JP7356798B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7356798B2
JP7356798B2 JP2019001432A JP2019001432A JP7356798B2 JP 7356798 B2 JP7356798 B2 JP 7356798B2 JP 2019001432 A JP2019001432 A JP 2019001432A JP 2019001432 A JP2019001432 A JP 2019001432A JP 7356798 B2 JP7356798 B2 JP 7356798B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
wavelength conversion
layer
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019001432A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019215515A (ja
Inventor
熙 光 宋
胄 永 尹
榮 根 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2019215515A publication Critical patent/JP2019215515A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7356798B2 publication Critical patent/JP7356798B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0015—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/002—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it by shaping at least a portion of the light guide, e.g. with collimating, focussing or diverging surfaces
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0035—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided on the surface of the light guide or in the bulk of it
    • G02B6/004—Scattering dots or dot-like elements, e.g. microbeads, scattering particles, nanoparticles
    • G02B6/0043—Scattering dots or dot-like elements, e.g. microbeads, scattering particles, nanoparticles provided on the surface of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/0058—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide
    • G02B6/0061—Means for improving the coupling-out of light from the light guide varying in density, size, shape or depth along the light guide to provide homogeneous light output intensity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、表示装置に関する。
液晶表示装置は、バックライトアセンブリからの光を受けて映像を表示する。一部のバックライトアセンブリは光源と導光板を含む。導光板は、光源からの光を受けて表示パネルの側へと光の進行方向をガイドする。一部の製品は、光源から提供される光が白色であり、この白色の光を、表示パネルにあるカラーフィルターでフィルタリングして色を実現する。
最近では、青色ＬＥＤを使用し、蛍光体として赤色光および緑色光を放出する量子ドット（ＱＤ）を用いて白色光を実現する技術が多数登場している。これは、量子ドットを用いて実現される白色光が高輝度および優れた色再現性を持つからである。それでも、これをＬＥＤバックライトユニットに適用する場合、発生する可能性のある光損失を低減し且つ色の均一性を改善するための研究の必要性は、依然として求められている。
本発明が解決しようとする課題は、一体化された単一の部材として光ガイド機能と波長変換機能を同時に行うことができ、特には、近紫外光（ｎＵＶ；near UV;ピーク波長が特には320～400nm）または紫色光（ピーク波長が400～420nm）を放出する光源の条件で光抽出に最適化されたバックライトユニット、表示装置および光学部材を提供することにある。
本発明の課題は上述した技術的課題に制限されず、上述していない別の技術的課題は以降の記載から当業者に明確に理解できるだろう。
上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係るバックライトユニットは、(i)導光板と、(ii)前記導光板に配置され、TiO2のアナターゼ結晶型の散乱粒子であって粒子サイズが200nm以下である散乱粒子を含む波長変換層を含む光学部材と、(iii)前記導光板の一側面に配置された光源とを含んでいる。上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係る表示装置は、(i)導光板と、(ii)前記導光板に配置され、TiO2のアナターゼ結晶型の散乱粒子であって粒子サイズが200nm以下である散乱粒子を含む波長変換層を含む光学部材、及び(iii)前記導光板の一側に配置された光源を含むバックライトユニット;と、上記バックライトユニットの上に配置された表示パネルを含んでいる。
一実施形態によれば、一体化された単一の部材として光ガイド機能と波長変換機能を同時に行うことができ、特には、ピーク波長が350～420nmまたは350～420nmのLEDチップ、例えば400nmの紫色LEDチップを含む、近紫外（ｎＵＶ；near UV）－紫色光源の条件で光抽出に最適化されたバックライトユニット、表示装置および光学部材を提供することができる。
本発明の実施形態による効果は以上で例示された内容によって制限されず、更に様々な効果が本明細書内に含まれている。
一実施形態に係る光学部材と光源の斜視図である。 図１のII－II’線に沿った断面図である。 図２の導光板の変形例に係る光学部材の断面図である。 様々な実施形態に係る低屈折層の断面図（１）である。 様々な実施形態に係る低屈折層の断面図（２）である。 図１の光源の断面図である。 図１の波長変換層の断面図である。 図７の波長変換粒子を拡大して示す図である。 図７の散乱粒子を拡大して示す図である。 第２波長変換粒子および第３波長変換粒子の波長による光吸収率を示すグラフである。 互いに異なる２種類の散乱粒子の波長による散乱率を説明するためのグラフである。 散乱粒子の大きさによる光散乱率を説明するためのグラフである。 一実施形態の散乱粒子を含む光学部材の光源による緑色光および赤色光の強度を説明するためのグラフである。 他の実施形態に係る光学部材と光源の斜視図である。 他の実施形態に係る光学部材の断面図である。 他の実施形態に係る光源の断面図である。 他の実施形態に係る波長変換層の断面図である。 一実施形態（導光板の変形例を含む）による表示装置の分解斜視図である。 一実施形態に係る表示装置の断面図である。 他の実施形態に係る光源の断面図である。 他の実施形態に係る波長変換層の断面図である。 別の実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。 別の実施形態に係る表示装置の断面図である。 別の実施形態に係る光源の断面図である。 別の実施形態に係る波長変換層の断面図である。
図１は一実施形態に係る光学部材と光源の斜視図であり、図２は図１のII－II’線に沿った断面図であり、図３は図２の導光板の変形例による光学部材の断面図であり、図４および図５は、様々な実施形態に係る低屈折層の断面図である。
図１乃至図５を参照すると、バックライトユニットは、光源４００および光学部材１００を含む。光源４００は、光学部材１００の一側に配置できる。光学部材は、光源から出射された光を受けて、光路および／または光の波長（すなわち、これらの少なくとも一方）を変換または調節する役割を果たすことができる。
バックライトユニットＢＬＵの一適用例において、光源４００は、プリント基板４０１と、プリント基板４０１に実装された複数のＬＥＤ４３０とを含むことができる。光源４００は、導光板１０の少なくとも一側面１０ｓに隣接して配置されうる。また、光源４００が含むＬＥＤ４３０は、導光板１０の少なくとも一側面１０ｓに隣接して配置されうる。図面では、導光板１０の一長辺に位置する側面１０ｓ１に、複数のＬＥＤ４３０が配置された場合を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、両長辺の側面１０ｓ１、１０ｓ３のいずれにも隣接して配置されてもよく、一短辺または両短辺の側面１０ｓ２、１０ｓ４に隣接して配置されてもよい。図１の実施形態において、ＬＥＤ４３０が隣接して配置された、導光板１０の一長辺の側面１０ｓ１は、ＬＥＤ４３０の光が直接入射される入光面（図面において、説明の便宜上「１０ｓ１」と表記する。）となり、それに対向する他の長辺の側面１０ｓ３は、対光面（図面において、説明の便宜上、「１０ｓ３」と表記する）となる。
一実施形態において、ＬＥＤ４３０は、図１に示すように、上面に光を放出する上面発光ＬＥＤであり得る。但し、これに制限されず、ＬＥＤ４３０は、図示の如く、側面に光を放出する側面発光ＬＥＤであり得る。
光源４００の構造および発光原理についての詳細な説明は、図３を参照して後述する。
光学部材１００は、導光板１０、導光板１０上に配置された低屈折層２０、低屈折層２０上に配置された波長変換層３０、および波長変換層３０上に配置されたパッシベーション層４０を含む。導光板１０、低屈折層２０、波長変換層３０およびパッシベーション層４０は、互に一体化されるように結合することができる。
導光板１０は、光の進行経路を導く役割を果たす。光源は導光板の一側に（一つの側端面に沿って）配置される。
導光板１０は略多角柱状を有することができる。導光板１０の平面形状は長方形であり得るが、これらに制限されるものではない。例示的な実施形態において、導光板１０は、平面形状が長方形の六角柱状であって、上面１０ａ、下面１０ｂ、４つの側面１０ｓ（１０ｓ１、１０ｓ２、１０ｓ３、１０ｓ４）を含むことができる。
一実施形態において、導光板１０の上面１０ａと下面１０ｂは、それぞれ、一つの幾何学的な平面上に位置し、上面１０ａが位置する平面と下面１０ｂが位置する平面とは概して平行であるから、導光板１０が全体として均一な厚さを持つことができる。
