JP7371871B2 - 構造体および構造体の製造方法ならびに電子機器 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(一方に多孔質基体を用いた構造体の例)
1-1.構造体の構成
1-2.構造体の製造方法
1-3.作用・効果
2.第2の実施の形態(他方に多孔質基体または金属基体を用いた構造体の例)
3.変形例
3-1.変形例1(バッファ層が光透過性を有する例)
3-2.変形例2(一方に難硝材を用いた構造体の例)
4.実施例
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る構造体(構造体1)の断面構成を模式的に表したものである。この構造体1は、2つ以上の被接合部材が、例えば原子拡散接合によって接合された積層構造を有するものであり、例えば、プロジェクタ等に用いられる波長変換素子(例えば、図11A参照)を構成するものである。本実施の形態の構造体1は、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する多孔質基体11(第1基体)と、多孔質基体11の一の面と対向配置される基体21(第2基体)とを、少なくとも金属元素を含むバッファ層31内において、例えば原子拡散接合によって接合されたものである。
多孔質基体11は、上記のように、それを構成する材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有するものであり、例えば、層内に複数の空隙Gを有することから密度が連続的な結晶体よりも低いものである。多孔質基体11は、少なくとも一部に表面の粗さを表す算術平均粗さ(Ra)の大きな領域を有する基材であり、研磨加工により算術平均粗さ(Ra)を小さくすることが困難なものである。本実施の形態の多孔質基体11は、例えば2nm以上の算術平均粗さ(Ra)を有すると共に、例えば0.5μm以上3μm以下の空隙Gを複数有するものである。一例として、多孔質基体11は、セラミックスのような焼結体等が挙げられる。
このような構造体1は、例えば、次のように製造することができる。
2つ以上の被接合部材を貼り合わせる接合技術としては、原子拡散接合をはじめとする無機接合がある。無機接合では、接合界面における接触面積を増やして結合力を確保するため、算術平均粗さ(Ra)の小さな接合面が求められている。例えば、ガラス質の均質材料は、研磨加工によって小さな算術平均粗さ(Ra)を有する接合面を実現しやすいことから、原子拡散接合やオプティカルコンタクト等で多くの実用例が存在する。
図5は、本開示の第2の実施の形態に係る構造体(構造体2)の断面構成の一例を模式的に表したものであり、図6は、本開示の第2の実施の形態に係る構造体(構造体3)の断面構成の他の例を模式的に表したものである。これら構造体2,3は、上記第1の実施の形態と同様に、2つ以上の被接合部材が、例えば原子拡散接合によって接合された積層構造を有するものであり、例えば、レーザ増幅器(例えば、図16参照)を構成するものである。
(3-1.変形例1)
図8は、本開示の変形例1に係る構造体(構造体4)の断面構成の一例を模式的に表したものである。構造体4は、上記第1の実施の形態と同様に、2つ以上の被接合部材が、例えば原子拡散接合によって接合された積層構造を有するものであり、例えば、プロジェクタ等に用いられる波長変換素子(例えば、図9A参照)の他、レーザ増幅器やプリズム等、光透過性を有する光学部材等を構成するものである。本変形例では、上記第1の実施の形態と同様に、算術平均粗さ(Ra)の大きな多孔質基体11と、接合面として平板な面を有する基体21とを用いた場合を例に説明する。
図10は、本開示の変形例2係る構造体(構造体5)の断面構成を模式的に表したものである。この構造体5は、2つ以上の被接合部材が、例えば原子拡散接合によって接合された積層構造を有するものであり、例えば、色収差を補正する接合レンズ、プロジェクタに用いる偏光分離プリズムを構成するものである。本変形例の構造体5は、難硝基体81と基体21とを、少なくとも金属元素を含むバッファ層31を間に、例えば原子拡散接合によって接合されたものである。
次に、上記実施の形態および変形例において説明した機能素子(構造体1~5)の実施例について説明する。但し、以下で説明する構成はあくまで一例であり、その構成は適宜変更可能である。
図11Aは、蛍光体ホイール(蛍光体ホイール100A)の断面構成の一例を式的に表したものであり、図11Bは、図11Aに示した蛍光体ホイール100Aの平面構成の一例を模式的に表したものである。なお、図11Aは、図11Bに示したI-I線における断面を表している。この蛍光体ホイール100Aは、例えばプロジェクタの光源部における透過型の波長変換素子として用いられるものである。
図15Aは、発光デバイス200(発光デバイス200A)の断面構成の一例を表したものであり、図15Bは、図15Aに示した発光デバイス200Aの平面構成を模式的に表したものである。なお、図15Aは、図15Bに示したII-II線における断面を表している。発光デバイス200Aは、例えば、プロジェクタの光源や、自動車のヘッドライト光源等の照明装置として用いられるものである。
