JP7337634B2

JP7337634B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Info

Publication number: JP7337634B2
Application number: JP2019181003A
Authority: JP
Inventors: 絵美松井; 健吾亀井; 俊也窪田
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2019-09-30
Filing date: 2019-09-30
Publication date: 2023-09-04
Anticipated expiration: 2039-09-30
Also published as: JP2021057502A

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 TECHNICAL FIELD Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

近年、半導体デバイスの更なる薄型化やコストダウンが求められている。そこで、半導体デバイスを支持する基板上において、半導体デバイスを一括で製造することが行われてきている。半導体デバイスを支持する基板（支持基板）として、例えば、半導体用ウェーハや液晶パネル用ガラス基板を用いて、配線形成やチップ載置、モールド封止などの各種処理が支持基板の接着層上に行われ、接着層上に半導体デバイスが形成される。その後、形成された半導体デバイスから支持基板が剥離される。支持基板の剥離工程では、例えば、半導体デバイスと支持基板との間の接着層をレーザ照射により劣化させ、半導体デバイスから支持基板を剥離する。 In recent years, there has been a demand for further thinning and cost reduction of semiconductor devices. Therefore, semiconductor devices have been collectively manufactured on a substrate that supports the semiconductor devices. As substrates (supporting substrates) for supporting semiconductor devices, for example, wafers for semiconductors and glass substrates for liquid crystal panels are used, and various processes such as wiring formation, chip mounting, and mold sealing are performed on the adhesive layer of the supporting substrate. A semiconductor device is formed on the adhesive layer. After that, the support substrate is separated from the formed semiconductor device. In the step of removing the support substrate, for example, an adhesive layer between the semiconductor device and the support substrate is degraded by laser irradiation, and the support substrate is removed from the semiconductor device.

剥離工程が行われるのに先立ち、最終的に半導体デバイスを個々のチップに切り離すために、支持基板と反対の半導体デバイス側の面に粘着テープであるダイシングテープが貼り付けられる。貼り付けられるダイシングテープには、搬送や支持を行うためのリングが、ダイシングテープ上の支持基板及び半導体デバイスを囲むようにダイシングテープに貼り付けられる。したがって、ダイシングテープの粘着面（粘着性を有する面）の中央領域が支持基板及び半導体デバイスにより覆われ、ダイシングテープの粘着面の外縁領域が環状のリングにより覆われる。ダイシングテープの粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域（半導体デバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面）は露出する。 Before the peeling process is performed, a dicing tape, which is an adhesive tape, is attached to the semiconductor device side opposite to the support substrate in order to finally cut the semiconductor device into individual chips. A ring for carrying and supporting the dicing tape is attached to the dicing tape so as to surround the supporting substrate and the semiconductor device on the dicing tape. Therefore, the central region of the adhesive surface (surface having adhesiveness) of the dicing tape is covered with the support substrate and the semiconductor device, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape is covered with the annular ring. An annular region (the adhesive surface of the dicing tape between the semiconductor device and the ring) between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape is exposed.

剥離工程により半導体デバイスから支持基板を剥離したあとは、ダイシングテープ上に半導体デバイスのみが貼り付いた状態となる。また、支持基板上に半導体デバイスを形成するので、一括に形成される半導体デバイスは支持基板と同様の外形で形成される。すなわち、半導体用ウェーハを支持基板とした場合、半導体デバイスの外形は半導体ウェーハ同様の円盤状となる。以降、円盤状に形成された半導体デバイスを例に説明する。また、半導体デバイスを単にデバイス（あるいは基板）と称する。 After the support substrate is separated from the semiconductor devices by the separation step, only the semiconductor devices are attached to the dicing tape. In addition, since the semiconductor devices are formed on the support substrate, the semiconductor devices formed collectively have the same outer shape as the support substrate. That is, when a semiconductor wafer is used as a supporting substrate, the outer shape of the semiconductor device is disk-shaped like a semiconductor wafer. A disk-shaped semiconductor device will be described below as an example. Also, a semiconductor device is simply referred to as a device (or substrate).

デバイスから支持基板が剥離された際には、接着層である接着物（例えば、カーボン）がデバイスに残留する。このため、残留した接着物をデバイスから除去する必要が生じる。接着物の除去工程では、例えば、複数のチャックピン（固定部材）によりリングを上から押え、デバイスをリング及びダイシングテープと共にテーブルに固定する。そして、デバイスの中心を回転中心としてデバイスをダイシングテープ及びリングと共に水平面内で回転させ、デバイスの中心付近に溶剤などの洗浄液（処理液の一例）を供給し、デバイスの中心付近に供給した洗浄液をデバイス全面（周方向）に広げるとともにデバイスから排出し、デバイスから接着物を除去する。 When the supporting substrate is peeled off from the device, the adhesive (eg, carbon) that is the adhesive layer remains on the device. This creates the need to remove residual adhesive from the device. In the step of removing the adhesive, for example, the ring is pressed from above by a plurality of chuck pins (fixing members) to fix the device together with the ring and the dicing tape to the table. Then, the device is rotated in a horizontal plane together with the dicing tape and the ring with the center of the device as the center of rotation, a cleaning liquid such as a solvent (an example of a processing liquid) is supplied to the vicinity of the center of the device, and the supplied cleaning liquid is supplied to the vicinity of the center of the device. The adhesive is removed from the device by spreading it over the entire surface of the device (in the circumferential direction) and discharging it from the device.

デバイスから除去された接着物は洗浄液と共にデバイスから排出されるが、排出された接着物がチャックピンあるいはデバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面に付着することがある。接着物が付着すると、搬送工程やダイシング工程などにおいて、チャックピン又はダイシングテープから離れてデバイス（基板）に付着して、デバイスが汚染されるため、デバイス品質、すなわち基板品質が低下する。 The adhesive removed from the device is discharged from the device together with the cleaning liquid, but the discharged adhesive may adhere to the chuck pin or the adhesive surface of the dicing tape between the device and the ring. When the adhesive adheres, it separates from the chuck pins or the dicing tape and adheres to the device (substrate) during the transport process, dicing process, etc., and contaminates the device, thereby degrading the device quality, that is, the substrate quality.

特許第６００４１００号公報Japanese Patent No. 6004100

本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 A problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving substrate quality.

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに固定する複数のチャックピンと、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物の周囲に位置し、前記複数のチャックピンの個々の上部を覆うカバーと、
前記複数のチャックピンの個々の上部が前記カバーにより覆われた状態で、前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
を備える。 A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes:
a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhering to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
a plurality of chuck pins for fixing the processing object supported by the table to the table;
a cover positioned around the object fixed to the table by the plurality of chuck pins and covering an upper portion of each of the plurality of chuck pins;
A process of supplying a processing liquid for processing the substrate to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state in which the respective upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover. a liquid supply;
Prepare.

本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに複数のチャックピンにより固定する工程と、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物の周囲に位置するカバーにより前記複数のチャックピンの個々の上部を覆う工程と、
前記複数のチャックピンの個々の上部が前記カバーにより覆われた状態で、前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物の前記基板と前記リングとの間に、前記基板を処理するための処理液に混和せずその処理液よりも比重が大きい液体を液供給部により供給する工程と、
前記複数のチャックピンの個々の上部が前記カバーにより覆われた状態で、前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に前記処理液を処理液供給部により供給する工程と、
を有する。 A substrate processing method according to an embodiment of the present invention comprises
a step of supporting on a table an object to be processed having a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape adhering to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
a step of fixing the processing object supported by the table to the table with a plurality of chuck pins;
covering the top of each of the plurality of chuck pins with a cover positioned around the workpiece fixed to the table by the plurality of chuck pins;
The substrate is processed between the substrate and the ring of the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state in which the upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover. a step of supplying, from a liquid supply unit, a liquid that is immiscible with the treatment liquid and has a higher specific gravity than the treatment liquid for
a step of supplying the processing liquid from a processing liquid supply unit to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state where the respective upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover;
have

本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。 According to embodiments of the present invention, substrate quality can be improved.

実施の一形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment. 実施の一形態に係る基板処理装置の一部を示す平面図である。1 is a plan view showing part of a substrate processing apparatus according to an embodiment; FIG. 実施の一形態に係るカバーを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cover which concerns on one Embodiment. 実施の一形態に係るカバーの上昇を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the raising of the cover which concerns on one Embodiment. 実施の一形態に係る基板処理工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the substrate processing process which concerns on one Embodiment. 実施の一形態に係る液供給を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining liquid supply according to one embodiment; 実施の一形態に係る処理液供給を説明するための第１の図である。FIG. 4 is a first diagram for explaining the supply of processing liquid according to one embodiment; 実施の一形態に係る処理液供給を説明するための第２の図である。FIG. 4 is a second diagram for explaining the supply of processing liquid according to the embodiment;

実施の一形態について図面を参照して説明する。 An embodiment will be described with reference to the drawings.

