JP7334862B2 - 半導体センサ - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板上に配置される誘電体層と、
前記誘電体層上に配置される第1電極と、
前記第1電極と間隔を有して、前記誘電体層上に配置される第2電極と、
前記誘電体層上において前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する半導体シートと、
前記誘電体層に少なくとも一部が覆われ、前記半導体シートに前記誘電体層を介して対向する第3電極と、
前記第3電極の表面と前記第3電極の表面に配置される前記誘電体層とのうち少なくとも1つに配置され、検出対象物を吸着する複数の第1吸着部と、
を備える。
半導体センサとして、バイオセンサなどに用いられる溶液トップゲートFETが知られている。このような半導体センサにおいては、例えば、ドレイン電極とソース電極とに電気的に接続されるグラフェンなどの半導体シートを用いて、半導体チャネルを形成している。
基板と、
前記基板上に配置される誘電体層と、
前記誘電体層上に配置される第1電極と、
前記第1電極と間隔を有して、前記誘電体層上に配置される第2電極と、
前記誘電体層上において前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する半導体シートと、
前記誘電体層に少なくとも一部が覆われ、前記半導体シートに前記誘電体層を介して対向する第3電極と、
前記第3電極の表面と前記第3電極の表面に配置される前記誘電体層とのうち少なくとも1つに配置され、検出対象物を吸着する複数の第1吸着部と、
を備える。
前記誘電体層上に配置され、前記第1電極、前記第2電極及び前記半導体シートを覆うカバー層を備えていてもよい。
前記半導体シート上に配置され、検出対象物を吸着する複数の第2吸着部を備えていてもよい。
前記半導体センサは、更に、
前記第1誘電体層上に配置され、前記第1電極、前記第2電極及び前記半導体シートを覆う第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置される第4電極と、
前記第4電極上に配置され、検出対象物を吸着する複数の第3吸着部と、
を備えていてもよい。
前記第2誘電体層上に配置される第2本体電極と、
前記第2本体電極から離れて配置される第2外部電極と、
前記第2本体電極と前記第2外部電極とを接続する第2接続線と、
を有し、
前記第2外部電極の表面には、検出対象物を吸着する複数の第3吸着部が配置されていてもよい。
前記半導体センサは、更に、
前記第1誘電体層上に配置され、前記第1電極、前記第2電極及び前記半導体シートを覆う第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置される第4電極と、
前記第3電極と前記第4電極とを接続する接続導体と、
を備え、
前記第3電極は、
前記第1誘電体層に覆われる第1本体電極と、
前記第1本体電極から離れて配置される第1外部電極と、
前記第1本体電極と前記第1外部電極とを接続する第1接続線と、
を有し、
前記複数の第1吸着部は、前記第1外部電極の表面に配置されていてもよい。
前記半導体シートから出力される電気信号を受信し、前記電気信号に基づいて前記検出対象物の量を演算する演算部を備えていてもよい。
前記態様のいずれか1つの半導体センサと、
前記第1電極と前記第2電極との間の電流を制御する第5電極と、
を備える。
[全体構成]
図1Aは、本発明に係る実施の形態1の半導体センサ1Aの主要な構成の一例を示す概略斜視図である。図1Bは、本発明に係る実施の形態1の検出装置50Aの主要な構成の一例を示す概略斜視図である。図2は、本発明に係る実施の形態1の半導体センサ1Aの主要な構成の一例を示す概略平面図である。図3Aは、図2の半導体センサ1AをA-A線で切断した概略断面図である。図3Bは、本発明に係る実施の形態1の検出装置50Aの概略断面図である。図中のX、Y、Z方向は、それぞれ半導体センサ1Aの縦方向、横方向、高さ方向を示している。
半導体センサ1Aの詳細な構成について説明する。
基板11は、板状を有する。基板11には、第3電極17及び誘電体層12が配置される。実施の形態1では、基板11は、例えば、絶縁材料によって形成されている。例えば、基板11は、SiO2などの絶縁材料で形成されている。
誘電体層12は、基板11上に配置される。また、誘電体層12は、基板11上において第3電極17を覆っている。誘電体層12は、板状の誘電体材料で形成される層である。実施の形態1では、誘電体層12は、絶縁体層12aで形成されている。