レーザ増幅器(continuous wave:CW)は、一般的にポンプ光が増大することによって波長変換素子(レーザ媒質)の温度が上昇し、変換効率が低減することが知られている。これを解決するため冷却排熱目的で熱伝導性のよい材料を接合することで放熱特性を向上させることができ、レーザ媒質の温度低減によって変換効率を維持することができる。例えば、熱伝導性のよい材料には、レーザ媒質YAG(nd:1.81)とCVDダイヤモンド(nd:2.39)、YAG(nd:1.81)と6H-SiC(nd:2.6)、YAG(nd:1.81)とサファイア(nd:1.74)、YAG(nd:1.81)とYAG(nd:1.81)等の組み合わせた接合が考えられる。このとき、光線透過面で異種の材料で接合する場合、接合界面でのフレネル反射損失が存在する。この接合界面でのフレネル反射損失を低減するために誘電体多層膜を内包し、屈折率をマッチングさせる形での接合が低損失で有効となる。
パルスレーザモジュールでは、増幅器の機能を有する、例えばNdドープYAGと、受動Qスイッチ器の機能を有するCrドープYAGとが接合されている。この場合、ポンプ光波長は反射し、誘導放出光のみを透過する誘電体多層膜を内包し、接合することによって波長変換層(増幅器)とパルス光を生成する受動Qスイッチ器を一体化させたシンプルなパルスレーザ素子構造が実現できる。
(1)
一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体と、
前記第1基体の前記一の面と対向配置された第2基体と、
前記第1基体と前記第2基体との間に設けられると共に、少なくとも金属元素を含み、光透過性を有するバッファ層と
を備えた構造体。
(2)
前記第1基体は、前記一の面の少なくとも一部に表面粗さの大きな領域を有する、前記(1)に記載の構造体。
(3)
前記第1基体は、2nm以上の算術平均粗さ(Ra)を有する、前記(1)または(2)に記載の構造体。
(4)
前記第1基体は多孔質基材である、前記(1)乃至(3)のうちのいずれかに記載の構造体。
(5)
前記第1基体はセラミックスである、前記(1)乃至(4)のうちのいずれかに記載の構造体。
(6)
前記第2基体は金属基材である、前記(1)乃至(3)のうちのいずれかに記載の構造体。
(7)
前記第1基体は難硝材である、前記(1)乃至(3)のうちのいずれかに記載の構造体。
(8)
前記バッファ層は、膜厚方向に金属元素が局所的に分布している、前記(1)乃至(7)のうちのいずれかに記載の構造体。
(9)
前記第1基体と前記第2基体とは、原子拡散接合を用いて接合されている、前記(1)乃至(6)のうちのいずれかに記載の構造体。
(10)
一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体上に、少なくとも金属元素を含む第1のバッファ層を形成し、前記第1のバッファ層の表面を研磨したのち、前記第1のバッファ層上に微結晶構造を有する第1の金属膜を形成し、
前記第1の金属膜と第2基体とを接合し、前記第1基体と前記第2基体との間に、少なくとも金属元素を含むバッファ層と形成する
構造体の製造方法。
(11)
前記第1の金属膜と前記第2基体とを接合したのち、加熱処理して前記バッファ層を形成する、前記(10)に記載の製造方法。
(12)
前記第1のバッファ層を真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて成膜する、前記(10)または(11)に記載の構造体の製造方法。
(13)
前記第1のバッファ層の表面を光学研磨または化学機械研磨を用いて処理する、前記(10)乃至(12)のうちのいずれかに記載の構造体の製造方法。
(14)
一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体上に、少なくとも金属元素を含む第1のバッファ層を形成し、前記第1のバッファ層の表面を研磨したのち、前記第1のバッファ層上に微結晶構造を有する第1の金属膜を形成し、
第2基体上に、少なくとも金属元素を含む第2のバッファ層および微結晶構造を有する第2の金属膜を形成し、
前記第1の金属膜と前記第2の金属膜とを接合し、前記第1基体と前記第2基体との間に、少なくとも金属元素を含むバッファ層と形成する
構造体の製造方法。
(15)
前記第1の金属膜と前記第2の金属膜とを接合したのち、加熱処理して前記バッファ層を形成する、前記(14)に記載の製造方法。
(16)
一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体と、
前記第1基体の前記一の面と対向配置された第2基体と、
前記第1基体と前記第2基体との間に設けられると共に、少なくとも金属元素を含み、光透過性を有するバッファ層と
を有する構造体を備えた電子機器。