（基本構成）
図１に示すように、実施の一形態に係る基板処理装置１０は、テーブル２０と、カバー３０と、回転機構（回転駆動部）４０と、処理液供給部５０と、液供給部６０と、制御部７０とを備えている。 (basic configuration)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to one embodiment includes a table 20, a cover 30, a rotation mechanism (rotation drive section) 40, a processing liquid supply section 50, a liquid supply section 60, and a control unit 70 .

処理対象物Ｗは、図１及び図２に示すように、基板（例えば、デバイス）Ｗ１と、リングＷ２と、ダイシングテープＷ３とを有している。基板Ｗ１は、ダイシングテープＷ３の中央に貼り付けられる。リングＷ２は、環状に形成されており、ダイシングテープＷ３上の基板Ｗ１の周囲を囲むようにダイシングテープＷ３に貼り付けられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域が基板Ｗ１により覆われ、ダイシングテープＷ３の粘着面の外縁領域が環状のリングＷ２により覆われている。このため、ダイシングテープＷ３の粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域、すなわち基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の上面は露出している。 The processing object W, as shown in FIGS. 1 and 2, has a substrate (for example, a device) W1, a ring W2, and a dicing tape W3. The substrate W1 is attached to the center of the dicing tape W3. The ring W2 is formed in an annular shape and is attached to the dicing tape W3 so as to surround the substrate W1 on the dicing tape W3. Therefore, the central area of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered with the substrate W1, and the outer edge area of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered with the annular ring W2. Therefore, the annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3, that is, the upper surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is exposed.

テーブル２０は、本体２１と、支持体２２と、複数のチャックピン２３とを有している。このテーブル２０は、カップ（不図示）により囲われており、カップ内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構４０上に設けられている。テーブル２０は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。 The table 20 has a main body 21 , a support 22 and a plurality of chuck pins 23 . The table 20 is surrounded by a cup (not shown), is positioned substantially in the center of the cup, and is provided on a rotating mechanism 40 so as to be rotatable in the horizontal plane. The table 20 is called, for example, a spin table.

本体２１は、中央が円柱状に盛り上がる凸形状に形成されている。この本体２１の凸部の上面は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態で基板Ｗ１を支持する。支持体２２は、環状に形成されており、本体２１の凸部（突出部）を囲むように本体２１の環状の平坦部に設けられている。この支持体２２は、処理対象物ＷのリングＷ２の下面にダイシングテープＷ３を介して対向した状態でリングＷ２を支持する。各チャックピン２３は、それぞれ偏心回転可能に本体２１の環状の平坦部に設けられている。これらのチャックピン２３は、それぞれ同期して偏心回転することで、処理対象物ＷのリングＷ２の外周面を内側に押しつつ、処理対象物Ｗを水平状態に保持する。このとき、処理対象物Ｗの中心は、テーブル２０の回転軸上に位置付けられる。 The main body 21 is formed in a convex shape with a columnar bulge at the center. The upper surface of the convex portion of the main body 21 supports the substrate W1 while facing the lower surface of the substrate W1 of the processing object W via the dicing tape W3. The support 22 is formed in an annular shape, and is provided on the annular flat portion of the main body 21 so as to surround the convex portion (protruding portion) of the main body 21 . The support 22 supports the ring W2 while facing the lower surface of the ring W2 of the processing object W via the dicing tape W3. Each chuck pin 23 is provided on an annular flat portion of the main body 21 so as to be eccentrically rotatable. These chuck pins 23 synchronously rotate eccentrically to hold the processing object W in a horizontal state while pushing the outer peripheral surface of the ring W2 of the processing object W inward. At this time, the center of the processing object W is positioned on the rotation axis of the table 20 .

このテーブル２０は、本体２１及び支持体２２により処理対象物Ｗを支持し、各チャックピン２３により本体２１及び支持体２２に固定して、処理対象物ＷのリングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなるように（例えば５ｍｍ程度の数ｍｍ低くなるように）処理対象物Ｗを支持する。 The table 20 supports the object W to be processed by a main body 21 and a support 22 and is fixed to the main body 21 and the support 22 by chuck pins 23 so that the height of the upper surface of the ring W2 of the object W to be processed is the substrate. The object W to be processed is supported so as to be lower than the height of the upper surface of W1 (for example, several mm lower than about 5 mm).

カバー３０は、図１から図３に示すように、環状の筐体３１と、複数の支柱３２とを有している。図３の例では、二本の支柱３２が形成されているが、支柱３２の数は特に限定されるものではない。このカバー３０は、各チャックピン２３によりテーブル２０に固定された処理対象物Ｗの周囲から、その処理対象物ＷのリングＷ２の上面及び各チャックピン２３を覆う。なお、カバー３０は、少なくとも、各チャックピン２３の個々の上部（上面や外周面の上側）を覆うように形成されている。 The cover 30 has an annular housing 31 and a plurality of struts 32, as shown in FIGS. Although two struts 32 are formed in the example of FIG. 3, the number of struts 32 is not particularly limited. This cover 30 covers the upper surface of the ring W2 of the processing object W and each chuck pin 23 from the periphery of the processing object W fixed to the table 20 by each chuck pin 23 . In addition, the cover 30 is formed so as to cover at least the upper portion of each chuck pin 23 (the upper surface and the upper side of the outer peripheral surface).

筐体３１は、各チャックピン２３と、それらのチャックピン２３によりテーブル２０に固定された処理対象物ＷのリングＷ２の上面及び外周面を覆う円環状に形成されている。円環の幅（太さ）は、リングＷ２及びチャックピン２３を覆うことができる所定の幅を有している。円環形状の筐体３１は上部が開口する筒体であり、その開口から基板Ｗ１は露出してテーブル２０によって保持されている。この筐体３１は、平面部３１ａと、傾斜部３１ｂとを有しており、それらの平面部３１ａ及び傾斜部３１ｂにより、テーブル２０上のリングＷ２や各チャックピン２３を覆う。平面部３１ａは筐体３１の環状の上端部である。傾斜部３１ｂは、平面部３１ａにつながり、筐体３１の内側に向かって徐々に低くなるように傾斜する環状の傾斜部である。この傾斜部３１ｂの下端がテーブル２０上の処理対象物ＷのリングＷ２の上面に当接した状態（接触した状態：図１参照）で、筐体３１はその内側に各チャックピン２３を収容する。このとき、各チャックピン２３は、筐体３１や処理対象物Ｗ、テーブル２０により囲まれている状態であり、処理対象物Ｗの基板Ｗ１が存在する空間（処理液が流れる空間）から隔離されている。 The housing 31 is formed in an annular shape to cover the chuck pins 23 and the upper and outer peripheral surfaces of the ring W2 of the workpiece W fixed to the table 20 by the chuck pins 23 . The width (thickness) of the ring has a predetermined width that can cover the ring W2 and the chuck pin 23 . The ring-shaped housing 31 is a cylindrical body with an upper opening, and the substrate W1 is exposed through the opening and held by the table 20 . The housing 31 has a flat portion 31a and an inclined portion 31b, and the ring W2 and the chuck pins 23 on the table 20 are covered by the flat portion 31a and the inclined portion 31b. The flat portion 31 a is the annular upper end portion of the housing 31 . The inclined portion 31b is an annular inclined portion connected to the flat portion 31a and inclined so as to gradually decrease toward the inside of the housing 31 . With the lower end of the inclined portion 31b in contact with the upper surface of the ring W2 of the workpiece W on the table 20 (contact state: see FIG. 1), the housing 31 accommodates the respective chuck pins 23 therein. . At this time, each chuck pin 23 is in a state of being surrounded by the housing 31, the processing object W, and the table 20, and is isolated from the space in which the substrate W1 of the processing object W exists (the space in which the processing liquid flows). ing.

なお、筐体３１は、基板Ｗ１側からチャックピン２３側に溶剤や純水などの液体が侵入しないようにシーリングされている。例えば、筐体３１の傾斜部３１ｂの下端にシーリング部材（不図示）が設けられている。筐体３１は、例えば、フッ素系の樹脂など、疎水性を有する材料により形成されている。 The housing 31 is sealed so that a liquid such as a solvent or pure water does not enter from the substrate W1 side to the chuck pin 23 side. For example, a sealing member (not shown) is provided at the lower end of the inclined portion 31 b of the housing 31 . The housing 31 is made of, for example, a hydrophobic material such as fluorine-based resin.

この筐体３１の平面部３１ａには、図２及び図３に示すように、複数の溝（溝部）３１ｃが形成されている。図２及び図３の例では、八本の溝３１ｃが形成されているが、溝３１ｃの数は特に限定されるものではない。これらの溝３１ｃは、筐体３１の上面に放射状に形成されており、筐体３１の内側から外側にわたって延びている。各溝３１ｃの個々の底面の高さは、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の上面の高さよりも低くなっている。処理対象物Ｗの基板Ｗ１上に処理液が供給されるが、その供給された処理液は、筐体３１の上面や各溝３１ｃを流れて排出される（詳しくは後述する）。 A plurality of grooves (groove portions) 31c are formed in the plane portion 31a of the housing 31, as shown in FIGS. In the example of FIGS. 2 and 3, eight grooves 31c are formed, but the number of grooves 31c is not particularly limited. These grooves 31 c are radially formed on the upper surface of the housing 31 and extend from the inside to the outside of the housing 31 . The height of the bottom surface of each groove 31c is lower than the height of the top surface of the substrate W1 of the processing object W on the table 20. As shown in FIG. A processing liquid is supplied onto the substrate W1 of the processing object W, and the supplied processing liquid flows through the upper surface of the housing 31 and the grooves 31c and is discharged (details will be described later).