いくつかの実施形態（図３参照）において、導光板は、上面１０ａと側面１０ｓとの間、および／または、下面１０ｂと側面１０ｓとの間に、面取り状などの、傾斜したエッジ面１０ｓ１１、１０ｓ１２をさらに含むことができる。例えば、一側面１０ｓ１（例えば、入光面）の上辺から平坦な上面１０ａの縁にまで延び、厚さ方向上方に向かうにつれて内側へと傾斜する第１エッジ面１０ｓ１１を含むことができる。また、これとともに、または、これに代えて、一側面１０ｓ１の下辺から平坦な下面１０ｂの縁にまで延び、厚さ方向下方に向かうにつれて内側へと傾斜する第２エッジ面１０ｓ１２を含むことができる。これにより、導光板１０を横切るように、一側面１０ｓ１からそれに対向する他の側面１０ｓ３へと向かう場合、導光板１０の厚さは、一旦増加した後、上面１０ａおよび下面１０ｂが平坦な形状を持つために一定の厚さを持ち、再度減少するのでありうる。通常、傾斜するエッジ面１０ｓ１１、１０ｓ１２は、面取り（ｃｈａｍｆｅｒ）面（例えば、第１面取り面１０ｓ１１、第２面取り面１０ｓ１２）と呼びうる。但し、これに限定されず、導光板は第１エッジ面１０ｓ１１（例えば、第１面取り面）および第２エッジ面１０ｓ１２（例えば、第２面取り面）のいずれか一方のみを持つことができる。上述した第１面１０ｓ１１および第２エッジ面１０ｓ１２は、導光板１０の周辺部（例えば、一側面１０ｓ１）に沿って、うろつき回る光を、効率よく導光板１０の外部（例えば、波長変換層３０）に向かって出射されるようにする役割を果たす。
以下、上面１０ａと側面１０ｓが、エッジ面１０ｓ１１、１０ｓ１２を有することなしに、直接接して９０°の角度を持つ場合（図１～２の実施形態）について説明する。
導光板１０の下面１０ｂには散乱パターン７０が配置できる。散乱パターン７０は、導光板１０の内部からの全反射により、進行する光の進行角度を変えて、導光板１０の外部へと出射させる役割を果たす。
一実施形態において、散乱パターン７０は、導光板１０とは別の層またはパターンとして提供できる。例えば、導光板１０の下面１０ｂ上に、凸パターンまたは凹パターン（例えば、導光板１０の長辺方向に延びるリブ状の突起または溝、または島状の突起または凹部）を含むパターン層を形成するか、或いは印刷パターンを形成して、散乱パターン７０として機能するようにすることができる。図面では、散乱パターン７０の全てが、一定の形状の突出パターンとなっているが、これに制限されるものではない。散乱パターン７０は、凸パターンおよび凹パターンを含むことができ、凸パターンと、凸パターンの一部の領域（例えば、各凸パターンの中心領域）に形成された凹部(recess)または溝(groove)とを有するパターンを含むこともできる。
他の実施形態において、散乱パターン７０は、導光板１０自体の表面形状から形成されるのであってもよい。例えば、導光板１０の下面１０ｂに、凹部または溝を形成して散乱パターン７０として機能するようにすることができる。
散乱パターン７０の配置密度は領域によって異なりうる。例えば、進行する光量が豊富である、入光面１０ｓ１に隣接した領域では配置密度を小さくし、進行する光量が相対的に小さい、対光面１０ｓ３に隣接した領域では、配置密度を大きくすることができる。
導光板１０は、無機物質または有機物質を含むことができる。例えば、導光板１０はガラスからなり得るが、これらに制限されるものではない。
導光板１０の上面には低屈折層２０が配置できる。低屈折層２０は、導光板１０の上面に直接形成され、導光板１０の上面と接触することができる。低屈折層２０は、導光板１０と波長変換層３０との間に介在し、導光板１０の全反射を助ける。
導光板１０の屈折率と低屈折層２０との屈折率の差は０．２以上であり得る。低屈折層２０の屈折率が導光板１０の屈折率よりも０．２以上小さい場合、導光板１０の上面を介して十分な全反射が行われ得る。導光板１０の屈折率と、低屈折層２０の屈折率との差の上限には制限がないが、通常適用される、導光板１０の材料の屈折率と低屈折層２０の屈折率を考慮するとき、１以下であり得る。
低屈折層２０の屈折率は１．２乃至１．４の範囲にあり得る。低屈折層２０の屈折率が１．２以上である場合には、過度な製造コストの増加を防ぐことができ、低屈折層２０の屈折率が１．４以下である場合には、導光板１０の上面の全反射臨界角を十分に小さくすることに有利である。例示的な実施形態において、約１．２５の屈折率を有する低屈折層２０が適用できる。
上述した低屈折率を示すようにするために、その屈折層２０は、微細なボイド（空隙）を含むことができる。各ボイドの内部は、真空とするか、或いは空気層、気体などで満たすことができる。各ボイドの内部空間は、パーティクルやマトリクスなどによって取り囲まれて画定されうる。さらに詳細な説明のために、図３および図４が参照される。
一実施形態において、低屈折層２０は、図３に示すように、複数のパーティクルＰＴと、これらパーティクルＰＴを包み込んで全体が一つに連結されたマトリクスＭＸと、複数のボイドＶＤとを含むことができる。パーティクルＰＴは、低屈折層２０の屈折率および機械的強度を調節するためのフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）であり得る。
低屈折層２０には、複数のマトリクスＭＸの内部にパーティクルＰＴが分散配置され、マトリクスＭＸが部分的に開くことで当該部位にボイドＶＤが形成されうる。たとえば、複数のパーティクルＰＴとマトリクスＭＸを溶媒に混合した後、乾燥および／または硬化させると、溶媒が蒸発するが、この際、マトリクスＭＸ中のところどころにボイドＶＤが形成されうる。
他の実施形態において、低屈折層２０は、図４に示すように、パーティクルＰＴを含むことなく、マトリクスＭＸとボイドＶＤを含むこともできる。例えば、低屈折層２０は、発泡樹脂のように全体が一つに連結されたマトリクスＭＸ、およびその内部に配置された複数のボイドＶＤを含むこともできる。
低屈折層２０上には波長変換層３０が配置される。波長変換層３０は、波長変換層３０に入射された少なくとも一部の光の波長を変換する役割を果たす。波長変換層は、第２バインダー層３１、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３および散乱粒子３５を含む。波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３と散乱粒子３５についての詳細な説明は後述する。
波長変換層３０は低屈折層２０よりも厚くてもよい。波長変換層３０の厚さは約１０～５０μｍであり得る。例示的な実施形態において、波長変換層３０の厚さは約１５μｍであり得る。
波長変換層３０は、低屈折層の上面２０ａを覆い、低屈折層２０と完全にオーバーラップすることができる。波長変換層の下面３０ｂは低屈折層の上面２０ａに直接接するのでありうる。一実施形態において、波長変換層の側面３０ｓは低屈折層の側面２０ｓに整列できる。波長変換層の側面３０ｓ傾斜角は低屈折層の側面２０ｓ傾斜角よりも小さくてもよい。後述するように、波長変換層３０をスリットコーティングなどの方法で形成する場合、相対的に厚い波長変換層の側面３０ｓは、低屈折層の側面２０ｓより緩やかな傾斜角を持つことができる。しかし、これに制限されるものではなく、形成方法によっては、波長変換層の側面３０ｓ傾斜角が低屈折層の側面２０ｓ傾斜角と実質的に同じか、それより小さくてもよい。
波長変換層３０は、コーティングなどの方法で形成できる。例えば、低屈折層２０が形成された導光板１０上に波長変換組成物をスリットコーティングし、乾燥および硬化させて波長変換層３０を形成することができる。しかし、これに制限されるものではなく、他の様々な積層方法が適用できる。
低屈折層２０および波長変換層３０上にはパッシベーション層４０が配置される。パッシベーション層４０は、水分および／または酸素（以下、「水分／酸素」という。）の浸透を防ぐ役割を果たす。パッシベーション層４０は無機物質を含んで構成できる。例えば、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物およびシリコン酸化窒化物や、光透過率が確保された金属薄膜などを含んで構成できる。例示的な実施形態において、パッシベーション層４０はシリコン窒化物から構成できる。
パッシベーション層４０は、少なくとも一側面部（一方の側の縁部）において低屈折層２０と波長変換層３０を完全に覆うことができる。例示的な実施形態において、パッシベーション層４０は、すべての側面部において低屈折層２０と波長変換層３０を完全に覆うことができるが、これらに制限されるものではない。
パッシベーション層４０は、波長変換層３０にの全体を被覆するように波長変換層の上面３０ａに配置され、それから外側にさらに延びて、波長変換層の側面３０ｓおよび低屈折層２０の側面２０ｓまで覆う。パッシベーション層４０は、波長変換層の上面３０ａ、側面３０ｓおよび低屈折層の側面２０ｓと接触することができる。パッシベーション層４０は、低屈折層２０が露出する導光板の縁部の上面１０ａにまで延び、パッシベーション層４０の縁部の一部が導光板の上面１０ａに直接接することができる。一実施形態において、パッシベーション層の側面４０ｓは導光板の側面１０ｓに整列されうる。パッシベーション層の側面４０ｓ傾斜角は、波長変換層の側面３０ｓ傾斜角よりも大きくてもよい。さらに、パッシベーション層の側面４０ｓ傾斜角は、低屈折層の側面２０ｓ傾斜角よりも大きくてもよい。但し、図３に関連して上述した面取り面１０ｓ１１、１０ｓ１２を含む導光板を適用する場合、導光板の一側面１０ｓ１は、パッシベーション層の一側面４０ｓ、導光板の側面１０ｓ１に隣接した側面よりも外側に突出する構造を持ちうる。
以下、上述した光源４００および波長変換層３０について詳細に説明する。
図６は図１の光源４００の断面図である。
光源４００は、プリント基板４０１、第１電極４１０、第２電極４２０、ＬＥＤ４３０、および第１バインダー層４５０を含むことができる。プリント基板４０１は、ＬＥＤ４３０を含む光源４００の複数のエレメントを支持する。プリント基板４０１は無機物質の絶縁基板であり得る。
光源４００は、出射された光（例えば、第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２）を導光板１０に提供することができる。
第１電極４１０は、プリント基板４０１上に配置され、第２電極４２０から離隔して配置できる。第１電極４１０および第２電極４２０は、導電性物質を含み、外部からの電源の供給を受け、ＬＥＤに順方向または逆方向電流を形成する役割を果たす。第１電極４１０はアノード電極（Ａｎｏｄｅ）、第２電極４２０はカソード電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）であり得る。これに制限されず、第１電極４１０がカソード電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）、第２電極４２０がアノード電極（Ａｎｏｄｅ）であってもよい。第１電極４１０と第２電極４２０との離隔空間は空き空間であり得る。但し、図示してはいないが、第１電極４１０と第２電極４２０との間の空間には、隔壁４４０と同一の物質が介在してもよい。隔壁４４０は、後述するように、絶縁性物質を含むので、第１電極４１０と第２電極４２０との予期せぬ間接的な電気的接続（ｃｏｎｔａｃｔ）を防止することができる。