Claims (16)
- 一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体と、
前記第1基体の前記一の面と対向配置された第2基体と、
前記第1基体と前記第2基体との間に設けられると共に、少なくとも金属元素を含み、光透過性を有するバッファ層と
を備えた構造体。 - 前記第1基体は、前記一の面の少なくとも一部に表面粗さの大きな領域を有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1基体は、2nm以上の算術平均粗さ(Ra)を有する、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1基体は多孔質基材である、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1基体はセラミックスである、請求項1に記載の構造体。
- 前記第2基体は金属基材である、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1基体は難硝材である、請求項1に記載の構造体。
- 前記バッファ層は、膜厚方向に金属元素が局所的に分布している、請求項1に記載の構造体。
- 前記第1基体と前記第2基体とは、原子拡散接合を用いて接合されている、請求項1に記載の構造体。
- 一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体上に、少なくとも金属元素を含む第1のバッファ層を形成し、前記第1のバッファ層の表面を研磨したのち、前記第1のバッファ層上に微結晶構造を有する第1の金属膜を形成し、
前記第1の金属膜と第2基体とを接合し、前記第1基体と前記第2基体との間に、少なくとも金属元素を含むバッファ層と形成する
構造体の製造方法。 - 前記第1の金属膜と前記第2基体とを接合したのち、加熱処理して前記バッファ層を形成する、請求項10に記載の製造方法。
- 前記第1のバッファ層を真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて成膜する、請求項10に記載の構造体の製造方法。
- 前記第1のバッファ層の表面を光学研磨または化学機械研磨を用いて処理する、請求項10に記載の構造体の製造方法。
- 一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体上に、少なくとも金属元素を含む第1のバッファ層を形成し、前記第1のバッファ層の表面を研磨したのち、前記第1のバッファ層上に微結晶構造を有する第1の金属膜を形成し、
第2基体上に、少なくとも金属元素を含む第2のバッファ層および微結晶構造を有する第2の金属膜を形成し、
前記第1の金属膜と前記第2の金属膜とを接合し、前記第1基体と前記第2基体との間に、少なくとも金属元素を含むバッファ層と形成する
構造体の製造方法。 - 前記第1の金属膜と前記第2の金属膜とを接合したのち、加熱処理して前記バッファ層を形成する、請求項14に記載の製造方法。
- 一の面を有すると共に、構成材料の結晶構造と組成とから決定される密度よりも低い密度を有する第1基体と、
前記第1基体の前記一の面と対向配置された第2基体と、
前記第1基体と前記第2基体との間に設けられると共に、少なくとも金属元素を含み、光透過性を有するバッファ層と
を有する構造体を備えた電子機器。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013243360A (ja) | 2012-05-14 | 2013-12-05 | Boeing Co:The | 亜鉛金属及び過酸化亜鉛の反応接合により形成される層状の接合構造 |
WO2018216763A1 (ja) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | 株式会社新川 | 構造体の製造方法及び構造体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2528546B1 (en) | 2010-01-29 | 2018-07-25 | Smith & Nephew, Inc. | Cruciate-retaining knee prosthesis |
-
2019
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013243360A (ja) | 2012-05-14 | 2013-12-05 | Boeing Co:The | 亜鉛金属及び過酸化亜鉛の反応接合により形成される層状の接合構造 |
WO2018216763A1 (ja) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | 株式会社新川 | 構造体の製造方法及び構造体 |
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