各支柱３２は、筐体３１の中心軸を挟んで対向するように位置付けられ、筐体３１に設けられている。これらの支柱３２は、図１に示すように、テーブル２０を上下方向に貫通するように設けられており、二つの昇降機構３３に連結されて上下方向に移動可能になっている。筐体３１は、各支柱３２を介して各昇降機構３３により上下方向に移動する。このように、カバー３０は各昇降機構３３によって上下方向に移動可能になっている。例えば、カバー３０は、処理対象物Ｗの搬入又は搬出時に、図４に示すように、ロボット（不図示）による処理対象物Ｗの搬入又は搬出が可能な高さまで、各昇降機構３３により上昇する。各昇降機構３３としては、例えば、エアシリンダやラックアンドピニオン機構が用いられる。昇降機構３３は、テーブル２０以外にも設置可能であり、テーブル２０を収容するチャンバ（不図示）の外に昇降機構３３を設置し、磁石などを用いて支柱３２と非接触で支柱３２を昇降させてカバー３０を移動させるようにしてもよい。 The columns 32 are provided in the housing 31 so as to face each other across the central axis of the housing 31 . As shown in FIG. 1, these supports 32 are provided so as to penetrate the table 20 in the vertical direction, and are connected to two elevating mechanisms 33 to be movable in the vertical direction. The housing 31 is vertically moved by each elevating mechanism 33 via each pillar 32 . Thus, the cover 30 can be vertically moved by each elevating mechanism 33 . For example, when the object W to be processed is carried in or out, the cover 30 is lifted by each elevating mechanism 33 to a height at which the object W to be processed can be carried in or out by a robot (not shown) as shown in FIG. . As each lifting mechanism 33, for example, an air cylinder or a rack and pinion mechanism is used. The elevating mechanism 33 can be installed outside the table 20. The elevating mechanism 33 is installed outside a chamber (not shown) that accommodates the table 20, and the column 32 is lifted and lowered without contact with the column 32 using a magnet or the like. You may make it move the cover 30 by making it move.

図１に戻り、回転機構４０は、テーブル２０を支持するように設けられ、そのテーブル２０を水平面（平面の一例）内で回転させるように構成されている。この回転機構４０は、回転軸４１と、モータ４２とを有している。回転軸４１の一端はテーブル２０の下方の中央に連結されており、回転軸４１の他端はモータ４２に連結されている。モータ４２はその回転軸４１を回転させる。回転機構４０は、モータ４２の駆動により回転軸４１を介してテーブル２０を水平面内で回転させる。 Returning to FIG. 1, the rotation mechanism 40 is provided to support the table 20 and configured to rotate the table 20 within a horizontal plane (an example of a plane). This rotating mechanism 40 has a rotating shaft 41 and a motor 42 . One end of the rotating shaft 41 is connected to the lower center of the table 20 , and the other end of the rotating shaft 41 is connected to the motor 42 . The motor 42 rotates its rotary shaft 41 . The rotating mechanism 40 rotates the table 20 in the horizontal plane via the rotating shaft 41 by driving the motor 42 .

処理液供給部５０は、ノズル５１を有している。この処理液供給部５０は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近の上方（例えば、基板Ｗ１の中央付近の直上）にノズル５１を位置付け、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近にノズル５１から第１の処理液（例えば、ｐ－メンタンやシクロペンタノンなどの溶剤）や第２の処理液（例えば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を供給する。なお、第１の処理液は、例えば、ＤＩＷ（超純水）と非相溶性の液体であり、基板Ｗ１に残留した接着物を基板Ｗ１から剥離するための液体である。 The processing liquid supply section 50 has a nozzle 51 . The processing liquid supply unit 50 positions the nozzle 51 above the vicinity of the center of the substrate W1 of the processing object W on the table 20 (for example, directly above the vicinity of the center of the substrate W1), A first processing liquid (for example, a solvent such as p-menthane or cyclopentanone) and a second processing liquid (for example, IPA: isopropyl alcohol) are supplied from a nozzle 51 to the vicinity of the center of the substrate W1. The first treatment liquid is, for example, a liquid incompatible with DIW (ultra-pure water), and is a liquid for peeling off the adhesive remaining on the substrate W1 from the substrate W1.

ノズル５１は、例えば、ノズル移動機構（不図示）によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。このノズル５１は、テーブル２０上の処理対象物Ｗの中央付近に対向し、その中央付近に向けて処理液を吐出する。ノズル５１には、基板処理装置１０外の二つのタンク（不図示）から二種類の処理液が個別に供給される。ノズル５１から吐出される第１の処理液の吐出量は調整弁５１ａの開度調整により変更され、ノズル５１から吐出される第２の処理液の吐出量は調整弁５１ｂの開度調整により変更される。 The nozzle 51 is formed so as to be horizontally movable above the table 20 along the processing object W on the table 20 by, for example, a nozzle moving mechanism (not shown). As the nozzle moving mechanism, for example, a swing mechanism having an arm, a linear guide, or the like is used. This nozzle 51 faces the vicinity of the center of the object W to be processed on the table 20 and discharges the processing liquid toward the vicinity of the center. Two kinds of processing liquids are individually supplied to the nozzles 51 from two tanks (not shown) outside the substrate processing apparatus 10 . The discharge amount of the first processing liquid discharged from the nozzle 51 is changed by adjusting the opening degree of the adjustment valve 51a, and the discharge amount of the second processing liquid discharged from the nozzle 51 is changed by adjusting the opening degree of the adjustment valve 51b. be done.

液供給部６０は、図１から図３に示すように、複数のノズル６１を有している。図１から図３の例では、二本のノズル６１が設けられているが、ノズル６１の数は特に限定されるものではない。ノズル６１の本数は、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面すべて（環状を成す粘着面すべての箇所）にＤＩＷの液膜が形成できるように設定される。このノズル６１の本数は、予め実験などで求められ決定されている。液供給部６０は、各ノズル６１から、テーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体（例えば、ＤＩＷ）を供給する。この液体は、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい（第１の処理液よりも密度が大きい）ものである。 The liquid supply section 60 has a plurality of nozzles 61 as shown in FIGS. Although two nozzles 61 are provided in the examples of FIGS. 1 to 3, the number of nozzles 61 is not particularly limited. The number of nozzles 61 is set so that a DIW liquid film can be formed on all adhesive surfaces (all annular adhesive surfaces) of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. The number of nozzles 61 is obtained and determined in advance through experiments or the like. The liquid supply unit 60 supplies liquid (for example, DIW) from each nozzle 61 between the substrate W1 of the processing object W on the table 20 and the ring W2. This liquid is immiscible with the first treatment liquid and has a higher specific gravity (higher density than the first treatment liquid) than the first treatment liquid.

各ノズル６１は、カバー３０の筐体３１の中心軸を挟んで対向するようにそれぞれ位置付けられ、筐体３１の傾斜部３１ｂに設けられている。詳しくは、各ノズル６１は、それぞれの延伸方向が水平方向に平行にされ、筐体３１の傾斜部３１ｂの傾斜面の下端に個別に設けられている。これらのノズル６１は、それぞれテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に向けて液体を吐出する。各ノズル６１には、それぞれ液体流路６２が接続されている。各液体流路６２は、それぞれ支柱３２の内部及び筐体３１の内部を通って各ノズル６１につながっている。これらのノズル６１には、基板処理装置１０外のタンク（不図示）から各液体流路６２を介して液体が供給される。各液体流路６２に接続される配管は、テーブル２０の回転を阻害しないように各液体流路６２に液体を供給可能に形成されており、例えば、回転軸４１に設置されたロータリージョイントを介して各液体流路６２に液体を供給可能に形成されている。各ノズル６１からそれぞれ吐出される液体の吐出量は調整弁６１ａ（図１参照）の開度調整により変更される。 The nozzles 61 are positioned to face each other across the central axis of the housing 31 of the cover 30 , and are provided on the inclined portion 31 b of the housing 31 . Specifically, each nozzle 61 has its extension direction parallel to the horizontal direction, and is individually provided at the lower end of the inclined surface of the inclined portion 31 b of the housing 31 . These nozzles 61 eject liquid toward between the substrate W1 of the processing object W on the table 20 and the ring W2. A liquid channel 62 is connected to each nozzle 61 . Each liquid channel 62 is connected to each nozzle 61 through the inside of the column 32 and the inside of the housing 31 . A liquid is supplied to these nozzles 61 from a tank (not shown) outside the substrate processing apparatus 10 through each liquid channel 62 . Piping connected to each liquid channel 62 is formed so as to supply liquid to each liquid channel 62 so as not to hinder the rotation of the table 20. For example, via a rotary joint installed on the rotating shaft 41, are formed so as to be able to supply liquid to each liquid channel 62 . The discharge amount of the liquid discharged from each nozzle 61 is changed by adjusting the opening degree of the adjustment valve 61a (see FIG. 1).