ＬＥＤ４３０は、第１電極４１０と第２電極４２０の上に配置され、第１電極４１０および第２電極４２０と同時に接して正孔（ｈｏｌｅ）と電子（ｅｌｃｔｒｏｎ）とを再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）させて光を生成することができる。すなわち、前記正孔（ｈｏｌｅ）と電子（ｅｌｃｔｒｏｎ）は、光源から再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）されて励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、前記励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）は、励起状態から基底状態に変化し、バンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）に該当する光を放出することができる。
ＬＥＤ４３０は第１波長光Ｌ１を放出することができる。一実施形態において、第１波長光Ｌ１は第１波長λ１を有することができる。第１波長は、約３２０ｎｍ～４２０ｎｍの波長帯の光であり得る。通常、第１波長光の波長帯は、可視光線波長帯に隣接した紫外線波長帯（３２０ｎｍ～４００ｎｍ）、または紫外線波長帯に隣接した可視光線波長帯（４００ｎｍ～４２０ｎｍ）を含むことができる。
ＬＥＤ４３０の周囲には隔壁４４０が配置できる。具体的には、隔壁４４０は、アノード電極（Ａｎｏｄｅ）４１０およびカソード電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）４２０の上に配置され、ＬＥＤ４３０から離隔して配置されうる。図示してはいないが、隔壁４４０は、ＬＥＤ４３０をリング状に囲む一体の構造であり得る。
隔壁４４０は、ＬＥＤ４３０から放出される第１波長光Ｌ１、または後述する第２波長光Ｌ２を導光板１０に反射させる機能をする。隔壁４４０は、生成された光を、導光板１０に実効的に反射させるために、反射率の高いプラスチック樹脂から形成できる。前記プラスチック樹脂の反射率は約８０％以上であり得る。すなわち、一実施形態において、隔壁４４０の反射率は約８０％以上であり、吸収率は約２０％以下であり得る。隔壁４４０は、光源４００を保護するために、絶縁物質で形成できる。
また、隔壁４４０における内側の一側面４４０ｓ１は、出射側に向かうにつれて外側へとへと傾斜する面であり得る。これにより、光源４００から出て隔壁４４０の一側面４４０ｓ１、４４０ｓ２に衝突する光を、導光板１０に向かって効果的に反射させることができる。プリント基板４０１に垂直な方向の寸法を「厚さ」とした場合、隔壁４４０の厚さは、隔壁４４０の内側に充填される第１バインダー層４５０の厚さよりも大きくてもよい。但し、これに制限されるものではなく、隔壁４４０の厚さと、第１バインダー層４５０の厚さとは実質的に同一であってもよい。
隔壁４４０の間には第１バインダー層４５０が配置できる。第１バインダー層４５０は隔壁の一側面４４０ｓ１、４４０ｓ２と接することができる。第１バインダー層４５０は、第１電極４１０および第２電極４２０の上に配置され、ＬＥＤ４３０について、その上面および側面を被覆するようにして、包み込むことができる。第１バインダー層４５０は、波長変換粒子（例えば、第１波長変換粒子）が分散する媒質であって、一般にバインダーと呼ばれる、様々な樹脂組成物から構成できる。
第１バインダー層４５０は、第１波長変換粒子Ｐ１を含むことができる。第１波長変換粒子Ｐ１は複数であり得る。第１波長変換粒子Ｐ１は、特定の波長領域、例えば、第２波長λ２よりも短い波長の入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）を第２波長λ２に変換することができる。第２波長λ２は、第１波長λ１よりも長い波長を持つことができる。一実施形態において、第２波長λ２の波長帯は略４２０ｎｍ～４７０ｎｍ（通常、ブルー波長）であり得る。一実施形態において、第１波長変換粒子Ｐ１は、第１波長光Ｌ１の波長帯（約３２０ｎｍ～４２０ｎｍ）よりも長い波長の光を吸収し、特定の波長帯（例えば、ブルー波長帯（４２０ｎｍ～４７０ｎｍ））の波長を放出することができる。
第１波長変換粒子Ｐ１は、燐光物質または蛍光物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。例えば、第１波長変換粒子Ｐ１は蛍光物質を含むことができる。一例において、蛍光物質は、４，４’－ビス（９－エチル－３－カルバゾビニレン）－１，１’－ビフェニル（４，４’－ｂｉｓ（９－ｅｔｈｙｌ－３－ｃａｒｂａｚｏｖｉｎｙｌｅｎｅ）－１，１’ －ｂｉｐｈｅｎｙｌ）（ＢｃｚＶＢｉ）、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ；ＤＳＡ）、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ；ＤＳＢ）、ジスチリルベンゼン誘導体、ＤＰＶＢｉ（４，４’－ｂｉｓ（２，２’－ｄｉｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）－１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＰＶＢｉ誘導体、スピロ－ＤＰＶＢｉおよびスピロ－６Ｐなどが挙げられる。
一実施形態において、第１波長変換粒子Ｐ１に吸収されていない残りの第１波長光Ｌ１は、第１波長変換粒子Ｐ１に入射されずにそのまま導光板１０に向かって出射されうる。よって、第１バインダー層４５０を通過して光源４００から出て来た光は、第１波長光Ｌ１及び第２波長光Ｌ２を含むことができる。図７に関連して後述するように、ＬＥＤ４３０として、上記の第１波長光Ｌ１（約３２０ｎｍ～４２０ｎｍ）を放出するものを使用すると、第２および第３波長変換粒子（例えば、グリーンおよびレッド波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３）の光吸収度（ｌｉｇｈｔ ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）が増加して、第３波長光（例えば、グリーン光）および第４波長光（例えば、レッド光）の強度が増加し得る。
図７は、図１の波長変換層の断面図を拡大して示す図であり、図８の（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、図７の第２波長変換粒子および第３波長変換粒子を拡大して示す図であり、図９は散乱粒子の構造図である。
図７乃至図９を参照すると、波長変換層３０は、入射された少なくとも一部の光の波長を変換する。波長変換層３０は、第２バインダー層３１と、第２バインダー層３１内に分散された波長変換粒子（例えば、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３）とを含むことができる。波長変換層３０は、第２バインダー層３１に分散された散乱粒子３５をさらに含むことができる。第２波長変換粒子Ｐ２は、特定の波長（例えば、第３波長λ３よりも短い波長）を吸収して第３波長λ３の第３波長光Ｌ３に変換する粒子であり、第３波長変換粒子Ｐ３は、特定の波長（例えば、第４波長λ４よりも短い波長）を吸収して第４波長λ４の光Ｌ４に変換する粒子である。後述するように、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３の構成物質によって、吸収する波長領域帯が異なる。一実施形態において、第３波長光Ｌ３の波長は略５２０ｎｍ～５７０ｎｍの波長帯（通常、グリーン光）を持つことができる。第４波長帯Ｌ４の波長は略６２０ｎｍ～６７０ｎｍの波長帯（通常、レッド光）を持つことができる。ブルー、グリーン、レッドの波長が上記の例示に制限されるものではなく、本技術分野でブルー、グリーン、レッドとして認識できる波長範囲を全て含むものと理解されるべきである。
第２バインダー層３１は、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３が分散される媒質であって、上述した光源４００の第１バインダー層４５０と実質的に機能および構成が同一であり得る。
波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３は、量子ドット（ＱＤ）または蛍光物質で構成できる。一実施形態において、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の一形態である量子ドット（ＱＤ）は、数ｎｍサイズの結晶構造を持つ物質であって、数百～数千個程度の原子から構成され、小さいサイズにより、エネルギーバンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）が大きくなる量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果を示す。量子ドット（ＱＤ）に、バンドギャップよりもエネルギーが高い波長の光が入射する場合、量子ドット（ＱＤ）は、その光を吸収して励起状態となり、特定の波長の光を放出しながら基底状態に落ちる。放出された波長の光は、バンドギャップに該当する値を持つ。量子ドット（ＱＤ）は、その大きさや組成などを調節すると、量子閉じ込め効果による発光特性を調節することができる。
量子ドット（ＱＤ）は、例えば、II－VI族化合物、II－V族化合物、III－VI族化合物
、III－V族化合物、IV－VI族化合物、I－III－VI族化合物、II－IV－VI族化合物およ
びII－IV－V族化合物のうちの少なくとも一つを含むことができる。
量子ドット（ＱＤ）は、コア（Ｃｏｒｅ）、およびコアをオーバーコーティングするシェル（Ｓｈｅｌｌ）を含むものである。コア（Ｃｏｒｅ）は、これに限定されるものではないが、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＳｉＣ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＦｅＰｔ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4、Ｓｉ、およびＧｅのうちの少なくとも一つを含むものであり得る。シェル（Ｓｈｅｌｌ）は、これに限定するものではないが、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、およびＰｂＴｅのうちの少なくとも一つを含むことができる。波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３が量子ドット（ＱＤ）である場合、第２波長変換粒子Ｐ２は、第２波長λ２よりも短い波長の光を第２波長λ２に変換して放出することができ、第３波長変換粒子Ｐ３は、第３波長λ３よりも短い波長の光を第３波長λ３に変換して放出することができる。
一実施形態において、波長変換層３０は、第３波長光Ｌ３の波長λ３（例えば、５２０ｎｍ～５７０ｎｍ）よりも短い光（例えば、第１波長光Ｌ１（約３２０ｎｍ～４２０ｎｍ）、または、第２波長の光Ｌ２（約４２０ｎｍ～４７０ｎｍ））を第３波長光Ｌ３に変換する第２波長変換粒子Ｐ２と、第４波長光Ｌ４の波長λ４（例えば、６２０ｎｍ乃至６７０ｎｍ）よりも短い光（例えば、第１波長光Ｌ１、第２波長光Ｌ２および第３波長光Ｌ３）を第４波長光Ｌ４に変換する第３波長変換粒子Ｐ３とを含むことができる。
