JP7348777B2 - 積層構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る積層構造体10の一実施形態は、図1に示すように、結晶性β-Ga2O3を主成分として含む結晶層である半導体層1上の、第1主面2側の第1導電層3と、第2主面4側の第2導電層5とを含む積層構造体10である。なお、半導体層1は、単層に限らず、複数層からなる半導体層であってもよい。
まず、本発明に係る積層構造体の製造方法で用いるタンタル酸リチウムを主成分とする基板について説明する。
本発明に係る積層構造体10における半導体層1は、結晶性β-Ga2O3を主成分として含む半導体層であり、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜である。結晶性酸化物膜は、通常、金属と酸素から構成されるが、本発明に係る積層構造体の半導体層1においては、β-Ga2O3を主成分とするものであればよい。β-Ga2O3は、熱的により安定な結晶性酸化物膜である。ここで、本発明で「β-Ga2O3を主成分とし」という場合、膜中の50~100%をβ-Ga2O3が占めるものを意味する。ガリウム以外の金属成分としては、例えば、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、イリジウム、ニッケル及びコバルトから選ばれる1種又は2種以上の金属を含んでもよい。なお、半導体層1はβ-Ga2O3を主成分として含むものであれば、単結晶でも多結晶でもよいが、単結晶であることが最も好ましい。
本発明に係る積層構造体及び積層構造体の製造方法の一実施形態は、少なくともガリウムを含有する水溶液を霧化又は液滴化して生成されるミストをキャリアガスを用いて基板へ搬送し、ついで該基板上で該ミストを熱反応させて半導体層(結晶性酸化物膜)を成膜する方法を利用して製造され、該基板はタンタル酸リチウムを主成分とする基板であり、半導体層(結晶性酸化物膜)は結晶性β-Ga2O3を主成分として含む層であり、基板を除去して得た半導体層(結晶性酸化物膜)に、導電層を形成して積層構造体を得る。このような半導体層(結晶性酸化物膜)を成膜可能な成膜装置について説明する。
原料溶液(水溶液)104aには、少なくともガリウムを含んでいれば特に限定されない。すなわち、ガリウムの他、例えば、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、イリジウム、ニッケル及びコバルトから選ばれる1種又は2種以上の金属を含んでもよい。前記金属を錯体又は塩の形態で、水に溶解又は分散させたものを好適に用いることができる。錯体の形態としては、例えば、アセチルアセトナート錯体、カルボニル錯体、アンミン錯体、ヒドリド錯体などが挙げられる。塩の形態としては、例えば、塩化金属塩、臭化金属塩、ヨウ化金属塩などが挙げられる。また、上記金属を、臭化水素酸、塩酸、ヨウ化水素酸等に溶解したものも塩の水溶液として用いることができる。溶質濃度は0.01~1mol/Lが好ましい。
ミスト化部120では、原料溶液104aを調整し、前記原料溶液104aをミスト化してミストを発生させる。ミスト化手段は、原料溶液104aをミスト化できさえすれば特に限定されず、公知のミスト化手段であってよいが、超音波振動によるミスト化手段を用いることが好ましい。より安定してミスト化することができるためである。
搬送部109は、ミスト化部120と成膜部140とを接続する。搬送部109を介して、ミスト化部120のミスト発生源104から成膜部140の成膜室107へと、キャリアガスによってミストが搬送される。搬送部109は、例えば、供給管109aとすることができる。供給管109aとしては、例えば石英管や樹脂製のチューブなどを使用することができる。
成膜部140では、ミストを加熱し熱反応を生じさせて、基板110の表面の一部又は全部に成膜を行う。成膜部140は、例えば、成膜室107を備え、成膜室107内には基板110が設置されており、該基板110を加熱するためのホットプレート108を備えることができる。ホットプレート108は、図2に示されるように成膜室107の外部に設けられていてもよいし、成膜室107の内部に設けられていてもよい。また、成膜室107には、基板110へのミストの供給に影響を及ぼさない位置に、排ガスの排気口112が設けられてもよい。
キャリアガス供給部130は、キャリアガスを供給するキャリアガス源102aを有し、キャリアガス源102aから送り出されるキャリアガス(以下、「主キャリアガス」という)の流量を調節するための流量調節弁103aを備えていてもよい。また、必要に応じて希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源102bや、希釈用キャリアガス源102bから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁103bを備えることもできる。