図１に戻り、制御部７０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも不図示）を具備している。この制御部７０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、テーブル２０の各チャックピン２３による処理対象物保持動作、各昇降機構３３によるカバー３０の昇降動作、回転機構４０によるテーブル２０の回転動作、処理液供給部５０による処理液供給動作、液供給部６０による液供給動作などの制御を行う。例えば、各昇降機構３３やモータ４２は制御部７０に電気的に接続されており、それらの駆動は制御部７０により制御される。また、各調整弁５１ａ、５１ｂ、６１ａ、６２ａは、例えば電磁弁であり、制御部７０に電気的に接続されており、その駆動は制御部７０により制御される。 Returning to FIG. 1, the control section 70 includes a microcomputer that centrally controls each section, and a storage section (none of which is shown) that stores substrate processing information and various programs related to substrate processing. Based on substrate processing information and various programs, the control unit 70 performs an operation of holding an object to be processed by each chuck pin 23 of the table 20, an up-and-down operation of the cover 30 by each elevating mechanism 33, and a rotating operation of the table 20 by the rotating mechanism 40. , the processing liquid supply operation by the processing liquid supply unit 50, the liquid supply operation by the liquid supply unit 60, and the like. For example, each elevating mechanism 33 and motor 42 are electrically connected to the controller 70 , and their driving is controlled by the controller 70 . Each of the adjustment valves 51a, 51b, 61a, 62a is, for example, an electromagnetic valve, electrically connected to the control section 70, and driven by the control section 70. As shown in FIG.

（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程は、処理対象物Ｗの基板Ｗ１上に残留した接着物を除去する工程である。なお、下記の各種数値はあくまでも例示である。 (Substrate processing step)
Next, the flow of the substrate processing process performed by the substrate processing apparatus 10 described above will be described. This substrate processing step is a step of removing adhesives remaining on the substrate W1 of the object W to be processed. In addition, the following various numerical values are only examples.

図５に示すように、例えば、ステップ１から６までの工程が連続して実行される。ノズル５１の第１の処理液としては溶剤（洗浄液の一例）が用いられ、ノズル５１の第２の処理液としてはＩＰＡが用いられ、各ノズル６１の液体としてはＤＩＷが用いられる。なお、処理対象物Ｗは各チャックピン２３によりテーブル２０に固定され、基板処理工程中、テーブル２０は回転している。テーブル２０の回転数や処理時間は制御部７０により変更される。また、各ノズル５１、６１の個々の吐出量は、各調整弁５１ａ、５１ｂ、６１ａが制御部７０により制御されて変更される。処理対象物Ｗは各チャックピン２３によりテーブル２０に固定され、処理対象物Ｗの外周面及び各チャックピン２３がカバー３０により覆われた状態で（図６から図８参照）、ステップ１から６までの工程が実行される。 As shown in FIG. 5, for example, steps 1 to 6 are continuously executed. A solvent (an example of cleaning liquid) is used as the first treatment liquid for the nozzles 51 , IPA is used as the second treatment liquid for the nozzles 51 , and DIW is used as the liquid for each nozzle 61 . The object W to be processed is fixed to the table 20 by each chuck pin 23, and the table 20 is rotated during the substrate processing process. The number of revolutions of the table 20 and the processing time are changed by the control section 70 . Further, the individual discharge amounts of the nozzles 51 and 61 are changed by controlling the control valves 51a, 51b and 61a by the control unit 70. FIG. The processing object W is fixed to the table 20 by each chuck pin 23, and the outer peripheral surface of the processing object W and each chuck pin 23 are covered with the cover 30 (see FIGS. 6 to 8). The steps up to are executed.

ステップ１では、ＤＩＷが各ノズル６１からそれぞれ吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給される。このステップ１では、各ノズル６１からそれぞれ吐出されるＤＩＷの吐出量の合計は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は１０ｓである。 In step 1, DIW is discharged from each nozzle 61 and supplied between the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20 and the ring W2. In this step 1, the total amount of DIW ejected from each nozzle 61 is 380 ml/min, the rotation speed (first rotation speed) of the table 20 is 20 rpm, and the processing time (ejection time) is 10s.

ＤＩＷの吐出量は、基板Ｗ１とリングＷ２との間、すなわち基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる環状の空間をＤＩＷにより満杯にできる量であり、基板Ｗ１上には供給されない量であることが望ましい。また、テーブル２０の回転数（回転速度）は、ＤＩＷを液膜の状態で保持できる回転速度に設定されている。処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量により基板Ｗ１とリングＷ２の間を被液するのに要する時間に設定されている。例えば、処理時間は、設定されたＤＩＷの吐出量が３８０ｍｌ／ｍｉｎとすると１０ｓであり、予め実験などで求められている。ただし、ＤＩＷの吐出量は、前述の環状の空間を満杯にできなくてもよく、少なくとも、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を覆うことができる量であればよい。なお、ＤＩＷの吐出量は、ＤＩＷの液膜がリングＷ２の上面よりも高く、傾斜部３１ｂにかかる程度より多いことが好ましい。 The DIW discharge amount is an amount that can fill the annular space between the substrate W1 and the ring W2, that is, the annular space surrounded by the substrate W1, the ring W2, and the dicing tape W3, and is an amount that is not supplied onto the substrate W1. It is desirable to have Further, the number of revolutions (rotational speed) of the table 20 is set to a rotational speed at which DIW can be held in a liquid film state. The processing time is set to the time required for the substrate W1 and the ring W2 to be covered with the set DIW discharge amount. For example, the processing time is 10 seconds when the set DIW discharge amount is 380 ml/min, which is determined in advance by experiments or the like. However, the amount of DIW to be discharged does not have to fill the above-mentioned annular space, and should be sufficient to cover at least the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. The amount of DIW to be discharged is preferably higher than the DIW liquid film above the upper surface of the ring W2 and is larger than the extent that it covers the inclined portion 31b.

ステップ１において、図６に示すように、各ノズル６１からそれぞれ吐出されたＤＩＷ（図６中のクロスハッチングによる塗りつぶし領域により示す）は、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の上面に到達し、その基板Ｗ１とリングＷ２との間、すなわち基板Ｗ１、リングＷ２及びダイシングテープＷ３により囲まれる環状の空間に溜まる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面にはＤＩＷの液膜が形成される。 In step 1, as shown in FIG. 6, the DIW discharged from each nozzle 61 (indicated by the cross-hatched region in FIG. 6) is the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20 and the ring. It reaches the upper surface of the dicing tape W3 between W2 and accumulates in the annular space between the substrate W1 and the ring W2, that is, surrounded by the substrate W1, the ring W2 and the dicing tape W3. As a result, a DIW liquid film is formed on the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

ステップ２では、溶剤がノズル５１から吐出され、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、また、ＤＩＷが各ノズル６１からそれぞれ吐出され（ステップ１から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給される。このステップ２では、各ノズル６１からそれぞれ吐出されるＤＩＷの吐出量の合計は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第１の回転数）は２０ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は２４０ｓである。なお、ノズル５１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。 In step 2, the solvent is discharged from the nozzle 51 and supplied to the vicinity of the center of the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20, and DIW is discharged from each nozzle 61 (continued from step 1), It is supplied between the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20 and the ring W2. In this step 2, the total amount of DIW discharged from each nozzle 61 is 380 ml/min, the rotation speed (first rotation speed) of the table 20 is 20 rpm, and the processing time (discharge time) is 240s. It should be noted that the discharge rate of the solvent discharged from the nozzle 51 is 480 ml/min (not shown).

テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に溶剤を液膜の状態で保持できる回転速度に設定されているため、接着物を溶剤に反応させやすくなる。処理時間は、溶剤が後述するレーザ吸収層を溶解するために要する時間に設定されている。溶剤の吐出量は、前述の設定された処理時間内に、レーザ吸収層を十分に溶かすことができる供給量に設定されている。テーブル２０の回転数、処理時間及び溶剤の吐出量は、予め実験などで求められ設定されている。 The number of rotations (rotational speed) of the table 20 is set to a rotational speed at which the solvent can be held in the form of a liquid film on the substrate W1. The processing time is set to the time required for the solvent to dissolve the laser absorption layer, which will be described later. The discharge amount of the solvent is set to a supply amount that can sufficiently dissolve the laser absorption layer within the processing time set above. The number of revolutions of the table 20, the processing time, and the amount of solvent to be discharged are determined and set in advance through experiments or the like.

