JP7451126B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing equipment and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP7451126B2
JP7451126B2 JP2019180982A JP2019180982A JP7451126B2 JP 7451126 B2 JP7451126 B2 JP 7451126B2 JP 2019180982 A JP2019180982 A JP 2019180982A JP 2019180982 A JP2019180982 A JP 2019180982A JP 7451126 B2 JP7451126 B2 JP 7451126B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ring
processing
adhesive
diw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019180982A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021057500A (en
Inventor
健吾 亀井
絵美 松井
俊也 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2019180982A priority Critical patent/JP7451126B2/en
Publication of JP2021057500A publication Critical patent/JP2021057500A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7451126B2 publication Critical patent/JP7451126B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

近年、半導体デバイスの更なる薄型化やコストダウンが求められている。そこで、半導体デバイスを支持する基板上において、半導体デバイスを一括で製造することが行われてきている。半導体デバイスを支持する基板(支持基板)として、例えば、半導体用ウェーハや液晶パネル用ガラス基板を用いて、配線形成やチップ載置、モールド封止などの各種処理が支持基板の接着層上に行われ、接着層上に半導体デバイスが形成される。その後、形成された半導体デバイスから支持基板が剥離される。支持基板の剥離工程では、例えば、半導体デバイスと支持基板との間の接着層をレーザ照射により劣化させ、半導体デバイスから支持基板を剥離する。 In recent years, there has been a demand for further thinning and cost reduction of semiconductor devices. Therefore, semiconductor devices have been manufactured all at once on a substrate that supports the semiconductor devices. For example, a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal panels is used as a substrate (supporting substrate) that supports a semiconductor device, and various processes such as wiring formation, chip mounting, and mold sealing are performed on the adhesive layer of the supporting substrate. Then, a semiconductor device is formed on the adhesive layer. Thereafter, the supporting substrate is peeled off from the formed semiconductor device. In the step of peeling off the support substrate, for example, the adhesive layer between the semiconductor device and the support substrate is deteriorated by laser irradiation, and the support substrate is peeled off from the semiconductor device.

剥離工程が行われるのに先立ち、最終的に半導体デバイスを個々のチップに切り離すために、支持基板と反対の半導体デバイス側の面に粘着テープであるダイシングテープが貼り付けられる。貼り付けられるダイシングテープには、搬送や支持を行うためのリングが、ダイシングテープ上の支持基板及び半導体デバイスを囲むようにダイシングテープに貼り付けられる。したがって、ダイシングテープの粘着面(粘着性を有する面)の中央領域が支持基板及び半導体デバイスにより覆われ、ダイシングテープの粘着面の外縁領域が環状のリングにより覆われる。ダイシングテープの粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域(半導体デバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面)は露出する。 Prior to the peeling process, a dicing tape, which is an adhesive tape, is applied to the surface of the semiconductor device opposite to the support substrate in order to finally separate the semiconductor device into individual chips. A ring for carrying and supporting the dicing tape is attached to the dicing tape so as to surround the support substrate and semiconductor device on the dicing tape. Therefore, the central region of the adhesive surface (surface with adhesive properties) of the dicing tape is covered by the support substrate and the semiconductor device, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape is covered by the annular ring. An annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape (the adhesive surface of the dicing tape between the semiconductor device and the ring) is exposed.

剥離工程により半導体デバイスから支持基板を剥離したあとは、ダイシングテープ上に半導体デバイスのみが貼り付いた状態となる。また、支持基板上に半導体デバイスを形成するので、一括に形成される半導体デバイスは支持基板と同様の外形で形成される。すなわち、半導体用ウェーハを支持基板とした場合、半導体デバイスの外形は半導体ウェーハ同様の円盤状となる。以降、円盤状に形成された半導体デバイスを例に説明する。また、半導体デバイスを単にデバイス(あるいは基板)と称する。 After the supporting substrate is peeled off from the semiconductor device in the peeling process, only the semiconductor device remains stuck on the dicing tape. Furthermore, since the semiconductor devices are formed on the support substrate, the semiconductor devices formed all at once have the same external shape as the support substrate. That is, when a semiconductor wafer is used as a support substrate, the external shape of the semiconductor device becomes a disk shape similar to the semiconductor wafer. Hereinafter, a semiconductor device formed in a disk shape will be described as an example. Further, a semiconductor device is simply referred to as a device (or substrate).

デバイスから支持基板が剥離された際には、接着層である接着物(例えば、カーボン)がデバイスに残留する。このため、残留した接着物をデバイスから除去する必要が生じる。接着物の除去工程では、例えば、複数のチャックピン(固定部材)によりリングを上から押え、デバイスをリング及びダイシングテープと共にテーブルに固定する。そして、デバイスの中心を回転中心としてデバイスをダイシングテープ及びリングと共に水平面内で回転させ、デバイスの中心付近に溶剤などの洗浄液(処理液の一例)を供給し、デバイスの中心付近に供給した洗浄液をデバイス全面(周方向)に広げるとともにデバイスから排出し、デバイスから接着物を除去する。 When the supporting substrate is peeled off from the device, the adhesive layer (eg, carbon) remains on the device. Therefore, it becomes necessary to remove the remaining adhesive from the device. In the adhesive removal step, for example, the ring is held down from above using a plurality of chuck pins (fixing members) to fix the device together with the ring and dicing tape on a table. Then, the device is rotated together with the dicing tape and ring in a horizontal plane with the center of the device as the center of rotation, and a cleaning liquid such as a solvent (an example of a processing liquid) is supplied near the center of the device. It is spread over the entire surface of the device (circumferential direction) and discharged from the device to remove the adhesive from the device.

デバイスから除去された接着物は洗浄液と共にデバイスから排出されるが、排出された接着物がチャックピンあるいはデバイスとリングとの間のダイシングテープの粘着面に付着することがある。接着物が付着すると、搬送工程やダイシング工程などにおいて、チャックピン又はダイシングテープから離れてデバイス(基板)に付着して、デバイスが汚染されるため、デバイス品質、すなわち基板品質が低下する。 The adhesive removed from the device is discharged from the device together with the cleaning liquid, but the discharged adhesive may adhere to the chuck pin or the adhesive surface of the dicing tape between the device and the ring. When the adhesive adheres, it separates from the chuck pin or dicing tape and adheres to the device (substrate) during the transportation process, dicing process, etc., contaminating the device, thereby degrading the device quality, that is, the substrate quality.

特許第6004100号公報Patent No. 6004100

本発明が解決しようとする課題は、基板品質を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can improve substrate quality.

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに固定する複数のチャックピンと、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、前記複数のチャックピンの全てを振動させる振動部と
前記テーブルを平面内で回転させる回転機構と、
を備え、
前記振動部は、前記回転機構により回転する前記テーブルの回転数に応じ、前記複数のチャックピンのうち振動させるチャックピンの個数を変える
The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes:
a table that supports a processing object, the table having a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape that adheres to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a plurality of chuck pins that fix the object to be processed supported by the table to the table;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the substrate to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins;
a vibration unit that vibrates all of the plurality of chuck pins while the processing liquid is being supplied to the object to be processed by the processing liquid supply unit ;
a rotation mechanism that rotates the table within a plane;
Equipped with
The vibrating section changes the number of chuck pins to be vibrated among the plurality of chuck pins according to the rotation speed of the table rotated by the rotation mechanism .

本発明の実施形態に係る基板処理方法は、
基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに複数のチャックピンにより固定する工程と、
前記複数のチャックピンにより前記処理対象物が固定された前記テーブルを回転機構により回転させる工程と、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、前記複数のチャックピンの全てを振動部により振動させる工程と、
を有し、
前記振動部は、前記回転機構により回転する前記テーブルの回転数に応じ、前記複数のチャックピンのうち振動させるチャックピンの個数を変える。
The substrate processing method according to the embodiment of the present invention includes:
supporting on a table a processing object including a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape that adheres to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
fixing the object to be processed supported by the table to the table with a plurality of chuck pins;
a step of rotating the table, on which the object to be processed is fixed by the plurality of chuck pins, by a rotation mechanism;
supplying a processing liquid for processing the substrate to the processing target fixed to the table by the plurality of chuck pins, by a processing liquid supply unit;
vibrating all of the plurality of chuck pins by a vibrator while the treatment liquid is being supplied to the object to be processed by the treatment liquid supply unit;
has
The vibration section changes the number of chuck pins to be vibrated among the plurality of chuck pins according to the rotation speed of the table rotated by the rotation mechanism.

本発明の実施形態によれば、基板品質を向上させることができる。 According to embodiments of the present invention, substrate quality can be improved.

第1の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理装置の一部を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る基板処理工程を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a substrate processing step according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る液供給を説明するための第1の図である。FIG. 3 is a first diagram for explaining liquid supply according to the first embodiment. 第1の実施形態に係るチャックピンの振動を説明するための第1の図である。FIG. 3 is a first diagram for explaining vibration of the chuck pin according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る液供給を説明するための第2の図である。FIG. 3 is a second diagram for explaining liquid supply according to the first embodiment. 第1の実施形態に係る液供給を説明するための第3の図である。FIG. 7 is a third diagram for explaining liquid supply according to the first embodiment. 第1の実施形態に係るチャックピンの振動を説明するための第2の図である。FIG. 7 is a second diagram for explaining vibration of the chuck pin according to the first embodiment. 第2の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

<第1の実施形態>
第1の実施形態について図1から図8を参照して説明する。
<First embodiment>
A first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 8.

(基本構成)
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、テーブル20と、振動部30と、回転機構(回転駆動部)40と、処理液供給部50と、液供給部60と、制御部70とを備えている。
(Basic configuration)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment includes a table 20, a vibration section 30, a rotation mechanism (rotation drive section) 40, a processing liquid supply section 50, and a liquid supply section 60. and a control section 70.

処理対象物Wは、図1及び図2に示すように、基板(例えば、デバイス)W1と、リングW2と、ダイシングテープW3とを有している。基板W1は、ダイシングテープW3の中央に貼り付けられる。リングW2は、環状に形成されており、ダイシングテープW3上の基板W1の周囲を囲むようにダイシングテープW3に貼り付けられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面の中央領域が基板W1により覆われ、ダイシングテープW3の粘着面の外縁領域が環状のリングW2により覆われている。このため、ダイシングテープW3の粘着面の中央領域と外縁領域の間の環状の領域、すなわち基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の上面は露出している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the processing object W includes a substrate (for example, a device) W1, a ring W2, and a dicing tape W3. The substrate W1 is attached to the center of the dicing tape W3. The ring W2 is formed in an annular shape and is attached to the dicing tape W3 so as to surround the periphery of the substrate W1 on the dicing tape W3. Therefore, the central region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the substrate W1, and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3 is covered by the annular ring W2. Therefore, the annular region between the central region and the outer edge region of the adhesive surface of the dicing tape W3, that is, the upper surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is exposed.

テーブル20は、本体21と、支持体22と、複数のチャックピン23とを有している。このテーブル20は、カップ(不図示)により囲われており、カップ内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構40上に設けられている。テーブル20は、例えば、スピンテーブルと呼ばれる。 The table 20 includes a main body 21, a support 22, and a plurality of chuck pins 23. This table 20 is surrounded by a cup (not shown), is positioned approximately at the center of the cup, and is provided on a rotation mechanism 40 so as to be rotatable in a horizontal plane. The table 20 is called, for example, a spin table.

