JP7348647B2 - Laser irradiation device - Google Patents

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Description

本発明は、レーザ照射装置に関する。 The present invention relates to a laser irradiation device.

特許文献1には、相互に平行な2つの辺を有する貫通孔を有するマスクでレーザビームの断面を整形し、反射ミラーでビームを反射し、ガルバノスキャナでビームを2次元方向に走査し、fθレンズで貫通孔の像を加工対象物の表面上に結像させて、加工対象物の一部を除去する加工を行うレーザ加工装置が開示されている。 In Patent Document 1, the cross section of the laser beam is shaped using a mask having a through hole with two mutually parallel sides, the beam is reflected by a reflecting mirror, and the beam is scanned in a two-dimensional direction by a galvano scanner. 2. Description of the Related Art A laser processing apparatus has been disclosed that performs processing to remove a part of a workpiece by forming an image of a through hole on the surface of the workpiece using a lens.

特開2004-98120号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-98120

しかしながら、引用文献1に記載の発明では、矩形の像(ビームスポット)を加工対象物上に結像させるが、ビームスポットの大きさを小さくすることは考慮されていない。すなわち、引用文献1に記載の発明では、任意の形状の微小な像を結像させることはできない。 However, in the invention described in Cited Document 1, a rectangular image (beam spot) is formed on the workpiece, but no consideration is given to reducing the size of the beam spot. That is, in the invention described in Cited Document 1, it is not possible to form a minute image of an arbitrary shape.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、レーザ光を走査しつつ、精緻な像を結像させることができるレーザ照射装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser irradiation device that can form a precise image while scanning with laser light.

上記課題を解決するために、本発明に係るレーザ照射装置は、例えば、レーザ光を出射する光源と、前記光源から出射されたレーザ光の一部を通過させるスリットが形成されたマスクと、前記スリットを通過したレーザ光が通過するスキャン光学系と、前記スキャン光学系を通過したスリット像を縮小して加工面に投影する縮小光学系と、を備え、前記スキャン光学系は、前記スリットを通過したレーザ光を平行光にする第1光学部材と、前記第1光学部材を通過したレーザ光を反射するスキャンミラーであって、回動可能に設けられたスキャンミラーと、前記スキャンミラーで反射されたレーザ光を中間像面に結像させる第2光学部材と、を有し、前記縮小光学系は、前記中間像面に結像した前記スリット像を縮小する第3光学部材と、前記第3光学部材の焦点位置に開口位置がくるように設けられた対物レンズと、を有することを特徴とする。 In order to solve the above problems, a laser irradiation device according to the present invention includes, for example, a light source that emits laser light, a mask in which a slit is formed that allows a part of the laser light emitted from the light source to pass, and A scanning optical system through which the laser beam that has passed through the slit passes; and a reduction optical system that reduces the slit image that has passed through the scanning optical system and projects it onto a processing surface, the scanning optical system passing through the slit. a first optical member that converts the laser light into parallel light; a scan mirror that reflects the laser light that has passed through the first optical member, the scan mirror being rotatably provided; a second optical member that focuses the laser beam on an intermediate image plane; the reduction optical system includes a third optical member that reduces the slit image formed on the intermediate image plane; It is characterized by having an objective lens provided so that the aperture position is located at the focal point position of the optical member.

本発明に係るレーザ照射装置によれば、レーザ光の強度分布を均一化してスリットで成形し、スリットを通過したレーザ光を第1光学部材で平行光にし、第2光学部材でレーザ光を中間像面に結像させるとともに、スキャンミラーにより中間像面上でレーザ光を走査する。また、縮小光学系は、中間像面に結像したスリット像を縮小して加工対象物の加工面に結像させる。このような構成とすることで、レーザ光を走査しつつ、精緻な像を結像させることができる。 According to the laser irradiation device according to the present invention, the intensity distribution of the laser beam is made uniform and the laser beam is shaped by the slit, the laser beam that has passed through the slit is made into parallel light by the first optical member, and the laser beam is intermediated by the second optical member. An image is formed on the image plane, and the laser beam is scanned on the intermediate image plane by a scan mirror. Further, the reduction optical system reduces the slit image formed on the intermediate image plane and forms the image on the processing surface of the workpiece. With such a configuration, a precise image can be formed while scanning with laser light.

ここで、前記第2光学部材は、fθレンズであってもよい。これにより、第3光学部材と対物レンズとの距離を常に一定にすることができる。 Here, the second optical member may be an fθ lens. Thereby, the distance between the third optical member and the objective lens can always be kept constant.

ここで、前記第2光学部材は、テレセントリック型のfθレンズであってもよい。これにより、レーザ光が対物レンズに全て入射するため、レーザ光を広範囲に走査してもエネルギーの損失が発生しない。 Here, the second optical member may be a telecentric fθ lens. As a result, all of the laser light is incident on the objective lens, so no energy loss occurs even if the laser light is scanned over a wide range.