ステップ２において、図７に示すように、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷの液膜が存在した状態で、ノズル５１から吐出された溶剤（図７中のドットによる塗りつぶし領域により示す）は、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に到達し、処理対象物Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ１の上面の全体に広がる。基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され、基板Ｗ１の上面に存在する接着物（図６中の基板Ｗ１上の太黒線により示す）が溶剤によって徐々に溶融される。ステップ２は、基板Ｗ１上の接着物を溶融するためのステップである。接着物は溶融し、基板Ｗ１から剥がれる。基板Ｗ１から剥がれた接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する。なお、基板Ｗ１上の接着物は、溶融の進行が速い部分から先に剥がれていき、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊することになる。 In step 2, as shown in FIG. 7, in a state in which a DIW liquid film exists between the substrate W1 of the processing object W and the ring W2, the solvent discharged from the nozzle 51 (filled by dots in FIG. area) reaches the vicinity of the center of the substrate W1 of the object W to be processed on the rotating table 20, and spreads over the entire upper surface of the substrate W1 due to the centrifugal force caused by the rotation of the object W to be processed. A liquid film of the solvent is formed on the upper surface of the substrate W1, and the adhesive on the upper surface of the substrate W1 (indicated by the thick black line on the substrate W1 in FIG. 6) is gradually melted by the solvent. Step 2 is a step for melting the adhesive on the substrate W1. The adhesive melts and separates from the substrate W1. The adhesive stripped from the substrate W1 floats on the solvent liquid film on the substrate W1. It should be noted that the portion of the adhesive on the substrate W1 that melts faster is peeled off first and floats on the liquid film of the solvent on the substrate W1.

ここで、例えば、接着物は、レーザ吸収層が基板Ｗ１上に積層され、基板Ｗ１上のレーザ吸収層上にレーザ反応層が積層されて構成されている。基板Ｗ１側のレーザ吸収層が溶剤により溶かされ、接着物は基板Ｗ１から剥がされて除去される。支持基板の剥離工程前において、デバイス（基板Ｗ１）は接着層を介して支持基板に支持されている。この接着層は２層構造（レーザ反応層とレーザ吸収層）である。支持基板との剥離時は、支持基板側からレーザを照射すると、レーザ光により反応層が破壊される。レーザ吸収層によりレーザ光は、吸収されてデバイス側には影響を与えないようにしている。レーザ反応層が破壊されると、支持基板を剥離することができる。デバイス側には、破壊されたレーザ反応層及びレーザ吸収層、すなわち、接着層が残る状態になる。デバイスは破壊された接着層の上部（レーザ反応層）が上面で露出した状態でダイシングテープＷ３に支持される状態となる。第１の処理液である溶剤は、この２層の接着層にうち、レーザ吸収層を溶解させ、レーザ吸収層の上に形成するレーザ反応層ごと一緒に除去する。 Here, for example, the adhesive is configured by laminating a laser absorption layer on the substrate W1 and laminating a laser reaction layer on the laser absorption layer on the substrate W1. The laser absorption layer on the substrate W1 side is dissolved with a solvent, and the adhesive is peeled off and removed from the substrate W1. Before the support substrate peeling process, the device (substrate W1) is supported by the support substrate via the adhesive layer. This adhesive layer has a two-layer structure (laser reaction layer and laser absorption layer). At the time of separation from the support substrate, if laser is irradiated from the support substrate side, the reaction layer is destroyed by the laser light. The laser light is absorbed by the laser absorption layer so as not to affect the device side. Once the laser-reacted layer is destroyed, the support substrate can be peeled off. The destroyed laser reaction layer and laser absorption layer, that is, the adhesive layer remains on the device side. The device is supported by the dicing tape W3 with the top surface of the destroyed adhesive layer (laser reaction layer) exposed. The solvent, which is the first processing liquid, dissolves the laser absorption layer of the two adhesive layers and removes the laser reaction layer together with the laser absorption layer formed on the laser absorption layer.

通常、ステップ２では、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊して留まっているが、浮遊する接着物の中には、溶剤の流れによって溶剤と共に基板Ｗ１から排出されるものもある。つまり、基板Ｗ１上の溶剤の液膜に浮遊する接着物のうち一部は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜やカバー３０の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから排出される。このとき、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態で、処理対象物Ｗから接着物が溶剤と共に排出されるので、接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑えることができる。ＤＩＷが基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を覆うこと及びＤＩＷは溶剤と混和せず、かつ、比重が大きい関係であるため、溶剤と共に流れる接着物は、基板Ｗ１とリングＷ２の間においてＤＩＷの液膜上を流れる。このため、接着物が基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを抑制できる。また、各チャックピン２３の上部（上面や外周面の上側）がカバー３０により覆われており、基板Ｗ１から除去された接着物は溶剤と共に流れてカバー３０の上面、特に各溝３１ｃを通過する。これにより、接着物が各チャックピン２３に付着することも抑えることができる。 Normally, in step 2, the adhesive removed from the substrate W1 remains floating on the liquid film of the solvent on the substrate W1. Some are released from That is, some of the adhesives floating in the solvent liquid film on the substrate W1 flow together with the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 and the solvent flowing on the cover 30, and are discharged from the processing object W. be done. At this time, while the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with the DIW liquid film, the adhesive is discharged from the processing object W together with the solvent. and adhesion to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the rings W2. Since DIW covers the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2, and because DIW is immiscible with the solvent and has a large specific gravity, the adhesive that flows with the solvent is the substrate W1 and the ring W2. flows over a film of DIW between . Therefore, it is possible to suppress adhesion of the adhesive to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Further, the upper portion (the upper surface and the upper side of the outer peripheral surface) of each chuck pin 23 is covered with a cover 30, and the adhesive removed from the substrate W1 flows together with the solvent and passes through the upper surface of the cover 30, particularly the grooves 31c. . As a result, it is also possible to suppress adhesion of the adhesive to each chuck pin 23 .

また、カバー３０があることで、基板Ｗ１とリングＷ２の間に液体を溜めやすくなる。つまり、カバー３０の筐体３１がリングＷ２の上面を覆う状態になると、筐体３１の上面はリングＷ２の上面より高くなる。これにより、筐体３１により堤防が形成されたような状態になるため、リングＷ２だけでの堤防の高さと比較して、基板Ｗ１とリングＷ２の間に液膜を厚く形成することができる。厚く液膜を形成することで、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面と接着物とが接触するのを抑制することができる。カバー３０の役目は、所定量のＤＩＷを内側に溜めつつも、各溝３１ｃからＤＩＷや溶剤などの液体を内側から排出するということである。 Further, the existence of the cover 30 makes it easier to store the liquid between the substrate W1 and the ring W2. That is, when the housing 31 of the cover 30 covers the top surface of the ring W2, the top surface of the housing 31 is higher than the top surface of the ring W2. As a result, a bank is formed by the housing 31, so that the liquid film can be formed thicker between the substrate W1 and the ring W2 than the height of the bank formed by the ring W2 alone. By forming a thick liquid film, it is possible to suppress contact between the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and the adhesive. The role of the cover 30 is to store a predetermined amount of DIW inside while discharging liquid such as DIW and solvent from the inside through each groove 31c.

各溝３１ｃは、それぞれカバー３０の内側から外側にわたって伸びるよう、カバー３０の上面に形成されている。溝３１ｃの形状は、平面視でみて、山形、楕円面など、接着物が溝３１ｃを流れる際に引っかからない形状にすることが望ましい。溝３１ｃの底面の高さは、カバー３０がリングＷ２に接触した状態にある場合、基板Ｗ１の上面の高さより低い位置にある。これにより、溶剤やＤＩＷ、接着物の排出がし易くなる。そのため、処理対象物Ｗ上の溶剤が各溝３１ｃからスムーズに排出されるので、溶剤と共に流れる接着物の排出効率を向上させることが可能になる。したがって、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを確実に抑えることができる。 Each groove 31c is formed on the upper surface of the cover 30 so as to extend from the inside to the outside of the cover 30 respectively. The shape of the groove 31c is desirably a chevron shape, an elliptical shape, or the like in a plan view so that the adhesive material does not get caught when flowing through the groove 31c. The bottom surface of the groove 31c is lower than the top surface of the substrate W1 when the cover 30 is in contact with the ring W2. This facilitates the discharge of solvent, DIW, and adhesives. Therefore, the solvent on the object W to be processed is smoothly discharged from each groove 31c, so that the discharge efficiency of the adhesives flowing together with the solvent can be improved. Therefore, it is possible to reliably prevent the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

ステップ３では、溶剤がノズル５１から吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給され、ＤＩＷが各ノズル６１からそれぞれ吐出され（ステップ２から継続）、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給される。このステップ３では、各ノズル６１からそれぞれ吐出されるＤＩＷの吐出量の合計は３８０ｍｌ／ｍｉｎであり、テーブル２０の回転数（第２の回転数）は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル５１から吐出される溶剤の吐出量は４８０ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。 In step 3, the solvent is discharged from the nozzle 51 (continued from step 2), supplied to the vicinity of the center of the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20, and DIW is discharged from each nozzle 61 (step 2 ) and supplied between the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20 and the ring W2. In this step 3, the total amount of DIW ejected from each nozzle 61 is 380 ml/min, the rotation speed (second rotation speed) of the table 20 is 400 rpm, and the processing time (ejection time) is 60s. It should be noted that the discharge rate of the solvent discharged from the nozzle 51 is 480 ml/min (not shown).