但し、これに制限されず、第２波長変換粒子Ｐ２は量子ドット（ＱＤ）を含み、第３波長変換粒子Ｐ３は蛍光物質（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）を含むことができる。この場合、蛍光物質は、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ（以下、ＫＳＦという。）であり得る。ＫＳＦ蛍光物質は、半値幅の狭い赤色を発現する特徴があって、色再現率に優れるという利点がある。
図８の（ａ）および（ｂ）を参照すると、一実施形態において、第２波長変換粒子Ｐ２は第３波長変換粒子Ｐ３の大きさよりも小さくてもよい。これは、大きさが小さいほどエネルギーバンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）が大きくなる量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果に起因する。よって、第２波長変換粒子Ｐ２が放出する光は、第３波長変換粒子Ｐ３が放出する光よりも波長が短いのでありうる。
一実施形態によれば、波長変換層３０を通過した光は、第１波長光Ｌ１、第２波長光Ｌ２、第３波長光Ｌ３、および第４波長光Ｌ４をすべて含む。波長変換層３０に変換された光は、狭い範囲の特定の波長内に集中し、狭い半値幅を持つシャープなスペクトルを有する。よって、このようなスペクトルの光をカラーフィルターでフィルタリングして色を実現する場合には、色再現性が改善できる。
前記例示的な実施形態とは異なり、いくつかの実施形態において、光源は、第２波長光λ２を放出するＬＥＤをさらに含むことができる。この場合、第１波長光λ１を放出するＬＥＤと区分するために、それぞれ第１ＬＥＤおよび第２ＬＥＤと、区分されて呼ばれる。第１ＬＥＤおよび第２ＬＥＤは、互いに隣接して配置できる。例えば、導光板の一側面１０ｓに隣接した領域に一つの第１ＬＥＤが配置され、導光板の一側面１０ｓの延長方向に沿って一つの第１ＬＥＤに隣接するように第２ＬＥＤが配置され、前記第２ＬＥＤに隣接し、一つの第１ＬＥＤから離隔して他の第１ＬＥＤが配置され得る。
波長変換層３０は散乱粒子３５をさらに含むことができる。散乱粒子３５は、非量子ドット粒子であって、波長変換機能のない粒子であり得る。散乱粒子３５は、入射された光を散乱させて、より多くの入射光が波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３の側に入射できるようにする。それだけではなく、散乱粒子３５は、波長別の光の出射角を均一に制御する役割を果たすことができる。具体的に説明すると、一部の入射光が波長変換粒子に入射された後、波長が変換されて放出される際、その放出方向がランダムであるという散乱特性を有する。もし、波長変換層３０内に散乱粒子３５がなければ、波長変換粒子の衝突後に放出する第３波長光Ｌ３及び第４波長光Ｌ４は散乱放出特性を持つのであるが、波長変換粒子の衝突なしで放出される第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２は、散乱放出特性を持たない。そのため、出射角度によって、第１波長光Ｌ１／第２波長光Ｌ２／第３波長光Ｌ３／第４波長光Ｌ４の放出量が異なることとなる。散乱粒子３５は、波長変換粒子に衝突せずに放出される第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２に対しても、散乱放出特性を与えることにより、波長別の光の出射角を互い同様となるように調節することができる。
散乱粒子３５は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯおよびＳｎＯ2を含む金属酸化物のいずれか一つまたは二つ以上の組み合わせから構成できる。一実施形態において、散乱粒子３５はＴｉＯ2から構成できる。ＴｉＯ2はアナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相とルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶相のうちの少なくとも一つを持つことができる。一実施形態に係る散乱粒子３５は、ＴｉＯ2の結晶相のうち、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相（図９参照）のみを含むことができる。
アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相は、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶相に比べて、第１波長光Ｌ１（３７０ｎｍ～４２０ｎｍ）以下の波長帯で高い反射率を持つのでありうる。したがって、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相は、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶相に比べて、散乱効果がさらに良いのでありうる。これに関連した内容については、ＴｉＯ2結晶による反射率を示す図８を参照して詳細に説明する。
また、散乱粒子３５の大きさは２００ｎｍ以下であり得る。例示的な実施形態において、散乱粒子３５の大きさは、好ましくは１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。これに関連した内容については、図１２に示されたグラフを参照して詳細に後述する。
波長変換層３０の散乱粒子３５の含有量は５重量％未満であり得る。さらに好ましくは、散乱粒子３５の含有量は２重量％以下または１．５重量％以下であり得る。波長変換層３０内で散乱粒子３５の含有量が５重量％以上である場合、波長変換層３０の透明度が低くなり、光抽出効率が低くなるおそれがある。また、波長変換層３０の散乱粒子３５の含有量は、０．３重量％以上、０．５重量％以上、または１重量％以上でありうる。含有量が過度に少ないと、光を散乱させる効果が不十分となりうる。
以下、一実施形態に係る光学部材の効果について種々のグラフを参照して説明する。
これらグラフに示すデータを得るための実験で、散乱粒子としては、四塩化チタンからゾルゲル法により合成した、アナターゼ型（正方晶）の二酸化チタンの結晶粒子を、そのまま用いた。この結晶粒子は、下記に特に記載しない限り粒子サイズ（粒径）が１２０ｎｍであり、アスペクト比が約１～２の直方体状のものである。ここでの粒子サイズは、レーザー動的光散乱法（Horiba SZ-100）により得られたメジアン径（Ｄ50）である。
また、このような散乱粒子を、アクリレート樹脂（PMMA）中に、１．５重量％となるように配合した。また、この際、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３として、インジウム系（InP/ZnS）のコア・シェル型量子ドットを用い、いずれも、１重量％となるように配合した。グラフの実験データは、厚みが1mmのアクリレート樹脂の板を作製して測定することで得られたものである。
図１０の横軸は光源の波長であり、縦軸は光源の波長により変化する第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の吸収率を示す。図１０を参照すると、第２波長変換粒子Ｐ２（Ｃｄ－Ｇ，ＣＦ－Ｇ）および第３波長変換粒子Ｐ３（Ｃｄ－Ｒ，ＣＦ－Ｒ）は、第２波長光Ｌ２（４２０ｎｍ～４７０ｎｍの青色光、具体的には４５０ｎｍ）と比較して、第１波長光Ｌ１（３２０ｎｍ～４２０ｎｍ紫外-紫色光、具体的には４００ｎｍ）を吸収する程度がさらに大きくなるのが分かる。
波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３が、変換可能な光を吸収する程度が大きくなると、吸収した光によってそれぞれの波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３のエネルギーレベルが励起され、これにより、それぞれ放出される光の強度（例えば、グリーン光、レッド光）が増加し得る。図１０では、カドミウム（Ｃｄ）化合物またはインジウム（Ｉｎ）化合物で構成された第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３を例示した。
具体的に説明すると、波長４５０ｎｍでカドミウム（Ｃｄ）化合物の第２波長変換粒子Ｐ２の光吸収率ＡCd-G（４５０ｎｍ）は略０．３に近い値を持つのに対し、４００ｎｍ波長帯の光源では略０．９以上に近い光吸収率ＡCd-G（４００ｎｍ）を持つ。そのため、略３倍以上、光吸収率が増加することが分かる。また、４５０ｎｍ波長帯の光源ではインジウム（Ｉｎ）化合物の第２波長変換粒子Ｐ２の光吸収率ＡCF-G（４５０ｎｍ）は略０．１に近い値を持つのに対し、４００ｎｍ波長帯の光源では略０．３に近い光吸収率ＡCF-G（４００ｎｍ）を持つため、略３倍以上、光吸収率が増加することが分かる。また、４５０ｎｍ波長帯の光源ではインジウム（Ｉｎ）化合物の第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収率ＡCF-R（４５０ｎｍ）は略０．３に近い値を持つのに対し、４００ｎｍ波長帯の光源では略０．８に近い光吸収率ＡCF-R（４００ｎｍ）を持つ。そのため、略２．６倍以上、光吸収率が増加することが分かる。具体的な数値を比較しなかったが、カドミウム（Ｃｄ）化合物からの第３波長変換粒子Ｐ３（Ｃｄ－Ｒ）の場合、４００ｎｍ波長帯での光吸収率、及び、４５０ｎｍ波長帯での光吸収率が、共に１．０（１００％）に近くなるようであった。
図１１は、互いに異なる２種類の散乱粒子を用いた場合の、波長により変化する散乱率を説明するためのグラフである。
図１１を参照すると、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、散乱粒子３５の結晶形によって反射率が変わることが分かる。具体的に説明すると、図１１の横軸は光源からの光の波長であり、縦軸は、散乱粒子３５（一実施形態において、ＴｉＯ2）の結晶形（アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ））によって、波長に対する反射率の依存性が変化することを示す。
アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相は、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶相に比べて、約４２０ｎｍ以下の波長帯で高い反射率を持ちうる。特に、４００ｎｍで、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形のものを散乱粒子３５として使用する場合、図示の例で反射率Ｒａｎ（４００ｎｍ）は略９０％であることから、反射率Ｒａｎ（４００ｎｍ）が８０％以上であり得る。一方、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶形を散乱粒子３５として使用する場合、図示の例で反射率Ｒｒｕ（４００ｎｍ）は略４５％であることが分かる。したがって、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相は、ルチル（ｒｕｔｉｌｅ）結晶相に比べて略２倍の良好な反射率を持つ。高い反射率を持つことにより、散乱粒子３５が光を吸収する程度が相対的に低くなり、散乱粒子３５の散乱効果は、低い反射率を持つ散乱粒子３５に比べて大きくなる可能性がある。よって、一実施形態に係る散乱粒子（例えば、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ））によって、波長変換層３０における光の散乱効果が高まりうる。
