JP7362817B2 - 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム - Google Patents
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Description
1)ウエハー温度設定点(ユーザーによってプログラムされた)、
2)図1中の温度検出器36によるスロット温度測定値からの動的フィードバック、
3)主に較正可能な熱電対の変動及び温度降下であるウエハーワット数の関数であり得る、ウエハー温度から感知ウエハー温度への一定のずれ、及び
4)ウエハーワット数
の関数である。
異なる用途には異なる熱流体が使用され、温度が最も高い用途には油が使用される。
さらなる試験は上昇温度で行うことができる。さらなる試験は、温度の下降傾斜中に行うことができる。これらのうち2つの試験は、1つの温度段階から次の温度段階へ進む単一の試験とすることができる。
12 試験機
14 フレーム
18A、18B スロット組立体
28A、28B カートリッジ
32 スロット組立体本体
50 温度検出器
126 水冷却器
128 ヒーター
134 熱制御器
Claims (16)
- 試験装置であって、
少なくとも第1の閉ループ空気経路を定めるフレームと、
前記第1の閉ループ空気経路内に位置し、前記第1の閉ループ空気経路を通って空気を再循環させる少なくとも第1のファンと、
複数のスロット組立体とを備え、各スロット組立体は、
前記フレームに取り付けたスロット組立体本体と、
前記スロット組立体本体に取り付けられ、少なくとも1つの超小型電子機器を有しかつ前記第1の閉ループ空気経路に保持されたそれぞれのウエハーを設置するための試験場所を形成するホルダーと、
複数の導電体とを含み、
前記試験装置は、温度修正装置であって、前記第1の閉ループ空気経路内にある前記フレームに取り付けられ、動作時に前記第1の閉ループ空気経路内の空気と前記第1の閉ループ空気経路内にある温度修正装置との間で熱移送を生じさせる温度修正装置と、
温度を検出する少なくとも1つの温度検出器と、
前記温度に基づいて前記熱の移送を制御する熱制御器と、
前記導電体を介して前記試験場所内の前記ウエハーに接続され、各超小型電子機器に少なくとも電力を供給する電源と、
前記導電体を介して前記ウエハーに接続され、前記超小型電子機器の性能を測定する試験機とを備えることを特徴とする試験装置。 - 前記温度検出器は前記空気の温度を検出する、請求項1に記載の試験装置。
- 各スロット組立体はそれぞれの熱制御器を含み、前記それぞれの熱制御器は、前記それぞれのスロット組立体の前記試験場所に設置された前記ウエハーの前記温度に基づいて熱の移送を制御する、請求項1に記載の試験装置。
- 各スロット組立体はそれぞれの温度修正装置を含み、前記それぞれの温度修正装置は、動作時に温度を変化させて、前記温度修正装置と前記ウエハーとの間の温度差、及び前記温度修正装置と前記ウエハーとの間の熱移送を生じさせて、前記それぞれのスロット組立体の前記それぞれの温度検出器によって測定された前記温度に基づいて、前記ウエハー内の前記超小型電子機器の温度を修正する、請求項1に記載の試験装置。
- 前記第1の閉ループ空気経路内にある前記温度修正装置はヒーターであり、
前記試験装置は、前記第1の閉ループ空気経路内にある冷却器と、
前記第1の閉ループ空気経路内にあり、流れを前記冷却器から遠ざかり前記ヒーターに、又は前記ヒーターから遠ざかり前記冷却器に差し向けるために移動可能なダンパーとをさらに備える、請求項1に記載の試験装置。 - 前記フレームは、少なくとも第2の閉ループ空気経路を定め、
前記試験装置は、前記第2の閉ループ空気経路内に位置して、前記第2の閉ループ空気経路を通って空気を再循環させるための少なくとも第2のファンをさらに備え、各スロット組立体は、
試験電子機器を持ち、前記第2の閉ループ空気経路内に位置する少なくとも1つの板と、
前記第2の閉ループ空気経路内にある前記フレームに取り付けた試験電子機器の温度修正装置であって、動作時に、前記第2の閉ループ空気経路内の空気から前記第2の閉ループ空気経路内にある前記温度修正装置へ前記熱を移送させる試験電子機器の温度修正装置を含む、請求項1に記載の試験装置。 - 複数のカートリッジをさらに備え、各カートリッジは、
それぞれのウエハーを保持するためのカートリッジ本体と、
前記ウエハー上の接点と接触するために前記カートリッジ本体によって保持さたれ複数のカートリッジ接点と、
前記カートリッジ接点に接続されたカートリッジ境界面とを含み、
前記試験装置は複数の第1のスロット組立体境界面を備え、各第1のスロット組立体境界面は前記スロット組立体のそれぞれの1つのスロット組立体に位置し、各カートリッジはそれぞれのウエハーとともに前記フレーム内に挿入可能であり、それぞれのカートリッジ境界面はそれぞれの第1のスロット組立体境界面につながる、請求項1に記載の試験装置。 - 複数の試験機境界面と、
複数の第2のスロット組立体境界面とをさらに備え、各第2のスロット組立体境界面は前記スロット組立体のそれぞれ1つのスロット組立体に位置し、各スロット組立体は前記フレーム内に挿入可能であり、それぞれの第2のスロット組立体境界面はそれぞれの試験機境界面につながる、請求項7に記載の試験装置。 - 超小型電子機器を試験する方法であって、
各ウエハーが少なくとも1つの超小型電子機器を有する複数のウエハーのそれぞれのウエハーを、フレームに取り付けたそれぞれのスロット組立体のそれぞれのホルダーによって設けたそれぞれの試験場所に設置し、前記ウエハーは、前記フレームによって定まる第1の閉ループ空気経路内に保持されている工程と、