ＤＩＷの吐出量は、テーブル２０の回転数が第２の回転数に変更された際に、基板Ｗ１とリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面を被液できる吐出量に設定されている。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上で浮遊する接着物を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、接着物が基板Ｗ１上からすべて排出される時間に設定されている。ＤＩＷの吐出量、テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 The DIW discharge amount is set to a discharge amount that can be applied to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 when the rotation speed of the table 20 is changed to the second rotation speed. The number of rotations (rotational speed) of the table 20 is set to a speed at which the adhesive matter floating on the substrate W1 can be discharged to the outside of the substrate W1. The processing time is set to the set number of revolutions of the table 20 and the time required for all the adherents to be discharged from the substrate W1. The amount of DIW to be discharged, the number of rotations of the table 20, and the processing time are determined and set in advance through experiments or the like.

ステップ３において、図８に示すように、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷの液膜が形成され続け、また、基板Ｗ１の上面には溶剤の液膜が形成され続ける。テーブル２０の回転数が上がり（２０→４００ｒｐｍ）、処理対象物Ｗ上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜やカバー３０の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Ｗから流れ落ちる。ステップ３は、ステップ２で溶融して基板Ｗ１上の溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗから排出するためのステップである。 In step 3, as shown in FIG. 8, a DIW liquid film continues to form between the substrate W1 of the processing object W and the ring W2, and a solvent liquid film continues to form on the upper surface of the substrate W1. . As the number of rotations of the table 20 increases (20→400 rpm), the adhesive floating on the solvent film on the object to be processed W becomes the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 and the solvent flowing on the cover 30. flow together and run down from the object W to be processed. Step 3 is a step for discharging from the object W to be processed the adherents that have been melted in step 2 and are floating in the solvent on the substrate W1.

ここで、処理対象物Ｗから接着物を排出するため、テーブル２０の回転数をステップ２より上げる（２０→４００ｒｐｍ）。これにより、処理対象物Ｗ上での遠心力が強くなり、処理対象物Ｗからの接着物排出が促進されるので、溶剤と共に流れる接着物の排出性能（接着物の排出性能）を向上させることができる。つまり、ステップ２で基板Ｗ１上に溶剤の液膜を形成し、基板Ｗ１の接着物を溶融して溶剤に浮遊させ、ステップ３でテーブル２０の回転数を上げ、溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Ｗ上から溶剤と共に排出する。このようにテーブル２０の回転数を上げることによって、接着物の排出性能を向上させることが可能である。つまり、基板Ｗ１の回転数（回転速度）を上昇させることで、遠心力を発生させ、基板Ｗ１の表面上に浮遊した接着物を遠心力で基板Ｗ１の外側に排出する。これにより、基板Ｗ１の表面上から接着物を除去することができる。なお、基板Ｗ１の回転数を上昇した際にも、基板Ｗ１中央に溶剤の供給を継続している。これは、基板Ｗ１の表面上の液膜が遠心力により薄くなり、基板Ｗ１の表面上から剥離した接着物が、再度基板Ｗ１の表面上に付着することを防止するためである。さらに、基板Ｗ１上から接着物を排出する排出性能を補助もする。 Here, in order to discharge the adherents from the processing object W, the rotation speed of the table 20 is increased from step 2 (20→400 rpm). As a result, the centrifugal force on the object W to be processed is strengthened, and the discharge of the adherents from the object W to be processed is promoted, so that the discharge performance of the adherents flowing together with the solvent (discharge performance of the adherents) is improved. can be done. That is, in step 2, a liquid film of a solvent is formed on the substrate W1, and the adhesive on the substrate W1 is melted and made to float in the solvent. It is discharged from the object W together with the solvent. By increasing the number of revolutions of the table 20 in this way, it is possible to improve the discharge performance of the adhesive. That is, by increasing the number of revolutions (rotational speed) of the substrate W1, a centrifugal force is generated, and the adhesive floating on the surface of the substrate W1 is ejected to the outside of the substrate W1 by the centrifugal force. Thereby, the adhesive can be removed from the surface of the substrate W1. It should be noted that even when the rotational speed of the substrate W1 is increased, the supply of the solvent to the center of the substrate W1 is continued. This is to prevent the liquid film on the surface of the substrate W1 from thinning due to the centrifugal force and the adhesive that has peeled off from the surface of the substrate W1 from adhering to the surface of the substrate W1 again. Further, it also assists the ejection performance of ejecting the adhesive from the substrate W1.

なお、ステップ３でも、ステップ２と同様、基板Ｗ１から除去された接着物が基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着すること、また、各チャックピン２３に付着することを抑えることができる。また、カバー３０の筐体３１を用いることで、リングＷ２の上面より高い堤防ができる。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に対し、確実にＤＩＷの液膜を形成することが可能となる。また、遠心力で、ＤＩＷの液膜が処理対象物Ｗの外周に流れて、液膜が形成できないというのを抑えることも可能である。したがって、確実に液膜を形成し、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に接着物が付着することを抑制することができる。 In step 3, as in step 2, it is assumed that the adhesive removed from the substrate W1 adheres to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and to each chuck pin 23. can be suppressed. Moreover, by using the housing 31 of the cover 30, a bank higher than the upper surface of the ring W2 can be formed. This makes it possible to reliably form a DIW liquid film on the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. In addition, it is possible to prevent the liquid film of DIW from flowing to the outer circumference of the object to be processed W due to the centrifugal force and preventing the formation of the liquid film. Therefore, it is possible to reliably form a liquid film and suppress adhesion of an adhesive to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

ステップ４では、ＩＰＡだけがノズル５１から回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１の中央付近に供給される。このステップ４では、テーブル２０の回転数は４００ｒｐｍであり、処理時間（吐出時間）は６０ｓである。なお、ノズル５１から供給されるＩＰＡの量は２００ｍｌ／ｍｉｎである（不図示）。 In step 4, only IPA is supplied from the nozzle 51 to the vicinity of the center of the substrate W1 of the object W to be processed on the table 20 rotating. In step 4, the rotation speed of the table 20 is 400 rpm, and the processing time (discharge time) is 60 seconds. The amount of IPA supplied from the nozzle 51 is 200 ml/min (not shown).

ステップ４において、基板Ｗ１上に残留する溶剤を除去するため、ＩＰＡを供給する。なお、溶剤を排出するためには、溶剤と混和可能であり揮発性が高い液体を用いることが好ましい。テーブル２０の回転数（回転速度）は、基板Ｗ１上に残留する処理液を基板Ｗ１外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル２０の回転数とともに、溶剤の残留が基板Ｗ１上からすべて無くなる時間に設定されている。テーブル２０の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 In step 4, IPA is supplied to remove the solvent remaining on the substrate W1. In order to discharge the solvent, it is preferable to use a liquid that is miscible with the solvent and has high volatility. The number of rotations (rotational speed) of the table 20 is set to a speed at which the processing liquid remaining on the substrate W1 can be discharged to the outside of the substrate W1. The processing time is set to the set number of revolutions of the table 20 and the time until all the remaining solvent is removed from the substrate W1. The number of rotations of the table 20 and the processing time are obtained and set in advance by experiments or the like.

ステップ５では、全ての液供給が無い状態で、高速回転により乾燥が行われる。このステップ５では、テーブル２０の回転数は１０００ｒｐｍであり、処理時間は５０ｓである。基板Ｗ１上が乾燥するのに必要な回転数、処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 In step 5, drying is performed by high speed spin without any liquid supply. In this step 5, the rotation speed of the table 20 is 1000 rpm, and the processing time is 50 seconds. The number of revolutions and the processing time necessary for drying the substrate W1 are obtained and set in advance through experiments or the like.

ステップ６では、高速回転により乾燥を停止するため、全ての液供給が無い状態で、回転速度が遅くされる。このステップ６では、テーブル２０の回転数は５０ｒｐｍであり、処理時間は１０ｓである。 In step 6, the rotation speed is slowed down without any liquid supply to stop drying by high speed rotation. In step 6, the rotation speed of the table 20 is 50 rpm, and the processing time is 10 seconds.