図１２は、散乱粒子の大きさにより変化する光散乱率を説明するためのグラフである。
図１２中、実線は、ピーク波長が４００ｎｍである近紫外（nUV）ないし紫色の光、二点鎖線はピーク波長が４５０ｎｍの青色光、一点鎖線はピーク波長が５６０ｎｍの緑色光、破線はピーク波長が６５０ｎｍの赤色光を照射した場合の曲線である。
散乱粒子３５の大きさ（直径）は２００ｎｍ以下であり得る。例示的な実施形態において、散乱粒子３５の大きさは、好ましくは１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。散乱粒子３５の粒子サイズが略１２０ｎｍである場合に、第１波長光Ｌ１についての最大散乱効果を示すことができる。第１波長光Ｌ１の散乱効果が大きいほど、スペクトルの光をカラーフィルターでフィルタリングして色を実現する場合、色再現性が改善され、第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の抽出される光の強度が増加し得る。
図１３は、一実施形態の散乱粒子を含む光学部材の光源による緑色光および赤色光の強度を説明するためのグラフである。
図１３を参照すると、散乱粒子３５としてアナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相を使用し、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相の粒子サイズが略２００ｎｍであるとき、第１波長光Ｌ１（ピーク波長が４００ｎｍ）を使用した場合（図１３中の実線）、第２波長光Ｌ２（ピーク波長が４５０ｎｍ）を使用した場合（図１３中の一点鎖線）に比べて、第３波長光Ｌ３（５２０ｎｍ～５７０ｎｍ）および第４波長光Ｌ４（６２０ｎｍ～６７０ｎｍ）の発光量を顕著に増大させることができる。すなわち、出力量に僅かな差のみを有する、紫外-紫色ＬＥＤの第１波長光Ｌ１と、青色ＬＥＤの第２波長光Ｌ２とで、顕著な値の差を示す第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の発光量が抽出されることが分かる。図１０の横軸は光源の波長（ｎｍ）、縦軸は光源の波長による第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の相対的な発光量を示す。
より具体的に説明すると、散乱粒子３５としてアナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相を使用し、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶相の粒子サイズが略２００ｎｍであるとき、光源として第１波長光Ｌ１を使用した場合には、第３波長光Ｌ３（略５２０ｎｍ～５７０ｎｍ）の発光量Ｉｇｒｅｅｎ（４００ｎｍ）は、第２波長光Ｌ２を使用した場合のグリーン光の発光量Ｉｇｒｅｅｎ（４５０ｎｍ）に比べて約４５％増加することが分かる。同様に、光源として第１波長光Ｌ１を使用した場合には、レッド光（略６２０ｎｍ～６７０ｎｍ）の発光量Ｉｒｅｄ（４００ｎｍ）は、第２波長光Ｌ２を使用した場合のレッド光の発光量Ｉｒｅｄ（４５０ｎｍ）に比べて約５７％増加することが分かる。
上述したように、光源が第１波長光Ｌ１（例えば、ピーク波長が４００ｎｍ）である場合、第２波長光Ｌ２（例えば、ピーク波長が４５０ｎｍ）に比べて第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収度が増加し、これにより、第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の強度も増加しうる。但し、光源光の相異なる波長領域によって、散乱粒子３５による散乱効果が異なり得る。本実施形態のように、第１波長光Ｌ１を光源光として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形の散乱粒子（ＴｉＯ2）が、入射光に対する散乱効果、および／または、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３によって波長が変換された放出光に対する散乱効果を極大化させることができることを確認することができる。入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）に対する散乱効果が極大化されることにより、第１波長光Ｌ１に散乱放出特性が与えられ、その結果、出射光の出射角を、広い角度範囲にわたって均一に分布するように調節することができる。さらに、入射光の散乱効果が極大化されることにより、既に説明したように、連鎖作用として、放出光（例えば、グリーン光およびレッド光）の強度も増加しうる。
以下、光学部材に関する他の実施形態について説明する。以下の実施形態において、既に説明した実施形態と同様の構成については説明を省略または簡略化し、相違点を中心に説明する。
図１４は他の実施形態に係る光学部材と光源の斜視図、図１５は他の実施形態に係る光学部材の断面図、図１６は他の実施形態に係る光源の断面図、図１７は他の実施形態に係る波長変換層の断面図である。
図１４乃至図１７の他の実施形態は、光源のバインダー層中にでなく、第１波長変換粒子Ｐ１＿１が導光板１０上の波長変換層３０＿１中に含まれるという点で、上記の一実施形態の構成とは相違する。
より具体的に説明すると、他の実施形態に係る光源４００＿１は、第１波長変換粒子Ｐ１を含まず、よって、第１波長光Ｌ１だけ発光するのでありうる。また、波長変換層３０＿１は、第１波長変換粒子Ｐ１＿１、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３（例えば、ブルー、グリーン、レッドの波長に変換する３種類の波長変換粒子）を含み、第１波長変換粒子Ｐ１＿１、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の強度を適切に調節することで、白色光を出射することもできる。
本実施形態において、第１波長変換粒子Ｐ１＿１は、第１波長光Ｌ１を吸収し、第２波長光Ｌ２を放出することができる。第１波長変換粒子Ｐ１＿１は、例えば、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ：ＱＤ）、蛍光物質または燐光物質であり得る。第１波長変換粒子Ｐ１＿１が一例の量子ドット（ＱＤ）である場合、第１波長変換粒子Ｐ１＿１の大きさは、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３よりも小さくてもよい。これは、大きさが、より小さいほど、エネルギーバンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）が大きくなるという量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果に起因する。よって、第１波長変換粒子Ｐ１＿１が放出する光は、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３が放出する光よりも波長が短いのでありうる。
上述したように、光源が第１波長光Ｌ１（例えば、ピーク波長が４００ｎｍ）である場合には、第２波長光Ｌ２（例えば、ピーク波長が４５０ｎｍ）に比べて、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収度（本実施形態では、第１波長変換粒子Ｐ１＿１を含む）が増加し、これにより、第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の強度も増加しうる。但し、光源光の相異なる波長領域によって、散乱粒子３５による散乱効果が異なる。本実施形態のように、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形の散乱粒子（ＴｉＯ2）が、入射光に対する散乱効果、および／または、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３によって波長が変換された放出光に対する散乱効果を極大化させることができることを確認することができる。入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）に対する散乱効果が極大化されることにより、第１波長光Ｌ１に散乱放出特性が付与され、その結果、出射光の出射角を、広い角度範囲にわたって均一に分布するように調節することができる。さらに、入射光の散乱効果が極大化されることにより、既に説明したように、連鎖作用として、放出光（例えば、グリーン光およびレッド光）の強度も増加しうる。
図１８は実施形態（導光板の変形例を含む）に係る表示装置の分解斜視図、図１９は一実施形態に係る表示装置の断面図である。
図１８および図１９を参照すると、表示装置１０００は、光源４００、光源４００の出射経路上に配置された光学部材１００、および光学部材１００の上部に配置された表示パネル３００を含む。
光源４００は光学部材１００の一側に配置される。光源４００は、光学部材１００の導光板１０の入光面１０ｓ１に隣接して配置できる。光源４００は、複数の点光源または線光源を含むことができる。前記点光源はＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）光源４１０であり得る。複数のＬＥＤ４３０はプリント基板４０１に実装できる。ＬＥＤ４３０は第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２を発光することができる。
一実施形態において、ＬＥＤ４３０は、上面に光を放出する上面発光ＬＥＤであり得る。この場合、プリント基板４０１はハウジング５００の側壁５２０上に配置できる。但し、これに制限されるものではなく、ＬＥＤ４３０は、側面に光を放出する側面発光ＬＥＤであり得る。この場合、プリント基板４０１は、ハウジング５００の底面５１０上に配置できる。
ＬＥＤ４３０から放出された第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２は、光学部材１００の導光板１０に入射される。光学部材１００の導光板１０は、光を導き、導光板１０の上面１０ａまたは下面１０ｂを通じて出射させる。光学部材１００の波長変換層３０は、導光板１０から入射された第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２の一部を、他の波長、例えば、第３波長光Ｌ３と第４波長光Ｌ４に変換する。変換された第３波長光Ｌ３と第４波長光Ｌ４は、第１波長光Ｌ１および第２波長光Ｌ２と一緒に、上部に放出されて、表示パネル３００側に提供される。
