JP7347771B2 - Ptcデバイスとバックアップヒューズとを有する回路保護装置 - Google Patents
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Description
本開示は概して回路保護装置の分野に関する。より具体的には、本開示は、極度の異常状態の際にガルバニックオープンを促進するための、正温度係数デバイスとバックアップヒューズとを含む回路保護装置に関する。
[関連技術の記載]
Claims (18)
- 互いに電気的に直列に接続されている正温度係数(PTC)デバイスとバックアップヒューズとを備える回路保護装置であって、前記バックアップヒューズが、絶縁体チップに配置されており且つ前記PTCデバイスのトリップ温度より高い融点を有する一定量のハンダを含み、前記絶縁体チップの表面が前記ハンダに対してディウェッティング特性を示し、前記ハンダが溶解すると、前記ハンダが前記表面から引き離されて前記バックアップヒューズにガルバニックオープンを形成するようになり、
前記絶縁体チップが前記PTCデバイスに固定されており、
前記絶縁体チップが前記PTCデバイスの電極に熱伝導性媒体によって固定されている、回路保護装置。 - 前記熱伝導性媒体が熱伝導性ペーストである、請求項1に記載の回路保護装置。
- 前記ハンダがSAC305ハンダであり、前記絶縁体チップの表面がペルフルオロアルコキシから形成されている、請求項1または2に記載の回路保護装置。
- 前記ハンダが共晶ハンダであり、前記絶縁体チップの表面がエチレンテトラフルオロエチレンから形成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記ハンダが高温溶融ハンダであり、前記絶縁体チップの表面がフッ化ポリビニリデンから形成されている、請求項1から4のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記バックアップヒューズが前記PTCデバイスの第1電極に導線で接続されており、前記回路保護装置がさらに、前記バックアップヒューズに電気的に接続されている第1リード線と、前記PTCデバイスの第2電極に電気的に接続されている第2リード線とを備え、前記第1リード線および前記第2リード線が前記回路保護装置の回路内の電気的接続を容易にする、請求項1から5のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記第1リード線と前記バックアップヒューズとの接合点および前記第2リード線と前記バックアップヒューズとの接合点にそれぞれ、第1メッシュコンタクトおよび第2メッシュコンタクトをさらに備える、請求項6に記載の回路保護装置。
- 前記バックアップヒューズが、前記PTCデバイスの通常のトリップ温度範囲よりも摂氏1度~摂氏200度高い範囲の融点を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記バックアップヒューズが前記PTCデバイスの通常のトリップ温度範囲を超える融点を有する、請求項1から8のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記バックアップヒューズを覆う絶縁体保護層をさらに備える、請求項1から9のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記絶縁体保護層が前記ハンダに対してディウェッティング特性を示し、前記ハンダが溶解すると、前記ハンダが前記絶縁体保護層から引き離されて前記バックアップヒューズにガルバニックオープンを形成するようになる、請求項10に記載の回路保護装置。
- 互いに電気的に直列に接続されている正温度係数(PTC)デバイスとバックアップヒューズとを備える回路保護装置であって、前記バックアップヒューズが、前記PTCデバイスのトリップ温度より高い融点を持つ可溶エレメントを有するカートリッジヒューズを有し、前記カートリッジヒューズのヒューズボディが前記可溶エレメントに対してディウェッティング特性を示し、前記可溶エレメントが溶解すると、前記可溶エレメントが前記ヒューズボディの表面から引き離されて前記可溶エレメントにガルバニックオープンを形成するようになる、回路保護装置。
- 前記カートリッジヒューズが前記PTCデバイスに固定されている、請求項12に記載の回路保護装置。
- 前記カートリッジヒューズが前記PTCデバイスの電極に熱伝導性媒体によって固定されている、請求項13に記載の回路保護装置。
- 前記熱伝導性媒体が熱伝導性ペーストである、請求項14に記載の回路保護装置。
- 前記バックアップヒューズが前記PTCデバイスの第1電極に導線で接続されており、前記回路保護装置がさらに、前記カートリッジヒューズに電気的に接続されている第1リード線と、前記PTCデバイスの第2電極に電気的に接続されている第2リード線とを備え、前記第1リード線および前記第2リード線が前記回路保護装置の回路内の電気的接続を容易にする、請求項12から15のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記可溶エレメントが、前記PTCデバイスの通常のトリップ温度範囲よりも摂氏1度~摂氏200度高い範囲の融点を有する、請求項12から16のいずれか一項に記載の回路保護装置。
- 前記可溶エレメントが前記PTCデバイスの通常のトリップ温度範囲を超える融点を有する、請求項12から17のいずれか一項に記載の回路保護装置。
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