前述の基板処理工程では、ステップ２及びステップ３において、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１から除去された接着物は、溶剤と共に流れるが、各チャックピン２３の上部（上面や外周面の上側）がカバー３０により覆われているため、各チャックピン２３の上部に接触することなく溶剤と共に処理対象物Ｗから排出される。これにより、接着物がチャックピン２３に付着することが抑えられる。したがって、チャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。なお、例えば、接着物がチャックピン２３に付くと、次に搬送されてきた未処理の処理対象物Ｗが、汚染されたチャックピン２３によって保持されることになる。これにより、リングＷ２に接着物が付着してしまい、そのまま処理が進むと搬送工程やダイシング工程などで基板Ｗ１に影響を与えることがある。 In the above-described substrate processing process, in steps 2 and 3, the adhesive removed from the substrate W1 of the object W to be processed on the rotating table 20 flows with the solvent. Since the upper side of the surface) is covered with the cover 30 , the liquid is discharged from the processing object W together with the solvent without contacting the upper portions of the chuck pins 23 . As a result, adhesion of the adhesive to the chuck pin 23 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the contamination of the substrate W1 caused by the adhesive matter adhering to the chuck pins 23 being separated from the chuck pins 23 during the transporting process, the dicing process, or the like and adhering to the substrate W1, thereby improving the substrate quality. can be done. It should be noted that, for example, if the chuck pin 23 is adhered with an adhesive, the unprocessed processing object W that is next conveyed will be held by the contaminated chuck pin 23 . As a result, the adhesive adheres to the ring W2, and if the process proceeds as it is, the substrate W1 may be affected during the transport process, the dicing process, and the like.

また、ステップ２及びステップ３において、各ノズル６１は、ノズル５１による溶剤の供給中、回転するテーブル２０上の処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に向けてＤＩＷを吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間にＤＩＷを供給する。これにより、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われる。また、テーブル２０の回転数が例えば１００ｒｐｍ以上に上昇しても（高速回転）、各ノズル６１からのＤＩＷ供給が継続し、さらに、カバー３０が堤防として機能するため、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さが保持され、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態が維持される。つまり、溶剤の供給中、基板Ｗ１とリングＷ２との間のダイシングテープＷ３の粘着面は、ＤＩＷの液膜により確実に覆われている。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が溶剤と共に基板Ｗ１から排出される際、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程（例えば後工程）などでダイシングテープＷ３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In steps 2 and 3, each nozzle 61 discharges DIW toward between the substrate W1 of the processing object W on the rotating table 20 and the ring W2 while the solvent is being supplied by the nozzle 51. DIW is supplied between the substrate W1 of the object W and the ring W2. As a result, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with the DIW liquid film. In addition, even if the rotational speed of the table 20 rises to, for example, 100 rpm or more (high-speed rotation), the DIW supply from each nozzle 61 continues, and furthermore, the cover 30 functions as a bank. is maintained, and the state in which the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with the DIW liquid film is maintained. That is, during the supply of the solvent, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is reliably covered with the DIW liquid film. As a result, when the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the substrate W1 together with the solvent, it is prevented from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Therefore, it is possible to suppress the contamination of the substrate W1 by the adhesive matter adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 being separated from the dicing tape W3 and adhering to the substrate W1 in the transporting process or the dicing process (for example, a post-process). Therefore, the substrate quality can be reliably improved.

以上説明したように、第１の実施形態によれば、各チャックピン２３によりテーブル２０に固定された処理対象物Ｗの周囲に位置し、各チャックピン２３の個々の上部（上面や外周面の上側）を覆うカバー３０が設けられている。処理対象物Ｗの基板Ｗ１から除去された接着物は第１の処理液（例えば、溶剤）と共に流れるが、各チャックピン２３の上部（上面や外周面の上側）がカバー３０により覆われているため、各チャックピン２３の上部に接触することなく第１の処理液と共に処理対象物Ｗから排出される。これにより、接着物がチャックピン２３に付着することが抑えられる。したがって、チャックピン２３に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでチャックピン２３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。 As described above, according to the first embodiment, each chuck pin 23 is positioned around the workpiece W fixed to the table 20, and each upper portion (upper surface or outer peripheral surface) of each chuck pin 23 is positioned. A cover 30 is provided to cover the upper side). The adhesive removed from the substrate W1 of the object W to be processed flows together with the first processing liquid (for example, solvent), but the upper portion (the upper surface or the upper side of the outer peripheral surface) of each chuck pin 23 is covered with the cover 30. Therefore, it is discharged from the processing object W together with the first processing liquid without contacting the upper portion of each chuck pin 23 . As a result, adhesion of the adhesive to the chuck pin 23 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the contamination of the substrate W1 caused by the adhesive matter adhering to the chuck pins 23 being separated from the chuck pins 23 during the transporting process, the dicing process, or the like and adhering to the substrate W1, thereby improving the substrate quality. can be done.

また、第１の実施形態によれば、処理対象物Ｗをテーブル２０により支持し、そのテーブル２０を回転機構４０により回転させ、テーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に向けて、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体（例えば、ＤＩＷ）を吐出し、処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に液体を供給し、液体が処理対象物Ｗの基板Ｗ１とリングＷ２との間に供給されている状態で、回転するテーブル２０により支持された処理対象物Ｗの基板Ｗ１の上面に処理液を供給する。 Further, according to the first embodiment, the processing object W is supported by the table 20, the table 20 is rotated by the rotation mechanism 40, and the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W supported by the table 20 are rotated. A liquid (for example, DIW) that is immiscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid is ejected toward the space between the substrate W1 of the processing object W and the ring W2. is supplied, and the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W1 of the processing object W supported by the rotating table 20 while the liquid is being supplied between the substrate W1 of the processing object W and the ring W2. .

つまり、第１の処理液に混和せず第１の処理液よりも比重が大きい液体が基板Ｗ１及びリングＷ２の間に流れ込み、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われる。このため、基板Ｗ１から除去された接着物は、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜やカバー３０の上を流れる第１の処理液と共に処理対象物Ｗから排出されるので、その際に基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In other words, a liquid that is immiscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid flows between the substrate W1 and the ring W2, and the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 becomes the DIW. covered by a liquid film. Therefore, the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the processing object W together with the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 and the first processing liquid flowing over the cover 30. In addition, adhesion to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress the contamination of the substrate W1 by the adhesive matter adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 being separated from the dicing tape W3 in the transporting process, the dicing process, or the like and adhering to the substrate W1, thereby improving the substrate quality. can definitely be improved.

また、リングＷ２の上面の高さが基板Ｗ１の上面の高さより低くなる位置でテーブル２０が処理対象物Ｗを支持することで、接着物の排出効率を向上させることが可能になり、また、液膜の形成効率を向上させることが可能になる。また、カバー３０に溝３１ｃを設ける場合、カバー３０の溝３１ｃの底面の高さを基板Ｗ１の上面の高さより、より低くできるので、カバー３０に溝３１ｃが無い場合に比べ、接着物の排出性能をさらに向上させることが可能になる。これにより、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することが確実に抑えられる。したがって、ダイシングテープＷ３の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープＷ３から離れて基板Ｗ１に付着し、基板Ｗ１が汚染されることが確実に抑制されるので、基板品質をより確実に向上させることができる。 In addition, the table 20 supports the object W to be processed at a position where the height of the top surface of the ring W2 is lower than the height of the top surface of the substrate W1. It becomes possible to improve the formation efficiency of the liquid film. Further, when the groove 31c is provided in the cover 30, the height of the bottom surface of the groove 31c of the cover 30 can be made lower than the height of the top surface of the substrate W1. Performance can be further improved. This reliably prevents the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Therefore, it is possible to reliably prevent the adhesive matter adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 from being separated from the dicing tape W3 and adhering to the substrate W1 during the transporting process or the dicing process, and contaminating the substrate W1. Quality can be improved more reliably.

＜他の実施形態＞
前述の説明においては、液供給部６０の各ノズル６１をカバー３０に設けることを例示したが、これに限るものではなく、処理液供給部５０のノズル５１と同じように、ノズル移動機構によりテーブル２０の上方をテーブル２０上の処理対象物Ｗに沿って水平方向に揺動可能に各ノズル６１を設けるようにしてもよい。 <Other embodiments>
In the above description, the nozzles 61 of the liquid supply unit 60 are provided on the cover 30 as an example, but the present invention is not limited to this. Each nozzle 61 may be provided above the table 20 so as to be horizontally swingable along the processing object W on the table 20 .