前記第1の閉ループ空気経路に位置する少なくとも第1のファンを動作させて、空気を前記第1の閉ループ空気経路を通って再循環させる工程と、
前記第1の閉ループ空気経路内にある前記フレームに取り付けた少なくとも1つの温度修正装置と前記第1の閉ループ空気経路内にある空気との間で熱を移送する工程と、
温度検出器によって温度を検出する工程と、
前記温度に基づいて熱の移送を制御する工程と、
各超小型電子機器に少なくとも電力を供給しかつ前記超小型電子機器の性能を測定することによって、前記超小型電子機器を試験する工程とを備えることを特徴とする方法。 - 前記温度検出器は前記空気の温度を検出する、請求項9に記載の方法。
- 前記熱の移送を、それぞれのスロット組立体の一部を形成するそれぞれの熱制御器で、前記それぞれのスロット組立体の前記試験場所に設置された前記ウエハーの温度に基づいて制御する工程をさらに備える、請求項9に記載の方法。
- 前記温度修正装置と前記ウエハーとの間の温度差、及び温度修正装置とウエハーとの間の熱移送を生じさせて、前記それぞれのスロット組立体の前記それぞれの温度検出器によって測定された温度に基づいて前記ウエハー内の前記電気機器の温度を修正するために、それぞれのスロット組立体の前記それぞれの温度修正装置の温度を変化させる工程をさらに備える、請求項9に記載の方法。
- 前記第1の閉ループ空気経路内にある前記温度修正装置は、前記空気を加熱するヒーターであり、
前記方法は、前記空気を前記第1の閉ループ空気経路内にある冷却器で冷却する工程と、
ダンパーを、空気が冷却器から遠ざかり前記ヒーターに流れて加熱されるように差し向ける位置と、空気が前記ヒーターから遠ざかり前記冷却器に流れて冷却されるように差し向ける位置との間で移動させる工程をさらに備える、請求項9に記載の方法。 - 前記フレームは、少なくとも第2の閉ループ空気経路を定め、
前記方法は、前記第2の閉ループ空気経路に位置する少なくとも第2のファンを作動させて、空気を前記第2の閉ループ空気経路を通って再循環させる工程をさらに備え、各スロット組立体は、
試験電子回路を持ち、前記第2の閉ループ空気経路内に位置している少なくとも1つの板を含み、
前記方法は、前記第2の閉ループ空気経路内にある前記フレームに取り付けた試験電子機器の温度修正装置を動作させて、前記第2の閉ループ空気経路内の空気から前記第2の閉ループ空気経路内にある温度修正装置へ熱を移送させる工程をさらに備える、請求項9に記載の方法。 - 複数のカートリッジのそれぞれのカートリッジ内に複数のウエハーの各々を保持する工程と、
前記それぞれのカートリッジのカートリッジ本体によって保持された複数のカートリッジ接点と前記それぞれのウエハー上の接点とを接触させる工程と、
各カートリッジをそれぞれのウエハーとともに前記フレームに挿入する工程と、
各それぞれのカートリッジ上のそれぞれのカートリッジ境界面を、前記それぞれのスロット組立体上のそれぞれの第1のスロット組立体境界面に接続する工程とをさらに備える、請求項9に記載の方法。 - 前記フレームに各スロット組立体を挿入する工程と、
各それぞれのスロット組立体上のそれぞれの第2のスロット組立体境界面をそれぞれの試験装置境界面に接続する工程とをさらに備える、請求項15に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023172760A JP2023178335A (ja) | 2016-01-08 | 2023-10-04 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662276746P | 2016-01-08 | 2016-01-08 | |
US62/276,746 | 2016-01-08 | ||
JP2018535825A JP7045995B2 (ja) | 2016-01-08 | 2017-01-06 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535825A Division JP7045995B2 (ja) | 2016-01-08 | 2017-01-06 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023172760A Division JP2023178335A (ja) | 2016-01-08 | 2023-10-04 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022082613A JP2022082613A (ja) | 2022-06-02 |
JP7362817B2 true JP7362817B2 (ja) | 2023-10-17 |
Family
ID=59274465
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535825A Active JP7045995B2 (ja) | 2016-01-08 | 2017-01-06 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
JP2022045659A Active JP7362817B2 (ja) | 2016-01-08 | 2022-03-22 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