第1電極13は、誘電体層12上に配置されている。具体的には、第1電極13は、絶縁体層12a上に配置されている。第1電極13は、板状を有する。半導体センサ1Aの平面視において、第1電極13はY方向に延びる矩形状を有する。第1電極13は、導電性材料で形成されている。例えば、第1電極13は、Cu、Ti、Ni、Cr、Au、Ptなどの導電性材料で形成されている。実施の形態1では、第1電極13は、ドレイン電極として機能する。
第2電極14は、第1電極13と間隔を有して、誘電体層12上に配置されている。具体的には、第2電極14は、絶縁体層12a上において、第1電極13と対向して配置されている。第2電極14は、板状を有する。半導体センサ1Aの平面視において、第2電極14はY方向に延びる矩形状を有する。第2電極14は、第1電極13と同様の導電性材料で形成されている。実施の形態1では、第2電極14は、ソース電極として機能する。
半導体シート15は、半導体で形成されるシートである。半導体シート15は、導電性の材料で形成されており、検出対象物の付着を電気信号(例えば、電流信号)に置換して出力するシートである。半導体シート15は、検出対象物が付着すると電気的特性(例えば、電流電圧特性)が変化する。例えば、半導体シート15は、グラフェン、カーボンナノチューブ、有機半導体、MXENES及び遷移金属ダイカルコゲナイド層状物質、シリコン薄膜、シリコンナノワイヤのうちのいずれかで形成される。実施の形態1では、半導体シート15は、グラフェンで形成されている。グラフェンは他の半導体材料と比較してキャリア移動度が大きい。その結果、同一の検出対象物の付着によって変調される電流量を他の半導体材料よりも大きくすることが可能になる。
第3電極17は、一端と他端とを有する長手方向の板状を有する。半導体センサ1Aの平面視において、第3電極17はX方向に延びる矩形状を有する。第3電極17は、Cu、Ti、Ni、Cr、Au、Ptなどの導電性材料で形成されている。
複数の吸着部18は、検出対象物を吸着する。検出対象物は、例えば、ウィルスなどのターゲット分子である。複数の吸着部18は、例えば、ターゲット分子を吸着するレセプタである。本明細書においては、複数の吸着部18を複数の第1吸着部18と称する場合がある。
検出装置50Aの詳細な構成について説明する。
追加電極16は、電解液20の電位を制御するための電極である。追加電極16は、電解液20と接触し、第1電極13と第2電極14との間の電流を制御する。追加電極16は、柱状を有する。追加電極16は、例えば、Ag/AgClを構成部材とする参照電極である。あるいは、追加電極16の構成部材はAu又はPtなどの水溶液中で安定な金属単体に置き換えてもよい。実施の形態1では、追加電極16は、ゲート電極として機能する。
実施の形態1に係る半導体センサ1Aによれば、以下の効果を奏することができる。
図7Aは、本発明に係る実施の形態1の変形例1の半導体センサ1AAの主要な構成の一例を示す概略断面図である。図7Bは、本発明に係る実施の形態1の変形例1の検出装置50AAの主要な構成の一例を示す概略断面図である。図7Bにおいて、半導体センサ1AAに電解液20が充填されている。図7A及び図7Bに示すように、半導体センサ1AAの誘電体層12Aは、開口12aaを有さない絶縁体層12aで形成されている。即ち、半導体センサ1AAにおいて、第3電極17は、絶縁体層12aに覆われており、表面が露出していない。半導体センサ1AAにおいては、第3電極17が絶縁体層12aを介して電解液20と対向している。複数の吸着部18は、第3電極17と電解液20との間に位置する絶縁体層12aに配置されている。具体的には、複数の吸着部18は、絶縁体層12aにおいて電解液20と接する面側に配置されている。
図8は、本発明に係る実施の形態1の変形例2の検出装置50ABの主要な構成の一例を示す概略断面図である。図8に示すように、検出装置50ABの半導体センサ1ABは、変形例1の半導体センサ1AAの構成に加えて、カバー層21を備えていてもよい。カバー層21は、誘電体層12A上に配置され、第1電極13、第2電極14及び半導体シート15を覆う。カバー層21は、例えば、絶縁材料で形成されている。絶縁材料としては、例えば、Si3N4膜、TEOS膜、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、レジスト膜、フッ素系樹脂膜などが挙げられる。