また、前述の説明においては、液供給部６０の各ノズル６１の延伸方向を水平方向に平行にして各ノズル６１を設けることを例示したが、これに限るものではなく、各ノズル６１の延伸方向を鉛直方向に平行にして各ノズル６１を設けるようにしてもよく、各ノズル６１の延伸方向を鉛直方向に対して傾かせて各ノズル６１を設けるようにしてもよい。また、各ノズル６１の個々の傾斜角度は同じであっても、異なっていてもよい。また、各ノズル６１の個々の傾斜角度をテーブル２０の回転数に応じて変更するようにしてもよく、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構（角度変更部）によりテーブル２０の回転数に応じてノズル６１の傾斜角度を変更するようにしてもよい。また、テーブル２０の回転数ごとに傾斜角度の異なる複数のノズル６１を設けておき、それらのノズル６１をテーブル２０の回転数に応じて選択して用い、テーブル２０の回転数に応じてノズル６１の傾斜角度を変更するようにしてもよい。このようにして、各ノズル６１がテーブル２０上の処理対象物Ｗに対してそれぞれ液体を吐出する角度（吐出角度）を変更することができる。 In the above description, the nozzles 61 of the liquid supply unit 60 are provided so that the extending directions of the nozzles 61 are parallel to the horizontal direction. may be provided parallel to the vertical direction, or the extending direction of each nozzle 61 may be inclined with respect to the vertical direction. Also, the individual inclination angles of the nozzles 61 may be the same or different. Further, the inclination angle of each nozzle 61 may be changed according to the number of revolutions of the table 20. For example, the number of revolutions of the table 20 may be changed by an angle changing mechanism (angle changing unit) having a connecting member, a motor, or the like. The angle of inclination of the nozzle 61 may be changed according to. In addition, a plurality of nozzles 61 having different inclination angles are provided for each rotation speed of the table 20, and these nozzles 61 are selected and used according to the rotation speed of the table 20, and the nozzles 61 are adjusted according to the rotation speed of the table 20. You may make it change the inclination-angle of . In this manner, the angle (ejection angle) at which each nozzle 61 ejects the liquid to the processing object W on the table 20 can be changed.

また、前述の説明においては、液供給部６０の全てのノズル６１から同時に液体を吐出させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各ノズル６１から順番に液体を吐出させることも可能であり、所定の順序で各ノズル６１から液体を吐出させるようにしてもよく、また、不規則に吐出させるようにしてもよい。つまり、各ノズル６１から選択的に液体を吐出させても、また、各ノズル６１から同時に液体を吐出させるようにしてもよい。 Further, in the above description, the liquid is simultaneously discharged from all the nozzles 61 of the liquid supply unit 60, but the present invention is not limited to this. For example, the liquid may be discharged sequentially from each nozzle 61. The liquid may be discharged from each nozzle 61 in a predetermined order, or may be discharged irregularly. That is, the liquid may be ejected selectively from each nozzle 61, or the liquid may be ejected from each nozzle 61 at the same time.

また、前述の説明においては、液供給部６０の全てのノズル６１から液体を吐出させてからテーブル２０上の処理対象物Ｗに対する処理液の供給を開始することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル２０上の処理対象物Ｗに対する処理液の供給を開始してから、全てのノズル６１から液体を吐出させるようにしてもよい。すなわち、処理液の供給開前に各ノズル６１からの液体吐出を開始するようにしてもよく、また、処理液の供給開始後に各ノズル６１からの液体吐出を開始するようにしてもよいが、いずれの場合でも、処理液が処理対象物Ｗに供給されている状態で、各ノズル６１から液体を吐出させることになる。 Further, in the above description, the liquid is discharged from all the nozzles 61 of the liquid supply unit 60, and then the supply of the processing liquid to the processing object W on the table 20 is started, but the present invention is limited to this. Instead, for example, the liquid may be discharged from all the nozzles 61 after starting to supply the processing liquid to the processing object W on the table 20 . That is, liquid ejection from each nozzle 61 may be started before the supply of the treatment liquid is started, or liquid ejection from each nozzle 61 may be started after the supply of the treatment liquid is started. In either case, the liquid is ejected from each nozzle 61 while the processing liquid is being supplied to the processing object W. FIG.

また、前述の説明においては、液供給部６０の各ノズル６１の個々の吐出量を同じで一定にすることを例示したが、これに限るものではなく、各ノズル６１の個々の吐出量を異ならせてもよく、あるいは、一定ではなく変化させるようにしてもよい。例えば、テーブル２０の回転数に応じて各ノズル６１の個々の吐出量を変える。このとき、各ノズル６１の個々の吐出量を同じ量に変えても、それぞれ異なる量に変えてもよい。一例として、テーブル２０の回転数の上昇に応じて各ノズル６１の個々の吐出量を上げ、テーブル２０の回転数の下降に応じてノズル６１の個々の吐出量を下げる。これにより、テーブル２０の回転数が例えば１００ｒｐｍ以上に上昇しても（高速回転）、基板Ｗ１及びリングＷ２の間への液体の供給量を増やし、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のＤＩＷの液膜の厚さを維持することが可能になる。また、テーブル２０の回転数に応じて、吐出するノズル６１の本数を変更しても良い。テーブル２０の回転数が低い場合は、本数を少なく、テーブル２０の回転数が高い場合、本数を増やす。このようにテーブル２０の回転数が上昇しても、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面がＤＩＷの液膜により覆われている状態が維持されるので、基板Ｗ１から除去された接着物が、基板Ｗ１及びリングＷ２の間のダイシングテープＷ３の粘着面に付着することを確実に抑えることができる。なお、テーブル２０の回転数に応じて、ノズル６１の吐出量を変えることに加え、液体を吐出させるノズル６１の本数を変えることも可能である。 Further, in the above description, it was exemplified that the discharge amount of each nozzle 61 of the liquid supply unit 60 is the same and constant, but the present invention is not limited to this. Alternatively, it may be changed rather than constant. For example, the individual discharge amount of each nozzle 61 is changed according to the rotation speed of the table 20 . At this time, the discharge amount of each nozzle 61 may be changed to the same amount or may be changed to different amounts. As an example, the discharge amount of each nozzle 61 is increased as the rotation speed of the table 20 increases, and the discharge amount of each nozzle 61 is decreased as the rotation speed of the table 20 decreases. As a result, even if the rotation speed of the table 20 rises to, for example, 100 rpm or more (high-speed rotation), the amount of liquid supplied between the substrate W1 and the ring W2 is increased, and the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 is maintained. thickness can be maintained. Also, the number of nozzles 61 for discharging may be changed according to the rotation speed of the table 20 . When the number of revolutions of the table 20 is low, the number is decreased, and when the number of revolutions of the table 20 is high, the number is increased. Even if the number of revolutions of the table 20 increases in this way, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is kept covered with the DIW liquid film, so that it is removed from the substrate W1. It is possible to reliably prevent the adherent from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. In addition to changing the discharge amount of the nozzles 61, it is also possible to change the number of the nozzles 61 for discharging the liquid according to the rotation speed of the table 20. FIG.

また、前述の説明においては、筐体３１は、平面部３１ａと、傾斜部３１ｂとを有しているが、これに限られない。筐体３１の上面をスムーズに処理液が流れればよく、例えば平坦部の無い片側あるいは両側の斜面（山形）や、斜面でなく曲面でも良い。 Moreover, in the above description, the housing 31 has the flat portion 31a and the inclined portion 31b, but the present invention is not limited to this. It is sufficient that the treatment liquid flows smoothly on the upper surface of the housing 31. For example, one side or both sides of the housing 31 may have a slope (mountain shape) without a flat portion, or a curved surface instead of a slope.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the invention have been described above, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and modifications can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention described in the claims and equivalents thereof.

１０基板処理装置
２０テーブル
２３チャックピン
３０カバー
３１筐体
３１ｃ溝
５０処理液供給部
６０液供給部
Ｗ処理対象物
Ｗ１基板
Ｗ２リング
Ｗ３ダイシングテープ REFERENCE SIGNS LIST 10 substrate processing apparatus 20 table 23 chuck pin 30 cover 31 housing 31c groove 50 processing liquid supply unit 60 liquid supply unit W processing object W1 substrate W2 ring W3 dicing tape

Claims

a table for supporting a processing object having a substrate, a ring surrounding the periphery of the substrate, and a dicing tape adhering to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
a plurality of chuck pins for fixing the processing object supported by the table to the table;
a cover positioned around the object fixed to the table by the plurality of chuck pins and covering an upper portion of each of the plurality of chuck pins;
A process of supplying a processing liquid for processing the substrate to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state in which the respective upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover. a liquid supply;
A substrate processing apparatus comprising:

The cover is
an annular housing that covers the upper surface and outer peripheral surface of the ring of the object to be processed fixed to the table by the plurality of chuck pins together with the upper portions of the plurality of chuck pins;
a groove formed in the upper surface of the housing and extending from the inside to the outside of the housing;
The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising:

3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cover covers the upper portions of the plurality of chuck pins while being in contact with the upper surface of the ring.

Between the ring and the substrate of the object to be processed which is fixed to the table by the plurality of chuck pins, there is provided a liquid supply unit that supplies a liquid that is immiscible with the processing liquid and has a higher density than the processing liquid. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, comprising:

5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the liquid supply section is provided on the cover.

a step of supporting on a table an object to be processed having a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape adhering to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
a step of fixing the processing object supported by the table to the table with a plurality of chuck pins;
covering the top of each of the plurality of chuck pins with a cover positioned around the workpiece fixed to the table by the plurality of chuck pins;
The substrate is processed between the substrate and the ring of the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state in which the upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover. a step of supplying, from a liquid supply unit, a liquid that is immiscible with the processing liquid and has a higher specific gravity than the processing liquid for
a step of supplying the processing liquid from a processing liquid supply unit to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins in a state where the respective upper portions of the plurality of chuck pins are covered with the cover;
A substrate processing method comprising: