液を送液するポンプの出力を制御する制御部５３とを備える。また、制御部５３は、基板の処理のためにあらかじめ設定された、処理ユニット１に送液される処理液の第１の流量と、第１の内径を用いて超音波センサー２００によって測定される、処理ユニット１に送液される処理液の第２の流量とを比較する。そして、制御部５３は、第２の流量が第１の流量に一致するように、ポンプの出力を制御する。

このような構成によれば、測定された配管の内径に基づいて処理液の流量が制御されるため、配管サイズの個体差などがある場合でも流量制御の精度低下を抑制することができる。また、１つの超音波センサーを用いて、配管の内径測定と処理液の流量測定とを行うことができるため、装置構成を簡易なものにすることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部５３は、第１の内径と、配管２０１の内径の規格値である第２の内径とを用いて誤差率を算出する。そして、制御部５３は、誤差率を用いて超音波センサー２００によって測定される第２の流量が第１の流量に一致するように、ポンプの出力を制御する。このような構成によれば、超音波センサーから出力される流量値に対して、配管の実際の内径を考慮した補正を加えることができるため、簡易な演算によって精度の高い流量制御を行うことができる。

以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、配管２０１の内径である第１の内径を測定する工程と、超音波センサー２００を用いて、配管２０１を流れる処理液の流量を測定する工程と、配管２０１を介して基板を処理するための処理液を送液するためのポンプの出力を制御する工程とを備える。ここで、ポンプの出力を制御する工程は、基板の処理のためにあらかじめ設定された、処理ユニット１に送液される処理液の第１の流量と、第１の内径を用いて超音波センサー２００によって測定される、処理ユニット１に送液される処理液の第２の流量とを比較し、さらに、第２の流量が第１の流量に一致するように、ポンプの出力を制御する工程である。

このような構成によれば、測定された配管の内径に基づいて処理液の流量が制御されるため、配管サイズの個体差などがある場合でも流量制御の精度低下を抑制することができる。

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、第１の内径を測定する工程は、配管２０１内に処理液が流れている状態で第１の内径を測定する工程である。このような構成によれば、処理液の熱などの影響によって配管２０１が熱膨張するような場合であっても、高い精度で配管２０１の内径を測定することができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、積算流量を所定の値にするためポンプの出力を制御することで記載したが、積算流量は単位時間当たりの量と吐出時間とから調整してもよい。それぞれの構成要素の寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。

本実施の形態は、ポリマーの吐出に限られず、他の処理液でも、積算流量が極少量の場合に利用できる。

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

１ 処理ユニット
３ 処理液供給系
５ 制御系
７ スピンチャック
９ 処理カップ
１１ 回転駆動モータ
１５ 支持ピン
１７，１８，１９，２１ ノズル
２０，６２，６６ ノズルアーム
２３，２５，２７，６８，２０１ 配管
２９ 薬液供給源
２９Ａ，４５Ａ，６７ ポンプ
３１，３９，４７，６５ 流量調整弁
３３，４１，４９，６１ 吐出バルブ
３５，４３，５１，６３，２００，２００Ｄ 超音波センサー
３７ ＤＩＷ供給源
４５ ＩＰＡ供給源
５３ 制御部
５５ 記憶部
５７ 報知部
５９ 演算部
６９ 塗布液供給源
１００ 基板処理装置
１０２ インデクサ部
１０３ 搬送部
２０１Ａ 外側面
２０１Ｂ 内側面
２０１Ｃ 流路
２０２ 反射部材
２０３ 処理液

Claims (14)

1. 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、
   前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、
   前記配管の内径である第１の内径を測定するための少なくとも１つの内径測定器と、
   入力される前記配管の内径に基づいて、前記配管を流れる前記処理液の流量を超音波を用いて測定するための流量測定器と、
   前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、
   前記制御部は、
   前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記流量測定器によって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、
   前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
   前記処理液は、ポリマーである、
   基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
   前記制御部は、前記第１の内径に基づいて、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力を制御する、
   基板処理装置。
4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記制御部は、前記処理液の流量があらかじめ定められた積算流量になるように、前記ポンプの出力時間を制御する、
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記内径測定器を複数備え、
   それぞれの前記内径測定器は、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される、
   基板処理装置。
6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記内径測定器を複数備え、
   それぞれの前記内径測定器は、前記配管の周方向における複数箇所に配置される、
   基板処理装置。
7. 請求項１から６のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
   前記内径測定器は、超音波センサーである、
   基板処理装置。
8. 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための処理部と、
   前記処理部に対し、前記配管を介して前記処理液を送液するためのポンプと、
   前記配管の内径である第１の内径を測定し、かつ、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定するための少なくとも１つの超音波センサーと、
   前記処理液を送液する前記ポンプの出力を制御するための制御部とを備え、
   前記制御部は、
   前記基板の処理のためにあらかじめ設定された、前記処理部に送液される前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記処理部に送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、
   前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
   基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であり、
   前記超音波センサーを複数備え、
   それぞれの前記超音波センサーは、前記配管が延びる方向における複数箇所に配置される、
   基板処理装置。
10. 請求項８または９に記載の基板処理装置であり、
    前記超音波センサーを複数備え、
    それぞれの前記超音波センサーは、前記配管の周方向における複数箇所に配置される、
    基板処理装置。
11. 請求項１から１０のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記制御部は、前記第１の内径と、前記配管の内径の規格値である第２の内径とを用いて誤差率を算出し、かつ、前記誤差率を用いて測定される前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する、
    基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置であり、
    前記誤差率があらかじめ定められたしきい値よりも大きい場合に警報を発報する報知部をさらに備える、
    基板処理装置。
13. 配管を介して供給される処理液を用いて基板を処理するための基板処理方法であり、
    前記配管の内径である第１の内径を測定する工程と、
    超音波センサーを用いて、前記配管を流れる前記処理液の流量を測定する工程と、
    前記配管を介して前記基板を処理するための前記処理液を送液するためのポンプの出力を制御する工程とを備え、
    前記ポンプの出力を制御する工程は、
    前記基板の処理のためにあらかじめ設定された前記処理液の第１の流量と、前記第１の内径を用いて前記超音波センサーによって測定される、前記基板の処理のために送液される前記処理液の第２の流量とを比較し、さらに、前記第２の流量が前記第１の流量に一致するように、前記ポンプの出力を制御する工程である、
    基板処理方法。
14. 請求項１３に記載の基板処理方法であり、
    前記第１の内径を測定する工程は、前記配管内に前記処理液が流れている状態で前記第１の内径を測定する工程である、
    基板処理方法。

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