本発明に係る実施の形態2の半導体センサについて説明する。
実施の形態2に係る半導体センサ1Bによれば、以下の効果を奏することができる。
本発明に係る実施の形態3の半導体センサについて説明する。
実施の形態3に係る半導体センサ1Cによれば、以下の効果を奏することができる。
本発明に係る実施の形態4の半導体センサについて説明する。
第2誘電体層12Bは、第1誘電体層12の絶縁体層12a上に配置され、第1電極13、第2電極14及び半導体シート15を覆う。第2誘電体層12Bは、第1誘電体層12と同様の誘電体材料で形成されている。実施の形態4では、第2誘電体層12Bは、絶縁体層12aで形成されている。
第4電極24は、一端と他端とを有する長手方向の板状を有する。半導体センサ1Dの平面視において、第4電極24はX方向に延びる矩形状を有する。第4電極24は、第3電極17と同様の導電性材料で形成されている。
複数の第3吸着部25は、第4電極24上に配置され、検出対象物2を吸着する。実施の形態4では、複数の第3吸着部25は、複数の第1吸着部18と同様の構成を有する。また、複数の第3吸着部25は、電気二重層12bに覆われている。
実施の形態4に係る半導体センサ1Dによれば、以下の効果を奏することができる。
本発明に係る実施の形態5の半導体センサについて説明する。
接続導体26は、第3電極17Bと第4電極24とを接続する。接続導体26は、第3電極17Bと第4電極24とを電気的に接続する。具体的には、接続導体26は、第3電極17Bの本体電極17aと第4電極24とを電気的に接続する。接続導体26は、例えば、導電性材料で形成されている。
容器27は、電解液20を貯留する。容器27には、第5電極16が配置されている。第5電極16は、容器27に貯留された電解液20に接触している。
本体電極17aは、基板11上に配置され、第1誘電体層12Aで覆われている。本体電極17aは、実施の形態1の第3電極17と同様の構成を有する。本体電極17aは、半導体シート15の第1主面PS1側に配置されており、半導体シート15と容量結合する。
外部電極17bは、本体電極17aから離れて配置される。実施の形態5では、外部電極17bは、電解液20を貯留する容器27に配置されている。外部電極17bは、板状を有する。外部電極17bは、例えば、本体電極17aと同様に導電性材料で形成されている。
接続線17cは、本体電極17aと外部電極17bとを接続する。接続線17cは、本体電極17aと外部電極17bとを電気的に接続する。接続線17cは、例えば、導電性材料で形成されている。また、接続線17cは可撓性を有していてもよい。
実施の形態5に係る半導体センサ1Eによれば、以下の効果を奏することができる。
図14Aは、本発明に係る実施の形態5の変形例3の検出装置50EAの主要な構成を示す概略断面図である。図14Aに示すように、検出装置50EAの半導体センサ1EAでは、第4電極24Aが、本体電極24a、外部電極24b及び接続線24cを有する。外部電極24bの表面には、複数の吸着部25が配置されている。また、電解液20が充填された状態では、外部電極24bの表面に、電気二重層12dが形成されている。
図14Bは、本発明に係る実施の形態5の変形例4の検出装置の主要な構成を示す概略断面図である。図14Bに示すように、検出装置50EBの半導体センサ1EBでは、第3電極17Cが、本体電極17a、第1外部電極17d、第1接続線17e、第2外部電極17f及び第2接続線17gを有する。
本発明に係る実施の形態6の半導体センサについて説明する。
実施の形態6に係る半導体センサ1Fによれば、以下の効果を奏することができる。
図18は、本発明に係る実施の形態6の変形例5の検出装置50FAの主要な構成を示す概略断面図である。図18に示すように、検出装置50FAの半導体センサ1FAは、複数の第3吸着部25Aを除いて、実施の形態5の変形例3の半導体センサ1EAの構成と同様の構成を有する。半導体センサ1FAにおいて、複数の第3吸着部25Aは、複数の第1吸着部18が吸着する第1検出対象物2とは異なる第3検出対象物4を吸着する。このような構成においても、半導体センサ1Fと同様の効果を奏することができる。
その他の実施形態として、半導体センサは、実施の形態1の構成に実施の形態4または5の第4電極24を備えてもよい。また、当該半導体センサにおいて、第4電極24の上にカバー層が配置されていてもよい。
2,3,4 検出対象物
11 基板
12,12A 誘電体層(第1誘電体層)
12B 誘電体層(第2誘電体層)
12a 絶縁体層
12b,12c,12d 電気二重層