ここで、前記スキャンミラーは、第1ミラー及び第2ミラーを有し、前記第1ミラーの反射面である第1反射面と、前記第2ミラーの反射面である第2反射面とは、異なる方向を向いており、前記第1反射面の回動中心と、前記第2反射面の回動中心とは、ねじれの位置にあってもよい。これにより、簡単な構成でレーザ光を二次元走査することができる。 Here, the scan mirror has a first mirror and a second mirror, and the first reflective surface that is the reflective surface of the first mirror and the second reflective surface that is the reflective surface of the second mirror are: The first reflective surface may face different directions, and the center of rotation of the first reflective surface and the center of rotation of the second reflective surface may be in twisted positions. This allows two-dimensional scanning with laser light with a simple configuration.

本発明によれば、レーザ光を走査しつつ、精緻な像を結像させることができる。 According to the present invention, a precise image can be formed while scanning with laser light.

本発明のレーザ照射装置1の概略を示す図である。1 is a diagram schematically showing a laser irradiation device 1 of the present invention. レーザ照射装置1の光路図である。FIG. 2 is an optical path diagram of the laser irradiation device 1. FIG. スキャンミラー16でレーザ光を振った場合の光路を模式的に示す図であり、(A)は(B)、(C)、(D)に示すすべての光線を重ねた状態を示し、(B)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鈍角である場合を示し、(C)は主光線が光軸上にある(スキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が直角である)場合を示し、(D)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鋭角である場合を示す。It is a diagram schematically showing the optical path when a laser beam is swung by a scan mirror 16, in which (A) shows a state in which all the beams shown in (B), (C), and (D) are overlapped, and (B) ) shows the case where the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is an obtuse angle, and (C) shows the case where the principal ray is on the optical axis (the angle formed between the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is a right angle). (D) shows a case where the angle formed by the chief ray before and after reflection on the scan mirror 16 is an acute angle. 加工対象物100の概略を模式的に示す図であり、(A)は側面図、(B)は平面図である。1A and 1B are diagrams schematically showing an outline of a workpiece 100, in which (A) is a side view and (B) is a plan view. 従来のレーザ照射装置110の概略を示す図である。1 is a diagram schematically showing a conventional laser irradiation device 110. FIG. レーザ照射装置110において、スキャンミラー16でレーザ光を振った場合の光路を模式的に示す図であり、(A)は(B)、(C)、(D)に示すすべての光線を重ねた状態を示し、(B)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鋭角である場合を示し、(C)は主光線が光軸上にある(スキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が直角である)場合を示し、(D)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鈍角である場合を示す。In the laser irradiation device 110, it is a diagram schematically showing the optical path when the laser beam is swung by the scan mirror 16, and (A) is a diagram in which all the light beams shown in (B), (C), and (D) are overlapped. (B) shows the case where the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is an acute angle, and (C) shows the case where the principal ray is on the optical axis (the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16). (D) shows the case where the angle between the chief rays before and after reflection on the scanning mirror 16 is an obtuse angle.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明のレーザ照射装置は、xy方向にレーザ光を走査して加工対象物に加工を行うものである。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. The laser irradiation device of the present invention processes a workpiece by scanning a laser beam in the x and y directions.

図1は、本発明のレーザ照射装置1の概略を示す図である。レーザ照射装置1は、主として、光源10と、ホモジナイザ11と、マスク12と、スキャン光学系13と、縮小光学系14と、を有し、加工対象物100にレーザ光を照射する。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a laser irradiation device 1 of the present invention. The laser irradiation device 1 mainly includes a light source 10, a homogenizer 11, a mask 12, a scan optical system 13, and a reduction optical system 14, and irradiates the workpiece 100 with laser light.

ここで、加工対象物100について説明する。図4は、加工対象物100の概略を模式的に示す図であり、(A)は側面図、(B)は平面図である。加工対象物100は、サファイア基板101上にLEDチップ102が形成されたものである。レーザ照射装置1は、サファイア基板101とLEDチップ102との界面にレーザを照射して、LEDチップ102をサファイア基板101から剥離する。LEDチップ102の大きさは、幅d1が略30~70μm、高さd2が略10~30μmである。 Here, the workpiece 100 will be explained. FIG. 4 is a diagram schematically showing the outline of the workpiece 100, in which (A) is a side view and (B) is a plan view. The workpiece 100 has an LED chip 102 formed on a sapphire substrate 101. The laser irradiation device 1 irradiates the interface between the sapphire substrate 101 and the LED chip 102 with a laser to peel the LED chip 102 from the sapphire substrate 101. The LED chip 102 has a width d1 of about 30 to 70 μm and a height d2 of about 10 to 30 μm.