表示装置１０００は、光学部材１００の下部に配置された反射部材２５０をさらに含むことができる。反射部材２５０は反射フィルムまたは反射コーティング層を含むことができる。反射部材２５０は、光学部材１００の導光板１０の下面１０ｂへ出射された光を反射して再び導光板１０の内部に進入させる。
表示パネル３００は光学部材１００の上部に配置される。表示パネル３００は、光学部材１００からの光の提供を受けて画面を表示する。このように光を受けて画面を表示する受光性表示パネルの例としては、液晶表示パネルや電気泳動パネルなどを挙げることができる。以下では、表示パネルとして液晶表示パネルの例を挙げるが、これに制限されず、他の様々な受光性表示パネルが適用できる。
表示パネル３００は、第１基板３１０、第１基板３１０に対向する第２基板３２０、および第１基板３１０と第２基板３２０との間に配置された液晶層（図示せず）を含むことができる。第１基板３１０と第２基板３２０とは相互に位置合わせされて重ね合わされる。一実施形態において、いずれかの基板がもう一つの基板よりも大きく、少なくとも一辺が、より外側へ突出しうる。図面では、上部に位置する第２基板３２０が、より大きく、光源４００が配置された側面から突出した場合が例示されている。第２基板３２０の突出領域は、駆動チップまたは外部回路基板が実装される空間を提供するのでありうる。例示された例とは異なり、下方に位置する第１基板３１０が、第２基板３２０よりも大きく外側へ突出することもありうる。表示パネル３００における、前記突出領域を除いた第１基板３１０と第２基板３２０とが重ね合わされる領域は、その四周が、光学部材１００の導光板１０の側面１０ｓに、概ね整列されるのでありうる。
表示パネル３００は、第１基板３１０の厚さ方向下方にある下面３１０ｂ、および第２基板３２０の厚さ方向上方にある上面３２０ａに、それぞれ、第１偏光部材ＰＯＬ１および第２偏光部材ＰＯＬ２を、さらに含むことができる。第１偏光部材ＰＯＬ１および第２偏光部材ＰＯＬ２は、ポリビニルアルコール系偏光子を含むことができ、フィルム状であり得る。第１偏光部材ＰＯＬ１および第２偏光部材ＰＯＬ２は、偏光軸が互いに直交するように配置できる。第１偏光部材ＰＯＬ１は、光学部材１００を介して提供された光を偏光させて、一方向に偏光された光を表示パネル３００に入射させることができる。第２偏光部材ＰＯＬ２は、表示パネル３００から出射した光を偏光させ、ユーザーの目に入射させて画像を表示することができる。
光学部材１００は、モジュール間結合部材６１０を介して表示パネル３００と結合することができる。モジュール間結合部材６１０は、平面視にて四角枠状を有することができる。モジュール間結合部材６１０は、表示パネル３００および光学部材１００の縁に対応する箇所に位置することができる。
一実施形態において、モジュール間結合部材６１０の下面は、光学部材１００のパッシベーション層４０の上面に配置される。モジュール間結合部材６１０の下面は、パッシベーション層４０上で、波長変換層３０の上面３０ａにのみ重ねられ、側面３０ｓには重ならないように配置できる。
モジュール間結合部材６１０は、エラストマー樹脂や接着テープまたは粘着テープなどを含むことができる。
表示装置１０００はハウジング５００をさらに含むことができる。ハウジング５００は、一面が開放されており、底面５１０、および底面５１０に連結された側壁５２０を含む。底面５１０と側壁５２０によって取り囲まれて画定された空間内に、光源４００、光学部材１００－表示パネル３００アセンブリーおよび反射部材２５０が収納できる。光源４００、反射部材２５０および光学部材１００－表示パネル３００アセンブリーは、ハウジング５００の底面５１０上に配置される。表示パネル３００は、ハウジング５００の側壁上端に隣接して配置され、これらはハウジング結合部材６２０によって相互に結合できる。ハウジング結合部材６２０は平面視にて四角枠状を有することができる。ハウジング結合部材６２０は、エラストマー樹脂や接着テープまたは粘着テープなどを含むことができる。
表示装置１０００は、少なくとも一つの光学フィルム２００をさらに含むことができる。一つまたは複数の光学フィルム２００は、光学部材１００と表示パネル３００との間でモジュール間結合部材６１０によって囲まれた空間に収納できる。一つまたは複数の光学フィルム２００の側面は、モジュール間結合部材６１０の内側面に接し、それに取り付けまたは付着されうる。図面では、光学フィルム２００と光学部材１００との間、および光学フィルム２００と表示パネル３００との間が、それぞれ離隔している場合を例示的に示したが、前記離隔空間が必須的に要求されるものではない。
本実施形態において、光学フィルム２００は、二層のプリズムフィルムが積層され、プリズムフィルム上に輝度改善フィルムが積層された光学フィルム２００を含むことを示す。但し、これに制限されるものではなく、表示装置１０００は、同じ種類または異なる種類の複数の光学フィルム２００を含むことができる。例えば、プリズムフィルム、拡散フィルム、マイクロレンズフィルム、レンチキュラーフィルム、偏光フィルム、反射偏光フィルム、位相差フィルム、輝度改善フィルムの中から選択されたフィルムの様々な組み合わせで積層構造を形成することができる。複数の光学フィルム２００が適用される場合、各光学フィルム２００は、互いに重なり合うように配置され、それぞれの側面がモジュール間結合部材６１０の内側面に接してそれに取り付けまたは付着されうる。これらの光学フィルム２００同士は、互いに離隔し、それらの間に空気層が配置されうる。
図２０は他の実施形態に係る光源の断面図、図２１は、図２０に示す他の実施形態に係る波長変換層の断面図である。
本実施形態の表示装置１０００＿１の場合、図１４乃至図１７による他の実施形態の光学部材１００＿１および光源４００＿１を含む以外は、図１８および図１９の表示装置１０００とは構成が同一である。先立って、図１４乃至図１７において、図１８および図１９の表示装置１０００との相違点がある光学部材１００＿１および光源４００＿１について説明したので、本実施形態の光学部材１００＿１および光源４００＿１についての説明は省略する。また、本実施形態に係る光学部材１００＿１および光源４００＿１を除いた残りの構成は、図１５および図１６で説明した内容と実質的に同一であって、これに関連した内容も同じ趣旨で省略する。
上述したように、光源が第１波長光Ｌ１である場合、第２波長光Ｌ２に比べて第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収度が増加し、これにより、第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の強度も増加しうる。但し、光源の異なる波長領域によって、散乱粒子３５による散乱効果が異なり得る。本実施形態のように、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形の散乱粒子（ＴｉＯ2）が、入射光に対する散乱効果、および／または、波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３によって波長が変換された放出光に対する散乱効果を極大化させることができることを確認することができる。入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）に対する散乱効果が極大化されることにより、第１波長光Ｌ１に散乱放出特性が付与され、その結果、出射光の出射角を、広い角度範囲にわたって均一に分布するように調節することができる。さらに、入射光の散乱効果が極大化されることにより、既に説明したように、連鎖作用として放出光（例えば、グリーン光およびレッド光）の強度も増加することができる。
図２２は別の実施形態に係る表示装置の分解斜視図、図２３は、図２２に示す別の実施形態に係る表示装置の断面図である。
図２２および図２３による表示装置１０００＿２は、図１８および図１９の実施形態に係る表示装置１０００における導光板１０および低屈折層２０が省略され、光源４００＿２が表示パネル３００の下部に配置されるという点で、図１５および図１６の一実施形態に係る表示装置１０００とは異なる。
より具体的に説明すると、本実施形態に係る表示装置１０００＿２は、反射部材２５０、反射部材２５０上に配置される光源４００＿２、光源４００＿２上に配置される支持部材（Ｂａｓｅ）、支持部材（Ｂａｓｅ）上に配置される波長変換層３０、波長変換層３０上に配置されるパッシベーション層４０、およびパッシベーション層４０上に配置される表示パネル３００を含むことができる。光源４００＿２を実装するプリント基板４０１＿２は、反射部材２５０の全面にわたって実質的に平らな形状に配置できる。プリント基板４０１＿２の大きさは反射部材２５０の大きさと同一であり得るが、これらに制限されず、それより小さいか大きくてもよい。プリント基板４０１＿２上には、複数のＬＥＤ４３０＿２が配置できる。本実施形態において、ＬＥＤ４３０＿２は、図２２および図２３に示すように、上面に光を放出する上面発光ＬＥＤであり得る。光源４００＿２上には、波長変換層３０を支持する支持部材（Ｂａｓｅ）が配置できる。支持部材（Ｂａｓｅ）は、波長変換層３０を支持する機能を行うことができる。支持部材（Ｂａｓｅ）の平面形状は長方形であり得るが、これらに制限されるものではない。例示的な実施形態において、支持部材（Ｂａｓｅ）は、平面形状が長方形の六角柱形状であり得る。支持部材（Ｂａｓｅ）は、無機物質で構成できるが、これらに制限されるものではない。支持部材（Ｂａｓｅ）上には、波長変換層３０、および波長変換層３０を覆い、外部酸素、水分などから保護するパッシベーション層４０が配置できる。パッシベーション層４０上には表示パネル３００が配置できる。表示装置１０００＿２は、少なくとも一つの光学フィルム２００をさらに含むことができる。一つまたは複数の光学フィルム２００は、光学部材１００＿２と表示パネル３００との間でモジュール間結合部材６１０によって囲まれた空間に収納できる。例えば、プリズムフィルム、拡散フィルム、マイクロレンズフィルム、レンチキュラーフィルム、偏光フィルム、反射偏光フィルム、位相差フィルム、輝度改善フィルムの中から選択されたフィルムの様々な組み合わせで積層構造を形成することができる。
上述したように、光源が第１波長光Ｌ１である場合、第２波長光Ｌ２に比べて、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収度が増加し、これにより、第３波長光Ｌ３および第４波長光Ｌ４の強度も増加することができる。但し、光源光の相異なる波長領域によって散乱粒子３５による散乱効果が異なり得る。本実施形態のように、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形の散乱粒子（ＴｉＯ2）が、入射光に対する散乱効果、および／または波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３によって波長が変換された放出光に対する散乱効果を極大化させることができることを確認することができる。入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）に対する散乱効果が極大化されることにより、第１波長光Ｌ１に散乱放出特性が付与され、その結果、出射光の出射角を、広い角度範囲にわたって均一に分布するように調節することができる。さらに、入射光の散乱効果が極大化されることにより、既に説明したように、連鎖作用として、放出光（例えば、グリーン光およびレッド光）の強度も増加しうる。