13 第1電極(ドレイン電極)
14 第2電極(ソース電極)
15 半導体シート
15a 半導体
15b キャリア変調領域
16 追加電極(第5電極;ゲート電極)
17,17A,17B、17C 第3電極(バックゲート電極)
17a 本体電極(第1本体電極)
17b 外部電極(第1外部電極)
17c 接続線(第1接続線)
17d 第1外部電極
17e 第1接続線
17f 第2外部電極
17g 第2接続線
18 吸着部(第1吸着部)
19 演算部
20 電解液
21 カバー層
21a 孔
22 電極層
23,23A 吸着部(第2吸着部)
24,24A 第4電極(トップゲート電極)
24a 本体電極(第2本体電極)
24b 外部電極(第2外部電極)
24c 接続線(第2接続線)
25,25A 吸着部(第3吸着部)
26 接続導体
27 容器
50A,50AA,50AB.50B,50C,50D,50E,50EA,50EB,50F,50FA 検出装置
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に配置される第1誘電体層と、
前記第1誘電体層上に配置される第1電極と、
前記第1電極と間隔を有して、前記第1誘電体層上に配置される第2電極と、
前記第1誘電体層上において前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する半導体シートと、
前記第1誘電体層に少なくとも一部が覆われ、前記半導体シートに前記第1誘電体層を介して対向する第3電極と、
前記第3電極の表面と前記第3電極の表面に配置される前記第1誘電体層とのうち少なくとも1つに配置され、検出対象物を吸着する複数の第1吸着部と、
前記第1誘電体層上に配置され、前記第1電極、前記第2電極及び前記半導体シートを覆う第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置される第4電極と、
前記第4電極上に配置され、検出対象物を吸着する複数の第2吸着部と、
を備え、
前記第4電極は、
前記第2誘電体層上に配置される第2本体電極と、
前記第2本体電極から離れて配置される第2外部電極と、
前記第2本体電極と前記第2外部電極とを接続する第2接続線と、
を有し、
前記第2外部電極の表面には、前記複数の第2吸着部が配置されている、
半導体センサ。 - 前記複数の第2吸着部は、前記複数の第1吸着部が吸着する第1検出対象物とは異なる第2検出対象物を吸着する、
請求項1に記載の半導体センサ。 - 基板と、
前記基板上に配置される第1誘電体層と、
前記第1誘電体層上に配置される第1電極と、
前記第1電極と間隔を有して、前記第1誘電体層上に配置される第2電極と、
前記第1誘電体層上において前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する半導体シートと、
前記第1誘電体層に少なくとも一部が覆われ、前記半導体シートに前記第1誘電体層を介して対向する第3電極と、
前記第3電極の表面と前記第3電極の表面に配置される前記第1誘電体層とのうち少なくとも1つに配置され、検出対象物を吸着する複数の第1吸着部と、
前記第1誘電体層上に配置され、前記第1電極、前記第2電極及び前記半導体シートを覆う第2誘電体層と、
前記第2誘電体層上に配置される第4電極と、
前記第3電極と前記第4電極とを接続する接続導体と、
を備え、
前記第3電極は、
前記第1誘電体層に覆われる第1本体電極と、
前記第1本体電極から離れて配置される第1外部電極と、
前記第1本体電極と前記第1外部電極とを接続する第1接続線と、
を有し、
前記複数の第1吸着部は、前記第1外部電極の表面に配置される、
半導体センサ。 - 前記第3電極は、前記基板として構成されている、
請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体センサ。 - 更に、
前記半導体シートから出力される電気信号を受信し、前記電気信号に基づいて前記検出対象物の量を演算する演算部を備える、
請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体センサ。 - 請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体センサと、
前記第1電極と前記第2電極との間の電流を制御する第5電極と、
を備える、検出装置。
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