LEDチップ102を外して基板(図示省略)に実装することで表示装置を製造するため、所望のLEDチップ102のみをサファイア基板101から剥離しなければならない。例えば、サファイア基板101にLEDチップ102のRGBが順に並んでいるときに、まず基板にRの画素のみを実装し、次にGの画素を実装し、最後にBの画素を実装することで表示装置を製造する場合がある。このような場合には、3個おきにLEDチップ102をサファイア基板101から剥離しなければならない。 Since a display device is manufactured by removing the LED chips 102 and mounting them on a substrate (not shown), only the desired LED chips 102 must be peeled off from the sapphire substrate 101. For example, when RGB of the LED chips 102 are arranged in order on the sapphire substrate 101, first, only the R pixels are mounted on the substrate, then the G pixels are mounted, and finally the B pixels are mounted. In some cases, equipment may be manufactured. In such a case, every third LED chip 102 must be peeled off from the sapphire substrate 101.

図4では、まずLEDチップ102aにレーザ光Lを照射し、次に3個離れた位置に配置されたLEDチップ102bにレーザ光Lを照射する例を示している。 FIG. 4 shows an example in which the LED chip 102a is first irradiated with the laser light L, and then the LED chips 102b arranged three chips apart are irradiated with the laser light L.

所望のLEDチップ102のみ剥離するため、レーザ照射装置1が照射するレーザ光Lは、LEDチップ102の形状に略一致している必要がある。また、隣接するLEDチップ102にレーザ光Lを照射しないようにするため、数10μmオーダーの精度でレーザ光Lを照射する必要がある。さらに、生産効率を高くするため、レーザ光の照射位置を素早く変更する必要がある。 In order to peel off only the desired LED chip 102, the laser beam L emitted by the laser irradiation device 1 needs to substantially match the shape of the LED chip 102. Furthermore, in order to avoid irradiating adjacent LED chips 102 with laser light L, it is necessary to irradiate laser light L with an accuracy on the order of several tens of micrometers. Furthermore, in order to increase production efficiency, it is necessary to quickly change the irradiation position of the laser beam.

図1の説明に戻る。光源10は、例えば固体レーザ発振器であり、パルス状のレーザ光を出射する。 Returning to the explanation of FIG. The light source 10 is, for example, a solid-state laser oscillator, and emits pulsed laser light.

ホモジナイザ11は、光源10から照射されたレーザ光の強度分布を均一化する光学系である。光源10から照射される光は、一般的に不均一な強度分布を有する(例えば、ガウシアンビーム)ため、ホモジナイザ11によりレーザ光の強度分布を均一にし、LEDチップ102に均一な強度のレーザ光を照射し、1個のLEDチップ102を確実にサファイア基板101から剥離する。 The homogenizer 11 is an optical system that equalizes the intensity distribution of the laser light emitted from the light source 10. Since the light emitted from the light source 10 generally has a non-uniform intensity distribution (for example, a Gaussian beam), the homogenizer 11 makes the intensity distribution of the laser beam uniform, and the laser beam with uniform intensity is applied to the LED chip 102. irradiation to ensure that one LED chip 102 is peeled off from the sapphire substrate 101.

マスク12は、ホモジナイザ11を通過したレーザ光の一部を通過させるスリット12aが形成された略板状の部材である。スリット12aの形状は、加工対象物100に照射するレーザ光の形状、ここではLEDチップ102の形状と相似である。縮小光学系14にて縮小するため、スリット12aの大きさは、加工対象物100に照射するレーザ光の形状より大きく、本実施の形態では略20倍である。 The mask 12 is a substantially plate-shaped member in which a slit 12a is formed through which a portion of the laser light that has passed through the homogenizer 11 passes. The shape of the slit 12a is similar to the shape of the laser beam irradiated onto the workpiece 100, here the shape of the LED chip 102. Since the size of the slit 12a is reduced by the reduction optical system 14, the size of the slit 12a is larger than the shape of the laser beam irradiated onto the workpiece 100, and in this embodiment, it is approximately 20 times larger.

スキャン光学系13は、スリット12aを通過したレーザ光が通過するものであり、スリット12aで形成された照射パターンを中間像面20に結像させる。スキャン光学系13は、主として、第1レンズ15と、スキャンミラー16と、第2レンズ17とを有する。 The scanning optical system 13 allows the laser light that has passed through the slit 12 a to pass therethrough, and forms an image of the irradiation pattern formed by the slit 12 a on an intermediate image plane 20 . The scan optical system 13 mainly includes a first lens 15, a scan mirror 16, and a second lens 17.

第1レンズ15は、例えばチューブレンズであり、スリット12aを通過したレーザ光を平行光にする。 The first lens 15 is, for example, a tube lens, and converts the laser beam that has passed through the slit 12a into parallel light.

スキャンミラー16は、第1レンズ15を通過したレーザ光を反射するものであり、第1ミラー16a及び第2ミラー16bを有する。第1ミラー16a及び第2ミラー16bは、それぞれ、レーザ光が反射する反射面16c、16dを有する。反射面16cと反射面16dとは、異なる方向を向いている。 The scan mirror 16 reflects the laser beam that has passed through the first lens 15, and includes a first mirror 16a and a second mirror 16b. The first mirror 16a and the second mirror 16b each have reflective surfaces 16c and 16d on which the laser beam is reflected. The reflective surface 16c and the reflective surface 16d face different directions.