本体21は、中央が円柱状に盛り上がる凸形状に形成されている。この本体21の凸部の上面は、処理対象物Wの基板W1の下面にダイシングテープW3を介して対向した状態で基板W1を支持する。支持体22は、環状に形成されており、本体21の凸部(突出部)を囲むように本体21の環状の平坦部に設けられている。この支持体22は、処理対象物WのリングW2の下面にダイシングテープW3を介して対向した状態でリングW2を支持する。各チャックピン23は、それぞれ偏心回転可能に本体21の環状の平坦部に設けられている。これらのチャックピン23は、それぞれ同期して偏心回転することで、処理対象物WのリングW2の外周面を内側に押しつつ、処理対象物Wを水平状態に保持する。このとき、処理対象物Wの中心は、テーブル20の回転軸上に位置付けられる。 The main body 21 has a convex shape with a cylindrical center. The upper surface of the convex portion of the main body 21 supports the substrate W1 while facing the lower surface of the substrate W1 of the object W to be processed with the dicing tape W3 interposed therebetween. The support body 22 is formed in an annular shape and is provided on the annular flat portion of the main body 21 so as to surround the convex portion (protrusion) of the main body 21 . This support body 22 supports the ring W2 in a state where it faces the lower surface of the ring W2 of the object W to be processed with the dicing tape W3 interposed therebetween. Each chuck pin 23 is provided on the annular flat portion of the main body 21 so as to be eccentrically rotatable. These chuck pins 23 eccentrically rotate in synchronization, thereby pushing the outer peripheral surface of the ring W2 of the processing object W inward and holding the processing object W in a horizontal state. At this time, the center of the object to be processed W is positioned on the rotation axis of the table 20.

このテーブル20は、本体21及び支持体22により処理対象物Wを支持し、各チャックピン23により本体21及び支持体22に固定して、処理対象物WのリングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなるように(例えば2mm程度の数mm低くなるように)処理対象物Wを支持する。 This table 20 supports the object W to be processed by a main body 21 and a support 22, and is fixed to the main body 21 and the support 22 by each chuck pin 23. The object to be processed W is supported so that it is lower than the height of the upper surface of W1 (for example, several mm lower, about 2 mm).

振動部30は、複数の振動子31と、複数のカバー32とを有している。各振動子31は、各チャックピン23の個々の上部にそれぞれ設けられている。これらの振動子31としては、例えば、MEMS(微小電気機械システム)振動子又は水晶振動子、圧電素子が用いられる。各カバー32は、各チャックピン23の上部に個別に位置付けられ、各チャックピン23の上部にそれぞれ位置する各振動子31を覆うよう、各チャックピン23に個別に設けられている。 The vibrating section 30 includes a plurality of vibrators 31 and a plurality of covers 32. Each vibrator 31 is provided above each chuck pin 23, respectively. As these resonators 31, for example, a MEMS (microelectromechanical system) resonator, a crystal resonator, or a piezoelectric element is used. Each cover 32 is individually positioned above each chuck pin 23 , and is individually provided on each chuck pin 23 so as to cover each vibrator 31 located above each chuck pin 23 .

回転機構40は、テーブル20を支持するように設けられ、そのテーブル20を水平面(平面の一例)内で回転させるように構成されている。この回転機構40は、回転軸41と、モータ42とを有している。回転軸41の一端はテーブル20の下方の中央に連結されており、回転軸41の他端はモータ42に連結されている。モータ42はその回転軸41を回転させる。回転機構40は、モータ42の駆動により回転軸41を介してテーブル20を水平面内で回転させる。 The rotation mechanism 40 is provided to support the table 20, and is configured to rotate the table 20 within a horizontal plane (an example of a plane). This rotation mechanism 40 has a rotation shaft 41 and a motor 42. One end of the rotating shaft 41 is connected to the lower center of the table 20, and the other end of the rotating shaft 41 is connected to the motor 42. The motor 42 rotates its rotating shaft 41. The rotation mechanism 40 rotates the table 20 in a horizontal plane via a rotation shaft 41 by driving a motor 42 .

処理液供給部50は、ノズル51を有している。この処理液供給部50は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近の上方(例えば、基板W1の中央付近の直上)にノズル51を位置付け、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近にノズル51から第1の処理液(例えば、p-メンタンやシクロペンタノンなどの溶剤)や第2の処理液(例えば、IPA:イソプロピルアルコール)を供給する。なお、第1の処理液は、例えば、DIW(超純水)と非相溶性の液体であり、基板W1に残留した接着物を基板W1から剥離するための液体である。 The processing liquid supply section 50 has a nozzle 51. The processing liquid supply unit 50 positions the nozzle 51 above the center of the substrate W1 of the object W on the table 20 (for example, directly above the center of the substrate W1), and A first processing liquid (for example, a solvent such as p-menthane or cyclopentanone) and a second processing liquid (for example, IPA: isopropyl alcohol) are supplied from a nozzle 51 near the center of the substrate W1. Note that the first processing liquid is, for example, a liquid that is incompatible with DIW (ultra-pure water), and is a liquid for peeling off the adhesive remaining on the substrate W1 from the substrate W1.

ノズル51は、例えば、ノズル移動機構(不図示)によりテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。このノズル51は、テーブル20上の処理対象物Wの中央付近に対向し、その中央付近に向けて処理液を吐出する。ノズル51には、基板処理装置10外の二つのタンク(不図示)から二種類の処理液が個別に供給される。ノズル51から吐出される第1の処理液の吐出量は調整弁51aの開度調整により変更され、ノズル51から吐出される第2の処理液の吐出量は調整弁51bの開度調整により変更される。 The nozzle 51 is formed so as to be movable in the horizontal direction above the table 20 along the processing target W on the table 20 by, for example, a nozzle moving mechanism (not shown). As the nozzle moving mechanism, for example, a swinging mechanism having an arm, a linear guide, or the like is used. This nozzle 51 faces near the center of the object W to be processed on the table 20 and discharges the processing liquid toward the center. Two types of processing liquids are individually supplied to the nozzle 51 from two tanks (not shown) outside the substrate processing apparatus 10 . The discharge amount of the first processing liquid discharged from the nozzle 51 is changed by adjusting the opening of the regulating valve 51a, and the discharge amount of the second processing liquid discharged from the nozzle 51 is changed by adjusting the opening of the regulating valve 51b. be done.

液供給部60は、第1のノズル61と、第2のノズル62とを有している。この液供給部60は、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面の上方(例えば、リングW2の上面の直上)に第1のノズル61を位置付け、そのリングW2の上面に第1のノズル61から液体(例えば、DIW)を供給する。また、液供給部60は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部の上方(例えば、基板W1の外周面の直上)に第2のノズル62を位置付け、その基板W1の外周端部に第2のノズル62から液体(例えば、DIW)を供給する。この液体は、第1の処理液に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい(第1の処理液よりも密度が大きい)ものである。 The liquid supply section 60 has a first nozzle 61 and a second nozzle 62. This liquid supply unit 60 positions a first nozzle 61 above the upper surface of the ring W2 of the object W to be processed on the table 20 (for example, directly above the upper surface of the ring W2), and a first A liquid (for example, DIW) is supplied from the nozzle 61. Further, the liquid supply unit 60 positions the second nozzle 62 above the outer peripheral end of the substrate W1 of the processing target W on the table 20 (for example, directly above the outer peripheral surface of the substrate W1), and A liquid (eg, DIW) is supplied to the end from a second nozzle 62 . This liquid is immiscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid (has a higher density than the first processing liquid).

第1のノズル61及び第2のノズル62は、例えば、それぞれノズル移動機構(不図示)によりテーブル20の上方をテーブル20上の処理対象物Wに沿って水平方向に移動可能に形成されている。ノズル移動機構としては、例えば、アームを有する揺動機構やリニアガイドなどが用いられる。第1のノズル61は、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に対向し、その上面に向けて液体を吐出する。第2のノズル62は、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に対向し、その外周端部に向けて液体を吐出する。第1のノズル61及び第2のノズル62の水平離間距離は、例えば200mm程度である。これらの第1のノズル61及び第2のノズル62には、基板処理装置10外のタンク(不図示)から液体が供給される。第1のノズル61から吐出される液体の吐出量は調整弁61aの開度調整により変更され、第2のノズル62から吐出される液体の吐出量は調整弁62aの開度調整により変更される。 The first nozzle 61 and the second nozzle 62 are each formed to be movable in the horizontal direction above the table 20 along the processing target W on the table 20 by a nozzle moving mechanism (not shown), respectively. . As the nozzle moving mechanism, for example, a swinging mechanism having an arm, a linear guide, or the like is used. The first nozzle 61 faces the upper surface of the ring W2 of the object W to be processed on the table 20, and discharges liquid toward the upper surface. The second nozzle 62 faces the outer circumferential edge of the substrate W1 of the processing target W on the table 20, and discharges liquid toward the outer circumferential edge. The horizontal separation distance between the first nozzle 61 and the second nozzle 62 is, for example, about 200 mm. Liquid is supplied to the first nozzle 61 and the second nozzle 62 from a tank (not shown) outside the substrate processing apparatus 10. The amount of liquid discharged from the first nozzle 61 is changed by adjusting the opening of the regulating valve 61a, and the amount of liquid discharged from the second nozzle 62 is changed by adjusting the opening of the regulating valve 62a. .

制御部70は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(いずれも不図示)を具備している。この制御部70は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、テーブル20の各チャックピン23による処理対象物保持動作、振動部30による振動動作、回転機構40によるテーブル20の回転動作、処理液供給部50による処理液供給動作、液供給部60による液供給動作などの制御を行う。例えば、各振動子31やモータ42は制御部70に電気的に接続されており、それらの駆動は制御部70により制御される。なお、各振動子31に関して、例えば、テーブル20の回転軸41にスリップリングを用いることで、テーブル20が回転していても、各振動子31と制御部70との電気的な接続が可能になっている。また、各調整弁51a、51b、61a、62aは、例えば電磁弁であり、制御部70に電気的に接続されており、その駆動は制御部70により制御される。 The control section 70 includes a microcomputer that centrally controls each section, and a storage section (both not shown) that stores substrate processing information and various programs related to substrate processing. This control unit 70 controls the processing target object holding operation by each chuck pin 23 of the table 20, the vibration operation by the vibration unit 30, the rotation operation of the table 20 by the rotation mechanism 40, and the processing liquid supply based on the substrate processing information and various programs. The processing liquid supplying operation by the section 50 and the liquid supplying operation by the liquid supplying section 60 are controlled. For example, each vibrator 31 and motor 42 are electrically connected to a control section 70, and their driving is controlled by the control section 70. Regarding each vibrator 31, for example, by using a slip ring on the rotating shaft 41 of the table 20, electrical connection between each vibrator 31 and the control unit 70 is possible even when the table 20 is rotating. It has become. Further, each of the regulating valves 51a, 51b, 61a, and 62a is, for example, a solenoid valve, and is electrically connected to the control section 70, and its driving is controlled by the control section 70.

(基板処理工程)
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理工程の流れについて説明する。この基板処理工程は、処理対象物Wの基板W1上に残留した接着物を除去する工程である。なお、下記の各種数値はあくまでも例示である。
(Substrate processing process)
Next, the flow of the substrate processing process performed by the above-mentioned substrate processing apparatus 10 will be explained. This substrate processing step is a step of removing adhesive material remaining on the substrate W1 of the object W to be processed. Note that the various numerical values listed below are merely examples.

図3に示すように、例えば、ステップ1から6までの工程が連続して実行される。第1の処理液としては溶剤(洗浄液の一例)が用いられ、第2の処理液としてはIPAが用いられ、液体としてはDIWが用いられる。なお、処理対象物Wは各チャックピン23によりテーブル20に固定され、基板処理工程中、テーブル20は回転している。テーブル20の回転数や処理時間は制御部70により変更される。また、溶剤やIPA、DIWの個々の吐出量は、各調整弁51a、51b、61a、62aが制御部70により制御されて変更される。また、各振動子31は制御部70により制御される。例えば、各振動子31の個々の振動数は同じで一定にされる。 As shown in FIG. 3, for example, steps 1 to 6 are executed continuously. A solvent (an example of a cleaning liquid) is used as the first processing liquid, IPA is used as the second processing liquid, and DIW is used as the liquid. Note that the processing object W is fixed to the table 20 by each chuck pin 23, and the table 20 is rotating during the substrate processing process. The rotation speed of the table 20 and the processing time are changed by the control unit 70. Further, the individual discharge amounts of the solvent, IPA, and DIW are changed by controlling the respective regulating valves 51a, 51b, 61a, and 62a by the control unit 70. Further, each vibrator 31 is controlled by a control section 70. For example, the individual vibration frequencies of each vibrator 31 are the same and constant.