図２４は別の実施形態に係る光源の断面図、図２５は、図２４に示す別の実施形態に係る波長変換層の断面図である。
図２４および図２５による表示装置１０００＿３は、図１４および図１７に係る光学部材１００＿１および光源４００＿１を含む以外は、図２２および図２３の表示装置１０００＿２とは構成が同一である。
上述したように、光源が第１波長光Ｌ１（３２０ｎｍ～４２０ｎｍ）である場合、第２波長光Ｌ２（４２０ｎｍ～４７０ｎｍ）に比べて、第２波長変換粒子Ｐ２および第３波長変換粒子Ｐ３の光吸収度が増加し、これにより、第３波長光Ｌ３（５２０ｎｍ～５７０ｎｍ）および第４波長光Ｌ４（６２０ｎｍ～６７０ｎｍ）の強度も増加しうる。但し、光源光の相異なる波長領域によって、散乱粒子３５による散乱効果が異なり得る。本実施形態のように、第１波長光Ｌ１を光源として使用する場合、アナターゼ（ａｎａｔａｓｅ）結晶形の散乱粒子（ＴｉＯ2）が、入射光に対する散乱効果、および／または波長変換粒子Ｐ２、Ｐ３によって波長が変換された放出光に対する散乱効果を極大化させることができることを確認することができる。入射光（例えば、第１波長光Ｌ１）の散乱効果が極大化されることにより、第１波長光Ｌ１に散乱放出特性が付与され、その結果、出射光の出射角を、広い角度範囲にわたって均一に分布するように調節することができる。さらに、入射光の散乱効果が極大化されることにより、既に説明したように、連鎖作用として放出光（例えば、グリーン光とレッド光）の強度も増加しうる。
好ましい一実施形態においては、次のとおりである。
近紫外または紫色の光（ピーク波長が例えば400nm）を発するLEDチップを用い、波長変換粒子（量子ドット(ＱＤ)）P2～P3及び散乱粒子35を含む波長変換層30が、導光板10の上面または光拡散板の上面に設けられたバックライト100において、光損失をさらに低減し、色の均一性をさらに改善すべく、下記Ａ１～Ａ２及びＢ１～Ｂ２のとおりである。
Ａ１ 散乱粒子35として、二酸化チタン（TiO2）のアナターゼ型（正方晶）の結晶粒子であって、粒径（メジアン径）が200nm以下、特には100～150nmのものを用いる。
Ａ２ 散乱粒子35は、波長変換層30の２重量％以下、例えば0.5～1.5重量％含まれる。
Ｂ１ 青色（ピーク波長が例えば450nm）から緑色（ピーク波長が例えば560nm）に変換する波長変換粒子P2～P3が、導光板10上の波長変換層30中に含まれる。
Ｂ２ 近紫外または紫色の光を青色光に変化する波長変換粒子P1は、LEDチップを被覆するバインダー層４５０中、及び／または、波長変換層30中に含まれる。
また、次のとおりとすることができる。
Ｃ 散乱粒子35には、純度が高い（例えば99.9％以上）の結晶粒子であって、長方形状などの角張ったものを用いる。
Ｄ アナターゼ型が維持されるべく、波長変換層30及びこれを覆うパッシベーション層40を形成する際には、工程温度を、例えば400℃以下とする。
１００ 光学部材
３００ 表示パネル
４００ 光源
５００ ハウジング

Claims (14)

  1. 導光板と、前記導光板上に配置され、ＴｉＯ2のアナターゼ結晶形の散乱粒子であって粒子サイズが２００ｎｍ以下の散乱粒子を含む波長変換層とを含む光学部材；および
    前記導光板の一側面に配置された光源；を含み、
    前記光源は、第１波長の第１光を前記導光板に提供し、前記波長変換層は、前記第１光を第２波長の光に変換する第１波長変換粒子、および前記第１光を第３波長の光に変換する第２波長変換粒子を含み、
    前記光源は第１波長と異なる第５波長の第２光を前記導光板に提供し、前記第１波長変換粒子は前記第２光を前記第２波長の光に変換し、前記第２波長変換粒子は前記第２光を前記第３波長の光に変換し、
    前記第１波長および前記第５波長が青色光または近紫外線の波長範囲内にあり、
    前記第１波長が３２０ｎｍ乃至４２０ｎｍであり、前記第５波長が４２０ｎｍ乃至４７０ｎｍであり、
    前記第２波長が緑色光の波長範囲内にあり、前記第３波長が赤色光の波長範囲内にあり、
    前記光学部材は前記導光板と前記波長変換層との間に配置された低屈折層をさらに含み、前記導光板、前記低屈折層および前記波長変換層は互いに結合して一体化されており、
    前記波長変換層および前記低屈折層を覆うパッシベーション層をさらに含み、
    前記波長変換層は、前記低屈折層よりも厚く、厚さが１０～５０μｍであり、
    前記波長変換層の側面は前記低屈折層の側面に整列され、前記パッシベーション層は、前記低屈折層が露出する前記導光板の縁部の上面にまで延びて、縁部の一部が前記導光板の上面に直接接しており、
    前記波長変換層の側面は、前記低屈折層の側面より緩やかな傾斜角を持つ、バックライトユニット。
  2. 前記光源が、前記第１光を発光する発光素子、および前記第１光を前記第５波長の前記第２光に変換する第３波長変換粒子を含む、請求項１に記載のバックライトユニット。
  3. 前記第１波長変換粒子が量子ドットを含み、前記第２波長変換粒子がＫＳＦ蛍光物質を含む、請求項１に記載のバックライトユニット。
  4. 前記第１波長変換粒子及び前記第２波長変換粒子が、それぞれ、カドミウム（Ｃｄ）化合物、及び、インジウム（Ｉｎ）化合物を含む請求項１または３に記載のバックライトユニット。
  5. 前記波長変換層が、前記第１光を第５波長の第２光に変換する第３波長変換粒子をさらに含む、請求項１に記載のバックライトユニット。
  6. 前記第１波長変換粒子が前記第２光を前記第２波長の光に変換し、前記第２波長変換粒子が前記第２光を前記第３波長の光に変換する、請求項４に記載のバックライトユニット。
  7. 前記散乱粒子の含有量が５％未満である、請求項１に記載のバックライトユニット。
  8. 波長４００ｎｍの光に対する前記散乱粒子の反射率が８０％以上である、請求項７に記載のバックライトユニット。
  9. 前記導光板がガラスを含む、請求項１に記載のバックライトユニット。
  10. 導光板と、前記導光板上に配置され、ＴｉＯ2アナターゼ結晶形の散乱粒子として粒子サイズ２００ｎｍ以下の散乱粒子を含む波長変換層とを含む光学部材；
    前記導光板の一側に配置された光源を含むバックライトユニット；及び
    前記バックライトユニットの上部に配置された表示パネル；を含み、
    前記光源は、第１波長の第１光を前記導光板に提供し、前記波長変換層は、前記第１光を第２波長の光に変換する第１波長変換粒子、および前記第１光を第３波長の光に変換する第２波長変換粒子を含み、
    前記光源は第１波長と異なる第５波長の第２光を前記導光板に提供し、前記第１波長変換粒子は前記第２光を前記第２波長の光に変換し、前記第２波長変換粒子は前記第２光を前記第３波長の光に変換し、
    前記第１波長および前記第５波長が青色光または近紫外線の波長範囲内にあり、
    前記第１波長が３２０ｎｍ乃至４２０ｎｍであり、前記第５波長が４２０ｎｍ乃至４７０ｎｍであり、
    前記第２波長が緑色光の波長範囲内にあり、前記第３波長が赤色光の波長範囲内にあり、
    前記光学部材は前記導光板と前記波長変換層との間に配置された低屈折層をさらに含み、前記導光板、前記低屈折層および前記波長変換層は互いに結合して一体化されており、
    前記波長変換層および前記低屈折層を覆うパッシベーション層をさらに含み、
    前記波長変換層は、前記低屈折層よりも厚く、厚さが１０～５０μｍであり、
    前記波長変換層の側面は前記低屈折層の側面に整列され、前記パッシベーション層は、前記低屈折層が露出する前記導光板の縁部の上面にまで延びて、縁部の一部が前記導光板の上面に直接接しており、
    前記波長変換層の側面は、前記低屈折層の側面より緩やかな傾斜角を持つ、表示装置。
  11. 前記第１波長変換粒子及び前記第２波長変換粒子が、それぞれ、カドミウム（Ｃｄ）化合物、及び、インジウム（Ｉｎ）化合物を含む請求項１０に記載の表示装置。
  12. 第１波長の第１光を第２波長の光に変換する第１波長変換粒子と、
    前記第１光を第３波長の光に変換する第２波長変換粒子と、
    アナターゼ結晶形のＴｉＯ2を含む散乱粒子であって粒子サイズが２００ｎｍ以下の散乱粒子を含む波長変換層とを含み、
    前記波長変換層は、光源から提供される、第１波長の第１光を第２波長の光に変換する第１波長変換粒子、および前記第１光を第３波長の光に変換する第２波長変換粒子を含み、
    前記第１波長変換粒子は、光源から提供される、第１波長と異なる第５波長の第２光を前記第２波長の光に変換し、前記第２波長変換粒子は前記第２光を前記第３波長の光に変換し、
    前記第１波長および前記第５波長が青色光または近紫外線の波長範囲内にあり、
    前記第１波長が３２０ｎｍ乃至４２０ｎｍであり、前記第５波長が４２０ｎｍ乃至４７０ｎｍであり、
    前記第２波長が緑色光の波長範囲内にあり、前記第３波長が赤色光の波長範囲内にあり、
    導光板と前記波長変換層との間に配置される低屈折層をさらに含み、前記導光板、前記低屈折層および前記波長変換層は互いに結合して一体化されるのであり、
    前記波長変換層および前記低屈折層を覆うパッシベーション層をさらに含み、
    前記波長変換層は、前記低屈折層よりも厚く、厚さが１０～５０μｍであり、
    前記波長変換層の側面は前記低屈折層の側面に整列され、前記パッシベーション層は、前記低屈折層が露出する前記導光板の縁部の上面にまで延びて、縁部の一部が前記導光板の上面に直接接しており、
    前記波長変換層の側面は、前記低屈折層の側面より緩やかな傾斜角を持つ、光学部材。
  13. 前記導光板がガラスを含む、請求項１２に記載の光学部材。
  14. 前記第１波長変換粒子及び前記第２波長変換粒子が、それぞれ、カドミウム（Ｃｄ）化合物、及び、インジウム（Ｉｎ）化合物を含む請求項１２に記載の光学部材。
JP2019001432A 2018-06-11 2019-01-08 表示装置 Active JP7356798B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0067000 2018-06-11
KR1020180067000A KR102567653B1 (ko) 2018-06-11 2018-06-11 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019215515A JP2019215515A (ja) 2019-12-19
JP7356798B2 true JP7356798B2 (ja) 2023-10-05

Family

ID=68764775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019001432A Active JP7356798B2 (ja) 2018-06-11 2019-01-08 表示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20190377229A1 (ja)