第1ミラー16a及び第2ミラー16bは、それぞれ、反射面16c、16dの向きが変えられるように回動可能に設けられている。反射面16cの回動中心16eは、第1ミラー16aの短辺に沿った線であり、第1ミラー16aの長手方向の略中央に配置されている。また、反射面16dの回動中心16fは、第2ミラー16bの短辺に沿った線であり、第2ミラー16bの長手方向の略中央に配置されている。回動中心16eと、回動中心16fの回動中心とは、ねじれの位置にある。 The first mirror 16a and the second mirror 16b are rotatably provided so that the directions of the reflective surfaces 16c and 16d can be changed, respectively. The rotation center 16e of the reflective surface 16c is a line along the short side of the first mirror 16a, and is located approximately at the center of the first mirror 16a in the longitudinal direction. Further, the rotation center 16f of the reflective surface 16d is a line along the short side of the second mirror 16b, and is located approximately at the center of the second mirror 16b in the longitudinal direction. The rotation center 16e and the rotation center 16f are in a twisted position.

第1ミラー16aを回動中心16eを中心に回動させることで、反射面16cで反射したレーザ光は、第2ミラー16b上で線に沿って移動し、第2ミラー16bが固定されている場合には、反射面16dで反射したレーザ光は、第2レンズ17上(すなわち、中間像面20上)で線に沿って移動する。また、第2ミラー16bを回動中心16fを中心に回動させることで、反射面16dのある一点に入射したレーザ光は、第2レンズ17上(すなわち、中間像面20上)で線に沿って移動する。そして、第1ミラー16aを回動させたときのレーザ光の走査方向と、第2ミラー16bを回動させたときのレーザ光の走査方向とは略直交する。これにより、スキャンミラー16は、スリット12aで形成された照射パターンを中間像面20上で二次元走査することができる。また、スキャンミラー16を2枚構成とすることで、簡単な構成でレーザ光を二次元走査することができる。 By rotating the first mirror 16a around the rotation center 16e, the laser beam reflected by the reflective surface 16c moves along a line on the second mirror 16b, and the second mirror 16b is fixed. In this case, the laser beam reflected by the reflective surface 16d moves along a line on the second lens 17 (that is, on the intermediate image plane 20). Furthermore, by rotating the second mirror 16b around the rotation center 16f, the laser light incident on a certain point on the reflective surface 16d is converted into a line on the second lens 17 (that is, on the intermediate image plane 20). move along. The scanning direction of the laser beam when the first mirror 16a is rotated is substantially perpendicular to the scanning direction of the laser beam when the second mirror 16b is rotated. Thereby, the scan mirror 16 can two-dimensionally scan the irradiation pattern formed by the slit 12a on the intermediate image plane 20. Moreover, by configuring the scanning mirror 16 with two sheets, it is possible to perform two-dimensional scanning with laser light with a simple configuration.

第2レンズ17は、スキャンミラー16で反射されたレーザ光を、中間像面20に結像させるレンズである。本実施の形態では、スキャンミラー16で反射されたレーザ光が角度θで入射したときに、像高Yと入射角度との間に比例関係(Y=f・θ)が成立するfθレンズを第2レンズ17として用いる。特に、本実施の形態では、出力光線が光軸と平行な点に結像するテレセントリック型のfθレンズを第2レンズ17として用いる。第2レンズ17を通過したレーザ光は、中間像面20で結像し、縮小光学系14に入射する。 The second lens 17 is a lens that focuses the laser beam reflected by the scan mirror 16 onto an intermediate image plane 20 . In this embodiment, when the laser beam reflected by the scan mirror 16 is incident at an angle θ, an fθ lens is used which establishes a proportional relationship (Y=f・θ) between the image height Y and the incident angle. 2 lens 17. In particular, in this embodiment, a telecentric fθ lens in which the output light beam forms an image on a point parallel to the optical axis is used as the second lens 17. The laser beam that has passed through the second lens 17 forms an image on the intermediate image plane 20 and enters the reduction optical system 14 .

図2は、レーザ照射装置1の光路図である。図2では、主光線、上光線、下光線を図示している。図2の実線は、主光線が光軸上にある場合であり、図2の点線は、主光線が光軸上からずれた(スキャンミラー16でレーザ光が振れた)場合である。 FIG. 2 is an optical path diagram of the laser irradiation device 1. In FIG. 2, a principal ray, an upper ray, and a lower ray are illustrated. The solid line in FIG. 2 shows the case where the principal ray is on the optical axis, and the dotted line in FIG. 2 shows the case when the principal ray deviates from the optical axis (the laser beam is deflected by the scan mirror 16).

スリット12aを通過した光は、広がりながら第1レンズ15に入射し、第1レンズ15でレーザ光が平行光に変換され、スキャンミラー16でレーザ光が反射される。スキャンミラー16において光軸の向きが変えられない(レーザ光が振られない)場合には、図2の実線で示すように、主光線の向きは変わらず、光軸上にある。それに対し、スキャンミラー16において光軸の向きが変えられた(レーザ光が振られた)場合には、図2の点線で示すように、主光線の向きが変わり、レーザ光が第2レンズ17に斜めに入射する。 The light passing through the slit 12a enters the first lens 15 while expanding, the laser beam is converted into parallel light by the first lens 15, and the laser beam is reflected by the scan mirror 16. When the direction of the optical axis cannot be changed in the scan mirror 16 (the laser beam is not deflected), the direction of the chief ray does not change and remains on the optical axis, as shown by the solid line in FIG. On the other hand, when the direction of the optical axis is changed in the scan mirror 16 (the laser beam is deflected), the direction of the principal ray changes and the laser beam is directed to the second lens 17, as shown by the dotted line in FIG. incident at an angle.

第2レンズ17に斜めに入射したレーザ光の主光線の向きは、斜めに入射しなかったレーザ光の主光線の向きと略平行になる。すなわち、第2レンズ17は、スキャンミラー16によりレーザ光の角度が変化したとしても、中間像面20上の主光線の角度を平行にする。また、第2レンズ17と縮小光学系14との間はテレセントリックであるため、第2レンズ17におけるレーザ光の主光線の振れ(第2レンズ17の中心と、レーザ光の主光線との位置ずれ)と、中間像面20におけるレーザ光の主光線の振れ(中間像面20の中心と、レーザ光の主光線との位置ずれ)とは略一致する。 The direction of the principal ray of the laser beam that is obliquely incident on the second lens 17 is approximately parallel to the direction of the principal ray of the laser beam that is not obliquely incident. That is, the second lens 17 makes the angle of the chief ray on the intermediate image plane 20 parallel even if the angle of the laser beam is changed by the scan mirror 16. Furthermore, since the distance between the second lens 17 and the reduction optical system 14 is telecentric, the deflection of the principal ray of the laser beam in the second lens 17 (positional deviation between the center of the second lens 17 and the principal ray of the laser beam) ) and the deflection of the principal ray of the laser beam at the intermediate image plane 20 (positional deviation between the center of the intermediate image plane 20 and the principal ray of the laser beam) substantially match.

図1の説明に戻る。縮小光学系14は、スキャン光学系を通過した光を縮小するものであり、主として、第3レンズ18と、対物レンズ19とを有する。本実施の形態では、縮小光学系14は、中間像面20の照射パターンを略1/20倍に縮小して、加工対象物100の加工面に投影する。 Returning to the explanation of FIG. The reduction optical system 14 reduces the light that has passed through the scanning optical system, and mainly includes a third lens 18 and an objective lens 19. In this embodiment, the reduction optical system 14 reduces the irradiation pattern on the intermediate image plane 20 to approximately 1/20 times and projects it onto the processing surface of the workpiece 100.

第3レンズ18は、第2レンズ17を通過し、中間像面20で結像したスリット像が入射するレンズであり、例えばチューブレンズである。中間像面20と第3レンズ18との距離は、第3レンズ18の焦点距離と略一致する。第3レンズ18は、中間像面20の照射パターンを略1/20倍に縮小して、対物レンズ19に入射させる。 The third lens 18 is a lens on which the slit image that has passed through the second lens 17 and is formed on the intermediate image plane 20 is incident, and is, for example, a tube lens. The distance between the intermediate image plane 20 and the third lens 18 substantially matches the focal length of the third lens 18. The third lens 18 reduces the irradiation pattern on the intermediate image plane 20 to approximately 1/20 times and makes it incident on the objective lens 19 .

対物レンズ19は、第3レンズ18で縮小された中間像面20の照射パターンを加工対象物100の加工面に結像させる。対物レンズ19は、第3レンズ18の焦点位置に対物レンズ19の開口位置がくるように設けられている。本実施の形態では、第2レンズ17がfθレンズであり、第2レンズ17と第3レンズ18との間がテレセントリックであるため、第3レンズ18と対物レンズ19との距離が常に一定である。 The objective lens 19 images the irradiation pattern of the intermediate image plane 20 reduced by the third lens 18 on the processing surface of the workpiece 100. The objective lens 19 is provided so that the aperture position of the objective lens 19 is located at the focal position of the third lens 18. In this embodiment, the second lens 17 is an fθ lens, and the distance between the second lens 17 and the third lens 18 is telecentric, so the distance between the third lens 18 and the objective lens 19 is always constant. .

図2に示すように、主光線の交差点を対物レンズ19の瞳位置とすることで、エネルギーの損失を無くすことができる。 As shown in FIG. 2, energy loss can be eliminated by setting the intersection of the principal rays at the pupil position of the objective lens 19.