ステップ1では、DIWが第1のノズル61から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給される。このステップ1では、第1のノズル61から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、テーブル20の回転数(第1の回転数)は20rpmであり、処理時間(吐出時間)は10sである。 In step 1, DIW is discharged from the first nozzle 61 and supplied to the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the rotating table 20. In this step 1, the discharge amount of DIW discharged from the first nozzle 61 is 380 ml/min, the rotation speed (first rotation speed) of the table 20 is 20 rpm, and the processing time (discharge time) is 10 seconds. It is.

DIWの吐出量はチャックピン23の上部及びチャックピン23の周囲を被液できる量であり、基板W1上には供給されない量であることが望ましい。ただし、例えば、第1のノズル61からのDIWの供給だけでは、チャックピン23をDIWで被覆している状態でもチャックピン23に接着物が付着することがあり、また、DIWの被覆が不十分でチャックピン23に接着物が付着することがある。このため、後述するステップ2において各振動子31による振動動作が必要となる。また、テーブル20の回転数(回転速度)は、DIWを液膜の状態で保持できる回転速度に設定されている。DIWは、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に到達し、リングW2の上面に広がる。このとき、リングW2は回転しており、リングW2の上面に供給されたDIWは、リングW2の外側及び内側に広がる。この時のテーブル20の単位時間当たりの回転数、すなわち、処理対象物WのリングW2の単位時間当たりの回転数(第1の回転数)は、リングW2の上面における遠心力の働きが弱い回転数であるため、第1のノズル61から吐出されて処理対象物WのリングW2の上面に到達したDIWが、回転するテーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に流れるように設定されている。また、処理時間は、設定されたDIWの吐出量により基板W1とリングW2の間を被液するのに要する時間に設定されている。例えば、処理時間は、設定されたDIWの吐出量が380ml/minとすると10sである。DIWの吐出量、テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 The amount of DIW to be discharged is preferably an amount that allows the upper part of the chuck pin 23 and the periphery of the chuck pin 23 to be covered with the liquid, but not an amount that is supplied onto the substrate W1. However, for example, if only the DIW is supplied from the first nozzle 61, adhesive may adhere to the chuck pin 23 even when the chuck pin 23 is coated with DIW, and the DIW coating may not be sufficient. In some cases, adhesive may adhere to the chuck pin 23. Therefore, it is necessary for each vibrator 31 to perform a vibrating operation in step 2, which will be described later. Further, the rotational speed (rotational speed) of the table 20 is set to a rotational speed that can maintain the DIW in a liquid film state. The DIW reaches the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the rotating table 20 and spreads over the upper surface of the ring W2. At this time, the ring W2 is rotating, and the DIW supplied to the upper surface of the ring W2 spreads to the outside and inside of the ring W2. At this time, the number of rotations per unit time of the table 20, that is, the number of rotations per unit time (first number of rotations) of the ring W2 of the object to be processed W is a rotation where the centrifugal force on the upper surface of the ring W2 is weak. Therefore, the DIW ejected from the first nozzle 61 and reaching the upper surface of the ring W2 of the object W to be processed is between the substrate W1 and the ring W2 of the object W supported by the rotating table 20. It is set to flow. Further, the processing time is set to the time required to cover the space between the substrate W1 and the ring W2 using the set discharge amount of DIW. For example, the processing time is 10 seconds when the set discharge amount of DIW is 380 ml/min. The discharge amount of DIW, the rotation speed of the table 20, and the processing time are determined and set in advance through experiments and the like.

ステップ1において、図4に示すように、第1のノズル61から吐出されたDIW(図4中のクロスハッチングによる塗りつぶし領域により示す)は、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に到達し、リングW2の外側及びリングW2の内側(基板W1側)に広がる。このため、リングW2の内側に広がるDIWは、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる環状の空間に溜まる。これにより、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面にはDIWの液膜が形成され、また、リングW2の上面にもDIWの液膜が形成される。 In step 1, as shown in FIG. 4, the DIW discharged from the first nozzle 61 (indicated by the cross-hatched filled area in FIG. 4) is applied to the ring W2 of the processing object W on the rotating table 20. It reaches the upper surface and spreads outside the ring W2 and inside the ring W2 (on the substrate W1 side). Therefore, the DIW that spreads inside the ring W2 flows between the substrate W1 and the ring W2 and accumulates in an annular space surrounded by the substrate W1, the ring W2, and the dicing tape W3. As a result, a DIW liquid film is formed on the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2, and a DIW liquid film is also formed on the upper surface of the ring W2.

ステップ2では、各振動子31が振動を開始する。図5に示すように、例えば、八本のチャックピン23のうち四つの振動子31が振動する(図5中の太線が振動を示す)。詳しくは、基板W1の中心を間にして対向する一対の振動子31を一組とすると、二組の振動子31が振動し、数秒後、他の二組が振動し、再び数秒後、他の二組が振動することを繰り返す。なお、最終的には全ての振動子31が振動したことになる。各振動子31による振動は各チャックピン23、またDIWの液膜にも伝わる。次いで、二組の振動子31が振動している状態で、ステップ2において(図3参照)、溶剤がノズル51から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給され、また、DIWが第1のノズル61から吐出され(ステップ1から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給される。このステップ2では、第1のノズル61から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、テーブル20の回転数(第1の回転数)は20rpmであり、処理時間は240sである。なお、ノズル51から吐出される溶剤の吐出量は480ml/minである(不図示)。各振動子31の振動開始は、ノズル51から溶剤が供給される前である。ただし、第1の処理液である溶剤によって、接着物が基板W1上から剥離され、その剥離された接着物が基板W1の外周(チャックピン23)に流れてくる前に各振動子31の駆動を開始させればよい。 In step 2, each vibrator 31 starts vibrating. As shown in FIG. 5, for example, four vibrators 31 among the eight chuck pins 23 vibrate (thick lines in FIG. 5 indicate vibrations). Specifically, if a pair of vibrators 31 facing each other with the center of the substrate W1 in between is defined as one set, two sets of vibrators 31 vibrate, and after a few seconds, the other two vibrate, and again after a few seconds, the other vibrator vibrate. The two sets of oscillate repeatedly. Note that ultimately all the vibrators 31 vibrate. The vibrations caused by each vibrator 31 are transmitted to each chuck pin 23 and also to the liquid film of DIW. Next, while the two sets of vibrators 31 are vibrating, in step 2 (see FIG. 3), the solvent is discharged from the nozzle 51 to the vicinity of the center of the substrate W1 of the object W to be processed on the rotating table 20. Further, DIW is discharged from the first nozzle 61 (continuing from step 1), and is supplied to the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the rotating table 20. In this step 2, the amount of DIW discharged from the first nozzle 61 is 380 ml/min, the rotation speed (first rotation speed) of the table 20 is 20 rpm, and the processing time is 240 seconds. Note that the amount of solvent discharged from the nozzle 51 is 480 ml/min (not shown). The vibration of each vibrator 31 starts before the solvent is supplied from the nozzle 51. However, the adhesive is peeled off from the substrate W1 by the solvent that is the first processing liquid, and each vibrator 31 is driven before the peeled adhesive flows to the outer periphery of the substrate W1 (chuck pin 23). All you have to do is start it.

テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上に溶剤を液膜の状態で保持できる回転速度に設定されているため、接着物を溶剤に反応させやすくなる。処理時間は、溶剤が後述するレーザ吸収層を溶解するために要する時間に設定されている。溶剤の吐出量は、前述の設定された処理時間内に、レーザ吸収層を十分に溶かすことができる供給量に設定されている。テーブル20の回転数、処理時間及び溶剤の吐出量は、予め実験などで求められ設定されている。 The rotational speed (rotational speed) of the table 20 is set at a rotational speed that can maintain the solvent in a liquid film state on the substrate W1, so that it becomes easy to cause the adhesive to react with the solvent. The processing time is set to the time required for the solvent to dissolve the laser absorption layer, which will be described later. The discharge amount of the solvent is set to a supply amount that can sufficiently dissolve the laser absorption layer within the above-described set processing time. The rotation speed of the table 20, the processing time, and the amount of solvent discharged are determined and set in advance through experiments and the like.

ステップ2において、図6に示すように、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面にDIWの液膜が存在した状態で、ノズル51から吐出された溶剤は、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に到達し、処理対象物Wの回転による遠心力によって基板W1の上面の全体に広がる。基板W1の上面には溶剤の液膜が形成され、基板W1から接着物(図4中の基板W1上の太黒線により示す)が溶剤によって徐々に溶融される。ステップ2は、基板W1上の接着物を溶融するためのステップである。接着物は溶融し、基板W1から剥がれる。基板W1から剥がれた接着物は、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する。なお、基板W1上の接着物は、溶融の進行が速い部分から先に剥がれていき、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊することになる。 In step 2, as shown in FIG. 6, in a state where a DIW liquid film exists between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, the solvent discharged from the nozzle 51 is transferred to the rotating table 20. The object W reaches near the center of the substrate W1, and spreads over the entire upper surface of the substrate W1 due to the centrifugal force caused by the rotation of the object W. A liquid film of the solvent is formed on the upper surface of the substrate W1, and the adhesive from the substrate W1 (indicated by the thick black line on the substrate W1 in FIG. 4) is gradually melted by the solvent. Step 2 is a step for melting the adhesive on the substrate W1. The adhesive is melted and peeled off from the substrate W1. The adhesive material peeled off from the substrate W1 floats in the liquid film of the solvent on the substrate W1. Note that the adhesive on the substrate W1 will peel off first from the part where the melting progresses quickly, and will float in the liquid film of the solvent on the substrate W1.

ここで、例えば、接着物は、レーザ吸収層が基板W1上に積層され、基板W1上のレーザ吸収層上にレーザ反応層が積層されて構成されている。基板W1側のレーザ吸収層が溶剤により溶かされ、接着物は基板W1から剥がされて除去される。支持基板の剥離工程前において、デバイス(基板W1)は接着層を介して支持基板に支持されている。この接着層は2層構造(レーザ反応層とレーザ吸収層)である。支持基板との剥離時は、支持基板側からレーザを照射すると、レーザ光により反応層が破壊される。レーザ吸収層によりレーザ光は、吸収されてデバイス側には影響を与えないようにしている。レーザ反応層が破壊されると、支持基板を剥離することができる。デバイス側には、破壊されたレーザ反応層及びレーザ吸収層、すなわち、接着層が残る状態になる。デバイスは破壊された接着層の上部(レーザ反応層)が上面で露出した状態でダイシングテープW3に支持される状態となる。第1の処理液である溶剤は、この2層の接着層にうち、レーザ吸収層を溶解させ、レーザ吸収層の上に形成するレーザ反応層ごと一緒に除去する。 Here, for example, the adhesive is configured such that a laser absorption layer is laminated on the substrate W1, and a laser reaction layer is laminated on the laser absorption layer on the substrate W1. The laser absorption layer on the substrate W1 side is dissolved by the solvent, and the adhesive is peeled off and removed from the substrate W1. Before the step of peeling off the support substrate, the device (substrate W1) is supported by the support substrate via the adhesive layer. This adhesive layer has a two-layer structure (laser reaction layer and laser absorption layer). At the time of separation from the supporting substrate, when laser is irradiated from the supporting substrate side, the reaction layer is destroyed by the laser beam. The laser light is absorbed by the laser absorption layer so as not to affect the device side. Once the laser-reactive layer is destroyed, the support substrate can be peeled off. The destroyed laser reaction layer and laser absorption layer, that is, the adhesive layer remains on the device side. The device is supported by the dicing tape W3 with the broken upper part of the adhesive layer (laser reaction layer) exposed on the upper surface. The solvent, which is the first treatment liquid, dissolves the laser absorption layer among these two adhesive layers and removes the laser reaction layer formed on the laser absorption layer together.