次に、図2を参照しながら、本発明に係る半導体層(結晶性酸化物膜)の成膜方法の一例を説明する。まず、原料溶液104aをミスト化部120のミスト発生源104内に収容し、基板110であるタンタル酸リチウムを主成分とする結晶性基板を、ホットプレート108上に直接又は成膜室107の壁を介して設置し、ホットプレート108を作動させる。結晶性基板として用いるタンタル酸リチウムは熱膨張係数が大きいため、低温から徐々に昇温するのが好ましい。
半導体層(結晶性酸化物膜)を成膜した後、アニールを行うことも可能である。例えば、アニール処理の条件として、温度を500℃以上とすることができる。上限は特に限定されず、半導体層(結晶性酸化物膜)や基板が熱処理に耐えうる範囲であればよいが、例えば、1000℃とすることができる。アニール処理の時間は特に限定されないが、例えば1分以上とすることができる。また、生産性を考慮すれば、1時間以下が好ましく、30分以下とすることがより好ましい。アニール処理の雰囲気は特に限定されないが、窒素や希ガスなどの不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。このようなアニール処理により、膜の抵抗率を低くしたり、電気的特性を安定させたりする効果が期待できる。また、結晶性酸化物膜の表面粗さ(算術平均粗さ:Ra)を0.1μm以下とできる。なお、表面粗さは、原子間力顕微鏡(AFM)により10μm角の領域についての表面形状測定結果を用い、JIS B0601に基づき算出して得た算術平均粗さ(Ra)を表す。
本発明に係る積層構造体の製造方法においては、基板と半導体層1とを含む積層体から、基板を除去する。このときの基板の除去方法は特に限定されない。例えば、基板を剥離除去することができる。剥離手段は特に限定されず、公知の手段であってもよい。例えば、機械的衝撃を与えて剥離する手段、熱を加えて熱応力を利用して剥離する手段、超音波等の振動を加えて剥離する手段、エッチングして剥離する手段、レーザーリフトオフなどが挙げられる。基板そのものを溶解して除去しても良いが、剥離除去であれば、基板を再利用することが可能であるため、コストの面から好ましい。基板を除去することで、半導体層を自立膜として得ることができる。
本発明者が鋭意調査を行った結果、特定の材料を組み合わせることで、熱的に安定で、優れた電気的特性を有し、安価な積層構造体となることを見出した。本発明に係る積層構造体10においては、β-Ga2O3を主成分として含む半導体層1と、該半導体層1に形成する導電層3,5の組み合わせに、特徴の一つを有する。具体的には、以下の組み合わせとしたときに、高耐圧で低いオン抵抗の電気特性に優れた積層構造体となる。再び図1を参照しながら説明する。なお、以下の説明で、例えば、「半導体層1の第1主面2側に形成される第1導電層3」という場合、半導体層1と第1導電層3とが直接接して形成(積層)されている場合のほか、他の層を介して形成(積層)されている場合も含む。「周期律表第4族又は第11族の金属を含む第1金属層」という場合には、金属層は単層だけでなく、複数層が積層されたものを含む。また、第4族と第11族の金属の両方を含んでもよいことは言うまでもない。
半導体層1の第1主面2側に形成される第1導電層3が、周期律表第4族又は第11族の金属を含む第1金属層であり、半導体層1の第2主面4側に形成される第2導電層5が、周期律表第4族又は第11族の金属を含む第2金属層である。このとき、第1金属層を、Ti及び/又はAuを含むものとすることが好ましい。また、第1金属層を、さらに周期律表第10族の金属を含むものとすることが好ましい。周期律表第10族の金属としては、Ni,Pd,Ptが好ましく、Ptとすることがより好ましい。また、第2金属層を、Ti及び/又はAuを含むものとすることが好ましい。
半導体層1の第2主面4側に形成される第2導電層が、導電性金属酸化物、周期律表第4族又は第11族の金属を含むオーミック電極である。このとき、第1導電層を、周期律表第4族又は第11族の金属を含む電極とすることが好ましい。
半導体層1の第1主面2側に形成される第1導電層が、導電性金属酸化物又は金属を含む電極であり、半導体層1の第2主面4側に形成される第2導電層が、導電性金属酸化物を含むオーミック電極である。
上述の電極材料について、周期律表第4族の金属としては、Ti,Zr,Hfが好ましい。周期律表第11族の金属としては、Cu,Ag,Auが好ましい。導電性金属酸化物としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化亜鉛インジウム(IZO)等の金属酸化物導電が好ましい。
タンタル酸リチウム単結晶基板上に、n-型半導体層としてβ-Ga2O3を成膜した後、基板を剥離し、n-型半導体層上にn+型半導体層を成膜し、n-型半導体層の表面にショットキー電極、n+型半導体層の表面にオーミック電極を形成し積層構造体を製造した。電気的特性評価としてIV測定を行った。
基板 : 信越化学工業社製タンタル酸リチウム単結晶基板
直径4インチ(100mm)、厚さ600μm、c面
鏡面仕上げ
成膜方法 : ミストCVD法
原料水溶液 : 臭化ガリウム、0.05mol/L
臭化水素酸、10%
キャリアガス : N2、4L/min
希釈ガス : N2、20L/min
成膜温度 : 408℃
成膜時間 : 120分
レーザーリフト法による。
成膜方法 : ミストCVD法
原料水溶液 : 臭化ガリウム、0.05mol/L