図3は、スキャンミラー16でレーザ光を振った場合の光路を模式的に示す図であり、(A)は(B)、(C)、(D)に示すすべての光線を重ねた状態を示し、(B)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鈍角である場合を示し、(C)は主光線が光軸上にある(スキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が直角である)場合を示し、(D)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鋭角である場合を示す。 FIG. 3 is a diagram schematically showing the optical path when the laser beam is swung by the scan mirror 16, and (A) shows the state in which all the beams shown in (B), (C), and (D) are overlapped. (B) shows the case where the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is an obtuse angle, and (C) shows the case where the principal ray is on the optical axis (the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16). (D) shows the case where the angle between the principal rays before and after reflection on the scan mirror 16 is acute.

主光線が光軸上にある場合も主光線が光軸上に無い場合も、主光線、上光線及び下光線は、対物レンズ19上の同じ位置に入射する。したがって、対物レンズ19の開口部においてエネルギーロスは発生しない。 The principal ray, the upper ray, and the lower ray are incident on the same position on the objective lens 19, whether the principal ray is on the optical axis or not on the optical axis. Therefore, no energy loss occurs at the aperture of the objective lens 19.

本実施の形態によれば、スキャン光学系13でスリット像を中間像面20に結像し、それを縮小光学系14で縮小するため、レーザ光を走査しつつ、精緻な像を結像させることができる。 According to this embodiment, a slit image is formed on the intermediate image plane 20 by the scanning optical system 13, and is reduced by the reduction optical system 14, so that a precise image is formed while scanning the laser beam. be able to.

また、本実施の形態によれば、テレセントリック型のfθレンズでスリット像を中間像面20に結像し、それを縮小光学系14で縮小するため、スキャンミラー16により中間像面20上でレーザ光を振っても、レーザ光が対物レンズ19の瞳上の同じ位置に入射する。したがって、レーザエネルギーの損失を無くすことができる。 Further, according to the present embodiment, a slit image is formed on the intermediate image plane 20 by a telecentric fθ lens, and is reduced by the reduction optical system 14, so that the laser beam is focused on the intermediate image plane 20 by the scanning mirror 16. Even if the light is waved, the laser light enters the same position on the pupil of the objective lens 19. Therefore, loss of laser energy can be eliminated.

図5は、従来のレーザ照射装置110の概略を示す図である。レーザ照射装置110は、主として、光源10と、ホモジナイザ11と、マスク12と、結像レンズ21と、スキャンミラー16と、対物レンズ22(ここでは、fθレンズ)とを有する。 FIG. 5 is a diagram schematically showing a conventional laser irradiation device 110. The laser irradiation device 110 mainly includes a light source 10, a homogenizer 11, a mask 12, an imaging lens 21, a scan mirror 16, and an objective lens 22 (here, an fθ lens).

レーザ照射装置110では、スキャンミラー16を中心にしてスキャン時のレーザ光の光線の角度が変わるため、対物レンズ22の開口部においてレーザ光の一部が対物レンズ22の開口部から外れるおそれがある。 In the laser irradiation device 110, since the angle of the laser beam during scanning changes around the scan mirror 16, there is a risk that a portion of the laser beam may deviate from the opening of the objective lens 22. .

図6は、レーザ照射装置110において、スキャンミラー16でレーザ光を振った場合の光路を模式的に示す図であり、(A)は(B)、(C)、(D)に示すすべての光線を重ねた状態を示し、(B)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鋭角である場合を示し、(C)は主光線が光軸上にある(スキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が直角である)場合を示し、(D)はスキャンミラー16における反射前後の主光線のなす角度が鈍角である場合を示す。 FIG. 6 is a diagram schematically showing the optical path when the laser beam is swung by the scanning mirror 16 in the laser irradiation device 110, and (A) is a diagram schematically showing the optical path when the laser beam is swung by the scanning mirror 16 in the laser irradiation device 110. The state in which the light rays are overlapped is shown, (B) shows the case where the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is an acute angle, and (C) shows the case where the principal ray is on the optical axis (the angle formed by the principal ray before and after reflection on the scan mirror 16 is acute). (D) shows the case where the angles formed by the principal rays before and after reflection on the scan mirror 16 are obtuse angles.

主光線が光軸上にある場合は、図6(C)に示すように、対物レンズ22に全ての光線が入射するためエネルギー損失は発生しないが、主光線が光軸上にない場合は、図6(B)、(D)に示すように、一部の光線が対物レンズ19から外れてしまう。 When the principal ray is on the optical axis, no energy loss occurs because all the rays enter the objective lens 22, as shown in FIG. 6(C), but when the principal ray is not on the optical axis, As shown in FIGS. 6(B) and 6(D), some of the light rays miss the objective lens 19.

例えば、倍率20倍、N/Aが0.36、実視野がφ1.2mm、開口径がφ7.7mmの対物レンズを用いるとする。スキャン位置を±0.6mmとすると、対物レンズ22への主光線の入射角は±3.43°となる。スキャンミラー16の位置が対物レンズ22の開口部から50mm離れているとすると、対物レンズ22の開口部における主光線の位置ずれは±3mmになる。 For example, assume that an objective lens with a magnification of 20 times, an N/A of 0.36, an actual field of view of 1.2 mm, and an aperture diameter of 7.7 mm is used. If the scan position is ±0.6 mm, the angle of incidence of the chief ray on the objective lens 22 is ±3.43°. Assuming that the scan mirror 16 is located 50 mm away from the aperture of the objective lens 22, the positional deviation of the chief ray at the aperture of the objective lens 22 is ±3 mm.

つまり、対物レンズの開口径φ7.7mmに対し、主光線が±3mmもずれてしまう。したがって、図6(B)、(D)に示すようにレーザ光が振られた場合には、レーザ光の一部が対物レンズに入射せず、エネルギーの損失が発生してしまう。 In other words, the principal ray deviates by ±3 mm with respect to the aperture diameter of the objective lens of φ7.7 mm. Therefore, when the laser beam is deflected as shown in FIGS. 6(B) and (D), a portion of the laser beam does not enter the objective lens, resulting in energy loss.

それに対し、本実施の形態では、スキャンミラー16でレーザ光を振っても、レーザ光が対物レンズ19の瞳上の同じ位置に入射するため、エネルギーの損失が発生しない。 In contrast, in this embodiment, even if the laser beam is swung by the scan mirror 16, the laser beam is incident on the same position on the pupil of the objective lens 19, so no energy loss occurs.

また、本実施の形態では、ホモジナイザ11でレーザ光の強度分布を均一化し、スリット12aでビームを整形しているため、LEDチップ102全体に均一な強度のレーザ光を照射することができる。 Furthermore, in this embodiment, the homogenizer 11 equalizes the intensity distribution of the laser beam, and the slit 12a shapes the beam, so the entire LED chip 102 can be irradiated with a laser beam of uniform intensity.

なお、本実施の形態では、第2レンズ17がfθレンズであり、第2レンズ17と第3レンズ18との間がテレセントリックであったが、第2レンズ17はfθレンズに限られない。ただし、第2レンズ17と第3レンズ18との間がテレセントリックにならないレンズを第2レンズ17として用いる場合には、第3レンズ18の焦点距離の変化に応じて第3レンズ18と対物レンズ19との距離を動かす必要がある。 Note that in this embodiment, the second lens 17 is an fθ lens, and the space between the second lens 17 and the third lens 18 is telecentric, but the second lens 17 is not limited to an fθ lens. However, if a lens that is not telecentric between the second lens 17 and the third lens 18 is used as the second lens 17, the distance between the third lens 18 and the objective lens 19 will change depending on the change in the focal length of the third lens 18. It is necessary to move the distance between the

また、本実施の形態では、スキャンミラー16が2枚のミラー(第1ミラー16a及び第2ミラー16b)を有したが、スキャンミラー16の構成はこれに限られない。例えば、スキャンミラーが有するミラーは1枚でもよい。その1枚のミラーが、1方向に回動可能である場合には1次元の走査が可能であり、2方向に回動可能である場合には2次元の走査が可能である。ただし、1枚のミラーでレーザ光を二次元走査しようとすると構成が複雑になるため、2枚のミラーで2次元走査することが望ましい。 Further, in this embodiment, the scan mirror 16 has two mirrors (the first mirror 16a and the second mirror 16b), but the configuration of the scan mirror 16 is not limited to this. For example, the scan mirror may have only one mirror. If the single mirror is rotatable in one direction, one-dimensional scanning is possible, and if it is rotatable in two directions, two-dimensional scanning is possible. However, since attempting two-dimensional scanning with a laser beam using one mirror would complicate the configuration, it is desirable to perform two-dimensional scanning using two mirrors.

また、本実施の形態では、光源10から出射されたレーザ光の強度分布がホモジナイザ11で均一化され、ホモジナイザ11を通過したレーザ光の一部がスリット12aを通過したが、ホモジナイザ11は必須ではない。例えば、光源10から出射されたレーザ光(ガウシアンビーム)のうちの強度の強い部分のみを使用する(スリット12aを通過させる)場合も、ある程度均一な照射が可能となる。ただし、エネルギー損失の発生を減らすためには、ホモジナイザ11で強度分布が均一化されたレーザ光を用いることが望ましい。 Further, in this embodiment, the intensity distribution of the laser light emitted from the light source 10 is made uniform by the homogenizer 11, and a part of the laser light that has passed through the homogenizer 11 passes through the slit 12a, but the homogenizer 11 is not essential. do not have. For example, even when only a high-intensity portion of the laser light (Gaussian beam) emitted from the light source 10 is used (passed through the slit 12a), uniform irradiation is possible to some extent. However, in order to reduce the occurrence of energy loss, it is desirable to use a laser beam whose intensity distribution has been made uniform by the homogenizer 11.

以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 Although the embodiment of this invention has been described above in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and design changes, etc. within the scope of the gist of this invention are also included. .