また、ステップ2において、第1のノズル61から吐出されたDIWは、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて進行するが、基板W1の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、リングW2の上面に到達してリングW2の外側及び内側に広がる。DIWは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きい液体である。処理対象物Wの内側に広がるDIWは、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる空間に溜まる。これにより、基板W1及びリングW2の間にはDIWの液膜が維持され、また、リングW2の周囲にもDIWの液膜が維持される。このとき、各振動子31は組ごとに振動しており、それらの振動子31による振動は各チャックピン23、またDIWの液膜や溶剤の液膜にも伝わる。なお、上述したようにDIWは、溶剤に混和せず溶剤よりも比重が大きいものである。そのため、基板W1の上面から排出された溶剤は、基板W1の上面から基板W1とリングW2の間に形成されるDIWに流れ込んだとき、基板W1とリングW2との間に形成されるDIWの液膜と混和せず、DIWの液膜の上を流れることになる(図6参照)。 In addition, in step 2, the DIW discharged from the first nozzle 61 advances toward the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the rotating table 20, but the DIW flows toward the upper surface of the ring W2 of the processing object W on the rotating table 20, but the DIW is It reaches the upper surface of the ring W2 and spreads outside and inside the ring W2 without being mixed. DIW is a liquid that is immiscible with solvents and has a higher specific gravity than the solvent. The DIW that spreads inside the processing object W flows between the substrate W1 and the ring W2, and accumulates in a space surrounded by the substrate W1, the ring W2, and the dicing tape W3. As a result, a DIW liquid film is maintained between the substrate W1 and the ring W2, and a DIW liquid film is also maintained around the ring W2. At this time, each set of vibrators 31 vibrates, and the vibrations caused by these vibrators 31 are transmitted to each chuck pin 23 and also to the DIW liquid film and the solvent liquid film. Note that, as described above, DIW is immiscible with the solvent and has a higher specific gravity than the solvent. Therefore, when the solvent discharged from the upper surface of the substrate W1 flows from the upper surface of the substrate W1 into the DIW formed between the substrate W1 and the ring W2, the liquid of the DIW formed between the substrate W1 and the ring W2 It will not mix with the membrane and will flow over the DIW liquid membrane (see Figure 6).

通常、ステップ2では、基板W1から除去された接着物は、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊して留まっているが、浮遊する接着物の中には、溶剤の流れによって溶剤と共に基板W1から排出されるものもある。つまり、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物のうち一部は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、振動する二組のチャックピン23を避けるように処理対象物Wから排出される。このとき、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態で、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出されるので、接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。DIWが基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面を覆うこと及びDIWは溶剤と混和せず、かつ、比重が大きい関係であるため、溶剤と共に流れる接着物は、基板W1とリングW2の間においてDIWの液膜上を流れる。このため、接着物が基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑制できる。また、チャックピン23の周囲にDIWの液膜を形成することにより、溶剤と共に流れる接着物は、チャックピン23の周囲においてDIWの液膜上を流れるため、チャックピン23への接着物の付着を抑制できる。 Normally, in step 2, the adhesive removed from the substrate W1 remains suspended in the liquid film of the solvent on the substrate W1. Some are emitted from In other words, a part of the adhesive floating in the solvent liquid film on the substrate W1 flows together with the solvent flowing on the DIW liquid film existing between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, and vibrates. The object to be processed W is discharged while avoiding the two sets of chuck pins 23 . At this time, the adhesive is discharged from the processing object W together with the solvent while the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with the DIW liquid film, so that the adhesive is removed from the substrate W1. It is possible to suppress adhesion to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the ring W2 and the ring W2. Since the DIW covers the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2, and because the DIW is immiscible with the solvent and has a large specific gravity, the adhesive flowing together with the solvent is attached to the substrate W1 and the ring W2. The liquid flows over the DIW film during this period. Therefore, it is possible to prevent the adhesive from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2. Furthermore, by forming a DIW liquid film around the chuck pin 23, the adhesive flowing together with the solvent flows on the DIW liquid film around the chuck pin 23, thereby preventing the adhesive from adhering to the chuck pin 23. It can be suppressed.

また、基板W1から除去された接着物は、溶剤と共に流れるが、振動する二組のチャックピン23により生じる波によって、振動する二組のチャックピン23に近づけず、それらのチャックピン23を避けるように溶剤と共に処理対象物Wから排出されるので、接着物がチャックピン23に付着することも抑えることができる。なお、基板W1から除去された接着物が、振動していないチャックピン23に付着した場合でも、そのチャックピン23が振動すると、付着した接着物はチャックピン23から離れ、溶剤と共に処理対象物Wから排出されるので、接着物がチャックピン23に付着し続けることを抑えることができる。 The adhesive removed from the substrate W1 flows together with the solvent, but the waves generated by the two sets of vibrating chuck pins 23 keep it away from the two sets of vibrating chuck pins 23, and the adhesive is forced to avoid these chuck pins 23. Since the adhesive is discharged from the object W together with the solvent, it is possible to prevent the adhesive from adhering to the chuck pin 23. Note that even if the adhesive removed from the substrate W1 adheres to the chuck pin 23 that is not vibrating, when the chuck pin 23 vibrates, the adhered substance separates from the chuck pin 23 and is removed from the processing object W together with the solvent. Since the adhesive is discharged from the chuck pin 23, it is possible to prevent the adhesive from continuing to adhere to the chuck pin 23.

また、テーブル20は、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなる位置で処理対象物Wを支持している。これにより、基板W1から除去された接着物がリングW2に引っかかり残留することが抑制されるので、接着物の排出効率を向上させることができる。なお、テーブル20が、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さ以上となる位置で処理対象物Wを支持する場合、基板W1から除去された接着物がリングW2に引っかかり残留することがある。 Further, the table 20 supports the object W to be processed at a position where the height of the top surface of the ring W2 is lower than the height of the top surface of the substrate W1. This prevents the adhesive removed from the substrate W1 from being caught and remaining on the ring W2, so that the efficiency of discharging the adhesive can be improved. Note that when the table 20 supports the object W to be processed at a position where the height of the top surface of the ring W2 is equal to or higher than the height of the top surface of the substrate W1, the adhesive removed from the substrate W1 gets caught on the ring W2 and remains. Sometimes.

ステップ3では、図7に示すように、各振動子31は一つずつ順番に振動する(図7中の太線が振動を示す)。詳しくは、一つの振動子31が振動し、数秒後、他の一つの振動子31が振動し、数秒後、他の一つの振動子31が振動することを繰り返す。例えば、各振動子31は、数秒の所定時間ごとに一つずつ基板W1の円周方向に順次振動する(ステップ2からステップS3で各振動子31の振動動作が変わることの理由については後述する)。なお、最終的には全ての振動子31が振動したことになる。次いで、一つの振動子31が振動している状態で、ステップ3において(図3参照)、溶剤がノズル51から吐出され(ステップ2から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給され、DIWが第1のノズル61から吐出され(ステップ2から継続)、回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に供給され、さらに、DIWが第2のノズル62から吐出され、回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に供給される。このステップ3では、第1のノズル61から吐出されるDIWの吐出量は380ml/minであり、第2のノズル62から吐出されるDIWの吐出量は200ml/minであり、テーブル20の回転数(第2の回転数)は400rpmであり、処理時間(吐出時間)は60sである。なお、ノズル51から吐出される溶剤の吐出量は480ml/minである(不図示)。 In step 3, as shown in FIG. 7, each vibrator 31 sequentially vibrates one by one (bold lines in FIG. 7 indicate vibrations). Specifically, one vibrator 31 vibrates, a few seconds later, another vibrator 31 vibrates, and a few seconds later, the other vibrator 31 repeats the vibration. For example, each vibrator 31 sequentially vibrates one by one in the circumferential direction of the substrate W1 at predetermined intervals of several seconds (the reason why the vibrating operation of each vibrator 31 changes from step 2 to step S3 will be described later). ). Note that ultimately all the vibrators 31 vibrate. Next, while one vibrator 31 is vibrating, in step 3 (see FIG. 3), the solvent is discharged from the nozzle 51 (continued from step 2), and the substrate of the processing target W on the rotating table 20 is DIW is supplied to the vicinity of the center of W1, is discharged from the first nozzle 61 (continuing from step 2), is supplied to the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the rotating table 20, and further DIW is is discharged from the nozzle 62 and supplied to the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W on the rotating table 20. In this step 3, the discharge amount of DIW discharged from the first nozzle 61 is 380 ml/min, the discharge amount of DIW discharged from the second nozzle 62 is 200 ml/min, and the rotation speed of the table 20 is (Second rotation speed) is 400 rpm, and processing time (discharge time) is 60 seconds. Note that the amount of solvent discharged from the nozzle 51 is 480 ml/min (not shown).

DIWの吐出量は、テーブル20の回転数が第2の回転数に変更された際に、基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面を被液できる吐出量に設定されている。テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上で浮遊する接着物を基板W1外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル20の回転数とともに、接着物が基板W1上からすべて排出される時間に設定されている。DIWの吐出量、テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 The discharge amount of DIW is set to a discharge amount that can cover the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 when the rotation speed of the table 20 is changed to the second rotation speed. The number of rotations (rotational speed) of the table 20 is set to a speed that allows adhesive material floating on the substrate W1 to be discharged to the outside of the substrate W1. The processing time is set to the set rotation speed of the table 20 and to the time required for all adhesive material to be discharged from the substrate W1. The discharge amount of DIW, the rotation speed of the table 20, and the processing time are determined and set in advance through experiments and the like.

ステップ3において、図8に示すように、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWの液膜が形成され続け、また、基板W1の上面には溶剤の液膜が形成され続ける。テーブル20の回転数が上がり(20→400rpm)、処理対象物W上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、振動する一本のチャックピン23を避けるように処理対象物Wから流れ落ちる。ステップ3は、ステップ2で溶融して基板W1上の溶剤に浮遊する接着物を処理対象物Wから排出するためのステップである。 In step 3, as shown in FIG. 8, a DIW liquid film continues to be formed between the substrate W1 and the ring W2 of the processing object W, and a solvent liquid film continues to be formed on the upper surface of the substrate W1. . As the rotation speed of the table 20 increases (from 20 to 400 rpm), the adhesive floating in the solvent liquid film on the processing object W is removed from the DIW liquid film existing between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2. It flows together with the solvent flowing above, and flows down from the object W to be processed, avoiding the vibrating single chuck pin 23. Step 3 is a step for discharging from the processing object W the adhesive that was melted in Step 2 and floated in the solvent on the substrate W1.