JP2023172760A Pending JP2023178335A (ja) | 2016-01-08 | 2023-10-04 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018535825A Active JP7045995B2 (ja) | 2016-01-08 | 2017-01-06 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023172760A Pending JP2023178335A (ja) | 2016-01-08 | 2023-10-04 | 電子試験装置における装置の熱制御のための方法及びシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10466292B2 (ja) |
JP (3) | JP7045995B2 (ja) |
KR (1) | KR20180101476A (ja) |
CN (1) | CN108780114B (ja) |
TW (2) | TWI782508B (ja) |
WO (1) | WO2017120514A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-01-06 TW TW110115369A patent/TWI782508B/zh active
- 2017-01-06 KR KR1020187022771A patent/KR20180101476A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-06 WO PCT/US2017/012597 patent/WO2017120514A1/en active Application Filing
- 2017-01-06 US US15/400,771 patent/US10466292B2/en active Active
- 2017-01-06 JP JP2018535825A patent/JP7045995B2/ja active Active
- 2017-01-06 TW TW106100392A patent/TWI729056B/zh active
- 2017-01-06 CN CN201780011541.6A patent/CN108780114B/zh active Active
-
2019
- 2019-09-19 US US16/576,555 patent/US11209497B2/en active Active
-
2021
- 2021-11-22 US US17/532,298 patent/US20220082636A1/en active Pending
-
2022
- 2022-03-22 JP JP2022045659A patent/JP7362817B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-04 JP JP2023172760A patent/JP2023178335A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020135389A1 (en) | 2001-03-20 | 2002-09-26 | Melgaard Hans L. | Wafer-level burn-in oven |
JP2006184044A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Shikino Hightech:Kk | バーンイン装置 |
JP2008166306A (ja) | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Stk Technology Co Ltd | 半導体デバイスの検査装置 |
JP2015103552A (ja) | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 株式会社東京精密 | プローバ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180101476A (ko) | 2018-09-12 |
US20170200660A1 (en) | 2017-07-13 |
US11209497B2 (en) | 2021-12-28 |
WO2017120514A1 (en) | 2017-07-13 |
CN108780114A (zh) | 2018-11-09 |
JP7045995B2 (ja) | 2022-04-01 |
TWI782508B (zh) | 2022-11-01 |
CN108780114B (zh) | 2021-11-16 |
TW202307446A (zh) | 2023-02-16 |
JP2019507333A (ja) | 2019-03-14 |
JP2023178335A (ja) | 2023-12-14 |
TW202132795A (zh) | 2021-09-01 |
US20200027799A1 (en) | 2020-01-23 |
US10466292B2 (en) | 2019-11-05 |
US20220082636A1 (en) | 2022-03-17 |
JP2022082613A (ja) | 2022-06-02 |
TWI729056B (zh) | 2021-06-01 |
TW201800759A (zh) | 2018-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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