例えば、本発明のレーザ照射装置は、xy方向にレーザ光を走査して加工対象物に加工を行う様々な装置、例えば、レーザアニール装置に用いることができる。すなわち、本発明は、スキャンミラーを用いて素早くレーザ光を2次元方向に走査することが要求される様々な装置に適用することができる。 For example, the laser irradiation device of the present invention can be used in various devices, such as laser annealing devices, that process a workpiece by scanning laser light in the x and y directions. That is, the present invention can be applied to various devices that require a scanning mirror to quickly scan a laser beam in two-dimensional directions.

また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略平行とは、厳密に平行の場合には限られない。また、例えば、略矩形形状とは、厳密に矩形形状の場合には限られない。また、例えば、単に平行、直交、同一等と表現する場合において、厳密に平行、直交、同一等の場合のみでなく、略平行、略直交、略同一等の場合を含むものとする。 Furthermore, in the present invention, "substantially" is a concept that includes not only strictly the same case but also errors and deformations to the extent that the sameness is not lost. For example, "substantially parallel" is not limited to strictly parallel. Further, for example, a substantially rectangular shape is not limited to a strictly rectangular shape. Furthermore, for example, when simply expressing parallel, perpendicular, identical, etc., it includes not only cases of strictly parallel, orthogonal, identical, etc., but also cases of substantially parallel, substantially orthogonal, substantially identical, etc.

1 :レーザ照射装置
10 :光源
11 :ホモジナイザ
12 :マスク
12a :スリット
13 :スキャン光学系
14 :縮小光学系
15 :第1レンズ
16 :スキャンミラー
16a :第1ミラー
16b :第2ミラー
16c、16d:反射面
16e、16f:回動中心
17 :第2レンズ
18 :第3レンズ
19 :対物レンズ
20 :中間像面
21 :結像レンズ
22 :対物レンズ
100 :加工対象物
101 :サファイア基板
102、102a、102b:LEDチップ
110 :レーザ照射装置

1: Laser irradiation device 10: Light source 11: Homogenizer 12: Mask 12a: Slit 13: Scanning optical system 14: Reduction optical system 15: First lens 16: Scanning mirror 16a: First mirror 16b: Second mirror 16c, 16d: Reflective surfaces 16e, 16f: Rotation center 17: Second lens 18: Third lens 19: Objective lens 20: Intermediate image plane 21: Imaging lens 22: Objective lens 100: Workpiece 101: Sapphire substrates 102, 102a, 102b: LED chip 110: Laser irradiation device

Claims (4)

レーザ光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザ光の一部を通過させるスリットが形成されたマスクと、
前記スリットを通過したレーザ光が通過するスキャン光学系と、
前記スキャン光学系を通過したスリット像を縮小して加工面に投影する縮小光学系と、
を備え、
前記スキャン光学系は、前記スリットを通過したレーザ光を平行光にする第1光学部材と、前記第1光学部材を通過したレーザ光を反射するスキャンミラーであって、回動可能に設けられたスキャンミラーと、前記スキャンミラーで反射されたレーザ光を中間像面に結像させる第2光学部材と、を有し、
前記縮小光学系は、前記中間像面に結像した前記スリット像を縮小する第3光学部材と、前記第3光学部材の焦点位置に開口位置がくるように設けられた対物レンズと、を有する
ことを特徴とするレーザ照射装置。
a light source that emits laser light;
a mask in which a slit is formed through which a portion of the laser light emitted from the light source passes;
a scanning optical system through which the laser beam that has passed through the slit passes;
a reduction optical system that reduces the slit image that has passed through the scanning optical system and projects it onto the processing surface;
Equipped with
The scan optical system includes a first optical member that converts the laser light that has passed through the slit into parallel light, and a scan mirror that reflects the laser light that has passed through the first optical member, and is rotatably provided. comprising a scan mirror and a second optical member that images the laser beam reflected by the scan mirror on an intermediate image plane,
The reduction optical system includes a third optical member that reduces the slit image formed on the intermediate image plane, and an objective lens provided such that an aperture position is located at a focal position of the third optical member. A laser irradiation device characterized by:
前記第2光学部材は、fθレンズであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ照射装置。 The laser irradiation device according to claim 1, wherein the second optical member is an fθ lens. 前記第2光学部材は、テレセントリック型のfθレンズであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ照射装置。 3. The laser irradiation device according to claim 1, wherein the second optical member is a telecentric fθ lens. 前記スキャンミラーは、第1ミラー及び第2ミラーを有し、
前記第1ミラーの反射面である第1反射面と、前記第2ミラーの反射面である第2反射面とは、異なる方向を向いており、
前記第1反射面の回動中心と、前記第2反射面の回動中心とは、ねじれの位置にある
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザ照射装置。
The scan mirror has a first mirror and a second mirror,
A first reflective surface that is a reflective surface of the first mirror and a second reflective surface that is a reflective surface of the second mirror face different directions,
The laser irradiation device according to any one of claims 1 to 3, wherein a center of rotation of the first reflective surface and a center of rotation of the second reflective surface are at twisted positions.
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