なお、ステップ3において、ノズル51による溶剤の供給と、第1のノズル61によるDIWの供給は、前述のステップ2と同じであるが、加えて、第2のノズル62によるDIWの供給が行われる。第2のノズル62から吐出されたDIWは、基板W1の上面から流れてくる溶剤に混和することなく、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に到達し、基板W1とリングW2との間に流れ込み、基板W1、リングW2及びダイシングテープW3により囲まれる空間に溜まる。テーブル20の回転数が上がると(20→400rpm)、遠心力が働いて、第1のノズル61から吐出されたDIWが基板W1及びリングW2の間に流れ込み難くなり、ダイシングテープW3の露出面(粘着面)に形成される液膜が薄くなる。また、露出面の一部では、液膜が完全にない状態になる。ところが、第2のノズル62から吐出されたDIWが基板W1及びリングW2の間に供給され、基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さ(膜厚)が維持されるので、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面はDIWの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル20の回転数を上げても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。 Note that in step 3, the supply of solvent by the nozzle 51 and the supply of DIW by the first nozzle 61 are the same as in step 2 described above, but in addition, DIW is supplied by the second nozzle 62. . The DIW discharged from the second nozzle 62 reaches the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W1 on the table 20 without being mixed with the solvent flowing from the upper surface of the substrate W1, and the DIW reaches the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W1 on the table 20, and the DIW is attached to the substrate W1 and the ring. W2, and accumulates in the space surrounded by the substrate W1, ring W2, and dicing tape W3. When the rotation speed of the table 20 increases (from 20 to 400 rpm), centrifugal force acts, making it difficult for the DIW discharged from the first nozzle 61 to flow between the substrate W1 and the ring W2, and the exposed surface of the dicing tape W3 ( The liquid film formed on the adhesive surface becomes thinner. In addition, a part of the exposed surface is completely free of liquid film. However, the DIW discharged from the second nozzle 62 is supplied between the substrate W1 and the ring W2, and the thickness of the DIW liquid film (film thickness) between the substrate W1 and the ring W2 is maintained. During the supply of DIW, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is reliably covered with a liquid film of DIW. As a result, even if the rotation speed of the table 20 is increased, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 remains covered with the DIW liquid film. As a result, the adhesive floating in the liquid film of the solvent on the substrate W1 flows together with the solvent flowing on the liquid film of DIW existing between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, and the object to be processed is The adhesive is discharged from the W together with the solvent. Therefore, it is possible to prevent the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

前述したように、第1のノズル61による供給だけでは、DIWの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第2のノズル62により、更に液量をアシストすることでDIWの液膜の形成を維持するようにする。さらに、第2のノズル62は、処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板W1とリングW2の間にDIW液膜を形成できるようにしている。リングW2の上面に第2のノズル62からDIWを供給しても、回転数が第2の回転数になることで遠心力が増えるので、DIWがリングW2の内側に流れず外側に排出されてしまう。このため、第2のノズル62によって、基板W1の外周端部にDIWを供給し、その外周端部の外側に位置する、基板W1とリングW2の間のダイシングテープの粘着面にDIWが流れ、そこにDIWの液膜を形成するようにしている。なお、ステップ3でも溶剤(第1の処理液)を供給しており、ステップ4で溶剤の供給を停止する。 As mentioned above, if only the first nozzle 61 supplies the liquid, the DIW liquid film becomes thin or disappears, so the second nozzle 62 further assists the liquid volume to increase the DIW. Try to maintain the formation of a liquid film. Further, the second nozzle 62 discharges DIW toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W, thereby creating a DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2, taking into consideration the influence of centrifugal force. This allows for the formation of Even if DIW is supplied from the second nozzle 62 to the upper surface of the ring W2, centrifugal force increases as the rotational speed reaches the second rotational speed, so the DIW does not flow inside the ring W2 but is discharged to the outside. Put it away. Therefore, the second nozzle 62 supplies DIW to the outer peripheral edge of the substrate W1, and the DIW flows onto the adhesive surface of the dicing tape between the substrate W1 and the ring W2, which is located outside the outer peripheral edge. A liquid film of DIW is formed there. Note that the solvent (first processing liquid) is also supplied in step 3, and the supply of the solvent is stopped in step 4.

また、処理対象物Wから接着物を排出するため、テーブル20の回転数をステップ2より上げる(20→400rpm)。これにより、処理対象物W上での遠心力が強くなり、処理対象物Wからの接着物排出が促進されるので、溶剤と共に流れる接着物を排出する排出性能(接着物の排出性能)を向上させることができる。つまり、ステップ2で基板W1上に溶剤の液膜を形成し、基板W1の接着物を溶融して溶剤の液膜に浮遊させ、ステップ3でテーブル20の回転数を上げ、溶剤に浮遊する接着物を処理対象物W上から溶剤と共に排出する。テーブル20の回転数を上げることによって、接着物の排出性能を向上させることが可能である。このように接着物の排出性能が向上するため、基板W1から除去された接着物が基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面や各チャックピン23に付着することを抑えることができる。つまり、基板W1の回転数(回転速度)を上昇させることで、遠心力を発生させ、基板W1の表面上に浮遊した接着物を遠心力で基板W1の外側に排出する。これにより、基板W1の表面上から接着物を除去することができる。なお、基板W1の回転数を上昇した際にも、基板W1中央に溶剤の供給を継続している。これは、基板W1の表面上の液膜が遠心力により薄くなり、基板W1の表面上から剥離した接着物が、再度基板W1の表面上に付着することを抑えるためである。さらに、基板W1上から接着物を排出する排出性能を補助もする。 Furthermore, in order to discharge the adhesive from the object W to be processed, the rotation speed of the table 20 is increased from step 2 (from 20 to 400 rpm). This strengthens the centrifugal force on the object W to be processed and promotes the discharge of the adhesive from the object W, improving the discharge performance for discharging the adhesive flowing together with the solvent (adhesive discharge performance). can be done. That is, in step 2, a liquid film of solvent is formed on the substrate W1, the adhesive on the substrate W1 is melted and suspended in the liquid film of solvent, and in step 3, the rotation speed of the table 20 is increased, and the adhesive material floating in the solvent is The object is discharged from above the object W to be treated together with the solvent. By increasing the rotation speed of the table 20, it is possible to improve the adhesive discharge performance. Since the adhesive discharge performance is improved in this way, it is possible to prevent the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to each chuck pin 23. . That is, by increasing the number of rotations (rotational speed) of the substrate W1, centrifugal force is generated, and the adhesive material floating on the surface of the substrate W1 is discharged to the outside of the substrate W1 by the centrifugal force. Thereby, the adhesive can be removed from the surface of the substrate W1. Note that even when the rotational speed of the substrate W1 is increased, the supply of the solvent to the center of the substrate W1 is continued. This is to prevent the liquid film on the surface of the substrate W1 from becoming thinner due to centrifugal force and the adhesive material peeled off from the surface of the substrate W1 from adhering to the surface of the substrate W1 again. Furthermore, it also assists in the discharge performance of discharging the adhesive material from the substrate W1.

また、テーブル20の回転数が上がると(20→400rpm)、テーブル20の回転数が低い場合に比べ、各チャックピン23によりテーブル20上の処理対象物Wをテーブル20に固定するために大きな固定力(保持力)が必要となる。このため、各チャックピン23による固定力が不十分となる可能性がある場合には、テーブル20の回転数の上昇に応じて、全チャックピン23のうち振動させるチャックピン23の個数を減らす(4→1個)。これにより、テーブル20の回転数を上げても、処理対象物Wを固定する固定力を維持しつつ、基板W1から除去された接着物がチャックピン23に付着することを抑えることができる。 Furthermore, when the rotation speed of the table 20 increases (from 20 to 400 rpm), compared to when the rotation speed of the table 20 is low, the workpiece W on the table 20 is fixed by the chuck pins 23 to a greater degree. Force (holding force) is required. Therefore, if there is a possibility that the fixing force of each chuck pin 23 is insufficient, the number of chuck pins 23 to be vibrated out of all the chuck pins 23 is reduced as the rotation speed of the table 20 increases ( 4 → 1 piece). As a result, even if the rotation speed of the table 20 is increased, the fixing force for fixing the object W to be processed can be maintained, and the adhesive removed from the substrate W1 can be prevented from adhering to the chuck pins 23.

ステップ4では、各振動子31が振動を停止し、IPAだけがノズル51から回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に供給される。このステップ4では、テーブル20の回転数は400rpmであり、処理時間(吐出時間)は60sである。なお、ノズル51から供給されるIPAの量は200ml/minである(不図示)。 In step 4, each vibrator 31 stops vibrating, and only IPA is supplied from the nozzle 51 to the vicinity of the center of the substrate W1 of the processing target W on the rotating table 20. In step 4, the rotation speed of the table 20 is 400 rpm, and the processing time (discharge time) is 60 seconds. Note that the amount of IPA supplied from the nozzle 51 is 200 ml/min (not shown).

ステップ4において、基板W1上に残留する溶剤を除去するため、IPAを供給する。なお、溶剤を排出するためには、溶剤と混和可能であり揮発性が高い液体を用いることが好ましい。テーブル20の回転数(回転速度)は、基板W1上に残留する処理液を基板W1外に排出させることができる速度に設定されている。処理時間は、設定されたテーブル20の回転数とともに、溶剤の残留が基板W1上からすべて無くなる時間に設定されている。テーブル20の回転数及び処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 In step 4, IPA is supplied to remove the solvent remaining on the substrate W1. Note that in order to discharge the solvent, it is preferable to use a liquid that is miscible with the solvent and has high volatility. The number of rotations (rotational speed) of the table 20 is set to a speed that allows the processing liquid remaining on the substrate W1 to be discharged to the outside of the substrate W1. The processing time is set at the set rotation speed of the table 20 and at a time at which all residual solvent is removed from the substrate W1. The rotation speed of the table 20 and the processing time are determined and set in advance through experiments and the like.

ステップ5では、全ての液供給が無い状態で、高速回転により乾燥が行われる。このステップ5では、テーブル20の回転数は1000rpmであり、処理時間は50sである。基板W1上が乾燥するのに必要な回転数、処理時間は、予め実験などで求められ設定されている。 In step 5, drying is performed by high speed rotation without any liquid being supplied. In this step 5, the rotation speed of the table 20 is 1000 rpm, and the processing time is 50 seconds. The number of revolutions and processing time necessary for drying the top of the substrate W1 are determined and set in advance through experiments and the like.

ステップ6では、高速回転により乾燥を停止するため、全ての液供給が無い状態で、回転速度が遅くされる。このステップ6では、テーブル20の回転数は50rpmであり、処理時間は10sである。 In step 6, in order to stop drying by high-speed rotation, the rotation speed is slowed down without any liquid being supplied. In step 6, the rotation speed of the table 20 is 50 rpm, and the processing time is 10 seconds.

前述の基板処理工程では、ステップ2及びステップ3において、回転機構40により回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の上面に溶剤が供給されている状態で、各振動子31は振動する。つまり、溶剤が供給されている間に、全ての振動子31が振動するため、全てのチャックピン23が振動することになる。基板W1から除去された接着物は、溶剤と共に流れるが、振動するチャックピン23により生じる波によって、振動するチャックピン23に近づけず、振動するチャックピン23を避けるように溶剤と共に処理対象物Wから排出される。これにより、接着物がチャックピン23に付着することが抑えられる。また、基板W1から除去された接着物が、振動していないチャックピン23に付着したとしても、そのチャックピン23が振動すると、付着した接着物はチャックピン23から離れ、溶剤と共に処理対象物Wから排出される。これにより、接着物がチャックピン23に付着し続けることが抑えられる。したがって、チャックピン23に付着した接着物が、搬送工程などでチャックピン23から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。なお、例えば、接着物がチャックピン23に付くと、次に搬送されてきた未処理の処理対象物Wが、汚染されたチャックピン23によって保持されることになる。これにより、リングW2に接着物が付着してしまい、そのまま処理が進むと搬送工程やダイシング工程などで基板W1に影響を与えることがある。 In the above-described substrate processing process, in steps 2 and 3, each vibrator 31 vibrates while the solvent is being supplied to the upper surface of the substrate W1 of the processing target W on the table 20 rotated by the rotation mechanism 40. . In other words, all the vibrators 31 vibrate while the solvent is being supplied, so all the chuck pins 23 vibrate. The adhesive removed from the substrate W1 flows together with the solvent, but the waves generated by the vibrating chuck pin 23 prevent it from coming close to the vibrating chuck pin 23, and the adhesive flows away from the object W together with the solvent to avoid the vibrating chuck pin 23. It is discharged. This prevents the adhesive from adhering to the chuck pin 23. Further, even if the adhesive removed from the substrate W1 adheres to the chuck pin 23 that is not vibrating, when the chuck pin 23 vibrates, the adhered substance separates from the chuck pin 23 and the object to be processed W together with the solvent. is discharged from. This prevents the adhesive from continuing to adhere to the chuck pin 23. Therefore, the adhesive material attached to the chuck pin 23 is prevented from being separated from the chuck pin 23 and attached to the substrate W1 during the transportation process, etc., and contaminating the substrate W1, so that the quality of the substrate can be improved. Note that, for example, if the adhesive adheres to the chuck pin 23, the unprocessed object W that is transported next will be held by the contaminated chuck pin 23. As a result, the adhesive adheres to the ring W2, and if the process continues as it is, it may affect the substrate W1 during the transportation process, dicing process, etc.