臭化スズ、4×10-3mol/L
Ga:Sn=1:0.02
臭化水素酸10%
キャリアガス : N2、4L/min
希釈ガス : N2、20L/min
成膜温度 : 408℃
成膜時間 : 180分
形成方法 : 電子ビーム蒸着法
電極の構成 : n-型半導体層表面に、以下の順で積層
Pt層10nm、Ti層4nm、Au層200nm
形成方法 : 電子ビーム蒸着法
電極の構成 : n+型半導体層表面に、以下の順で積層
Ti層40nm、Au層200nm
n-型半導体層表面に、電子ビーム蒸着法でPt層を200nmのみ形成した点を除いては実施例1と同様の積層構造体を作製し、IV特性の測定を行った。この結果、耐圧は92V、オン抵抗(微分抵抗)は57Ωcm2であった。
n-型半導体層表面に、Ti層15nm、Au層200nmをこの順で積層して形成した点を除いては実施例1と同様の積層構造体を作製し、IV特性の測定を行った。この結果、耐圧は856V、オン抵抗(微分抵抗)は0.13mΩcm2であった。
n+型半導体層表面に、ITO膜を形成した点を除いては実施例1と同様の積層構造体を作製し、IV特性の測定を行った。ITO膜の形成条件は、以下のとおりである。
成膜方法 : ミストCVD法
原料水溶液 : 臭化インジウム、0.025mol/L
臭化スズ、2.5×10-4mol/L
臭化水素酸、10%
キャリアガス : N2、4L/min
希釈ガス : N2、20L/min
成膜温度 : 500℃
成膜時間 : 30分
5…第2導電層、 10…積層構造体、
101…成膜装置、 102a…キャリアガス源、
102b…希釈用キャリアガス源、 103a…流量調節弁、
103b…流量調節弁、 104…ミスト発生源、 104a…原料溶液(水溶液)、
105…容器、 105a…水、 106…超音波振動子、 107…成膜室、
108…ホットプレート、 109…搬送部、 109a…供給管、
110…基板、 112…排気口、 116…発振器、
120…ミスト化部、130…キャリアガス供給部、140…成膜部。
Claims (11)
- 第1主面と第2主面とを有する半導体層と、前記第1主面側の第1導電層と、前記第2主面側の第2導電層とを含む積層構造体の製造方法であって、
ミストCVD法により、基板上に半導体層を成長し、前記基板と前記半導体層を含む積層体を得る工程と、
前記積層体から前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記第1主面側に第1導電層を形成する工程と、
前記半導体層の前記第2主面側に第2導電層を形成する工程とを含み、
前記基板としてタンタル酸リチウムを主成分とする基板を用い、
前記半導体層として結晶性β-Ga2O3を主成分として含む層を成長することを特徴とする積層構造体の製造方法。 - 前記第1導電層を、周期律表第4族又は第11族の金属を含む第1金属層とし、
前記第2導電層を、周期律表第4族又は第11族の金属を含む第2金属層とすることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体の製造方法。 - 前記第1金属層を、Ti及び/又はAuを含むものとすることを特徴とする請求項2に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第1金属層を、さらに周期律表第10族の金属を含むものとすることを特徴とする請求項2又は3に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記周期律表第10族の金属を、Ptとすることを特徴とする請求項4に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第2金属層を、Ti及び/又はAuを含むものとすることを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第2導電層を、導電性金属酸化物、周期律表第4族又は第11族の金属を含むオーミック電極とすることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第1導電層を、周期律表第4族又は第11族の金属を含む電極とすることを特徴とする請求項7に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記第1導電層を、金属又は導電性金属酸化物を含む電極とし、
前記第2導電層を、導電性金属酸化物を含むオーミック電極とすることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体の製造方法。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の積層構造体の製造方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置をダイオード、ショットキーバリアダイオード又はパワーデバイスとすることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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