JP (1) JP7356798B2 (ja)
KR (1) KR102567653B1 (ja)
CN (1) CN110579904A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102562289B1 (ko) * 2018-08-28 2023-08-02 삼성디스플레이 주식회사 광원 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200049938A (ko) * 2018-10-29 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI693455B (zh) * 2019-04-10 2020-05-11 瑞軒科技股份有限公司 發光二極體背光模組
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법
KR20230044656A (ko) * 2021-09-27 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 웨어러블 전자 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118108A1 (ja) 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2013532312A (ja) 2010-07-14 2013-08-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 表示装置
US20140111968A1 (en) 2011-05-24 2014-04-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device including the same, method for manufacturing the same
WO2015199320A1 (en) 2014-06-27 2015-12-30 Lg Electronics Inc. Backlight unit and display device having the same
JP2016181474A (ja) 2015-03-25 2016-10-13 大日本印刷株式会社 導光部材、面光源装置及び表示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
EP1664393B1 (en) * 2003-07-14 2013-11-06 Allegis Technologies, Inc. METHOD OF PROducING GALLIUM NITRIDE LEDs
TWI266120B (en) * 2003-07-18 2006-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Back light module and liquid crystal display using the same
JP2008071806A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 C I Kasei Co Ltd 発光装置
JP2009123803A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード装置
US8283686B2 (en) * 2007-12-11 2012-10-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Side emitting device with hybrid top reflector
US8740400B2 (en) * 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
WO2011145247A1 (ja) * 2010-05-18 2011-11-24 シャープ株式会社 表示装置
CN102986044B (zh) * 2010-10-15 2015-05-06 三菱化学株式会社 白色发光装置及照明器具
EP3839335A1 (en) * 2010-11-10 2021-06-23 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
JP5737011B2 (ja) * 2011-01-18 2015-06-17 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法
JP2012216717A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Ccs Inc 発光装置
JP2014079905A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材の製造方法、及び発光装置の製造方法
KR102157244B1 (ko) * 2013-12-20 2020-09-18 삼성디스플레이 주식회사 파장 변환체 및 이를 포함하는 액정표시장치
JP6326003B2 (ja) * 2014-05-19 2018-05-16 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置、ならびに量子ドット含有重合性組成物
KR101581762B1 (ko) * 2014-06-27 2016-01-04 엘지전자 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
KR20160094888A (ko) * 2015-01-31 2016-08-10 주식회사 엘지화학 색변환 필름 및 이의 제조방법 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101849603B1 (ko) * 2016-07-27 2018-04-17 국민대학교산학협력단 액정표시패널 및 이를 포함하는 액정표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118108A1 (ja) 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー シリコーン樹脂製反射基材、その製造方法、及びその反射基材に用いる原材料組成物
JP2013532312A (ja) 2010-07-14 2013-08-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 表示装置
US20140111968A1 (en) 2011-05-24 2014-04-24 Lg Innotek Co., Ltd. Optical member, display device including the same, method for manufacturing the same
WO2015199320A1 (en) 2014-06-27 2015-12-30 Lg Electronics Inc. Backlight unit and display device having the same
JP2016181474A (ja) 2015-03-25 2016-10-13 大日本印刷株式会社 導光部材、面光源装置及び表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102567653B1 (ko) 2023-08-17
KR20190140548A (ko) 2019-12-20
US20190377229A1 (en) 2019-12-12
JP2019215515A (ja) 2019-12-19
CN110579904A (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7356798B2 (ja) 表示装置
KR102533078B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102587654B1 (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7419590B2 (ja) 発光モジュール及び表示装置
US7367691B2 (en) Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same
CN107407835B (zh) 照明装置、显示装置以及电视接收装置
US7075116B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR102106045B1 (ko) 양자점을 이용한 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치
JP5583281B2 (ja) 蛍光体光学素子およびそれを用いた発光装置
KR102531351B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US20200132914A1 (en) Backlight unit and display device having the same
JP2015149468A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
WO2019140768A1 (zh) 一种背光源
TWI386728B (zh) 背光模組與液晶顯示器
JP2005332963A (ja) 発光装置
KR102433161B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102523674B1 (ko) 광학 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
US20200218004A1 (en) Backlight unit and a display including the same
KR20200005689A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US20200209683A1 (en) Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US20150200340A1 (en) Light-emitting device
JP6687349B2 (ja) 液晶表示装置
US20200166808A1 (en) Optical member and display device including the same
JP2019211750A (ja) 光学部材及びこれを含む表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230925

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7356798

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150