また、ステップ2において、第1のノズル61は、回転機構40により回転するテーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けてDIWを吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWを供給する。これにより、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面がDIWの液膜により覆われる。この状態で、ノズル51は、回転機構40により回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の中央付近に向けて溶剤を吐出する。また、ステップ3において、テーブル20の回転数が上昇すると、第2のノズル62は、回転機構40により回転するテーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間にDIWを供給する。これにより、テーブル20の回転数が例えば100rpm以上に上昇し(高速回転)、基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さが薄くなっても、その基板W1及びリングW2の間にDIWが供給され、基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さが保持される。したがって、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態が確実に維持される。 Further, in step 2, the first nozzle 61 discharges DIW toward the upper surface of the ring W2 of the object to be processed W on the table 20 rotated by the rotation mechanism 40, and the substrate W1 and the ring W2 of the object to be processed W are DIW is supplied between the As a result, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and the upper surface of the ring W2 are covered with the DIW liquid film. In this state, the nozzle 51 discharges the solvent toward the vicinity of the center of the substrate W1 of the processing target W on the table 20 rotated by the rotation mechanism 40. Further, in step 3, when the rotation speed of the table 20 increases, the second nozzle 62 discharges DIW toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W on the table 20 rotated by the rotation mechanism 40. , DIW is supplied between the substrate W1 and the ring W2 of the object W to be processed. As a result, even if the rotational speed of the table 20 increases to, for example, 100 rpm or more (high-speed rotation) and the thickness of the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 becomes thin, there is a gap between the substrate W1 and the ring W2. DIW is supplied and the thickness of the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 is maintained. Therefore, the state in which the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is covered with the DIW liquid film is reliably maintained.

このようにして、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面は、DIWの液膜により確実に覆われている。これにより、基板W1から除去された接着物が溶剤と共に基板W1から排出されても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程(例えば後工程)などでダイシングテープW3やリングW2から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。 In this manner, while the solvent is being supplied, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 and the upper surface of the ring W2 are reliably covered with the DIW liquid film. Thereby, even if the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the substrate W1 together with the solvent, it is prevented from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or the upper surface of the ring W2. Therefore, the adhesive adhered to the adhesive surface of the dicing tape W3 and the upper surface of the ring W2 separates from the dicing tape W3 and the ring W2 during the conveyance process and the dicing process (for example, post-process), and adheres to the substrate W1, causing the substrate W1 to Since contamination is suppressed, substrate quality can be improved.

ここで、例えば、第1のノズル61が基板W1の外周端部に供給すると、DIWが基板W1の端面側から中心方向に広がってしまう。つまり、第1の回転数では、遠心力が弱いから基板W1の外周に排出する性能が出ない。このため、基板W1の中心方向にDIWが広がると、ステップ2で基板W1の中心に供給される溶剤が基板W1の外周に広がるのを阻害し、溶剤が基板W1の外周部における接着物と反応することができなくなる。前述したように、DIWと第1の処理液である溶剤は混和しないものであり、DIWの方が第1の処理液である溶剤より比重が大きい。そのため、DIWが基板W1の外周端部から中心方向に広がると、基板W1の中心から供給された溶剤が、基板W1の外周付近で、DIWとは混和せずにDIWの上を流れる状態になる。つまり、基板W1の外周付近は、溶剤が基板W1上の接着物に接触することが難しくなり、基板W1上の接着物に対して溶剤を供給することができない。つまり、テーブル20の回転数に応じてDIWの供給位置を変えている理由は、上記したように、基板W1上に供給される第1の処理液である溶剤が、DIWによって阻害されることなく、基板W1の外周までに広がり、基板W1上の接着物の剥離を確実に行うことと、基板W1とリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に接着物の付着を抑制するためである。 Here, for example, if the first nozzle 61 supplies the DIW to the outer peripheral edge of the substrate W1, the DIW will spread from the end surface side of the substrate W1 toward the center. In other words, at the first rotation speed, the centrifugal force is weak, so the performance of discharging to the outer periphery of the substrate W1 cannot be achieved. Therefore, when the DIW spreads toward the center of the substrate W1, the solvent supplied to the center of the substrate W1 in step 2 is inhibited from spreading to the outer periphery of the substrate W1, and the solvent reacts with the adhesive on the outer periphery of the substrate W1. become unable to do so. As described above, DIW and the first processing liquid, which is the solvent, are immiscible, and DIW has a higher specific gravity than the first processing liquid, which is the solvent. Therefore, when the DIW spreads from the outer edge of the substrate W1 toward the center, the solvent supplied from the center of the substrate W1 flows over the DIW without being mixed with the DIW near the outer circumference of the substrate W1. . That is, near the outer periphery of the substrate W1, it becomes difficult for the solvent to come into contact with the adhesive on the substrate W1, and the solvent cannot be supplied to the adhesive on the substrate W1. In other words, the reason why the DIW supply position is changed according to the rotation speed of the table 20 is that, as described above, the solvent, which is the first processing liquid, is supplied onto the substrate W1 without being inhibited by the DIW. This is to ensure that the adhesive material spreads to the outer periphery of the substrate W1 and is removed from the substrate W1, and to suppress adhesion of the adhesive material to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

以上説明したように、第1の実施形態によれば、処理液供給部50により第1の処理液(例えば、溶剤)が処理対象物Wに供給されている状態で、振動部30により各チャックピン23の全てを振動させる。基板W1から除去された接着物は、第1の処理液と共に流れるが、振動するチャックピン23により生じる波によって、振動するチャックピン23を避けるように第1の処理液と共に処理対象物Wから排出されるので、接着物がチャックピン23に付着することが抑えられる。したがって、チャックピン23に付着した接着物が、搬送工程などでチャックピン23から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を向上させることができる。 As described above, according to the first embodiment, while the first processing liquid (for example, a solvent) is being supplied to the processing object W by the processing liquid supply section 50, the vibrating section 30 moves each chuck All pins 23 are vibrated. The adhesive removed from the substrate W1 flows together with the first processing liquid, but due to the waves generated by the vibrating chuck pin 23, it is discharged from the processing object W together with the first processing liquid so as to avoid the vibrating chuck pin 23. Therefore, adhesion of the adhesive to the chuck pin 23 is suppressed. Therefore, the adhesive material attached to the chuck pin 23 is prevented from being separated from the chuck pin 23 and attached to the substrate W1 during the transportation process, etc., and contaminating the substrate W1, so that the quality of the substrate can be improved.

また、振動部30は、テーブル20の回転数に応じ、各チャックピン23のうち振動させるチャックピン23の個数を変える。これにより、テーブル20の回転数の上昇や下降に応じて、各チャックピン23により処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を調整することが可能になる。例えば、テーブル20の回転数を上げる場合には、処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を確保するため、振動させるチャックピン23の個数を減らす。一方、テーブル20の回転数を下げる場合には、必要とする固定力を確保できる範囲内において、振動させるチャックピン23の個数を増やす。このようにして、処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を確保しつつ、基板W1から除去された接着物がチャックピン23に付着することを抑えることができる。 Further, the vibrating section 30 changes the number of chuck pins 23 to be vibrated among the chuck pins 23 according to the rotation speed of the table 20. This makes it possible to adjust the fixing force for fixing the processing object W to the table 20 by each chuck pin 23 in accordance with the rise or fall of the rotation speed of the table 20. For example, when increasing the rotation speed of the table 20, the number of vibrating chuck pins 23 is reduced in order to ensure the fixing force for fixing the processing target W to the table 20. On the other hand, when lowering the rotation speed of the table 20, the number of chuck pins 23 to be vibrated is increased within a range that can secure the required fixing force. In this way, it is possible to prevent the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the chuck pins 23 while ensuring the fixing force for fixing the processing target W to the table 20.

また、各振動子31を各カバー32によりそれぞれ覆うことによって、各振動子31が露出することを抑制することが可能となり、各振動子31が処理液などによって汚染されることを抑えることができる。これにより、振動子31の汚染に起因して基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In addition, by covering each vibrator 31 with each cover 32, it is possible to prevent each vibrator 31 from being exposed, and it is possible to prevent each vibrator 31 from being contaminated by processing liquid or the like. . This suppresses contamination of the substrate W1 due to contamination of the vibrator 31, so that the quality of the substrate can be reliably improved.

また、第1の実施形態によれば、処理対象物Wをテーブル20により支持し、そのテーブル20を回転機構40により回転させ、テーブル20の回転数に応じて、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、又は、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて、第1の処理液(例えば、溶剤)に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい液体(例えば、DIW)を吐出し、処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に液体を供給し、液体が処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に供給されている状態で、回転するテーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の上面に処理液を供給する。 Further, according to the first embodiment, the processing target W is supported by the table 20, the table 20 is rotated by the rotation mechanism 40, and the processing target W supported by the table 20 is rotated according to the rotation speed of the table 20. A first processing liquid that is not mixed with the first processing liquid (for example, a solvent) is applied toward the upper surface of the ring W2 of the object W or the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20. A liquid having a specific gravity (for example, DIW) is discharged, and the liquid is supplied between the substrate W1 and the ring W2 of the object to be processed W, and the liquid is supplied between the substrate W1 and the ring W2 of the object to be processed W. While being supplied, the processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate W1 of the processing object W supported by the rotating table 20.

つまり、第1の処理液に混和せず第1の処理液よりも比重が大きい液体が基板W1及びリングW2の間に流れ込み、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われる。このため、基板W1から除去された接着物は、基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる第1の処理液と共に処理対象物Wから排出されるので、その際に基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することが抑えられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面に付着した接着物が、搬送工程やダイシング工程などでダイシングテープW3から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが抑制されるので、基板品質を確実に向上させることができる。 In other words, a liquid that is not miscible with the first processing liquid and has a higher specific gravity than the first processing liquid flows between the substrate W1 and the ring W2, and the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 becomes DIW. Covered by a liquid film. Therefore, the adhesive removed from the substrate W1 is discharged from the processing object W together with the first processing liquid flowing on the DIW liquid film existing between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2. Therefore, at that time, adhesion to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is suppressed. Therefore, the adhesive material attached to the adhesive surface of the dicing tape W3 is prevented from separating from the dicing tape W3 and adhering to the substrate W1 during the transportation process, dicing process, etc., and contaminating the substrate W1, thereby improving the substrate quality. It can definitely be improved.

また、リングW2の上面の高さが基板W1の上面の高さより低くなる位置でテーブル20が処理対象物Wを支持することで、接着物の排出性能を向上させることが可能になり、また、リングW2の上面を液膜により覆うことが可能になる。これにより、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着することが確実に抑えられる。したがって、ダイシングテープW3の粘着面やリングW2の上面に付着した接着物が、搬送途中やダイシング工程などの後工程でダイシングテープW3やリングW2から離れて基板W1に付着し、基板W1が汚染されることが確実に抑制されるので、基板品質をより確実に向上させることができる。 Furthermore, by having the table 20 support the object W to be processed at a position where the height of the top surface of the ring W2 is lower than the height of the top surface of the substrate W1, it becomes possible to improve the performance of discharging the adhesive material, and It becomes possible to cover the upper surface of the ring W2 with a liquid film. This reliably prevents the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 or to the upper surface of the ring W2. Therefore, the adhesive adhered to the adhesive surface of the dicing tape W3 and the upper surface of the ring W2 separates from the dicing tape W3 and the ring W2 and adheres to the substrate W1 during transportation and in subsequent processes such as the dicing process, thereby contaminating the substrate W1. Since it is reliably suppressed, the quality of the substrate can be improved more reliably.

また、第2のノズル62によるDIWの供給が行われる。第1のノズル61による供給だけでは、DIWの液膜が薄くなる状態及び液膜が無くなる状態になるので、第2のノズル62により、更に液量をアシストすることでDIWの液膜を維持する。さらに、第2のノズル62は、処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けてDIWを吐出することで、遠心力の影響を考慮して、基板W1とリングW2の間にDIWの液膜を形成する。これにより基板W1及びリングW2の間のDIWの液膜の厚さ(膜厚)が維持されるので、溶剤の供給中、基板W1とリングW2との間のダイシングテープW3の粘着面はDIWの液膜により確実に覆われる。これにより、テーブル20の回転数を上げても、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面がDIWの液膜により覆われている状態となる。結果として、基板W1上の溶剤の液膜に浮遊する接着物は、基板W1基板W1及びリングW2の間やリングW2の上面に存在するDIWの液膜の上を流れる溶剤と共に流れ、処理対象物Wから接着物が溶剤と共に排出される。したがって、基板W1から除去された接着物が、基板W1及びリングW2の間のダイシングテープW3の粘着面に付着することを抑えることができる。 Further, DIW is supplied by the second nozzle 62. If only the first nozzle 61 supplies the liquid, the DIW liquid film becomes thin or disappears, so the second nozzle 62 further assists the liquid amount to maintain the DIW liquid film. . Further, the second nozzle 62 discharges DIW toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the processing target W, so that the DIW liquid is disposed between the substrate W1 and the ring W2 in consideration of the influence of centrifugal force. Forms a film. As a result, the thickness of the DIW liquid film between the substrate W1 and the ring W2 is maintained, so during the supply of the solvent, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 is Reliably covered by a liquid film. As a result, even if the rotation speed of the table 20 is increased, the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2 remains covered with the DIW liquid film. As a result, the adhesive floating in the liquid film of the solvent on the substrate W1 flows together with the solvent flowing on the liquid film of DIW existing between the substrate W1 and the ring W2 and on the upper surface of the ring W2, and the object to be processed is The adhesive is discharged from the W together with the solvent. Therefore, the adhesive removed from the substrate W1 can be prevented from adhering to the adhesive surface of the dicing tape W3 between the substrate W1 and the ring W2.

<第2の実施形態>
第2の実施形態について図9を参照して説明する。なお、第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点(振動子配置)について説明し、その他の説明は省略する。
<Second embodiment>
A second embodiment will be described with reference to FIG. 9. Note that, in the second embodiment, differences from the first embodiment (vibrator arrangement) will be explained, and other explanations will be omitted.

図9に示すように、第2の実施形態に係る各振動子31は、各チャックピン23の上部にそれぞれ内蔵されている。これにより、各振動子31は露出することがなく、第1の実施形態に係る各カバー32が不要となる。 As shown in FIG. 9, each vibrator 31 according to the second embodiment is built in the upper part of each chuck pin 23, respectively. As a result, each vibrator 31 is not exposed, and each cover 32 according to the first embodiment is not required.

以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、各振動子31を各チャックピン23の個々の内部にそれぞれ設けることによって、第1の実施形態に係る各カバー32を設けなくても、各振動子31が露出することを抑制することが可能となり、各振動子31が汚染されることを抑えることができる。これにより、振動子31の汚染に起因して基板W1が汚染されることが抑制されるので、装置構成を簡略化しつつ、基板品質を向上させることができる。 As explained above, according to the second embodiment, the same effects as the first embodiment can be obtained. In addition, by providing each vibrator 31 inside each chuck pin 23, it is possible to prevent each vibrator 31 from being exposed even without providing each cover 32 according to the first embodiment. This makes it possible to prevent each vibrator 31 from being contaminated. This suppresses contamination of the substrate W1 due to contamination of the vibrator 31, so that the quality of the substrate can be improved while simplifying the device configuration.

<他の実施形態>
前述の説明においては、各振動子31を各チャックピン23の個々の上部にそれぞれ露出させて設けたり、各チャックピン23の個々の上部にそれぞれ内蔵させて設けたりすることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各チャックピン23の個々の下部や中間部などに露出させて設けたり、内蔵させて設けたりするようにしてもよい。
<Other embodiments>
In the above description, each vibrator 31 is provided as an exposed upper part of each chuck pin 23, or is provided built-in in each upper part of each chuck pin 23. For example, the chuck pins 23 may be provided exposed at the lower or intermediate portions of each chuck pin 23, or may be provided internally.

また、前述の説明においては、チャックピン23に振動子31を設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、振動子31をチャックピン23から離してその近傍に位置付け、振動子により液を振動させて各チャックピン23に接着物が付着することを抑制するようにしてもよい。また、振動子31をテーブル20に内蔵させ、振動子31からの振動を、テーブル20を介してチャックピン23に伝達することも可能である。 Further, in the above description, although the example of providing the vibrator 31 on the chuck pin 23 has been described, the present invention is not limited to this. The liquid may be vibrated to prevent the adhesive from adhering to each chuck pin 23. It is also possible to incorporate the vibrator 31 into the table 20 and transmit the vibration from the vibrator 31 to the chuck pin 23 via the table 20.

また、前述の説明においては、各振動子31を数秒の所定時間ごとに基板W1の円周方向に振動させることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、各振動子31の振動パターンは各種あり、各振動子31を所定パターンの順序で振動させるようにしてもよく、また、不規則に振動させるようにしてもよい。なお、各振動子31を選択的に振動させ、各チャックピン23のいずれかを振動させているが、全てのチャックピン23を選択的に振動させて、最終的には全てのチャックピン23を振動させる。つまり、処理液を供給している間に、全てのチャックピン23を振動させることになる。また、全てのチャックピン23を同時に振動させることも可能である。 Further, in the above description, the example is shown in which each vibrator 31 is vibrated in the circumferential direction of the substrate W1 every several seconds, but the vibration pattern of each vibrator 31 is not limited to this. There are various types of vibrators 31, and each vibrator 31 may be vibrated in a predetermined pattern order or may be vibrated irregularly. Note that each vibrator 31 is selectively vibrated to vibrate one of the chuck pins 23, but all the chuck pins 23 are selectively vibrated and eventually all the chuck pins 23 are vibrated. make it vibrate. In other words, all the chuck pins 23 are vibrated while the processing liquid is being supplied. It is also possible to vibrate all the chuck pins 23 at the same time.

また、前述の説明においては、各振動子31の振動により各チャックピン23のいずれかを振動させてからテーブル20上の処理対象物Wに対する処理液の供給を開始することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル20上の処理対象物Wに対する処理液の供給を開始してから、各振動子31の振動により各チャックピン23のいずれかを振動させるようにしてもよい。すなわち、処理液の供給開前に各チャックピン23の振動を開始するようにしてもよく、また、処理液の供給開始後に各チャックピン23の振動を開始するようにしてもよいが、いずれの場合でも、処理液が処理対象物Wに供給されている状態で、各チャックピン23のいずれかを振動させることになる。 Furthermore, in the above description, an example was given in which the supply of the processing liquid to the processing object W on the table 20 is started after vibrating one of the chuck pins 23 by the vibration of each vibrator 31. However, the present invention is not limited to this, and for example, after the supply of the processing liquid to the object W on the table 20 is started, any one of the chuck pins 23 may be caused to vibrate by the vibration of each vibrator 31. That is, the vibration of each chuck pin 23 may be started before the supply of the processing liquid is started, or the vibration of each chuck pin 23 may be started after the supply of the processing liquid is started. Even in this case, one of the chuck pins 23 is vibrated while the processing liquid is being supplied to the object W to be processed.

また、前述の説明においては、各振動子31の個々の振動数を同じで一定にすることを例示したが、これに限るものではなく、各振動子31の個々の振動数を異ならせてもよく、あるいは、一定ではなく変化させるようにしてもよい。例えば、各振動子31の個々の振動数を全て異ならせたり、組ごとに異ならせたりする。また、テーブル20の回転数に応じ、各振動子31の個々の振動数を変える。これにより、テーブル20の回転数の上昇や下降に応じて、各チャックピン23により処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を調整することが可能になる。例えば、テーブル20の回転数を上げる場合には、処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を確保するため、振動子31の振動数を下げる。一方、テーブル20の回転数を下げる場合には、必要とする固定力を確保できる範囲内において、振動子31の振動数を上げる。このようにして、処理対象物Wをテーブル20に固定する固定力を確保しつつ、基板W1から除去された接着物がチャックピン23に付着することを抑えることができる。なお、テーブル20の回転数に応じて振動子31の振動数を変えることと、テーブル20の回転数に応じて振動させる振動子31(チャックピン23)の個数を変えることを組み合わせることも可能である。 In addition, in the above description, the individual vibration frequencies of each vibrator 31 are set to be the same and constant, but the invention is not limited to this, and the individual vibration frequencies of each vibrator 31 may be made to be different. Alternatively, it may be changed instead of being constant. For example, the individual vibration frequencies of each vibrator 31 may be made to be different, or may be made to be different for each set. Further, the individual frequency of each vibrator 31 is changed depending on the rotation speed of the table 20. This makes it possible to adjust the fixing force for fixing the processing object W to the table 20 by each chuck pin 23 in accordance with the rise or fall of the rotation speed of the table 20. For example, when increasing the rotation speed of the table 20, the frequency of the vibrator 31 is lowered in order to secure the fixing force for fixing the object W to the table 20. On the other hand, when lowering the rotation speed of the table 20, the frequency of the vibrator 31 is increased within a range that can secure the required fixing force. In this way, it is possible to prevent the adhesive removed from the substrate W1 from adhering to the chuck pins 23 while ensuring the fixing force for fixing the processing target W to the table 20. Note that it is also possible to combine changing the frequency of the vibrator 31 according to the rotation speed of the table 20 and changing the number of vibrators 31 (chuck pins 23) to be vibrated according to the rotation speed of the table 20. be.

なお、前述の説明において、各振動子31の個々の振動数は、チャックピン23に接着物が付着することを抑制できる振動数になるように予め実験などで求められ設定されている。 In the above description, the individual vibration frequencies of each vibrator 31 are determined and set in advance through experiments or the like so that the vibration frequency can suppress the adhesion of the adhesive material to the chuck pin 23.

また、前述の説明においては、振動子31としてのMEMS振動子又は水晶振動子、圧電素子をチャックピン23に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、振動子31としてのMEMS振動子及び発振回路を有するMEMS発振器、あるいは、振動子31としての水晶振動子及び発振回路を有する水晶発振器をチャックピン23に設けるようにしてもよい。 In addition, in the above description, it has been exemplified that a MEMS resonator, a crystal resonator, or a piezoelectric element as the resonator 31 is provided on the chuck pin 23, but the invention is not limited to this. A MEMS oscillator having a vibrator and an oscillation circuit, or a crystal oscillator having a crystal vibrator as the vibrator 31 and an oscillation circuit may be provided on the chuck pin 23.

また、前述の説明においては、テーブル20の回転数に応じて、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、あるいは、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液供給部60により液体を吐出することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1とリングW2との間に向けて吐出するようにしてもよい。なお、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面及び基板W1の外周端部の両方に同時に液体を供給することも可能であり、テーブル20により支持された処理対象物Wの基板W1の外周端部及び基板W1とリングW2との間の両方に、また、テーブル20により支持された処理対象物WのリングW2の上面、基板W1の外周端部及び基板W1とリングW2との間の三個所に同時に液体を供給することも可能である。 In the above description, depending on the rotation speed of the table 20, the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, or the outer periphery of the substrate W1 of the processing object W supported by the table 20. Although the liquid supply section 60 is exemplified to eject the liquid toward the end, the invention is not limited to this, and for example, the liquid may be ejected between the substrate W1 and the ring W2 of the processing target W supported by the table 20. Alternatively, the liquid may be discharged. Note that it is also possible to simultaneously supply the liquid to both the upper surface of the ring W2 of the object to be processed W supported by the table 20 and the outer peripheral end of the substrate W1, and the substrate of the object to be processed W supported by the table 20 Both at the outer peripheral edge of W1 and between the substrate W1 and the ring W2, and also at the upper surface of the ring W2 of the processing object W supported by the table 20, at the outer peripheral edge of the substrate W1, and between the substrate W1 and the ring W2. It is also possible to simultaneously supply liquid to three locations in between.

また、前述の説明においては、第1のノズル61及び第2のノズル62の二本のノズルを設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、第1のノズル61だけを設け、その第1のノズル61を移動機構により移動させて第2のノズル62のかわりに用いるようにしても良い。すなわち、第1のノズル61は、テーブル20の回転数が第1の回転数である場合、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて液体を吐出し、テーブル20の回転数が第2の回転数である場合、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液体を吐出する。なお、第1のノズル61は、テーブル20の回転数が第1の回転数から第2の回転数に変更される前に、テーブル20上の処理対象物WのリングW2の上面に向けて液体を吐出する位置から、テーブル20上の処理対象物Wの基板W1の外周端部に向けて液体を吐出する位置に移動する。また、第1のノズル61及び第2のノズル62のどちらか一方又は両方をリングW2及び基板W1の周方向に所定の間隔で複数設けることも可能である。 Further, in the above description, although the example of providing two nozzles, the first nozzle 61 and the second nozzle 62, is not limited to this, for example, providing only the first nozzle 61, The first nozzle 61 may be moved by a moving mechanism and used instead of the second nozzle 62. That is, when the number of rotations of the table 20 is the first number of rotations, the first nozzle 61 discharges the liquid toward the upper surface of the ring W2 of the object W to be processed on the table 20, and the number of rotations of the table 20 increases. is the second rotational speed, the liquid is discharged toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the object W to be processed on the table 20. Note that, before the rotation speed of the table 20 is changed from the first rotation speed to the second rotation speed, the first nozzle 61 sprays liquid toward the upper surface of the ring W2 of the processing target W on the table 20. from the position where the liquid is discharged to the position where the liquid is discharged toward the outer peripheral edge of the substrate W1 of the object W to be processed on the table 20. Further, it is also possible to provide a plurality of one or both of the first nozzle 61 and the second nozzle 62 at predetermined intervals in the circumferential direction of the ring W2 and the substrate W1.

また、前述の説明においては、第1のノズル61及び第2のノズル62は、鉛直方向に対して傾いていてもよく、鉛直方向に平行であってもよい。また、第1のノズル61の傾斜角度及び第2のノズル62の傾斜角度は同じであっても、異なっていてもよい。第1のノズル61及び第2のノズル62の個々の傾斜角度をテーブル20の回転数に応じて変更するようにしてもよく、例えば、連結部材やモータなどを有する角度変更機構(角度変更部)によりテーブル20の回転数に応じて変更するようにしてもよい。また、テーブル20の回転数ごとに傾斜角度の異なる複数のノズルを設けておき、それらのノズルをテーブル20の回転数に応じて選択して用い、テーブル20の回転数に応じてノズルの傾斜角度を変更するようにしてもよい。このようにして、第1のノズル61や第2のノズル62などのノズルがテーブル20上の処理対象物Wに対して液体を吐出する角度(吐出角度)を変更することができる。 Furthermore, in the above description, the first nozzle 61 and the second nozzle 62 may be inclined with respect to the vertical direction, or may be parallel to the vertical direction. Moreover, the inclination angle of the first nozzle 61 and the inclination angle of the second nozzle 62 may be the same or different. The individual inclination angles of the first nozzle 61 and the second nozzle 62 may be changed according to the rotation speed of the table 20, for example, an angle changing mechanism (angle changing unit) having a connecting member, a motor, etc. The rotation speed may be changed according to the rotation speed of the table 20. Further, a plurality of nozzles having different inclination angles are provided for each number of rotations of the table 20, and these nozzles are selected and used according to the number of rotations of the table 20. may be changed. In this way, the angle (discharge angle) at which the nozzles such as the first nozzle 61 and the second nozzle 62 discharge liquid onto the processing target W on the table 20 can be changed.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although several embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included within the scope and gist of the invention, as well as within the scope of the invention described in the claims and its equivalents.

10 基板処理装置
20 テーブル
23 チャックピン
30 振動部
31 振動子
32 カバー
50 処理液供給部
W 処理対象物
W1 基板
W2 リング
W3 ダイシングテープ
10 Substrate processing apparatus 20 Table 23 Chuck pin 30 Vibrating section 31 Vibrator 32 Cover 50 Processing liquid supply section W Processing object W1 Substrate W2 Ring W3 Dicing tape

Claims (4)

基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物を支持するテーブルと、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに固定する複数のチャックピンと、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、前記複数のチャックピンの全てを振動させる振動部と
前記テーブルを平面内で回転させる回転機構と、
を備え、
前記振動部は、前記回転機構により回転する前記テーブルの回転数に応じ、前記複数のチャックピンのうち振動させるチャックピンの個数を変える基板処理装置。
a table that supports a processing object, the table having a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape that adheres to a lower surface of the substrate and a lower surface of the ring;
a plurality of chuck pins that fix the object to be processed supported by the table to the table;
a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid for processing the substrate to the processing object fixed to the table by the plurality of chuck pins;
a vibration unit that vibrates all of the plurality of chuck pins while the processing liquid is being supplied to the object to be processed by the processing liquid supply unit ;
a rotation mechanism that rotates the table within a plane;
Equipped with
The vibration unit is a substrate processing apparatus that changes the number of chuck pins to be vibrated among the plurality of chuck pins according to the rotation speed of the table rotated by the rotation mechanism .
前記振動部は、
前記複数のチャックピンの全てに個別に設けられた複数の振動子と、
前記複数の振動子を個別に覆う複数のカバーと、
を有する請求項1に記載の基板処理装置。
The vibrating part is
a plurality of vibrators individually provided on all of the plurality of chuck pins;
a plurality of covers that individually cover the plurality of vibrators;
The substrate processing apparatus according to claim 1, having:
前記振動部は、前記複数のチャックピンの全てに個別に内蔵された複数の振動子を有する請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the vibrating section includes a plurality of vibrators individually built into all of the plurality of chuck pins. 基板と、前記基板の周囲を囲むリングと、前記基板の下面及び前記リングの下面に粘着するダイシングテープとを有する処理対象物をテーブルにより支持する工程と、
前記テーブルにより支持された前記処理対象物を前記テーブルに複数のチャックピンにより固定する工程と、
前記複数のチャックピンにより前記処理対象物が固定された前記テーブルを回転機構により回転させる工程と、
前記複数のチャックピンにより前記テーブルに固定された前記処理対象物に、前記基板を処理するための処理液を処理液供給部により供給する工程と、
前記処理液供給部により前記処理液が前記処理対象物に供給されている状態で、前記複数のチャックピンの全てを振動部により振動させる工程と、
を有し、
前記振動部は、前記回転機構により回転する前記テーブルの回転数に応じ、前記複数のチャックピンのうち振動させるチャックピンの個数を変える基板処理方法。
supporting on a table a processing object including a substrate, a ring surrounding the substrate, and a dicing tape that adheres to the lower surface of the substrate and the lower surface of the ring;
fixing the object to be processed supported by the table to the table with a plurality of chuck pins;
a step of rotating the table, on which the object to be processed is fixed by the plurality of chuck pins, by a rotation mechanism;
supplying a processing liquid for processing the substrate to the processing target fixed to the table by the plurality of chuck pins, by a processing liquid supply unit;
vibrating all of the plurality of chuck pins by a vibrator while the treatment liquid is being supplied to the object to be processed by the treatment liquid supply unit;
has
In the substrate processing method, the vibration section changes the number of chuck pins to be vibrated among the plurality of chuck pins according to the rotation speed of the table rotated by the rotation mechanism .
JP2019180982A 2019-09-30 2019-09-30 Substrate processing equipment and substrate processing method Active JP7451126B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019180982A JP7451126B2 (en) 2019-09-30 2019-09-30 Substrate processing equipment and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019180982A JP7451126B2 (en) 2019-09-30 2019-09-30 Substrate processing equipment and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021057500A JP2021057500A (en) 2021-04-08
JP7451126B2 true JP7451126B2 (en) 2024-03-18

Family

ID=75272774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019180982A Active JP7451126B2 (en) 2019-09-30 2019-09-30 Substrate processing equipment and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7451126B2 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053047A (en) 1999-08-13 2001-02-23 Ebara Corp Cleaning equipment for semiconductor substrate and cleaning method thereof
JP2002093766A (en) 2000-09-12 2002-03-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd System and method for processing substrate
JP2008098561A (en) 2006-10-16 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate cleaning method, and substrate cleaning apparatus
JP2014165281A (en) 2013-02-22 2014-09-08 Tokyo Electron Ltd Cleaning device, cleaning method, and peeling system
JP2015213104A (en) 2014-05-01 2015-11-26 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium
JP2016100368A (en) 2014-11-18 2016-05-30 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053047A (en) 1999-08-13 2001-02-23 Ebara Corp Cleaning equipment for semiconductor substrate and cleaning method thereof
JP2002093766A (en) 2000-09-12 2002-03-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd System and method for processing substrate
JP2008098561A (en) 2006-10-16 2008-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate cleaning method, and substrate cleaning apparatus
JP2014165281A (en) 2013-02-22 2014-09-08 Tokyo Electron Ltd Cleaning device, cleaning method, and peeling system
JP2015213104A (en) 2014-05-01 2015-11-26 東京エレクトロン株式会社 Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium
JP2016100368A (en) 2014-11-18 2016-05-30 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, and substrate cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021057500A (en) 2021-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015146546A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2001104861A (en) Liquid treating device and method thereof
JP2010027816A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8371317B2 (en) Surface treatment apparatus
JP2009021409A (en) Freezing processor, freezing processing method, and substrate processing device
TW202029311A (en) Carrier plate removing method
JP7451126B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
TWI492289B (en) Method for processing process-target object
JP2000133626A (en) Substrate washing device
JP2009231619A (en) Development apparatus and development method
JP2021057503A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7401243B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
JP7337633B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7337634B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
TW201843539A (en) Developing method, developing apparatus, and storage medium
WO2008065809A1 (en) Treatment apparatus and surface treatment jig
JP6417164B2 (en) LAMINATE MANUFACTURING DEVICE, LAMINATE, SEPARATING DEVICE, AND LAMINATE MANUFACTURING METHOD
JP6280789B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4955586B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
TWI578115B (en) Negative developing method and negative developing apparatus
JP2000235948A (en) Substrate processor
US20230294144A1 (en) Wafer cleaning apparatus
TWI682452B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH10154679A (en) Substrate cleaning device
JP2005340331A (en) Method and apparatus of substrate washing

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20200626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220826

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230718

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230915

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240306

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7451126

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150